JP2010230756A - Method of manufacturing liquid crystal display element, liquid crystal display element and negative type resist composition - Google Patents

Method of manufacturing liquid crystal display element, liquid crystal display element and negative type resist composition Download PDF

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洋 小林
Minoru Suezaki
穣 末崎
Yoshio Nishimura
善雄 西村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a liquid crystal display element, forming a column spacer and a projection for liquid crystal alignment having a height required for showing excellent display characteristic at the same time on a semi-transmission reflection type liquid crystal display element substrate. <P>SOLUTION: This method includes: a process 1 of coating a negative type resist composition on the semi-transmission reflection type liquid crystal display element substrate to form a resist film; a process 2 of applying active light beam to the resist film through a mask having openings of a pattern corresponding to the liquid crystal alignment projection forming part and the column spacer forming part; and a process 3 of developing the resist film already subjected to irradiation of the active light beam to form the column spacer and the projection for liquid crystal alignment at the same time. In the process 1, coating is performed so that the height of a lowest portion of the negative type resist composition coated between multi-gaps on the semi-transmission reflection type liquid crystal display element substrate is 0.6-0.9 times as large as the total of heights of the multi-gap and the negative type resist composition coated on the multi-gap. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半透過反射型液晶表示素子基板上に、カラムスペーサと、優れた表示特性を示すために必要な高さを有する液晶配向用突起とを同時に形成することができる液晶表示素子の製造方法に関する。また、本発明は、該液晶表示素子の製造方法を用いて製造される液晶表示素子に関する。更に、該液晶表示素子の製造方法に用いるネガ型レジスト組成物に関する。 The present invention provides a liquid crystal display element capable of simultaneously forming a column spacer and a liquid crystal alignment protrusion having a height necessary for exhibiting excellent display characteristics on a transflective liquid crystal display element substrate. Regarding the method. Moreover, this invention relates to the liquid crystal display element manufactured using the manufacturing method of this liquid crystal display element. Furthermore, it is related with the negative resist composition used for the manufacturing method of this liquid crystal display element.

液晶表示装置の視野角を改善するために、透明電極上にアーチ状の突起を形成し、一画素内で液晶を多方向に分割し配向させる方法が用いられている。
液晶表示装置の製造過程において、透明電極上に液晶を分割配向するための突起を形成する工程に用いることのできるネガ型レジスト組成物として、例えば、特許文献1には、アルカリ可溶性樹脂、光重合開始剤及び光重合性モノマーを主成分とするネガ型レジスト組成物が開示されている。また、特許文献2には、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤、アルカリ可溶性樹脂を主成分とするネガ型レジスト組成物が開示されている。
これらのネガ型レジスト組成物を用いることで、液晶配向用突起とカラムスペーサとを同時に形成することができ、液晶表示装置の製造を簡略化することができる。
In order to improve the viewing angle of a liquid crystal display device, a method of forming arch-shaped protrusions on a transparent electrode and dividing and aligning liquid crystals in multiple directions within one pixel is used.
As a negative resist composition that can be used in the process of forming projections for dividing and aligning liquid crystals on a transparent electrode in the manufacturing process of a liquid crystal display device, for example, Patent Document 1 discloses an alkali-soluble resin, photopolymerization. A negative resist composition having an initiator and a photopolymerizable monomer as main components is disclosed. Patent Document 2 discloses a negative resist composition mainly composed of an ethylenically unsaturated compound, a photopolymerization initiator, and an alkali-soluble resin.
By using these negative resist compositions, liquid crystal alignment protrusions and column spacers can be formed at the same time, and the manufacture of the liquid crystal display device can be simplified.

従来、平坦な基板上にネガ型レジスト組成物を塗工して液晶配向用突起とカラムスペーサとを同時に形成する場合、塗工されたネガ型レジスト組成物の表面を平坦にするために、ネガ型レジスト組成物にレベリング剤を添加していた。 Conventionally, when a negative resist composition is applied onto a flat substrate to form the liquid crystal alignment protrusions and the column spacers at the same time, the negative resist composition is formed in order to flatten the surface of the applied negative resist composition. A leveling agent was added to the mold resist composition.

反射型表示部分及び透過型表示部分における発色性を向上させ、かつ、リタデーションの最適化を図ることができる半透過反射型液晶表示装置が公知の技術により実用化されている(特許文献3)。一般的に、この装置の製造方法としては、レジスト組成物を用いてカラーフィルター上にマルチギャップという段差部分を形成した後、液晶層の厚みを保つために同様にしてマルチギャップ上又はマルチギャップ間(カラーフィルター上)にネガ型のレジスト組成物を用いてカラムスペーサを形成させる。更に、垂直配向型の場合は、同様にしてレジスト組成物を用いてマルチギャップ上又はマルチギャップ間に液晶配向用突起構造物を形成させる。
一方、製造工程を簡略化させるためには、柱状構造物(カラムスペーサ)と突起状構造物(液晶配向用突起)を一工程で同時に形成させる方法が考えられる。しかしながら、一般的には樹脂膜の厚み均一性を向上させる目的でレジスト組成物中にレベリング剤を添加させるため、優れた表示特性を示すために必要な任意の高さの突起とカラムスペーサとをマルチギャップ上又はマルチギャップ間に同時に形成することが難しいという問題があった。そのため、液晶配向用突起とカラムスペーサとは、それぞれ工程を分けて別々にマルチギャップを有する反射型液晶表示素子基板上に形成しなければならなかった。
A transflective liquid crystal display device capable of improving the color developability in the reflective display portion and the transmissive display portion and optimizing the retardation has been put into practical use by a known technique (Patent Document 3). In general, as a method of manufacturing this apparatus, after forming a step portion called a multi-gap on a color filter using a resist composition, in order to maintain the thickness of the liquid crystal layer, the same process is performed on the multi-gap or between the multi-gap. A column spacer is formed on the color filter using a negative resist composition. Further, in the case of the vertical alignment type, a protrusion structure for liquid crystal alignment is formed on the multi-gap or between the multi-gap using the resist composition in the same manner.
On the other hand, in order to simplify the manufacturing process, a method of simultaneously forming a columnar structure (column spacer) and a protruding structure (liquid crystal alignment protrusion) in one process is conceivable. However, in general, a leveling agent is added to the resist composition for the purpose of improving the thickness uniformity of the resin film, so that protrusions and column spacers of any height necessary for exhibiting excellent display characteristics are provided. There is a problem that it is difficult to form simultaneously on or between the multi-gap. Therefore, the liquid crystal alignment protrusions and the column spacers have to be formed on a reflective liquid crystal display element substrate having a multi-gap separately by dividing each process.

特開平7−92689号公報JP-A-7-92689 特開2003−330011号公報JP 2003-330011 A 特開2005−077941号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2005-077941

本発明は、半透過反射型液晶表示素子基板上に、カラムスペーサと、優れた表示特性を示すために必要な高さを有する液晶配向用突起とを同時に形成することができる液晶表示素子の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該液晶表示素子の製造方法を用いて製造される液晶表示素子を提供することを目的とする。 The present invention provides a liquid crystal display element capable of simultaneously forming a column spacer and a liquid crystal alignment protrusion having a height necessary for exhibiting excellent display characteristics on a transflective liquid crystal display element substrate. It aims to provide a method. Moreover, an object of this invention is to provide the liquid crystal display element manufactured using the manufacturing method of this liquid crystal display element.

本発明は、半透過反射型液晶表示素子基板上に、ネガ型レジスト組成物を用いて液晶配向用突起とカラムスペーサとを同時に形成する液晶表示素子の製造方法であって、上記ネガ型レジスト組成物を上記半透過反射型液晶表示素子基板に塗工してレジスト膜を形成する工程1と、上記レジスト膜に、液晶配向用突起形成部及びカラムスペーサ形成部に対応するパターンの開口部が形成されたマスクを介して活性光線を照射する工程2と、上記活性光線を照射した後のレジスト膜を現像することにより、カラムスペーサ及び液晶配向用突起を同時に形成する工程3とを有し、上記工程1において、マルチギャップ間に塗工されるネガ型レジスト組成物の最も低い部分の高さが、マルチギャップとマルチギャップ上に塗工されるネガ型レジスト組成物との高さの合計の0.6〜0.9倍となるように塗工する液晶表示素子の製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
The present invention relates to a method for producing a liquid crystal display device, wherein a liquid crystal alignment protrusion and a column spacer are simultaneously formed on a transflective liquid crystal display device substrate using a negative resist composition, the negative resist composition Step 1 for forming a resist film by coating the object on the transflective liquid crystal display element substrate, and forming an opening of a pattern corresponding to the liquid crystal alignment protrusion forming portion and the column spacer forming portion in the resist film A step 2 of irradiating actinic rays through the mask, and a step 3 of simultaneously forming column spacers and protrusions for liquid crystal alignment by developing the resist film after irradiating the actinic rays, The negative resist composition in which the height of the lowest part of the negative resist composition applied between the multi-gap in step 1 is applied to the multi-gap and the multi-gap. It is a manufacturing method of the liquid crystal display device which is applied to a 0.6 to 0.9 times the total height of the object.
The present invention is described in detail below.

本発明者らは、マルチギャップとマルチギャップ上に塗工されるネガ型レジスト組成物との高さの合計に対するマルチギャップ間に塗工されるネガ型レジスト組成物の最も低い部分の高さの比が特定の範囲内となるように、ネガ型レジスト組成物を塗工することにより、マルチギャップ上のカラムスペーサと優れた表示特性を示すために必要な高さの液晶配向用突起とを同時に形成することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。 The inventors have determined that the height of the lowest portion of the negative resist composition applied between the multi-gap relative to the sum of the heights of the multi-gap and the negative resist composition applied over the multi-gap. By applying a negative resist composition so that the ratio falls within a specific range, a column spacer on the multi-gap and a liquid crystal alignment protrusion having a height necessary for exhibiting excellent display characteristics can be simultaneously formed. The inventors have found that it can be formed, and have completed the present invention.

本発明の液晶表示素子の製造方法は、ネガ型レジスト組成物を用いて液晶配向用突起とカラムスペーサとを同時に形成するものである。 In the method for producing a liquid crystal display element of the present invention, a projection for liquid crystal alignment and a column spacer are simultaneously formed using a negative resist composition.

本発明の液晶表示素子の製造方法では、まず、上記ネガ型レジスト組成物を半透過反射型液晶表示素子基板に塗工してレジスト膜を形成する工程1を行う。
上記工程1において上記ネガ型レジスト組成物は、マルチギャップ間に塗工されるネガ型レジスト組成物の最も低い部分の高さが、マルチギャップとマルチギャップ上に塗工されるネガ型レジスト組成物との高さの合計の0.6〜0.9倍となるように塗工する。
上記マルチギャップ間に塗工されるネガ型レジスト組成物の最も低い部分の高さが、マルチギャップとマルチギャップ上に塗工されるネガ型レジスト組成物との高さの合計の0.6倍未満であると、得られる液晶配向用突起が低くなりすぎ、配向制御が充分にできなくなる。上記マルチギャップ間に塗工されるネガ型レジスト組成物の最も低い部分の高さが、マルチギャップとマルチギャップ上に塗工されるネガ型レジスト組成物との高さの合計の0.9倍を超えると、得られる液晶配向用突起が高くなりすぎ、コントラストが低下したり、光漏れが発生したりする。
ネガ型レジスト組成物を塗工した半透過反射型液晶表示素子基板の断面の模式図を図1に示す。
In the method for producing a liquid crystal display element of the present invention, first, the negative resist composition is applied to a transflective liquid crystal display element substrate to form a resist film.
In the step 1, the negative resist composition is a negative resist composition in which the height of the lowest part of the negative resist composition applied between the multi-gap is applied on the multi-gap and the multi-gap. It coats so that it may become 0.6 to 0.9 times the sum total of height.
The height of the lowest part of the negative resist composition applied between the multi-gap is 0.6 times the total height of the multi-gap and the negative resist composition applied on the multi-gap. If it is less than the range, the obtained protrusions for liquid crystal alignment become too low, and the alignment cannot be controlled sufficiently. The height of the lowest part of the negative resist composition applied between the multi-gap is 0.9 times the total height of the multi-gap and the negative resist composition applied on the multi-gap. If it exceeds 1, the obtained protrusion for liquid crystal alignment becomes too high, resulting in a decrease in contrast or light leakage.
FIG. 1 shows a schematic diagram of a cross section of a transflective liquid crystal display element substrate coated with a negative resist composition.

上記ネガ型レジスト組成物としては、例えば、アルカリ可溶性樹脂、重合性単量体、光重合開始剤、及び、レベリング剤を含有するもの等が挙げられる。
上記ネガ型レジスト組成物の粘度、並びに、含有するレベリング剤の構造及び含有量を規定することにより、スピンコート法等の一般的な塗工方法を用いてマルチギャップ間に塗工されるネガ型レジスト組成物の最も低い部分の高さを上述した範囲内とすることができる。
Examples of the negative resist composition include those containing an alkali-soluble resin, a polymerizable monomer, a photopolymerization initiator, and a leveling agent.
Negative type coated between multiple gaps using a general coating method such as spin coating by specifying the viscosity of the negative resist composition and the structure and content of the leveling agent contained The height of the lowest part of the resist composition can be within the above-described range.

上記ネガ型レジスト組成物における、E型粘度計を用いて25℃、30rpmの条件で測定した粘度の好ましい下限は4.5mPa・s、好ましい上限は10.0mPa・sである。上記ネガ型レジスト組成物の粘度が4.5mPa・s未満であると、塗工した際の膜厚が不充分となることがある。上記ネガ型レジスト組成物の粘度が10.0mPa・sを超えると、得られる液晶配向用突起が高くなりすぎ、コントラストが低下したり、光漏れが発生したりすることがある。上記ネガ型レジスト組成物の粘度のより好ましい下限は5.0mPa・s、より好ましい上限は9.5mPa・sである。 In the above negative resist composition, the preferred lower limit of the viscosity measured at 25 ° C. and 30 rpm using an E-type viscometer is 4.5 mPa · s, and the preferred upper limit is 10.0 mPa · s. When the viscosity of the negative resist composition is less than 4.5 mPa · s, the film thickness when applied may be insufficient. If the viscosity of the negative resist composition exceeds 10.0 mPa · s, the resulting liquid crystal alignment protrusions may become too high, resulting in a decrease in contrast or light leakage. The more preferable lower limit of the viscosity of the negative resist composition is 5.0 mPa · s, and the more preferable upper limit is 9.5 mPa · s.

上記レベリング剤は特に限定されないが、フルオロ基を有することが好ましい。上記レベリング剤がフルオロ基を有することにより、得られるネガ型レジスト組成物を塗工した際の塗工表面を適度にマルチギャップに沿った凹凸形状にすることができ、優れた表示特性を示すために必要な高さを有する液晶配向用突起を形成することができる。 The leveling agent is not particularly limited, but preferably has a fluoro group. Since the leveling agent has a fluoro group, the coated surface when the obtained negative resist composition is coated can be appropriately formed into a concavo-convex shape along a multi-gap, and exhibits excellent display characteristics. The liquid crystal alignment protrusions having a height required for the above can be formed.

上記レベリング剤の重量平均分子量は特に限定されないが、好ましい下限は3000である。上記レベリング剤の重量平均分子量が3000未満であると、レジスト材料の溶剤を揮発させるプリベーク工程でレベリング剤が揮発し、充分な膜均一性が得られないことがある。上記レベリング剤の重量平均分子量のより好ましい下限は3500である。 The weight average molecular weight of the leveling agent is not particularly limited, but a preferred lower limit is 3000. When the weight average molecular weight of the leveling agent is less than 3000, the leveling agent volatilizes in the pre-baking step of volatilizing the solvent of the resist material, and sufficient film uniformity may not be obtained. A more preferable lower limit of the weight average molecular weight of the leveling agent is 3500.

上記レベリング剤のうち、市販されているものとしては、例えば、メガファックR−08(DIC社製)、PF−3320(オムノバ社製)等が挙げられる。 Examples of commercially available leveling agents include Megafac R-08 (manufactured by DIC) and PF-3320 (manufactured by Omninova).

上記ネガ型レジスト組成物における上記レベリング剤の含有量は特に限定されないが、後述するアルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、好ましい下限は0.2重量部、好ましい上限は1.0重量部である。上記レベリング剤の含有量が0.2重量部未満であると、充分なレベリング剤の膜均一性効果が得られないことがある。上記レベリング剤の含有量が1.0重量部を超えると、得られる液晶配向用突起が高くなりすぎ、コントラストが低下したり、光漏れが発生したりすることがある。上記レベリング剤の含有量のより好ましい下限は0.25重量部、より好ましい上限は0.9重量部である。 Although the content of the leveling agent in the negative resist composition is not particularly limited, the preferable lower limit is 0.2 parts by weight and the preferable upper limit is 1.0 part by weight with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin described later. . When the content of the leveling agent is less than 0.2 parts by weight, a sufficient film leveling effect of the leveling agent may not be obtained. When the content of the leveling agent exceeds 1.0 part by weight, the obtained protrusion for liquid crystal alignment becomes too high, and the contrast may be lowered or light leakage may occur. The minimum with more preferable content of the said leveling agent is 0.25 weight part, and a more preferable upper limit is 0.9 weight part.

上記アルカリ可溶性樹脂は特に限定されないが、分子内に重合性二重結合を有するものが好適に用いられる。具体的には例えば、カルボキシル基含有単官能不飽和化合物と不飽和二重結合を有する単官能化合物とを共重合した共重合体等のアルカリ可溶性カルボキシル基含有高分子化合物が挙げられる。 The alkali-soluble resin is not particularly limited, but those having a polymerizable double bond in the molecule are preferably used. Specific examples include alkali-soluble carboxyl group-containing polymer compounds such as copolymers obtained by copolymerizing a carboxyl group-containing monofunctional unsaturated compound and a monofunctional compound having an unsaturated double bond.

上記カルボキシル基含有単官能不飽和化合物は特に限定されず、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等が挙げられる。
上記不飽和二重結合を有する単官能化合物は特に限定されず、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−メチルシクロヘキシル(メタ)、ジシクロペンタニルオキシエチ(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレートの(メタ)アクリル酸エステル系単量体が挙げられる。
なお、本明細書において、(メタ)アクリレートとは、アクリレート又はメタクリレートを意味する。
The said carboxyl group-containing monofunctional unsaturated compound is not specifically limited, For example, acrylic acid, methacrylic acid, etc. are mentioned.
The monofunctional compound having an unsaturated double bond is not particularly limited. For example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate , Hydroxyethyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth), dicyclopentanyloxyethyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, benzyl ( Examples include (meth) acrylic acid ester monomers of (meth) acrylate.
In the present specification, (meth) acrylate means acrylate or methacrylate.

上記アルカリ可溶性カルボキシル基含有高分子化合物は、芳香族ビニル系単量体、シアン化ビニル化合物、不飽和ジカルボン酸無水物、芳香族置換マレイミド、アルキル置換マレイミド等に由来する他の共重合成分を含有してもよい。
上記芳香族ビニル系単量体は特に限定されず、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−クロロスチレン等が挙げられる。
上記シアン化ビニル化合物は特に限定されず、例えば、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等が挙げられる。
上記不飽和ジカルボン酸無水物は特に限定されず、例えば、無水マレイン酸等が挙げられる。
上記芳香族置換マレイミドは特に限定されず、例えば、フェニルマレイミド、ベンジルマレイミド、ナフチルマレイミド、o−クロロフェニルマレイミド等が挙げられる。
上記アルキル置換マレイミドは特に限定されず、例えば、メチルマレイミド、エチルマレイミド、プロピルマレイミド、イソプロピルマレイミド等が挙げられる。
The alkali-soluble carboxyl group-containing polymer compound contains other copolymer components derived from aromatic vinyl monomers, vinyl cyanide compounds, unsaturated dicarboxylic acid anhydrides, aromatic substituted maleimides, alkyl substituted maleimides, and the like. May be.
The aromatic vinyl monomer is not particularly limited, and examples thereof include styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, and p-chlorostyrene.
The vinyl cyanide compound is not particularly limited, and examples thereof include acrylonitrile and methacrylonitrile.
The unsaturated dicarboxylic acid anhydride is not particularly limited, and examples thereof include maleic anhydride.
The aromatic substituted maleimide is not particularly limited, and examples thereof include phenylmaleimide, benzylmaleimide, naphthylmaleimide, o-chlorophenylmaleimide and the like.
The alkyl-substituted maleimide is not particularly limited, and examples thereof include methyl maleimide, ethyl maleimide, propyl maleimide, isopropyl maleimide and the like.

また、上記アルカリ可溶性カルボキシル基含有高分子化合物は、現像時の溶解性を制御する等の目的で、水酸基を有する単官能不飽和化合物に由来する他の共重合成分を含有してもよい。
上記水酸基を有する単官能不飽和化合物は特に限定されず、例えば、分子内に水酸基を1つ有するモノマーとして、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、4−ヒドロキシブチルアクリレート、4−ヒドロキシブチルメタクリレート等が挙げられる。
The alkali-soluble carboxyl group-containing polymer compound may contain other copolymer components derived from a monofunctional unsaturated compound having a hydroxyl group for the purpose of controlling solubility during development.
The monofunctional unsaturated compound having a hydroxyl group is not particularly limited, and examples thereof include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, and 2-hydroxypropyl as monomers having one hydroxyl group in the molecule. Examples include methacrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate and the like.

上記アルカリ可溶性カルボキシル基含有高分子化合物の製造方法は特に限定されないが、上記カルボキシル基含有単官能不飽和化合物、上記不飽和二重結合を有する単官能化合物、及び、必要に応じて添加される他の共重合成分を、ラジカル重合開始剤並びに必要に応じて分子量調整剤を用いて塊状重合法、溶液重合法、懸濁重合法、分散重合法、乳化重合法等の従来公知の方法により共重合する方法等が挙げられる。なかでも、溶液重合法が好適である。 The method for producing the alkali-soluble carboxyl group-containing polymer compound is not particularly limited, but the carboxyl group-containing monofunctional unsaturated compound, the monofunctional compound having an unsaturated double bond, and others added as necessary The copolymer component is copolymerized by a conventionally known method such as a bulk polymerization method, a solution polymerization method, a suspension polymerization method, a dispersion polymerization method, an emulsion polymerization method using a radical polymerization initiator and a molecular weight regulator as necessary. And the like. Of these, the solution polymerization method is preferable.

上記溶液重合法により上記アルカリ可溶性カルボキシル基含有高分子化合物を製造する場合の溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、グリコール等の脂肪族アルコール類や、セロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類や、カルビトール、ブチルカルビトール等のカルビトール類や、酢酸セロソルブ、酢酸カルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類や、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類や、テトラヒドロフラン等の環状エーテル、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類や、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等の極性を有する有機溶剤等を用いることができる。 Examples of the solvent for producing the alkali-soluble carboxyl group-containing polymer compound by the solution polymerization method include aliphatic alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol and glycol, cellosolves such as cellosolve and butylcellosolve, Carbitols such as Tol and butyl carbitol, esters such as cellosolve acetate, carbitol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, cyclic ethers such as tetrahydrofuran, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl Ketones such as ketones and polar organic solvents such as dimethyl sulfoxide and dimethylformamide can be used.

また、懸濁重合、分散重合、乳化重合等の非水系の分散重合により上記アルカリ可溶性カルボキシル基含有高分子化合物を製造する場合の媒体としては、例えば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン等の液状の炭化水素や、その他の非極性の有機溶剤等を用いることができる。 In addition, as a medium for producing the alkali-soluble carboxyl group-containing polymer compound by non-aqueous dispersion polymerization such as suspension polymerization, dispersion polymerization, emulsion polymerization, etc., for example, liquid such as benzene, toluene, hexane, cyclohexane, etc. Hydrocarbons and other nonpolar organic solvents can be used.

上記ラジカル重合開始剤としては、例えば、過酸化物、アゾ開始剤等の従来公知のラジカル重合開始剤を用いることができる。また、上記分子量調節剤としては、例えば、α−メチルスチレンダイマー、メルカプタン系の連鎖移動剤等を用いることができる。 As said radical polymerization initiator, conventionally well-known radical polymerization initiators, such as a peroxide and an azo initiator, can be used, for example. Moreover, as said molecular weight regulator, (alpha) -methylstyrene dimer, a mercaptan-type chain transfer agent, etc. can be used, for example.

上記ネガ型レジスト組成物において、上記アルカリ可溶性樹脂としては、なかでも、側鎖に(メタ)アクリル基とカルボキシル基とを有するアルカリ可溶性(メタ)アクリル共重合体が好適である。上記アルカリ可溶性樹脂として、側鎖に(メタ)アクリル基とカルボキシル基とを有するアルカリ可溶性(メタ)アクリル共重合体を選択した場合には、上記ネガ型レジスト組成物は高い感度を有し、かつ、上記ネガ型レジスト組成物を硬化させてなる液晶配向用突起は、解像度や基板に対する密着性に優れる。この理由としては、アルカリ可溶性樹脂の側鎖のアクリル基が露光時に反応することでアルカリ可溶性樹脂自体も架橋構造の中に取り込まれる結果、パターン剥がれが抑制されるためであると考えられる。
また、上記アルカリ可溶性(メタ)アクリル共重合体は、セグメントの極性が低いため、上記ネガ型レジスト組成物の他の成分との相溶性に優れる。これにより、液晶配向用突起の製造時の現像処理において現像ムラ等の不具合が生じることもない。
In the negative resist composition, the alkali-soluble resin is preferably an alkali-soluble (meth) acrylic copolymer having a (meth) acrylic group and a carboxyl group in the side chain. When an alkali-soluble (meth) acrylic copolymer having a (meth) acrylic group and a carboxyl group in the side chain is selected as the alkali-soluble resin, the negative resist composition has high sensitivity, and The liquid crystal alignment protrusion formed by curing the negative resist composition is excellent in resolution and adhesion to the substrate. The reason for this is considered to be that peeling of the pattern is suppressed as a result of the acrylic group in the side chain of the alkali-soluble resin reacting during exposure and the alkali-soluble resin itself being taken into the crosslinked structure.
The alkali-soluble (meth) acrylic copolymer has excellent compatibility with the other components of the negative resist composition because the polarity of the segments is low. As a result, problems such as development unevenness do not occur in the development process during the production of the liquid crystal alignment protrusions.

上記アルカリ可溶性(メタ)アクリル共重合体としては、下記式(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、及び、(1e)で表される構造単位からなる共重合体が好適である。 As the alkali-soluble (meth) acrylic copolymer, a copolymer composed of structural units represented by the following formulas (1a), (1b), (1c), (1d), and (1e) is preferable. is there.

Figure 2010230756
Figure 2010230756

式(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、及び、(1e)中、A及びAは、水素、下記式(2a)、(2b)、(2c)、又は、(2d)を表し、A又はAのいずれか一方が水素である場合、他方は下記式(2a)、(2b)、(2c)、又は、(2d)のいずれかである。Rは、水素又はメチル基を表し、Rは、アルキル基、フェニル基、アルキル基若しくはアルコキシ基を含むフェニル基、ヒドロキシアルキル基、又は、脂環式炭化水素を表し、Rは、ニトリル基又はフェニル基を表し、Rは、アルキル基、ヒドロキシアルキル基又はラジカル重合性基含有脂肪族炭化水素を表す。また、a、b、c、d、及び、eは、各成分のモル比率(%)を表し、a+b+c+d+e=100とするとき、a、b、及び、dは0〜90、cは5〜50、eは5〜60である。 In formulas (1a), (1b), (1c), (1d), and (1e), A 1 and A 2 are hydrogen, the following formulas (2a), (2b), (2c), or ( 2d), and when either A 1 or A 2 is hydrogen, the other is any of the following formulas (2a), (2b), (2c), or (2d). R 1 represents hydrogen or a methyl group, R 2 represents an alkyl group, a phenyl group, a phenyl group containing an alkyl group or an alkoxy group, a hydroxyalkyl group, or an alicyclic hydrocarbon, and R 3 represents a nitrile R 4 represents an alkyl group, a hydroxyalkyl group, or a radically polymerizable group-containing aliphatic hydrocarbon. Moreover, a, b, c, d, and e represent the molar ratio (%) of each component, and when a + b + c + d + e = 100, a, b, and d are 0-90, and c is 5-50. , E is 5-60.

Figure 2010230756
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上記アルカリ可溶性(メタ)アクリル共重合体の重量平均分子量は特に限定されないが、好ましい下限は3000、好ましい上限は10万である。上記アルカリ可溶性(メタ)アクリル共重合体の重量平均分子量が3000未満であると、上記アルカリ可溶性(メタ)アクリル共重合体を用いてなる液晶配向用突起の密着性が低下することがあり、10万を超えると、解像度が低下することがある。上記アルカリ可溶性(メタ)アクリル共重合体の重量平均分子量のより好ましい下限は5000、より好ましい上限は5万である。
なお、本明細書において、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定を行い、ポリスチレン換算により求められる値である。GPCによってポリスチレン換算による重量平均分子量を測定する際のカラムとしては、例えば、Shodex LF−804(昭和電工社製)等が挙げられる。
The weight average molecular weight of the alkali-soluble (meth) acrylic copolymer is not particularly limited, but a preferable lower limit is 3000 and a preferable upper limit is 100,000. When the weight average molecular weight of the alkali-soluble (meth) acrylic copolymer is less than 3000, the adhesion of the liquid crystal alignment protrusions using the alkali-soluble (meth) acrylic copolymer may be reduced. If it exceeds 10,000, the resolution may decrease. The minimum with a more preferable weight average molecular weight of the said alkali-soluble (meth) acryl copolymer is 5000, and a more preferable upper limit is 50,000.
In addition, in this specification, the said weight average molecular weight is a value calculated | required by polystyrene conversion by measuring with gel permeation chromatography (GPC). Examples of the column for measuring the weight average molecular weight in terms of polystyrene by GPC include Shodex LF-804 (manufactured by Showa Denko KK).

上記アルカリ可溶性(メタ)アクリル共重合体の製造方法は特に限定されず、例えば、側鎖にカルボキシル基を有する(メタ)アクリル共重合体に、脂環式エポキシ基含有不飽和化合物を開環付加重合させてカルボキシル基の一部を変性し、更に、変性により生じた水酸基及び/又は残存しているカルボキシル基の一部にイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ラクトン化合物、アルコール化合物等を反応させる方法が挙げられる。 The method for producing the alkali-soluble (meth) acrylic copolymer is not particularly limited. For example, ring-opening addition of an alicyclic epoxy group-containing unsaturated compound to a (meth) acrylic copolymer having a carboxyl group in the side chain. Examples include a method in which a part of the carboxyl group is modified by polymerization, and further, an isocyanate compound, an epoxy compound, a lactone compound, an alcohol compound, or the like is reacted with a hydroxyl group generated by modification and / or a part of the remaining carboxyl group. It is done.

上記側鎖にカルボキシル基を有する(メタ)アクリル共重合体の製造方法は特に限定されず、例えば、カルボキシル基含有単官能不飽和化合物と、(メタ)アクリル酸エステル系単量体とをラジカル重合開始剤及び必要に応じて分子量調整剤を用いて塊状重合、溶液重合法、懸濁重合法、分散重合法、乳化重合法等の従来公知の方法により共重合する方法が挙げられる。 The production method of the (meth) acrylic copolymer having a carboxyl group in the side chain is not particularly limited. For example, radical polymerization of a carboxyl group-containing monofunctional unsaturated compound and a (meth) acrylic acid ester monomer. Examples thereof include a method of copolymerization by a conventionally known method such as bulk polymerization, solution polymerization method, suspension polymerization method, dispersion polymerization method, emulsion polymerization method, using an initiator and, if necessary, a molecular weight adjusting agent.

上記脂環式エポキシ基含有不飽和化合物としては特に限定されないが、例えば、3,4−エポキシシクロヘキシル(メタ)アクリレート等が好適に用いられる。 Although it does not specifically limit as said alicyclic epoxy group containing unsaturated compound, For example, 3, 4- epoxy cyclohexyl (meth) acrylate etc. are used suitably.

上記イソシアネート化合物としては特に限定されないが、例えば、炭素数が2〜18のアルキルイソシアネート、重合性基含有イソシアネートが好適に用いられる。上記重合性基含有イソシアネートを用いると、光硬化時の感度の上昇や、耐熱性、耐薬品性、タックフリー性等の様々な物性の更なる向上が実現される。
上記重合性基含有イソシアネートは特に限定されないが、例えば、(メタ)アクリロイル基が炭素数2〜6のアルキレン基を介してイソシアネート基と結合したものを使用することが好ましい。具体的には例えば、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−メタクリロイルエチルイソシアネート、2−アクリロイルエチルイソシアネート等が挙げられ、2−メタクリロイルエチルイソシアネート、及び、2−アクリロイルエチルイソシアネートは、それぞれ、カレンズMOI、及び、カレンズAOI(いずれも昭和電工社製)として市販されている。
Although it does not specifically limit as said isocyanate compound, For example, C2-C18 alkyl isocyanate and polymeric group containing isocyanate are used suitably. When the polymerizable group-containing isocyanate is used, the sensitivity during photocuring is increased, and various physical properties such as heat resistance, chemical resistance, and tack-free property are further improved.
Although the said polymerizable group containing isocyanate is not specifically limited, For example, it is preferable to use what the (meth) acryloyl group couple | bonded with the isocyanate group through the C2-C6 alkylene group. Specific examples include 2-acryloyloxyethyl isocyanate, 2-methacryloylethyl isocyanate, 2-acryloylethyl isocyanate, and the like. 2-methacryloylethyl isocyanate and 2-acryloylethyl isocyanate are, respectively, Karenz MOI and Karenz AOI (all manufactured by Showa Denko KK).

上記変性により生じた側鎖に水酸基及び/又はカルボキシル基を有する(メタ)アクリル共重合体に上記イソシアネート化合物を反応させる方法は特に限定されず、少量の触媒存在下、上記イソシアネート化合物を、上記変性により生じた側鎖に水酸基及び/又はカルボキシル基を有する(メタ)アクリル共重合体の溶液中に滴下又は混合する方法等が挙げられる。
この際に用いられる触媒としては特に限定されず、例えば、ラウリン酸、ジブチル錫等が挙げられる。
また、必要に応じて、p−メトキシフェノール、ヒドロキノン、メチルヒドロキノン、ナフチルアミン、tert−ブチルカテコール、2,3−ジ−tert−ブチル−p−クレゾール等の重合禁止剤を用いてもよい。
更に、増粘等を抑制する目的で、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、デカノール等のアルコールによる処理を行ってもよい。
The method of reacting the isocyanate compound with a (meth) acrylic copolymer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group in the side chain generated by the modification is not particularly limited, and the isocyanate compound is modified in the presence of a small amount of catalyst. The method of dripping or mixing in the solution of the (meth) acrylic copolymer which has a hydroxyl group and / or a carboxyl group in the side chain produced by this is mentioned.
The catalyst used in this case is not particularly limited, and examples thereof include lauric acid and dibutyltin.
If necessary, a polymerization inhibitor such as p-methoxyphenol, hydroquinone, methylhydroquinone, naphthylamine, tert-butylcatechol, 2,3-di-tert-butyl-p-cresol may be used.
Furthermore, for the purpose of suppressing thickening and the like, treatment with an alcohol such as methanol, ethanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol, heptanol, octanol, decanol or the like may be performed.

上記製造方法に従い、上記変性により生じた側鎖に水酸基及びカルボキシル基を有する(メタ)アクリル共重合体に上記イソシアネート化合物を反応させた場合には、式(2b)に示される構造単位が形成される。 When the isocyanate compound is reacted with a (meth) acrylic copolymer having a hydroxyl group and a carboxyl group in the side chain generated by the modification according to the production method, a structural unit represented by the formula (2b) is formed. The

上記エポキシ化合物は特に限定されず、例えば、炭素数2〜18のアルキルエポキシ化合物、炭素数が2〜18のアルコキシエポキシ化合物や重合性基含有エポキシ化合物が挙げられる。 The said epoxy compound is not specifically limited, For example, a C2-C18 alkyl epoxy compound, a C2-C18 alkoxy epoxy compound, and a polymeric group containing epoxy compound are mentioned.

上記エポキシ化合物として、上記重合性基含有エポキシ化合物を用いると、光硬化時の感度の上昇や、耐熱性、耐薬品性、タックフリー性等の様々な物性の更なる向上が実現される。
上記重合性基含有エポキシ化合物は特に限定されないが、例えば、(メタ)アクリロイル基が炭素数2〜6のアルキレン基を介してエポキシ基と結合したものが好ましい。具体的には、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジル等が挙げられる。
When the polymerizable group-containing epoxy compound is used as the epoxy compound, it is possible to realize improvement in various physical properties such as an increase in sensitivity during photocuring, heat resistance, chemical resistance, and tack-free property.
Although the said polymeric group containing epoxy compound is not specifically limited, For example, what the (meth) acryloyl group couple | bonded with the epoxy group via the C2-C6 alkylene group is preferable. Specifically, glycidyl (meth) acrylate etc. are mentioned, for example.

上記変性により生じた側鎖に水酸基及び/又はカルボキシル基を有する(メタ)アクリル共重合体に上記エポキシ化合物を反応させる方法は特に限定されず、少量の触媒存在下、上記エポキシ化合物を、上記変性により生じた側鎖に水酸基及び/又はカルボキシル基を有する(メタ)アクリル共重合体の溶液中に滴下又は混合する方法が挙げられる。
この際に用いられる触媒としては特に限定されず、例えば、トリエチルアミン、トリプロミルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ジメチルラウリルアミン、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド、トリメチルセチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムブロマイド、トリフェニルホスフィン、トリメチルブチルホスホニウムブロマイド、テトラブチルホスホニウムブロマイド等が挙げられる。
また、必要に応じて、p−メトキシフェノール、メチルヒドロキノン、ヒドロキノン、ナフチルアミン、tert−ブチルカテコール、2,3−ジ−tert−ブチル−p−クレゾール等の重合禁止剤を用いてもよい。
The method of reacting the epoxy compound with a (meth) acrylic copolymer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group in the side chain produced by the modification is not particularly limited, and the epoxy compound is modified in the presence of a small amount of catalyst. The method of dripping or mixing in the solution of the (meth) acrylic copolymer which has a hydroxyl group and / or a carboxyl group in the side chain produced by this is mentioned.
The catalyst used in this case is not particularly limited. For example, triethylamine, tripromylamine, tetramethylethylenediamine, dimethyllaurylamine, triethylbenzylammonium chloride, trimethylcetylammonium bromide, tetrabutylammonium bromide, triphenylphosphine, trimethylbutyl Examples thereof include phosphonium bromide and tetrabutylphosphonium bromide.
If necessary, a polymerization inhibitor such as p-methoxyphenol, methylhydroquinone, hydroquinone, naphthylamine, tert-butylcatechol, 2,3-di-tert-butyl-p-cresol may be used.

上記製造方法に従い、上記変性により生じた側鎖に水酸基及び/又はカルボキシル基を有する(メタ)アクリル共重合体に上記エポキシ化合物を反応させた場合には、式(2c)及び(2d)に示される構造単位が形成される。 When the epoxy compound is reacted with a (meth) acrylic copolymer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group in the side chain generated by the modification according to the above production method, it is represented by the formulas (2c) and (2d). A structural unit is formed.

上記変性により生じた側鎖に水酸基及び/又はカルボキシル基を有する(メタ)アクリル共重合体に、上記イソシアネート化合物、上記エポキシ化合物、上記ラクトン化合物、上記アルコール化合物等を反応させる際には、上記(メタ)アクリル共重合体中に含まれる水酸基のうち0〜100モル%に相当する量を反応させることができる。 When the isocyanate compound, the epoxy compound, the lactone compound, the alcohol compound, or the like is reacted with the (meth) acrylic copolymer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group in the side chain generated by the modification, the above ( Among the hydroxyl groups contained in the (meth) acrylic copolymer, an amount corresponding to 0 to 100 mol% can be reacted.

また、変性により生じた側鎖に水酸基及び/又はカルボキシル基を有する(メタ)アクリル共重合体に上記イソシアネート化合物、上記エポキシ化合物、上記ラクトン化合物、上記アルコール化合物等を反応させる際には、上記(メタ)アクリル共重合体中に含まれるカルボキシル基のうち、0〜90モル%に相当する量を反応させることができる。上記(メタ)アクリル共重合体中に含まれるカルボキシル基の90モル%を超える量を反応させると、残存するカルボキシル基の量が少なくなりすぎるため、アルカリ可溶性が損なわれ、現像性が低下することがある。 In addition, when the isocyanate compound, the epoxy compound, the lactone compound, the alcohol compound, or the like is reacted with a (meth) acrylic copolymer having a hydroxyl group and / or a carboxyl group in a side chain generated by modification, the above ( Among the carboxyl groups contained in the (meth) acrylic copolymer, an amount corresponding to 0 to 90 mol% can be reacted. When the amount exceeding 90 mol% of the carboxyl group contained in the (meth) acrylic copolymer is reacted, the amount of the remaining carboxyl group becomes too small, so that alkali solubility is impaired and developability is lowered. There is.

上記式(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、及び、(1e)中のa、b、c、d、及び、eは各成分のモル比率を表し、a+b+c+d+e=100とするとき、a、b、及び、dの下限は0、上限は90である。
また、a+b+c+d+e=100とするとき、cの下限は5、上限は50である。cが5未満、すなわち、カルボキシル基含有の構造単位のモル比率が5%未満であると、アルカリ可溶性を付与することが困難となる。cが50を超えると、現像時の膨潤が著しく、パターンの形成が困難となる。
また、a+b+c+d+e=100とするとき、eの下限は5、上限は60である。eが5未満であるとアルカリ可溶性樹脂の架橋構造への取り込みが不充分となり架橋密度が低下した結果、現像工程でのけずれが大きくなりすぎて、液晶配向用突起の高さにばらつきが生じる。eが60を超えると、架橋構造の架橋密度が高くなりすぎて、アーチ状の形状を安定して形成しづらくなる。
In the above formulas (1a), (1b), (1c), (1d), and (1e), a, b, c, d, and e represent the molar ratio of each component, and a + b + c + d + e = 100 Then, the lower limit of a, b, and d is 0, and the upper limit is 90.
Further, when a + b + c + d + e = 100, the lower limit of c is 5 and the upper limit is 50. When c is less than 5, that is, when the molar ratio of the carboxyl group-containing structural unit is less than 5%, it becomes difficult to impart alkali solubility. When c exceeds 50, the swelling during development is remarkable and it becomes difficult to form a pattern.
Further, when a + b + c + d + e = 100, the lower limit of e is 5 and the upper limit is 60. When e is less than 5, the incorporation of the alkali-soluble resin into the crosslinked structure is insufficient and the crosslinking density is lowered. As a result, the shift in the development process becomes too large, and the height of the liquid crystal alignment protrusions varies. . When e exceeds 60, the crosslinking density of the crosslinked structure becomes too high, and it becomes difficult to stably form an arched shape.

また、上記アルカリ可溶性樹脂は、分子内に芳香環を有する共重合成分を含有することが好ましい。分子内に芳香環を有する共重合成分を含有することで、得られるネガ型レジスト組成物を用いた液晶表示装置の焼きつきを好適に防止することができる。
芳香環を有するアルカリ可溶性樹脂としては特に限定されないが、ベンジル(メタ)アクリレート共重合体が密着性、現像性が良好であることから好適である。
Moreover, it is preferable that the said alkali-soluble resin contains the copolymerization component which has an aromatic ring in a molecule | numerator. By containing a copolymer component having an aromatic ring in the molecule, burn-in of a liquid crystal display device using the resulting negative resist composition can be suitably prevented.
The alkali-soluble resin having an aromatic ring is not particularly limited, but a benzyl (meth) acrylate copolymer is preferable because of good adhesion and developability.

上記アルカリ可溶性樹脂の酸価の好ましい下限は50mgKOH/gである。上記アルカリ可溶性樹脂の酸価が50mgKOH/g未満であると、上記ネガ型レジストの解像性が低下してしまい、アーチ形状の液晶配向用突起を安定的に形成することができないことがある。上記アルカリ可溶性樹脂の酸価の上限としては特に限定されないが、好ましい上限は150mgKOH/gである。上記アルカリ可溶性樹脂の酸価が150mgKOH/gを超えると、上記ネガ型レジストを用いてなる液晶配向用突起の基板に対する密着性が低下することがある。上記アルカリ可溶性樹脂の酸価のより好ましい下限は60mgKOH/g、より好ましい上限は140mgKOH/gである。
なお、本明細書において上記アルカリ可溶性樹脂の酸価は、アルカリ可溶性樹脂1gを有機溶剤へ溶かし、フェノールフタレインを指示薬として水酸化カリウムで滴定するとき、中和までに要する水酸化カリウムのmg数で示される。
The minimum with a preferable acid value of the said alkali-soluble resin is 50 mgKOH / g. When the acid value of the alkali-soluble resin is less than 50 mgKOH / g, the resolution of the negative resist is lowered, and arch-shaped liquid crystal alignment protrusions may not be stably formed. Although it does not specifically limit as an upper limit of the acid value of the said alkali-soluble resin, A preferable upper limit is 150 mgKOH / g. If the acid value of the alkali-soluble resin exceeds 150 mgKOH / g, the adhesion of the liquid crystal alignment protrusions using the negative resist to the substrate may be lowered. The more preferable lower limit of the acid value of the alkali-soluble resin is 60 mgKOH / g, and the more preferable upper limit is 140 mgKOH / g.
In the present specification, the acid value of the alkali-soluble resin is the number of mg of potassium hydroxide required for neutralization when 1 g of the alkali-soluble resin is dissolved in an organic solvent and titrated with potassium hydroxide using phenolphthalein as an indicator. Indicated by

上記ネガ型レジスト組成物中における上記アルカリ可溶性樹脂の含有量は特に限定されないが、全固形分に対して、好ましい下限は20重量%、好ましい上限は80重量%である。上記アルカリ可溶性樹脂の含有量が20重量%未満であると、耐熱性や現像溶解速度が低下することがある。上記アルカリ可溶性樹脂の含有量が80重量%を超えると感度が低下したり、画像断面形状の再現性不良が生じたりすることがある。上記アルカリ可溶性樹脂の含有量のより好ましい下限は25重量%、より好ましい上限は75重量%である。 Although content of the said alkali-soluble resin in the said negative resist composition is not specifically limited, A preferable minimum is 20 weight% with respect to the total solid, and a preferable upper limit is 80 weight%. When the content of the alkali-soluble resin is less than 20% by weight, the heat resistance and the development dissolution rate may be lowered. If the content of the alkali-soluble resin exceeds 80% by weight, the sensitivity may be lowered, or the reproducibility of the image cross-sectional shape may be poor. The minimum with more preferable content of the said alkali-soluble resin is 25 weight%, and a more preferable upper limit is 75 weight%.

上記重合性単量体は、エチレン性不飽和結合を分子内に1個以上有する化合物を意味する。
エチレン性不飽和結合を分子内に1個有する化合物は特に限定されず、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸等の不飽和カルボン酸及びそのアルキルエステル、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アクリルアミド、スチレン等が挙げられる。
The polymerizable monomer means a compound having one or more ethylenically unsaturated bonds in the molecule.
The compound having one ethylenically unsaturated bond in the molecule is not particularly limited, and examples thereof include unsaturated carboxylic acids such as (meth) acrylic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, itaconic acid, citraconic acid, and alkyls thereof. Examples include ester, (meth) acrylonitrile, (meth) acrylamide, styrene and the like.

エチレン性不飽和結合を分子内に2個有する化合物は特に限定されず、例えば、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、3−メチル−1,5−ペンタンジオールジ(メタ)アクリレート、2−ブチル−2−エチル−1,3−プロパンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールエステルジアクリレート、ジエチレングリコール(メタ)アクリレート、トリエチレングリコール(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、ヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノナエチレングリコール(メタ)アクリレート等のポリエチレングリコール(メタ)アクリレートや、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ヘキサエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ノナエチレングリコールジ(メタ)アクリレート等のポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。 The compound having two ethylenically unsaturated bonds in the molecule is not particularly limited. For example, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 3-methyl-1,5-pentanediol di (meth) acrylate, 2-butyl- 2-ethyl-1,3-propanediol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, hydroxypivalic acid neopentyl glycol ester diacrylate, diethylene glycol (meth) acrylate, Polyethylene glycol (meth) acrylates such as triethylene glycol (meth) acrylate, tetraethylene glycol (meth) acrylate, hexaethylene glycol (meth) acrylate, nonaethylene glycol (meth) acrylate, di Polyethylene glycol di (meth) such as tylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, hexaethylene glycol di (meth) acrylate, nonaethylene glycol di (meth) acrylate ) Acrylate and the like.

エチレン性不飽和結合を分子内に3個以上有する化合物は特に限定されず、例えば、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート化合物等が挙げられる。これらのエチレン性不飽和結合を分子内に3個以上有する化合物は、重合反応の進行が速く、露光感度を向上させやすいことから特に好適である。 The compound having three or more ethylenically unsaturated bonds in the molecule is not particularly limited. For example, trimethylolethane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, penta Multifunctional (meth) acrylate compounds such as erythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate Etc. A compound having 3 or more of these ethylenically unsaturated bonds in the molecule is particularly suitable because the polymerization reaction proceeds rapidly and the exposure sensitivity is easily improved.

上記重合性単量体は単位構造中にノボラック骨格を有することが好ましい。
上記ノボラック骨格を有する重合性単量体は特に限定されず、例えば、フェノールノボラックエポキシ(メタ)アクリレート、o−クレゾールノボラックエポキシ(メタ)アクリレート、m−クレゾールノボラックエポキシ(メタ)アクリレート、p−クレゾールノボラックエポキシ(メタ)アクリレート、ナフトール変性ノボラックエポキシ(メタ)アクリレート、ハロゲン化フェノールノボラックエポキシ(メタ)アクリレート等のノボラックエポキシ(メタ)アクリレートが挙げられる。
上記ノボラックエポキシ(メタ)アクリレートを表す一般式を下記式(3)に示した。
The polymerizable monomer preferably has a novolak skeleton in the unit structure.
The polymerizable monomer having the novolak skeleton is not particularly limited, and examples thereof include phenol novolac epoxy (meth) acrylate, o-cresol novolac epoxy (meth) acrylate, m-cresol novolac epoxy (meth) acrylate, and p-cresol novolak. Examples thereof include novolak epoxy (meth) acrylates such as epoxy (meth) acrylate, naphthol-modified novolak epoxy (meth) acrylate, and halogenated phenol novolac epoxy (meth) acrylate.
The general formula representing the novolak epoxy (meth) acrylate is shown in the following formula (3).

Figure 2010230756
Figure 2010230756

式(3)中、R、Rは水素又はメチル基を表し、mは0又は正の整数を表す。 In formula (3), R 5 and R 6 represent hydrogen or a methyl group, and m represents 0 or a positive integer.

上記ノボラックエポキシ(メタ)アクリレートは、例えば、ノボラックエポキシ樹脂と不飽和一塩基酸とのエステル化反応により得ることができる。
上記ノボラックエポキシ樹脂としては、例えば、フェノールノボラックエポキシ樹脂、o−クレゾールノボラックエポキシ樹脂、m−クレゾールノボラックエポキシ樹脂、p−クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラックエポキシ樹脂が挙げられる。
The novolac epoxy (meth) acrylate can be obtained, for example, by an esterification reaction between a novolac epoxy resin and an unsaturated monobasic acid.
Examples of the novolac epoxy resin include phenol novolac epoxy resin, o-cresol novolac epoxy resin, m-cresol novolac epoxy resin, p-cresol novolac epoxy resin, naphthol-modified novolac epoxy resin, and halogenated phenol novolac epoxy resin. .

上記不飽和一塩基酸としては、反応性の面からエチレン性二重結合とカルボキシル基とを有する化合物が好ましい。具体的には例えば、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸等が挙げられる。なかでも(メタ)アクリル酸が好適である。 As said unsaturated monobasic acid, the compound which has an ethylenic double bond and a carboxyl group from a reactive surface is preferable. Specific examples include (meth) acrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, cinnamic acid and the like. Of these, (meth) acrylic acid is preferred.

上記エステル化反応させる方法は特に限定されず、例えば、エポキシエステル化触媒、重合禁止剤、酸化防止剤等の安定剤の存在下にて、30〜150℃の温度にて上記ノボラックエポキシ樹脂と上記不飽和一塩基酸とを反応させる方法等が挙げられる。
上記エステル化触媒は特に限定されず、例えば、第三級アミン類、イミダゾール化合物類、リン化合物類、有機金属類等が挙げられる。
上記重合禁止剤は特に限定されず、例えば、ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、4−メトキシフェノール等が挙げられる。
上記酸化防止剤は特に限定されず、例えば、亜リン酸系、亜リン酸エステル類、亜リン酸ジエステル類等が挙げられる。
The method for the esterification reaction is not particularly limited. For example, in the presence of a stabilizer such as an epoxy esterification catalyst, a polymerization inhibitor, and an antioxidant, the novolak epoxy resin and the above are at a temperature of 30 to 150 ° C. Examples thereof include a method of reacting with an unsaturated monobasic acid.
The esterification catalyst is not particularly limited, and examples thereof include tertiary amines, imidazole compounds, phosphorus compounds, and organic metals.
The said polymerization inhibitor is not specifically limited, For example, hydroquinone, methyl hydroquinone, 4-methoxyphenol, etc. are mentioned.
The antioxidant is not particularly limited, and examples thereof include phosphites, phosphites, phosphites and the like.

上記(メタ)アクリレートの変性率は特に限定されず、ノボラックエポキシ樹脂の一部を(メタ)アクリレート変性してもよいし、全部を(メタ)アクリレート変性してもよい。 The modification rate of the (meth) acrylate is not particularly limited, and a part of the novolac epoxy resin may be (meth) acrylate-modified, or the whole may be (meth) acrylate-modified.

上記ノボラックエポキシ(メタ)アクリレートは、アルカリ可溶性官能基を有することが好ましい。上記ノボラックエポキシ(メタ)アクリレートが上記アルカリ可溶性官能基を有することにより、得られる上記ネガ型レジストの現像性が向上する。上記アルカリ可溶性官能基はノボラックエポキシ(メタ)アクリレートに含有される水酸基に多塩基酸無水物を反応させることにより導入することができる。反応方法としては、例えば、上記エステル化反応と同様な条件下で継続反応させる方法を用いることができる。
上記アルカリ可溶性官能基を有するノボラックエポキシ(メタ)アクリレートを表す一般式を下記式(4)に示した。
The novolac epoxy (meth) acrylate preferably has an alkali-soluble functional group. When the novolac epoxy (meth) acrylate has the alkali-soluble functional group, the developability of the obtained negative resist is improved. The alkali-soluble functional group can be introduced by reacting a polybasic acid anhydride with a hydroxyl group contained in novolak epoxy (meth) acrylate. As the reaction method, for example, a method of continuing the reaction under the same conditions as the esterification reaction can be used.
A general formula representing the novolak epoxy (meth) acrylate having the alkali-soluble functional group is shown in the following formula (4).

Figure 2010230756
Figure 2010230756

式(4)中、R、Rは、水素又はメチル基を表し、Rは、多塩基酸無水物に由来しカルボキシル基を有する原子団を表す。また、m、nは、0又は正の整数を表す。 In Formula (4), R 7 and R 8 represent hydrogen or a methyl group, and R 9 represents an atomic group derived from a polybasic acid anhydride and having a carboxyl group. M and n represent 0 or a positive integer.

上記多塩基酸無水物は特に限定されず、例えば、無水コハク酸、無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸等が挙げられる。なかでも反応性の面から無水コハク酸又は無水フタル酸が好適である。 The polybasic acid anhydride is not particularly limited. For example, succinic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, maleic anhydride, itaconic anhydride, pyromellitic anhydride, trimellitic anhydride Etc. Of these, succinic anhydride or phthalic anhydride is preferred in terms of reactivity.

上記ノボラックエポキシ(メタ)アクリレートがアルカリ可溶性官能基を有する場合、上記ノボラックエポキシ(メタ)アクリレートの酸化の好ましい上限は250mgKOH/gである。上記アルカリ可溶性官能基を有するノボラックエポキシ(メタ)アクリレートの酸化が250mgKOH/gを超えると、密着性が低下することがある。上記アルカリ可溶性官能基を有するノボラックエポキシ(メタ)アクリレートの酸化のより好ましい上限は200mgKOH/gである。 When the said novolak epoxy (meth) acrylate has an alkali-soluble functional group, the upper limit with preferable oxidation of the said novolak epoxy (meth) acrylate is 250 mgKOH / g. When the oxidation of the novolak epoxy (meth) acrylate having an alkali-soluble functional group exceeds 250 mgKOH / g, the adhesion may be lowered. The upper limit with more preferable oxidation of the novolak epoxy (meth) acrylate which has the said alkali-soluble functional group is 200 mgKOH / g.

上記ノボラックエポキシ(メタ)アクリレートは、重量平均分子量の好ましい下限が600、好ましい上限が2000である。上記ノボラックエポキシ(メタ)アクリレートの重量平均分子量が600未満であると、樹脂中の未反応の低分子化合物の量が多くなり、残存した低分子化合物が液晶中に溶出してパネルの表示不良を引き起こすことがある。上記ノボラックエポキシ(メタ)アクリレートの重量平均分子量が2000を超えると、現像時に残渣が発生したり、得られる突起がアーチ状とならなかったりすることがある。上記ノボラックエポキシ(メタ)アクリレートの重量平均分子量のより好ましい下限は800、より好ましい上限は1800である。 The novolak epoxy (meth) acrylate has a preferable lower limit of 600 and a preferable upper limit of 2000 for the weight average molecular weight. If the weight average molecular weight of the novolak epoxy (meth) acrylate is less than 600, the amount of unreacted low molecular weight compound in the resin increases, and the remaining low molecular weight compound elutes in the liquid crystal, resulting in poor panel display. May cause. If the weight average molecular weight of the novolak epoxy (meth) acrylate exceeds 2000, a residue may be generated during development, or the resulting protrusion may not be arched. The more preferable lower limit of the weight average molecular weight of the novolak epoxy (meth) acrylate is 800, and the more preferable upper limit is 1800.

上記ノボラックエポキシ(メタ)アクリレートの市販品は特に限定されず、例えば、EA−1020、EA−1025、EA−1026、EA−1028、EA−6320、EA−6340(以上、いずれも新中村化学工業社製)、Ebecryl 150、Ebecryl 1150(以上、いずれもダイセル・サイテック社製)、M−208、M−210(以上、いずれも東亜合成社製)、PNA−161H、CNA−142H、PCR−1169H、CCR−1159H(以上、いずれも日本化薬社製)、エピクロンN−695、エピクロンN−775(以上、いずれもDIC社製)、PR−300、PR−310、PR−320、HRM−1004、HRM−1005、HRM−1011、HRM−1013、HRM−2019、HRM−2021、HRM−2027、HRM−2031(以上、いずれも昭和高分子社製)等が挙げられる。 Commercially available products of the novolak epoxy (meth) acrylate are not particularly limited. For example, EA-1020, EA-1025, EA-1026, EA-1028, EA-6320, EA-6340 (all of these are Shin-Nakamura Chemical Ebecryl 150, Ebecryl 1150 (all are manufactured by Daicel Cytec), M-208, M-210 (all are manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.), PNA-161H, CNA-142H, PCR-1169H , CCR-1159H (all are manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Epicron N-695, Epicron N-775 (all are manufactured by DIC), PR-300, PR-310, PR-320, HRM-1004 , HRM-1005, HRM-1011, HRM-1013, HRM-2019, HR M-2021, HRM-2027, HRM-2031 (all of which are manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.) and the like.

上記ネガ型レジスト組成物における上記重合性単量体の含有量は特に限定されないが、全固形分に対して、好ましい下限は20重量%、好ましい上限は80重量%である。上記重合性単量体の含有量が20重量%未満であると、感度の低下や画像断面形状の再現性不良を招きやすくなる。上記重合性単量体の含有量が80重量%を超えると、耐熱性の低下や現像溶解速度の低下を招きやすくなる。上記重合性単量体の含有量のより好ましい下限は25重量%、より好ましい上限は75重量%である。 Although the content of the polymerizable monomer in the negative resist composition is not particularly limited, the preferable lower limit is 20% by weight and the preferable upper limit is 80% by weight with respect to the total solid content. When the content of the polymerizable monomer is less than 20% by weight, it tends to cause a decrease in sensitivity and a poor reproducibility of the image cross-sectional shape. When the content of the polymerizable monomer exceeds 80% by weight, the heat resistance and the development dissolution rate are likely to be reduced. The minimum with more preferable content of the said polymerizable monomer is 25 weight%, and a more preferable upper limit is 75 weight%.

上記光重合開始剤は特に限定されず、従来公知のものが挙げられ、例えば、紫外線によりエチレン性不飽和基を重合させるラジカルを発生させることのできる化合物、及び、紫外線により酸を発生させる化合物等が挙げられる。 The photopolymerization initiator is not particularly limited, and examples thereof include those conventionally known. For example, a compound capable of generating a radical that polymerizes an ethylenically unsaturated group by ultraviolet rays, a compound that generates an acid by ultraviolet rays, and the like Is mentioned.

上記光重合開始剤は特に限定されず、例えば、ハロメチル化トリアジン誘導体、ハロメチル化オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ベンゾインアルキルエーテル類、アントラキノン誘導体、ベンズアンスロン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、アセトフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、安息香酸エステル誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、チタノセン誘導体、α−アミノアルキルフェノン系化合物、オキシム誘導体等が挙げられる。
上記ハロメチル化トリアジン誘導体は特に限定されず、例えば、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−エトキシナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−エトキシカルボニルナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン等が挙げられる。
上記イミダゾール誘導体は特に限定されず、例えば、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール2量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ビス(3’−メトキシフェニル)イミダゾール2量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール2量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール2量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール2量体等が挙げられる。
上記ベンゾインアルキルエーテル類は特に限定されず、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等が挙げられる。
上記アントラキノン誘導体は特に限定されず、例えば、2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、1−クロロアントラキノン等が挙げられる。
上記ベンゾフェノン誘導体は特に限定されず、例えば、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、2−メチルベンゾフェノン、3−メチルベンゾフェノン、4−メチルベンゾフェノン、2−クロロベンゾフェノン、4−ブロモベンゾフェノン、2−カルボキシベンゾフェノン等が挙げられる。
上記アセトフェノン誘導体は特に限定されず、例えば、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、α−ヒドロキシ−2−メチルフェニルプロパノン、1−ヒドロキシ−1−メチルエチル−(p−イソプロピルフェニル)ケトン、1−ヒドロキシ−1−(p−ドデシルフェニル)ケトン、2−メチル−(4’−(メチルチオ)フェニル)−2−モルホリノ−1−プロパノン、1,1,1,−トリクロロメチル−(p−ブチルフェニル)ケトン等が挙げられる。
上記チオキサントン誘導体は特に限定されず、例えば、チオキサントン、2−エチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン等が挙げられる。
上記安息香酸エステル誘導体は特に限定されず、例えば、p−ジメチルアミノ安息香酸エチル、p−ジエチルアミノ安息香酸エチル等が挙げられる。
上記アクリジン誘導体は特に限定されず、例えば、9−フェニルアクリジン、9−(p−メトキシフェニル)アクリジン等が挙げられる。
上記フェナジン誘導体は特に限定されず、例えば、9,10−ジメチルベンズフェナジン等が挙げられる。
上記チタノセン誘導体は特に限定されず、例えば、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ジ−クロライド、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ビス−フェニル、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニ−1−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,3,5,6−テトラフルオロフェニ−1−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,4,6−トリフルオロフェニ−1−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−2,6−ジ−フルオロフェニ−1−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−2,4−ジ−フルオロフェニ−1−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニ−1−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ti−ビス−2,6−ジ−フルオロフェニ−1−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ti−2,6−ジ−フルオロ−3−(ピル−1−イル)−フェニ−1−イル等が挙げられる。
上記α−アミノアルキルフェノン系化合物は特に限定されず、例えば、2−メチル−1[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタン−1−オン、4−ジメチルアミノエチルベンゾエート、4−ジメチルアミノイソアミルベンゾエート、4−ジエチルアミノアセトフェノン、4−ジメチルアミノプロピオフェノン、2−エチルヘキシル−1,4−ジメチルアミノベンゾエート、2,5−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)シクロヘキサノン、7−ジエチルアミノ−3−(4−ジエチルアミノベンゾイル)クマリン、4−(ジエチルアミノ)カルコン等が挙げられる。
上記オキシム誘導体は特に限定されず、例えば、1,2−オクタンジオン、1−[4−(フェニルチオ)フェニル]−2−(O−ベンゾイルオキシム)エタノン、1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)等が挙げられる。
これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよいし、2種以上が併用されてもよい。
The photopolymerization initiator is not particularly limited. For example, halomethylated triazine derivatives, halomethylated oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, benzoin alkyl ethers, anthraquinone derivatives, benzanthrone derivatives, benzophenone derivatives, acetophenone derivatives, thioxanthone derivatives, benzoic acid Examples include acid ester derivatives, acridine derivatives, phenazine derivatives, titanocene derivatives, α-aminoalkylphenone compounds, and oxime derivatives.
The halomethylated triazine derivative is not particularly limited. For example, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxynaphthyl) -4,6-bis (Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-ethoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-ethoxycarbonylnaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) ) -S-triazine and the like.
The imidazole derivative is not particularly limited, and examples thereof include 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-bis (3′-methoxyphenyl) imidazole. Dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) Examples include -4,5-diphenylimidazole dimer.
The benzoin alkyl ethers are not particularly limited, and examples thereof include benzoin methyl ether, benzoin isobutyl ether, and benzoin isopropyl ether.
The anthraquinone derivative is not particularly limited, and examples thereof include 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone and the like.
The benzophenone derivative is not particularly limited, and examples thereof include benzophenone, Michler ketone, 2-methylbenzophenone, 3-methylbenzophenone, 4-methylbenzophenone, 2-chlorobenzophenone, 4-bromobenzophenone, 2-carboxybenzophenone and the like.
The acetophenone derivative is not particularly limited. For example, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, α-hydroxy-2-methylphenylpropanone, 1- Hydroxy-1-methylethyl- (p-isopropylphenyl) ketone, 1-hydroxy-1- (p-dodecylphenyl) ketone, 2-methyl- (4 ′-(methylthio) phenyl) -2-morpholino-1-propanone 1,1,1, -trichloromethyl- (p-butylphenyl) ketone and the like.
The thioxanthone derivative is not particularly limited, and examples thereof include thioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, and the like. Can be mentioned.
The benzoic acid ester derivative is not particularly limited, and examples thereof include ethyl p-dimethylaminobenzoate and ethyl p-diethylaminobenzoate.
The acridine derivative is not particularly limited, and examples thereof include 9-phenylacridine, 9- (p-methoxyphenyl) acridine and the like.
The phenazine derivative is not particularly limited, and examples thereof include 9,10-dimethylbenzphenazine.
The titanocene derivative is not particularly limited. For example, di-cyclopentadienyl-Ti-di-chloride, di-cyclopentadienyl-Ti-bis-phenyl, di-cyclopentadienyl-Ti-bis-2, 3,4,5,6-pentafluorophen-1-yl, di-cyclopentadienyl-Ti-bis-2,3,5,6-tetrafluorophen-1-yl, di-cyclopentadienyl- Ti-bis-2,4,6-trifluorophen-1-yl, di-cyclopentadienyl-Ti-2,6-di-fluorophen-1-yl, di-cyclopentadienyl-Ti-2 , 4-di-fluorophen-1-yl, di-methylcyclopentadienyl-Ti-bis-2,3,4,5,6-pentafluorophen-1-yl, di-methylcyclopentadienyl- i-bis-2,6-di-fluorophen-1-yl, di-cyclopentadienyl-Ti-2,6-di-fluoro-3- (pyr-1-yl) -phen-1-yl, etc. Is mentioned.
The α-aminoalkylphenone compound is not particularly limited. For example, 2-methyl-1 [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1 -(4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butan-1-one, 4-dimethylaminoethylbenzoate, 4-dimethylaminoisoamylbenzoate 4-diethylaminoacetophenone, 4-dimethylaminopropiophenone, 2-ethylhexyl-1,4-dimethylaminobenzoate, 2,5-bis (4-diethylaminobenzal) cyclohexanone, 7-diethylamino-3- (4-diethylamino) Benzoyl) coumarin, 4- (diethylamino) Rukon, and the like.
The oxime derivative is not particularly limited. For example, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) phenyl] -2- (O-benzoyloxime) ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2 -Methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) and the like.
These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記ネガ型レジスト組成物において、上記光重合開始剤の含有量は特に限定されないが、アルカリ可溶性樹脂及び重合性単量体の合計100重量部に対して、好ましい下限は0.1重量部、好ましい上限は20重量部である。上記光重合開始剤の含有量が0.1重量部未満であると、光硬化が不充分となって、液晶配向用突起の基板に対する密着性が低下することがある。上記光重合開始剤の含有量が20重量部を超えると、光硬化反応が進みすぎて現像残渣が生じたり、得られる液晶配向用突起の形状がカラムスペーサに近いものとなり、液晶配向異常を生じる原因となったりすることがある。上記光重合開始剤の含有量のより好ましい下限は0.2重量部、より好ましい上限は15重量部である。上記光重合開始剤の含有量の更に好ましい下限は0.5重量部、更に好ましい上限は10重量部である。 In the negative resist composition, the content of the photopolymerization initiator is not particularly limited, but the preferable lower limit is 0.1 parts by weight, preferably 100 parts by weight in total of the alkali-soluble resin and the polymerizable monomer. The upper limit is 20 parts by weight. If the content of the photopolymerization initiator is less than 0.1 parts by weight, photocuring may be insufficient, and the adhesion of the liquid crystal alignment protrusions to the substrate may be reduced. When the content of the photopolymerization initiator exceeds 20 parts by weight, the photocuring reaction proceeds so much that a development residue is generated, or the shape of the obtained liquid crystal alignment protrusion is close to that of the column spacer, resulting in liquid crystal alignment abnormality. It may be a cause. The minimum with more preferable content of the said photoinitiator is 0.2 weight part, and a more preferable upper limit is 15 weight part. The more preferable lower limit of the content of the photopolymerization initiator is 0.5 parts by weight, and the more preferable upper limit is 10 parts by weight.

上記ネガ型レジスト組成物は、酸素による反応障害を軽減するために反応助剤を含有してもよい。このような反応助剤と水素引き抜き型の光重合開始剤とを併用することにより光を照射したときの硬化速度を向上させることができる。 The negative resist composition may contain a reaction aid in order to reduce reaction disturbance due to oxygen. By using such a reaction aid and a hydrogen abstraction type photopolymerization initiator in combination, the curing rate when irradiated with light can be improved.

上記反応助剤は特に限定されず、例えば、アミン系、ホスフィン系、スルホン酸系の反応助剤等が挙げられる。
上記アミン系の反応助剤は特に限定されず、例えば、n−ブチルアミン、ジ−n−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリエチレンテトラミン、p−ジメチルアミノ安息香酸エチル、p−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル等が挙げられる。
上記ホスフィン系の反応助剤は特に限定されず、例えば、トリ−n−ブチルホスフィン等が挙げられる。
上記スルホン酸系の反応助剤は特に限定されず、例えば、s−ベンジルイソチウロニウム−p−トルエンスルフィネート等が挙げられる。これらの反応助剤は、単独で用いられてもよいし、2種以上が併用されてもよい。
The reaction aid is not particularly limited, and examples thereof include amine-based, phosphine-based, and sulfonic acid-based reaction aids.
The amine-based reaction aid is not particularly limited, and examples thereof include n-butylamine, di-n-butylamine, triethylamine, triethylenetetramine, ethyl p-dimethylaminobenzoate, isoamyl p-dimethylaminobenzoate, and the like. .
The phosphine-based reaction aid is not particularly limited, and examples thereof include tri-n-butylphosphine.
The sulfonic acid-based reaction aid is not particularly limited, and examples thereof include s-benzylisothiouronium-p-toluenesulfinate. These reaction aids may be used alone or in combination of two or more.

上記ネガ型レジスト組成物は、必要に応じてシランカップリング剤を含有してもよい。
上記シランカップリング剤は特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。なかでも、官能基としてアクリロキシ基又はメタクリロキシ基を有するものが好ましい。官能基としてアクリロキシ基又はメタクリロキシ基を有するシランカップリング剤を含有することで、上記ネガ型レジスト組成物の基材との密着性を大幅に向上させることができる。
The negative resist composition may contain a silane coupling agent as necessary.
The said silane coupling agent is not specifically limited, A conventionally well-known thing can be used. Especially, what has an acryloxy group or a methacryloxy group as a functional group is preferable. By containing a silane coupling agent having an acryloxy group or a methacryloxy group as a functional group, the adhesion of the negative resist composition to the substrate can be greatly improved.

上記アクリロキシ基を有するシランカップリング剤は特に限定されず、例えば、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
上記メタクリロキシ基を有するシランカップリング剤は特に限定されず、例えば、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
これらのシランカップリング剤は単独で用いられてもよいし、2種以上が併用されてもよい。
The silane coupling agent having an acryloxy group is not particularly limited, and examples thereof include 3-acryloxypropyltrimethoxysilane and 3-acryloxypropyltriethoxysilane.
The silane coupling agent having a methacryloxy group is not particularly limited. For example, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyl Examples include triethoxysilane.
These silane coupling agents may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記ネガ型レジスト組成物は、通常、有機溶剤を用いて、固形分濃度の下限が5重量%、上限が50重量%、好ましくは下限が10重量%、上限が40重量%の範囲となるように調液して使用される。
上記有機溶剤としては、上述の各成分を溶解又は分散させることができ、取り扱い性に優れるものであれば特に限定されない。具体的には例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、テトラハイドロフラン等が挙げられる。
また、上記有機溶剤としては、沸点が100〜200℃の範囲のものが好適に用いられ、より好ましくは沸点が120〜180℃の範囲のものが用いられる。
The negative resist composition usually uses an organic solvent so that the lower limit of the solid content concentration is 5% by weight and the upper limit is 50% by weight, preferably the lower limit is 10% by weight and the upper limit is 40% by weight. It is used after being prepared.
The organic solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the above-described components and has excellent handleability. Specifically, for example, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, toluene, chloroform, dichloromethane, ethyl acetate, methyl lactate, lactic acid Examples include ethyl, methanol, ethanol, propanol, butanol and tetrahydrofuran.
Moreover, as said organic solvent, the thing of the range whose boiling point is 100-200 degreeC is used suitably, More preferably, the thing of the range whose boiling point is 120-180 degreeC is used.

上記ネガ型レジスト組成物を製造する方法としては特に限定されず、例えば、上記アルカリ可溶性樹脂、重合性単量体、光重合開始剤、レベリング剤、有機溶剤、及び、任意の添加剤を攪拌槽に入れて攪拌翼等を用いて混合する方法等が挙げられる。 The method for producing the negative resist composition is not particularly limited. For example, the alkali-soluble resin, the polymerizable monomer, the photopolymerization initiator, the leveling agent, the organic solvent, and any additive can be stirred. And mixing with a stirring blade or the like.

上記塗工の方法は特に限定されず、例えば、スピンコート法、スリット&スピンコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ディップコート法、バーコート法等の従来公知の塗工法を用いることができる。なかでも、スピンコート法、スリット&スピンコート法が好適であり、スリット&スピンコート法がより好適である。
上記スピンコート法及び上記スリット&スピンコート法はスピンの回転数によってレジスト膜厚の高さ調節を行い、要求される高さのカラムペーサを形成することができるため任意の液晶層厚にセル設計を行うことができる。回転数が小さい程得られるレジスト膜が厚くなるため、高いカラムスペーサの形成を行うことができる。
The coating method is not particularly limited, and conventionally known coating methods such as a spin coating method, a slit & spin coating method, a slit coating method, a spray coating method, a dip coating method, and a bar coating method can be used. . Of these, the spin coating method and the slit & spin coating method are preferable, and the slit & spin coating method is more preferable.
In the spin coating method and the slit & spin coating method, the height of the resist film can be adjusted by the number of spin rotations, and a column pacer with the required height can be formed. It can be carried out. Since the resist film obtained becomes thicker as the rotational speed is smaller, a high column spacer can be formed.

一方、ネガ型レジストの組成として以下の(1)及び(2)の事項を満たすことにより、液晶配向用突起の高さを、マルチギャップとカラムスペーサの高さの合計の0.6〜0.9倍となるようにすることができる。
(1)アルカリ可溶性樹脂、重合性単量体、光重合開始剤、及び、フルオロ基を有するレベリング剤を含有し、上記フルオロ基を有するレベリング剤の含有量が上記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して0.2〜1.0重量部である。
(2)E型粘度計を用いて、25℃、30rpmの条件で測定したときの粘度が4.5〜10mPa・sである。
On the other hand, by satisfying the following items (1) and (2) as the composition of the negative resist, the height of the liquid crystal alignment protrusion is set to 0.6 to 0. 0, which is the sum of the height of the multi-gap and the column spacer. It can be set to 9 times.
(1) It contains an alkali-soluble resin, a polymerizable monomer, a photopolymerization initiator, and a leveling agent having a fluoro group, and the content of the leveling agent having a fluoro group is based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. 0.2 to 1.0 part by weight.
(2) Using an E-type viscometer, the viscosity when measured under the conditions of 25 ° C. and 30 rpm is 4.5 to 10 mPa · s.

上記(1)の事項について、上記レベリング剤としてはフルオロ基を有するレベリング剤がレベリング性が高いため好ましい。
また、上記レベリング剤の含有量がアルカリ可溶性樹脂100重量部に対して0.2重量部未満であると、レベリング性の効果が小さいため、高さ合計が0.6倍未満になってしまう。上記レベリング剤の含有量がアルカリ可溶性樹脂100重量部に対して1.0重量を超えると、得られる液晶配向用突起の高さが、マルチギャップとカラムスペーサの高さの合計の0.9倍よりも大きい値となってしまう。
Regarding the above item (1), a leveling agent having a fluoro group is preferred as the leveling agent because of its high leveling properties.
Moreover, since the effect of leveling property is small as content of the said leveling agent is less than 0.2 weight part with respect to 100 weight part of alkali-soluble resin, total height will be less than 0.6 times. When the content of the leveling agent exceeds 1.0 part by weight with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin, the height of the obtained liquid crystal alignment protrusion is 0.9 times the sum of the height of the multi-gap and the column spacer. It will be a larger value.

上記(2)の事項について、上記粘度が4.5Pa・s未満であると、膜均一性を満たすのに充分な速度でスピンの回転を行うことができないため、所定高さに相当するカラムスペーサを形成することができない。上記粘度が10mPa・sを超えると、得られる液晶配向用突起の高さが、マルチギャップとカラムスペーサの高さの合計の0.9倍よりも大きい値となってしまう。 Regarding the above item (2), if the viscosity is less than 4.5 Pa · s, the spin cannot be rotated at a speed sufficient to satisfy the film uniformity. Can not form. When the viscosity exceeds 10 mPa · s, the height of the liquid crystal alignment protrusions obtained becomes a value larger than 0.9 times the total height of the multi-gap and the column spacer.

本発明の液晶表示素子の製造方法では、次いで、上記レジスト膜の液晶配向用突起形成部分及びカラムスペーサ形成部分に対応するパターンの開口部が形成されたマスクを介して活性光線を照射する工程2を行う。この工程2により、光照射部においては、上記ネガ型レジスト組成物に含まれる重合性単量体が硬化する。 In the method for manufacturing a liquid crystal display element of the present invention, next, actinic rays are irradiated through a mask in which openings of patterns corresponding to the liquid crystal alignment protrusion forming portions and the column spacer forming portions of the resist film are formed. I do. By this step 2, the polymerizable monomer contained in the negative resist composition is cured in the light irradiation part.

上記活性光線は特に限定されず、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等が挙げられる。なかでも、紫外線が好適である。
上記活性光線の露光方法としては特に限定されないが、近接露光法が一般的に用いられる。
The actinic rays are not particularly limited, and examples thereof include visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, and X-rays. Of these, ultraviolet rays are preferred.
The actinic ray exposure method is not particularly limited, but a proximity exposure method is generally used.

上記活性光線の照射量の好ましい下限は50mJ/cm、好ましい上限は1000mJ/cmである。上記活性光線の照射量が50mJ/cm未満であると、光硬化が不充分となり、現像工程でパターンが流れることがある。上記活性光線の照射量が1000mJ/cmを超えると、現像残渣が生じやすくなる。上記活性光線の照射量のより好ましい下限は100mJ/cm、より好ましい上限は500mJ/cmである。 The preferable lower limit of the irradiation amount of the active light is 50 mJ / cm 2 , and the preferable upper limit is 1000 mJ / cm 2 . When the irradiation amount of the actinic ray is less than 50 mJ / cm 2 , photocuring is insufficient, and a pattern may flow in the development process. When the irradiation amount of the active light exceeds 1000 mJ / cm 2 , a development residue is likely to occur. The more preferable lower limit of the irradiation amount of the active light is 100 mJ / cm 2 , and the more preferable upper limit is 500 mJ / cm 2 .

本発明の液晶表示素子の製造方法では、次いで、上記活性光線を照射した後のレジスト膜を現像することにより、カラムスペーサ及び液晶配向用突起を同時に形成する工程3を行う。
上記現像を行うための溶剤としては、塗工膜の未硬化部を溶解させる能力のある溶剤であれば特に限定されないが、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ化合物や、ジエタノールアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、水酸化テトラアルキルアンモニウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド等の有機アルカリ化合物を含有する水溶液からなるアルカリ現像液が挙げられる。
In the method for producing a liquid crystal display element of the present invention, step 3 is then performed in which the resist film after irradiation with the actinic ray is developed to simultaneously form column spacers and liquid crystal alignment protrusions.
The solvent for the development is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving the uncured portion of the coating film. For example, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium silicate Alkali development consisting of an aqueous solution containing inorganic alkali compounds such as potassium silicate, sodium hydroxide and potassium hydroxide, and organic alkali compounds such as diethanolamine, triethylamine, triethanolamine, tetraalkylammonium hydroxide and tetramethylammonium hydroxide Liquid.

上記アルカリ現像液には、必要に応じて、界面活性剤、水溶性の有機溶剤、湿潤剤、水酸基又はカルボン酸基を有する低分子化合物等を含有させてもよい。特に、界面活性剤は現像性、解像性、地汚れ等に対して改良効果を有するものが多いため添加することが好ましい。 If necessary, the alkali developer may contain a surfactant, a water-soluble organic solvent, a wetting agent, a low molecular compound having a hydroxyl group or a carboxylic acid group, or the like. In particular, surfactants are preferably added because many surfactants have an improving effect on developability, resolution, background stains, and the like.

上記アルカリ現像液に使用する界面活性剤は特に限定されず、例えば、ナフタレンスルホン酸ナトリウム基、ベンゼンスルホン酸ナトリウム基を有するアニオン性界面活性剤、ポリアルキレンオキシ基を有するノニオン性界面活性剤、テトラアルキルアンモニウム基を有するカチオン性界面活性剤等が挙げられる。 The surfactant used in the alkali developer is not particularly limited. For example, an anionic surfactant having a sodium naphthalenesulfonate group or a sodium benzenesulfonate group, a nonionic surfactant having a polyalkyleneoxy group, tetra And cationic surfactants having an alkylammonium group.

上記現像の方法は特に限定されないが、通常、10〜50℃、好ましくは15〜45℃の現像温度で、ディップ現像、スプレー現像、パドル現像、ブラシ現像、超音波現像等の方法により行われる。 The development method is not particularly limited, but is usually performed at a development temperature of 10 to 50 ° C., preferably 15 to 45 ° C., by a method such as dip development, spray development, paddle development, brush development, or ultrasonic development.

現像後、乾燥オーブン等で充分に乾燥させることが好ましい。
上記乾燥温度としては220℃以下であることが好ましく、乾燥時間は30分以下であることが好ましい。乾燥温度が220℃を超え、乾燥時間が30分を超えると、液晶配向用突起、カラムスペーサをカラーフィルター上に形成した場合、開口部の着色顔料又は染料にダメージを与えてしまい表示品質を低下させる恐れがある。
After the development, it is preferable to sufficiently dry it in a drying oven or the like.
The drying temperature is preferably 220 ° C. or less, and the drying time is preferably 30 minutes or less. If the drying temperature exceeds 220 ° C and the drying time exceeds 30 minutes, the liquid crystal alignment protrusions and column spacers are formed on the color filter, resulting in damage to the color pigments or dyes in the openings, resulting in poor display quality. There is a fear.

本発明の液晶表示素子の製造方法を用いて製造される液晶表示素子は、液晶配向用突起の高さが、マルチギャップとカラムスペーサの高さの合計の0.6〜0.9倍であることが好ましい。このような液晶表示素子もまた、本発明の1つである。
上記液晶配向用突起の高さが、マルチギャップとカラムスペーサの高さの合計の0.6倍未満であると、配向制御が充分にできなくなることがある。上記液晶配向用突起の高さが、マルチギャップとカラムスペーサの高さの合計の0.9倍を超えると、コントラストが低下したり、光漏れが発生したりすることがある。上記液晶配向用突起の高さは、マルチギャップとカラムスペーサの高さの合計の0.65〜0.85倍であることがより好ましい。
液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された半透過反射型液晶表示素子基板の断面の模式図を図2に示す。
In the liquid crystal display device manufactured using the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the height of the liquid crystal alignment protrusion is 0.6 to 0.9 times the total height of the multi-gap and the column spacer. It is preferable. Such a liquid crystal display element is also one aspect of the present invention.
When the height of the liquid crystal alignment protrusion is less than 0.6 times the total height of the multigap and the column spacer, alignment control may not be sufficiently performed. When the height of the liquid crystal alignment protrusion exceeds 0.9 times the total height of the multi-gap and the column spacer, the contrast may be lowered or light leakage may occur. The height of the liquid crystal alignment protrusion is more preferably 0.65 to 0.85 times the total height of the multi-gap and the column spacer.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a transflective liquid crystal display element substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers are formed.

本発明によれば、半透過反射型液晶表示素子基板上に、カラムスペーサと、優れた表示特性を示すために必要な高さを有する液晶配向用突起とを同時に形成することができる液晶表示素子の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、該液晶表示素子の製造方法を用いて製造される液晶表示素子を提供することができる。 According to the present invention, a liquid crystal display element capable of simultaneously forming a column spacer and a liquid crystal alignment protrusion having a height necessary for exhibiting excellent display characteristics on a transflective liquid crystal display element substrate. The manufacturing method of can be provided. Moreover, according to this invention, the liquid crystal display element manufactured using the manufacturing method of this liquid crystal display element can be provided.

ネガ型レジスト組成物を塗工した半透過反射型液晶表示素子基板の断面の模式図である。It is a schematic diagram of the cross section of the transflective liquid crystal display element substrate which applied the negative resist composition. 液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された半透過反射型液晶表示素子基板の断面の模式図である。It is a schematic diagram of a cross section of a transflective liquid crystal display element substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers are formed.

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
(1)アルカリ可溶性樹脂の合成
攪拌装置、滴下ロート、コンデンサー、温度計、ガス導入管を備えたフラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)150重量部を入れ、窒素置換しながら攪拌し110℃に昇温した。
次に、メタクリル酸16、4重量部(0.19モル)、メチルメタクリレート36.9 重量部(0.36モル)、2−エチルヘキシルメタクリレート12.3重量部(0.12)からなるモノマー混合物を加え、ラジカル重合開始剤としてt−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート(日油社製、「パーブチルO」)3.6重量部を滴下ロートから2時間かけてフラスコに滴下し、更に、110℃で3時間攪拌し続け反応させた。反応は空気/窒素雰囲気下で行った。これにより、酸価100mgKOH/g、重量平均分子量15000のアルカリ可溶性樹脂溶液(固形分30重量%)を得た。
Example 1
(1) Synthetic stirrer of alkali-soluble resin, dropping funnel, condenser, thermometer, 150 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was put in a flask equipped with a gas introduction tube, and stirred at 110 ° C. while purging with nitrogen. The temperature rose.
Next, a monomer mixture composed of 16, 4 parts by weight (0.19 mol) of methacrylic acid, 36.9 parts by weight (0.36 mol) of methyl methacrylate, and 12.3 parts by weight (0.12) of 2-ethylhexyl methacrylate was prepared. In addition, 3.6 parts by weight of t-butyl peroxy-2-ethylhexanoate (manufactured by NOF Corporation, “Perbutyl O”) as a radical polymerization initiator was dropped into the flask over 2 hours from the dropping funnel, The reaction was continued with stirring at 110 ° C. for 3 hours. The reaction was carried out in an air / nitrogen atmosphere. As a result, an alkali-soluble resin solution (solid content: 30% by weight) having an acid value of 100 mgKOH / g and a weight average molecular weight of 15000 was obtained.

(2)ネガ型レジスト組成物の調製
得られたアルカリ可溶性樹脂100重量部と、重合性単量体としてビスフェノールA型エポキシアクリレート(新中村化学工業社製、「EA−1020」)60重量部と、光重合開始剤として1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)−,2−(O−ベンゾイルオキシム)](チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、「OXE−01」)10重量部と、シランカップリング剤として3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、「KBM−5103」)5重量部と、フルオロ基を有するレベリング剤としてメガファックR−08(DIC社製)、0.5重量部と、溶剤としてPGMEAが合計で750重量部となるように混合して液晶配向用突起形成用ネガ型レジスト組成物を調製した。
(2) Preparation of negative resist composition 100 parts by weight of the obtained alkali-soluble resin, and 60 parts by weight of bisphenol A type epoxy acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., “EA-1020”) as a polymerizable monomer 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- (O-benzoyloxime)] (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, “OXE-01”) as a photopolymerization initiator And 5 parts by weight of 3-acryloxypropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM-5103”) as a silane coupling agent, and MegaFac R-08 (manufactured by DIC) as a leveling agent having a fluoro group , 0.5 parts by weight, and PGMEA as a solvent in a total of 750 parts by weight. The Narubutsu was prepared.

(3)液晶配向用突起及びカラムスペーサの形成
得られたネガ型レジスト組成物を、1.5μm厚のマルチギャップを有するITO付カラーフィルター基板上に500rpmでスピンコートした後、80℃で2分間乾燥してレジスト膜を得た。得られたレジスト膜に、近接露光法(プリントギャップ100μm)により、液晶配向用突起を形成させる部分としてi線透過率50%、マスク径10μmの円型の開口部とカラムスペーサを形成する部分としてi線透過率100%、マスク径15×25μmの四角型の開口部を有するマスクを介して、高圧水銀等を用いてi線換算で100mJ/cmの紫外線を照射した。その後、紫外線照射後のレジスト膜を0.1%炭酸ナトリウム水溶液により60秒間現像し、純水にて30秒間洗浄した。次いで、230℃、60分のベーキング処理を行って、液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(3) Formation of projections for liquid crystal alignment and column spacers The obtained negative resist composition was spin-coated at 500 rpm on a color filter substrate with ITO having a multi-gap of 1.5 μm thickness, and then at 80 ° C. for 2 minutes. A resist film was obtained by drying. As a part for forming a liquid crystal alignment protrusion by a proximity exposure method (print gap 100 μm) on the obtained resist film, a part for forming a circular opening and a column spacer having an i-line transmittance of 50% and a mask diameter of 10 μm. Ultraviolet rays of 100 mJ / cm 2 in terms of i-line were irradiated using high-pressure mercury or the like through a mask having a rectangular opening with an i-line transmittance of 100% and a mask diameter of 15 × 25 μm. Thereafter, the resist film after ultraviolet irradiation was developed with a 0.1% aqueous sodium carbonate solution for 60 seconds and washed with pure water for 30 seconds. Next, a baking process was performed at 230 ° C. for 60 minutes to obtain a substrate on which protrusions for liquid crystal alignment and column spacers were formed.

(実施例2)
ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を600重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Example 2)
A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content of PGMEA in the negative resist composition was 600 parts by weight.

(実施例3)
ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を550重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
Example 3
A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content of PGMEA in the negative resist composition was 550 parts by weight.

(実施例4)
ネガ型レジスト組成物中のメガファックR−08の含有量を0.25重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
Example 4
A substrate on which protrusions for liquid crystal alignment and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content of Megafac R-08 in the negative resist composition was 0.25 parts by weight.

(実施例5)
ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を600重量部とし、メガファックR−08の含有量を0.25重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Example 5)
Protrusion for aligning liquid crystal and column spacer in the same manner as in Example 1 except that the content of PGMEA in the negative resist composition was 600 parts by weight and the content of Megafac R-08 was 0.25 parts by weight. A substrate on which was formed was obtained.

(実施例6)
ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を550重量部とし、メガファックR−08の含有量を0.25重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Example 6)
Protrusions for aligning liquid crystal and column spacers in the same manner as in Example 1 except that the content of PGMEA in the negative resist composition was 550 parts by weight and the content of Megafac R-08 was 0.25 parts by weight A substrate on which was formed was obtained.

(実施例7)
ネガ型レジスト組成物中のメガファックR−08の含有量を0.9重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Example 7)
A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content of Megafac R-08 in the negative resist composition was 0.9 parts by weight.

(実施例8)
ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を600重量部とし、メガファックR−08の含有量を0.9重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Example 8)
Protrusion for aligning liquid crystal and column spacer in the same manner as in Example 1 except that the content of PGMEA in the negative resist composition was 600 parts by weight and the content of Megafac R-08 was 0.9 parts by weight A substrate on which was formed was obtained.

(実施例9)
ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を550重量部とし、メガファックR−08の含有量を0.9重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
Example 9
Protrusions for liquid crystal alignment and column spacers in the same manner as in Example 1 except that the content of PGMEA in the negative resist composition was 550 parts by weight and the content of Megafac R-08 was 0.9 parts by weight A substrate on which was formed was obtained.

(実施例10)
ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を600重量部とし、フルオロ基を有するレベリング剤として0.5重量部のメガファックR−08の代わりにPF−3320(オムノバ社製)0.5重量部を用いたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Example 10)
The PGMEA content in the negative resist composition is 600 parts by weight, and 0.5 parts by weight of PF-3320 (Omnova Co., Ltd.) 0.5 weights instead of 0.5 parts by weight of MegaFac R-08 as a leveling agent having a fluoro group A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the portion was used.

(比較例1)
ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を850重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Comparative Example 1)
A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content of PGMEA in the negative resist composition was 850 parts by weight.

(比較例2)
ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を500重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Comparative Example 2)
A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content of PGMEA in the negative resist composition was 500 parts by weight.

(比較例3)
ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を600重量部とし、メガファックR−08の含有量を0.10重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Comparative Example 3)
Protrusions for aligning liquid crystal and column spacers in the same manner as in Example 1 except that the content of PGMEA in the negative resist composition was 600 parts by weight and the content of Megafac R-08 was 0.10 parts by weight. A substrate on which was formed was obtained.

(比較例4)
ネガ型レジスト組成物中のメガファックR−08の含有量を1.50重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Comparative Example 4)
A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content of Megafac R-08 in the negative resist composition was 1.50 parts by weight.

(比較例5)
0.5重量部のメガファックR−08の代わりにフルオロ基を有さないレベリング剤としてDOW CORNING 11 ADDITIVE(東レ・ダウコーニング社製)0.5重量部を用い、ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を600重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Comparative Example 5)
In place of 0.5 parts by weight of MegaFac R-08, 0.5 parts by weight of DOW CORNING 11 ADDITIVE (manufactured by Toray Dow Corning) was used as a leveling agent having no fluoro group, and in the negative resist composition A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content of PGMEA was 600 parts by weight.

(比較例6)
0.5重量部のメガファックR−08の代わりにフルオロ基を有さないレベリング剤としてDISPERLON UVX−270(楠本化成社製)0.5重量部を用い、ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を600重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Comparative Example 6)
In place of 0.5 part by weight of Megafax R-08, 0.5 part by weight of DISPERLON UVX-270 (manufactured by Enomoto Kasei Co., Ltd.) was used as a leveling agent having no fluoro group, and PGMEA in the negative resist composition was A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content was 600 parts by weight.

(比較例7)
0.5重量部のメガファックR−08の代わりにフルオロ基を有さないレベリング剤としてTA−411(日油社製)0.5重量部を用い、ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を600重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Comparative Example 7)
Using 0.5 parts by weight of TA-411 (manufactured by NOF Corporation) as a leveling agent having no fluoro group instead of 0.5 parts by weight of Megafac R-08, the inclusion of PGMEA in the negative resist composition A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount was 600 parts by weight.

(比較例8)
0.5重量部のメガファックR−08の代わりにフルオロ基を有さないレベリング剤としてリケマールP−100(理研ビタミン社製)0.5重量部を用い、ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を600重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Comparative Example 8)
Instead of 0.5 parts by weight of MegaFac R-08, 0.5 parts by weight of Riquemar P-100 (manufactured by Riken Vitamin Co., Ltd.) was used as a leveling agent having no fluoro group, and PGMEA in the negative resist composition was used. A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content was 600 parts by weight.

(比較例9)
0.5重量部のメガファックR−08の代わりにフルオロ基を有さないレベリング剤としてソルボンS−20(東邦化学社製)0.5重量部を用い、ネガ型レジスト組成物中のPGMEAの含有量を600重量部としたこと以外は実施例1と同様にして液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板を得た。
(Comparative Example 9)
Instead of 0.5 part by weight of Megafac R-08, 0.5 part by weight of Sorbone S-20 (manufactured by Toho Chemical Co., Ltd.) was used as a leveling agent having no fluoro group, and PGMEA in the negative resist composition was used. A substrate on which liquid crystal alignment protrusions and column spacers were formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that the content was 600 parts by weight.

<評価>
実施例及び比較例で得られたネガ型レジスト組成物、並びに、液晶配向用突起及びカラムスペーサが形成された基板について以下の評価を行った。結果を表1〜4に示した。
なお、比較例2については、得られたネガ型レジスト組成物の粘度が低すぎたため、膜厚測定及びパターン高さの評価は行えなかった。
<Evaluation>
The following evaluation was performed about the negative resist composition obtained by the Example and the comparative example, and the board | substrate with which the protrusion for liquid crystal aligning and the column spacer were formed. The results are shown in Tables 1-4.
In Comparative Example 2, since the viscosity of the obtained negative resist composition was too low, film thickness measurement and pattern height evaluation could not be performed.

(1)粘度の測定
得られたネガ型レジスト組成物の粘度を、E型粘度計(東京計器社製、「DVM−E」)を用いて、25℃、30rpmの条件で測定した。
(1) Measurement of viscosity The viscosity of the obtained negative resist composition was measured using an E-type viscometer (manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd., “DVM-E”) at 25 ° C. and 30 rpm.

(2)膜厚測定
マルチギャップを有するITO付カラーフィルター基板にレジストを塗工した時点での膜厚を、微細形状測定装置(KLA−Tencor社製、「P−16+」)を用いて測定した。
(2) Film thickness measurement The film thickness at the time when a resist was applied to a color filter substrate with ITO having a multi-gap was measured using a fine shape measuring apparatus (“P-16 +” manufactured by KLA-Tencor). .

(3)パターン高さ
得られたカラムスペーサ及び液晶配向用突起をレーザー顕微鏡(KEYENCE社製、「VK−9500」)にて高さを測定した。
(3) Pattern Height The height of the obtained column spacer and liquid crystal alignment protrusion was measured with a laser microscope (manufactured by KEYENCE, "VK-9500").

Figure 2010230756
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本発明によれば、半透過反射型液晶表示素子基板上に、カラムスペーサと、優れた表示特性を示すために必要な高さを有する液晶配向用突起とを同時に形成することができる液晶表示素子の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、該液晶表示素子の製造方法を用いて製造される液晶表示素子を提供することができる。 According to the present invention, a liquid crystal display element capable of simultaneously forming a column spacer and a liquid crystal alignment protrusion having a height necessary for exhibiting excellent display characteristics on a transflective liquid crystal display element substrate. The manufacturing method of can be provided. Moreover, according to this invention, the liquid crystal display element manufactured using the manufacturing method of this liquid crystal display element can be provided.

1 マルチギャップ
2 ネガ型レジスト組成物
3 マルチギャップとマルチギャップ上に塗工されるネガ型レジスト組成物との高さの合計
4 マルチギャップ間に塗工されるネガ型レジスト組成物の最も低い部分の高さ
5 液晶配向用突起
6 カラムスペーサ
7 マルチギャップとカラムスペーサの高さの合計
8 液晶配向用突起の高さ
1 Multi-gap 2 Negative resist composition 3 Total height of multi-gap and negative resist composition coated on multi-gap 4 Lowest part of negative resist composition applied between multi-gap Height 5 Liquid crystal alignment protrusion 6 Column spacer 7 Total height of multi-gap and column spacer 8 Height of liquid crystal alignment protrusion

Claims (3)

半透過反射型液晶表示素子基板上に、ネガ型レジスト組成物を用いて液晶配向用突起とカラムスペーサとを同時に形成する液晶表示素子の製造方法であって、
前記ネガ型レジスト組成物を前記半透過反射型液晶表示素子基板に塗工してレジスト膜を形成する工程1と、
前記レジスト膜に、液晶配向用突起形成部及びカラムスペーサ形成部に対応するパターンの開口部が形成されたマスクを介して活性光線を照射する工程2と、
前記活性光線を照射した後のレジスト膜を現像することにより、カラムスペーサ及び液晶配向用突起を同時に形成する工程3とを有し、
前記工程1において、半透過反射型液晶表示素子基板上のマルチギャップ間に塗工されるネガ型レジスト組成物の最も低い部分の高さが、マルチギャップとマルチギャップ上に塗工されるネガ型レジスト組成物との高さの合計の0.6〜0.9倍となるように塗工する
ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
A method of manufacturing a liquid crystal display element, wherein a liquid crystal alignment protrusion and a column spacer are simultaneously formed on a transflective liquid crystal display element substrate using a negative resist composition,
Step 1 of applying the negative resist composition to the transflective liquid crystal display element substrate to form a resist film;
Irradiating the resist film with actinic rays through a mask in which openings of a pattern corresponding to the liquid crystal alignment protrusion forming portion and the column spacer forming portion are formed; and
And developing the resist film after irradiating the actinic ray, thereby simultaneously forming a column spacer and a liquid crystal alignment protrusion,
The negative type in which the height of the lowest part of the negative resist composition applied between the multi-gap on the transflective liquid crystal display element substrate in the step 1 is applied to the multi-gap and the multi-gap. A method for producing a liquid crystal display element, wherein coating is performed so that the total height of the resist composition and the resist composition is 0.6 to 0.9 times.
請求項1記載の製造方法によって製造される液晶表示素子であって、液晶配向用突起の高さが、マルチギャップとカラムスペーサの高さの合計の0.6〜0.9倍であることを特徴とする液晶表示素子。 The liquid crystal display device manufactured by the manufacturing method according to claim 1, wherein the height of the liquid crystal alignment protrusion is 0.6 to 0.9 times the total height of the multi-gap and the column spacer. A characteristic liquid crystal display element. 半透過反射型液晶表示素子基板上に、ネガ型レジスト組成物を用いて液晶配向用突起とカラムスペーサとを同時に形成する液晶表示素子の製造方法に用いるネガ型レジスト組成物であって、
前記ネガ型レジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂、重合性単量体、光重合開始剤、及び、フルオロ基を有するレベリング剤を含有し、前記フルオロ基を有するレベリング剤の含有量が前記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して0.2〜1.0重量部であり、かつ、E型粘度計を用いて、25℃、30rpmの条件で測定したときの粘度が4.5〜10mPa・sであることを特徴とするネガ型レジスト組成物。
A negative resist composition for use in a method for manufacturing a liquid crystal display element, wherein a liquid crystal alignment protrusion and a column spacer are simultaneously formed on a transflective liquid crystal display element substrate using a negative resist composition,
The negative resist composition includes an alkali-soluble resin, a polymerizable monomer, a photopolymerization initiator, and a leveling agent having a fluoro group, and the content of the leveling agent having the fluoro group is the alkali-soluble resin. The viscosity is 4.5 to 10 mPa · s when measured under the conditions of 25 ° C. and 30 rpm using an E-type viscometer with respect to 100 parts by weight. A negative resist composition characterized by the above.
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