JP2015070046A - Substrate holding device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板保持具に係り、特に縦型半導体製造装置に用いられる基板保持具に関するものである。 The present invention relates to a substrate holder, and more particularly to a substrate holder used in a vertical semiconductor manufacturing apparatus.
一般に、縦型拡散装置や縦型ＣＶＤ装置等の縦型半導体製造装置は、半導体ウエハ等の複数の円形板状の基板を、上下に所定の間隔をおいて基板保持具たるボートに多段に載置し、これを処理室に搬入して熱処理する構成となっている。
この縦型半導体製造装置で使用される基板保持具（ボート）として、ベースプレート及びトッププレートの端板間に、上下に架設された柱と、その柱に隣接して配置された補強用の柱を備えるものが知られている。（特許文献１）
In general, a vertical semiconductor manufacturing apparatus such as a vertical diffusion apparatus or a vertical CVD apparatus mounts a plurality of circular plate-shaped substrates such as semiconductor wafers on a boat as a substrate holder in multiple stages at a predetermined interval in the vertical direction. It is configured such that it is carried into a processing chamber and heat treated.
As a substrate holder (boat) used in this vertical semiconductor manufacturing apparatus, a pillar erected vertically between the end plates of the base plate and the top plate and a reinforcing pillar arranged adjacent to the pillar are provided. What you have is known. (Patent Document 1)
基板保持具の耐震性向上のために補強用の柱を設ける場合、当該補強用の柱によって基板保持具の強度をより効果的に向上させることが望まれる。 In the case where a reinforcing column is provided in order to improve the earthquake resistance of the substrate holder, it is desired that the strength of the substrate holder is improved more effectively by the reinforcing column.
本発明は、強度を効果的に向上させた基板保持具を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the board | substrate holder which improved the intensity | strength effectively.
本発明の一態様によれば、複数の基板を上下に所定の間隔をもって保持する基板保持具において、前記基板が載置される載置部が設けられた複数本の支柱と、前記支柱の上部と下部に接続されたプレートとを備え、前記支柱は、前記プレートとの接続部分において前記基板保持具の内周側に形成された曲面加工部を有する基板保持具が提供される。 According to one aspect of the present invention, in a substrate holder that holds a plurality of substrates vertically at a predetermined interval, a plurality of columns provided with a mounting portion on which the substrate is mounted, and an upper portion of the columns And a plate connected to the lower portion, and the support is provided with a substrate holder having a curved surface processing portion formed on an inner peripheral side of the substrate holder at a connection portion with the plate.
本発明に係る基板保持具によれば、その強度を効果的に向上させることができる。 According to the substrate holder according to the present invention, the strength can be effectively improved.
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明に係る基板保持具が使用される基板処理装置の概略構成図であり、処理炉２０２部分を縦断面図で示している。また、図２は、図１に示す処理炉のＡ−Ａ’断面図である。なお、本発明は、図示の基板処理装置に限らず、枚葉式、Ｈｏｔ Ｗａｌｌ型、Ｃｏｌｄ Ｗａｌｌ型の処理炉を有する基板処理装置にも好適に適用できる。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus in which a substrate holder according to the present invention is used, and shows a processing furnace 202 portion in a longitudinal sectional view. FIG. 2 is a cross-sectional view of the processing furnace shown in FIG. Note that the present invention is not limited to the illustrated substrate processing apparatus, and can be suitably applied to a substrate processing apparatus having a single wafer type, Hot Wall type, or Cold Wall type processing furnace.
図１に示されているように、処理炉２０２は加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。 As shown in FIG. 1, the processing furnace 202 includes a heater 207 as a heating means (heating mechanism). The heater 207 has a cylindrical shape and is vertically installed by being supported by a heater base (not shown) as a holding plate.
ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。プロセスチューブ２０３の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としての基板２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。 Inside the heater 207, a process tube 203 as a reaction tube is disposed concentrically with the heater 207. The process tube 203 is made of a heat resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC), and is formed in a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. A processing chamber 201 is formed in a cylindrical hollow portion of the process tube 203, and the substrate 200 as a substrate can be accommodated in a state in which the substrate 217, which will be described later, is aligned in multiple stages in a vertical posture in a horizontal posture.
プロセスチューブ２０３の下方には、プロセスチューブ２０３と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、プロセスチューブ２０３に係合しており、プロセスチューブ２０３を支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とプロセスチューブ２０３との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベースに支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９とにより反応容器が形成される。 A manifold 209 is disposed below the process tube 203 concentrically with the process tube 203. The manifold 209 is made of, for example, stainless steel and is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. The manifold 209 is engaged with the process tube 203 and is provided to support the process tube 203. An O-ring 220a as a seal member is provided between the manifold 209 and the process tube 203. Since the manifold 209 is supported by the heater base, the process tube 203 is installed vertically. A reaction vessel is formed by the process tube 203 and the manifold 209.
マニホールド２０９には、第１ガス導入部としての第１ノズル２３３ａと、第２ガス導入部としての第２ノズル２３３ｂとが、マニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられており、第１ノズル２３３ａ、第２ノズル２３３ｂには、それぞれ第１ガス供給管２３２ａ、第２ガス供給管２３２ｂが接続されている。このように、処理室２０１内へは複数種類、ここでは２種類の処理ガスを供給するガス供給路として、２本のガス供給管が設けられている。 The manifold 209 is provided with a first nozzle 233a as a first gas introduction part and a second nozzle 233b as a second gas introduction part so as to penetrate the side wall of the manifold 209, and the first nozzle 233a. The first gas supply pipe 232a and the second gas supply pipe 232b are connected to the second nozzle 233b, respectively. As described above, two gas supply pipes are provided in the processing chamber 201 as gas supply paths for supplying a plurality of types, here two types of processing gases.
第１ガス供給管２３２ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御手段）である第１マスフローコントローラ２４１ａ、及び開閉弁である第１バルブ２４３ａが設けられている。また、第１ガス供給管２３２ａの第１バルブ２４３ａよりも下流側には、不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給管２３４ａが接続されている。この第１不活性ガス供給管２３４ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御手段）である第３マスフローコントローラ２４１ｃ、及び開閉弁である第３バルブ２４３ｃが設けられている。また、第１ガス供給管２３２ａの先端部には、上述の第１ノズル２３３ａが接続されている。第１ノズル２３３ａは、処理室２０１を構成しているプロセスチューブ２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、プロセスチューブ２０３の内壁の下部より上部に沿って、また、基板２００の積載方向に沿って設けられている。第１ノズル２３３ａの側面にはガスを供給する供給孔である第１ガス供給孔２４８ａが設けられている。この第１ガス供給孔２４８ａは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第１ガス供給管２３２ａ、第１マスフローコントローラ２４１ａ、第１バルブ２４３ａ、第１ノズル２３３ａにより第１ガス供給系が構成され、主に、第１不活性ガス供給管２３４ａ、第３マスフローコントローラ２４１ｃ、第３バルブ２４３ｃにより、第１不活性ガス供給系が構成される。 The first gas supply pipe 232a is provided with a first mass flow controller 241a that is a flow rate controller (flow rate control means) and a first valve 243a that is an on-off valve in order from the upstream direction. Further, a first inert gas supply pipe 234a for supplying an inert gas is connected to the downstream side of the first valve 243a of the first gas supply pipe 232a. The first inert gas supply pipe 234a is provided with a third mass flow controller 241c which is a flow rate controller (flow rate control means) and a third valve 243c which is an on-off valve in order from the upstream direction. The first nozzle 233a is connected to the tip of the first gas supply pipe 232a. The first nozzle 233 a is formed in an arc-shaped space between the inner wall of the process tube 203 constituting the processing chamber 201 and the wafer 200, along the upper portion from the lower portion of the inner wall of the process tube 203, and of the substrate 200. It is provided along the loading direction. A side surface of the first nozzle 233a is provided with a first gas supply hole 248a that is a supply hole for supplying a gas. The first gas supply holes 248a have the same opening area from the lower part to the upper part, and are provided at the same opening pitch. The first gas supply pipe 232a, the first mass flow controller 241a, the first valve 243a, and the first nozzle 233a constitute a first gas supply system, and mainly the first inert gas supply pipe 234a and the third mass flow. The controller 241c and the third valve 243c constitute a first inert gas supply system.
第２ガス供給管２３２ｂには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御手段）である第２マスフローコントローラ２４１ｂ、及び開閉弁である第２バルブ２４３ｂが設けられている。また、第２ガス供給管２３２ｂの第２バルブ２４３ｂよりも下流側には、不活性ガスを供給する第２不活性ガス供給管２３４ｂが接続されている。この第２不活性ガス供給管２３４ｂには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御手段）である第４マスフローコントローラ２４１ｄ、及び開閉弁である第４バルブ２４３ｄが設けられている。また、第２ガス供給管２３２ｂの先端部には、上述の第２ノズル２３３ｂが接続されている。
第２ノズル２３３ｂは、処理室２０１を構成しているプロセスチューブ２０３の内壁と基板２００との間における円弧状の空間に、プロセスチューブ２０３の内壁の下部より上部に沿って、また、基板２００の積載方向に沿って設けられている。第２ノズル２３３ｂの側面にはガスを供給する供給孔である第２ガス供給孔２４８ｂが設けられている。この第２ガス供給孔２４８ｂは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第２ガス供給管２３２ｂ、第２マスフローコントローラ２４１ｂ、第２バルブ２４３ｂ、第２ノズル２３３ｂにより第２ガス供給系が構成され、主に、第２不活性ガス供給管２３４ｂ、第４マスフローコントローラ２４１ｄ、第４バルブ２４３ｄにより第２不活性ガス供給系が構成される。
The second gas supply pipe 232b is provided with a second mass flow controller 241b as a flow rate controller (flow rate control means) and a second valve 243b as an on-off valve in order from the upstream direction. A second inert gas supply pipe 234b that supplies an inert gas is connected to the second gas supply pipe 232b on the downstream side of the second valve 243b. The second inert gas supply pipe 234b is provided with a fourth mass flow controller 241d as a flow rate controller (flow rate control means) and a fourth valve 243d as an on-off valve in order from the upstream direction. The second nozzle 233b is connected to the tip of the second gas supply pipe 232b.
The second nozzle 233b is formed in an arc-shaped space between the inner wall of the process tube 203 constituting the processing chamber 201 and the substrate 200, along the upper portion from the lower portion of the inner wall of the process tube 203, and the substrate 200. It is provided along the loading direction. A second gas supply hole 248b, which is a supply hole for supplying a gas, is provided on the side surface of the second nozzle 233b. The second gas supply holes 248b have the same opening area from the lower part to the upper part, and are provided at the same opening pitch. A second gas supply system is mainly configured by the second gas supply pipe 232b, the second mass flow controller 241b, the second valve 243b, and the second nozzle 233b, and mainly the second inert gas supply pipe 234b and the fourth mass flow. The controller 241d and the fourth valve 243d constitute a second inert gas supply system.
例えば、第１ガス供給管２３２ａからは、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称ＤＣＳ）ガスが、第１マスフローコントローラ２４１ａ、第１バルブ２４３ａ、第１ノズル２３３ａを介して処理室２０１内に供給される。このとき同時に、第１不活性ガス供給管２３４ａからは、不活性ガスが、第３マスフローコントローラ２４１ｃ、第３バルブ２４３ｃを介して第１ガス供給管２３２ａ内に供給されるようにしてもよい。また、第２ガス供給管２３２ｂからは、アンモニア（ＮＨ３）ガスが、第２マスフローコントローラ２４１ｂ、第２バルブ２４３ｂ、第２ノズル２３３ｂを介して処理室２０１内に供給される。このとき同時に、第２不活性ガス供給管２３４ｂからは、不活性ガスが、第４マスフローコントローラ２４１ｄ、第４バルブ２４３ｄを介して第２ガス供給管２３２ｂ内に供給されるようにしてもよい。 For example, dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 , abbreviated as DCS) gas is supplied from the first gas supply pipe 232a into the processing chamber 201 through the first mass flow controller 241a, the first valve 243a, and the first nozzle 233a. The At the same time, the inert gas may be supplied from the first inert gas supply pipe 234a into the first gas supply pipe 232a via the third mass flow controller 241c and the third valve 243c. In addition, ammonia (NH 3 ) gas is supplied from the second gas supply pipe 232b into the processing chamber 201 via the second mass flow controller 241b, the second valve 243b, and the second nozzle 233b. At the same time, the inert gas may be supplied from the second inert gas supply pipe 234b into the second gas supply pipe 232b via the fourth mass flow controller 241d and the fourth valve 243d.
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気するガス排気管２３１が設けられている。ガス排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ２４５及び圧力調整器としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４２を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。なお、ＡＰＣバルブ２４２は、弁を開閉して処理室２０１内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能なように構成されている開閉弁である。真空ポンプ２４６を作動させつつ、圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の弁の開度を調節することにより、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。 The manifold 209 is provided with a gas exhaust pipe 231 that exhausts the atmosphere in the processing chamber 201. On the downstream side, which is opposite to the connection side of the gas exhaust pipe 231 with the manifold 209, a vacuum exhaust device is provided via a pressure sensor 245 as a pressure detector and an APC (Auto Pressure Controller) valve 242 as a pressure regulator. A vacuum pump 246 is connected. The APC valve 242 is an open / close valve configured to open / close the valve to stop evacuation / evacuation in the processing chamber 201 and to adjust the pressure by adjusting the valve opening. By adjusting the opening degree of the APC valve 242 based on the pressure detected by the pressure sensor 245 while operating the vacuum pump 246, the pressure in the processing chamber 201 becomes a predetermined pressure (degree of vacuum). It is configured to be evacuated.
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてＯリング２２０ｂが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、後述する基板保持具としてのボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ボート２１７を処理室２０１内に対して搬入・搬出することが可能なように構成されている。 Below the manifold 209, a seal cap 219 is provided as a furnace port lid that can airtightly close the lower end opening of the manifold 209. The seal cap 219 is configured to contact the lower end of the manifold 209 from the lower side in the vertical direction. The seal cap 219 is made of a metal such as stainless steel and has a disk shape. On the upper surface of the seal cap 219, an O-ring 220b is provided as a seal member that contacts the lower end of the manifold 209. On the opposite side of the seal cap 219 from the processing chamber 201, a rotation mechanism 267 for rotating a boat 217 as a substrate holder described later is installed. A rotation shaft 255 of the rotation mechanism 267 passes through the seal cap 219 and is connected to the boat 217. The rotation mechanism 267 is configured to rotate the wafer 200 by rotating the boat 217. The seal cap 219 is configured to be lifted and lowered in the vertical direction by a boat elevator 115 as a lifting mechanism that is vertically installed outside the process tube 203. The boat elevator 115 is configured such that the boat 217 can be carried into and out of the processing chamber 201 by moving the seal cap 219 up and down.
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚の基板２００を水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なお、ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる断熱部材２１８が設けられており、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなるように構成されている。なお、断熱部材２１８は、石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる複数枚の断熱板と、これら断熱板を水平姿勢で多段に支持する断熱板ホルダとにより構成としている。プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合を調整することにより、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ２６３は、第１ノズル２３３ａ及び第２ノズル２３３ｂと同様に、プロセスチューブ２０３の内壁に沿って設けられている。 The boat 217 as a substrate holder is made of a heat-resistant material such as quartz or silicon carbide, and holds a plurality of substrates 200 in a horizontal posture and aligned in a state where the centers are aligned with each other. It is configured. A heat insulating member 218 made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide is provided at the lower part of the boat 217 so that heat from the heater 207 is not easily transmitted to the seal cap 219 side. . The heat insulating member 218 includes a plurality of heat insulating plates made of a heat resistant material such as quartz and silicon carbide, and a heat insulating plate holder that supports the heat insulating plates in a horizontal posture in multiple stages. A temperature sensor 263 as a temperature detector is installed in the process tube 203, and the temperature in the processing chamber 201 is adjusted by adjusting the degree of energization to the heater 207 based on the temperature information detected by the temperature sensor 263. Is configured to have a desired temperature distribution. Similar to the first nozzle 233a and the second nozzle 233b, the temperature sensor 263 is provided along the inner wall of the process tube 203.
制御部（制御手段）であるコントローラ２８０は、第１〜第４のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、２４１ｄ、第１〜第４のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４２、ヒータ２０７、温度センサ２６３、真空ポンプ２４６、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５等に接続されている。コントローラ２８０により、第１〜第４のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、２４１ｄの流量調整、第１〜第４のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４２の開閉及び圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整、真空ポンプ２４６の起動・停止、回転機構２６７の回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作等の制御が行われる。
前述の基板処理装置の処理炉を用いて、基板上に薄膜を形成する。
The controller 280 serving as a control unit (control means) includes first to fourth mass flow controllers 241a, 241b, 241c, 241d, first to fourth valves 243a, 243b, 243c, 243d, a pressure sensor 245, and an APC valve 242. , Heater 207, temperature sensor 263, vacuum pump 246, rotation mechanism 267, boat elevator 115, and the like. The controller 280 adjusts the flow rate of the first to fourth mass flow controllers 241a, 241b, 241c, 241d, opens / closes the first to fourth valves 243a, 243b, 243c, 243d, opens / closes the APC valve 242, and the pressure sensor 245. The pressure adjustment operation based on the above, the temperature adjustment of the heater 207 based on the temperature sensor 263, the start / stop of the vacuum pump 246, the rotation speed adjustment of the rotation mechanism 267, the raising / lowering operation of the boat elevator 115, and the like are performed.
A thin film is formed on the substrate using the processing furnace of the substrate processing apparatus described above.
以下本発明に係るボートの第１の実施形態について、図面に基づいて説明する。
図３は本発明の第１の実施形態に係る基板保持具の構成を示したものである
。
Hereinafter, a first embodiment of a boat according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 3 shows the configuration of the substrate holder according to the first embodiment of the present invention.
図示の基板保持具は、上述した縦型の基板処理装置で使用されるものであり、以下、縦型ボートと呼ぶ。この縦型ボートは、図３に示すように、基板を保持する基板保持領域３１０と断熱板を保持する断熱板保持領域３２０の複数の領域から構成されている。
まず、基板保持領域３１０について説明する。基板保持領域３１０では、円形板から構成されるベースプレート３０及びトッププレート３１を有し、この上下のベースプレート３０、トッププレート３１間に、ボート柱３３、３４を円周方向に所定の間隔をあけて互いに平行に立設したものである。具体的には、上下のベースプレート３０、トッププレート３１間に、縦型ボートの背面側に位置する１本の第１のボート柱３３と、縦型ボートの側面側に位置する２本の第２のボート柱３４を備えている。この縦型ボートを構成するベースプレート３０、トッププレート３１、ボート柱３３、３４等の部材の材質はすべて石英あるいは炭化珪素等の耐熱性材料から構成されている。
The illustrated substrate holder is used in the above-described vertical substrate processing apparatus, and is hereinafter referred to as a vertical boat. As shown in FIG. 3, the vertical boat includes a plurality of regions including a substrate holding region 310 that holds a substrate and a heat insulating plate holding region 320 that holds a heat insulating plate.
First, the substrate holding region 310 will be described. The substrate holding region 310 includes a base plate 30 and a top plate 31 formed of circular plates, and boat columns 33 and 34 are spaced apart from each other between the upper and lower base plates 30 and the top plate 31 in the circumferential direction. They are erected parallel to each other. Specifically, between the upper and lower base plates 30 and the top plate 31, one first boat column 33 located on the back side of the vertical boat and two second boats located on the side of the vertical boat. The boat pillar 34 is provided. The materials of the base plate 30, the top plate 31, the boat columns 33, 34, etc. constituting the vertical boat are all made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide.
これらのボート柱３３、３４には、基板を載置する載置部として、基板周辺部を支えるための載置部３６が、各ボート柱の内面側に設けられている。この載置部３６は、ボート柱３３、３４の上下方向に亘って並列に複数形成されている。本図面では、便宜上、載置部３６は下から３個ずつの記載としているが、本来はトッププレート３１の近傍までに亘り所要数の２５〜１２５個程度設けられている。この載置部３６上に基板２００を載置することによって、ボート２１７に基板２００を保持することとなる。
処理する基板２００は、上下のベースプレート３０、トッププレート３１間においてボート柱３３、３４により囲まれる領域に搬入され、その支柱内側の載置部３６に載置される。
In these boat columns 33 and 34, a mounting portion 36 for supporting the peripheral portion of the substrate is provided on the inner surface side of each boat column as a mounting portion for mounting the substrate. A plurality of mounting portions 36 are formed in parallel across the vertical direction of the boat columns 33 and 34. In the drawing, for convenience, three placement portions 36 are described from the bottom. Originally, the required number of 25 to 125 pieces is provided in the vicinity of the top plate 31. By mounting the substrate 200 on the mounting portion 36, the substrate 200 is held on the boat 217.
The substrate 200 to be processed is loaded into a region surrounded by the boat pillars 33 and 34 between the upper and lower base plates 30 and the top plate 31 and placed on the placing portion 36 inside the support column.
このボート柱３３、３４の配置間隔や、載置部３６の高さ及び配向は、第２のボート柱３４の間から基板２００を図３の図面手前方向から奥方向へ搬入出可能なように配慮される。 The arrangement interval of the boat pillars 33 and 34 and the height and orientation of the mounting portion 36 are such that the substrate 200 can be carried in and out from the front side of the drawing in FIG. Considered.
具体的には、第２のボート柱３４は円形のベースプレート３０、トッププレート３１又は基板２００のほぼ直径方向に相対向する位置に立設されており、これにより処理基板２００はボート柱３３、３４に干渉することなく、載置部３６に載置することができ、基板２００を搬入出が可能となっている。また、第１のボート柱３３は、縦型ボートの周方向において、この２本の第２のボート柱３４の間の中間に配置されている。 Specifically, the second boat column 34 is erected at a position substantially opposite to the diameter direction of the circular base plate 30, the top plate 31, or the substrate 200, so that the processing substrate 200 is disposed in the boat columns 33, 34. The substrate 200 can be loaded and unloaded without interfering with the substrate 200. Further, the first boat column 33 is disposed in the middle between the two second boat columns 34 in the circumferential direction of the vertical boat.
また、第１のボート柱３３及び第２のボート柱３４とベースプレート３０の接続部分においては、それぞれのボート柱の内面側（縦型ボートの内周側）に曲面加工部３０１、３０２が設けられている。この曲面加工部３０１、３０２は、単にボート柱の取付部分を太く（断面積を広く）するだけではなく、曲面加工を施すことで、特にボート柱３３、３４とベースプレート３０の接続部に掛かる応力を低減させることとなり、ボート柱の耐震性を向上させている。この曲面加工部３０１、３０２の半径Ｒは、例えば１５から２５程度である。
なお、この曲面加工部３０１、３０２はボート柱の外周側に設けられていても構わない。発明者らは、本実施形態のような縦型ボートにおいて、耐震性を向上させるためには、各ボート柱と各プレートとの接続部分において、縦型ボートの内周側あるいは外周側に曲面加工部を形成することが有効であり、特に、内周側に形成することが好ましいことを知見している。
また、この曲面加工部３０１、３０２は曲面に代えて、テーパ状としても構わない。また、これら複数の曲面加工部３０１、３０２の曲面の半径Ｒは同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。
Further, at the connection portion between the first boat column 33 and the second boat column 34 and the base plate 30, curved surface processing portions 301 and 302 are provided on the inner surface side of each boat column (inner peripheral side of the vertical boat). ing. The curved surface processing portions 301 and 302 not only make the mounting portion of the boat column simply thick (wide cross-sectional area), but also by applying curved surface processing, particularly stress applied to the connection portion between the boat column 33 and 34 and the base plate 30. As a result, the seismic resistance of the boat column is improved. The radius R of the curved surface processing parts 301 and 302 is, for example, about 15 to 25.
The curved surface processing portions 301 and 302 may be provided on the outer peripheral side of the boat column. In order to improve the earthquake resistance in the vertical boat as in the present embodiment, the inventors processed curved surfaces on the inner peripheral side or the outer peripheral side of the vertical boat at the connection portion between each boat column and each plate. It is found that it is effective to form the portion, and it is particularly preferable to form the portion on the inner peripheral side.
Further, the curved surface processing portions 301 and 302 may be tapered instead of the curved surface. Further, the radius R of the curved surfaces of the plurality of curved surface processing portions 301 and 302 may be the same value or different values.
次に、断熱板保持領域３２０について説明する。断熱板保持領域３２０の構造も、基板保持領域３１０の構造と基本的には同じであるが、断熱板保持領域３２０では、ベースプレート３０と断熱板保持プレート３２を第１の断熱板保持柱３７と２本の第２の断熱板保持柱３８により接続し、断熱板保持領域を構成している。第１の断熱板保持柱３７は、基板保持領域における第一のボート柱３５の下方向への延長線上に配置される。 Next, the heat insulating plate holding region 320 will be described. The structure of the heat insulating plate holding region 320 is basically the same as the structure of the substrate holding region 310, but in the heat insulating plate holding region 320, the base plate 30 and the heat insulating plate holding plate 32 are connected to the first heat insulating plate holding column 37. The two heat insulating plate holding pillars 38 are connected to form a heat insulating plate holding region. The first heat insulating plate holding column 37 is disposed on a downward extension line of the first boat column 35 in the substrate holding region.
２本の第２の断熱板保持柱３８、３８も基板保持領域における第２のボート柱３４、３４の下方向への延長線上にそれぞれ配置される。また、基板保持領域と同様に、それぞれの第１の断熱板保持柱３７と２本の第２の断熱板保持柱３８の断熱板保持プレート３２との接続部分は、断熱板保持柱３７、３８の内周面側に曲面加工部３０３、３０４が設けられており、曲面加工を施すことで、断熱板保持柱に掛かる応力を低減させることとなり、各断熱板保持柱３７、３８の耐震性を向上させている。この曲面加工部３０３、３０４の半径Ｒは、例えば１０から２０程度である。
なお、この曲面加工部３０３、３０４はボート柱の外周側に設けられていても構わない。
The two second heat insulating plate holding pillars 38 are also respectively disposed on the downward extension lines of the second boat pillars 34 in the substrate holding region. Similarly to the substrate holding region, the connecting portions between the first heat insulating plate holding columns 37 and the heat insulating plate holding plates 32 of the two second heat insulating plate holding columns 38 are the heat insulating plate holding columns 37 and 38. Curved surface processing parts 303 and 304 are provided on the inner peripheral surface side of the material, and by applying curved surface processing, the stress applied to the heat insulating plate holding columns is reduced, and the earthquake resistance of each heat insulating plate holding columns 37 and 38 is reduced. It is improving. The radius R of the curved surface processing parts 303 and 304 is, for example, about 10 to 20.
Note that the curved surface processing portions 303 and 304 may be provided on the outer peripheral side of the boat column.
前記第１の断熱板保持柱３７と２本の第２の断熱板保持柱３８には、前述した基板保持領域における基板が載置されるのと同様に、図示を省略した、所要数の断熱板載置部が設けられ、この断熱板載置部に所要数の断熱板が装填される。 The first heat insulating plate holding column 37 and the two second heat insulating plate holding columns 38 have the required number of heat insulations, not shown, as in the case where the substrate in the substrate holding region is placed. A plate mounting portion is provided, and a required number of heat insulating plates are loaded into the heat insulating plate mounting portion.
以上のようにボート２１７は上下方向に複数の領域（基板保持領域、断熱板保持領域）を有している。例えば、各領域のボート柱３３、３４及び基板保持柱の付根部分に設けられた曲面加工部のＲの大きさを異ならせる（或いはテーパの角度を異ならせる）場合を説明する。
基板保持領域３１０のボート柱３３、３４とベースプレート３０との曲面加工部３０１、３０２の半径Ｒは例えば１５ｍｍとし、断熱板保持領域３２０の断熱板保持柱３７、３８と断熱板保持プレート３２との曲面加工部３０３、３０４の半径Ｒは例えば１０ｍｍのように複数の領域での各柱とプレートとの付根部分に設けられた曲面加工部の半径Ｒを異ならせることができる。これらの半径Ｒは、ボート柱３３、３４や断熱板保持柱３７、３８の長さ、換言すれば、基板保持領域３１０と断熱板保持領域３２０の高さに応じて設定するものとし、例えば柱が長くなる（領域が大きくなる）のに伴い、半径Ｒを大きくことができる。
第１の実施形態によれば、ボート柱及び断熱板保持柱の付根部を各柱の内周側または外周側に曲面部を設けているため、耐震性に優れるという効果を有する。また、基板保持領域、断熱板保持領域のように、領域による各柱に掛かる負荷に応じた曲面率とすることで、各柱の幅の増加を抑制しつつ耐震性を向上させることができるため、ガス流れの基板への影響を抑制することが可能となる。
As described above, the boat 217 has a plurality of regions (substrate holding region and heat insulating plate holding region) in the vertical direction. For example, a case will be described in which the size of R of the curved surface processing portion provided at the base portion of the boat pillars 33 and 34 and the substrate holding pillar in each region is changed (or the taper angle is changed).
The radius R of the curved surface processing portions 301 and 302 between the boat pillars 33 and 34 and the base plate 30 in the substrate holding region 310 is, for example, 15 mm, and the heat insulating plate holding columns 37 and 38 in the heat insulating plate holding region 320 and the heat insulating plate holding plate 32 are The radius R of the curved surface processing portions 303 and 304 can be made different from the radius R of the curved surface processing portion provided at the base portion of each column and plate in a plurality of regions, for example, 10 mm. These radii R are set according to the lengths of the boat columns 33 and 34 and the heat insulating plate holding columns 37 and 38, in other words, the heights of the substrate holding region 310 and the heat insulating plate holding region 320. As R becomes longer (the area becomes larger), the radius R can be increased.
According to 1st Embodiment, since the curved part is provided in the inner peripheral side or outer peripheral side of each pillar at the base part of a boat pillar and a heat insulation board holding pillar, it has the effect that it is excellent in earthquake resistance. In addition, since the curved surface ratio according to the load applied to each column due to the region, such as the substrate holding region and the heat insulating plate holding region, it is possible to improve the earthquake resistance while suppressing an increase in the width of each column. The influence of the gas flow on the substrate can be suppressed.
次に本発明に係る第２の実施形態について図４を用いて説明する。
第２の実施形態では、第１の実施形態と同じ構造のボートに更に、ボート補強用の補強柱を設け、この補強柱にスリットを設ける構造としたものである。
Next, a second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG.
In the second embodiment, a boat having the same structure as that of the first embodiment is further provided with a reinforcing column for reinforcing the boat, and a slit is provided in the reinforcing column.
まず、基板保持領域３１０について説明する。ここでは、第１の実施形態で説明した点は省略する。本実施形態においては、ボート２１７に補強用の複数の補強柱３９を設け、更にこれら補強柱３９にガス通過のためのスリット４０を新たに設けたものである。補強柱３９は、柱状の石英あるいは炭化珪素等の耐熱性材料から構成されており、補強柱３９の外面と内面を貫通するように高さ方向に亘りスリット４０が設けられている。補強柱３９において、ベースプレート３０とトッププレート３１への付け根部分には、ボート柱３３、３４と同様な曲面加工部３０５が形成される。すなわち、補強柱３９において、スリット４０は、ボート柱３３、３４の載置部３６が設けられる範囲（上下方向の範囲）に形成される。
なお、このスリット４０は、１本の柱にスリットを設けた形状に限られるものではなく、２本の柱を上部及び下部で接続したものでも構わない。これら補強柱３９には、基板２００を載置するためのものではないので、基板載置部は設けられていない。
First, the substrate holding region 310 will be described. Here, the points described in the first embodiment are omitted. In the present embodiment, a plurality of reinforcing columns 39 for reinforcement are provided on the boat 217, and further, slits 40 for passing gas are newly provided in these reinforcing columns 39. The reinforcing column 39 is made of a heat-resistant material such as columnar quartz or silicon carbide, and is provided with a slit 40 extending in the height direction so as to penetrate the outer surface and the inner surface of the reinforcing column 39. In the reinforcing column 39, curved surface processing portions 305 similar to the boat columns 33 and 34 are formed at the base portions of the base plate 30 and the top plate 31. That is, in the reinforcing column 39, the slit 40 is formed in a range (a range in the vertical direction) in which the mounting portions 36 of the boat columns 33 and 34 are provided.
In addition, this slit 40 is not restricted to the shape which provided the slit in one pillar, What connected two pillars by the upper part and the lower part may be used. Since these reinforcing pillars 39 are not for mounting the substrate 200, no substrate mounting portion is provided.
次に、断熱板保持領域について説明する。ここでも第１の実施形態で説明した点は省略する。本実施形態においては、ボート２１７の断熱板保持領域３２０に補強用の複数の補強柱４１を新たに設けたものである。補強柱４１において、ベースプレート３０と断熱板保持プレート３２への付け根部分には、断熱板保持柱３８と同様な曲面加工部３０６が形成される。
補強柱４１は、柱状の石英あるいは炭化珪素等の耐熱性材料から構成されており、前述の基板保持領域３１０における補強柱３９とは異なり、スリット４０を設ける必要が無い。
また、これら補強柱４０には、断熱板を載置するためのものではないので、断熱板載置部は設けられていないが、断熱板載置部を有していても構わない。
Next, the heat insulating plate holding area will be described. Again, the points described in the first embodiment are omitted. In the present embodiment, a plurality of reinforcing columns 41 for reinforcement are newly provided in the heat insulating plate holding region 320 of the boat 217. In the reinforcing column 41, a curved surface processing portion 306 similar to the heat insulating plate holding column 38 is formed at a base portion between the base plate 30 and the heat insulating plate holding plate 32.
The reinforcing column 41 is made of a heat-resistant material such as columnar quartz or silicon carbide, and unlike the reinforcing column 39 in the substrate holding region 310 described above, it is not necessary to provide the slit 40.
Moreover, since these reinforcement pillars 40 are not for mounting a heat insulating plate, a heat insulating plate mounting portion is not provided, but may have a heat insulating plate mounting portion.
図５に第２の実施形態における、ガスとボート２１７と基板２００との関係を示す。図において、ボート２１７が基板処理中に矢印方向に回転している。ノズル２３３ａ、２３３ｂから処理ガス５００が基板２００に向け供給されている。補強柱３９がノズル２３３ａ、２３３ｂの前を通過する際、処理ガス５００は補強柱３９に形成されたスリット４０を通りガス５００が基板２００上に到達する。
このように補強柱３９を設けると共に、当該補強柱にスリット４０を設けることによって、ボート２１７の耐震性を向上させつつ、補強柱３９によるガス流れの影響を緩和することができる。なお、このスリット４０は、補強柱４０だけではなく、ボート柱３３、３４に形成しても構わない。
FIG. 5 shows the relationship among the gas, the boat 217, and the substrate 200 in the second embodiment. In the figure, the boat 217 rotates in the direction of the arrow during substrate processing. A processing gas 500 is supplied to the substrate 200 from the nozzles 233a and 233b. When the reinforcing column 39 passes in front of the nozzles 233 a and 233 b, the processing gas 500 passes through the slit 40 formed in the reinforcing column 39 and the gas 500 reaches the substrate 200.
Thus, by providing the reinforcement column 39 and providing the slit 40 in the reinforcement column, the influence of the gas flow by the reinforcement column 39 can be reduced while improving the earthquake resistance of the boat 217. The slit 40 may be formed not only in the reinforcing pillar 40 but also in the boat pillars 33 and 34.
また、これらスリット４０は、ガスの流れをスムースにするため、スリット内面をテーパ状や曲面にしても構わない。図６には、補強柱３９の形状及びそれに伴う、スリット４０の様々な実施形態を示す。（ａ）は、補強柱３９が角柱であり、スリット４０はそれぞれの角柱３９の面に挟まれた例である。（ｂ）は、補強柱３９が円柱であり、スリット４０はそれぞれの円柱に挟まれており、スリットの内面が曲面の例である。（ｃ）は、補強柱３９が角柱であり、スリット４０はそれぞれの円柱に挟まれているが、角柱間のスリット４０がテーパ状になっている例である。（ｄ）は、補強柱３９間のスリット４０が曲面となっている例である。（ｂ）は、補強柱３９の角柱の角を面取りした例である。 Moreover, in order to make the gas flow smooth, these slits 40 may be tapered or curved on the inner surface of the slit. FIG. 6 shows various embodiments of the shape of the reinforcing column 39 and the accompanying slit 40. (A) is an example in which the reinforcing column 39 is a prism and the slit 40 is sandwiched between the surfaces of the respective prisms 39. (B) is an example in which the reinforcing pillar 39 is a cylinder, the slit 40 is sandwiched between the cylinders, and the inner surface of the slit is a curved surface. (C) is an example in which the reinforcing columns 39 are prisms and the slits 40 are sandwiched between the respective cylinders, but the slits 40 between the prisms are tapered. (D) is an example in which the slits 40 between the reinforcing columns 39 are curved. (B) is an example in which the corners of the prisms of the reinforcing columns 39 are chamfered.
以上のように、本実施形態においては、ボートに複数の領域（基板保持領域、断熱板保持領域）を有し、各領域に設けられた、補強用の柱を設け、基板保持領域側の補強用の柱にガス通過のためのスリットを設けたものである。このような構成により、ボートの耐震性を向上させつつ、ガス流れへの影響を抑制する事が可能となるという効果を奏する。 As described above, in the present embodiment, the boat has a plurality of regions (substrate holding region and heat insulating plate holding region), the reinforcing columns provided in each region are provided, and the substrate holding region side is reinforced. A slit for gas passage is provided on a column for use. With such a configuration, it is possible to suppress the influence on the gas flow while improving the earthquake resistance of the boat.
次に本発明に係る第３の実施形態について図７、８を用いて説明する。
図７は、ボート２１７を基板挿入側から見た斜視図であり、図８は、図７のＡ−Ａ´で縦方向に切断した場合のＡ−Ａ´矢視である。第３の実施形態では、第２の実施形態と同じ構造のボートにおいて、基板保持領域３１０と断熱板保持領域３２０におけるボート柱３４と３８の断面積を異ならせるものである。更に、基板保持領域３１０における各ボート柱３４、各補強柱３９と各ベースプレート３０、トッププレート３１との接続点の曲面加工部の曲面の半径Ｒを異ならせるものである。また、断熱板保持領域３２０における各補強柱と各トッププレート３１と断熱板保持プレート３２の接続点の曲面加工部の曲面の半径Ｒを異ならせるものである。なお、図７において、基板載置部の図示を省略している。
Next, a third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 7 is a perspective view of the boat 217 as viewed from the substrate insertion side, and FIG. 8 is a view taken along the line AA ′ when cut in the vertical direction along AA ′ in FIG. 7. In the third embodiment, in the boat having the same structure as that of the second embodiment, the cross-sectional areas of the boat columns 34 and 38 in the substrate holding region 310 and the heat insulating plate holding region 320 are different. Further, the radius R of the curved surface of the curved processed portion at the connection point between each boat column 34 and each reinforcing column 39 and each base plate 30 and top plate 31 in the substrate holding region 310 is made different. In addition, the radius R of the curved surface of the curved surface processing portion at the connection point of each reinforcing column, each top plate 31 and the heat insulating plate holding plate 32 in the heat insulating plate holding region 320 is made different. In FIG. 7, illustration of the substrate mounting portion is omitted.
図７に示すように、基板保持領域３１０のボート柱３４と断熱板保持領域３２０における断熱板保持柱３８とでは、ボート柱３４の方が細くしている。すなわち断面積を小さくしている。これは、ボート柱３４におけるベースプレート３０との接続点において、ボート柱に曲面加工部即ち断面積の広い部分を有しているため、可能な構造となっている。このように、ボート２１７が上下方向に複数の領域を有している場合に、各領域に位置する柱の断面積を異ならせている。特に断熱板保持領域３２０の柱の断面積を基板保持領域３１０のボート柱３４のそれよりも広くすることにより、耐震性を一層向上させると共に、基板保持領域におけるガス流れへの影響を抑制することが可能となる。 As shown in FIG. 7, the boat column 34 is thinner between the boat column 34 in the substrate holding region 310 and the heat insulating plate holding column 38 in the heat insulating plate holding region 320. That is, the cross-sectional area is reduced. This is a possible structure because the boat column has a curved surface processed portion, that is, a portion with a large cross-sectional area, at the connection point between the boat column 34 and the base plate 30. Thus, when the boat 217 has a plurality of regions in the vertical direction, the cross-sectional areas of the columns located in each region are made different. In particular, by making the cross-sectional area of the pillar of the heat insulating plate holding area 320 wider than that of the boat pillar 34 of the substrate holding area 310, the earthquake resistance is further improved and the influence on the gas flow in the substrate holding area is suppressed. Is possible.
続いて、各保持領域における各ボート柱３４、各補強柱３９と各ベースプレート３０、トッププレート３１、断熱板保持プレート３２との接続点の曲面加工部の曲面の半径Ｒを異ならせる点を説明する。図８に示すように、基板保持領域３１０におけるボート柱３３、３４のベースプレート３０との接続点の曲面加工部３０１、３０２、３０５の曲面の半径Ｒは例えば１５ｍｍであり、基板保持領域３１０におけるボート柱３３、３４のトッププレート３１との接続点の曲面加工部３０９、３１０の曲面の半径Ｒは例えば４ｍｍとして、柱の上下部のプレートとの接続点の曲面加工部のＲを変えている。特に上側の曲面加工部のＲを下側の曲面加工部のＲより小さくすることにより、耐震性を維持しつつ、ボート全高を抑えると共に、ガス流れの基板への影響を抑制することができる。
断熱板保持領域３２０においても同様であり、断熱板保持柱３７、３８とベースプレート３０との接続点３１１の曲面加工部の半径Ｒは例えば７ｍｍであり、断熱板保持柱３７、３８と断熱板保持プレート３２との接続点３０４、３０３の曲面加工部の半径Ｒは例えば１０ｍｍであり、各柱の上下部のプレートとの接続点の曲面加工部のＲを変えている。特に上側の曲面加工部のＲを下側の曲面加工部のＲより小さくすることにより、耐震性を維持することが可能となる。
Next, the point that the radius R of the curved surface of the curved surface processing portion at the connection point between each boat column 34, each reinforcing column 39 and each base plate 30, top plate 31, and heat insulating plate holding plate 32 in each holding region will be described. . As shown in FIG. 8, the radius R of the curved surface of the curved surface processing portions 301, 302, 305 at the connection point between the boat pillars 33, 34 and the base plate 30 in the substrate holding region 310 is 15 mm, for example. The radius R of the curved surface of the curved surface processing portions 309 and 310 at the connection point between the pillars 33 and 34 and the top plate 31 is, for example, 4 mm, and the curved surface processing portion R at the connection point between the pillar upper and lower plates is changed. In particular, by making R of the upper curved surface processed portion smaller than R of the lower curved surface processed portion, it is possible to suppress the overall height of the boat and to suppress the influence of the gas flow on the substrate while maintaining earthquake resistance.
The same applies to the heat insulating plate holding region 320. The radius R of the curved surface processing portion at the connection point 311 between the heat insulating plate holding columns 37 and 38 and the base plate 30 is, for example, 7 mm, and the heat insulating plate holding columns 37 and 38 and the heat insulating plate are held. The radius R of the curved surface processing portion of the connection points 304 and 303 with the plate 32 is, for example, 10 mm, and the R of the curved surface processing portion at the connection point with the upper and lower plates of each column is changed. In particular, by making R of the upper curved surface processed portion smaller than R of the lower curved surface processed portion, it is possible to maintain earthquake resistance.
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that various changes can be made without departing from the scope of the invention.
（本発明の効果）
本発明によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
(Effect of the present invention)
According to the present invention, one or more of the following effects can be achieved.
（ａ）ボートの耐震性が向上する。
（ｂ）補強柱によるガス流れへの影響を抑制することができる。
（Ｃ）ボート柱の有するプレートとの上下の接続部分において、上側の接続点の曲面加工部のＲを下側の接続点の曲面加工部のＲより小さくすることにより、耐震性を維持し、ボートの全高を抑えることができる。
(A) The earthquake resistance of the boat is improved.
(B) The influence on the gas flow by the reinforcing column can be suppressed.
(C) In the upper and lower connecting portions with the plate of the boat column, the R of the curved surface processing portion at the upper connection point is made smaller than the R of the curved processing portion at the lower connection point, thereby maintaining earthquake resistance. The overall height of the boat can be reduced.
なお、本発明は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等による酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜を形成する成膜処理を行う場合に適用できるほか、プラズマ処理、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。また、本発明は、薄膜形成装置の他、エッチング装置、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、乾燥装置、加熱装置、検査装置等の他の基板処理装置にも適用できる。 Note that the present invention is a film forming process for forming various films such as an oxide film, a nitride film, and a metal film by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, an ALD (Atomic Layer Deposition) method, a PVD (Physical Vapor Deposition) method, and the like. In addition, the present invention can be applied to other substrate processing such as plasma processing, diffusion processing, annealing processing, oxidation processing, nitriding processing, and lithography processing. In addition to the thin film forming apparatus, the present invention includes an etching apparatus, an annealing apparatus, an oxidation apparatus, a nitriding apparatus, an exposure apparatus, a coating apparatus, a molding apparatus, a developing apparatus, a dicing apparatus, a wire bonding apparatus, a drying apparatus, and a heating apparatus. The present invention can also be applied to other substrate processing apparatuses such as apparatuses and inspection apparatuses.
また、本発明は、本実施形態に係る基板処理装置１００のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置や太陽電池製造装置等の基板処理装置にも適用できる。 Further, the present invention is not limited to a semiconductor manufacturing apparatus that processes a semiconductor wafer such as the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment, but an LCD (Liquid Crystal Display) manufacturing apparatus that processes a glass substrate, a solar cell manufacturing apparatus, or the like. It can also be applied to the substrate processing apparatus.
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
<Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.
（付記１）
一態様によれば、
複数の基板を上下に所定の間隔をもって保持する基板保持具において、前記基板が載置される載置部が設けられた複数本の支柱と、前記支柱の上部と下部に接続されたプレートとを備え、前記支柱は、前記プレートとの接続部分において前記基板保持具の内周側に形成された曲面加工部を有する基板保持具。
(Appendix 1)
According to one aspect,
In a substrate holder for holding a plurality of substrates vertically at a predetermined interval, a plurality of support columns provided with a mounting portion on which the substrates are mounted, and plates connected to the upper and lower portions of the support columns. And the support column has a curved surface processing portion formed on an inner peripheral side of the substrate holder at a connection portion with the plate.
（付記２）
付記１の基板保持具であって、好ましくは、更に前記複数本の支柱の間に前記載置を備えない補強柱を有する。
(Appendix 2)
The substrate holder according to supplementary note 1, preferably further comprising a reinforcing column not provided with the above-described device between the plurality of columns.
（付記３）
付記２の基板保持具であって、好ましくは、複数の領域を有し、各領域において前記支柱と前記プレートとの接続部分には、領域の大きさに応じた曲率の曲面加工部が形成される。
(Appendix 3)
The substrate holder according to appendix 2, preferably having a plurality of regions, and in each region, a curved surface processing portion having a curvature corresponding to the size of the region is formed at a connection portion between the support column and the plate. The
（付記４）
付記３の基板保持具であって、好ましくは、前記補強柱には、柱の上下方向に亘ってスリットが設けられる。
(Appendix 4)
The substrate holder according to appendix 3, preferably, the reinforcing column is provided with slits in the vertical direction of the column.
３０ ベースプレート
３１ トッププレート
３２ 断熱保持プレート
３３、３４ ボート柱
３９、４１ 補強柱
２００ 基板
２０２ 処理炉
２１７ ボート（基板保持具）
３０１、３０２ 曲面加工部
３１０ 基板保持領域
３２０ 断熱板保持領域
30 Base plate 31 Top plate 32 Heat insulation holding plate 33, 34 Boat pillar 39, 41 Reinforcing pillar 200 Substrate 202 Processing furnace 217 Boat (Substrate holder)
301, 302 Curved surface processing portion 310 Substrate holding region 320 Insulating plate holding region
Claims (1)
In a substrate holder for holding a plurality of substrates vertically at a predetermined interval, a plurality of support columns provided with a mounting portion on which the substrates are mounted, and plates connected to the upper and lower portions of the support columns. And the support column has a curved surface processing portion formed on an inner peripheral side of the substrate holder at a connection portion with the plate.
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