JP2010232439A - Wiring board, method of manufacturing the same, and electronic device using the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve such the problem that since it is difficult to change a plating liquid in a recessed portion when a plating layer is formed on the side face of the recessed portion, the plating layer becomes thinner at a part of the side face of the recessed portion close to the opening of the recessed portion than at a part close to the bottom of the recessed portion because of what is called an edge effect. <P>SOLUTION: A wiring board includes an insulating base having the recessed portion on a principal surface, a wiring conductor arranged on the side face of the recessed portion, and plating arranged on the wiring conductor, oriented in a (1, 1, 0) direction from the side face to the center axis of the recessed portion, and made principally of Ni. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、凹部を有する配線基板、特に表面実装型の配線基板、CMOS及びCCDなどに使用される配線基板に関するものである。   The present invention relates to a wiring board having a recess, in particular, a surface mounting type wiring board, a wiring board used for a CMOS, a CCD, and the like.

CMOS及びCCDなどに使用される配線基板においては、配線基板の端部に貫通キャスタレーションを設け、この貫通キャスタレーションにソケット実装を行なっている。このような配線基板においては、絶縁性基体の端部に貫通孔を形成し、この貫通孔の表面に配線導体を設けるとともに、配線導体の表面にワット浴などの手法によりメッキ層を配設している。   In a wiring board used for a CMOS, a CCD, or the like, a through castellation is provided at an end of the wiring board, and a socket is mounted on the through castellation. In such a wiring board, a through hole is formed at the end of the insulating substrate, a wiring conductor is provided on the surface of the through hole, and a plating layer is provided on the surface of the wiring conductor by a technique such as a watt bath. ing.

近年、このような配線基板には小型化が求められている。そこで、特許文献1に開示されているように、絶縁性基体の端部に貫通孔を形成するのではなく、凹部を形成した非貫通型のキャスタレーションを用いた配線基板が提案されている。このようにキャスタレーションとして、非貫通型のものを用いることにより、配線基板の裏面において電子部品を実装する領域をより広く確保することができる。   In recent years, such wiring boards are required to be miniaturized. Therefore, as disclosed in Patent Document 1, there has been proposed a wiring board using a non-penetrating castellation in which a concave portion is formed instead of forming a through hole in an end portion of an insulating base. Thus, by using a non-penetrating type castellation, it is possible to secure a wider area for mounting electronic components on the back surface of the wiring board.

特開2004−312048号公報JP 2004-312048 A

しかしながら、非貫通型のキャスタレーションを用いた場合、配線導体の表面に配設されるメッキ層の厚みのばらつきを小さくすることが困難であった。これは、絶縁性基体に凹部を設け、この凹部の側面にメッキ層を形成する場合、凹部内に存在するメッキ液の入れ替えが困難であるため、いわゆるエッジ効果により、凹部側面のうち、凹部の底部に近い部分におけるメッキ層の厚みよりも、凹部の開口部に近い部分におけるメッキ層が小さくなってしまうからである。   However, when non-penetrating castellations are used, it is difficult to reduce the variation in the thickness of the plating layer disposed on the surface of the wiring conductor. This is because when a recess is provided in an insulating substrate and a plating layer is formed on the side surface of the recess, it is difficult to replace the plating solution existing in the recess. This is because the plating layer in the portion near the opening of the recess becomes smaller than the thickness of the plating layer in the portion near the bottom.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、凹部内におけるメッキ層の厚みのばらつきの小さい配線基板を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a wiring board having a small variation in the thickness of the plating layer in the recess.

本発明の配線基板は、主面上に凹部を有する絶縁性基体と、前記凹部の側面上に配設された配線導体と、前記配線導体上に配設され、前記凹部の側面から前記凹部の中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したNiを主成分とするメッキと、を備えている。   The wiring board according to the present invention includes an insulating base having a recess on a main surface, a wiring conductor disposed on a side surface of the recess, a wiring conductor disposed on the wiring conductor, and extending from the side surface of the recess to the recess. And plating mainly composed of Ni oriented in the (1, 1, 0) direction toward the central axis.

本発明の配線基板によれば、メッキ層として、凹部における側面から中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したNiを主成分とするメッキを用いている。そのため、凹部内におけるメッキ層の厚みのばらつきを小さくすることができる。これは、(1,1,0)方向に配向したNiを主成分とするメッキを用いることにより、凹部における側面から中心軸に向かってメッキの析出を促進させることができるからである。結果として、エッジ効果による影響が大きく現れる前に、凹部側面にメッキ層を形成することができるので、凹部内におけるメッキ層の厚みのばらつきを小さくすることができる。   According to the wiring board of the present invention, as the plating layer, plating mainly composed of Ni oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the concave portion toward the central axis is used. Therefore, variation in the thickness of the plating layer in the recess can be reduced. This is because the use of plating mainly composed of Ni oriented in the (1, 1, 0) direction can promote the deposition of plating from the side surface of the recess toward the central axis. As a result, since the plating layer can be formed on the side surface of the recess before the influence of the edge effect appears, variation in the thickness of the plating layer in the recess can be reduced.

本発明の一実施形態にかかる配線基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the wiring board concerning one Embodiment of this invention. 図1に示す配線基板における領域Aを拡大した拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view in which a region A in the wiring board shown in FIG. 1 is enlarged. (a)は、(1,1,0)方向に配向したNiメッキの概念図であり、(b)は、(1,0,0)方向に配向したNiメッキの概念図である。(A) is a conceptual diagram of Ni plating oriented in the (1, 1, 0) direction, and (b) is a conceptual diagram of Ni plating oriented in the (1, 0, 0) direction. 本発明の第1の実施形態にかかる配線基板の製造方法における第1の工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 1st process in the manufacturing method of the wiring board concerning the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態にかかる配線基板の製造方法における第2の工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd process in the manufacturing method of the wiring board concerning the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態にかかる配線基板の製造方法における第3の工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 3rd process in the manufacturing method of the wiring board concerning the 1st Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態にかかる電子装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the electronic device concerning one Embodiment of this invention.

以下、本発明の配線基板について図面を用いて詳細に説明する。   Hereinafter, the wiring board of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1,2に示すように、本発明の一実施形態にかかる配線基板1は、主面5a上に凹部3を有する絶縁性基体5と、凹部3の側面上に配設された配線導体7と、配線導体7上に配設され、凹部3の側面から凹部3の中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したNiを主成分とするメッキ9と、を備えている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a wiring board 1 according to an embodiment of the present invention includes an insulating substrate 5 having a recess 3 on a main surface 5 a, and a wiring conductor 7 disposed on a side surface of the recess 3. And a plating 9 mainly composed of Ni which is disposed on the wiring conductor 7 and is oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the recess 3 toward the central axis of the recess 3.

このように、本実施形態にかかる配線基板1は、メッキ層として、凹部3における側面から中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したNiを主成分とするメッキ9を用いている。上記のメッキ9を用いていることにより、厚み方向へのメッキ9の析出が促進されるため、凹部3の側面から凹部3の中心軸に向かってのメッキ9の厚みを速やかに大きくすることができる。そのため、エッジ効果による影響を小さくすることができるので、凹部3内におけるメッキ9の厚みのばらつきを小さくすることができる。   As described above, the wiring board 1 according to the present embodiment uses the plating 9 mainly composed of Ni oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the recess 3 toward the central axis as the plating layer. Yes. By using the plating 9 described above, precipitation of the plating 9 in the thickness direction is promoted, so that the thickness of the plating 9 from the side surface of the recess 3 toward the central axis of the recess 3 can be quickly increased. it can. For this reason, the influence of the edge effect can be reduced, so that the variation in the thickness of the plating 9 in the recess 3 can be reduced.

本実施形態にかかる配線基板1は、主面5a上に凹部3を有する絶縁性基体5を備えている。絶縁性基体5としては、絶縁性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、例えば、アルミナセラミックス、ムライトセラミックスなどのセラミックス材料を主成分としたものを用いることができる。   The wiring board 1 according to the present embodiment includes an insulating substrate 5 having a recess 3 on a main surface 5a. As the insulating substrate 5, it is preferable to use a member having good insulating properties. Specifically, for example, a material mainly composed of a ceramic material such as alumina ceramics or mullite ceramics can be used.

凹部3の形状としては、底面及び側面を有するとともに主面5a側に開口していればよく、特に限定されるものではない。例えば、平面視した場合に円形となっていてもよく、また、矩形となっていてもよい。また、本実施形態における凹部3の中心軸とは、凹部3の底面の中心を通り、絶縁性基体5の主面5aに垂直な方向の軸を意味している。凹部3の中心とは、例えば凹部3を平面視した場合に円形となっている場合には円の中心とし、凹部3を平面視した場合に矩形となっている場合には頂点の交点とすればよい。   The shape of the recess 3 is not particularly limited as long as it has a bottom surface and a side surface and is open to the main surface 5a side. For example, it may be circular when viewed in plan, or may be rectangular. In addition, the central axis of the recess 3 in the present embodiment means an axis that passes through the center of the bottom surface of the recess 3 and is perpendicular to the main surface 5 a of the insulating substrate 5. The center of the recess 3 is, for example, the center of a circle when the recess 3 is circular when viewed in plan, and the intersection of vertices when the recess 3 is rectangular when viewed in plan. That's fine.

本実施形態にかかる配線基板1は、凹部3の側面上に配設された配線導体7を備えている。本実施形態にかかる配線基板1のように、配線導体7は凹部3の側面上だけでなく、絶縁性基体5の主面5a上に配設されていてもよい。配線導体7としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。導電性の良好な部材としては、例えば、Au,Ag,Cu,Al,Pt,Pd,Mn,W及びMoのような金属部材を用いることができる。   The wiring board 1 according to this embodiment includes a wiring conductor 7 disposed on the side surface of the recess 3. Like the wiring board 1 according to the present embodiment, the wiring conductor 7 may be disposed not only on the side surface of the recess 3 but also on the main surface 5 a of the insulating substrate 5. As the wiring conductor 7, it is preferable to use a member having good conductivity. As the member having good conductivity, for example, a metal member such as Au, Ag, Cu, Al, Pt, Pd, Mn, W, and Mo can be used.

本実施形態にかかる配線基板1は、図1,2に示すように、絶縁性基体5の裏面5b上に配設された表面導体11を備えている。表面導体11は、後述する内部導体13及びビア導体15を介して配線導体7と電気的に接続されている。絶縁性基体5の裏面5b上に配設される電子部品21に上記の表面導体11を電気的に接続することで配線導体7、内部導体13、ビア導体15及び表面導体11を介して電子部品21に電力を供給することができる。   As shown in FIGS. 1 and 2, the wiring board 1 according to the present embodiment includes a surface conductor 11 disposed on the back surface 5 b of the insulating substrate 5. The surface conductor 11 is electrically connected to the wiring conductor 7 via an internal conductor 13 and a via conductor 15 described later. By electrically connecting the surface conductor 11 to the electronic component 21 disposed on the back surface 5b of the insulating substrate 5, the electronic component is connected via the wiring conductor 7, the internal conductor 13, the via conductor 15 and the surface conductor 11. Power can be supplied to 21.

また、本実施形態にかかる配線基板1は、図1,2に示すように、絶縁性基体5に埋設された内部導体13を備えている。内部導体13は表面導体11及び配線導体7とそれぞれビア導体15を介して電気的に接続されている。内部電極、ビア導体15及び表面導体11としては、配線導体7と同様に、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。導電性の良好な部材としては、例えば、Au,Ag,Cu,Al,Pt,Pd,Mn,W及びMoのような金属部材を用いることができる。   Moreover, the wiring board 1 according to the present embodiment includes an internal conductor 13 embedded in the insulating base 5 as shown in FIGS. The internal conductor 13 is electrically connected to the surface conductor 11 and the wiring conductor 7 via via conductors 15 respectively. As the internal electrodes, the via conductors 15 and the surface conductors 11, like the wiring conductors 7, it is preferable to use members having good conductivity. As the member having good conductivity, for example, a metal member such as Au, Ag, Cu, Al, Pt, Pd, Mn, W, and Mo can be used.

本実施形態にかかる配線基板1は、配線導体7上に配設され、凹部3の側面から凹部3の中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したNiを主成分とするメッキ9を備えている。このように、配線導体7上にメッキ9を配設することにより、配線導体7の腐食を抑制することができるので、配線基板1の耐久性を向上させることができる。Niを主成分とするメッキ9としては、具体的には、Ni−Pd−Auメッキ及びNi−Auメッキを用いることができる。   The wiring substrate 1 according to the present embodiment is disposed on the wiring conductor 7 and is plated mainly with Ni oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the recess 3 toward the central axis of the recess 3. 9 is provided. In this way, by disposing the plating 9 on the wiring conductor 7, corrosion of the wiring conductor 7 can be suppressed, so that the durability of the wiring board 1 can be improved. Specifically, Ni—Pd—Au plating and Ni—Au plating can be used as the plating 9 containing Ni as a main component.

そして、本実施形態におけるNiを主成分とするメッキ9としては、凹部3における側面から中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向していることが肝要である。図3に示すように、凹部3における側面から中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したメッキ9を用いた場合、一般的に使用される(1,0,0)方向に配向したメッキと比較して、厚み方向へのメッキ9の析出が促進されるため、凹部3における側面から中心軸に向かってのメッキ9の厚みを速やかに大きくすることができる。   In the present embodiment, it is important that the plating 9 mainly composed of Ni is oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the recess 3 toward the central axis. As shown in FIG. 3, when the plating 9 oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the recess 3 toward the central axis is used, in the (1, 0, 0) direction generally used. Since the deposition of the plating 9 in the thickness direction is promoted as compared with the oriented plating, the thickness of the plating 9 from the side surface of the recess 3 toward the central axis can be quickly increased.

また、本実施形態におけるNiを主成分とするメッキ9の表面に、Auを主成分とするメッキをさらに配設することが好ましい。   Further, it is preferable to further dispose a plating mainly composed of Au on the surface of the plating 9 mainly composed of Ni in the present embodiment.

また、絶縁性基体5の主面5a上に形成された凹部3は、絶縁性基体5の主面5aの端部に位置するとともに絶縁性基体5の主面5a及び側面に開口していることが好ましい。これにより、外部配線(非図示)とメッキ9との接続を形成しやすくなる。そのため、外部配線とメッキ9の接合性を高めることができる。   Further, the recess 3 formed on the main surface 5a of the insulating base 5 is located at the end of the main surface 5a of the insulating base 5 and is open to the main surface 5a and side surfaces of the insulating base 5. Is preferred. Thereby, it becomes easy to form a connection between the external wiring (not shown) and the plating 9. Therefore, the bondability between the external wiring and the plating 9 can be improved.

また、絶縁性基体5の主面5a上に形成された凹部3は、主面5aに平行な底面における内径よりも開口部における内径が大きいことが好ましい。このように凹部3が形成されている場合には、凹部3側面のうち、凹部3の底部に近い部分におけるメッキ層の厚みよりも、凹部3の開口部に近い部分におけるメッキ層がエッジ効果により大きくなってしまったとしても、凹部3内に存在するメッキ液の入れ替えを生じやすくすることができるからである。そのため、凹部3の底部に近い部分におけるメッキ9の厚みと、凹部3の開口部に近い部分におけるメッキ9の厚みとのばらつきをより小さくすることができる。   Moreover, it is preferable that the recessed part 3 formed on the main surface 5a of the insulating base | substrate 5 has a larger internal diameter in an opening part than the internal diameter in the bottom face parallel to the main surface 5a. Thus, when the recessed part 3 is formed, the plating layer in the part close | similar to the opening part of the recessed part 3 is by edge effect rather than the thickness of the plated layer in the part near the bottom part of the recessed part 3 among the side surfaces of the recessed part 3 This is because even if it becomes larger, it is possible to easily replace the plating solution existing in the recess 3. Therefore, the variation between the thickness of the plating 9 near the bottom of the recess 3 and the thickness of the plating 9 near the opening of the recess 3 can be further reduced.

次に、本発明の第1の実施形態にかかる配線基板1の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the wiring board 1 according to the first embodiment of the present invention will be described.

本実施形態にかかる配線基板1の製造方法は、図4〜6に示すように、主面5a上に凹部3を有する絶縁性基体5と、凹部3の側面上に配設された配線導体7と、を備えた基板を準備する第1の工程と、Niを含有するメッキ液に絶縁性基体5を浸漬するとともに、配線導体7に通電することにより、配線導体7上にNi電解メッキ9を形成する第2の工程と、を備えている。そして、第2の工程において、メッキ液に超音波を照射することを特徴としている。   As shown in FIGS. 4 to 6, the method of manufacturing the wiring board 1 according to the present embodiment includes an insulating substrate 5 having a recess 3 on the main surface 5 a and a wiring conductor 7 disposed on the side surface of the recess 3. And a first step of preparing a substrate comprising: a step of immersing the insulating substrate 5 in a plating solution containing Ni, and energizing the wiring conductor 7 to form Ni electrolytic plating 9 on the wiring conductor 7. And a second step of forming. In the second step, the plating solution is irradiated with ultrasonic waves.

Ni電解メッキ液としては、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル又はホウ酸などを含むワット浴を用いることができる。また、サッカリンなどを含む光沢ニッケルメッキ液及び臭化ニッケルを含むメッキ液のような一般的に使用される電解ニッケルメッキ液をNi電解メッキ液として用いることもできる。   As the Ni electrolytic plating solution, for example, a Watt bath containing nickel sulfate, nickel chloride, boric acid or the like can be used. In addition, a commonly used electrolytic nickel plating solution such as a bright nickel plating solution containing saccharin or the like and a plating solution containing nickel bromide may be used as the Ni electrolytic plating solution.

これにより、凹部3の側面から凹部3の中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したメッキ9を凹部3側面に位置する配線導体7の表面上に形成することができるので、凹部3内におけるメッキ9の厚みのばらつきを小さくすることができる。   Thereby, the plating 9 oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the recess 3 toward the central axis of the recess 3 can be formed on the surface of the wiring conductor 7 located on the side surface of the recess 3. Variation in the thickness of the plating 9 in the recess 3 can be reduced.

本実施形態にかかる配線基板1の製造方法における第1の工程について説明する。   A first step in the method for manufacturing the wiring board 1 according to the present embodiment will be described.

まず、ガラス粉末、セラミック粉末などの原料粉末を有機溶剤及びバインダとともに混練する。これをシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、内部配線となる導体ペーストをセラミックグリーンシートの主面5a上に被着する。さらにセラミックグリーンシートを導体ペースト上に積層する。このとき、導体ペースト上に積層されるセラミックグリーンシートには凹部3となる貫通孔を形成しておく。このように積層された複数のセラミックグリーンシートの裏面5b上に表面導体11となる導体ペーストを被着する。また、積層された複数のセラミックグリーンシートの主面5a及び貫通孔の側面に配線導体7となる導体ペーストを被着する。以上のようにして積層された複数のセラミックグリーンシートを焼成することにより、図4に示すように、基体17が作製される。   First, raw material powders such as glass powder and ceramic powder are kneaded together with an organic solvent and a binder. This is formed into a sheet shape to produce a plurality of ceramic green sheets. Next, a conductor paste to be an internal wiring is deposited on the main surface 5a of the ceramic green sheet. Further, a ceramic green sheet is laminated on the conductor paste. At this time, a through hole serving as the recess 3 is formed in the ceramic green sheet laminated on the conductor paste. A conductor paste to be the surface conductor 11 is deposited on the back surfaces 5b of the plurality of ceramic green sheets laminated in this way. Further, a conductor paste that becomes the wiring conductor 7 is attached to the main surface 5a and the side surfaces of the through holes of the plurality of laminated ceramic green sheets. By firing the plurality of ceramic green sheets laminated as described above, the substrate 17 is produced as shown in FIG.

なお、上記実施形態においては、予め、セラミックグリーンシートに凹部3となる貫通孔を形成しているが、積層されたセラミックグリーンシートを焼成した後、凹部3を形成しても何ら問題ない。   In the above-described embodiment, the through hole to be the recess 3 is formed in the ceramic green sheet in advance. However, there is no problem if the recess 3 is formed after firing the laminated ceramic green sheets.

貫通孔の形状としては、底面及び側面を有するとともに主面5a側に開口していればよく、特に限定されるものではない。例えば、平面視した場合に円形となっていてもよく、また、矩形となっていてもよい。また、本実施形態における凹部3の中心軸とは、貫通孔の中心軸と置き換えても良い。   The shape of the through hole is not particularly limited as long as it has a bottom surface and a side surface and is open to the main surface 5a side. For example, it may be circular when viewed in plan, or may be rectangular. Further, the central axis of the recess 3 in the present embodiment may be replaced with the central axis of the through hole.

また、絶縁性基体5の主面5a上に形成された凹部3は、主面5aに平行な底面における内径よりも開口部における内径が大きいことが好ましい。このように凹部3が形成されている場合には、既に示したように、凹部3の底部に近い部分におけるメッキ9の厚みと、凹部3の開口部に近い部分におけるメッキ9の厚みとのばらつきをより小さくすることができるからである。   Moreover, it is preferable that the recessed part 3 formed on the main surface 5a of the insulating base | substrate 5 has a larger internal diameter in an opening part than the internal diameter in the bottom face parallel to the main surface 5a. When the concave portion 3 is formed in this way, as already shown, the thickness of the plating 9 in the portion near the bottom of the concave portion 3 and the thickness of the plating 9 in the portion near the opening of the concave portion 3 are varied. This is because can be made smaller.

言い換えれば、貫通孔は、裏面5b側端部における内径よりも主面5a側端部における内径が大きいことが好ましい。このように貫通孔が形成されている場合には、凹部3の底部に近い部分におけるメッキ9の厚みと、凹部3の開口部に近い部分におけるメッキ9の厚みとのばらつきをより小さくすることができるからである。   In other words, the through hole preferably has a larger inner diameter at the end on the main surface 5a side than an inner diameter at the end on the back surface 5b side. When the through hole is formed in this way, the variation between the thickness of the plating 9 near the bottom of the recess 3 and the thickness of the plating 9 near the opening of the recess 3 can be made smaller. Because it can.

次に、図5に示すように、本実施形態にかかる配線基板1の製造方法における第2の工程について説明する。   Next, as shown in FIG. 5, the second step in the method of manufacturing the wiring board 1 according to the present embodiment will be described.

第2の工程においては、Niを含有するメッキ液に絶縁性基体5を浸漬するとともに、配線導体7に通電することにより、配線導体7上にNi電解メッキ9を形成している。このとき、メッキ液に超音波を照射することが肝要である。メッキ液に超音波を照射することにより、凹部3の側面から凹部3の中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したメッキ9を凹部3側面に位置する配線導体7の表面上に形成することができる。   In the second step, the Ni base plating 9 is formed on the wiring conductor 7 by immersing the insulating substrate 5 in a plating solution containing Ni and energizing the wiring conductor 7. At this time, it is important to irradiate the plating solution with ultrasonic waves. By irradiating the plating solution with ultrasonic waves, the plating 9 oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the recess 3 toward the central axis of the recess 3 is placed on the surface of the wiring conductor 7 positioned on the side surface of the recess 3. Can be formed.

このとき、超音波の周波数は25〜50Hzであることが好ましい。これにより、メッキ9のつき回りを良くすることができるので、効率良くメッキ9を形成することができる。また、超音波の出力は300〜600kWであることが好ましい。超音波の出力が300kW以上であることにより、メッキ9のつき回り性を向上させることができる。また、超音波の出力が600kW以下であることにより、この超音波の照射によって絶縁性基体5が損傷する可能性を小さくすることができる。   At this time, the frequency of the ultrasonic waves is preferably 25 to 50 Hz. Thereby, since the throwing of the plating 9 can be improved, the plating 9 can be formed efficiently. Moreover, it is preferable that the output of an ultrasonic wave is 300-600 kW. When the output of the ultrasonic wave is 300 kW or more, the throwing power of the plating 9 can be improved. Further, since the output of the ultrasonic wave is 600 kW or less, the possibility that the insulating substrate 5 is damaged by the irradiation of the ultrasonic wave can be reduced.

Ni電解メッキ液としては、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル又はホウ酸などを含むワット浴を用いることができる。また、サッカリンなどを含む光沢ニッケルメッキ液及び臭化ニッケルを含むメッキ液のような一般的に使用される電解ニッケルメッキ液をNi電解メッキ液として用いることもできる。   As the Ni electrolytic plating solution, for example, a Watt bath containing nickel sulfate, nickel chloride, boric acid or the like can be used. In addition, a commonly used electrolytic nickel plating solution such as a bright nickel plating solution containing saccharin or the like and a plating solution containing nickel bromide may be used as the Ni electrolytic plating solution.

以上により、本実施形態にかかる配線基板1を製造することができる。   As described above, the wiring board 1 according to the present embodiment can be manufactured.

また、図6に示すように、本実施形態にかかる配線基板1の製造方法は、凹部3を含むように基体17を切断する第3の工程を備えていることが好ましい。第1の工程において、1つの配線基板1となるように基板を準備しても良いが、複数の配線基板1となる基板を、互いの絶縁性基体5が連続した状態(アレイ基板)で準備した後、基体17を切断することにより、複数の配線基板1を同時に作製することができるので、配線基板1の生産性を向上させることができる。更に、上記第3の工程においては、凹部3を含むように基板を切断しているので、絶縁性基体5の主面5aの端部に位置するとともに絶縁性基体5の主面5a及び側面に開口する凹部3を形成することができる。   As shown in FIG. 6, the method for manufacturing the wiring board 1 according to the present embodiment preferably includes a third step of cutting the base body 17 so as to include the recess 3. In the first step, a substrate may be prepared so as to be one wiring substrate 1, but a plurality of substrates to be the wiring substrates 1 are prepared in a state where the insulating bases 5 are continuous (array substrate). After that, by cutting the substrate 17, a plurality of wiring boards 1 can be manufactured at the same time, so that the productivity of the wiring board 1 can be improved. Further, in the third step, since the substrate is cut so as to include the recess 3, the substrate is located at the end of the main surface 5a of the insulating base 5 and on the main surface 5a and the side surface of the insulating base 5. The opening 3 can be formed.

本実施形態にかかる配線基板1の製造方法において、第3の工程で切断される凹部3は、第2の工程においては、基体17の主面5a側のみに開口している。そのため、この凹部3の側面部分にメッキ9を形成する場合に、エッジ効果の影響を受けやすい。しかしながら、本実施形態にかかる配線基板1の製造方法では、メッキ液に超音波を照射することにより、凹部3の側面から凹部3の中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したメッキ9を凹部3側面に位置する配線導体7の表面上に形成している。そのため、第3の工程で切断される凹部3の側面に形成されるメッキ9の厚みのばらつきを小さくすることができる。   In the manufacturing method of the wiring board 1 according to the present embodiment, the recess 3 cut in the third step is opened only on the main surface 5a side of the base body 17 in the second step. Therefore, when the plating 9 is formed on the side surface portion of the recess 3, the edge effect is easily affected. However, in the method of manufacturing the wiring board 1 according to the present embodiment, the plating solution is irradiated with ultrasonic waves, and is oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the recess 3 toward the central axis of the recess 3. The plating 9 is formed on the surface of the wiring conductor 7 located on the side surface of the recess 3. Therefore, the variation in the thickness of the plating 9 formed on the side surface of the recess 3 cut in the third step can be reduced.

次に、本発明の第2の実施形態にかかる配線基板1の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the wiring board 1 according to the second embodiment of the present invention will be described.

本実施形態にかかる配線基板1の製造方法は、主面5a上に凹部3を有する絶縁性基体5と、凹部3の側面上に配設された配線導体7と、を備えた基板を準備する第1の工程と、Niを含有するメッキ液に絶縁性基体5を浸漬するとともに、配線導体7に通電することにより、配線導体7上にNi電解メッキ9を形成する第2の工程と、を備えている。そして、メッキ液は、スルファミン酸ニッケルを主成分とするとともに、さらに硫黄が添加されている。   The manufacturing method of the wiring board 1 according to the present embodiment prepares a board including the insulating base 5 having the recess 3 on the main surface 5a and the wiring conductor 7 disposed on the side surface of the recess 3. A first step and a second step of forming the Ni electrolytic plating 9 on the wiring conductor 7 by immersing the insulating substrate 5 in a plating solution containing Ni and energizing the wiring conductor 7. I have. The plating solution contains nickel sulfamate as a main component and sulfur is further added.

スルファミン酸ニッケルは硫黄を含有しているが、本実施形態にかかる配線基板1の製造方法においては、このスルファミン酸ニッケルに含有された硫黄とは別に、更に硫黄が加えられたメッキ液を用いている。   Although nickel sulfamate contains sulfur, in the manufacturing method of the wiring board 1 according to the present embodiment, a plating solution to which sulfur is further added is used in addition to the sulfur contained in the nickel sulfamate. Yes.

上記第1の実施形態にかかる配線基板1の製造方法のように、メッキ液に超音波を照射することにより、凹部3における側面から中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したメッキ9を凹部3側面に位置する配線導体7の表面上に形成することができるが、本実施形態にかかる配線基板1の製造方法のように、スルファミン酸ニッケルを主成分とするとともに、さらに硫黄が添加されているメッキ液を用いることによっても凹部3の側面から凹部3の中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したメッキ9を凹部3側面に位置する配線導体7の表面上に形成することができる。   As in the method for manufacturing the wiring substrate 1 according to the first embodiment, the plating solution is irradiated with ultrasonic waves so that it is oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the recess 3 toward the central axis. Although the plating 9 can be formed on the surface of the wiring conductor 7 located on the side surface of the concave portion 3, as in the manufacturing method of the wiring board 1 according to the present embodiment, the main component is nickel sulfamate and further sulfur. The surface of the wiring conductor 7 positioned on the side surface of the recess 3 is also provided with the plating 9 oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the recess 3 toward the central axis of the recess 3 by using a plating solution to which is added Can be formed on top.

このように、本実施形態にかかる配線基板1の製造方法によっても、凹部3の側面から凹部3の中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したメッキ9を凹部3側面に位置する配線導体7の表面上に形成することができるので、凹部3内におけるメッキ9の厚みのばらつきを小さくすることができる。   Thus, also by the manufacturing method of the wiring board 1 according to the present embodiment, the plating 9 oriented in the (1, 1, 0) direction from the side surface of the recess 3 toward the central axis of the recess 3 is positioned on the side surface of the recess 3. Since it can be formed on the surface of the wiring conductor 7 to be formed, variation in the thickness of the plating 9 in the recess 3 can be reduced.

また、第1の実施形態にかかる配線基板1の製造方法と同様に、絶縁性基体5の主面5a上に形成された凹部3は、主面5aに平行な底面における内径よりも開口部における内径が大きいことが好ましい。このように凹部3が形成されている場合には、既に示したように、凹部3の底部に近い部分におけるメッキ9の厚みと、凹部3の開口部に近い部分におけるメッキ9の厚みとのばらつきをより小さくすることができるからである。   Similarly to the manufacturing method of the wiring substrate 1 according to the first embodiment, the recess 3 formed on the main surface 5a of the insulating base 5 is located at the opening portion rather than the inner diameter at the bottom surface parallel to the main surface 5a. It is preferable that the inner diameter is large. When the concave portion 3 is formed in this way, as already shown, the thickness of the plating 9 in the portion near the bottom of the concave portion 3 and the thickness of the plating 9 in the portion near the opening of the concave portion 3 are varied. This is because can be made smaller.

次に、本発明の一実施形態にかかる電子装置19について説明する。   Next, the electronic device 19 according to an embodiment of the present invention will be described.

本発明の電子装置19は、図7に示すように、上記の実施形態に代表される配線基板1と、配線基板1の裏面5b上に配設され、配線導体7と電気的に接続された電子部品21と、電子部品21を封止する蓋体23と、を備えている。なお、本実施形態における電子部品21は、表面導体11及び内部導体13を介して配線導体7と電気的に接続されている。   As shown in FIG. 7, the electronic device 19 of the present invention is disposed on the wiring board 1 typified by the above embodiment and the back surface 5 b of the wiring board 1, and is electrically connected to the wiring conductor 7. An electronic component 21 and a lid body 23 that seals the electronic component 21 are provided. The electronic component 21 in this embodiment is electrically connected to the wiring conductor 7 via the surface conductor 11 and the internal conductor 13.

本実施形態にかかる電子装置19は、上記の実施形態に代表される配線基板1を備えていることから、凹部3内におけるメッキ9の厚みのばらつきを小さくすることができる。そのため、外部配線とメッキ9の接合性が高められているので、信頼性の高い電子装置19とすることができる。   Since the electronic device 19 according to the present embodiment includes the wiring substrate 1 typified by the above-described embodiment, the variation in the thickness of the plating 9 in the recess 3 can be reduced. Therefore, since the bonding property between the external wiring and the plating 9 is improved, the electronic device 19 with high reliability can be obtained.

蓋体23としては、基体17の主面5a上に配設され、電子部品21を封止することができればよい。例えば、アルミナセラミックス及びムライトセラミックスのようなセラミックス材料を主成分とした板状の部材、ガラスを主成分とする板状の部材、金属部材並びにシリコンを用いることができる。   The lid 23 may be disposed on the main surface 5a of the base body 17 so that the electronic component 21 can be sealed. For example, a plate-shaped member whose main component is a ceramic material such as alumina ceramics and mullite ceramics, a plate-shaped member whose main component is glass, a metal member, and silicon can be used.

なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何ら差し支えない。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

1・・・配線基板
3・・・凹部
5・・・絶縁性基体
5a・・・主面
5b・・・裏面
7・・・配線導体
9・・・メッキ
11・・・表面導体
13・・・内部導体
15・・・ビア導体
17・・・基体
19・・・電子装置
21・・・電子部品
23・・・蓋体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board 3 ... Concave 5 ... Insulating base | substrate 5a ... Main surface 5b ... Back surface 7 ... Wiring conductor 9 ... Plating 11 ... Surface conductor 13 ... Internal conductor 15 ... via conductor 17 ... base 19 ... electronic device 21 ... electronic component 23 ... lid

Claims (6)

主面上に凹部を有する絶縁性基体と、
前記凹部の側面上に配設された配線導体と、
前記配線導体上に配設され、前記凹部の側面から前記凹部の中心軸に向かって(1,1,0)方向に配向したNiを主成分とするメッキと、を備えた配線基板。
An insulating substrate having a recess on the main surface;
A wiring conductor disposed on a side surface of the recess;
A wiring board provided on the wiring conductor and comprising Ni as a main component and oriented in a (1, 1, 0) direction from a side surface of the concave portion toward a central axis of the concave portion.
前記凹部は、前記絶縁性基体の主面の端部に位置するとともに前記絶縁性基体の主面及び側面に開口していることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。   The wiring substrate according to claim 1, wherein the concave portion is located at an end portion of the main surface of the insulating base and is open to a main surface and a side surface of the insulating base. 前記凹部は、前記主面に平行な底面における内径よりも開口部における内径が大きいことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。   The wiring substrate according to claim 1, wherein the concave portion has an inner diameter at an opening portion larger than an inner diameter at a bottom surface parallel to the main surface. 主面上に凹部を有する絶縁性基体と、前記凹部の側面上に配設された配線導体と、を備えた基板を準備する第1の工程と、
Niを含有するメッキ液に前記絶縁性基体を浸漬するとともに、前記配線導体に通電することにより、前記配線導体上にNi電解メッキを形成する第2の工程と、を備えた配線基板の製造方法であって、
前記第2の工程において、前記メッキ液に超音波を照射することを特徴とする配線基板の製造方法。
A first step of preparing a substrate including an insulating base having a recess on a main surface and a wiring conductor disposed on a side surface of the recess;
And a second step of forming Ni electrolytic plating on the wiring conductor by immersing the insulating base in a plating solution containing Ni and energizing the wiring conductor. Because
In the second step, a method of manufacturing a wiring board, wherein the plating solution is irradiated with ultrasonic waves.
主面上に凹部を有する絶縁性基体と、前記凹部の側面上に配設された配線導体と、を備えた基板を準備する第1の工程と、
Niを含有するメッキ液に前記絶縁性基体を浸漬するとともに、前記配線導体に通電することにより、前記配線導体上にNi電解メッキを形成する第2の工程と、を備えた配線基板の製造方法であって、
前記メッキ液は、スルファミン酸ニッケルを主成分とするとともに、さらに硫黄が添加されていることを特徴とする配線基板の製造方法。
A first step of preparing a substrate including an insulating base having a recess on a main surface and a wiring conductor disposed on a side surface of the recess;
And a second step of forming Ni electrolytic plating on the wiring conductor by immersing the insulating base in a plating solution containing Ni and energizing the wiring conductor. Because
The method for manufacturing a wiring board, wherein the plating solution contains nickel sulfamate as a main component and sulfur is further added.
請求項1に記載の配線基板と、該配線基板の裏面上に配設され、前記配線導体と電気的に接続された電子部品と、該電子部品を封止する蓋体と、を備えた電子装置。   An electronic device comprising: the wiring board according to claim 1; an electronic component disposed on a back surface of the wiring substrate and electrically connected to the wiring conductor; and a lid for sealing the electronic component. apparatus.
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