JP2010262362A - Semiconductor device and power supply control method for the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置及び半導体装置の電源制御方法に関する。特に、複数の機能ブロックが共通のバスに接続された半導体装置において、機能ブロック毎に電源を制御する方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device and a power control method for the semiconductor device. In particular, the present invention relates to a method for controlling a power supply for each functional block in a semiconductor device in which a plurality of functional blocks are connected to a common bus.
近年、携帯電話等のバッテリ駆動製品が増加し、省電力化の要求が高まっている。その流れの中で半導体装置もプロセスの微細化を行うことにより低電圧の要求に対応してきた。しかしながら、さらに製品の省電力化が進み、半導体装置の動作時における消費電流のみならず動作停止時のリーク電流を抑えた製品が望まれてきたためより効果的な電力制御を行う必要がでてきた。 In recent years, battery-powered products such as mobile phones have increased, and the demand for power saving has increased. In the process, semiconductor devices have also responded to the demand for low voltage by miniaturizing the process. However, further power saving of products has progressed, and there has been a demand for a product that suppresses not only the consumption current during operation of the semiconductor device but also the leakage current when the operation is stopped, so that more effective power control has been required. .
図9は、特許文献1の図11に記載されている機能ブロック毎に電源のオンオフを制御し、電力の削減を図った半導体装置のブロック図である。図9の回路は最後にその機能ブロックへのアクセス(データ)があってからその機能ブロックへの電源供給を遮断するまでの期間の長さを学習機能によって自動更新することが記載されている。図9において、最後にアクセスがあってから電源スイッチD1を遮断するまでの期間はシャットダウンサイクル数バッファBFによって決まり、このBFの値を判定回路DCSが制御している。
FIG. 9 is a block diagram of a semiconductor device that controls power on / off for each functional block described in FIG. 11 of
図10は特許文献1の図12に記載されているこの判定回路DCSの制御方法を示す動作フロー図である。図10に示すとおり、シャットダウンしてから次のデータが来るまでのサイクルkがシャットダウンサイクルnより大きければ、nを大きくする方向に制御し、逆の場合は、nを小さくする方向に制御する。 FIG. 10 is an operation flowchart showing a method for controlling the determination circuit DCS described in FIG. As shown in FIG. 10, if the cycle k from the shutdown until the next data comes is larger than the shutdown cycle n, control is performed to increase n, and in the opposite case, control is performed to decrease n.
図11は特許文献1の図13に記載されている上記図9、図10の通りに制御を行った場合のデータがある期間とない期間に対する電源スイッチをオンする期間とオフする期間を示す動作フロー図である。特許文献1では、アクセスがある期間とない期間を学習して、アクセスがなくなってから電源スイッチをオフするまでのクロック数を切り換えている。図11では当初2だった電源スイッチをオフするまでのクロック数が途中で学習によって3に変わった後、再度学習によって2に戻っている。また、電源スイッチのオンは、データが来てから電源スイッチをオンしているので、電源スイッチのオンはデータが来てから常に1クロック遅れている。
FIG. 11 shows the operation of turning on and off the power switch for the period with and without data when the control is performed as shown in FIG. 9 and FIG. 10 described in FIG. FIG. In
以下の分析は本発明により与えられる。特許文献1では、アクセスがなくなっても、すぐに電源スイッチをオフせずに一定の期間経過してから電源スイッチをオフしている。したがって、電源スイッチオフまで無駄な電力を消費する。また、特許文献1では、データが来てから電源スイッチをオンしているので、データが来るより電源スイッチのオンが遅れ、電源スイッチオフによる処理時間の遅れが生じる。特許文献1では、アクセスの終了時期及び次のアクセスの開始時期が把握できていないからである。
The following analysis is given by the present invention. In
本発明の1つの側面による半導体装置は、基幹バスと、前記基幹バスに接続された複数の機能ブロックと、前記基幹バスをモニタし、前記基幹バス上のデータから前記機能ブロック毎に当該機能ブロックに対するアクセスの終了アドレスと、次に当該機能ブロックに対してアクセスがあるまでのアクセス間隔を抽出し、当該終了アドレスにアクセスがあったときに、当該機能ブロックの電源を遮断し、前記アクセス間隔の経過する時に当該機能ブロックへのアクセスが可能となるように当該機能ブロックの電源を前記アクセス間隔の経過前に立ち上げ開始するように制御するバスモニタと、を備える。 A semiconductor device according to an aspect of the present invention monitors a backbone bus, a plurality of functional blocks connected to the backbone bus, the backbone bus, and the functional block for each functional block from data on the backbone bus. The access end address and the access interval until the next access to the function block is extracted, and when the end address is accessed, the power of the function block is shut off, and the access interval A bus monitor that controls the power supply of the functional block to start up before the elapse of the access interval so that the functional block can be accessed when it elapses.
また、本発明の他の側面による半導体装置の電源制御方法は、それぞれ独立して電源をオンオフすることが可能な複数の機能ブロックが共通のバスに接続された半導体装置において、前記バス上のデータをモニタし、前記機能ブロック毎に当該機能ブロックに対するアクセスの終了アドレスと、次に当該機能ブロックに対してアクセスがあるまでのアクセス間隔を抽出するステップと、前記終了アドレスにアクセスがあったときに、当該機能ブロックの電源を遮断するステップと、前記アクセス間隔の経過する時に当該機能ブロックへのアクセスが可能となるように当該機能ブロックの電源を前記アクセス間隔の経過前に立ち上げ始めるステップと、を含む。 According to another aspect of the present invention, there is provided a power control method for a semiconductor device, wherein a plurality of functional blocks that can be turned on and off independently are connected to a common bus. And, for each functional block, extracting an end address of access to the function block, an access interval until the next access to the function block, and when the end address is accessed A step of shutting off the power supply of the functional block, and a step of starting up the power supply of the functional block before the access interval elapses so that the function block can be accessed when the access interval elapses. including.
本発明によれば、基幹バスをモニタし、基幹バス上のデータから各機能ブロックに対するアクセスのない期間とアクセスのない期間に入る直前のアクセス終了アドレスを検出しているので当該終了アドレスにアクセスがあったときに当該機能ブロックの電源を遮断し、アクセスのない期間が終わるときにあわせて電源を立ち上げることができる。従って、無駄な消費電力を抑制し、かつ、電源遮断による処理遅れを防止できる。 According to the present invention, the backbone bus is monitored, and the access end address immediately before entering the period of no access and the period of no access to each functional block is detected from the data on the backbone bus. When this happens, the power of the functional block can be shut off, and the power can be turned on when the period of no access ends. Therefore, useless power consumption can be suppressed and processing delay due to power shutdown can be prevented.
本発明の実施形態の概要について、必要に応じて図面を参照して説明する。なお、概要の説明において引用する図面及び図面の符号は実施形態の一例として示すものであり、それにより本発明による実施形態のバリエーションを制限するものではない。 An outline of an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings as necessary. In the description of the outline, the drawings and the reference numerals of the drawings are shown as examples of the embodiments, and the variations of the embodiments according to the present invention are not limited thereby.
一実施形態の半導体装置50は、例えば、図1、図6に示すように、基幹バスBと、基幹バスBに接続された複数の機能ブロック(22、23、24、25)と、基幹バスBをモニタし、基幹バスB上のデータから機能ブロック(22、23、24、25)毎に機能ブロックに対するアクセスの終了アドレス(図5のMA)と、次に機能ブロックに対してアクセスがあるまでのアクセス間隔(図5のMS)を抽出し、終了アドレス(MA)にアクセスがあったときに、機能ブロックの電源を遮断し、アクセス間隔の経過する時に当該機能ブロックへのアクセスが可能となるように当該機能ブロックの電源を前記アクセス間隔の経過前に立ち上げ開始するように制御するバスモニタ10と、を備える。すなわち、基幹バスのデータをモニタして各機能ブロックに対するアクセスのない期間とアクセスのない期間に入る直前のアクセス期間の終了アドレスを抽出している。従って、終了アドレスへのアクセスがあった後はその機能ブロックへのアクセスがアクセス間隔の間存在しないので、機能ブロックの電源を遮断できる。また、アクセス間隔により次にアクセスがある時期がわかるので、そのタイミングに合わせて電源を立ち上げることができる。機能ブロックの動作としては周期性があるものと周期性がないものとが考えられるが、バスモニタ10はその中から周期性のあるものを抽出する。従って、特許文献1のように動作終了後電源遮断までに無駄な電力を消費したり、次の動作開始が遅れたりすることもない。なお、終了アドレスの検出により電源の遮断ルーチンに入った後は、他の動作中の機能ブロックに電源のノイズ等を与えないようにゆっくり段階的に電源を落としてもよい。
For example, as illustrated in FIGS. 1 and 6, the
なお、本明細書において、基幹バスとは複数の機能ブロックとバスモニタが接続されるバスのことを基幹バスと呼んでいる。基幹バスには、少なくとも機能ブロックと機能ブロック内のアドレスを指定してアクセスするためのアドレスバスが含まれる。このアドレスバスは、データバスとマルチプレクスしていてもよい。 In the present specification, the basic bus refers to a bus to which a plurality of functional blocks and a bus monitor are connected. The backbone bus includes at least an address bus for designating and accessing a function block and an address in the function block. This address bus may be multiplexed with the data bus.
また、一実施形態の半導体装置50は、各機能ブロック(22、23、24、25)には、電源スイッチが設けられ、バスモニタ10は、各機能ブロック(22、23、24、25)に設けられた電源スイッチの導通/遮断を制御することにより電源の遮断と、再投入を制御するモード切替実行部MJを備えている。各機能ブロック(22、23、24、25)には、特許文献1と同様に電源スイッチ(図9のD1)が設けられている。バスモニタ10は、電力制御信号D2〜D5により電源スイッチの導通遮断を制御し、機能ブロック毎の電力制御を行うことができる。
In the
さらに、図3も参照すると、一実施形態の半導体装置50において、バスモニタ10は、機能ブロック(22、23、24、25)毎のアドレス範囲(SA22〜SA25)と機能ブロック毎の電源立ち上がりに必要な時間(SE22〜SE25)とを含む情報が格納されたコントロールレジスタCRをさらに備え、コントロールレジスタCRの機能ブロック毎のアドレス範囲(SA22〜SA25)から前記基幹バスB上のデータがどの機能ブロック(22、23、24、25)に対するアクセスか認識して前記各機能ブロックに対するアクセスの周期性を抽出し、コントロールレジスタCRの機能ブロック毎の電源立ち上がりに必要な時間情報(SE22〜SE25)を用いて機能ブロックの電源再投入タイミングを決定する。コントロールレジスタCRに機能ブロック毎のアドレス範囲(SA22〜SA25)をあらかじめ設定しておけば、バスモニタ10は、基幹バスB上のアドレスとそのコントロールレジスタCRに記憶された機能ブロック毎のアドレス範囲から基幹バス上のアクセスがどの機能ブロックに対するものであるか把握できる。したがって、バスモニタ10は、機能ブロック毎のアクセスの終了アドレスとアクセス間隔を抽出することができる。さらに、コントロールレジスタCRには、機能ブロック毎の電源立ち上がりに必要な時間情報が格納されているので、その情報と抽出した機能ブロック毎のアクセス間隔から、次のアクセス周期に合わせて電源の立ち上げを行うことができる。
Further, referring also to FIG. 3, in the
また、一実施形態の半導体装置50において、例えば、図2、図5に示すように、バスモニタ10は、アドレス情報記憶テーブルMTと、アドレス比較部ACと、をさらに備え、機能ブロック毎のアクセスがない期間とその前に最後にその機能ブロックにアクセスしたアドレスを抽出してアドレス情報記憶テーブルMTに、そのアドレスとアクセス間隔としてアクセス回数のデータとともに格納し、前記アドレス比較部ACがアドレス情報記憶テーブルMTに格納したアドレスへのアクセスを検出した場合には、当該機能ブロックへの電源を遮断する。
In the
また、一実施形態の半導体装置50において、例えば、図2、図4、図8に示すように、バスモニタ10は、機能ブロック毎に最後にアクセスしたアドレスとその機能ブロックに対してアクセスがない期間であるアクセス間隔を計測するアクセス入力間隔計測部AMと、アクセス入力間隔計測部AMが計測したアドレスとアクセス間隔とを一時的に保存するテンポラリ記憶テーブルTTと、さらに備え、テンポラリ記憶テーブルTTにエントリされたアドレスのアクセス間隔が、アドレス情報記憶テーブルMTにエントリされたアドレスのアクセス間隔より長い場合には、前記アドレス情報記憶テーブルMTのエントリを当該テンポラリ記憶レジスタTTのエントリと入れ替える(図8の207)。上記構成により、アドレス情報記憶テーブルMTのエントリを最適化することができる。
Further, in the
また、一実施形態の半導体装置50において、例えば図2、図12に示すように、モード切替実行部MJは、アドレス比較部ACがアドレス情報記憶テーブルMTに記憶するアドレスへのアクセスを検出した場合に、アドレス情報記憶テーブルMTに記憶する当該アドレスへのアクセス回数が所定の回数を満たない場合、又は、次のアクセスまでの予想時間がコントロールレジスタCRに記憶する当該機能ブロックの電源立ち上がりに必要な時間を下回る場合は、当該機能ブロックの電源の遮断を行わずに、当該機能ブロックのクロックを停止する(図12の308参照)。すなわち、アドレス情報記憶テーブルMTの当該エントリに対するアクセス回数が少なく当該エントリの確度が低いと考えられる場合、又は、アクセス周期が短く、電源の遮断と再投入を行うと次のアクセス周期に遅れてしまう場合は、電源の遮断を行わずに対象とする機能ブロックのクロックを停止することにより、当該機能ブロックの消費電力を低減することができる。以下、実施例について、図面を参照してさらに詳しく説明する。
In the
図1は、実施例1による半導体装置50のブロック図である。図1に示すように半導体装置50上の基幹バスBはCPU21とバスA1、ROM/RAM22とバスA2、CDROM制御部23とバスA3、HDD制御部24とバスA4、表示装置制御部25とバスA5、バスモニタ10に接続される。また、バスモニタ10はROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の電力制御信号D2、D3、D4,D5を出力する。なお、ROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の各機能ブロックには、図示しない電源スイッチが設けられ、電源スイッチを介して電源が供給されている。なお、電源スイッチは、図9に示す電源スイッチD1を図1にも適用することができる。各機能ブロック(22、23、24、25)の電源スイッチは、それぞれ電力制御信号D2、D3、D4、D5によりオン、オフ(導通、遮断)が制御される。
FIG. 1 is a block diagram of a
図2にバスモニタ10の構成を示す。バスモニタ10は基幹バスBのアドレス信号Aを計測するアクセス入力間隔計測部AM、電力制御の情報テーブルであるテンポラリ記憶テーブルTTとアドレス情報記憶テーブルMT、基幹バスBのアドレス信号Aとテンポラリ記憶テーブルTT及びアドレス情報記憶テーブルMTのアドレス情報の値を比較するアドレス比較部AC、各機能ブロックの電源制御のために必要な閾値となる情報を保持するコントロールレジスタCR、アドレス比較部ACのアドレス比較結果及びコントロールレジスタCRのデータに基づいて電力制御信号D2〜D5を出力し各機能ブロックの電力を直接制御するモード切替実行部MJを有する。
FIG. 2 shows the configuration of the
バスモニタ10のアクセス入力間隔計測部AMはバスB上に発行されたアクセスとコントロールレジスタCRに格納する機能ブロック毎アドレス範囲のデータから機能ブロック毎に最後にアクセスしたアドレスと最後にアクセスしてから経過した時間を計測する。その機能ブロックへのアクセスがないアイドル期間に入った場合は、最後にアクセスしたアドレスは更新されずにそのまま残り、次にその機能ブロックへのアクセスがあったときに、アクセス終了アドレスとアクセス間隔が計測されることになる。ここでアクセス終了アドレスとは、その機能ブロックに対するアクセスが終了し、その機能ブロックに対してアクセスがない期間に入る直前のアドレスであり、アクセス間隔は、アクセスがない期間の長さである。アクセス入力間隔計測部AMが計測したアクセス終了アドレスとアクセス間隔をテンポラリ記憶テーブルTTやアドレス情報記憶テーブルMTに格納することにより電力を制御するための情報テーブルを構築する。
The access input interval measuring unit AM of the
アドレス比較部ACは基幹バスB上に発行されたアドレスAとテンポラリ記憶テーブルTT及びアドレス情報記憶テーブルMTに登録されたアドレス情報と一致比較を行い、比較結果によりモード切替実行部MJにより基幹バスB上の該当するアドレスの機能ブロックの電源を制御する。また、アドレス比較部ACは、アクセス入力間隔計測部AMが計測したアドレスとテンポラリ記憶テーブルTT及びアドレス情報記憶テーブルMTに登録されたアドレス情報の一致比較を行って、テンポラリ記憶テーブルTT及びアドレス情報記憶テーブルMTの更新を行うときに使用してもよい。 The address comparison unit AC compares the address A issued on the main bus B with the address information registered in the temporary storage table TT and the address information storage table MT, and based on the comparison result, the mode switching execution unit MJ performs the main bus B. Controls the power supply of the function block at the corresponding address above. Further, the address comparison unit AC performs a coincidence comparison between the address measured by the access input interval measurement unit AM and the address information registered in the temporary storage table TT and the address information storage table MT, and stores the temporary storage table TT and the address information storage. It may be used when updating the table MT.
コントロールレジスタCRの内部の構成を図3に示す。コントロールレジスタCRは、ROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の機能ブロック電源を遮断、再投入の制御を行うために必要な情報として、アクセス発生回数RO、アクセス間隔RS、機能ブロック毎の電源立ち上がり時間SE22〜SE25、機能ブロックのアドレス範囲SA22〜SA25の情報を有する。
The internal configuration of the control register CR is shown in FIG. The control register CR is the information necessary for controlling the function block power supply of the ROM /
テンポラリ記憶テーブルTTの内部の構成を図4に示す。テンポラリ記憶テーブルTTは、アクセス入力間隔計測部AMで計測された基幹バスB上のアドレスAのアドレス情報TA(機能ブロックへのアクセス終了アドレス)と次のアクセスとの間隔TS(その機能ブロックへのアクセスがない期間)の情報を有する。テンポラリ記憶テーブルTTには、次に述べるアドレス情報記憶テーブルMTに格納する電源遮断処理エントリアドレスの候補となるアドレスを格納する。 FIG. 4 shows the internal configuration of the temporary storage table TT. The temporary storage table TT has an interval TS (address to the functional block) between the address information TA (access end address to the functional block) of the address A on the trunk bus B measured by the access input interval measuring unit AM and the next access. Information on the period of no access). The temporary storage table TT stores addresses that are candidates for the power shutdown process entry address stored in the address information storage table MT described below.
アドレス情報記憶テーブルMTの内部の構成を図5に示す。アドレス情報記憶テーブルMTは、アドレスMA、アクセス間隔MS、アドレスMAへのアクセス発生回数MCの情報を有する。このアドレスMAは、各機能ブロックに対する電源遮断処理のトリガとなるアドレスが格納される。アクセス間隔MSの情報に基づいて、次にアクセスが必要になるタイミングを決め、この情報に基づいて、電源立ち上げのタイミングを決める。また、アクセス発生回数MCは、当該エントリの確度の基準となる。アクセス発生回数が大きいほど、当該エントリの情報確度は高くなる。 The internal configuration of the address information storage table MT is shown in FIG. The address information storage table MT has information on the address MA, the access interval MS, and the number of times of access MC to the address MA. This address MA stores an address that triggers a power-off process for each functional block. Based on the information of the access interval MS, the next access timing is determined, and the power-on timing is determined based on this information. The access occurrence count MC is a reference for the accuracy of the entry. The greater the number of times of access occurrence, the higher the information accuracy of the entry.
図6は、各機能ブロックの電源制御の動作フロー図である。バスモニタ10は基幹バスB上のROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の機能ブロックへのアクセスを検出すると、アドレスAがアドレス情報記憶テーブルMTのアドレス情報MAと一致しているかをアドレス比較部ACにて検索する(ステップ101)。不一致の場合は電源制御を行わず処理を終了させる。
FIG. 6 is an operation flowchart of power control of each functional block. When the
一方、アドレスが一致すると、アドレス比較部ACはモード切替実行部MJに電源のシャットダウン要求信号(図2の4)を発行し、モード切替実行部MJはコントロールレジスタCRに登録されているアドレス範囲SA22〜SA25からROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25のどの機能ブロックのアドレスに一致するか検索を行う(ステップ102)。検索の結果アドレスが一致するROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の機能ブロックのクロックを停止し、電源を遮断する(ステップ103)。
On the other hand, if the addresses match, the address comparison unit AC issues a power supply shutdown request signal (4 in FIG. 2) to the mode switching execution unit MJ, and the mode switching execution unit MJ has an address range SA22 registered in the control register CR. From SA25, the address of which functional block of the ROM /
電源の立ち上がりはモード切替実行部MJがアドレス情報記憶テーブルMTに登録されているアクセス間隔MSからコントロールレジスタCRに設定された該当する機能ブロックの立ち上がり時間SE22〜SE25を差し引いた時刻になる(ステップ104)と電源を投入する(ステップ105)。電源が安定するとクロックを活性化し再びアクセスが可能になる(ステップ106)。アクセス間隔MSと該当する機能ブロックの電源立ち上がり時間SE22〜SE25を考慮して電源を立ち上げているので、その機能ブロックへのアクセスが必要な時期に遅れることなく、かつ、電源立ち上げが早すぎ余計な電力を消費することなく電源を立ち上げることができる。 The power supply rises when the mode switching execution unit MJ subtracts the rise time SE22 to SE25 of the corresponding functional block set in the control register CR from the access interval MS registered in the address information storage table MT (step 104). And the power is turned on (step 105). When the power supply becomes stable, the clock is activated and access becomes possible again (step 106). Since the power supply is started in consideration of the access interval MS and the power supply rise time SE22 to SE25 of the corresponding functional block, the power supply startup is too early without delaying the time when access to the functional block is necessary. The power supply can be started up without consuming extra power.
図7に電源遮断から再度電源を立ち上げるまでの電力の遷移の様子を示す。この実施例ではROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の機能ブロックへのアクセスが必要になる時刻t3を予測し、ROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の機能ブロックへの電源が再投入されて電源が立ち上がり安定する時間t3−t2を考慮するためシステムのパフォーマンスを下げることなく低電力化を実現できる。
FIG. 7 shows the state of power transition from the power shutdown until the power is turned on again. In this embodiment, the time t3 when access to the functional blocks of the ROM /
次にアドレス情報記憶テーブルMT及びテンポラリ記憶テーブルTTを更新する処理フローについて、図8を用いて説明する。まず、アクセス入力間隔計測部AMは、基幹バスB上のアドレスAとアクセス間隔TSを取得する(ステップ201)。この処理は、機能ブロックへのアクセスが発生するたびに行う。アクセス入力間隔計測部AMは、データとしてその機能ブロックに対して前回アクセスしたアドレス(前回のアクセス終了アドレス)と前回アクセスしてからのアクセス間隔を持っている。そのアドレスをアドレス情報テーブルMTに保存されているアドレスと一致比較を行う(ステップ202)。アドレスが一致した場合はアドレス情報記憶テーブルMTの一致したアドレスMAの回数MCをインクリメントする(ステップ203)。 Next, a processing flow for updating the address information storage table MT and the temporary storage table TT will be described with reference to FIG. First, the access input interval measuring unit AM acquires the address A and the access interval TS on the trunk bus B (Step 201). This process is performed every time access to the functional block occurs. The access input interval measuring unit AM has an address (previous access end address) last accessed for the functional block as data and an access interval since the previous access. The address is compared with the address stored in the address information table MT (step 202). If the addresses match, the number MC of the matched addresses MA in the address information storage table MT is incremented (step 203).
次に、ステップ209に移る。ステップ209では、最初に、アクセス入力間隔計測部AMが計測した最新のアクセス間隔とアドレス情報記憶テーブルMTに記録されているアクセス間隔MSとを比較する。アドレス情報記憶テーブルMTに記録されているアクセス間隔のほうが小さいか値が同一であれば、何もしない。通常はこの処理である。しかし、アクセス入力間隔計測部AMが計測した最新のアクセス間隔の方が、アドレス情報記憶テーブルMTに記録されているアクセス間隔MSより小さい場合は、そのアドレスへアクセスした後、アドレス情報記憶テーブルMTに登録されているアクセス間隔より短い間隔でアクセスする場合があり得るということなので、アドレス情報記憶テーブルMTに記録されているアクセス間隔MSをアクセス入力間隔計測部AMが計測した最新のアクセス間隔に入れ替える。その後、処理を終了させる。なお、ステップ209において、アドレス情報記憶テーブルMTに登録されているアクセス間隔MSは、テンポラリ記憶テーブルのアクセス間隔TSの段階でこれ以上短いアクセス間隔がないことが検証済みの値である(ステップ210参照)。従って、このステップ209は不要ならば、省略してもよい。
Next, the process proceeds to step 209. In
一方、ステップ202において不一致であった場合はテンポラリ記憶テーブルTTに登録されているアドレスと一致比較を行う(ステップ204)。テンポラリ記憶テーブルTTに登録されているアドレスと一致した場合は、ステップ210に移る。ステップ210では、まず、テンポラリ記憶テーブルTTに登録されているアクセス間隔TSとアクセス入力間隔計測部AMが計測した最新のアクセス間隔とを比較する。テンポラリ記憶テーブルTTに記録されているアクセス間隔のほうが小さいか値が同一であれば、何もしない。しかし、アクセス入力間隔計測部AMが計測した最新のアクセス間隔の方が、テンポラリ記憶テーブルTTに記録されているアクセス間隔TSより小さい場合は、そのアドレスへアクセスした後、テンポラリ記憶テーブルTTに登録されているアクセス間隔より短い間隔でその機能ブロックへアクセスする場合があり得るということなので、テンポラリ記憶テーブルTTに記録されているアクセス間隔TSをアクセス入力間隔計測部AMが計測した最新のアクセス間隔に入れ替える。以上で、ステップ210を終了する。
On the other hand, if there is a mismatch in
次に、テンポラリ記憶テーブルTTに記録されているそのアドレスのアクセス間隔TSとアドレス情報記憶テーブルMTに登録されているアクセス間隔MSのうち、最小のアクセス間隔MSとを比較する(ステップ206)。テンポラリ記憶テーブルTTに記録されているアクセス間隔TSの方が小さい場合には、何も行わない。テンポラリ記憶テーブルTTに記録されているアクセス間隔TSの方が大きい場合には、アドレス情報記憶テーブルMTに登録されているアドレスMA、アクセス間隔MSを入れ替え、回数MCを最小値に設定する(ステップ207)。その後、処理を終了させる。 Next, the access interval TS of the address recorded in the temporary storage table TT is compared with the minimum access interval MS among the access intervals MS registered in the address information storage table MT (step 206). If the access interval TS recorded in the temporary storage table TT is smaller, nothing is done. If the access interval TS recorded in the temporary storage table TT is larger, the address MA and the access interval MS registered in the address information storage table MT are exchanged, and the number of times MC is set to the minimum value (step 207). ). Thereafter, the process is terminated.
ステップ204においてテンポラリ記憶テーブルTTに登録されているアドレスと一致比較が不一致の場合(テンポラリ記憶テーブルTTに未登録の場合)はテンポラリ記憶テーブルTTに登録されているアクセス間隔TSと比較を行い(ステップ205)、アクセス間隔が大きい場合はアクセス間隔が大きい方のアドレス情報がテーブルに残るように入れ替えを行い(ステップ208)処理を終了する。テンポラリ記憶テーブルTTに登録されているデータのアクセス間隔TSよりアクセス間隔が小さい場合は入れ替えを行わずに処理を終了する。 If the coincidence comparison with the address registered in the temporary storage table TT does not match in step 204 (if it is not registered in the temporary storage table TT), the comparison is made with the access interval TS registered in the temporary storage table TT (step 205) If the access interval is large, replacement is performed so that the address information having the larger access interval remains in the table (step 208), and the process is terminated. If the access interval is smaller than the access interval TS of the data registered in the temporary storage table TT, the process is terminated without performing replacement.
上記手順によれば、まず基幹バスB上のアドレスA及び次のアクセス間隔TSはテンポラリ記憶テーブルTTに保存される。アドレスAがテンポラリ記憶テーブルTTに保存された時点では再現性があるアクセスかどうかが判断できない。テンポラリ記憶テーブルTTに記憶されている終了アドレスに対するアクセス間隔が最短のものであるか否かは、ステップ210で検証され、アクセス間隔で最短であるものに置き換えられる。従って、ステップ210によって、終了アドレスに対するアクセス間隔は精度の高いデータに更新される。また、多数の終了アドレスとアクセス間隔の組が存在するが、ステップ205とステップ208により、テンポラリ記憶テーブルTTには、アクセス間隔の最も大きなデータが残る。
According to the above procedure, the address A on the trunk bus B and the next access interval TS are first stored in the temporary storage table TT. When the address A is stored in the temporary storage table TT, it cannot be determined whether the access has reproducibility. Whether or not the access interval for the end address stored in the temporary storage table TT is the shortest is verified in
さらに、ステップ206と207では、アドレス情報記憶テーブルMTに記憶されているデータとテンポラリ記憶テーブルTTに記憶されているテータが比較され、アクセス間隔の大きいデータがアドレス記憶テーブルMTに登録されることになる。以上の処理により、アドレス記憶テーブルMTには、アクセス間隔の精度が高く、かつ、アクセス間隔の大きいデータが残ることになる。また、仮にアドレス記憶テーブルMTに精度の低いアクセス間隔のデータが登録されてしまったとしても、ステップ209により正しくアクセス間隔に訂正される。訂正されたアクセス間隔が小さい場合は、その後、ステップ207を経てアクセス間隔が大きいデータに置き代えられるので問題は生じない。
Further, in
従って、アドレスAが再現性のあるアクセスかわからない場合は、アドレスAの情報は予測精度が低いとして、低電力化には使用しない。再度同じアドレスへのアクセスが発生するとアドレスAへのアクセスは再現性があり電源制御の予測に使用しても精度が期待できると判断しアドレス情報記憶テーブルMTへ情報の転送を行う。本手順によりアドレス情報記憶テーブルMTには再現性のある情報のみがテーブルに登録される。 Therefore, when it is not known whether the address A is reproducible access, the information of the address A is not used for power saving because the prediction accuracy is low. When access to the same address occurs again, it is determined that access to address A is reproducible and accuracy can be expected even when used for prediction of power control, and information is transferred to the address information storage table MT. By this procedure, only reproducible information is registered in the address information storage table MT.
すなわち、アクセス入力間隔計測部AMにより計測された基幹バスB上のアドレスがテンポラリ記憶テーブルTTに登録されている情報と一致した場合は、計測されたアドレスへのアクセスがROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の機能ブロックをアイドル状態にするトリガとして再現性があると判断し、アクセス間隔TSがコントロールレジスタCRに設定されたアクセス発生回数RO以上であれば、アドレス情報TAとアクセス間隔TSをアクセス記憶情報テーブルMTにアドレス情報とアクセス間隔を渡す。
That is, when the address on the trunk bus B measured by the access input interval measuring unit AM matches the information registered in the temporary storage table TT, the access to the measured address is read by the ROM /
また、テンポラリ記憶テーブルTTは再現性のあるアクセスの抽出を行うために、アクセスが発行される毎にテーブルに保存されているアドレスTAの情報との比較を図2のアドレス比較部ACによって行い、アクセスの間隔が広い情報がテーブルに残るようにアドレスTAおよび次のアクセス間隔TSの情報の入れ替えを行う。 The temporary storage table TT performs the comparison with the information of the address TA stored in the table every time an access is issued in order to perform reproducible access extraction, and the address comparison unit AC in FIG. The information of the address TA and the next access interval TS is exchanged so that information with a wide access interval remains in the table.
以上のように、アドレス情報記憶テーブルMTはテンポラリ記憶テーブルTTから再現性のあると判断されたアドレスへのアクセス情報を登録し、電力制御を行う。また、アドレス情報記憶テーブルMTに登録されているアドレスMAは低電力化を行う対象の特定に、アクセス間隔MSは低電力化の指標に、アクセス回数MCは低電力化を行う際の予測の確度として使用している。 As described above, the address information storage table MT registers the access information to the address determined to be reproducible from the temporary storage table TT, and performs power control. In addition, the address MA registered in the address information storage table MT is used to specify the target to be reduced in power, the access interval MS is used as an index for reducing power, and the number of accesses MC is the accuracy of prediction when the power is reduced. It is used as
実施例1によれば、ROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の機能ブロックがアイドル期間に入るトリガとして、ROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の機能ブロックのレジスタアクセスなど固定アドレスへのアクセスに着目する。ROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の機能ブロックへのアクセスで発行されるアドレスとアクセス入力間隔をアドレス情報記憶テーブルMTに保存する。さらに、アドレス情報記憶テーブルMTに保存するデータを、低電力化に有効な次のアクセスまでのアイドル期間が長いアクセスとなるように更新することにより学習していく。アイドル状態となるきっかけをアドレス情報記憶テーブルMTの内容から判断することでアクセスを正確に予測し、電力の削減を行う。
According to the first embodiment, the ROM /
実施例2では、図1の半導体装置50全体の構成、及び図2に示すバスモニタ10の構成、図3のコントロールレジスタCR、図4のテンポラリ記憶テーブルTT、図5のアドレス情報記憶テーブルMTのおおよその構成は実施例1とほぼ同一である。ただし、モード切替実行部MJによる機能ブロック毎の電力制御が異なる。
In the second embodiment, the configuration of the
図12は、実施例2の半導体装置50における電力制御フロー図である。実施例2では、バスモニタ10は基幹バスB上のROM/RAM22、CDROM制御部23、HDD制御部24、表示装置制御部25の機能ブロックへのアクセスを検出すると、アドレスAがアドレス情報記憶テーブルMTのアドレス情報MAと一致検索をアドレス比較部ACにて行い(ステップ101)、不一致の場合は処理を終了する。
FIG. 12 is a power control flowchart in the
アドレスが一致すると機能ブロックアドレスの該当するユニットをコントロールレジスタCRから検索し(ステップ102)、機能ブロックのアクセス回数MCがコントロールレジスタCRに設定されたアクセス発生回数ROを越えているか比較する(ステップ302)。機能ブロックのアクセス回数MCがコントロールレジスタCRに設定されたアクセス発生回数ROを超えていない場合は、次に短い間隔でアクセスが発生する可能性があり、予測が外れた場合に電源立ち上がり時間が発生するので電源は遮断せず、クロックの停止のみ行なう(ステップ307)。機能ブロックへのアクセス要求発生を監視し(ステップ308)、機能ブロックへのアクセス要求発生があった場合は、機能ブロックのクロックを活性化し(ステップ309)、処理を終了する。 If the addresses match, the corresponding unit of the functional block address is searched from the control register CR (step 102), and it is compared whether the access count MC of the functional block exceeds the access occurrence count RO set in the control register CR (step 302). ). If the access count MC of the functional block does not exceed the access occurrence count RO set in the control register CR, there is a possibility that the access will occur at the next short interval, and a power supply rise time will occur if it is not predicted Therefore, the power supply is not shut off and only the clock is stopped (step 307). The generation of an access request to the functional block is monitored (step 308), and when an access request to the functional block is generated, the clock of the functional block is activated (step 309), and the process is terminated.
ステップ302において機能ブロックのアクセス回数がコントロールレジスタCRに設定されたアクセス発生回数ROを超えている場合は、コントロールレジスタCRに設定された電源立ち上がりに必要な時間SE22〜SE25とアドレス情報記憶テーブルMTに保存されている次のアクセスまでの時間を比較(ステップ303)し、コントロールレジスタCRに設定された電源立ち上がり時間よりもアドレス情報記憶テーブルMTに保存されている予測された次のアクセスまでの残り時間が小さい場合は、ステップ307、ステップ308の処理を実行する。
If the access count of the functional block exceeds the access occurrence count RO set in the control register CR in
ステップ303においてコントロールレジスタCRに設定された電源立ち上がり時間よりもアドレス情報記憶テーブルMTに保存されている予測された次のアクセスまでの残り時間が大きい場合は、機能ブロック電源の遮断とクロックを停止する(ステップ304)。次のアクセスまでの残り時間が電源立ち上がり時間以上の場合(ステップ305)、電源遮断の状態を保持する。次のアクセスまでの残り時間が電源立ち上がり時間未満となった場合は、機能ブロックの電源をON(306)し、機能ブロックのクロックを活性化(309)して処理を終了する。
If the remaining time until the predicted next access stored in the address information storage table MT is larger than the power supply rise time set in the control register CR in
図13に機能ブロックのアクセス回数がコントロールレジスタCRに設定されたアクセス発生回数ROを越えているか比較し、機能ブロックのアクセス回数がコントロールレジスタCRに設定されたアクセス発生回数ROを超えていない場合の動作および電力遷移図を示す。図13において、次に短い間隔でアクセスが発生する可能性があり、予測が外れた場合に不必要な電源立ち上がり時間が発生する可能性があるため電源は遮断せず、クロックの停止を行なう(t1)。機能ブロックへのアクセス要求発生を監視し(t1〜t2)、機能ブロックへのアクセス要求発生があった場合は、機能ブロックのクロックを活性化し(t2〜t3)、処理を終了する。 FIG. 13 compares whether the access count of the functional block exceeds the access occurrence count RO set in the control register CR, and the function block access count does not exceed the access occurrence count RO set in the control register CR. The operation and power transition diagram is shown. In FIG. 13, there is a possibility that an access will occur at the next short interval, and an unnecessary power supply rise time may occur if the prediction is lost, so the power supply is not shut down and the clock is stopped ( t1). The generation of an access request to the functional block is monitored (t1 to t2), and when an access request to the functional block is generated, the clock of the functional block is activated (t2 to t3), and the process is terminated.
機能ブロックのアクセス回数がコントロールレジスタCRに設定されたアクセス発生回数ROを超えている場合は、実施例1と同様に電源の遮断を行うので、この場合は、図7の電力遷移図になる。 When the access count of the functional block exceeds the access occurrence count RO set in the control register CR, the power supply is shut down as in the first embodiment, and in this case, the power transition diagram of FIG. 7 is obtained.
実施例2においては、機能ブロックのアクセス回数および予測された次のアクセスまでの残り時間から判断して電力モードを2段階で実行する。機能ブロックのアクセス発生回数ROを越え、かつ電源立ち上がり時間よりもアドレス情報記憶テーブルMTに保存されている予測された次のアクセスまでの残り時間が大きい場合は電源遮断から復帰時の電源立ち上がり時間によるアクセス遅延が発生しないと判断し、実施例1と同様に電源を遮断する。 In the second embodiment, the power mode is executed in two stages based on the number of access to the functional block and the predicted remaining time until the next access. If the remaining number of times until the predicted next access stored in the address information storage table MT is greater than the power supply rise time and the number of occurrences of access RO of the functional block is longer than the power supply rise time, It is determined that an access delay does not occur, and the power supply is turned off as in the first embodiment.
一方、機能ブロックのアクセス発生回数RO以下、または電源立ち上がり時間よりもアドレス情報記憶テーブルMTに保存されている予測された次のアクセスまでの残り時間が小さい場合は電源遮断からの復帰時の電源立ち上がり時間によるアクセス遅延が発生すると判断し図13のように電源を遮断せずに機能ブロックへのクロック停止を行なう。 On the other hand, if the function block access count RO is less than or equal to the power supply rise time or the predicted remaining time until the next access stored in the address information storage table MT is smaller than the power supply rise time, It is determined that an access delay due to time occurs, and the clock to the functional block is stopped without shutting off the power as shown in FIG.
従って、特許文献1のように、アクセスがなくなってから電源を遮断するまでに時間を要せず、電源を遮断した後、電源遮断からの復帰時の電源立ち上がり遅れによるアクセス遅延が発生しシステムのパフォーマンスが低下する恐れが少ない。
Therefore, unlike
実施例2によれば、アクセス間隔の大小、アドレス情報記憶テーブルMTの学習回数によって電力動作状態を通常動作・クロック停止・電源遮断の3状態いずれの状態をとるか選択し電力モードを実現できる。 According to the second embodiment, the power mode can be realized by selecting the power operation state from the three states of normal operation, clock stop, and power-off according to the size of the access interval and the number of learning of the address information storage table MT.
以上説明したように、上記各実施例によれば、特許文献1等の従来技術で必要としていたシャットダウンまでのサイクル数nを待つ必要がないため、1回のシャットダウンに対して”サイクル数n×電力”の低電力化を実現できる。また、実施例2により電源遮断からの復帰時の立ち上がり時間によるアクセス遅延(10ms〜100ms)を隠蔽しシステムのパフォーマンス低下を低減する。
As described above, according to each of the above-described embodiments, it is not necessary to wait for the number n of cycles until the shutdown required in the prior art of
以上、実施例について説明したが、本発明は上記実施例の構成にのみ制限されるものでなく、本発明の範囲内で当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。 Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited only to the configurations of the above embodiments, and of course includes various modifications and corrections that can be made by those skilled in the art within the scope of the present invention. It is.
本発明は、半導体装置の動作速度を劣化させることなく、消費電力を削減できるので、広い用途の半導体装置に用いることができる。 Since the power consumption can be reduced without deteriorating the operation speed of the semiconductor device, the present invention can be used for a wide variety of semiconductor devices.
10:バスモニタ
21:CPU
22:ROM/RAM(機能ブロック)
23:CDROM制御部(機能ブロック)
24:HDD制御部(機能ブロック)
25:表示装置制御部(機能ブロック)
50:半導体装置
AC:アドレス比較部
AM:アクセス入力間隔計測部
CR:コントロールレジスタ
D1:電源スイッチ
MJ:モード切替実行部
MT:アドレス情報記憶テーブル
TT:テンポラリ記憶テーブル
1〜6:入出力信号
A:アドレス信号
A1〜A5:バス
B:基幹バス
D2〜D5:電力制御信号
MA:アドレス(アドレス情報記憶テーブル)
MC:アクセス回数(アドレス情報記憶テーブル)
MS:アクセス間隔(アドレス情報記憶テーブル)
R0:アクセス発生回数(コントロールレジスタ)
TA:アドレス(テンポラリ記憶テーブル)
TS:次のアクセスとの間隔(テンポラリ記憶テーブル)
10: Bus monitor 21: CPU
22: ROM / RAM (functional block)
23: CDROM controller (functional block)
24: HDD control unit (functional block)
25: Display device control unit (functional block)
50: Semiconductor device AC: Address comparison unit AM: Access input interval measurement unit CR: Control register D1: Power switch MJ: Mode switching execution unit MT: Address information storage table TT: Temporary storage table 1-6: Input / output signals A: Address signals A1 to A5: Bus B: Main bus D2 to D5: Power control signal MA: Address (address information storage table)
MC: Number of accesses (address information storage table)
MS: Access interval (address information storage table)
R0: Number of times access occurred (control register)
TA: Address (temporary storage table)
TS: Interval from next access (temporary storage table)
Claims (13)
前記基幹バスに接続された複数の機能ブロックと、
前記基幹バスをモニタし、前記基幹バス上のデータから前記機能ブロック毎に当該機能ブロックに対するアクセスの終了アドレスと、次に当該機能ブロックに対してアクセスがあるまでのアクセス間隔を抽出し、当該終了アドレスにアクセスがあったときに、当該機能ブロックの電源を遮断し、前記アクセス間隔の経過する時に当該機能ブロックへのアクセスが可能となるように当該機能ブロックの電源を前記アクセス間隔の経過前に立ち上げ開始するように制御するバスモニタと、
を備えることを特徴とする半導体装置。 With the main bus,
A plurality of functional blocks connected to the backbone bus;
Monitor the backbone bus, extract from the data on the backbone bus the end address of access to the functional block for each functional block, and the access interval until the next access to the functional block, and the termination When an address is accessed, the function block is powered off, and the function block is powered before the access interval so that the function block can be accessed when the access interval elapses. A bus monitor that controls to start up,
A semiconductor device comprising:
前記基幹バス上のデータから前記機能ブロック毎に当該機能ブロックに対するアクセスの終了アドレスと、次に当該機能ブロックに対してアクセスがあるまでのアクセス間隔を抽出するアクセス入力間隔計測部と、
前記抽出したアクセスの終了アドレスとアクセス間隔とを記憶する記憶テーブルと、
前記記憶テーブルに記憶されたデータに基づいて、各機能ブロックの電源制御を行うモード切替実行部と、
を備えることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。 The bus monitor
An access input interval measuring unit that extracts an end address of access to the functional block for each functional block from data on the backbone bus, and an access interval until the functional block is accessed next;
A storage table that stores an end address and access interval of the extracted access;
Based on the data stored in the storage table, a mode switching execution unit that performs power control of each functional block;
The semiconductor device according to claim 1, further comprising:
前記コントロールレジスタの機能ブロック毎のアドレス範囲から前記基幹バス上のデータがどの機能ブロックに対するアクセスか識別し、
前記コントロールレジスタの機能ブロック毎の電源立ち上がりに必要な時間情報を用いて前記機能ブロックの電源を立ち上げ開始するタイミングを決定することを特徴とする請求項3記載の半導体装置。 The bus monitor includes a control register in which information including an address range for each functional block and a time required for power on for each functional block is stored,
Identify which functional block the data on the backbone bus accesses from the address range for each functional block of the control register;
4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the timing for starting to start up the power supply of the functional block is determined using time information necessary for the power supply startup for each functional block of the control register.
前記アクセス入力間隔計測部は、前記テンポラリ記憶テーブルに記憶した前記終了アドレス及び前記アクセス間隔に再現性があるか否かを確認し、再現性があるデータについて前記アドレス情報記憶テーブルに登録を移し、
前記モード切替実行部は、前記アドレス情報記憶テーブルに登録されたアクセスの終了アドレスとアクセス間隔に基づいて、各機能ブロックの電源制御を行うことを特徴とする請求項3又は4記載の半導体装置。 The storage table comprises a temporary storage table and an address information storage table,
The access input interval measurement unit checks whether the end address stored in the temporary storage table and the access interval are reproducible, and moves registration to the address information storage table for reproducible data,
5. The semiconductor device according to claim 3, wherein the mode switching execution unit performs power control of each functional block based on an access end address and an access interval registered in the address information storage table.
前記モード切替実行部は、前記各機能ブロックに設けられた電源スイッチの導通/遮断を制御することにより前記電源の遮断と立ち上げを制御することを特徴とする請求項3乃至7いずれか1項記載の半導体装置。 Each functional block is provided with a power switch,
The said mode switching execution part controls interruption | blocking and starting of the said power supply by controlling conduction | electrical_connection / cutoff of the power switch provided in each said functional block, The any one of Claim 3 thru | or 7 characterized by the above-mentioned. The semiconductor device described.
前記バス上のデータをモニタし、前記機能ブロック毎に当該機能ブロックに対するアクセスの終了アドレスと、次に当該機能ブロックに対してアクセスがあるまでのアクセス間隔を抽出するステップと、
前記終了アドレスにアクセスがあったときに、当該機能ブロックの電源を遮断するステップと、
前記アクセス間隔の経過する時に当該機能ブロックへのアクセスが可能となるように当該機能ブロックの電源を前記アクセス間隔の経過前に立ち上げ始めるステップと、
を含むことを特徴とする半導体装置の電源制御方法。 In a semiconductor device in which a plurality of functional blocks that can be turned on and off independently are connected to a common bus,
Monitoring the data on the bus, extracting an end address of access to the functional block for each functional block, and an access interval until the next access to the functional block;
Shutting off the power of the functional block when the end address is accessed;
Starting the power supply of the functional block before the access interval elapses so that the function block can be accessed when the access interval elapses;
A power supply control method for a semiconductor device, comprising:
前記テンポラリ記憶テーブルに記憶されたアクセス間隔と前記アドレス情報記憶テーブルに記憶されたアクセス間隔とを比較し、テンポラリ記憶テーブルに記憶したアクセス間隔の方が大きい場合は、前記アドレス情報記憶テーブルに記憶された終了アドレスとアクセス間隔を前記テンポラリ記憶テーブルに記憶された終了アドレスとアクセス間隔に入れ替えるステップをさらに含むことを特徴とする請求項9記載の半導体装置の電源制御方法。 The semiconductor device includes an address information storage table that stores an end address and access interval for performing the power control, and a temporary storage table that stores an end address and an access interval as candidates for the address information storage table.
The access interval stored in the temporary storage table is compared with the access interval stored in the address information storage table. If the access interval stored in the temporary storage table is larger, the access interval is stored in the address information storage table. 10. The method of controlling a power supply for a semiconductor device according to claim 9, further comprising the step of replacing the end address and access interval with the end address and access interval stored in the temporary storage table.
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KR20140095428A (en) * | 2013-01-24 | 2014-08-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Semiconductor device |
US9898070B2 (en) | 2013-05-14 | 2018-02-20 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor |
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