JP2010256544A - 半透過型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】開口率を向上することが可能な半透過型液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半透過型液晶表示装置は、第１画素５ａと、第１画素５ａの一端側に配置された第１透過部５１ａと、第1画素５ａの他端側に配置された第１反射部５２ａと、第１画素５ａの第１透過部５１ａ側に隣接する第２画素５ｂと、第２画素５ｂの第１画素５ａ側に配置された第２透過部５１ｂと、第１画素５ａの第１反射部５２ａ側に隣接する第３画素５ｃと、第３画素５ｃの第１画素５ａ側に配置された第２反射部５２ｃと、第１透過部５１ａと第２透過部５１ｂとの間に設けられ、第１画素５ａと第２画素５ｂとに共通電位を供給する共通配線１３ａと、を備え、第１画素５ａと第２画素５ｂの間が、共通配線１３ａによって遮光されているものである。
【選択図】図３

Description

本発明は、半透過型液晶表示装置に関する。

液晶表示装置には、バックライトをその背面に配置して画像表示を行う透過型液晶表示装置と、基板に反射板を配置して周囲の光を反射板表面で反射させることにより画像表示を行う反射型液晶表示装置とがある。透過型液晶表示装置は、周囲光が直射日光などの非常に明るい光の場合には、周囲光に比べて表示光が暗いため表示を確認しにくいという問題がある。反射型液晶表示装置は、周囲光が暗い場合には視認性が極端に低下するという欠点がある。そこで、光の一部を透過し、光の一部を反射する半透過型液晶表示装置が提案されている。

半透過型液晶表示装置の１つの画素における透過部及び反射部の配置には、例えば、それぞれの画素の上側に透過部、下側に反射部を配置したものがある。この配置では、表示領域内の全ての画素において、透過部と反射部とが上側と下側とに同じ配置で並ぶこととなる。そのため、透過部と反射部とが並ぶ方向に隣接する画素間において、異なる画素の反射部と透過部とが近接する部分が形成される。この様に異なる画素間の反射部と透過部が近接する部分においては、画素毎に明表示と暗表示など異なる表示が行われる場合、一方の画素の反射部で散乱される光が隣接する画素の透過部に回り込み、透過部における表示のコントラスト低下など表示品位の劣化が発生する。

この様な反射部からの散乱光の影響を防止するため、反射部と、この反射部に隣接配置された異なる画素の透過部との間に遮光用のブラックマトリクス（Black Matrix：ＢＭ）、すなわち遮光膜を対向基板上に配置する方法が特許文献１に開示されている。

特開２００３−２６２８５７号公報

しかしながら、特許文献１の様に隣接する画素間の反射部と透過部との間に遮光用のＢＭを配置すると、透過部や反射部の開口率の低下を引き起こす。近年、半透過型液晶表示装置においては高開口率化への要求が高くなっていることから、開口率を低下しない解決策が望まれている。

本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、開口率を向上することが可能な半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明にかかる半透過型液晶表示装置は、透過部と反射部とを含む画素が複数設けられている半透過型液晶表示装置であって、第１画素と、前記第１画素の一端側に配置された第１透過部と、前記第1画素の他端側に配置された第１反射部と、前記第１画素の前記第１透過部側に隣接する第２画素と、前記第２画素の前記第１画素側に配置された第２透過部と、前記第１画素の前記第１反射部側に隣接する第３画素と、前記第３画素の前記第１画素側に配置された第２反射部と、前記第１透過部と前記第２透過部との間に設けられ、前記第１画素と前記第２画素とに共通電位を供給する共通配線と、前記共通配線が形成された第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板の、前記第２基板と反対側に配置された光源と、を備え、前記第１画素と前記第２画素の間が、前記共通配線によって遮光されているものである。

本発明によれば、開口率を向上することが可能な半透過型液晶表示装置を提供することができる。

実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置の全体的な構成を模式的に示す断面図である。 実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置の画素構成を模式的に示す上面図である。 図２のIII−III断面図である。 実施の形態２に係る半透過型液晶表示装置の画素構成を模式的に示す断面図である。 実施の形態３に係る半透過型液晶表示装置の画素構成を模式的に示す断面図である。 実施の形態４に係る半透過型液晶表示装置の画素構成を模式的に示す断面図である。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。また、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略されている。

実施の形態１．
始めに、図１を用いて、本実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置について説明する。図１は、本実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置の全体的な構成を模式的に示す断面図である。本実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を例として説明するが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子を用いてもよい。

図１において、本実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置は、アレイ基板（第１基板）１０と対向基板（第２基板）２０とが互いに対向して配置されている。そして、これら両基板を貼り合わせるシール材３４との間の空間に液晶３０を封入した構成を有する。シール材３４は液晶表示装置の表示領域を囲うように枠状に形成されている。

アレイ基板１０は、基板１１の上に表示領域を形成する画素電極１６、ゲート配線（不図示）、及びソース配線（不図示）がそれぞれ絶縁膜１５を介して形成されている。複数のゲート配線（走査信号線）は平行に設けられている。同様に、複数のソース配線（映像信号線）は平行に設けられている。ゲート配線とソース配線とは、互いに交差するように形成されている。また、基板１１上には、共通配線（不図示）がゲート配線と平行に設けられている。複数の共通配線は平行に設けられている。

また、表示領域内には画素がマトリクス状に配列されている。それぞれの画素は、隣接するソース配線と、ゲート配線と共通配線とで囲まれた領域を含んでいる。この画素の略全域に画素電極１６が形成されている。本実施の形態１では、透過部（透過領域）と反射部（反射領域）とを含む画素が複数設けられている。すなわち、透過画素電極と反射画素電極とを含む画素電極１６が形成され、１つの画素に、透過部と反射部とが設けられている。詳細については後述する。

ゲート配線とソース配線との交差点近傍には、スイッチング素子であるＴＦＴ１４が形成される。ＴＦＴ１４は表示領域内にアレイ状に配列されている。各画素は、少なくとも１つのＴＦＴ１４を備えている。ＴＦＴ１４は、ソース配線と同じ層で形成されたドレイン電極及びソース電極を備えている。ソース電極とドレイン電極とは、半導体層を介して接続されている。このＴＦＴ１４を介して、ソース配線と画素電極１６とが接続される。したがって、ゲート配線からの走査信号によってＴＦＴ１４をオン状態にすることによって、ソース配線から画素電極１６に表示信号が供給される。供給された表示信号は、画素電極１６と共通配線との間に形成された保持容量(不図示)により保持される。

画素電極１６上には、液晶３０を配向させるための配向膜１９が積層されている。基板１１の外側には偏光板３１が貼着されている。また、アレイ基板１０上には、ＴＦＴ１４に供給する信号を外部から受け入れる端子３７を有している。

対向基板２０は、基板２１のアレイ基板１０と対向する面に、顔料あるいはクロム等の金属から成り光を遮光するブラックマトリクス（ＢＭ）２２が形成されている。そして、ＢＭ２２間を埋めるように顔料あるいは染料からなる着色層２３が形成されている。着色層２３は例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタである。さらに遮光層２２および着色層２３を覆うように、対向電極２４が表示領域の略全面に形成されている。対向電極２４には、共通配線に供給される信号と同じ、共通電位（コモン電位）が供給される。対向電極２４は、アレイ基板１０の画素電極１６との間に電界を生じさせ、液晶３０を駆動する。また、対向基板２０の液晶３０と接する面には、液晶３０を配向させるための配向膜２９が積層されている。なお、基板２１の外側には偏光板３２が貼着されている。

アレイ基板１０と対向基板２０は、シール材３４を介して貼り合わされている。基板１１、２１としては、ガラス基板、石英ガラス等の透明な絶縁基板を用いることができる。シール材３４は、例えば光硬化性及び熱硬化性のアクリル系樹脂やエポキシ系樹脂、または紫外線硬化性の樹脂を用いることができる。また、本実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置は、駆動信号を発生させる制御基板３５、制御基板３５を端子３７に電気的に接続するＦＦＣ（Flexible Flat Cable）３６、光源となるバックライトユニット（不図示）等を備えている。バックライトユニットは、アレイ基板１０の、対向基板２０と反対側に配置される。

このような半透過型液晶表示装置では、制御基板３５から電気信号が入力されると、画素電極１６及び対向電極２４に駆動電圧が加わる。そして、画素電極１６と対向電極２４との間の電界によって、液晶３０が駆動される。即ち、駆動電圧に合わせて液晶３０の分子の配向方向が変化する。偏光板３１を通過して直線偏光となった光は液晶層によって、偏光状態が変化する。具体的には、透過部では、アレイ基板１０側に設けられた偏光板３１によって、バックライトユニットからの光が直線偏光になる。そして、この直線偏光がアレイ基板１０側の位相差板、液晶層、及び対向基板２０側の位相差板を通過することによって、偏光状態が変化する。一方、反射部では、液晶表示パネルの視認側から入射した外光が、対向基板２０側の偏光板３２によって直線偏光になる。そして、この光が、対向基板２０側の位相差板、及び液晶層を往復することによって、偏光状態が変化する。

そして、偏光状態によって、対向基板２０側の偏光板３２を通過する光量が変化する。即ち、バックライトユニットから液晶表示パネルを透過する透過光、及び液晶表示パネルで反射される反射光のうち、視認側の偏光板３２を通過する光の光量が変化する。液晶３０の配向方向は、印加される表示電圧によって変化する。従って、表示電圧を制御することによって、視認側の偏光板３２を通過する光量を変化させることができる。即ち、画素ごとに表示電圧を変えることによって、所望の画像を表示することができる。

なお、液晶表示装置の動作モードは、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ(Super Twisted Nematic)モード、強誘電性液晶モード等を用いることができる。

次に、本実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置の１つの画素における透過部及び反射部の配置について、図２及び図３を用いて詳細に説明する。図２は、実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置の画素構成を模式的に示す上面図である。図３は、図２のIII−III断面図である。図２には、図１の上側から半透過型液晶表示装置を見たときの画素構成が示されている。なお、説明の便宜上のため、図２では、全ての画素を明表示させた場合が記載されている。本実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置は、表示領域内における画素の配列がストライプ配列であるとして例示的に説明を行うが、ストライプ配列以外の配列であってもよい。

図２及び図３に示す様に、本実施の形態１の半透過液晶表示装置においては、隣接する画素５間の透過部５１同士、反射部５２同士が其々隣接するように配置されている。

具体的には、それぞれの画素５において、一端側に透過部５１が配置され、他端側に反射部５２が配置されている。ここでは、例えば、それぞれの画素５の図中Ｙ方向の一端側と他端側、すなわち上側と下側とに、透過部５１又は反射部５２が配置されている。そして、透過部５１と反射部５２は、透過部５１と反射部５２とが並ぶ方向（図中Ｙ方向）に隣接する画素５との間において、透過部５１同士、反射部５２同士が互いに隣接するように配置されている。従って、上側に透過部５１、下側に反射部５２が配置されている画素５と、上側に反射部５２、下側に透過部５１が配置されている画素５とが、Ｙ方向に交互に配列される。

このように、本実施の形態１の半透過型液晶表示装置は、例えば図２に示す第１画素５ａを基準とすると、この第１画素５ａの一端側に配置された第１透過部５１ａと、第１画素５ａの他端側に配置された第１反射部５２ａと、第１画素５ａの第１透過部５１ａ側に隣接する第２画素５ｂと、第２画素５ｂの第１画素５ａ側に配置された第２透過部５１ｂと、第１画素５ａの第１反射部５２ａ側に隣接する第３画素５ｃと、第３画素５ｃの第１画素５ａ側に配置された第２反射部５２ｃと、を備えた構成となっている。

対向基板２０上には、透過着色層２３１と反射着色層２３２とを含む着色層２３が形成されている。透過着色層２３１と反射着色層２３２とは、図２及び図３に示すように、透過部５１と反射部５２とにそれぞれ対応して配設されている。一方、アレイ基板１０上には、透過画素電極１６１と反射画素電極１６２とを含む画素電極１６が形成されている。透過画素電極１６１と反射画素電極１６２とは、図３に示すように、透過部５１と反射部５２とにそれぞれ対応して配設されている。なお、図３では、同じ画素５内の透過画素電極１６１と反射画素電極１６２とが、離間して配置されているが、繋がって配置されていてもよい。

そして、本実施の形態１では、上側に透過部５１、下側に反射部５２が配置されている画素５と、上側に反射部５２、下側に透過部５１が配置されている画素５とでは、画素構成がＹ方向に対称となっている。具体的には、アレイ基板１０上において、ゲート配線１２は、各画素５の反射部５２側の端部近傍に配置されている。また、各画素５の透過部５１側の端部近傍に、共通配線（コモン配線）１３が配置されている。従って、隣接するゲート配線１２との間隔は、反射部５２側に隣接する画素５のゲート配線１２との間では狭く、透過部５１側に隣接する画素５のゲート配線１２との間では広くなっている。なお、ゲート配線１２及び共通配線１３は、画素電極１６と絶縁膜１５を介して異なる層に形成される。

間隔が広い方のゲート配線１２間には、共通配線１３が配設されている。本実施の形態１では、間隔が広い方のゲート配線１２間に、それぞれ１つの共通配線１３が配設されている。すなわち、共通配線１３は、透過部５１側に隣接する画素５の共通配線１３と、離間されずに一体化されて形成されている。共通配線１３は、透過部５１同士が隣接する画素５間で共有化されている。このように隣接する共通配線１３を共通化することによって、共通配線１３の数を半減させることができる。すなわち、ゲート配線１２と平行に配置する配線数を減らせることができるため、配線間ショートの発生確率が低減し、歩留りを向上することができる。

そして、隣接する画素５との間で共通化された共通配線１３によって、隣接する画素５間が遮光されている。すなわち、共通配線１３は、共通配線１３を挟んで隣接する画素５の透過部５１同士が隣接する部分における、画素電極１６間の光抜け及び配向異常領域を遮光するように設けられている。なお、本実施の形態１では、共通配線１３を挟んで隣接するゲート配線１２は、共通配線１３を挟んで対称となる位置に配置されている。

例えば、図３に示すアレイ基板１０上の、第１画素５ａの第１透過部５１ａと、第２画素５ｂの第２透過部５１ｂとの間に設けられた、第１画素５ａと第２画素５ｂとに共通電位を供給する共通配線１３ａによって、第１画素５ａと第２画素５ｂの間が遮光されている。そして、第１画素５ａのスイッチング素子にゲート信号を供給する第１ゲート配線１２ａと、第２画素のスイッチング素子にゲート信号を供給する第２ゲート配線１２（不図示）とが、この共通配線１３ａを挟んで対称となる位置に配設されている。

この様に、本実施の形態１では、共通化した隣接する画素間の共通配線１３を透過部５１同士の隣接する隣接画素５間の遮光膜として機能させることができることから、図２及び図３に示すように、隣接する透過部５１間の対向基板２０側ＢＭ２２を省略することができる。すなわち、合わせ精度の高いアレイ基板１０側の共通配線１３を遮光膜として用いることができるので、開口率を向上できる。

一方、対向基板２０上の、隣接する反射部５２間には、ＢＭ２２が形成されている。このＢＭ２２によって、反射部５２同士が隣接する隣接画素５間が遮光されている。例えば、図３に示す対向基板２０上の、第１画素５ａの第１反射部５２ａと第３画素５ｃの第２反射部５２ｃとの間に形成されたＢＭ２２ａによって、第１画素５ａと第３画素５ｃの間が遮光されている。

ここで、本実施の形態１では、反射部５２同士が互いに隣接するように配置されているため、従来の半透過型液晶表示装置で問題となっていた反射部５２による散乱光は、隣接する画素５の反射部５２に影響することになる。ところが、反射部５２においては微妙なコントラストについて問題となり難いことから、隣接画素５間で反射部５２による散乱光をＢＭ２２で遮光する必要がない。また、反射部５２の隣接する部分ではドメイン（配向異常領域）の発生部についても視認され難いことから、ドメインの発生部をＢＭ２２で遮光する必要がない。

従って、反射部５２の隣接する部分では、画素電極１６間の光漏れのみを遮光する最小限の大きさのＢＭ２２を形成すればよい。そのため、ＢＭ２２の幅を縮小することが可能となり、開口率を向上することができる。具体的には、反射画素電極１６２の間隔に対して、アレイ基板１０と対向基板２０の重ね合わせズレや斜め方向での光漏れなど、種々のマージンを加えた幅で、ＢＭ２２を設計することにより、反射部５２間の光漏れ漏れを防ぐことができる。

このように透過部５１と反射部５２とが配置された半透過型液晶表示装置は、上側に透過部５１、下側に反射部５２が配置されている画素５と、上側に反射部５２、下側に透過部５１が配置されている画素５とでは、画素構成がＹ方向に対称となっている。すなわち、透過部５１と反射部５２の配置位置が異なる画素５同士は、それぞれの画素５を構成する各構成要素が対称形に配置されるのみで、各画素５の面積や距離などの構造自体は同一である。そのため、各画素５間の寄生容量などは全ての画素５で同じとなる。従って、半透過型液晶表示装置の駆動に対して、影響を与えることは無い。

なお、図２のように、画素５の配列がストライプ配列の場合は、透過部５１と反射部５２とが並ぶ方向に垂直な方向（図中Ｘ方向）には、透過部５１と反射部５２の配置位置が同じ画素５同士が並ぶように配列するとよい。具体的には、Ｒ、Ｇ、又はＢからなる画素５の各色の画素５がＸ方向に並んで配置される。そして、同じ色の画素５がＹ方向に並んで配置される。

以上のように、本実施の形態１では、透過部５１と反射部５２とが並ぶ方向に隣接する画素５間において、透過部５１同士、反射部５２同士が互いに隣接するように、透過部５１と反射部５２の配置位置が逆になっている画素５を交互に配置している。そして、隣接する画素５との間で共通化した共通配線１３で、透過部５１同士が隣接する隣接画素５間を遮光している。これにより、合わせ精度の高いアレイ基板１０側の共通配線１３を遮光膜として用いることができ、開口率を向上できる。また、本実施の形態１では、反射部５２による散乱光やドメインの発生部が問題となり難いため、これらを遮光するように、反射部５２同士が隣接する隣接画素５間を遮光するＢＭ２２を幅広く形成しなくてよい。従って、反射部５２同士が隣接する画素５間を遮光するＢＭ２２の幅寸法を狭くすることができるため、開口率をさらに向上することができる。従って、半透過型液晶表示装置の高開口率化を実現できる。

実施の形態２．
本実施の形態２に係る半透過型液晶表示装置について、図４を用いて説明する。図４は、実施の形態２に係る半透過型液晶表示装置の画素構成を模式的に示す断面図である。図４は、図２のIII−III断面に相当する断面図であり、図３と同様、透過部５１と反射部５２とが並ぶ方向に沿った断面が示されている。なお、図４では、対向基板２０側の断面図のみが記載されている。本実施の形態２では、ギャップ調整用パターン２５がさらに設けられた構成となっていて、それ以外の構成については実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。

図４に示すように、本実施の形態２では、透過部５１と反射部５２の光路差を調整するためのギャップ調整用パターン２５を備えている。ギャップ調整用パターン２５は、対向基板２０に設けられた反射着色層２３２の上に形成されている。そして、基板２１上のＢＭ２２、着色層２３、及びギャップ調整用パターン２５を覆うように、対向電極２４が形成されている。通常、半透過液晶表示装置においては、反射部５２と透過部５１との間の光路長を調整するために、樹脂などからなるギャップ調整用パターン２５を反射部５２に形成している。このギャップ調整用パターン２５は、材料の樹脂に位相差調整機能を持たせることにより、反射部５２と透過部５１との間の位相差ズレを調整するためのインセルリターダを兼ねる場合もある。

本実施の形態２では、実施の形態１と同様、透過部５１と反射部５２とが並ぶ方向に隣接する画素５間において、透過部５１同士、反射部５２同士が互いに隣接するように配置されている。そのため、ギャップ調整用パターン２５は、図４に示すように、反射部５２同士が隣接する画素５にまたがって形成されている。ここでは、例えば、図４に示す第１画素５ａの第１反射部５２ａと第３画素５ｃの第２反射部５２ｃとにまたがってギャップ調整用パターン２５が形成されている。

このように、ギャップ調整用パターン２５は、反射部５２同士が隣接する画素５間で共有化されている。これにより、ギャップ調整用パターン２５の１パターン当たりの単位面積を増加させることができるので、ギャップ調整用パターン２５のパターニングが容易となり、比較的平坦で均一な膜厚に形成することができる。その結果、ギャップムラや位相差ムラなどの無い均一な表示が実現でき、表示品位を向上することができる。特に、透過率を優先するために反射部５２の面積比率を小さくした半透過型液晶表示装置において、ギャップ調整用パターン２５のこのような効果が顕著に発揮される。

なお、本実施の形態２では、ギャップ調整用パターン２５が対向基板２０側に形成されるとして説明を行ったが、ギャップ調整用パターン２５をアレイ基板１０側に形成してもよい。この場合も、上記と同様の効果を得ることができる。

実施の形態３．
本実施の形態３に係る半透過型液晶表示装置について、図５を用いて説明する。図５は、実施の形態３に係る半透過型液晶表示装置の画素構成を模式的に示す断面図である。図５は、図２のIII−III断面に相当する断面図であり、図３と同様、透過部５１と反射部５２とが並ぶ方向に沿った断面が示されている。実施の形態２では、透過部５１と反射部５２とで同じ液晶の動作モードを用いた半透過型液晶表示装置に本発明を適用した場合について説明を行ったが、本実施の形態３は、透過部５１と反射部５２とで異なる液晶の動作モードを用いた半透過型液晶表示装置に本発明を適用したものである。

ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の半透過型液晶表示装置においては、反射部５２のみに対向電極２４をＩＴＯ膜などの透明性導電膜でパターン形成する場合がある。すなわち、透過部５１ではＩＰＳモードにより液晶を駆動し、反射部５２ではＴＮモード等により液晶を駆動する方式が採用されることがある。この場合、透過部５１では、アレイ基板１０上に、櫛歯状又はスリット状の透過画素電極１６１と、この透過画素電極１６１との間で横電界を生じさせる対向電極（第１対向電極）２４ａとが、アレイ基板１０上において対向配置されるように形成される。そのため、対向基板２０側に形成する対向電極（第２対向電極）２４ｂは、透過部５１には配置されないため、パターニング形成を行って反射部５２のみに配置する必要がある。

本実施の形態３では、実施の形態１、２と同様、透過部５１と反射部５２とが並ぶ方向に隣接する画素５間において、透過部５１同士、反射部５２同士が互いに隣接するように配置されている。そのため、図５に示すように、反射部５２同士が隣接する画素５にまたがるように対向電極２４ｂを形成することができる。ここでは、例えば、図５に示す対向基板２０上に設けられたギャップ調整用パターン２５上に、第１画素５ａの第１反射部５２ａと第３画素５ｃの第２反射部５２ｃとにまたがって対向電極２４ｂが形成されている。対向電極２４ｂは、アレイ基板１０上の第１画素５ａの第１反射部５２ａに形成された第１反射画素電極１６２ａ、及びアレイ基板１０上の第３画素５ｃの第２反射部５２ｃに形成された第２反射画素電極１６２ｃに対向配置されている。

このように、対向電極２４ｂは、反射部５２同士が隣接する画素５間で共有化されている。これにより、対向電極２４ｂの１パターン当たりの単位面積を増加させることができる。すなわち、この対向電極２４ｂを形成するための透明性導電膜のパターニングにおいて、膜剥がれなどのパターニング不良が発生することを抑制できる。従って、パターニング不良による歩留り低下を防止でき、安定した製造が可能となる。特に、ギャップ調整用パターン２５上に、ＩＴＯを用いて対向電極２４ｂを形成する場合は、これらの間の密着力が低いことから、対向電極２４ｂのこのような効果が顕著に現れる。また、実施の形態２と同様、透過率を優先するために反射部５２の面積比率を小さくした半透過型液晶表示装置において、対向電極２４ｂのこのような効果が顕著に発揮される。

なお、透過部５１の液晶動作モードは、アレイ基板１０側に対向電極２４ａが設けられるものであればＩＰＳモードに限らず、例えばＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード等の横電界方式であってもよい。

実施の形態４.
本実施の形態４に係る半透過型液晶表示装置について、図６を用いて説明する。図６は、実施の形態４に係る半透過型液晶表示装置の画素構成を模式的に示す断面図である。図６は、図２のIII−III断面に相当する断面図であり、図３と同様、透過部５１と反射部５２とが並ぶ方向に沿った断面が示されている。本実施の形態４では、ゲート配線１２とＢＭ２２の配置位置が実施の形態１と異なっているのみであり、それ以外の構成は実施の形態１と同様であるため説明を省略する。

実施の形態１では、共通配線１３を挟んで隣接するゲート配線１２が共通配線１３を挟んで対称となる位置に配置されていたが、本実施の形態４では、非対称となる位置に配置されている。具体的には、共通配線１３を挟んで隣接するゲート配線１２のいずれか一方が、反射部５２同士の隣接する隣接画素５間を遮光するように、対称となる位置からオフセットされて（ずれて）配置されている。従って、共通配線１３と、この共通配線１３に隣接する一方のゲート配線１２との間隔が、他方のゲート配線１２との間隔よりも広くなっている。換言すると、図６に示すように、隣接する共通配線１３間に配置された２つのゲート配線１２のうちの一方が、画素５間を遮光するように形成されている。

例えば、図６に示す第１画素５ａと第３画素５ｃの間が、第１画素５ａのスイッチング素子にゲート信号を供給する第１ゲート配線１２ａ、又は第３画素５ｃのスイッチング素子にゲート信号を供給する第３ゲート配線１２ｃによって遮光されている。ここでは、第１ゲート配線１２ａによって第１画素５ａと第３画素５ｃの間が遮光されている。

このように、本実施の形態４では、ゲート配線１２を、反射部５２同士の隣接する隣接画素５間の遮光膜として機能させることができることから、図６に示すように、隣接する反射部５２間の対向基板２０側ＢＭ２２を省略することができる。すなわち、合わせ精度の高いアレイ基板１０側のゲート配線１２を遮光膜として用いることができるので、開口率をさらに向上できる。また、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。さらに、本実施の形態４は、実施の形態２、３と適宜組み合わせることが可能である。本実施の形態４では、上述したように反射部５２間のＢＭ２２を省略できるため、実施の形態３と組み合わせた場合、隣接する反射部５２をまたいで形成される対向電極２４ａのパターニングをさらに容易化できる。

なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、画素の配列は、ストライプ配列に限らず、モザイク（ダイアゴナル）配列、デルタ（トライアングル）配列などから適宜選択可能である。

５、５ａ、５ｂ、５ｃ 画素、１０ アレイ基板、
１１ 基板、１２、１２ａ、１２ｃ ゲート配線、
１３、１３ａ 共通配線、１４ ＴＦＴ、
１５ 絶縁膜、１６ 画素電極、１９ 配向膜、
２０ 対向基板、２１ 基板、２２ 遮光層、
２３ 着色層、２４、２４ａ、２４ｂ 対向電極、
２５ ギャップ調整用パターン、２９ 配向膜、
３０ 液晶、３１、３２ 偏光板、
３４ シール材、３５ 制御基板、３７ 端子、
５１、５１ａ、５１ｂ 透過部、
５２、５２ａ、５２ｃ 反射部、
１６１ 透過画素電極、
１６２、１６２ａ、１６２ｃ 反射画素電極
２３１ 透過着色層、２３２ 反射着色層

Claims (8)

1. 透過部と反射部とを含む画素が複数設けられている半透過型液晶表示装置であって、
   第１画素と、
   前記第１画素の一端側に配置された第１透過部と
   前記第1画素の他端側に配置された第１反射部と、
   前記第１画素の前記第１透過部側に隣接する第２画素と、
   前記第２画素の前記第１画素側に配置された第２透過部と、
   前記第１画素の前記第１反射部側に隣接する第３画素と、
   前記第３画素の前記第１画素側に配置された第２反射部と、
   前記第１透過部と前記第２透過部との間に設けられ、前記第１画素と前記第２画素とに共通電位を供給する共通配線と、
   前記共通配線が形成された第１基板と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板の、前記第２基板と反対側に配置された光源と、を備え、
   前記第１画素と前記第２画素の間が、前記共通配線によって遮光されている半透過型液晶表示装置。
2. 前記共通配線は、前記第１透過部と前記第２透過部とが隣接する部分における、画素電極間の光抜け及び配向異常領域を遮光するように設けられている請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
3. 前記第２基板上の、前記第１反射部と前記第２反射部との間に形成されたブラックマトリクスをさらに備え、
   前記第１画素と前記第３画素の間が、前記ブラックマトリクスによって遮光されている請求項１又は２に記載の半透過型液晶表示装置。
4. 前記ブラックマトリクスは、前記第１反射部と前記第２反射部とが隣接する部分における、画素電極間の光抜けを遮光するように設けられている請求項３に記載の半透過型液晶表示装置。
5. 前記第１基板上に形成され、前記第１画素のスイッチング素子にゲート信号を供給する第１ゲート配線と、
   前記第１基板上に形成され、前記第２画素のスイッチング素子にゲート信号を供給する第２ゲート配線と、をさらに備え、
   前記第１ゲート配線と前記第２ゲート配線は、前記共通配線を挟んで対称となる位置に配置されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
6. 前記第１基板上に形成され、前記第１画素のスイッチング素子にゲート信号を供給する第１ゲート配線と、
   前記第１基板上に形成され、前記第３画素のスイッチング素子にゲート信号を供給する第３ゲート配線と、をさらに備え、
   前記第１画素と前記第３画素の間が、前記第１ゲート配線又は前記第３ゲート配線によって遮光されている請求項１又は２に記載の半透過型液晶表示装置。
7. 前記透過部と前記反射部の光路差を調整するためのギャップ調整用パターンをさらに備え、
   前記ギャップ調整用パターンが、前記第１反射部と前記第２反射部とにまたがって形成されている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
8. 前記第１基板上の前記第１透過部に形成された櫛歯状又はスリット状の透過画素電極と、
   前記第１基板上に形成され、前記透過画素電極との間で横電界を生じさせる第１対向電極と、
   前記第１基板上の前記第１反射部に形成された第１反射画素電極と、
   前記第１基板上の前記第２反射部に形成された第２反射画素電極と、
   前記第２基板上に形成され、前記第１反射画素電極及び前記第２反射画素電極に対向配置された第２対向電極をさらに備え、
   前記第２対向電極が、前記第２基板上に設けられた前記ギャップ調整用パターン上において、前記第１反射部と前記第２反射部とにまたがって形成されている請求項７に記載の半透過型液晶表示装置。

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