JP2010208336A - Data processing method, data processing apparatus, and dither pattern - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、データ処理方法、データ処理装置およびディザパターンに関し、詳しくは、画像データの量子化を行うディザ処理ないしそれに用いられるディザパターンに関するものである。 The present invention relates to a data processing method, a data processing apparatus, and a dither pattern, and more particularly to a dither process for quantizing image data or a dither pattern used therefor.
インクジェットプリンタをはじめとするプリンタにおいて記録画像を構成する複数のインクドットを形成するためのドット記録データの生成は、一般には、例えば8ビットの画像データを1ビット2値の画像データに量子化する処理によって行う。これら量子化の手法の1つとしてディザ処理が知られている。特許文献1や特許文献2などに記載されている手法を用いると、分散性のよいパターンを生成でき、これらのパターンで量子化された2値画像データもノイズ感の少ない分散性のよいパターンとなる。ディザ法は、誤差拡散法などと比べて、演算スピードが速いため、スピードが必要とされる高速プリンタ、データ数が多い多色プリンタなどの処理に向いている。
In order to generate dot recording data for forming a plurality of ink dots constituting a recording image in a printer such as an ink jet printer, generally, for example, 8-bit image data is quantized into 1-bit binary image data. Perform by processing. Dither processing is known as one of these quantization methods. By using the methods described in
ところで、近年のインクジェット記録システムでは、その高速化、高密度化、また、インクの種類の多様化に伴い、単位時間当たりに付与されるインク量や記録媒体の単位面積あたりに付与されるインクの量が増大する傾向にある。このため、これまで以上に重要な課題としてビーディングの問題があげられる。ビーディングは、記録媒体で吸収しきれないインクが媒体上で接触して連なり、それが記録画像においてムラなどの原因となるものである。 By the way, in recent inkjet recording systems, with the increase in speed and density, and the diversification of ink types, the amount of ink applied per unit time and the amount of ink applied per unit area of the recording medium are increased. The amount tends to increase. For this reason, the problem of beading is given as a more important issue than ever. In the beading, ink that cannot be absorbed by the recording medium comes in contact with each other on the medium, which causes unevenness in the recorded image.
ビーディングを低減させるには、短い時間内に付与されるインクを極力異なる位置に配置することが重要である。このために、それぞれの色インク毎に、極力異なるディザパターンを用いるのが有効である。こうすることで、異なる色のインク同士が同じ場所に打ち込まれる確率を下げることができる。 In order to reduce beading, it is important to dispose the ink applied within a short time at different positions as much as possible. For this reason, it is effective to use dither patterns that are as different as possible for each color ink. By doing so, it is possible to reduce the probability that different color inks are driven into the same place.
しかしながら、ディザパターンを色毎に異ならせるだけでは、ビーディングの低減は十分ではない。 However, simply reducing the dither pattern for each color does not reduce the beading sufficiently.
図32(a)〜(c)はこの問題を説明する図である。同図は、シアン、マゼンタ、イエローの順でそれぞれのインクが記録媒体に打ち込まれて行く過程を示している。図32(a)に示すように、未だ何も打ち込まれていない記録媒体に先ずシアンインクが吐出される。このとき、それぞれのシアンインクが打ち込まれる位置は用いているディザパターンのドットの配置に従うことはもちろんである。そして、このインクが記録媒体に完全に吸収される前は、記録媒体上に上記マスクに従った配置でシアンインク滴10Cが存在する。次に、図32(b)に示すように、マゼンタインクが、同様に対応するディザパターンに従った位置に吐出され、同様に吸収前にはインク滴10Mを形成する。ここで、シアンインクとマゼンタインクについてそれぞれ用いるディザのドット配置の関係によっては、シアンインク滴10Cとマゼンタインク滴10Mとが接して連結したインク滴10B(図中、×印を付したもの)を形成することがある。さらに、図32(c)に示すように、イエローインクが、同様に、対応するディザパターンに従った位置に吐出され吸収前にはインク滴10Yを形成する。この場合も、それぞれのインクについて用いるマスクのドット配置の関係によって、連結したインク滴10B(図中、×印を付したもの)を形成する。さらに走査が重ねられて、画素に対するインク滴の比率が高くとなると、同じ画素にインク滴が重ねて吐出されることもあり、同様の連結したインク滴を形成する。
FIGS. 32A to 32C are diagrams for explaining this problem. This figure shows a process in which each ink is driven into a recording medium in the order of cyan, magenta, and yellow. As shown in FIG. 32A, cyan ink is first ejected onto a recording medium on which nothing has been printed yet. At this time, it goes without saying that the positions where the respective cyan inks are applied follow the arrangement of the dots of the dither pattern used. Before the ink is completely absorbed by the recording medium, the
このように、順次吐出されるインク滴が隣接ないし近接する画素あるいは同じ画素に付与される場合には、互いが接触して相互の表面張力によって引き合い、2つ分あるいは3つ分の(あるいはそれ以上の)インク滴が合体した大きな滴10B(グレイン)を形成する。一度このようなグレインが形成されると、次に隣接ないし近接した位置に付与されたインク滴はそのグレインに引き寄せられ易くなる。すなわち、最初に発生したグレインが核となって徐々に成長し、やがて大きなグレインを生成する。そして、特に一様な画像領域では、このようなグレインが記録媒体に定着したものが不規則に散らばった状態で散在し、ビーディングとして視認されることとなる。
In this way, when ink droplets that are sequentially ejected are applied to adjacent or adjacent pixels or the same pixel, they contact each other and attract each other by the surface tension of two or three (or more) A
記録の途中で発生するグレインの原因となるドットの近接ないし隣接は、量子化された画像データが本来的に持っている量子化データの配置パターンに依存している。すなわち、ディザパターンにおける閾値の配置パターンに応じて、それによって量子化されたデータのその画像データプレーンにおける配置が定まる。 The proximity or adjacency of dots that cause grains that occur during recording depends on the arrangement pattern of quantized data inherent in the quantized image data. That is, according to the threshold arrangement pattern in the dither pattern, the arrangement of the quantized data in the image data plane is determined.
特許文献1に記載されるディザ処理もしくはディザパターンによっては、図Zにて説明したようなグレインの問題を解決することはできない。すなわち、特許文献1に記載のディザパターンは、異なる色に異なるディザパターンを適用することも可能であるが、この場合異なる色の間ではそれらのディザパターンは無関係に定められたものである。このため、異なる色同士の記録ドットの配置は分散が悪く分割記録の途中の画像(中間画像)におけるドットの隣接やさらにはドットの重なりを避けることができないことがある。
The dither processing or dither pattern described in
本発明は、上述した問題点を解消するためになされたものであり、その目的とするところは、異なる複数の色のインクを用い記録を行う際のグレインの発生を抑制しビーディングによる画質劣化を軽減できるデータ処理方法、データ処理装置およびディザパターンを提供することにある。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to suppress the occurrence of grains when recording using a plurality of different color inks and to deteriorate image quality due to beading. Is to provide a data processing method, a data processing device and a dither pattern.
そのために本発明では、複数のディザパターンを用いて複数種類のドットの記録データを生成するための量子化を行うデータ処理方法において、前記複数のディザパターンは、それらの2つ以上を重ねた場合に、対応する閾値画素の閾値の平均値のパターンが、前記2つ以上のディザパターンについて重ね位置をずらした場合の対応する閾値画素の閾値の平均値のパターンより低周波数成分が少ないことを特徴とする。 Therefore, in the present invention, in the data processing method for performing quantization for generating print data of a plurality of types of dots using a plurality of dither patterns, the plurality of dither patterns are obtained by overlapping two or more of them. Further, the threshold value average value pattern of the corresponding threshold pixel has fewer low frequency components than the threshold value average value pattern of the corresponding threshold pixel when the overlapping position is shifted for the two or more dither patterns. And
以上の構成によれば、記録の途中におけるグレインが原因で生じるビーディングによる画質劣化を軽減できる。 According to the above configuration, it is possible to reduce image quality degradation due to beading caused by grains in the middle of recording.
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
本発明の実施形態は、マルチパス記録で用いる2値の画像データを生成するためのディザパターンの製造ないしそのディザパターンに関するものである。 Embodiments of the present invention relate to the manufacture of a dither pattern for generating binary image data used in multi-pass printing or the dither pattern.
図1は、本発明の一実施形態に係るホスト機器として機能するパーソナルコンピュータ(以下、単にPCとも言う)の主にハードウェアおよびソフトウェアの構成を示すブロック図である。このホスト機器は、プリンタ104で記録する画像データを生成する。
FIG. 1 is a block diagram mainly showing hardware and software configurations of a personal computer (hereinafter also simply referred to as a PC) functioning as a host device according to an embodiment of the present invention. This host device generates image data to be recorded by the
図1において、ホストコンピュータであるPC100は、オペレーティングシステム(OS)102によって、アプリケーションソフトウェア101、プリンタドライバ103、モニタドライバ105の各ソフトウェアを動作させる。アプリケーションソフトウェア101は、ワープロ、表計算、インターネットブラウザなどに関する処理を行う。モニタドライバ105は、モニタ106に表示する画像データを作成するなどの処理を実行する。
In FIG. 1, a
プリンタドライバ103は、アプリケーションソフトウェア101からOS102へ発行される各種描画命令群(イメージ描画命令、テキスト描画命令グラフィクス描画命令など)を描画処理して、最終的にプリンタ104で用いる2値の画像データを生成する。詳しくは、図2で後述される画像処理を実行することにより、プリンタ104で用いる複数のインク色それぞれの2値の画像データを生成する。
The
ホストコンピュータ100は、以上のソフトウェアを動作させるための各種ハードウェアとして、CPU108、ハードディスク(HD)107、RAM109、ROM110などを備える。すなわち、CPU108は、ハードディスク107やROM110に格納されている上記のソフトウェアプログラムに従ってその処理を実行し、RAM109はその処理実行の際にワークエリアとして用いられる。
The
本実施形態のプリンタ104は、インクを吐出する記録ヘッドを記録媒体に対して走査し、その間にインクを吐出して記録を行ういわゆるシリアル方式のプリンタである。記録ヘッドは、C、M、Y、Kそれぞれのインクに対応して用意され、これらがキャリッジに装着されることにより、記録用紙などの記録媒体に対して走査することができる。それぞれの記録ヘッドは、吐出口の配列密度が1200dpiであり、それぞれの吐出口から3.0ピコリットルのインク滴を吐出する。また、それぞれの記録ヘッドの吐出口の数は512個である。
The
図2は、図1に示した構成においてプリンタ104で記録を行う際のPC100およびプリンタ104における主なデータ処理過程を説明するブロック図である。本実施形態のインクジェットプリンタ104は、上述したようにシアン、マゼンタ、イエロー、ブラックの4色のインクによって記録を行うものであり、そのためにこれら4色のインクを吐出する記録ヘッドJ0010を備える。
FIG. 2 is a block diagram for explaining main data processing steps in the
ホストPC100のアプリケーション101を介して、ユーザはプリンタ104で記録する画像データを作成することができる。そして、記録を行うときはアプリケーション101で作成された画像データがプリンタドライバ103に渡される。
A user can create image data to be recorded by the
プリンタドライバ103は、その処理として、前段処理J0002、後段処理J0003、γ補正J0004、2値化処理J0005、および印刷データ作成J0006をそれぞれ実行する。前段処理J0002では、アプリケーションによる画面を表示する表示器が持つ色域をプリンタ104の色域に変換する色域変換を行う。具体的には、R、G、B夫々が8ビットで表現された画像データR、G、Bを3次元LUTにより、プリンタの色域内の8ビットデータR、G、Bに変換する。次いで、後段処理J0003では、変換された色域を再現する色をインク色に分解する。具体的には、前段処理J0002にて得られた8ビットデータR、G、Bが表す色を再現するためのインクの組合せに対応した8ビットデータC、M、Y、Kを求める処理を行う。γ補正J0004では、色分解で得られたCMYKのデータ夫々についてγ補正を行う。具体的には、色分解で得られた8ビットデータCMYK夫々がプリンタの階調特性に線形的に対応づけられるような変換を行う。
As the processing, the
次いで、2値化処理J0005では、γ補正がなされた8ビットデータC、M、Y、Kそれぞれを1ビットデータC、M、Y、Kに変換する量子化処理を行う。この処理では、後述の各実施形態で説明されるディザパターンと用いた2値化処理を行う。ここで用いるディザパターンのデータは所定のメモリに予め格納しておく。なお、ディザパターンデータが所定のメモリに予め格納されておらず、PC100がディザパターン製造のためのデータ処理装置として機能するときは、後述の各実施形態でそれぞれ説明されるディザパターン製造処理を実行する。そして、製造したディザパターンデータは、PC100の所定のメモリに格納される。
Next, in the binarization process J0005, a quantization process is performed to convert the 8-bit data C, M, Y, and K subjected to the γ correction into 1-bit data C, M, Y, and K, respectively. In this process, a binarization process using a dither pattern described in each embodiment described later is performed. The dither pattern data used here is stored in advance in a predetermined memory. When the dither pattern data is not stored in a predetermined memory in advance and the
最後に、印刷データ作成処理J0006では、2値化された1ビットデータC、M、K、Yを内容とする2値の画像データに印刷制御データなどを付して印刷データを作成する。ここで、2値の画像データは、ドットの記録を示すドット記録データと、ドットの非記録を示すドット非記録データを含む。なお、印刷制御データは、「記録媒体情報」、「記録品位情報」、および給紙方法等のような「その他制御情報」とから構成されている。以上のようにして生成された印刷データは、プリンタ104へ供給される。
Finally, in the print data creation process J0006, print data is created by attaching print control data or the like to binary image data containing binarized 1-bit data C, M, K, and Y. Here, the binary image data includes dot recording data indicating dot recording and dot non-recording data indicating non-recording of dots. The print control data includes “recording medium information”, “recording quality information”, and “other control information” such as a paper feed method. The print data generated as described above is supplied to the
図3は、インクジェットプリンタ104を示す斜視図である。キャリッジM4000は、記録ヘッドおよびこれにシアン(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、ブラック(K)それぞれのインクを供給するインクタンクH1900を搭載した状態で図のX方向(主走査方向)に移動し、記録ヘッドの各ノズルは、2値の画像データに基づき所定のタイミングでインクを吐出する。
FIG. 3 is a perspective view showing the
以下では、上記の記録システムの2値化処理J0005で用いられあるいは上記の記録システムで製造される、ディザパターンの製法およびそれによるディザパターンのいくつかの実施形態を説明する。 Hereinafter, a description will be given of a dither pattern manufacturing method and a dither pattern according to some embodiments used in the binarization processing J0005 of the recording system or manufactured by the recording system.
〔実施形態1〕
(1)実施形態の概要
本発明の第一の実施形態に係るディザパターンによって2値化されたデータは、特に、色ごとのプレーンが重なったときのドット分布が、低周波成分が少ない良好に分散したものとなる。なお、図2にて上述した例は、ディザパターンを用いた2値化処理をホストコンピュータにおいて行う構成に関するものであるが、プリンタなどの印刷装置の処理負荷などに応じて、印刷装置において2値化処理を行ってもよいことはもちろんである。
[Embodiment 1]
(1) Outline of Embodiment The data binarized by the dither pattern according to the first embodiment of the present invention is particularly good in that the dot distribution when the planes for each color overlap has a low low frequency component. It will be distributed. The example described above with reference to FIG. 2 relates to a configuration in which a binarization process using a dither pattern is performed in a host computer. However, in the printing apparatus, binary processing is performed according to the processing load of the printing apparatus such as a printer. Of course, the conversion processing may be performed.
本実施形態の2値化処理では、C、M、Y、Kに応じた4つのプレーンにおける2値データ(ドット)が、本実施形態の4つのディザパターンによって生成される。なお、以下では、説明の簡略化のため、Kを除いたC、M、Yの3プレーンの2値データを生成するためのディザパターンについて説明する。 In the binarization process of the present embodiment, binary data (dots) in four planes corresponding to C, M, Y, and K are generated by the four dither patterns of the present embodiment. In the following, a dither pattern for generating binary data of three planes C, M, and Y excluding K will be described for simplification of description.
本実施形態では、3プレーンに対応したディザパターンの作成において、基本的に、斥力ポテンシャルを用いる。これにより、それぞれのディザパターンを用いて得られる3プレーンのデータは、それぞれ2つまたは3つのプレーンを重ねたときのドット分布が、低周波成分の少ない、良好に分散されたものとすることができる。 In this embodiment, a repulsive potential is basically used in creating a dither pattern corresponding to three planes. As a result, the data of the three planes obtained by using each dither pattern may be such that the dot distribution when two or three planes are superimposed is well distributed with low frequency components. it can.
(2)ディザパターンの製法
本実施形態に係るディザパターンの具体的な製造方法を説明する前に、この製法における斥力ポテンシャルの適用の仕方を説明する。
(2) Dither Pattern Manufacturing Method Before describing a specific method for manufacturing a dither pattern according to this embodiment, a method of applying a repulsive potential in this manufacturing method will be described.
本実施形態のディザパターンの製法では、最初に、ディザパターンの複数のプレーンそれぞれについて初期ドットパターンを作成し、その際、斥力ポテンシャルを用いることにより、プレーン内および他のプレーンとの間でそれぞれのドットが分散性の高い配置とする。また、この初期ドットパターンを初期値としてそれから順次ドットを間引き、間引き後のドットパターンの位置に当該ドットパターンに対応した閾値を配置しディザパターンとして行く。その間引きの際に、斥力ポテンシャルのエネルギーの低いドット配置を選ぶようにして間引いた後のドット配置の分散性を高くする。 In the dither pattern manufacturing method of this embodiment, first, an initial dot pattern is created for each of a plurality of planes of the dither pattern, and at that time, by using a repulsive potential, each of the planes and other planes is used. The dots are arranged with high dispersibility. Further, the initial dot pattern is set as an initial value, and then dots are sequentially thinned out, and a threshold value corresponding to the dot pattern is arranged at the position of the dot pattern after the thinning out to obtain a dither pattern. At the time of thinning, the dot arrangement having a low repulsive potential energy is selected to increase the dispersibility of the dot arrangement after the thinning.
以下で説明する閾値作成アルゴリズムでは、各閾値を決定する際にその時々においてドットとそれに伴う斥力ポテンシャルを定義し、分散性が増すような設計を行う。よって閾値の分布にかんしてドットが分布していると捉えて述べる。 In the threshold value generation algorithm described below, when determining each threshold value, a dot and a repulsive potential associated therewith are defined from time to time, and a design is performed to increase dispersibility. Therefore, it is assumed that dots are distributed in relation to the threshold distribution.
図4は、本実施形態に係るドットパターンの生成を概念的に示す図である。 FIG. 4 is a diagram conceptually showing dot pattern generation according to the present embodiment.
ドットパターン生成では、C、M、YそれぞれのドットパターンC、M、Yを生成する。このドットパターンの生成において、ドットパターンC、M、Yそれぞれのドットの配置は、次のように行われる。 In dot pattern generation, dot patterns C, M, and Y for C, M, and Y are generated. In the generation of this dot pattern, the dot arrangement for each of the dot patterns C, M, and Y is performed as follows.
図5は、本実施形態に係わる配置移動法によるドットパターンにおけるドットの配置決定処理を示すフローチャートである。 FIG. 5 is a flowchart showing dot arrangement determination processing in a dot pattern by the arrangement movement method according to the present embodiment.
先ず、ステップS501で、ドットパターンC、M、Yそれぞれのプレーンのサイズに対応したC、M、Yそれぞれの50%濃度の画像を取得する。そして、ステップS502で、それぞれの画像について誤差拡散法などの2値化手法を用いて2値化を行う。これにより、ドットパターンC、M、Yそれぞれのプレーンについて、1ビットのデータが“1”であるドットがドットパターンの画素全体の50%に配された初期配置を得ることができる。なお、この2値化の手法を用いてドットの初期配置を得るのは、その用いる2値化の手法に応じてある程度、初期状態で分散性のよい配置を得ることができるからであり、これにより、その後の最終的な配置決定までの演算時間ないし収束時間を短くできるからである。換言すれば、本発明を適用する上で初期配置を得る方法は本質ではなく、例えば、ドットパターンのプレーンにおいて、1ビットのデータが“1”であるドットをランダムに配置した初期配置であってもよい。また、例えば、Cの50%画像を第1プレーンとし、さらに、その画像を時計回りに90度回転させた画像をMの第2プレーンとし、同様に180度回転させた画像をYの第3プレーンとするような初期配置を得てもよい。 First, in step S501, 50% density images of C, M, and Y corresponding to the sizes of the respective dot patterns C, M, and Y are acquired. In step S502, each image is binarized using a binarization method such as an error diffusion method. As a result, for each of the dot patterns C, M, and Y, it is possible to obtain an initial arrangement in which dots whose 1-bit data is “1” are arranged in 50% of all the pixels of the dot pattern. The reason why the initial arrangement of dots is obtained using this binarization method is that an arrangement with good dispersibility can be obtained to some extent in accordance with the binarization method used. This is because the calculation time or convergence time until the final placement determination can be shortened. In other words, the method of obtaining the initial arrangement is not essential in applying the present invention. For example, in the dot pattern plane, the initial arrangement is such that dots whose 1-bit data is “1” are randomly arranged. Also good. Further, for example, a 50% image of C is the first plane, an image obtained by rotating the image 90 degrees clockwise is an M second plane, and an image rotated 180 degrees in the same manner is a third Y plane. An initial arrangement such as a plane may be obtained.
次に、ステップS503で、上記のようにして得たドットパターンC、M、Yそれぞれのプレーンの総てのドットについて斥力ポテンシャルを計算する。具体的には、
(i)同一プレーン内のドット間に距離に応じた斥力を与える。
(ii)さらに、異なるプレーン間のドットにも斥力を与える。
(iii)同一プレーンと異なるプレーン間に異なる斥力を与える。
(iv)異なるプレーンのドットの重なりを認め、ドットの重なり(2つのドット重なり、3つのドット重なり、…)同士も組み合わせに応じた斥力を与える。
Next, in step S503, the repulsive potential is calculated for all the dots on the respective planes of the dot patterns C, M, and Y obtained as described above. In particular,
(I) A repulsive force corresponding to the distance is applied between dots in the same plane.
(Ii) Furthermore, a repulsive force is also applied to dots between different planes.
(Iii) Apply different repulsive forces between the same plane and different planes.
(Iv) Recognizing the overlap of dots in different planes, the dot overlap (two dot overlaps, three dot overlaps,...) Also gives a repulsive force according to the combination.
図6は、本実施形態に係る基本斥力ポテンシャルE(r)の関数を模式的に示す図である。 FIG. 6 is a diagram schematically showing a function of the basic repulsive potential E (r) according to the present embodiment.
同図に示すように、本実施形態で規定する斥力関数は、その斥力が及ぶ範囲をr=16(画素;ドットが配置されるドットパターンの画素)までとする。このような距離とともに減衰するポテンシャルを用いることにより、基本的に、ドットが接近して配置されるとエネルギーが高い状態、すなわち不安定な状態となり、収束計算の結果、接近した配置はできるだけ選択されないようにすることができる。 As shown in the figure, the repulsive force function defined in the present embodiment has a range in which the repulsive force extends up to r = 16 (pixels: pixels of a dot pattern in which dots are arranged). By using a potential that decays with such a distance, basically, when dots are placed close to each other, the energy becomes high, that is, an unstable state. As a result of convergence calculation, close placement is not selected as much as possible. Can be.
なお、この斥力の形状は、ドットパターン画素全体に対するドットの割合により決定することがより望ましい。 It is more desirable to determine the shape of the repulsive force based on the ratio of dots to the entire dot pattern pixels.
また、複数色のインクを用いて記録を行う場合、インクドットを配置できる位置(解像度1200場合の場合は、1インチ四方に1200×1200個の可能位置がある)以上に重ねてインクドットを配置するため、各ドットについて斥力ポテンシャルを計算する際には、ドットの上にドットが重なることを考慮する。このため、r=0において有限の斥力ポテンシャルを持つように関数を定義する。これにより、ドットの重なりをも考慮した分散が可能となる。
本実施形態では、同一プレーンのドット同士に関してαE(r)、異なるプレーン間のドット同士に関してβE(r)、重なるドット同士に関してγs(n)E(r)の斥力ポテンシャルを与えて計算を行う。つまり、あるドットが存在することによるポテンシャルは、距離r以内の範囲にある、同プレーンのドット、異なるプレーンのドット、さらには異なるプレーンの重なるドットについての斥力ポテンシャルが加算される。
In addition, when recording is performed using a plurality of colors of ink, ink dots are arranged over the position where ink dots can be arranged (in the case of resolution 1200, there are 1200 × 1200 possible positions in one inch square). Therefore, when calculating the repulsive potential for each dot, it is considered that the dot overlaps on the dot. For this reason, a function is defined so as to have a finite repulsive potential at r = 0. Thereby, dispersion in consideration of dot overlap is possible.
In this embodiment, calculation is performed by giving a repulsive potential of αE (r) for dots in the same plane, βE (r) for dots between different planes, and γs (n) E (r) for overlapping dots. In other words, the potential due to the presence of a certain dot is added to the repulsive potential of dots in the same plane, dots in different planes, and even overlapping dots in different planes within the distance r.
なお、ドットパターンパターンのサイズは有限であるが(本実施形態の場合、128×128画素となる)、ポテンシャル計算においては、128×128画素の同じパターンがあたかも繰り返しているような周期境界条件を用いる。従って、ドットパターンの左端は右端と隣接しており、下は上と隣接していることとなる。 In addition, although the size of the dot pattern pattern is finite (in this embodiment, it is 128 × 128 pixels), in the potential calculation, the periodic boundary condition is such that the same pattern of 128 × 128 pixels is repeated. Use. Therefore, the left end of the dot pattern is adjacent to the right end, and the bottom is adjacent to the top.
上記の斥力ポテンシャルにおいて、係数α、β、γは重み付け係数であり、本実施形態では、α=3、β=1、γ=3の値を用いる。このα、β、γの値によってドットの分散性が影響を受ける。このα、β、γの値は、例えば、実際には実験を行い、ドットパターンを用いて記録される記録画像を参照した最適化により求めることができる。 In the above repulsive potential, the coefficients α, β, and γ are weighting coefficients, and in this embodiment, values of α = 3, β = 1, and γ = 3 are used. The dispersion of dots is affected by the values of α, β, and γ. The values of α, β, and γ can be obtained, for example, by performing an experiment in practice and optimizing with reference to a recorded image recorded using a dot pattern.
また、係数s(n)は、重なるドットを分散させるためにγに加えてさらに積算する係数である。この係数s(n)は、重なりが多いほどそれらのドットをより分散させるべく重なりの数に応じた値とするものである。本願発明者の実験によれば、次の2つの式いずれかによって求められるs(n)を用いることにより、分散に関してよい結果を得ることができる。 The coefficient s (n) is a coefficient that is further integrated in addition to γ in order to disperse overlapping dots. This coefficient s (n) is set to a value corresponding to the number of overlaps so that the more overlaps, the more the dots are dispersed. According to the experiment of the present inventor, good results regarding dispersion can be obtained by using s (n) obtained by either of the following two expressions.
すなわち、nを重なりの数とするとき、組合せの数の和をs(n)とするものである。詳細には、斥力を計算する注目ドットに対して重なる(同じプレーンまたは異なるプレーンにおける同じ位置の)ドットを調べるとともに、注目ドットから距離rに位置するドットを調べる。この場合に、注目ドットおよびその画素と同じ位置で重なる他のプレーンのドットと、距離rにある各プレーンのその画素で同じように重なるドットの共通する重なりの数をnとする。そして、これら2つの画素間の重なったドット同士による斥力を考える。 That is, when n is the number of overlaps, the sum of the number of combinations is s (n). Specifically, a dot that overlaps with the target dot for calculating repulsive force (at the same position in the same plane or in a different plane) and a dot located at a distance r from the target dot are checked. In this case, let n be the number of overlaps in common between the dot of interest and the dot of another plane that overlaps at the same position as that pixel and the dot that overlaps in the same way at that pixel of each plane at the distance r. A repulsive force caused by overlapping dots between these two pixels is considered.
この場合、例えば、ある2画素間で第1プレーン、第2プレーンおよび第3プレーンにそれぞれ共通にドットが存在する例を考えると、n=3となる。そして、それらの画素間には3つのドットの重なりに起因する斥力を作用させる。ここで、3つのドットの重なりによる斥力を考えるとき、3つのドットの重なりとともに、2つのドットの重なり同士や1つのドット同士の斥力が多重的に作用すると考える。換言すれば、第3プレーンを考えなければ、第1プレーンと第2プレーンの2つのドットの重なりと考えることができ、また、第2プレーンを考えなければ第1プレーンと第3プレーンの2つのドットの重なりとも考えられる。第1プレーンを考えなければ第2プレーンと第3プレーンの重なりと考えられる。このようなドットが重なることの多重的な効果を計算するために、重なりの組合せによる斥力を定義し上記のようなs(n)を用いる。これによれば、分散性のよいドット配置を得ることができることが実験上確認されている。 In this case, for example, when an example in which dots exist in common in the first plane, the second plane, and the third plane between certain two pixels, n = 3. A repulsive force resulting from the overlap of three dots is applied between these pixels. Here, when the repulsive force due to the overlap of three dots is considered, it is considered that the overlap of two dots and the repulsive force of one dot act in a multiplexed manner together with the overlap of three dots. In other words, if the third plane is not considered, it can be considered that two dots of the first plane and the second plane overlap, and if the second plane is not considered, the two of the first plane and the third plane are considered. It can also be thought of as overlapping dots. If the first plane is not considered, it is considered that the second plane and the third plane overlap. In order to calculate the multiple effect of overlapping such dots, the repulsive force due to the combination of overlaps is defined and s (n) as described above is used. According to this, it has been experimentally confirmed that a dot arrangement with good dispersibility can be obtained.
再び、図5を参照すると、ステップS503で、すべてのドットの斥力ポテンシャルを合計した総エネルギーが求まっている。そして、この総エネルギーを減衰させる処理を行う。 Referring to FIG. 5 again, in step S503, the total energy obtained by summing up the repulsive potentials of all dots is obtained. And the process which attenuates this total energy is performed.
この処理では、すべてのドットについて順番に距離rが4以内の画素の中で、斥力ポテンシャルが最も下がる画素にドットを移す。このような処理を繰り返していくことによって(ステップS504)、総てのドットの斥力ポテンシャルの合計値である総エネルギーを低下させて行く。 In this process, the dots are moved to the pixel having the lowest repulsive potential among the pixels having the distance r within 4 in order for all the dots. By repeating such processing (step S504), the total energy, which is the total value of the repulsive potential of all dots, is reduced.
ステップS505では、ステップS504における総エネルギーの低下率を計算し、それが所定値以下であると判断すると、エネルギー減衰処理を終了する。なお、この所定値は、例えば、実際に印刷を行った結果をもとに、低周波数成分が適切に抑えられた画像を記録できる低下率として求めることができる。 In step S505, the reduction rate of the total energy in step S504 is calculated, and if it is determined that it is equal to or less than a predetermined value, the energy attenuation process is terminated. The predetermined value can be obtained as a reduction rate at which an image in which low frequency components are appropriately suppressed can be recorded based on the result of actual printing.
最後にステップS506で、上記のように総エネルギーの低下率が所定値以下となった状態の各プレーンを、図8にて後述する処理の初期ドットパターンC、M、Yとして設定する。 Finally, in step S506, each plane in a state where the reduction rate of the total energy is equal to or less than a predetermined value as described above is set as initial dot patterns C, M, and Y of processing to be described later with reference to FIG.
なお、本実施形態では、ステップS505において総エネルギーの低下率が所定値以下となったか否かを判定し、低下率が所定値以下となったとき、ステップS506へ移行するようにしている。しかし、本実施形態はこの例に限られるものではない。例えば、ステップS505において総エネルギーが所定値以下となったか否かを判定し、総エネルギーが所定値以下となったらステップS506へ移行するようにしてもよい。 In the present embodiment, it is determined in step S505 whether or not the reduction rate of the total energy is equal to or less than a predetermined value. When the reduction rate is equal to or less than the predetermined value, the process proceeds to step S506. However, the present embodiment is not limited to this example. For example, it may be determined whether or not the total energy is equal to or less than a predetermined value in step S505, and the process may proceed to step S506 when the total energy is equal to or less than the predetermined value.
図7(a)〜(d)は、上述した斥力ポテンシャルの計算と総エネルギーの減衰処理を模式的に説明する図である。詳しくは、本実施形態に係るC、M、Yの3プレーンを斜視図で示し、また、特にドットの移動を平面図で示す図である。ここで、最小の正方形はドットパターンの画素を示し、3プレーンの重なりにおいて重なる画素がプレーン間で同じ画素位置に対応する。 FIGS. 7A to 7D are diagrams schematically illustrating the repulsive potential calculation and the total energy attenuation process described above. Specifically, the three planes C, M, and Y according to the present embodiment are shown in a perspective view, and in particular, the movement of dots is shown in a plan view. Here, the smallest square represents a pixel of a dot pattern, and the overlapping pixels in the overlap of the three planes correspond to the same pixel position between the planes.
図7(a)は、同一プレーンにドットが存在する場合にそれらドット間の斥力によってポテンシャルが加えられる(増す)ことを説明する図である。図に示す例では、プレーンCの注目画素のドットDoと同じプレーンで距離r離れた画素にドットが1個存在する例であり、この場合、α=3が適用され、ドットDoのポテンシャルとして1×αE(r)のポテンシャルが加えられる。 FIG. 7A is a diagram for explaining that potential is added (increased) by repulsive force between dots when dots exist in the same plane. The example shown in the figure is an example in which one dot exists in a pixel separated by a distance r in the same plane as the dot Do of the target pixel of the plane C. In this case, α = 3 is applied, and the potential of the dot Do is 1 A potential of × αE (r) is added.
図7(b)は、注目ドットDoとは異なるプレーン(プレーンM、Y)にドットが存在する場合に、それら2個のドットとの関係で加えられる斥力ポテンシャルを説明する図である。異なるプレーン間のドットとの関係であるから、β=1が適用されドットDoのポテンシャルとしてドット2個分の2×βE(r)のポテンシャルが加えられる。 FIG. 7B is a diagram for explaining the repulsive potential applied in relation to these two dots when dots exist on a plane (planes M and Y) different from the target dot Do. Because of the relationship with dots between different planes, β = 1 is applied and a potential of 2 × βE (r) corresponding to two dots is added as the potential of the dot Do.
図7(c)は、上記の2つの場合である、同一プレーンにドットが存在する場合と異なるプレーンにドットが存在する場合に加え、異なるプレーンの同一画素にドットが存在してドットの重なりが存在する場合に、それらのドットとの関係で加えられる斥力ポテンシャルを説明する図である。図7(a)および(b)の場合に加え、注目ドットDoのプレーンCと異なるプレーンYの同じ画素にドットが存在することにより、同プレーンの斥力ポテンシャル1×αE(r)と、同じ画素の異なるプレーンの1個のドットによる斥力ポテンシャル1×βE(0)と、異なるプレーンの2個のドットによる斥力ポテンシャル2×βE(r)と、重なる数n=2でγ=3が適用される、重なりによる斥力ポテンシャルγs(2)×E(r)のポテンシャルが加えられる。この結果、図7(c)に示すドット配置において注目ドットDoが存在することによる斥力ポテンシャルの合計は、1×βE(0)+1×αE(r)+2×βE(r)+γs(2)×E(r)となる。 FIG. 7C shows the above two cases, in addition to the case where dots are present on the same plane and the case where dots are present on different planes. It is a figure explaining the repulsive potential added in relation to those dots, when it exists. In addition to the cases of FIGS. 7A and 7B, since the dot exists in the same pixel of the plane Y different from the plane C of the target dot Do, the same pixel as the repulsive potential 1 × αE (r) of the same plane Repulsive potential 1 × βE (0) due to one dot in different planes, repulsive potential 2 × βE (r) due to two dots in different planes, and overlapping number n = 2 and γ = 3 are applied , A repulsive potential γs (2) × E (r) potential due to the overlap is added. As a result, the total repulsive potential due to the presence of the target dot Do in the dot arrangement shown in FIG. 7C is 1 × βE (0) + 1 × αE (r) + 2 × βE (r) + γs (2) × E (r).
図7(d)は、図7(c)に示すドット配置において、ドットDoを移動させることにより、そのドットの斥力ポテンシャルの合計が変化することを説明する図である。図7(d)に示すように、ドットDo(プレーンC1のドット)が同じプレーンの隣の画素に移ると、そのドットDoが存在することによる斥力ポテンシャルの合計は、距離がr2、重なり同士の数nが0となることなどにより、βE(1)+1×αE(r2)+2×βE(r2)に変化する。そして、図7(c)に示すドット配置の場合の斥力ポテンシャルの合計1×βE(0)+2×αE(r)+1×βE(r)+γs(2)×E(r)と、図7(d)のドットDoが移動したことによる斥力の合計とを比較し、この移動前後の斥力ポテンシャルの合計の変化を知ることができる。 FIG. 7D is a diagram for explaining that in the dot arrangement shown in FIG. 7C, the total repulsive potential of the dot changes by moving the dot Do. As shown in FIG. 7D, when the dot Do (dot of the plane C1) moves to the adjacent pixel of the same plane, the total repulsive potential due to the presence of the dot Do is the distance r2, When the number n becomes 0, it changes to βE (1) + 1 × αE (r2) + 2 × βE (r2). Then, the total repulsive potential 1 × βE (0) + 2 × αE (r) + 1 × βE (r) + γs (2) × E (r) in the case of the dot arrangement shown in FIG. It is possible to know the change in the total repulsive potential before and after the movement by comparing the total repulsive force due to the movement of the dots Do in d).
なお、この斥力ポテンシャルの合計は、上記の説明では、2つの画素またはドット移動させたときは3つの画素のドットによるエネルギーの合計を求めるものとしているが、これは説明を簡易にするためであり、実際は、これらのドット以外に存在し得る他の画素のドットを含めたドットとの関係に基づく斥力ポテンシャルの積分として求められるものであることはもちろんである。 In the above description, the total repulsive potential is obtained by calculating the total energy of the dots of three pixels when two pixels or dots are moved. This is for the sake of simplicity. In fact, it is a matter of course that it is obtained as an integral of the repulsive potential based on the relationship with dots including dots of other pixels that may exist other than these dots.
図7(a)〜(c)に示したように斥力ポテンシャルの合計が計算される各ドットの中で、例えば、ドットDoが斥力ポテンシャルの合計が最も大きい場合、図7(d)で説明したようにその移動前後の斥力ポテンシャルの変化を求め、移動前後で最も斥力ポテンシャルの合計が低くなる画素にドットDoを移動させる。このような処理を繰り返すことによって3プレーン全体の総エネルギーを下げることができる。すなわち、3プレーンのドットパターンの重なりにおいてドット分布が、低周波数成分が少なく良好に分散された配置となる。以上説明した処理によって、ディザパターン生成の基となる分散性の高い初期ドットパターンを得ることができる。 As shown in FIGS. 7A to 7C, among the dots for which the total repulsive potential is calculated, for example, when the dot Do has the largest total repulsive potential, the description has been given with reference to FIG. Thus, the change in repulsive potential before and after the movement is obtained, and the dot Do is moved to the pixel having the lowest total repulsive potential before and after the movement. By repeating such processing, the total energy of the entire three planes can be reduced. In other words, the dot distribution in the overlapping of the three-plane dot patterns has an arrangement in which the low frequency component is small and is well dispersed. By the processing described above, an initial dot pattern with high dispersibility that is a basis for generating a dither pattern can be obtained.
図8は、本実施形態に係るディザパターンの作成処理を示すフローチャートである。 FIG. 8 is a flowchart showing a dither pattern creation process according to the present embodiment.
まず、ステップS301で、初期ドットパターンとして、ある階調において分散性のよい2値パターンを作成する。本実施形態では50パーセント濃度のパターンを作成する。具体的には、図5で説明した方法によって、128×128のサイズの50パーセント濃度の初期ドットパターンを作成する。このように作成されたそれぞれのプレーンのドットパターンC、M、Yを初期パターンとして保存する。 First, in step S301, a binary pattern having good dispersibility in a certain gradation is created as an initial dot pattern. In this embodiment, a 50% density pattern is created. Specifically, an initial dot pattern having a size of 128 × 128 and having a 50 percent density is created by the method described with reference to FIG. The dot patterns C, M, and Y of each plane created in this way are stored as initial patterns.
次に、ステップS302で、上記で得た128階調の初期ドットパターンに対して斥力ポテンシャルを適用しドット間引きを行い、低階調方向の128階調の1レベルごとに閾値データを作って行く。具体的には、初期ドットパターンについて斥力ポテンシャルを計算しながら、ドットを間引いていく。この処理では、先ず、ドットパターンYの総てのドットについて、図5にて説明したのと同様に斥力ポテンシャルを計算し、最もエネルギーの高いドットを間引く。次に、ドットパターンMについても同様に総てのドットについて斥力のエネルギーを計算し、最も大きいドットを間引く。さらに、同様に、ドットパター
ンCについても総てのドットの斥力ポテンシャルを計算し最大エネルギーのドットを間引く。
Next, in step S302, repulsive potential is applied to the initial dot pattern of 128 gradations obtained above to perform dot thinning, and threshold data is created for each level of 128 gradations in the low gradation direction. . Specifically, the dots are thinned out while calculating the repulsive potential for the initial dot pattern. In this process, first, the repulsive potential is calculated for all dots of the dot pattern Y in the same manner as described with reference to FIG. 5, and the dot with the highest energy is thinned out. Next, similarly for the dot pattern M, the repulsive energy is calculated for all the dots, and the largest dot is thinned out. Further, similarly, with respect to the dot pattern C, the repulsive potential of all dots is calculated, and the dots with the maximum energy are thinned out.
ここで、8ビットのディザパターンを作るため、128階調の1つの階調レベルglごとにドットパターンを求めて、そのパターンに従いディザパターンすなわち閾値の分布を生成することができる。本実施形態では、ディザパターンは128×128のサイズであるため、各プレーン128×128画素÷128階調=128画素/1階調(1階調レベル)となり、1階調レベルにおいて各プレーンについて128個のドットのドットを間引く。 Here, in order to create an 8-bit dither pattern, a dot pattern can be obtained for each gradation level gl of 128 gradations, and a dither pattern, that is, a distribution of threshold values can be generated according to the pattern. In this embodiment, since the dither pattern has a size of 128 × 128, each plane has 128 × 128 pixels ÷ 128 gradations = 128 pixels / 1 gradation (one gradation level), and each plane has one gradation level. 128 dots are thinned out.
すなわち、上記プレーンごとの間引きを行うと、この間引きの回数パラメータnをインクリメントするとともに(ステップS303)、nが128に達したか否かを判断する(ステップS304)。128個分の間引きが終了するまでステップS302、S303の処理を繰り返し(ステップS304)、終了すると、ステップS305で、最終的に得られた各プレーンのドットパターンのドットをその諧調レベルglの値(階調値)で置き換えた閾値の配置パターンとしてこれを保存する。なお、初期ドットパターンに対応するgl=127の閾値パターンは、その初期パターンに基づいて予め作成されていることはもちろんである。 That is, when thinning is performed for each plane, the thinning number parameter n is incremented (step S303), and it is determined whether n has reached 128 (step S304). The processes of steps S302 and S303 are repeated until 128 thinnings are completed (step S304). When the process is completed, in step S305, the dot pattern dot of each plane finally obtained is the value of the gradation level gl ( This is stored as a threshold arrangement pattern replaced with (gradation value). Of course, the threshold pattern of gl = 127 corresponding to the initial dot pattern is created in advance based on the initial pattern.
以上の処理(ステップS302〜S304)を、直前のレベルで得られたドットパターンを初期ドットパターンとして、階調レベルglが0になるまで繰り返し(ステップS302〜S307)、低階調側のそれぞれの諧調値の閾値パターンを得ることができる。 The above processing (steps S302 to S304) is repeated until the gradation level gl becomes 0 (steps S302 to S307) using the dot pattern obtained at the immediately preceding level as the initial dot pattern, and each of the low gradation side is changed. A threshold value pattern of gradation values can be obtained.
高階調側の閾値のパターンも同様に求めることができる。高階調側の場合は、ドットを付加して行き、斥力ポテンシャルを適用してエネルギー増加分を計算する。先ず、ドットパターンCの空白点に対してドットを付加した場合のエネルギーの増加を総ての空白点について計算する。そして、最もエネルギー増加が少ない点にドットを付加する。この処理は、図8に示した処理と同様にして行うことができる。ドットパターンM、Yについても同様に、ドットを付加する。他の処理は低階調側と同じである。 The threshold pattern on the high gradation side can be obtained in the same manner. In the case of the high gradation side, dots are added, and the energy increase is calculated by applying the repulsive potential. First, the increase in energy when dots are added to the blank points of the dot pattern C is calculated for all blank points. And a dot is added to the point with the least energy increase. This process can be performed in the same manner as the process shown in FIG. Similarly, dots are added to the dot patterns M and Y. Other processes are the same as those on the low gradation side.
以上のようにして求められた階調ごとの各プレーンの閾値パターンは、合成されることによってC、M、Y各プレーンのディザパターンとすることができる。 The threshold pattern of each plane for each gradation obtained as described above can be combined into a dither pattern for each of the C, M, and Y planes.
なお、ディザパターンのドットの配置の仕方は、上例のように50%の濃度を初期値としてドット間引くことおよび付加するものに限られない。例えば、初期値を0%として、何も配置されていない状態からドット(閾値)を加えるように配置するようにしてもよい。この付加する場合は、上述した、高階調側の閾値配置の求め方と同じである。 Note that the arrangement of the dither pattern dots is not limited to dot thinning and addition using 50% density as an initial value as in the above example. For example, the initial value may be set to 0% so that dots (threshold values) are added from a state where nothing is arranged. This addition is the same as the above-described method for obtaining the threshold arrangement on the high gradation side.
(3)ディザパターンの評価
ディザパターンにおける斥力ポテンシャルの重み付け係数α、β、γs(n)の効果
先ず、以上説明した本実施形態のディザパターン製法によって製造されたディザパターンに対して、斥力ポテンシャル計算の(距離の議論はしていない、係数の影響のみの)重み付け係数α、β、γs(n)それぞれがどのように影響しているかについて具体的に説明する。上述したディザパターンの閾値作成アルゴリズムでは、各閾値を決定する際にその時々においてドットとそれに伴う斥力ポテンシャルを定義し、分散性が増すような設計を行った。よってここでも閾値の分布にかんしてドットが分布していると捉えて述べる。上述したように係数αは同一プレーンにおけるドットの分散に影響し、係数βは異なるプレーン間のドットの分散に影響し、また、γs(n)は異なるプレーンのドットが同じ位置の画素にあって重なる場合のこの重なりの分散に影響している。
(3) Dither pattern evaluation
Effect of Repulsive Potential Weighting Coefficients α, β, γs (n) in Dither Pattern First, with respect to the dither pattern manufactured by the dither pattern manufacturing method of the present embodiment described above, repulsive potential calculation (distance discussion) How the weighting coefficients α, β, and γs (n) (only the influence of the coefficients are not affected) will be described in detail. In the above-described dither pattern threshold value creation algorithm, when determining each threshold value, the dot and the repulsive potential associated therewith are defined, and the design is made so that the dispersibility is increased. Therefore, it is assumed here that dots are distributed in relation to the threshold distribution. As described above, the coefficient α affects the dispersion of dots in the same plane, the coefficient β affects the dispersion of dots between different planes, and γs (n) indicates that dots of different planes are in the same position pixels. It affects the dispersion of this overlap in the case of overlap.
なお、本実施形態では、E(r)として同じ関数(図6)を総ての項に用いているが、異なるポテンシャル関数をそれぞれの項に用いることもできる。この場合は、それぞれの関数E(r)と対応するそれぞれの重み付け係数α、β、γ(n)の積であるαE(r)、βE(r)´、γE(r)´´の違いが、本質的に以下で説明する、分散の違いとなって影響を及ぼすことはもちろんである。 In this embodiment, the same function (FIG. 6) is used for all terms as E (r), but different potential functions can be used for each term. In this case, the difference between αE (r), βE (r) ′, and γE (r) ″, which is the product of the respective weighting coefficients α, β, and γ (n) corresponding to each function E (r). Of course, the difference in dispersion, which will be explained below, has an influence.
仮に、同一のプレーン内のドット間のみに斥力ポテンシャルを定義しエネルギーを減衰させてドット分布を決める場合、すなわち、αE(r)でα=1、β=γ=0とする場合、1つのプレーンのドット分布は、それぞれプレーンにおけるドットの配置の分散性がよい。これはαE(r)の効果によるものである。しかし、2つ(複数)のプレーンを重ねたものから重なるドット(論理積、論理和)のパターンを抽出したものは、ドットの配置に偏りがあり低周波数成分の多いものとなる。2つのプレーン間でたまたま重なってしまうドットが発生してしまったり、2つのプレーン間に関連がないために偏りが生じたりするためである。 If the repulsive potential is defined only between dots within the same plane and the energy distribution is attenuated to determine the dot distribution, that is, α = 1 and β = γ = 0 in αE (r), one plane Each dot distribution has good dispersibility of dot arrangement in each plane. This is due to the effect of αE (r). However, an extracted dot (logical product, logical sum) pattern obtained by superimposing two (plural) planes is uneven in dot arrangement and has a lot of low frequency components. This is because a dot that happens to overlap between two planes is generated, or because there is no relationship between the two planes, a bias occurs.
次に、3プレーンの総てのドットに同じ斥力ポテンシャルを加えた場合、すなわち、αE(r)およびβE(r)において、α=β=1、γ=0の場合を仮定する。この場合は、それぞれのプレーンのドット分布は、ある大きさの低周波数成分を持ち分布に偏りがある。一方、上記の3色のプレーンを重ねたもののドット分布(論理和)は分散がよい。これはα、βが同じ値であることによって、同一プレーンのドットを分散させる効果が、他のプレーンのドットを分散させる効果と同じであるため、結果として、それぞれのプレーンでは、ドット分布の分散が不十分になるからである。 Next, it is assumed that the same repulsive potential is applied to all the dots of the three planes, that is, α = β = 1 and γ = 0 in αE (r) and βE (r). In this case, the dot distribution of each plane has a low frequency component of a certain size and the distribution is biased. On the other hand, the dot distribution (logical sum) of the above three color planes is well distributed. Since α and β are the same value, the effect of dispersing the dots in the same plane is the same as the effect of dispersing the dots in the other planes. This is because it becomes insufficient.
そこで、同一プレーンと異なるプレーン間で斥力ポテンシャルを変えるべく、例えば、α=3、β=1とする。これにより、他のプレーンの影響を相対的に小さくでき同一プレーン内の分散性がよくなる。さらに、2つのプレーンを重ねたもののドット分布(論理和パターン)は、低周波数成分の少ない分散の良い分布となる。このように、同一プレーン、異なるプレーンのドットの分散性の両方がよくなる。つまり、αE(r)とβE(r)の項を作用させ、かつαとβの値を異ならせることにより、同一プレーン内、異プレーン内両方の分散性が良くなる。 Therefore, in order to change the repulsive potential between the same plane and different planes, for example, α = 3 and β = 1. Thereby, the influence of other planes can be made relatively small, and the dispersibility within the same plane is improved. Further, the dot distribution (logical sum pattern) obtained by superimposing two planes has a good distribution with a small amount of low frequency components. Thus, both the dispersibility of dots in the same plane and different planes is improved. That is, by causing the terms αE (r) and βE (r) to act and making the values of α and β different, the dispersibility both in the same plane and in different planes is improved.
次に、ドットの重なりがある場合において、先ず、γs(n)E(r)の項を用いない場合を考える。低周波数成分をもたないドット分布を持った2つのプレーンを、γs(n)E(r)の項を作用させずに、重ねて得られるもののドット分布から重なりドットを抽出したもの(論理積)は、低周波数成分が多い分散の悪い分布となる。 Next, let us consider a case where the term of γs (n) E (r) is not used when there is overlap of dots. Extracting overlapping dots from the dot distribution obtained by superimposing two planes having a dot distribution that does not have low frequency components without applying the term of γs (n) E (r) (logical product) ) Has a poor distribution with many low frequency components.
これに対して、γs(n)E(r)の項を加えた場合、先ず、それぞれのプレーンについて、低周波数成分をもたないドット分布が得られる。そして、これらのプレーンを重ねたもののドット分布から重なりドットを抽出したもの(論理積)の分布も、低周波数成分を持たないドットの配置となる。 On the other hand, when the term γs (n) E (r) is added, first, a dot distribution having no low frequency component is obtained for each plane. Then, the distribution (logical product) obtained by extracting overlapping dots from the dot distribution obtained by superimposing these planes is also an arrangement of dots having no low frequency component.
このように、γs(n)E(r)の項は、基本的に、重なるドット同士が良好に分散する効果を与えるものであるが、図7(a)〜(d)にて説明したように、この項が、重なりが多いほどポテンシャルが高くなるよう設定され、そのポテンシャルに応じてドットを1つずつ移動し、または配置してエネルギーを減らすことにより、エネルギーを減らす処理の過程で重なりの数を減らす効果を与えている。これは、同じプレーンで隣接するドットについて、αE(r)が隣接するドットの数を減らす効果を与えることと同じことを意味している。このように、γs(n)E(r)の項は、単に重なるドット同士をできるだけ分散させるようにするだけでなく、その重なりの数を減らす効果をも与えている。そして、この効果によって、隣接や重なりによるドットの塊におけるドットの数はできるだけ少なくし、結果として低周波数成分の少ないドット分布を得ることができる。 As described above, the term γs (n) E (r) basically gives the effect that the overlapping dots are well dispersed, but as explained in FIGS. 7 (a) to (d). In addition, this term is set so that the potential increases as the overlap increases. By moving or arranging dots one by one according to the potential and reducing the energy, the overlap is reduced in the process of reducing the energy. Has the effect of reducing the number. This means that for dots that are adjacent in the same plane, αE (r) gives the effect of reducing the number of adjacent dots. As described above, the term of γs (n) E (r) not only makes it possible to disperse overlapping dots as much as possible, but also has an effect of reducing the number of overlapping dots. With this effect, the number of dots in a cluster of dots due to adjacent or overlapping can be reduced as much as possible, and as a result, a dot distribution with a low frequency component can be obtained.
以上の観点から、本実施形態では、上述したようにα=3、β=1、γ=3の値を用いる。 From the above viewpoint, in this embodiment, the values of α = 3, β = 1, and γ = 3 are used as described above.
なお、例えば、α、β<<γとして、複数のプレーンの重なりにおいて抽出される重なるドットに特に注目し、上記γs(n)E(r)の項の効果によって、重なるドットが、特に低周波数成分が少ない分散が良いものとすることも可能となる。 Note that, for example, as α and β << γ, pay particular attention to the overlapping dots extracted in the overlapping of a plurality of planes, and the overlapping dots are particularly low in frequency due to the effect of the term of γs (n) E (r). It is also possible to achieve good dispersion with few components.
また、本実施形態では、プレーン間の斥力はすべて、βE(r)としているが、相互作用の大きさなどを考えて各プレーン間で相互作用を異ならせることは有効である。例えば、プレーン数が多い場合になるべく近い時間に打ち込まれるインクに用いるディザパターンのプレーン間の斥力ポテンシャルを他の斥力ポテンシャルに対して大きくする、つまりβE(r)の係数やE(r)の形をプレーン間で変えることも有効である。また、例えば、反応系を用いた定着において、反応液またはそのような成分を有したインクを記録ヘッドによって吐出する場合に、その反応液等に用いるディザパターンのプレーンとその反応液等と反応作用が大きいインクに用いるディザパターンのプレーンの斥力ポテンシャルを通常より多くすることも有効である。斥力ポテンシャルの関数を変える具体例として、斥力が及ぶ範囲の距離rを変える例を挙げることができる。例えば、処理にかかる画像データの階調値が50%階調のとき、上記のようにr=16とし、階調値が50%より大きくまたは小さくなるほどrを大きくするようにすることができる。 In this embodiment, the repulsive force between the planes is all βE (r), but it is effective to make the interactions different between the planes in consideration of the magnitude of the interaction. For example, when the number of planes is large, the repulsive potential between the planes of the dither pattern used for ink that is printed as close as possible is made larger than other repulsive potentials, that is, the coefficient of βE (r) or the shape of E (r) It is also effective to change between planes. Also, for example, in the case of fixing using a reaction system, when a reaction liquid or ink having such a component is ejected by a recording head, a dither pattern plane used for the reaction liquid or the like and the reaction action of the reaction liquid or the like It is also effective to increase the repulsive potential of the dither pattern plane used for ink having a large value than usual. As a specific example of changing the repulsive potential function, an example of changing the distance r in the range where the repulsive force can be given can be given. For example, when the gradation value of the image data to be processed is 50% gradation, r = 16 as described above, and r can be increased as the gradation value is larger or smaller than 50%.
なお、本明細書では、ドットないしその重なりが均一に分散するほど、「より良好な分散」もしくは「分散がより良いこと」を意味する。そして、「均一な分散」とは、上記の斥力ポテンシャルの例で言えば総エネルギーを可能な限り低くした状態、すなわち、ドットの重なりや隣接による塊があるときはそれらの重なりや隣接の数をできるだけ少なくした状態であり、さらに、このような状態で、ドットを可能な限り均等に配置することである。さらに、「低周波数成分が少なくなる(小さくなる)」とは、上記のように分散が良いとき、その分布について後述されるパワースペクトルにおける、人間の視覚特性における感度の高い領域(低周波数領域)の周波数成分が、その分散が良い程度に応じて少なくなる(小さくなる)ことを意味する。 In the present specification, the more uniformly the dots or their overlap are dispersed, the more “good dispersion” or “the dispersion is better”. “Uniform dispersion” means the state where the total energy is as low as possible in the above repulsive potential example, that is, when there are dots due to overlapping or adjacent dots, the number of overlapping or adjacent points is determined. In this state, the dots are arranged as evenly as possible. Furthermore, “low frequency component is reduced (decreased)” means that when the dispersion is good as described above, a region having a high sensitivity in human visual characteristics (low frequency region) in the power spectrum described later regarding the distribution. This means that the frequency component decreases (decreases) depending on the degree of good dispersion.
本実施形態のディザパターンと従来例のディザパターン
図9〜図11は、上述した製法によって製造された本実施形態のディザパターンC、M、Y(以下「積層ディザパターン」ともいう)それぞれの閾値配置パターンを閾値の値に応じた濃度で示す図である。また、図19は、特許文献1や特許文献2に記載される従来例のディザパターンの同様のパターンを示す図である。
The dither pattern of the present embodiment and the dither pattern of the conventional example are shown in FIG. 9 to FIG. 11, respectively. It is a figure which shows an arrangement | positioning pattern by the density | concentration according to the value of a threshold value. FIG. 19 is a diagram showing a similar pattern of the conventional dither pattern described in
図9〜図11および図19に示される各ディザパターンパターンは、128×128の画素のエリアを有している。各パターンにおいて、濃度が薄いほど大きな閾値を表している。 Each of the dither pattern patterns shown in FIGS. 9 to 11 and FIG. 19 has an area of 128 × 128 pixels. In each pattern, the lower the density, the larger the threshold value.
これらの図に示すように、図19に示す従来のディザパターンや本実施形態のディザパターンのパターン(図9〜図11)は、特に、係数αの効果によって同一プレーン内の分散性を考慮したドットが配置されているので、閾値が示す各濃度の分散に偏りが無く、全体的に滑らかな印象を受ける。 As shown in these figures, the conventional dither pattern shown in FIG. 19 and the dither pattern of the present embodiment (FIGS. 9 to 11) take into account the dispersibility within the same plane, particularly by the effect of the coefficient α. Since the dots are arranged, there is no bias in the dispersion of the respective densities indicated by the threshold value, and an overall smooth impression is received.
図12は、図9および図10に示した本実施形態の積層ディザパターンC、Mの同じ画素の閾値の平均をその値に応じた濃度のパターンを示す図である。また、図13は、図9、図10および図11に示した本実施形態の積層ディザパターンC、M、Yの閾値の平均をその値に応じた濃度のパターンを示す図である。一方、図20は、図19に示した従来のディザパターンCと、それをずらして得たディザパターンMの同じ画素の閾値の平均をその値に応じた濃度のパターンを示す図である。また、図21は、図19に示した従来のディザパターンCと、それをずらして得たそれぞれディザパターンM、Yの同じ画素の閾値の平均をその値に応じた濃度のパターンを示す図である。これらのパターンは前述した周期境界条件を満たしているため容易に重なりをずらす設定ができる。 FIG. 12 is a diagram showing a density pattern according to the average threshold value of the same pixels of the stacked dither patterns C and M of the present embodiment shown in FIGS. 9 and 10. FIG. 13 is a diagram showing a density pattern according to the average of the threshold values of the laminated dither patterns C, M, and Y of the present embodiment shown in FIGS. On the other hand, FIG. 20 is a diagram showing a density pattern according to the average of threshold values of the same pixels of the conventional dither pattern C shown in FIG. 19 and the dither pattern M obtained by shifting it. FIG. 21 is a diagram showing a pattern of density according to the average of threshold values of the same dither pattern M and Y obtained by shifting the conventional dither pattern C shown in FIG. 19 and the dither pattern M and Y respectively. is there. Since these patterns satisfy the above-described periodic boundary conditions, they can be easily set to shift the overlap.
図12および図13に示すように、本実施形態の2つまた3つのディザパターンを重ねた場合の閾値平均の配置は、ともに分散がよくざらつき感のないものとなっている。これは、上述したように、2つのプレーン相互でドットの分散を考慮(係数β)するとともに、重なり自体の分散を考慮(係数γs(n))しているからである。これに対し、図20および図21に示す従来のディザパターンの閾値平均の配置パターンは、分散性が低下してざらつき感を呈したものとなる。 As shown in FIGS. 12 and 13, the average threshold arrangement in the case where two or three dither patterns according to the present embodiment are overlaid is well distributed and has no rough feeling. This is because, as described above, the dispersion of dots between the two planes is taken into consideration (coefficient β) and the dispersion of the overlap itself is taken into account (coefficient γs (n)). On the other hand, the threshold-average arrangement pattern of the conventional dither pattern shown in FIG. 20 and FIG. 21 exhibits a rough feeling due to a decrease in dispersibility.
図22は、本実施形態の積層ディザパターンと従来の積層ディザパターンそれぞれを重ねたときの閾値平均の配置パターンのパワースペクトルの比較を示す図である。ここで、パワースペクトルは、2次元空間周波数を1次元として扱える、「T. Mitsa and K. J. Parker, “Digital Halftoning using a Blue Noise Mask”, Proc. SPIE 1452, pp.47-56(1991)」に記載のradially averaged power spectrum である。 FIG. 22 is a diagram showing a comparison of power spectra of threshold average arrangement patterns when the laminated dither pattern of the present embodiment and the conventional laminated dither pattern are overlapped. Here, the power spectrum can be treated as a one-dimensional two-dimensional spatial frequency, “T. Mitsa and KJ Parker,“ Digital Halftoning using a Blue Noise Mask ”, Proc. SPIE 1452, pp. 47-56 (1991)”. It is described as a radially averaged power spectrum.
この図からも明らかなように、他のプレーンとの間の分散を考慮していない従来の閾値平均の配置パターンは、周波数領域の全体でより大きなパワーを持つとともに、低周波数領域でも本実施形態のものより成分が大きい。 As is clear from this figure, the conventional threshold average arrangement pattern that does not consider the dispersion with other planes has a larger power in the entire frequency domain, and this embodiment also in the low frequency domain. The ingredients are larger than those of
図23は、本実施形態の積層ディザパターンと従来のディザパターンそれぞれの閾値平均配置パターンのパワースペクトルにおける低周波数成分の量を比較して示す図である。この図からも明らかなように、ディザパターンを重ねたものは、従来のパターンのほうが低周波数成分が多いものとなっている。 FIG. 23 is a diagram comparing the amount of low frequency components in the power spectrum of the threshold average arrangement pattern of each of the laminated dither pattern of the present embodiment and the conventional dither pattern. As is apparent from this figure, the conventional pattern with more dither patterns has more low frequency components.
ディザパターンの性能評価として、ディザパターンのパワースペクトルが存在する周波数領域のうち、およそ半分より低周波数側にある「低周波数成分」に着目することが本発明の大きな特徴である。ディザパターンの低周波数成分が低く抑えられている状況において、上述したようにグレインの分布に起因するビーディングは現れにくく、また視認されにくい。結果として、記録した画像は視覚的にはザラツキが気にならないものとなる。また、特に、ディザパターンは、1つのパターンが記録画像に対して2次元的に繰り返し用いられる。1つのディザパターンを繰り返し用いた場合は、ディザパターンの低周波数成分が多ければ多いほど、その繰り返しパターンの模様が人の目に認識されやすい。繰り返しになるが、その模様はビーデイングの発生および見え方に大きく影響する。このため、ディザの周期に関連したザラツキ感が発生する。そこで、繰り返しパターンに着目し、ディザパターンの低周波数成分側を抑える設計が重要となる。つまり本発明では、視覚的にザラツキなどが気になる低周波数領域に焦点をあてて、その低周波域の成分を低く抑えるようにしている。また、本発明のディザパターンはそのような低周波数のパワーが低く抑えられていることが特徴である。 As a performance evaluation of a dither pattern, it is a major feature of the present invention to pay attention to a “low frequency component” that is on the lower frequency side than about half of the frequency region where the power spectrum of the dither pattern exists. In the situation where the low frequency component of the dither pattern is kept low, the beading due to the grain distribution is not likely to appear and is hardly visible as described above. As a result, the recorded image does not bother visually. In particular, one dither pattern is repeatedly used in a two-dimensional manner for a recorded image. When one dither pattern is repeatedly used, the more low frequency components of the dither pattern, the more easily the pattern of the repeated pattern is recognized by human eyes. Again, the pattern greatly affects the appearance and appearance of beading. For this reason, a rough feeling related to the dither cycle occurs. Therefore, it is important to pay attention to the repetitive pattern and to suppress the low frequency component side of the dither pattern. In other words, the present invention focuses on the low frequency region where the roughness or the like is visually worrisome, and suppresses the low frequency region component to a low level. Further, the dither pattern of the present invention is characterized in that such low frequency power is kept low.
また、人間の目の感度に関する周波数特性は、プリント物と人の目の距離などに依存し、例えば、ドーリイ(Dooley)の文献(「R.P. Dooley:Prediction Brightness Appearance at Edges Using Linear and Non-Liner Visual Describing Functions, SPES annual Meeting (1975)」)などによってこれまで多く論じられている。様々な実験からプリント物を見る場合には、およそ10cycles/mmより低い周波数領域の成分が人の目に認識しやすいと言われている。このことに関して、本発明者も実験的に確認している。そこで、10cycles/mmより低周波数側を含む領域(低周波数領域)に着目することが重要といえる。実際には記録物に目をさらに近づける場合もあるため、本発明者は、およそ20cycles/mmより低周波数側に着目し設計することが重要と考える。なお、後述する各実施形態のディザ評価(例えば、図16)で着目している低周波数領域は、おおよそこれらの範囲と重なっている。 The frequency characteristics related to the sensitivity of the human eye depend on the distance between the printed material and the human eye. For example, Dooley (“RP Dooley: Prediction Brightness Appearance at Edges Using Linear and Non-Liner Visual Describing Functions, SPES annual Meeting (1975) ”). When viewing a printed matter from various experiments, it is said that components in a frequency region lower than about 10 cycles / mm are easily recognized by human eyes. In this regard, the present inventor has also confirmed experimentally. Therefore, it can be said that it is important to pay attention to a region (low frequency region) including a frequency lower than 10 cycles / mm. Since the eyes may actually be closer to the recorded matter, the present inventor considers that it is important to pay attention to the design at a frequency lower than about 20 cycles / mm. Note that the low-frequency region of interest in the dither evaluation (for example, FIG. 16) of each embodiment to be described later substantially overlaps these ranges.
ずらしによる評価
本発明の実施形態に係るディザパターンが従来の1つのプレーンのみを考慮して得られるディザパターン(特許文献1、特許文献2に記載のディザパターン)と異なる点の1つは、異なるプレーンのディザパターンを正規の位置で重ねた場合と正規ではない位置で重ねた場合の分散特性の変化である。本発明の実施形態に係るディザパターンは、異なるプレーンのディザパターンの重ね方を意図的にずらした場合、閾値配置パターンの分散性が大きく低下する。すなわち、本実施形態では、異なるプレーン間でも分散を考慮していることから、その分散を考慮するときの正規の重ね方とは異なる重ね方をすると分散性が大きく低下する。一方、従来例に係るディザパターンの場合、異なるプレーン間での分散性は考慮していないため、正規の重ね方とは異なる重ね方をしても分散性に変化はない。
Evaluation by Shift One of the differences between the dither pattern according to the embodiment of the present invention and the dither pattern obtained by considering only one conventional plane (the dither pattern described in
このずれの評価は次のように行う。上述した製法によって作成したパターンC、M、Yを、それぞれから各色ラスター方向にランダムにずらす。このときディザパターン自体は周期的に並ぶためずらすことが可能となる。 This deviation is evaluated as follows. Patterns C, M, and Y created by the above-described manufacturing method are randomly shifted from each other in the direction of each color raster. At this time, since the dither pattern itself is periodically arranged, it can be shifted.
図14は、ずらした本実施形態の積層ディザパターンC、Mを重ねたときの閾値平均の閾値配置パターンを示す図であり、また、図15は、ずらした積層ディザパターンC、M、Yを重ねたときの閾値平均の閾値配置パターンを示す図である。これらの図から明らかなように、本実施形態の積層ディザパターンの重ね位置をずらした閾値平均パターンは分散性が低下し、パターンを観察したときのざらつき感が増している。 FIG. 14 is a diagram showing a threshold arrangement pattern of average threshold values when the laminated dither patterns C and M according to the present embodiment are overlaid. FIG. 15 shows the shifted laminated dither patterns C, M, and Y according to the embodiment. It is a figure which shows the threshold value arrangement pattern of the threshold value when it overlaps. As is clear from these drawings, the threshold average pattern in which the overlapping position of the laminated dither pattern of the present embodiment is shifted has reduced dispersibility, and the feeling of roughness when the pattern is observed is increased.
図16および図17は、重ね位置をずらした場合と重ね位置をずらさない場合(つまり、正規の位置で重ねた場合)のパワースペクトルを比較した図であり、それぞれ本実施形態の積層ディザパターンC、M、または積層ディザパターンC、M、Yの閾値平均の配置パターンのパワースペクトルを示す図である。 FIG. 16 and FIG. 17 are diagrams comparing the power spectra when the overlapping position is shifted and when the overlapping position is not shifted (that is, when overlapping is performed at a normal position), and each of the stacked dither patterns C of the present embodiment. , M, or laminated dither pattern C, M, Y is a diagram showing a power spectrum of an arrangement pattern of average threshold values.
これらの図に示す本実施形態の積層ディザパターンは、ずらした場合総ての周波数範囲でパワーが増すとともに、低周波数成分もずらし無しの場合に較べて大きくなる。これは、上述したように、積層ディザパターンは、異なるプレーン間でも分散を考慮していることから、その分散を考慮するときの正規の重ね方とは異なる重ね方としたときは、分散性が大きく低下するからである。 In the laminated dither pattern of the present embodiment shown in these drawings, the power increases in all frequency ranges when shifted, and the low frequency components also become larger than when there is no shift. This is because, as described above, the laminated dither pattern considers dispersion even between different planes. Therefore, when the overlap is different from the normal overlap when considering the dispersion, the dispersibility is This is because it is greatly reduced.
図18は、以上のずらしによる評価を低周波数成分の量で表した図であり、本実施形態の積層ディザパターンの閾値平均の配置パターンについてずらした場合とずらさない場合(正規の場合)それぞれパワースペクトルにおける低周波数成分の量の比較を示している。 FIG. 18 is a diagram showing the evaluation based on the shift in terms of the amount of the low frequency component. The shift average of the threshold dither pattern of the laminated dither pattern according to the present embodiment and the case where the shift is not shifted (normal case) are shown. A comparison of the amount of low frequency components in the spectrum is shown.
図18に示すように、本実施形態の積層ディザパターンの場合、ずらしたものは、ディザパターンC、MおよびディザパターンC、M、Yのパターンのいずれにおいても、ずらしていない場合と比較して、低周波数成分の量が多くなることがわかる。 As shown in FIG. 18, in the case of the laminated dither pattern of this embodiment, the shifted one is compared with the case where the dither patterns C and M and the dither patterns C, M, and Y are not shifted. It can be seen that the amount of low frequency components increases.
画像による評価
図24は、本実施形態の積層ディザパターンC、Mを用いて実際に濃度64の均一画像を2値化して得られるドットパターンの論理積パターンを示す図である。また、図27は、本実施形態の積層ディザパターンC、M、Yを用いて濃度64の均一画像を2値化して得られるドットパターンの論理積パターンを示す図である。さらに、図25および図26は、それぞれ従来例に係るランダムにずらして得られる2つのディザパターンC、Mおよび従来例に係る1画素だけずらして得られる2つのディザパターンC、Mを用いてそれぞれ濃度64の均一画像を2値化して得られるドットパターンの論理積パターンを示す図である。
Evaluation by Image FIG. 24 is a diagram showing a logical product pattern of dot patterns obtained by actually binarizing a uniform image having a density of 64 using the laminated dither patterns C and M of this embodiment. FIG. 27 is a diagram illustrating a logical product pattern of dot patterns obtained by binarizing a uniform image having a density of 64 using the stacked dither patterns C, M, and Y according to the present embodiment. Further, FIGS. 25 and 26 respectively show two dither patterns C and M obtained by randomly shifting according to the conventional example, and two dither patterns C and M obtained by shifting only one pixel according to the conventional example, respectively. It is a figure which shows the logical product pattern of the dot pattern obtained by binarizing the uniform image of density 64.
図24および図27に示すように、本実施形態の2つまたは3つのディザパターンを重ねた場合のドットの配置の中からドットが重なったものを抽出したものの配置(論理積)は、分散がよくざらつき感のないものとなっている。これは、上述したように、2つのディザプレーン相互でドットの分散を考慮(係数β)するとともに、重なり自体の分散を考慮(係数γs(n))しているからである。 As shown in FIG. 24 and FIG. 27, the arrangement (logical product) of the extracted dot arrangement obtained by superimposing the two or three dither patterns according to the present embodiment is distributed. It has become a rough feeling well. This is because, as described above, the dispersion of dots between the two dither planes is taken into consideration (coefficient β) and the dispersion of the overlap itself is taken into account (coefficient γs (n)).
これに対し、特許文献1や特許文献2に開示されるディザパターンによるドットパターンを重ねたときの論理積は、ずらし方によらず本実施形態のパターン(図24)と較べて分散がよくないものとなっている。これは、上述したように特許文献1などでは、同じプレーン内の分散は考慮しているものの、プレーン相互のドットの分散(係数β)やドットの重なりの分散(係数γs(n))を考慮していないからである。
On the other hand, the logical product when the dot patterns based on the dither pattern disclosed in
ここで、ディザパターンパターンの他の評価方法として、「重ね合わせ」パターンを用いたものを定義する。この「重ね合わせ」パターンは、複数のディザパターンを用いて、例えば、濃度64の均一画像を2値化して得られるそれぞれのドットパターンの画素にドット(“1”)が存在するとき、その対応する画素にドットを示すデータ“1”が存在し、かつドットが同じ画素で重なるときはその数に応じたデータが存在するパターンである。たとえば重なりが2である場合は“2”、3である場合には“3”というようにする。そして、以下の図28に示すパターンはそのデータが示す数に応じた濃度で表される。すなわち、この重ね合わせパターンは、異なるプレーンそれぞれのドットの配置を1つのプレーンで示すとともに、ドットの重なりの配置をその重なりの程度とともに示すことができる。 Here, as another evaluation method of the dither pattern, a method using an “overlapping” pattern is defined. This “overlapping” pattern uses a plurality of dither patterns, for example, when a dot (“1”) exists in each dot pattern pixel obtained by binarizing a uniform image having a density of 64. When there is data “1” indicating a dot in a pixel to be overlapped, and the dots overlap with the same pixel, there is a pattern in which data corresponding to the number exists. For example, when the overlap is 2, “2” is set, and when it is 3, “3” is set. The pattern shown in FIG. 28 below is represented by the density corresponding to the number indicated by the data. That is, this superposition pattern can show the dot arrangement of different planes as a single plane and the dot overlap arrangement along with the degree of overlap.
図28は、本実施形態の積層ディザパターンを3つ用いて濃度64の均一画像を2値化して得られるそれぞれのドットパターンを重ねたときの「重ね合わせ」パターンを示す図である。この図28に示すパターンは、本実施形態のディザパターンを用いて記録を行うときの重ね合わせのインクドットのパターンに近いものを表している。従って、これらのパターンからも、重ね合わせのインクドットやそれらの重なりが良好に分散していることがわかる。 FIG. 28 is a diagram showing an “overlapping” pattern when the respective dot patterns obtained by binarizing a uniform image having a density of 64 using three stacked dither patterns of the present embodiment are overlapped. The pattern shown in FIG. 28 represents a pattern close to the superimposed ink dot pattern when recording is performed using the dither pattern of the present embodiment. Therefore, it can be seen from these patterns that the superimposed ink dots and their overlap are well dispersed.
図29および図30は、本実施形態の積層ディザパターン、上述した2つの従来例に係るディザパターンをそれぞれ2つおよび3つ重ねたときに、上述のようにして得られる「重ね合わせ」パターンのパワースペクトルを比較して示す図である。 FIGS. 29 and 30 show the “overlapping” pattern obtained as described above when the laminated dither pattern of this embodiment and the above two conventional dither patterns are overlapped, respectively. It is a figure which compares and shows a power spectrum.
3つの曲線を比較すると、従来の2つのディザパターンによる重ね合わせパターンは、本実施形態の積層ディザパターンによる重ね合わせパターンに比べ、低周波数成分が多くなっている。すなわち、分散が悪くなりパターンのざらつき感が増す。 Comparing the three curves, the overlay pattern by the two conventional dither patterns has more low frequency components than the overlay pattern by the laminated dither pattern of this embodiment. That is, the dispersion becomes worse and the feeling of roughness of the pattern increases.
図31は、本実施形態の積層ディザパターン、上述した2つの従来例に係るディザパターンをそれぞれ2つおよび3つ重ねたときに、上述のようにして得られる「重ね合わせ」パターンのパワースペクトルにおける低周波数成分の量を比較して示す図である。 FIG. 31 shows the power spectrum of the “overlapping” pattern obtained as described above when the dither pattern according to the present embodiment and the two conventional dither patterns according to the two conventional examples are overlapped, respectively. It is a figure which compares and shows the quantity of a low frequency component.
図に示すように、従来の2つのディザパターンによる重ね合わせパターンは、本実施形態の積層ディザパターンによる重ね合わせパターンに比べ、低周波数成分が多くなっている。すなわち、分散が悪くなりパターンのざらつき感が増すことがわかる。 As shown in the figure, the overlay pattern by the two conventional dither patterns has more low frequency components than the overlay pattern by the laminated dither pattern of this embodiment. That is, it is understood that the dispersion becomes worse and the feeling of roughness of the pattern increases.
〔実施形態2〕
階調値に応じてディザパターンを切り替えても良い。すなわち、上記の実施形態のよう
にディザパターンを作成した場合、例えば、3つのプレーンの被覆率がすべて50%のも
のは、比較的きれいになる。しかし、それぞれのプレーンの被覆率が50%、25%,25%のものを比較すると画質が低下することがある。これは、例えばマゼンタ25%の閾値のドット分布は、他の色も総て25%プレーンで印刷したときの斥力の影響を受けながら作られるからである。
[Embodiment 2]
The dither pattern may be switched according to the gradation value. That is, when the dither pattern is created as in the above-described embodiment, for example, when the coverage of all three planes is 50%, it becomes relatively clean. However, the image quality may be degraded when the coverage of each plane is 50%, 25%, or 25%. This is because, for example, a dot distribution with a threshold value of magenta 25% is created while being influenced by repulsive force when all other colors are printed with a 25% plane.
そこで、デューティーに応じて、別々のディザパターンを作製しておき切り替えて用いるようにする。具体的には、3つのプレーンを2段階にわけてディザパターンを作成する。まず、第一に、1プレーン255として4分割する。このとき、0〜127、128〜255の2段階にする。そうすると、組み合わせとして、各プレーンの最大グレー値に対して、残りの2プレーンがその半値以上であるかを直ちに計算することができる。 Therefore, different dither patterns are prepared according to the duty and used by switching. Specifically, a dither pattern is created by dividing three planes into two stages. First, it is divided into four as one plane 255. At this time, there are two stages of 0 to 127 and 128 to 255. Then, as a combination, it is possible to immediately calculate whether the remaining two planes are equal to or more than half of the maximum gray value of each plane.
処理に係る画像の階調値の平均値が第1プレーン、第2プレーン、第3プレーン=200、150、50であるとすると、(1,1,0)のディザを選択する。ここで、(1,1,0)のディザとは、初期ドットパターンを、第1プレーンが128/255レベルから作った初期2値画像、第2プレーンも128/255レベルから作った初期2値画像、第3プレーンが64/255レベルから作った初期2値画像でディザパターンをつくったものである。そして、斥力ポテンシャルを適用してドットの配置をしたあと、第1プレーンと第2プレーンで、2ドット間引くのに対し、第3プレーンは1ドット間引くようにする。 Assuming that the average value of the gradation values of the image to be processed is the first plane, the second plane, and the third plane = 200, 150, 50, the dither of (1, 1, 0) is selected. Here, the dither of (1, 1, 0) is an initial binary image in which an initial dot pattern is created from the 128/255 level for the first plane, and an initial binary pattern from which the second plane is also created from the 128/255 level. A dither pattern is created from an initial binary image created from 64/255 levels of the image and the third plane. Then, after arranging dots by applying the repulsive potential, the first plane and the second plane are thinned by 2 dots, whereas the third plane is thinned by 1 dot.
〔他の実施形態〕
本発明は、記録装置で用いる複数種類のインク全てについて、上述の実施形態で説明した積層ディザパターンを適用してもよいし、あるいは、記録装置で用いる複数種類のインクの一部のインクの組み合わせについて、積層ディザパターンを適用してもよい。
[Other Embodiments]
The present invention may apply the laminated dither pattern described in the above embodiment to all of a plurality of types of ink used in the recording apparatus, or a combination of some of the plurality of types of ink used in the recording apparatus. A laminated dither pattern may be applied.
例えば、シアン(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、ブラック(K)、淡シアン(Lc)、淡マゼンタ(Lm)の6色インクを用いる場合、これら6色全てに対して積層ディザパターンを適用してもよい。この場合、6色分の積層ディザパターンを上記実施形態で説明した製法によって生成することになる。 For example, when six color inks of cyan (C), magenta (M), yellow (Y), black (K), light cyan (Lc), and light magenta (Lm) are used, the laminated dither is applied to all these six colors. A pattern may be applied. In this case, a laminated dither pattern for six colors is generated by the manufacturing method described in the above embodiment.
一方、これら6色のうち一部の色(2色、3色、4色、5色)の組み合わせについて積層ディザパターンを適用してもよい。この場合、2つの形態が考えられる。第1の形態は、上記一部の色分だけ積層ディザパターンを生成し、それ以外の色についてのディザパターン製法を問わない形態である。例えば、6色のうち3色(例えば、CMY)については上述の実施形態で説明した製法によって積層ディザパターンを生成し、それ以外の3色(KLcLm)については周知の製法によってディザパターンを生成する。第2の形態は、上記一部の色分だけ積層ディザパターンを生成し、それ以外の色については上記一部の色のために生成した積層ディザパターンの中から選択したものを割り当てる形態である。例えば、6色のうちCMYの3色については上述の実施形態で説明した製法によって積層ディザパターンを生成し、それ以外の3色(KLcLm)についてはCMYのために生成した積層ディザパターンの中なら選択したものを適用する。 On the other hand, a laminated dither pattern may be applied to combinations of some of these six colors (two colors, three colors, four colors, and five colors). In this case, two forms are possible. The first form is a form in which the laminated dither pattern is generated for the part of the colors and the dither pattern manufacturing method for the other colors is not limited. For example, a laminated dither pattern is generated by the manufacturing method described in the above-described embodiment for three colors (for example, CMY) among six colors, and a dither pattern is generated by a known manufacturing method for the other three colors (KLcLm). . The second form is a form in which the laminated dither pattern is generated for the part of the colors, and for the other colors, a selected one of the laminated dither patterns generated for the part of the colors is assigned. . For example, for the three colors of CMY among the six colors, a laminated dither pattern is generated by the manufacturing method described in the above embodiment, and for the other three colors (KLcLm), if they are among the laminated dither patterns generated for CMY Apply the selection.
また、上述の実施形態では、異なるインク色の組み合わせについて積層ディザパターンを適用する場合について説明したが、本発明は、この形態に限られるものではない。同じ色で径の異なるドット(吐出体積の異なる同色インク)を用いて記録を行う形態にも適用可能である。この場合、同色で径の異なるドット(例えば、大ドット、小ドット)について上述の積層ディザパターンを適用してもよい。例えば、大シアン、小シアン、大マゼンタ、小マゼンタ、イエロー、ブラックの6種類のドットを用いる場合を考える。この場合、大シアンと小シアン、あるいは大マゼンタと小マゼンタについて、上述の実施形態で説明した製法により積層ディザパターンを生成する。 In the above-described embodiment, the case where the laminated dither pattern is applied to combinations of different ink colors has been described. However, the present invention is not limited to this embodiment. The present invention is also applicable to a mode in which printing is performed using dots of the same color and different diameters (same color inks having different ejection volumes). In this case, the above-described stacked dither pattern may be applied to dots (for example, large dots and small dots) having the same color and different diameters. For example, consider a case where six types of dots of large cyan, small cyan, large magenta, small magenta, yellow, and black are used. In this case, a laminated dither pattern is generated by the manufacturing method described in the above embodiment for large cyan and small cyan, or large magenta and small magenta.
さらには、同色で径の異なるドット(例えば、大ドット、小ドット)を用いる形態において、異色ドットの組み合わせについては上述の積層ディザパターンを適用し、径の異なる同色ドットの組み合わせについては同じディザパターンを適用する形態であってもよい。例えば、上述の6種類のドットを用いる場合において、大シアンと大マゼンタについて上記実施形態で説明した製法により積層ディザパターンを生成し、且つ小シアンについては大シアンと同じディザパターンを適用し、小マゼンタについては大マゼンタと同じディザパターンを適用するのである。 Furthermore, in the form using dots of the same color and different diameters (for example, large dots and small dots), the above-described stacked dither pattern is applied to the combination of different color dots, and the same dither pattern is applied to the combination of the same color dots having different diameters. May be applied. For example, in the case of using the above-described six types of dots, a stacked dither pattern is generated by the manufacturing method described in the above embodiment for large cyan and large magenta, and the same dither pattern as that of large cyan is applied to small cyan, For magenta, the same dither pattern as large magenta is applied.
なお、同色で径の異なるドットの種類数は、大小2種類に限られるものではなく、大中小の3種類であってもよいし、それ以上であってもよい。また、本発明は、色および大きさの少なくとも一方が異なるドットについて適用した場合においてのみ効果を発揮するものではなく、例えば、離間したノズル群から異なるタイミングで吐出される同色インクについて適用しても効果を発揮する。例えば、ヘッドの主走査方向に沿ってCMYMCの順でノズル群が配列されている形態にあっては、離間した同色ノズル群(Cノズル群、Mノズル群)に対して上記製法によって製造した積層ディザパターンを適用する。 The number of types of dots having the same color and different diameters is not limited to two types of large and small, and may be three types of large, medium, and small, or more. Further, the present invention is not effective only when applied to dots having at least one of different colors and sizes. For example, the present invention may be applied to the same color ink ejected from different nozzle groups at different timings. Demonstrate the effect. For example, in the form in which the nozzle groups are arranged in the order of CMYMC along the main scanning direction of the head, the stack manufactured by the above manufacturing method for the same color nozzle groups (C nozzle group, M nozzle group) that are separated from each other. Apply a dither pattern.
また、本発明は、上述した通り、インク以外の液体を用いる形態においても適用可能である。インク以外の液体としては、インク中の色材を凝集あるいは不溶化させる反応液が挙げられる。この場合、少なくとも、ある1種のインクと反応液について、上記実施形態で説明した製法により積層ディザパターンを生成することになる。 Further, as described above, the present invention can be applied to a form using a liquid other than ink. Examples of the liquid other than the ink include a reaction liquid that aggregates or insolubilizes the color material in the ink. In this case, for at least one kind of ink and reaction liquid, a laminated dither pattern is generated by the manufacturing method described in the above embodiment.
なお、本発明では、色材として染料を含有する染料インク、色材として顔料を含有する顔料インク、色材として染料および顔料を含有する混合インクのいずれについても適用可能である。 In the present invention, any of a dye ink containing a dye as a color material, a pigment ink containing a pigment as a color material, and a mixed ink containing a dye and a pigment as a color material can be applied.
〔他の実施形態〕
本発明の実施形態におけるディザパターンのずらしによる評価において、そのサイズは、横:128画素×縦:128画素のサイズである。しかし、縦横のサイズが異なるディザパターンもあり得る。このようなパターンについて周波数成分を求めるときは、ディザパターンの縦横サイズを揃えてから周波数成分を求めるようにする。例えば、256×128で縦が短い場合に、縦横サイズを長手方向のサイズ(この例の場合、横方向の256画素)に揃えるため、縦にパターンを繰り返し、256画素×256画素のパターンとして周波数成分を評価する。
[Other Embodiments]
In the evaluation by shifting the dither pattern in the embodiment of the present invention, the size is horizontal: 128 pixels × vertical: 128 pixels. However, there may be dither patterns having different vertical and horizontal sizes. When obtaining frequency components for such a pattern, the frequency components are obtained after aligning the vertical and horizontal sizes of the dither pattern. For example, when the vertical size is 256 × 128 and the vertical size is short, the vertical and horizontal sizes are aligned to the size in the longitudinal direction (in this example, 256 pixels in the horizontal direction). Evaluate the ingredients.
その他のサイズの場合も同様であり、縦横サイズを長手方向のサイズに揃えたパターンについて周波数成分を評価する。具体的には、パターンの短手方向のサイズが長手方向のサイズ以上になるまで短手方向にパターンを繰り返し、その中からパターンを切り出し、その切り出したパターンについて評価する。その際、周波数変換を行うときに高速フーリエ変換を使えるよう、縦横サイズは2のn乗(nは正の整数)であることが好ましい。2のn乗でない場合には、長手方向のサイズに最も近い2のn乗を特定し、その特定した2のn乗のサイズで切り出せるようにパターンを縦横に繰り返す。そして、この繰り返しにより生成されたパターンの中から、上記特定した2のn乗のサイズのパターンを切り出し、その切り出したパターンについて評価を行う。例えば、ディザパターンが横:500画素×縦:320画素であった場合について考える。この場合、長手方向のサイズは「500」なので、この「500」に最も近い2のn乗を特定する。最も近い2のn乗は「512」と特定される。そこで、512画素×512画素のパターンを切り出すために、横方向と縦方向に1回ずつパターンを繰り返し、1000画素×640画素のパターンを生成する。こうして生成された1000画素×640画素のパターンの中から512画素×512画素のパターンを切り出し、切り出したパターンについて評価を行う。 The same applies to other sizes, and the frequency component is evaluated for a pattern in which the vertical and horizontal sizes are aligned in the longitudinal direction. Specifically, the pattern is repeated in the short direction until the size in the short direction of the pattern is equal to or greater than the size in the long direction, the pattern is cut out from the pattern, and the cut pattern is evaluated. At that time, the vertical and horizontal sizes are preferably 2 to the nth power (n is a positive integer) so that the fast Fourier transform can be used when performing the frequency conversion. If it is not 2 to the power of n, the 2 n power closest to the size in the longitudinal direction is specified, and the pattern is repeated vertically and horizontally so that it can be cut out with the specified size of 2 n. Then, from the pattern generated by this repetition, the specified pattern of 2 n size is cut out, and the cut out pattern is evaluated. For example, consider a case where the dither pattern is horizontal: 500 pixels × vertical: 320 pixels. In this case, since the size in the longitudinal direction is “500”, the 2 n power closest to “500” is specified. The nearest 2 to the power of n is identified as “512”. Therefore, in order to cut out a pattern of 512 pixels × 512 pixels, the pattern is repeated once in the horizontal direction and the vertical direction to generate a pattern of 1000 pixels × 640 pixels. A 512 pixel × 512 pixel pattern is cut out from the 1000 pixel × 640 pixel pattern thus generated, and the cut pattern is evaluated.
100 ホストコンピュータ(PC)
101、J0001 アプリケーション
102 OS
103 プリンタドライバ
104 プリンタ
107 HD
108 CPU
109 RAM
110 ROM
J0005 2値化処理
J0006 印刷データ作成
J0008 マスクデータ変換処理
100 Host computer (PC)
101,
103
108 CPU
109 RAM
110 ROM
J0005 Binary processing J0006 Print data creation J0008 Mask data conversion processing
Claims (7)
前記複数のディザパターンは、それらの2つ以上を重ねた場合に、対応する閾値画素の閾値の平均値のパターンが、前記2つ以上のディザパターンについて重ね位置をずらした場合の対応する閾値画素の閾値の平均値のパターンより低周波数成分が少ないことを特徴とするデータ処理方法。 In a data processing method for performing quantization for generating recording data of a plurality of types of dots using a plurality of dither patterns,
When the two or more dither patterns are overlapped, the threshold value pixel corresponding to the average threshold value pattern of the corresponding threshold pixels is shifted when the overlapping position is shifted with respect to the two or more dither patterns. A data processing method characterized in that there are fewer low frequency components than the average value pattern of the threshold values.
前記複数のディザパターンは、それらの2つ以上を重ねた場合に、対応する閾値画素の閾値の平均値のパターンが、前記2つ以上のディザパターンについて重ね位置をずらした場合の対応する閾値画素の閾値の平均値のパターンより低周波数成分が少ないことを特徴とするデータ処理装置。 In a data processing apparatus that performs quantization to generate print data of a plurality of types of dots using a plurality of dither patterns,
When the two or more dither patterns are overlapped, the threshold value pixel corresponding to the average threshold value pattern of the corresponding threshold pixels is shifted when the overlapping position is shifted with respect to the two or more dither patterns. A data processing device characterized in that there are fewer low-frequency components than the average value pattern of the thresholds.
前記複数のディザパターンは、それらの2つ以上を重ねた場合に、対応する閾値画素の閾値の平均値のパターンが、前記2つ以上のディザパターンについて重ね位置をずらした場合の対応する閾値画素の閾値の平均値のパターンより、低周波数成分が少ないことを特徴とするディザパターン。 In a plurality of dither patterns used to perform quantization to generate recording data of multiple types of dots,
When the two or more dither patterns are overlapped, the threshold value pixel corresponding to the average threshold value pattern of the corresponding threshold pixels is shifted when the overlapping position is shifted with respect to the two or more dither patterns. A dither pattern characterized in that there are fewer low-frequency components than the pattern of the average value of the threshold values.
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