JP2010224111A

JP2010224111A - Organic el display

Info

Publication number: JP2010224111A
Application number: JP2009069837A
Authority: JP
Inventors: 修平 ▲高▼橋; Shuhei Takahashi
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2009-03-23
Filing date: 2009-03-23
Publication date: 2010-10-07

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device in which the white balance of an organic EL can be readily controlled, without changing circuit constitution and design. <P>SOLUTION: A light-emitting device which includes a light-emitting element and a thin film transistor supplying a current to the light-emitting element and in which the light-emitting element has three or more sub-pixels light-emitting different colors one another, and is characterized such that among three or more sub-pixels, the capacity of a gate insulating film 404 of the thin-film transistor of at least one sub-pixel is different from capacity of the gate insulating film 404 of the thin-film transistor of the other sub-pixels. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機発光素子から構成される画素を複数有する表示装置に関する。 The present invention relates to a display device having a plurality of pixels composed of organic light emitting elements.

フラットパネルディスプレイには、それ自体が発光する自発光型と外光やバックライトを用いる非発光型がある。 There are two types of flat panel displays: a self-luminous type that emits light itself and a non-luminous type that uses external light or a backlight.

有機ＥＬディスプレイパネルは、非発光型の液晶ディスプレイパネルとは異なり、自発光であるため、高コントラスト、高視野角という特徴を持つフラットパネルディスプレイである。 Unlike a non-light-emitting liquid crystal display panel, the organic EL display panel is a flat panel display having features of high contrast and high viewing angle because it is self-luminous.

そして、有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構成される。有機ＥＬ素子の駆動方法としては、パッシブ駆動とアクティブ駆動があるが、アクティブ駆動の方が高精細、高速応答のパネルを実現する上で好ましい。 The organic EL display is configured by arranging a large number of organic EL elements as pixels and arranging them in a matrix. There are two types of driving methods for the organic EL element, passive driving and active driving. Active driving is preferable for realizing a panel with high definition and high-speed response.

また、有機ＥＬディスプレイ素子や、液晶ディスプレイ素子などのフラットパネルディスプレイに使われるＴＦＴは、各画素の動作を制御するスイッチングトランジスタ及び画素を駆動させる駆動用ＴＦＴから構成されている。 A TFT used in a flat panel display such as an organic EL display element or a liquid crystal display element is composed of a switching transistor for controlling the operation of each pixel and a driving TFT for driving the pixel.

このような表示装置には、各色を発光する各副画素の効率が各色の有機発光材料の色ごとに異なるため、従来から、異なる電流値を各発光素子に供給しないといけないという課題があった。 In such a display device, since the efficiency of each sub-pixel that emits each color is different for each color of the organic light-emitting material of each color, there has been a problem that a different current value must be supplied to each light-emitting element. .

上記課題を解決するための手段としては、特許文献１や特許文献２が知られている。 As means for solving the above problems, Patent Document 1 and Patent Document 2 are known.

特開２００１−１０９３９９号公報JP 2001-109399 A 特開平５−１０７５６１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-107561

特許文献１は、駆動用薄膜トランジスタのサイズＷ／ＬをＲＧＢ副画素の効率に合わせて作り分ける構成である。なお、前記Ｗは駆動用薄膜トランジスタにおけるゲート幅のことであり、前記Ｌは駆動用薄膜トランジスタのゲート長である。 Patent Document 1 has a configuration in which the size W / L of the driving thin film transistor is separately made in accordance with the efficiency of the RGB sub-pixels. The W is the gate width of the driving thin film transistor, and the L is the gate length of the driving thin film transistor.

しかしながら、特許文献１の方法では、効率が低い材料である副画素の場合、Ｗ／Ｌを大きくする必要がある。さらに、効率だけを考慮すると、Ｗを５倍以上も大きくしないといけない場合もある。 However, in the method of Patent Document 1, it is necessary to increase W / L in the case of a subpixel that is a material with low efficiency. Furthermore, if only efficiency is taken into consideration, W may have to be increased by 5 times or more.

そのため、シリコン層とゲートメタル層のレイアウト面積が大きくなり、低温ポリシリコン薄膜トランジスタにおける高精細化の妨げになるだけでなく、ボトムエミッション構造では、開口率の低下につながる。 For this reason, the layout area of the silicon layer and the gate metal layer is increased, which not only prevents high definition in the low-temperature polysilicon thin film transistor, but also reduces the aperture ratio in the bottom emission structure.

一方、特許文献２は、ＲＧＢの各副画素にそれぞれ異なる電源電圧をＲＧＢ副画素の効率に合わせて印加するという方法である。 On the other hand, Patent Document 2 is a method in which different power supply voltages are applied to RGB subpixels in accordance with the efficiency of the RGB subpixels.

しかしながら、特許文献２の方法では、ＲＧＢの各副画素にそれぞれ異なる電源電圧を印加するように回路を変更しなければいけないので、回路構成が複雑になるという課題がある。 However, the method of Patent Document 2 has a problem that the circuit configuration becomes complicated because the circuit must be changed so that different power supply voltages are applied to the RGB sub-pixels.

そこで、本発明は、有機ＥＬの開口率の低下の課題、あるいは回路が複雑になる課題を解決しつつ、有機ＥＬのホワイトバランスを容易に調整することができる表示装置を提供する。 Therefore, the present invention provides a display device that can easily adjust the white balance of an organic EL while solving the problem of a decrease in the aperture ratio of the organic EL or the problem of complicated circuitry.

上記課題を解決するために、本発明は、発光素子と前記発光素子に電流を供給する薄膜トランジスタとを含み、前記発光素子が互いに異なる色を発光する副画素を３つ以上有する発光装置であって、前記３つ以上の副画素のうち、少なくとも１つの副画素の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の容量が、他の副画素の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の容量と異なっていることを特徴とする発光装置を提供するものである。 In order to solve the above-described problems, the present invention is a light-emitting device that includes a light-emitting element and a thin-film transistor that supplies current to the light-emitting element, and the light-emitting element includes three or more subpixels that emit different colors. A light emitting device characterized in that a capacity of a gate insulating film of a thin film transistor of at least one subpixel among the three or more subpixels is different from a capacity of a gate insulating film of a thin film transistor of another subpixel. It is to provide.

本発明によれば、有機ＥＬの開口率を低下させずに、回路構成も複雑にすることなく、有機ＥＬのホワイトバランスを制御することができる。 According to the present invention, it is possible to control the white balance of the organic EL without reducing the aperture ratio of the organic EL and without complicating the circuit configuration.

ＥＬ表示装置の各色の表示副画素の配列の平面図である。It is a top view of the arrangement | sequence of the display subpixel of each color of EL display apparatus. ＥＬ表示装置の表示副画素の各レイヤのレイアウトを表す平面図である。It is a top view showing the layout of each layer of the display subpixel of an EL display device. ＥＬ表示装置の表示副画素の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a display subpixel of an EL display device. ＥＬ表示装置の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜周辺の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view around a gate insulating film of a driving TFT of an EL display device. ＲＧＢ副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜近傍の断面図である。It is sectional drawing of the gate insulating film vicinity of the driving TFT of RGB subpixel. ゲート絶縁膜をエッチングすることで、ゲート絶縁膜の膜厚を調整したＲＧＢ副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜近傍の断面図である。It is sectional drawing of the gate insulating film vicinity of the drive TFT of the RGB subpixel which adjusted the film thickness of the gate insulating film by etching a gate insulating film. ＲＧＢ副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜近傍の断面図である。It is sectional drawing of the gate insulating film vicinity of the driving TFT of RGB subpixel. ゲート絶縁膜の総厚を変えずにＳｉＯ２とＳｉＮのゲート絶縁膜の積層とした際のゲート絶縁膜の容量比の変化を示した図である。It is the figure which showed the change of the capacitance ratio of the gate insulating film at the time of setting it as the lamination | stacking of the gate insulating film of SiO2 and SiN, without changing the total thickness of a gate insulating film.

本発明の表示装置は、有機ＥＬのホワイトバランスを回路構成や設計を変更することなく、かつ容易に制御することができる表示装置である。 The display device of the present invention is a display device that can easily control the white balance of the organic EL without changing the circuit configuration or design.

以下、図面を用いて本発明に係る表示装置について具体的に説明する。 Hereinafter, the display device according to the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１は本発明をＥＬ表示装置１８に応用した例を示す図であり、ＥＬ素子に電流を供給するＥＬ駆動用ＴＦＴを記載した平面図である。 FIG. 1 is a view showing an example in which the present invention is applied to an EL display device 18, and is a plan view showing an EL driving TFT for supplying a current to an EL element.

図１には、各表示副画素が赤色１３Ｒ、緑色１３Ｇ及び青色１３Ｂを発光する場合であって、各表示副画素に配置された駆動用ＴＦＴのソース１４及びドレイン１５を備えた低温ポリシリコン層の活性層１７と、ゲート１６の層を示している。 FIG. 1 shows a case where each display subpixel emits red 13R, green 13G, and blue 13B, and includes a low-temperature polysilicon layer provided with a source 14 and a drain 15 of a driving TFT disposed in each display subpixel. The active layer 17 and the gate 16 layer are shown.

ここで、副画素と画素の関係を説明すると、３つ以上の副画素の発光素子が互いに異なる色を発光する副画素の集まりを画素という。即ち、図１では、副画素赤色１３Ｒ、緑色１３Ｇ及び青色１３Ｂの集まりが画素である。 Here, the relationship between subpixels will be described. A group of subpixels in which light emitting elements of three or more subpixels emit different colors is referred to as a pixel. That is, in FIG. 1, a collection of sub-pixels red 13R, green 13G, and blue 13B is a pixel.

なお、本発明をＥＬ表示装置に応用した例は、図１のＥＬ表示装置に限定されるわけではない。 An example in which the present invention is applied to an EL display device is not limited to the EL display device of FIG.

図２は本発明を例えば、図１のようなＥＬ表示装置に応用した例を示す図であり、ＥＬ表示装置の表示副画素の各レイヤのレイアウトを表す平面図である。 FIG. 2 is a diagram showing an example in which the present invention is applied to, for example, an EL display device as shown in FIG. 1, and is a plan view showing a layout of each layer of display subpixels of the EL display device.

図２に示すＥＬ表示装置には、複数の走査ライン１０が図２の左右方向に、また複数の信号ライン１１が図２の上下方向に走っており、それらの走査ライン１０と信号ライン１１は互いに交差している。 In the EL display device shown in FIG. 2, a plurality of scanning lines 10 run in the left-right direction in FIG. 2, and a plurality of signal lines 11 run in the up-down direction in FIG. Cross each other.

さらに、図２について説明すると、図２の１２は、電源供給ライン１２である。そして、図２の２０〜２２は、駆動用ＴＦＴのチャネル２０、駆動用ＴＦＴのソース２１、駆動用ＴＦＴのドレイン２２である。 Further, referring to FIG. 2, reference numeral 12 in FIG. 2 denotes a power supply line 12. 2 are a driving TFT channel 20, a driving TFT source 21, and a driving TFT drain 22.

図３は本発明を例えば、図１のようなＥＬ表示装置に応用したときのＥＬ表示装置の副画素の等価回路図である。ここで、図３の３３は、電流を流すことによって発光する有機ＥＬ素子３３である。 FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the sub-pixel of the EL display device when the present invention is applied to, for example, the EL display device as shown in FIG. Here, reference numeral 33 in FIG. 3 denotes an organic EL element 33 that emits light when a current is applied.

図３には、走査ライン１０、信号ライン１１に接続された有機ＥＬ素子３３に電流を供給し有機ＥＬ素子３３を駆動する有機ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ３２と、このＥＬ素子駆動用ＴＦＴ３２のドレインに陽極が接続された有機ＥＬ素子３３が形成されている。 FIG. 3 shows an organic EL element driving TFT 32 for driving the organic EL element 33 by supplying a current to the organic EL element 33 connected to the scanning line 10 and the signal line 11, and an anode connected to the drain of the EL element driving TFT 32. Are connected to each other.

なお、駆動用ＴＦＴ３２と有機ＥＬ素子３３の接続については、駆動用ＴＦＴ３２から有機ＥＬ素子３３に電流を供給できれば、上記接続でなくても良い。 The connection between the driving TFT 32 and the organic EL element 33 may not be the above connection as long as a current can be supplied from the driving TFT 32 to the organic EL element 33.

また、図１に示すＥＬ表示装置には、各色の表示副画素１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂが図３のような回路としてマトリクス状に配置されている。 Further, in the EL display device shown in FIG. 1, display subpixels 13R, 13G, and 13B for each color are arranged in a matrix as a circuit as shown in FIG.

図４は図２のＥＬ表示装置における駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜のＡ−Ａ’の断面２３を示す図である。以下に、図４に示す駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜周辺の断面図について説明する。 FIG. 4 is a diagram showing an A-A ′ section 23 of the gate insulating film of the driving TFT in the EL display device of FIG. 2. A cross-sectional view around the gate insulating film of the driving TFT shown in FIG. 4 will be described below.

基板４０１上には、基板４０１からの不純物の拡散を防止する、下地層４０２が成膜されている。基板４０１の材料としては、例えば、ガラス等が用いられ、下地層４０２の材料としては、例えば、窒化シリコン等が用いられる。 Over the substrate 401, a base layer 402 that prevents diffusion of impurities from the substrate 401 is formed. As the material of the substrate 401, for example, glass or the like is used, and as the material of the base layer 402, for example, silicon nitride or the like is used.

なお、下地層４０２の成膜は、プラズマＣＶＤ法で成膜しても良いし、スパッタ膜でも良い。また、これらの成膜方法に限ったものではない。 Note that the base layer 402 may be formed by a plasma CVD method or a sputtered film. Moreover, it is not restricted to these film-forming methods.

下地層４０２上には、シリコン層４０３が成膜されている。シリコン層４０３の材料としては、例えば、ａ−Ｓｉ等が用いられる。なお、シリコン層４０３の成膜は、プラズマＣＶＤ法で成膜しても良いし、スパッタ膜でも良い。また、これらの成膜方法に限ったものではない。 A silicon layer 403 is formed on the base layer 402. As a material of the silicon layer 403, for example, a-Si or the like is used. Note that the silicon layer 403 may be formed by a plasma CVD method or a sputtered film. Moreover, it is not restricted to these film-forming methods.

さらに、シリコン層４０３は、例えば、エキシマレーザー等を用いて結晶化させることにより、ｐ−Ｓｉの膜を形成している。 Furthermore, the silicon layer 403 forms a p-Si film by crystallization using, for example, an excimer laser or the like.

シリコン層４０３上には、ゲート絶縁膜４０４が成膜されている。なお、ゲート絶縁膜４０４は、駆動用ＴＦＴのチャネルに接している。 A gate insulating film 404 is formed on the silicon layer 403. Note that the gate insulating film 404 is in contact with the channel of the driving TFT.

ゲート絶縁膜４０４上には、ゲートメタル４０５が形成されている。なお、ゲートメタル４０５の形成は、例えば、スパッタ法等で行われ、その後、パターニングされ、エッチングされる。 A gate metal 405 is formed on the gate insulating film 404. The gate metal 405 is formed by, for example, a sputtering method, and then patterned and etched.

ゲートメタル４０５上には、層間絶縁膜４０６が成膜されている。なお、層間絶縁膜４０６の成膜は、例えば、プラズマＣＶＤ法等で行われる。 An interlayer insulating film 406 is formed on the gate metal 405. The interlayer insulating film 406 is formed by, for example, a plasma CVD method.

層間絶縁膜４０６上には、配線メタル４０７が形成されている。なお、配線メタル４０７の形成は、例えば、スパッタ法等で行われ、その後、パターニングされ、エッチングされる。 A wiring metal 407 is formed on the interlayer insulating film 406. The wiring metal 407 is formed by, for example, a sputtering method, and then patterned and etched.

配線メタル４０７上には、平坦化を行うために平坦化絶縁膜４０８が成膜されている。平坦化絶縁膜４０８の材料としては、平坦化しやすい塗布性の材料が用いられ、例えば、シリコン酸化物もしくはアクリルを主成分とした透明な材料等が用いられるが、これに限らない。 A planarization insulating film 408 is formed on the wiring metal 407 in order to perform planarization. As a material for the planarization insulating film 408, a coating material that can be easily planarized is used. For example, a transparent material mainly composed of silicon oxide or acrylic is used, but the material is not limited thereto.

平坦化絶縁膜４０８上には、アノード４０９が成膜されている。アノード４０９の材料としては、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）というインジウムとスズを主成分とした酸化物等が用いられるが、ＩＴＯに限ったものではない。 An anode 409 is formed over the planarization insulating film 408. As a material of the anode 409, for example, an oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) containing indium and tin as main components is used, but the material is not limited to ITO.

なお、アノード４０９の成膜は、例えば、スパッタ法等で行われ、その後、パターニングされ、エッチングされる。図４の上方に光を取り出すトップエミッション構造をとる場合は、アノード４０９の下に例えば、銀やアルミ等を主成分とした反射メタルを設けてもよい。 The anode 409 is formed by, for example, a sputtering method, and then patterned and etched. In the case of adopting a top emission structure in which light is extracted upward in FIG. 4, for example, a reflective metal mainly composed of silver or aluminum may be provided under the anode 409.

アノード４０９上には、バンク４１０が形成されている。バンク４１０の材料としては、例えば、ポリイミドやアクリルが骨格となる高分子材料等が好ましい。 A bank 410 is formed on the anode 409. As a material of the bank 410, for example, a polymer material having a skeleton made of polyimide or acrylic is preferable.

バンク４１０上には、ホール輸送層４１１が形成されている。なお、ホール輸送層４１１の形成は、例えば、真空蒸着法等で行われる。 A hole transport layer 411 is formed on the bank 410. The hole transport layer 411 is formed by, for example, a vacuum deposition method or the like.

ホール輸送層４１１上には、発光層４１２が形成されている。なお、発光層４１２の形成は、ＲＧＢ副画素ごとに、例えば、真空蒸着法等で行われる。 A light emitting layer 412 is formed on the hole transport layer 411. The light emitting layer 412 is formed for each RGB subpixel by, for example, a vacuum evaporation method.

発光層４１２上には、電子注入層４１３が形成されている。なお、電子注入層４１３の形成は、例えば、真空蒸着法等で行われる。 On the light emitting layer 412, an electron injection layer 413 is formed. The electron injection layer 413 is formed by, for example, a vacuum evaporation method.

電子注入層４１３上には、カソード４１４が形成されている。カソード４１４の材料としては、ボトムエミッション構造では、例えば、ＡｌやＡｌ合金等が用いられる。 A cathode 414 is formed on the electron injection layer 413. As the material of the cathode 414, for example, Al or an Al alloy is used in the bottom emission structure.

また、トップエミッション構造では、例えば、膜厚が薄いＡｌやＡｇや光透過性のあるＩＴＯや、それらの組み合わせ等が用いられる。 In the top emission structure, for example, thin Al, Ag, light-transmitting ITO, or a combination thereof is used.

次に、本発明の特徴を述べると、本発明は、発光素子と前記発光素子に電流を供給する薄膜トランジスタとを含み、前記発光素子が互いに異なる色を発光する副画素を３つ以上有する発光装置である。 Next, the characteristics of the present invention will be described. The present invention includes a light emitting device that includes a light emitting element and a thin film transistor that supplies current to the light emitting element, and the light emitting element has three or more subpixels that emit different colors. It is.

さらに、前記３つ以上の副画素のうち、少なくとも１つの副画素の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の容量が、他の副画素の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の容量と異なることを特徴とする。 Further, the capacitance of the gate insulating film of the thin film transistor of at least one subpixel among the three or more subpixels is different from the capacitance of the gate insulating film of the thin film transistor of the other subpixel.

そして、前記発光装置が有する前記３つ以上の副画素は、３つであるのが好適であり、また、前記発光装置は前記３つの副画素を構成要素とする画素を、複数有するのが好適である。 The three or more sub-pixels included in the light-emitting device are preferably three, and the light-emitting device preferably includes a plurality of pixels including the three sub-pixels as constituent elements. It is.

本発明では、３つの副画素ＲＧＢを用い、各副画素に接続する駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜を上記のとおり設計するために、少なくとも１つの副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚を、他の副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚と異なる厚さにする。 In the present invention, the thickness of the gate insulating film of the driving TFT of at least one subpixel is used in order to design the gate insulating film of the driving TFT connected to each subpixel as described above using three subpixels RGB. Is different from the thickness of the gate insulating film of the driving TFT of the other subpixel.

また、ＲＧＢの各副画素に接続する駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜を上記のとおり設計するために、少なくとも１つの副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率を、他の副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率と異なる値にする。 In addition, in order to design the gate insulating film of the driving TFT connected to each RGB sub-pixel as described above, the dielectric constant of the gate insulating film of the driving TFT of at least one sub-pixel is set to drive other sub-pixels. The value is different from the dielectric constant of the gate insulating film of the TFT for use.

ここで、図４を用いて、ゲート絶縁膜４０４の成膜について説明すると、従来は、ｐ−Ｓｉの膜を形成後にｐ−Ｓｉをパターニングして、エッチングすることでアイランドを形成してからゲート絶縁膜４０４を成膜していた。 Here, the formation of the gate insulating film 404 will be described with reference to FIG. 4. Conventionally, after forming a p-Si film, p-Si is patterned and etched to form an island, and then the gate is formed. An insulating film 404 was formed.

しかし、本発明では、発光装置が有するＲＧＢの各副画素の駆動用ＴＦＴのうち、少なくとも１つの副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜４０４の膜厚を、他の副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜４０４の膜厚と異なる厚さに作り分ける。 However, in the present invention, among the driving TFTs of the RGB subpixels included in the light-emitting device, the thickness of the gate insulating film 404 of the driving TFT of at least one subpixel is set to the thickness of the driving TFT of the other subpixel. The gate insulating film 404 is formed to have a different thickness.

よって、シリコン膜４０３とゲート絶縁膜４０４を連続して成膜してからシリコン層４０３とゲート絶縁膜４０４をシリコン層４０３用のマスクでパターニングした後に、エッチングすることが望ましい。 Therefore, it is desirable that the silicon film 403 and the gate insulating film 404 are successively formed, and then the silicon layer 403 and the gate insulating film 404 are patterned with a mask for the silicon layer 403 and then etched.

なお、ＲＧＢのうち、１つの副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚のみを他の副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚と異なる厚さにすれば、ＲＧＢの各副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚を全て異なる厚さにするよりもプロセスが少なくて済む。 If only the thickness of the gate insulating film of the driving TFT of one sub-pixel is different from the thickness of the gate insulating film of the driving TFT of the other sub-pixel, the sub-pixels of RGB The number of processes is less than when the gate insulating film thicknesses of the pixel driving TFTs are all different.

上記のように、ＲＧＢのうち、少なくとも１つの副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚を、他の副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚と異なる厚さに作り分ける際の断面の一例が図５である。 As described above, when the thickness of the gate insulating film of the driving TFT of at least one subpixel is made different from the thickness of the gate insulating film of the driving TFT of the other subpixel as described above. An example of the cross section is shown in FIG.

また、このように作り分ける方法としては、例えば、ゲート絶縁膜の膜厚が最も厚く設計されたゲート絶縁膜を、膜厚の薄いゲート絶縁膜となる副画素のマスクでパターニングしてエッチングすることで駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚を作り分ける方法もある。 In addition, as a method for creating the gate insulating film in this way, for example, a gate insulating film designed to have the largest thickness of the gate insulating film is patterned and etched with a mask of a sub-pixel that becomes a thin gate insulating film. There is also a method in which the thickness of the gate insulating film of the driving TFT is made differently.

この方法で駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜を作製したときのゲート絶縁膜の断面図が図６である。 FIG. 6 is a cross-sectional view of the gate insulating film when the gate insulating film of the driving TFT is manufactured by this method.

以降では、発光装置が有するＲＧＢの各副画素の駆動用ＴＦＴのうち、少なくとも１つの副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜を他の副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜とは別に作り分ける本発明の好適な実施形態を示す。 Hereinafter, among the driving TFTs of the RGB subpixels of the light emitting device, the gate insulating film of the driving TFT of at least one subpixel is formed separately from the gate insulating film of the driving TFT of the other subpixel. 1 shows a preferred embodiment of the present invention.

なお、ＲＧＢの各副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜をそれぞれ「赤色副画素のゲート絶縁膜」「緑色副画素のゲート絶縁膜」「青色副画素のゲート絶縁膜」ということもある。 The gate insulating films of the driving TFTs of the RGB subpixels may be referred to as “red subpixel gate insulating film”, “green subpixel gate insulating film”, and “blue subpixel gate insulating film”, respectively.

（第１の実施形態）
第１の実施形態は、ＲＧＢのうち、少なくとも１つの副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚を、他の副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚と異なる厚さにすることによって、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせる方法である。 (First embodiment)
In the first embodiment, the thickness of the gate insulating film of the driving TFT of at least one subpixel of RGB is different from the thickness of the gate insulating film of the driving TFT of another subpixel. This is a method of adjusting white balance to CIE D65.

第１の実施形態においては、ＲＧＢの各表示副画素に配置する発光材料の発光効率（それぞれを「赤色の発光効率」「緑色の発光効率」「青色の発光効率」ということもある）を緑色の発光効率＞赤色の発光効率＞青色の発光効率とするが、この発光効率に限らない。 In the first embodiment, the light emission efficiency of the light emitting material disposed in each of the RGB display subpixels (which may be referred to as “red light emission efficiency”, “green light emission efficiency”, and “blue light emission efficiency”) is green. Luminous efficiency> red luminous efficiency> blue luminous efficiency, but is not limited to this luminous efficiency.

ここでは、緑色の発光効率Ｅ_gと、赤色の発光効率Ｅ_rと、青色の発光効率Ｅ_bの比がＥ_g：Ｅ_r：Ｅ_b＝２０（ｃｄ／Ａ）：１０（ｃｄ／Ａ）：３．５（ｃｄ／Ａ）の場合について説明するが、この発光効率の比でなくても良い。 Here, the ratio of the green luminous efficiency E _g , the red luminous efficiency _Er and the blue luminous efficiency E _b is E _g : E _r : E _b = 20 (cd / A): 10 (cd / A) : 3.5 (cd / A) will be described, but the ratio of the luminous efficiency is not necessarily required.

（第１の例）
まず、第１の実施形態の一態様として、ＲＧＢの各副画素に配置する発光材料の発光効率のみを考慮し、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の膜厚を異なる厚さにすることによって、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせる場合を示す。 (First example)
First, as one aspect of the first embodiment, by considering only the light emission efficiency of the luminescent material disposed in each RGB sub-pixel, the thickness of the gate insulating film of each RGB sub-pixel is set to a different thickness. The case where white balance is adjusted to CIE D65 is shown.

ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の設計値は、発光効率の逆数に比例する。よって、ＲＧＢの各副画素に配置する発光材料の発光効率が高くなるほど、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の膜厚を厚くし、前記ゲート絶縁膜の容量を小さくする。 The design value of the gate insulating film of each RGB sub-pixel is proportional to the reciprocal of the light emission efficiency. Therefore, as the luminous efficiency of the light emitting material disposed in each RGB sub-pixel increases, the thickness of the gate insulating film of each RGB sub-pixel is increased and the capacitance of the gate insulating film is reduced.

このことから、Ｅ_g：Ｅ_r：Ｅ_b＝２０：１０：３．５の場合、緑色副画素のゲート絶縁膜の膜厚、赤色副画素のゲート絶縁膜の膜厚、青色副画素のゲート絶縁膜の膜厚の比は、２．９：１．４：１となる。 From this, when E _g : E _r : E _b = 20: 10: 3.5, the thickness of the gate insulating film of the green subpixel, the thickness of the gate insulating film of the red subpixel, and the gate of the blue subpixel The ratio of the insulating film thickness is 2.9: 1.4: 1.

また、このとき、上記膜厚比から、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の容量は、青色副画素のゲート絶縁膜の容量＞赤色副画素のゲート絶縁膜の容量＞緑色副画素のゲート絶縁膜の容量、となる。 At this time, from the film thickness ratio, the capacitance of the gate insulating film of each of the RGB sub-pixels is as follows: the capacitance of the gate insulating film of the blue sub-pixel> the capacitance of the gate insulating film of the red sub-pixel> the gate insulation of the green sub-pixel. The capacity of the film.

なお、発光層の発光材料によっては、発光効率が最も高い色、例えば、緑色と、発光効率が次に高い色、例えば、赤色副画素のゲート絶縁膜の膜厚が同じであって、発光効率が最も低い色、例えば、青色副画素のゲート絶縁膜の膜厚だけが薄くても良い。 Depending on the light emitting material of the light emitting layer, the color with the highest light emission efficiency, for example, green, and the color with the next highest light emission efficiency, for example, the gate insulating film thickness of the red subpixel are the same. However, only the thickness of the gate insulating film of the blue subpixel may be thin.

さらに、発光効率が最も低い色、例えば、青色と、発光効率が次に低い色、例えば、赤色副画素のゲート絶縁膜の膜厚が同じであって、発光効率が最も高い色、例えば、緑色副画素のゲート絶縁膜の膜厚だけが厚くても、効果が得られる。 Furthermore, the color with the lowest light emission efficiency, for example, blue, and the color with the next lowest light emission efficiency, for example, the same color as the gate insulating film of the red subpixel, and the color with the highest light emission efficiency, for example, green Even if only the gate insulating film of the sub-pixel is thick, the effect can be obtained.

ＲＧＢの各副画素に配置する発光材料の色度を考慮しなくても良い場合には、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜を上記の設計値にすることにより、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせることができる。 When it is not necessary to consider the chromaticity of the light-emitting material disposed in each RGB subpixel, the white balance is adjusted to CIE D65 by setting the gate insulating film of each RGB subpixel to the above design value. be able to.

（第２の例）
次に、第１の実施形態の他の一態様として、ＲＧＢの各副画素に配置する発光材料の発光効率及び色度を考慮し、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の膜厚を異なる厚さにすることによって、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせる場合を示す。 (Second example)
Next, as another aspect of the first embodiment, in consideration of the light emission efficiency and chromaticity of the light emitting material disposed in each RGB subpixel, the thickness of the gate insulating film of each RGB subpixel is set to a different thickness. The case where white balance is adjusted to CIE D65 will be shown.

ここでは、ＲＧＢの各副画素に配置する発光材料の色度をそれぞれＲ（０．６７，０．３３）、Ｇ（０．２９，０．７２）、Ｂ（０．１４，０．０９）とするが、この色度に限定されるわけではない。 Here, the chromaticities of the light emitting materials arranged in the RGB sub-pixels are R (0.67, 0.33), G (0.29, 0.72), and B (0.14, 0.09), respectively. However, the chromaticity is not limited to this.

ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせようとすると、各色を発光する有機ＥＬ素子に供給する電流値の比はＩ_r：Ｉ_g：Ｉ_b＝１７：２１：２３となる。なお、Ｒの電流量をＩ_r、Ｇの電流量をＩ_g、Ｂの電流量をＩ_bとする。 When the white balance is adjusted to CIE D65, the ratio of the current values supplied to the organic EL elements that emit light of each color is I _r : I _g : I _b = 17: 21: 23. Note that the current amount of R is I _r , the current amount of G is I _g , and the current amount of B is I _b .

そして、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせるように調整すると、例えば、赤色副画素のゲート絶縁膜の膜厚を１３５ｎｍとした場合、緑色副画素のゲート絶縁膜の膜厚は１１０ｎｍ、青色副画素のゲート絶縁膜の膜厚は１００ｎｍとなる。 When the white balance is adjusted to CIE D65, for example, when the thickness of the gate insulating film of the red subpixel is 135 nm, the thickness of the gate insulating film of the green subpixel is 110 nm, and the gate of the blue subpixel The thickness of the insulating film is 100 nm.

上記膜厚値で、ＲＧＢの各副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜近傍の断面図を図示したのが図５である。 FIG. 5 shows a cross-sectional view of the vicinity of the gate insulating film of the driving TFT of each of the RGB sub-pixels with the above film thickness values.

また、上記膜厚値で設計すると、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の容量は、青色副画素のゲート絶縁膜の容量＞緑色副画素のゲート絶縁膜の容量＞赤色副画素のゲート絶縁膜の容量、となる。 Further, when designed with the above film thickness values, the capacitance of the gate insulating film of each RGB sub-pixel is: the capacitance of the gate insulating film of the blue sub-pixel> the capacitance of the gate insulating film of the green sub-pixel> the gate insulating film of the red sub-pixel. Capacity.

ただし、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせることができれば、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の膜厚は、上記膜厚値でなくても良い。 However, as long as the white balance can be adjusted to CIE D65, the film thickness of the gate insulating film of each RGB sub-pixel may not be the above-described film thickness value.

なお、発光効率は材料によって異なるため、上記膜厚の順番は材料によって入れ替わることがある。また、ＲＧＢのうち、１つの副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚のみが、他の副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚と異なることもある。 Note that since the luminous efficiency varies depending on the material, the order of the film thickness may be changed depending on the material. Further, among RGB, only the thickness of the gate insulating film of the driving TFT of one subpixel may be different from the thickness of the gate insulating film of the driving TFT of another subpixel.

上記膜厚値の場合、プロセスの増加を考えると、緑色副画素のゲート絶縁膜の膜厚と青色副画素のゲート絶縁膜の膜厚はほぼ同じとして、二種類の膜厚でＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜を作る方が、上記ＲＧＢ材料の効率の面で好ましい。 In the case of the above film thickness values, considering the increase in the process, the thickness of the gate insulating film of the green subpixel and the thickness of the gate insulating film of the blue subpixel are almost the same, and each of the RGB subpixels has two types of film thicknesses. Making the gate insulating film of the pixel is preferable in terms of the efficiency of the RGB material.

（第２の実施形態）
次に、ＲＧＢのうち、少なくとも１つの副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜を他の副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜とは別に作り分ける本発明の他の好適な実施形態である第２の実施形態を示す。 (Second Embodiment)
Next, in RGB, another preferred embodiment of the present invention in which the gate insulating film of the driving TFT of at least one subpixel is separately formed from the gate insulating film of the driving TFT of the other subpixel among RGB. 2 shows an embodiment.

第２の実施形態は、ＲＧＢ全ての副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚を発光する色ごとに変えずに、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせる方法である。 The second embodiment is a method of adjusting white balance to CIE D65 without changing the film thickness of the gate insulating film of the driving TFTs of all RGB sub-pixels for each color to be emitted.

正確には、ＲＧＢのうち、少なくとも１つの副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率を、他の副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率と異なる値にすることによって、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせる方法である。 To be exact, by making the dielectric constant of the gate insulating film of the driving TFT of at least one subpixel of RGB different from the dielectric constant of the gate insulating film of the driving TFT of the other subpixel, CIE This is a method for adjusting white balance to D65.

第１の実施形態よりはプロセスが煩雑化するが、駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の物理的な膜厚を薄くすることによる駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜のリーク不良が生じにくくなる。 Although the process is more complicated than in the first embodiment, a leak failure of the gate insulating film of the driving TFT is less likely to occur by reducing the physical film thickness of the gate insulating film of the driving TFT.

第２の実施形態においては、ＲＧＢの各表示副画素に配置する発光材料の発光効率は第１の実施形態と同じとするが、第１の実施形態と同じ発光効率に限定されるわけではない。 In the second embodiment, the light emission efficiency of the light emitting material disposed in each RGB display subpixel is the same as that of the first embodiment, but is not limited to the same light emission efficiency as that of the first embodiment. .

（第１の例）
まず、第２の実施形態の一態様として、ＲＧＢの各副画素に配置する発光材料の発光効率のみを考慮し、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の誘電率を異なる値にすることによって、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせる場合を示す。 (First example)
First, as one aspect of the second embodiment, considering only the luminous efficiency of the luminescent material arranged in each RGB sub-pixel, the dielectric constant of the gate insulating film of each RGB sub-pixel is set to a different value, The case where white balance is adjusted to CIE D65 is shown.

前述のとおり、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の設計値は、発光効率の逆数に比例する。よって、ＲＧＢの各副画素に配置する発光材料の発光効率が高くなるほど、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の誘電率を小さくし、前記ゲート絶縁膜の容量も小さくする。 As described above, the design value of the gate insulating film of each RGB sub-pixel is proportional to the reciprocal of the light emission efficiency. Therefore, the higher the luminous efficiency of the light emitting material arranged in each RGB subpixel, the smaller the dielectric constant of the gate insulating film of each RGB subpixel and the smaller the capacitance of the gate insulating film.

このことから、Ｅ_g：Ｅ_r：Ｅ_b＝２０：１０：３．５の場合、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の誘電率は、青色副画素のゲート絶縁膜の誘電率＞赤色副画素のゲート絶縁膜の誘電率＞緑色副画素のゲート絶縁膜の誘電率、となる。 From this, when E _g : E _r : E _b = 20: 10: 3.5, the dielectric constant of the gate insulating film of each RGB subpixel is such that the dielectric constant of the gate insulating film of the blue subpixel> the red subpixel. The dielectric constant of the gate insulating film of the pixel> the dielectric constant of the gate insulating film of the green subpixel.

このとき、上記誘電率の関係から、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の容量は、青色副画素のゲート絶縁膜の容量＞赤色副画素のゲート絶縁膜の容量＞緑色副画素のゲート絶縁膜の容量、となる。 At this time, due to the above dielectric constant, the capacitance of the gate insulating film of each of the RGB sub-pixels is: the capacitance of the gate insulating film of the blue sub-pixel> the capacitance of the gate insulating film of the red sub-pixel> the gate insulating film of the green sub-pixel. Capacity.

なお、発光層の発光材料によっては、発光効率が最も高い色、例えば、緑色と、発光効率が次に高い色、例えば、赤色副画素のゲート絶縁膜の誘電率が同じであって、発光効率が最も低い色、例えば、青色副画素のゲート絶縁膜の誘電率だけが高くても良い。 Depending on the light-emitting material of the light-emitting layer, the color with the highest light emission efficiency, for example, green, and the color with the next highest light emission efficiency, for example, the dielectric constant of the gate insulating film of the red subpixel may be the same. May be the lowest color, for example, only the dielectric constant of the gate insulating film of the blue subpixel.

さらに、発光効率が最も低い色、例えば、青色と、発光効率が次に低い色、例えば、赤色副画素のゲート絶縁膜の誘電率が同じであって、発光効率が最も高い色、例えば、緑色副画素のゲート絶縁膜の誘電率だけが低くても、効果が得られる。 Furthermore, the color with the lowest light emission efficiency, for example, blue, and the color with the next lowest light emission efficiency, for example, the color having the same dielectric constant of the gate insulating film of the red subpixel and the highest light emission efficiency, for example, green Even if only the dielectric constant of the gate insulating film of the subpixel is low, the effect can be obtained.

（第２の例）
次に、第２の実施形態の他の一態様として、ＲＧＢの各副画素に配置する発光材料の発光効率及び色度を考慮し、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の誘電率を異なる値にすることによって、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせる場合を示す。 (Second example)
Next, as another aspect of the second embodiment, considering the luminous efficiency and chromaticity of the light emitting material disposed in each RGB subpixel, the dielectric constant of the gate insulating film of each RGB subpixel is set to a different value. This shows a case where white balance is adjusted to CIE D65.

そして、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせるように調整すると、例えば、赤色副画素のゲート絶縁膜の膜厚をＳｉＯ₂＝１００ｎｍとした場合は、緑色副画素のゲート絶縁膜の膜厚をＳｉＯ₂＝６０ｎｍ、ＳｉＮ＝４０ｎｍとする。 Then, when adjusting the white balance to CIE D65, for example, when the film thickness of the gate insulating film of the red subpixel is SiO ₂ = 100 nm, the film thickness of the gate insulating film of the green subpixel is SiO ₂ = 60 nm and SiN = 40 nm.

このとき、青色副画素のゲート絶縁膜の膜厚をＳｉＯ₂＝４０ｎｍ、ＳｉＮ＝６０ｎｍとすることでほぼ上記ＲＧＢの電流値を得られる。 At this time, by setting the film thickness of the gate insulating film of the blue subpixel to SiO ₂ = 40 nm and SiN = 60 nm, the above RGB current values can be obtained.

上記膜厚値で、ＲＧＢの各副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜近傍の断面図を図示したのが図７である。ここでの駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率はＳｉＯ₂を４．１、ＳｉＮを７．０とした。 FIG. 7 shows a cross-sectional view of the vicinity of the gate insulating film of the driving TFT of each of the RGB sub-pixels with the film thickness value. Here, the dielectric constant of the gate insulating film of the driving TFT is 4.1 for SiO ₂ and 7.0 for SiN.

誘電率が上記のとおり異なるＳｉＯ₂とＳｉＮを、上記膜厚値で積層することにより、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の誘電率は、青色副画素のゲート絶縁膜の誘電率＞緑色副画素のゲート絶縁膜の誘電率＞赤色副画素のゲート絶縁膜の誘電率、となる。 By laminating SiO ₂ and SiN having different dielectric constants as described above at the above film thickness values, the dielectric constant of the gate insulating film of each RGB sub-pixel is such that the dielectric constant of the gate insulating film of the blue sub-pixel> the green sub-pixel. Dielectric constant of the gate insulating film of the pixel> dielectric constant of the gate insulating film of the red subpixel.

また、このとき、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の容量は、青色副画素のゲート絶縁膜の容量＞緑色副画素のゲート絶縁膜の容量＞赤色副画素のゲート絶縁膜の容量、となる。 Further, at this time, the capacitance of the gate insulating film of each of the RGB sub-pixels becomes the capacitance of the gate insulating film of the blue sub-pixel> the capacitance of the gate insulating film of the green sub-pixel> the capacitance of the gate insulating film of the red sub-pixel. .

なお、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の誘電率は、赤色副画素のゲート絶縁膜の誘電率を基準として、緑色及び青色副画素のゲート絶縁膜の誘電率を決定した。 Note that the dielectric constant of the gate insulating film of each of the RGB subpixels was determined based on the dielectric constant of the gate insulating film of the red subpixel.

即ち、緑色及び青色副画素のゲート絶縁膜については、赤色副画素のゲート絶縁膜の誘電率を基準として、誘電率が異なるＳｉＯ₂とＳｉＮを積層し、これらの膜厚を変えることにより、決定したが、この方法に限らない。 That is, the gate insulating films of the green and blue sub-pixels are determined by stacking SiO ₂ and SiN having different dielectric constants based on the dielectric constant of the gate insulating film of the red sub-pixel and changing the film thicknesses thereof. However, it is not limited to this method.

そして、ＳｉＮの膜厚を変えたときのＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜の容量比を表した図が図８である。 FIG. 8 shows the capacitance ratio of the gate insulating film of each RGB subpixel when the film thickness of SiN is changed.

ただし、ＣＩＥＤ６５にホワイトバランスを合わせることができれば、ＳｉＯ₂及びＳｉＮの膜厚、ＳｉＯ₂及びＳｉＮの誘電率は、上記値でなくても良い。 However, if it is possible to adjust the white balance to CIE D65, SiO ₂ and SiN having a thickness of, SiO ₂ and the dielectric constant of the SiN may not be the value.

なお、発光効率は材料によって異なるため、上記誘電率の順番は材料によって入れ替わることがある。また、ＲＧＢのうち、１つの副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率のみが、他の副画素の駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の誘電率と異なることもある。 Note that since the luminous efficiency varies depending on the material, the order of the dielectric constants may be changed depending on the material. In addition, among RGB, only the dielectric constant of the gate insulating film of the driving TFT of one subpixel may be different from the dielectric constant of the gate insulating film of the driving TFT of another subpixel.

なお、このときのゲート絶縁膜について説明すると、シリコン窒化物膜は欠陥密度が多くシリコン界面と接しているとＴＦＴ特性を悪化させるので好ましくない。ゆえに、図７のように、シリコン酸化物膜の上にシリコン窒化膜がある積層構成が好ましい。 The gate insulating film at this time will be described. Since the silicon nitride film has a large defect density and is in contact with the silicon interface, the TFT characteristics are deteriorated, which is not preferable. Therefore, as shown in FIG. 7, a laminated structure in which a silicon nitride film is provided on a silicon oxide film is preferable.

以上から、本発明の実施形態について述べると、ＲＧＢの各副画素のゲート絶縁膜を各色の発光効率に応じて設計することにより、ＥＬ駆動電源の電流値を色ごとに調整して供給する必要がない。それらの各電圧を調整するとなると、回路構成が複雑になる。 From the above, the embodiment of the present invention will be described. It is necessary to adjust the current value of the EL drive power supply for each color by designing the gate insulating film of each RGB sub-pixel according to the light emission efficiency of each color. There is no. When these voltages are adjusted, the circuit configuration becomes complicated.

また、ＲＧＢの副画素のうち、少なくとも１つの副画素のゲート絶縁膜の膜厚または誘電率をその表示副画素に配置された発光素子の発光材料の発光効率に応じて他の副画素のゲート絶縁膜の膜厚または誘電率と異なる値にしている。 In addition, among the RGB subpixels, the gate insulating film thickness or dielectric constant of at least one subpixel is set according to the light emission efficiency of the light emitting material of the light emitting element arranged in the display subpixel. The value is different from the film thickness or dielectric constant of the insulating film.

こうすることにより、駆動電源からの電圧を色ごとに変えることによる回路構成の複雑化を防ぐことができる。 By doing so, it is possible to prevent the circuit configuration from becoming complicated by changing the voltage from the drive power supply for each color.

その上、シリコン層とゲートメタル層のレイアウト面積を大きくしなくてよいため、開口率の低下を防ぐことができる。さらに、低温ポリシリコンＴＦＴでは、高精細化を実現できる。 In addition, since it is not necessary to increase the layout area of the silicon layer and the gate metal layer, a decrease in the aperture ratio can be prevented. Further, high definition can be realized in the low temperature polysilicon TFT.

なお、本発明の実施形態では、駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚、誘電率のどちらか一方を色ごとに変えた実施形態を示したが、駆動用ＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚、誘電率の両方を色ごとに変えても良い。 In the embodiment of the present invention, an embodiment in which either the film thickness of the gate insulating film of the driving TFT or the dielectric constant is changed for each color is shown. However, the film thickness of the gate insulating film of the driving TFT, You may change both dielectric constants for every color.

また、本発明の実施形態として、同じ色の表示画素が上下方向に並んだストライプ構造にもとづいて説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、デルタ配列等においても同様の効果が得られる。 Further, the embodiment of the present invention has been described based on a stripe structure in which display pixels of the same color are arranged in the vertical direction. However, the present invention is not limited thereto, and the same effect can be obtained in a delta arrangement or the like. It is done.

なお、本発明の実施形態におけるＥＬ素子駆動用ＴＦＴとしては、ゲートメタルがゲート絶縁膜を介してシリコン層の上方に設けられたトップゲート構造を備えた場合を説明した。 As the EL element driving TFT in the embodiment of the present invention, the case where the gate metal is provided with the top gate structure provided above the silicon layer through the gate insulating film has been described.

しかしながら、本発明はゲートメタルがゲート絶縁膜の下方に設けられたいわゆるボトムゲート構造を備えた場合にも同様な効果が得られる。 However, the present invention can provide the same effect when a so-called bottom gate structure in which the gate metal is provided below the gate insulating film is provided.

さらに、本発明をＥＬ表示装置に応用したときのＲＧＢ副画素の等価回路は図３の回路に限定するものではない。 Furthermore, the equivalent circuit of RGB subpixels when the present invention is applied to an EL display device is not limited to the circuit of FIG.

他に自発光素子に電流を供給する期間を制御するスイッチング用薄膜トランジスタや各薄膜トランジスタの閾値電圧を補正するための薄膜トランジスタを含んでいても良い。 In addition, a switching thin film transistor for controlling a period during which a current is supplied to the self light emitting element and a thin film transistor for correcting a threshold voltage of each thin film transistor may be included.

また、スイッチング用薄膜トランジスタの場合、ゲート絶縁膜は必要なオン抵抗以下に設定されていればよく、表示画素によって異なっていても、同じでも本発明の効果に影響しない。 In the case of a switching thin film transistor, the gate insulating film only needs to be set to a required on-resistance or lower, and even if it differs depending on the display pixel, the effect of the present invention is not affected.

１０走査ライン
１１信号ライン
１２電源供給ライン
１３Ｒ赤色の表示副画素
１３Ｇ緑色の表示副画素
１３Ｂ青色の表示副画素
１４ソース
１５ドレイン
１６ゲート
１７活性層
１８ＥＬ表示装置
２０チャネル
２１ソース
２２ドレイン
２３Ａ−Ａ’の断面
３０スイッチング用ＴＦＴ
３１容量
３２駆動用ＴＦＴ
３３有機ＥＬ素子
３４ＧＮＤ
４０１基板
４０２下地層
４０３シリコン層
４０４ゲート絶縁膜
４０５ゲートメタル
４０６層間絶縁膜
４０７配線メタル
４０８平坦化絶縁膜
４０９アノード
４１０バンク
４１１ホール輸送層
４１２発光層
４１３電子輸送層
４１４カソード
５１Ｒ赤色の表示副画素の断面図
５１Ｇ緑色の表示副画素の断面図
５１Ｂ青色の表示副画素の断面図
６１Ｒ赤色の表示副画素の断面図
６１Ｇ緑色の表示副画素の断面図
６１Ｂ青色の表示副画素の断面図
７１Ｒ赤色の表示副画素の断面図
７１Ｇ緑色の表示副画素の断面図
７１Ｂ青色の表示副画素の断面図
７２シリコン酸化膜ゲート絶縁膜
７３シリコン窒化膜ゲート絶縁膜 10 scanning line 11 signal line 12 power supply line 13R red display subpixel 13G green display subpixel 13B blue display subpixel 14 source 15 drain 16 gate 17 active layer 18 EL display device 20 channel 21 source 22 drain 23 A- A 'cross-section 30 Switching TFT
31 Capacitor 32 Driving TFT
33 Organic EL element 34 GND
401 Substrate 402 Base layer 403 Silicon layer 404 Gate insulating film 405 Gate metal 406 Interlayer insulating film 407 Wiring metal 408 Flattening insulating film 409 Anode 410 Bank 411 Hole transport layer 412 Light emitting layer 413 Electron transport layer 414 Cathode 51R Red display subpixel Cross-sectional view 51G Cross-sectional view of green display sub-pixel 51B Cross-sectional view of blue display sub-pixel 61R Cross-sectional view of red display sub-pixel 61G Cross-sectional view of green display sub-pixel 61B Cross-sectional view of blue display sub-pixel 71R Red Cross-sectional view 71G of green display sub-pixel 71B Cross-sectional view of blue display sub-pixel 72 Silicon oxide gate insulating film 73 Silicon nitride gate insulating film

Claims

A light-emitting device including a light-emitting element and a thin-film transistor that supplies current to the light-emitting element, wherein the light-emitting element has three or more sub-pixels that emit different colors, and includes at least one of the three or more sub-pixels. A light-emitting device, wherein a capacity of a gate insulating film of a thin film transistor of one subpixel is different from a capacity of a gate insulating film of a thin film transistor of another subpixel.

The light emitting element has different light emission efficiency depending on the color of light to be emitted. The film thickness of the gate insulating film of the thin film transistor that supplies current to the light emitting element with low light emission efficiency is supplied to the light emitting element with high light emission efficiency. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is smaller than a thickness of a gate insulating film of the thin film transistor.

The light emitting element has different light emission efficiency depending on the color to emit light, and the thickness of the gate insulating film of the thin film transistor that supplies current to the light emitting element having a low current value when white balance is adjusted is set to white balance. The light emitting device according to claim 1, wherein the thickness of the gate insulating film of the thin film transistor that supplies a current to a light emitting element having a high current value when combined is made larger.

The light emitting element has different light emission efficiency depending on a color to emit light, and a current is supplied to a light emitting element having a high light emitting efficiency by using a dielectric constant of a gate insulating film of the thin film transistor that supplies current to the light emitting element having a low light emitting efficiency. 2. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device has a dielectric constant greater than that of a gate insulating film of the thin film transistor.

The light emitting elements have different luminous efficiencies depending on the colors to emit light, and when the white balance is adjusted, the dielectric constant of the gate insulating film of the thin film transistor that supplies current to the light emitting elements having a low current value is white balance. The light emitting device according to claim 1, wherein a dielectric constant of the gate insulating film of the thin film transistor that supplies current to a light emitting element that requires a high current value when combined is made smaller.

The light emitting device according to claim 1, wherein the gate insulating film of the thin film transistor is a silicon oxide film or a film in which silicon oxide and silicon nitride are stacked.