JP2010243155A - 圧力センサーモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】外形サイズの小型化及び温度変化に対する感圧素子の共振周波数の補正精度の向上が実現できる圧力センサーモジュールの提供。
【解決手段】圧力センサーモジュール1は、振動片部13と振動片部13の両端に接続される一対の基部14とを有する双音叉素子15と、双音叉素子15の各基部14を支持する一対の支持部22を有し、双音叉素子15の一方の主面11側を覆うダイヤフラム層20と、双音叉素子15の他方の主面12側を覆うベース層30と、双音叉素子15を共振させる発振回路部、温度センサーなどの温度検出部を有するICチップ40と、を備え、ICチップ40が、ダイヤフラム層20、感圧素子層10、ベース層30の積層により形成されたパッケージ50の内部に収容され、双音叉素子15と電気的に接続されている。
【選択図】図1
【解決手段】圧力センサーモジュール1は、振動片部13と振動片部13の両端に接続される一対の基部14とを有する双音叉素子15と、双音叉素子15の各基部14を支持する一対の支持部22を有し、双音叉素子15の一方の主面11側を覆うダイヤフラム層20と、双音叉素子15の他方の主面12側を覆うベース層30と、双音叉素子15を共振させる発振回路部、温度センサーなどの温度検出部を有するICチップ40と、を備え、ICチップ40が、ダイヤフラム層20、感圧素子層10、ベース層30の積層により形成されたパッケージ50の内部に収容され、双音叉素子15と電気的に接続されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、感圧素子を用いた圧力センサーモジュールに関し、特にダイヤフラムを備えて構成された圧力センサーモジュールに関する。
従来、ダイヤフラムと、容器と、ダイヤフラムに設けられた支持部に搭載された双音叉振動子(以下、双音叉素子という)などの感圧素子とを有して構成された圧力センサーが開示されている(例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3参照)。
これらの圧力センサーは、ダイヤフラムの変位量を感圧素子の共振周波数の変化量に変換して圧力を測定する構成となっている。
これらの圧力センサーは、ダイヤフラムの変位量を感圧素子の共振周波数の変化量に変換して圧力を測定する構成となっている。
これらの圧力センサーは、外部機器の回路基板などに実装され、その周囲に圧力センサーの感圧素子を共振させる発振回路部などを有したICチップが、実装されている。
これにより、圧力センサーとICチップとを備えた圧力センサーモジュールとしては、圧力センサーとICチップとが、回路基板などに別々に実装されていることから、スペース効率が悪く全体のサイズが大きくなるという問題がある。
これにより、圧力センサーとICチップとを備えた圧力センサーモジュールとしては、圧力センサーとICチップとが、回路基板などに別々に実装されていることから、スペース効率が悪く全体のサイズが大きくなるという問題がある。
また、上記圧力センサーモジュールの構成では、圧力センサーの温度を検出する温度検出部も、圧力センサーの周囲に実装されていることから、温度検出部で検出された温度と、圧力センサー内の感圧素子の温度との間に、ずれが生じる虞がある。
これにより、圧力センサーモジュールは、温度変化に対応して感圧素子の共振周波数の補正を行う温度特性補償機能において、更なる補正精度の向上が困難であるという問題がある。
これにより、圧力センサーモジュールは、温度変化に対応して感圧素子の共振周波数の補正を行う温度特性補償機能において、更なる補正精度の向上が困難であるという問題がある。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例にかかる圧力センサーモジュールは、感圧部と該感圧部の両端に接続される一対の基部とを有する感圧素子と、前記感圧素子の前記各基部を支持する一対の支持部を有し、前記感圧素子の一方の主面側を覆うダイヤフラム層と、前記感圧素子の他方の主面側を覆うベース層と、前記感圧素子を共振させる発振回路部を有するICチップと、を備え、前記ICチップが、前記両層を含む複数の層の積層により形成されたパッケージの内部に収容され、前記感圧素子と電気的に接続されていることを特徴とする。
これによれば、圧力センサーモジュールは、ICチップが、ダイヤフラム層(ダイヤフラムと同義)とベース層とを含む複数の層の積層により形成されたパッケージの内部に収容され、感圧素子と電気的に接続されている。
このことから、圧力センサーモジュールは、圧力センサーとICチップとが回路基板などに別々に実装されている従来の圧力センサーモジュールと比較して、スペース効率がよいことにより、外形サイズを小型化できる。
このことから、圧力センサーモジュールは、圧力センサーとICチップとが回路基板などに別々に実装されている従来の圧力センサーモジュールと比較して、スペース効率がよいことにより、外形サイズを小型化できる。
[適用例2]上記適用例にかかる圧力センサーモジュールは、前記感圧素子を囲む枠部と、該枠部と前記感圧素子の前記各基部とを接続する腕部と、を有し、前記感圧素子を含んで成る感圧素子層を備え、前記感圧素子層が、前記両層の間に積層されていることが好ましい。
これによれば、圧力センサーモジュールは、感圧素子を含んで成る感圧素子層が、ダイヤフラム層とベース層との間に積層されている。
このことから、圧力センサーモジュールは、例えば、各層を複数個取りのウエハー状に形成することが可能となり、各層をウエハー状のまま積層することにより、複数の圧力センサーモジュールを、一括して製造することができる。
このことから、圧力センサーモジュールは、例えば、各層を複数個取りのウエハー状に形成することが可能となり、各層をウエハー状のまま積層することにより、複数の圧力センサーモジュールを、一括して製造することができる。
[適用例3]上記適用例にかかる圧力センサーモジュールは、前記ICチップが、前記ベース層に搭載され、前記感圧素子の励振電極から引き出された引き出し電極が、前記腕部における前記ベース層との対向面に形成され、前記ベース層が、前記腕部に向かって突出した突出部を有し、前記引き出し電極が、一端部が前記ICチップと接続され他端部が前記突出部に延在されている接続配線に、前記突出部で接続されていることが好ましい。
これによれば、圧力センサーモジュールは、ICチップが、ベース層に搭載されていることから、例えば、受圧時などに発生するダイヤフラム層の歪みに起因するICチップの特性劣化を、ベース層の剛性によって抑制できる。
また、圧力センサーモジュールは、感圧素子の励振電極から引き出された引き出し電極が、腕部におけるベース層との対向面に形成され、一端部がICチップと接続され他端部が突出部に延在されている接続配線に、突出部で接続されている。
また、圧力センサーモジュールは、感圧素子の励振電極から引き出された引き出し電極が、腕部におけるベース層との対向面に形成され、一端部がICチップと接続され他端部が突出部に延在されている接続配線に、突出部で接続されている。
このことから、圧力センサーモジュールは、励振電極とICチップとの接続が、感圧素子層の枠部を経由することなく行える。
これにより、圧力センサーモジュールは、各層と感圧素子層との枠部を介しての接合に用いる接合方法、接合部材に関して、導電性の有無が問われないことから、接合方法、接合部材の選択肢が広がり、好適な接合方法、接合部材を容易に選択できる。
これにより、圧力センサーモジュールは、各層と感圧素子層との枠部を介しての接合に用いる接合方法、接合部材に関して、導電性の有無が問われないことから、接合方法、接合部材の選択肢が広がり、好適な接合方法、接合部材を容易に選択できる。
[適用例4]上記適用例にかかる圧力センサーモジュールは、前記感圧素子の励振電極から引き出された引き出し電極が、前記腕部における前記ベース層との対向面に形成され、前記ベース層が、前記腕部に向かって突出した突出部を有し、前記突出部が、前記ベース層の厚み方向に沿って前記ベース層を貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔の側壁を含む前記ベース層の外面に外部端子が形成され、導電性を有する封止部材が前記貫通孔に充填されることにより、前記封止部材を介して前記引き出し電極と前記外部端子とが接続されていることが好ましい。
これによれば、圧力センサーモジュールは、引き出し電極が、腕部におけるベース層との対向面に形成され、ベース層が、腕部に向かって突出した突出部を有し、突出部が貫通孔を有している。
そして、圧力センサーモジュールは、貫通孔の側壁を含むベース層の外面に外部端子が形成され、封止部材が貫通孔に充填されることにより、パッケージ内が封止されるとともに、封止部材を介して引き出し電極と外部端子とが接続されている。
そして、圧力センサーモジュールは、貫通孔の側壁を含むベース層の外面に外部端子が形成され、封止部材が貫通孔に充填されることにより、パッケージ内が封止されるとともに、封止部材を介して引き出し電極と外部端子とが接続されている。
このことから、圧力センサーモジュールは、例えば、外部端子に測定機器の測定端子を接触させることにより、封止された状態のパッケージ内における感圧素子の定数などの特性を測定することができる。
[適用例5]上記適用例にかかる圧力センサーモジュールは、前記ICチップが、前記ベース層に搭載され、前記ICチップと接続されている接続配線が、前記ベース層の前記外面の前記外部端子の近傍に延在されていることが好ましい。
これによれば、圧力センサーモジュールは、ICチップが、ベース層に搭載され、ICチップと接続されている接続配線が、ベース層の外部端子の近傍に延在されている。
このことから、圧力センサーモジュールは、例えば、封止された状態のパッケージ内における感圧素子の特性を測定後、感圧素子が良品であれば、外部端子と接続配線とを、はんだ、導電性接着剤などの接合部材で接続し、感圧素子とICチップとを電気的に接続することができる。
これにより、圧力センサーモジュールは、不良品の感圧素子をICチップとの接続前に除去できることから、生産性を向上させることができる。
このことから、圧力センサーモジュールは、例えば、封止された状態のパッケージ内における感圧素子の特性を測定後、感圧素子が良品であれば、外部端子と接続配線とを、はんだ、導電性接着剤などの接合部材で接続し、感圧素子とICチップとを電気的に接続することができる。
これにより、圧力センサーモジュールは、不良品の感圧素子をICチップとの接続前に除去できることから、生産性を向上させることができる。
[適用例6]上記適用例にかかる圧力センサーモジュールは、前記ICチップが、前記ベース層の凹部に搭載されていることが好ましい。
これによれば、圧力センサーモジュールは、ICチップが、ベース層の凹部に搭載されていることから、ベース層の剛性を略維持しつつ、ICチップ搭載に伴う総厚の増加を、凹部の深さ分抑制できる。
[適用例7]上記適用例にかかる圧力センサーモジュールは、前記ICチップが、温度検出部を有していることが好ましい。
これによれば、圧力センサーモジュールは、パッケージの内部に収容されているICチップが、温度検出部を有していることから、温度検出部が圧力センサーの周囲にある従来の圧力センサーモジュールと比較して、感圧素子の温度をより正確に検出できる。
したがって、圧力センサーモジュールは、温度変化に対応して感圧素子の共振周波数の補正を行う温度特性補償機能において、上記従来の圧力センサーモジュールと比較して、更なる補正精度の向上が実現できる。
したがって、圧力センサーモジュールは、温度変化に対応して感圧素子の共振周波数の補正を行う温度特性補償機能において、上記従来の圧力センサーモジュールと比較して、更なる補正精度の向上が実現できる。
[適用例8]上記適用例にかかる圧力センサーモジュールは、前記感圧部が、少なくとも一以上の柱状ビームから構成されていることが好ましい。
これによれば、圧力センサーモジュールは、感圧素子の感圧部が、少なくとも一以上の柱状ビームから構成されていることから、他の感圧素子と比較して、圧力の検出精度が高い特性を有し、圧力センサーモジュールの検出精度を向上させることができる。
[適用例9]上記適用例にかかる圧力センサーモジュールは、前記ICチップが、平面視において、前記感圧素子と重ならない位置に配置されていることが好ましい。
これによれば、圧力センサーモジュールは、ICチップが、平面視において、感圧素子と重ならない位置に配置されていることから、ICチップの厚みがそのまま総厚に加えられることがなく、ICチップ搭載に伴う総厚の増加を抑制できる。
以下、圧力センサーモジュールの実施形態について図面を参照して説明する。
(実施形態)
図1は、本実施形態の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式展開斜視図であり、図2は、図1の模式断面図である。図2(a)は、図1のA−A線での断面図であり、図2(b)は、図1のB−B線での断面図である。なお、図1、図2では、煩雑さを避けるために、構成要素の一部を省略してある。
(実施形態)
図1は、本実施形態の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式展開斜視図であり、図2は、図1の模式断面図である。図2(a)は、図1のA−A線での断面図であり、図2(b)は、図1のB−B線での断面図である。なお、図1、図2では、煩雑さを避けるために、構成要素の一部を省略してある。
図1、図2に示すように、圧力センサーモジュール1は、感圧素子層10と、感圧素子層10の一方の主面11側を覆うダイヤフラム層20と、感圧素子層10の他方の主面12側を覆うベース層30と、ICチップ40と、を備えている。
圧力センサーモジュール1は、上記各層が、平面視において輪郭が互いに重なり合うように上記の位置関係で積層されることにより、略直方体形状に形成されている。
圧力センサーモジュール1は、各層が積層され接合されることにより、各層の外郭部分がパッケージ50を形成している。ICチップ40は、パッケージ50の内部に収容されている。
圧力センサーモジュール1は、上記各層が、平面視において輪郭が互いに重なり合うように上記の位置関係で積層されることにより、略直方体形状に形成されている。
圧力センサーモジュール1は、各層が積層され接合されることにより、各層の外郭部分がパッケージ50を形成している。ICチップ40は、パッケージ50の内部に収容されている。
感圧素子層10は、感圧部としての互いに略平行な角柱状の一対の振動片部(柱状ビーム)13と、振動片部13の両端に接続される一対の略矩形の基部14とを有する感圧素子としての双音叉素子15と、双音叉素子15を囲む略矩形の枠部16と、枠部16と双音叉素子15の各基部14とを接続する各一対の梁状の腕部17とを有している。
感圧素子層10は、平面視において外形形状が略矩形に形成され、各構成要素の厚みが略同一に形成されている。
感圧素子層10は、平面視において外形形状が略矩形に形成され、各構成要素の厚みが略同一に形成されている。
双音叉素子15の図示しない励振電極から引き出された引き出し電極18は、腕部17の途中に設けられた一対の拡張部17aのベース層30との対向面19に、それぞれ形成されている。
なお、感圧素子層10は、複数個取りが可能なウエハー状の水晶基板を基材として、フォトエッチング、サンドブラストなどの加工方法により上記の形状に形成されている。
なお、感圧素子層10は、複数個取りが可能なウエハー状の水晶基板を基材として、フォトエッチング、サンドブラストなどの加工方法により上記の形状に形成されている。
ダイヤフラム層20は、平面視において外形形状が略矩形で、感圧素子層10の一方の主面11側を覆うように配置されている。
ダイヤフラム層20は、感圧素子層10側に受圧時に変形する凹部21が形成されており、凹部21から突出して、感圧素子層10の各基部14を支持する一対の島状の支持部22を有している。
ダイヤフラム層20は、支持部22が感圧素子層10の各基部14と接合され、凹部21の外周枠部23が感圧素子層10の枠部16と接合されている。
なお、ダイヤフラム層20は、複数個取りが可能なウエハー状の水晶基板を基材として、フォトエッチング、サンドブラストなどの加工方法により上記の形状に形成されている。
ダイヤフラム層20は、感圧素子層10側に受圧時に変形する凹部21が形成されており、凹部21から突出して、感圧素子層10の各基部14を支持する一対の島状の支持部22を有している。
ダイヤフラム層20は、支持部22が感圧素子層10の各基部14と接合され、凹部21の外周枠部23が感圧素子層10の枠部16と接合されている。
なお、ダイヤフラム層20は、複数個取りが可能なウエハー状の水晶基板を基材として、フォトエッチング、サンドブラストなどの加工方法により上記の形状に形成されている。
ベース層30は、平面視において外形形状が略矩形に形成されている。ベース層30は、感圧素子層10側に双音叉素子15との隙間を確保するための第1の凹部31が形成されている。
そして、ベース層30は、感圧素子層10の他方の主面12側を覆うように配置され、第1の凹部31の外周枠部32が感圧素子層10の枠部16と接合されている。
そして、ベース層30は、感圧素子層10の他方の主面12側を覆うように配置され、第1の凹部31の外周枠部32が感圧素子層10の枠部16と接合されている。
ベース層30の第1の凹部31には、感圧素子層10の腕部17の一対の拡張部17aに向かって突出した一対の突出部33が形成されている。なお、突出部33の高さは、拡張部17aの引き出し電極18に略接する高さとなっている。
突出部33は、ベース層30の厚み方向に沿って、ベース層30を貫通する貫通孔34を有している。
突出部33は、ベース層30の厚み方向に沿って、ベース層30を貫通する貫通孔34を有している。
貫通孔34の側壁34aを含むベース層30の外面30aには、蒸着、スパッタなどにより外部端子35が形成されている。
なお、貫通孔34の側壁34aは、蒸着、スパッタなどによる外部端子35の形成を容易にするために、引き出し電極18側の孔径より、外面30a側の孔径の方が大きくなるように傾斜して形成されていることが好ましい。
なお、貫通孔34の側壁34aは、蒸着、スパッタなどによる外部端子35の形成を容易にするために、引き出し電極18側の孔径より、外面30a側の孔径の方が大きくなるように傾斜して形成されていることが好ましい。
圧力センサーモジュール1は、導電性を有する金/ゲルマニウム合金、はんだなどの封止部材36が、加熱溶融されて貫通孔34に充填されることにより、封止部材36を介して引き出し電極18と外部端子35とが接続されている。
これにより、圧力センサーモジュール1は、外部端子35に測定機器の測定端子を接触させることで、封止された状態のパッケージ50内における双音叉素子15の定数などの特性を測定することができる。
これにより、圧力センサーモジュール1は、外部端子35に測定機器の測定端子を接触させることで、封止された状態のパッケージ50内における双音叉素子15の定数などの特性を測定することができる。
ベース層30の第1の凹部31の略中央部には、ICチップ40を搭載するための第2の凹部37が設けられている。
第2の凹部37には、蒸着、スパッタなどにより複数の接続配線38が形成されている。接続配線38は、一端部がICチップ40の接続端子42と接続され、他端部がビアホール38aなどを経由して、外部機器との接続用などとしてベース層30の外面30aに形成された複数の接続電極39に接続されている。
第2の凹部37には、蒸着、スパッタなどにより複数の接続配線38が形成されている。接続配線38は、一端部がICチップ40の接続端子42と接続され、他端部がビアホール38aなどを経由して、外部機器との接続用などとしてベース層30の外面30aに形成された複数の接続電極39に接続されている。
ベース層30には、セラミックグリーンシートを積層し、複数個取りが可能なウエハー状の形状に成形して焼成した酸化アルミニウム質焼結体などが用いられている。なお、ベース層30には、他の各層と同様に複数個取りが可能なウエハー状の水晶基板を基材として用いてもよい。
また、ベース層30は、剛性を高めるために他の各層よりも厚く形成されていることが好ましい。
また、ベース層30は、剛性を高めるために他の各層よりも厚く形成されていることが好ましい。
ICチップ40は、シリコン基板などからなり、双音叉素子15を励振して共振させ、共振信号をインバーターなどにより増幅する発振回路部を有している。また、ICチップ40は、双音叉素子15の共振周波数を、変化の割合に応じて、ルックアップテーブルなどによって定められた数値に変換することで圧力を算出する圧力変換部を有している。
さらに、ICチップ40は、周囲の温度を検出する温度センサーなどの温度検出部、温度検出部の検出結果に基づき、双音叉素子15の共振周波数を補正することにより、双音叉素子15の温度特性を補償する温度特性補償回路部などを有している。
さらに、ICチップ40は、周囲の温度を検出する温度センサーなどの温度検出部、温度検出部の検出結果に基づき、双音叉素子15の共振周波数を補正することにより、双音叉素子15の温度特性を補償する温度特性補償回路部などを有している。
ICチップ40は、一主面41に複数の接続端子42を有している。接続端子42の内訳は、双音叉素子15の励振電極との接続用(2個)、電源接続用(2個)、圧力値出力用、双音叉素子15の定数などの特性調整用、GND接続用などである。
ICチップ40は、フリップチップ実装により、一主面41側が接続配線38と対向するように、ベース層30の第2の凹部37に搭載されている。
詳述すると、ICチップ40は、アルミなどからなる接続端子42が、金、ハンダなどからなるバンプ43を用いた熱圧着(バンプ接着)により、接続配線38の一端部と接続されている。
詳述すると、ICチップ40は、アルミなどからなる接続端子42が、金、ハンダなどからなるバンプ43を用いた熱圧着(バンプ接着)により、接続配線38の一端部と接続されている。
ここで、図2(b)に示すように、ICチップ40の接続端子42の内の、双音叉素子15の励振電極との接続用の接続端子42aと接続された接続配線38bは、ビアホール38cを経由し、接続電極39aとしてベース層30の外面30aの外部端子35の近傍に延在されている。
そして、接続電極39aと外部端子35とは、はんだ、導電性接着剤などの接合部材44を介して接続されている。これにより、ICチップ40における双音叉素子15の励振電極との接続用の接続端子42aと、双音叉素子15の励振電極とは、電気的に接続されている。
なお、上述した事前の特性測定で、双音叉素子15が不良品の場合は、上記接続は行われず、不良品として除去される。
そして、接続電極39aと外部端子35とは、はんだ、導電性接着剤などの接合部材44を介して接続されている。これにより、ICチップ40における双音叉素子15の励振電極との接続用の接続端子42aと、双音叉素子15の励振電極とは、電気的に接続されている。
なお、上述した事前の特性測定で、双音叉素子15が不良品の場合は、上記接続は行われず、不良品として除去される。
なお、圧力センサーモジュール1は、ICチップ40の一主面41側とベース層30の第2の凹部37との間に、エポキシ樹脂などの樹脂(アンダーフィル材)が充填され、ICチップ40の接続端子42と接続配線38との接続部分が補強や保護されるように構成されていてもよい。
なお、圧力センサーモジュール1の各層間の接合、及び双音叉素子15の各基部14とダイヤフラム層20の各支持部22との接合には、(1)低融点ガラスによる接合方法、(2)互いの接合面をプラズマ照射などにより親水化処理して表面を活性化させ、接合面同士を貼り合わせることで水素結合させるなどの直接接合方法、(3)アルコキシド、オルガノシロキシ基などを含む接合部材を用い、紫外線やプラズマ照射により接合する接合方法、(4)金錫合金被膜などの金属被膜を接合部材に用いた共晶接合方法などを用いることができる。
上記の構成により、圧力センサーモジュール1は、ダイヤフラム層20と双音叉素子15との間、及び双音叉素子15とベース層30との間に隙間が確保された状態で、双音叉素子15の各基部14が、ダイヤフラム層20の各支持部22に接合されている。
これにより、圧力センサーモジュール1は、双音叉素子15が各支持部22間に架け渡された状態となっている。
これにより、圧力センサーモジュール1は、双音叉素子15が各支持部22間に架け渡された状態となっている。
以上のように構成された圧力センサーモジュール1は、封止部材36によってパッケージ50内が気密に封止され、真空状態に保持されており、絶対圧を検出する圧力センサーモジュールとなっている。
なお、複数個取りが可能なウエハー状の形状で各層が積層されて形成された圧力センサーモジュール1は、ダイシング装置などの切断手段により、個片に分割される。
なお、複数個取りが可能なウエハー状の形状で各層が積層されて形成された圧力センサーモジュール1は、ダイシング装置などの切断手段により、個片に分割される。
ここで、圧力センサーモジュール1の基本動作について概略を説明する。
図2(a)に示すように、圧力センサーモジュール1は、ベース層30の接続電極39が、外部機器の回路基板などの実装面に実装されることにより、外部機器へ搭載されるように構成されている。
圧力センサーモジュール1は、ICチップ40の発振回路部によって双音叉素子15の振動片部13を所定の共振周波数で共振させ、外部からの圧力を振動片部13の共振周波数の変化によって検出する構成となっている。
図2(a)に示すように、圧力センサーモジュール1は、ベース層30の接続電極39が、外部機器の回路基板などの実装面に実装されることにより、外部機器へ搭載されるように構成されている。
圧力センサーモジュール1は、ICチップ40の発振回路部によって双音叉素子15の振動片部13を所定の共振周波数で共振させ、外部からの圧力を振動片部13の共振周波数の変化によって検出する構成となっている。
圧力センサーモジュール1は、外部からの圧力を受けると、ダイヤフラム層20が2点鎖線で示すように矢印C方向に撓む(以下、変位するともいう)。
このとき、圧力センサーモジュール1は、このダイヤフラム層20の撓みにより、ダイヤフラム層20の各支持部22が、互いの間隔が広がる矢印D方向に変位する。
これにより、各支持部22間に架け渡された状態で接合されている双音叉素子15は、矢印D方向に引張力が加わり変位する。
これにより、双音叉素子15は、例えば、巻き上げられた弦楽器の弦のように、振動片部13の共振周波数が高くなる方に変化する。
このとき、圧力センサーモジュール1は、このダイヤフラム層20の撓みにより、ダイヤフラム層20の各支持部22が、互いの間隔が広がる矢印D方向に変位する。
これにより、各支持部22間に架け渡された状態で接合されている双音叉素子15は、矢印D方向に引張力が加わり変位する。
これにより、双音叉素子15は、例えば、巻き上げられた弦楽器の弦のように、振動片部13の共振周波数が高くなる方に変化する。
なお、外部からの圧力が内部の真空状態より低い圧力の場合には、圧力センサーモジュール1は、ダイヤフラム層20が、破線で示すように矢印E方向に撓み、各支持部22が、互いの間隔が狭まる矢印F方向に変位する。
これにより、双音叉素子15は、矢印F方向に圧縮力が加わって変位し、例えば、巻き戻された弦楽器の弦のように、振動片部13の共振周波数が低くなる方に変化する。
これにより、双音叉素子15は、矢印F方向に圧縮力が加わって変位し、例えば、巻き戻された弦楽器の弦のように、振動片部13の共振周波数が低くなる方に変化する。
圧力センサーモジュール1は、この共振周波数の変化を検出している。外部からの圧力は、ICチップ40の圧力変換部において、検出された共振周波数の変化の割合に応じて、ルックアップテーブルなどによって定められた数値に変換することで算出され、接続電極39を介して外部機器へ圧力値として出力される。
ここで、圧力センサーモジュール1は、ICチップ40が、温度検出部を有していることから、ICチップ40の上方に位置する双音叉素子15の温度を、近接した状態で検出できる。
これにより、圧力センサーモジュール1は、温度特性補償回路部が温度変化に対応して双音叉素子15の共振周波数の補正を行う温度特性補償機能において、温度検出部がパッケージ50の周囲に実装された従来の圧力センサーモジュールと比較して、双音叉素子15の温度をより正確に検出できることから、更なる補正精度の向上が実現できる。
これにより、圧力センサーモジュール1は、温度特性補償回路部が温度変化に対応して双音叉素子15の共振周波数の補正を行う温度特性補償機能において、温度検出部がパッケージ50の周囲に実装された従来の圧力センサーモジュールと比較して、双音叉素子15の温度をより正確に検出できることから、更なる補正精度の向上が実現できる。
上述したように、本実施形態の圧力センサーモジュール1は、ICチップ40が、ダイヤフラム層20と感圧素子層10とベース層30との積層により形成されたパッケージ50の内部に収容され、双音叉素子15と電気的に接続されている。
このことから、圧力センサーモジュール1は、圧力センサーとICチップとが回路基板などに別々に実装されている従来の圧力センサーモジュールと比較して、スペース効率がよいことにより、外形サイズを小型化できる。
このことから、圧力センサーモジュール1は、圧力センサーとICチップとが回路基板などに別々に実装されている従来の圧力センサーモジュールと比較して、スペース効率がよいことにより、外形サイズを小型化できる。
また、圧力センサーモジュール1は、各層を複数個取りのウエハー状に形成し、各層をウエハー状のまま積層することにより、複数の圧力センサーモジュール1を一括して製造することができる。
また、圧力センサーモジュール1は、ICチップ40が、他の層より剛性の高いベース層30に搭載されていることから、受圧時などに発生するダイヤフラム層20の歪みに起因するICチップの特性劣化を抑制できる。
また、圧力センサーモジュール1は、ICチップ40が、ベース層30の第2の凹部37に搭載されていることから、ベース層30の剛性を略維持しつつ、ICチップ40搭載に伴う総厚の増加を、第2の凹部37の深さ分抑制できる。
また、圧力センサーモジュール1は、引き出し電極18が、腕部17における拡張部17aのベース層30との対向面19に形成され、ベース層30が、腕部17に向かって突出した突出部33を有し、突出部33が貫通孔34を有している。
そして、圧力センサーモジュール1は、貫通孔34の側壁34aを含むベース層30の外面30aに外部端子35が形成され、封止部材36が貫通孔34に充填されることにより、封止部材36を介して引き出し電極18と外部端子35とが接続されている。
そして、圧力センサーモジュール1は、貫通孔34の側壁34aを含むベース層30の外面30aに外部端子35が形成され、封止部材36が貫通孔34に充填されることにより、封止部材36を介して引き出し電極18と外部端子35とが接続されている。
このことから、圧力センサーモジュール1は、外部端子35に測定機器の測定端子を接触させることにより、封止された状態のパッケージ50内における双音叉素子15の定数などの特性を測定することができる。
加えて、圧力センサーモジュール1は、ICチップ40における双音叉素子15の励振電極との接続用の接続端子42aと接続されている接続配線38bが、ベース層30の外部端子35の近傍に接続電極39aとして延在されている。
このことから、圧力センサーモジュール1は、パッケージ50内に封止された状態の双音叉素子15の特性を測定後、双音叉素子15が良品であれば、外部端子35と接続電極39aとを、接合部材44で接続し、双音叉素子15とICチップ40とを電気的に接続することができる。
これにより、圧力センサーモジュール1は、不良品の双音叉素子15をICチップ40との接続前に除去できることから、生産性を向上させることができる。
このことから、圧力センサーモジュール1は、パッケージ50内に封止された状態の双音叉素子15の特性を測定後、双音叉素子15が良品であれば、外部端子35と接続電極39aとを、接合部材44で接続し、双音叉素子15とICチップ40とを電気的に接続することができる。
これにより、圧力センサーモジュール1は、不良品の双音叉素子15をICチップ40との接続前に除去できることから、生産性を向上させることができる。
また、圧力センサーモジュール1は、上記の構成により、双音叉素子15の励振電極とICチップ40との電気的な接続が、感圧素子層10の枠部16を経由することなく行える。
これにより、圧力センサーモジュール1は、各層と感圧素子層10との枠部16を介しての接合に用いる接合方法、接合部材に関して、導電性の有無が問われないことから、接合方法、接合部材の選択肢が広がり、好適な接合方法、接合部材を容易に選択できる。
これにより、圧力センサーモジュール1は、各層と感圧素子層10との枠部16を介しての接合に用いる接合方法、接合部材に関して、導電性の有無が問われないことから、接合方法、接合部材の選択肢が広がり、好適な接合方法、接合部材を容易に選択できる。
また、圧力センサーモジュール1は、ICチップ40が、温度検出部を有していることから、ICチップ40の上方に位置する双音叉素子15の温度を、近接した状態で検出できる。
これにより、圧力センサーモジュール1は、温度特性補償回路部が温度変化に対応して双音叉素子15の共振周波数の補正を行う温度特性補償機能において、温度検出部がパッケージ50の周囲に実装された従来の圧力センサーモジュールと比較して、双音叉素子15の温度をより正確に検出できることから、更なる補正精度の向上が実現できる。
これにより、圧力センサーモジュール1は、温度特性補償回路部が温度変化に対応して双音叉素子15の共振周波数の補正を行う温度特性補償機能において、温度検出部がパッケージ50の周囲に実装された従来の圧力センサーモジュールと比較して、双音叉素子15の温度をより正確に検出できることから、更なる補正精度の向上が実現できる。
また、圧力センサーモジュール1は、感圧素子が、二つの振動片部13を感圧部とする双音叉素子15であることから、他の感圧素子と比較して、圧力の検出精度が高い特性を有し、圧力センサーモジュール1の検出精度を向上させることができる。
また、圧力センサーモジュール1は、水晶基板を基材として各層が構成された場合には、各層の熱膨張率が略同一となることから、周囲の温度変化に伴う各層の伸縮が発生した際に、各層の伸縮の度合いが略同一であることにより、各層の伸縮の差に起因する応力の発生が殆どない。
これにより、圧力センサーモジュール1は、周囲の温度変化に起因する感度、精度などの特性の変化を抑制できる。
これにより、圧力センサーモジュール1は、周囲の温度変化に起因する感度、精度などの特性の変化を抑制できる。
なお、上記実施形態では、外部端子35と接続電極39aとを、接合部材44で接続し、双音叉素子15とICチップ40とを電気的に接続していたが、これに限定するものではない。
圧力センサーモジュール1は、外部機器の接続端子の形状を、接続電極39aと外部端子35とにまたがるように形成することにより、外部機器への実装時に、外部機器の接続端子を介して両者が接続され、双音叉素子15とICチップ40とが電気的に接続される構成としてもよい。
圧力センサーモジュール1は、外部機器の接続端子の形状を、接続電極39aと外部端子35とにまたがるように形成することにより、外部機器への実装時に、外部機器の接続端子を介して両者が接続され、双音叉素子15とICチップ40とが電気的に接続される構成としてもよい。
ここで、上記実施形態の圧力センサーモジュール1の変形例について説明する。
(変形例1)
図3は、変形例1の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式展開斜視図である。なお、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
(変形例1)
図3は、変形例1の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式展開斜視図である。なお、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図3に示すように、圧力センサーモジュール101は、感圧部としての振動片部113が一つである柱状ビームからなる(シングルビームともいう)音叉素子115が、感圧素子として感圧素子層110に形成されている。
これにより、圧力センサーモジュール101は、上記実施形態の圧力センサーモジュール1と同様に、圧力の変化に伴う音叉素子115の共振周波数の変化により、外部からの圧力を検出することができる。
これにより、圧力センサーモジュール101は、上記実施形態の圧力センサーモジュール1と同様に、圧力の変化に伴う音叉素子115の共振周波数の変化により、外部からの圧力を検出することができる。
(変形例2)
図4は、変形例2の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式図である。図4(a)は、平面図であり、図4(b)は、図4(a)のG−G線での断面図である。なお、平面図においては、便宜的にダイヤフラム層を省略してある。
また、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図4は、変形例2の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式図である。図4(a)は、平面図であり、図4(b)は、図4(a)のG−G線での断面図である。なお、平面図においては、便宜的にダイヤフラム層を省略してある。
また、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図4に示すように、変形例2の圧力センサーモジュール201は、ICチップ40が、平面視において、ベース層30の第1の凹部31の、双音叉素子15と重ならない位置に配置されている。
ICチップ40は、エポキシ系などの接着剤45によりベース層30の第1の凹部31に接合されている。
ICチップ40は、エポキシ系などの接着剤45によりベース層30の第1の凹部31に接合されている。
ベース層30の第1の凹部31には、蒸着、スパッタなどにより複数の接続配線38が形成されている。
接続配線38の一端部は、ワイヤーボンディングによりワイヤー46を介してICチップ40の接続端子42と接続されている。接続配線38の他端部は、図示しない内部配線を介してベース層30の外面30aの接続電極39などに接続されている。なお、ICチップ40は、ワイヤー46が双音叉素子15と干渉しないように配置されている。
接続配線38の一端部は、ワイヤーボンディングによりワイヤー46を介してICチップ40の接続端子42と接続されている。接続配線38の他端部は、図示しない内部配線を介してベース層30の外面30aの接続電極39などに接続されている。なお、ICチップ40は、ワイヤー46が双音叉素子15と干渉しないように配置されている。
ここで、一端部がICチップ40における双音叉素子15の励振電極との接続用の接続端子42aと接続された接続配線38bは、他端部が突出部33の上面33aまで延在されている。
接続配線38bの他端部は、導電性接着剤、金錫合金などの共晶合金被膜、はんだなどの導電性接合部材47を介して、腕部17の拡張部17aの引き出し電極18と接続されている。
これにより、ICチップ40における双音叉素子15の励振電極との接続用の接続端子42aと、双音叉素子15の励振電極とは、電気的に接続されている。
なお、突出部33の側壁33bは、蒸着、スパッタなどによる接続配線38bの形成が容易に行えるように、突出部33の根元側がせり出した斜面になっていることが好ましい。
接続配線38bの他端部は、導電性接着剤、金錫合金などの共晶合金被膜、はんだなどの導電性接合部材47を介して、腕部17の拡張部17aの引き出し電極18と接続されている。
これにより、ICチップ40における双音叉素子15の励振電極との接続用の接続端子42aと、双音叉素子15の励振電極とは、電気的に接続されている。
なお、突出部33の側壁33bは、蒸着、スパッタなどによる接続配線38bの形成が容易に行えるように、突出部33の根元側がせり出した斜面になっていることが好ましい。
なお、圧力センサーモジュール201では、突出部33に貫通孔を設けていないが、上記実施形態と同様に、突出部33に貫通孔を設け、封止部材36(図2(b)参照)を介して引き出し電極18と接続配線38bとを接合してもよい。
上述したように、圧力センサーモジュール201は、ICチップ40が、平面視において、双音叉素子15と重ならない位置に配置されていることから、ICチップ40の厚みがそのまま総厚に加えられることがない。
これにより、圧力センサーモジュール201は、ICチップ40搭載に伴う総厚の増加を抑制できる。
これにより、圧力センサーモジュール201は、ICチップ40搭載に伴う総厚の増加を抑制できる。
なお、圧力センサーモジュール201は、上記実施形態と同様に、第1の凹部31にICチップ40を搭載するための第2の凹部37(図1、図2参照)を設けてもよい。
これによれば、圧力センサーモジュール201は、ICチップ40の接続端子42と接続配線38との段差を少なくできることから、ワイヤーボンディング作業が容易に行えて、生産性を向上させることができる。
これによれば、圧力センサーモジュール201は、ICチップ40の接続端子42と接続配線38との段差を少なくできることから、ワイヤーボンディング作業が容易に行えて、生産性を向上させることができる。
(変形例3)
図5は、変形例3の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式展開斜視図である。なお、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図5は、変形例3の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式展開斜視図である。なお、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略し、上記実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図5に示すように、変形例3の圧力センサーモジュール301は、感圧素子層10(図1参照)の枠部16と、基部14から拡張部17aまでを除いた腕部17とが削除されている。つまり、圧力センサーモジュール301は、双音叉素子15が層としてではなく、単体で構成されている。
これにより、圧力センサーモジュール301は、ダイヤフラム層20の外周枠部23とベース層30の外周枠部32との少なくともいずれか一方が、双音叉素子15の厚み分、各層の厚み方向に沿って延在され、両者が互いに接合されている。
これにより、圧力センサーモジュール301は、ダイヤフラム層20の外周枠部23とベース層30の外周枠部32との少なくともいずれか一方が、双音叉素子15の厚み分、各層の厚み方向に沿って延在され、両者が互いに接合されている。
これによれば、圧力センサーモジュール301は、双音叉素子15が層としてではなく、単体で構成されていることから、上記実施形態と比較して、ウエハー状の水晶基板に、より多くの双音叉素子15を形成できる。
また、圧力センサーモジュール301は、パッケージ50の構成がダイヤフラム層20とベース層30との2層構成となることから、上記実施形態と比較して、各層間の接合箇所が減ることにより接合工数を削減できる。
また、圧力センサーモジュール301は、パッケージ50の構成がダイヤフラム層20とベース層30との2層構成となることから、上記実施形態と比較して、各層間の接合箇所が減ることにより接合工数を削減できる。
なお、上記実施形態及び各変形例においては、拡張部17aを、枠部16(外周枠部23,32)に近接する位置に設けてもよい。これによれば、圧力センサーモジュール(1など)は、ベース層30の突出部33に接合された拡張部17aの剛性に起因する双音叉素子15の変位の阻害を緩和できる。
また、上記実施形態及び各変形例においては、ダイヤフラム層20に熱膨張率が水晶基板に近似するガラス基板、セラミック基板などを用いてもよい。
また、感圧素子層10(双音叉素子15)の基材は、水晶基板に限定するものではなく、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板などの圧電性を有する基板でもよい。
また、感圧素子層10(双音叉素子15)の基材は、水晶基板に限定するものではなく、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板などの圧電性を有する基板でもよい。
なお、上記実施形態及び変形例1、3における、双音叉素子15,115の引き出し電極18を、突出部33の貫通孔34に充填された封止部材36を介して外部端子35と接続する構成は、ICチップ40を搭載しない圧力センサーにも適用できる。
1…圧力センサーモジュール、10…感圧素子層、11…一方の主面、12…他方の主面、13…感圧部としての振動片部、14…基部、15…感圧素子としての双音叉素子、16…枠部、17…腕部、17a…拡張部、18…引き出し電極、19…対向面、20…ダイヤフラム層、21…凹部、22…支持部、23…外周枠部、30…ベース層、31…第1の凹部、32…外周枠部、33…突出部、34…貫通孔、37…第2の凹部、38,38b…接続配線、40…ICチップ、50…パッケージ。
Claims (9)
- 感圧部と該感圧部の両端に接続される一対の基部とを有する感圧素子と、
前記感圧素子の前記各基部を支持する一対の支持部を有し、前記感圧素子の一方の主面側を覆うダイヤフラム層と、
前記感圧素子の他方の主面側を覆うベース層と、
前記感圧素子を共振させる発振回路部を有するICチップと、を備え、
前記ICチップが、前記両層を含む複数の層の積層により形成されたパッケージの内部に収容され、前記感圧素子と電気的に接続されていることを特徴とする圧力センサーモジュール。 - 請求項1に記載の圧力センサーモジュールにおいて、前記感圧素子を囲む枠部と、該枠部と前記感圧素子の前記各基部とを接続する腕部と、を有し、前記感圧素子を含んで成る感圧素子層を備え、
前記感圧素子層が、前記両層の間に積層されていることを特徴とする圧力センサーモジュール。 - 請求項2に記載の圧力センサーモジュールにおいて、前記ICチップが、前記ベース層に搭載され、
前記感圧素子の励振電極から引き出された引き出し電極が、前記腕部における前記ベース層との対向面に形成され、
前記ベース層が、前記腕部に向かって突出した突出部を有し、
前記引き出し電極が、一端部が前記ICチップと接続され他端部が前記突出部に延在されている接続配線に、前記突出部で接続されていることを特徴とする圧力センサーモジュール。 - 請求項2に記載の圧力センサーモジュールにおいて、前記感圧素子の励振電極から引き出された引き出し電極が、前記腕部における前記ベース層との対向面に形成され、
前記ベース層が、前記腕部に向かって突出した突出部を有し、
前記突出部が、前記ベース層の厚み方向に沿って前記ベース層を貫通する貫通孔を有し、
前記貫通孔の側壁を含む前記ベース層の外面に外部端子が形成され、
導電性を有する封止部材が前記貫通孔に充填されることにより、前記封止部材を介して前記引き出し電極と前記外部端子とが接続されていることを特徴とする圧力センサーモジュール。 - 請求項4に記載の圧力センサーモジュールにおいて、前記ICチップが、前記ベース層に搭載され、
前記ICチップと接続されている接続配線が、前記ベース層の前記外面の前記外部端子の近傍に延在されていることを特徴とする圧力センサーモジュール。 - 請求項3または5に記載の圧力センサーモジュールにおいて、前記ICチップが、前記ベース層の凹部に搭載されていることを特徴とする圧力センサーモジュール。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の圧力センサーモジュールにおいて、前記ICチップが、温度検出部を有していることを特徴とする圧力センサーモジュール。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の圧力センサーモジュールにおいて、前記感圧部が、少なくとも一以上の柱状ビームから構成されていることを特徴とする圧力センサーモジュール。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の圧力センサーモジュールにおいて、前記ICチップが、平面視において、前記感圧素子と重ならない位置に配置されていることを特徴とする圧力センサーモジュール。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101273303B1 (ko) * | 2011-11-23 | 2013-06-11 | 국민대학교산학협력단 | 열 효과를 이용한 마이크로 역학 진동자 기반의 압력센서 및 이를 이용한 압력 측정 방법 |
JP2015076670A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-20 | 株式会社大真空 | 圧電発振器 |
-
2009
- 2009-04-01 JP JP2009088640A patent/JP2010243155A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101273303B1 (ko) * | 2011-11-23 | 2013-06-11 | 국민대학교산학협력단 | 열 효과를 이용한 마이크로 역학 진동자 기반의 압력센서 및 이를 이용한 압력 측정 방법 |
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