JP2010226064A - パッケージ封止用のリッド及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】より封止特性が改善され、封止時のケースへの流れ込みの他、這い上がり現象も生じ難いパッケージ封止用のリッドを提供する。
【解決手段】リッド本体に枠形状のろう材が融着されたパッケージ封止用のリッドにおいて、前記ろう材の内側の四辺に沿い、150μm超で500μm以下の幅を有する枠形状のAuメッキ層と、前記枠形状のAuメッキ層の開口部分にAuを3重量%以下含むNi合金層と、が設けられており、更に、前記Ni合金層の表面粗さが、JISB0601で規定される表面粗さで0.01〜0.20μmであることを特徴とするパッケージ封止用のリッドである。また、このリッドは、リッド本体の側面及び裏面についても、前記Ni合金層で覆われているものが好ましい。
【選択図】図2
【解決手段】リッド本体に枠形状のろう材が融着されたパッケージ封止用のリッドにおいて、前記ろう材の内側の四辺に沿い、150μm超で500μm以下の幅を有する枠形状のAuメッキ層と、前記枠形状のAuメッキ層の開口部分にAuを3重量%以下含むNi合金層と、が設けられており、更に、前記Ni合金層の表面粗さが、JISB0601で規定される表面粗さで0.01〜0.20μmであることを特徴とするパッケージ封止用のリッドである。また、このリッドは、リッド本体の側面及び裏面についても、前記Ni合金層で覆われているものが好ましい。
【選択図】図2
Description
本発明は、各種電子部品のパッケージ封止に使用されるリッドに関する。特に、封止特性に優れており、封止時に安定したろう材の濡れ広がりを呈する封止用のリッドに関する。
水晶振動子、SAWフィルター、各種センサー等の電子部品パッケージの封止に用いられるリッド(蓋体)は、一般的には、その本体(リッド本体)にろう材が融着されている。そして、パッケージの封止は、素子が収容された容体(ケース)に、このリッドを被せてろう材を溶融させて接合することでなされる。
かかるろう材を備えるリッドは、予め組成調整され、接合面の形状に合わせて加工成形されたろう材を融着することで製造される。このろう材としては、信頼性、耐食性等の理由からAu系ろう材(例えば、Au−Sn系ろう材)が使用されることが多い。また、Au系ろう材をリッド本体に融着する際には、リッド本体にNiめっき及びAuめっきを施すのが一般的である。これは、リッド本体の材質(コバール(Fe−Ni−Co系合金)、42アロイ(Fe−Ni系合金)等が使用される)を考慮したものである。即ち、溶融したAu系ろう材は、これらの材質に対する密着性に劣る上に、濡れ性も悪いことから、リッド本体に対する密着性の確保のためにNiをメッキし、更に、封止時に溶融するろう材の濡れ性を確保するためにAuメッキを施している。
従来から、パッケージ封止用のリッドに要求される特性として、封止性能が第1に挙げられてきた。この封止性能とは、接合するケースの接合面に対して、ろう材が均一に溶融・凝固すると共に、ケースの接合面以外にろう材が濡れ広がらないことを示す。特に、後者については、パッケージ封止時に溶融したろう材がケース内に流れ込むおそれがあり、これにより半導体素子にダメージを生じさせ、電子部品の性能に著しい影響を与えることとなるため、溶融時のろう材の挙動制御は近年特に重要となっている。
このような封止特性への要求を考慮し、本出願人は、ろう材を備えたパッケージ封止用のリッドに関して、溶融したろう材のケース内への流れ込みを抑制できるものを提案している(特許文献1)。このリッドは、上記のようにNiメッキ、Auメッキがなされたリッド本体について、封止時にケースの開口部(素子の収容部)に対応する箇所のAuメッキの表面粗さを所定範囲に制御することで、当該箇所へのろう材の濡れ広がりを抑制するものである。
上記従来の封止用のリッドは、ろう材の濡れ性をある程度制御することができる点で一応の効果はあるが、改善の余地がないわけではない。即ち、上記従来技術では、溶融したろう材の挙動を制御するためにAuメッキ部分の表面粗さを調整したものであるが、このようにしてもケースへの流れ込みが稀に生じることがあった。
また、ケースへの流れ込みは生じなくても、封止時に溶融したろう材がリッドの側面を這い上がり、場合によってはリッドの裏面(ケース接合面の反対側の面)に付着することがあった。このような現象(以下、這い上がり現象と称する。)は、パッケージの気密性には影響を与えないとしても、外観を損ねる他、製造したパッケージにレーザートリミング等でマーキングする際の障害となる。
そこで、本発明は、より封止特性が改善され、封止時のケースへの流れ込みの他、這い上がり現象も生じ難いパッケージ封止用のリッドを提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明は、リッド本体に枠形状のろう材が融着されたパッケージ封止用のリッドにおいて、前記ろう材の内側の四辺に沿い、150μm超で500μm以下の幅を有する枠形状のAuメッキ層と、前記枠形状のAuメッキ層の開口部分にAuを3重量%以下含むNi合金層と、が設けられており、更に、前記Ni合金層の表面粗さが、JIS B0601で規定される表面粗さで0.01〜0.20μmであることを特徴とするパッケージ封止用のリッドである。
本発明は、リッド表面の、ケースの開口部に対応する箇所の表面組成及び面粗さを調整することで、溶融したろう材の濡れを制御するものである。即ち、当該箇所のAu濃度を3重量%以下と低減してNiに近い組成とすることで組成の面からろう材の濡れ性を低下させると共に、その表面粗さを制御して形態面からも濡れ性を抑制している。これにより、当該箇所へのろう材の濡れ広がりを抑制して、封止時にろう材がケース内へ流れ込むことを防ぐ。
そして、本発明は、ろう材と上記Ni合金層との境界部分において、所定の幅を有するAuメッキ層を備える。このように部分的にAuメッキ層を形成することで、封止時に溶融したろう材の逃げ場所ができることから、余分なろう材の這い上がり現象を抑制することができる。
本発明に係るリッドについて、Ni合金層のAu濃度を3重量%以下としたのは、ろう材の過剰な濡れ広がりを最大限に低下させるための範囲である。このNi合金層のAu濃度は、低ければ低い程濡れ性が低下することから、Auが0%であっても良い。Au含有量は、より好ましくは、1.5重量%以下である。尚、Au0%のNi合金層は、厳密には「合金」と称されるべきではないが、本発明においては、便宜のためこの状態のものでもNi合金層と称する。
Ni合金層表面について面粗さを0.01〜0.20μmとするのは、上記組成面での濡れ性の抑制を補完する上での濡れ性制御に必要な範囲だからである。面粗さをJIS B0601によるものとしたのは、その基準を明確にするためである。
一方、Auメッキ層について、その幅は、500μm以下とする。Auメッキ層の幅が広すぎると、封止時のケースへのろう材流れ込み抑制の機能を果たさなくなるからである。また、幅の下限は溶融したろう材の逃げ場としての機能を考慮し150μmを超える範囲とする。このAuメッキ層の幅については、リッドのサイズにより調整するが、上記範囲は一般的なリッドに適用されるものである。特に、面積が4.5〜200mm2程度の比較的大判のリッドに好適である。
そして、本発明に係るリッドは、リッド本体の側面及び裏面についても、上記したNi合金層(Auを3重量%以下含み、その表面粗さがJIS B0601で規定される表面粗さで0.01〜0.20μmであるNi合金層)で覆われていることが好ましい。
リッドの側面及び裏面の状態についても規定するのは、這い上がり現象をより確実に抑制するためである。即ち、リッド側面及び裏面についても、ろう材の濡れ性が低下した状態にすることで、ろう材は、その設置部分上及びAuメッキ層上でのみ濡れ広がることになり、側面への流出が抑制される。
また、リッドの側面及び裏面についてもNi合金層で被覆することは、パッケージの取扱い性を向上させるという効果も生じさせる。これは、封止されたパッケージは、その後レーザーマーク等を施されて使用に供されるが、その際の冶具、アーム等で表面に傷が付き、この部分的な傷によりマークが不鮮明となることがあった。これに対し、本発明のように、表面粗さを0.01〜0.20μmとし、均一な傷をつけておくことで、冶具等で傷がついてもその傷のみを目立たせることなくレーザーマークの品質を確保することができる。
本発明において、Auメッキ層及びNi合金層の厚さは、特に限定されるものではない。いずれもその表面における作用に基づきろう材の濡れ性を調整するものであるからである。但し、好ましくは、Auメッキ層の厚さは、0.001〜0.05μmとするのが好ましい。また、Ni合金層については、1〜10μmとするのが好ましい。
尚、本発明に係るリッドに融着されるろう材としては、Au−Sn系ろう材(例えば、Au−18〜25wt%Sn)、Au−Ge系ろう材(Au−10〜15wt%Ge)、Au−Si系ろう材(Au−2〜5wt%Si)、Au−Sb系ろう材(Au−30〜40wt%Sb)が適用できる。また、ろう材の厚さは、5〜50μmの範囲のものが用いられ、リッドの大きさを考慮して設定される。一方、リッド本体の材質としては、いわゆるコバール(Fe−Ni−Co系合金)、42アロイ(Fe−Ni系合金)等の従来の材料が適用される。
本発明に係る封止用リッドの製造においては、リッド本体に、Ni合金層、Auメッキ層、ろう材を設けるものであるから、それらをその形状、組成に合わせてリッド本体上に形成しても良いが、実際には困難となる場合がある。例えば、Auメッキ層は、ろう材の内側に沿って所定幅を維持した状態の形状にする必要があるが、このような形状制御をしつつメッキをするのはマスキング等の手間を考慮すると煩雑な工程となる。
そこで、本発明者等は、本発明にかかるリッド製造の方法として、以下の工程からなるものに想到した。
(a) リッド本体の、少なくともろう材を融着する面についてNi及びAuメッキを行う工程。
(b) ろう材を融着する工程。
(c) (b)工程で得られるろう材が融着されたリッド本体を複数用意し、前記複数のリッドと、粒径1.5〜5.0mmの球形の研磨媒体とを容器に収容する工程。
(d) 前記容器を揺動して研磨する工程。
(a) リッド本体の、少なくともろう材を融着する面についてNi及びAuメッキを行う工程。
(b) ろう材を融着する工程。
(c) (b)工程で得られるろう材が融着されたリッド本体を複数用意し、前記複数のリッドと、粒径1.5〜5.0mmの球形の研磨媒体とを容器に収容する工程。
(d) 前記容器を揺動して研磨する工程。
この本発明に係るリッドの製造方法は、Niメッキ及びAuメッキを行い、更に、ろう材を融着した状態のリッド本体について、いわゆるバレル研磨を施すものである。この方法では、容器中で研磨媒体によるリッド本体全面の研磨、或いは、リッド本体同士の研磨が生じるが、これにより以下の機構でNi合金層、Auメッキ層が形成される。
Ni合金層が本来形成される箇所(ケース開口部に対応する箇所)は、研磨前はその表面にAuメッキがなされている。これをバレル研磨すると、表面のAuメッキが研磨され、やがてNiメッキ層が露出することとなる。但し、完全にAuメッキが剥がれるとは限らないが、このように微量のAuが表面に残留しても研磨媒体等の衝突による運動エネルギーにより残留AuとNiとの合金化が生じる(メカニカルアロイング)。その結果、微量のAuを含むNi合金層が形成される。また、Ni合金層の表面粗さについては、この研磨により所定範囲に調整することができる。
Auメッキ層の形成については、以下のような機構で形成される。上記のバレル研磨により、ろう材部分を除くリッド本体表面に存在していたAuメッキは大部分が剥離されるが、図1に示すように、ろう材とリッド本体とが接触する隙間については研磨媒体が侵入できないためにAuメッキは研磨されない。これにより、Auメッキ層がろう材に沿った状態で一定の間隔を維持して形成されることとなる。この残留するAuメッキ層の幅は、研磨媒体の粒径により変化し、粒径の増大と共にAuメッキ層の幅も増大するが、少なくとも、1.5mmを超える粒径の研磨媒体の適用により、必要な幅のAuメッキ層を形成することができる。但し、研磨媒体を5.0mmを超えるものとすると、Auメッキ層の幅が大きくなり過ぎ、封止時のケースへの流れ込みを抑制の機能が損なわれる。
また、本発明に係るリッドは、その側面及び裏面についても、Ni合金層で覆われていることが好ましいが、このようなリッド製造については、上記(a)工程のNi及びAuメッキをリッド本体の全面について行い、その後バレル研磨を行うことで、上記と同様に、Auメッキの研磨・剥離、AuとNiとの合金化、更には、表面粗さの調整がなされる。
本発明に係るリッド製造方法においては、Au、Niメッキを施し、ろう材を融着したリッド本体を複数、容器に封入して研磨を行うが、封入するリッド本体の数については、特に制限はない。
また、研磨媒体については、ジルコニア、アルミナ、ステンレス、Au−Sn合金、Au−Ge合金、Au−Si合金、Au−Sb合金のいずれかからなるものが好ましい。研磨媒体の材質については、Auを研磨できる硬度を有するものであって、不純物としてリッドに付着する恐れの少ないものが好ましい。
バレル研磨は、湿式で行うのが好ましい。乾式研磨でも、Auメッキ層の研磨は可能であるが、メディアの当たりが強すぎるため好ましくない。研磨時間については、リッド本体、研磨媒体の封入量にもよるが、10〜30分とするのが好ましい。
以上説明した本発明に係るパッケージ封止用のリッドは、Auメッキ層、Ni合金層を適切に配したことにより、封止時に溶融したろう材がケースへの流れ込むのを抑制することができ、また、這い上がり現象が生じ難い。
第1実施形態:以下、本発明の好適な実施形態を説明する。コバール製のリッド本体(寸法:4.7mm×2.9mm×0.1mm)に、電解バレルめっきによりNiめっきを行い、電解バレルメッキにより金めっきを行った。このときのめっき厚さは、Niめっき5μm、Auめっき0.01μmとした。
キャップ本体にろう材として枠形状の80wt%Au−20wt%Snろう材(寸法:外周4.7mm×2.9mm、内周3.8mm×2.0mm、厚さ40μm)を融着した。融着は、ろう材をリッド本体上に位置決めして載置した後、電気炉に挿入し280℃で180秒加熱してろう材を融着させることにより行なった。
上記の工程により、ろう材を融着したリッド本体を複数製造し(100個)、これを研磨媒体であるジルコニアボール(粒径2.5mm)と共に、ステンレス製の籠に入れた。そして、この籠をバレル研磨機にセットして研磨を行った。バレル研磨後、篩で研磨媒体とリッドとを分離し、リッドを仕上げ洗浄して封止用リッドを製造した。
図2は、上記のようにして製造したリッド表面の写真及び概念図である。リッド本体に融着されたろう材に沿って一定幅のAuメッキ層が形成されており(幅250μm)、その内側はバレル研磨によりAuメッキが剥がれたNi合金層が形成されている。Ni合金層は、研磨によりその表面に微細な傷が付き表面粗さは、0.105μmとなっている。また、Ni合金層のAu含有量は1.2重量%であった。
第2実施形態:次に、第1実施形態と同様の工程で、同じリッド本体にNiメッキ、Auメッキを施し、更に、ろう材を融着し、これについて研磨媒体の粒径を種々変更してAuメッキ層の幅を調整して封止用リッドを製造した。製造されたリッドについて、半導体素子(水晶振動子)が搭載されたセラミック製ケースに接合して半導体素子パッケージを製造した(接合温度は340℃)。そして、この封止作業における封止特性、流れ込みの有無、這い上がり現象の有無等の検討を行った。
このとき、封止特性は、封止後のパッケージについてファインリークテストであるヘリウムリークテストを行ない、パッケージのリーク率を検討した。ここで、ヘリウムリークテストは、製造したパッケージをヘリウムリークディテクタにかけ、パッケージ外部を真空に引き、内部のヘリウム分子が漏出するのをカウントすることにより行なった。また、流れ込みの有無は、製造した水晶振動子パッケージについて周波数特性(クリスタルインピーダンス(CI)値)の測定を行った。CI値の測定は、π回路を使用したゼロ位相法で、水晶電流は10μWとした。そして、測定値が基準値以下となる(不合格となる)パッケージの発生率により比較を行った。更に、這い上がり現象については、封止後のパッケージの外観観察を行い、リッド側面又は裏面へのろう材付着があるものの割合を比較した。以上の検討結果を表1に示す。尚、表には比較として、バレル研磨を行わない従来のリッドの検討結果を併せて示した。
以上の検討から、従来品のリッドでは、リーク試験においては劣るものではないが、ケース内への流れ込みによる振動子の劣化によりCI値が基準値を下回る確立が高く、また、這い上がり現象が生じる率も高くなっている。図3は、這い上がりが生じたパッケージの外観である。これに対し、本実施形態のように所定幅を有する枠形状のAuメッキ層を形成したリッドでは、封止後の評価結果がいずれも良好な結果を有することが確認された。
第3実施形態:ここでは寸法の異なるリッド本体を複数用意して封止用リッドを製造した。基本的な工程は第1実施形態と同様とし、研摩媒体の粒径を変更しつつAuメッキ層の幅を変更したものを製造した。具体的には、以下の封止用リッドを製造した。
以上の各製品例については、第2実施形態と同様にパッケージの封止試験を行ったところ、いずれも良好な結果を示し、ろう材の這い上がりもなかった。
本発明に係る封止用のリッドは、封止特性が改善され、封止時のケースへの流れ込み、這い上がり現象が生じ難くなっている。本発明は、水晶振動子、SAWフィルター、各種センサー等の電子部品パッケージの封止の歩留まり、効率を向上させるものである。
Claims (8)
- リッド本体に枠形状のろう材が融着されたパッケージ封止用のリッドにおいて、
前記ろう材の内側の四辺に沿い、150μm超で500μm以下の幅を有する枠形状のAuメッキ層と、
前記枠形状のAuメッキ層の開口部分にAuを3重量%以下含むNi合金層と、が設けられており、
更に、前記Ni合金層の表面粗さが、JIS B0601で規定される表面粗さで0.01〜0.20μmであることを特徴とするパッケージ封止用のリッド。 - リッド本体の側面及び裏面が、Auを3重量%以下含むNi合金層で覆われており、前記Ni合金層の表面粗さは、JIS B0601で規定される表面粗さで0.01〜0.20μmである請求項1記載のパッケージ封止用のリッド。
- Auメッキ層の厚さは、0.001〜0.01μmである請求項1又は請求項2記載のパッケージ封止用のリッド。
- Ni合金層の厚さは、1〜10μmである請求項1〜請求項3のいずれかに記載のパッケージ封止用のリッド。
- ろう材は、Au−Sn系ろう材、Au−Ge系ろう材、Au−Si系ろう材、Au−Sb系ろう材である請求項1〜請求項4のいずれかに記載の封止パッケージ用のリッド又はケース。
- 請求項1〜請求項5のいずれかに記載のリッドを製造する方法であって、下記工程を含む方法。
(a) リッド本体の、少なくともろう材を融着する面について、Niメッキを行い次いでAuメッキを行う工程。
(b) ろう材を融着する工程。
(c) (b)工程で得られるろう材が融着されたリッド本体を複数用意し、前記複数のリッドと、粒径1.5〜5.0mmの球形の研磨媒体とを容器に収容する工程。
(4)前記容器を揺動して研磨する工程。 - (a)工程のNiメッキ及びAuメッキをリッド本体の全面について行う請求項6記載の方法。
- 研磨媒体は、ジルコニア、アルミナ、Au−Sn合金、Au−Ge合金、Au−Si合金、Au−Sb合金のいずれかからなる請求項6又は請求項7記載の方法。
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JP2009079417A JP2010226064A (ja) | 2009-02-24 | 2009-03-27 | パッケージ封止用のリッド及びその製造方法 |
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KR20170106467A (ko) | 2015-03-11 | 2017-09-20 | 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 | 전자 부품 밀봉용 캡 |
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- 2009-03-27 JP JP2009079417A patent/JP2010226064A/ja active Pending
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