JP2010258265A - Heat treatment apparatus - Google Patents
Heat treatment apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010258265A JP2010258265A JP2009107651A JP2009107651A JP2010258265A JP 2010258265 A JP2010258265 A JP 2010258265A JP 2009107651 A JP2009107651 A JP 2009107651A JP 2009107651 A JP2009107651 A JP 2009107651A JP 2010258265 A JP2010258265 A JP 2010258265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- opening
- inner tube
- cover member
- reaction tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
この発明は、所定の処理ガス雰囲気下で、反応管内に収容した複数のワークに対して熱処理を行うように構成された熱処理装置に関する。 The present invention relates to a heat treatment apparatus configured to heat-treat a plurality of workpieces housed in a reaction tube under a predetermined processing gas atmosphere.
従来、半導体ウェハ等のワークを多段状に配置し、それらのワークに対して酸化、拡散、アニール、およびCVD等の処理を行うように構成されたバッチ式の熱処理装置が広く用いられている。このような熱処理装置の中には、プロセスチューブ内のワークに対して均一にガスを流すために、ワークの上流側に配置したガス供給ノズルと、このガス供給ノズルに基板を挟んで対向するようにインナーチューブ側壁に複数の排気口を設けるように構成されたものが存在する(例えば、特許文献1参照。)。 2. Description of the Related Art Conventionally, batch-type heat treatment apparatuses configured to arrange works such as semiconductor wafers in multiple stages and perform processes such as oxidation, diffusion, annealing, and CVD on these works have been widely used. In such a heat treatment apparatus, a gas supply nozzle disposed on the upstream side of the work is opposed to the gas supply nozzle with the substrate interposed therebetween so that gas flows uniformly to the work in the process tube. There are those configured to provide a plurality of exhaust ports on the side wall of the inner tube (see, for example, Patent Document 1).
ところが、上述の熱処理装置においては、ガス排出部に近づくほどガスの排気が行われ易くなるため、ガス排出部からの距離に応じて処理ガスの流れにバラツキが生じ易くなり、その結果、多数のワークを均一に熱処理することが困難になることがあった。 However, in the above-described heat treatment apparatus, the gas is easily exhausted as it approaches the gas discharge unit, and therefore, the flow of the processing gas is likely to vary depending on the distance from the gas discharge unit. It may be difficult to heat-treat the work uniformly.
そこで、従来技術の中には、排気の圧力および流速の分布を上下方向において均一化するために、排気経路を細かいゾーン毎に仕切り、ゾーン毎に処理ガスの供給を制御するように構成されるものがあった(例えば、特許文献2参照。)。また、上下方向に複数の排気孔を設け、かつ、排気孔の開口面積が、ガス排出部から遠ざかるにつれて大きくなるように構成されるものも存在する(例えば、特許文献3参照。)。 Therefore, in the prior art, in order to make the pressure pressure and flow velocity distribution in the vertical direction uniform, the exhaust path is divided into fine zones and the supply of the processing gas is controlled for each zone. There was a thing (for example, refer to patent documents 2). In addition, there is a configuration in which a plurality of exhaust holes are provided in the vertical direction, and the opening area of the exhaust holes is configured to increase as the distance from the gas discharge unit increases (see, for example, Patent Document 3).
しかしながら、上述の特許文献2に係る技術のように、排気経路をゾーン毎に細かく仕切る構成を採用する場合には、インナーチューブの構造が複雑化し、その結果、コストが増大するという不都合があった。 However, when adopting a configuration in which the exhaust path is finely partitioned for each zone as in the technique according to Patent Document 2 described above, there is a disadvantage that the structure of the inner tube becomes complicated and as a result, the cost increases. .
また、上述の特許文献3に係る技術にように、インナーチューブの各排気孔の開口面積を配置位置によって変える構成を採用する場合には、炉内の圧力および流速を一定にするために、プロセス条件(温度・圧力・供給ガス流量等)に対して最適な排気になるようにインナーチューブに設ける排気孔の開口面積を決定する必要がある。よって、例えば、プロセス条件を変更するたびに最適な排気孔の形状が変わるため、その都度インナーチューブを交換する必要があり、コストや手間が増大するという不都合があった。 In addition, in the case of adopting a configuration in which the opening area of each exhaust hole of the inner tube is changed depending on the arrangement position as in the technique according to Patent Document 3 described above, in order to make the pressure and flow velocity in the furnace constant, the process It is necessary to determine the opening area of the exhaust hole provided in the inner tube so as to achieve the optimum exhaust for the conditions (temperature, pressure, supply gas flow rate, etc.). Therefore, for example, since the optimum shape of the exhaust hole changes every time the process condition is changed, it is necessary to replace the inner tube each time, resulting in an increase in cost and labor.
本発明の目的は、簡易な構成によって、反応管内に配置された各ワークに対するガスの供給を均一化することが可能な熱処理装置を提供することである。 The objective of this invention is providing the heat processing apparatus which can equalize supply of the gas with respect to each workpiece | work arrange | positioned in a reaction tube by simple structure.
本発明に係る熱処理装置は、所定の処理ガス雰囲気下で、反応管内に収容したワークに対して熱処理を行うように構成される。この熱処理装置は、反応管、マニホールド、ガス排出部、およびガス導入部を備える。 The heat treatment apparatus according to the present invention is configured to perform heat treatment on a workpiece accommodated in a reaction tube under a predetermined processing gas atmosphere. The heat treatment apparatus includes a reaction tube, a manifold, a gas discharge unit, and a gas introduction unit.
反応管は、1方向が開放した有底筒状をそれぞれ呈するアウターチューブおよびインナーチューブから構成される。反応管は、熱処理時に開放端側からインナーチューブ内にワークが搬入される。 The reaction tube is composed of an outer tube and an inner tube each having a bottomed cylindrical shape opened in one direction. In the reaction tube, the work is carried into the inner tube from the open end side during the heat treatment.
マニホールドは、反応管の開放端に接合されるように構成される。ガス排出部は、マニホールドに配置されるとともに、アウターチューブおよびインナーチューブで形成される空間から反応管内のガスを排出するように構成される。ガス導入管は、マニホールドに配置されるとともに、インナーチューブ内のワークに対してガスを噴出可能なガス吹出口を有する。 The manifold is configured to be joined to the open end of the reaction tube. The gas discharge unit is arranged in the manifold and configured to discharge the gas in the reaction tube from a space formed by the outer tube and the inner tube. The gas introduction pipe is disposed in the manifold and has a gas outlet that can eject gas to the workpiece in the inner tube.
インナーチューブは、開口部およびカバー部材を有する。開口部は、ワークを挟んでガス吹出口に対向する位置に配置され、かつ、反応管の長さ方向に沿って延びるように長孔状に形成されている。カバー部材は、開口部の少なくとも一部を閉塞可能な板状を呈しており、開口部に対する相対位置を調整可能に支持されている。 The inner tube has an opening and a cover member. The opening is disposed at a position facing the gas outlet with the workpiece interposed therebetween, and is formed in a long hole shape so as to extend along the length direction of the reaction tube. The cover member has a plate shape capable of closing at least a part of the opening, and is supported so that the relative position with respect to the opening can be adjusted.
この構成においては、カバー部材の位置を調整することによって、開口部の開口形状を任意に調整することが可能になる。このため、カバー部材の位置を調整することのみによって、プロセス条件(温度・圧力・供給ガス流量等)に対して最適な排気になるように開口部の開口形状を調整することが可能になる。 In this configuration, the opening shape of the opening can be arbitrarily adjusted by adjusting the position of the cover member. For this reason, it is possible to adjust the opening shape of the opening so as to achieve an optimum exhaust for the process conditions (temperature, pressure, supply gas flow rate, etc.) only by adjusting the position of the cover member.
なお、通常、カバー部材は、開口部の開口領域の幅が、ガス排出部に近づくほど狭くなるように配置される。さらに、排気の絶対量を調整するためにカバー部材と開口部とのオーバーラップ量が調整される。 Normally, the cover member is arranged so that the width of the opening region of the opening becomes narrower as it approaches the gas discharge part. Furthermore, the amount of overlap between the cover member and the opening is adjusted in order to adjust the absolute amount of exhaust.
さらには、カバー部材を、反応管の長さ方向に直交する幅が、ガス排出部に近づくほど広くなるように構成したり、または、開口部を、反応管の長さ方向に直交する幅が、ガス排出部に近づくほど狭くなるように構成したりすると良い。このように構成することにより、カバー部材を開口部に対して回転させて傾ける必要がなくなるため、開口部を設けるためにインナーチューブに平面部を形成する必要がなくなる。 Further, the cover member may be configured such that the width perpendicular to the length direction of the reaction tube becomes wider as it approaches the gas discharge portion, or the opening portion has a width perpendicular to the length direction of the reaction tube. It may be configured to become narrower as it approaches the gas discharge part. With this configuration, it is not necessary to rotate and tilt the cover member with respect to the opening, so that it is not necessary to form a flat portion on the inner tube in order to provide the opening.
本発明によれば、簡易な構成によって、反応管内に配置された各ワークに対するガスの供給を均一化することが可能になる。 According to the present invention, it is possible to make the gas supply to each workpiece arranged in the reaction tube uniform with a simple configuration.
図1を用いて、本発明の実施形態に係る縦型炉10の概略を説明する。縦型炉10は、所定の処理ガス雰囲気下で、反応管内に収容した複数のワーク24に対して熱処理を行うように構成される。ワーク24の例としては、半導体ウェハが挙げられるが、ワーク24の例はこれに限定されるものではない。なお、以下の実施形態では、本発明を縦型炉に適用する例を説明するが、本発明に係る技術思想の適用範囲はこれに限定されない。
An outline of a
縦型炉10は、熱処理されるべきワークを収納可能なインナーチューブ14、およびインナーチューブ14を囲むように配置されるアウターチューブ12からなる反応管11を備える。インナーチューブ14およびアウターチューブ12は共に、一方向が開放した有底円筒状を呈する石英によって構成されており、熱処理時には開放端側からインナーチューブ14内にワーク24が搬入されるように構成されている。
The
アウターチューブ12の周囲には、ヒータ20が配置される。また、アウターチューブ12およびインナーチューブ14の開放面側には、マニホールド16が接合される。マニホールド16は、両方向に開放した円筒状を呈している。
A
マニホールド16は、ガス導入部162およびガス排出部164を少なくとも備える。ガス導入部162は、図外のガス供給装置に接続されている。ガス導入部162は、インナーチューブ14内のワーク24に対して処理ガスを噴出可能なガス吹出口166を有するガス導入管165を備える。ガス導入管165の素材の代表例としては、SiC(炭化珪素)が挙げられるが、これに限定されるものではない。例えば、ガス導入管165を石英によって構成することも可能である。
The
一方で、ガス排出部164は、圧力制御機構等を介して工場排気系に接続されており、アウターチューブ12およびインナーチューブ14で形成される空間から反応管11内のガスを排出するように構成される。
On the other hand, the
マニホールド16には、炉口が設けられており、この炉口を介して複数のワーク24を多段状に搭載したボード22が搬入または搬出される。ボード22は、図外の昇降機構に接続された昇降可能な底蓋18に搭載されている。底蓋18には、ボード22を回転させるための回転機構(図示省略)が設けられている。底蓋18が、昇降範囲の上限位置まで到達したときに、マニホールド16の炉口が閉鎖される。
The
続いて、図2(A)および図2(B)を用いて、インナーチューブ14の概略を説明する。インナーチューブ14は、反応管11の長さ方向(縦型炉では上下方向)に沿って延びるように形成された長孔状の開口部144を備える。この開口部144は、ボード22を挟んでガス吹出口166に対向する位置に配置される。具体的には、ボード22を挟んでガス吹出口166と対向する位置のインナーチューブ14の壁面に平面部15が設けられ、その平面部15におけるワーク24の設置領域に対応する箇所に開口部144が設けられる
さらに、インナーチューブ14は、開口部144の少なくとも一部を閉塞可能な板状のカバー部材142を備える。カバー部材142は、開口部144に対する相対位置を調整可能に支持される。この実施形態では、カバー部材142を位置調整可能な状態でインナーチューブ14に支持されるようにするために、カバー部材142に長孔148を設け、この長孔148を貫通するように配置されるネジ146を介して、インナーチューブ14の所定の位置にカバー部材142を取り付けている。
Then, the outline of the
このため、ネジ146を緩めることによって長孔148の長さ方向にカバー部材142をスライドさせることが可能となるため、開口部144の開口面積を容易に調整することが可能となる。しかも、長孔148は、ネジ146の胴体部分よりも僅かに大きくなるように形成されているため、カバー部材142を開口部144に対して回転させて傾斜させることが可能になる。この結果、図2(B)に示すように、開口部144の開口領域の幅が下方にいくほど狭くなるような位置でカバー部材142をインナーチューブ14に固定することが可能になる。
For this reason, since the
以上のとおり、この実施形態によれば、カバー部材142の傾斜角度や位置を調整することによって、開口部144の開口領域の形状を簡易に調整することが可能になり、上下方向の流速および圧力の分布に対して、最適な排気抵抗を得ることが可能になる。このため、プロセス条件の変更に対応して容易に排気の調整が可能になるため、各ワーク24に対して均質の熱処理を行うことが可能になる。
As described above, according to this embodiment, by adjusting the inclination angle and position of the
また、簡易な構成でインナーチューブ14の排気用の開口部144の形状・寸法を調整できるようになり、ガスの流量や圧力条件が変わってもインナーチューブ14等の部品を交換する必要がなく、しかもその際に反応管11の構成が複雑化することもない。
In addition, the shape and dimensions of the
続いて、図3(A)および図3(B)を用いて、インナーチューブ140の他の構成例を説明する。ここでは、開口部145の形成箇所に平面部を設けることなく、インナーチューブ40の曲面状の周面にそのまま開口部145を形成している。その一方で、カバー部材143は、断面視円弧上に形成しており、カバー部材143が開口部145の近傍にてスライド可能に支持されている。
Subsequently, another configuration example of the
カバー部材143は、インナーチューブ140の内壁面に対応する曲率断面をもっており、その幅が、ガス排出部164に近づくほど、つまり下方に行くほど広くなるように構成されている。このため、カバー部材143を傾斜させなくても、開口部145の開口領域の幅が下方にいくほど狭くなるように調整することが可能になる。
The
また、図4(A)および図4(B)を用いて、インナーチューブ140の他の構成例を説明する。図4(A)および図4(B)に示すように、開口部149は、反応管11の長さ方向に直交する幅が、ガス排出部164に近づくほど、つまり下方に行くほど狭くなるように構成される。上述と同様に、図4(A)および図4(B)に示す構成によっても、カバー部材143を傾斜させることなく、開口部145の開口領域の幅が下方にいくほど狭くなるように調整することが可能になる。
Moreover, the other structural example of the
上述の図3(A)、図3(B)、図4(A)、および図4(B)に示す構成においては、インナーチューブ140、141に平面部を形成する必要がなくなるため、構成の簡略化が可能となり、コストの削減を図ることが可能となる。
In the configuration shown in FIGS. 3A, 3B, 4A, and 4B described above, it is not necessary to form a flat portion on the
上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The above description of the embodiment is to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above embodiments but by the claims. Furthermore, the scope of the present invention is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of the claims.
10−縦型炉
12−アウターチューブ
14−インナーチューブ
16−マニホールド
142−カバー部材
144−開口部
146−ネジ
148−長孔
165−ガス導入管
166−吹出口
10-vertical furnace 12-outer tube 14-inner tube 16-manifold 142-cover member 144-opening 146-screw 148-long hole 165-gas introduction tube 166-outlet
Claims (3)
1方向が開放した有底筒状をそれぞれ呈するアウターチューブおよびインナーチューブからなる反応管であって、熱処理時に開放端側から前記インナーチューブ内にワークが搬入される反応管と、
前記反応管の開放端に接合されるように構成されたマニホールドと、
前記マニホールドに配置されるとともに、前記アウターチューブおよび前記インナーチューブで形成される空間から前記反応管内のガスを排出するように構成されたガス排出部と、
前記マニホールドに配置されるとともに、前記インナーチューブ内のワークに対してガスを噴出可能なガス吹出口を有するガス導入部と、
を備え、
前記インナーチューブは、前記ワークを挟んで前記ガス吹出口に対向する位置に配置され、かつ、前記反応管の長さ方向に沿って延びるように形成された長孔状の開口部と、
前記開口部の少なくとも一部を閉塞可能な板状のカバー部材であって、前記開口部に対する相対位置を調整可能に支持されたカバー部材と、を有し、
前記カバー部材は、前記開口部の開口領域の幅が、ガス排出部に近づくほど狭くなるように配置された熱処理装置。 A heat treatment apparatus configured to perform heat treatment on a plurality of workpieces accommodated in a reaction tube under a predetermined treatment gas atmosphere,
A reaction tube composed of an outer tube and an inner tube each having a bottomed cylindrical shape opened in one direction, and a reaction tube in which a work is carried into the inner tube from the open end side during heat treatment;
A manifold configured to be joined to an open end of the reaction tube;
A gas discharge portion arranged in the manifold and configured to discharge gas in the reaction tube from a space formed by the outer tube and the inner tube;
A gas inlet having a gas outlet that is arranged in the manifold and capable of jetting gas to the work in the inner tube;
With
The inner tube is disposed at a position facing the gas outlet with the workpiece interposed therebetween, and an elongated hole-shaped opening formed so as to extend along the length direction of the reaction tube;
A plate-like cover member capable of closing at least a part of the opening, the cover member supported so as to be capable of adjusting a relative position with respect to the opening, and
The said cover member is the heat processing apparatus arrange | positioned so that the width | variety of the opening area | region of the said opening part may become so narrow that it approaches a gas discharge part.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009107651A JP2010258265A (en) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | Heat treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009107651A JP2010258265A (en) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | Heat treatment apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010258265A true JP2010258265A (en) | 2010-11-11 |
Family
ID=43318825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009107651A Pending JP2010258265A (en) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | Heat treatment apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010258265A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9412582B2 (en) | 2014-03-24 | 2016-08-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Reaction tube, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2018046114A (en) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus |
JP2018148099A (en) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus |
WO2019038974A1 (en) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing device, reaction tube, substrate processing method, and semiconductor device production method |
CN111725108A (en) * | 2020-06-23 | 2020-09-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Semiconductor processing equipment |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088239A (en) * | 1995-06-21 | 1996-01-12 | Kokusai Electric Co Ltd | Wafer treatment device |
JPH09330884A (en) * | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Sony Corp | Epitaxial growth device |
JP2000311862A (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Kokusai Electric Co Ltd | Substrate treating system |
JP2003017422A (en) * | 2002-04-01 | 2003-01-17 | Ftl:Kk | Method and equipment for manufacturing semiconductor device |
JP2005209668A (en) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate treatment equipment |
-
2009
- 2009-04-27 JP JP2009107651A patent/JP2010258265A/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088239A (en) * | 1995-06-21 | 1996-01-12 | Kokusai Electric Co Ltd | Wafer treatment device |
JPH09330884A (en) * | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Sony Corp | Epitaxial growth device |
JP2000311862A (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Kokusai Electric Co Ltd | Substrate treating system |
JP2003017422A (en) * | 2002-04-01 | 2003-01-17 | Ftl:Kk | Method and equipment for manufacturing semiconductor device |
JP2005209668A (en) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate treatment equipment |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9412582B2 (en) | 2014-03-24 | 2016-08-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Reaction tube, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2018046114A (en) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus |
JP2018148099A (en) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus |
WO2019038974A1 (en) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing device, reaction tube, substrate processing method, and semiconductor device production method |
JPWO2019038974A1 (en) * | 2017-08-25 | 2020-03-26 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing apparatus, reaction tube, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method |
CN111725108A (en) * | 2020-06-23 | 2020-09-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Semiconductor processing equipment |
CN111725108B (en) * | 2020-06-23 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Semiconductor processing equipment |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109559975B (en) | Substrate processing apparatus, reaction tube, method for manufacturing semiconductor device, and program | |
JP6782350B2 (en) | Manufacturing methods and programs for substrate processing equipment, reaction tubes, and semiconductor equipment | |
JP5090097B2 (en) | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and substrate processing method | |
KR101994514B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR100856153B1 (en) | Substrate stage mechanism and substrate processing apparatus | |
US8920564B2 (en) | Methods and apparatus for thermal based substrate processing with variable temperature capability | |
KR20180137607A (en) | Substrate processing device, manufacturing method for semiconductor device, and reaction tube | |
JP2010258265A (en) | Heat treatment apparatus | |
JP6255267B2 (en) | Substrate processing apparatus, heating apparatus, ceiling insulator, and semiconductor device manufacturing method | |
KR102466150B1 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
WO2007097199A1 (en) | Heat treatment equipment, heater and its manufacturing method | |
US7700054B2 (en) | Substrate processing apparatus having gas side flow via gas inlet | |
TWI458033B (en) | Substrate processing device, method for manufacturing semiconductor device and roof insulator | |
JPH09260364A (en) | Thermal treatment method and thermal treatment equipment | |
US20120064469A1 (en) | Vertical-type heat treatment apparatus, and control method for same | |
KR20050109465A (en) | Method of heat treatment and heat treatment apparatus | |
KR101321677B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
WO2004114379A1 (en) | Single-wafer type heat treatment apparatus for semiconductor processing system | |
TWI548772B (en) | Semiconductor manufacturing device and method for manufacturing semiconductor | |
JP2010034474A (en) | Epitaxial growth device and method of manufacturing epitaxial wafer | |
KR102414894B1 (en) | Heat insulation structure and vertical heat treatment apparatus | |
KR102391762B1 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
KR20110086286A (en) | Chemical vapor deposition device | |
JP2015070046A (en) | Substrate holding device | |
JP5770042B2 (en) | Heat treatment equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120404 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140325 |