JP2010214302A - Exhaust gas treatment apparatus and exhaust gas treatment method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exhaust gas treatment apparatus and an exhaust gas treatment method, for effectively utilizing heat that an exhaust gas has. <P>SOLUTION: The exhaust gas treatment apparatus 10a includes a first treatment tank 11 filled with a first treating agent 51 for treating a gas to be treated, and a second treatment tank 21 which is the treatment tank in a double pipe structure, wherein a first space "a" is formed by an inner cylinder 22 disposed on the inner side and an outer cylinder 23 disposed on the outer side, a second space b is formed on the inner side of the inner cylinder 22, the inner cylinder 22 configures a heat exchanger for exchanging heat between the first space "a" and the second space "b", and a second treating agent 52 different from the first treating agent 51 is filled in one of the first space "a" and the second space "b". Further, first piping 42 for sending the exhaust gas which has passed through the other of the first space "a" and the second space "b" to the first treatment tank 11 is provided. Also, the first treatment tank 11 has an exhaust gas discharge port 12, and the exhaust gas discharge port 12 is connected to the space filled with the second treating agent 52 so as to be communicated with the space. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、排ガスの有する熱を有効利用する排ガス処理装置および排ガス処理方法に関する。   The present invention relates to an exhaust gas treatment apparatus and an exhaust gas treatment method that effectively use the heat of exhaust gas.

半導体や液晶パネル等を製造する際のエッチングプロセスでは、エッチング用ガスとしてHBrガスやClガスがよく用いられる。また、エッチング工程後の、製造装置内のチャンバーのクリーニング用ガスにはNFガスがよく用いられる。また、製造過程での副生成物としてCOが生成される場合がある。 In an etching process for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal panel, or the like, HBr gas or Cl 2 gas is often used as an etching gas. Further, NF 3 gas is often used as a cleaning gas for the chamber in the manufacturing apparatus after the etching process. In addition, CO may be generated as a by-product in the manufacturing process.

半導体や液晶パネル等の製造工程から排出されるガス(排ガス)には、上記プロセスで用いられるガスの一部が残存しており、さらに、COが含まれる場合もある。これらのガスは、人体に有害なガスであるため、排ガスをそのまま廃棄することができない。そのため、半導体製造装置等から真空ポンプにより排ガスを取り出し、真空ポンプの下流に設置された排ガス処理装置により、排ガス中からこれらのガスを除去した後に排ガスを廃棄する。これらのガスを除去する方法の一つとして、排ガス処理装置の処理槽に固体処理剤を充填し、処理槽に排ガスを通し、これらのガスと固体処理剤を接触させることにより除去する方法がある。   A part of the gas used in the above process remains in the gas (exhaust gas) discharged from the manufacturing process of semiconductors, liquid crystal panels, etc., and may contain CO. Since these gases are harmful to the human body, the exhaust gas cannot be discarded as it is. For this reason, the exhaust gas is taken out from the semiconductor manufacturing apparatus or the like by a vacuum pump, and the exhaust gas is discarded after these gases are removed from the exhaust gas by an exhaust gas treatment device installed downstream of the vacuum pump. As one of the methods for removing these gases, there is a method in which a solid treatment agent is filled in a treatment tank of an exhaust gas treatment apparatus, exhaust gas is passed through the treatment tank, and these gases and the solid treatment agent are brought into contact with each other. .

例えば、図4に示すように、半導体製造装置90から排出される排ガスは、排ガス処理装置110の筐体160外に配置された真空ポンプ131により吸引され、まず排ガス処理装置110の第1の処理筒111に送られる。第1の処理筒111には固体処理剤として合成ゼオライト等が充填され、排ガス中に含まれるHBrやClを固体処理剤に物理吸着または化学吸着させることにより除去する。なお、100℃を超えるような高温の状態では、物理吸着されたガスが処理剤から脱着する可能性が高まるため、吸着は常温で行なわれる。
次に第1の処理筒111でHBrやClが除去された排ガスは、第2の処理筒121に送られる。第2の処理筒121には固体処理剤として金属酸化物が充填され、排ガス中に含まれるCOを酸化することにより除去する。なお、COの除去は常温では困難であるため、第2の処理筒121はヒーター124を備え、第2の処理筒121内を60℃以上に加熱し、加熱された固体処理剤とCOを接触させる。また、排ガス中にNFが含まれる場合には、第2の処理筒121内をさらに高温にする必要がある。例えば、特許文献1には、250℃以上でNFを除外する方法が記載されている。なお、COやNFの除去に使用される固体処理剤(例えば、マンガン、鉄、銅等の遷移金属の酸化物)は、酸性ガスを通すと被毒し処理性能が低下する。そのため、COやNFの除去では、予め排ガス中に含まれる酸性ガス(HBrやCl等)を除去しておく必要がある。
For example, as shown in FIG. 4, the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus 90 is sucked by the vacuum pump 131 disposed outside the casing 160 of the exhaust gas processing apparatus 110, and first the first processing of the exhaust gas processing apparatus 110 is performed. It is sent to the cylinder 111. The first processing cylinder 111 is filled with synthetic zeolite or the like as a solid processing agent, and HBr and Cl 2 contained in the exhaust gas are removed by physical adsorption or chemical adsorption to the solid processing agent. In a high temperature state exceeding 100 ° C., the possibility that the physically adsorbed gas is desorbed from the processing agent is increased, and therefore the adsorption is performed at room temperature.
Next, the exhaust gas from which HBr and Cl 2 have been removed in the first processing cylinder 111 is sent to the second processing cylinder 121. The second treatment cylinder 121 is filled with a metal oxide as a solid treatment agent and is removed by oxidizing CO contained in the exhaust gas. Since removal of CO is difficult at room temperature, the second processing cylinder 121 includes a heater 124, the inside of the second processing cylinder 121 is heated to 60 ° C. or more, and the heated solid processing agent and CO are brought into contact with each other. Let Further, when NF 3 is contained in the exhaust gas, the inside of the second processing cylinder 121 needs to be further heated. For example, Patent Document 1 describes a method of excluding NF 3 at 250 ° C. or higher. In addition, the solid processing agent (for example, oxides of transition metals such as manganese, iron, and copper) used for removing CO and NF 3 is poisoned when the acidic gas is passed, and the processing performance is lowered. Therefore, when removing CO or NF 3 , it is necessary to remove in advance the acidic gas (HBr, Cl 2, etc.) contained in the exhaust gas.

特公平5−39649号公報Japanese Patent Publication No. 5-39649

上述のような有害ガスの除去は、まず常温でHBrやCl等の酸性ガスを除去し、次に加熱した固体処理剤によりCOやNFを除去するという順序で行なわれる。しかし、通常真空ポンプ131(図4参照)から排出される排ガスは、圧縮熱等により100℃以上になっている。100℃以上の排ガスは、真空ポンプ131と排ガス処理装置110の第1の処理筒111間に配置された配管を通る間に放熱し、常温程度まで熱が失われた後に第1の処理筒111内に流入する。常温で酸性ガスが除去された排ガスは、次にCOやNFを除去するために、第2の処理筒121内においてヒーター124により加熱される。このように、真空ポンプから排出された排ガスの有する熱は、有効利用されることなく放出され、常温となった排ガスはCOやNFの除去時に再び加熱される。
そこで本発明は、排ガスの有する熱を、排ガス中に含まれる被処理ガスの処理に有効利用する排ガス処理装置および排ガス処理方法を提供することを目的とする。
Removal of harmful gases as described above is performed in the order of removing acidic gases such as HBr and Cl 2 at room temperature, and then removing CO and NF 3 with a heated solid processing agent. However, the exhaust gas discharged from the normal vacuum pump 131 (see FIG. 4) is 100 ° C. or higher due to compression heat or the like. The exhaust gas at 100 ° C. or higher is radiated while passing through a pipe disposed between the vacuum pump 131 and the first processing cylinder 111 of the exhaust gas processing apparatus 110, and after the heat is lost to about room temperature, the first processing cylinder 111 is discharged. Flows in. The exhaust gas from which the acid gas has been removed at room temperature is then heated by the heater 124 in the second processing cylinder 121 in order to remove CO and NF 3 . In this way, the heat of the exhaust gas discharged from the vacuum pump is released without being effectively used, and the exhaust gas that has reached room temperature is heated again when CO or NF 3 is removed.
Accordingly, an object of the present invention is to provide an exhaust gas treatment apparatus and an exhaust gas treatment method that effectively use the heat of exhaust gas for the treatment of the gas to be treated contained in the exhaust gas.

上記課題を解決するため、本発明の第1の態様に係る排ガス処理装置は、例えば図1に示すように、処理剤に排ガスを通過させることにより排ガス中に含まれる被処理ガスを処理する排ガス処理装置であって、排ガスを通過させ、被処理ガスを処理する第1の処理剤51が充填された第1の処理槽11と、2重管構造の処理槽であって、内側に配置された内筒22と外側に配置された外筒23で第1の空間aが形成され、内筒22の内側に第2の空間bが形成され、内筒22は第1の空間aと第2の空間bとの間で熱交換する熱交換器を構成し、第1の空間aと第2の空間bのうち一方に第1の処理剤51とは異なる第2の処理剤52が充填された第2の処理槽21と、排ガスが通過する配管であって、第1の空間aと第2の空間bのうち他方を通過した排ガスを第1の処理槽11に送る第1の配管42とを備え、第1の処理槽11は排ガス排出口12を有し、排ガス排出口12は第2の処理剤52が充填された空間と連通するように該空間に接続される。
なお、「被処理ガス」とは、排ガス中に含まれるガスであり、排ガス処理装置の処理槽に充填された処理剤の、処理対象となるガスをいう。
In order to solve the above-described problem, an exhaust gas treatment apparatus according to the first aspect of the present invention is an exhaust gas for treating a gas to be treated contained in exhaust gas by passing the exhaust gas through a treating agent, for example, as shown in FIG. A processing apparatus, which is a first processing tank 11 filled with a first processing agent 51 that passes exhaust gas and processes a gas to be processed, and a processing tank having a double pipe structure, and is disposed inside. A first space a is formed by the inner cylinder 22 and the outer cylinder 23 disposed on the outer side, a second space b is formed on the inner side of the inner cylinder 22, and the inner cylinder 22 has the first space a and the second space b. A heat exchanger that exchanges heat with the first space a is configured, and one of the first space a and the second space b is filled with a second processing agent 52 that is different from the first processing agent 51. The second treatment tank 21 and the pipe through which the exhaust gas passes, and the other of the first space a and the second space b The first treatment tank 11 has an exhaust gas outlet 12, and the exhaust gas outlet 12 is filled with a second treatment agent 52. It is connected to the space so as to communicate with the space.
The “gas to be treated” is a gas contained in the exhaust gas, which is a gas to be treated of the treatment agent filled in the treatment tank of the exhaust gas treatment apparatus.

このように構成すると、排ガスの温度が第1の処理槽の処理温度よりも高く、第2の処理槽の処理温度が第1の処理槽の処理温度よりも高く、かつ、排ガスを第1の処理槽による処理、第2の処理槽による処理の順に処理しなければならない場合に、排ガスの有する熱でまず第2の処理槽内を加熱できる構成としたので、第2の処理槽内を加熱した後に、排ガスを第1の処理槽、第2の処理槽の順に通すことができ、排ガスの有する熱を有効利用することができる。   If comprised in this way, the temperature of waste gas is higher than the processing temperature of a 1st processing tank, the processing temperature of a 2nd processing tank is higher than the processing temperature of a 1st processing tank, When the processing in the processing tank and the processing in the second processing tank have to be performed in this order, the second processing tank can be heated with the heat of the exhaust gas, so the inside of the second processing tank is heated. After that, the exhaust gas can be passed through the first treatment tank and the second treatment tank in this order, and the heat of the exhaust gas can be used effectively.

本発明の第2の態様に係る排ガス処理装置は、上記本発明の第1の態様において、第1の配管42は、裸管に比し、放熱効果の高い管である。   In the exhaust gas treatment apparatus according to the second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the first pipe 42 is a pipe having a higher heat dissipation effect than a bare pipe.

このように構成すると、第1の処理槽の処理温度が第2の処理槽の処理温度よりも低い場合に、第2の処理槽を通過した排ガスの有する熱が、より放熱効果の高い管を通過するため、放熱され易く、容易に排ガスの温度を第1の処理槽での処理温度に適した温度にすることができる。   If comprised in this way, when the processing temperature of a 1st processing tank is lower than the processing temperature of a 2nd processing tank, the heat | fever which the waste gas which passed the 2nd processing tank has will have a higher heat dissipation effect. Since it passes through, it is easy to dissipate heat, and the temperature of the exhaust gas can be easily adjusted to a temperature suitable for the treatment temperature in the first treatment tank.

本発明の第3の態様に係る排ガス処理装置は、例えば図2に示すように、上記本発明の第1または第2の態様において、内筒22は、内筒22の外周に、内筒22の外周を内側の円とするドーナツ板状のフィン26を有し、外筒23は、外筒23の内周に、外筒23の内周を外側の円とするドーナツ板状のフィン27を有する。   The exhaust gas treatment apparatus according to the third aspect of the present invention is, for example, as shown in FIG. 2, in the first or second aspect of the present invention, the inner cylinder 22 is disposed on the outer periphery of the inner cylinder 22. The outer cylinder 23 has a donut plate-like fin 27 having an inner circumference of the outer cylinder 23 as an outer circle on the inner circumference of the outer cylinder 23. Have.

このように構成すると、熱交換器を構成する内筒22がフィン26によりさらに熱を伝えやすくなる。また、フィン26およびフィン27により、第1の空間aを通過する排ガスと第2の処理剤を均一に接触させることができる。   If comprised in this way, the inner cylinder 22 which comprises a heat exchanger will become easier to convey heat with the fin 26. FIG. Further, the exhaust gas passing through the first space a and the second treatment agent can be brought into uniform contact by the fins 26 and the fins 27.

本発明の第4の態様に係る排ガス処理装置は、例えば図1に示すように、排ガスを移送するガス移送機31を備え、ガス移送機31は、排ガス処理装置10aの筐体60に収められている。なお、ガス移送機31は、典型的には遠心ブロワであるが、流量の少ないときなどは往復動ポンプ等であってもよい。   As shown in FIG. 1, for example, the exhaust gas treatment apparatus according to the fourth aspect of the present invention includes a gas transfer device 31 that transfers exhaust gas, and the gas transfer device 31 is housed in a casing 60 of the exhaust gas treatment device 10a. ing. The gas transfer machine 31 is typically a centrifugal blower, but may be a reciprocating pump or the like when the flow rate is small.

このように構成すると、排ガス処理装置の筐体内に、ガス移送機と処理槽を配置しているため、ガス移送機を排ガス処理装置の外部に設けた場合と比べ、ガス移送機から処理槽までの排ガスの移送距離を短くすることができる。そのため、ガス移送機から排出される排ガスの有する熱が、ガス移送機から処理槽まで移送される間に放熱により失われる場合に、失われる熱量をより少なくすることができる。   If comprised in this way, since the gas transfer machine and the processing tank are arrange | positioned in the housing | casing of an exhaust gas processing apparatus, compared with the case where a gas transfer machine is provided in the exterior of an exhaust gas processing apparatus, from a gas transfer machine to a processing tank The exhaust gas transfer distance can be shortened. Therefore, when the heat of the exhaust gas discharged from the gas transfer machine is lost due to heat dissipation while being transferred from the gas transfer machine to the treatment tank, the amount of heat lost can be further reduced.

本発明の第5の態様に係る排ガス処理方法は、処理剤に排ガスを通過させることにより排ガス中に含まれる被処理ガスを処理する排ガス処理方法であって、排ガスが、第2の処理剤を第2の温度に加熱する工程と、前記排ガス中に含まれる被処理ガスを、前記第2の温度よりも低い第1の温度で、前記第2の処理剤とは異なる第1の処理剤により処理する工程と、前記排ガス中に含まれる被処理ガスを、前記排ガスにより加熱された前記第2の処理剤により処理する工程とを備える。   An exhaust gas treatment method according to a fifth aspect of the present invention is an exhaust gas treatment method for treating a gas to be treated contained in exhaust gas by passing the exhaust gas through the treatment agent, wherein the exhaust gas removes the second treatment agent. A step of heating to a second temperature, and a gas to be treated contained in the exhaust gas at a first temperature lower than the second temperature and a first treatment agent different from the second treatment agent A step of treating, and a step of treating a gas to be treated contained in the exhaust gas with the second treatment agent heated by the exhaust gas.

このように構成すると、排ガスの有する熱により第2の処理剤を加熱した後に、排ガス中に含まれる被処理ガスを第1の処理剤、第2の処理剤の順に用いて処理する方法となる。そのため、排ガスの温度が第1の処理剤での処理温度よりも高く、かつ第1の処理剤での処理温度よりも第2の処理剤での処理温度が高い場合であっても、排ガスの有する熱を有効に利用できる方法となる。   If comprised in this way, after heating a 2nd processing agent with the heat | fever which waste gas has, it becomes the method of processing using the to-be-processed gas contained in waste gas in order of a 1st processing agent and a 2nd processing agent. . Therefore, even when the temperature of the exhaust gas is higher than the treatment temperature with the first treatment agent and the treatment temperature with the second treatment agent is higher than the treatment temperature with the first treatment agent, It becomes a method which can utilize the heat which has effectively.

本発明の排ガス処理装置では、排ガス中に含まれる被処理ガスを、第1の処理槽、第2の処理槽の順で処理する場合に、第1の処理槽流入前の排ガスの温度が第1の処理槽での処理温度よりも高く、さらに、第2の処理槽での処理温度が第1の処理槽での処理温度よりも高い場合であっても、排ガスの有する熱を利用して第2の処理槽を加熱することができ、排ガスの有する熱を有効利用できる。   In the exhaust gas treatment apparatus of the present invention, when the gas to be treated contained in the exhaust gas is treated in the order of the first treatment tank and the second treatment tank, the temperature of the exhaust gas before flowing into the first treatment tank is the first. Even when the processing temperature in the second processing tank is higher than the processing temperature in the first processing tank, and even if the processing temperature in the second processing tank is higher than the processing temperature in the first processing tank, the heat of the exhaust gas is used. The second treatment tank can be heated, and the heat of the exhaust gas can be used effectively.

図1は、本発明の第1の実施の形態に係る排ガス処理装置10aの構成図(模式的断面図)である。FIG. 1 is a configuration diagram (schematic cross-sectional view) of an exhaust gas treatment apparatus 10a according to a first embodiment of the present invention. 図2は、第2の処理筒の有するフィンを例示する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating fins included in the second processing cylinder. 図3は、本発明の第2の実施の形態に係る排ガス処理装置10bの構成図(模式的断面図)である。FIG. 3 is a configuration diagram (schematic cross-sectional view) of an exhaust gas treatment apparatus 10b according to the second embodiment of the present invention. 図4は、従来の排ガス処理装置を例示する図(模式的断面図)である。FIG. 4 is a diagram (schematic cross-sectional view) illustrating a conventional exhaust gas treatment apparatus.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において互いに同一または相当する部材には同一あるいは類似の符号を付し、重複した説明は省略する。また、本発明は、以下の実施の形態に制限されるものではない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding members are denoted by the same or similar reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the present invention is not limited to the following embodiments.

本発明の排ガス処理装置は、排ガスの有する熱を排ガス中に含まれる被処理ガスの処理に有効利用するという目的を、以下の排ガス処理装置の構成により実現した。   The exhaust gas treatment apparatus of the present invention achieves the object of effectively using the heat of the exhaust gas for the treatment of the gas to be treated contained in the exhaust gas with the following configuration of the exhaust gas treatment apparatus.

図1は、本発明の第1の実施の形態に係る排ガス処理装置10aの構成図(模式的縦断面図)である。図1を参照して排ガス処理装置10aの構成について説明する。なお、図1中の破線は、排ガス処理装置10aの筐体60を示している。図1に示すように、排ガス処理装置10aは、第1の処理剤51を充填し排ガスを通過させる円筒状の第1の処理槽としての第1の処理筒11を備える。さらに、円筒状の内筒22と、内筒22を取囲むように配置された円筒状の外筒23とで二重管構造を構成する第2の処理槽としての第2の処理筒21を備える。このように、第2の処理筒21では、内筒22の外周に内筒22と外筒23により両者に挟まれた第1の空間aが形成され、内筒22の内側に第2の空間bが形成される。なお、第1の処理筒11および、第2の処理筒の内筒22および外筒23は円筒状に形成されている。円筒状に形成すると、製作が容易であり、排ガスと処理剤を均一に接触させることができ、さらに、耐圧性にもすぐれるため好ましい。しかし、必ずしも円筒状でなくてもよい。また、外筒23の外側には、外筒23の外表面からの放熱を抑制するための保温材(不図示)を巻きつけてもよい。さらに、第2の処理筒21は、外筒23の外周に第2の処理筒21内の温度を調節するためのヒーター24を有する。なお、内筒22は、第1の空間aと第2の空間bで熱交換を行なうための熱交換器として機能する。また、内筒22は、耐腐食性に優れたステンレスで製造することが好ましい。   FIG. 1 is a configuration diagram (schematic longitudinal sectional view) of an exhaust gas treatment apparatus 10a according to a first embodiment of the present invention. The configuration of the exhaust gas treatment apparatus 10a will be described with reference to FIG. In addition, the broken line in FIG. 1 has shown the housing | casing 60 of the waste gas processing apparatus 10a. As shown in FIG. 1, the exhaust gas treatment apparatus 10 a includes a first treatment cylinder 11 as a cylindrical first treatment tank that is filled with a first treatment agent 51 and allows exhaust gas to pass through. Furthermore, a second processing cylinder 21 as a second processing tank that constitutes a double pipe structure with a cylindrical inner cylinder 22 and a cylindrical outer cylinder 23 arranged so as to surround the inner cylinder 22 is provided. Prepare. As described above, in the second processing cylinder 21, the first space a sandwiched between the inner cylinder 22 and the outer cylinder 23 is formed on the outer periphery of the inner cylinder 22, and the second space is formed inside the inner cylinder 22. b is formed. The first processing cylinder 11 and the inner cylinder 22 and the outer cylinder 23 of the second processing cylinder are formed in a cylindrical shape. Forming in a cylindrical shape is preferable because it is easy to manufacture, makes it possible to uniformly contact the exhaust gas and the treatment agent, and is excellent in pressure resistance. However, it does not necessarily have to be cylindrical. Further, a heat insulating material (not shown) for suppressing heat radiation from the outer surface of the outer cylinder 23 may be wound around the outer cylinder 23. Further, the second processing cylinder 21 has a heater 24 for adjusting the temperature in the second processing cylinder 21 on the outer periphery of the outer cylinder 23. The inner cylinder 22 functions as a heat exchanger for exchanging heat between the first space a and the second space b. Moreover, it is preferable to manufacture the inner cylinder 22 with the stainless steel excellent in corrosion resistance.

さらに、図2に示すように、第2の処理筒21の内筒22は、その外周を取囲むように、内筒22の外周を内側の円とするドーナツ板状の複数のフィン26を有する。よって、第2の空間b内の熱が内筒22のフィン26に伝わることにより、第1の空間aに充填された第2の処理剤52に熱を伝わりやすくすることができる。また、外筒23は外筒23の内周に沿って、外筒23の内周を外側の円とするドーナツ板状のフィン27を有する。フィン26およびフィン27により、排ガスが第1の空間aを通過する際、滞留しながら通過するようにすることができる。さらに、フィン27を有することにより、ヒーター24を使用した場合のヒーター24の熱を第1の空間aに充填された第2の処理剤52に伝わりやすくすることができる。なお、図2では、フィン26は内筒22の外表面に対して垂直に設置され、フィン27は外筒23の内表面に対して垂直に設置されているが、必ずしも垂直である必要はなく、伝熱効果を向上させることができる角度、および、排ガスを滞留させることができる角度であればよい。同様にフィン26およびフィン27は、第2の処理剤52に熱が伝わりやすく、さらに、排ガスを滞留させることができればよいため、必ずしもドーナツ板状でなくてもよい。
なお、第1の実施の形態に係る排ガス処理装置10aでは、第2の処理剤52は第1の空間aに充填される。
Further, as shown in FIG. 2, the inner cylinder 22 of the second processing cylinder 21 has a plurality of donut plate-like fins 26 with the outer periphery of the inner cylinder 22 as an inner circle so as to surround the outer periphery thereof. . Therefore, the heat in the second space b is transmitted to the fins 26 of the inner cylinder 22 so that the heat can be easily transmitted to the second processing agent 52 filled in the first space a. Further, the outer cylinder 23 has a donut plate-like fin 27 along the inner periphery of the outer cylinder 23 and having the inner periphery of the outer cylinder 23 as an outer circle. The fins 26 and the fins 27 allow the exhaust gas to pass while staying when passing through the first space a. Furthermore, by having the fins 27, the heat of the heater 24 when the heater 24 is used can be easily transmitted to the second treatment agent 52 filled in the first space a. In FIG. 2, the fins 26 are installed perpendicular to the outer surface of the inner cylinder 22, and the fins 27 are installed perpendicular to the inner surface of the outer cylinder 23, but are not necessarily perpendicular. Any angle that can improve the heat transfer effect and any angle that can retain the exhaust gas may be used. Similarly, the fin 26 and the fin 27 do not necessarily have a donut plate shape because heat is easily transmitted to the second treatment agent 52 and the exhaust gas can be retained.
In the exhaust gas treatment apparatus 10a according to the first embodiment, the second treatment agent 52 is filled in the first space a.

さらに、図1に示すように、排ガス処理装置10aは、半導体製造装置90から排ガスを吸引し排ガスを移送するガス移送機としての真空ポンプ31を備える。また、真空ポンプ31から排出された排ガスが第2の処理筒21の第2の空間bに流入するように接続された配管41と、第2の処理筒21の第2の空間bから排出された排ガスが第1の処理筒11に流入するように接続された第1の配管としての配管42と、第1の処理筒11の排ガス排出口12から排出された排ガスが第2の処理筒21の第1の空間aに流入するように接続された配管43と、第2の処理筒21の第1の空間aから排出された排ガスを排ガス処理装置10aの外部へ流出させるように接続された配管44を備える。なお、配管42は、排ガスの有する熱を放出しやすいように、裸管に比し放熱効果の高い管であることが好ましい。例えば、配管42全体または一部をベローズ管で構成すると、配管42の表面積が大きくなるため、排ガスの有する熱が配管42から放熱されやすくなる。その結果、第2の処理筒21の第2の空間bから排出された排ガスの温度を、第1の処理筒11に流入するまでに、容易に常温程度まで下げることができる。また、配管42の外表面にフィン(不図示)を取付け、配管42の放熱面を増やすことにより、放熱効果を向上させてもよい。
なお、配管42をベローズ管で構成すると、第1の処理筒11と第2の処理筒21を同一の筐体60内に設置する際、ベローズ管が位置ズレの逃げとして作用し、両筒の設置を容易にするという効果も生ずる。
なお、排ガス処理装置10aの形成材料は特に制限されず、ニッケル系合金などこの種のガス処理装置に通常用いられる材料を適宜用いることができる。
Further, as shown in FIG. 1, the exhaust gas treatment apparatus 10 a includes a vacuum pump 31 as a gas transfer machine that sucks exhaust gas from the semiconductor manufacturing apparatus 90 and transfers the exhaust gas. Further, the exhaust gas discharged from the vacuum pump 31 is discharged from the pipe 41 connected so as to flow into the second space b of the second processing cylinder 21 and the second space b of the second processing cylinder 21. The exhaust gas discharged from the exhaust gas outlet 12 of the first processing cylinder 11 and the piping 42 as the first piping connected so that the exhaust gas discharged into the first processing cylinder 11 flows into the second processing cylinder 21. The pipe 43 connected so as to flow into the first space a and the exhaust gas discharged from the first space a of the second processing cylinder 21 were connected to flow out of the exhaust gas processing apparatus 10a. A pipe 44 is provided. In addition, it is preferable that the piping 42 is a pipe | tube with a high heat dissipation effect compared with a bare pipe so that it may discharge | release the heat | fever which waste gas has easily. For example, if the whole or a part of the pipe 42 is constituted by a bellows pipe, the surface area of the pipe 42 is increased, so that the heat of the exhaust gas is easily radiated from the pipe 42. As a result, the temperature of the exhaust gas discharged from the second space b of the second processing cylinder 21 can be easily lowered to about room temperature before flowing into the first processing cylinder 11. Further, the heat radiation effect may be improved by attaching fins (not shown) to the outer surface of the pipe 42 and increasing the heat radiation surface of the pipe 42.
If the pipe 42 is constituted by a bellows pipe, when the first processing cylinder 11 and the second processing cylinder 21 are installed in the same housing 60, the bellows pipe acts as a displacement displacement, The effect of facilitating installation also occurs.
In addition, the formation material in particular of exhaust gas processing apparatus 10a is not restrict | limited, The material normally used for this kind of gas processing apparatuses, such as a nickel-type alloy, can be used suitably.

第1の処理筒11には、第1の処理剤51としての合成ゼオライト、活性炭、またはアルミナ、シリカゲル、酸化銅(CuO)、二酸化マンガン(MnO)、もしくはホプカライト等の金属酸化物が充填され、排ガス中の酸性ガスを除去する。また、第2の処理筒21の第1の空間aには、第2の処理剤52としての酸化鉄(Fe)、酸化銅(CuO)または二酸化マンガン(MnO)等の金属酸化物や触媒が充填され、酸化反応によりCOやNFガスを除去する。なお、第1の処理筒11、および第2の処理筒21の第1の空間aには、それぞれ2種類以上の処理剤を充填してもよい。 The first treatment cylinder 11 is filled with synthetic zeolite, activated carbon, or alumina, silica gel, copper oxide (CuO), manganese dioxide (MnO 2 ), or metal oxide such as hopcalite as the first treatment agent 51. Remove the acidic gas in the exhaust gas. Further, in the first space a of the second processing cylinder 21, metal oxide such as iron oxide (Fe 2 O 3 ), copper oxide (CuO), or manganese dioxide (MnO 2 ) as the second processing agent 52 is used. The product and catalyst are filled, and CO and NF 3 gas are removed by an oxidation reaction. Note that the first space a of the first processing cylinder 11 and the second processing cylinder 21 may be filled with two or more kinds of processing agents, respectively.

さらに、第2の処理筒21で排ガス中に含まれるCOやNFを加熱酸化により除去する場合には、空気または酸素を第2の処理筒21内に導入する必要がある。したがって、第2の処理筒21には、被処理ガスの処理時に空気または酸素を導入するための空気導入口25を設ける。なお、第2の処理筒21内の空気または酸素等の導入先(すなわち第2の処理剤52が充填された空間)が正圧のときは、ポンプやブロワ等(不図示)を用いて、空気または酸素を導入させる必要がある。または、配管44の下流側に吸引ブロワ、ファン、または真空ポンプ(不図示)を設けてもよく、その場合は、第2の処理剤52が充填された空間は負圧となるため、空気導入口25からポンプやブロワを用いて空気または酸素を押し込む必要がない。さらに、空気導入口25の位置は、空気または酸素の流れの方向が排ガスの流れの方向と同一となるような位置に設けることが好ましい。なお、第2の処理筒21内に空気または酸素が導入されればよいため、空気導入口25は、配管42上または配管43上に設けても良い。なお、第1の処理筒11の下流である配管43上に設けることが好ましい。 Further, when CO or NF 3 contained in the exhaust gas is removed by heat oxidation in the second processing cylinder 21, it is necessary to introduce air or oxygen into the second processing cylinder 21. Therefore, the second processing cylinder 21 is provided with an air inlet 25 for introducing air or oxygen when processing the gas to be processed. When the introduction destination of air or oxygen in the second processing cylinder 21 (that is, the space filled with the second processing agent 52) is positive pressure, a pump, a blower or the like (not shown) is used. It is necessary to introduce air or oxygen. Alternatively, a suction blower, a fan, or a vacuum pump (not shown) may be provided on the downstream side of the pipe 44, and in that case, the space filled with the second processing agent 52 has a negative pressure, so that air is introduced. It is not necessary to push in air or oxygen from the port 25 using a pump or a blower. Furthermore, the position of the air inlet 25 is preferably provided at a position where the flow direction of air or oxygen is the same as the flow direction of the exhaust gas. Since air or oxygen only needs to be introduced into the second processing cylinder 21, the air inlet 25 may be provided on the pipe 42 or the pipe 43. Note that it is preferable to provide the pipe 43 on the downstream side of the first processing cylinder 11.

第1の処理筒11に、第1の処理剤51として合成ゼオライトを充填し、第2の処理筒21の第1の空間aに第2の処理剤52として酸化鉄(Fe)を充填した場合を例として、排ガス処理装置10aの排ガスの流れを説明する。
図1に示すように、半導体製造装置90から排出された排ガスは、排ガス処理装置10a内に配置された真空ポンプ31により吸引され、配管41を通り、第2の処理筒21の第2の空間bへ送られる。このとき、真空ポンプ31から排出される排ガスの温度は100℃以上である。100℃以上の排ガスが第2の処理筒21に流入し、第2の空間bを通過する際に、排ガスの有する熱が内筒22に伝わる。さらに内筒22に伝わった熱が、外表面やフィン26(図2参照)から、第1の空間aに充填された第2の処理剤52に伝わり、第2の処理剤52を60℃以上に加熱する。第2の空間bを通過した排ガスは、配管42を通過中に放熱し、その温度が常温程度まで下がる。常温程度となった排ガスは、第1の処理筒11に流入する。第1の処理筒11で、排ガス中に含まれるHBrやCl等の酸性ガスが、第1の処理筒11に充填された合成ゼオライトと接触し、吸着され排ガス中から除去される。
酸性ガスが除去された排ガスは、配管43を通り第2の処理筒21の第1の空間a内へ流入する。なお、COを加熱酸化する場合は、第2の処理筒21内の処理温度を60℃以上にする必要があるが、第1の空間aに充填された酸化鉄(Fe)は、すでに第2の空間bを通過した排ガスにより60℃以上に加熱されているため、排ガス中に含まれるCOが加熱酸化により除去される。なお、内筒22から離れた位置(例えば外筒23の近辺)に充填された第2の処理剤52は、加熱が不十分な場合がある。その場合は、ヒーター24を用いて第2の処理剤52を加熱してもよい。
The first processing cylinder 11 is filled with synthetic zeolite as the first processing agent 51, and iron oxide (Fe 2 O 3 ) is used as the second processing agent 52 in the first space a of the second processing cylinder 21. Taking the case of filling as an example, the flow of exhaust gas from the exhaust gas treatment apparatus 10a will be described.
As shown in FIG. 1, the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus 90 is sucked by the vacuum pump 31 disposed in the exhaust gas processing apparatus 10a, passes through the pipe 41, and the second space of the second processing cylinder 21. b. At this time, the temperature of the exhaust gas discharged from the vacuum pump 31 is 100 ° C. or higher. When the exhaust gas of 100 ° C. or higher flows into the second processing cylinder 21 and passes through the second space b, the heat of the exhaust gas is transmitted to the inner cylinder 22. Further, the heat transferred to the inner cylinder 22 is transferred from the outer surface and the fins 26 (see FIG. 2) to the second processing agent 52 filled in the first space a, and the second processing agent 52 is passed through the second processing agent 52 by 60 ° C. or more. Heat to. The exhaust gas that has passed through the second space b dissipates heat while passing through the pipe 42, and its temperature drops to about room temperature. The exhaust gas that has reached about room temperature flows into the first processing cylinder 11. In the first treatment cylinder 11, acidic gases such as HBr and Cl 2 contained in the exhaust gas come into contact with the synthetic zeolite filled in the first treatment cylinder 11 and are adsorbed and removed from the exhaust gas.
The exhaust gas from which the acid gas has been removed flows through the pipe 43 and into the first space a of the second processing cylinder 21. In the case where CO is heated and oxidized, the processing temperature in the second processing cylinder 21 needs to be 60 ° C. or higher, but iron oxide (Fe 2 O 3 ) filled in the first space a is Since it has been heated to 60 ° C. or higher by the exhaust gas that has already passed through the second space b, CO contained in the exhaust gas is removed by thermal oxidation. In addition, the 2nd processing agent 52 with which the position away from the inner cylinder 22 (for example, the vicinity of the outer cylinder 23) was filled may be insufficient. In that case, the second treatment agent 52 may be heated using the heater 24.

また、排ガスが第2の処理筒21の第2の空間bを通過する際、第2の空間b内の温度は排ガスの流入側(すなわち真空ポンプ31が配置されている側)の方が高くなる。一方で、排ガスが第2の処理筒21の第1の空間a(第2の処理剤52が充填されている空間)を通過する際は、加熱された処理剤の熱や酸化反応により生じた反応熱が排ガスの流れにそって排ガスの流出側に伝わるため、第1の空間a内の温度は排ガスの流出側の方が高くなる。したがって、第2の処理筒21内の温度分布を均一にするために、第1の空間aおよび第2の空間bを流れる排ガスは、同一の方向に流れるようにする(並行流とする)ことが好ましい。   Further, when the exhaust gas passes through the second space b of the second processing cylinder 21, the temperature in the second space b is higher on the inflow side of the exhaust gas (that is, the side where the vacuum pump 31 is disposed). Become. On the other hand, when the exhaust gas passes through the first space a (the space filled with the second processing agent 52) of the second processing cylinder 21, the exhaust gas is generated by the heat or oxidation reaction of the heated processing agent. Since the reaction heat is transmitted along the flow of the exhaust gas to the exhaust gas outflow side, the temperature in the first space a is higher on the exhaust gas outflow side. Therefore, in order to make the temperature distribution in the second processing cylinder 21 uniform, the exhaust gas flowing through the first space a and the second space b should flow in the same direction (parallel flow). Is preferred.

排ガス中にCOの他にNFが含まれる場合には、第2の処理筒21内の第2の処理剤52を250℃程度まで加熱する必要がある。この場合に、図4に示すような従来の排ガス処理装置110では、第1の処理筒111から常温の排ガスが第2の処理筒121に流入するため、第2の処理筒121の流入口付近に充填された処理剤は常温の排ガスにより冷却される。そのため、流入口付近に充填された処理剤は所定の温度に達することができず、常に50℃以下になっていた。このように、第2の処理筒121内には、所定の温度に達することのできない50℃以下の領域(デッドゾーン)が発生していた。50℃以下の領域では、NFだけでなくCOも除去することができない。そのため、当該領域に充填された処理剤の中には処理に寄与せず、処理能力があるにも拘わらず交換されるものがあり、結果として処理剤の浪費が生じていた。しかし、本発明の実施の形態に係る排ガス処理装置10aでは、図1に示すように、真空ポンプ31から排出された100℃以上の排ガスを第2の処理筒21の第2の空間bに通すことにより、第2の処理筒21では、第1の処理筒11からの排ガスの流入側付近に充填された第2の処理剤52を60℃以上に加熱することができる。そのため、排ガスの流入側付近に充填された第2の処理剤52によりCOの除去が可能となり、デッドゾーンの発生を防止し、処理剤の浪費を抑制することができる。
また、排ガス処理装置10aの第2の処理筒21でNFを除去する場合は、副生成物としてNOx(NOまたはNO)ガスが生成される。よって、排ガスの流れに対して、第2の処理筒21の下流側にNOxを処理するための処理筒(不図示)を設置してもよい。
When the exhaust gas contains NF 3 in addition to CO, it is necessary to heat the second treatment agent 52 in the second treatment cylinder 21 to about 250 ° C. In this case, in the conventional exhaust gas treatment apparatus 110 as shown in FIG. 4, normal temperature exhaust gas flows from the first treatment cylinder 111 into the second treatment cylinder 121, so that it is near the inlet of the second treatment cylinder 121. The processing agent filled in is cooled by exhaust gas at normal temperature. Therefore, the treatment agent filled in the vicinity of the inflow port cannot reach a predetermined temperature, and has always been 50 ° C. or lower. As described above, a region (dead zone) of 50 ° C. or lower that cannot reach the predetermined temperature is generated in the second processing cylinder 121. In the region of 50 ° C. or lower, not only NF 3 but also CO cannot be removed. For this reason, some of the processing agents filled in the region do not contribute to the processing and are replaced despite having processing capability, resulting in the waste of the processing agent. However, in the exhaust gas treatment apparatus 10 a according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, the exhaust gas at 100 ° C. or higher discharged from the vacuum pump 31 is passed through the second space b of the second treatment cylinder 21. Thus, in the second processing cylinder 21, the second processing agent 52 filled in the vicinity of the inflow side of the exhaust gas from the first processing cylinder 11 can be heated to 60 ° C. or higher. Therefore, CO can be removed by the second treatment agent 52 filled in the vicinity of the exhaust gas inflow side, the occurrence of a dead zone can be prevented, and waste of the treatment agent can be suppressed.
Further, when NF 3 is removed by the second processing cylinder 21 of the exhaust gas processing apparatus 10a, NOx (NO or NO 2 ) gas is generated as a by-product. Therefore, you may install the process cylinder (not shown) for processing NOx in the downstream of the 2nd process cylinder 21 with respect to the flow of waste gas.

なお、COやNFを加熱酸化により除去する場合は、第2の処理筒21の空気導入口25から第2の処理筒21の第1の空間a(第2の処理剤52が充填された空間)に、空気または酸素を導入する必要がある。これらの空気または酸素の導入では、予め所定温度以上(COの除去では60℃以上、NFの除去では250℃以上)に加熱された空気または酸素を導入してもよい。 When CO or NF 3 is removed by thermal oxidation, the first space a of the second processing cylinder 21 (the second processing agent 52 is filled) from the air inlet 25 of the second processing cylinder 21. It is necessary to introduce air or oxygen into the space. In introducing the air or oxygen, air or oxygen that has been heated to a predetermined temperature or higher (60 ° C. or higher for removing CO and 250 ° C. or higher for removing NF 3 ) may be introduced.

以上のとおり、排ガス処理装置10aでは、排ガスの有する熱を有効に活用し、ヒーター24の消費する電力等を抑制するとともに被処理ガスの処理効率を向上させる。さらに、処理剤を有効に消費する。
また、図1に示すように、排ガス処理装置10aでは筐体60内に、真空ポンプ31を備えているため、真空ポンプ31の下流直後に第2の処理筒21を配置することができる。そのため、排ガスの有する熱が第2の処理筒に流入する前に放熱等により失われるのを抑制することができ、効率よく熱を活用することができる。
さらに、図2に示すように、フィン26により第2の処理筒21の第2の空間bを流れる排ガスの熱が第1の空間aに充填された第2の処理剤52に伝わりやすくなっている。
また、第1の空間aを流れる排ガスは、フィン26やフィン27により第1の空間a内に滞留しやすくなっており、排ガス中に含まれるCOやNFと第2の処理剤52の接触が均一となり、処理効率をあげることができる。
As described above, in the exhaust gas treatment apparatus 10a, the heat of the exhaust gas is effectively used to suppress the power consumed by the heater 24 and improve the treatment efficiency of the gas to be treated. Furthermore, the processing agent is effectively consumed.
Further, as shown in FIG. 1, since the exhaust gas treatment apparatus 10 a includes the vacuum pump 31 in the housing 60, the second treatment cylinder 21 can be disposed immediately after the vacuum pump 31. Therefore, it is possible to prevent the heat of the exhaust gas from being lost due to heat dissipation or the like before flowing into the second processing cylinder, and the heat can be efficiently utilized.
Further, as shown in FIG. 2, the heat of the exhaust gas flowing through the second space b of the second processing cylinder 21 is easily transmitted to the second processing agent 52 filled in the first space a by the fins 26. Yes.
Further, the exhaust gas flowing through the first space a is likely to stay in the first space a by the fins 26 and 27, and the contact between the CO and NF 3 contained in the exhaust gas and the second treatment agent 52 is facilitated. Becomes uniform and the processing efficiency can be increased.

図3は、本発明の第2の実施の形態に係る排ガス処理装置10bの構成図(模式的断面図)である。図3を参照して排ガス処理装置10bの構成について説明する。排ガス処理装置10bでは、真空ポンプ31から排出された排ガスが、配管41を通り、第2の処理筒21の第1の空間aに流入するように、配管41が接続される。さらに、第1の処理筒11から排出された排ガスが、第2の処理筒21の第2の空間bに流入するように、配管43が接続される。また、第2の処理剤52は、第2の空間bに充填される。このように、排ガス処理装置10bでは、第2の処理筒21の第1の空間aに、加熱用の排ガスを通し、第2の空間bに、被処理ガスを処理するための排ガスを通す構成となる。第2の処理筒21以外の構成や符号は、排ガス処理装置10aと同一である。なお、排ガス処理装置10bでは、フィン(不図示)は第2の空間b内(内筒22の内側)に設置されることが好ましい。   FIG. 3 is a configuration diagram (schematic cross-sectional view) of an exhaust gas treatment apparatus 10b according to the second embodiment of the present invention. The configuration of the exhaust gas treatment device 10b will be described with reference to FIG. In the exhaust gas treatment device 10 b, the pipe 41 is connected so that the exhaust gas discharged from the vacuum pump 31 passes through the pipe 41 and flows into the first space a of the second processing cylinder 21. Furthermore, the piping 43 is connected so that the exhaust gas discharged from the first processing cylinder 11 flows into the second space b of the second processing cylinder 21. The second treatment agent 52 is filled in the second space b. Thus, in the exhaust gas treatment apparatus 10b, the exhaust gas for heating is passed through the first space a of the second processing cylinder 21 and the exhaust gas for treating the gas to be treated is passed through the second space b. It becomes. Configurations and symbols other than the second treatment cylinder 21 are the same as those in the exhaust gas treatment apparatus 10a. In the exhaust gas treatment apparatus 10b, it is preferable that fins (not shown) are installed in the second space b (inside the inner cylinder 22).

以上、本発明の実施例は、半導体製造装置等から排出され、真空ポンプにより取り出された排ガスの有する熱を有効利用する排ガス処理装置として説明したが、半導体製造装置から排出される排ガスの有する熱を利用する排ガス処理装置に限定されるものではない。さらに、半導体や液晶パネル等の製造工程から排出される排ガスだけでなく、例えば、燃焼式排ガス処理装置や触媒式排ガス処理装置等で処理され高温で排出される排ガスについて、さらに、排ガス中に含まれる被処理ガスの処理を要するような場合においても、排ガスの有する熱を有効に利用できるものである。
また、第1の処理筒での処理は、常温に限ったものではなく、第1の処理筒での処理のために、排ガスの有する熱を放出し(排ガスの温度を下げ)、さらに第2の処理筒での処理のために再び加熱を必要とする(排ガスの温度を上げる)ような場合にも本発明は有効である。
このように、本発明の要旨を逸脱しない範囲で実施例に種々の変更が加えられることは明白である。
As described above, the embodiments of the present invention have been described as the exhaust gas treatment apparatus that effectively uses the heat of the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus and taken out by the vacuum pump, but the heat of the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus. It is not limited to the exhaust gas treatment apparatus using In addition to exhaust gases emitted from manufacturing processes such as semiconductors and liquid crystal panels, for example, exhaust gases treated at combustion exhaust gas treatment devices and catalytic exhaust gas treatment devices and discharged at high temperatures are further included in the exhaust gas. Even when the gas to be processed is required to be processed, the heat of the exhaust gas can be used effectively.
In addition, the treatment in the first treatment cylinder is not limited to room temperature, but for the treatment in the first treatment cylinder, the heat of the exhaust gas is released (the temperature of the exhaust gas is lowered), and further the second The present invention is also effective in the case where heating is required again for the treatment in the treatment cylinder (the temperature of the exhaust gas is increased).
Thus, it is apparent that various modifications can be made to the embodiments without departing from the scope of the present invention.

10a、10b 排ガス処理装置
11 第1の処理槽、第1の処理筒
12 排ガス排出口
21 第2の処理槽、第2の処理筒
22 内筒
23 外筒
24 ヒーター
25 空気導入口
26、27 フィン
31 ガス移送機、真空ポンプ
41 配管
42 第1の配管、配管
43〜44 配管
51 第1の処理剤
52 第2の処理剤
60 筐体
90 半導体製造装置
110 排ガス処理装置
111 第1の処理筒
121 第2の処理筒
124 ヒーター
131 真空ポンプ
160 筐体
a 第1の空間
b 第2の空間
10a, 10b Exhaust gas treatment device 11 First treatment tank, first treatment cylinder 12 Exhaust gas outlet 21 Second treatment tank, second treatment cylinder 22 Inner cylinder 23 Outer cylinder 24 Heater 25 Air inlet 26, 27 Fin 31 Gas Transfer Machine, Vacuum Pump 41 Pipe 42 First Pipe, Pipe 43 to 44 Pipe 51 First Treatment Agent 52 Second Treatment Agent 60 Case
90 Semiconductor manufacturing apparatus 110 Exhaust gas treatment apparatus 111 First treatment cylinder 121 Second treatment cylinder 124 Heater 131 Vacuum pump 160 Housing a First space b Second space

Claims (5)

処理剤に排ガスを通過させることにより排ガス中に含まれる被処理ガスを処理する排ガス処理装置であって;
排ガスを通過させ、前記被処理ガスを処理する第1の処理剤が充填された第1の処理槽と;
2重管構造の処理槽であって、内側に配置された内筒と外側に配置された外筒で第1の空間が形成され、前記内筒内側に第2の空間が形成され、前記内筒は前記第1の空間と前記第2の空間との間で熱交換する熱交換器を構成し、前記第1の空間と前記第2の空間のうち一方に前記第1の処理剤とは異なる第2の処理剤が充填された第2の処理槽と;
前記排ガスが通過する配管であって、前記第1の空間と前記第2の空間のうち他方を通過した排ガスを前記第1の処理槽に送る第1の配管とを備え;
前記第1の処理槽は排ガス排出口を有し;
前記排ガス排出口は、前記第2の処理剤が充填された空間と連通するように該空間に接続された;
排ガス処理装置。
An exhaust gas treatment apparatus for treating a gas to be treated contained in exhaust gas by passing the exhaust gas through the treatment agent;
A first treatment tank filled with a first treatment agent for passing exhaust gas and treating the gas to be treated;
A treatment tank having a double-pipe structure, in which a first space is formed by an inner cylinder arranged inside and an outer cylinder arranged outside, and a second space is formed inside the inner cylinder, The cylinder constitutes a heat exchanger that exchanges heat between the first space and the second space, and the first treatment agent is in one of the first space and the second space. A second treatment tank filled with a different second treatment agent;
A pipe through which the exhaust gas passes, and a first pipe that sends the exhaust gas that has passed through the other of the first space and the second space to the first treatment tank;
The first treatment tank has an exhaust gas outlet;
The exhaust gas outlet is connected to the space so as to communicate with the space filled with the second treatment agent;
Exhaust gas treatment equipment.
前記第1の配管は、裸管に比し、放熱効果の高い管である;
請求項1に記載の排ガス処理装置。
The first pipe is a pipe having a higher heat dissipation effect than a bare pipe;
The exhaust gas treatment apparatus according to claim 1.
前記内筒は、該内筒の外周に、前記内筒の外周を内側の円とするドーナツ板状のフィンを有し;
前記外筒は、該外筒の内周に、前記外筒の内周を外側の円とするドーナツ板状のフィンを有する;
請求項1または請求項2に記載の排ガス処理装置。
The inner cylinder has a donut plate-like fin on the outer periphery of the inner cylinder, the outer periphery of the inner cylinder being an inner circle;
The outer cylinder has a donut plate-like fin on the inner periphery of the outer cylinder, the inner periphery of the outer cylinder being an outer circle;
The exhaust gas treatment apparatus according to claim 1 or 2.
前記排ガスを移送するガス移送機を備え;
前記ガス移送機は、前記排ガス処理装置の筐体に収められている、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の排ガス処理装置。
A gas transfer machine for transferring the exhaust gas;
The gas transfer machine is housed in a casing of the exhaust gas treatment device,
The exhaust gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3.
処理剤に排ガスを通過させることにより排ガス中に含まれる被処理ガスを処理する排ガス処理方法であって;
排ガスが、第2の処理剤を第2の温度に加熱する工程と;
前記排ガス中に含まれる被処理ガスを、前記第2の温度よりも低い第1の温度で、前記第2の処理剤とは異なる第1の処理剤により処理する工程と;
前記排ガス中に含まれる被処理ガスを、前記排ガスにより加熱された前記第2の処理剤により処理する工程とを備える;
排ガス処理方法。
An exhaust gas treatment method for treating a gas to be treated contained in exhaust gas by passing exhaust gas through a treatment agent;
Exhaust gas heating the second treating agent to a second temperature;
Treating the gas to be treated contained in the exhaust gas with a first treatment agent different from the second treatment agent at a first temperature lower than the second temperature;
Treating the gas to be treated contained in the exhaust gas with the second treatment agent heated by the exhaust gas;
Exhaust gas treatment method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US10632419B2 (en) 2013-05-30 2020-04-28 Ebara Corporation Vacuum pump with abatement function

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