JP2010249771A - プローブおよび複数のプローブが実装されたプローブカード - Google Patents

Abstract

【課題】プローブが実装時に電極と接触する面が均一なプローブを提供する。
【解決手段】プローブカードの電極に実装される実装部、上記実装部から延在するアーム部、および上記アーム部の先端に設けられた先端部から構成され、複数の導電層が積層されて形成されているプローブであって、複数の導電層のうちの１つの導電層が他の導電層の底面を覆い、上記１つの導電層で上記実装部の上記電極と接触する底面が平坦に形成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、プローブおよび複数のプローブが実装されたプローブカードに関する。

半導体の検査には、基板に複数のプローブが実装されたプローブカードを用いている。基板上には複数のプローブが狭ピッチで配置されており、プローブは基板に設けられた電極に接触させてはんだ等を用いて接合されている。

プローブの構造の一つとして、特許文献１に記載されているような、複数の導電層を積層した積層構造のプローブがある。このようなプローブは、プローブ作成用基板上に順番に導電体を積層して形成するが、積層する過程のパターニングのずれによって、プローブの端部には数μｍの凹凸が生じている。

特開２００８−３０９５３４号公報

プローブのアーム部等に上述の凹凸が生じても特に問題は無いが、電極と接触する面に凹凸が生じていると、プローブをプローブカードの基板に実装する際に、プローブの底面が電極と接触した時に、プローブは傾いた状態となり傾いた状態で接合されると、実装されたプローブの向きが不揃いになり、プローブカードの精度を低下させるという問題が生じる。

特に、上述のように複数の導電層を積層して作成されたプローブの場合、底面に凹凸が生じていると実装時に不安定になるだけでなく、プローブによって底面から突出している凹凸の量が異なっていると、プローブの高さにもばらつきが生じ、傾きだけでなく、プローブの高さの違いからも、実装時のプローブの先端の位置及び高さにばらつきが生じ、プローブ先端が揃わないという問題が生じる。

本発明はこのような従来のプローブの問題点を解消し、プローブが実装時に電極と接触する面が均一なプローブ、および上記プローブが実装されたプローブカードを提供することを目的とする。

本発明のプローブは、プローブカードの電極に実装される実装部、上記実装部から延在するアーム部、および上記アーム部の先端に設けられた先端部から構成され、複数の導電層が積層されて形成されているプローブであって、複数の導電層のうちの１つの導電層が他の導電層の底面を覆い、上記１つの導電層で上記実装部の上記電極と接触する底面が平坦に形成されていることを特徴とする。

さらに、上記実装部の底面には、はんだバンプが形成されている。

本発明のプローブカードは、底面を有する実装部、上記実装部から延在するアーム部、および上記アーム部の先端に設けられた先端部から構成され、複数の導電層が積層されて形成されているプローブを複数実装したプローブカードあって、複数の導電層のうちの１つの導電層が他の導電層の底面を覆い、上記１つの導電層で上記実装部の底面が平坦に形成され、上記実装部の平坦な底面がプローブカードの基板上に設けられた電極と接触した状態で接合されていることを特徴とし、上記実装部の底面に設けられたはんだバンプを用いて上記プローブが上記電極に接合することができる。

本発明のプローブは、プローブカードの電極に実装される実装部、上記実装部から延在するアーム部、および上記アーム部の先端に設けられた先端部から構成され、複数の導電層が積層されて形成されているプローブであって、複数の導電層のうちの１つの導電層が他の導電層の底面を覆い、上記１つの導電層で上記実装部の上記電極と接触する底面が平坦に形成されていることにより、実装時のプローブの安定性が向上し、プローブの傾きも防止することができ、プローブの先端部を揃えて実装することが可能となるので、プローブの位置精度を高めることができる。

本発明のプローブカードは、底面を有する実装部、上記実装部から延在するアーム部、および上記アーム部の先端に設けられた先端部から構成され、複数の導電層が積層されて形成されているプローブを複数実装したプローブカードあって、複数の導電層のうちの１つの導電層が他の導電層の底面を覆い、上記１つの導電層で上記実装部の底面が平坦に形成され、上記実装部の平坦な底面がプローブカードの基板上に設けられた電極と接触した状態で接合されていることにより、プローブの先端が揃ったプローブカードが実現でき、精度の高いプローブカードが実現可能となる。

本発明のプローブの側面図である。 第１の実施形態のプローブの断面図であり、（ａ）は図１のＡ−Ａ断面、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面を示す。 プローブを実装する工程を示す断面図である。 第１の実施形態のプローブの第１の形成方法の工程を示す図である。 第１の実施形態のプローブの第１の形成方法の工程を示す図であり、図４の続きである。 第１の実施形態のプローブの第１の形成方法の工程を示す図であり、図５の続きである。 第１の実施形態のプローブの第２の形成方法の工程を示す図である。 第１の実施形態のプローブの第２の形成方法の工程を示す図であり、図７の続きである。 第１の実施形態のプローブの第２の形成方法の工程を示す図であり、図８の続きである。 その他の形態のプローブの断面図である。 第２の実施形態のプローブの断面図であり、（ａ）は図１のＡ−Ａ断面、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面を示す。 第２の実施形態のプローブを形成する工程を示す図である。 第２の実施形態のプローブを形成する工程を示す図であり、図１２の続きである。 本発明のプローブカードの概略断面図である。

図を用いて本発明を以下に詳細に説明する。図１が本発明の第１の実施形態のプローブ１の側面図、図２が第１の実施形態のプローブ１の断面図である。

本発明の第１の実施形態のプローブ１は、図１に示すように、プローブカードの基板上に設けられた電極に接合される実装部２、上記実装部２から延在しバネ性を有するアーム部３、および上記アーム部３の先端に設けられ被検査対象物に接触する先端部４から構成されている。

プローブ１をプローブカードに実装する際に、上記電極と接触する上記実装部２の底面は、少なくとも１箇所が突出して突出部８が設けられ、上記突出部８が直接電極と接触する。また、上記先端部４には、被検査対象物に接触する接触部９が設けられている。さらに、上記実装部２の底面には電極と接合する際に使用するはんだバンプ１０が形成されている。

上記プローブ１は、図２の断面図に示すように、中間層５を２つの外層６、７で挟み込んだ３層構造であり、３層の導電体からなる３層構造となっている。上記接触部９は図２（ａ）に示すように、上記中間層５だけに設けられており、断面形状を見るとわかるように、上記接触部９は外層６，７の先端部４から突出するように形成されている。

上記中間層５および上記外層６、７は、導電材料からなり、全て同じ導電材料で形成されていてもよいし、各々異なる導電材料で形成されていてもよい。本実施形態では、上記中間層５および上記外層６、７は、ニッケルコバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）からなる同一の導電材料で形成されている。導電材料としては、ニッケルコバルトに限らず、パラジウムコバルト（Ｐｄ−Ｃｏ）などのコバルト（Ｃｏ）を含む他の合金でもよく、パラジウムニッケル（Ｐｄ−Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、ニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）などの他の導電材料でもよい。そして、上記はんだバンプ１０は、上記中間層５および上記外層６、７よりも融点の低い導電材料を用いる。

上記中間層５および上記外層６、７は、各々上述の実装部２、アーム部３、および先端部４の形状に形成されているが、上記実装部２の電極と接触する底面、本実施形態では実装部２に設けられた２つの突出部８の底面は３層構造ではなく、上記外層７の１層によって上記中間層５および上記外層６の底面が覆われて平坦に仕上げられた１層構造となっている。

このように、本発明のプローブ１は、電極と接触する実装部２の底面を外層６と中間層５の底面にパターニングのずれによって生じる凹凸を外層７で覆い隠した状態の１層構造とすることで、平坦に仕上げることが可能となる。

次に、プローブ１を実装した本発明のプローブカード３３について説明する。本発明のプローブカード３３は、図１４に示すように、テスタのポゴピンと接触して接続される外部端子３８と内部配線３７を有するメイン基板３６と、上記メイン基板３６に固定され、上記プローブ１が実装される電極３５が設けられたプローブ基板３４とを備える。

続いてプローブ１のプローブカード３３への実装方法について説明する。まず初めに、図３（ａ）に示すように、はんだバンプ１０をプローブカード３３のプローブ基板３４上に設けられた電極３５に接触させた状態から、熱を加えてはんだバンプ１０を溶融させながら上記電極３５の表面に押し付けると、図３（ｂ）に示すように、上記実装部２の底面の全面が電極３５の表面と接触した状態となり、上記実装部２の底面の全面が電極３５と接触した状態で加熱を終了するとフィレットが形成されてプローブ１は電極３５に接合されるので、図３（ｂ）に示すように、プローブ１は傾くことなく、安定した状態で電極３５に接合されることとなる。

このように本発明のプローブ１は、電極３５に接合する際に傾くことを防止することができ、プローブ１の高さも一定に揃えることができるので、プローブ１の接触部９の向きおよび高さを揃えることも容易となり、プローブ１の位置精度を高めることが可能となり、より精度の高いプローブカード３３が実現できる。

次に、本発明のプローブ１の形成方法について説明する。第１の形成方法は、まず初めに、プローブ形成用の基板２０上に、銅（Ｃｕ）または黄銅からなる犠牲層１１を形成し、その後、図４（ａ）に示すように、犠牲層１１上に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布してレジスト層１３を形成し、プローブ１の外層６の形状に合わせて所定の箇所に開口１４を設けておく。そして、図４（ｂ）に示すように、電気めっきによりニッケルコバルトを上記開口１４に充填し、研磨調整が必要であればレジスト層１３と外層６を研磨して１層目となる外層６を形成する。

その後、図４（ｃ）に示すように、上記レジスト層１３を除去した後、図４（ｄ）に示すように、上記外層６の底面の周囲にレジスト層１５を形成する。上記レジスト層１５は、実装部２の底面を１層構造に仕上げ、はんだバンプ１０を形成するために使用するスペース１６を形成するためのものであり、上記レジスト層１５の大きさは、はんだバンプ１０を形成する範囲よりも大きくする。

そして、図４（ｅ）に示すように、上記レジスト層１３を除去して露出した上記犠牲層１１と上記外層６を覆うように銅からなる犠牲層１７を形成する。その後、図４（ｆ）に示すように、上記外層６が露出するまで上記犠牲層１７およびレジスト層１５の表面を研磨する。研磨が終了したら、図４（ｇ）に示すように、上記レジスト層１５を除去してスペース１６を形成する。

研磨が終わり上記外層６が露出した状態となったら、次に、接触部９を形成する。図４（ｈ）に示すように、上記外層６と上記犠牲層１７の上、および上記スペース１６を埋めるようにフォトレジストを塗布してレジスト層１８を形成し、上記接触部９の形状に合わせて所定の箇所に開口１９を設ける。そして、図５（ａ）に示すように、電気めっきによりニッケルコバルトを上記開口１９に充填し、研磨調整が必要であればレジスト層１８と接触部９を研磨して、接触部９を形成する。

その後、図５（ｂ）に示すように、上記レジスト層１８を除去し、次に、図５（ｃ）に示すように、上記外層６、犠牲層１７および接触部９の上にフォトレジストを塗布してレジスト層２１を形成し、プローブ１の中間層５の形状に合わせて所定の箇所に開口２２を設ける。そして、図５（ｄ）に示すように、電気めっきによりニッケルコバルトを上記開口２２に充填し、研磨調整が必要であればレジスト層２１と中間層５を研磨して、２層目となる中間層５を形成する。

その後、図５（ｅ）に示すように、上記レジスト層２１を除去し、中間層５及び犠牲層１７の上に再びフォトレジストを塗布してレジスト層２３を形成し、続いて、図５（ｆ）に示すように、プローブ１の３層目となる外層７の形状に合わせて所定の箇所に開口２４を設ける。この時、上記開口２４は、外層７が上記中間層５の底面を覆う大きさにしておく。

そして、図５（ｇ）に示すように、電気めっきによりニッケルコバルトを上記開口２４に充填し、研磨調整が必要であればレジスト層２３と外層７を研磨して、３層目となる外層７を形成する。この時、上記外層７によって上記中間層５および上記外層６の底面が覆われて実装部２の底面は平坦な形状となる。

その後、図５（ｈ）に示すように、上記レジスト層２３を除去し、続いて、実装部２の底面にはんだバンプ１０を形成するために、図６（ａ）に示すように、３層目の外層７及び犠牲層１７の上にフォトレジストを塗布してレジスト層２５を形成し、上記レジスト層２５にはんだバンプ１０の形状に合わせて実装部２の底面に開口２６を設ける。そして、図６（ｂ）に示すように、上記開口２６に電気めっきを用いてはんだを充填しはんだバンプ１０を形成する。これにより、上記実装部２の底面にはんだバンプ１０が形成される。

その後、３層目の外層７が露出し、上記外層７とはんだバンプ１０の表面が面一になるまで、上記レジスト層２５とはんだバンプ１０の研磨を行う。研磨の後、レジスト層２５および犠牲層１１，１７を除去すると、図６（ｃ）に示すように、プローブ１の形成が完了する。

上述のプローブ１の形成方法において、上記犠牲層１１をエッチングすることで外層６の表面にはんだバンプ１０が回りこむように形成し、さらに、上記外層７の表面の一部をはんだバンプ１０が覆うように形成することで、はんだバンプ１０が実装部２の底面から側面へと続くように形成することも可能である。

次に、本発明のプローブ１の第２の形成方法について説明する。まず初めに、図７（ａ）に示すように、プローブ形成用の基板２０上に、銅（Ｃｕ）からなる犠牲層１１を形成し、犠牲層１１の表面にはＡｕ、Ｃｒ、Ｔｉなどでエッチングストッパー層１２を形成する。上記エッチングストッパー層１２ははんだバンプ１０を形成する場所に形成すればよいが、全面に形成してもよい。その後、図７（ｂ）に示すように、犠牲層１１上に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布してレジスト層１３を形成し、プローブ１の外層６の形状に合わせて所定の箇所に開口１４を設けておく。そして、図７（ｃ）に示すように、電気めっきによりニッケルコバルトを上記開口１４に充填し、研磨調整が必要であればレジスト層１３と外層６を研磨して１層目となる外層６を形成する。

その後、図７（ｄ）に示すように、上記レジスト層１３を除去した後、図７（ｅ）に示すように、上記レジスト層１３を除去して露出した上記犠牲層１１と上記外層６を覆うように銅からなる犠牲層１７を形成する。その後、図７（ｆ）に示すように、上記外層６が露出するまで上記犠牲層１７の表面を研磨する。

研磨が終わり上記外層６が露出した状態となったら、次に、接触部９を形成する。図７（ｇ）に示すように、上記外層６及び犠牲層１７の上にフォトレジストを塗布してレジスト層１８を形成し、上記接触部９の形状に合わせて所定の箇所に開口１９を設ける。そして、図７（ｈ）に示すように、電気めっきによりニッケルコバルトを上記開口１９に充填し、研磨調整が必要であればレジスト層１８と接触部９を研磨して、接触部９を形成する。

その後、図８（ａ）に示すように、上記レジスト層１８を除去し、次に、図８（ｂ）に示すように、上記外層６、犠牲層１７および接触部９の上にフォトレジストを塗布してレジスト層２１を形成し、プローブ１の中間層５の形状に合わせて所定の箇所に開口２２を設ける。そして、図８（ｃ）に示すように、電気めっきによりニッケルコバルトを上記開口２２に充填し、研磨調整が必要であればレジスト層２１と中間層５を研磨して、２層目となる中間層５を形成する。

その後、図８（ｄ）に示すように、上記レジスト層２１を除去し、その後、図８（ｅ）に示すように、中間層５及び犠牲層１７の上にフォトレジストを塗布してレジスト層２７を形成し、はんだバンプ１０と実装部２の底面を１層構造に仕上げるためのスペース１６を形成するために、上記中間層５の底面に開口２８を設ける。上記開口２８の大きさは、はんだバンプ１０を形成する範囲よりも大きくする。

さらに、はんだバンプ１０と実装部２の底面を１層構造に仕上げるためのスペース１６を形成するために、図８（ｆ）に示すように、上記犠牲層１７の上記外層６の底面の部分をエッチングを用いて上記エッチングストッパー層１２が露出するまで上記犠牲層１７を除去する。その後、図８（ｇ）に示すように、上記レジスト層１６を除去し、上記スペース１６が形成される。

その後、中間層５及び犠牲層１７の上に再びフォトレジストを塗布してレジスト層２３を形成し、続いて、図８（ｈ）に示すように、プローブ１の３層目となる外層７の形状に合わせて所定の箇所に開口２４を設ける。この時、上記開口２４は、外層７が上記中間層５の底面を覆う大きさにしておく。

そして、図９（ａ）に示すように、電気めっきによりニッケルコバルトを上記開口２４に充填し、研磨調整が必要であればレジスト層２３と外層７を研磨して、３層目となる外層７を形成する。この時、上記外層７によって上記中間層５および上記外層６の底面が覆われて実装部２の底面は平坦な形状となる。

その後、図９（ｂ）に示すように、上記レジスト層２３を除去し、続いて、実装部２の底面にはんだバンプ１０を形成するために、図９（ｃ）に示すように、３層目の外層７及び犠牲層１７の上にフォトレジストを塗布してレジスト層２５を形成し、上記レジスト層２５にはんだバンプ１０の形状に合わせて実装部２の底面に開口２６を設ける。そして、図９（ｄ）に示すように、上記開口２６に電気めっきを用いてはんだを充填しはんだバンプ１０を形成する。これにより、上記実装部２の底面にはんだバンプ１０が形成される。

その後、３層目の外層７が露出し、上記外層７とはんだバンプ１０の表面が面一になるまで、上記レジスト層１８とはんだバンプ１０の研磨を行う。研磨の後、レジスト層２５、犠牲層１１，１７およびエッチングストッパー層１２を除去すると、図９（ｅ）に示すように、プローブ１の形成が完了する。

このようにして形成されたプローブ１は、研磨とエッチングストッパー層１２を用いることによって、はんだバンプ１０と外層６、７は面一に形成されるので、はんだバンプ１０には一定のはんだ量が確保され、品質のばらつきを減少させることができるようになる。

本実施形態では、外層７によって実装部２の底面を平坦に形成したプローブ１について説明してきたが、その他に、図１０（ａ）に示すように、中間層５によって実装部２の底面を平坦に形成したプローブ１’や、図１０（ｂ）に示すように、外層６によって実装部２の底面を平坦に形成したプローブ１’’も可能である。また、実装部２に突出部８を設けない場合も可能である。さらに、はんだバンプを設けないことも可能である。

また上記プローブ１’，１，’’についても、第１の実施形態と同様の方法でプローブカード３３に実装され、同じように、上記プローブ１’，１，’’１’’’が実装されたプローブカード３３が実現できる。

次に、第２の実施形態のプローブ１’’’について説明する。図１１に示すのが第２の実施形態のプローブ１’’’の断面図であり、断面形状以外は第１の実施形態と同じとなるので、図１が側面図となる。

第２の実施形態のプローブ１’’’は、第１の実施形態と同様に、図１に示すように、実装部２、アーム部３、および先端部４から構成され、上記電極と接触する上記実装部２の底面には、電極と接触する２つの突出部８が設けられ、上記先端部４には、被検査対象物に接触する接触部９が設けられている。さらに、上記実装部２の底面には電極と接合する際に使用するはんだバンプ１０が形成されている。

上記プローブ１’’’は、図１１の断面図に示すように、第１の実施形態の外層６に該当する下層２７と、第１の実施形態の中間層５と外層７を合わせたものに該当する上層２８から構成される２層構造である。２層構造とするために、上記上層２８の厚さは、２層分の厚さに形成されている。上記下層２７および上記上層２８は、導電材料からなり、本実施形態では、ニッケルコバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）からなる同一の導電材料で形成されている。そして、上記はんだバンプ１０は、下層２７および上層２８よりも融点の低い導電材料を用いる。

上記下層２７および上記上層２８は、各々上述の実装部２、アーム部３、および先端部４の形状に形成されているが、上記実装部２の電極と接触する底面、本実施形態では実装部２に設けられた２つの突出部８の底面は２層構造ではなく、上記上層２８の１層によって上記下層２７の底面を覆うように形成され、１層構造となっており、実装部２の底面は平坦に仕上げられている。

本実施形態のプローブ１’’’は２層構造とすることで、３層構造の第１の実施形態よりも少ない工程で、実装部２の電極と接触する底面を平坦に形成することができ、実装時の安定性も確保することが可能となる。

次に、第２の実施形態のプローブ１’’’の形成方法について説明する。下層２７の形成工程は、第１の実施形態のプローブ１の第１の形成方法における外層６の形成工程とほぼ同じ工程である。まず初めに、プローブ形成用の基板２０上に、銅（Ｃｕ）からなる犠牲層１１を形成し、犠牲層１１上に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布してレジスト層１３を形成し、プローブ１’’’の下層２７の形状に合わせて所定の箇所に開口１４を設け、電気めっきによりニッケルコバルトを上記開口１４に充填し、研磨調整が必要であればレジスト層１３と下層２７を研磨して、図１２（ａ）に示すように、１層目となる下層２７を形成する。

次に、図１２（ｂ）に示すように、上記レジスト層１３を除去した後、図１２（ｃ）に示すように、上記下層２７の底面の周囲にレジスト層１５を形成する。上記レジスト層１５は、実装部２の底面を１層構造に仕上げ、はんだバンプ１０を形成するために使用するスペース１６を形成するためのものであり、上記レジスト層１５の大きさは、はんだバンプ１０を形成する範囲よりも大きくする。

そして、図１２（ｄ）に示すように、上記レジスト層１３を除去して露出した上記犠牲層１１と上記下層２７を覆うように銅からなる犠牲層１７を形成する。その後、図１２（ｅ）に示すように、上記下層２７が露出するまで上記犠牲層１７の表面を研磨し、上記レジスト層１５を除去してスペース１６を形成する。

研磨が終わり上記下層２７が露出した状態となったら、図１２（ｆ）に示すように、上記下層２７と犠牲層１７の上、および上記スペース１６を埋めるようにフォトレジストを塗布してレジスト層１８を形成し、上記接触部９の形状に合わせて所定の箇所に開口１９を設け、電気めっきによりニッケルコバルトを上記開口１９に充填する。そして、研磨調整が必要であればレジスト層１８と接触部９を研磨して、上記レジスト層１８を除去し、図１２（ｇ）に示すように、接触部９を形成する。

そして、図１２（ｈ）に示すように、上記下層２７及び犠牲層１７の上にフォトレジストを塗布してレジスト層２９を形成し、プローブ１’’’の上層２８の形状に合わせて所定の箇所に開口３０を設ける。この時、開口３０は、上層２８が下層２７の底面を覆うことができるような形状にしておく。

そして、図１３（ａ）に示すように、電気めっきによりニッケルコバルトを上記開口３０に充填し、上層２８を形成する。この時に、上記上層２８によって上記下層２７の底面が覆われて実装部２の底面は１層構造で平坦な形状となる。

その後、図１３（ｂ）に示すように、上記レジスト層２９を除去し、続いて、実装部２の底面にはんだバンプ１０を形成するために、図１３（ｃ）に示すように、上層２８及び犠牲層１７の上に再びフォトレジストを塗布してレジスト層３１を形成し、上記レジスト層３１にバンプ１０の形状に合実装部２の底面に開口３２を設ける。そして、図１３（ｄ）に示すように、上記開口３２に電気めっきを用いてはんだを充填しはんだバンプ１０を形成する。これにより、上記実装部２の底面にはんだバンプ１０が形成される。

その後、図１３（ｅ）に示すように、上層２８が露出し、上記上層２８とはんだバンプ１０の表面が面一になるまで、上記レジスト層３１とはんだバンプ１０の研磨を行う。研磨の後、レジスト層３１および犠牲層１１を除去すると、図１３（ｆ）に示すように、プローブ１’’’の形成が完了する。

このようにして形成されたプローブ１’’’は、２層構造でかつ実装部２の底面が１層構造で平坦となっており、３層構造より少ない工程で形成することが可能であり、実装時の安定性も十分に確保することができる。

第２の実施形態のプローブ１’’’についても、第１の実施形態と同様の方法でプローブカード３３に実装され、同じように、プローブ１’’’が実装されたプローブカード３３が実現できる。

１、１’、１’’、１’’’ プローブ
２ 実装部
３ アーム部
４ 先端部
５ 中間層
６，７ 外層
８ 突出部
９ 接触部
１０ はんだバンプ
１１，１７ 犠牲層
１２ エッチングストッパー層
１３，１５，１８，２１，２３，２５，２９，３１ レジスト層
１４，１９，２２，２４，２６，３０，３２ 開口
１６ スペース
２０ 基板
２７ 下層
２８ 上層
３３ プローブカード
３４ プローブ基板
３５ 電極
３６ メイン基板
３７ 内部配線
３８ 外部端子

Claims (4)

1. プローブカードの電極に実装される実装部、上記実装部から延在するアーム部、および上記アーム部の先端に設けられた先端部から構成され、複数の導電層が積層されて形成されているプローブであって、
   複数の導電層のうちの１つの導電層が他の導電層の底面を覆い、上記１つの導電層で上記実装部の上記電極と接触する底面が平坦に形成されていることを特徴とするプローブ。
2. 上記実装部の底面には、はんだバンプが形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプローブ。
3. 底面を有する実装部、上記実装部から延在するアーム部、および上記アーム部の先端に設けられた先端部から構成され、複数の導電層が積層されて形成されているプローブを複数実装したプローブカードあって、
   複数の導電層のうちの１つの導電層が他の導電層の底面を覆い、上記１つの導電層で上記実装部の底面が平坦に形成され、上記実装部の平坦な底面がプローブカードの基板上に設けられた電極と接触した状態で接合されていることを特徴とするプローブカード。
4. 上記実装部の底面に設けられたはんだバンプを用いて上記プローブが上記電極に接合されていることを特徴とする請求項３に記載のプローブカード。

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