JP2010223838A - パターン検査装置、パターン検査方法、および微細構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、パターン検査の検査精度を向上させることができるパターン検査装置、パターン検査方法、および微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】被検査体に形成されたパターンに関する参照データと、前記パターンを検出することで得られた検出データと、を比較して前記パターンの検査を行うパターン検査装置であって、前記パターンを複数の領域に分割して前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の補正条件を求め、前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の少なくともいずれかにおいて対応する補正条件を適用して前記参照データを作成する補正処理部を備えたこと、を特徴とするパターン検査装置が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、パターン検査装置、パターン検査方法、および微細構造体の製造方法に関する。

半導体装置、フラットパネルディスプレイ、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)などの分野においては、表面に微細なパターンを有する構造体（以下、微細構造体と称する）がリソグラフィ技術などを用いて製造されている。そして、近年においては、この様な微細構造体の微細化や高集積化が進められており、表面に形成されるパターンもより精緻なものとなってきている。

この様なパターンを検査する方法としては、例えば、ダイ・ツー・データべース（ｄｉｅ−ｔｏ−ｄａｔａｂａｓｅ）法と呼ばれる検査方法がある。この検査方法では、被検査体に形成されたパターンをラインセンサなどの検出手段で検出して得られた検出データと、パターンの設計時に用いた設計データ（ＣＡＤデータ）などから作成された参照データとを比較して、両者の不一致点を欠陥などとして検出するようにしている。

ここで、パターンの検査においては、位置ずれなどの誤差があると不具合がないにもかかわらず検出データと参照データとに不一致点が生ずるという疑似欠陥の発生が問題となる。そのため、パターンの検査においては、位置ずれなどの誤差に応じて参照データを補正処理することで疑似欠陥の発生を抑制するようにしている（例えば、特許文献１を参照）。

この様な補正処理においては、パターンの検査前に被検査体の代表点において測定を行い、その測定結果を用いて参照データを補正処理するようにしていた。しかしながら、被検査体の各位置における誤差と代表点における誤差とが同等となるとは限らないので、疑似欠陥の発生を抑制することができず検査精度が悪化してしまうおそれがある。

特開平１１−１６００３９号公報

本発明は、パターン検査の検査精度を向上させることができるパターン検査装置、パターン検査方法、および微細構造体の製造方法を提供する。

本発明の一態様によれば、被検査体に形成されたパターンに関する参照データと、前記パターンを検出することで得られた検出データと、を比較して前記パターンの検査を行うパターン検査装置であって、前記パターンを複数の領域に分割して前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の補正条件を求め、前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の少なくともいずれかにおいて対応する補正条件を適用して前記参照データを作成する補正処理部を備えたこと、を特徴とするパターン検査装置が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、被検査体に形成されたパターンに関する参照データと、前記パターンを検出することで得られた検出データと、を比較して前記パターンの検査を行うパターン検査方法であって、前記パターンを複数の領域に分割して前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の補正条件を求め、前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の少なくともいずれかにおいて対応する補正条件を適用して前記参照データを作成すること、を特徴とするパターン検査方法が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、構造体の表面にパターンを形成する工程と、上記のパターンの検査方法を用いて前記パターンを検査する工程と、を備えたことを特徴とする微細構造体の製造方法が提供される。

本発明によれば、パターン検査の検査精度を向上させることができるパターン検査装置、パターン検査方法、および微細構造体の製造方法が提供される。

本実施の形態に係るパターン検査装置を例示するための模式図である。 位置ずれの様子を例示するための模式図である。 補正処理部の構成を例示するためのブロック図である。 補正処理部における補正処理を例示するための模式図である。 補正処理部における補正処理を例示するための模式図である。 検査の様子を例示するための模式図である。 図６の模式部分拡大図である。 補正処理部における補正処理の手順について例示をするためのフローチャートである。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。
図１は、本実施の形態に係るパターン検査装置を例示するための模式図である。
図２は、位置ずれの様子を例示するための模式図である。
図１に示すように、パターン検査装置１には、光源２、光学系３、載置部４、検出部５、参照データ処理部６、補正処理部７、比較部８が設けられている。

光源２は、検査光Ｌを出射する。光源２としては、白色光、単色光、コヒーレント光を出射する各種光源を用いることができる。この場合、微細なパターンの検査を行うためには、波長の短い検査光Ｌを出射可能なものとすることが好ましい。そのようなものとしては、例えば、波長が２６６ｎｍの検査光Ｌを出射するＹＡＧレーザ光源などを例示することができる。ただし、レーザ光源に限定されるわけではなく、パターンの大きさなどに応じて適宜変更することができる。

光学系３には、入射側光学系３ａと出射側光学系３ｂとが設けられている。入射側光学系３ａは、光源２から出射した検査光Ｌを被検査体Ｗの検査領域に導くとともに照射部分の大きさを制御する。出射側光学系３ｂは、被検査体Ｗからの検査光Ｌを検出部５の受光面に導くとともに受光面上に結像させる。
光学系３としては、例えば、図１に例示をしたようなミラーや対物レンズなどの光学要素から構成されたものを例示することができる。ただし、光学系３を構成する光学要素やその配置は例示をしたものに限定されるわけではなく、適宜変更することができる。また、例えば、絞り、ビームスプリッタ、倍率チェンジャ、ズーム機構などの他の光学要素を適宜設けるようにすることもできる。
また、図１に例示をした出射側光学系３ｂは、被検査体Ｗを透過した検査光Ｌを検出部５に導くものであるが、例えば、光が透過しない被検査体Ｗを検査するものの場合には、被検査体Ｗにより反射した検査光Ｌを検出部５に導くものとすればよい。

載置部４は、被検査体Ｗを載置、保持するためのものである。また、載置部４には図示しない移動手段が設けられ、載置部４に載置された被検査体Ｗの位置を移動させることで検査が行われる位置を変化させることができるようになっている。なお、必ずしも図示しない移動手段を載置部４に設ける必要はなく、検査が行われる位置が相対的に変化するようになっていればよい。例えば、検出部５に設けられたセンサ部５ａの位置が変化するようになっていてもよい。

検出部５には、センサ部５ａと検出データ処理部５ｂとが設けられている。センサ部５ａは、受光面に結像された像の光を光電変換する。センサ部５ａとしては、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）ラインセンサなどを例示することができる。ただし、これに限定されるわけではなく、結像された像の光を光電変換できるものを適宜選択することができる。
検出データ処理部５ｂは、センサ部５ａにより光電変換された電気信号を図形解釈し、検出データ１０を作成する。

参照データ処理部６には、データ格納部６ａとデータ展開部６ｂとが設けられている。データ格納部６ａは、パターンの形成に用いられる作画データや作画データに変換する前の設計データなどのデータを格納する。
データ展開部６ｂは、データ格納部６ａから提供されたデータを図形解釈し、パターンデータを作成する。
また、被検査体Ｗの検査の進行に合わせて、データ格納部６ａからデータ展開部６ｂにデータを提供させる図示しない抽出部が設けられている。例えば、載置部４にレーザ干渉計やリニアエンコーダなどの位置検出手段を設けて、位置情報により同期をさせつつデータ格納部６ａからデータ展開部６ｂにデータを提供させるようなものを例示することができる。
また、作成されたパターンデータを格納する図示しない格納手段を設けるようにすることもできる。

ここで、検出部５により検査される範囲である検査領域１５と、参照データ１１の範囲である参照パターン領域１６との位置関係は一致していなければならない。しかしながら、実際には、センサ部５ａの検出範囲における特性差（例えば、光学的な歪み、光量変化、画素間寸法のばらつきなど）、載置部４における特性差（例えば、ヨーイング、速度のばらつきなど）、温度などの環境変化などがあるので、図２に例示をしたような位置ずれが生じる。そのため、これらの特性差などに応じて作成されたパターンデータを補正する必要性が生じる。

補正処理部７は、参照データ処理部６において作成されたパターンデータを補正処理し、検出データ１０と比較させるための参照データ１１を作成する。

図３は、補正処理部の構成を例示するためのブロック図である。
図４、図５は、補正処理部における補正処理を例示するための模式図である。

図３に示すように、補正処理部７には、パターン認識部７ａ、寸法計測部７ｂ、変化量演算部７ｃ、度数集計部７ｄ、異常データ除去部７ｅ、補正条件演算部７ｆが設けられている。

パターン認識部７ａは、検出データ処理部５ｂにおいて作成された検出データ１０のパターンと、データ展開部６ｂにおいて作成されたパターンデータのパターンとをパターン認識する。この際、図４（ａ）に示すように、パターンの対向する部分のエッヂ（エッヂペア）の位置とエッヂ方向の検出が行われる。パターンにコーナ部分が含まれている場合、コーナ部分において寸法計測を行うと誤差が生じる。そのため、エッヂ方向の検出をも行うことで、直線部分、コーナ部分の区別ができるようになっている。

寸法計測部７ｂは、パターン認識部７ａから提供されたパターンの対向する部分のエッヂ（エッヂペア）の位置からエッヂ間の寸法を計測する。この際、直線部分、コーナ部分の区別ができるので、計測が可能な部分（例えば、計測誤差が少ない部分）のみを計測するようにすることができる。
また、図４（ｂ）に示すように、エッヂ近傍の２つの画素ａ、ｂの輝度と、所定の輝度の閾値ｔｈとに基づいて下記の（１）式によりサブ画素の位置を演算する。
サブ画素の位置＝（ａ−ｔｈ）／（ａ−ｂ） ・・・（１）
なお、図４（ｂ）に例示をしたものは、パターン部分の輝度が高い場合（例えば、黒地に白いパターンが形成されている場合）であるが、パターン部分の輝度が低い場合（例えば、白地に黒いパターンが形成されている場合）であっても断面プロファイルが凹状となる他は変わりがない。そのため、そのような場合であっても同様にしてサブ画素の位置を演算することができる。

変化量演算部７ｃは、計測されたエッヂ間の寸法・サブ画素の位置と、参照データ処理部６において作成されたパターンデータとに基づいて寸法誤差や位置ずれ量などの変化量を演算する。例えば、図５（ａ）に示すように、検出データ１０から認識されたパターンＰｓと、データ展開部６ｂにおいて作成されたパターンデータから認識されたパターンＰｄとに基づいて、下記の（２）式〜（４）式により寸法誤差や位置ずれ量を演算する。なお、図中のｒｄはパターンＰｄの中心点、ｒｓはパターンＰｓの中心点である。また、ｒｘとｓｘはそれぞれの中心点におけるＸ座標値、ｒｙとｓｙはそれぞれの中心点におけるＹ座標値である。
寸法誤差ＣＤｅｒｒ＝ｓｄ−ｒｄ ・・・（２）
Ｘ座標における位置ずれｘ＝ｓｘ−ｒｘ ・・・（３）
Ｙ座標における位置ずれｙ＝ｓｙ−ｒｙ ・・・（４）
ここで、演算された寸法誤差や位置ずれ量などの変化量のデータをすべて格納するようにすれば、データ量が膨大になりすぎる。そのため、本実施の形態においては、変化量のデータを統計処理するようにしている。
度数集計部７ｄは、寸法誤差や位置ずれ量などの変化量のデータを統計処理する。統計処理としては、例えば、図５（ｂ）に示すように、演算されたデータに基づいてヒストグラムを作成するようなものを例示することができる。

この場合、パターンに欠陥があったり、パターンに断続部があったりした場合などには、演算されたデータが異常な値となる。そして、この様な異常な値をも含めて統計処理を行うようにすれば、統計処理の精度が低下してしまうことになる。そのため、本実施の形態においては、異常データ除去部７ｅにより異常な値を除去して統計処理を行うようにしている。

補正条件演算部７ｆは、異常データ除去部７ｅにより異常な値が除去された統計データに基づいて補正条件を演算する。例えば、異常な値が除去されたヒストグラムから平均値などを演算し、これに基づいて補正式や補正値などを作成するようなものを例示することができる。

この様にして演算された補正条件を用いて、参照データ処理部６において作成されたパターンデータを補正処理することで参照データ１１が作成される。
比較部８は、検出部５から提供された検出データ１０と、補正処理部７を介して提供された参照データ１１とを比較して両者の不一致点を欠陥などとして検出する。

以上に例示をしたものは、寸法誤差や位置ずれ量に基づいてパターンデータを補正処理する場合であるが、伸縮量、コーナ部分の曲率変化量、検出信号の信号強度（輝度）の変化量などの他の変化量に基づいてパターンデータを補正処理することもできる。
例えば、環境変化（例えば、温度などの変化）により被検査体Ｗが伸縮した場合には、検出データ１０も伸縮したものとなるため伸縮量に基づく補正処理を行うようにすることができる。この場合、伸縮量は前述した位置ずれ量の変化量から演算することができる。例えば、所定の範囲毎に逐次位置ずれ量を検出し、その変化量から伸縮量を演算するようにすることができる。そして、演算された伸縮量に基づいて補正条件を求め、この補正条件を用いて参照データ処理部６において作成されたパターンデータの伸縮量を補正処理するようにすることができる。

コーナ部分の曲率変化量による補正処理においては、例えば、検出データ１０と参照データ処理部６において作成されたパターンデータとを比較し、コーナ部分の曲率の差に基づいて補正条件を求め、この補正条件を用いて参照データ処理部６において作成されたパターンデータのコーナ部分の曲率を補正処理するようにすることができる。

検査されるパターンのサイズが小さくなると検出信号の信号強度（輝度）が徐々に低下する。例えば、一辺が０．７μｍの白系の正方形パターンにおいては最大値で８５％程度まで信号強度が低下する。そのため、低下する信号強度分を考慮して、参照データ処理部６において作成されたパターンデータに一定の係数をかけて、信号強度の最大値を補正処理するようにすることができる。なお、この補正処理で用いられる係数は、予め光学シミュレーションなどによる実験でパターンのサイズ毎に求めるようにすればよい。

この場合、伸縮量、コーナ部分の曲率変化量、検出信号の信号強度（輝度）の変化量などは、前述した寸法誤差や位置ずれ量と同様に変化量演算部７ｃにおいて演算されるようにすればよい。
また、前述した補正処理のすべてを行う必要はなく、少なくともいずれかを行うようにすることもできる。なお、補正処理部７における補正処理の手順に関しては後述する。

次に、パターン検査装置１の作用とともに本実施の形態に係るパターン検査方法を例示する。
まず、図示しない搬送装置や作業者などにより被検査体Ｗが載置部４に載置される。次に、光源２から検査光Ｌを出射させる。光源２から出射した検査光Ｌは、入射側光学系３ａにより被検査体Ｗの検査領域に導かれるとともに照射部分の大きさが制御される。そして、載置部４に載置された被検査体Ｗの検査が行われる位置を図示しない移動手段などにより相対的に変化させる。

図６は、検査の様子を例示するための模式図である。
図７は、図６の模式部分拡大図である。
なお、図６、図７のＸ、Ｙは互いに直交する二方向を表している。
図６に示すように、被検査体Ｗに形成されたパターンは、Ｙ軸方向に一定の幅をもつ短冊状の単位（以下、ストライプと称する）に分割されて検査される。また、図７に示すように、ストライプは、Ｙ軸方向に一定の幅をもつ短冊状の単位（以下、サブストライプと称する）にさらに分割されて検査される。また、サブストライプはＸ軸方向に一定の幅をもつ短冊状の単位（以下、フレームと称する）に分割されて検査される。

この場合、Ｘ軸方向においては検査される位置を連続的に変化させる。そして、１つのストライプにおける検査が終了した場合には、検査が行われる位置をＹ軸方向にストライプの幅寸法だけ段階的に変化させる。Ｙ軸方向への位置の変化が終了した後、当該ストライプにおいて検査が行われる位置をＸ軸方向に連続的に変化させる。この際、隣接するストライプにおいては、検査が行われる位置を互いに逆の方向となるようにＸ軸方向に連続的に変化させる。そして、これを繰り返すことで検査範囲全域の検査が行われる。

被検査体Ｗからの検査光Ｌは、出射側光学系３ｂにより検出部５の受光面に導かれるとともに受光面上に結像される。受光面に結像された像の光はセンサ部５ａにより光電変換される。そして、センサ部５ａにより光電変換された電気信号は、検出データ処理部５ｂにより図形解釈され、検出データ１０が作成される。

一方、被検査体Ｗの検査の進行に合わせて、参照データ処理部６に設けられたデータ格納部６ａからデータ展開部６ｂにデータが提供され、このデータを図形解釈することでパターンデータが作成される。
参照データ処理部６において作成されたパターンデータは、補正処理部７において補正処理され参照データ１１が作成される。

図８は、補正処理部における補正処理の手順について例示をするためのフローチャートである。
まず、図７において例示をした各フレーム毎に寸法誤差や位置ずれ量などの変化量を演算する（ステップＳ１）。
次に、演算された変化量のデータから異常な値を除去する（ステップＳ２）。例えば、パターンに欠陥があったり、パターンに断続部があったりしたフレームのデータが除去されるようなものを例示することができる。異常な値か否かの判断は、例えば、サブストライプ毎における平均値を基準とし予め定められた制限幅により行うことができる。また、パターン密度などから異常な値か否かの判断を行うようにすることもできる。

次に、図７において例示をした各サブストライプ間毎、各ストライプ毎、各ストライプ間毎に補正条件を求める（ステップＳ３）。補正条件としては、例えば、補正式や補正値などを例示することができる。この場合、補正式は、線形関係式、多項式、区分多項式、あるいは近似式などとすることができる。
ここで、補正条件は、各サブストライプ間毎、各ストライプ毎、各ストライプ間毎に求められ、後述する各サブストライプ間、各ストライプ、各ストライプ間の補正処理においては、それぞれ対応関係にある補正条件が用いられる。すなわち、補正条件を求めるためにデータを収集した領域の補正処理に、そのデータに基づいて求められた補正条件を適用するようにしている。そのため、被検査体の代表点において求められた補正値などにより検査範囲全体の補正処理を行う場合などと比べて、検査精度を格段に向上させることができる。

次に、１つのストライプにおける各サブストライプ間を対応する補正条件を用いて補正処理する（ステップＳ４）。
図６に例示をしたように検査はストライプ毎に行われる。ここで、センサ部５ａの検出範囲における特性差がなければ、各サブストライプにおける検出値も同等となる。しかしながら、実際には、光学的な歪み、光量変化、画素間寸法のばらつきなどがあるので、各サブストライプにおける検出値も異なるものとなるおそれがある。
そのため、１つのストライプにおける各サブストライプ間を対応する補正条件を用いて補正処理することで、センサ部５ａの検出範囲における特性差の影響を抑制するようにしている。

次に、サブストライプ間の補正が行われたストライプを対応する補正条件を用いて補正する（ステップＳ５）。
図６に例示をしたように検査はストライプ毎に行われるので、１つのストライプにおける検出値は理論的には同等となる。しかしながら、実際には、載置部４における特性差（例えば、ヨーイング、速度のばらつきなど）、温度などの環境変化などがあるので、検出値にばらつきが生じるおそれがある。
そのため、１つのストライプ全体を対応する補正条件を用いて補正処理することで、載置部４における特性差や環境変化などの影響を抑制するようにしている。

次に、隣接するストライプにおける各サブストライプ間、当該ストライプを対応する補正条件を用いて補正処理する（ステップＳ６）。
次に、隣接するストライプ間を対応する補正条件を用いて補正処理する（ステップＳ７）。
以下、ステップＳ１〜ステップＳ７と同様にして検査範囲全体の補正処理を行い、参照データ１１を作成する。

以上に例示をしたように、補正処理部７は、被検査体Ｗに形成されたパターンを複数の領域に分割して複数の領域毎または複数の領域間毎の補正条件を求め、複数の領域毎または複数の領域間毎の少なくともいずれかにおいて対応する補正条件を適用して参照データ１１を作成する。
この場合、補正処理部７は、被検査体Ｗに形成されたパターンを第１の方向に分割した第１の領域毎（ストライプ毎）の補正条件を求めるようにすることができる。
また、補正処理部７は、第１の領域間毎（ストライプ間毎）の補正条件を求めるようにすることができる。
また、補正処理部７は、第１の領域を第１の方向にさらに分割した第２の領域間毎（サブストライプ間毎）の補正条件を求めるようにすることができる。

また、本実施の形態に係るパターンの検査方法においては、被検査体Ｗに形成されたパターンを複数の領域に分割して複数の領域毎または複数の領域間毎の補正条件を求め、複数の領域毎または複数の領域間毎の少なくともいずれかにおいて対応する補正条件を適用して参照データ１１を作成する。

そして、比較部８において検出データ１０と参照データ１１とが比較されて、両者の不一致点が欠陥などとして検出される。
検査が終了した被検査体Ｗは、図示しない搬送装置や作業者などにより搬出される。そして、必要に応じて、未検査の被検査体Ｗが載置部４に載置され前述した検査が行われる。

本実施の形態に係るパターン検査装置、パターン検査方法においては、補正条件を求めるためにデータを収集した領域の補正処理に、そのデータに基づいて求められた補正条件を適用するようにしている。そのため、被検査体の代表点において求められた補正値などにより検査範囲全体の補正処理を行う場合などと比べて、検査精度を格段に向上させることができる。

次に、本実施の形態に係る微細構造体の製造方法について例示をする。
本実施の形態に係る微細構造体の製造方法は、前述した本実施の形態に係るパターン検査装置、パターン検査方法を用いるものである。すなわち、本実施の形態に係る微細構造体の製造方法は、構造体の表面にパターンを形成する工程と、本実施の形態に係るパターン検査装置やパターンの検査方法を用いてパターンを検査する工程と、を有している。

対象となる微細構造体としては特に限定されるわけではなく、表面にパターンが形成されたものの製造に対して広く適用させることができる。この場合、表面に微細なパターンが形成されたものの製造に適用させるようにすることがより好ましい。
表面に微細なパターンが形成されたものとしては、ウェーハ（半導体装置）、フラットディスプレイのパネル、リソグラフィ工程において用いられるマスク、ＭＥＭＳ分野におけるマイクロマシーン、精密光学部品などを例示することができる。ただし、これらのものに限定されるわけではなく、表面にパターンが形成されたものの製造に対して広く適用させることができる。

ここで、一例として半導体装置の製造方法の場合を例示する。
半導体装置の製造方法は、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程、成膜・レジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などにより基板（ウェーハ）表面にパターンを形成する工程などの複数の工程を繰り返すことにより実施される。ここで、本実施の形態に係る微細構造体の製造方法（ここでは半導体装置の製造方法）においては、基板（ウェーハ）表面に形成されたパターンの検査を行う検査工程において前述した本実施の形態に係るパターン検査装置、パターン検査方法を用いるようにしている。
そのため、パターンの検査精度を格段に向上させることができるので、製品品質の向上を図ることができる。
なお、前述した本実施の形態に係るパターン検査装置、パターン検査方法以外は、各工程の既知の技術を適用することができるのでそれらの例示は省略する。

以上、本実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、パターン検査装置１が備える各要素の形状、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述したものの場合は、ダイ・ツー・データべース（ｄｉｅ−ｔｏ−ｄａｔａｂａｓｅ）法による検査の場合であるが、ダイ・ツー・ダイ（ｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ）法による検査に適用させることもできる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

１ パターン検査装置、２ 光源、３ 光学系、４ 載置部、５ 検出部、５ａ センサ部、５ｂ 検出データ処理部、６ 参照データ処理部、６ａ データ格納部、６ｂ データ展開部、７ 補正処理部、７ａ パターン認識部、７ｂ 寸法計測部、７ｃ 変化量演算部、７ｄ 度数集計部、７ｅ 異常データ除去部、７ｆ 補正条件演算部、８ 比較部、１０ 検出データ、１１ 参照データ、Ｌ 検査光、Ｗ 被検査体

Claims (6)

1. 被検査体に形成されたパターンに関する参照データと、前記パターンを検出することで得られた検出データと、を比較して前記パターンの検査を行うパターン検査装置であって、
   前記パターンを複数の領域に分割して前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の補正条件を求め、前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の少なくともいずれかにおいて対応する補正条件を適用して前記参照データを作成する補正処理部を備えたこと、を特徴とするパターン検査装置。
2. 前記補正処理部は、前記パターンを第１の方向に分割した第１の領域毎の前記補正条件を求めること、を特徴とする請求項１記載のパターン検査装置。
3. 前記補正処理部は、前記第１の領域間毎の前記補正条件を求めること、を特徴とする請求項１または２に記載のパターン検査装置。
4. 前記補正処理部は、前記第１の領域を前記第１の方向にさらに分割した第２の領域間毎の前記補正条件を求めること、を特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のパターン検査装置。
5. 被検査体に形成されたパターンに関する参照データと、前記パターンを検出することで得られた検出データと、を比較して前記パターンの検査を行うパターン検査方法であって、
   前記パターンを複数の領域に分割して前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の補正条件を求め、前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の少なくともいずれかにおいて対応する補正条件を適用して前記参照データを作成すること、を特徴とするパターン検査方法。
6. 構造体の表面にパターンを形成する工程と、
   請求項５記載のパターンの検査方法を用いて前記パターンを検査する工程と、
   を備えたことを特徴とする微細構造体の製造方法。