JP2010267900A - Method of manufacturing led light source device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体層を備えたLED光源装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing an LED light source device including a phosphor layer that emits wavelength-converted light when excited by receiving light emitted from a light emitting element.
従来、化合物半導体である発光ダイオード(以下、LEDと略す)は、長寿命や小型化の特徴を生かして光源装置として幅広く利用されている。また、窒化ガリウム系化合物半導体(以下、GaN系半導体と略す)等による青色を発光するLEDが開発され製品化されたことにより、LED素子を封止する樹脂に黄色光を発する蛍光体を含有させ、青色光と黄色光との混合により疑似白色光を得る光源装置が実用化されている。また、GaN系半導体により紫外光〜近紫外光(例えば350〜410nm)にピーク波長を有するLEDが開発され、この紫外光〜近紫外光を受けて励起されることにより、赤色光、緑色光、青色光を発する三種類の蛍光体を用いて白色光を得る光源装置も開示されている。 Conventionally, light-emitting diodes (hereinafter abbreviated as LEDs), which are compound semiconductors, are widely used as light source devices by taking advantage of their long life and miniaturization. In addition, LEDs that emit blue light using gallium nitride-based compound semiconductors (hereinafter abbreviated as GaN-based semiconductors) have been developed and commercialized, so that a resin that seals LED elements contains a phosphor that emits yellow light. A light source device that obtains pseudo white light by mixing blue light and yellow light has been put into practical use. In addition, LEDs having a peak wavelength from ultraviolet light to near ultraviolet light (for example, 350 to 410 nm) have been developed by GaN-based semiconductors, and are excited by receiving this ultraviolet light to near ultraviolet light, thereby causing red light, green light, A light source device that obtains white light using three types of phosphors that emit blue light is also disclosed.
このような白色LEDにおいて、光硬化性蛍光体含有組成物をLED素子に塗布した後、LED素子を発光させて光硬化性蛍光体含有組成物を硬化させる製造方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。この白色発光ダイオードの製造方法は、LED素子の表面に光硬化性蛍光体含有組成物層を形成する工程と、LED素子を発光させて光硬化性蛍光体含有組成物を硬化する工程と、硬化工程後に光硬化性蛍光体含有組成物の硬化物を残すように未硬化物を除去する工程とを備えている。そして、LED素子として紫外線LEDを使用する場合は、光硬化性蛍光体含有組成物の中に青色蛍光体、赤色蛍光体、緑色蛍光体をそれぞれ配合することが示されている。 In such a white LED, a manufacturing method is disclosed in which after the photocurable phosphor-containing composition is applied to the LED element, the LED element emits light to cure the photocurable phosphor-containing composition (for example, Patent Document 1). This white light emitting diode manufacturing method includes a step of forming a photocurable phosphor-containing composition layer on the surface of the LED element, a step of causing the LED element to emit light and curing the photocurable phosphor-containing composition, and curing. And a step of removing the uncured product so as to leave a cured product of the photocurable phosphor-containing composition after the step. And when using ultraviolet LED as an LED element, it has shown that a blue fluorescent substance, a red fluorescent substance, and a green fluorescent substance are mix | blended with a photocurable fluorescent substance containing composition, respectively.
そして、光硬化性蛍光体含有組成物に含有される蛍光体粒子の混合にむらが生じても、蛍光体粒子が多く存在する光路では、組成物の硬化が進まないので硬化領域が薄くなり、蛍光体粒子が少ない光路では、組成物の硬化が進むので硬化領域が厚くなることが示されている。これにより、蛍光体からの変換光が調整されて色むらや発光むらを抑制することが示されている。 And even if uneven mixing of the phosphor particles contained in the photocurable phosphor-containing composition occurs, in the optical path where there are a lot of phosphor particles, the curing of the composition does not proceed, the cured region becomes thin, It has been shown that in an optical path with few phosphor particles, the cured region becomes thicker as the composition is cured. Thereby, it is shown that the converted light from the phosphor is adjusted to suppress uneven color and uneven light emission.
しかしながら、特許文献1の白色発光ダイオードの製造方法では、LED素子を被覆する組成物の中に、青色蛍光体、赤色蛍光体、緑色蛍光体の3種類の蛍光体粒子が混合されるが、それぞれの蛍光体粒子は、比重が異なると共に粒径も異なるので、組成物中に混合するときに均一に分散することが難しく、一例としてある部分では赤色蛍光体が集中し、ある部分では青色蛍光体が集中するといった状況が起きやすい。このような蛍光体の偏りによって混色性が悪化し、個々のLEDで色むらが発生する問題である。
However, in the method for producing a white light emitting diode of
また、別の問題として、各蛍光体による波長変換光の相互作用による問題がある。この問題を説明するために、一般的な青色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体の特性について図面を用いて説明する。図18は青色、緑色、赤色のそれぞれの蛍光体の発光Emと励起Exの特性を示しており、X軸は光の波長であり、Y軸は強度を表している。 As another problem, there is a problem due to the interaction of wavelength-converted light by each phosphor. In order to explain this problem, characteristics of general blue phosphor, green phosphor, and red phosphor will be described with reference to the drawings. FIG. 18 shows the characteristics of light emission Em and excitation Ex of the phosphors of blue, green, and red, the X axis represents the wavelength of light, and the Y axis represents the intensity.
ここで、図18(a)は、一般的な青色蛍光体の特性を示しており、この青色蛍光体は、図示するように波長450nm付近に発光Emのピークがあり、励起Exは、430nm位より短波長、すなわち、紫外光から近紫外光の波長によって励起するので、可視光はほとんど吸収されず透過する。 Here, FIG. 18A shows the characteristics of a general blue phosphor. As shown in the figure, the blue phosphor has a peak of light emission Em in the vicinity of a wavelength of 450 nm, and the excitation Ex is about 430 nm. Since it is excited by a shorter wavelength, that is, a wavelength from ultraviolet light to near ultraviolet light, visible light is hardly absorbed and transmitted.
また、図18(b)は、一般的な緑色蛍光体の特性を示しており、この緑色蛍光体は、図示するように波長530nm付近に発光Emのピークがあり、励起Exは、500nm位より短波長によって励起する。この特性により、緑色蛍光体は500nm位より短波長の光を吸収する。 FIG. 18B shows the characteristics of a general green phosphor. This green phosphor has an emission Em peak near a wavelength of 530 nm as shown in the figure, and the excitation Ex is about 500 nm. Excitation by short wavelength. Due to this characteristic, the green phosphor absorbs light having a wavelength shorter than about 500 nm.
また、図18(c)は、一般的な赤色蛍光体の特性を示しており、この赤色蛍光体は、図示するように波長650nm付近に発光Emのピークがあり、励起Exは、600nm位より短波長によって励起する。この特性により、赤色蛍光体は600nm位より短波長の光を吸収する。 FIG. 18C shows the characteristics of a general red phosphor. This red phosphor has an emission Em peak near a wavelength of 650 nm as shown in the figure, and the excitation Ex is about 600 nm. Excitation by short wavelength. Due to this characteristic, the red phosphor absorbs light having a wavelength shorter than about 600 nm.
このように、各色のそれぞれの蛍光体は、励起される波長が異なるという特性を有する。このため、青色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体が、特許文献1で示されるように一つの組成物中に混合されると、各蛍光体が発光する波長変換光が混ざり合うことになり、青色蛍光体からの450nmの蛍光は、緑色蛍光体と赤色蛍光体に吸収され、また、緑色蛍光体からの530nmの蛍光は、赤色蛍光体によって吸収される。すなわち、波長変換光が異なる蛍光体が組成物の中に混合されることで、蛍光体の2次励起が発生し、この結果、青色の波長変換光と緑色の波長変換光が吸収されて弱められるので、LEDの発光効率が悪化して輝度低下が生じ、また、蛍光体の混合状態によって個々のLEDに輝度ばらつきや色むらが生じるなどの問題がある。
Thus, each phosphor of each color has a characteristic that the wavelength to be excited is different. For this reason, when a blue phosphor, a green phosphor, and a red phosphor are mixed in one composition as shown in
本発明の目的は上記課題を解決し、混色性が良好で色むらが少なく発光効率に優れ、且つ、特性が均一で高性能なLED光源装置の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to provide a method for manufacturing a high-performance LED light source device having good color mixing, little color unevenness, excellent luminous efficiency, uniform characteristics, and high performance.
上記課題を解決するために、本発明のLED光源装置の製造方法は、下記記載の製造方法を採用する。 In order to solve the above problems, the manufacturing method described below is adopted as the manufacturing method of the LED light source device of the present invention.
本発明のLED光源装置の製造方法は、LED素子を被覆する封止樹脂を硬化して形成するLED光源装置の製造方法において、第1の蛍光体を含む第1の樹脂部材を、LED素子を被覆して塗布する工程と、LED素子を自発光させることにより、LED素子周りの第1の樹脂部材を部分的に硬化させる工程と、第1の樹脂部材の内の未硬化部分を除去することで、第1の蛍光体層を形成する工程と、第1の蛍光体とは異なる第2の蛍光体を含む第2の樹脂部材を、第1の蛍光体層を被覆して塗布する工程と、LED素子を自発光させることにより、第1の蛍光体層周りの第2の樹脂部材を、部分的に硬化させる工程と、第2の樹脂部材の内の未硬化部分を除去することで、第2の蛍光体層を形成する工程と、を有することを特徴とする。 The manufacturing method of the LED light source device of this invention is a manufacturing method of the LED light source device formed by hardening | curing sealing resin which coat | covers an LED element, The 1st resin member containing a 1st fluorescent substance is used as an LED element. The step of coating and applying, the step of partially curing the first resin member around the LED element by causing the LED element to emit light, and the removal of the uncured portion of the first resin member Then, a step of forming the first phosphor layer, a step of applying a second resin member containing a second phosphor different from the first phosphor so as to cover the first phosphor layer, and By causing the LED element to self-emit, the step of partially curing the second resin member around the first phosphor layer, and removing the uncured portion of the second resin member, Forming a second phosphor layer.
また、第2の蛍光体層を形成した後に、第1、第2の蛍光体とは異なる第3の蛍光体を含む第3の樹脂部材を、第2の蛍光体層を被覆して塗布する工程と、LED素子を自発光させることにより、第2の蛍光体層周りの第3の樹脂部材を、部分的に硬化させる工程と、第3の樹脂部材の内の未硬化部分を除去することで、第3の蛍光体層を形成する工程と、を行うことを特徴とする。 In addition, after the second phosphor layer is formed, a third resin member containing a third phosphor different from the first and second phosphors is applied so as to cover the second phosphor layer. Removing the uncured portion of the third resin member and the step of partially curing the third resin member around the second phosphor layer by causing the LED element to self-emit; And a step of forming a third phosphor layer.
また、LED素子が、n−UV発光ダイオードであり、第1の蛍光体が、LED素子からの発光色を赤色に変換する蛍光体であり、第2の蛍光体が、LED素子からの発光色を
緑色に変換する蛍光体であり、第3の蛍光体が、LED素子からの発光色を青色に変換する蛍光体であることを特徴とする。
Further, the LED element is an n-UV light emitting diode, the first phosphor is a phosphor that converts the emission color from the LED element to red, and the second phosphor is the emission color from the LED element. The third phosphor is a phosphor that converts the light emission color from the LED element into blue.
また、LED素子が、青色発光ダイオードであり、第1の蛍光体が、LED素子からの発光色を赤色に変換する蛍光体であり、第2の蛍光体が、LED素子からの発光色を緑色に変換する蛍光体であることを特徴とする。 In addition, the LED element is a blue light emitting diode, the first phosphor is a phosphor that converts the emission color from the LED element to red, and the second phosphor changes the emission color from the LED element to green. It is characterized by being a phosphor that converts to
また、最表面に形成された蛍光体層を、透明性の封止部材で封止することを特徴とする。 Further, the phosphor layer formed on the outermost surface is sealed with a transparent sealing member.
また、LED素子が、n−UV発光ダイオードであり、第1の蛍光体が、LED素子からの発光色を赤色に変換する蛍光体であり、第2の蛍光体が、LED素子からの発光色を緑色に変換する蛍光体であることを特徴とする。 Further, the LED element is an n-UV light emitting diode, the first phosphor is a phosphor that converts the emission color from the LED element to red, and the second phosphor is the emission color from the LED element. It is characterized by being a phosphor that converts green into green.
また、第2の蛍光体層を、LED素子からの発光色を青色に変換する蛍光体を含む、透明性の封止部材で封止することを特徴とする。 In addition, the second phosphor layer is sealed with a transparent sealing member including a phosphor that converts the emission color from the LED element into blue.
また、基板に設けた電極部とLED素子とを電気的に接続したワイヤーボンディングを介してLED素子に電流を供給することで、LED素子を自発光させることを特徴とする。 Further, the LED element is caused to emit light by supplying current to the LED element through wire bonding in which the electrode part provided on the substrate and the LED element are electrically connected.
また、第1と第2の樹脂部材は、紫外線硬化型樹脂であり、各蛍光体層の厚みは、LED素子の発光強度分布により決定した膜厚であることを特徴とする。 Further, the first and second resin members are ultraviolet curable resins, and the thickness of each phosphor layer is a film thickness determined by the emission intensity distribution of the LED element.
また、第1と第2の樹脂部材は、熱硬化型樹脂であり、各蛍光体層の厚みは、LED素子を自発光させたときの熱量により決定した膜厚であることを特徴とする。 The first and second resin members are thermosetting resins, and the thickness of each phosphor layer is a film thickness determined by the amount of heat when the LED element is self-luminous.
また、LED光源装置を、集合基板に複数個並べて、多数個同時に自発光させることにより、個々のLED素子の周りに、決定した膜厚の蛍光体層を形成することを特徴とする。 In addition, a plurality of LED light source devices are arranged on a collective substrate, and a plurality of LED light source devices emit light simultaneously to form a phosphor layer having a determined film thickness around each LED element.
本発明のLED光源装置の製造方法によれば、近紫外光を発光するLED素子に第1の蛍光体を含む光硬化型樹脂を被覆し、LED素子を自発光させることにより、LED素子からの発光強度に応じて樹脂を硬化させて第1の蛍光体層を形成することが出来る。また、その第1の蛍光体層に第2の蛍光体を含む光硬化型樹脂を塗布してLED素子を自発光させることにより、第2の蛍光体層を形成することが出来る。また更に、第2の蛍光体層に第3の蛍光体を含む光硬化型樹脂を塗布してLED素子を自発光させることにより、第3の蛍光体層を形成することが出来る。 According to the LED light source device manufacturing method of the present invention, the LED element that emits near-ultraviolet light is coated with the photocurable resin containing the first phosphor, and the LED element emits light by itself. The first phosphor layer can be formed by curing the resin according to the emission intensity. Moreover, the 2nd fluorescent substance layer can be formed by apply | coating the photocurable resin containing a 2nd fluorescent substance to the 1st fluorescent substance layer, and making an LED element light-emit. Furthermore, the third phosphor layer can be formed by applying a photocurable resin containing the third phosphor to the second phosphor layer and causing the LED element to emit light by itself.
これにより、蛍光体が均一に分散した第1、第2、第3の蛍光体層が積層されるので、LED素子からの近紫外光が均一に各層の蛍光体粒子に照射して波長変換が行われ、混色性が良好で色むらの少ないLED光源装置を製造することが出来る。また、LEDの直近に最も長波長の赤色蛍光体を配置し、次に緑色蛍光体を配置し、最も外側に短波長の青色蛍光体を配置することによって、各蛍光体による波長変換光の相互作用の影響を抑制出来るので、蛍光体の2次励起が抑制されて光源装置の発光効率が向上し、高輝度で輝度ばらつきの少ないLED光源装置を製造することが出来る。 As a result, the first, second, and third phosphor layers in which the phosphors are uniformly dispersed are laminated, so that the near ultraviolet light from the LED element is uniformly irradiated to the phosphor particles of each layer, thereby converting the wavelength. As a result, an LED light source device with good color mixing and little color unevenness can be manufactured. In addition, by arranging the longest wavelength red phosphor in the immediate vicinity of the LED, then arranging the green phosphor, and arranging the short wavelength blue phosphor on the outermost side, mutual conversion of wavelength-converted light by each phosphor is achieved. Since the influence of the action can be suppressed, secondary excitation of the phosphor is suppressed, the light emission efficiency of the light source device is improved, and an LED light source device with high brightness and little luminance variation can be manufactured.
また、光硬化型樹脂を被覆してLED素子の自発光によって樹脂を硬化させることで、LED素子と基板を電気的に接続するワイヤに影響されずに積層した蛍光体層を変形が無
く薄く形成できるので、ワイヤボンディングによる実装に適した製造方法である。
In addition, by covering the light-curing resin and curing the resin by the self-emission of the LED element, the phosphor layer that is stacked without being affected by the wire that electrically connects the LED element and the substrate is formed thin without deformation. Therefore, it is a manufacturing method suitable for mounting by wire bonding.
また、光硬化型樹脂を硬化させるためのLED素子の自発光時間やLED素子に供給する電流値を変えることで、各蛍光体層の膜厚を任意に制御できるので、発光の色味調整を容易に実現でき、色バランスが最適な白色のLED光源装置を製造することが出来る。 Also, by changing the self-emission time of the LED element for curing the photocurable resin and the current value supplied to the LED element, the film thickness of each phosphor layer can be arbitrarily controlled, so the color of light emission can be adjusted. A white LED light source device that can be easily realized and has an optimal color balance can be manufactured.
また、LED素子を集合基板上に複数個実装し、多数個同時に自発光させることにより、個々のLED素子の周りに、所定の膜厚の蛍光体層を均一に形成することが出来るので、色むらや輝度ばらつき等が少なく特性が安定したLED光源装置を一括して大量に製造することが出来る。 In addition, by mounting a plurality of LED elements on a collective substrate and simultaneously emitting a plurality of LED elements simultaneously, a phosphor layer having a predetermined thickness can be uniformly formed around each LED element. It is possible to manufacture a large number of LED light source devices that have less unevenness and luminance variation and have stable characteristics.
以下図面に基づいて本発明のLED光源装置の製造方法の具体的な実施の形態、及びその変形例を詳述する。 Hereinafter, specific embodiments of the LED light source device manufacturing method of the present invention and modifications thereof will be described in detail with reference to the drawings.
[実施例1のLED光源装置の製造方法の製造工程の概略説明:図1]
まず、本発明の実施例1の製造工程の概略を図1によって説明する。尚、実施例1の特徴はLED素子が近紫外発光のLED素子であり、第1、第2、第3の蛍光体を含有する三つの蛍光体層を積層して白色光を発光するLED光源装置を製造することである。図1は本発明の実施例1の製造工程の全体概略を示すフローチャートである。尚、各製造工程の詳細は後述する。
[Schematic Explanation of Manufacturing Process of Manufacturing Method of LED Light Source Device of Example 1: FIG. 1]
First, the outline of the manufacturing process of Example 1 of the present invention will be described with reference to FIG. The feature of the first embodiment is that the LED element is an LED element that emits near ultraviolet light, and an LED light source that emits white light by laminating three phosphor layers containing the first, second, and third phosphors. Is to manufacture the device. FIG. 1 is a flowchart showing an overall outline of the manufacturing process of the first embodiment of the present invention. Details of each manufacturing process will be described later.
図1に示すように、まず、複数のLED素子を実装するための集合基板を製造する集合基板製造工程を実施する(工程M1)。 As shown in FIG. 1, first, a collective substrate manufacturing process for manufacturing a collective substrate for mounting a plurality of LED elements is performed (process M1).
次に、完成した集合基板上に複数のLED素子を固着し、各LED素子をワイヤボンディングによって集合基板の電極部と電気的に接続するLED素子実装工程を実施する(工程M2)。 Next, an LED element mounting step is performed in which a plurality of LED elements are fixed on the completed aggregate substrate, and each LED element is electrically connected to the electrode portion of the aggregate substrate by wire bonding (process M2).
次に、第1の蛍光体を含有する第1の樹脂部材を集合基板上に実装した複数のLED素子に被覆するポッティング工程を実施する(工程M3)。尚、第1の樹脂部材は紫外線硬化型樹脂である。 Next, a potting step of covering the plurality of LED elements mounted on the aggregate substrate with the first resin member containing the first phosphor is performed (step M3). The first resin member is an ultraviolet curable resin.
次に、実装したLED素子のそれぞれに所定の電流を流してLED素子を自発光させ、LED素子周辺の第1の樹脂部材を部分的に硬化させる樹脂硬化工程を実施する(工程M4)。 Next, a resin curing process is performed in which a predetermined current is supplied to each of the mounted LED elements to cause the LED elements to emit light spontaneously, and the first resin member around the LED elements is partially cured (process M4).
次に、第1の樹脂部材によって被覆された集合基板を有機溶剤に浸して、未硬化部分の第1の樹脂部材を除去する洗浄工程を実施する(工程M5)。 Next, a cleaning step is performed in which the aggregate substrate covered with the first resin member is immersed in an organic solvent to remove the first resin member in the uncured portion (step M5).
次に、洗浄した集合基板を加熱等によって乾燥させる乾燥工程を実施する(工程M6)。これにより、複数のLED素子の周辺に第1の蛍光体層が形成される。 Next, a drying process for drying the cleaned aggregate substrate by heating or the like is performed (process M6). Thereby, the 1st fluorescent substance layer is formed in the circumference of a plurality of LED elements.
次に、ループL1によって工程M6からポッティング工程(工程M3)に戻り、第2の蛍光体を含有する第2の樹脂部材を第1の蛍光体層に被覆するポッティング工程を再び実施し、その後、樹脂硬化工程(工程M4)から乾燥工程(工程M6)まで実施する。これにより、第1の蛍光体層を被覆する第2の蛍光体層が形成される。尚、第2の樹脂部材も紫外線硬化型樹脂である。 Next, the loop L1 returns from the step M6 to the potting step (step M3), and the potting step of covering the first phosphor layer with the second resin member containing the second phosphor is performed again, and then The resin curing process (process M4) to the drying process (process M6) are performed. Thereby, the 2nd fluorescent substance layer which coats the 1st fluorescent substance layer is formed. The second resin member is also an ultraviolet curable resin.
次に、再びループL1によってポッティング工程(工程M3)に戻り、第3の蛍光体を含有する第3の樹脂部材を第2の蛍光体層に被覆するポッティング工程を再び実施し、その後、樹脂硬化工程(工程M4)から乾燥工程(工程M6)まで実施する。これにより、第2の蛍光体層を被覆する第3の蛍光体層が形成される。すなわち、ポッティング工程(工程M3)から乾燥工程(工程M6)までを3回繰り返して実施することで、LED素子の周辺に、第1、第2、第3の3層による蛍光体層が積層される。尚、第3の樹脂部材も紫外線硬化型樹脂である。 Next, returning to the potting step (step M3) again by the loop L1, the potting step of covering the second phosphor layer with the third resin member containing the third phosphor is performed again, and then the resin is cured. It implements from a process (process M4) to a drying process (process M6). Thereby, the 3rd fluorescent substance layer which coats the 2nd fluorescent substance layer is formed. That is, by repeating the potting process (process M3) to the drying process (process M6) three times, the phosphor layers of the first, second, and third layers are stacked around the LED element. The The third resin member is also an ultraviolet curable resin.
次に、3回目の乾燥工程(工程M6)が終了したならば、集合基板上の最表面に形成された第3の蛍光体層に透明性の封止部材を充填し封止する封止工程を実施する(工程M7)。 Next, when the third drying step (step M6) is completed, a sealing step of filling and sealing the third phosphor layer formed on the outermost surface on the aggregate substrate with a transparent sealing member (Step M7).
次に、封止部材によって封止された集合基板を所定の切断位置で切断し、複数個のLED光源装置を完成させる(工程M8)。 Next, the collective substrate sealed by the sealing member is cut at a predetermined cutting position to complete a plurality of LED light source devices (step M8).
[実施例1の集合基板製造工程(工程M1)の説明:図2]
次に、本発明の実施例1の集合基板の製造工程の詳細を図2によって説明する。図2は本発明によって製造されるLED光源装置の集合基板を示し、図2(a)は集合基板の平面図であり、図2(b)は図2(a)の切断線A−A’で切断した集合基板の断面図である。
[Description of Assembly Substrate Manufacturing Process (Process M1) of Example 1: FIG. 2]
Next, details of the manufacturing process of the collective substrate according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows a collective substrate of the LED light source device manufactured according to the present invention, FIG. 2 (a) is a plan view of the collective substrate, and FIG. 2 (b) is a section line AA ′ of FIG. 2 (a). It is sectional drawing of the collective substrate cut | disconnected by.
図2(a)(b)に示すように、1はLED光源装置を複数個並べて集合する集合基板であり、エポキシ材等の絶縁性基板で形成される。2a〜2eは、集合基板1の表面と裏面に同一形状で形成される略長方形状の電極であり、導電性の銅箔等によって成る。ここで、電極2aは図示するように集合基板1上に所定の間隔で図面上縦に形成され、また、電極2bは電極2aに隣接し、電極2aと同様に集合基板1上に所定の間隔で図面上縦に形成される。また、電極2c〜2eも同様に集合基板1上に所定の間隔で図面上縦に形成される。
As shown in FIGS. 2A and 2B,
これにより、電極2a〜2eは、集合基板1の表面と裏面にマトリクス状に形成され、図2においては、図面上横方向で5列、図面上縦方向で6行、合計30個の電極2a〜2eが形成されるが、電極2a〜2eは、この個数に限定されるものではなく、集合基板1の大きさや電極形状等によって任意の数に形成して良い。尚、集合基板1の裏面においても、表面の電極2a〜2eと同一位置に同一形状の電極2a〜2eが形成される。
Thus, the electrodes 2a to 2e are formed in a matrix on the front and back surfaces of the
また、3a〜3eは、集合基板1の表面と裏面の電極2a〜2eの領域内に形成されるスルホールである。ここでスルホール3aは、電極2aの領域内で図面上左側に寄った位置に形成され、集合基板1の表面の電極2aと裏面の電極2aを電気的に接続する。また、スルホール3bは、電極2bの領域内で図面上左側に寄った位置に形成され、集合基板1の表面の電極2bと裏面の電極2bを電気的に接続する。同様に、スルホール3c〜3eは、電極2c〜2eのそれぞれの領域内で図面上左側に寄った位置に形成され、集合基板1の表面の電極2c〜2eと裏面の電極2c〜2eをそれぞれ電気的に接続する。
Further, 3a to 3e are through holes formed in the regions of the electrodes 2a to 2e on the front surface and the back surface of the
また、4と5は電極端子であり、集合基板1の図面上左右の端部に電極2aと電極2eにそれぞれ接してライン状に形成される。ここで、電極端子4は電極2aの端部に接して形成されるので、すべての電極2aは電極端子4によって電気的に接続する。また、電極端子5は電極2eの端部にそれぞれ接して形成されるので、すべての電極2eは電極端子5によって電気的に接続する。この電極端子4、5は、集合基板1に実装されるLED素子に電流を供給する端子として用いられるが、詳細は後述する。尚、図2に示す集合基板1の電極パターンは一例を示すものであり、電極パターンの構成は限定されるものではない。
[実施例1のLED素子の実装工程(工程M2)の説明:図3、図4]
次に、本発明の実施例1のLED素子の実装工程の詳細を図3及び図4によって説明する。図3は本発明の実施例1のLED素子の実装工程を示し、図3(a)はLED素子が実装された集合基板の平面図であり、図3(b)はLED素子が実装された集合基板の拡大側面図である。
[Description of LED Element Mounting Step (Step M2) of Example 1: FIGS. 3 and 4]
Next, details of the mounting process of the LED element according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 shows a mounting process of the LED element of Example 1 of the present invention, FIG. 3 (a) is a plan view of the collective substrate on which the LED element is mounted, and FIG. 3 (b) is a mounting of the LED element. It is an enlarged side view of an aggregate substrate.
図3(a)(b)に示すように、まず、LED素子の実装工程として、集合基板1の表面の電極2a〜2dの図面上略右半分の領域(すなわち、スルホール3a〜3d以外の領域)に、LED素子10を導電性接着剤等(図示せず)によって固着し実装する。すなわち、電極2a〜2dは図示するようにそれぞれ縦に6個ずつ形成されているので、縦6行
、横4列の合計24個のLED素子10が1枚の集合基板1の表面に実装される。尚、図面上右端の電極2eには、実装されない。ここで、LED素子10は実施例1においては、発光波長が一例として405nm程度の近紫外発光ダイオード(n−UV発光ダイオード)である。
As shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), as the LED element mounting step, first, a region on the right half of the electrode 2a-2d on the surface of the
次に、実装されたLED素子10は、ワイヤボンダ(図示せず)によってワイヤボンディングされ、接続部材としての金細線によって成るワイヤ11と12で、電極2a〜2eに電気的に接続される。すなわち、図示するように、電極2aに実装されたLED素子10のアノード(図示せず)はワイヤ11によって電極2aと電気的に接続され、LED素子10のカソード(図示せず)はワイヤ12によって横隣りの電極2bと電気的に接続される。
Next, the mounted
また同様に、電極2bに実装されたLED素子10のアノード(図示せず)はワイヤ11によって電極2bと電気的に接続され、LED素子10のカソード(図示せず)はワイヤ12によって横隣りの電極2cと電気的に接続される。また同様に、電極2cに実装されたLED素子10と、電極2dに実装されたLED素子10も、ワイヤ11、12によってそれぞれの電極と電気的に接続される。
Similarly, the anode (not shown) of the
これにより、図面上横4列のLED素子10が、電極2a〜2eを介して電極端子4と5の間で直列に接続されることになる。また同様に、LED素子10は図面上縦方向の6行に実装されているので、6行すべてのLED素子10もワイヤ11、12で電極2a〜2eに接続される。この結果、電極端子4と5の間にある4個のLED素子10が直列接続された6つの並列接続のグループによって成る合計24個のLED素子10による回路が形成される。
As a result, the four rows of
図4は、集合基板1上に実装されるLED素子10の接続回路を示している。ここで前述したように、4個のLED素子10が一つのグループとして直列接続されており、更にこの6つのグループが並列に接続されているので、電極端子4に所定のプラス電圧を印加し、電極端子5にゼロ電圧を印加すれば、全てのLED素子10のアノードからカソードに駆動電流が流れて、全てのLED素子10を点灯させることが出来る。
FIG. 4 shows a connection circuit of the
尚、LED素子10の接続は、この実施例1に限定されず、電極端子4と5の接続パターンを工夫して、全てのLED素子10を直列接続にすることも出来る。ここで、全てのLED素子10を直列接続するならば、全てのLED素子10に流れる電流値を同一に出来るので、後述する樹脂の硬化工程において、個々のLED素子10に対する樹脂の硬化条件を合わせることが出来るが、実施例1のような直列−並列接続であっても、LED素子10の特性がグループ内で平均化されるので、ほぼ同一の硬化条件に合わせることが出来る。
In addition, the connection of the
[実施例1の第1の樹脂部材のポッティング工程(工程M3)の説明:図5]
次に、本発明の実施例1のポッティング工程の詳細を図5によって説明する。図5は本発明の実施例1のポッティング工程を説明する拡大側面図であり、集合基板1の一部を示している。図5に示すように、集合基板1の表面に実装された全てのLED素子10を被覆する封止樹脂として、第1の蛍光体20を含有する第1の樹脂部材21をディスペンサ50によって塗布する。尚、第1の蛍光体20は模式的に図示しており、実際には微小な粒子である。
[Description of Potting Step (Step M3) of First Resin Member of Example 1: FIG. 5]
Next, details of the potting process of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is an enlarged side view for explaining the potting process of the first embodiment of the present invention, and shows a part of the
ここで、第1の蛍光体20は、LED素子10からの発光色を長波長の赤色に波長変換する赤色蛍光体であり、第1の樹脂部材21は、LED素子10を自発光させ、紫外線または近紫外線によって硬化する紫外線硬化型のシリコーン樹脂によって成る。尚、第1の
樹脂部材21が集合基板1の表面の全面に塗布され、全てのLED素子10を被覆するように、図示しないが、ディスペンサ50を集合基板1に対して移動させながら、樹脂を吐出すると良い。これにより、集合基板1上の全てのLED素子10とワイヤ11、12を被覆することが出来る。
Here, the
[実施例1の第1の樹脂部材の樹脂硬化工程(工程M4)の説明:図6]
次に、本発明の実施例1の樹脂硬化工程の詳細を図6によって説明する。図6は本発明の実施例1の樹脂硬化工程を示し、図6(a)は第1の樹脂部材が塗布された集合基板に直流電源を接続することを示す平面図であり、図6(b)は集合基板上のLED素子が自発光して第1の樹脂部材を硬化させることを模式的に示す拡大側面図である。
[Description of Resin Curing Process (Process M4) of First Resin Member of Example 1: FIG. 6]
Next, details of the resin curing step of Example 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows the resin curing process of Example 1 of the present invention, and FIG. 6A is a plan view showing that a DC power source is connected to the aggregate substrate coated with the first resin member. b) is an enlarged side view schematically showing that the LED elements on the collective substrate self-emit to cure the first resin member.
図6(a)に示すように、第1の樹脂部材21が全面に塗布された集合基板1の電極端子4と5に、所定の電圧を出力する直流電源6を接続する。すなわち、電極2aを介してLED素子10のアノードに接続する電極端子4に、直流電源6のプラスライン6aがスイッチSWを介して接続され、電極2eを介してLED素子10のカソードに接続する電極端子5に、直流電源6のマイナスライン6bが接続される。尚、スイッチSWは直流電源6からの電流をON/OFFする機能を有し、LED素子10に所定の時間だけ駆動電流を供給するように制御する。
As shown in FIG. 6A, a
次に、図6(b)において、前述のスイッチSWが所定の時間だけONすると、集合基板1上のすべてのLED素子10にワイヤ11、12を介して駆動電流が供給されて、LED素子10は自発光を行い、近紫外の出射光15を発光する。これにより、LED素子10を被覆する第1の樹脂部材21は、この出射光15に照射され、第1の樹脂部材21は前述したように紫外線硬化型樹脂であるので、LED素子10近傍の第1の樹脂部材21の領域が部分的に硬化を開始して、LED素子10周りに第1の硬化領域22が形成される。
Next, in FIG. 6B, when the above-described switch SW is turned on for a predetermined time, a driving current is supplied to all the
この第1の硬化領域22の厚さは、LED素子10からの出射光15の発光強度に依存し、LED素子10に供給される駆動電流の大きさと供給時間によって第1の硬化領域22の膜厚を制御することが出来る。すなわち、第1の硬化領域22の膜厚を厚く形成するには、LED素子10に供給される駆動電流の値を大きくするか、駆動電流の供給時間を長くするか、または、その両方を実施すれば良く、また反対に、第1の硬化領域22の膜厚を薄く形成するには、LED素子10に供給される駆動電流の値を小さくするか、駆動電流の供給時間を短くするか、または、その両方を実施すれば良い。
The thickness of the first cured
ここで、前述したように、ここでは図示しない、第1の樹脂部材21は赤色蛍光体である第1の蛍光体20(図5参照)が含有されているので、赤色の波長変換光の光量を増加したい場合は、第1の硬化領域22の膜厚を厚くして第1の蛍光体20の粒量を多くすれば良く、反対に、赤色の波長変換光の光量を減らしたい場合は、第1の硬化領域22の膜厚を薄くして第1の蛍光体20の粒量を少なくすれば良い。このように、第1の硬化領域22を形成するための駆動電流の値、または供給時間を制御することによって、赤色の波長変換光の光量を任意に調整することが出来る。尚、図6は図面を見やすくするために、第1の樹脂部材21に含有する第1の蛍光体20の図示を省略している。
Here, as described above, the first resin member 21 (not shown here) contains the first phosphor 20 (see FIG. 5), which is a red phosphor, and therefore, the amount of red wavelength-converted light. Is increased by increasing the film thickness of the first cured
[実施例1の第1の樹脂部材の洗浄工程(工程M5)の説明:図7]
次に、本発明の実施例1の洗浄工程の詳細を図7によって説明する。図7は本発明の実施例1の洗浄工程を示す模式的な側面図である。図7に示すように、第1の樹脂部材21内に第1の硬化領域22が形成された集合基板1(図面上では集合基板1の一部のみを記載)を有機溶剤51に浸して、第1の樹脂部材21内の未硬化部分を除去する。尚、未硬化部分とは、第1の樹脂部材21内で第1の硬化領域22以外の領域である。また、有機
溶剤51としては、アセトン、トルエン、キシレン等が好ましく、超音波洗浄等によって洗浄することにより、未硬化部分を短時間で確実に除去することが出来る。
[Description of Cleaning Step (Step M5) of First Resin Member of Example 1: FIG. 7]
Next, details of the cleaning process of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic side view showing the cleaning process of the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the
[実施例1の第1の樹脂部材の乾燥工程(工程M6)の説明:図8]
次に、本発明の実施例1の乾燥工程の詳細を図8によって説明する。図8は本発明の実施例1の乾燥工程を示す拡大側面図である。図8に示すように、有機溶剤によって第1の樹脂部材21(図7参照)内の未硬化部分が除去された集合基板1(図面上では集合基板1の一部のみを記載)を、加熱炉等(図示せず)に入れて、図示するように熱52またはエアー等によって乾燥させる。
[Description of Drying Step of First Resin Member of Example 1 (Step M6): FIG. 8]
Next, the details of the drying process of Example 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is an enlarged side view showing the drying process of Example 1 of the present invention. As shown in FIG. 8, the collective substrate 1 (only a part of the
これにより、LED素子10の周辺には第1の硬化領域22のみが残ることになる。ここで、第1の硬化領域22は、前述したように第1の樹脂部材21が硬化した領域であり、この第1の樹脂部材21は赤色蛍光体である第1の蛍光体20を含有している。従って、第1の硬化領域22は第1の蛍光体20を含有する第1の蛍光体層23として形成される。
As a result, only the first cured
この第1の蛍光体層23は、LED素子10の直近に形成されてLED素子10を直接被覆し、LED素子10からの出射光15(図6(b)参照)の発光強度分布に応じて、図示するようにLED素子10の周囲を覆うように略半円形状に形成されるので、LED素子10からの出射光15をほぼ均一に波長変換することが出来る。
The
[実施例1の第2の樹脂部材のポッティング工程(工程M3)の説明:図9]
次に、本発明の実施例1の第2の樹脂部材による第2の蛍光体層を形成する工程の詳細を説明する。まず、第2の樹脂部材を塗布するポッティング工程を図9によって説明する。図9は本発明の実施例1の第2の樹脂部材を塗布するポッティング工程を説明する拡大側面図であり、集合基板1の一部を示している。図9に示すように、集合基板1の表面に実装された全てのLED素子10は、第1の蛍光体20を含有する第1の樹脂部材が硬化した第1の蛍光体層23によって被覆されているが、その上から、第1の蛍光体20とは異なる第2の蛍光体30を含有する第2の樹脂部材31をディスペンサ50によって塗布する。尚、第2の蛍光体30は模式的に図示しており、実際には微小な粒子である。
[Description of Potting Step (Step M3) of Second Resin Member of Example 1: FIG. 9]
Next, the detail of the process of forming the 2nd fluorescent substance layer by the 2nd resin member of Example 1 of this invention is demonstrated. First, the potting process for applying the second resin member will be described with reference to FIG. FIG. 9 is an enlarged side view for explaining a potting process for applying the second resin member according to the first embodiment of the present invention, and shows a part of the
ここで、第2の蛍光体30は、LED素子10からの発光を緑色に波長変換する緑色蛍光体であり、第2の樹脂部材31は、紫外線または近紫外線によって硬化する紫外線硬化型のシリコーン樹脂によって成る。尚、第2の樹脂部材31が集合基板1の表面の全面に塗布され、全てのLED素子10及び第1の蛍光体層23を被覆するように、図示しないが、ディスペンサ50を集合基板1に対して移動させながら、樹脂を吐出すると良い。これにより、集合基板1上の全てのLED素子10とワイヤ11、12、及び第1の蛍光体層23を被覆することが出来る。
Here, the
[実施例1の第2の樹脂部材の樹脂硬化工程(工程M4)の説明:図10]
次に、本発明の実施例1の第2の樹脂部材の樹脂硬化工程の詳細を図10によって説明する。図10は集合基板上のLED素子が自発光して第2の樹脂部材を硬化させることを示す拡大側面図である。尚、LED素子10を自発光させるため集合基板1の電極端子4と5に直流電源6とスイッチSWを接続する構成は、前述の図6(a)と同様であるので、接続の説明は省略する。
[Description of Resin Curing Process (Process M4) of Second Resin Member of Example 1: FIG. 10]
Next, the details of the resin curing step of the second resin member of Example 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 is an enlarged side view showing that the LED elements on the collective substrate self-emit to cure the second resin member. The configuration in which the
図10に示すように、集合基板1の全面に第2の樹脂部材31が塗布された状態で、各LED素子10に再び駆動電流(図示せず)が供給されると、LED素子10は自発光を行い、近紫外の出射光15を発光する。ここで、出射光15は第1の蛍光体層23を通過して、その一部の光は第1の蛍光体20に吸収されて波長変換されるが、残りの近紫外の
出射光15は第2の樹脂部材31を照射する。これにより、LED素子10に近く、第1の蛍光体層23に隣接する領域が硬化を開始して、第2の硬化領域32が形成される。
As shown in FIG. 10, when a driving current (not shown) is supplied again to each
この第2の硬化領域32の膜厚は、LED素子10からの出射光15の発光強度に依存するので、LED素子10に供給される駆動電流の大きさと駆動電流の供給時間によって第2の硬化領域32の膜厚を制御することが出来る。すなわち、第2の硬化領域32の膜厚を厚く形成するには、LED素子10に供給される駆動電流の値を大きくするか、供給時間を長くするか、または、その両方を実施すれば良く、また反対に、第2の硬化領域32の膜厚を薄く形成するには、LED素子10に供給される駆動電流の値を小さくするか、供給時間を短くするか、または、その両方を実施すれば良い。
Since the film thickness of the
ここで、前述したように、第2の樹脂部材31は緑色蛍光体である第2の蛍光体30が含有されているので、緑色の波長変換光の光量を増加したい場合は、第2の硬化領域32の膜厚を厚くして第2の蛍光体30の粒量を多くすれば良く、反対に、緑色の波長変換光の光量を減らしたい場合は、第2の硬化領域32の膜厚を薄くして第2の蛍光体30の粒量を少なくすれば良い。このように、第2の硬化領域32を形成するための駆動電流の値、または供給時間を制御することによって、緑色の波長変換光の光量を任意に調整することが出来る。尚、図10は図面を見やすくするために、第1の蛍光体20と第2の蛍光体30の図示を省略している。
Here, as described above, since the
次に、第2の樹脂部材31の樹脂硬化工程の後に、洗浄工程(工程M5)、乾燥工程(工程M6)を実施するが、第1の樹脂部材の工程と同様であるので、説明は省略する。尚、上記工程によって形成される第2の硬化領域32は、前述したように第2の樹脂部材31が硬化した領域であり、この第2の樹脂部材31は緑色蛍光体である第2の蛍光体30を含有している。従って、第2の硬化領域32は、第2の蛍光体30を含有する第2の蛍光体層33として形成される。
Next, the cleaning step (step M5) and the drying step (step M6) are performed after the resin curing step of the
この第2の蛍光体層33は、第1の蛍光体層23を被覆し、LED素子10からの出射光15の発光強度分布に応じて、図示するように第1の蛍光体層23の周囲を覆うように均一な膜状に形成されるので、LED素子10からの出射光15をほぼ均一に波長変換することが出来る。
The
[実施例1の第3の樹脂部材の樹脂硬化工程(工程M4)の説明:図11]
次に、本発明の実施例1の第3の樹脂部材による第3の蛍光体層を形成する工程の詳細を説明する。ここで、第3の樹脂部材のポッティング工程は前述の第2の樹脂部材のポッティング工程と同様であり、また、洗浄工程及び乾燥工程は、前述の第1の樹脂部材の洗浄工程及び乾燥工程と同様であるので説明は省略し、第3の樹脂部材の樹脂硬化工程のみを図11によって説明する。
[Description of Resin Curing Process (Process M4) of Third Resin Member of Example 1: FIG. 11]
Next, the detail of the process of forming the 3rd fluorescent substance layer by the 3rd resin member of Example 1 of this invention is demonstrated. Here, the potting process of the third resin member is the same as the potting process of the second resin member, and the cleaning process and the drying process are the same as the cleaning process and the drying process of the first resin member. Since it is the same, the description is omitted, and only the resin curing step of the third resin member will be described with reference to FIG.
図11は集合基板上のLED素子が自発光して第3の樹脂部材を硬化させることを示す拡大側面図である。尚、LED素子10を自発光させるため集合基板1の電極端子4と5に直流電源6とスイッチSWを接続する構成は、前述の図6(a)と同様であるので、接続の説明は省略する。
FIG. 11 is an enlarged side view showing that the LED elements on the collective substrate emit light to cure the third resin member. The configuration in which the
図11に示すように、集合基板1の表面に実装された全てのLED素子10は、第1の蛍光体を含む第1の蛍光体層23によって被覆され、その上から第2の蛍光体を含む第2の蛍光体層33が被覆されているが、更にその上から、第1の蛍光体及び第2の蛍光体とは異なる第3の蛍光体40を含有する第3の樹脂部材41が説明を省略したポッティング工程によって塗布されている。ここで、第3の蛍光体40は、LED素子10からの発光を青色に波長変換する青色蛍光体であり、第3の樹脂部材41は、紫外線または近紫外線
によって硬化する紫外線硬化型のシリコーン樹脂によって成る。
As shown in FIG. 11, all the
このように、第3の樹脂部材41が塗布された状態で、各LED素子10に駆動電流が供給されると、LED素子10は自発光を行い、近紫外の出射光15を発光する。ここで、出射光15は第1の蛍光体層23と第2の蛍光体層33を通過して、その一部の光は波長変換されるが、残りの出射光15は第3の樹脂部材41を照射する。これにより、LED素子10に近く、第2の蛍光体層33に隣接する領域が硬化を開始して、第3の硬化領域42が形成される。
As described above, when a driving current is supplied to each
この第3の硬化領域42の膜厚は、LED素子10からの出射光15の発光強度に依存するので、LED素子10に供給される駆動電流の大きさと駆動電流の供給時間によって第3の硬化領域42の膜厚を制御することが出来る。すなわち、前述したように、第3の樹脂部材41は青色蛍光体である第3の蛍光体40が含有されているので、青色の波長変換光の光量を増加したい場合は、第3の硬化領域42の膜厚を厚くして第3の蛍光体40の粒量を多くすれば良く、反対に、青色の波長変換光の光量を減らしたい場合は、第3の硬化領域42の膜厚を薄くして第3の蛍光体40の粒量を少なくすれば良い。これにより、第3の硬化領域42を形成するための駆動電流の値、または供給時間を制御することによって、青色の波長変換光の光量を任意に調整することが出来る。
Since the film thickness of the third curing region 42 depends on the emission intensity of the emitted light 15 from the
尚、上記工程によって形成される第3の硬化領域42は、前述したように第3の樹脂部材41が硬化した領域であり、この第3の樹脂部材41は青色蛍光体である第3の蛍光体40を含有している。従って、第3の硬化領域42は、第3の蛍光体40を含有する第3の蛍光体層43として形成される。
In addition, the 3rd hardening area | region 42 formed by the said process is an area | region which the 3rd resin member 41 hardened as mentioned above, This 3rd resin member 41 is the 3rd fluorescence which is a blue fluorescent substance. Contains the
このように、LED素子10を被覆する三つの蛍光体層は、LED素子10が3回繰り返して自発光することによって硬化して形成される。ここで、LED素子10の自発光時間は、一例として、駆動電流を所定の値で一定とすると、第1の蛍光体層23を形成するための自発光時間は1秒位であり、第2の蛍光体層33を形成するための自発光時間は5秒位であり、第3の蛍光体層43を形成するための自発光時間は20秒位である。このように、各層によって自発光時間が大きく異なるのは、各蛍光体層とLED素子10の距離が異なることと、蛍光体による光の吸収の影響で外側の層になるほど、光強度が減少するからである。尚、図11は図面を見やすくするために、第1、第2、第3の蛍光体層23、33、43の各蛍光体の図示を省略している。
Thus, the three fluorescent substance layers which coat | cover
[実施例1の蛍光体層の積層構造の説明:図12]
次に、本発明の実施例1のLED光源装置の製造方法によって形成された蛍光体層の積層構造を図12によって説明する。図12は本発明の実施例1によって形成されたLED光源装置の3層の蛍光体層を示し、図12(a)は集合基板上のLED素子を被覆する蛍光体層を示す斜視図であり、図12(b)は蛍光体層の積層構造を示す集合基板の拡大側面図であり、集合基板1の側面の一部、すなわち、LED素子10の周辺部を示している。
[Description of Layered Structure of Phosphor Layer of Example 1: FIG. 12]
Next, the laminated structure of the phosphor layer formed by the manufacturing method of the LED light source device of Example 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 12 shows three phosphor layers of the LED light source device formed according to Example 1 of the present invention, and FIG. 12A is a perspective view showing the phosphor layers covering the LED elements on the collective substrate. FIG. 12B is an enlarged side view of the aggregate substrate showing the laminated structure of the phosphor layers, and shows a part of the side surface of the
図12(a)(b)に示すように、本発明の実施例1のLED光源装置の製造方法は、集合基板製造工程(工程M1)から乾燥工程(工程M6)によって、集合基板1が製造され、この集合基板1の表面上に複数個のLED素子10が実装され、更に個々のLED素子10を被覆する第1の蛍光体層23と、その上に第2の蛍光体層33と、その上に第3の蛍光体層43が積層して形成される。すなわち、LED素子10を直接被覆する層は、赤色蛍光体である第1の蛍光体20を含有する第1の蛍光体層23で形成され、その外側の層は緑色蛍光体である第2の蛍光体30を含有する第2の蛍光体層33で形成され、蛍光体層の最表面は青色蛍光体である第3の蛍光体40を含有する第3の蛍光体層43によ
って形成される。
As shown in FIGS. 12A and 12B, in the manufacturing method of the LED light source device of Example 1 of the present invention, the
このように、本発明のLED光源装置の製造方法は、集合基板1上に多数のLED素子10を実装し、これらのLED素子10を同時に自発光させることで、多数のLED素子10を被覆する蛍光体層を一括して形成することが出来るので、大量生産に好適な製造方法である。また、本実施例の製造方法を適用すれば、同じ集合基板1上に配列した、個々のLED素子10の発光強度が異なっていた場合であっても、個々のLED素子10の発光強度に応じた膜厚の第1〜第3の蛍光体層を、容易に形成できる。
Thus, the manufacturing method of the LED light source device of the present invention covers a large number of
[実施例1の封止工程(工程M7)の説明:図13]
次に、本発明の実施例1の封止工程の詳細を図13によって説明する。図13は本発明の実施例1の封止工程を説明する斜視図である。図13に示すように、集合基板1の最表面に第3の蛍光体層43が形成された後、透明性の封止部材61を充填し硬化させる封止工程を実施する。尚、封止部材61は熱硬化性樹脂、または、光硬化性樹脂のどちらかが好ましい。
[Description of Sealing Process (Process M7) of Example 1: FIG. 13]
Next, details of the sealing process of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a perspective view for explaining a sealing process according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 13, after the
この工程により、LED素子10とワイヤ11、12と第1、第2、第3の蛍光体層23、33、43、及び集合基板1の表面全体が封止され、電気的機械的に保護されて、耐環境性に優れたLED光源装置を製造することが出来る。
Through this process, the
[実施例1の切断工程(工程M8)の説明:図14]
次に、本発明の実施例1の切断工程を図14によって説明する。図14は本発明の実施例1の切断工程を示し、図14(a)は集合基板上に完成した多数のLED光源装置を分離する切断工程を説明する集合基板の一部を示す斜視図であり、図14(b)は切断工程によって完成した単個のLED光源装置の一例を示す斜視図である。
[Description of Cutting Process (Process M8) of Example 1: FIG. 14]
Next, the cutting process of Example 1 of this invention is demonstrated with reference to FIG. FIG. 14 shows a cutting process according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 14A is a perspective view showing a part of the collective substrate for explaining a cutting process for separating a large number of LED light source devices completed on the collective board. FIG. 14B is a perspective view showing an example of a single LED light source device completed by the cutting process.
図14(a)に示すように、封止部材61によって封止された集合基板1を所定の切断線X、Yに沿ってダイシング装置(図示せず)等によって切断分離し、複数個のLED光源装置が完成する。尚、切断線Xは集合基板1上の各電極2a〜2eの間に設定され、切断線Yは集合基板1上の各スルホール3a〜3eの中心を通るように設定される。
As shown in FIG. 14A, the
また、図14(b)に示すように、完成したLED光源装置60は、集合基板1から切断分離された基板1’に電極2a、2bが形成されている。この電極2a、2bは中心部で切断されたスルホール3a、3bを備え、このスルホール3a、3bによって、基板1’の裏面の電極2a、2b(図示せず)が電気的に接続される。また、電極2aの表面には、LED素子10が実装され、このLED素子10は、前述したように2本のワイヤ11、12によって電極2a、2bと電気的に接続される。
Further, as shown in FIG. 14B, the completed LED
この接続により、外部から裏面の電極2a、2bに駆動電圧が供給されると、LED素子10にワイヤ11、12を介して駆動電流が流れて、LED素子10は発光する。また、LED素子10は、前述のように3層の蛍光体層によって被覆され、最表面の第3の蛍光体層43は、透明性の封止部材61で封止される。
With this connection, when a driving voltage is supplied from the outside to the
尚、完成したLED光源装置60は、集合基板1から分離された位置によって、電極2a、2bは、電極2b、2c、電極2c、2d、または電極2d、2eとなる。また、スルホール3a、3bは、同様に集合基板1から分離された位置によって、スルホール3b、3c、スルホール3c、3d、またはスルホール3d、3eとなるが、集合基板1のどの位置で切断分離されたとしても、同一のLED光源装置60であることはもちろんである。このように本発明は、多数のLED光源装置を一括して製造することが出来る。
In the completed LED
[実施例1によって製造されるLED光源装置の構成と動作の説明:図15]
次に、本発明の実施例1のLED光源装置の製造方法で製造されたLED光源装置の構成と動作の概略を図15によって説明する。図15は、本発明の実施例1のLED光源装置の製造方法で製造された3層の蛍光体層に透明の封止部材で封止されたLED光源装置の構成と動作を説明する側面図である。
[Description of Configuration and Operation of LED Light Source Device Manufactured by Example 1: FIG. 15]
Next, the outline of the configuration and operation of the LED light source device manufactured by the method of manufacturing the LED light source device of Example 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a side view illustrating the configuration and operation of an LED light source device sealed with a transparent sealing member on three phosphor layers manufactured by the method of manufacturing an LED light source device of Example 1 of the present invention. It is.
図15に示すように、LED光源装置60は、基板1’にLED素子10が実装され、このLED素子10を被覆して3層から成る蛍光体層が形成され、その蛍光体層を透明性の封止部材61で封止した構造である。そして、蛍光体層はLED素子10の直近から、第1の蛍光体層23(赤色蛍光体)、第2の蛍光体層33(緑色蛍光体)、第3の蛍光体層43(青色蛍光体)の順で積層されている。
As shown in FIG. 15, in the LED
このLED光源装置60を駆動する場合は、一例としてLED光源装置60の裏面の電極2a、2bを半田(図示せず)等によってプリント基板(図示せず)に実装し、プリント基板から裏面の電極2a、2bに駆動電圧を印加する。これにより、スルホール3a、3bを介して表面の電極2a、2bに駆動電圧が伝達し、LED素子10にワイヤ11、12を介して駆動電流が供給されて、LED素子10は近紫外光である出射光15を発光する。
When driving the LED
この出射光15は、LED素子10の正面を中心として放射状に拡散し、まず、第1の蛍光体層23に含有される赤色蛍光体である第1の蛍光体20に入射すると、第1の蛍光体20は出射光15を吸収して励起し、波長変換光である赤色光16Rを発光して第2の蛍光体層33と第3の蛍光体層43、及び透明な封止部材61を通過し外部に出射する。
The emitted light 15 is diffused radially around the front surface of the
また、第1の蛍光体20に入射せず第1の蛍光体層23を通過した出射光15が、第2の蛍光体層33に含有される緑色蛍光体である第2の蛍光体30に入射すると、第2の蛍光体30は出射光15を吸収して励起し、波長変換光である緑色光16Gを発光して第3の蛍光体層43、及び透明な封止部材61を通過し外部に出射する。
Further, the outgoing light 15 that has not entered the
また、第2の蛍光体30に入射せず第2の蛍光体層33を通過した出射光15が、第3の蛍光体層43に含有される青色蛍光体である第3の蛍光体40に入射すると、第3の蛍光体40は出射光15を吸収して励起し、波長変換光である青色光16Bを発光して透明な封止部材61を通過し外部に出射する。これにより、LED光源装置60からは、青色光16Bと緑色光16Gと赤色光16Rが発光し、それぞれの光が混合して白色光16Wとして出射される。
Further, the outgoing light 15 that has not entered the
ここで、各蛍光体の励起特性を前述の図18で示したように、最表面に積層される第3の蛍光体層43に含有する第3の蛍光体40(青色蛍光体)は、約430nm以下の短波長によって励起される。これにより、最表面の第3の蛍光体層43に波長530nm位の緑色光16Gや波長650nm位の赤色光16Rが入射しても、それらの波長変換光が第3の蛍光体40にほとんど吸収されることがないので、緑色光16Gと赤色光16Rは非常に少ない損失で、第3の蛍光体層43を通過することが出来る。
Here, as shown in the above-described FIG. 18 for the excitation characteristics of each phosphor, the third phosphor 40 (blue phosphor) contained in the
また、第2の蛍光体層33に含有する第2の蛍光体30(緑色蛍光体)は、約500nm以下の短波長によって励起される。これにより、第2の蛍光体層33に内側の第1の蛍光体層23からの波長650nm位の赤色光16Rが入射しても、その赤色光16Rが第2の蛍光体30にほとんど吸収されることがないので、赤色光16Rは非常に少ない損失で、第2の蛍光体層33を通過することが出来る。
The second phosphor 30 (green phosphor) contained in the
このように、LED素子10に最も近い第1の蛍光体層23に長波長を発光する赤色蛍
光体を含有し、その外側の第2の蛍光体層33に中間波長を発光する緑色蛍光体を含有し、最表面の第3の蛍光体層43に短波長を発光する青色蛍光体を含有することによって、各蛍光体による波長変換光の相互作用の影響を抑制出来るので、蛍光体の2次励起を抑えてLEDの発光効率を向上させることが出来る。これにより、輝度ばらつきが少なく高輝度高出力のLED光源装置を製造することが出来る。
As described above, the
また、RGBを発光するそれぞれ蛍光体が各蛍光体層毎に分離して含有されるので、それぞれの蛍光体層に含有する同一の蛍光体粒子が各層内で均一に分散される。すなわち、各蛍光体層には、比重や粒径が等しい同一の蛍光体粒子が含有されるので、蛍光体粒子が層内で偏ったりせず均一に分散される。これにより、蛍光体粒子が均一に分散した蛍光体層が積層されるので、LED素子10からの出射光が均一に各層の蛍光体粒子に照射して波長変換が行われ、この結果、混色性が良好で色むらの少ない白色光を発光するLED光源装置を製造することが出来る。
In addition, since the phosphors that emit RGB light are contained separately for each phosphor layer, the same phosphor particles contained in each phosphor layer are uniformly dispersed in each layer. That is, since each phosphor layer contains the same phosphor particles having the same specific gravity and particle size, the phosphor particles are uniformly dispersed in the layer without being biased. Thereby, since the phosphor layer in which the phosphor particles are uniformly dispersed is laminated, the wavelength conversion is performed by uniformly irradiating the phosphor particles of each layer with the emitted light from the
また、LED素子10を被覆する第1、第2、第3の蛍光体層23、33、43のそれぞれの膜厚は、LED素子10の発光強度分布に応じて決定されるので、各蛍光体層の膜厚を容易に制御でき、この結果、発光の色味調整が簡単で、色バランスが最適な白色のLED光源装置を製造することが出来る。また、蛍光体層はLED素子10に近い比較的狭い領域に形成されるので、LED光源装置の小型薄型化を容易に実現できる製造方法である。
Moreover, since the film thickness of each of the first, second, and third phosphor layers 23, 33, and 43 covering the
また、光硬化型樹脂を塗布してLED素子10の自発光によって樹脂を硬化させることにより、LED素子10と基板の電極2a、2bを電気的に接続するワイヤ11、12に影響されずに、ワイヤ11、12と基板1’の隙間にまでも、膜厚が薄い複数の蛍光体層を形状ひずみ等が生じること無く高精度に形成出来るので、出射する白色光16Wの指向性や混色性に悪影響を及ぼすことがない。これにより、本発明はワイヤーボンディング実装のLED光源装置に好適である。
Further, by applying a photo-curing resin and curing the resin by the self-emission of the
また本発明によれば、LED素子10を集合基板1上に多数実装し、多数個同時に自発光させることにより、個々のLED素子の周りに所定の膜厚の蛍光体層を一括して形成することが出来るので、色むら等の特性ばらつきが少ない複数のLED光源装置を一括して大量に製造することが出来る。
Further, according to the present invention, a large number of
本実施例の製造方法では、赤色蛍光体である第1の蛍光体を含む第1の蛍光体層、緑色蛍光体である第2の蛍光体を含む第2の蛍光体層、青色蛍光体である第3の蛍光体を含む第3の蛍光体層を順次積層した例を示したが、これら第1から第3の蛍光体層の積層順を代えた形態としても良い。その場合は、課題の欄で説明した、波長変換光の相互作用による問題が、上記順番に配設した場合よりも悪化することに留意する必要がある。 In the manufacturing method of the present embodiment, the first phosphor layer including the first phosphor that is the red phosphor, the second phosphor layer including the second phosphor that is the green phosphor, and the blue phosphor. Although an example in which a third phosphor layer including a certain third phosphor is sequentially laminated is shown, the lamination order of the first to third phosphor layers may be changed. In that case, it should be noted that the problem due to the interaction of the wavelength-converted light described in the problem column is worse than that in the case of arranging in the above order.
[実施例2のLED光源装置の製造方法の製造工程の概略説明:図1]
次に、本発明の実施例2の製造工程の概略を説明する。尚、実施例2の特徴はLED素子が近紫外発光のLED素子であり、第1、第2の蛍光体を含有する二つの蛍光体層を有し、これらの蛍光体層を第3の蛍光体を含有する封止部材によって封止して白色光を発光するLED光源装置を製造することである。そして、実施例2の製造方法は、基本的に実施例1と同様であるので、前述の実施例1の製造工程を説明する図1を用いて、実施例1と異なる製造工程だけを説明する。
[Schematic Description of Manufacturing Process of Manufacturing Method of LED Light Source Device of Example 2: FIG. 1]
Next, the outline of the manufacturing process of Example 2 of the present invention will be described. The feature of Example 2 is that the LED element is an LED element that emits near ultraviolet light, and has two phosphor layers containing the first and second phosphors. It is to manufacture an LED light source device that emits white light by sealing with a sealing member containing a body. And since the manufacturing method of Example 2 is the same as that of Example 1, only the manufacturing process different from Example 1 is demonstrated using FIG. 1 explaining the manufacturing process of above-mentioned Example 1. FIG. .
図1において、集合基板製造工程(工程M1)とLED素子実装工程(工程M2)は、実施例1と同様であるので、説明は省略する。 In FIG. 1, the collective substrate manufacturing process (process M1) and the LED element mounting process (process M2) are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
次に、ポッティング工程(工程M3)から乾燥工程(工程M6)までも、実施例1と同様であるが、実施例1ではポッティング工程から乾燥工程までを3回繰り返して実施し、LED素子の周辺に、第1、第2、第3の3層による蛍光体層が積層されて形成されるが、実施例2においては、ポッティング工程から乾燥工程までの繰り返しは2回のみであり、これにより、LED素子の周辺に、第1と第2の蛍光体層が積層されて形成される。 Next, the potting process (process M3) to the drying process (process M6) are the same as in Example 1, but in Example 1, the potting process to the drying process were repeated three times, and the periphery of the LED element was In addition, although the phosphor layers of the first, second, and third layers are laminated, in Example 2, the repetition from the potting process to the drying process is only two times. A first phosphor layer and a second phosphor layer are laminated around the LED element.
次に、2回目の乾燥工程(工程M6)が終了したならば、集合基板上の最表面に形成された第2の蛍光体層に第3の蛍光体を含有する透明性の封止部材を充填し封止する封止工程を実施する(工程M7)。これによって、封止部材が第3の蛍光体層として形成される。その後、封止部材によって封止された集合基板を所定の切断位置で切断し、複数個のLED光源装置を完成させる(工程M8)。 Next, when the second drying step (step M6) is completed, a transparent sealing member containing a third phosphor is added to the second phosphor layer formed on the outermost surface on the aggregate substrate. A sealing step of filling and sealing is performed (step M7). Thereby, the sealing member is formed as the third phosphor layer. Thereafter, the collective substrate sealed by the sealing member is cut at a predetermined cutting position to complete a plurality of LED light source devices (step M8).
[実施例2によって製造されるLED光源装置の構成と動作の説明:図16]
次に、実施例2の各製造工程の詳細は実施例1と基本的に同一であるので説明は省略し、実施例2のLED光源装置の製造方法で製造されるLED光源装置の構成と動作の概略を図16によって説明する。図16は本発明の実施例2で製造される2層の蛍光体層に第3の蛍光体を含む封止部材で封止されたLED光源装置の構成と動作を説明する側面図である。尚、実施例2によって製造されるLED光源装置は、実施例1によって製造されるLED光源装置と基本構造は似ているので、同一要素には同一番号を付し、重複する説明は一部省略する。
[Description of Configuration and Operation of LED Light Source Device Manufactured by Example 2: FIG. 16]
Next, the details of each manufacturing process of the second embodiment are basically the same as those of the first embodiment, so that the description thereof will be omitted. The configuration and operation of the LED light source device manufactured by the method of manufacturing the LED light source device of the second embodiment. The outline of will be described with reference to FIG. FIG. 16 is a side view illustrating the configuration and operation of an LED light source device sealed with a sealing member containing a third phosphor in the two phosphor layers manufactured in Example 2 of the present invention. The LED light source device manufactured according to the second embodiment is similar in basic structure to the LED light source device manufactured according to the first embodiment. Therefore, the same elements are denoted by the same reference numerals, and a duplicate description is partially omitted. To do.
図16に示すように、70は実施例2によって製造されるLED光源装置であり、このLED光源装置70は、基板1’にLED素子10が実装され、このLED素子10を被覆して2層から成る第1の蛍光体層23と第2に蛍光体層33が形成され、こられの蛍光体層を第3の蛍光体40を含有する封止部材71で封止した構造である。そして、実施例1と同様に、第1の蛍光体層23は赤色蛍光体である第1の蛍光体20を含有し、第2の蛍光体層33は、緑色蛍光体である第2の蛍光体30を含有する。また、封止部材71が含有する第3の蛍光体40は、実施例1と同様に青色蛍光体である。
As shown in FIG. 16,
このように、実施例2によって製造されるLED光源装置70は、封止部材71に第3の蛍光体を含有するので、封止部材71が第3の蛍光体層72として形成される。従って、LED光源装置70の蛍光体層は、実施例1のLED光源装置60と同様に、LED素子10の直近から、第1の蛍光体層23(赤色蛍光体)、第2の蛍光体層33(緑色蛍光体)、封止部材71による第3の蛍光体層72(青色蛍光体)の順で積層されている。
Thus, since the LED
このLED光源装置70を駆動する場合は、図16に示すように、実施例1と同様に外部のプリント基板(図示せず)等に実装し、プリント基板から裏面の電極2a、2bに駆動電圧を印加する。これにより、スルホール3a、3bを介して表面の電極2a、2bに駆動電圧が伝達し、LED素子10にワイヤ11、12を介して駆動電流が供給されて、LED素子10は近紫外光である出射光15を発光する。
When driving the LED
この出射光15は、LED素子10の正面を中心として放射状に拡散し、まず、第1の蛍光体層23に含有される赤色蛍光体である第1の蛍光体20に入射すると、第1の蛍光体20は出射光15を吸収して励起し、波長変換光である赤色光16Rを発光して第2の蛍光体層33と封止部材71である第3の蛍光体層72を通過し外部に出射する。
The emitted light 15 is diffused radially around the front surface of the
また、第1の蛍光体20に入射せず第1の蛍光体層23を通過した出射光15が、第2の蛍光体層33に含有される緑色蛍光体である第2の蛍光体30に入射すると、第2の蛍光体30は出射光15を吸収して励起し、波長変換光である緑色光16Gを発光して封止
部材71による第3の蛍光体層72を通過し外部に出射する。
Further, the outgoing light 15 that has not entered the
また、第2の蛍光体30に入射せず第2の蛍光体層33を通過した出射光15が、第3の蛍光体層72が含有する青色蛍光体である第3の蛍光体40に入射すると、第3の蛍光体40は出射光15を吸収して励起し、波長変換光である青色光16Bを発光して外部に出射する。これにより、LED光源装置70からは、青色光16Bと緑色光16Gと赤色光16Rが発光し、それぞれの光が混合して白色光16Wとして出射される。
Further, the outgoing light 15 that has passed through the
このように、実施例2によって製造されるLED光源装置70は、実施例1と同様に、LED素子10に最も近い第1の蛍光体層23に長波長を発光する赤色蛍光体を含有し、その外側の第2の蛍光体層33に中間波長を発光する緑色蛍光体を含有し、最表面である封止部材71に短波長を発光する青色蛍光体を含有する。これによって、各蛍光体による波長変換光の相互作用の影響を抑制出来るので、蛍光体の2次励起を抑えてLEDの発光効率を向上させることが出来る。この結果、輝度ばらつきが少なく高輝度高出力なLED光源装置を製造することが出来る。
Thus, the LED
また、実施例2の封止部材71は、前述のように青色蛍光体を含有しているので、実施例1のような青色蛍光体を含有する第3の蛍光体層43を必要とせず、実施例1の製造方法と比較して1層分の樹脂塗布や硬化工程等を削減でき、製造工程を簡略化することが出来る。
Further, since the sealing
また、封止部材71による第3の蛍光体層72は、LED素子10からの自発光によらずに加熱等によって形成されることが一般的であるが、第1、第2の蛍光体層23、33はLED素子10の自発光によって硬化して形成されるので、それぞれの蛍光体層の膜厚は、LED素子10の発光強度分布に応じて決定される。これにより、各蛍光体層の膜厚を容易に制御でき、発光の色味調整が簡単で色バランスが最適な白色のLED光源装置を製造することが出来る。
In addition, the
また、実施例2による製造方法、及びこの実施例2によって製造されるLED光源装置70の基本構造は、前述の実施例1による製造方法、及びこの実施例1によって製造されるLED光源装置60と同様であるので、実施例2においても、実施例1と同様に多くの優れた効果や特徴を備えている。
The basic structure of the manufacturing method according to the second embodiment and the LED
[実施例3のLED光源装置の製造方法の製造工程の概略説明:図1]
次に、本発明の実施例3の製造工程の概略を説明する。尚、実施例3の特徴は、LED素子が青色LED素子であり、第1、第2の蛍光体を含有する二つの蛍光体層によって白色光を発光するLED光源装置を製造することである。そして、実施例3の製造方法は、基本的に実施例1と同様であるので、前述の実施例1の工程を説明する図1を用いて、実施例1と異なる製造工程だけを説明する。
[Schematic Explanation of Manufacturing Process of Manufacturing Method of LED Light Source Device of Example 3: FIG. 1]
Next, the outline of the manufacturing process of Example 3 of the present invention will be described. The feature of Example 3 is that the LED element is a blue LED element, and an LED light source device that emits white light by two phosphor layers containing the first and second phosphors is manufactured. And since the manufacturing method of Example 3 is the same as that of Example 1, only the manufacturing process different from Example 1 is demonstrated using FIG. 1 explaining the process of Example 1 mentioned above.
図1において、集合基板製造工程(工程M1)とLED素子実装工程(工程M2)は、実施例1と同様であるので、説明は省略する。尚、集合基板に実装されるLED素子は、実施例3においては、発光波長が450nm位の青色LED素子である。 In FIG. 1, the collective substrate manufacturing process (process M1) and the LED element mounting process (process M2) are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted. In Example 3, the LED element mounted on the collective substrate is a blue LED element having an emission wavelength of about 450 nm.
次に、ポッティング工程(工程M3)から乾燥工程(工程M6)までも、実施例1と同様であるが、実施例1ではポッティング工程から乾燥工程までを3回繰り返して実施し、LED素子の周辺に、第1、第2、第3の3層による蛍光体層が積層されて形成されるが、実施例3においては、ポッティング工程から乾燥工程までの繰り返しは2回のみであり、これにより、LED素子の周辺に、第1と第2の蛍光体層が積層されて形成される。 Next, the potting process (process M3) to the drying process (process M6) are the same as in Example 1, but in Example 1, the potting process to the drying process were repeated three times, and the periphery of the LED element was In addition, the phosphor layers of the first, second, and third layers are laminated and formed, but in Example 3, the repetition from the potting process to the drying process is only two times. A first phosphor layer and a second phosphor layer are laminated around the LED element.
次に、2回目の乾燥工程(工程M6)が終了したならば、集合基板上の最表面に形成された第2の蛍光体層に透明性の封止部材を充填し硬化させる封止工程を実施する(工程M7)。その後、封止部材によって封止された集合基板を所定の切断位置で切断し、複数個のLED光源装置を完成させる(工程M8)。 Next, when the second drying step (step M6) is completed, a sealing step is performed in which the second phosphor layer formed on the outermost surface on the aggregate substrate is filled with a transparent sealing member and cured. Implement (step M7). Thereafter, the collective substrate sealed by the sealing member is cut at a predetermined cutting position to complete a plurality of LED light source devices (step M8).
[実施例3によって製造されるLED光源装置の構成と動作の説明:図17]
次に、実施例3の各製造工程の詳細は実施例1と基本的に同一であるので説明は省略し、実施例3のLED光源装置の製造方法で製造されるLED光源装置の構成と動作の概略を図17によって説明する。図17は本発明の実施例3で製造される2層の蛍光体層を有するLED光源装置の構成と動作を説明する側面図である。尚、実施例3によって製造されるLED光源装置は、実施例1によって製造されるLED光源装置と基本構造は似ているので、同一要素には同一番号を付し、重複する説明は一部省略する。
[Description of Configuration and Operation of LED Light Source Device Manufactured by Example 3: FIG. 17]
Next, the details of each manufacturing process of the third embodiment are basically the same as those of the first embodiment, so that the description thereof is omitted, and the configuration and operation of the LED light source device manufactured by the manufacturing method of the LED light source device of the third embodiment. The outline of will be described with reference to FIG. FIG. 17 is a side view illustrating the configuration and operation of an LED light source device having two phosphor layers manufactured in Example 3 of the present invention. The LED light source device manufactured according to the third embodiment is similar in basic structure to the LED light source device manufactured according to the first embodiment. Therefore, the same reference numerals are given to the same elements, and a duplicate description is partially omitted. To do.
図17に示すように、80は実施例3によって製造されるLED光源装置であり、このLED光源装置80は、基板1’に一例として発光波長が450nm位の青色光を発光する青色LED素子81が実装され、この青色LED素子81を被覆して2層から成る第1の蛍光体層23と第2に蛍光体層33が形成され、こられの蛍光体層を透明性の封止部材61で封止した構造である。そして、青色LED素子81を直接被覆する第1の蛍光体層23は赤色蛍光体である第1の蛍光体20を含有し、その外側の第2の蛍光体層33は、緑色蛍光体である第2の蛍光体30を含有する。
As shown in FIG. 17,
このLED光源装置80を駆動する場合は、図17に示すように、実施例1と同様に外部のプリント基板(図示せず)等に実装し、プリント基板から裏面の電極2a、2bに駆動電圧を印加する。これにより、スルホール3a、3bを介して表面の電極2a、2bに駆動電圧が伝達し、青色LED素子81にワイヤ11、12を介して駆動電流が供給されて、青色LED素子81は青色光16Bを発光する。
When driving this LED
この青色光16Bは、青色LED素子81の正面を中心として放射状に拡散し、まず、第1の蛍光体層23に含有される赤色蛍光体である第1の蛍光体20に入射すると、第1の蛍光体20は青色光16Bを吸収して励起し、波長変換光である赤色光16Rを発光して第2の蛍光体層33と封止部材61を通過し外部に出射する。
The blue light 16B diffuses radially around the front surface of the blue LED element 81, and first enters the
また、第1の蛍光体20に入射せず第1の蛍光体層23を通過した青色光16Bが、第2の蛍光体層33に含有される緑色蛍光体である第2の蛍光体30に入射すると、第2の蛍光体30は青色光16Bを吸収して励起し、波長変換光である緑色光16Gを発光して封止部材61を通過し外部に出射する。
Further, the
また、第1の蛍光体20と第2の蛍光体30に入射せずに二つの蛍光体層を通過した残りの青色光16Bは、波長変換されずに透明な封止部材61通過して外部に出射する。これにより、LED光源装置80からは、青色光16Bと緑色光16Gと赤色光16Rが発光し、それぞれの光が混合して白色光16Wとして出射される。
Further, the remaining blue light 16B that has passed through the two phosphor layers without entering the
このように、実施例3によって製造されるLED光源装置80は、青色LED素子81に最も近い第1の蛍光体層23に長波長を発光する赤色蛍光体を含有し、その外側の第2の蛍光体層33に中間波長を発光する緑色蛍光体を含有することによって、二つの蛍光体による波長変換光の相互作用の影響を抑制出来るので、蛍光体の2次励起を抑えてLEDの発光効率を向上させることが出来る。
As described above, the LED
また、青色LED素子81は青色光16Bを発光するので、青色蛍光体を含有する蛍光
体層を必要とせず、実施例1の製造方法と比較して1層分の樹脂塗布や硬化工程等を削減でき、製造工程を簡略化することが出来る。
Moreover, since the blue LED element 81 emits blue light 16B, a phosphor layer containing a blue phosphor is not required, and a resin coating or curing process for one layer is performed as compared with the manufacturing method of Example 1. It can be reduced and the manufacturing process can be simplified.
また、第1、第2の蛍光体層23、33は青色LED素子81からの自発光によって硬化して形成されるので、それぞれの蛍光体層の膜厚は、青色LED素子81の発光強度分布に応じて決定される。これにより、各蛍光体層の膜厚を容易に制御でき、発光の色味調整が簡単で色バランスが最適な白色のLED光源装置を製造することが出来る。 Further, since the first and second phosphor layers 23 and 33 are formed by being cured by self-emission from the blue LED element 81, the film thickness of each phosphor layer is the emission intensity distribution of the blue LED element 81. It is decided according to. Thereby, the film thickness of each fluorescent substance layer can be controlled easily, and the white LED light source device with which the color adjustment of light emission is easy and color balance is optimal can be manufactured.
また、実施例3による製造方法、及びこの実施例3によって製造されるLED光源装置80の基本構造は、前述の実施例1による製造方法、及びこの実施例1によって製造されるLED光源装置60と同様であるので、実施例3においても、実施例1と同様に多くの優れた効果や特徴を備えている。
Further, the manufacturing method according to the third embodiment and the basic structure of the LED
尚、実施例1〜実施例3に記載の第1、第2の樹脂部材21、31、及び、実施例1に記載の第3の樹脂部材41は、紫外線または近紫外線によって硬化する紫外線硬化型樹脂として示したが、これに限定されず、熱によって硬化する熱硬化型樹脂であっても良い。この場合、先に実施例1で示した製造工程と同じ様に、LED素子を自発光させることで、LED素子周りの、第1の蛍光体を含む熱硬化型樹脂を部分的に硬化させた後に、この熱硬化型樹脂の内の未硬化部分を除去する。そして、この工程で熱硬化型樹脂によって形成される蛍光体層の厚みは、LED素子10、又は青色LED素子81を自発光させたときに発生する熱量により決定される膜厚となる。続けて、蛍光体層の形成工程を繰り返すことで、実施例1の工程と同様に、複数層の蛍光体層を積層したLED発光装置を容易に製造することができる。
In addition, the 1st,
なお、この樹脂部材に熱硬化型樹脂を適用した場合は、課題の欄で説明した波長変換光の相互作用による問題が生じる虞があるが、熱硬化型樹脂を適用した製造方法によれば、実施例1−3に比べ、各蛍光体層の膜厚の制御がより精度よくできるという利点を有する。 In addition, when a thermosetting resin is applied to this resin member, there may be a problem due to the interaction of wavelength-converted light described in the problem column, but according to the manufacturing method using the thermosetting resin, Compared with Example 1-3, it has the advantage that control of the film thickness of each fluorescent substance layer can be performed more accurately.
また、本発明によって製造されるLED光源装置は、実施例において白色光を発光することを前提に説明したが、本発明の製造方法によるLED光源装置の出射光は白色光に限定されるものではなく、他の色の光を発光するLED光源装置であっても良い。また、本発明によって製造されるLED光源装置は、ワイヤーボンディングによる実装に限定されず、例えば、フリップチップ実装等によるLED光源装置にも適用される。尚、本発明の実施例で示したフローチャートや正面図、側面図等は、これに限定されるものではなく、本発明の要旨を満たすものであれば、任意に変更してよい。 Moreover, although the LED light source device manufactured by the present invention has been described on the assumption that white light is emitted in the embodiments, the emitted light of the LED light source device by the manufacturing method of the present invention is not limited to white light. Alternatively, an LED light source device that emits light of other colors may be used. Moreover, the LED light source device manufactured by this invention is not limited to the mounting by wire bonding, For example, it is applied also to the LED light source device by flip-chip mounting etc. The flowcharts, front views, side views, and the like shown in the embodiments of the present invention are not limited to these, and may be arbitrarily changed as long as they satisfy the gist of the present invention.
本発明のLED光源装置の製造方法は、混色性が良好で色むらが少なく発光効率に優れた高性能な白色LED光源装置を提供出来るため、液晶カラーテレビや携帯型電子機器等のバックライト用白色光源装置や、照明用の白色光源装置の製造方法として好適である。 The manufacturing method of the LED light source device of the present invention can provide a high-performance white LED light source device with good color mixing, little color unevenness and excellent luminous efficiency, and therefore for a backlight for liquid crystal color televisions, portable electronic devices, etc. It is suitable as a manufacturing method of a white light source device or a white light source device for illumination.
1 集合基板
1’ 基板
2a〜2e 電極
3a〜3e スルホール
4、5 電極端子
6 直流電源
10 LED素子
11、12 ワイヤ
15 出射光
16R 赤色光
16G 緑色光
16B 青色光
16W 白色光
20 第1の蛍光体
21 第1の樹脂部材
22 第1の硬化領域
23 第1の蛍光体層
30 第2の蛍光体
31 第2の樹脂部材
32 第2の硬化領域
33 第2の蛍光体層
40 第3の蛍光体
41 第3の樹脂部材
42 第3の硬化領域
43、72 第3の蛍光体層
50 ディスペンサ
51 有機溶剤
52 熱
60、70、80 LED光源装置
61、71 封止部材
81 青色LED素子
SW スイッチ
X、Y 切断線
DESCRIPTION OF
Claims (11)
第1の蛍光体を含む第1の樹脂部材を、前記LED素子を被覆して塗布する工程と、
前記LED素子を自発光させることにより、前記LED素子周りの前記第1の樹脂部材を、部分的に硬化させる工程と、
前記第1の樹脂部材の内の未硬化部分を除去することで、第1の蛍光体層を形成する工程と、
前記第1の蛍光体とは異なる第2の蛍光体を含む第2の樹脂部材を、前記第1の蛍光体層を被覆して塗布する工程と、
前記LED素子を自発光させることにより、前記第1の蛍光体層周りの前記第2の樹脂部材を、部分的に硬化させる工程と、
前記第2の樹脂部材の内の未硬化部分を除去することで、第2の蛍光体層を形成する工程と、を有する
ことを特徴とするLED光源装置の製造方法。 In the manufacturing method of the LED light source device formed by curing the sealing resin covering the LED element,
Applying the first resin member containing the first phosphor while covering the LED element;
A step of partially curing the first resin member around the LED element by causing the LED element to emit light;
Removing the uncured portion of the first resin member to form a first phosphor layer;
Applying a second resin member containing a second phosphor different from the first phosphor so as to cover the first phosphor layer;
A step of partially curing the second resin member around the first phosphor layer by causing the LED element to emit light;
Forming a second phosphor layer by removing an uncured portion of the second resin member. A method of manufacturing an LED light source device, comprising:
前記第1、第2の蛍光体とは異なる第3の蛍光体を含む第3の樹脂部材を、前記第2の蛍光体層を被覆して塗布する工程と、
前記LED素子を自発光させることにより、前記第2の蛍光体層周りの前記第3の樹脂部材を、部分的に硬化させる工程と、
前記第3の樹脂部材の内の未硬化部分を除去することで、第3の蛍光体層を形成する工程と、を行う
ことを特徴とする請求項1に記載のLED光源装置の製造方法。 After forming the second phosphor layer,
Applying a third resin member containing a third phosphor different from the first and second phosphors while covering the second phosphor layer;
A step of partially curing the third resin member around the second phosphor layer by causing the LED element to emit light;
The method for producing an LED light source device according to claim 1, wherein a step of forming a third phosphor layer is performed by removing an uncured portion of the third resin member.
前記第1の蛍光体が、前記LED素子からの発光色を赤色に変換する蛍光体であり、
前記第2の蛍光体が、前記LED素子からの発光色を緑色に変換する蛍光体であり、
前記第3の蛍光体が、前記LED素子からの発光色を青色に変換する蛍光体である
ことを特徴とする請求項2に記載のLED光源装置の製造方法。 The LED element is an n-UV light emitting diode;
The first phosphor is a phosphor that converts the emission color from the LED element into red,
The second phosphor is a phosphor that converts the emission color from the LED element to green,
The method of manufacturing an LED light source device according to claim 2, wherein the third phosphor is a phosphor that converts a color emitted from the LED element into blue.
前記第1の蛍光体が、前記LED素子からの発光色を赤色に変換する蛍光体であり、
前記第2の蛍光体が、前記LED素子からの発光色を緑色に変換する蛍光体である
ことを特徴とする請求項1に記載のLED光源装置の製造方法。 The LED element is a blue light emitting diode;
The first phosphor is a phosphor that converts the emission color from the LED element into red,
The method of manufacturing an LED light source device according to claim 1, wherein the second phosphor is a phosphor that converts a color emitted from the LED element into green.
ことを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載のLED光源装置の製造方法。 The phosphor layer formed on the outermost surface is sealed with a transparent sealing member. The method of manufacturing an LED light source device according to any one of claims 2 to 4.
前記第1の蛍光体が、前記LED素子からの発光色を赤色に変換する蛍光体であり、
前記第2の蛍光体が、前記LED素子からの発光色を緑色に変換する蛍光体である
ことを特徴とする請求項1に記載のLED光源装置の製造方法。 The LED element is an n-UV light emitting diode;
The first phosphor is a phosphor that converts the emission color from the LED element into red,
The method of manufacturing an LED light source device according to claim 1, wherein the second phosphor is a phosphor that converts a color emitted from the LED element into green.
ことを特徴とする請求項6に記載のLED光源装置の製造方法。 The LED light source device according to claim 6, wherein the second phosphor layer is sealed with a transparent sealing member including a phosphor that converts a light emission color from the LED element into blue. Manufacturing method.
して前記LED素子に電流を供給することで、前記LED素子を自発光させる
ことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のLED光源装置の製造方法。 The LED element is caused to emit light by supplying a current to the LED element through wire bonding in which an electrode part provided on a substrate and the LED element are electrically connected to each other. The manufacturing method of the LED light source device as described in any one of these.
各蛍光体層の厚みは、前記LED素子の発光強度分布により決定した膜厚である
ことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のLED光源装置の製造方法。 The first and second resin members are ultraviolet curable resins,
The method of manufacturing an LED light source device according to any one of claims 1 to 8, wherein the thickness of each phosphor layer is a film thickness determined by a light emission intensity distribution of the LED element.
各蛍光体層の厚みは、前記LED素子を自発光させたときの熱量により決定した膜厚である
ことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のLED光源装置の製造方法。 The first and second resin members are thermosetting resins,
The method of manufacturing an LED light source device according to any one of claims 1 to 8, wherein the thickness of each phosphor layer is a film thickness determined by an amount of heat when the LED element emits light by itself. .
ことを特徴とする請求項9または10に記載のLED光源装置の製造方法。 The phosphor layer having the determined film thickness is formed around each LED element by arranging a plurality of the LED light source devices on a collective substrate and causing a plurality of LED light source devices to emit light simultaneously. Or the manufacturing method of the LED light source device of 10.
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