JP2010251236A - 積層型発光表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】積層素子の製造工程における膜厚変動による色度の変動を抑制することが可能な積層型発光表示装置を提供する。
【解決手段】複数の電極３０，４０，５０，６０とＥＬ層３１，４１，５１とが交互に積層された構造を有する。積層された最も外側のＥＬ層３１の発光層より外側に、少なくとも１つのＥＬ層の発光光を反射する反射面を有する。該反射面から、該反射面が反射する発光光を放射する発光層の反射面側界面までの光学的距離Ｌが、下記条件式（１）を満たすように透明厚膜層２１を有する。
２Ｌ／λ＋δ／２π≧８ ・・・ 条件式（１）
但し、λ：取り出される光のピーク波長
δ：反射面における位相シフト量
【選択図】 図１

Description

本発明は、有機化合物を用いた発光素子を利用した表示装置に関するものであり、さらに詳しくは、有機化合物からなる薄膜に電界を印加することにより光を放出する有機ＥＬ素子を用いた積層型発光表示装置に関するものである。

現在、有機ＥＬ素子（有機発光素子、有機エレクトロルミネッセンス素子）が盛んに研究開発されている。最近では、表示装置の共通の区域から各色を発光できるようにするため、有機ＥＬ媒体を積層して配列した高解像度表示装置の研究開発が進められている。特許文献１には、各積層体から各色の光を発光させるために、夫々の層に個別のバイアス電圧を入力できるように構成された表示装置が開示されている。

特表平１０−５０３８７８号公報

しかし、複数のＥＬ層を積層させて構成する従来技術では、以下の課題があった。すなわち、単に複数のＥＬ層を積層させるだけでは、積層されていない構成の表示装置に比べて有機機能層の合計膜厚が厚いため、成膜工程における膜厚変動の絶対量が大きくなり、光干渉の影響による色度変動が発生しやすくなるという課題である。

そこで、本発明は、積層素子の製造工程における膜厚変動による色度の変動を抑制することが可能な積層型発光表示装置を提供することを目的とする。

本発明の積層型発光表示装置は、上述した目的を達成するため、以下の特徴を有している。すなわち、本発明の積層型発光表示装置は、基板と、該基板上に積層された第１電極と、該第１電極の上に形成された所定の色を発する第１乃至第ｎ（ｎは２以上の自然数）発光層を含む第ｎＥＬ層と、第２乃至第ｎ＋１電極とが交互に積層されている。また、積層された最も外側のＥＬ層の発光層より外側に、少なくとも１つのＥＬ層の発光光を反射する反射面を１つ有し、該反射面の反対側から光取り出しを行うようになっている。そして、反射面から、該反射面が反射する発光光を放射する発光層の反射面側界面までの光学的距離Ｌが、下記条件式（１）を満たすように透明厚膜層を有することを特徴とするものである。

２Ｌ／λ＋δ／２π≧８ ・・・ 条件式（１）
但し、λ：取り出される光のピーク波長
δ：反射面における位相シフト量

本発明の積層型発光表示装置によれば、反射面から、該反射面が反射する発光光を放射する発光層の反射面側界面との光学的距離Ｌが条件式（１）を満たすように透明厚膜層を有している。これにより、光反射面からの反射光による光学干渉効果を抑制することができるので、膜厚ばらつきによる色度ずれを抑制することが可能となる。

本発明の実施形態に係る上面光取り出し型の積層型発光表示装置の構成を示す模式図である。 本発明の実施形態に係る下面光取り出し型の積層型発光表示装置の構成を示す模式図である。 本発明の実施例に係る上面光取り出し型の積層型発光表示装置の構成を示す模式図である。 本発明の比較例に係る上面光取り出し型の積層型発光表示装置の構成を示す模式図である。 本発明の実施例に係る発光表示装置の第１発光層から反射層の間の膜厚と第１発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｙ）の関係を示すグラフである。 本発明の実施例に係る発光表示装置の第２発光層から反射層の間の膜厚と第２発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｘ）の関係を示すグラフである。 本発明の実施例に係る発光表示装置の第３発光層から反射層の間の膜厚と第３発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｘ）の関係を示すグラフである。 本発明の比較例に係る発光表示装置の第１発光層から反射層の間の膜厚と第１発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｙ）の関係を示すグラフである。 本発明の比較例に係る発光表示装置の第２発光層から反射層の間の膜厚と第２発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｘ）の関係を示すグラフである。 本発明の比較例に係る発光表示装置の第３発光層から反射層の間の膜厚と第３発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｘ）の関係を示すグラフである。

以下、本発明の積層型発光表示装置の実施形態を説明する。

まず、本発明の実施形態に係る積層型発光表示装置の基本構成について説明する。本発明の実施形態に係る積層型発光表示装置は、基板と、該基板上に積層された第１電極と、該第１電極の上に形成された所定の色を発する第１乃至第ｎ（ｎは２以上の自然数）発光層を含む第ｎＥＬ層と、第２乃至第ｎ＋１電極とが交互に積層されている。また、積層された最も外側のＥＬ層の発光層より外側に、少なくとも１つのＥＬ層の発光光を反射する反射面を１つ有し、該反射面の反対側から光取り出しを行うようになっている。

そして、反射面から、反射面が反射する発光光を放射する発光層の反射面側界面までの光学的距離Ｌが、下記条件式（１）を満たすように透明厚膜層を有している。

２Ｌ／λ＋δ／２π≧８ ・・・ 条件式（１）
但し、λ：取り出される光のピーク波長
δ：反射面における位相シフト量
上記構成において、第１乃至第４の電極を形成し、各電極の間に第１乃至第３ＥＬ層を積層した構造とすることが可能である。また、第１乃至第３の電極を形成し、各電極の間に第１乃至第２ＥＬ層を積層した構造とすることが可能である。

このような構成からなる積層型発光表示装置によれば、反射面と、該反射面が反射する発光光を放射する発光層の反射面側界面との光学的距離Ｌが上記条件式（１）を満たすように透明厚膜層を有している。したがって、光反射面からの反射光による光学干渉効果を抑制して、膜厚ばらつきによる色度ずれを抑制することができる。

ここで、光学干渉効果を抑制する条件について検討する。光学干渉効果を抑制するためには、下記条件式（２）を満足する必要がある。

２Ｌ／λ＋δ／２π≧ｍ ・・・ 条件式（２）
この条件式（２）において、δ〜πとすると、下記条件式（３）を得ることができる。

Ｌ≧（λ／４）・（２ｍ−１） ・・・ 条件式（３）
そして、上記条件式（３）において、Ｌが２μｍ以上で干渉しづらくなるという条件より、下記条件式（４）を得ることができる。

（λ／４）・（２ｍ−１）≧２０００（ｎｍ） ・・・ 条件式（４）。
上記条件式（４）を整理して、下記条件式（５）を得ることができる。

ｍ≧（４０００／λ）＋１／２ ・・・ 条件式（５）

λが最大の赤の場合が一番厳しい（ｍが小さい）条件となり、λ＝６１０ｎｍとして、ｍ≧７．０５よりｍは８以上となり、上記条件式（１）を得ることができる。

また、透明厚膜層の基板側に反射面を形成し、反射面と第１電極との間に透明厚膜層を形成することが可能である。このような構成からなる積層型発光表示装置によれば、透明厚膜層が、電極やＥＬ層など電気的機能を有する層の外側に配置されるので、光学的条件を独立に最適化することができる。

また、光取り出し面に最も近いＥＬ層の光取り出し面側に、カラーフィルターを形成することが可能である。このような構成からなる積層型発光表示装置によれば、光学干渉を利用しなくても色純度を向上させることができる。

次に、図面を参照して、本発明の実施形態に係る積層型発光表示装置につて、具体的に説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る上面光取り出し型の積層型発光表示装置の構成を示す模式図であり、ＥＬ層を３層積層した上面光取り出し（トップエミッション）型の積層型発光表示装置を示している。また、図２は、本発明の実施形態に係る下面光取り出し型の積層型発光表示装置の構成を示す模式図である。なお、図２において、図１と同様の機能を有する部材には、同一の記号を付している。

図１に示すように、基板１はガラスなどが好適に用いられ、支持体１０の他、例えばアクティブマトリクス型の発光表示装置の場合は、ＴＦＴ駆動回路１１とその上に形成された平坦化膜１２、コンタクトホール１３などから構成される。

反射層２０は、積層される複数のＥＬ層の外側で、かつ光取り出し面と反対側に形成され、光取り出し面と反対側への光束７１を正面に取り出すために設ける。反射層２０の光取り出し面側の界面が反射面となる。反射層２０の材料としては、Ａｌ、Ａｇなどの金属およびそれらを含有する合金が好適に用いられる。

透明厚膜層２１は、本発明の積層型発光表示装置の効果を発現する部位である。反射層２０と第１発光層の間にあればよく、例えば、第１ＥＬ層３１の発光層と第１電極３０の間の有機層が透明厚膜層２１を兼ねてもよい。また、第１電極３０が透明厚膜層２１を兼ねてもよい。さらに、第１電極３０と反射層２０との間に、単一機能層としての透明厚膜層２１を設けてもよい。透明厚膜層２１には透明な材質を用いるが、透明厚膜層２１の光取り出し面側に隣接する層と光学特性が近いほど、主反射面以外の光学界面による干渉効果を低減できるのでよい。透明厚膜層２１が機能するために必要な厚さは、表示装置の構造や透明厚膜層２１の材質によっても異なるが、本発明の実施形態に例示した１０００ｎｍ程度の厚さで効果を発現した。

第１電極３０は、少なくとも透明な膜を含み、ＩＴＯなどの導電性酸化膜が好適に用いられる。透明厚膜層２１の機能を兼ね備えることもできる。

第１ＥＬ層３１、第２ＥＬ層４１、第３ＥＬ層５１は、互いに異なる発光色を有する有機発光機能層であり、それぞれホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの有機機能層を積層した構造が好適に用いられる。これらの有機機能層の成膜方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法などが好適に用いられる。各ＥＬ層の発光色は特に限定されないが、赤色、緑色、青色の３色の発光色を有するＥＬ層からなる積層構造が好適に用いられる。また、ＥＬ層の積層順については特に限定されない。

第２電極４０と第３電極５０は、中間電極として機能する。本発明では、特にＩＴＯなどの透明導電膜が好適に用いられる。

第４電極６０は、上部電極として機能する。図１に示す実施形態では、特にＩＴＯなどの透明導電性膜が好適に用いられる。光取り出し面での反射を防止するために、第４電極６０上に樹脂層などを設けてもよい。

また、図示しない保護層あるいは封止基板と吸湿材を使用して、積層型発光表示装置の防湿性を確保することもできる。

また、図示しないカラーフィルターを光取り出し面側に配置して、色純度を高めることもできる。例えば、赤・緑・青色の３層積層構成とした積層型発光表示装置を、赤色・青色の２色を表示させる画素と、緑色・青色の２色を表示させる画素とに分けて駆動する場合に、各画素に対応する２色透過フィルターを配置すればよい。これにより、所望の２色を純度良く取り出すことができる。赤色・青色の画素上に配置する２色フィルターとしては、マゼンダの補色カラーフィルターが好適に用いられ、緑色・青色の画素上に配置する２色フィルターとしては、シアンの補色カラーフィルターが好適に用いられる。

以上に例示した構成により、各ＥＬ層からの発光を正面取り出し光７０として光取り出し面から取り出すと同時に、光取り出し面と反対側への光束７１の反射光と正面取り出し光７０の光学干渉を抑制することができる。

また、例示した上面光取り出し型の発光表示装置の他、図２に例示する下面光取り出し（ボトムエミッション）型の発光表示装置であってもよい。この場合も、透明厚膜層２１は光取り出し面から最も遠いＥＬ層（図２に示す例では第３ＥＬ層５１）の発光層と反射層２０の間に配置されていればよく、単一機能層として設けてもよいし、他の機能層を兼ねる兼用層として設けてもよい。

次に、本発明の積層型発光表示装置につて、具体的な実施例を説明する。

図３は、本発明の実施例に係る上面光取り出し型の積層型発光表示装置の構成を示す模式図である。

実施例として、以下の手順により、図３に示す構造を有する３層積層系の赤・緑・青色からなる積層型発光表示装置を作製した。

ガラス製の支持体１０上に低温ポリシリコンからなるＴＦＴ駆動回路１１を形成し、その上にアクリル樹脂からなる平坦化膜１２を形成して基板１とした。

次に、基板１の平坦化膜１２上に、反射層２０としてＡｌ膜をスパッタ法で１５０ｎｍの厚さに形成した。

次に、反射層２０上に、透明厚膜層２１として窒化ケイ素膜をスパッタ法で１０００ｎｍの厚さに形成した。

次に、平坦化膜１２と反射層２０と透明厚膜層２１を貫通して、ＴＦＴ駆動回路１１と第１電極３０を接続する、画素パターンに対応した複数のコンタクトホール１３を形成した。

次に、第１電極３０として、スパッタ法でＩＺＯを２０ｎｍ成膜してパターニングし、陽極を形成した。さらに、アクリル樹脂により、図示しない素子分離膜を形成して、画素パターンを形成した。これをＵＶ／オゾン洗浄して、第１ＥＬ層３１以降の工程に使用した。

第１ＥＬ層３１のホール輸送層として下記化学式１で表されるアリールアミン系化合物を、真空蒸着にて１２５ｎｍ成膜した。この際の真空度は、１×１０^-4Ｐａ、蒸着レートは０．３ｎｍ／ｓｅｃであった。

次に、第１ＥＬ層３１の発光層として、青色の発光層を成膜した。青色の発光層としては、ホストとして下記化学式２で表される化合物と、下記化学式３で表される発光性化合物を共蒸着（重量比８０：２０）して、３５ｎｍの第１ＥＬ層３１の発光層を設けた。蒸着時の真空度は１×１０^-4Ｐａ、成膜速度は０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜した。

さらに、第１ＥＬ層３１の電子輸送層として、バソフェナントロリンを真空蒸着法にて１０ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は１×１０^-4Ｐａ、成膜速度は０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。

次に、第１ＥＬ層３１の電子注入層として、バソファナントロリンとＣｓ₂ＣＯ₃を共蒸着（重量比９０：１０）して７０ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は３×１０^-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。

この電子注入層まで成膜した基板を、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、シャドーマスクを用いてＩＴＯを９０ｎｍで成膜し、第２電極４０とした。

次に、真空を破ること無しに蒸着装置に移動し、第２ＥＬ層４１のホール注入層として、ＧａＰｃを、各画素に２ｎｍの厚さで成膜した。この際の真空度は１×１０^-4Ｐａ、蒸着レートは０．１ｎｍ／ｓｅｃであった。

次に、第２ＥＬ層４１のホール輸送層として、上記化学式１で表される化合物を、各画素に２９０ｎｍの厚さで成膜した。この際の真空度は１×１０^-4Ｐａ、蒸着レートは０．３ｎｍ／ｓｅｃであった。

次に、第２ＥＬ層４１の発光層として、緑色の発光層を成膜した。緑色の発光層としては、ホストとしてＡｌｑ３と発光性化合物クマリン６を共蒸着（重量比９９：１）して、４０ｎｍの発光層を設けた。蒸着時の真空度は１×１０^-4Ｐａ、成膜速度は０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜した。

次に、第２ＥＬ層４１の電子輸送層として、バソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を真空蒸着法にて１０ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は１×１０^-4Ｐａ、成膜速度は０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。

次に、第２ＥＬ層４１の電子注入層として、シャドーマスクを用いて、ＢｐｈｅｎとＣｓ₂ＣＯ₃を共蒸着（重量比９０：１０）して７０ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は３×１０^-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。

この電子注入層まで成膜した基板を、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、シャドーマスクを用いてＩＴＯを９０ｎｍ成膜し、第３電極５０とした。

次に、第３電極５０上に、第３ＥＬ層５１と第４電極６０とを以下の手順で積層した。

まず、第３ＥＬ層５１のホール注入層として、ＧａＰｃを、各画素に２ｎｍの厚さで成膜した。この際の真空度は１×１０^-4Ｐａ、蒸着レートは０．１ｎｍ／ｓｅｃであった。

次に、第３ＥＬ層５１のホール輸送層として上記化学式１で表される化合物を、各画素に２６０ｎｍの厚さで成膜した。この際の真空度は１×１０^-4Ｐａ、蒸着レートは０．３ｎｍ／ｓｅｃである。

次に、第３発光層として赤色の発光層を成膜した。赤色の発光層は、ホストとしてＡｌｑ３と、発光性化合物ＤＣＭ［４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ］を共蒸着（重量比９９：１）し、３０ｎｍの膜厚とした。

次に、第３ＥＬ層５１の電子輸送層として、バソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を真空蒸着法にて１０ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は１×１０^-4Ｐａ、成膜速度は０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。

次に、第３ＥＬ層５１の電子注入層として、ＢｐｈｅｎとＣｓ₂ＣＯ₃を共蒸着（重量比９０：１０）して４０ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は３×１０^-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。

この基板を、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、シャドーマスクを用いてＩＴＯを６０ｎｍ成膜し，第４電極６０とした。

最後に、この基板を窒素雰囲気中に移し、吸湿材を貼り付けたガラスキャップを使用して封止した。

以上の手順により、Ｂ，Ｇ，Ｒの３層積層の発光表示装置を得た。得られた発光表示装置における条件式（１）の左辺の値は、Ｂ：９．５、Ｇ：１２、Ｒ：１３である。（但し、光学的距離は屈折率１．８、各発光層のλを４６０、５２０、６１０ｎｍとして計算した。）

また同時に、工程ばらつきにより膜厚が変動した場合の色度への影響を調べるために、透明厚膜層の膜厚が８９０〜１１１０ｎｍの複数の発光表示装置を同じ手順により作製した。

次に、上記の手順で得られた発光表示装置を発光させて色度を測定することにより、図５から図７に示す結果が得られた。図５は、本発明の実施例に係る発光表示装置の第１発光層から反射層の間の膜厚と第１発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｙ）の関係を示すグラフである。また、図６は、本発明の実施例に係る発光表示装置の第２発光層から反射層の間の膜厚と第２発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｘ）の関係を示すグラフである。また、図７は、本発明の実施例に係る発光表示装置の第３発光層から反射層の間の膜厚と第３発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｘ）の関係を示すグラフである。

各発光層から反射層２０までの膜厚が±５％程度変動した場合の色度変動幅は、第１発光層で約０．０４（青色、ＣＩＥ＿ｙ）、第２発光層で約０．０３（緑色、ＣＩＥ＿ｘ）、第３発光層で約０．０３（赤色、ＣＩＥ＿ｘ）であった。

［比較例］
比較例として、透明厚膜層２１を形成しないことを除いては実施例と同様の手順で、図４に示す積層型発光表示装置を作製し、Ｂ，Ｇ，Ｒの３層積層の発光表示装置を得た。図４は、本発明の比較例に係る上面光取り出し型の積層型発光表示装置の構成を示す模式図である。

得られた発光表示装置における条件式（１）の左辺の値は、Ｂ：１．６、Ｇ：４．９、Ｒ：７．０である。（但し、光学的距離は屈折率１．８、各発光層のλを４６０、５２０、６１０ｎｍとして計算した。）

ここでも、実施例と同様に工程ばらつきにより膜厚が変動した場合の色度への影響を調べるために、同じ手順により複数の発光表示装置を作成した。これの発光表示装置は、第１ＥＬ層のホール輸送層の膜厚が１１５〜１３５ｎｍの発光表示装置、第２ＥＬ層のホール輸送層の膜厚が２６０〜３２０ｎｍの発光表示装置、第３ＥＬ層のホール輸送層の膜厚が２００〜３２０ｎｍの発光表示装置である。

次に、上記の手順で得られた発光表示装置を発光させて色度を測定し、図８から図１０に示す結果が得られた。図８は、本発明の比較例に係る発光表示装置の第１発光層から反射層の間の膜厚と第１発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｙ）の関係を示すグラフである。図９は、本発明の比較例に係る発光表示装置の第２発光層から反射層の間の膜厚と第２発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｘ）の関係を示すグラフである。図１０は、本発明の比較例に係る発光表示装置の第３発光層から反射層の間の膜厚と第３発光層の発光色度（ＣＩＥ＿ｘ）の関係を示すグラフである。

各発光層から反射層２０までの膜厚が±５％程度変動した場合の色度変動幅は、第１発光層で約０．０９（青色、ＣＩＥ＿ｙ）、第２発光層で約０．１１（緑色、ＣＩＥ＿ｘ）、第３発光層で約０．０７（赤色、ＣＩＥ＿ｘ）であった。

実施例と比較例の発光表示装置の比較から、何れの発光層においても実施例に示す本発明の積層型発光表示装置の色度変動幅が小さかった。これらの結果より、透明厚膜層を設けることによって光学干渉が抑制され、膜厚変動の影響を軽減することによって歩留まりを向上させる効果を確認できた。

１：基板、１０：支持体、１１：ＴＦＴ駆動回路、１２：平坦化膜、１３：コンタクトホール、２０：反射層、２１：透明厚膜層、３０：第１電極（下部電極）、３１：第１ＥＬ層、４０：第２電極（中間電極）、４１：第２ＥＬ層、５０：第３電極（中間電極）、５１：第３ＥＬ層、６０：第４電極（上部電極）、７０：正面取り出し光、７１：光取り出し面と反対側への光束

Claims (5)

1. 基板と、該基板上に積層された第１電極と、該第１電極の上に形成された所定の色を発する第１乃至第ｎ（ｎは２以上の自然数）発光層を含む第ｎＥＬ層と、第２乃至第ｎ＋１電極とが交互に積層され、積層された最も外側のＥＬ層の発光層より外側に、少なくとも１つのＥＬ層の発光光を反射する反射面を１つ有し、該反射面の反対側から光取り出しを行う積層型発光表示装置において、
   前記反射面から、前記反射面が反射する発光光を放射する発光層の前記反射面側界面までの光学的距離Ｌが、下記条件式（１）を満たすように透明厚膜層を有することを特徴とする積層型発光表示装置。
   ２Ｌ／λ＋δ／２π≧８ ・・・ 条件式（１）
   但し、λ：取り出される光のピーク波長
   δ：反射面における位相シフト量
2. 基板と、該基板上に積層された第１電極と、該第１電極の上に形成された所定の色を発する第１発光層を含む第１ＥＬ層と、第２電極と、第２発光層を含む第２ＥＬ層と、第３電極と、第３発光層を含む第３ＥＬ層と、第４電極とが交互に積層され、積層された最も外側のＥＬ層の発光層より外側に、少なくとも１つのＥＬ層の発光光を反射する反射面を１つ有し、該反射面の反対側から光取り出しを行う積層型発光表示装置において、
   前記反射面から、前記反射面が反射する発光光を放射する発光層の前記反射面側界面までの光学的距離Ｌが、下記条件式（１）を満たすように透明厚膜層を有することを特徴とする積層型発光表示装置。
   ２Ｌ／λ＋δ／２π≧８ ・・・ 条件式（１）
   但し、λ：取り出される光のピーク波長
   δ：反射面における位相シフト量
3. 基板と、該基板上に積層された第１電極と、該第１電極の上に形成された所定の色を発する第１発光層を含む第１ＥＬ層と、第２電極と、第２発光層を含む第２ＥＬ層と、第３電極とが交互に積層され、積層された最も外側のＥＬ層の発光層より外側に、少なくとも１つのＥＬ層の発光光を反射する反射面を１つ有し、該反射面の反対側から光取り出しを行う積層型発光表示装置において、
   前記反射面から、前記反射面が反射する発光光を放射する発光層の前記反射面側界面までの光学的距離Ｌが、下記条件式（１）を満たすように透明厚膜層を有することを特徴とする積層型発光表示装置。
   ２Ｌ／λ＋δ／２π≧８ ・・・ 条件式（１）
   但し、λ：取り出される光のピーク波長
   δ：反射面における位相シフト量
4. 前記反射面は、前記透明厚膜層の前記基板側に形成され、
   前記透明厚膜層は、前記反射面と第１電極の間に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の積層型発光表示装置。
5. 光取り出し面に最も近い前記ＥＬ層の光取り出し面側に、カラーフィルターが形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の積層型発光表示装置。

Images