JP2010251496A - Image sensor - Google Patents
Image sensor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010251496A JP2010251496A JP2009098725A JP2009098725A JP2010251496A JP 2010251496 A JP2010251496 A JP 2010251496A JP 2009098725 A JP2009098725 A JP 2009098725A JP 2009098725 A JP2009098725 A JP 2009098725A JP 2010251496 A JP2010251496 A JP 2010251496A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- light
- layer
- substrate
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
本発明は、イメージセンサーに関する。 The present invention relates to an image sensor.
イメージセンサーを形成する基板として従来結晶シリコンが主に用いられてきたが、近年、基板にガラスを用い、アモルファスシリコン層を光電変換層として用い、この光電変換層との間での電気的な処理に、ポリシリコン等で構成されるTFT(薄膜トランジスター)を用いるイメージセンサーが精力的に研究されている。 Conventionally, crystalline silicon has been mainly used as a substrate for forming an image sensor, but recently, glass is used for the substrate, an amorphous silicon layer is used as a photoelectric conversion layer, and electrical processing between the photoelectric conversion layer is performed. In addition, image sensors using TFTs (thin film transistors) made of polysilicon or the like have been intensively studied.
結晶シリコン基板を用いた場合では、直径30cm程度の基板径が限度となるが、ガラス基板を用いることで、一辺が3m近い基板を用いることが可能となり、大型のイメージセンサーを得ることが可能となる。また、一枚の基板から得られるイメージセンサーの数が違ってくるため、基板そのものの値段差に加え、取れ数にも差が生じ、コスト面でも優位性を備えている。 When a crystalline silicon substrate is used, the substrate diameter is about 30 cm in diameter, but using a glass substrate makes it possible to use a substrate with a side of nearly 3 m, and to obtain a large image sensor. Become. In addition, since the number of image sensors obtained from a single substrate is different, there is a difference in the number of acquisitions in addition to the value difference of the substrate itself, which is advantageous in terms of cost.
ここで、ガラス基板を用いる場合、基板側から光を入射させるイメージセンサーと、基板と反対側から光を入射させるイメージセンサーが公知のものとして知られており、たとえば特許文献1に記載されているように、どちらか片方を選択して受光可能なイメージセンサーの例が知られている。 Here, when a glass substrate is used, an image sensor that makes light incident from the substrate side and an image sensor that makes light incident from the opposite side of the substrate are known as known ones, and are described in, for example, Patent Document 1 As described above, an example of an image sensor that can receive light by selecting either one is known.
一方、指紋と同様に人毎に異なる手の静脈パターンを認証手段として検出する技術が知られている。この手法を用いて、映画館等暗い場所での人の認識方法として、外出した人の静脈パターンと一致する静脈パターンを持つ人(即ち本人)のみに再入場を許可する場合等、両面でのパターン認識を行うデバイスが求められて来ている。 On the other hand, a technique for detecting a vein pattern of a hand different for each person as an authentication means, as in the case of fingerprints, is known. Using this technique, as a method for recognizing people in a dark place such as a movie theater, when re-entry is permitted only for a person who has a vein pattern that matches the vein pattern of the person who has gone out (ie, the person himself) There is a need for devices that perform pattern recognition.
特許文献1に記載されたイメージセンサーは、基板下側からの入射光、または基板上側からの入射光と、いずれか片側からの入射を選択して撮像することはできるが、上記した目的のように、両面でのパターン認識を行うことはできない。また、2つのイメージセンサーを張り合わせて両面受光を行わせることは、コストアップにつながるという課題がある。また、消費電力が2倍となるため、エネルギー負荷も大きくなるという課題がある。 The image sensor described in Patent Document 1 can pick up an image by selecting incident light from the lower side of the substrate or incident light from the upper side of the substrate and incident from one side. Furthermore, pattern recognition cannot be performed on both sides. In addition, there is a problem in that it is costly to perform two-sided light reception by bonding two image sensors. In addition, since the power consumption is doubled, there is a problem that the energy load increases.
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態または適用例として実現することが可能である。ここで、「上」とは、基板から見て受光部がある方向を指すものとして定義する。「下」とは、上と反対方向を指すものとして定義する。なお、「上」、「下」いずれの場合においても、構成要素同士が直接接触していない場合を含むものとする。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples. Here, “upper” is defined as a direction in which the light receiving portion is present when viewed from the substrate. “Down” is defined as pointing in the opposite direction to the top. It should be noted that both the “upper” and “lower” cases include cases where the components are not in direct contact with each other.
[適用例1]本適用例にかかるイメージセンサーは、透明基板上に光電変換領域を備えたイメージセンサーであって、前記光電変換領域の下側および上側は、共に透光性を備えていることを特徴とする。 Application Example 1 An image sensor according to this application example is an image sensor including a photoelectric conversion region on a transparent substrate, and both the lower side and the upper side of the photoelectric conversion region have translucency. It is characterized by.
これによれば、一つのイメージセンサーにより、両面から受光することが可能となる。たとえば、映画館等暗い場所での人の認識方法として、外出した人の静脈パターンと一致する静脈パターンを持つ人(即ち本人)のみに再入場を許可する場合等、入出場ゲートの両側でパターン認識を行う場合に、一つの装置で対応できるイメージセンサーを提供することが可能となる。 According to this, it becomes possible to receive light from both sides by one image sensor. For example, as a method for recognizing a person in a dark place such as a movie theater, a pattern on both sides of the entrance gate such as permitting re-entry only to a person having a vein pattern that matches the vein pattern of the person who has gone out (that is, the person himself / herself). When performing recognition, it is possible to provide an image sensor that can be handled by a single device.
[適用例2]上記適用例にかかるイメージセンサーであって、前記光電変換領域の下側および上側には、透光性を備えた電極が配置されていることを特徴とする。 Application Example 2 In the image sensor according to the application example described above, electrodes having translucency are disposed below and above the photoelectric conversion region.
上記した適用例によれば、電極による光吸収を抑えた状態で、両面から受光することが可能となり、高い感度を持つイメージセンサーを提供することが可能となる。 According to the application example described above, it is possible to receive light from both sides while suppressing light absorption by the electrodes, and it is possible to provide an image sensor having high sensitivity.
[適用例3]上記適用例にかかるイメージセンサーであって、前記透明基板の平面視にて、前記光電変換領域と重なる領域に、透光性を備えた薄膜トランジスターと、透光性を備えた配線層の少なくともいずれか片方が形成されていることを特徴とする。 Application Example 3 In the image sensor according to the application example described above, a thin film transistor having a light transmitting property and a light transmitting property are provided in a region overlapping the photoelectric conversion region in a plan view of the transparent substrate. At least one of the wiring layers is formed.
上記した適用例によれば、開口率を向上させることが可能となり、より感度の高いイメージセンサーを提供することが可能となる。 According to the application example described above, the aperture ratio can be improved, and an image sensor with higher sensitivity can be provided.
[適用例4]上記適用例にかかるイメージセンサーであって、前記光電変換領域は、前記透明基板における平面視にて、上下方向における少なくとも片方が、遮光性の領域で囲われていることを特徴とする。 Application Example 4 In the image sensor according to the application example described above, at least one of the photoelectric conversion regions in the vertical direction is surrounded by a light-shielding region in a plan view of the transparent substrate. And
上記した適用例によれば、光電変換領域を光学的に互いに分離することが可能となり、光学的クロストークの発生を防止することが可能となる。 According to the application example described above, the photoelectric conversion regions can be optically separated from each other, and the occurrence of optical crosstalk can be prevented.
[適用例5]上記適用例にかかるイメージセンサーであって、前記遮光性の領域は、金属で構成された電気的配線であることを特徴とする。 Application Example 5 In the image sensor according to the application example described above, the light shielding region is an electrical wiring made of metal.
上記した適用例によれば、金属は導電性が高いため、光電変換領域で検出された信号を時定数による遅れを抑えて高速処理することが可能となり、時間分解能の高いイメージセンサーを提供することが可能となる。 According to the application example described above, since metal is highly conductive, it is possible to process a signal detected in the photoelectric conversion region at high speed while suppressing a delay due to a time constant, and to provide an image sensor with high time resolution. Is possible.
[適用例6]上記適用例にかかるイメージセンサーであって、前記光電変換領域の上側に、前記光電変換領域の下側に位置する、前記透明基板を含む光損失と揃える補正層を備えていることを特徴とする。 Application Example 6 In the image sensor according to the application example described above, a correction layer that is located above the photoelectric conversion region and is positioned below the photoelectric conversion region and includes light loss including the transparent substrate is provided. It is characterized by that.
上記した適用例によれば、上側から入射する光と、下側から入射する光の感度を揃えることが可能となる。 According to the application example described above, it is possible to equalize the sensitivity of light incident from above and light incident from below.
[適用例7]上記適用例にかかるイメージセンサーであって、前記補正層に、前記透明基板と揃えられた光学特性を備えた光透過板、および充填材を用いたことを特徴とする。 Application Example 7 In the image sensor according to the application example described above, a light transmitting plate having an optical characteristic aligned with the transparent substrate and a filler are used for the correction layer.
上記した適用例によれば、下側から入射する光と同等の損失を、上側から入射する光に与えることが可能となり、広い波長域で上側から入射する光と、下側から入射する光の感度を揃えることが可能となる。 According to the application example described above, it becomes possible to give the same incident light as the light incident from the lower side to the light incident from the upper side, and the light incident from the upper side and the light incident from the lower side in a wide wavelength range. It is possible to align the sensitivity.
以下、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態において、透光性とは、光の透過率が高い状態であり、概ね70%以上の透過率を有するものと定義する。なお、光の透過率が60%以上であれば、以下の実施形態が適用可能となり、両面からの受光が可能となるため、この場合に対しても透光性を備える状態として扱うことが可能である。また80%以上であれば光損失を抑えられ、高い感度を有するイメージセンサーを提供することが可能となるため、この場合に対しても透光性を備える状態として扱うことが可能である。 Hereinafter, embodiments embodying the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, translucency is defined as having a high light transmittance and having a transmittance of approximately 70% or more. If the light transmittance is 60% or more, the following embodiment can be applied and light can be received from both sides. Therefore, even in this case, it can be handled as a state having translucency. It is. Further, if it is 80% or more, light loss can be suppressed and an image sensor having high sensitivity can be provided. Therefore, even in this case, it can be handled as a state having translucency.
また、遮光性とは、光の透過率が低い状態であり、概ね40%以下の透過率を有するものと定義する。また、光とは基本的には450nm〜750nmの波長域にある電磁波として定義する。また、用途に応じ、X線や、電子ビーム、紫外線、赤外線を光として扱うこととする。電子ビームは、非常に波長の短い電磁波として捉えるものとする。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、対応する部分には同一の符号を付している。 The light shielding property is a state where the light transmittance is low and is defined as having a transmittance of approximately 40% or less. In addition, light is basically defined as an electromagnetic wave in the wavelength region of 450 nm to 750 nm. Further, X-rays, electron beams, ultraviolet rays, and infrared rays are treated as light depending on the application. The electron beam is assumed to be an electromagnetic wave having a very short wavelength. In the drawings to be referred to in the following description, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing. Moreover, the same code | symbol is attached | subjected to the corresponding part.
(第1の実施形態:イメージセンサーの構成)
以下、イメージセンサーの構成について説明する。図1は本実施形態のイメージセンサーの配線構造を示す模式図であり、(a)は全体構成、(b)はフォトセンサーの拡大図である。図1(a)に示すように、本実施形態のイメージセンサー100は、素子領域Aに互いに交差する方向に延びる走査線3aとデータ線6aとが設けられている。走査線3aは、走査線駆動回路102に接続され、データ線6aは、データ線駆動回路101に接続されている。フォトセンサー50は、走査線3aとデータ線6aとの交点付近に対応して形成され、素子領域Aにマトリックス状に配列されている。
(First Embodiment: Configuration of Image Sensor)
Hereinafter, the configuration of the image sensor will be described. 1A and 1B are schematic views showing a wiring structure of an image sensor according to the present embodiment. FIG. 1A is an overall configuration and FIG. 1B is an enlarged view of a photosensor. As shown in FIG. 1A, the
また、図1(b)に示すように、走査線3aと並列に定電位線3bが設けられ、データ線6aと並列に定電位線12aが設けられている。走査線3aや定電位線3b、データ線6a、定電位線12aは電気抵抗を低減すべく厚い金属を用いて形成されており、ブラックマトリックスを形成している。定電位線3bは、走査線駆動回路102に接続され、定電位線12aは、データ線駆動回路101に接続されている。それぞれのフォトセンサー50において、定電位線12aと定電位線3bとの間には、フォトダイオード20と、保持容量30とが直列に電気的に接続されて設けられている。ここで、保持容量30は透光性の物質により構成されていることが好ましく、この場合にはフォトダイオード20の下側にも保持容量30を配置することが可能となる。また、走査線3aにゲートが接続されたTFT(薄膜トランジスター)10が形成されており、このTFT10のソース10Sは、データ線6aに接続され、ドレイン10Dは、フォトダイオード20と保持容量30との接続点に電気的に接続されている。本実施形態では、TFT10と、フォトダイオード20と、保持容量30とよりフォトセンサー(光電変換素子)50が構成されている。
As shown in FIG. 1B, a constant
図2は、本実施形態のイメージセンサー100が備えるフォトセンサー50の概略構成を示す拡大断面図である。図2では、本実施形態の構成を解りやすくするため、保持容量30を省略して表している。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the photosensor 50 included in the
図2に示すように、フォトセンサー50は、平板状の基板1を備えている。基板1上には図1(a)、(b)に示すように複数のフォトセンサー50がマトリックス状に配列されたイメージセンサー100が形成されている。基板1はたとえばガラスにより形成されている。ここで、このイメージセンサー100が主に一次元情報を処理に用いられる場合、線状にフォトセンサー50を配列しても良い。
As shown in FIG. 2, the
基板1上には、たとえば、多結晶シリコンを用いた半導体層2が形成されている。半導体層2としては、アモルファスシリコン層を堆積した後、エキシマレーザーによる結晶化手法を用いて形成することが可能となる。また、半導体層2として、またアモルファスシリコン層をそのまま、あるいは水素化して用いることも好適である。
On the substrate 1, for example, a
そして、半導体層2を覆うようにゲート絶縁膜3が形成されている。ゲート絶縁膜3は、たとえばSiO2(シリコン酸化物)等の絶縁材料によって形成されている。ゲート絶縁膜3は、半導体層2を熱酸化した後、SiO2等の絶縁層を堆積して形成することが好適である。ゲート絶縁膜3上には、半導体層2のチャネル領域2cに対向してゲート電極4が形成されている。ゲート電極4は、図1に示す走査線3aに電気的に接続されている。ゲート電極4は、たとえばAl(アルミニウム)や、ポリシリコン等の導電性を有する金属材料(ポリシリコン中の不純物濃度は高く設定されており、金属的伝導特性を示す)により形成されている。
A
ゲート絶縁膜3上には、ゲート電極4およびゲート絶縁膜3を覆って、層間絶縁層5が形成されている。層間絶縁層5は、たとえば、ゲート絶縁膜3と同様の絶縁材料により形成されている。層間絶縁層5上には、たとえば、ゲート電極4と同様の金属材料により、ソース電極6およびドレイン電極7が形成されている。
An interlayer insulating
ソース電極6は、層間絶縁層5およびゲート絶縁膜3を貫通し、半導体層2のソース領域2sに到達するコンタクトホール5sを介してソース領域2sに接続されている。また、ソース電極6は、図1に示すデータ線6aと電気的に接続されている。
The source electrode 6 passes through the interlayer insulating
ドレイン電極7は、層間絶縁層5およびゲート絶縁膜3を貫通し、半導体層2のドレイン領域2dに到達するコンタクトホール5dを介してドレイン領域2dに接続されている。また、ドレイン電極7は、図1に示す保持容量30に電気的に接続されている。
The
本実施形態では、これら半導体層2、ゲート絶縁膜3、ソース電極6、およびドレイン電極7によりTFT10が構成されている。
In the present embodiment, the
層間絶縁層5上には、ソース電極6、ドレイン電極7、および層間絶縁層5を覆うように絶縁層25と有機平坦化層8とが形成されている。有機平坦化層8は、基板1上に形成されたTFT10等による凹凸形状を埋めて表面が平坦に形成されている。有機平坦化層8は、たとえば、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂材料により形成されている。
An insulating
有機平坦化層8上には、たとえばインジウム錫酸化物(ITO)等の透光性に優れた導電性材料により、陽極9が形成されている。透光性に優れた導電性材料で陽極9を形成することで光吸収を抑えた状態で、基板1側から受光することが可能となり、高い感度を持つイメージセンサーを提供することが可能となる。陽極9は、有機平坦化層8を貫通するコンタクトホール13を介してドレイン電極7に接続されている。陽極9上には、PIN型のフォトダイオード20が形成されている。
On the
光電変換領域としてのフォトダイオード20は、陽極9側に形成されたP層21と、P層21上に積層されたI層22と、I層22上に積層されたN層23とにより形成されている。P層21、I層22、およびN層23は、それぞれアモルファスシリコンにより形成されている。P層21にはホウ素(B)等の不純物が、N層23にはリン(P)等の不純物がそれぞれドープされている。
The
また、フォトダイオード20は、遮光性を有するTFT10や、遮光性の領域として、たとえばブラックマトリックスを形成する領域以外では、フォトダイオード20と基板1との間に遮光性を有するものを配置せぬようにすることが好適であり、フォトダイオード20の上側から入る光と、下側から入る光とで、フォトダイオード20での光電変換能のバランスを向上させることができる。ここで、後述するように、光損失を揃える補正層をフォトダイオード20上に配置する場合には、TFT10の一部分が重なった場合でも損質分を補正できるため、若干重なっていても差し支えない。
In addition, the
有機平坦化層8上には、フォトダイオード20の周囲を覆うように素子分離層11が形成されている。素子分離層11は、たとえば、有機平坦化層8と同様に絶縁性の樹脂材料等により形成されている。
An
フォトダイオード20のN層23上には、たとえば、ITO等の透光性に優れた導電性材料により陰極12が形成されている。透光性に優れた導電性材料で陰極12を形成することで光吸収を抑えた状態で、陰極12側から受光することが可能となり、高い感度を持つイメージセンサーを提供することが可能となる。陰極12は、図1に示す素子領域Aの複数のフォトセンサー50にわたって一面に形成され、定電位線12aと電気的に接続されている。
On the
次に、本実施形態の作用について説明する。図1(b)に示すように、イメージセンサー100の定電位線12a、定電位線3bによってフォトセンサー50のフォトダイオード20に逆バイアスを印加した状態で、図2に示す陰極12側からフォトダイオード20に光が入射すると、フォトダイオード20に光電流が流れ、それに応じた電荷が保持容量30に蓄積される。また、図2に示す陽極9側からフォトダイオード20に光が入射された場合でも同様に、フォトダイオード20に光電流が流れ、それに応じた電荷が保持容量30に蓄積される。
Next, the operation of this embodiment will be described. As shown in FIG. 1B, in the state where a reverse bias is applied to the
また、複数の走査線3aの各々によって複数のフォトセンサー50の各々が備えるTFT10をオンさせることで、データ線6aには、フォトセンサー50の各々が備える保持容量30に蓄積された電荷に対応する信号が順次出力される。したがって、素子領域Aにおいて各々のフォトセンサー50が陰極12側や陽極9側から受光した光の強度を検出することができる。
Further, by turning on the
(第2の実施形態:両面を基板で覆ったイメージセンサー)
以下、表面側にも補正板として基板を貼り付けたイメージセンサーを、第2の実施形態として説明する。図3は、表面側にも基板を貼り付けたイメージセンサーの断面図である。構成については第1の実施形態と同様であるため、説明を省略する。図3に示すように、フォトセンサー50の上に、有機平坦化層8と同じ材質で同じ厚さに調整した充填材(補正層)としての有機補正層8aと、基板1と同じ材質で同じ厚さを備える光透過板(補正層)としての無機補正板1aとを備えている。これ以外の構成については、第1の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
(Second Embodiment: Image Sensor with Both Sides Covered by Substrate)
Hereinafter, an image sensor having a substrate attached as a correction plate on the front side will be described as a second embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view of an image sensor in which a substrate is also attached to the front side. Since the configuration is the same as that of the first embodiment, a description thereof will be omitted. As shown in FIG. 3, the
この構成を用いることで、光損失が大きい厚い層を抜けてくる際に発生する損失が、基板1の裏側からの光と、無機補正板1a側からの光に対して揃えられることから、光電変換能のバランスが向上する。また、同じ材料で同じ厚さに揃えることで、透過率の波長依存性、温度特性を含めて揃えることが可能となり、より対称性が高いイメージセンサー100を提供することが可能となる。
By using this configuration, the loss generated when passing through a thick layer with a large light loss is aligned with the light from the back side of the substrate 1 and the light from the
なお、有機補正層8aと無機補正板1aを用いることに代えて、光減衰率が有機補正層8aと無機補正板1aとの和に概ね揃えられた補正層としての樹脂層を用いても良い。この場合、無機補正板1aを重ねる必要がなくなるため、より薄いイメージセンサー100を提供することが可能となる。また、フォトセンサー50と基板1との間に、たとえばTFT10の一部等、遮光性を備えるものが挟まる場合、この減衰量を加味して補正層を形成することも好適である。
Instead of using the
(変形例)
以下、上記したイメージセンサーの構成にかかる変形例について説明する。上記したイメージセンサー100の構成においては、陽極9や、陰極12にITOを用いた例について説明したが、これは同じく透光性を備えるインジウム亜鉛酸化物(IZO)や、マグネシウム−銀合金(MgAg)、アルミ合金(50nm程度以下の厚さを持つ)等の透光性導電体を用いても良い。
(Modification)
Hereinafter, a modified example according to the configuration of the above-described image sensor will be described. In the configuration of the
また、TFT10を構成する物質としては、ポリシリコンに代えて、アモルファスシリコン、単結晶シリコン(SOI技術を用いることが好ましい)等のシリコン系半導体や、シリコンにゲルマニウムを添加した半導体、化合物半導体等を用いても良い。また、酸化物半導体等、透光性を備える物質を用いても良い。透明な酸化物半導体の例としては、たとえばInGaZnO4(インジウム:ガリウム:亜鉛:酸素)や、SrTiO3(チタン酸ストロンチウム)をあげることができる。このような物質を用いてTFT10を形成した場合、以下に示すようにフォトダイオード20とTFT10を重ねて形成することが可能となる。図4は、フォトダイオードとTFTを重ねて形成した状態を示す断面図である。そのため、開口率が上がり、より高い感度を持つイメージセンサー100を提供することが可能となる。また、ペンタセン等の有機物を使っても同様の効果を得ることができる。また、この場合、ソース電極6やドレイン電極7も透光性を有する材質を用いることが好適となり、ソース電極6やドレイン電極7による光量低下を抑制することが可能となる。
Further, as a material constituting the
また、走査線3aや定電位線3b、データ線6a、定電位線12aをブラックマトリックスとして用いた例について触れているが、これは、透光性導電体を用いても良い。この場合開口率が上がり、より高い感度を持つイメージセンサー100を提供することが可能となる。また、透光性のTFT10と、透光性導電体と、を共に用いても良く、この場合、さらに開口率が上がり、高い感度を持つイメージセンサー100を提供することが可能となる。ここで、ゲート電極4の材質を変えた場合、TFT10の閾値等の特性が変わり、設計上不利になる場合がある。この場合には、たとえば従来用いていた材料を用いて透光性を備える範囲の厚さでゲート電極層を作り、その上に透光性を有する導電体層を形成し、パターニングすることでゲート電極4を形成しても良い。なお、この製造方法は一例を示すものであり、透光性を備える範囲で規定される層厚を有する物質上に、透光性を有する導電体層を備えた電極構造を有していれば良い。
Further, although an example in which the
また、走査線3aや定電位線3b、データ線6a、定電位線12aをブラックマトリックスとして用いた例について触れているが、このブラックマトリックスに加え、フォトダイオード20を挟む位置に基板1での平面視にて重なるように別のブラックマトリックスを形成しても良く、この場合基板1の表側からの光と、基板1の裏面からの光に対して光電変換能のバランスが向上し、対称性が高いイメージセンサー100を提供することが可能となる。
In addition, an example in which the
A…素子領域、1…基板、1a…無機補正板、2…半導体層、2c…チャネル領域、2d…ドレイン領域、2s…ソース領域、3…ゲート絶縁膜、3a…走査線、3b…定電位線、4…ゲート電極、5…層間絶縁層、5d…コンタクトホール、5s…コンタクトホール、6…ソース電極、6a…データ線、7…ドレイン電極、8…有機平坦化層、8a…有機補正層、9…陽極、10…TFT、11…素子分離層、12…陰極、12a…定電位線、13…コンタクトホール、20…フォトダイオード、21…P層、22…I層、23…N層、25…絶縁層、30…保持容量、50…フォトセンサー、100…イメージセンサー、101…データ線駆動回路、102…走査線駆動回路。
A ... element region, 1 ... substrate, 1a ... inorganic correction plate, 2 ... semiconductor layer, 2c ... channel region, 2d ... drain region, 2s ... source region, 3 ... gate insulating film, 3a ... scanning line, 3b ... constant
Claims (7)
前記光電変換領域の下側および上側は、共に透光性を備えていることを特徴とするイメージセンサー。 An image sensor having a photoelectric conversion region on a transparent substrate,
An image sensor characterized in that both the lower side and the upper side of the photoelectric conversion region have translucency.
前記透明基板の平面視にて、前記光電変換領域と重なる領域に、透光性を備えた薄膜トランジスターと、透光性を備えた配線層の少なくともいずれか片方が形成されていることを特徴とするイメージセンサー。 The image sensor according to claim 1 or 2,
In a plan view of the transparent substrate, at least one of a light-transmitting thin film transistor and a light-transmitting wiring layer is formed in a region overlapping with the photoelectric conversion region, Image sensor to perform.
前記光電変換領域は、前記透明基板における平面視にて、上下方向における少なくとも片方が、遮光性の領域で囲われていることを特徴とするイメージセンサー。 The image sensor according to any one of claims 1 to 3,
The image sensor, wherein the photoelectric conversion region is surrounded by a light-shielding region at least one of the photoelectric conversion regions in a vertical direction in a plan view of the transparent substrate.
前記遮光性の領域は、金属で構成された電気的配線であることを特徴とするイメージセンサー。 The image sensor according to claim 4,
The image sensor, wherein the light-shielding region is an electrical wiring made of metal.
前記光電変換領域の上側に、前記光電変換領域の下側に位置する、前記透明基板を含む光損失と揃える補正層を備えていることを特徴とするイメージセンサー。 The image sensor according to any one of claims 1 to 5,
An image sensor comprising: a correction layer positioned on the lower side of the photoelectric conversion region and aligned with the light loss including the transparent substrate, on the lower side of the photoelectric conversion region.
前記補正層に、前記透明基板と揃えられた光学特性を備えた光透過板、および充填材を用いたことを特徴とするイメージセンサー。 The image sensor according to claim 6,
An image sensor comprising: a light transmitting plate having optical characteristics aligned with the transparent substrate; and a filler for the correction layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009098725A JP2010251496A (en) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | Image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009098725A JP2010251496A (en) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | Image sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010251496A true JP2010251496A (en) | 2010-11-04 |
Family
ID=43313518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009098725A Withdrawn JP2010251496A (en) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | Image sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010251496A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014225527A (en) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | キヤノン株式会社 | Detection device and detection system |
JP2015056512A (en) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | Photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
JP2015162632A (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | Photoelectric conversion device, method of manufacturing photoelectric conversion device, and electronic apparatus |
WO2015198878A1 (en) * | 2014-06-25 | 2015-12-30 | ソニー株式会社 | Solid-state imaging element, manufacturing method therefor, and electronic device |
JPWO2019106852A1 (en) * | 2017-11-28 | 2020-12-03 | シャープ株式会社 | Ion generators, appliances, air conditioning space provision methods, stress reduction methods, concentration improvement methods, and comfort improvement methods |
TWI812095B (en) * | 2021-07-30 | 2023-08-11 | 群創光電股份有限公司 | A sensing device, a method of forming a sensing device and an electronic device |
-
2009
- 2009-04-15 JP JP2009098725A patent/JP2010251496A/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014225527A (en) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | キヤノン株式会社 | Detection device and detection system |
JP2015056512A (en) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | Photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
JP2015162632A (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | Photoelectric conversion device, method of manufacturing photoelectric conversion device, and electronic apparatus |
WO2015198878A1 (en) * | 2014-06-25 | 2015-12-30 | ソニー株式会社 | Solid-state imaging element, manufacturing method therefor, and electronic device |
US10854660B2 (en) | 2014-06-25 | 2020-12-01 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image capturing element to suppress dark current, manufacturing method thereof, and electronic device |
JPWO2019106852A1 (en) * | 2017-11-28 | 2020-12-03 | シャープ株式会社 | Ion generators, appliances, air conditioning space provision methods, stress reduction methods, concentration improvement methods, and comfort improvement methods |
TWI812095B (en) * | 2021-07-30 | 2023-08-11 | 群創光電股份有限公司 | A sensing device, a method of forming a sensing device and an electronic device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11101304B2 (en) | Diode and fabrication method thereof, array substrate and display panel | |
CN109713003B (en) | Display panel and display device | |
TWI465979B (en) | Touch panel | |
US9000541B2 (en) | Photoelectric conversion device and electronic apparatus | |
US7462863B2 (en) | Thin film phototransistor, active matrix substrate using the phototransistor, and image scanning device using the substrate | |
US8338867B2 (en) | Highly sensitive photo-sensing element and photo-sensing device using the same | |
US9634174B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus and electronic device | |
US11334195B2 (en) | Optical detection apparatus | |
KR20080108897A (en) | Optical sensor element, optical sensor device and image display device using optical sensor element | |
JP2008171871A (en) | Highly sensitive photo-sensor element and photo-sensor device using the same | |
US11646330B2 (en) | Unit cell of display panel including integrated TFT photodetector | |
TWI672544B (en) | Infrared light detecting film, infrared light detecting device, infrared light detecting display device and preparation method of infrared light detecting film | |
JPWO2011065362A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
TWI755525B (en) | Light detection film, light detection device, light detection display device and preparation method of light detection film | |
JP2010251496A (en) | Image sensor | |
KR100684675B1 (en) | Optical sensor and display | |
TWI668850B (en) | Light detecting film, light detecting device, light detecting display device and preparation method of photosensitive diode | |
US11189740B2 (en) | Photoelectric sensor and manufacturing method thereof | |
JP2008277710A (en) | Light receiving element and display unit equipped with the same | |
US20210151476A1 (en) | Photosensor, display apparatus, and method of fabricating photosensor | |
JP2006330322A (en) | Liquid crystal display device | |
CN115915846A (en) | Display panel and display device | |
KR20180044679A (en) | Digital x-ray detector having improved fill factor | |
JP2009177127A (en) | Light-receiving element and display device | |
JP2010211085A (en) | Display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120703 |