JP2010250900A - ヘッド・スライダとディスクとの接触を検知するディスク装置及びヘッド・スライダとディスクとの接触を検知する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】接触発生時に発生するスライダ振動が小さく、磁気ディスク装置内でのヘッド・スライダとディスクの接触発生を検知できない場合がある。
【解決手段】スライダ１３をスライダ浮上高さ方向に及び／もしくはオフトラック方向に微小振動させてヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振を引き起こす。この状態でスライダ１３および磁気ディスク２の接触検知動作を実施することで、スライダ１３および磁気ディスク２の表面に塗布された潤滑剤層３１の接触を、感度良く、確実に検知することができる。スライダ１３および磁気ディスク２の固体接触開始前に接触検知が可能であり、かつオフトラック方向の振動を検知するため、ヘッド・ディスク・インターフェイスの信頼性を損ねることなく、精度良くスライダ１３および磁気ディスク２の接触検知を実施することが可能である。
【選択図】図１

Description

本発明は、ヘッド・スライダとディスクとの接触を検知するディスク装置及びヘッド・スライダとディスクとの接触を検知する方法に関し、特に、素子の浮上高さを調整するアクチュエータを有するディスク装置におけるヘッド・スライダとディスクとの接触検知に関する。

磁気ディスク装置や光ディスク装置、光磁気ディスク装置といったディスク装置において、ディスクの記録層とヘッド・スライダの記録再生素子との間隔が小さいほど、情報記録密度を向上できる。そのため、ディスク装置の情報記録密度向上に伴い、ヘッド・スライダの低浮上化が進んでいる。

例えば、磁気ディスク装置の情報記録密度向上のためには、磁気ヘッド・スライダに搭載された記録素子／再生素子と、磁気ディスク表面にスパッタリング等によって構成される磁性膜との間隔、いわゆる磁気スペーシングを狭小化する必要がある。現在の磁気ディスク装置においては、磁性膜上にはＤＬＣ（Diamond Like Carbon）保護膜が構成され、さらにそのＤＬＣ保護膜上に潤滑剤が塗布されている。また磁気ヘッド・スライダ浮上面のレール面にもＤＬＣ保護膜が構成されている。そして、磁気ディスク上における磁気ヘッド・スライダの浮上高さ、すなわち磁気ディスクのＤＬＣ保護膜から浮上時の磁気ヘッド・スライダの浮上最下点までの距離は、設計値で１０ｎｍを割り込むまでに低下してきている。

この様に、ヘッド・スライダが極低浮上するディスク装置では、ディスク装置内もしくはディスク装置周辺の温度や気圧の変化などに伴い、ヘッド・スライダの浮上高さが変動する。また、ヘッド・スライダ浮上面の形状加工誤差、サスペンションへのヘッド・スライダ貼り付け時のアセンブリ誤差等により、ヘッド・スライダの浮上高さにはスライダ個々毎にばらつきが生じる。これら様々な要因によりヘッド・スライダの浮上高さはばらつきを有するが、磁気記録再生の観点からは、記録／再生動作時のヘッド・スライダ毎の磁気スペーシングばらつきが、ある一定範囲内に収まっていることが重要となる。

また、ヘッド・スライダ毎の浮上高さばらつきは、磁気ディスク装置の動作環境によっては、装置内でのディスク・ヘッド・スライダ接触を引き起こす。ディスク・ヘッド・スライダ接触は、磁気ディスク上に塗布された潤滑剤や、磁気ディスクとヘッド・スライダの摩擦により発生するコンタミネーションの、ヘッド・スライダの浮上面への付着を誘発する。これは、スライダの浮上を不安定化し、ひいては磁気ディスクとヘッド・スライダの接触を誘起し物理的破壊（クラッシュ）を誘発する可能性がある。

このように、ヘッド・スライダの浮上高さばらつきは、磁気ディスク装置の信頼性を著しく低下する要因となりうる。したがって、磁気ディスク装置においては、その動作環境等によるヘッド・スライダ浮上高さのばらつきを考慮し、磁気ディスクとヘッド・スライダ間に、所定のクリアランスを確保する必要がある。

これらの課題に対し、特許文献１や特許文献２に、ヘッド・スライダに浮上調整用のアクチュエータを搭載し、動作環境等に応じてスライダ浮上高さを調整することで、磁気ディスクとヘッド・スライダとの間のクリアランスを確保する技術が開示されている。また、特許文献３に、浮上調整用のアクチュエータを用いてヘッド・スライダの浮上高さを下げていき、磁気ディスクとごく短い時間だけ接触させて、その接触を検知することでそのヘッド・スライダの現状でのクリアランス量を確認する技術が開示されている。また、磁気ディスク装置内における、ヘッド・スライダと磁気ディスクの接触検知手法として、例えば特許文献４に、再生素子からの磁気抵抗（ＭＲ）信号の振幅を監視する技術が開示されている。

特開昭６２−２５０５７０号公報 特開平５−２０６３５号公報 特開２００２−１５０７３５号公報 特開２００７−２５０１７０号公報

上記従来技術のように、ヘッド・スライダ浮上高さ調整機能を用い、さらにヘッド・スライダ・ディスク接触検知機能を用いてヘッド・スライダの浮上クリアランス量を検出することで、磁気ディスク装置内での磁気スペーシングばらつきを抑制し、磁気ディスク装置の更なる高記録密度化および高信頼性確保を達成することができる。

しかし、上記従来技術によって浮上クリアランスを確保する場合には、磁気ディスクとヘッド・スライダとの接触を、精度良く確実に検知する必要がある。但し、ヘッド・スライダの浮上面形状や磁気ディスク表面の接触箇所の状態等によっては、接触発生時に発生するスライダ振動が小さく、磁気ディスク装置内でのヘッド・スライダと磁気ディスクとの接触発生を検知できない場合がある。

したがって、ヘッド・スライダの浮上面形状、接触箇所の磁気ディスク表面の状態等に関わらず、ヘッド・スライダと磁気ディスクとの接触を、感度良く、確実に検知する技術が望まれる。

本発明の一態様のディスク装置は、スライダ及びそのスライダ上に形成されている素子を有するヘッド・スライダと、前記ヘッド・スライダを支持するサスペンションと、前記サスペンションをディスクの半径方向に移動する第１アクチュエータと、前記素子の位置でのヘッド・スライダの浮上高さを調整するアクチュエータと、前記素子を振動させた状態で前記素子と前記ディスクとの接触を検知するコントローラとを有する。これにより、スライダ・ディスク接触を感度良く確実に検知することができ、その接触検知におけるヘッド・ディスク・インターフェイスの信頼性への影響を小さくすることができる。

好ましくは、前記ヘッド・スライダは、前記ヘッド・スライダと前記サスペンションとからなるアセンブリが共振を起こす周波数で、振動している。これにより、スライダ・ディスク接触をより感度良く確実に検知することができる。さらに、前記共振のモードは、スウェイ・モードあるいはヨー・モードであることが好ましい。これにより、接触おいてより大きな振動を誘起することができる。あるいは、前記コントローラは、前記サスペンションを複数周波数で前記ディスクの半径方向に振動させた前記アセンブリの振動振幅を参照して、前記アセンブリの共振を起こす前記周波数を特定することが好ましい。これにより、装置毎に異なる共振周波数を正確に特定することができる。

好ましい例において、前記コントローラは、前記素子をオフトラック方向に振動させた状態で前記ディスクとの接触を検知する。さらに、前記コントローラは、前記素子を浮上高さ方向及びオフトラック方向に振動させた状態で前記ディスクとの接触を検知することが好ましい。これらにより、スライダ・ディスク接触をより感度良く確実に検知することができる。

好ましい例において、前記コントローラは、前記素子を浮上高さ方向に振動させた状態で前記ディスクとの接触を検知する。これらにより、スライダ・ディスク接触をより感度良く確実に検知することができる。
好ましくは、前記ヘッド・スライダと前記ディスクとの間の電位差を振動することで、前記素子を振動させる、ディスク装置。これにより、容易かつ正確に素子を振動させることができる。

好ましくは、前記第１アクチュエータよりも小さい範囲で前記素子を前記ディスクの半径方向に移動する第２アクチュエータをさらに有し、前記コントローラは、前記第２アクチュエータにより前記素子を振動させる。第２アクチュエータを実装する装置において、容易かつ正確に素子を振動させることができる。
好ましくは、前記コントローラは、前記素子の前記接触によるオフトラック方向におけるずれをモニタすることで、前記接触を検知する。これにより、ヘッド・スライダと磁気ディスクとの弱い接触を高感度に検知することができる。

本発明の他の態様は、ヘッド・スライダとディスクとの接触を検知する方法である。この方法は、前記ヘッド・スライダの素子位置での浮上高さを調整するアクチュエータによって、前記素子位置の浮上高さを低くし、前記浮上高さを低くした状態において前記素子を振動させ、前記振動している素子と前記ディスクとの接触を検知する。これにより、スライダ・ディスク接触を感度良く確実に検知することができ、その接触検知におけるヘッド・ディスク・インターフェイスの信頼性への影響を小さくすることができる。

本願発明によれば、スライダ・ディスク接触を感度良く確実に検知することができ、その接触検知におけるヘッド・ディスク・インターフェイスの信頼性への影響を小さくすることができる。

本発明の実施例１による磁気ディスク装置の構成概略を示した図である。 レーザドップラ変位計で、ヘッド・ジンバル・アセンブリのオフトラック方向振動の周波数特性を測定した結果である。 浮上高さ方向にスライダをヘッド・ジンバル・アセンブリの共振周波数で微小振動させた状態で、浮上量調整用アクチュエータによってスライダ浮上を低下させ、スライダ・ディスクの接触を検知するシーケンスにおいて、スライダとディスク潤滑剤層との干渉によって浮上高さ方向の微小振動がオフトラック方向振動に変換される原理を説明した図である。 浮上高さ方向にスライダをヘッド・ジンバル・アセンブリの共振周波数で微小振動させた状態で、浮上量調整用アクチュエータによってスライダ浮上を低下させ、スライダ・ディスクの接触を検知した際の、アームに取り付けたＡＥセンサ出力と、レーザドップラ変位計で測定したスライダのオフトラック方向振動のうち、浮上方向への微小振動の周波数の成分を抽出したものを比較した図である。 本発明の実施例１による磁気ディスク装置において接触検知動作を実施する際のフローチャートである。 本発明の実施例２による磁気ディスク装置の構成概略を示した図である。 オフトラック方向にヘッド・ジンバル・アセンブリをヘッド・ジンバル・アセンブリの共振周波数で微小振動させた状態で、浮上量調整用アクチュエータによってスライダ浮上を低下させ、スライダ・ディスクの接触を検知するシーケンスにおいて、スライダとディスク潤滑剤層との干渉によってオフトラック方向の微小振動が影響を受ける原理を説明した図である。 本発明の実施例２による磁気ディスク装置において接触検知動作を実施する際のフローチャートである。

以下に、本発明を適用した実施の形態を説明する。説明の明確化のため以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。本形態の磁気ディスク装置の構成を、図面を参照して以下に説明する。図１は本形態の磁気ディスク装置内における構成要素を示す模式図である。

磁気ディスク装置は、磁気ヘッド・スライダ１、磁気ディスク２、磁気ヘッド・スライダ１を保持するサスペンション３、サスペンション３を保持するアーム４、アーム４を駆動し磁気ヘッド・スライダ１を位置決めするボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）５、磁気ディスク２を回転するスピンドル・モータ６、上記構成要素を固定するベース７、および上記構成要素を制御する制御部８を有している。

スピンドル・モータ６は、スピンドル・コントローラ３５から供給される制御信号によって制御されたスピンドル・ドライバ３６からの供給電流で回転する。また、アーム４を駆動するＶＣＭ５は、典型的には、ＶＣＭ用永久磁石４１によって発生した固定磁界の中で移動可能なコイルを備える回転式のものであり、コイルの移動の方向および速度は、ハードディスク・コントローラ９の一つの機能である位置決めコントローラ３７から供給されるモータ制御信号によって、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ１）１１およびＶＣＭドライバ１２を介して制御される。

典型的には、ハードディスク・コントローラ９は、ファームウェアに従って動作するプロセッサとハードウェアである電子回路とを有している。図１において、ハードディスク・コントローラ９内の各ブロック（構成要素）は、ハードディスク・コントローラ９の機能を示している。ハードディスク・コントローラ９において、プロセッサ及び／もしくは電子回路が動作することで、各機能が実現される。例えば、プロセッサと電子回路の一部が動作することで、ハードディスク・コントローラ９は、位置決めコントローラ３７として機能することができる。

磁気ヘッド・スライダ１は、スライダ１３と、スライダ１３の空気流出端に形成された薄膜磁気ヘッド部１４とで構成されている。磁気ヘッド・スライダ１には、磁気ディスク２と対向する面に空気軸受を構成する浮上面が形成されており、この浮上面で発生する浮力とサスペンション３からの押し付け力の釣り合いで、回転する磁気ディスク４上で所定の隙間を保ちつつ浮上する。

薄膜磁気ヘッド部１４の中には、記録素子１５、再生素子（変換素子）１６および浮上高さ調整用アクチュエータ１７が形成されており、スライダ浮上面の空気流出端中央付近に位置している。典型的には、記録素子１５は記録コイル、再生素子１６は磁気抵抗効果素子、そして浮上高さ調整用アクチュエータ１７はヒータである。ヒータの発熱により薄膜磁気ヘッド部１４が膨張し、記録素子１５及び再生素子１６と磁気ディスク１１との間の距離及び磁気スペーシングを小さくする。このヒータへの電力量を調整することで、上記距離及び磁気スペーシングを調整することができる。

本明細書において、ヒータの熱による浮上高さ制御を、ＴＦＣ（Thermal Fly-height Control）と呼ぶ。薄膜磁気ヘッド部１４における浮上高さ制御はＴＦＣによることが好ましい。しかし、微動アクチュエータようのように他の機構により上記浮上高さを調整する磁気ディスク装置に本発明を適用することができる。また、本発明を再生素子のみを有するディスク装置に適用することができる。

ハードディスク・コントローラ９は、制御信号により浮上高さ調整アクチュエータ１７を制御する。具体的には、ハードディスク・コントローラ９からの制御信号はＴＦＣチャネル１８を介してプリアンプ１９に出力される。プリアンプ１９内の浮上高さ調整アクチュエータ用アンプ２０は、制御信号を増幅した後に浮上高さ調整アクチュエータ１７に供給する。

磁気ディスク２表面からのデータは、再生素子１６で読み取られる。再生素子１６からの再生信号は、プリアンプ１９内のリード・アンプ２１によって増幅される。リード・アンプ２１からの出力はリード・チャネル２２に送られ、そこで、再生素子１６からのアナログ信号が、磁気ディスク２表面の磁気記録層に記録されるデータを表すデジタル信号へと処理される。

リード・アンプ２１および他の読取り信号処理回路群、ならびに再生素子１６に対してセンス電流またはバイアス電流を生成する回路群は、リード・チャネル２２の中に構成される。また、リード・チャネル２２は、典型的には、自動ゲイン制御、アナログ／デジタル変換、およびデジタルデータ検出のための回路群を包含する。また、データは、ライト・チャネル２３およびライト・アンプ２４を介して記録素子１５に送られた書込み信号によって、磁気ディスク２表面の磁気記録層に書き込まれる。

磁気ディスク２上における磁気ヘッド・スライダ１のトラック・フォローイングおよびシーク制御信号は、入力ヘッド位置誤差信号（ＰＥＳ）に応じてサーボ制御アルゴリズムを実行するハードディスク・コントローラ９によって生成される。再生素子１６は、典型的には、データ・セクタ間に埋め込まれた均等な角度を成して離間したサーボ・セクタにおいて、磁気ディスクに記録されたヘッド位置サーボ情報を読取る。リード・アンプ２１からのこのアナログサーボ出力は、復調器２５によって復調され、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器２６によってデジタル位置誤差信号（ＰＥＳ）に変換される。

トラック・フォローイングおよびシーク制御信号は、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）１１に送られ、そこでアナログ電圧信号に変換され、ＶＣＭドライバ１２に出力される。次に、ＶＣＭドライバ１２は、対応する電流パルスをＶＣＭアクチュエータ５のコイルに送る。ＶＣＭアクチュエータ５は、アーム４を半径方向内向きおよび外向きに旋回させ、磁気ヘッド・スライダ１を磁気ディスク２表面の所望のデータ・トラックまで移動させ、そこに位置決めする。ヘッド位置決め後、記録／再生動作が実施される。この記録／再生動作の際に、浮上高さ調整用アクチュエータ１７によって、薄膜磁気ヘッド部１４（再生素子１６及び記録素子１５）の位置における浮上高さが調整される。

本形態の磁気ディスク装置は、特徴の一つとして、磁気ヘッド・スライダ１およびサスペンション３から構成されるヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振周波数Ｆｒを検出する共振周波数検出器２８を有している。さらに、本形態の磁気ディスク装置は、他の特徴の一つとして、磁気ヘッド・スライダ１を微小振動させるための微小振動信号発生器２９を有している。磁気ディスク装置は、微小振動信号発生器２９から信号により、磁気ヘッド・スライダ１を微小振動させる機能を有している。具体的には、本形態の磁気ディスク装置は、磁気ディスク２上で浮上中の磁気ヘッド・スライダ１をクーロン力により浮上高さ方向に微小駆動する（微小振動させる）。

本形態の磁気ディスク装置は、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との接触を検知する際に、この微小駆動機能を用いる。具体的には、本形態の磁気ディスク装置は、上記の微小駆動機能により、磁気ヘッド・スライダ１を振動させる。そして、磁気ヘッド・スライダ１が振動している状態において、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との接触検出を行う。これにより、スライダ・ディスク接触を感度良く確実に検知することがでる。また、小さい接触を感度よく検知することができるので、その接触検知におけるヘッド・ディスク・インターフェイスの信頼性への影響を小さくすることができる。

図２から図４を用い、本実施形態の原理及び効果について説明する。図２は、浮上高さ調整用アクチュエータ１７を用いて磁気ヘッド・スライダ１の記録素子１５、再生素子１６をディスク表面に接触する直前まで接近させた状態で、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２の間に周波数Ｆで変動する電位差を与えて静電力で磁気ヘッド・スライダ１を加振し、この周波数Ｆをスイープすることで、磁気ヘッド・スライダ１のオフトラック振動振幅の周波数特性曲線３０を測定した結果である。

磁気ヘッド・スライダ１のオフトラック方向振動は、レーザドップラ振動計を用いて非接触で測定した。磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との間の電位差変動はＦＦＴアナライザを用いて与えた。また、併せて、レーザドップラ計出力をＦＦＴアナライザに入力し、磁気ヘッド・スライダ１のオフトラック振動のうち、周波数Ｆの成分の振幅を評価した。

周波数Ｆを変化させながら逐次この測定を繰り返すことで、図２に示すような振動の周波数特性を得ることができる。なお、図２の振動測定実験においては、図１のアーム４に取り付けたＡＥ(Acoustic Emission)センサ出力をもとに、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との固体接触を判定し、浮上高さ調整用アクチュエータ１７を用いて接触直前まで接近させた。固体接触は、磁気ディスク２の潤滑剤３１下の固体層と磁気ヘッド・スライダ１との接触である。

図２の横軸は振動の周波数Ｆを示し、縦軸は磁気ヘッド・スライダ１のオフトラック振動振幅を示す。周波数特性曲線３０は、ある周波数の加振力に対して磁気ヘッド・スライダ１がどの程度揺れやすいかを示すものであるといえる。図２中には、比較のため、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との間に電位差変動を与えなかった場合のスライダ振動特性曲線３８も一緒にプロットしてある。ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振周波数Ｆ_ｒ１、Ｆ_ｒ２において、周波数特性曲線３０は極大値を示している。図２において、共振周波数Ｆ_ｒ１はサスペンション３のスウェイ・モードにおける共振周波数であり、共振周波数Ｆ_ｒ２はサスペンション３のヨー・モードにおける共振周波数である。このように、与えた電位変動がヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振周波数Ｆ_ｒ１、Ｆ_ｒ２に一致すると、オフトラック方向に特に大きな振動が発生することが明らかとなった。

スライダ１３は、外力が働かない場合には基本的には安定浮上するよう設計されている。実際には磁気ディスク２が回転することで発生する空気流などによってオフトラック方向に若干の振動が生じるが、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２とが非接触の状態では、振動が抑制されるようサスペンション３等の機構系が設計されている。

ここで、例えば浮上高さ調整用アクチュエータ１７によって、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２とを接触させた場合には、オフトラック方向についてはヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の固有振動数Ｆ_ｒ１、Ｆ_ｒ２に応じた振動が発生し、浮上高さ方向には磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２表面との間に生じる空気膜の固有振動数Ｆ_ａに応じた振動が発生する。ただしこのとき、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との接触発生時に生じる摩擦力がスライダ振動の加振源であるため、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との接触開始直後は摩擦力が小さく、浮上高さ方向およびオフトラック方向のスライダ振動はほとんど検知できないほど小さい。

しかしながら、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との間に一定周波数で変動する電位差を与えてその周波数で磁気ヘッド・スライダ１（ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７）を微小振動させると、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との小さい接触により、オフトラック方向に磁気ヘッド・スライダ１（ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７）のより大きな振動が発生する。

特に、図２に示すように、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との間に、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振周波数Ｆ_ｒ１、Ｆ_ｒ２もしくはそれらの近傍の周波数で変動する電位差を与えると、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との固体接触開始前に、オフトラック方向に特に大きな振動が発生する。つまり、磁気ヘッド・スライダ１が磁気ディスク２の潤滑剤３１と接触することで、磁気ヘッド・スライダ１（ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７）のオフトラック方向に大きな振動が発生する。

磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との間の電圧変動によって磁気ヘッド・スライダ１の大きなオフトラック方向振動が発生する原理を、図３を用いて説明する。図３は、磁気ディスク２上で浮上中の磁気ヘッド・スライダ１を流出端から見た場合の模式図である。例えばヒータによる熱変形を利用する浮上量調整用アクチュエータ１７においては、記録素子１５と再生素子１６の近傍（薄膜磁気ヘッド部１４）がヒータで発生した熱による膨張で変形し、熱膨張変形の頂点が磁気ヘッド・スライダ１の浮上最下点となる。

ここで、図３（ａ）に示すように、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との間に所定周波数で変動する電位差を与えることで、磁気ヘッド・スライダ１が浮上高さ方向に微小に振動した状態で、浮上量調整用アクチュエータ１７を用いて記録素子１５及び再生素子１６の近傍を磁気ディスク２に近づけていく。所定周波数は、好ましくは、共振周波数Ｆ_ｒ１、Ｆ_ｒ２のいずれか一方である。

磁気ヘッド・スライダ１の浮上最下点が磁気ディスク２の表面に塗布されている潤滑剤層３１に接触し始める地点まで低下すると、浮上高さ方向の微小振動の周波数Ｆ_ｒ１もしくはＦ_ｒ２でスライダ１３と潤滑剤層３１の接触が起こり始め、スライダ１３に対しオフトラック方向に潤滑剤層３１との干渉によって摩擦力が発生し始め、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振周波数Ｆ_ｒ１もしくはＦ_ｒ２でのスライダ振動が発生し始める。

更に、図３（ｃ）に示すように浮上量調整用アクチュエータ１７で磁気ヘッド・スライダ１の浮上最下点を低下させると、浮上高さ方向の微小振動の周波数Ｆ_ｒ１もしくはＦ_ｒ２での磁気ヘッド・スライダ１と潤滑剤層３１の接触頻度が増大し、これに伴い共振周波数Ｆ_ｒ１もしくはＦ_ｒ２でのスライダ振動も増大する。ここで、磁気ヘッド・スライダ１と潤滑剤層３１との干渉による摩擦力が小さくとも、この摩擦力がヘッド・ジンバル・アセンブリ２７での共振周波数で発生するため、大きなオフトラック振動が発生することになる。

本実施形態では、磁気ヘッド・スライダ１のオフトラック方向振動の周波数特性を利用し、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との間にヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振周波数Ｆ_ｒ１もしくはＦ_ｒ２で変動する電位を与え、浮上高さに微小振動させた状態で、スライダ１３を磁気ディスク２表面に近づけていき、スライダ１３とディスク潤滑剤層３１との接触時に発生するオフトラック振動を検出することで、接触検知を実施する。

本実施形態の効果を更に確認するために実施した実験の結果を、図４を用いて説明する。図４は、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との間にヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振周波数Ｆ_ｒ１を与えた状態で、スライダ１３と磁気ディスク２とを接触させた際の、ＡＥセンサ出力３９と磁気ヘッド・スライダ１のオフトラック振動４０を比較した結果である。浮上量調整用アクチュエータ１７であるヒータに印加する電力を増加して磁気ヘッド・スライダ１の浮上量を低下させ、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との接触を発生させた。

図４（ａ）、（ｂ）の横軸はヒータに印加した電力である。図４（ａ）の縦軸は図１内のアーム４に取り付けたＡＥセンサは出力で、図４（ｂ）はレーザドップラ変位計出力のうち、浮上方向へのスライダ微小振動周波数Ｆ_ｒ１の成分を抽出した出力である。これらの結果から、ＡＥセンサ出力によるスライダ１３と磁気ディスク２との固体接触検知の前に、磁気ヘッド・スライダ１のオフトラック振動が発生し始めていることが確認できる。

一般に、磁気ディスク装置中にはＡＥセンサのような接触検知機構は具備されていないが、ハードディスク・コントローラ９は、いくつかの知られている手法により、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との接触によって発生する磁気ヘッド・スライダ１の振動を検知することができる。好ましい方法の一つにおいて、ハードディスク・コントローラ９は、位置誤差信号（ＰＥＳ）をモニタすることで、接触を検知することができる。

例えば、ハードディスク・コントローラ９は、ＰＥＳのターゲット値からの差あるいはＰＥＳの変化が閾値を超える場合に、スライダ・ディスク接触が起きていると判定する。あるいは、サーボＶＧＡやデータＶＧＡの値や、ＶＣＭアクチュエータ５の制御信号を参照することでスライダ・ディスク接触を検知することができる。これらの手法は広く知られたものであり、ここでは詳細の説明を省略する。

磁気ヘッド・スライダ１を浮上高さ方向に微小振動する手法としては、上述のように、磁気ディスク２と磁気ヘッド・スライダ１との間に電位変動を与える手法が好適である。スライダ１３への変動電位印加は、例えばサスペンション３を介して磁気ヘッド・スライダ１全体に電位を与える、あるいは記録素子１５または再生素子１６に電位を与えることで実現可能である。

例えば、ハードディスク・コントローラ９は、微小振動信号発生器２９からの信号をＤ／Ａ変換及び増幅した信号を、サスペンション３を介して磁気ヘッド・スライダ１全体に与える。あるいは、微小振動信号発生器２９からの信号をライト・チャネル２３やリード・チャネル２２を介してプリアンプ１９により増幅して、記録素子１５／再生素子１６の両端に与える。

磁気ヘッド・スライダ１を浮上高さ方向に振動する他の手法としては、あるいは、ハードディスク・コントローラ９は、ライト動作時に発生する熱による記録素子１５近傍の熱膨張、または浮上量調整用アクチュエータ１７による熱膨張を利用することでも、磁気ヘッド・スライダ１を浮上高さ方向に所定周波数Ｆ_ｒで振動することが可能である。微小振動する熱膨張及び熱収縮により磁気ヘッド・スライダ１の重心が上下方向に振動し、磁気ヘッド・スライダ１（サスペンション３）を微小振動させることができる。

磁気ヘッド・スライダ１の上下方向の振動振幅は、好ましくは、ディスク潤滑剤３１の流動層の厚み以下である。ディスク潤滑剤３１は、下層である固定層と、その上層である流動層とを有している。この振動振幅を流動層よりも小さくすることで、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との接触衝撃をより小さくすることができる。また、ＴＦＣにおける素子位置での浮上高さとの関係において、振動振幅は、記録及び再生における薄膜磁気ヘッド部１４の最低浮上高さ（磁気ヘッド・スライダ１のそれに一致する）の１／１０以下が好ましい。

上述のように、磁気ヘッド・スライダ１の微小振動の周波数は、接触によりヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振を引き起こす周波数であることが好ましい。具体的には、スウェイ・モードとヨー・モードの共振周波数Ｆ_ｒ１、Ｆ_ｒ２の一方、あるいは、それらの近傍値である。好ましくは、周波数の小さい方の共振を利用する。低い周波数の共振は、その振幅がより大きいからである。一般にスウェイ・モードの共振周波数はヨー・モードよりも低い。しかし、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の設計により共振周波数は変化することから、対象のヘッド・ジンバル・アセンブリ２７に応じて適切な周波数を選択する。

接触における磁気ヘッド・スライダ１のより大きなオフトラック方向の動きを得るためには、上記共振周波数Ｆ_ｒ１、Ｆ_ｒ２と一致していることが好ましいが、これらの定数倍の周波数あるいはその近傍値を使用することもできる。典型的には、共振周波数Ｆ_ｒ１、Ｆ_ｒ２の２倍の周波数の微小振動により、接触検知の感度を十分に大きくすることができる。

接触検知において、ハードディスク・コントローラ９は、微小振動の周波数を変化させてもよいが、制御の容易性と接触検知感度の向上の点から、典型的には、磁気ヘッド・スライダ１を所定の一定周波数で微小振動させる。

以上のように、本実施形態によれば、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７にその共振を起こす周波数の微小振動を（浮上高さ方向及び／またはオフトラック方向に）与えた状態でスライダ・ディスク間の接触検知を実施することで、磁気ヘッド・スライダ１が磁気ディスク２に接触した際に発生する摩擦力で増幅されたオフトラック方向振動（その変化を含む）を検知することで、結果としてスライダ・ディスク接触を、感度良く確実に検知することができる。

また、原理的には、本手法は、ディスク潤滑剤３１と磁気ヘッド・スライダ１の接触を検知し、しかも浮上高さ方向にはスライダ振動があまり発生しない。このため、好ましい態様においてディスクとヘッド・スライダの固体接触は発生せず、結果としてヘッド・ディスク・インターフェイスの信頼性に影響を実質的に及ぼすことなく接触検知を実施することが可能である）。

図５に、本実施形態における接触検知の好ましい処理の流れを示すフローチャートを示す。磁気ヘッド・スライダ１をヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振周波数Ｆ_ｒで上下方向に微小振動させる例を説明する。ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振周波数は、個々のヘッド・ジンバル・アセンブリによって変化する。そのため、ハードディスク・コントローラ９が、共振周波数Ｆ_ｒを特定することが好ましい。典型的には、ハードディスク・コントローラ９は、磁気ディスク装置のテスト工程において、共振周波数Ｆ_ｒを特定する。なお、共振周波数Ｆ_ｒのばらつきが小さい場合、同一設計の磁気ディスク装置に対して同一の微小振動周波数を適用してもよい。

図５に示すように、まず、ハードディスク・コントローラ９の位置決めコントローラ３７は、接触検知開始にあたり、接触検知を実施するトラックに磁気ヘッド・スライダ１を移動し、フォロイング状態に入る（Ｓ１１）。この状態で、ハードディスク・コントローラ９は、共振周波数検出器２８を用いて共振周波数検出動作を実施する（Ｓ１２）。具体的には、ハードディスク・コントローラ９は、ＶＣＭアクチュエータ５によりオフトラック方向においてヘッド・ジンバル・アセンブリ２７を振動させ、その振動周波数を連続的に変化させる。このヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の周波数スイープ加振により、ハードディスク・コントローラ９は、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の振動特性を得ることができる。

ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の振動特性を示すグラフは、一つもしくは複数の周波数においてピーク（極大値）を示す。それらのいずれかの周波数が、共振周波数Ｆ_ｒである。ハードディスク・コントローラ９は、検出動作実施後、実際に検出された周波数Ｆ_ｒが妥当な値であるかどうかを判断する（Ｓ１３）。

具体的には、ハードディスク・コントローラ９は、設計により予想される共振周波数Ｆ_ｒとヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の振動特性とから検出された周波数Ｆ_ｒが妥当性を判断する。予想値は、予め磁気ディスク装置に登録されている。例えば、この予想値から基準範囲内にピーク値が存在する場合、ハードディスク・コントローラ９は、そのピーク値の周波数を共振周波数Ｆ_ｒと判定する。予想値から基準範囲内にピーク値が存在しない場合、妥当な共振周波数Ｆ_ｒを検出できなかったものと判定する。

妥当でないと判断される場合（Ｓ１３におけるＮｏ）には、ハードディスク・コントローラ９は、検出（Ｓ１２）を再度繰り返す。妥当であると判断した場合（Ｓ１３におけるＹｅｓ）、ハードディスク・コントローラ９は、この周波数Ｆ_ｒを、磁気ヘッド・スライダ１を浮上高さ方向に微小振動する際の周波数として設定し、微小振動を開始する（Ｓ１４）。

この状態で、ハードディスク・コントローラ９は、浮上高さ調整用アクチュエータ１７への供給電力を?Ｐずつ上げていく（Ｓ１５）。磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２の接触検知は、たとえば位置決め誤差信号(ＰＥＳ)やＶＣＭ−ＤＡＣなどのパラメータ変動から検知する（Ｓ１６）。ハードディスク・コントローラ９は、接触を検知したところで（Ｓ１７におけるＹｅｓ）、浮上高さ方向へのスライダ微小振動を止め（Ｓ１８）、接触検知を終了する（Ｓ１９）。接触を検知しない場合（Ｓ１７におけるＮｏ）、工程Ｓ１５に戻る。

以上の説明のとおり、本実施形態によれば、磁気ヘッド・スライダ１をヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振を起こす周波数で微小振動した状態でスライダ・ディスク間の接触検知を実施することで、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２上に塗布された潤滑剤層３１との接触を、感度良く確実に、ヘッド・ディスク・インターフェイスの信頼性を損ねることなく検知することができる。磁気ヘッド・スライダ１と潤滑剤層３１との接触を検知することで、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との固体接触発生前の接触検知が可能であり、ヘッド・ディスク・インターフェイスの信頼性向上の観点からも有効である。

以下において、他の好ましい実施形態の磁気ディスク装置の構成を、図面を参照して以下に説明する。図６はこの磁気ディスク装置内における各構成要素の模式的に示すブロック図である。基本的な構成は図１を参照して説明した構成と同じであるが、本形態の磁気ディスク装置は、磁気ヘッド・スライダ１をディスク半径方向に微動させる第２のアクチュエータ３２を有している。また、本形態の磁気ディスク装置は、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７をオフトラック方向に微小振動した状態において接触検知を行う。

上述のように、サスペンション３にはディスク半径方向に微小駆動し位置決めをする第２の位置決め用アクチュエータ３２を有する。第２の位置決め用アクチュエータ３２は、ハードディスク・コントローラ９から供給される制御信号によって、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ２）３３および第２のアクチュエータドライバ３４を介して制御される。

磁気ディスク２上における磁気ヘッド・スライダ１のトラック・フォローイングおよびシーク制御信号は、入力ヘッド位置誤差信号（ＰＥＳ）に応じてサーボ制御アルゴリズムを実行するハードディスク・コントローラ９によって生成される。再生素子１６は、典型的にはデータ・セクタ間に埋め込まれた均等な角度を成して離間したサーボ・セクタにおいて、ディスクに記録されたヘッド位置サーボ情報を読取る。リード・アンプ２１からのこのアナログサーボ出力は、復調器２５によって復調され、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器２６によってデジタル位置誤差信号（ＰＥＳ）に変換される。

トラック・フォローイングおよびシーク制御信号は、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）１１および３３に送られ、そこでアナログ電圧信号に変換され、ＶＣＭドライバ１２および第２のアクチュエータドライバ３４に出力される。次に、ＶＣＭドライバ１２および第２のアクチュエータドライバ３４は、対応する電流パルスをＶＣＭアクチュエータ５のコイルおよび第２のアクチュエータ３２に送る。

ＶＣＭアクチュエータ５は、アーム４を半径方向内向きおよび外向きに旋回させ、第２のアクチュエータ３２はサスペンション３をディスク半径方向内向き及び外向きに微小駆動し、磁気ヘッド・スライダ１をディスク２表面の所望のデータ・トラックまで移動させ、そこに位置決めする。ヘッド位置決め後、記録・再生動作が実施される。この記録・再生動作の際に、浮上高さ調整用アクチュエータ１７によって再生素子１６および記録素子１５の位置における浮上高さが調整される。

なお、第２のアクチュエータ３２の構成は、本例に限定されるものではない。例えば、サスペンション３上に固定され、磁気ヘッド・スライダ１を直接に微動させる第２のアクチュエータ３２を有する磁気ディスク装置にも本発明を適用することができる。また、スライダ１３と薄膜磁気ヘッド部１４との間にピエゾ素子(あるいはヒータ素子)を配置して、薄膜磁気ヘッド部１４を左右に微動させるアクチュエータを、第２のアクチュエータ３２として実装してもよいし、薄膜磁気ヘッド部１４内に素子をトラック幅方向に移動させるヒータ素子を備えて第２のアクチュエータ３２として実装してもよい。

本形態の磁気ディスク装置は、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７をオフトラック方向に微小振動しながら接触検知動作を実施することで、磁気ディスク２に塗布された潤滑剤層３１とスライダ１３の接触を検知する。好ましくは、オフトラック方向の振動の周波数は、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７の共振を起こす周波数である。上記他の実施形態と同様に、そのよう周波数において好ましいのは、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７のいずれかの共振周波数Ｆ_ｒである。オフトラック方向における微小振動周波数については、上記他の実施形態における説明を適用することができる。例えば、低周波の共振周波数がより好ましい。あるいは、共振周波数の近傍値あるいはその定数倍の周波数を使用することができる。

ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７をオフトラック方向に微小振動した状態での接触検知する原理を、図７を用いて説明する。図７は、磁気ディスク２上で浮上中の磁気ヘッド・スライダ１を流出端から見た場合の模式図である。例えばヒータによる熱変形を利用する浮上量調整用アクチュエータ１７においては、記録・再生素子近傍がヒータで発生した熱による膨張で変形し、熱膨張変形の頂点が磁気ヘッド・スライダ１の浮上最下点となる。

本実施形態においては、図７（ａ）に示すように、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７を、オフトラック方向に微小振動した状態で浮上高さ調整用アクチュエータ１７を用いて記録・再生素子近傍（薄膜磁気ヘッド部１４）を磁気ディスク２に近づけていく。図７（ｂ）に示すように、磁気ヘッド・スライダ１の浮上最下点が磁気ディスク２の表面に塗布されている潤滑剤層３１に接触し始める地点まで低下すると、磁気ヘッド・スライダ１と潤滑剤層３０の接触によって干渉が発生し始める。

更に、図７（ｃ）に示すように浮上量調整用アクチュエータ１７で磁気ヘッド・スライダ１の浮上最下点を低下させると、磁気ヘッド・スライダ１と潤滑剤層３１の接触による干渉が更に強まり、オフトラック方向の微小振動振幅に変化が起こる。ディスク上の潤滑剤３１の状態によっては振動振幅が小さくなり、あるいは、振動振幅が大きくなる。いずれにおいても、ハードディスク・コントローラ９は、オフトラック振幅変動をモニタリングすることで、磁気ヘッド・スライダ１と潤滑剤層３１との接触を検知することが可能である。

図８に、本実施形態における接触検知の好ましい処理の流れを示すフローチャートを示す。工程Ｓ２１〜Ｓ２３は、図５のフローチャートにおける工程Ｓ１１〜Ｓ１３と同様であり、説明を省略する。工程Ｓ２３において妥当であると判断した場合、ハードディスク・コントローラ９は、この周波数Ｆ_ｒを、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７をオフトラック方向に微小振動する際の周波数として設定し、微小振動を開始する（Ｓ２４）。

ハードディスク・コントローラ９は、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７（磁気ヘッド・スライダ１）が微小振動した状態で、浮上量調整用アクチュエータ１７への供給電力を?Ｐずつ上げていく（Ｓ２５）。本手法では磁気ヘッド・スライダ１と潤滑剤層３１の接触が始まるとオフトラック方向への微小振動が変化する。従って、ハードディスク・コントローラ９は、例えば、位置決め誤差信号（ＰＥＳ）などのパラメータ変動から接触を検知することが可能である（Ｓ２６）。ハードディスク・コントローラ９は、接触を検知したところで（Ｓ２７におけるＹｅｓ）、浮上高さ方向へのスライダ微小振動を止め（Ｓ２８）、接触検知を終了する（Ｓ２９）。接触を検知しない場合（Ｓ２７におけるＮｏ）、工程Ｓ２５に戻る。

本構成において、ヘッド・ジンバル・アセンブリ２７をオフトラック方向に振動する手段としては、微動駆動が可能な第２のアクチュエータ３２を用いる手法が有効である。しかし、構成上可能であれば、ＶＣＭアクチュエータ５を用いて微小振動を実現しても構わない。また、本手法においては基本的には磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２の接触箇所は記録・再生素子近傍に限定される。そのため例えば浮上量調整用の熱アクチュエータの原理を応用し、記録・再生素子近傍のみをオフトラック方向に駆動する機構で微小振動を実現しても構わない。

オフトラック方向における微小振動の振幅は、好ましくは、ライト・インヒビット値の１／２あるいは１／３以下であることが好ましい。ハードディスク・コントローラ９は、ライト動作において、ＰＥＳにおけるターゲットからの距離がライト・インヒビット値を超えると、ライト動作を停止する。このような値を基準とすることで、微小振動を行っても、適切なフォロイングを維持することができる。

磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２とのより小さい接触において検知するためには、上下方向における振動よりも、オフトラック方向に磁気ヘッド・スライダ１を振動させながら接触検知を行うことが好ましい。しかし、第２のアクチュエータ３２が実装されていない、あるいは、ＶＣＭアクチュエータ５により微小振動制御が設計上困難である場合などには、上下方向における微小振動、特に、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク２との間の振動電位差による微小振動制御が好ましい。

ハードディスク・コントローラ９は、接触検知において、磁気ヘッド・スライダ１の上下方向の微小振動とオフトラック方向の微小振動を同時に実施してもよい。上下方向と左右方向の双方において磁気ヘッド・スライダ１を振動させることで、接触時における磁気ヘッド・スライダ１のオフトラック方向の動きが大きくなる場合がある。従って、磁気ヘッド・スライダ１の微小振動制御と接触検知との観点から、好適な方法を選択する。なお、上下方向とオフトラック方向の双方において磁気ヘッド・スライダ１を微小振動させる場合、制御の容易性及び接触感度向上の観点から、それらの周波数は同一であることが好ましい。

以上、本発明を好ましい実施形態を例として説明したが、本発明が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することができる。例えば、本発明を磁気ディスク装置以外のディスク装置に適用することができる。また、ピエゾ素子を使用した浮上高さアクチュエータのように、ＴＦＣ以外の浮上高さ制御を行うディスク装置に本発明を適用することができる。ヘッド・スライダとディスクとの接触検知をより確かなものにするため、複数回の接触検知を、それぞれ異なる周波数の振動状態において実施しても良い。

１…磁気ヘッド・スライダ
２…磁気ディスク
３…サスペンション
４…アーム
５…ボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）
６…スピンドル・モータ
７…ベース
８…制御部
９…ハードディスク・コントローラ
１０…スピンドル・コントローラ
１１…デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ１）
１２…ＶＣＭドライバ
１３…スライダ
１４…薄膜磁気ヘッド部
１５…記録素子
１６…再生素子
１７…浮上高さ調整用アクチュエータ
１８…ＴＦＣチャネル
１９…プリアンプ
２０…浮上高さ調整アクチュエータ用アンプ
２１…リード・アンプ
２２…リード・チャネル
２３…ライト・チャネル
２４…ライト・アンプ
２５…復調器
２６…アナログ・デジタル（Ａ／Ｄ）変換器
２７…ヘッド・ジンバル・アセンブリ
２８…共振周波数検出器
２９…微小振動信号発生器
３０…スライダのオフトラック方向振動の周波数特性曲線
３１…ディスク潤滑剤層
３２…第２の位置決め用アクチュエータ
３３…デジタル・アナログ変換器(ＤＡＣ２)
３４…第２のアクチュエータドライバ
３５…スピンドル・コントローラ
３６…スピンドル・ドライバ
３７…位置決めコントローラ
３８…磁気ヘッド・スライダと磁気ディスクの間に電位変動を与えなかった場合のスライダ振動特性曲線
３９…接触検知時のＡＥセンサ出力曲線
４０…スライダのオフトラック振動振幅曲線
４１…ボイス・コイル・モータ用永久磁石

Claims (17)

1. スライダ及びそのスライダ上に形成されている素子を有するヘッド・スライダと、
   前記ヘッド・スライダを支持するサスペンションと、
   前記サスペンションをディスクの半径方向に移動する第１アクチュエータと、
   前記素子の位置でのヘッド・スライダの浮上高さを調整するアクチュエータと、
   前記素子を振動させた状態で前記素子と前記ディスクとの接触を検知するコントローラと、
   を有するディスク装置。
2. 前記ヘッド・スライダは、前記ヘッド・スライダと前記サスペンションとからなるアセンブリが共振を起こす周波数で、振動している、
   請求項１に記載のディスク装置。
3. 前記共振のモードは、スウェイ・モードあるいはヨー・モードである、
   請求項２に記載のディスク装置。
4. 前記コントローラは、前記素子をオフトラック方向に振動させた状態で前記ディスクとの接触を検知する、
   請求項１に記載のディスク装置。
5. 前記コントローラは、前記素子を浮上高さ方向に振動させた状態で前記ディスクとの接触を検知する、
   請求項１に記載のディスク装置。
6. 前記コントローラは、前記素子を浮上高さ方向及びオフトラック方向に振動させた状態で前記ディスクとの接触を検知する、
   請求項４に記載のディスク装置。
7. 前記ヘッド・スライダと前記ディスクとの間の電位差を振動することで、前記素子を振動させる、
   請求項１に記載のディスク装置。
8. 前記第１アクチュエータよりも小さい範囲で前記素子を前記ディスクの半径方向に移動する第２アクチュエータをさらに有し、
   前記コントローラは、前記第２アクチュエータにより前記素子を振動させる、
   請求項１に記載のディスク装置。
9. 前記コントローラは、前記サスペンションを複数周波数で前記ディスクの半径方向に振動させた前記アセンブリの振動振幅を参照して、前記アセンブリの共振を起こす前記周波数を特定する、
   請求項２に記載のディスク装置。
10. 前記コントローラは、前記素子の前記接触によるオフトラック方向におけるずれをモニタすることで、前記接触を検知する、
    請求項１に記載のディスク装置。
11. ヘッド・スライダとディスクとの接触を検知する方法であって、
    前記ヘッド・スライダの素子位置での浮上高さを調整するアクチュエータによって、前記素子位置の浮上高さを低くし、
    前記浮上高さを低くした状態において前記素子を振動させ、
    前記振動している素子と前記ディスクとの接触を検知する、
    方法。
12. 前記素子は、前記ヘッド・スライダと前記サスペンションとからなるアセンブリの共振を起こす周波数で振動している、
    請求項１１に記載の方法。
13. 前記共振のモードは、スウェイ・モードあるいはヨー・モードである、
    請求項２に記載の方法。
14. 前記素子をオフトラック方向に振動させた状態で前記ディスクとの接触を検知する、
    請求項１に記載の方法。
15. 前記素子を浮上高さ方向に振動させた状態で前記ディスクとの接触を検知する、
    請求項１に記載の方法。
16. 前記素子を浮上高さ方向及びオフトラック方向に振動させた状態で前記ディスクとの接触を検知する、
    請求項１４に記載の方法。
17. 前記サスペンションを複数周波数で前記ディスクの半径方向に振動させた前記アセンブリの振動振幅を参照して、前記アセンブリの共振を起こす前記周波数を特定する、
    請求項１２に記載の方法。

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