KR20070031707A - Organic Electro Luminescence Display Device - Google Patents

Organic Electro Luminescence Display Device Download PDF

Info

Publication number
KR20070031707A
KR20070031707A KR1020050086439A KR20050086439A KR20070031707A KR 20070031707 A KR20070031707 A KR 20070031707A KR 1020050086439 A KR1020050086439 A KR 1020050086439A KR 20050086439 A KR20050086439 A KR 20050086439A KR 20070031707 A KR20070031707 A KR 20070031707A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
subpixel
layer
anode electrode
organic
Prior art date
Application number
KR1020050086439A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
곽원규
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050086439A priority Critical patent/KR20070031707A/en
Publication of KR20070031707A publication Critical patent/KR20070031707A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

R, G, B 부화소의 발광 면적이 조율되는 유기 전계발광 표시장치를 개시한다. 즉, 유기 전계발광 표시장치는 각 화소에 존재하는 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않는 범위내에서 R 부화소 및 G 부화소의 발광 면적을 쪼개어 분할 배치함으로써, 각 R, G, B 부화소의 발광 수명을 일치시키고, 개구율의 향상에 따른 시인성 및 각 R, G, B 부화소의 동작 불능에 따른 암점 현상을 방지시킨다.An organic electroluminescent display device in which light emission areas of R, G, and B subpixels are tuned is disclosed. That is, in the organic electroluminescent display, the R, G, and B subpixels are divided by dividing the light emitting areas of the R subpixels and the G subpixels within the range not exceeding the light emitting regions of the B subpixels present in each pixel. The light emission lifespan is matched, and the visibility due to the improvement of the aperture ratio and the dark spot phenomenon due to the inoperability of each R, G, and B subpixels are prevented.

레드 부화소, 그린 부화소, 블루 부화소 Red subpixel, green subpixel, blue subpixel

Description

유기 전계발광 표시장치{Organic Electro Luminescence Display Device}Organic Electro Luminescence Display Device

도 1은 종래 기술에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating pixels of an organic light emitting display device according to the related art.

도 2은 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소를 도시한 평면도이다.2 is a plan view illustrating pixels of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 각 화소에 구성된 R 부화소, B 부화소 및 G 부화소를 소정의 축으로 절단시켜 도 3a, 도 3b, 도 3c과 같이 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating R subpixels, B subpixels, and G subpixels configured in each pixel according to an exemplary embodiment of the present invention, cut along a predetermined axis, as shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C.

본 발명은 유기 전계발광 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각 화소에 존재하는 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않는 범위내에서 각 R, G 부화소의 발광 면적을 쪼개어 분할 배치하여, 각 R, G, B 부화소의 발광 수명을 일치시키고, 개구율의 향상에 따른 시인성과 각 R, G, B 부화소의 동작 불능에 따른 암점을 방지시키는 유기 전계발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent display, and more particularly, the light emitting areas of each R and G subpixels are divided and arranged within the range not exceeding the light emitting regions of the B subpixels present in each pixel. The present invention relates to an organic electroluminescent display that matches the light emission life of R, G, and B subpixels, and prevents visibility due to improvement in aperture ratio and dark spots due to the inoperability of each R, G, and B subpixels.

일반적으로, 유기 전계발광 표시장치는 유리 기판 또는 투명한 유기 필름 위에 도포한 형광체에 전계를 인가하여 발광시키는 평면 자기 발광형 디스플레이이다. 전계발광(Electro Luminescence)이란 반도체로 이루어진 형광체에 전계가 인가될 때, 발광하는 현상을 가리킨다.In general, an organic electroluminescent display is a flat self-emission display that emits light by applying an electric field to a phosphor coated on a glass substrate or a transparent organic film. Electroluminescence refers to a phenomenon of emitting light when an electric field is applied to a phosphor made of a semiconductor.

최근, 경량, 박형 등의 특성으로 휴대용 정보기기에 액정표시장치 LCD와 유기 EL 표시장치 OLED 등이 많이 사용되고 있다. 유기 전계발광 표시장치는 액정표시장치에 비하여 휘도특성 및 시야각 특성이 우수하여 차세대 평판표시장치로 주목받고 있다.Recently, liquid crystal display LCDs and organic EL display OLEDs have been used for portable information devices due to their light weight and thinness. Organic electroluminescent display devices are attracting attention as next-generation flat panel display devices because they have better luminance and viewing angle characteristics than liquid crystal displays.

통상, 액티브 매트릭스 유기 전계발광 표시장치 AMOLED에 형성된 화소는 R, G, B 부화소로 구성되고, 각 R, G, B 부화소는 유기 전계발광 표시소자를 구비한다. 각 유기 전계발광 표시소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 각 R, G, B 유기발광층을 개재하고, 애노드 전극과 캐소드 전극에 인가되는 전압에 의해 R, G, B 유기발광층으로 형성된 유기막으로부터 소정의 광을 발광한다. Typically, pixels formed in the active matrix organic electroluminescent display AMOLED are composed of R, G, and B subpixels, and each of the R, G, and B subpixels includes an organic electroluminescent display element. Each organic electroluminescent display device is formed from an organic film formed of an R, G, B organic light emitting layer by a voltage applied to the anode electrode and the cathode electrode through each R, G, B organic light emitting layer between the anode electrode and the cathode electrode. Emits light.

또한, 액티브 매트릭스 유기 EL 표시장치 AMOLED는 전압 기입 방식(Voltage programming method) 또는 전류 기입 방식(Current programming method)을 사용하여 N*M 개의 유기 전계발광 표시소자들을 구동시킨다.In addition, the active matrix organic EL display device AMOLED drives the N * M organic electroluminescent display elements by using a voltage programming method or a current programming method.

도 1은 종래 기술에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating pixels of an organic light emitting display device according to the related art.

도 1를 참조하면, 유기 전계발광 표시장치에 형성된 화소는 각각의 R(Red : 100), G(Green : 110) 및 B(Blue : 120) 부화소로 이루어진다. 상기 R 부화소 (100), G 부화소(120) 및 B 부화소(130) 중에 발광 수명이 제일 짧은 부화소는 상기 B 부화소(120)이며, 그 다음으로는 G 부화소(110)이고 R 부화소(100)가 발광 수명이 제일 길다. 이에 따라, 상기 B 부화소(120)의 발광 면적을 가장 크게, G 부화소(110)의 발광 면적을 그 다음으로, R 부화소(100)의 발광 면적을 가장 작도록 설계된다. 상기 R, G, B 부화소(100,110,120)는 상기 R, G, B의 발광 수명이 일치되도록 상기 R, G, B의 발광 면적을 B 부화소(120)를 기준으로 G 부화소(110), R 부화소(100) 순으로 소정의 면적을 감소시켜 형성된다. Referring to FIG. 1, a pixel formed in an organic light emitting display device includes R (Red: 100), G (Green: 110), and B (Blue: 120) subpixels, respectively. Among the R subpixel 100, the G subpixel 120, and the B subpixel 130, the subpixel having the shortest light emission lifetime is the B subpixel 120, followed by the G subpixel 110. The R subpixel 100 has the longest light emission life. Accordingly, the light emitting area of the B subpixel 120 is the largest, the light emitting area of the G subpixel 110 is next, and the light emitting area of the R subpixel 100 is the smallest. The R, G, and B subpixels 100, 110, and 120 each have a light emission area of the R, G, and B sub-pixels, based on the B subpixel 120, so that the light emission lifetimes of the R, G, and B are matched. It is formed by decreasing a predetermined area in order of the R subpixel 100.

본 발명과 관련되고, 본 발명에 의해 해결되는 종래의 유기 전계발광 표시장치의 화소에 따른 문제점은 다음과 같다.The problems associated with the pixels of the conventional organic electroluminescent display device related to the present invention and solved by the present invention are as follows.

상기 유기 전계발광 표시장치에 형성된 화소는 각각의 R, G 및 B 부화소의 발광 수명을 일치시키기 위해 B 부화소의 발광 면적을 기준으로 G 부화소의 발광 면적 및 R 부화소의 발광 면적을 감소시킴으로 인해 R 부화소의 개구율과 G 부화소의 개구율이 낮아져 시인성이 감소되고, R, G 및 B 부화소 중에 어느 하나의 부화소가 작동 되지 못함으로 인한 암점이 발생되는 문제점이 있다.The pixel formed in the organic electroluminescent display reduces the light emitting area of the G subpixel and the light emitting area of the R subpixel based on the light emitting area of the B subpixel to match the light emission lifetime of each of the R, G, and B subpixels. As a result, the opening ratio of the R subpixel and the opening ratio of the G subpixel are lowered, thereby reducing visibility, and there is a problem in that dark spots are generated due to the failure of any one of the subpixels of the R, G, and B subpixels.

본 발명의 목적은 유기 전계발광 표시장치에 구비되는 각 화소에 존재하는 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않는 범위내에서 각 R, G 부화소의 발광 면적을 쪼개어 분할 배치함으로써, 각 R, G, B 부화소의 발광 수명을 일치시키고, 개구율의 향상에 따른 시인성 및 각 R, G, B 부화소의 동작 불능에 따른 암점을 방지시키는 것을 제공한다.An object of the present invention is to divide each of the R and G subpixels by dividing the light emitting areas of each of the R and G subpixels within a range not exceeding the light emitting region of the B subpixel present in each pixel of the organic electroluminescent display. To match the light emission life of the B subpixel, and to prevent visibility due to improvement of the aperture ratio and to prevent dark spots caused by the inoperability of each of the R, G, and B subpixels.

각각의 부화소의 발광을 제어하기 위한 능동 회로를 구비하는 유기 전계발광 표시장치에 있어서, 소정의 발광 영역내에 형성된 제 1 발광 면적을 통하여 청색광이 디스플레이되는 블루 부화소; 상기 제 1 발광 면적보다 작은 제 2 발광 면적을 통하여 녹색광이 디스플레이되는 그린 부화소; 및 상기 제 2 발광 면적보다 작은 제 3 발광 면적을 통하여 적색광이 디스플레이되는 레드 부화소를 포함하며,An organic electroluminescent display device having an active circuit for controlling light emission of each subpixel, comprising: a blue subpixel in which blue light is displayed through a first light emitting area formed in a predetermined light emitting area; A green subpixel displaying green light through a second light emitting area smaller than the first light emitting area; And a red subpixel in which red light is displayed through a third light emitting area smaller than the second light emitting area.

상기 레드 부화소의 발광 영역를 초과하지 않는 범위내에서 상기 그린 부화소의 제 2 발광 면적이 복수개로 쪼개져 분할 배치되고, 상기 레드 부화소의 제 3 발광 면적이 복수개로 쪼개져 분할 배치되는 화소를 구비하는 유기 전계발광 표시장치를 제공한다.And a pixel in which the second light emitting area of the green subpixel is divided into a plurality of parts and dividedly arranged within a range not exceeding the light emitting area of the red subpixel, and the third light emitting area of the red subpixel is divided into a plurality of parts. An organic electroluminescent display is provided.

이하, 본 발명의 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail with reference to the accompanying drawings of the present invention.

실시예Example

도 2은 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소를 도시한 평면도이다.2 is a plan view illustrating pixels of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 유기 전계발광 표시장치에 형성된 각각의 화소는 R(Red : 200), G(Green : 210) 및 B(Blue : 220) 부화소로 각각 구성되며 특히, 상기 각각의 R, G, B 소자 특성상 발광되는 수명은 각기 다르다.Referring to FIG. 2, each pixel formed in the organic electroluminescent display includes R (Red: 200), G (Green: 210), and B (Blue: 220) subpixels, respectively. Due to the characteristics of the G and B elements, the light emission lifetime is different.

즉, 상기 R 부화소(200), G 부화소(210) 및 B 부화소(220) 중에 발광 수명이 제일 짧은 부화소는 상기 B 부화소(220)이며, 그 다음으로는 G 부화소(210)이고 R 부화소(200)가 발광 수명이 제일 길다. 이에 따라, 상기 B 부화소(220)의 발광 면적을 가장 크게, G 부화소(210)의 발광 면적을 그 다음으로, R 부화소(200)의 발광 면적을 가장 작도록 분할하여 설계한다. 다시말해, 상기 각각의 R 부화소(200), G 부화소(210) 및 B 부화소(220)의 발광 수명은 서로 다르기 때문에 상기 R 부화소(200)의 발광 영역과 G 부화소(210)의 발광 영역이 B 부화소(220)의 소정의 발광 영역을 초과하지 못하는 범위내에서 상기 R 부화소(200), G 부화소(210)의 발광 면적을 분할하여 형성시킨다. That is, among the R subpixel 200, the G subpixel 210, and the B subpixel 220, the subpixel having the shortest light emission life is the B subpixel 220, and then the G subpixel 210. ) And the R subpixel 200 has the longest light emission life. Accordingly, the light emitting area of the B subpixel 220 is largest, the light emitting area of the G subpixel 210 is next divided, and the light emitting area of the R subpixel 200 is designed to be the smallest. In other words, since the light emission lifetimes of the R subpixels 200, G subpixels 210, and B subpixels 220 are different from each other, the emission region and the G subpixels 210 of the R subpixel 200 are different from each other. The light emitting regions of the R subpixels 200 and G subpixels 210 are formed by dividing the light emitting regions of the B subpixels 220 in a range not exceeding a predetermined light emitting region of the B subpixels 220.

즉, 상기 R 부화소(200), G 부화소(210) 및 B 부화소(220)의 발광 면적이 상기 B 부화소(220)의 발광 영역을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 군데로 분할되어 형성됨에 따라 상기 각각의 R 부화소(200)의 발광 수명, G 부화소(210)의 발광 수명 및 B 부화소(220)의 발광 수명은 일치된다.That is, since the light emitting areas of the R subpixel 200, the G subpixel 210, and the B subpixel 220 are divided into various places within the range not departing from the light emitting region of the B subpixel 220. Accordingly, the light emission lifetime of each R subpixel 200, the light emission lifetime of the G subpixel 210, and the light emission lifetime of the B subpixel 220 coincide with each other.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 각 화소에 구성된 R 부화소, B 부화소 및 G 부화소를 소정의 축으로 절단시켜 도 3a, 도 3b, 도 3c과 같이 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating R subpixels, B subpixels, and G subpixels configured in each pixel according to an exemplary embodiment of the present invention, cut along a predetermined axis, as shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C.

본 발명에 따른 유기 전계발광 표시장치는 이미 배치된 박막트랜지스터의 동작에 따른 능동 매트릭스 방식으로 구동된다.The organic electroluminescent display according to the present invention is driven in an active matrix manner according to the operation of a thin film transistor that is already disposed.

우선, 본 발명의 실시예에 따라 형성하는 제조 공정은 유리나 합성 수지 등으로 이루어진 기판을 구비하며, 상기 기판 상부로부터 유출되는 불순물을 막아주기 위해 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막/질화막(SiO2/SiNx)의 적 층막 중에 하나를 선택하여 버퍼층을 형성한다.First, the manufacturing process formed according to an embodiment of the present invention includes a substrate made of glass, synthetic resin, and the like, and to prevent impurities flowing out of the upper portion of the silicon oxide film, silicon nitride film, and silicon oxide film / nitride film (SiO 2 / SiNx). Select one of the laminated films to form a buffer layer.

단, 상기 버퍼층은 반드시 형성되어야 하는 것은 아니며, 선택적으로 형성하는 것이 바람직하다.However, the buffer layer is not necessarily formed, it is preferable to form selectively.

다음, 상기 기판 전면에 걸쳐 비정질 실리콘막을 도포하고 결정화시켜 폴리 실리콘막을 형성한 후, 상기 폴리 실리콘막을 패터닝하여 상기 박막트랜지서터부에 반도체층 패턴이 구비되게 하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성한다.Next, after the amorphous silicon film is coated and crystallized over the entire surface of the substrate to form a polysilicon film, the polysilicon film is patterned so that the semiconductor layer pattern is provided on the thin film transistor and the gate insulating film is formed on the entire surface of the substrate. do.

다음, 상기 게이트 절연막 상부에 상기 박막트랜지스터부에 정의된 상기 반도체층 패턴의 채널 영역과 대응되도록 게이트 전극 물질을 증착 및 패터닝하여 금속막 패턴을 형성하고 상기 금속막 패턴을 마스크로 하여 상기 박막트랜지스터부의 반도체층 패턴을 이온 도핑함으로써, 소스 영역과 드레인 영역을 정의한다.Next, a metal layer pattern is formed by depositing and patterning a gate electrode material on the gate insulating layer so as to correspond to the channel region of the semiconductor layer pattern defined in the thin film transistor unit, and using the metal layer pattern as a mask to form a metal layer pattern. By ion doping the semiconductor layer pattern, a source region and a drain region are defined.

여기서, 상기 게이트 전극 물질은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 이루어진다.The gate electrode material may be formed of at least one metal material among alloys including metal materials such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), or silver (Ag).

다음, 상기 기판 전면에 걸쳐 층간 절연막을 형성하고, 상기 박막트랜지스터부에서 층간 절연막과 게이터 절연막을 관통시켜 상기 반도체층 패턴의 소스 영역과 드레인 영역의 소정의 일부분이 노출되도록 콘택홀을 형성한다.Next, an interlayer insulating film is formed over the entire surface of the substrate, and a contact hole is formed in the thin film transistor portion so that a predetermined portion of the source region and the drain region of the semiconductor layer pattern are exposed.

다음, 상기 박막트랜지스터부에 콘택홀을 통하여 층간 절연막 상부와 반도체층 패턴의 소스/드레인 영역이 각각 연결되도록 소스/드레인 전극 물질을 증착하고 패터닝하여 소스/드레인 전극을 형성한다. Next, a source / drain electrode is formed by depositing and patterning a source / drain electrode material so that the upper portion of the interlayer insulating layer and the source / drain region of the semiconductor layer pattern are connected through the contact hole in the thin film transistor.

여기서, 상기 소스/드레인 전극 물질은 텡스텐(W), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 이루어진다.Here, the source / drain electrode material is made of at least one metal material among alloys including metal materials such as tungsten (W), molybdenum (Mo), aluminum (Al) or silver (Ag).

다음, 상기 박막트랜지스터부를 포함하는 상기 기판 전면에 걸쳐 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx) 및 이들의 적층막 중에 하나를 선택하여 패시베이션막(290)을 형성한다. 또한, 상기 패시베이션막 상부에 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐 수지(BCB), 폴리이미드 수지(PI), SOG(Spin On Glass), 아크릴레이트(Acrylate) 또는 폴리 페놀 수지 중에 적어도 하나의 유기막인 평탄화막을 형성한다.Next, a passivation film 290 is formed by selecting one of a silicon oxide film (SiO 2), a silicon nitride film (SiNx), and a stacked film over the entire surface of the substrate including the thin film transistor unit. In addition, a planarization film, which is at least one organic film among an acrylic resin, a benzocyclobutene resin (BCB), a polyimide resin (PI), a spin on glass (SOG), an acrylate (Acrylate), or a polyphenol resin, may be formed on the passivation layer. Form.

다음, 상기 박막트랜지스터부에 형성된 상기 평탄화막과 패시베이션막을 일괄 식각하여 상기 소스/드레인 전극의 일부분이 노출되도록 비어홀(310)을 형성하고, 상기 비어홀을 통하여 상기 소스/드레인 전극과 연결되도록 패터닝하여 제 1 전극을 형성한다.Next, the planarization layer and the passivation layer formed on the thin film transistor are collectively etched to form a via hole 310 to expose a portion of the source / drain electrode, and patterned to be connected to the source / drain electrode through the via hole. 1 electrode is formed.

도 3a는 화소에 구성된 R 부화소를 l-l'로 절단한 도면으로서 제 1 박막트랜지스터부(A)를 형성하고, 제 1 개구부(320), 제 2 개구부(330) 및 제 3 개구부(340)를 통하여 전면 발광되도록 도시한 단면도이다.FIG. 3A is a diagram illustrating an R subpixel formed in a pixel cut into l−1 ′ to form a first thin film transistor portion A, and includes a first opening 320, a second opening 330, and a third opening 340. The cross-sectional view is shown so that the entire surface through the light emitting.

도 3a를 참조하면, R 부화소의 발광 영역과 G 부화소의 발광 영역이 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않도록 형성된 화소를 다수개 구비하는 유기 전계발광 표시장치에 있어서, 상기 R 부화소는 상기 제 1 전극인 제 1 애노드 전극(300)이 형성된 기판 전면에 걸쳐 화소 분리층으로 사용되는 제 1 화소 정의막(310)을 도포 한 후, 패터닝하여 상기 제 1 애노드 전극(300)의 상부 표면의 일부가 노출되도록 제 1 개구부(320), 제 2 개구부(330) 및 제 3 개구부(340)를 형성한다. Referring to FIG. 3A, in an organic electroluminescent display device having a plurality of pixels formed such that the light emitting region of the R subpixel and the light emitting region of the G subpixel do not exceed the light emitting region of the B subpixel, the R subpixel may include a plurality of pixels. After applying the first pixel defining layer 310, which is used as the pixel isolation layer, over the entire surface of the substrate on which the first anode electrode 300, which is the first electrode, is formed, is patterned to form an upper surface of the first anode electrode 300. The first opening part 320, the second opening part 330, and the third opening part 340 are formed to expose part of the first opening part 320.

즉, 상기 제 1 개구부(320), 제 2 개구부(330) 및 제 3 개구부(340)는 모두 동일한 개구 범위를 가지며, 상기 제 1 화소 정의막(310)이 소정의 패턴으로 식각됨에 의해 다양한 형태를 갖는 개구부가 형성된다. That is, the first opening 320, the second opening 330, and the third opening 340 all have the same opening range, and various shapes are formed by etching the first pixel defining layer 310 in a predetermined pattern. An opening having is formed.

다음, 상기 R 부화소는 상기 제 1 개구부(320), 제 2 개구부(330) 및 제 3 개구부(340) 내에 노출된 상기 제 1 애노드 전극(320) 상부에 적색 발광층을 포함하는 제 1 유기막(350)을 형성한다. 따라서, 상기 유기막(350)은 상기 제 1 개구부(320), 제 2 개구부(330) 및 제 3 개구부(340) 내에 노출된 상기 제 1 애노드 전극(300)과 제 1 화소 정의막(310) 상부에 상기 게이트 전극 물질 또는 소스/드레인 전극 물질을 패턴 마스크하여 상기 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않도록 증착되어 형성된다. Next, the R subpixel includes a first organic layer including a red light emitting layer on the first anode electrode 320 exposed in the first opening 320, the second opening 330, and the third opening 340. To form 350. Accordingly, the organic layer 350 may include the first anode electrode 300 and the first pixel defining layer 310 exposed in the first opening 320, the second opening 330, and the third opening 340. The gate electrode material or the source / drain electrode material is pattern-masked thereon, and is deposited to not exceed the light emitting region of the B subpixel.

또한, 상기 R 부화소는 상기 제 1 애노드 전극(300) 및 제 1 화소 정의막(310) 상부에 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 형성된 패턴 마스크을 배치시켜 기판 전면에 걸쳐 상기 제 1 유기막(350)을 형성한다.In addition, the R subpixel may include tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), or silver (Ag) on the first anode electrode 300 and the first pixel defining layer 310. The first organic layer 350 is formed over the entire surface of the substrate by disposing a pattern mask formed of at least one metal material among an alloy including a metal material.

여기서, 소정의 유기 물질 또는 무기 물질을 증착시키기 위하여 상기 금속 물질로 패턴 마스크을 형성시켜 제조하는 공정 기법을 FMM(Fine Metal Mask)이라 한다.Here, a process technique of forming a pattern mask from the metal material to deposit a predetermined organic material or inorganic material is called a fine metal mask (FMM).

다음, 제 2 전극인 제 1 캐소드 전극(360)은 상기 FMM을 통하여 상기 B 부화 소의 발광 영역을 벗어나지 않는 범위내에서 상기 FMM을 통하여 상기 제 1 유기막(350)과 제 1 화소 정의막(310) 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 증착되어 형성된다.Next, the first cathode electrode 360, which is a second electrode, is disposed on the first organic layer 350 and the first pixel defining layer 310 through the FMM within a range not leaving the emission region of the B subpixel through the FMM. And is deposited over the entire surface of the substrate, including the top.

여기서, 상기 제 1 애노드 전극(300)을 형성하는 물질은 ITO 또는 IZO의 투명 전극이며, 상기 제 1 캐소드 전극(360)을 형성하는 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 이루어진다.Here, the material forming the first anode electrode 300 is a transparent electrode of ITO or IZO, the material forming the first cathode electrode 360 is a metal material such as magnesium (Mg), silver (Ag) It consists of at least one metallic material among the alloys (ally) it contains.

그리고, 상기 제 1 화소 정의막(310)은 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐 수지(BCB), 폴리이미드 수지(PI), SOG(Spin On Glass), 아크릴레이트(Acrylate) 또는 폴리 페놀 수지 중에 적어도 하나의 유기 물질로 이루어진다.The first pixel defining layer 310 may include at least one of an acrylic resin, a benzocyclobutene resin (BCB), a polyimide resin (PI), a spin on glass (SOG), an acrylate (acrylate), or a polyphenol resin. Made of organic materials.

도 3b는 화소에 구성된 G 부화소를 m-m'로 절단한 도면으로서 제 2 박막트랜지스터부(B)를 형성하고, 제 1 개구부(420) 및 제 2 개구부(430)를 통하여 전면 발광되도록 도시한 단면도이다.FIG. 3B is a view showing a G subpixel formed in a pixel cut in m-m 'to form a second thin film transistor portion B, and to emit light through the first opening 420 and the second opening 430. One cross section.

도 3b를 참조하면, R 부화소의 발광 영역과 G 부화소의 발광 영역이 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않도록 형성된 화소를 다수개 구비하는 유기 전계발광 표시장치에 있어서, 상기 G 부화소는 제 1 전극인 제 2 애노드 전극(400)이 형성된 기판 전면에 걸쳐 화소 분리층으로 사용되는 제 2 화소 정의막(410)을 도포한 후, 패터닝하여 상기 제 2 애노드 전극(400)의 상부 표면의 일부가 노출되도록 제 1 개구부(420) 및 제 2 개구부(430)를 형성한다. Referring to FIG. 3B, in the organic electroluminescent display device including a plurality of pixels formed such that the light emitting region of the R subpixel and the light emitting region of the G subpixel do not exceed the light emitting region of the B subpixel, the G subpixel is configured as follows. The second pixel defining layer 410 used as the pixel isolation layer is applied over the entire surface of the substrate on which the second anode electrode 400 is formed, and then patterned to form an upper surface of the second anode electrode 400. The first opening 420 and the second opening 430 are formed to expose a portion thereof.

즉, 상기 제 1 개구부(420) 및 제 2 개구부(430)는 모두 동일한 개구 범위를 가지며, 상기 제 1 화소 정의막(410)이 소정의 패턴으로 식각됨에 의해 다양한 형태를 갖는 개구부가 형성된다. That is, the first opening 420 and the second opening 430 both have the same opening range, and the openings having various shapes are formed by etching the first pixel defining layer 410 in a predetermined pattern.

다음, 상기 G 부화소는 상기 제 1 개구부(420) 및 제 2 개구부(430) 내에 노출된 상기 제 2 애노드 전극(400) 상부에 녹색 발광층을 포함하는 제 2 유기막(440)을 형성한다. 따라서, 상기 제 2 유기막(440)은 상기 제 1 개구부(420) 및 제 2 개구부(430) 내에 노출된 상기 제 2 애노드 전극(400)과 제 2 화소 정의막(410) 상부에 상기 게이트 전극 물질 또는 소스/드레인 전극 물질을 패턴 마스크하여 상기 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않도록 증착되어 형성된다. Next, the G subpixel forms a second organic layer 440 including a green light emitting layer on the second anode electrode 400 exposed in the first opening 420 and the second opening 430. Accordingly, the second organic layer 440 is disposed on the second anode electrode 400 and the second pixel defining layer 410 exposed in the first opening 420 and the second opening 430. A pattern mask is formed on the material or the source / drain electrode material so as not to exceed the light emitting region of the B subpixel.

또한, 상기 G 부화소는 상기 제 2 애노드 전극(400) 및 제 2 화소 정의막(410) 상부에 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 형성된 패턴 마스크을 배치시켜 기판 전면에 걸쳐 상기 제 2 유기막(440)을 형성한다.In addition, the G subpixel may include tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), or silver (Ag) on the second anode electrode 400 and the second pixel defining layer 410. The second organic layer 440 is formed over the entire surface of the substrate by disposing a pattern mask formed of at least one metal material among an alloy including a metal material.

여기서, 소정의 유기 물질 또는 무기 물질을 증착시키기 위하여 상기 금속 물질로 패턴 마스크을 형성시켜 제조하는 공정 기법을 FMM(Fine Metal Mask)이라 한다.Here, a process technique of forming a pattern mask from the metal material to deposit a predetermined organic material or inorganic material is called a fine metal mask (FMM).

다음, 제 2 전극인 제 2 캐소드 전극(450)은 상기 FMM을 통하여 상기 B 부화소의 발광 영역을 벗어나지 않는 범위내에서 상기 FMM을 통하여 상기 제 2 유기막(440)과 제 2 화소 정의막(410) 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 증착되어 형성된다.Next, the second cathode electrode 450, which is a second electrode, passes through the second organic layer 440 and the second pixel defining layer through the FMM within a range not leaving the emission region of the B subpixel through the FMM. 410 is formed over the entire surface of the substrate including an upper portion.

여기서, 상기 제 2 애노드 전극(400)을 형성하는 물질은 ITO 또는 IZO의 투 명 전극이며, 상기 제 2 캐소드 전극(450)을 형성하는 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 이루어진다.Here, the material forming the second anode electrode 400 is a transparent electrode of ITO or IZO, the material forming the second cathode electrode 450 is a metal material such as magnesium (Mg), silver (Ag) It is made of at least one metal material among the alloy (ally) comprising a.

그리고, 상기 제 2 화소 정의막(410)은 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐 수지(BCB), 폴리이미드 수지(PI), SOG(Spin On Glass), 아크릴레이트(Acrylate) 또는 폴리 페놀 수지 중에 적어도 하나의 유기 물질로 이루어진다.The second pixel defining layer 410 may include at least one of an acrylic resin, a benzocyclobutene resin (BCB), a polyimide resin (PI), a spin on glass (SOG), an acrylate (acrylate), or a polyphenol resin. Made of organic materials.

도 3c는 화소에 구성된 B 부화소를 n-n'로 절단한 도면으로서 제 3 박막트랜지스터부(C)를 형성하고, 소정의 개구부(520)를 통하여 전면 발광되도록 도시한 단면도이다.FIG. 3C is a cross-sectional view of the B subpixel configured in the pixel as n-n 'to form a third thin film transistor portion C, and emit light at full surface through a predetermined opening 520.

도 3c를 참조하면, R 부화소의 발광 영역과 G 부화소의 발광 영역이 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않도록 형성된 화소를 다수개 구비하는 유기 전계발광 표시장치에 있어서, 상기 B 부화소는 제 1 전극인 제 3 애노드 전극(500)이 형성된 기판 전면에 걸쳐 화소 분리층으로 사용되는 제 3 화소 정의막(510)을 도포한 후, 패터닝하여 상기 제 3 애노드 전극(500)의 상부 표면의 일부가 노출되도록 소정의 개구부(520)를 형성한다. Referring to FIG. 3C, in the organic electroluminescent display device including a plurality of pixels formed such that the light emitting region of the R subpixel and the light emitting region of the G subpixel do not exceed the light emitting region of the B subpixel, the B subpixel may include a plurality of pixels. A third pixel defining layer 510, which is used as a pixel isolation layer, is coated over the entire surface of the substrate on which the third anode electrode 500, which is the first electrode, is formed, and then patterned to form an upper surface of the third anode electrode 500. The opening 520 is formed to expose a part of the opening.

즉, 상기 개구부(520)는 모두 동일한 개구 범위을 가지며, 상기 제 3 화소 정의막(510)이 소정의 패턴으로 식각됨에 의해 다양한 형태를 갖는 개구부가 형성된다. That is, all of the openings 520 have the same opening range, and the openings having various shapes are formed by etching the third pixel defining layer 510 in a predetermined pattern.

다음, 상기 B 부화소는 상기 개구부(520) 내에 노출된 상기 제 3 애노드 전극(500) 상부에 청색 발광층을 포함하는 제 3 유기막(530)을 형성한다. 따라서, 상 기 제 3 유기막(530)은 상기 개구부(520)내에 노출된 상기 제 3 애노드 전극(500)과 제 3 화소 정의막(510) 상부에 상기 게이트 전극 물질 또는 소스/드레인 전극 물질을 패턴 마스크하여 소정의 발광 영역을 초과하지 않도록 증착되어 형성된다. Next, the sub-pixel B forms a third organic layer 530 including a blue light emitting layer on the third anode electrode 500 exposed in the opening 520. Accordingly, the third organic layer 530 may include the gate electrode material or the source / drain electrode material on the third anode electrode 500 and the third pixel defining layer 510 exposed in the opening 520. It is formed by depositing a pattern mask so as not to exceed a predetermined light emitting area.

또한, 상기 B 부화소는 상기 제 3 애노드 전극(500) 및 제 3 화소 정의막(510) 상부에 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 형성된 패턴 마스크을 배치시켜 기판 전면에 걸쳐 상기 제 3 유기막(530)을 형성한다.In addition, the B subpixel may include tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), or silver (Ag) on the third anode electrode 500 and the third pixel defining layer 510. The third organic layer 530 is formed over the entire surface of the substrate by disposing a pattern mask formed of at least one metal material in an alloy including a metal material.

여기서, 소정의 유기 물질 또는 무기 물질을 증착시키기 위하여 상기 금속 물질로 패턴 마스크을 형성시켜 제조하는 공정 기법을 FMM(Fine Metal Mask)이라 한다.Here, a process technique of forming a pattern mask from the metal material to deposit a predetermined organic material or inorganic material is called a fine metal mask (FMM).

다음, 제 2 전극인 제 3 캐소드 전극(540)은 상기 FMM을 통하여 상기 소정의 발광 영역을 벗어나지 않는 범위내에서 상기 FMM을 통하여 상기 제 3 유기막(530)과 제 3 화소 정의막(510) 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 증착되어 형성된다.Next, the third cathode electrode 540, which is a second electrode, has the third organic layer 530 and the third pixel defining layer 510 through the FMM within a range not leaving the predetermined emission region through the FMM. It is deposited and formed over the entire surface of the substrate including the top.

여기서, 상기 제 3 애노드 전극(500)을 형성하는 물질은 ITO 또는 IZO의 투명 전극이며, 상기 제 3 캐소드 전극(540)을 형성하는 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 이루어진다.Here, the material forming the third anode electrode 500 is a transparent electrode of ITO or IZO, the material forming the third cathode electrode 540 is a metal material such as magnesium (Mg), silver (Ag) It consists of at least one metallic material among the alloys (ally) it contains.

그리고, 상기 제 3 화소 정의막(510)은 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐 수지(BCB), 폴리이미드 수지(PI), SOG(Spin On Glass), 아크릴레이트(Acrylate) 또는 폴리 페놀 수지 중에 적어도 하나의 유기 물질로 이루어진다.The third pixel defining layer 510 may include at least one of an acrylic resin, a benzocyclobutene resin (BCB), a polyimide resin (PI), a spin on glass (SOG), an acrylate (acrylate), or a polyphenol resin. Made of organic materials.

본 발명의 실시예에서는 상기 R 부화소에 형성된 개구부를 3개, G 부화소에 형성된 개구부를 2개, B 부화소에 형성된 개구부를 1개로 한정시켜 기술하였으나 이에 국한되지 않고, 상기 R 부화소의 개구부를 3개 이상, G 부화소의 개구부를 2개 이상, B 부화소의 개구부를 1개 이상으로 형성될 수 있음에 유의한다.In the exemplary embodiment of the present invention, the openings formed in the R subpixel are limited to three openings, the openings formed in the G subpixel, and the openings formed in the B subpixel are limited to one, but the present invention is not limited thereto. Note that three or more openings, two or more openings of the G subpixel, and one or more openings of the B subpixel may be formed.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. It will be appreciated.

상술한 본 발명에 따르면, 유기 전계발광 표시장치는 각 화소에 존재하는 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않는 범위내에서 각 R, G 부화소의 발광 면적을 쪼개어 분할 배치함으로써, 각 R, G, B 부화소의 발광 수명을 일치시키고, 개구율의 향상에 따른 시인성 및 각 R, G, B 부화소의 동작 불능에 따른 암점을 방지시키는 효과를 준다.According to the present invention described above, the organic electroluminescent display device divides the light emitting area of each of the R and G subpixels in a range not exceeding the light emitting region of the B subpixel present in each pixel, thereby dividing and arranging each of the R and G subpixels. , The light emission life of the B subpixel is matched, and the visibility is improved due to the improvement of the aperture ratio, and the effect of preventing dark spots due to the inoperability of each of the R, G, and B subpixels.

Claims (11)

각각의 부화소의 발광을 제어하기 위한 능동 회로를 구비하는 유기 전계발광 표시장치에 있어서,An organic electroluminescent display device having an active circuit for controlling light emission of each subpixel, 소정의 발광 영역내에 형성된 제 1 발광 면적을 통하여 청색광이 디스플레이되는 블루 부화소;A blue subpixel in which blue light is displayed through a first light emitting area formed in a predetermined light emitting area; 상기 제 1 발광 면적보다 작은 제 2 발광 면적을 통하여 녹색광이 디스플레이되는 그린 부화소; 및A green subpixel displaying green light through a second light emitting area smaller than the first light emitting area; And 상기 제 2 발광 면적보다 작은 제 3 발광 면적을 통하여 적색광이 디스플레이되는 레드 부화소를 포함하며,A red subpixel displaying red light through a third light emitting area smaller than the second light emitting area, 상기 레드 부화소의 발광 영역를 초과하지 않는 범위내에서 상기 그린 부화소의 제 2 발광 면적이 복수개로 쪼개져 분할 배치되고, 상기 레드 부화소의 제 3 발광 면적이 복수개로 쪼개져 분할 배치되는 화소를 구비하는 유기 전계발광 표시장치.And a pixel in which the second light emitting area of the green subpixel is divided into a plurality of parts and dividedly arranged within a range not exceeding the light emitting area of the red subpixel, and the third light emitting area of the red subpixel is divided into a plurality of parts. Organic electroluminescent display. 제 1 항에 있어서, 상기 레드 부화소는,The method of claim 1, wherein the red subpixel, 기판;Board; 상기 기판 상에 형성되는 제 1 박막트랜지스터부;A first thin film transistor unit formed on the substrate; 상기 제 1 박막트랜지스터부 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성되는 제 1 패시베이션막;A first passivation film formed over an entire surface of the substrate including an upper portion of the first thin film transistor portion; 상기 제 1 패시베이션막을 관통하는 비어홀을 통하여 상기 제 1 박막트랜지스터부에 형성된 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 전극에 연결되는 제 1 애노드 전극;A first anode electrode connected to any one of a source / drain electrode formed in the first thin film transistor portion through a via hole passing through the first passivation layer; 상기 제 1 애노드 전극의 일부가 노출되는 3개 이상의 개구부들을 가지는 제 1 화소 정의막;A first pixel defining layer having three or more openings through which a portion of the first anode electrode is exposed; 상기 3개 이상의 개구부들에 노출된 제 1 애노드 전극 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 적색 발광층으로 형성되는 제 1 유기막; 및A first organic layer formed of a red light emitting layer over an entire surface of the substrate including an upper portion of the first anode electrode exposed to the three or more openings; And 상기 제 1 유기막 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성하는 제 1 캐소드 전극으로 이루어진 레드 부화소를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치.And a red subpixel formed of a first cathode electrode formed over an entire surface of the substrate including an upper portion of the first organic layer. 제 2 항에 있어서, 상기 3개 이상의 개구부들은 실질적으로 서로 동일한 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치.The organic electroluminescent display device according to claim 2, wherein the three or more openings have substantially the same shape. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 유기막은 상기 제 1 애노드 전극 상부와 제 1 화소 정의막 상부에 배치된 패턴 마스크를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치.The organic light emitting display device of claim 3, wherein the first organic layer is formed using a pattern mask disposed on the first anode electrode and the first pixel defining layer. 제 1 항에 있어서, 상기 그린 부화소는,The method of claim 1, wherein the green subpixel, 기판;Board; 상기 기판 상에 형성되는 제 2 박막트랜지스터부;A second thin film transistor unit formed on the substrate; 상기 제 2 박막트랜지스터부 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성되는 제 2 패시베이션막;A second passivation film formed over an entire surface of the substrate including an upper portion of the second thin film transistor portion; 상기 제 2 패시베이션막 상부를 관통하는 비어홀을 통하여 상기 제 2 박막트랜지스터부에 형성된 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 전극에 연결되는 제 2 애노드 전극;A second anode electrode connected to any one of a source / drain electrode formed on the second thin film transistor through a via hole penetrating the second passivation layer; 상기 제 2 애노드 전극의 일부가 노출되도록 2개 이상의 개구부들을 형성하는 제 2 화소 정의막;A second pixel defining layer forming two or more openings to expose a portion of the second anode electrode; 상기 2개 이상의 개구부들에 노출된 제 2 애노드 전극 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 녹색 발광층으로 형성되는 제 2 유기막; 및A second organic layer formed of a green light emitting layer over an entire surface of the substrate including an upper portion of the second anode electrode exposed to the at least two openings; And 상기 제 2 유기막 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성하는 제 2 캐소드 전극으로 이루어진 그린 부화소를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치.And a green subpixel formed of a second cathode electrode formed over an entire surface of the substrate including an upper portion of the second organic layer. 제 5 항에 있어서, 상기 2개 이상의 개구부들은 실질적으로 서로 동일한 형 태를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치.The organic light emitting display device of claim 5, wherein the two or more openings have substantially the same shape. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 유기막은 상기 제 2 애노드 전극 상부와 제 2 화소 정의막 상부에 배치된 패턴 마스크를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치.The organic light emitting display device of claim 6, wherein the second organic layer is formed using a pattern mask disposed on the second anode electrode and on the second pixel defining layer. 제 1 항에 있어서, 상기 블루 부화소는,The method of claim 1, wherein the blue subpixel, 기판;Board; 상기 기판 상에 형성되는 제 3 박막트랜지스터부;A third thin film transistor unit formed on the substrate; 상기 제 3 박막트랜지스터부 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성되는 제 3 패시베이션막;A third passivation film formed over an entire surface of the substrate including an upper portion of the third thin film transistor portion; 상기 제 3 패시베이션막 상부를 관통하는 비어홀을 통하여 상기 제 3 박막트랜지스터부에 형성된 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 전극에 연결되는 제 3 애노드 전극;A third anode electrode connected to any one of source / drain electrodes formed on the third thin film transistor through a via hole penetrating the third passivation layer; 상기 제 3 애노드 전극의 일부가 노출되도록 소정의 개구부를 형성하는 제 3 화소 정의막;A third pixel defining layer forming a predetermined opening so that a portion of the third anode electrode is exposed; 상기 개구부에 노출된 제 3 애노드 전극 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 청색 발광층으로 형성되는 제 3 유기막; 및A third organic layer formed of a blue light emitting layer over an entire surface of the substrate including an upper portion of the third anode electrode exposed through the opening; And 상기 제 3 유기막 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성하는 제 3 캐소드 전극으로 이루어진 블루 부화소를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치.And a blue subpixel formed of a third cathode electrode formed over an entire surface of the substrate including an upper portion of the third organic layer. 제 8 항에 있어서, 상기 개구부는 상기 제 3 화소 정의막을 소정의 패턴으로 식각시켜 여러 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치.The organic light emitting display device of claim 8, wherein the opening is formed in various shapes by etching the third pixel defining layer in a predetermined pattern. 제 9 항에 있어서, 상기 제 3 유기막은 상기 제 3 애노드 전극 상부와 제 3 화소 정의막 상부에 배치된 패턴 마스크를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치.The organic light emitting display device of claim 9, wherein the third organic layer is formed using a pattern mask disposed on the third anode electrode and on the third pixel defining layer. 제 4 항, 제 7 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 패턴 마스크는 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치.The alloy of claim 4, 7 or 10, wherein the pattern mask comprises a metal material such as tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al) or silver (Ag). and at least one metallic material among (ally).
KR1020050086439A 2005-09-15 2005-09-15 Organic Electro Luminescence Display Device KR20070031707A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050086439A KR20070031707A (en) 2005-09-15 2005-09-15 Organic Electro Luminescence Display Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050086439A KR20070031707A (en) 2005-09-15 2005-09-15 Organic Electro Luminescence Display Device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070031707A true KR20070031707A (en) 2007-03-20

Family

ID=43655920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050086439A KR20070031707A (en) 2005-09-15 2005-09-15 Organic Electro Luminescence Display Device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070031707A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110041704A (en) * 2009-10-16 2011-04-22 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR20130010444A (en) * 2011-07-18 2013-01-28 유니버셜 디스플레이 코포레이션 Rgbw oled display for extended lifetime and reduced power consumption
US8598784B2 (en) 2011-06-30 2013-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device with substantially polygonal sub-pixles
KR20190005953A (en) * 2016-06-15 2019-01-16 가부시키가이샤 제이올레드 Display and electronic devices

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110041704A (en) * 2009-10-16 2011-04-22 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
US8598784B2 (en) 2011-06-30 2013-12-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device with substantially polygonal sub-pixles
US9307584B2 (en) 2011-06-30 2016-04-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device with substantially polygonal sub-pixels
US9653521B2 (en) 2011-06-30 2017-05-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device with substantially polygonal sub-pixels
KR20130010444A (en) * 2011-07-18 2013-01-28 유니버셜 디스플레이 코포레이션 Rgbw oled display for extended lifetime and reduced power consumption
KR20190005953A (en) * 2016-06-15 2019-01-16 가부시키가이샤 제이올레드 Display and electronic devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11818921B2 (en) Thin film transistor array substrate and organic light-emitting display device including the same
CN108172597B (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
KR101415794B1 (en) Organic Light Emitting Display and fabrication method thereof
US8963137B2 (en) Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
US8866706B2 (en) Organic electroluminescent display device and manufacturing method of the same
US8729538B2 (en) Organic light emitting diode device and method for fabricating the same
JP4260126B2 (en) Color organic EL display device
US20130056784A1 (en) Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same
KR101649225B1 (en) Organic Light Emitting Display Device and Method for fabricating the same
JP2008300367A (en) Color organic el display device
KR20060023180A (en) Organic electroluminescence panel and manufacturing method thereof
KR100721949B1 (en) Organic Electroluminescent Display Device
US11563067B2 (en) Display device with improved aperture ratio and transmissivity
JP2004101948A (en) Display device and its manufacturing method
KR101552985B1 (en) Organic Light Emitting Display Device and Method for fabricating the same
KR101978779B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same
KR20090058283A (en) Organcic electro-luminescence dispaly and manufacturing method thereof
KR20070031707A (en) Organic Electro Luminescence Display Device
KR102420487B1 (en) Luminescence dispaly panel
KR102355605B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Device and Method of Fabricating the Same
KR101450892B1 (en) Organic Light Emitting Display
KR102294170B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Device and Method of Fabricating the Same
US8710508B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
KR100721945B1 (en) Organic Electro Luminescence Display Device
KR20130031099A (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application