JP2010251409A - Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure method and apparatus, and a device manufacturing method, capable of improving throughput. <P>SOLUTION: The exposure method includes a step of radiating exposure light to a pattern arranged on a first surface, a step of radiating the exposure light, having passed through the pattern, to a substrate arranged on a second surface, a step of detecting first illuminance of the exposure light on the upper stream side of the optical path of the exposure light than the second surface, a step of detecting second illuminance of the exposure light on the second surface, a step of making the first illuminance to be corresponded to the second illuminance, and a step of adjusting the second illuminance based on the first illuminance. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、投影光学系を介して基板に露光光を照射し、該基板の露光を行う露光方法、露光装置及びデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to an exposure method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method for irradiating a substrate with exposure light via a projection optical system and exposing the substrate.

半導体素子又は液晶表示素子等を製造する際に、フォトレジストが塗布されているプレート(ガラスプレート、半導体ウエハ等)上の各ショット領域にマスク(レチクル、フォトマスク等)のパターン像をステップ・アンド・リピート方式で一括露光する投影露光装置(ステッパー)が用いられている。   When manufacturing a semiconductor element or a liquid crystal display element, a pattern image of a mask (reticle, photomask, etc.) is stepped and applied to each shot area on a plate (glass plate, semiconductor wafer, etc.) coated with a photoresist. A projection exposure apparatus (stepper) that performs batch exposure using the repeat method is used.

近年では、1つの大きな投影光学系を使用する代わりに、小さな複数の部分投影光学系を走査方向に沿って所定間隔で複数列に配置し、各部分投影光学系でそれぞれマスクパターンの一部の像をプレート上に投影露光する、いわゆるマルチレンズ型の露光装置が提案されている(例えば特許文献1参照)。   In recent years, instead of using one large projection optical system, a plurality of small partial projection optical systems are arranged in a plurality of rows at predetermined intervals along the scanning direction. A so-called multi-lens type exposure apparatus that projects and exposes an image on a plate has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

このようなマルチレンズ型の走査型露光装置においては、プレート上の照度を検出するためにプレートステージ上に複数の照度センサが配置された構成が知られている。この複数の照度センサは、例えばマルチレンズによって形成される複数の露光領域のうちオーバーラップ露光領域の照度を測定するようになっている。   In such a multi-lens scanning exposure apparatus, a configuration is known in which a plurality of illuminance sensors are arranged on a plate stage in order to detect the illuminance on the plate. The plurality of illuminance sensors are configured to measure the illuminance of an overlap exposure region among a plurality of exposure regions formed by, for example, a multi lens.

例えば特許文献1に記載されるように、複数の照度センサが複数のオーバーラップ露光領域の照度を検出し、当該オーバーラップ露光領域を1ピッチ分ずらした後に、再度複数の照度センサによって1ピッチ分ずれた位置のオーバーラップ露光領域の照度を検出する手法が知られている。この手法により、短時間での照度計測が可能となる。   For example, as described in Patent Document 1, a plurality of illuminance sensors detect the illuminance of a plurality of overlap exposure areas, and after shifting the overlap exposure areas by one pitch, the plurality of illuminance sensors again detect one pit. A technique for detecting the illuminance of the overlapped exposure region at a shifted position is known. This technique enables illuminance measurement in a short time.

特開2005−11990号公報JP 2005-11990 A

しかしながら、特許文献1に記載の手法においては、プレートステージにおいてプレートの交換などを行っている間は、上記測定を行うことができない。このため、プレートの交換及び上記測定にそれぞれ時間を要してしまうことになり、スループットの面で問題がある。   However, in the method described in Patent Document 1, the above measurement cannot be performed while the plate is exchanged on the plate stage. For this reason, it takes time for the exchange of the plate and the measurement, respectively, and there is a problem in terms of throughput.

以上のような事情に鑑み、本発明の態様は、スループットの向上を図ることが可能な露光方法、露光装置及びデバイス製造方法を提供することである。   In view of the circumstances as described above, an aspect of the present invention is to provide an exposure method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method capable of improving throughput.

本発明の第1の態様に従えば、第1面に配置されたパターンに露光光を照射する工程と、第2面に配置された基板に前記パターンを介した前記露光光を照射する工程と、前記第2面よりも前記露光光の光路の上流側で該露光光の第1照度を検出する工程と、前記第2面における前記露光光の第2照度を検出する工程と、前記第1照度と前記第2照度とを対応付ける工程と、前記第1照度に基づいて前記第2照度を調整する工程と、を含む露光方法が提供される。   According to the first aspect of the present invention, the step of irradiating the pattern disposed on the first surface with exposure light, the step of irradiating the substrate disposed on the second surface with the exposure light via the pattern, and Detecting the first illuminance of the exposure light on the upstream side of the optical path of the exposure light from the second surface, detecting the second illuminance of the exposure light on the second surface, and the first There is provided an exposure method including a step of associating illuminance with the second illuminance and a step of adjusting the second illuminance based on the first illuminance.

本発明の第2の態様に従えば、第1ステージに配置されたマスクに露光光を照射し、第2ステージに配置された基板に前記マスクのパターンを介した前記露光光を照射する露光装置であって、前記第2ステージよりも前記露光光の光路の上流側で該露光光の第1照度を検出する第1検出装置と、前記第2ステージに設けられ、該第2ステージにおける前記露光光の第2照度を検出する第2検出装置と、前記第1照度と前記第2照度とを対応付け、前記第1照度に基づいて前記第2照度の調整情報を出力する制御装置と、を備える露光装置が提供される。   According to the second aspect of the present invention, an exposure apparatus that irradiates the mask disposed on the first stage with exposure light and irradiates the substrate disposed on the second stage with the exposure light via the mask pattern. A first detection device that detects a first illuminance of the exposure light upstream of the second stage with respect to the optical path of the exposure light, and the exposure on the second stage provided in the second stage. A second detection device that detects a second illuminance of light, and a control device that associates the first illuminance with the second illuminance and outputs adjustment information of the second illuminance based on the first illuminance. An exposure apparatus is provided.

本発明の第3の態様に従えば、上記の露光方法を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像して、前記パターンに対応する露光パターン層を形成することと、前記露光パターン層を介して前記基板を加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。   According to a third aspect of the present invention, exposing the substrate using the exposure method described above, developing the exposed substrate to form an exposure pattern layer corresponding to the pattern, And processing the substrate through the exposed pattern layer.

本発明の態様によれば、スループットの向上を図ることが可能な露光方法、露光装置及びデバイス製造方法を提供することができる。   According to the aspects of the present invention, it is possible to provide an exposure method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method capable of improving throughput.

本発明の第1実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図。1 is a schematic block diagram showing an example of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本実施形態に係る露光装置の一例を示す斜視図。1 is a perspective view showing an example of an exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の一例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an example of an exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の一例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an example of an exposure apparatus according to the present embodiment. 照度キャリブレーションの工程を示すフローチャート。The flowchart which shows the process of illumination intensity calibration. 本実施形態に係る露光装置の一例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an example of an exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の一例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an example of an exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の一例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an example of an exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の一例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an example of an exposure apparatus according to the present embodiment. 本実施形態に係る露光装置の一例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an example of an exposure apparatus according to the present embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャート。The flowchart for demonstrating an example of the manufacturing process of a microdevice.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each part will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. In addition, the rotation (inclination) directions around the X axis, the Y axis, and the Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

図1は、本実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図、図2は、斜視図である。図1及び図2において、露光装置EXは、マスクMを露光光ELで照明する照明システムISと、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、マスクステージMSTを移動する駆動システム3と、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像をプレートPに投影する投影システムPSと、プレートPを保持して移動可能なプレートステージPSTと、プレートステージPSTを移動する駆動システム4と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置5とを備えている。また、露光装置EXは、マスクステージMST及びプレートステージPSTの位置情報を計測する干渉計システム6(6A、6B)と、プレートP上のアライメントマークを検出するアライメントシステム9とを備えている。   FIG. 1 is a schematic block diagram showing an example of an exposure apparatus EX according to this embodiment, and FIG. 2 is a perspective view. 1 and 2, the exposure apparatus EX includes an illumination system IS that illuminates the mask M with exposure light EL, a mask stage MST that can move while holding the mask M, and a drive system 3 that moves the mask stage MST. A projection system PS that projects an image of the pattern of the mask M illuminated by the exposure light EL onto the plate P, a plate stage PST that can move while holding the plate P, and a drive system 4 that moves the plate stage PST, And a control device 5 that controls the overall operation of the exposure apparatus EX. Further, the exposure apparatus EX includes an interferometer system 6 (6A, 6B) that measures position information of the mask stage MST and the plate stage PST, and an alignment system 9 that detects alignment marks on the plate P.

マスクMは、プレートPに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。プレートPは、例えばガラスプレート等の基材と、その基材上に形成された感光膜(塗布された感光剤)とを含む。本実施形態において、プレートPは、大型のガラスプレートを含み、そのプレートPの一辺のサイズは、例えば500mm以上である。本実施形態においては、プレートPの基材として、一辺が約3000mmの矩形のガラスプレートを用いる。   The mask M includes a reticle on which a device pattern projected onto the plate P is formed. The plate P includes, for example, a base material such as a glass plate and a photosensitive film (coated photosensitizer) formed on the base material. In the present embodiment, the plate P includes a large glass plate, and the size of one side of the plate P is, for example, 500 mm or more. In the present embodiment, a rectangular glass plate having a side of about 3000 mm is used as the base material of the plate P.

本実施形態の露光装置EXは、所謂、マルチレンズ型スキャン露光装置である。すなわち、投影システムPSが複数の投影光学系PL(PL1〜PL7)を有すると共に、マスクMとプレートPとを所定の走査方向に同期移動しながらマスクMのパターンの像をプレートPに投影する構成になっている。   The exposure apparatus EX of the present embodiment is a so-called multilens scan exposure apparatus. That is, the projection system PS has a plurality of projection optical systems PL (PL1 to PL7), and projects a pattern image of the mask M onto the plate P while moving the mask M and the plate P in synchronization with a predetermined scanning direction. It has become.

照明システムISは、ランプハウス10と、導光部13と、照明モジュールILとを有している。ランプハウス10は、光源11a、ダイクロイックミラー11b、ファイバ部11c、照度センサ11d及びフィルタ部12を有している。光源11aとしては、例えば水銀ランプなどが用いられる。当該水銀ランプからは、例えばg線、h線、i線などの輝線が露光光ELとして射出されるようになっている。ダイクロイックミラー11bは、光源11aからの露光光をフィルタ部12へと反射すると共に、当該露光光をファイバ部11cへ透過させる。ファイバ部11cは、光源11aに対して光学的に共役な位置に配置されている。照度センサ11dは、ファイバ部11cに光学的に接続されている。   The illumination system IS includes a lamp house 10, a light guide unit 13, and an illumination module IL. The lamp house 10 includes a light source 11a, a dichroic mirror 11b, a fiber part 11c, an illuminance sensor 11d, and a filter part 12. For example, a mercury lamp is used as the light source 11a. From the mercury lamp, for example, bright lines such as g-line, h-line, and i-line are emitted as exposure light EL. The dichroic mirror 11b reflects the exposure light from the light source 11a to the filter unit 12 and transmits the exposure light to the fiber unit 11c. The fiber part 11c is disposed at a position optically conjugate with the light source 11a. The illuminance sensor 11d is optically connected to the fiber part 11c.

フィルタ部12には、例えば波長選択フィルタ12aや減光フィルタ12bなど各種フィルタが設けられている。導光部13はランプハウス10からの露光光ELを照明モジュールILに導光するものであり、例えば光ファイバなどが用いられる。   The filter unit 12 is provided with various filters such as a wavelength selection filter 12a and a neutral density filter 12b. The light guide unit 13 guides the exposure light EL from the lamp house 10 to the illumination module IL. For example, an optical fiber or the like is used.

照明モジュールILは、複数の投影光学系PL1〜PL7に対応するように複数、例えば7つ設けられている。各照明モジュールIL1〜IL7は、それぞれ照明ウェッジ14、フライアイレンズ15及びコンデンサレンズ16などの光学系を有している。照明モジュールIL及び投影光学系PLの数は7つに限定されない。例えば照明システムISが照明モジュールを11個有し、投影システムPSが投影光学系を11個有していてもよい。   A plurality of, for example, seven illumination modules IL are provided so as to correspond to the plurality of projection optical systems PL1 to PL7. Each of the illumination modules IL1 to IL7 has an optical system such as an illumination wedge 14, a fly-eye lens 15, and a condenser lens 16, respectively. The number of illumination modules IL and projection optical systems PL is not limited to seven. For example, the illumination system IS may have 11 illumination modules, and the projection system PS may have 11 projection optical systems.

照明システムISは、マスクM上の所定の照明領域IR1〜IR7に露光光ELを照射可能である。照明領域IR1〜IR7は、各照明モジュールIL1〜IL7から射出される露光光ELの照射領域に含まれている。本実施形態において、照明システムISは、異なる7つの照明領域IR1〜IR7のそれぞれを露光光ELで照明する。照明システムISは、マスクMのうち照明領域IR1〜IR7に配置された部分を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。   The illumination system IS can irradiate the predetermined illumination areas IR1 to IR7 on the mask M with the exposure light EL. The illumination areas IR1 to IR7 are included in the irradiation areas of the exposure light EL emitted from the illumination modules IL1 to IL7. In the present embodiment, the illumination system IS illuminates each of the seven different illumination areas IR1 to IR7 with the exposure light EL. The illumination system IS illuminates portions of the mask M arranged in the illumination areas IR1 to IR7 with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution.

マスクステージMSTは、マスクMを保持した状態で、照明領域IR1〜IR7に対して移動可能である。マスクステージMSTは、マスクMを保持可能なマスク保持部25を有する。マスク保持部25は、マスクMを真空吸着可能なチャック機構を含み、マスクMをリリース可能に保持する。本実施形態において、マスク保持部25は、マスクMの下面(パターン形成面)とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。駆動システム3は、例えばリニアモータを含み、XY平面上においてマスクステージMSTを移動可能である。本実施形態において、マスクステージMSTは、駆動システム3の作動により、マスク保持部25でマスクMを保持した状態で、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。マスクステージMSTには、Xブラインド21が設けられている。Xブラインド21は、X方向に移動可能に設けられており、マスクMに照射される露光光ELの少なくとも一部を遮光するようになっている。Xブラインド21は、マスクステージMSTの+X側及び−X側にそれぞれ1つずつ設けられている。   Mask stage MST is movable with respect to illumination regions IR1 to IR7 while holding mask M. The mask stage MST includes a mask holding unit 25 that can hold the mask M. The mask holding unit 25 includes a chuck mechanism that can vacuum-suck the mask M, and holds the mask M in a releasable manner. In the present embodiment, the mask holding unit 25 holds the mask M so that the lower surface (pattern formation surface) of the mask M and the XY plane are substantially parallel. The drive system 3 includes, for example, a linear motor, and can move the mask stage MST on the XY plane. In the present embodiment, the mask stage MST is movable in three directions of the X axis, the Y axis, and the θZ direction with the mask M held by the mask holder 25 by the operation of the drive system 3. An X blind 21 is provided on the mask stage MST. The X blind 21 is provided so as to be movable in the X direction, and shields at least a part of the exposure light EL irradiated to the mask M. One X blind 21 is provided on each of the + X side and the −X side of the mask stage MST.

図3は、マスクステージMST上の構成を示す平面図である。図3においては、マスクステージMST上の一部の構成を省略して示している。また、図3において一点鎖線で示した部分は、マスクステージMST上のマスクMの保持位置である。   FIG. 3 is a plan view showing a configuration on the mask stage MST. In FIG. 3, a part of the configuration on the mask stage MST is omitted. Further, the portion indicated by the alternate long and short dash line in FIG. 3 is the holding position of the mask M on the mask stage MST.

図3に示すように、マスクステージMSTには、照度センサ40が設けられている。照度センサ40は、マスクステージMSTのマスクMに照射される露光光ELの照度を検出する。照度センサ40は、マスクMのZ座標と同一のZ座標における露光光の照度を検出可能になっている。   As shown in FIG. 3, the illuminance sensor 40 is provided on the mask stage MST. The illuminance sensor 40 detects the illuminance of the exposure light EL applied to the mask M of the mask stage MST. The illuminance sensor 40 can detect the illuminance of exposure light at the same Z coordinate as the Z coordinate of the mask M.

照度センサ40は、例えばマスクステージMSTの+X側端辺に沿って6つ設けられている。6つの照度センサ41〜46は、例えば照明領域IR1〜IR7のそれぞれの継ぎ目部分のピッチと同一のピッチで配置されている。図3においては、各照度センサ41〜46のY座標と照明領域IR1〜IR7の継ぎ目部分のY座標とがちょうど一致している状態を示している。照度センサ41〜46による検出結果は、それぞれ制御装置5に送信され、当該制御装置5において記憶されるようになっている。   For example, six illuminance sensors 40 are provided along the + X side edge of the mask stage MST. The six illuminance sensors 41 to 46 are arranged, for example, at the same pitch as the pitch of each joint portion of the illumination areas IR1 to IR7. FIG. 3 shows a state where the Y coordinate of each of the illuminance sensors 41 to 46 and the Y coordinate of the joint portion of the illumination areas IR1 to IR7 are exactly the same. The detection results by the illuminance sensors 41 to 46 are transmitted to the control device 5 and stored in the control device 5.

図1及び図2に戻って、投影システムPSは、複数の投影光学系PL(PL1〜PL7)を有している。複数の投影光学系PL1〜PL7は、所定の投影領域PR1〜PR7(図3参照)に露光光ELを照射可能である。投影領域PR1〜PR7は、各投影光学系PL1〜PL7から射出される露光光ELの照射領域に相当する。本実施形態において、投影システムPSは、異なる7つの投影領域PR1〜PR7のそれぞれにパターンの像を投影する。投影システムPSは、プレートPのうち投影領域PR1〜PR7に配置された部分に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。各投影光学系PL1〜PL7は、視野絞り31及びYブラインド32を有している。   1 and 2, the projection system PS has a plurality of projection optical systems PL (PL1 to PL7). The plurality of projection optical systems PL1 to PL7 can irradiate the predetermined projection areas PR1 to PR7 (see FIG. 3) with the exposure light EL. The projection areas PR1 to PR7 correspond to the irradiation areas of the exposure light EL emitted from the projection optical systems PL1 to PL7. In the present embodiment, the projection system PS projects a pattern image on each of seven different projection regions PR1 to PR7. The projection system PS projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto the portion of the plate P arranged in the projection regions PR1 to PR7. Each projection optical system PL1 to PL7 has a field stop 31 and a Y blind 32.

図4は、プレートステージPST上の構成を示す平面図である。図4においては、プレートステージPST上の一部の構成を省略して示している。また、図4において一点鎖線で示した部分は、プレートステージPST上のプレートPの保持位置及びプレートP上の露光領域PA1〜PA6の設定位置である。   FIG. 4 is a plan view showing a configuration on the plate stage PST. In FIG. 4, a part of the configuration on the plate stage PST is omitted. Further, in FIG. 4, the portions indicated by the alternate long and short dash line are the holding position of the plate P on the plate stage PST and the setting positions of the exposure areas PA1 to PA6 on the plate P.

図4に示すように、プレートステージPSTは、プレートPを保持した状態で、投影領域PR1〜PR7に対して移動可能である。プレートステージPSTは、プレートPを保持可能なプレート保持部36を有する。プレート保持部36は、プレートPを真空吸着可能なチャック機構を含み、プレートPをリリース可能に保持する。   As shown in FIG. 4, the plate stage PST is movable with respect to the projection regions PR1 to PR7 while holding the plate P. The plate stage PST has a plate holder 36 that can hold the plate P. The plate holding unit 36 includes a chuck mechanism that can vacuum-suck the plate P, and holds the plate P in a releasable manner.

本実施形態において、プレート保持部36は、プレートPの表面(露光面)とXY平面とがほぼ平行となるように、プレートPを保持する。プレート保持部36は、プレートPの表面とマスクMの表面とが光学的に共役となるようにプレートPを保持する。駆動システム4は、例えばリニアモータを含み、ベースプレートBPのガイド面BPG上においてプレートステージPSTを移動可能である。本実施形態において、プレートステージPSTは、駆動システム4の作動により、プレート保持部36でプレートPを保持した状態で、ガイド面BPG上を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。   In the present embodiment, the plate holding unit 36 holds the plate P so that the surface (exposure surface) of the plate P and the XY plane are substantially parallel. The plate holding unit 36 holds the plate P so that the surface of the plate P and the surface of the mask M are optically conjugate. The drive system 4 includes, for example, a linear motor, and can move the plate stage PST on the guide surface BPG of the base plate BP. In the present embodiment, the plate stage PST operates on the guide surface BPG with the plate P held by the plate holding portion 36 by the operation of the drive system 4, and the X axis, Y axis, Z axis, θX, θY, and It can move in six directions of θZ direction.

プレートステージPSTには、照度センサ50が設けられている。照度センサ50は、プレートステージPSTに照射される露光光ELの照度を検出する。照度センサ50は、例えばプレートステージPSTの+X側端辺に沿って6つ設けられている。6つの照度センサ51〜56は、例えば投影領域PR1〜PR7のそれぞれの継ぎ目部分のピッチと同一のピッチで配置されている。図4においては、各照度センサ51〜56のY座標と投影領域PR1〜PR7の継ぎ目部分のY座標とがちょうど一致している状態を示している。照度センサ51〜56による検出結果は、それぞれ制御装置5に送信され、当該制御装置5において記憶されるようになっている。   An illuminance sensor 50 is provided on the plate stage PST. The illuminance sensor 50 detects the illuminance of the exposure light EL irradiated to the plate stage PST. For example, six illuminance sensors 50 are provided along the + X side edge of the plate stage PST. The six illuminance sensors 51 to 56 are arranged at the same pitch as the pitch of each joint portion of the projection regions PR1 to PR7, for example. FIG. 4 shows a state in which the Y coordinates of the illuminance sensors 51 to 56 and the Y coordinates of the joint portions of the projection regions PR1 to PR7 are exactly the same. The detection results by the illuminance sensors 51 to 56 are transmitted to the control device 5 and stored in the control device 5.

投影領域PR1〜PR7は、それぞれ照明領域IR1〜IR7に対応している。投影領域PR1〜PR7は、それぞれ対応する照明領域IR1〜IR7との間で光学的に共役な位置に形成されていることになる。   The projection areas PR1 to PR7 correspond to the illumination areas IR1 to IR7, respectively. The projection areas PR1 to PR7 are formed at optically conjugate positions with the corresponding illumination areas IR1 to IR7, respectively.

次に、プレートPの露光時における露光装置EXの動作の一例を説明する。露光装置EXの各動作の少なくとも一部は、予め定められている露光に関する制御情報(露光制御情報)に基づいて実行される。露光制御情報は、露光装置EXの動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。以下の説明において、露光に関する制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。   Next, an example of the operation of the exposure apparatus EX when the plate P is exposed will be described. At least a part of each operation of the exposure apparatus EX is executed based on predetermined control information (exposure control information) relating to exposure. The exposure control information includes a control command group that defines the operation of the exposure apparatus EX, and is also called an exposure recipe. In the following description, the control information related to exposure is appropriately referred to as an exposure recipe.

露光レシピは、制御装置5に予め記憶されている。少なくともプレートPの露光時(マスクM及びプレートPに対する露光光ELの照射動作時)における露光装置EXの動作条件は、露光レシピによって予め決定されている。制御装置5は、露光レシピに基づいて、露光装置EXの動作を制御する。露光レシピは、プレートPの露光時におけるマスクステージMST及びプレートステージPSTの移動条件を含む。プレートPの露光時、制御装置5は、露光レシピに基づいて、マスクステージMST及びプレートステージPSTを移動する。   The exposure recipe is stored in the control device 5 in advance. At least the operating conditions of the exposure apparatus EX at the time of exposure of the plate P (during the irradiation operation of the exposure light EL on the mask M and the plate P) are determined in advance by the exposure recipe. The control device 5 controls the operation of the exposure apparatus EX based on the exposure recipe. The exposure recipe includes the movement conditions of the mask stage MST and the plate stage PST when the plate P is exposed. When the plate P is exposed, the control device 5 moves the mask stage MST and the plate stage PST based on the exposure recipe.

制御装置5は、上記露光レシピに基づいて、マスクMをマスクステージMSTに搬入する。マスクMがマスクステージMSTに保持された後、マスクMのアライメント処理、各種計測処理、及びキャリブレーション処理を含むセットアップ処理が実行される。マスクMのセットアップ処理後、制御装置5は、プレートPをプレートステージPSTに搬入する。プレートPがプレートステージPSTに保持された後、プレートPのアライメント処理、各種計測処理、及びキャリブレーション処理を含むセットアップ処理が実行される。   The control device 5 carries the mask M into the mask stage MST based on the exposure recipe. After the mask M is held on the mask stage MST, a setup process including an alignment process of the mask M, various measurement processes, and a calibration process is performed. After the mask M setup process, the control device 5 carries the plate P into the plate stage PST. After the plate P is held on the plate stage PST, a setup process including an alignment process, various measurement processes, and a calibration process for the plate P is performed.

露光装置EXによる露光処理手順について、具体的に説明する。マスクM及びプレートPのセットアップ処理の後、制御装置5は、露光レシピに基づいて、マスクMとプレートPとを走査方向に同期移動しながら、マスクMの下面のパターン領域MAに露光光ELを照射する(実露光ステップ:ステップ101)。露光光ELは、パターン領域MAを介して投影光学系PL1〜PL7に入射する。投影光学系PL1〜PL7に入射した露光光は、当該投影光学系PL1〜PL7を介してプレートPの表面の露光領域PA1〜PA6(図3参照)に照射され、当該露光領域PA1〜PA6が露光される。   An exposure processing procedure by the exposure apparatus EX will be specifically described. After the setup process of the mask M and the plate P, the control device 5 sends the exposure light EL to the pattern area MA on the lower surface of the mask M while synchronously moving the mask M and the plate P in the scanning direction based on the exposure recipe. Irradiate (actual exposure step: step 101). The exposure light EL is incident on the projection optical systems PL1 to PL7 through the pattern area MA. The exposure light incident on the projection optical systems PL1 to PL7 is irradiated onto the exposure areas PA1 to PA6 (see FIG. 3) on the surface of the plate P via the projection optical systems PL1 to PL7, and the exposure areas PA1 to PA6 are exposed. Is done.

プレートP上に設けられた複数の露光領域PA1〜PA6に対する露光処理は、露光領域PA1〜PA6を投影領域PR1〜PR7に対してプレートPの表面(XY平面)に沿って走査方向に移動させるとともに、マスクMのパターン領域MAを照明領域IR1〜IR7に対してマスクMの下面(XY平面)に沿って走査方向に移動させながら実行される。本実施形態においては、プレートPの走査方向(同期移動方向)をX軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もX軸方向とする。   In the exposure process for the plurality of exposure areas PA1 to PA6 provided on the plate P, the exposure areas PA1 to PA6 are moved in the scanning direction along the surface (XY plane) of the plate P with respect to the projection areas PR1 to PR7. The pattern area MA of the mask M is executed while moving in the scanning direction along the lower surface (XY plane) of the mask M with respect to the illumination areas IR1 to IR7. In the present embodiment, the scanning direction (synchronous movement direction) of the plate P is the X-axis direction, and the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the X-axis direction.

例えばプレートPの露光領域PA1を露光する場合、制御装置5は、投影領域PR1〜PR7に対してプレートPの露光領域PA1をX軸方向に移動するとともに、そのプレートPのX軸方向への移動と同期して、照明領域IR1〜IR7に対してマスクMのパターン領域MAをX軸方向に移動しながら、照明領域IR1〜IR7に露光光ELを照射して、マスクMからの露光光ELを投影光学系PLを介して投影領域PR1〜PR7に照射する。これにより、プレートPの露光領域PA1は、投影領域PR1〜PR7に照射された露光光ELで露光され、マスクMのパターン領域MAのパターンの像がプレートPの露光領域PA1に転写される。   For example, when exposing the exposure area PA1 of the plate P, the control device 5 moves the exposure area PA1 of the plate P in the X-axis direction with respect to the projection areas PR1 to PR7, and moves the plate P in the X-axis direction. In synchronization with the illumination areas IR1 to IR7, the pattern area MA of the mask M is moved in the X-axis direction, and the illumination areas IR1 to IR7 are irradiated with the exposure light EL, so that the exposure light EL from the mask M is irradiated. The projection areas PR1 to PR7 are irradiated through the projection optical system PL. Thereby, the exposure area PA1 of the plate P is exposed by the exposure light EL irradiated to the projection areas PR1 to PR7, and the pattern image of the pattern area MA of the mask M is transferred to the exposure area PA1 of the plate P.

例えば露光領域PA1の露光が終了した後、次の露光領域(例えば露光領域PA2)を露光するために、制御装置5は、投影領域PR1〜PR7が次の露光領域PA2の露光開始位置に配置されるように、プレートステージPSTを制御して、投影領域PR1〜PR7に対してプレートPをXY平面内の所定方向に移動する。また、制御装置5は、照明領域IR1〜IR7がパターン領域MAの露光開始位置に配置されるように、マスクステージMSTを制御して、照明領域IR1〜IR7に対してマスクMを移動する。そして、投影領域PR1〜PR7が露光領域PA2の露光開始位置に配置され、照明領域IR1〜IR7がパターン領域MAの露光開始位置に配置された後、制御装置5は、その露光領域PA2の露光を開始する。   For example, in order to expose the next exposure area (for example, the exposure area PA2) after the exposure of the exposure area PA1 is completed, the control device 5 places the projection areas PR1 to PR7 at the exposure start position of the next exposure area PA2. As described above, the plate stage PST is controlled to move the plate P in the predetermined direction in the XY plane with respect to the projection regions PR1 to PR7. Further, the control device 5 controls the mask stage MST to move the mask M with respect to the illumination areas IR1 to IR7 so that the illumination areas IR1 to IR7 are arranged at the exposure start positions of the pattern area MA. Then, after the projection areas PR1 to PR7 are arranged at the exposure start position of the exposure area PA2, and the illumination areas IR1 to IR7 are arranged at the exposure start position of the pattern area MA, the control device 5 performs the exposure of the exposure area PA2. Start.

制御装置5は、マスクステージMSTが保持するマスクMとプレートステージPSTが保持するプレートPとをX軸方向に同期移動しながらプレートPに露光光ELを照射する動作と、次の露光領域を露光するために、プレートPをXY平面内の所定方向(例えばX軸方向)にステッピング移動する動作を繰り返しながら、プレートP上に設けられた複数の露光領域PA1〜PA6を、マスクMに設けられたパターン及び投影光学系PLを介して順次露光する。全ての露光領域PA1〜PA6の露光が終了したら、プレートPに対する露光処理を終了させる。制御装置5は、このような露光処理を、例えばマスクMを適宜交換しながら行わせる。   The controller 5 irradiates the plate P with the exposure light EL while synchronously moving the mask M held by the mask stage MST and the plate P held by the plate stage PST in the X-axis direction, and exposes the next exposure area. In order to achieve this, the mask M is provided with a plurality of exposure areas PA1 to PA6 provided on the plate P while repeating the stepping movement of the plate P in a predetermined direction (for example, the X-axis direction) in the XY plane. Sequential exposure is performed via the pattern and projection optical system PL. When the exposure of all the exposure areas PA1 to PA6 is completed, the exposure process for the plate P is terminated. The control device 5 causes such exposure processing to be performed while appropriately replacing the mask M, for example.

次に、露光光の照度キャリブレーション動作について、図5〜8を参照して説明する。図5は、照度キャリブレーション動作の過程を示すフローチャートである。
制御装置5は、例えばマスクMが投影光学系PLの視野から外れた位置にある時、若しくは、マスクMの交換時において、露光光の照度キャリブレーションを行わせる。図6〜図8は、感度較正及び照度キャリブレーションにおける照度センサ51〜56と投影領域PR1〜PR7との間の位置関係を示す図である。
プレートP上に形成される投影領域PR1〜PR7のY方向の端部(継ぎ部)は、当該投影領域PR1〜PR7をX方向に移動させたときにオーバーラップするようになっている(オーバーラップ露光領域)。具体的には、投影領域PR1は、−Y側の端部にオーバーラップ露光領域を有している。投影領域PR2〜PR6は、それぞれ+Y側の端部及び−Y側の端部にオーバーラップ露光領域を有している。投影領域PR7は、+Y側の端部にオーバーラップ露光領域を有している。照度センサ51〜56の感度較正及び露光光の照度キャリブレーション動作は、露光光のオーバーラップ露光領域の照度に基づいて行われる。
Next, the exposure light illuminance calibration operation will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a flowchart showing a process of illuminance calibration operation.
For example, when the mask M is out of the field of the projection optical system PL or when the mask M is replaced, the control device 5 performs exposure light illuminance calibration. 6-8 is a figure which shows the positional relationship between the illumination intensity sensors 51-56 and projection area | region PR1-PR7 in sensitivity calibration and illumination intensity calibration.
End portions (joints) in the Y direction of the projection regions PR1 to PR7 formed on the plate P are overlapped when the projection regions PR1 to PR7 are moved in the X direction (overlap). Exposure area). Specifically, the projection region PR1 has an overlap exposure region at the end on the −Y side. Each of the projection areas PR2 to PR6 has an overlap exposure area at the + Y side end and the −Y side end. The projection region PR7 has an overlap exposure region at the end on the + Y side. The sensitivity calibration of the illuminance sensors 51 to 56 and the illuminance calibration operation of the exposure light are performed based on the illuminance of the overlap exposure region of the exposure light.

露光光の照度キャリブレーション動作にあたり、制御装置5は、まず、照度センサ51〜56の感度較正を行わせる。制御装置5は、照度センサ51〜56を用いて投影領域PR2、PR4、PR6のオーバーラップ露光領域のうち複数箇所の照度を検出させる。本実施形態では、例えば6箇所の照度検出点(m1〜m6)の照度を検出させるようにする。   In the exposure light illuminance calibration operation, the control device 5 first performs sensitivity calibration of the illuminance sensors 51 to 56. The control device 5 uses the illuminance sensors 51 to 56 to detect the illuminance at a plurality of locations in the overlap exposure areas of the projection areas PR2, PR4, and PR6. In this embodiment, for example, the illuminance at six illuminance detection points (m1 to m6) is detected.

制御装置5は、図6に示すように、照度センサ51〜56と投影領域PR2、PR4、PR6の照度検出点m1〜m6とが重なるようにプレートステージPSTを移動させる(ステップS10)。プレートステージPSTを移動させた後、制御装置5は、各照度センサ51〜56を用いて照度検出点m1〜m6の照度を同時に検出させる(ステップS11)。   As shown in FIG. 6, the control device 5 moves the plate stage PST so that the illuminance sensors 51 to 56 and the illuminance detection points m1 to m6 of the projection regions PR2, PR4, and PR6 overlap each other (step S10). After moving the plate stage PST, the control device 5 simultaneously detects the illuminance at the illuminance detection points m1 to m6 using the illuminance sensors 51 to 56 (step S11).

照度を検出させた後、制御装置5は、プレートステージPSTを走査方向(X方向)の直交方向(Y方向)に1ピッチ分移動させる(ステップS12)。この動作により、図7に示すように、照度検出点m2に位置していた照度センサ52が照度検出点m1の位置に移動し、照度検出点m3に位置していた照度センサ53が照度検出点m2の位置に移動し、照度検出点m4に位置していた照度センサ54が照度検出点m3の位置に移動し、照度検出点m5に位置していた照度センサ55が照度検出点m4の位置に移動し、照度検出点m6に位置していた照度センサ56が照度検出点m5の位置に移動する。本実施形態では、ステップS12において、ステージを走査方向と直交する方向に1ピッチ分移動させたが、プレートステージを走査方向と直交する方向に1ピッチより多いピッチ分移動させてもよい。   After detecting the illuminance, the control device 5 moves the plate stage PST by one pitch in the direction orthogonal to the scanning direction (X direction) (Y direction) (step S12). By this operation, as shown in FIG. 7, the illuminance sensor 52 located at the illuminance detection point m2 is moved to the position of the illuminance detection point m1, and the illuminance sensor 53 located at the illuminance detection point m3 is moved to the illuminance detection point. The illuminance sensor 54 located at the illuminance detection point m4 moves to the illuminance detection point m3, and the illuminance sensor 55 located at the illuminance detection point m5 moves to the illuminance detection point m4. The illuminance sensor 56 that has been moved and located at the illuminance detection point m6 moves to the position of the illuminance detection point m5. In this embodiment, in step S12, the stage is moved by one pitch in the direction orthogonal to the scanning direction. However, the plate stage may be moved by more than one pitch in the direction orthogonal to the scanning direction.

プレートステージPSTを1ピッチ分移動させた後、制御装置5は、それぞれの照度センサ52〜56を用いて照度検出点m1〜m5の照度を検出させる(ステップS13)。ステップS13においては、照度センサ51は照度検出点m1〜m6から外れた位置にあるため、制御装置5は当該照度センサ51には照度検出を行わせないようにする。   After moving the plate stage PST by one pitch, the control device 5 detects the illuminance at the illuminance detection points m1 to m5 using the illuminance sensors 52 to 56 (step S13). In step S <b> 13, the illuminance sensor 51 is located away from the illuminance detection points m <b> 1 to m <b> 6, so the control device 5 prevents the illuminance sensor 51 from performing illuminance detection.

制御装置5は、ステップS11及びステップS13においてそれぞれの照度センサ51〜56により計測されたそれぞれの照度検出点m1〜m6の照度に基づいて、照度センサ51〜56間の感度較正を行わせる(ステップS14)。感度較正を行わせる場合、制御装置5は、予め照度センサ51に対して感度較正が施されている場合には、照度センサ51を基準照度センサとして用いる。制御装置5は、照度センサ51により計測された照度検出点m1の照度と照度センサ52により計測された照度検出点m1に基づいて、照度センサ51の感度と同一の感度となるように照度センサ52の感度較正を行わせる。   The control device 5 performs sensitivity calibration between the illuminance sensors 51 to 56 based on the illuminance of the illuminance detection points m1 to m6 measured by the illuminance sensors 51 to 56 in Step S11 and Step S13 (Step S11 and Step S13). S14). When the sensitivity calibration is performed, the control device 5 uses the illuminance sensor 51 as a reference illuminance sensor when sensitivity calibration is performed on the illuminance sensor 51 in advance. Based on the illuminance at the illuminance detection point m1 measured by the illuminance sensor 51 and the illuminance detection point m1 measured by the illuminance sensor 52, the control device 5 has the same sensitivity as the sensitivity of the illuminance sensor 51. Let's perform sensitivity calibration.

照度センサ52の感度較正を行わせた後、制御装置5は、当該感度較正された照度センサ52の感度と、照度センサ52により検出された照度検出点m2の照度と、照度センサ53により検出された照度検出点m2の照度とに基づいて、照度センサ53の感度較正を行わせる。同様にして、照度センサ54〜56の感度較正を行わせる。   After the sensitivity calibration of the illuminance sensor 52 is performed, the control device 5 detects the sensitivity of the illuminance sensor 52 subjected to the sensitivity calibration, the illuminance at the illuminance detection point m2 detected by the illuminance sensor 52, and the illuminance sensor 53. The sensitivity calibration of the illuminance sensor 53 is performed based on the illuminance at the illuminance detection point m2. Similarly, sensitivity calibration of the illuminance sensors 54 to 56 is performed.

本実施形態においては、6つの照度センサを備えているが、2つ以上の照度センサを備えていればよい。本実施形態においては、照度センサ51を基準照度センサとして用いているが、照度センサ52〜56の何れか1つに対して感度較正を施しておき、感度較正を施した照度センサを基準照度センサとして用いてもよい。   In the present embodiment, six illuminance sensors are provided, but it is sufficient that two or more illuminance sensors are provided. In this embodiment, the illuminance sensor 51 is used as the reference illuminance sensor. However, sensitivity calibration is performed on any one of the illuminance sensors 52 to 56, and the illuminance sensor subjected to sensitivity calibration is used as the reference illuminance sensor. It may be used as

ステップS14において照度センサ51〜56の感度較正を行わせた後、制御装置5は、照度センサ56が照度検出点m1の位置に重なるようにプレートステージPSTをY方向に移動させる(ステップS15)。この動作により、照度センサ56のみが照度検出点m1と重なる位置に配置されることになり、照度センサ51〜55についてはいずれの照度検出点にも重ならないことになる。プレートステージPSTを移動させた後、制御装置5は、照度センサ56を用いて照度検出点m1の照度を検出させる(ステップS16)。   After performing the sensitivity calibration of the illuminance sensors 51 to 56 in step S14, the control device 5 moves the plate stage PST in the Y direction so that the illuminance sensor 56 overlaps the position of the illuminance detection point m1 (step S15). With this operation, only the illuminance sensor 56 is disposed at a position overlapping the illuminance detection point m1, and the illuminance sensors 51 to 55 do not overlap any illuminance detection point. After moving the plate stage PST, the control device 5 uses the illuminance sensor 56 to detect the illuminance at the illuminance detection point m1 (step S16).

ステップS16における照度の検出の後、制御装置5は、検出結果に基づいて照度センサ51〜56間の累積誤差を算出する(ステップS17)。例えば、上記ステップS11〜S14による感度較正においては、隣接する照度センサを用いて同一の照度検出点を検出する場合に照度のリップル等による検出結果のズレが発生すると、ステップS14の感度較正時に当該ズレが全ての照度センサ51〜56における累積的な誤差となって較正結果に含まれてしまうことになる。この場合、照度センサ51〜56における累積誤差は、照度センサ51から照度センサ56に至るまで、等比数列的に増加することになる。具体的には、各照度センサでの誤差を含む検出結果をSn(ただし、照度センサ51をn=1、照度センサ52をn=2、…照度センサ56をn=6としている)、累積分をα、照度センサ51における累積誤差を含まない検出値Sをとすると、
=Sn−1・α
=S・α
となる。
After detecting the illuminance in step S16, the control device 5 calculates an accumulated error between the illuminance sensors 51 to 56 based on the detection result (step S17). For example, in the sensitivity calibration in steps S11 to S14, when the same illuminance detection point is detected using the adjacent illuminance sensor, if the detection result shifts due to illuminance ripple or the like, the sensitivity is corrected in step S14. The deviation becomes a cumulative error in all the illuminance sensors 51 to 56 and is included in the calibration result. In this case, the accumulated error in the illuminance sensors 51 to 56 increases in a geometric progression from the illuminance sensor 51 to the illuminance sensor 56. Specifically, the detection result including an error in each illuminance sensor is Sn (however, the illuminance sensor 51 is n = 1, the illuminance sensor 52 is n = 2,..., The illuminance sensor 56 is n = 6), and the cumulative amount. Is α, and a detection value S 0 that does not include a cumulative error in the illuminance sensor 51 is
S n = S n−1 · α
= S 0 · α n
It becomes.

本実施形態では、制御装置5は、ステップS15及びステップS16を行わせることによって、当該累積誤差が照度キャリブレーションに反映されないようにする。具体的には、制御装置5は、ステップS16の検出結果と、上記感度較正における照度センサ51の検出結果とを比較して、照度センサ56における誤差の値δを算出する。制御装置5は、算出された値に基づいて、累積分αの値を算出する。本実施形態では、照度センサ56が6つ設けられているため、α=δ1/6となる。このようにして累積分αの値を算出し、各照度センサ51〜56に含まれる累積誤差をそれぞれ算出した後、制御装置5は、当該算出結果に基づいて各照度センサ51〜56の感度を再度較正する(ステップS18)。 In the present embodiment, the control device 5 performs step S15 and step S16 so that the accumulated error is not reflected in the illuminance calibration. Specifically, the control device 5 compares the detection result of step S16 with the detection result of the illuminance sensor 51 in the sensitivity calibration, and calculates an error value δ in the illuminance sensor 56. The control device 5 calculates the value of the cumulative amount α based on the calculated value. In the present embodiment, since six illuminance sensors 56 are provided, α = δ 1/6 . After calculating the cumulative value α in this way and calculating the accumulated error included in each of the illuminance sensors 51 to 56, the control device 5 determines the sensitivity of each of the illuminance sensors 51 to 56 based on the calculation result. Calibration is performed again (step S18).

ステップS18によって照度センサ51〜56の感度較正を再度行わせた後、制御装置5は、照明モジュールIL1〜IL7及び投影光学系PL1〜PL7を通過する露光光の照度キャリブレーションを行わせる。本実施形態では、投影領域PR1、PR3、PR5、PR7の組と、投影領域PR2、PR4、PR6の組とに分けて照度キャリブレーションを行わせる。   After the sensitivity calibration of the illuminance sensors 51 to 56 is performed again in step S18, the control device 5 performs the illuminance calibration of the exposure light passing through the illumination modules IL1 to IL7 and the projection optical systems PL1 to PL7. In the present embodiment, illuminance calibration is performed separately for a set of projection areas PR1, PR3, PR5, and PR7 and a set of projection areas PR2, PR4, and PR6.

制御装置5は、まず、図8に示すように、投影領域PR1、PR3、PR5、PR7の各照度検出点m7〜m12の位置と各照度センサ51〜56の位置とを一致させるようにプレートステージPSTを移動させる(ステップS19)。プレートステージPSTを移動させた後、制御装置5は、照度センサ51〜56を用いて照度検出点m7〜m12における照度を検出させる(ステップS20)。照度検出後、制御装置5は、上記ステップS11〜S18における照度センサ51〜56の感度較正の結果と、ステップS19において検出した照度検出点m7〜m12の検出結果とに基づいて、露光光の照度を調整させる(ステップS21)。   First, as shown in FIG. 8, the control device 5 sets the plate stage so that the positions of the illuminance detection points m7 to m12 in the projection areas PR1, PR3, PR5, and PR7 coincide with the positions of the illuminance sensors 51 to 56. The PST is moved (step S19). After moving the plate stage PST, the control device 5 detects the illuminance at the illuminance detection points m7 to m12 using the illuminance sensors 51 to 56 (step S20). After detecting the illuminance, the control device 5 determines the illuminance of the exposure light based on the result of sensitivity calibration of the illuminance sensors 51 to 56 in steps S11 to S18 and the detection result of the illuminance detection points m7 to m12 detected in step S19. Is adjusted (step S21).

光の照度調整の際、制御装置5は、例えば減光フィルタ12bを光軸と直交する方向に移動させ、減光フィルタ12bを通過する光の照度を調節させる。照明モジュールIL1〜IL7及び投影光学系PL1〜PL7を通過する露光光の照度を個々に調節する場合には、制御装置5は、当該照度の調節対象となる照明モジュールIL1〜IL7に設けられている照度可変機構を用いて照度を調節する。   When adjusting the illuminance of light, for example, the control device 5 moves the neutral density filter 12b in a direction orthogonal to the optical axis to adjust the illuminance of the light passing through the neutral density filter 12b. In the case of individually adjusting the illuminance of exposure light passing through the illumination modules IL1 to IL7 and the projection optical systems PL1 to PL7, the control device 5 is provided in the illumination modules IL1 to IL7 that are the adjustment targets of the illuminance. Adjust the illuminance using the variable illuminance mechanism.

照度検出点m7〜m12についての照度キャリブレーションを行った後、制御装置5は、照度センサ51〜56を用いて照度検出点m7〜m12の照度を検出させる(ステップS22)。再検出の後、制御装置5は、再度取得した照度検出点m7〜m12の照度検出値に基づいて、ステップS17において露光光の照度調整が正確に行われた否かの判定を行う(ステップS23)。   After performing the illuminance calibration for the illuminance detection points m7 to m12, the control device 5 detects the illuminance at the illuminance detection points m7 to m12 using the illuminance sensors 51 to 56 (step S22). After the re-detection, the control device 5 determines whether or not the illuminance adjustment of the exposure light is accurately performed in step S17 based on the illuminance detection values of the illuminance detection points m7 to m12 acquired again (step S23). ).

露光光の照度調整が正確に行われていないと判定された場合(ステップS23のNO)には、制御装置5は、ステップS21の調整動作及びステップS22判断を繰り返し行わせる。露光光の照度調整が正確に行われたと判定された場合(ステップS23のYES)には、制御装置5は、プレートステージPSTを走査方向へ移動させ(ステップS24)、投影領域PR2、PR4、PR6の組についての照度キャリブレーションに移行させる。このようにして、制御装置5は、投影領域PR1、PR3、PR5、PR7の組についての照度キャリブレーションを行わせる。   When it is determined that the illuminance adjustment of the exposure light is not accurately performed (NO in step S23), the control device 5 repeatedly performs the adjustment operation in step S21 and the determination in step S22. If it is determined that the illuminance adjustment of the exposure light has been accurately performed (YES in step S23), the control device 5 moves the plate stage PST in the scanning direction (step S24), and the projection regions PR2, PR4, PR6. Shift to illuminance calibration for the set. In this manner, the control device 5 causes illuminance calibration for the set of the projection areas PR1, PR3, PR5, and PR7.

投影領域PR1、PR3、PR5、PR7の組の照度キャリブレーションを行わせた後、制御装置5は、同様の手法によって投影領域PR2、PR4、PR6の組についての照度キャリブレーションを行わせる。制御装置5は、照度センサ51〜56を用いて照度検出点m1〜m6の照度を再度検出させ(ステップS25)、当該検出結果を用いて露光光の照度調整を行わせ(ステップS26)、当該照度調整が正確に行われた否かの判定を行う(ステップS27)。露光光の照度調整が正確に行われていないと判定された場合には、再度露光光の照度を調整させ、再調整が正確に行われたか否かの判定を行う。露光光の照度調整が正確に行われたと判定された場合には、照度キャリブレーションの処理を終了させる。   After performing the illuminance calibration for the set of the projection areas PR1, PR3, PR5, and PR7, the control device 5 causes the illuminance calibration for the set of the projection areas PR2, PR4, and PR6 to be performed in the same manner. The control device 5 causes the illuminance sensors 51 to 56 to detect the illuminance at the illuminance detection points m1 to m6 again (step S25), and adjusts the illuminance of the exposure light using the detection result (step S26). It is determined whether or not the illuminance adjustment has been accurately performed (step S27). When it is determined that the illuminance adjustment of the exposure light is not accurately performed, the illuminance of the exposure light is adjusted again to determine whether the readjustment has been performed correctly. If it is determined that the illuminance adjustment of the exposure light has been accurately performed, the illuminance calibration process is terminated.

上記の照度キャリブレーションの後、制御装置5は、マスクステージMST側の照度センサ41〜46を用いて照明領域IR1〜IR7の照度検出を行わせる。制御装置5は、照明領域IR1〜IR7の照度検出についても、照明領域IR1、IR3、IR5、IR7の組と、照明領域IR2、IR4、IR6の組とに分けて照度検出を行わせる。図9及び図10は、照明領域IR1〜IR7と照度センサ41〜46との間の位置関係を示す図である。   After the illuminance calibration described above, the control device 5 causes the illumination areas IR1 to IR7 to be detected using the illuminance sensors 41 to 46 on the mask stage MST side. The controller 5 also detects the illuminance in the illumination areas IR1 to IR7 separately for the illumination areas IR1, IR3, IR5, and IR7 and the illumination areas IR2, IR4, and IR6. 9 and 10 are diagrams showing a positional relationship between the illumination regions IR1 to IR7 and the illuminance sensors 41 to 46. FIG.

制御装置5は、まず、図9に示すように、照明領域IR1、IR3、IR5、IR7のオーバーラップ照明領域である照度検出位置n1〜n6に照度センサ41〜46が重なるように、マスクステージMSTを移動させる(ステップS28)。マスクステージMSTの移動後、制御装置5は、照度センサ41〜46を用いて、各照度検出位置n1〜n6の照度を検出させる(ステップS29)。照度検出後、制御装置5は、検出結果を記憶させる(ステップS30)。   First, as shown in FIG. 9, the controller 5 sets the mask stage MST so that the illuminance sensors 41 to 46 overlap the illuminance detection positions n1 to n6 that are the overlapping illumination areas of the illumination areas IR1, IR3, IR5, and IR7. Is moved (step S28). After the movement of the mask stage MST, the control device 5 detects the illuminance at each of the illuminance detection positions n1 to n6 using the illuminance sensors 41 to 46 (step S29). After detecting the illuminance, the control device 5 stores the detection result (step S30).

検出結果を記憶させた後、制御装置5は、図10に示すように、照明領域IR2、IR4、IR6のオーバーラップ照明領域である照度検出位置n7〜n12に照度センサ41〜46が重なるように、マスクステージMSTを移動させる(ステップS31)。マスクステージMSTの移動後、制御装置5は、照度センサ41〜46を用いて、各照度検出位置n7〜n12の照度を検出させる(ステップS32)。照度検出後、制御装置5は、検出結果を記憶させる(ステップS33)。   After storing the detection results, the control device 5 causes the illuminance sensors 41 to 46 to overlap the illuminance detection positions n7 to n12 that are the overlapping illumination areas of the illumination areas IR2, IR4, and IR6, as shown in FIG. Then, the mask stage MST is moved (step S31). After moving the mask stage MST, the control device 5 uses the illuminance sensors 41 to 46 to detect the illuminance at the illuminance detection positions n7 to n12 (step S32). After detecting the illuminance, the control device 5 stores the detection result (step S33).

ステップS28〜ステップS33の動作により、制御装置5は、照度キャリブレーションの直後における照明領域IR1〜IR7の照度データを得ることができる。制御装置5は、当該照明領域IR1〜IR7の照度データを用いることにより、マスクステージMSTの照度センサ41〜46を用いて照度キャリブレーションを行わせることができる。具体的には、制御装置5は、例えばプレートステージPSTにおいてプレートPを交換している間などにおいて、マスクステージMST側の照度センサ41〜46を用いて照度キャリブレーションを行わせることができる。   The control device 5 can obtain the illuminance data of the illumination regions IR1 to IR7 immediately after the illuminance calibration by the operations of Step S28 to Step S33. The control device 5 can perform illuminance calibration using the illuminance sensors 41 to 46 of the mask stage MST by using the illuminance data of the illumination regions IR1 to IR7. Specifically, the control device 5 can perform illuminance calibration using the illuminance sensors 41 to 46 on the mask stage MST side, for example, while the plate P is exchanged in the plate stage PST.

以上のように、本実施形態によれば、プレートステージPST上の投影領域PR1〜PR7における露光光の照度を検出し、マスクステージMST上の照明領域IR1〜IR7の照度と当該検出結果とを対応付けることとしたので、マスクステージMST上の照明領域IR1〜IR7の照度を検出し、当該検出結果を用いて照明領域IR1〜IR7の照度を調節させることによって、実質的に投影領域PR1〜PR7の照度キャリブレーションを行うことができる。この場合、例えばプレートステージPSTにおいてプレートPの交換を行っている時間を利用して露光光の照度キャリブレーションを行うことができるため、それぞれを別個に行う場合に比べて、処理時間を短縮させることができる。これにより、スループットの向上を図ることができる。   As described above, according to the present embodiment, the illuminance of the exposure light in the projection areas PR1 to PR7 on the plate stage PST is detected, and the illuminance of the illumination areas IR1 to IR7 on the mask stage MST is associated with the detection result. Therefore, by detecting the illuminance of the illumination areas IR1 to IR7 on the mask stage MST and adjusting the illuminance of the illumination areas IR1 to IR7 using the detection result, the illuminance of the projection areas PR1 to PR7 is substantially increased. Calibration can be performed. In this case, for example, the exposure light illuminance calibration can be performed using the time during which the plate P is replaced in the plate stage PST, so that the processing time can be shortened as compared with the case where each is performed separately. Can do. Thereby, the throughput can be improved.

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態においては、照度センサ51〜56の検出結果を照度センサ41〜46の検出結果に対応付ける構成としたが、これに限られることは無く、例えばランプハウス10内の照度センサ11dの検出結果に対応付けるようにし、照度センサ11dの検出結果を用いて照度キャリブレーションを行うようにしても構わない。この場合、マスクステージMSTにおいてマスクMを交換している間についても照度キャリブレーションを行うことができるので、更なるスループット向上を図ることができる。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the detection results of the illuminance sensors 51 to 56 are associated with the detection results of the illuminance sensors 41 to 46. However, the present invention is not limited to this. For example, the illuminance sensor 11d in the lamp house 10 The illuminance calibration may be performed using the detection result of the illuminance sensor 11d in association with the detection result. In this case, since the illuminance calibration can be performed even while the mask M is exchanged in the mask stage MST, it is possible to further improve the throughput.

また、上記実施形態においては、露光光の照度を調整する際に、減光フィルタ12bを用いて調節する例を挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば光源11aの電力を調節することで露光光の照度を調整するようにしても構わない。また、投影光学系PLにおけるXブラインド21やYブラインド32を用いて照度を調節する構成であっても構わない。   Moreover, in the said embodiment, when adjusting the illumination intensity of exposure light, it demonstrated and demonstrated the example which adjusts using the neutral density filter 12b, but it is not restricted to this, For example, the electric power of the light source 11a is adjusted. By doing so, the illuminance of the exposure light may be adjusted. Further, the illuminance may be adjusted using the X blind 21 or the Y blind 32 in the projection optical system PL.

また、上記実施形態においては、プレートステージPST上の投影領域PR1〜PR7の照度を検出する照度センサ50が6つ(照度センサ51〜56)である例を挙げて説明したが、これに限られることは無く、照度センサ50が1つ以上であれば良い。   Further, in the above-described embodiment, the example in which the illuminance sensors 50 for detecting the illuminances of the projection regions PR1 to PR7 on the plate stage PST are six (illuminance sensors 51 to 56) has been described, but the present invention is not limited thereto. There is nothing, and it is sufficient if the illuminance sensor 50 is one or more.

なお、上述の実施形態のプレートPとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。   In addition, as the plate P of the above-described embodiment, not only a glass substrate for a display device but also a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus ( Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

なお、露光装置EXとしては、マスクMとプレートPとを同期移動してマスクMのパターンを介した露光光ELでプレートPを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMとプレートPとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、プレートPを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。   As the exposure apparatus EX, a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the plate P with the exposure light EL through the pattern of the mask M by moving the mask M and the plate P synchronously. In addition, the pattern of the mask M is collectively exposed while the mask M and the plate P are stationary, and is applied to a step-and-repeat projection exposure apparatus (stepper) that sequentially moves the plate P stepwise. Can do.

また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。   The present invention also relates to a twin-stage type exposure having a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It can also be applied to devices.

また、本発明は、米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。   Further, the present invention relates to a substrate stage for holding a substrate as disclosed in US Pat. No. 6,897,963, European Patent Application No. 1713113, etc., and a reference mark without holding the substrate. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a formed reference member and / or a measurement stage on which various photoelectric sensors are mounted. An exposure apparatus including a plurality of substrate stages and measurement stages can be employed.

露光装置EXの種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、プレートPに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, but an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on a plate P, a thin film magnetic head, and an image sensor (CCD). In addition, the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, MEMS, DNA chip, reticle, mask, or the like.

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。   In each of the above-described embodiments, the position information of each stage is measured using an interferometer system including a laser interferometer. However, the present invention is not limited to this. For example, a scale (diffraction grating) provided in each stage You may use the encoder system which detects this.

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。   In the above-described embodiment, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in US Pat. No. 6,778,257, a variable shaped mask (also called an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. ) May be used. Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element.

上述の実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   The exposure apparatus EX of the above-described embodiment is manufactured by assembling various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Is done. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図6に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板(感光剤)を現像することを含む基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。なお、ステップ204では、感光剤を現像することで、マスクのパターンに対応する露光パターン層(現像された感光剤の層)を形成し、この露光パターン層を介して基板を加工することが含まれる。   As shown in FIG. 6, a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on the design step, and a substrate as a base material of the device. Manufacturing step 203, including substrate processing (exposure processing) including exposing the substrate with exposure light using a mask pattern and developing the exposed substrate (photosensitive agent) according to the above-described embodiment The substrate is manufactured through a substrate processing step 204, a device assembly step (including processing processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process) 205, an inspection step 206, and the like. In step 204, the photosensitive agent is developed to form an exposure pattern layer (developed photosensitive agent layer) corresponding to the mask pattern, and the substrate is processed through the exposure pattern layer. It is.

EX…露光装置 M…マスク EL…露光光 IS…照明システム MST…マスクステージ PST…プレートステージ PL…投影光学系 IL…照明モジュール m1〜m12、n1〜n12…照度検出点 IR1〜IR7…照明領域IR PR1〜PR7…投影領域PR 10…ランプハウス 11d…照度センサ 40、41〜46…照度センサ 50、51〜56…照度センサ   EX ... Exposure apparatus M ... Mask EL ... Exposure light IS ... Illumination system MST ... Mask stage PST ... Plate stage PL ... Projection optical system IL ... Illumination module m1-m12, n1-n12 ... Illuminance detection point IR1-IR7 ... Illumination area IR PR1 to PR7 Projection area PR 10 Lamp house 11d Illuminance sensor 40, 41 to 46 Illuminance sensor 50, 51 to 56 Illuminance sensor

Claims (17)

第1面に配置されたパターンに露光光を照射する工程と、
第2面に配置された基板に前記パターンを介した前記露光光を照射する工程と、
前記第2面よりも前記露光光の光路の上流側で該露光光の第1照度を検出する工程と、
前記第2面における前記露光光の第2照度を検出する工程と、
前記第1照度と前記第2照度とを対応付ける工程と、
前記第1照度に基づいて前記第2照度を調整する工程と、
を含む露光方法。
Irradiating exposure light to the pattern disposed on the first surface;
Irradiating the substrate disposed on the second surface with the exposure light via the pattern;
Detecting a first illuminance of the exposure light upstream of the optical path of the exposure light from the second surface;
Detecting a second illuminance of the exposure light on the second surface;
Associating the first illuminance with the second illuminance;
Adjusting the second illuminance based on the first illuminance;
An exposure method comprising:
前記第1照度は、前記第2面と光学的に共役な共役面における前記露光光の照度である請求項1に記載の露光方法。   The exposure method according to claim 1, wherein the first illuminance is an illuminance of the exposure light on a conjugate plane optically conjugate with the second surface. 前記基板に前記露光光を照射する工程は、前記パターンの像を前記第2面に投影することを含み、
前記共役面は、前記第1面である請求項2に記載の露光方法。
Irradiating the substrate with the exposure light includes projecting an image of the pattern onto the second surface;
The exposure method according to claim 2, wherein the conjugate plane is the first plane.
前記第2照度を検出する工程は、前記第2面の複数の位置における前記第2照度を検出し、
前記第1照度を検出する工程は、前記複数の位置とそれぞれ共役な複数の共役位置における前記第1照度を検出する請求項2または3に記載の露光方法。
The step of detecting the second illuminance detects the second illuminance at a plurality of positions on the second surface,
4. The exposure method according to claim 2, wherein the step of detecting the first illuminance detects the first illuminance at a plurality of conjugate positions conjugate with the plurality of positions. 5.
前記第2照度を検出する工程は、前記複数の位置における前記第2照度をそれぞれ異なるセンサによって検出する請求項4に記載の露光方法。   5. The exposure method according to claim 4, wherein in the step of detecting the second illuminance, the second illuminance at the plurality of positions is detected by different sensors. 前記第2照度を検出する工程は、
前記複数の位置のうちの第1位置における前記第2照度を複数の前記センサのうちの第1センサによって検出することと、
前記複数の位置のうちの第2位置における前記第2照度を複数の前記センサのうちの第2センサによって検出することと、
前記第2位置における前記第2照度を前記第1センサによって検出することと、
前記第1位置および前記第2位置における前記第1センサの各検出結果に基づいて、前記第1センサおよび前記第2センサの較正を行うことと、
を含む請求項5に記載の露光方法。
The step of detecting the second illuminance includes
Detecting the second illuminance at a first position of the plurality of positions by a first sensor of the plurality of sensors;
Detecting the second illuminance at a second position of the plurality of positions by a second sensor of the plurality of sensors;
Detecting the second illuminance at the second position by the first sensor;
Calibrating the first sensor and the second sensor based on detection results of the first sensor at the first position and the second position;
The exposure method according to claim 5 comprising:
前記複数の位置は、所定方向に沿って配列され、
前記第1位置および前記第2位置は、それぞれ前記複数の位置のうちの一端位置および他端位置であり、
前記第2照度を検出する工程は、前記第1位置および前記第2位置における前記第1センサの各検出結果に基づいて、前記複数の位置のうち前記第1位置と前記第2位置との間に配置された各位置に対応する複数の前記センサの較正を行うことを含む請求項6記載の露光方法。
The plurality of positions are arranged along a predetermined direction,
The first position and the second position are one end position and the other end position of the plurality of positions, respectively.
The step of detecting the second illuminance includes, based on the detection results of the first sensor at the first position and the second position, between the first position and the second position among the plurality of positions. The exposure method according to claim 6, further comprising: calibrating a plurality of the sensors corresponding to the respective positions arranged on the surface.
前記較正は、前記第1位置および前記第2位置における前記第1センサの各検出値の差に基づいて行われる請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光方法。   The exposure method according to claim 1, wherein the calibration is performed based on a difference between detection values of the first sensor at the first position and the second position. 前記第1照度を検出する工程および前記第2照度を調整する工程の少なくとも一方は、前記基板の交換処理が行われる期間に実施される請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光方法。   The exposure method according to claim 1, wherein at least one of the step of detecting the first illuminance and the step of adjusting the second illuminance is performed during a period in which the substrate replacement process is performed. . 前記第2照度を調整する工程は、前記露光光の光源の発光量と、前記第1面よりも前記露光光の光路の上流側の所定位置における該露光光の透過率との少なくとも一方を変化させる請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光方法。   The step of adjusting the second illuminance changes at least one of a light emission amount of the light source of the exposure light and a transmittance of the exposure light at a predetermined position on the upstream side of the optical path of the exposure light from the first surface. The exposure method according to any one of claims 1 to 9. 第1ステージに配置されたマスクに露光光を照射し、第2ステージに配置された基板に前記マスクのパターンを介した前記露光光を照射する露光装置であって、
前記第2ステージよりも前記露光光の光路の上流側で該露光光の第1照度を検出する第1検出装置と、
前記第2ステージに設けられ、該第2ステージにおける前記露光光の第2照度を検出する第2検出装置と、
前記第1照度と前記第2照度とを対応付け、前記第1照度に基づいて前記第2照度の調整情報を出力する制御装置と、
を備える露光装置。
An exposure apparatus that irradiates a mask disposed on a first stage with exposure light and irradiates the substrate disposed on a second stage with the exposure light via a pattern of the mask,
A first detector that detects a first illuminance of the exposure light upstream of the optical path of the exposure light from the second stage;
A second detector provided on the second stage for detecting a second illuminance of the exposure light in the second stage;
A controller that associates the first illuminance with the second illuminance and outputs adjustment information of the second illuminance based on the first illuminance;
An exposure apparatus comprising:
前記第1検出装置は、前記第1ステージに設けられる請求項11に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 11, wherein the first detection device is provided on the first stage. 前記第1ステージに配置された前記マスクのパターンの像を、前記第2ステージに配置された前記基板に投影する投影光学系を備える請求項11または12に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 11, further comprising a projection optical system that projects an image of the pattern of the mask disposed on the first stage onto the substrate disposed on the second stage. 前記第2検出装置は、前記投影光学系の結像面内の複数の位置における前記第2照度を検出し、
前記第1検出装置は、前記複数の位置とそれぞれ共役な複数の共役位置における前記第1照度を検出する請求項13に記載の露光装置。
The second detection device detects the second illuminance at a plurality of positions in an imaging plane of the projection optical system;
The exposure apparatus according to claim 13, wherein the first detection device detects the first illuminance at a plurality of conjugate positions conjugate with the plurality of positions.
前記第2検出装置は、前記複数の位置における前記第2照度をそれぞれ検出する複数のセンサを含む請求項14に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 14, wherein the second detection apparatus includes a plurality of sensors that respectively detect the second illuminance at the plurality of positions. 前記調整情報に基づいて、前記露光光の光源の発光量と、前記第1ステージよりも前記露光光の光路の上流側の所定位置における該露光光の透過率との少なくとも一方を変化させる調整装置を備える請求項11〜15のいずれか一項に記載の露光装置。   An adjustment device that changes at least one of a light emission amount of the light source of the exposure light and a transmittance of the exposure light at a predetermined position upstream of the optical path of the exposure light from the first stage based on the adjustment information. An exposure apparatus according to any one of claims 11 to 15. 請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光方法を用いて前記基板を露光することと、
露光された前記基板を現像して、前記パターンに対応する露光パターン層を形成することと、
前記露光パターン層を介して前記基板を加工することと、を含むデバイス製造方法。
Exposing the substrate using the exposure method according to any one of claims 1 to 10,
Developing the exposed substrate to form an exposed pattern layer corresponding to the pattern;
Processing the substrate through the exposure pattern layer.
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