JP2010244766A - Organic el display device - Google Patents

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正裕 大城
Kazuyoshi Komata
一由 小俣
Hiroyoshi Nakamura
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device capable of narrowing a frame while preventing voltage drop of a counter electrode. <P>SOLUTION: The organic EL display device is provided with an array substrate 100, a sealing substrate 200 facing to a surface with organic EL devices OLED of the array substrate 100 arranged, a sealing member 300 arranged in a frame shape so as to surround the organic EL devices OLED and consisting of flit glass jointing between the array substrate 100 and the sealing substrate 200, and a power source wiring W, on the array substrate 100, equipped with a power source terminal T arranged outside of the sealing member 300, a first wiring W1 arranged so as to overlap with the sealing member 300 and formed of a material having higher melting point than that of the sealing member 300, a second wiring W2 connecting an end of the first wiring W1 and a counter electrode CE as well as a power source terminal T, and a third wiring W3 connecting the other end of the first wiring W1 and the counter electrode CE. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) display device.

近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。   In recent years, active development of display devices using organic electroluminescence (EL) elements that are self-luminous, have high-speed response, wide viewing angle, high contrast, and can be made thinner and lighter. It has been broken.

この有機ＥＬ素子は、画素電極と対向電極との間に有機層を保持している。有機ＥＬ素子、特に、有機層は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んでいる。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように気密に封止する必要がある。   This organic EL element holds an organic layer between a pixel electrode and a counter electrode. An organic EL element, in particular, an organic layer includes a thin film that easily deteriorates due to the influence of moisture and oxygen. For this reason, it is necessary to hermetically seal the organic EL element so as not to be exposed to the atmosphere.

例えば、特許文献１によれば、照射源を用いて、第２の基板上に配置したフリットを加熱し、溶融して、第１の基板を第２の基板に連結する技術が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a technique for connecting a first substrate to a second substrate by using an irradiation source to heat and melt a frit disposed on the second substrate. .

ところで、対向電極の電圧降下を低減させるために、対向電極は、複数の箇所、例えば、表示パネルの上辺と下辺で電源配線と接続されることがある。このとき、電源配線を引き回すためのスペースを確保すると表示パネルの額縁が大きくなってしまうことがある。   By the way, in order to reduce the voltage drop of the counter electrode, the counter electrode may be connected to the power supply wiring at a plurality of locations, for example, the upper side and the lower side of the display panel. At this time, if a space for routing the power supply wiring is secured, the frame of the display panel may be enlarged.

特開２００６−５２４４１９号公報JP 2006-524419 A

本発明の目的は、対向電極の電圧降下を防止しつつ、狭額縁化を図ることが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an organic EL display device capable of narrowing a frame while preventing a voltage drop of a counter electrode.

本発明の一態様によれば、第１電極と第２電極との間に配置された有機層を備えた有機ＥＬ素子と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が配置された面と向かい合う封止基板と、前記有機ＥＬ素子を囲むように枠状に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、前記アレイ基板上において、前記シール部材の外側に配置された電源端子と、前記シール部材と重なるように配置されるとともに前記シール部材よりも融点の高い材料で形成された第１配線と、前記第１配線の一端と前記第２電極と前記電源端子とを接続する第２配線と、前記第１配線の他端と前記第２電極とを接続する第３配線と、を備えた電源配線と、を備えたことを特徴とする。   According to one aspect of the present invention, an organic EL element including an organic layer disposed between a first electrode and a second electrode, and the organic EL element of the array substrate are disposed. On the array substrate, a sealing substrate that faces the formed surface, a sealing member that is arranged in a frame shape so as to surround the organic EL element, and is formed of frit glass that joins the array substrate and the sealing substrate; A power terminal disposed outside the sealing member; a first wiring that is disposed so as to overlap the sealing member and that has a higher melting point than the sealing member; one end of the first wiring; A power supply wiring comprising: a second wiring connecting the second electrode and the power supply terminal; and a third wiring connecting the other end of the first wiring and the second electrode. And

本発明によれば、対向電極の電圧降下を防止しつつ、狭額縁化を図ることが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an organic EL display device capable of narrowing the frame while preventing a voltage drop of the counter electrode.

図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of an organic EL display device according to an aspect of the present invention. 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置をＩＩ−ＩＩ線で切断したときの構成を概略的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration when the organic EL display device shown in FIG. 1 is cut along line II-II. 図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断したときの構成を概略的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a configuration when the organic EL display device shown in FIG. 1 is cut along line III-III. 図４は、図１に示した有機ＥＬ表示装置をＩＶ−ＩＶ線で切断したときの構成を概略的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a configuration when the organic EL display device shown in FIG. 1 is cut along line IV-IV.

以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same reference numerals are given to components that exhibit the same or similar functions, and duplicate descriptions are omitted.

図１は、有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。   FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of an organic EL display device.

この有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。表示パネル１は、アレイ基板１００および封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示するアクティブエリア１０２において、マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを囲むように枠状に配置されたシール部材３００により接合されている。このシール部材３００は、フリットガラスによって形成されている。   This organic EL display device includes a display panel 1. The display panel 1 includes an array substrate 100 and a sealing substrate 200. The array substrate 100 includes a plurality of organic EL elements OLED arranged in a matrix in an active area 102 that displays an image. The sealing substrate 200 faces the organic EL element OLED of the array substrate 100. The array substrate 100 and the sealing substrate 200 are joined by a seal member 300 arranged in a frame shape so as to surround the organic EL element OLED. The seal member 300 is made of frit glass.

アレイ基板１００の上には、電源端子ＴＡおよびＴＢが配置されている。これらの電源端子ＴＡおよびＴＢは、シール部材３００の外側に配置されている。この例では、電源端子ＴＡおよびＴＢは、アレイ基板１００における封止基板２００の端部から外方に延在した延在部に配置され、外部回路と接続可能である。電源端子ＴＡおよび電源端子ＴＢは、それぞれアレイ基板１００の辺Ｓ１に配置されている。   On the array substrate 100, power terminals TA and TB are arranged. These power supply terminals TA and TB are arranged outside the seal member 300. In this example, the power supply terminals TA and TB are arranged in an extending portion extending outward from the end portion of the sealing substrate 200 in the array substrate 100 and can be connected to an external circuit. The power supply terminal TA and the power supply terminal TB are respectively disposed on the side S1 of the array substrate 100.

さらに、アレイ基板１００の上には、電源配線Ｗが配置されている。この電源配線Ｗは、第１配線Ｗ１ＡおよびＷ１Ｂと、第２配線Ｗ２ＡおよびＷ２Ｂと、第３配線Ｗ３と、を備えている。   Further, the power supply wiring W is disposed on the array substrate 100. The power supply wiring W includes first wirings W1A and W1B, second wirings W2A and W2B, and a third wiring W3.

第１配線Ｗ１Ａは、電源端子ＴＡが設けられている辺Ｓ１に隣接する辺Ｓ２に沿ってシール部材３００と重なるように配置されている。第１配線Ｗ１Ｂは、電源端子ＴＢが設けられている辺Ｓ１に隣接する辺Ｓ４に沿ってシール部材３００と重なるように配置されている。   The first wiring W1A is arranged so as to overlap the seal member 300 along the side S2 adjacent to the side S1 where the power supply terminal TA is provided. The first wiring W1B is arranged so as to overlap the seal member 300 along the side S4 adjacent to the side S1 where the power supply terminal TB is provided.

第２配線Ｗ２Ａは、シール部材３００より外側で電源端子ＴＡに接続されるとともに、シール部材３００と交差して、シール部材３００の内側に延在し、アクティブエリア１０２内のＡ領域を経由して、第１配線Ｗ１Ａに接続されている。   The second wiring W <b> 2 </ b> A is connected to the power supply terminal TA outside the seal member 300, intersects with the seal member 300, extends inside the seal member 300, and passes through the A region in the active area 102. Are connected to the first wiring W1A.

第２配線Ｗ２Ｂは、シール部材３００より外側で電源端子ＴＢに接続されるとともに、シール部材３００と交差して、シール部材３００の内側に延在し、アクティブエリア１０２内のＢ領域を経由して、第１配線Ｗ１Ｂに接続されている。   The second wiring W2B is connected to the power supply terminal TB outside the seal member 300, crosses the seal member 300, extends to the inside of the seal member 300, and passes through the B region in the active area 102. Are connected to the first wiring W1B.

第３配線Ｗ３は、第１配線Ｗ１Ａの他端と第１配線Ｗ１Ｂの他端とを接続している。すなわち、この第３配線Ｗ３は、アレイ基板１００の辺Ｓ３に沿ってシール部材３００の内側に配置され、アクティブエリア１０２内のＣ領域に延在している。なお、アクティブエリア１０２のＡ領域及びＢ領域は、アレイ基板１００の辺Ｓ１側に位置している。また、アクティブエリア１０２のＣ領域は、アレイ基板１００の辺Ｓ１と対向する辺Ｓ３側に位置している。   The third wiring W3 connects the other end of the first wiring W1A and the other end of the first wiring W1B. That is, the third wiring W <b> 3 is disposed inside the seal member 300 along the side S <b> 3 of the array substrate 100 and extends to the C region in the active area 102. The A area and the B area of the active area 102 are located on the side S1 side of the array substrate 100. Further, the C region of the active area 102 is located on the side S3 side facing the side S1 of the array substrate 100.

図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の最外周に配置された有機ＥＬ素子および第１配線Ｗ１Ａを含む断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view including the organic EL element and the first wiring W1A arranged on the outermost periphery of the organic EL display device shown in FIG.

アレイ基板１００は、ガラスなどの絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上に形成されたスイッチングトランジスタＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤおよび配線を有する。絶縁基板１０１の上には、アンダーコート層１１１が配置されている。このアンダーコート層１１１は、例えば、シリコン酸化物によって形成されている。このようなアンダーコート層１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。   The array substrate 100 includes an insulating substrate 101 such as glass, a switching transistor SW formed on the insulating substrate 101, an organic EL element OLED, and wiring. An undercoat layer 111 is disposed on the insulating substrate 101. The undercoat layer 111 is made of, for example, silicon oxide. Such an undercoat layer 111 extends over substantially the entire active area 102.

アンダーコート層１１１の上には、スイッチングトランジスタＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳおよびドレイン領域ＳＣＤが形成されている。   A semiconductor layer SC of the switching transistor SW is disposed on the undercoat layer 111. The semiconductor layer SC is made of, for example, polysilicon. In this semiconductor layer SC, a source region SCS and a drain region SCD are formed with a channel region SCC interposed therebetween.

半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜１１２によって被覆されている。また、ゲート絶縁膜１１２は、アンダーコート層１１１の上に配置されている。このゲート絶縁膜１１２は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなゲート絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。   The semiconductor layer SC is covered with a gate insulating film 112. The gate insulating film 112 is disposed on the undercoat layer 111. The gate insulating film 112 is made of, for example, silicon nitride. Such a gate insulating film 112 extends over substantially the entire active area 102.

ゲート絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。   On the gate insulating film 112, the gate electrode G of the switching transistor SW is disposed immediately above the channel region SCC. In this example, the switching transistor SW is a top-gate p-channel thin film transistor.

ゲート電極Ｇは、パッシベーション膜１１３によって被覆されている。また、パッシベーション膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されている。このパッシベーション膜１１３は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなパッシベーション膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。   The gate electrode G is covered with a passivation film 113. The passivation film 113 is disposed on the gate insulating film 112. The passivation film 113 is made of, for example, silicon nitride. Such a passivation film 113 extends over substantially the entire active area 102.

パッシベーション膜１１３の上には、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。   On the passivation film 113, the source electrode S and the drain electrode D of the switching transistor SW are disposed. The source electrode S is in contact with the source region SCS of the semiconductor layer SC. The drain electrode D is in contact with the drain region SCD of the semiconductor layer SC.

ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、層間絶縁膜１１４によって被覆されている。また、層間絶縁膜１１４は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。このような層間絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。   The source electrode S and the drain electrode D are covered with an interlayer insulating film 114. Further, the interlayer insulating film 114 is disposed on the passivation film 113. Such an interlayer insulating film 114 extends over the entire active area 102.

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極（第１電極）ＰＥは、層間絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチングトランジスタＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。   A pixel electrode (first electrode) PE constituting the organic EL element OLED is disposed on the interlayer insulating film 114. The pixel electrode PE is connected to the drain electrode D of the switching transistor SW. The pixel electrode PE corresponds to an anode in this example.

この画素電極ＰＥは、反射層ＰＥＲおよび透過層ＰＥＴが積層された２層構造である。つまり、反射層ＰＥＲは、層間絶縁膜１１４の上に配置されている。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲに積層されている。反射層ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成可能である。透過層ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成可能である。なお、画素電極ＰＥは、上述した２層構造に限らず、透過層ＰＥＴ単層、または、反射層ＰＥＲ単層で構成しても良い。   The pixel electrode PE has a two-layer structure in which a reflective layer PER and a transmissive layer PET are laminated. That is, the reflective layer PER is disposed on the interlayer insulating film 114. The transmissive layer PET is laminated on the reflective layer PER. The reflective layer PER can be formed of a conductive material having light reflectivity such as silver (Ag) or aluminum (Al). The transmissive layer PET can be formed of a light-transmissive conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). Note that the pixel electrode PE is not limited to the above-described two-layer structure, and may be formed of a transmissive layer PET single layer or a reflective layer PER single layer.

層間絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。この隔壁ＰＩは、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成可能である。   A partition wall PI is arranged on the interlayer insulating film 114. The partition wall PI is disposed along the periphery of the pixel electrode PE. The partition wall PI can be formed by patterning a resin material, for example.

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。   The organic layer ORG constituting the organic EL element OLED is arranged on the pixel electrode PE. The organic layer ORG includes at least a light emitting layer, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and the like.

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極（第２電極）ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。このような対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム・銀などによって形成可能である。このような対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。   The counter electrode (second electrode) CE constituting the organic EL element OLED is disposed on the organic layer ORG. In this example, the counter electrode CE corresponds to a cathode. The counter electrode CE covers not only the organic layer ORG but also the partition wall PI. Such a counter electrode CE can be formed of, for example, magnesium or silver. Such a counter electrode CE extends over substantially the entire active area 102.

封止基板２００は、ガラスなどの絶縁基板２０１を用いて形成されている。この封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが配置された面と向かい合うように配置されている。   The sealing substrate 200 is formed using an insulating substrate 201 such as glass. The sealing substrate 200 is disposed so as to face the surface of the array substrate 100 on which the organic EL element OLED is disposed.

第１配線Ｗ１Ａは、アクティブエリア１０２よりも外側で、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されている。この第１配線Ｗ１Ａは、パッシベーション膜１１３によって覆われている。同様に、図示を省略するが、第１配線Ｗ１Ｂは、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されており、パッシベーション膜１１３によって覆われている。シール部材３００は、第１配線Ｗ１Ａの上にパッシベーション膜１１３を介して配置されている。   The first wiring W1A is disposed on the gate insulating film 112 outside the active area 102. The first wiring W1A is covered with a passivation film 113. Similarly, although not shown, the first wiring W1B is disposed on the gate insulating film 112 and covered with the passivation film 113. The seal member 300 is disposed on the first wiring W1A via the passivation film 113.

これらの第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂは、シール部材３００よりも融点の高い材料で形成されている。第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂは、この例では、スイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇと同一材料で形成されている。第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂは、ゲート電極Ｇと同一工程で形成可能である。第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂは、特に、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）の少なくとも一つによって形成されることが望ましい。   These first wirings W1A and W1B are formed of a material having a melting point higher than that of the seal member 300. In this example, the first wirings W1A and W1B are made of the same material as the gate electrode G of the switching transistor SW. The first wirings W1A and W1B can be formed in the same process as the gate electrode G. The first wirings W1A and W1B are particularly preferably formed of at least one of tungsten (W), molybdenum (Mo), and titanium (Ti).

図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の最外周に配置された有機ＥＬ素子および第２配線Ｗ２Ａを含む断面図である。図３に図示した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの構造は上記の通りであり、その説明は省略する。   FIG. 3 is a cross-sectional view including the organic EL element and the second wiring W2A arranged on the outermost periphery of the organic EL display device shown in FIG. The structure of the organic EL element OLED shown in FIG. 3 is as described above, and the description thereof is omitted.

第２配線Ｗ２Ａは、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。この第２配線Ｗ２Ａは、層間絶縁膜１１４によって覆われている。第２配線Ｗ２Ａは、アクティブエリア１０２のＡ領域において、層間絶縁膜１１４を貫通するコンタクトホールＣＨ２を介して対向電極ＣＥと接続されている。また、第２配線Ｗ２Ａは、図示しないがパッシベーション膜１１３を貫通するコンタクトホールを介して第１配線Ｗ１Ａの一端と接続されている。   The second wiring W2A is disposed on the passivation film 113. The second wiring W2A is covered with an interlayer insulating film 114. The second wiring W2A is connected to the counter electrode CE through a contact hole CH2 penetrating the interlayer insulating film 114 in the A region of the active area 102. The second wiring W2A is connected to one end of the first wiring W1A through a contact hole that passes through the passivation film 113 (not shown).

同様に、図示を省略するが、第２配線Ｗ２Ｂは、パッシベーション膜１１３の上に配置され、層間絶縁膜１１４によって覆われている。第２配線Ｗ２Ｂは、アクティブエリア１０２のＢ領域において、層間絶縁膜１１４を貫通するコンタクトホールＣＨ２を介して対向電極ＣＥと接続されている。第２配線Ｗ２Ｂは、パッシベーション膜１１３を貫通するコンタクトホールを介して第１配線Ｗ１Ｂの一端と接続されている。   Similarly, although not shown, the second wiring W2B is disposed on the passivation film 113 and covered with the interlayer insulating film 114. The second wiring W2B is connected to the counter electrode CE through a contact hole CH2 penetrating the interlayer insulating film 114 in the B region of the active area 102. The second wiring W2B is connected to one end of the first wiring W1B through a contact hole that penetrates the passivation film 113.

これらの第２配線Ｗ２Ａ及びＷ２Ｂは、この例では、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓと同一材料で形成されている。第２配線Ｗ２Ａ及びＷ２Ｂは、ソース電極Ｓと同一工程で形成可能である。   These second wirings W2A and W2B are formed of the same material as the source electrode S of the switching transistor SW in this example. The second wirings W2A and W2B can be formed in the same process as the source electrode S.

図４は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の最外周に配置された有機ＥＬ素子および第３配線Ｗ３を含む断面図である。図４に図示した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの構造は上記の通りであり、その説明は省略する。   FIG. 4 is a cross-sectional view including the organic EL element and the third wiring W3 arranged on the outermost periphery of the organic EL display device shown in FIG. The structure of the organic EL element OLED illustrated in FIG. 4 is as described above, and the description thereof is omitted.

第３配線Ｗ３は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。この第３配線Ｗ３は、層間絶縁膜１１４によって覆われている。第３配線Ｗ３は、アクティブエリア１０２のＣ領域において、層間絶縁膜１１４を貫通するコンタクトホールＣＨ３を介して対向電極ＣＥと接続されている。また、第３配線Ｗ３は、図示しないパッシベーション膜１１３を貫通するコンタクトホールを介して第１配線Ｗ１ＡおよびＷ１Ｂのそれぞれ他端と接続されている。   The third wiring W3 is disposed on the passivation film 113. The third wiring W3 is covered with an interlayer insulating film 114. The third wiring W3 is connected to the counter electrode CE via a contact hole CH3 penetrating the interlayer insulating film 114 in the C region of the active area 102. The third wiring W3 is connected to the other end of each of the first wirings W1A and W1B through a contact hole that penetrates the passivation film 113 (not shown).

第３配線Ｗ３は、この例では、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓと同一材料で形成されている。第３配線Ｗ３は、ソース電極Ｓと同一工程で形成可能である。なお、この第３配線Ｗ３は、スイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇと同一材料で形成しても良い。この場合、第３配線Ｗ３は、ゲート絶縁膜１１２の上に配置される。また、この場合、第３配線Ｗ３は、第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂと一体的に形成することも可能である。   In this example, the third wiring W3 is formed of the same material as the source electrode S of the switching transistor SW. The third wiring W3 can be formed in the same process as the source electrode S. Note that the third wiring W3 may be formed of the same material as the gate electrode G of the switching transistor SW. In this case, the third wiring W3 is disposed on the gate insulating film 112. In this case, the third wiring W3 can also be formed integrally with the first wirings W1A and W1B.

本実施形態において、対向電極ＣＥは、電源配線Ｗと複数個所、すなわち、アレイ基板１００の辺Ｓ１側のアクティブエリア１０２のＡ領域及びＢ領域、及び、アレイ基板１００の辺Ｓ３側のアクティブエリア１０２のＣ領域で接続されている。電源端子ＴＡ及びＴＢからの電圧は、それぞれ第２配線Ｗ２Ａ及びＷ２Ｂを介してＡ領域及びＢ領域で対向電極ＣＥに供給される。さらに、電源端子ＴＡ及びＴＢからの電圧は、それぞれ第２配線Ｗ２Ａ及びＷ２Ｂから第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂと、第３配線Ｗ３とを介してＣ領域で対向電極ＣＥに供給される。これにより、対向電極ＣＥに一様な電圧が供給され、対向電極ＣＥの電圧降下を防止することが可能となる。   In the present embodiment, the counter electrode CE includes the power supply wiring W and a plurality of locations, that is, the A and B regions of the active area 102 on the side S1 side of the array substrate 100 and the active area 102 on the side S3 side of the array substrate 100. Are connected in the C region. The voltages from the power supply terminals TA and TB are supplied to the counter electrode CE in the A region and the B region via the second wirings W2A and W2B, respectively. Further, the voltages from the power supply terminals TA and TB are supplied to the counter electrode CE in the C region via the second wirings W2A and W2B through the first wirings W1A and W1B and the third wiring W3, respectively. Thereby, a uniform voltage is supplied to the counter electrode CE, and a voltage drop of the counter electrode CE can be prevented.

ところで、アレイ基板１００と封止基板２００とは、シール部材３００であるフリットガラスにレーザを照射し、フリットガラスを溶融することによって接合される。本実施形態において、電源配線Ｗと対向電極ＣＥとを電気的に接続するＡ領域、Ｂ領域、及び、Ｃ領域を繋ぐ第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂは、アレイ基板１００の辺Ｓ２及びＳ４に沿ってシール部材３００と重なるように配置されている。   By the way, the array substrate 100 and the sealing substrate 200 are bonded together by irradiating the frit glass as the sealing member 300 with a laser and melting the frit glass. In the present embodiment, the first wirings W1A and W1B that connect the A region, the B region, and the C region that electrically connect the power supply wiring W and the counter electrode CE are along the sides S2 and S4 of the array substrate 100. It arrange | positions so that the sealing member 300 may overlap.

このため、アクティブエリア１０２の外周と、アレイ基板１００の辺Ｓ２、辺Ｓ４との間に、シール部材３００を配置するスペースの他に第１配線Ｗ１を配置するスペースを設ける必要がなくなる。これにより、表示パネル１の狭額縁化が可能となる。   Therefore, it is not necessary to provide a space for arranging the first wiring W1 in addition to the space for arranging the seal member 300 between the outer periphery of the active area 102 and the sides S2 and S4 of the array substrate 100. Thereby, the frame of the display panel 1 can be narrowed.

また、第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂがシール部材３００よりも融点の高い材料によって形成されているため、フリットガラスに向けて照射されたレーザによる第１配線Ｗ１へのダメージを軽減することが可能である。   Further, since the first wirings W1A and W1B are made of a material having a melting point higher than that of the seal member 300, it is possible to reduce damage to the first wiring W1 due to the laser irradiated toward the frit glass. .

以上より、本実施形態によれば、対向電極ＣＥの電圧降下を防ぎつつ、表示パネル１の狭額縁化を図ることが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to reduce the frame of the display panel 1 while preventing the voltage drop of the counter electrode CE.

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the spirit of the invention in the stage of implementation. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

図１に示した例では、２つの電源端子ＴＡおよびＴＢを備えた表示パネル１について説明したが、この例に限らず、例えば、１つの電源端子Ｔを備えた表示パネル１であってもよい。このとき、第１配線Ｗ１は、アレイ基板１００の電源端子Ｔが配置された辺と隣接する一方の辺に沿って配置されている。第２配線Ｗ２は、第１配線Ｗ１の一端と、電源端子と、対向電極ＣＥと、を接続している。第３配線Ｗ３は、第１配線Ｗ１の他端と、対向電極ＣＥを接続している。このような構成においても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。   In the example illustrated in FIG. 1, the display panel 1 including the two power supply terminals TA and TB has been described. However, the display panel 1 is not limited to this example and may be, for example, the display panel 1 including one power supply terminal T. . At this time, the first wiring W1 is arranged along one side adjacent to the side where the power supply terminal T of the array substrate 100 is arranged. The second wiring W2 connects one end of the first wiring W1, the power supply terminal, and the counter electrode CE. The third wiring W3 connects the other end of the first wiring W1 and the counter electrode CE. Even in such a configuration, the same effect as the above-described embodiment can be obtained.

１００…アレイ基板 ２００…封止基板 ＰＥ…画素電極（第１電極） ＣＥ…対向電極（第２電極） ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子 ３００…シール部材 Ｔ…電源端子 Ｗ…電源配線 Ｗ１…第１配線 Ｗ２…第２配線 Ｗ３…第３配線   DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Array substrate 200 ... Sealing substrate PE ... Pixel electrode (1st electrode) CE ... Counter electrode (2nd electrode) OLED ... Organic EL element 300 ... Sealing member T ... Power supply terminal W ... Power supply wiring W1 ... 1st wiring W2 ... second wiring W3 ... third wiring

Claims (5)

第１電極と第２電極との間に配置された有機層を備えた有機ＥＬ素子と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が配置された面と向かい合う封止基板と、
前記有機ＥＬ素子を囲むように枠状に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、
前記アレイ基板上において、前記シール部材の外側に配置された電源端子と、
前記シール部材と重なるように配置されるとともに前記シール部材よりも融点の高い材料で形成された第１配線と、前記第１配線の一端と前記第２電極と前記電源端子とを接続する第２配線と、前記第１配線の他端と前記第２電極とを接続する第３配線と、を備えた電源配線と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 An array substrate comprising: an organic EL element comprising an organic layer disposed between the first electrode and the second electrode;
A sealing substrate facing the surface on which the organic EL element of the array substrate is disposed;
A sealing member that is arranged in a frame shape so as to surround the organic EL element and is made of frit glass that joins the array substrate and the sealing substrate;
On the array substrate, a power supply terminal disposed outside the seal member;
A second wiring that is disposed so as to overlap the sealing member and that is formed of a material having a melting point higher than that of the sealing member, and that connects one end of the first wiring, the second electrode, and the power supply terminal. A power supply wiring comprising: a wiring; and a third wiring connecting the other end of the first wiring and the second electrode;
An organic EL display device comprising: さらに、前記アレイ基板は、前記有機ＥＬ素子の前記第１電極に接続されたスイッチングトランジスタを備え、
前記第１配線は、前記スイッチングトランジスタのゲート電極と同一材料で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 Further, the array substrate includes a switching transistor connected to the first electrode of the organic EL element,
The organic EL display device according to claim 1, wherein the first wiring is formed of the same material as the gate electrode of the switching transistor. 前記第１配線は、タングステン、モリブデン、チタンの少なくとも一つによって形成されたことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。   The organic EL display device according to claim 2, wherein the first wiring is formed of at least one of tungsten, molybdenum, and titanium. 前記アレイ基板は、矩形状であり、
前記第１配線は、前記アレイ基板の前記電源端子が配置された辺に隣接する辺に沿って配置されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 The array substrate is rectangular,
2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the first wiring is disposed along a side adjacent to a side of the array substrate on which the power supply terminal is disposed. 前記第２電極は、前記アレイ基板の前記電源端子が配置された辺側で第２配線と接続され、前記電源端子が配置された辺と対向する辺側で第３配線と接続されたことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。   The second electrode is connected to the second wiring on the side of the array substrate where the power terminal is disposed, and is connected to the third wiring on the side opposite to the side where the power terminal is disposed. The organic EL display device according to claim 4.
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