KR20070031707A - Organic Electro Luminescence Display Device - Google Patents
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Abstract
R, G, B 부화소의 발광 면적이 조율되는 유기 전계발광 표시장치를 개시한다. 즉, 유기 전계발광 표시장치는 각 화소에 존재하는 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않는 범위내에서 R 부화소 및 G 부화소의 발광 면적을 쪼개어 분할 배치함으로써, 각 R, G, B 부화소의 발광 수명을 일치시키고, 개구율의 향상에 따른 시인성 및 각 R, G, B 부화소의 동작 불능에 따른 암점 현상을 방지시킨다.An organic electroluminescent display device in which light emission areas of R, G, and B subpixels are tuned is disclosed. That is, in the organic electroluminescent display, the R, G, and B subpixels are divided by dividing the light emitting areas of the R subpixels and the G subpixels within the range not exceeding the light emitting regions of the B subpixels present in each pixel. The light emission lifespan is matched, and the visibility due to the improvement of the aperture ratio and the dark spot phenomenon due to the inoperability of each R, G, and B subpixels are prevented.
레드 부화소, 그린 부화소, 블루 부화소 Red subpixel, green subpixel, blue subpixel
Description
도 1은 종래 기술에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating pixels of an organic light emitting display device according to the related art.
도 2은 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소를 도시한 평면도이다.2 is a plan view illustrating pixels of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 각 화소에 구성된 R 부화소, B 부화소 및 G 부화소를 소정의 축으로 절단시켜 도 3a, 도 3b, 도 3c과 같이 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating R subpixels, B subpixels, and G subpixels configured in each pixel according to an exemplary embodiment of the present invention, cut along a predetermined axis, as shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C.
본 발명은 유기 전계발광 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각 화소에 존재하는 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않는 범위내에서 각 R, G 부화소의 발광 면적을 쪼개어 분할 배치하여, 각 R, G, B 부화소의 발광 수명을 일치시키고, 개구율의 향상에 따른 시인성과 각 R, G, B 부화소의 동작 불능에 따른 암점을 방지시키는 유기 전계발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent display, and more particularly, the light emitting areas of each R and G subpixels are divided and arranged within the range not exceeding the light emitting regions of the B subpixels present in each pixel. The present invention relates to an organic electroluminescent display that matches the light emission life of R, G, and B subpixels, and prevents visibility due to improvement in aperture ratio and dark spots due to the inoperability of each R, G, and B subpixels.
일반적으로, 유기 전계발광 표시장치는 유리 기판 또는 투명한 유기 필름 위에 도포한 형광체에 전계를 인가하여 발광시키는 평면 자기 발광형 디스플레이이다. 전계발광(Electro Luminescence)이란 반도체로 이루어진 형광체에 전계가 인가될 때, 발광하는 현상을 가리킨다.In general, an organic electroluminescent display is a flat self-emission display that emits light by applying an electric field to a phosphor coated on a glass substrate or a transparent organic film. Electroluminescence refers to a phenomenon of emitting light when an electric field is applied to a phosphor made of a semiconductor.
최근, 경량, 박형 등의 특성으로 휴대용 정보기기에 액정표시장치 LCD와 유기 EL 표시장치 OLED 등이 많이 사용되고 있다. 유기 전계발광 표시장치는 액정표시장치에 비하여 휘도특성 및 시야각 특성이 우수하여 차세대 평판표시장치로 주목받고 있다.Recently, liquid crystal display LCDs and organic EL display OLEDs have been used for portable information devices due to their light weight and thinness. Organic electroluminescent display devices are attracting attention as next-generation flat panel display devices because they have better luminance and viewing angle characteristics than liquid crystal displays.
통상, 액티브 매트릭스 유기 전계발광 표시장치 AMOLED에 형성된 화소는 R, G, B 부화소로 구성되고, 각 R, G, B 부화소는 유기 전계발광 표시소자를 구비한다. 각 유기 전계발광 표시소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 각 R, G, B 유기발광층을 개재하고, 애노드 전극과 캐소드 전극에 인가되는 전압에 의해 R, G, B 유기발광층으로 형성된 유기막으로부터 소정의 광을 발광한다. Typically, pixels formed in the active matrix organic electroluminescent display AMOLED are composed of R, G, and B subpixels, and each of the R, G, and B subpixels includes an organic electroluminescent display element. Each organic electroluminescent display device is formed from an organic film formed of an R, G, B organic light emitting layer by a voltage applied to the anode electrode and the cathode electrode through each R, G, B organic light emitting layer between the anode electrode and the cathode electrode. Emits light.
또한, 액티브 매트릭스 유기 EL 표시장치 AMOLED는 전압 기입 방식(Voltage programming method) 또는 전류 기입 방식(Current programming method)을 사용하여 N*M 개의 유기 전계발광 표시소자들을 구동시킨다.In addition, the active matrix organic EL display device AMOLED drives the N * M organic electroluminescent display elements by using a voltage programming method or a current programming method.
도 1은 종래 기술에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating pixels of an organic light emitting display device according to the related art.
도 1를 참조하면, 유기 전계발광 표시장치에 형성된 화소는 각각의 R(Red : 100), G(Green : 110) 및 B(Blue : 120) 부화소로 이루어진다. 상기 R 부화소 (100), G 부화소(120) 및 B 부화소(130) 중에 발광 수명이 제일 짧은 부화소는 상기 B 부화소(120)이며, 그 다음으로는 G 부화소(110)이고 R 부화소(100)가 발광 수명이 제일 길다. 이에 따라, 상기 B 부화소(120)의 발광 면적을 가장 크게, G 부화소(110)의 발광 면적을 그 다음으로, R 부화소(100)의 발광 면적을 가장 작도록 설계된다. 상기 R, G, B 부화소(100,110,120)는 상기 R, G, B의 발광 수명이 일치되도록 상기 R, G, B의 발광 면적을 B 부화소(120)를 기준으로 G 부화소(110), R 부화소(100) 순으로 소정의 면적을 감소시켜 형성된다. Referring to FIG. 1, a pixel formed in an organic light emitting display device includes R (Red: 100), G (Green: 110), and B (Blue: 120) subpixels, respectively. Among the
본 발명과 관련되고, 본 발명에 의해 해결되는 종래의 유기 전계발광 표시장치의 화소에 따른 문제점은 다음과 같다.The problems associated with the pixels of the conventional organic electroluminescent display device related to the present invention and solved by the present invention are as follows.
상기 유기 전계발광 표시장치에 형성된 화소는 각각의 R, G 및 B 부화소의 발광 수명을 일치시키기 위해 B 부화소의 발광 면적을 기준으로 G 부화소의 발광 면적 및 R 부화소의 발광 면적을 감소시킴으로 인해 R 부화소의 개구율과 G 부화소의 개구율이 낮아져 시인성이 감소되고, R, G 및 B 부화소 중에 어느 하나의 부화소가 작동 되지 못함으로 인한 암점이 발생되는 문제점이 있다.The pixel formed in the organic electroluminescent display reduces the light emitting area of the G subpixel and the light emitting area of the R subpixel based on the light emitting area of the B subpixel to match the light emission lifetime of each of the R, G, and B subpixels. As a result, the opening ratio of the R subpixel and the opening ratio of the G subpixel are lowered, thereby reducing visibility, and there is a problem in that dark spots are generated due to the failure of any one of the subpixels of the R, G, and B subpixels.
본 발명의 목적은 유기 전계발광 표시장치에 구비되는 각 화소에 존재하는 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않는 범위내에서 각 R, G 부화소의 발광 면적을 쪼개어 분할 배치함으로써, 각 R, G, B 부화소의 발광 수명을 일치시키고, 개구율의 향상에 따른 시인성 및 각 R, G, B 부화소의 동작 불능에 따른 암점을 방지시키는 것을 제공한다.An object of the present invention is to divide each of the R and G subpixels by dividing the light emitting areas of each of the R and G subpixels within a range not exceeding the light emitting region of the B subpixel present in each pixel of the organic electroluminescent display. To match the light emission life of the B subpixel, and to prevent visibility due to improvement of the aperture ratio and to prevent dark spots caused by the inoperability of each of the R, G, and B subpixels.
각각의 부화소의 발광을 제어하기 위한 능동 회로를 구비하는 유기 전계발광 표시장치에 있어서, 소정의 발광 영역내에 형성된 제 1 발광 면적을 통하여 청색광이 디스플레이되는 블루 부화소; 상기 제 1 발광 면적보다 작은 제 2 발광 면적을 통하여 녹색광이 디스플레이되는 그린 부화소; 및 상기 제 2 발광 면적보다 작은 제 3 발광 면적을 통하여 적색광이 디스플레이되는 레드 부화소를 포함하며,An organic electroluminescent display device having an active circuit for controlling light emission of each subpixel, comprising: a blue subpixel in which blue light is displayed through a first light emitting area formed in a predetermined light emitting area; A green subpixel displaying green light through a second light emitting area smaller than the first light emitting area; And a red subpixel in which red light is displayed through a third light emitting area smaller than the second light emitting area.
상기 레드 부화소의 발광 영역를 초과하지 않는 범위내에서 상기 그린 부화소의 제 2 발광 면적이 복수개로 쪼개져 분할 배치되고, 상기 레드 부화소의 제 3 발광 면적이 복수개로 쪼개져 분할 배치되는 화소를 구비하는 유기 전계발광 표시장치를 제공한다.And a pixel in which the second light emitting area of the green subpixel is divided into a plurality of parts and dividedly arranged within a range not exceeding the light emitting area of the red subpixel, and the third light emitting area of the red subpixel is divided into a plurality of parts. An organic electroluminescent display is provided.
이하, 본 발명의 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail with reference to the accompanying drawings of the present invention.
실시예Example
도 2은 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소를 도시한 평면도이다.2 is a plan view illustrating pixels of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 유기 전계발광 표시장치에 형성된 각각의 화소는 R(Red : 200), G(Green : 210) 및 B(Blue : 220) 부화소로 각각 구성되며 특히, 상기 각각의 R, G, B 소자 특성상 발광되는 수명은 각기 다르다.Referring to FIG. 2, each pixel formed in the organic electroluminescent display includes R (Red: 200), G (Green: 210), and B (Blue: 220) subpixels, respectively. Due to the characteristics of the G and B elements, the light emission lifetime is different.
즉, 상기 R 부화소(200), G 부화소(210) 및 B 부화소(220) 중에 발광 수명이 제일 짧은 부화소는 상기 B 부화소(220)이며, 그 다음으로는 G 부화소(210)이고 R 부화소(200)가 발광 수명이 제일 길다. 이에 따라, 상기 B 부화소(220)의 발광 면적을 가장 크게, G 부화소(210)의 발광 면적을 그 다음으로, R 부화소(200)의 발광 면적을 가장 작도록 분할하여 설계한다. 다시말해, 상기 각각의 R 부화소(200), G 부화소(210) 및 B 부화소(220)의 발광 수명은 서로 다르기 때문에 상기 R 부화소(200)의 발광 영역과 G 부화소(210)의 발광 영역이 B 부화소(220)의 소정의 발광 영역을 초과하지 못하는 범위내에서 상기 R 부화소(200), G 부화소(210)의 발광 면적을 분할하여 형성시킨다. That is, among the
즉, 상기 R 부화소(200), G 부화소(210) 및 B 부화소(220)의 발광 면적이 상기 B 부화소(220)의 발광 영역을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 군데로 분할되어 형성됨에 따라 상기 각각의 R 부화소(200)의 발광 수명, G 부화소(210)의 발광 수명 및 B 부화소(220)의 발광 수명은 일치된다.That is, since the light emitting areas of the
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 각 화소에 구성된 R 부화소, B 부화소 및 G 부화소를 소정의 축으로 절단시켜 도 3a, 도 3b, 도 3c과 같이 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating R subpixels, B subpixels, and G subpixels configured in each pixel according to an exemplary embodiment of the present invention, cut along a predetermined axis, as shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C.
본 발명에 따른 유기 전계발광 표시장치는 이미 배치된 박막트랜지스터의 동작에 따른 능동 매트릭스 방식으로 구동된다.The organic electroluminescent display according to the present invention is driven in an active matrix manner according to the operation of a thin film transistor that is already disposed.
우선, 본 발명의 실시예에 따라 형성하는 제조 공정은 유리나 합성 수지 등으로 이루어진 기판을 구비하며, 상기 기판 상부로부터 유출되는 불순물을 막아주기 위해 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막/질화막(SiO2/SiNx)의 적 층막 중에 하나를 선택하여 버퍼층을 형성한다.First, the manufacturing process formed according to an embodiment of the present invention includes a substrate made of glass, synthetic resin, and the like, and to prevent impurities flowing out of the upper portion of the silicon oxide film, silicon nitride film, and silicon oxide film / nitride film (SiO 2 / SiNx). Select one of the laminated films to form a buffer layer.
단, 상기 버퍼층은 반드시 형성되어야 하는 것은 아니며, 선택적으로 형성하는 것이 바람직하다.However, the buffer layer is not necessarily formed, it is preferable to form selectively.
다음, 상기 기판 전면에 걸쳐 비정질 실리콘막을 도포하고 결정화시켜 폴리 실리콘막을 형성한 후, 상기 폴리 실리콘막을 패터닝하여 상기 박막트랜지서터부에 반도체층 패턴이 구비되게 하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성한다.Next, after the amorphous silicon film is coated and crystallized over the entire surface of the substrate to form a polysilicon film, the polysilicon film is patterned so that the semiconductor layer pattern is provided on the thin film transistor and the gate insulating film is formed on the entire surface of the substrate. do.
다음, 상기 게이트 절연막 상부에 상기 박막트랜지스터부에 정의된 상기 반도체층 패턴의 채널 영역과 대응되도록 게이트 전극 물질을 증착 및 패터닝하여 금속막 패턴을 형성하고 상기 금속막 패턴을 마스크로 하여 상기 박막트랜지스터부의 반도체층 패턴을 이온 도핑함으로써, 소스 영역과 드레인 영역을 정의한다.Next, a metal layer pattern is formed by depositing and patterning a gate electrode material on the gate insulating layer so as to correspond to the channel region of the semiconductor layer pattern defined in the thin film transistor unit, and using the metal layer pattern as a mask to form a metal layer pattern. By ion doping the semiconductor layer pattern, a source region and a drain region are defined.
여기서, 상기 게이트 전극 물질은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 이루어진다.The gate electrode material may be formed of at least one metal material among alloys including metal materials such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), or silver (Ag).
다음, 상기 기판 전면에 걸쳐 층간 절연막을 형성하고, 상기 박막트랜지스터부에서 층간 절연막과 게이터 절연막을 관통시켜 상기 반도체층 패턴의 소스 영역과 드레인 영역의 소정의 일부분이 노출되도록 콘택홀을 형성한다.Next, an interlayer insulating film is formed over the entire surface of the substrate, and a contact hole is formed in the thin film transistor portion so that a predetermined portion of the source region and the drain region of the semiconductor layer pattern are exposed.
다음, 상기 박막트랜지스터부에 콘택홀을 통하여 층간 절연막 상부와 반도체층 패턴의 소스/드레인 영역이 각각 연결되도록 소스/드레인 전극 물질을 증착하고 패터닝하여 소스/드레인 전극을 형성한다. Next, a source / drain electrode is formed by depositing and patterning a source / drain electrode material so that the upper portion of the interlayer insulating layer and the source / drain region of the semiconductor layer pattern are connected through the contact hole in the thin film transistor.
여기서, 상기 소스/드레인 전극 물질은 텡스텐(W), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 이루어진다.Here, the source / drain electrode material is made of at least one metal material among alloys including metal materials such as tungsten (W), molybdenum (Mo), aluminum (Al) or silver (Ag).
다음, 상기 박막트랜지스터부를 포함하는 상기 기판 전면에 걸쳐 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx) 및 이들의 적층막 중에 하나를 선택하여 패시베이션막(290)을 형성한다. 또한, 상기 패시베이션막 상부에 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐 수지(BCB), 폴리이미드 수지(PI), SOG(Spin On Glass), 아크릴레이트(Acrylate) 또는 폴리 페놀 수지 중에 적어도 하나의 유기막인 평탄화막을 형성한다.Next, a passivation film 290 is formed by selecting one of a silicon oxide film (SiO 2), a silicon nitride film (SiNx), and a stacked film over the entire surface of the substrate including the thin film transistor unit. In addition, a planarization film, which is at least one organic film among an acrylic resin, a benzocyclobutene resin (BCB), a polyimide resin (PI), a spin on glass (SOG), an acrylate (Acrylate), or a polyphenol resin, may be formed on the passivation layer. Form.
다음, 상기 박막트랜지스터부에 형성된 상기 평탄화막과 패시베이션막을 일괄 식각하여 상기 소스/드레인 전극의 일부분이 노출되도록 비어홀(310)을 형성하고, 상기 비어홀을 통하여 상기 소스/드레인 전극과 연결되도록 패터닝하여 제 1 전극을 형성한다.Next, the planarization layer and the passivation layer formed on the thin film transistor are collectively etched to form a
도 3a는 화소에 구성된 R 부화소를 l-l'로 절단한 도면으로서 제 1 박막트랜지스터부(A)를 형성하고, 제 1 개구부(320), 제 2 개구부(330) 및 제 3 개구부(340)를 통하여 전면 발광되도록 도시한 단면도이다.FIG. 3A is a diagram illustrating an R subpixel formed in a pixel cut into l−1 ′ to form a first thin film transistor portion A, and includes a
도 3a를 참조하면, R 부화소의 발광 영역과 G 부화소의 발광 영역이 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않도록 형성된 화소를 다수개 구비하는 유기 전계발광 표시장치에 있어서, 상기 R 부화소는 상기 제 1 전극인 제 1 애노드 전극(300)이 형성된 기판 전면에 걸쳐 화소 분리층으로 사용되는 제 1 화소 정의막(310)을 도포 한 후, 패터닝하여 상기 제 1 애노드 전극(300)의 상부 표면의 일부가 노출되도록 제 1 개구부(320), 제 2 개구부(330) 및 제 3 개구부(340)를 형성한다. Referring to FIG. 3A, in an organic electroluminescent display device having a plurality of pixels formed such that the light emitting region of the R subpixel and the light emitting region of the G subpixel do not exceed the light emitting region of the B subpixel, the R subpixel may include a plurality of pixels. After applying the first
즉, 상기 제 1 개구부(320), 제 2 개구부(330) 및 제 3 개구부(340)는 모두 동일한 개구 범위를 가지며, 상기 제 1 화소 정의막(310)이 소정의 패턴으로 식각됨에 의해 다양한 형태를 갖는 개구부가 형성된다. That is, the
다음, 상기 R 부화소는 상기 제 1 개구부(320), 제 2 개구부(330) 및 제 3 개구부(340) 내에 노출된 상기 제 1 애노드 전극(320) 상부에 적색 발광층을 포함하는 제 1 유기막(350)을 형성한다. 따라서, 상기 유기막(350)은 상기 제 1 개구부(320), 제 2 개구부(330) 및 제 3 개구부(340) 내에 노출된 상기 제 1 애노드 전극(300)과 제 1 화소 정의막(310) 상부에 상기 게이트 전극 물질 또는 소스/드레인 전극 물질을 패턴 마스크하여 상기 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않도록 증착되어 형성된다. Next, the R subpixel includes a first organic layer including a red light emitting layer on the
또한, 상기 R 부화소는 상기 제 1 애노드 전극(300) 및 제 1 화소 정의막(310) 상부에 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 형성된 패턴 마스크을 배치시켜 기판 전면에 걸쳐 상기 제 1 유기막(350)을 형성한다.In addition, the R subpixel may include tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), or silver (Ag) on the
여기서, 소정의 유기 물질 또는 무기 물질을 증착시키기 위하여 상기 금속 물질로 패턴 마스크을 형성시켜 제조하는 공정 기법을 FMM(Fine Metal Mask)이라 한다.Here, a process technique of forming a pattern mask from the metal material to deposit a predetermined organic material or inorganic material is called a fine metal mask (FMM).
다음, 제 2 전극인 제 1 캐소드 전극(360)은 상기 FMM을 통하여 상기 B 부화 소의 발광 영역을 벗어나지 않는 범위내에서 상기 FMM을 통하여 상기 제 1 유기막(350)과 제 1 화소 정의막(310) 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 증착되어 형성된다.Next, the
여기서, 상기 제 1 애노드 전극(300)을 형성하는 물질은 ITO 또는 IZO의 투명 전극이며, 상기 제 1 캐소드 전극(360)을 형성하는 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 이루어진다.Here, the material forming the
그리고, 상기 제 1 화소 정의막(310)은 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐 수지(BCB), 폴리이미드 수지(PI), SOG(Spin On Glass), 아크릴레이트(Acrylate) 또는 폴리 페놀 수지 중에 적어도 하나의 유기 물질로 이루어진다.The first
도 3b는 화소에 구성된 G 부화소를 m-m'로 절단한 도면으로서 제 2 박막트랜지스터부(B)를 형성하고, 제 1 개구부(420) 및 제 2 개구부(430)를 통하여 전면 발광되도록 도시한 단면도이다.FIG. 3B is a view showing a G subpixel formed in a pixel cut in m-m 'to form a second thin film transistor portion B, and to emit light through the
도 3b를 참조하면, R 부화소의 발광 영역과 G 부화소의 발광 영역이 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않도록 형성된 화소를 다수개 구비하는 유기 전계발광 표시장치에 있어서, 상기 G 부화소는 제 1 전극인 제 2 애노드 전극(400)이 형성된 기판 전면에 걸쳐 화소 분리층으로 사용되는 제 2 화소 정의막(410)을 도포한 후, 패터닝하여 상기 제 2 애노드 전극(400)의 상부 표면의 일부가 노출되도록 제 1 개구부(420) 및 제 2 개구부(430)를 형성한다. Referring to FIG. 3B, in the organic electroluminescent display device including a plurality of pixels formed such that the light emitting region of the R subpixel and the light emitting region of the G subpixel do not exceed the light emitting region of the B subpixel, the G subpixel is configured as follows. The second
즉, 상기 제 1 개구부(420) 및 제 2 개구부(430)는 모두 동일한 개구 범위를 가지며, 상기 제 1 화소 정의막(410)이 소정의 패턴으로 식각됨에 의해 다양한 형태를 갖는 개구부가 형성된다. That is, the
다음, 상기 G 부화소는 상기 제 1 개구부(420) 및 제 2 개구부(430) 내에 노출된 상기 제 2 애노드 전극(400) 상부에 녹색 발광층을 포함하는 제 2 유기막(440)을 형성한다. 따라서, 상기 제 2 유기막(440)은 상기 제 1 개구부(420) 및 제 2 개구부(430) 내에 노출된 상기 제 2 애노드 전극(400)과 제 2 화소 정의막(410) 상부에 상기 게이트 전극 물질 또는 소스/드레인 전극 물질을 패턴 마스크하여 상기 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않도록 증착되어 형성된다. Next, the G subpixel forms a second
또한, 상기 G 부화소는 상기 제 2 애노드 전극(400) 및 제 2 화소 정의막(410) 상부에 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 형성된 패턴 마스크을 배치시켜 기판 전면에 걸쳐 상기 제 2 유기막(440)을 형성한다.In addition, the G subpixel may include tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), or silver (Ag) on the
여기서, 소정의 유기 물질 또는 무기 물질을 증착시키기 위하여 상기 금속 물질로 패턴 마스크을 형성시켜 제조하는 공정 기법을 FMM(Fine Metal Mask)이라 한다.Here, a process technique of forming a pattern mask from the metal material to deposit a predetermined organic material or inorganic material is called a fine metal mask (FMM).
다음, 제 2 전극인 제 2 캐소드 전극(450)은 상기 FMM을 통하여 상기 B 부화소의 발광 영역을 벗어나지 않는 범위내에서 상기 FMM을 통하여 상기 제 2 유기막(440)과 제 2 화소 정의막(410) 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 증착되어 형성된다.Next, the
여기서, 상기 제 2 애노드 전극(400)을 형성하는 물질은 ITO 또는 IZO의 투 명 전극이며, 상기 제 2 캐소드 전극(450)을 형성하는 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 이루어진다.Here, the material forming the
그리고, 상기 제 2 화소 정의막(410)은 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐 수지(BCB), 폴리이미드 수지(PI), SOG(Spin On Glass), 아크릴레이트(Acrylate) 또는 폴리 페놀 수지 중에 적어도 하나의 유기 물질로 이루어진다.The second
도 3c는 화소에 구성된 B 부화소를 n-n'로 절단한 도면으로서 제 3 박막트랜지스터부(C)를 형성하고, 소정의 개구부(520)를 통하여 전면 발광되도록 도시한 단면도이다.FIG. 3C is a cross-sectional view of the B subpixel configured in the pixel as n-n 'to form a third thin film transistor portion C, and emit light at full surface through a
도 3c를 참조하면, R 부화소의 발광 영역과 G 부화소의 발광 영역이 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않도록 형성된 화소를 다수개 구비하는 유기 전계발광 표시장치에 있어서, 상기 B 부화소는 제 1 전극인 제 3 애노드 전극(500)이 형성된 기판 전면에 걸쳐 화소 분리층으로 사용되는 제 3 화소 정의막(510)을 도포한 후, 패터닝하여 상기 제 3 애노드 전극(500)의 상부 표면의 일부가 노출되도록 소정의 개구부(520)를 형성한다. Referring to FIG. 3C, in the organic electroluminescent display device including a plurality of pixels formed such that the light emitting region of the R subpixel and the light emitting region of the G subpixel do not exceed the light emitting region of the B subpixel, the B subpixel may include a plurality of pixels. A third
즉, 상기 개구부(520)는 모두 동일한 개구 범위을 가지며, 상기 제 3 화소 정의막(510)이 소정의 패턴으로 식각됨에 의해 다양한 형태를 갖는 개구부가 형성된다. That is, all of the
다음, 상기 B 부화소는 상기 개구부(520) 내에 노출된 상기 제 3 애노드 전극(500) 상부에 청색 발광층을 포함하는 제 3 유기막(530)을 형성한다. 따라서, 상 기 제 3 유기막(530)은 상기 개구부(520)내에 노출된 상기 제 3 애노드 전극(500)과 제 3 화소 정의막(510) 상부에 상기 게이트 전극 물질 또는 소스/드레인 전극 물질을 패턴 마스크하여 소정의 발광 영역을 초과하지 않도록 증착되어 형성된다. Next, the sub-pixel B forms a third
또한, 상기 B 부화소는 상기 제 3 애노드 전극(500) 및 제 3 화소 정의막(510) 상부에 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 형성된 패턴 마스크을 배치시켜 기판 전면에 걸쳐 상기 제 3 유기막(530)을 형성한다.In addition, the B subpixel may include tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), or silver (Ag) on the
여기서, 소정의 유기 물질 또는 무기 물질을 증착시키기 위하여 상기 금속 물질로 패턴 마스크을 형성시켜 제조하는 공정 기법을 FMM(Fine Metal Mask)이라 한다.Here, a process technique of forming a pattern mask from the metal material to deposit a predetermined organic material or inorganic material is called a fine metal mask (FMM).
다음, 제 2 전극인 제 3 캐소드 전극(540)은 상기 FMM을 통하여 상기 소정의 발광 영역을 벗어나지 않는 범위내에서 상기 FMM을 통하여 상기 제 3 유기막(530)과 제 3 화소 정의막(510) 상부를 포함하는 기판 전면에 걸쳐 증착되어 형성된다.Next, the
여기서, 상기 제 3 애노드 전극(500)을 형성하는 물질은 ITO 또는 IZO의 투명 전극이며, 상기 제 3 캐소드 전극(540)을 형성하는 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(ally) 중에 적어도 하나의 금속 물질로 이루어진다.Here, the material forming the
그리고, 상기 제 3 화소 정의막(510)은 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐 수지(BCB), 폴리이미드 수지(PI), SOG(Spin On Glass), 아크릴레이트(Acrylate) 또는 폴리 페놀 수지 중에 적어도 하나의 유기 물질로 이루어진다.The third
본 발명의 실시예에서는 상기 R 부화소에 형성된 개구부를 3개, G 부화소에 형성된 개구부를 2개, B 부화소에 형성된 개구부를 1개로 한정시켜 기술하였으나 이에 국한되지 않고, 상기 R 부화소의 개구부를 3개 이상, G 부화소의 개구부를 2개 이상, B 부화소의 개구부를 1개 이상으로 형성될 수 있음에 유의한다.In the exemplary embodiment of the present invention, the openings formed in the R subpixel are limited to three openings, the openings formed in the G subpixel, and the openings formed in the B subpixel are limited to one, but the present invention is not limited thereto. Note that three or more openings, two or more openings of the G subpixel, and one or more openings of the B subpixel may be formed.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. It will be appreciated.
상술한 본 발명에 따르면, 유기 전계발광 표시장치는 각 화소에 존재하는 B 부화소의 발광 영역을 초과하지 않는 범위내에서 각 R, G 부화소의 발광 면적을 쪼개어 분할 배치함으로써, 각 R, G, B 부화소의 발광 수명을 일치시키고, 개구율의 향상에 따른 시인성 및 각 R, G, B 부화소의 동작 불능에 따른 암점을 방지시키는 효과를 준다.According to the present invention described above, the organic electroluminescent display device divides the light emitting area of each of the R and G subpixels in a range not exceeding the light emitting region of the B subpixel present in each pixel, thereby dividing and arranging each of the R and G subpixels. , The light emission life of the B subpixel is matched, and the visibility is improved due to the improvement of the aperture ratio, and the effect of preventing dark spots due to the inoperability of each of the R, G, and B subpixels.
Claims (11)
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KR1020050086439A KR20070031707A (en) | 2005-09-15 | 2005-09-15 | Organic Electro Luminescence Display Device |
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KR1020050086439A KR20070031707A (en) | 2005-09-15 | 2005-09-15 | Organic Electro Luminescence Display Device |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20190005953A (en) * | 2016-06-15 | 2019-01-16 | 가부시키가이샤 제이올레드 | Display and electronic devices |
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2005
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