JP2010266564A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】銀または銀の合金を材料とする反射膜のエッチング処理中は反射面が常に保護層によって保護されている状態であることが必要である。エッチング処理後においても反射面および端面が常に保護層によって保護されている状態であることが必要である。
【解決手段】（ａ）に示すように、銀または銀の合金を材料として形成された反射膜を、島状に形成された感光性を有する透明な樹脂材料で形成された保護層１２０をマスクとしてエッチング液でエッチングする。このエッチング処理において、（ｂ）に示したように、保護層１２０が反射層１１０の端面部分から飛び出した庇部分を形成する。続いて、（ｃ）に示したように保護層を加熱処理し、保護層１２０を融解した状態にする。こうすることによって、（ｄ）に示したように、融解した保護層１２０は、庇部分の樹脂材料が反射層１１０側に垂れて反射層１１０の端面を覆うことになる。
【選択図】図６

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器に関する。

近年、基板上に有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を発光素子として形成し、発光素子の発光光を基板と反対側に取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬ装置が、電気光学装置の一つとして実用化されている。トップエミッション方式は、発光素子を挟み基板側に形成された一方の電極である陽極と基板との間に反射層を形成し、発光素子を挟むもう一方の電極である陰極側から光を取り出す方式であって、光の利用効率が高い方式である。

さらに、トップエミッション方式において、陰極からの光の取り出し効率を高めるために、反射層を形成する材料として、通常使用されるアルミニウムに替えて、光の反射率が高い銀（Ａｇ）または銀の合金を用いた有機ＥＬ装置が提案されている（例えば特許文献１）。

特開２００４−３５５９１８号公報

ところで、通常反射層は、以下のようにして形成される。すなわち、基板上に反射金属材料膜（反射膜と称す）を形成した後、現像・露光処理を行うフォトリソグラフィー法を用いた工程つまりフォトリソ工程によって形成したレジストをマスクとし、この反射膜をエッチング処理する。このエッチング処理によって、反射膜を凡そレジストの形状にパターニングする。その後、レジスト剥離液を用いてマスクとして用いたレジストを除去することで、反射層を形成するのである。

しかしながら、反射膜が銀または銀の合金を材料として形成されている場合、レジストの除去処理において、レジスト剥離液が反射面に接触すると反射面を荒らすなどダメージを与えることが起こり得る。なぜなら、銀または銀の合金は、酸化、硫化、凝集、拡散という現象が生じ易く、レジスト剥離液の成分によって反射面にマイグレーションを伴う荒れを生じ、反射率が低下してしまうからである。このため、反射膜のエッチング処理中は反射面が常にエッチング剥離液と接触しないように保護層によって保護されている状態であることが必要である。

また、エッチング処理後においても反射面が常に保護層によって保護されている状態であることが必要である。なぜなら、有機ＥＬ装置のその後の製造工程に存在する熱処理やエッチング処理、あるいはスパッタ処理やＣＶＤ処理などによって、反射面にマイグレーションを伴う荒れを生じ、反射率が低下してしまうからである。このため、反射層の形成後に、少なくとも反射層の反射面を覆うように、反射層に対して保護層を例えばフォトリソ工程によって積層形成する必要がある。このような場合、反射層の形成のためのフォトリソ工程と保護層の形成のためのフォトリソ工程との少なくとも２回のフォトリソ工程が必要であった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］基板上に、光を反射する反射層と、前記反射層に対して前記基板と反対側に積層形成され、平面視で、前記反射層を覆うように形成された保護層とを備えた電気光学装置であって、前記反射層は、銀または銀の合金を材料として形成され、前記保護層は、感光性を有する透明な樹脂を材料として形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、感光性を有する透明な樹脂材料である保護層が銀または銀の合金を材料とする反射層上に形成されるので、反射機能を損なうことなく、銀または銀の合金を材料とする反射層の表面を保護する。従って、例えば、保護層をエッチング用のマスクとして機能させ、エッチング処理によって反射層を形成することが可能であり、フォトリソ工程は保護層の形成の一回で済む。もとより、エッチング処理中反射面をエッチング液から保護するので、反射面が荒らされず、反射機能にダメージを与えることなく光を反射する反射層が得られる。

［適用例２］上記電気光学装置であって、前記保護層は、前記反射層が前記基板上において露出しないように、前記反射層の端面を含めて、前記反射層を総て覆うように形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、反射層の端面を含めて反射層の表面を総て保護するので、反射層がその端面を含めてエッチング液から保護される。従って、反射機能にダメージを与えることなく光を反射する反射層が得られる。

［適用例３］基板上に、光を反射する反射層と、前記反射層に対して前記基板と反対側に積層形成され、平面視で、前記反射層を覆うように形成された保護層とを備えた電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に、銀または銀の合金を材料とする反射膜を形成する工程と、前記反射膜上に感光性を有する透明な樹脂材料からなる保護膜を形成する工程と、前記保護膜をフォトリソグラフィー法を用いて所定の形状に形成することによって前記保護層を形成する工程と、前記保護層をマスクとして前記反射膜をエッチング処理することによって前記反射層を形成する工程とを備えたことを特徴とする。

この方法によれば、感光性を有する透明な樹脂材料である保護層が銀または銀の合金を材料とする反射層上に形成されるので、反射機能を損なうことなく、銀または銀の合金を材料とする反射層の表面を保護する。そして、保護層をエッチング用のマスクとして機能させ、エッチング処理によって反射層を形成することから、フォトリソ工程は保護層の形成の一回で済む。この結果、エッチング用のマスクである保護層が、エッチング処理中反射面をエッチング液から保護するので反射面が荒らされず、反射機能にダメージを与えることなく光を反射する反射層が得られる。

［適用例４］上記電気光学装置の製造方法であって、前記反射膜をエッチングすることによって前記反射層を形成する工程において、平面視で、前記反射層の端面が、前記保護層の領域端から領域内部に所定の距離入り込んだ位置までオーバーエッチングされることを特徴とする。

この方法によれば、反射層の端面が保護層の領域内に入り込んだ状態となるので、保護膜が反射層の端面を庇のように覆うことになる。従って、保護膜が反射層の端面を保護する確率が高くなる。この結果、反射機能にダメージを与えることなく光を反射する反射層が得られる。

［適用例５］上記電気光学装置の製造方法であって、前記所定の距離は、前記反射膜の膜厚より大きな値であることを特徴とする。

この方法によれば、反射層の端面から保護層の端面までの距離が反射層の厚さよりも大きいので、保護膜が反射層の端面を保護する確率が更に高くなる。この結果、反射機能にダメージを与えることなく光を反射する反射層が得られる。

［適用例６］上記電気光学装置の製造方法であって、前記反射層の形成後、前記保護層を形成する感光性を有する透明な樹脂材料を加熱して融解する工程を備えたことを特徴とする。

この方法によれば、融解した保護膜で反射層の端面を覆うことができるので、他の保護層を形成して反射層の端面覆う必要がない。また、反射層の端面を含めて反射層の総ての表面を保護するので、反射機能にダメージを与えることなく光を反射する反射層が得られる。

［適用例７］上記電気光学装置を備えた電子機器。

１回のフォトリソ工程で反射層を形成する電気光学装置を備えたことで、製造工程が少なくコスト上昇を抑制した電子機器を提供することができる。また、反射機能にダメージを与えることなく光を反射する反射層を備えた電子機器が得られる。

［適用例８］上記電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置を備えた電子機器。

１回のフォトリソ工程で反射層を形成する電気光学装置を備えたことで、製造工程が少なくコスト上昇を抑制した電子機器を提供することができる。また、反射機能にダメージを与えることなく光を反射する反射層を備えた電子機器が得られる。

本発明の一実施例となる電気光学装置としての有機ＥＬパネルを、電子機器としての一実施例である携帯電話に備えた形態を示した説明図。 有機ＥＬパネルの全体のレイアウトを、回路構成とともに示した模式図。 有機ＥＬパネルに形成されたＲ、Ｇ、Ｂの各画素の構成を示す模式図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。 反射層の形成方法についての工程フローチャート。 （ａ）〜（ｄ）は反射層の製造方法における工程の状態を適宜示す模式図。 （ａ）〜（ｄ）は反射層の製造方法における工程の状態を適宜示す模式図。 （ａ）〜（ｃ）とも、反射層と保護層の一部を拡大して表示した断面図。 第１変形例の有機ＥＬ素子の構造を示す模式図。 第２変形例で、画素領域が総て反射表示領域である液晶パネルの断面を示した模式図。

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、本実施例の説明に際して用いる図面は、説明のために必要に応じて誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさや長さを示すものでないことは言うまでもない。

図１は、本発明の一実施例となる電気光学装置としての有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネル１００を、電子機器としての一実施例である携帯電話１に表示装置として備えた形態を示した説明図である。本実施例の有機ＥＬパネル１００は、自発光素子である有機ＥＬ素子を発光素子として備えたものであり、バックライトが不要で薄型化が可能であることから、画像や文字を表示する薄型の電子機器には好適な表示装置である。従って、本実施例の有機ＥＬパネル１００は、携帯電話１に搭載する表示装置として有効である。

有機ＥＬパネル１００には、本実施例では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色に相当する波長光のうちいずれか１色の光を発光可能な画素がそれぞれ複数形成され、画像や文字などの所定のカラー画像を表示するように構成されている。なお、本実施例では、以降の説明を簡単にするために、図１に示すように、有機ＥＬパネル１００は、列方向（図面縦方向）に４画素、行方向（図面横方向）に６画素の計２４個の画素が形成されているものとする。もとより、実際には、行列それぞれの方向に数百画素ないし数千画素といった多くの画素が形成されていることは言うまでもない。

次に、本実施例の有機ＥＬパネル１００について、その具体的な構成について図２を用い、また発光素子となる有機ＥＬ素子の構成について図３を用いて、それぞれ順次説明する。

図２は、有機ＥＬパネル１００の全体のレイアウトを、回路構成とともに示した模式図である。有機ＥＬパネル１００は、基板１０上に形成され略矩形形状を有する陽極１３０の領域を凡そ発光領域とする画素（不図示）が形成されている。画素は、陽極１３０の配列に応じて、基板１０上の所定の領域に行方向および列方向に規則正しく配列されている。なお、陽極１３０の形状は矩形形状以外の形状であってもよい。また陽極１３０の配列、すなわち画素の配列も不規則であってもよいことは勿論である。

また、有機ＥＬパネル１００は、画素ごとに発光駆動されるアクティブマトリックス型の装置である。すなわち、各画素には、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を発光駆動するための駆動素子とが形成されている。駆動素子は、図２に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスター）１４，１５と保持容量１６とから構成されている。本実施例では、有機ＥＬパネル１００はトップエミッション構造を有しているものとする。従って、駆動素子は、後述する反射層と平面的に重なる位置であって、反射層に対して基板１０側に形成されている。

基板１０の端部には、走査線駆動回路１１とデータ線駆動回路１２、および給電端子１３とが形成されている。走査線駆動回路１１からは走査線Ｇａｔｅが、データ線駆動回路１２からはデータ線Ｓｉｇが、また、給電端子１３からはこれに接続された電源供給線Ｃｏｍが、それぞれ各画素に形成された駆動素子に対して図示したように配線され、有機ＥＬ素子を発光駆動する。

まず、走査線Ｇａｔｅは、ＴＦＴ１４のゲートに接続され、走査線Ｇａｔｅを介して供給される電圧信号または電流信号に応じて、ＴＦＴ１４をオン／オフ制御する。そしてＴＦＴ１４がオンすると、ＴＦＴ１４のソースに接続されたデータ線Ｓｉｇから供給される画像信号に応じた電圧が、電源供給線Ｃｏｍから供給される電源によって保持容量１６に保持される。すると、保持容量１６に保持された電圧は、ＴＦＴ１５のゲートに印加され、ＴＦＴ１５をオン状態にする。ＴＦＴ１５のドレインおよびソースは、それぞれ電源供給線Ｃｏｍと陽極１３０に接続され、保持容量１６に保持された電圧に応じた、つまり画像信号に応じた電流が、電源供給線Ｃｏｍを介して陽極１３０に印加される。

各画素に形成される有機ＥＬ素子は、陽極１３０と、総ての画素（発光領域）の表面に渡って形成された陰極１７０（図中二点鎖線）との間に電流を流すことによって発光する。従って、陽極１３０に印加された電流が陰極１７０に流れることによって、有機ＥＬ素子は画像信号に応じた明るさで発光する。つまり、陽極１３０と有機ＥＬ素子と陰極１７０とが重なって積層形成された平面領域が電流の流れる発光領域となる。この結果、この発光領域は、前述したように凡そ陽極１３０の領域となるのである。なお、陰極１７０は、外周端部において接地されている。

次に、有機ＥＬパネル１００における具体的な画素構成について、図３を用いて説明する。図３は、有機ＥＬパネル１００に形成されたＲ、Ｇ、Ｂの各画素についての構成を示す模式図である。図３（ａ）は、図２に示した各画素のうち、行方向（図面横方向）にＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の発光領域が並んだ部分を示した平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＡ−Ａ断面を模式的に示した模式断面図である。

図３（ａ）に示したように、各画素は隔壁（図中ハッチング部分）によって区画された画素領域内に発光領域を有している。発光領域は、前述したように凡そ陽極１３０の領域であり略矩形形状を呈している。そして各画素の画素領域には、図３（ｂ）に示したように、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色フィルターが所定の配列で並んだカラーフィルターが、各発光領域に重なるように配置されている。

カラーフィルターは、ガラス板上に遮光領域ＢＭによって区分されたＲフィルター、Ｇフィルター、Ｂフィルターが形成されたもので、発光領域から射出された白色光を、このＲフィルター、Ｇフィルター、Ｂフィルターによって、それぞれＲ光、Ｇ光、Ｂ光に変換する。こうして、各発光領域の明るさに応じた色の光がカラーフィルターから射出されることによって、それぞれＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素を形成し、有機ＥＬパネル１００はカラー画像を表示する。

なお、既に周知構造であることから具体的な説明は省略するが、カラーフィルターは、有機ＥＬ素子が形成される基板１０に対して所定の間隔を保ちながら、その外周部分において樹脂等を介して封止接着されている。また、図示しないが、各色フィルターや遮光領域ＢＭからのガスの流出を防止する保護膜が必要に応じて形成される。

次に、発光領域について説明する。発光領域は、図３（ｂ）に示したように、陽極１３０と陰極１７０と有機ＥＬ素子１４０とによって構成される。すなわち、陽極１３０と陰極１７０とに挟まれた有機ＥＬ素子１４０に電流が流れることによって、有機ＥＬ素子１４０が発光する発光領域が形成される。

有機ＥＬ素子１４０は、陽極１３０側から図示しない正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の各機能層が順に積層され、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素とも総て同じ層厚で形成されたものである。各機能層は、例えば、アミン系有機材料などといった有機材料によって形成されている。また、発光層は、青色発光機能層と黄色発光機能層が積層され、発光領域から白色光を射出するように構成されている。

また、有機ＥＬパネル１００は、トップエミッション構造を有していることから、有機ＥＬ素子１４０の発光光が陰極１７０側から射出するように、陽極１３０に対して基板１０と対向する面側には、反射層１１０が形成されている。さらに、反射層１１０に対して基板１０と反対側には、反射層１１０の反射面を保護する目的のために形成された保護層１２０が積層形成されている。

本実施例の有機ＥＬパネル１００においては、反射層１１０は、陽極１３０と平面的に凡そ重なる領域形状を有し、銀または銀を主成分とする銀の合金（例えば、銀とパラジウムの合金、銀と銅の合金など）を材料として形成されている。銀は光の反射率が高い材料であり、有機ＥＬ素子１４０の発光光のうち陽極１３０を透過して基板１０側に射出される光束を反射して、陰極１７０側から射出される光束を多くすることができる。

なお、陽極１３０は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）またはＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）のように光透過性のある材料で形成された導電層である。同じく陰極１７０はＩＴＯまたはＩＺＯなどの光透過性を有する材料で形成された導電層である。なお、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの光透過性を有する材料以外の金属材料であっても、光が透過する程度に薄く形成されたものであれば陰極材料として使用することは可能である。

有機ＥＬ素子１４０を発光駆動するための駆動素子は、前述したように反射層１１０と平面的に重なる位置に形成されている。具体的には、図３（ｂ）に示したように、反射層１１０と基板１０との間に位置し、表面全体が図示しない平坦化膜で平坦化されたデバイス層２０の内部に、駆動素子であるＴＦＴ１４，１５や保持容量１６が形成されている。そして、ＴＦＴ１５のソース電極は、デバイス層２０において形成された図示しないコンタクトホールによって陽極１３０と結線されている。

さて、本実施例では、図３（ｂ）に示したように、銀または銀の合金を材料として形成された反射層１１０において、その反射面および端面の総てを覆うように、感光性を有する透明な樹脂を材料とする保護層１２０を反射層１１０上に積層形成する。

この構成によれば、感光性を有する透明な樹脂材料である保護層１２０が銀または銀の合金を材料とする反射層１１０上に形成されるので、反射機能を損なうことなく、銀または銀の合金を材料とする反射層１１０の表面を保護する。従って、例えば、保護層１２０をエッチング用のマスクとして機能させ、エッチング処理によって反射層１１０を形成することが可能であり、フォトリソ工程は保護層１２０の形成の一回で済む。もとより、エッチング処理中反射面をエッチング液から保護するので反射面が荒らされず、反射機能にダメージを与えることなく光を反射する反射層１１０が得られる。

それでは、上述する効果を奏する反射層１１０の製造方法について、図５および図６を参照しつつ、図４に示した工程フローチャートに基づいて説明する。なお、図５および図６は、図４における工程の状態を適宜示す模式図である。

図４に示すように、まず、ステップＳ１０１にて反射膜の形成処理を行う。具体的には、図５（ａ）に示すように、銀または銀の合金を材料とする反射膜を、デバイス層２０に形成された平坦化膜上に、スパッタリング法や真空蒸着法、ＣＶＤ法などによって堆積形成する。

次に、ステップＳ１０２にて保護膜の形成処理を行う。具体的には、図５（ｂ）に示すように、感光性を有する透明な樹脂材料を、形成された反射膜上に、印刷法やコート法、あるいはインクジェット法などによって塗布し、所定の膜厚に形成する。なお、本実施例では、感光性を有する樹脂材料は、銀または銀の合金と化学的な反応を生じ易いヨウ素や硫黄などの成分を含まないことが好ましい。また、原理的に感光に供する波長域の光が吸収されて色づきが生ずることから、膜厚は透明性を確保できる程度に薄くすることが好ましい。ちなみに本実施例では、保護膜は２００ｎｍ前後の膜厚で形成する。

次に、ステップＳ１０３にて保護層の形成処理を行う。具体的には、図５（ｃ）に示すように、形成された保護膜（感光性を有する樹脂材料）のうち、後述するエッチング処理（ステップＳ１０４）によって最終的に形成される反射層１１０の平面領域形状に相当する領域以外を露光マスクを用いて露光し、露光した部分を現像除去することによって保護層１２０を形成する。

保護層１２０の形成状態を図５（ｄ）に示した。図示するように、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素に対応する位置に所定のパターン形状を有する島状の保護層１２０が形成される。なお、この現像処理において、保護膜が完全に除去されるまで現像することによって、現像液が反射膜と接触することが起こり得るが、平面的に露光された保護膜の領域部分に平面的に位置する反射膜については、その後の工程で除去されるため特に問題は生じない。

次に、ステップＳ１０４にて反射膜のエッチング処理を行う。ここでは、図６（ａ）に示すように、島状に形成された保護層１２０と平面的に重なる領域以外の反射膜を、エッチング液でエッチングする。つまり、島状に形成された保護層１２０をマスクとして、反射膜をエッチング液でエッチングするのである。

ここで本実施例では、このエッチング処理において平面視で、反射層１１０の端面が、保護層１２０の領域端から領域内部に所定の距離入り込んだ位置までオーバーエッチングされることが好ましい。こうすれば、反射層１１０の端面が保護層１２０の領域内に入り込んだ状態となるので、図６（ｂ）に示したように、保護層１２０が反射層１１０の端面部分から飛び出した庇部分を形成することになる。従って、反射層１１０平面領域がオーバーエッチングされた状態で陽極１３０と凡そ重なるようにすることが好ましい。すなわち、保護層１２０の平面領域は予め陽極１３０よりも一回り大きな領域形状で形成されていることが好ましい。

続いて、ステップＳ１０５にて保護層を加熱処理する。具体的には、図６（ｃ）に示したように、保護層１２０を形成する感光性を有する樹脂材料が融解（メルト）した状態になるように所定の温度と加熱時間によって加熱する。なお、本実施例では加熱温度は１５０℃〜２００℃程度の温度を用いて加熱する。

続いて、ステップＳ１０６にて反射層端面をカバー処理する。処理後の状態を図６（ｄ）に示した。本実施例では、保護層１２０を形成する感光性を有する樹脂材料の加熱を所定の時間継続し、保護層１２０を融解した状態にする。このとき、保護層１２０が平坦化膜に対して反重力方向に位置するようにしておく。こうすることによって、図６（ｄ）に示したように、融解した保護層１２０は、庇部分が重力方向である反射層１１０側に垂れて反射層１１０の端面を覆うことになる。

ここで、保護層１２０の庇部分が反射層１１０の端面を覆う様子について、図７の模式図を用いて補足説明する。図７は、デバイス層２０の平坦化膜上に形成された反射層１１０と保護層１２０の一端部を拡大して表示した断面図である。そして、図７（ａ）は、平坦化膜面の法線方向から見た平面視で、保護層１２０の端部から反射層１１０の端面までの距離Ｗが、反射層１１０の厚さＨよりも大きな値である場合を示している。図７（ｂ）は、平坦化膜面の法線方向から見た平面視で、保護層１２０の端部から反射層１１０の端面までの距離Ｗが、反射層１１０の厚さＨよりも小さな値である場合を示している。また、図７（ｃ）は、反射層１１０の端面が逆テーパー、つまり、平坦化膜方向に平面積が小さくなるように反射層１１０が形成されている場合を示している。

まず、本実施例では、反射層１１０の端面部分から飛び出す保護層１２０の庇部分について、図７（ａ）に示したように、保護層１２０の端部から反射層１１０の端面までの距離Ｗが、反射層１１０の厚さＨよりも大きな値になるように、反射膜をオーバーエッチングする。この結果、加熱処理によって融解した庇部分の長さが、反射層１１０の端面の厚さ（長さ）よりも長くなるため、図示するように反射層１１０の端面を確実に覆うことができる。また、このとき、保護層１２０の端部は、融解した樹脂材料が重力方向に流れることから、平坦化膜に近づくにつれてその平面積が大きくなる順テーパー形状になる確率が高くなる。従って、以降この保護層１２０上に積層形成さる上層膜のカバレッジ不良を引き起こす確率も低くなる。

もとより、反射膜のオーバーエッチングによって反射層１１０の端面部分から飛び出す保護層１２０の庇部分について、図７（ｂ）に示したように、保護層１２０の端部から反射層１１０の端面までの距離Ｗが、反射層１１０の厚さＨよりも小さい値であっても差し支えない。なお、この場合、距離Ｗは、加熱処理によって融解した庇部分の樹脂材料が反射層１１０の端面に沿って流れ、図示するように、樹脂層の厚さが薄くなっても反射層１１０の端面を覆うことができる距離以上が好ましいことは勿論である。

あるいは、反射膜のオーバーエッチングによって形成される反射層１１０の端面が、図７（ｃ）に示したように、平坦化膜方向に近づくにつれて反射層１１０の平面積が小さくなる逆テーパー形状が形成されている場合であってもよい。この場合、図示するように、加熱処理によって融解した庇部分の樹脂材料は、反射層１１０の端面に沿って重力方向に流れることによって、樹脂材料が逆テーパー部分を埋めながら反射層１１０の端面を覆うことができる。この結果、図示するように保護層１２０の端部は、平坦化膜に近づくにつれてその平面積が大きくなる順テーパー形状になる確率が高くなる。従って、以降この保護層１２０上に積層形成される上層膜のカバレッジ不良を引き起こす確率も低くなる。

なお、本実施例では、保護層１２０の加熱を、減圧下で行うことが好ましい。融解した保護層１２０と反射層１１０の端面との間に空気が閉じ込められると、閉じ込められた空気がその後膨張して保護層１２０を破壊することになってしまう。そこで、このように保護層１２０の加熱を、減圧下で行うことによって、融解した保護層１２０と反射層１１０の端面との間に空気が閉じ込められないように抑制することができる。

その後、基板１０において、陽極１３０、隔壁、有機ＥＬ素子１４０、陰極１７０が順に形成され、基板１０上に、有機ＥＬパネル１００を構成する各機能層が形成される。なお、各機能層の形成については、既に周知な製造方法を用いることができる。従って、ここではこれらの製造方法の説明を省略する。

上述したように、本実施例の反射層１１０の形成方法によれば、感光性を有する透明な樹脂材料である保護層１２０が銀または銀の合金を材料とする反射層１１０上に形成されるので、反射機能を損なうことなく、銀または銀の合金を材料とする反射層１１０の表面を保護する。従って、例えば、保護層１２０をエッチング用のマスクとして機能させ、エッチング処理によって反射層１１０を形成することが可能であり、フォトリソ工程は保護層１２０の形成の一回で済む。この結果、従来のように、保護層形成と反射層形成とで別々にフォトリソ工程を実施する場合に比べて、製造工程が少なくコスト上昇を抑制することができる。また、エッチング処理中反射面をエッチング液から保護するので反射面が荒らされず、反射機能にダメージを与えることなく光を反射する反射層１１０が得られる。

以上、本発明について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下変形例を挙げて説明する。

（第１変形例）
上記実施例は、有機ＥＬ素子は発光光が白色光であり、カラーフィルターにてＲ、Ｇ、Ｂの各色に変換して射出する有機ＥＬパネル１００について実施することとして説明したが、これに限るものでないことは勿論である。例えば、有機ＥＬ素子が、それぞれＲ、Ｇ、Ｂの異なる色を発光する有機ＥＬパネルであっても実施することが可能である。この変形例について図８を用いて説明する。図８は、本変形例の有機ＥＬ素子の構造を示す模式図である。なお、基板１０上に形成されるデバイス層２０は図示を省略している。

図示するように、基板１０上に形成された陽極１３０の周囲には導電性を有しない有機材料からなる隔壁が形成され、この隔壁によって囲まれた領域に、発光色が異なるＲ発光層、Ｇ発光層、Ｂ発光層を含む有機ＥＬ素子１４０が形成されている。そして、隔壁を含めて各発光層全体を覆うように陰極１７０が形成され、陽極１３０と陰極１７０との間に有機ＥＬ素子１４０が挟まれるように構成されている。従って、陽極１３０と陰極１７０との間に所定の電流を流すことによって、それぞれの有機ＥＬ素子１４０は、発光層に応じたＲ、Ｇ、Ｂの発光色を射出して、それぞれＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素となる。

本変形例では、発光層は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色を示す蛍光材料を溶質とする機能液など、有機ＥＬ素子１４０を構成する機能層を形成するための機能液を、隔壁で囲まれた領域に噴射し、真空乾燥などの熱処理を行って、所定の厚さの膜を形成したものである。

一方、陽極１３０の基板１０側には、順に、保護層１２０と反射層１１０が、上記実施例と同様な製造方法で形成されている。すなわち、反射層１１０は、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の各画素の発光領域と凡そ同じ平面領域を有し、この反射層１１０を端面を含めて総て覆うように、保護層１２０が形成されている。

本変形例によれば、保護層１２０は、保護層１２０の端部が順テーパの状態で、反射層１１０の端面を含め反射層１１０全体を覆うことができる。この結果、上層膜のカバレッジ不良が発生してしまう確率が低くなる。また、有機ＥＬ素子の形成時など、その後の製造工程における熱処理やエッチング処理、あるいはスパッタ、ＣＶＤ処理などによって、反射層１１０の反射面が荒れることもない。従って、高い反射率を維持することが可能である。

（第２変形例）
上記実施例では、電気光学装置として有機ＥＬパネル１００を用いて説明したが、特にこれに限るものでないことは勿論である。反射層を備えた電気光学装置であれば、本発明を適用することが可能である。例えば、電気光学装置として液晶パネルとしてもよい。本変形例について、図９を用いて説明する。

図９は、画素領域が総て反射表示領域である液晶パネル２００の断面を示した模式図である。図示するように、液晶パネル２００は、素子基板２１０と対向基板２３０とによって液晶層２４０を挟持した構成を有している。また、液晶層２４０は、素子基板２１０の基板面に沿う横方向に印加される電界によって液晶分子の配向制御が行われるＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式と呼ばれる横電界方式の液晶パネルである。

対向基板２３０は、ガラス材料からなる平板２３１に対して、液晶層２４０と反対側の面に偏光板２４５が、また液晶層２４０側の面に、遮光層２３２、フィルター層２３３、オーバーコート層２３４、配向膜２３６が順次形成されたものである。一方、素子基板２１０は、ガラス材料からなる平板２１４に対して、液晶層２４０と反対側の面に偏光板２４４が、液晶層２４０側の面に、ゲート電極２２０ｇおよび電源供給線Ｃｏｍ、ゲート絶縁層２１５、半導体層２２０ａ、ソース電極２２０ｓおよびドレイン電極２２０ｄ、層間絶縁層２１６、平坦化層２１７、共通電極２１３、絶縁層２１８、第２絶縁層２１８ｓ、画素電極２１１、配向膜２１９が順次形成されたものである。

図示するように、ドレイン電極２２０ｄ、ゲート電極２２０ｇ、ソース電極２２０ｓおよび半導体層２２０ａによってトランジスター２２０が形成される。また、ドレイン電極２２０ｄはデータ線Ｓｉｇと電気的に接続され、ゲート電極２２０ｇは走査線Ｇａｔｅと電気的に接続されている。なお、本変形例において、走査線Ｇａｔｅおよび電源供給線Ｃｏｍ、データ線Ｓｉｇは、上記実施例と同様な機能を司るものであり、従って上記実施例と同符号を付し、これらについての説明は省略する。

画素電極２１１には、コンタクトホールＣＨ１を介してソース電極２２０ｓと接続され、データ線Ｓｉｇから供給される電圧が印加される。一方、共通電極２１３には、コンタクトホールＣＨ２を介して電源供給線Ｃｏｍと接続され、この電源供給線Ｃｏｍから供給される共通電圧（接地電位）が印加されるように電気的な回路が形成されている。この結果、画素電極２１１と共通電極２１３との間で電圧が発生し、液晶層２４０に横方向の電界を印加して液晶分子を駆動する。

さて、本変形例では、共通電極２１３が反射層として機能するように構成されている。すなわち、共通電極２１３は、銀あるいは銀の合金（例えば、ＡＰＣ（銀−パラジウム−銅の合金）など）を材料として形成されている。そして、共通電極２１３上には、平面領域および端面を覆うように保護層２１３ａが積層形成されている。

従って、本変形例の液晶パネル２００によれば、保護層２１３ａを覆うように形成される絶縁層２１８（さらには第２絶縁層２１８ｓ）は、反射層である共通電極２１３の端面を確実にカバーすることができる。この結果、画素電極２１１の形成時など、その後の製造工程におけるスパッタ処理やＣＶＤ処理などによって、共通電極２１３の反射面が荒れることなく、高い反射率を維持することが可能である。

（その他の変形例）
上記実施例では、反射膜をエッチング処理後、保護層１２０を加熱処理して融解することしたが、必ずしも加熱処理を行わなくてもよい。例えば、保護層１２０に形成された庇部分が、自重や減圧処理などによって反射層１１０の端面を覆うことができる場合は、必ずしも加熱処理を行う必要はない。

また、上記実施例では、画素がＲ光、Ｇ光、Ｂ光をそれぞれ射出することとしたが、これに限らず、他の色の光（例えば黄色など）を射出することとしてもよい。あるいは、単色光のみを射出することとしてもよい。また各画素において各色光が共振する共振構造を形成するため、導電層（陽極）の層数を異ならせることとしたが、これに限らず、形成する導電層の層数を同じ数（例えば１層）としてもよい。

また、上記実施例では、電子機器として携帯電話を例示したが、これに限るものでないことは勿論である。例えば、プロジェクター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン、モバイルコンピューター、オーディオ機器などであってもよい。なお、電子機器をプロジェクターとした場合は、組み込む電気光学装置は、上記変形例のごとく、外光を用いて表示を行う液晶パネル２００とすることが好ましい。

１…携帯電話、１０…基板、１１…走査線駆動回路、１２…データ線駆動回路、１３…給電端子、１４，１５…ＴＦＴ、１６…保持容量、２０…デバイス層、１１０…反射層、１２０…保護層、１３０…陽極、１４０…有機ＥＬ素子、１７０…陰極、２００…液晶パネル、２１０…素子基板、２１１…画素電極、２１３…共通電極、２１３ａ…保護層、２１４…平板、２１５…ゲート絶縁層、２１６…層間絶縁層、２１７…平坦化層、２１８…絶縁層、２１８ｓ…第２絶縁層、２１９…配向膜、２２０…トランジスター、２２０ａ…半導体層、２２０ｄ…ドレイン電極、２２０ｇ…ゲート電極、２２０ｓ…ソース電極、２３０…対向基板、２３１…平板、２３２…遮光層、２３３…フィルター層、２３４…オーバーコート層、２３６…配向膜、２４０…液晶層、２４４，２４５…偏光板。

Claims (8)

1. 基板上に、
   光を反射する反射層と、
   前記反射層に対して前記基板と反対側に積層形成され、平面視で、前記反射層を覆うように形成された保護層とを備えた電気光学装置であって、
   前記反射層は、銀または銀の合金を材料として形成され、
   前記保護層は、感光性を有する透明な樹脂を材料として形成され
   ていることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記保護層は、前記反射層が前記基板上において露出しないように、前記反射層の端面を含めて、前記反射層を総て覆うように形成されていることを特徴とする電気光学装置。
3. 基板上に、
   光を反射する反射層と、
   前記反射層に対して前記基板と反対側に積層形成され、平面視で、前記反射層を覆うように形成された保護層と
   を備えた電気光学装置の製造方法であって、
   前記基板上に、銀または銀の合金を材料とする反射膜を形成する工程と、
   前記反射膜上に感光性を有する透明な樹脂材料からなる保護膜を形成する工程と、
   前記保護膜をフォトリソグラフィー法を用いて所定の形状に形成することによって前記保護層を形成する工程と、
   前記保護層をマスクとして前記反射膜をエッチング処理することによって前記反射層を形成する工程と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 請求項３に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記反射膜をエッチングすることによって前記反射層を形成する工程において、平面視で、前記反射層の端面が、前記保護層の領域端から領域内部に所定の距離入り込んだ位置までオーバーエッチングされることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 請求項４に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記所定の距離は、前記反射膜の膜厚より大きな値であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 請求項３または５に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記反射層の形成後、前記保護層を形成する感光性を有する透明な樹脂材料を加熱して融解する工程を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項１または２に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
8. 請求項３ないし６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置を備えた電子機器。

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