JP2010261828A - Detection method of defective pixel in two-dimensional array x-ray detector, and detection device of the defective pixel - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、X線に感応する変換膜と、画素を区画する二次元アレイ状の検出素子とを備えた二次元アレイX線検出器における欠損画素の検出方法および欠損画素の検出装置に関する。 The present invention relates to a defective pixel detection method and a defective pixel detection apparatus in a two-dimensional array X-ray detector including a conversion film sensitive to X-rays and a two-dimensional array-shaped detection element that partitions pixels.
X線撮影装置に使用される二次元アレイX線検出器としては、例えば、フラットパネルディテクタ(FPD)が知られている。このフラットパネルディテクタは、TFT等のスイッチング素子が二次元アレイ(行列)状に配置された基板上に、a−Se(アモルファス・セレン)等の変換膜を蒸着した構成を有する。このフラットパネルディテクタにおいては、被検体を通過したX線像が変換膜上に投影されると、像の濃淡に比例した電荷信号が変換膜内に発生する。この電荷信号は、二次元アレイ状に配置された画素電極により収集され、静電容量(キャパシタ)に蓄積される。静電容量に蓄積された電荷は、スイッチング素子の動作に伴って読み出され、電気信号として画像処理部に送信されて画像処理が行われる(特許文献1参照)。 As a two-dimensional array X-ray detector used in the X-ray imaging apparatus, for example, a flat panel detector (FPD) is known. This flat panel detector has a configuration in which a conversion film such as a-Se (amorphous selenium) is deposited on a substrate on which switching elements such as TFTs are arranged in a two-dimensional array (matrix). In this flat panel detector, when an X-ray image that has passed through the subject is projected onto the conversion film, a charge signal proportional to the density of the image is generated in the conversion film. This charge signal is collected by pixel electrodes arranged in a two-dimensional array and accumulated in a capacitance (capacitor). The electric charge accumulated in the capacitance is read with the operation of the switching element, and is transmitted as an electric signal to the image processing unit to perform image processing (see Patent Document 1).
このようなa−Se等の変換膜を使用した二次元アレイX線検出器においては、製造プロセスにおいて欠損画素が発生する場合がある。これらの欠損画素の一部は、二次元アレイX線検出器を使用している間にその大きさが急激に成長し、短期間の間にX線撮影を阻害する。このように、短期間に急激に成長する成長性を有する欠損画素が存在する二次元X線検出器については、欠損画素が正しいX線撮影を不可能とすることから、この二次元X線検出器をX線撮影装置等に使用することは不可能である。 In such a two-dimensional array X-ray detector using a conversion film such as a-Se, defective pixels may occur in the manufacturing process. Some of these defective pixels grow rapidly in size while using the two-dimensional array X-ray detector, and inhibit X-ray imaging in a short period of time. As described above, for a two-dimensional X-ray detector in which a defective pixel having a growth property that grows rapidly in a short period of time exists, this defective two-dimensional X-ray detection is impossible because the defective pixel makes correct X-ray imaging impossible. It is impossible to use the instrument in an X-ray imaging apparatus or the like.
一方、欠損画素のうちの全てが、このように短期間に急激に成長する成長性を有する欠損画素であるわけではない。成長性を有しない欠損画素については、欠損登録を行い画素値を補完することにより、このような欠損画素を備える二次元アレイX線検出器をX線撮影に使用することは可能である。 On the other hand, not all of the defective pixels are defective pixels having such growth potential that grows rapidly in such a short time. For defective pixels that do not have growth, it is possible to use a two-dimensional array X-ray detector having such defective pixels for X-ray imaging by registering the defect and complementing the pixel values.
このため、欠損画素については、それが急激に成長するものであるか、大きさに変化がないものであるのかを判定する必要があるが、二次元X線アレイ検出器における欠損数や欠損サイズ等を考慮しても、このような判定はできていないというのが現状である。 For this reason, it is necessary to determine whether a defective pixel grows rapidly or has no change in size. However, the number of defects and the defect size in a two-dimensional X-ray array detector are necessary. The present situation is that such a determination cannot be made even in consideration of the above.
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、短時間でその大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を検出することが可能な二次元アレイX線検出器における欠損画素の検出方法および欠損画素の検出装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problem, and detects a defective pixel in a two-dimensional array X-ray detector capable of detecting a defective pixel having a growth property that increases in size in a short time. It is an object of the present invention to provide a method and a defective pixel detection apparatus.
請求項1に記載の発明は、X線に感応する変換膜と、画素を区画する二次元アレイ状の検出素子とを備えた二次元アレイX線検出器における欠損画素の検出方法において、X線を照射しない状態における各画素の画素値を測定する暗電流値測定工程と、前記暗電流値測定工程で測定した各画素の画素値から欠損画素を判定する判定工程とを備えたことを特徴とする。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for detecting a defective pixel in a two-dimensional array X-ray detector including a conversion film sensitive to X-rays and a two-dimensional array-shaped detection element that partitions pixels. A dark current value measuring step for measuring a pixel value of each pixel in a state in which irradiation is not performed, and a determination step for determining a defective pixel from the pixel value of each pixel measured in the dark current value measuring step. To do.
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記判定工程においては、前記暗電流値測定工程で測定した各画素の画素値と正常な画素の画素値とを比較することにより、欠損画素を判定する。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, in the determination step, the pixel value of each pixel measured in the dark current value measurement step is compared with the pixel value of a normal pixel. Thus, the defective pixel is determined.
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記判定工程においては、暗電流値測定工程で測定した画素値が正常な画像の画素値の4.5倍以上となる画素を欠陥画素と判定する。 According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, in the determination step, the pixel value measured in the dark current value measurement step is not less than 4.5 times the pixel value of a normal image. Are determined as defective pixels.
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の発明における欠損画素の検出方法において、前記二次元アレイX線検出器は、X線に感応し入射X線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して読み出すデータ集積部と、を備え、前記暗電流値測定工程においては、前記変換膜にX線を照射しない状態で、前記スイッチング素子を順次オンとして各画素の電荷信号を検出する。 According to a fourth aspect of the present invention, in the method for detecting a defective pixel according to any one of the first to third aspects of the invention, the two-dimensional array X-ray detector is sensitive to X-rays and has an incident X-ray dose. A conversion film for outputting a corresponding charge signal, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix corresponding to the pixels on the surface of the conversion film, and a plurality of charge signals respectively connected to the pixel electrodes A storage capacitor; a switching element connected to the pixel electrode; a gate driver that sequentially turns on each switching element via a gate bus line when a signal is read; and a charge signal stored in each storage capacitor. A data accumulating unit that reads out via a line, and in the dark current value measuring step, each pixel is turned on sequentially with the switching elements turned on without irradiating the conversion film with X-ray To detect the charge signal.
請求項5に記載の発明は、X線に感応する変換膜と、画素を区画する二次元アレイ状の検出素子とを備えた二次元アレイX線検出器における欠損画素の検出装置において、X線を照射しない状態における各画素の画素値を測定する暗電流値測定手段と、欠損画素となる画素の画素値を記憶する記憶手段と、前記暗電流値測定手段により測定した各画素の画素値と、前記記憶手段に記憶した欠損画素となる画素の画素値とを比較することにより、その画素が欠損画素であるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段が、いずれかの画素が欠損画素であると判定したときに、エラー表示を行う表示手段とを備えたことを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for detecting a defective pixel in a two-dimensional array X-ray detector including a conversion film sensitive to X-rays and a two-dimensional array-shaped detection element that partitions pixels. A dark current value measuring means for measuring a pixel value of each pixel in a state where the pixel is not irradiated, a storage means for storing a pixel value of a pixel to be a defective pixel, and a pixel value of each pixel measured by the dark current value measuring means A determination unit that determines whether the pixel is a defective pixel by comparing the pixel value of the pixel that is a defective pixel stored in the storage unit; And display means for displaying an error when it is determined that the pixel is a pixel.
請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の発明において、前記記憶手段は、正常な画像の画素値の4.5倍の画素値を欠損画素となる画素の画素値として記憶する。 According to a sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect of the present invention, the storage unit stores a pixel value 4.5 times the pixel value of a normal image as a pixel value of a pixel that becomes a defective pixel.
請求項1に記載の発明によれば、短時間でその大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を、他の欠損画素と区別して検出することが可能となる。 According to the first aspect of the present invention, it is possible to detect a defective pixel having a growth property that increases in size in a short time while distinguishing it from other defective pixels.
請求項2、請求項3、請求項5および請求項6に記載の発明によれば、正常な画素値との比較により判定を行うことから、短時間でその大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を、他の欠損画素と区別してより正確に検出することが可能となる。
According to the invention according to
請求項4に記載の発明によれば、X線変換膜において生ずる短時間でその大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を、他の欠損画素と区別して検出することが可能となる。このため、X線に感応し入射X線量に対応した電荷信号を出力するX線変換膜の特性にもとづいて特異的に生ずる成長性を有する欠損画素を、一般的な欠損画素と区別して検出することが可能となる。 According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to detect a defective pixel having a growth property that increases in size in a short time, which occurs in the X-ray conversion film, separately from other defective pixels. For this reason, a defective pixel having a growth property that is specifically generated based on the characteristics of an X-ray conversion film that is sensitive to X-rays and outputs a charge signal corresponding to an incident X-ray dose is detected separately from a general defective pixel. It becomes possible.
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。まず、この発明に係る二次元アレイX線検出器としてのフラットパネルディテクタ4を適用したX線撮影装置の構成について説明する。図1は、この発明に係るフラットパネルディテクタ4を適用したX線撮影装置の概要図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the configuration of an X-ray imaging apparatus to which the
このX線撮影装置は、被検体である被検者1を載置するテーブル2と、X線管3と、フラットパネルディテクタ4と、A/D変換器5と、画像処理部61および演算部62を備えた制御部6と、記憶部63と、キーボード等の入力部64と、CRT等の表示部65と、X線管3に付与する管電圧等を制御するX線管制御部7とを備える。
The X-ray imaging apparatus includes a table 2 on which a
このX線撮影装置は、X線管3からテーブル2上の被検者1に向けてX線を照射し、被検者1を通過したX線をフラットパネルディテクタ4により検出し、画像処理部61において検出されたX線を画像処理し、画像処理されたX線による映像信号を利用して表示部65にX線透視像を表示する構成を有する。
This X-ray imaging apparatus emits X-rays from an
次に、フラットパネルディテクタ4の構成について説明する。図2は、フラットパネルディテクタ4を側面視した等価回路である。また、図3は、フラットパネルディテクタ4を平面視した等価回路である。
Next, the configuration of the
これらの図に示すように、このフラットパネルディテクタ4は、ガラス基板41と、このガラス基板41上に形成されたTFT(薄膜トランジスタ)42と、このTFT上に蒸着されたa−Se等の変換膜43と、この変換膜43上に配置された共通電極44とを備える。
As shown in these drawings, the
TFTには、縦横のマトリックス状、すなわち、二次元アレイ状の配置で、電荷収集電極である画素電極45が配設されている。この画素電極45は、例えば、行列方向に1024個×1024個配置されている。図2および図3においては、行列方向に3個×3個配置した場合を模式的に示している。各画素電極45には、スイッチング素子46と、静電容量(キャパシタ)47とが接続されている。
The TFT is provided with
各画素電極45は、各スイッチング素子46のソースSに接続されている。図3に示すゲートドライバ51には、複数本のゲートバスライン52が接続されており、これらのゲートバスライン52はスイッチング素子46のゲートGに接続されている。一方、図3に示すように、電荷信号を収集して1つに出力するマルチプレクサ53には、増幅器54を介して複数本のデータバスライン55が接続されており、これらのデータバスライン55は、各スイッチング素子46のドレインDに接続されている。
Each
このフラットパネルディテクタ4においては、被検者1を通過したX線像が変換膜43上に投影されると、像の濃淡に比例した電荷信号(キャリア)が変換膜43内に発生する。この電荷信号は、二次元アレイ状に配置された画素電極45により収集され、静電容量47に蓄積される。そして、共通電極44にバイアス電圧を印加した状態で、ゲートドライバ51によりゲートバスライン52に電圧を印加することにより、各スイッチング素子46のゲートGがオン状態となる。これにより、静電容量47に蓄積された電荷信号は、スイッチング素子46におけるソースSとドレインDとを介して、データバスライン55に読み出される。各データバスライン55に読み出された電荷信号は、増幅器54で増幅され、マルチプレクサ53で1つの電荷信号にまとめられて出力される。この電荷信号は、A/D変換器5でディジタル化され、X線検出信号として図1に示す制御部6に出力される。
In the
このような構成を有するフラットパネルディテクタ4においては、a−Se等からなる変換膜42の特性から、製造プロセスにおいて欠損画素が発生する場合がある。そして、これらの欠損画素の一部は、フラットパネルディテクタ4を使用している間にその大きさが急激に成長する。本発明は、このような成長性の欠損であるか否かは、フラットパネルディテクタ4の感度についてのオフセットとゲインを測定するためのキャリブレーション時に得られた暗電流値に基づいて判定が可能であることを本発明者が見いだしたことを基礎としている。
In the
図4は、キャリブレーション時に測定されるフラットパネルディテクタ4の感度のオフセットとゲインとを説明するグラフである。
FIG. 4 is a graph illustrating the sensitivity offset and gain of the
この図において、横軸はフラットパネルディテクタ4に照射されたX線の線量を示し、縦軸は各画素の画素値を示している。このグラフを作成するためには、最初に、暗電流値と呼称されるフラットパネルディテクタ4にX線を照射していないときのフラットパネルディテクタ4の各画素の画素値を測定する。次に、フラットパネルディテクタ4に対してX線を一様照射したときの各画素の画素値を測定する。そして、それらの画素値から、図4に示すグラフを得る。
In this figure, the horizontal axis indicates the X-ray dose irradiated to the
図4において矢印で示す値は、フラットパネルディテクタ4にX線を照射していないときの画素値である暗電流値であり、これはフラットパネルディテクタ4における感度のオフセットを表している。また、図4におけるグラフの傾斜は、フラットパネルディテクタ4における感度のゲインを表している。そして、各画素が成長性を有する欠損画素であるか否かは、この暗電流値により判定可能であることが見いだされた。
In FIG. 4, a value indicated by an arrow is a dark current value that is a pixel value when the
次に、フラットパネルディテクタ4における各画素が成長性を有する欠損画素であるか否かを判定するこの発明に係る欠損画素の検出方法について説明する。図5は、欠損画素の検出方法を示すフローチャートである。
Next, a defective pixel detection method according to the present invention for determining whether or not each pixel in the
欠損画素を検出するためには、最初に、各画素の暗電流値を測定する(ステップS1)。このときには、フラットパネルディテクタ4における変換膜43にX線を照射しない状態で、スイッチング素子46を順次オンとすることにより、フラットパネルディテクタ4の各画素の電荷信号を画素値として検出する。このときの各画素の画素値は、暗電流値として図1に示す記憶部63に記憶される。なお、図1に示す記憶部63には、正常な画素の画素値も、予め記憶されている。
In order to detect a defective pixel, first, the dark current value of each pixel is measured (step S1). At this time, by sequentially turning on the
次に、フラットパネルディテクタ4における各画素毎に、X線を照射しない状態における各画素の画素値である暗電流値と正常な画素の画素値とを比較する。そして、各画素の暗電流値が正常な画素の画素値の4.5倍以上となる画素を、欠損画素として判定する(ステップS2)。このような欠損画素が発見された場合には、その欠損画素の画素値と位置が、記憶部63に記憶される。この比較と判定とは、制御部6における演算部62において実行される。
Next, for each pixel in the
ここで、暗電流値が正常な画素の画素値の4.5倍以上となる画素を欠損画素として判定するのは、このような画素が、フラットパネルディテクタ4を使用している間にその大きさが急激に成長し、短期間の間にX線撮影を阻害する欠損画素であることが実験的に確認されているためである。
Here, a pixel whose dark current value is 4.5 times or more the pixel value of a normal pixel is determined as a defective pixel while such a pixel is large while the
下記の表1は、多数のフラットパネルディテクタに対して検査を行った結果、短期間にその大きさが成長する欠損画素が発見された5枚のフラットパネルディテクタの欠損画素とその画素の暗電流値を示す表である。この表において、パネル番号はフラットパネルディテクタの番号を示している。この表においては、パネル番号1、2、3、5のフラットパネルディテクタには各々1個の欠損が発見されたことを示し、パネル番号4のフラットパネルディテクタには5個の欠損が発見されたことを示している。そして、各暗電流値は、それらの欠損画素について予め測定された値を示している。この表から明らかなように、短期間にその大きさが急激に成長する欠損画素については、予め測定された暗電流値の値が、いずれも9.2ピコアンペア以上となっている。
Table 1 below shows the defective pixels of five flat panel detectors and dark currents of the pixels in which defective pixels whose sizes grew in a short period of time were found as a result of inspection on a large number of flat panel detectors. It is a table | surface which shows a value. In this table, the panel number indicates the number of the flat panel detector. This table shows that one defect was found for each of the flat panel detectors with
本発明者の研究によると、暗電流値が正常な画素の画素値の4.5倍以上となる画素は、短時間でその大きさが急激に大きくなる成長性を有する欠損画素となる可能性が高いことが確認されている。暗電流値が正常な画素の画素値の4.5倍より小さい画素が、成長性を有する欠損画素となる可能性は極めて低い。そして、暗電流値が正常な画素の画素値の2倍より小さい画素が、成長性を有する欠損画素となる可能性はほとんどない。このため、暗電流値が正常な画素の画素値の4.5倍以上となる画素を欠損画素と判定することが好ましく、暗電流値が正常な画素の画素値の2倍以上となる画素を欠損画素と判定することがより好ましい。 According to the inventor's research, a pixel whose dark current value is 4.5 times or more of the pixel value of a normal pixel may become a defective pixel having a growth property whose size rapidly increases in a short time. Has been confirmed to be high. It is extremely unlikely that a pixel having a dark current value smaller than 4.5 times the pixel value of a normal pixel will be a defective pixel having growth properties. A pixel having a dark current value smaller than twice the pixel value of a normal pixel is unlikely to be a defective pixel having growth properties. For this reason, it is preferable to determine a pixel whose dark current value is 4.5 times or more the pixel value of a normal pixel as a defective pixel, and a pixel whose dark current value is twice or more the pixel value of a normal pixel. More preferably, it is determined as a defective pixel.
ここで、一般的なフラットパネルディテクタ4の正常画素の暗電流値は、おおよそ2ピコアンペアである。このため、欠損画素の判定は、暗電流値が9ピコアンペア以上であるか否かを基準とすることが好ましく、より安全には、暗電流値が4ピコアンペア以上であるか否かを基準とすることがより好ましい。このときの比較のための基準となる暗電流値は、予め、オペレータが入力部64を利用して入力し、記憶部63に記憶させておく。
Here, the dark current value of a normal pixel of a general
以上の比較と判定とを全画素について実行する。全画素についての比較と判定が終了し(ステップS3)、欠陥画素が発見されなかった場合には(ステップS4)、そのフラットパネルディテクタ4は良好なものであると判断し、処理を終了する。一方、欠損画素が発見された場合には(ステップS4)、そのフラットパネルディテクタ4は、不良品であると判断される。この場合には、制御部6は、表示部65にエラー表示を行い(ステップS5)、処理を終了する。
The above comparison and determination are executed for all pixels. When the comparison and determination for all the pixels are completed (step S3), and no defective pixel is found (step S4), it is determined that the
なお、上述した実施形態においては、欠損画素の判定時に比較の基準となる暗電流値は、正常な画素の暗電流値を基準として、予め、オペレータが入力部64を利用して入力し、記憶部63に記憶させている。しかしながら、フラットパネルディテクタ4の全画素の暗電流値の平均値を、正常な画素の暗電流値としてもよい。
In the above-described embodiment, the dark current value that becomes the reference for comparison when determining the defective pixel is previously input by the operator using the
すなわち、成長性を有する欠損画素が存在するとしても、その欠損画素はフラットパネルディテクタ4の全画素のほんの一部であることから、フラットパネルディテクタ4の全画素の暗電流値の平均値は、正常な画素の暗電流値と極めて近いものとなる。このため、暗電流値測定工程(ステップS1)で測定した全画素の暗電流値の平均値を制御部6の演算部62で演算し、これを正常な画素の暗電流値として記憶部63に記憶する。そして、画素値比較・判定工程(ステップS2)においては、正常な画素の暗電流値として記憶した平均値を利用して、画素値の比較と欠損画素の判定を行えばよい。
That is, even if there is a growing defective pixel, since the defective pixel is only a part of all the pixels of the
また、上述した実施形態においては、X線撮影装置に使用するフラットパネルディテクタ4にこの発明を適用した場合について説明したが、X線に感応する変換膜を備えたその他の二次元アレイX線検出器に対してもこの発明を適用することが可能である。
In the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to the
1 被検者
2 テーブル
3 X線管
4 フラットパネルディテクタ
6 制御部
7 X線管制御部
41 ガラス基板
42 TFT
43 変換膜
44 共通電極
45 画素電極
46 スイッチング素子
47 静電容量
51 ゲートドライバ
52 ゲートバスライン
53 マルチプレクサ
54 増幅器
55 データバスライン
61 画像処理部
62 演算部
63 記憶部
64 入力部
65 表示部
DESCRIPTION OF
43
Claims (6)
X線を照射しない状態における各画素の画素値を測定する暗電流値測定工程と、
前記暗電流値測定工程で測定した各画素の画素値から欠損画素を判定する判定工程と、
を備えたことを特徴とする二次元アレイX線検出器における欠損画素の検出方法。 In a method for detecting a defective pixel in a two-dimensional array X-ray detector comprising a conversion film sensitive to X-rays and a two-dimensional array-shaped detection element that partitions pixels,
A dark current value measuring step of measuring a pixel value of each pixel in a state where X-rays are not irradiated;
A determination step of determining a defective pixel from a pixel value of each pixel measured in the dark current value measurement step;
A method of detecting a defective pixel in a two-dimensional array X-ray detector.
前記判定工程においては、前記暗電流値測定工程で測定した各画素の画素値と正常な画素の画素値とを比較することにより、欠損画素を判定する二次元アレイX線検出器における欠損画素の検出方法。 The method for detecting a defective pixel in the two-dimensional array X-ray detector according to claim 1,
In the determination step, the pixel value of each pixel measured in the dark current value measurement step is compared with the pixel value of a normal pixel, thereby determining the defective pixel in the two-dimensional array X-ray detector that determines the defective pixel. Detection method.
前記判定工程においては、暗電流値測定工程で測定した画素値が正常な画像の画素値の4.5倍以上となる画素を欠陥画素と判定する二次元アレイX線検出器における欠損画素の検出方法。 The method for detecting a defective pixel in the two-dimensional array X-ray detector according to claim 2,
In the determination step, a defective pixel is detected by a two-dimensional array X-ray detector that determines a pixel whose pixel value measured in the dark current value measurement step is 4.5 times or more that of a normal image as a defective pixel. Method.
前記二次元アレイX線検出器は、X線に感応し入射X線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して読み出すデータ集積部と、を備え、
前記暗電流値測定工程においては、前記変換膜にX線を照射しない状態で、前記スイッチング素子を順次オンとして各画素の電荷信号を検出する二次元アレイX線検出器における欠損画素の検出方法。 In the detection method of the defect pixel in the two-dimensional array X-ray detector in any one of Claims 1 thru | or 3,
The two-dimensional array X-ray detector includes a conversion film sensitive to X-rays and outputting a charge signal corresponding to an incident X-ray dose, and a plurality of pixels arranged in a matrix corresponding to the pixels on the surface of the conversion film Electrodes, a plurality of storage capacitors for storing charge signals respectively connected to the pixel electrodes, switching elements connected to the pixel electrodes, and switching elements are sequentially turned on via a gate bus line when signals are read out. A gate driver, and a data integration unit that reads out a charge signal stored in each storage capacitor via a data bus line,
In the dark current value measurement step, a defective pixel detection method in a two-dimensional array X-ray detector that detects a charge signal of each pixel by sequentially turning on the switching elements without irradiating the conversion film with X-rays.
X線を照射しない状態における各画素の画素値を測定する暗電流値測定手段と、
欠損画素となる画素の画素値を記憶する記憶手段と、
前記暗電流値測定手段により測定した各画素の画素値と、前記記憶手段に記憶した欠損画素となる画素の画素値とを比較することにより、その画素が欠損画素であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段が、いずれかの画素が欠損画素であると判定したときに、エラー表示を行う表示手段と、
を備えたことを特徴とする二次元アレイX線検出器における欠損画素の検出装置。 In a defect pixel detection apparatus in a two-dimensional array X-ray detector comprising a conversion film sensitive to X-rays and a two-dimensional array-shaped detection element that partitions pixels,
Dark current value measuring means for measuring a pixel value of each pixel in a state in which X-rays are not irradiated;
Storage means for storing a pixel value of a pixel to be a defective pixel;
By comparing the pixel value of each pixel measured by the dark current value measuring unit with the pixel value of the pixel that becomes the defective pixel stored in the storage unit, it is determined whether or not the pixel is a defective pixel. A determination means;
Display means for displaying an error when the determination means determines that any of the pixels is a defective pixel;
An apparatus for detecting a defective pixel in a two-dimensional array X-ray detector.
前記記憶手段は、正常な画像の画素値の4.5倍の画素値を欠損画素となる画素の画素値として記憶する二次元アレイX線検出器における欠損画素の検出装置。
The defect pixel detection apparatus in the two-dimensional array X-ray detector according to claim 5,
The storage means is a defective pixel detection device in a two-dimensional array X-ray detector that stores a pixel value 4.5 times the pixel value of a normal image as a pixel value of a pixel that becomes a defective pixel.
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