JP2010245144A - Aligner and method of manufacturing device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus and a device manufacturing method using the same.
露光装置は、半導体素子や液晶表示素子等の製造工程であるリソグラフィ工程において、原版(レチクル)のパターンを、投影光学系を介して感光性の被処理基板(例えば、表面にレジスト層が形成されたウエハやガラスプレート等)に転写する装置である。この露光装置としては、ステップ・アンド・リピート方式の投影型露光装置(ステッパ)や、ステップ・アンド・スキャン方式の投影型露光装置(スキャン)が多用されている。 In a lithography process, which is a manufacturing process for semiconductor elements, liquid crystal display elements, and the like, an exposure apparatus applies a pattern of an original (reticle) to a substrate to be processed (for example, a resist layer on the surface via a projection optical system). A wafer or a glass plate). As this exposure apparatus, a step-and-repeat projection exposure apparatus (stepper) and a step-and-scan projection exposure apparatus (scan) are frequently used.
近年、露光装置においては、ウエハに転写されるべきパターンの微細化に伴い、ウエハ、あるいはレチクルの位置決め精度の向上のほか、アライメント精度の更なる向上が要求されている。これに対して、アライメント光学系に影響を及ぼす原因の一つに、光学系を収納する部分、光学系を保持する部分、あるいは光学系の光路の温度変化がある。この温度変化による影響を抑える対策として、例えば、特許文献1は、露光装置を温度制御されたチャンバ内に収容し、空調系統を大型化することなく光学性能を安定に維持する露光装置を開示している。 In recent years, along with the miniaturization of a pattern to be transferred to a wafer, an exposure apparatus is required to further improve the alignment accuracy in addition to improving the positioning accuracy of the wafer or reticle. On the other hand, one of the factors that affect the alignment optical system is a portion that houses the optical system, a portion that holds the optical system, or a temperature change in the optical path of the optical system. As a countermeasure for suppressing the influence due to the temperature change, for example, Patent Document 1 discloses an exposure apparatus in which the exposure apparatus is accommodated in a temperature-controlled chamber and the optical performance is stably maintained without increasing the size of the air conditioning system. ing.
このような露光装置では、レチクルを載置するレチクルステージと共に、ウエハを載置し、投影光学系に対して走査する基板ステージにおいても、位置決め精度は、1nm以下が要求される。そこで、その位置計測には、レーザ干渉計やエンコーダ等を採用する干渉計システムが用いられている。例えば、特許文献2は、常に短い距離での計測が可能なエンコーダでのステージ位置計測を行うリトグラフィー投影装置を開示している。また、干渉計システムの構成については、一つのセンサヘッドで計測対象の2自由度の平面方向を計測可能なものが存在する。更に、例えば、特許文献3は、スケールに対して平行方向と垂直方向の2自由度計測可能な干渉計を開示し、特許文献4は、3自由度以上の計測が可能な検出装置を開示している。
In such an exposure apparatus, a positioning accuracy of 1 nm or less is also required for a reticle stage for placing a reticle and a substrate stage for placing a wafer and scanning the projection optical system. Therefore, an interferometer system employing a laser interferometer, an encoder, or the like is used for the position measurement. For example,
しかしながら、干渉計システムを大気中で使用した場合には、空気揺らぎから干渉計光路に誤差が生じる。特に、エンコーダにおいては、その計測対象となるスケールの存在が不可欠であるが、スケールと垂直な方向を計測可能なエンコーダや他の光学式計測手段では、スケールの熱変形等の形状誤差が、計測誤差に繋がってしまうという問題がある。これに対して、上記特許文献1〜4は、この問題についての対処法を開示していない。 However, when the interferometer system is used in the atmosphere, an error occurs in the interferometer optical path due to air fluctuations. In particular, for encoders, the existence of a scale to be measured is indispensable, but with encoders and other optical measurement means that can measure the direction perpendicular to the scale, shape errors such as thermal deformation of the scale are measured. There is a problem that it leads to an error. On the other hand, Patent Documents 1 to 4 do not disclose a method for dealing with this problem.
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、エンコーダ等の位置計測装置を使用した基板ステージの位置決めを行う際に、スケールの形状に依存する誤差を最小限に抑える露光装置を提供する。 The present invention has been made in view of such a situation, and an exposure apparatus that minimizes an error depending on the shape of a scale when positioning a substrate stage using a position measurement device such as an encoder is provided. provide.
上記課題を解決するために、基板を保持する基板ステージと、該基板ステージの位置を計測する光学式計測部と、該光学式計測部からの計測光の反射対象となるスケールとを備える露光装置であって、基板ステージが設置された空間内を温度調節するための温調エアを供給する供給系を有し、該供給系は、基板ステージの走査部周辺に温調エアを供給する第1の供給系と、スケールの設置部周辺に温調エアを供給する第2の供給系とを備える。 In order to solve the above problems, an exposure apparatus comprising a substrate stage that holds a substrate, an optical measurement unit that measures the position of the substrate stage, and a scale that is a reflection target of measurement light from the optical measurement unit. And a supply system that supplies temperature-controlled air for adjusting the temperature in the space in which the substrate stage is installed. The supply system supplies the temperature-controlled air around the scanning unit of the substrate stage. And a second supply system for supplying temperature-controlled air around the scale installation section.
本発明によれば、基板ステージが設置された空間内を温調する温調エアの供給系を、2種類の系統とすることにより、露光処理時やメンテナンス時において、スケールの熱変形を最小限に抑え、基板ステージの位置決め精度を良好とすることができる。 According to the present invention, the temperature control air supply system for controlling the temperature in the space in which the substrate stage is installed is made of two types of systems, so that the thermal deformation of the scale is minimized during the exposure process and maintenance. The positioning accuracy of the substrate stage can be improved.
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る露光装置の構成を示す概略図である。露光装置50は、照明光学系1と、レチクル(原版)2を保持するレチクルステージ3と、投影光学系4と、ウエハ(基板)5を保持する基板ステージ6とを備える。なお、本実施形態における露光装置50は、ステップ・アンド・リピート方式、又はステップ・アンド・スキャン方式を採用し、レチクル2に形成された回路パターンをウエハ5に露光する走査型投影露光装置である。また、以下の図において、投影光学系の光軸に平行にZ軸を取り、該Z軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクル及びウエハの走査方向にY軸を取り、該Y軸に直交する非走査方向にX軸を取って説明する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic view showing the arrangement of an exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention. The
照明光学系1は、不図示の光源部を備え、転写用の回路パターンが形成されたレチクル2を照明する装置である。光源部において、光源は、例えば、レーザを使用する。使用可能なレーザは、波長約193nmのArFエキシマレーザ、波長約248nmのKrFエキシマレーザ、波長約157nmのF2エキシマレーザ等である。なお、レーザの種類は、エキシマレーザに限定されず、例えば、YAGレーザを使用しても良いし、レーザの個数も限定されない。また、光源部にレーザが使用される場合、レーザ光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザをインコヒーレント化するインコヒーレント光学系を使用することが好ましい。更に、光源部に使用可能な光源は、レーザに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプ等のランプも使用可能である。
The illumination optical system 1 includes a light source unit (not shown) and illuminates a
また、照明光学系1は、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、及び絞り等を備える。一般に、光学系は、コンデンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する。照明光学系1は、軸上光、軸外光を問わず使用可能である。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや2組のシリンドリカルレンズアレイ板を重ねることによって構成されるインテグレーター等を含む。なお、ライトインテグレーターは、光学ロッドや回折要素に置換される場合もある。また、開口絞りは、円形絞り、変形照明用の輪帯照明絞り、及び4重極照明絞り等として構成される。 The illumination optical system 1 includes a lens, a mirror, a light integrator, a diaphragm, and the like. In general, an optical system is arranged in the order of a condenser lens, a fly-eye lens, an aperture stop, a condenser lens, a slit, and an imaging optical system. The illumination optical system 1 can be used regardless of on-axis light or off-axis light. The light integrator includes an integrator configured by stacking a fly-eye lens and two sets of cylindrical lens array plates. The light integrator may be replaced with an optical rod or a diffraction element. The aperture stop is configured as a circular stop, an annular illumination stop for modified illumination, a quadrupole illumination stop, or the like.
レチクル2は、例えば、石英ガラス製の原版であり、転写されるべき回路パターンが形成されている。また、レチクルステージ3は、一定方向(XY方向)に移動可能なステージであって、レチクル2を載置、及び保持する装置である。
The
投影光学系4は、照明光学系1からの露光光で照明されたレチクル2上のパターンを所定倍率(例えば、1/4、若しくは1/5)でウエハ5上に投影露光する。投影光学系4としては、複数の光学要素のみから構成される光学系や、複数の光学要素と少なくとも一枚の凹面鏡とから構成される光学系(カタディオプトリック光学系)が採用可能である。若しくは、投影光学系4として、複数の光学要素と少なくとも一枚のキノフォーム等の回折光学要素とから構成される光学系や、全ミラー型の光学系等も採用可能である。
The projection
ウエハ5は、表面上にレジスト(感光剤)が塗布されたシリコン製の被処理体である。基板ステージ6は、一定方向(XYZ方向)に移動可能なステージであって、ウエハ5を載置、及び保持する装置である。
The
本実施形態の露光装置50において、レチクル2から発せられた回折光は、投影光学系4を通過し、ウエハ5上に投影される。レチクル2とウエハ5とは、共役の関係にある。走査型の投影露光装置の場合は、レチクル2とウエハ5とを走査することにより、レチクル2のパターンをウエハ5上に転写する。なお、ステッパ(ステップ・アンド・リピート方式の露光装置)の場合は、レチクル2とウエハ5とを静止させた状態で露光を行う。
In the
次に、本発明の特徴である基板ステージ6の周辺構成について説明する。まず、露光装置50は、基板ステージ6の周辺に、露光処理を実施する前にウエハ5が常に所定の位置となるように位置決めするための位置計測装置を有する。該位置計測装置は、基板ステージ6の上部側面の複数の位置(例えば、3箇所)に設置される光学式計測部7と、該光学式計測部7から投射される計測光の反射対象となる、XY平面で吊設されたスケール8とを備える。
Next, the peripheral configuration of the
光学式計測部7は、投影光学系4の光軸に直交するXY平面内で、定盤9に設置されたスケール8に計測光を投射し、続いて、スケール8から反射された計測光を受光し、計測信号を不図示の位置検知回路に対して出力する。該位置検知回路は、計測信号に基づいてウエハ5の相対位置を検出し、検出結果を基板ステージ6の不図示の制御系に送信する。該制御系は、検出結果に基づいて、基板ステージ6の位置決めを制御する。なお、光学式計測部7は、XYZの3方向について計測可能な構成を有する。
The
スケール8は、内部に貫設、若しくは側面に着接された液冷配管8aを有する。該液冷配管8a内を循環する液体は、不図示の温度調整部、及び温度制御部により、温度を一定に保持し、若しくはスケール8の温度が一定になるように温度を制御することにより、熱変形を最小限に抑えている。
The
また、露光装置50は、不図示であるが、上記主要構成要素を収容する温度調節されたチャンバを備える。該チャンバ内の温度は、一般に、露光装置50が設置されるクリーンルームよりも高精度に制御される。例えば、クリーンルームの温度が±2〜3℃の範囲で制御されるのに対し、チャンバ内の温度は、±0.1℃の範囲に保持される。特に、精密な計測が必要となる光学式計測部7を設置する基板ステージ空間では、所望の温度に調整された温調エアを不図示のエア供給部から供給することにより、基板ステージ空間の温度を23±0.01℃に保持することが理想である。
Although not shown, the
これに対して、本発明は、内部の温度調節を実施するために基板ステージ空間に供給する温調エアを、第1の供給系と、第2の供給系の2種類の供給系から供給することを特徴としている。第1の供給系は、エア供給部から延設された供給配管10と、該供給配管10から供給された温調エアを効率良く射出するための吹出部11とを備える。第1の供給系は、基板ステージ6全体に向けて温調エアを射出するものであり、主に基板ステージ6の走査部周辺の温調を担当する供給系である。この場合、吹出部11からの温調エアの風速は、約0.5m/sとする。一方、第2の供給系は、エア供給部から延設された供給配管12と、該供給配管12から供給された温調エアを効率良く射出するための吹出部13とを備える。第2の供給系は、位置計測装置全体に向けて温調エアを射出するものであり、主にスケール8の設置部周辺の温調を担当する供給系である。この場合、吹出部13からの温調エアの風速は、約3m/sとする。
In contrast, according to the present invention, temperature-controlled air supplied to the substrate stage space in order to adjust the internal temperature is supplied from two types of supply systems, the first supply system and the second supply system. It is characterized by that. The first supply system includes a
また、吹出部11及び吹出部13に対向するチャンバ側面部には、それぞれの吹出部に対応した排気部14、15が設置される。該排気部14、15は、供給後の温調エアを回収し、効率的なエアの流れを作り、基板ステージ空間内に空気の淀みが発生することを防止するものである。また、排気部14、15は、それぞれ別系統の排気配管16、17に接続される。
Further,
次に、2種類のエア供給系による作用、効果について説明する。本発明では、まず、第1の供給系と第2の供給系とから温調エアを供給することで、基板ステージ空間全域の温度を、温調エアの温度とほぼ同一に制御する。これにより、温度勾配に起因する光学式計測部7から照射される計測光の光路上の空気の温度揺らぎ(屈折率の変動)による計測誤差を抑えることができる。特に、位置計測装置付近には、第2の供給系より、第1の供給系から供給される温調エアの風速よりも速い風速の温調エアが供給されるので、スケール8を更に効率良く冷却することが可能であり、上記空気の温度揺らぎを更に抑えることができる。
Next, operations and effects of the two types of air supply systems will be described. In the present invention, first, temperature-controlled air is supplied from the first supply system and the second supply system, so that the temperature of the entire substrate stage space is controlled to be substantially the same as the temperature of the temperature-controlled air. Thereby, the measurement error by the temperature fluctuation (refractive index fluctuation | variation) of the air on the optical path of the measurement light irradiated from the
また、基板ステージ6のメンテナンス等、基板ステージ空間内で作業を行う場合、第2の供給系のみ給排気を行い、第1の供給系を停止し、吹出部11と排気部14とを移動させることにより、スケール8の温度調節を維持したまま作業を行うことができる。これにより、スケール8の温度変形を最小に抑え、作業終了後の所定の露光精度までの復旧時間を短縮させることが可能となる。
Further, when work is performed in the substrate stage space such as maintenance of the
また、上記配管構成に加え、吹出部11に接続された供給配管10と、排気部14に接続された排気配管16は、バイパス配管18で接続されている。更に、供給配管10、及び排気配管16は、それぞれ調整バルブ19を備え、また、バイパス配管18は、調整バルブ20を備える。バイパス配管18は、主に、第1の供給系から供給する温調エアの流量を適宜確保するために、エア供給部からの余分な温調エアを逃がす役割を担う。更に、上記のように、基板ステージ空間内で作業を行う場合、調整バルブ19を閉じ、調整バルブ20を開けることにより、第1の供給系の給排気を停止させることができる。
Further, in addition to the above-described piping configuration, the
また、一般に、基板ステージ空間では、エアを循環させ、不図示のケミカルフィルタ等により化学物質を除去したり、不図示のULPAフィルタにより微小物質を除去したりする清浄化を実施している。このとき、排気部14の位置を移動させると、排気部14は、クリーンルーム内のエアを吸い込み、ケミカルフィルタ、及びULPAフィルタの寿命が短くなる。これに対し、本発明では、温調エアを、バイパス配管18を介して供給配管10から排気配管16にバイパスさせることにより、温調エアを循環させたまま作業を行うことができるので、ケミカルフィルタ、及びULPAフィルタの寿命を延ばすことが可能となる。
In general, in the substrate stage space, air is circulated, and chemical substances are removed by a chemical filter (not shown) or minute substances are removed by a ULPA filter (not shown). At this time, if the position of the exhaust unit 14 is moved, the exhaust unit 14 sucks air in the clean room, and the lifetimes of the chemical filter and the ULPA filter are shortened. On the other hand, in the present invention, the temperature control air can be bypassed from the
以上のように、本発明では、基板ステージ空間に供給する温調エアを、第1の供給系と、第2の供給系の2種類の供給系統から供給する構成としている。これにより、位置計測装置周辺を効率良く温度調節することができ、スケール8の熱変形等の形状誤差に起因する計測誤差を最小とすることができる。例えば、本発明によれば、基板ステージ6の位置決め精度を、1nm以下とすることが可能である。更に、基板ステージ空間のメンテナンス作業を効率良く実施できるので、メンテナンス作業終了後の所定の露光精度までの復旧時間を短縮させることが可能となる。
As described above, in the present invention, the temperature-controlled air supplied to the substrate stage space is supplied from the two types of supply systems, the first supply system and the second supply system. As a result, the temperature around the position measuring device can be efficiently adjusted, and measurement errors caused by shape errors such as thermal deformation of the
(第2実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態に係る露光装置について説明する。図2は、本発明の第2の実施形態に係る露光装置の構成を示す概略図である。なお、図2において、図1と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態の露光装置60の特徴は、第1の供給系と第2の供給系との間に、基板ステージ空間を分割する仕切部材21を備える点にある。
(Second Embodiment)
Next, an exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a schematic view showing the arrangement of an exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 2, the same components as those in FIG. The
仕切部材21は、基板ステージ6のメンテナンス等の作業を行う際に使用する、板材、若しくは膜である。仕切部材21は、基板ステージ空間を、基板ステージ6の走査部周辺における温調エアの第1の循環空間22と、スケール8周辺における温調エアの第2の循環空間23とに分割するように、XY平面内に配置される。なお、仕切部材21は、作業時のみ設置するように、取り外し可能な構造でも良い。若しくは、仕切部材21は、スライド構造、又はビニールや樹脂のシート形状にして巻き取る構造として、露光処理時には、吹出部11と吹出部13の間に収納可能なように備え付ける構造としてもよい。
The
これにより、第1の循環空間22にて作業を行う場合、第2の供給系により第2の循環空間23の温度を一定に保持することができるので、スケール8の温度変形を最小に抑えつつ、作業終了後の所定の露光精度までの復旧時間を短縮させることが可能である。また、第1の循環空間22内で作業を行う際、スケール8への接触により、スケール8の損傷を防止することも可能である。
Thereby, when working in the
(デバイスの製造方法)
次に、上記露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、薄膜磁気ヘッド等のデバイスは、レジストが塗布された基板を、上記露光装置を用いて露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることによって製造される。該周知の工程は、例えば、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、及びパッケージング等の少なくとも1つの工程を含む。
(Device manufacturing method)
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the exposure apparatus will be described. A device such as a semiconductor element, a liquid crystal display element, an image pickup element (CCD, etc.), a thin film magnetic head, and the like, a step of exposing a resist-coated substrate using the exposure apparatus, and a step of developing the exposed substrate And other known processes. The known processes include at least one process such as oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, and packaging.
本発明は、上記実施形態に限定するものでなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成が代替的に置換されても良い。例えば、上記実施形態では、基板ステージ空間の温調機構として単独で使用するものとして記載したが、通常使用されている温調機構と、本発明の温調機構とを併用するものであってもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and each configuration may be alternatively substituted as long as the object of the present invention is achieved. For example, in the above embodiment, the temperature control mechanism of the substrate stage space is described as being used alone. However, the temperature control mechanism that is normally used and the temperature control mechanism of the present invention may be used in combination. Good.
5 基板
6 基板ステージ
7 光学式計測部
8 スケール
11 吹出部
13 吹出部
14 排気部
15 排気部
18 バイパス配管
21 仕切部材
5
Claims (9)
前記基板ステージが設置された空間内を温度調節するための温調エアを供給する供給系を有し、
前記供給系は、前記基板ステージの走査部周辺に前記温調エアを供給する第1の供給系と、前記スケールの設置部周辺に前記温調エアを供給する第2の供給系とを備えることを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus comprising a substrate stage that holds a substrate, an optical measurement unit that measures the position of the substrate stage, and a scale that is a reflection target of measurement light from the optical measurement unit,
A supply system for supplying temperature-controlled air for adjusting the temperature in the space in which the substrate stage is installed;
The supply system includes a first supply system that supplies the temperature-controlled air around the scanning unit of the substrate stage, and a second supply system that supplies the temperature-controlled air around the installation unit of the scale. An exposure apparatus characterized by the above.
前記基板ステージが設置された空間内で作業を行う際は、前記第1の供給系は、前記バイパス配管より前記温調エアをバイパスさせ、前記第2の供給系は、前記スケールの温調を行うことを特徴とする請求項1〜7に記載の露光装置。 The first supply system has a bypass pipe connected to the blowing part and the exhaust part,
When working in the space where the substrate stage is installed, the first supply system bypasses the temperature control air from the bypass pipe, and the second supply system controls the temperature of the scale. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is performed.
前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。 A step of exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 1;
Developing the substrate;
A device manufacturing method characterized by comprising:
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