JP2010201514A - Diamond abrasive grain and conditioner for semiconductor abrasive cloth - Google Patents
Diamond abrasive grain and conditioner for semiconductor abrasive cloth Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010201514A JP2010201514A JP2009046469A JP2009046469A JP2010201514A JP 2010201514 A JP2010201514 A JP 2010201514A JP 2009046469 A JP2009046469 A JP 2009046469A JP 2009046469 A JP2009046469 A JP 2009046469A JP 2010201514 A JP2010201514 A JP 2010201514A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- diamond abrasive
- abrasive grains
- conditioner
- polishing cloth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
Description
本発明は、工具の切刃として用いられるダイヤモンド砥粒及びこれを用いた半導体研磨布用コンディショナーに関する。 The present invention relates to a diamond abrasive used as a cutting edge of a tool and a conditioner for a semiconductor polishing cloth using the same.
近年、半導体産業の進展とともに、金属、半導体、セラミックスなどの表面を高精度に仕上げる加工方法の必要性が高まっており、特に、半導体ウェーハでは、その集積度の向上とともにナノメーターオーダーの表面仕上げが要求されている。このような高精度の表面仕上げに対応するために、半導体ウェーハに対して、多孔性の半導体研磨布を用いたＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシュ）研磨が一般に行われている。 In recent years, with the progress of the semiconductor industry, there is an increasing need for processing methods for finishing surfaces of metals, semiconductors, ceramics, etc. with high precision. It is requested. In order to cope with such a high-precision surface finish, CMP (chemical mechanical polishing) polishing using a porous semiconductor polishing cloth is generally performed on a semiconductor wafer.
半導体ウェーハ等の研磨加工に用いられる半導体研磨布は、研磨時間が経過していくにつれ目詰まりや圧縮変形を生じ、その表面状態が次第に変化していく。すると、研磨速度の低下や不均一研磨等の好ましくない現象が生じるので、半導体研磨布用コンディショナーを用い、半導体研磨布の表面を研削加工することにより、半導体研磨布の表面状態を一定に保って、良好な研磨状態を維持する工夫が行われている。 A semiconductor polishing cloth used for polishing a semiconductor wafer or the like causes clogging or compressive deformation as the polishing time elapses, and its surface state gradually changes. Then, since undesired phenomena such as a decrease in polishing rate and non-uniform polishing occur, the surface condition of the semiconductor polishing cloth is kept constant by grinding the surface of the semiconductor polishing cloth using the conditioner for the semiconductor polishing cloth. The device has been devised to maintain a good polishing state.
このような半導体研磨布用コンディショナーとして、例えば、特許文献１に示すような、研削・研磨工具（半導体研磨布）の加工面を加工する合わせ工具（半導体研磨布用コンディショナー）が知られている。この合わせ工具は、その研削・研磨工具に対向する台金の表面に、Ｎｉ等からなるメッキ層（結合材）を介しダイヤモンド砥粒を配列保持しており、これらのダイヤモンド砥粒を切刃として用いている。このように、ダイヤモンド砥粒を切刃に用いることによって、切れ味が高められている。 As such a conditioner for semiconductor polishing cloth, for example, an alignment tool (conditioner for semiconductor polishing cloth) for processing a processing surface of a grinding / polishing tool (semiconductor polishing cloth) as shown in Patent Document 1 is known. In this matching tool, diamond abrasive grains are arranged and held on the surface of a base metal facing the grinding / polishing tool via a plating layer (binding material) made of Ni or the like, and these diamond abrasive grains are used as cutting edges. Used. Thus, the sharpness is enhanced by using diamond abrasive grains for the cutting edge.
ところで、特許文献１のような半導体研磨布用コンディショナーでは、研磨用のスラリーにより、メッキ層に含まれる金属成分が溶出して、研磨する半導体ウェーハ等に損傷（スクラッチ）を生じさせることがある。
また、一般に、ダイヤモンド粒子をＮｉ等の金属膜により被覆したダイヤモンド砥粒が知られているが、このようなダイヤモンド砥粒を半導体研磨布用コンディショナーに用いた場合も、前記金属膜から金属成分が溶出することがある。
By the way, in the conditioner for semiconductor polishing cloths like patent document 1, the metal component contained in a plating layer may elute by the slurry for polishing, and damage (scratch) may be caused to the semiconductor wafer etc. which are ground.
In general, diamond abrasive grains in which diamond particles are coated with a metal film such as Ni are known. However, when such diamond abrasive grains are used in a conditioner for a semiconductor polishing cloth, the metal component is also extracted from the metal film. May elute.
また、このように金属成分の溶出があると、結合材のダイヤモンド砥粒に対する保持力が低減して、該ダイヤモンド砥粒が工具から脱粒することがある。この場合、半導体ウェーハ等に大きなスクラッチを生じさせてしまうだけでなく、半導体研磨布用コンディショナーの半導体研磨布に対する研削性能が低減して、半導体研磨布の半導体ウェーハ等に対する研磨性能が低下する。
そこで、結合材として樹脂材料からなるレジンボンドを用い、かつ、ダイヤモンド砥粒に裸のダイヤモンド粒子を用いることで、金属成分の溶出を防止することが考えられる。
In addition, when the metal component is eluted as described above, the holding force of the binder to the diamond abrasive grains may be reduced, and the diamond abrasive grains may be detached from the tool. In this case, not only a large scratch is generated on the semiconductor wafer or the like, but also the grinding performance of the semiconductor polishing cloth conditioner on the semiconductor polishing cloth is reduced, and the polishing performance of the semiconductor polishing cloth on the semiconductor wafer or the like is lowered.
Therefore, it is conceivable to prevent elution of the metal component by using a resin bond made of a resin material as a binder and using bare diamond particles for the diamond abrasive grains.
しかしながら、この場合、前記メッキ層に比べダイヤモンド砥粒に対する結合材の保持力が低減して、ダイヤモンド砥粒が脱粒することがある。 However, in this case, the holding power of the binding material with respect to the diamond abrasive grains may be reduced as compared with the plated layer, and the diamond abrasive grains may fall off.
前述の保持力を増大させるため、例えば、イレギュラーな形状のダイヤモンド砥粒を用いる手法が考えられる。すなわち、ダイヤモンド砥粒として、粉砕加工等により製造され、張り出した角部や鋭利な稜線部を有し表面に比較的凹凸が多いものやアスペクト比が比較的大きいものを用いることによって、ダイヤモンド砥粒を結合材に強固に保持させ、脱粒しにくくすることが考えられる。 In order to increase the above-mentioned holding force, for example, a method using irregularly shaped diamond abrasive grains can be considered. That is, as diamond abrasive grains, diamond abrasive grains manufactured by pulverization or the like, having overhanging corners or sharp ridges and having a relatively large irregularity on the surface or a relatively large aspect ratio are used. It is conceivable that the binder is firmly held by the binding material and is difficult to be shed.
しかしながら、このようにイレギュラーな形状のダイヤモンド砥粒を用いた場合、ダイヤモンド砥粒自体の剛性が確保できず、該ダイヤモンド砥粒が破砕して半導体ウェーハ等にスクラッチを生じさせることがある。 However, when such irregularly shaped diamond abrasive grains are used, the rigidity of the diamond abrasive grains themselves cannot be ensured, and the diamond abrasive grains may be crushed to cause scratches on a semiconductor wafer or the like.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、切れ味が高められ、脱粒を防止でき、剛性を確保できるダイヤモンド砥粒及びこれを用いた半導体研磨布用コンディショナーを提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of such circumstances, and it is intended to provide diamond abrasive grains capable of enhancing sharpness, preventing degranulation, and ensuring rigidity, and a conditioner for a semiconductor polishing cloth using the same. It is aimed.
前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
すなわち、本発明に係るダイヤモンド砥粒は、ダイヤモンド粒子に、ダイヤモンド膜が被覆されていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention proposes the following means.
That is, the diamond abrasive grain according to the present invention is characterized in that diamond particles are coated with a diamond film.
本発明に係るダイヤモンド砥粒によれば、ダイヤモンド粒子に、例えば、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法により、ダイヤモンド膜が被覆されている。このように、ダイヤモンド粒子にダイヤモンド膜が成膜されることにより、ダイヤモンド砥粒の表面には、微細な凹凸が形成されることとなる。すなわち、ダイヤモンド膜は、ダイヤモンド粒子の表面において柱状成長するように形成されていくことから、ダイヤモンド砥粒の表面は、微細な凹凸形状となる。 According to the diamond abrasive grain according to the present invention, the diamond film is coated on the diamond particle by, for example, a chemical vapor deposition (CVD) method. Thus, by forming a diamond film on the diamond particles, fine irregularities are formed on the surface of the diamond abrasive grains. That is, since the diamond film is formed so as to grow in a columnar shape on the surface of the diamond particle, the surface of the diamond abrasive grain has a fine uneven shape.
このような表面を有するダイヤモンド砥粒は、例えば、ダイヤモンド砥粒を切刃として研削加工や切断加工等を行う種々の工具に用いた際に、工具の砥粒層を構成するレジンボンド、メタルボンド、ビトリファイドボンド、電鋳ボンド等の種々の結合材に対する接触面積が充分に確保され、砥粒層に強固に保持される。従って、加工の際、ダイヤモンド砥粒に対して種々の方向から外力が作用しても、該ダイヤモンド砥粒が工具の砥粒層から容易に脱粒するようなことが防止されて、工具寿命が延長する。 The diamond abrasive having such a surface is, for example, a resin bond or a metal bond that constitutes the abrasive layer of the tool when used for various tools that perform grinding or cutting using diamond abrasive as a cutting edge. In addition, a sufficient contact area with various binders such as vitrified bond and electroformed bond is ensured and firmly held in the abrasive layer. Therefore, even when an external force acts on the diamond abrasive grains from various directions during processing, the diamond abrasive grains are prevented from easily detaching from the abrasive layer of the tool, thereby extending the tool life. To do.
また、ダイヤモンド砥粒の表面が凹凸形状とされ、かつ、該表面の硬度が非常に高く設定されていることから、工具の切れ味が高められ、前述の研削加工や切断加工等の加工性能が向上する。 In addition, the surface of the diamond abrasive grains is uneven, and the hardness of the surface is set to be very high, so the sharpness of the tool is enhanced and the processing performance such as grinding and cutting described above is improved. To do.
また、このように表面が凹凸形状とされているにも係わらず、ダイヤモンド砥粒の剛性が充分に確保される。すなわち、ダイヤモンド砥粒のダイヤモンド膜は、同一材種のダイヤモンド粒子の表面に成膜されているので、該表面に強固に結合して機械的強度が大幅に高められている。従って、ダイヤモンド砥粒の剛性が確保され、該ダイヤモンド砥粒が外力を受けて破砕するようなことが防止される。 Moreover, despite the fact that the surface is thus uneven, the diamond abrasive grains are sufficiently rigid. That is, since the diamond film of diamond abrasive grains is formed on the surface of diamond particles of the same material type, the diamond film is firmly bonded to the surface and the mechanical strength is greatly increased. Therefore, the rigidity of the diamond abrasive grains is ensured, and the diamond abrasive grains are prevented from being crushed by receiving external force.
また、本発明に係るダイヤモンド砥粒において、前記ダイヤモンド膜の膜厚が、２μｍ〜１５μｍの範囲内に設定されていることとしてもよい。 Moreover, the diamond abrasive grain which concerns on this invention WHEREIN: The film thickness of the said diamond film is good also as being set in the range of 2 micrometers-15 micrometers.
本発明に係るダイヤモンド砥粒によれば、ダイヤモンド膜の膜厚が２μｍ〜１５μｍの範囲内に設定されているので、確実にダイヤモンド砥粒の切れ味が高められ、脱粒が防止される。すなわち、ダイヤモンド膜の膜厚が２μｍ未満に設定された場合は、ダイヤモンド粒子の表面にダイヤモンド膜が充分に成膜されず、ダイヤモンド砥粒に対する前記結合材の保持力が低減し、ダイヤモンド砥粒が砥粒層から脱粒することがある。また、ダイヤモンド膜の膜厚が１５μｍを超える場合は、ダイヤモンド膜の剛性が充分に確保できないことがある。 According to the diamond abrasive grain according to the present invention, since the film thickness of the diamond film is set in the range of 2 μm to 15 μm, the sharpness of the diamond abrasive grain is surely enhanced and the degranulation is prevented. That is, when the film thickness of the diamond film is set to be less than 2 μm, the diamond film is not sufficiently formed on the surface of the diamond particles, and the holding power of the binder with respect to the diamond abrasive grains is reduced. There is a case where the grain is separated from the abrasive layer. Moreover, when the film thickness of the diamond film exceeds 15 μm, the rigidity of the diamond film may not be sufficiently secured.
また、本発明は、基板から突出する切刃を用いて、前記基板に対向配置された半導体研磨布に研削加工を施す半導体研磨布用コンディショナーであって、前記切刃として、前述のダイヤモンド砥粒を用いたことを特徴とする。 The present invention also provides a conditioner for a semiconductor polishing cloth that uses a cutting blade protruding from the substrate to grind the semiconductor polishing cloth disposed opposite to the substrate, and the diamond abrasive grains described above are used as the cutting blade. It is characterized by using.
本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーによれば、切刃として前述のダイヤモンド砥粒を用いているので、切れ味が高められ、半導体研磨布を研削加工する性能が大幅に向上する。また、切刃の剛性が高められているので、工具寿命が延長し、長期に亘り安定して半導体研磨布を研削加工できる。また、従来のように、切刃として、ダイヤモンド粒子をＮｉ等の金属膜で被覆したダイヤモンド砥粒を用いる構成に対比して、金属成分の溶出がなく、また、この溶出に起因したダイヤモンド砥粒の脱粒を防止するので、半導体ウェーハ等のスクラッチが確実に防止される。 According to the conditioner for a semiconductor polishing cloth according to the present invention, since the above-mentioned diamond abrasive grains are used as the cutting blade, the sharpness is enhanced and the performance of grinding the semiconductor polishing cloth is greatly improved. Moreover, since the rigidity of the cutting edge is enhanced, the tool life is extended, and the semiconductor polishing cloth can be ground stably over a long period of time. Further, as compared with a configuration using diamond abrasive grains in which diamond particles are coated with a metal film such as Ni as a cutting edge as in the prior art, there is no elution of metal components, and diamond abrasive grains resulting from this elution Therefore, scratching of the semiconductor wafer or the like is reliably prevented.
また、本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーにおいて、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が、５５μｍ〜３００μｍの範囲内に設定されていることとしてもよい。 Moreover, in the conditioner for a semiconductor polishing cloth according to the present invention, an average particle diameter of the diamond abrasive grains may be set in a range of 55 μm to 300 μm.
本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーによれば、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が５５μｍ〜３００μｍの範囲内に設定され、比較的大きな粒径とされていることから、これらのダイヤモンド砥粒が砥粒層から充分に突出して配設されるとともに確実に半導体研磨布に切り込み、研削性能がより高められる。また、このようにダイヤモンド砥粒が比較的大きな粒径とされていても、前述の作用によりダイヤモンド砥粒の脱粒が確実に抑制されて、安定した研削加工が行える。 According to the conditioner for a semiconductor polishing cloth according to the present invention, the average particle diameter of the diamond abrasive grains is set in the range of 55 μm to 300 μm and is a relatively large particle diameter. It is disposed so as to sufficiently protrude from the grain layer and is surely cut into a semiconductor polishing cloth, so that the grinding performance is further improved. Moreover, even if the diamond abrasive grains have a relatively large particle diameter as described above, the above-mentioned action reliably suppresses the diamond abrasive grains from being removed, and stable grinding can be performed.
本発明に係るダイヤモンド砥粒によれば、切れ味が高められ、脱粒を防止でき、剛性を充分に確保できる。
また、本発明に係る半導体研磨布用コンディショナーによれば、切刃として前述のダイヤモンド砥粒を用いているので、半導体研磨布を安定して研削加工できる。
According to the diamond abrasive grain according to the present invention, sharpness can be enhanced, degranulation can be prevented, and sufficient rigidity can be secured.
Moreover, according to the conditioner for a semiconductor polishing cloth according to the present invention, since the above-mentioned diamond abrasive grains are used as the cutting blade, the semiconductor polishing cloth can be stably ground.
図１に示すように、本実施形態の半導体研磨布用コンディショナー１０は、円板状をなし、その中心軸周りに回転する基板１と、この基板１に対向配置される半導体研磨布（不図示）側に向けて該基板１から突出する複数の切刃とを有している。詳しくは、基板１において半導体研磨布側を向く表面には、円板状をなし、該表面から突出する複数の台座部２が配設されており、これらの台座部２の半導体研磨布側を向く表面に、前記切刃が配されている。 As shown in FIG. 1, a conditioner 10 for a semiconductor polishing cloth according to this embodiment has a disk shape, a substrate 1 that rotates around its central axis, and a semiconductor polishing cloth (not shown) that is disposed to face the substrate 1. And a plurality of cutting blades protruding from the substrate 1 toward the) side. Specifically, a surface of the substrate 1 facing the semiconductor polishing cloth side is formed in a disk shape, and a plurality of pedestal portions 2 protruding from the surface are disposed. The cutting edge is arranged on the facing surface.
台座部２は、基板１の表面における外周縁部に配置され、周方向に互いに間隔を開けリング状に配列している。また、台座部２は、径方向にも互いに間隔を開け配列している。また、径方向に隣り合う台座部２同士は、周方向の位置を互いに異ならせるように千鳥状に並べられている。また、これらの台座部２は、基板１とは別体に作製され、接着剤等を用いて基板１の表面に接着されている。 The pedestal portions 2 are arranged on the outer peripheral edge portion on the surface of the substrate 1 and are arranged in a ring shape with a space therebetween in the circumferential direction. Further, the pedestal portions 2 are arranged at intervals in the radial direction. Moreover, the base parts 2 adjacent to each other in the radial direction are arranged in a staggered pattern so that the positions in the circumferential direction are different from each other. Further, these pedestal portions 2 are produced separately from the substrate 1 and bonded to the surface of the substrate 1 using an adhesive or the like.
また、図２に示すように、台座部２は、基板１の表面に接着される基部２Ａと、基部２Ａの基板１側とは反対側を向く表面に形成された砥粒層２Ｂとを有している。基部２Ａは、例えば、基板１と同一の材料で形成されている。また、砥粒層２Ｂは、樹脂材料からなるレジンボンド（結合材）と、このレジンボンドに分散された複数のダイヤモンド砥粒３とからなる。 Further, as shown in FIG. 2, the pedestal 2 has a base 2A bonded to the surface of the substrate 1 and an abrasive layer 2B formed on the surface of the base 2A facing away from the substrate 1 side. is doing. The base 2A is made of the same material as the substrate 1, for example. The abrasive grain layer 2B includes a resin bond (binding material) made of a resin material and a plurality of diamond abrasive grains 3 dispersed in the resin bond.
詳しくは、砥粒層２Ｂは、基部２Ａの基板１側とは反対側を向く表面にレジンボンドを均一の厚さで塗布し、このレジンボンドに複数のダイヤモンド砥粒３を互いに間隔を開け配置した後、該レジンボンドを硬化させることにより形成されている。本実施形態では、これらのダイヤモンド砥粒３が、平面視略格子状に配列される。 Specifically, the abrasive grain layer 2B is coated with a resin bond with a uniform thickness on the surface of the base 2A facing away from the substrate 1 side, and a plurality of diamond abrasive grains 3 are arranged on the resin bond at intervals. Then, the resin bond is formed by curing. In this embodiment, these diamond abrasive grains 3 are arranged in a substantially lattice shape in plan view.
また、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径は、５５μｍ〜３００μｍの範囲内に設定されている。より好ましくは、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径が、１０５μｍ〜１８０μｍの範囲内に設定される。 Moreover, the average particle diameter of the diamond abrasive grain 3 is set in the range of 55 μm to 300 μm. More preferably, the average particle diameter of the diamond abrasive grains 3 is set in the range of 105 μm to 180 μm.
また、これらのダイヤモンド砥粒３は、その基板１側とは反対側を向く先端部を砥粒層２Ｂの表面（つまり砥粒層２Ｂにおいて基板１側とは反対側を向く表面）から突出させており、これらの先端部が前記切刃とされている。 Further, the diamond abrasive grains 3 have their tip portions facing away from the substrate 1 side protruding from the surface of the abrasive layer 2B (that is, the surface facing away from the substrate 1 side in the abrasive layer 2B). These tip portions are the cutting blades.
半導体研磨布用コンディショナー１０は、基板１の表面に対向配置された半導体研磨布に押し付けられ研削加工を施す際に、これらのダイヤモンド砥粒３からなる前記切刃を該半導体研磨布に切り込んでいく。また、この半導体研磨布は、半導体ウェーハ等に対して研磨加工を施す。 When the semiconductor polishing cloth conditioner 10 is pressed against the semiconductor polishing cloth disposed opposite to the surface of the substrate 1 and performs grinding, the cutting blade made of these diamond abrasive grains 3 is cut into the semiconductor polishing cloth. . Further, this semiconductor polishing cloth performs polishing processing on a semiconductor wafer or the like.
また、ダイヤモンド砥粒３は、ダイヤモンド粒子３Ａと、該ダイヤモンド粒子３Ａを被覆するダイヤモンド膜３Ｂとからなる。詳しくは、ダイヤモンド砥粒３は、例えば、共有結合結晶の割合が高く設定されたダイヤモンド粒子３Ａに、ＣＶＤ法により、ダイヤモンド膜３Ｂを成膜して形成されている。また、ダイヤモンド膜３Ｂの膜厚は、例えば、２μｍ〜１５μｍの範囲内に設定されている。 The diamond abrasive grains 3 are composed of diamond particles 3A and a diamond film 3B that covers the diamond particles 3A. Specifically, the diamond abrasive grains 3 are formed, for example, by forming a diamond film 3B on a diamond particle 3A set with a high ratio of covalently bonded crystals by a CVD method. The film thickness of the diamond film 3B is set in the range of 2 μm to 15 μm, for example.
また、図３に示すように、ダイヤモンド膜３Ｂの表面は、微細な凹凸形状とされている。詳しくは、ダイヤモンド膜３Ｂは、成膜の際、ダイヤモンド粒子３Ａの表面において柱状成長するように形成されていくことから、ダイヤモンド砥粒３の表面が、微細な凹凸形状となる。 As shown in FIG. 3, the surface of the diamond film 3B has a fine uneven shape. Specifically, since the diamond film 3B is formed so as to grow in a columnar shape on the surface of the diamond particle 3A during the film formation, the surface of the diamond abrasive grain 3 has a fine uneven shape.
以上説明したように、本実施形態に係る半導体研磨布用コンディショナー１０によれば、ダイヤモンド砥粒３の表面が微細な凹凸形状とされているので、該ダイヤモンド砥粒３のレジンボンドに対する接触面積が充分に確保されて、ダイヤモンド砥粒３が砥粒層２Ｂに強固に保持される。 As described above, according to the conditioner 10 for a semiconductor polishing cloth according to the present embodiment, the surface of the diamond abrasive grain 3 has a fine concavo-convex shape. Therefore, the contact area of the diamond abrasive grain 3 to the resin bond is small. Sufficiently secured, the diamond abrasive grains 3 are firmly held in the abrasive layer 2B.
従って、半導体研磨布を研削加工する際、ダイヤモンド砥粒３に対して種々の方向から外力が作用しても、該ダイヤモンド砥粒３が砥粒層２Ｂから脱粒するようなことが防止され、半導体研磨布の半導体ウェーハ等に対する研磨加工が精度よく安定して行われる。また、半導体研磨布用コンディショナー１０の工具寿命が延長する。 Therefore, even when an external force acts on the diamond abrasive grain 3 from various directions when grinding the semiconductor polishing cloth, the diamond abrasive grain 3 is prevented from detaching from the abrasive grain layer 2B. Polishing of the polishing cloth on the semiconductor wafer or the like is performed stably with high accuracy. Moreover, the tool life of the conditioner 10 for semiconductor polishing cloth is extended.
また、ダイヤモンド砥粒３の表面が凹凸形状とされ、かつ、該表面の硬度が非常に高く設定されていることから、半導体研磨布に対する切れ味が高められ、研削性能が向上する。 Moreover, since the surface of the diamond abrasive grain 3 is made uneven, and the hardness of the surface is set to be very high, the sharpness to the semiconductor polishing cloth is enhanced and the grinding performance is improved.
また、このように表面が凹凸形状とされているにも係わらず、ダイヤモンド砥粒３の剛性が充分に確保されている。すなわち、ダイヤモンド砥粒３のダイヤモンド膜３Ｂは、同一材種のダイヤモンド粒子３Ａの表面に成膜されているので、該表面に強固に結合して機械的強度が大幅に高められている。また、ダイヤモンド砥粒３のダイヤモンド粒子３Ａは、共有結合結晶の割合が高く設定されており、非常に高い機械的強度を有している。従って、ダイヤモンド砥粒３の剛性が充分に確保され、該ダイヤモンド砥粒３が外力を受け破砕するようなことが防止されている。 In addition, despite the fact that the surface is uneven, the diamond abrasive grains 3 are sufficiently rigid. That is, since the diamond film 3B of the diamond abrasive grain 3 is formed on the surface of the diamond particle 3A of the same material type, it is firmly bonded to the surface and the mechanical strength is greatly increased. Further, the diamond particles 3A of the diamond abrasive grains 3 are set to have a high ratio of covalent crystals, and have a very high mechanical strength. Accordingly, the rigidity of the diamond abrasive grains 3 is sufficiently ensured, and the diamond abrasive grains 3 are prevented from being crushed by an external force.
また、ダイヤモンド膜３Ｂの膜厚が２μｍ〜１５μｍの範囲内に設定されているので、確実にダイヤモンド砥粒３の切れ味が高められ、脱粒が防止される。すなわち、ダイヤモンド膜３Ｂの膜厚が２μｍ未満に設定された場合は、ダイヤモンド粒子３Ａの表面にダイヤモンド膜３Ｂが充分に成膜されず、ダイヤモンド砥粒３に対するレジンボンドの保持力が低減し、ダイヤモンド砥粒３が砥粒層２Ｂから脱粒することがある。また、ダイヤモンド膜３Ｂの膜厚が１５μｍを超える場合は、ダイヤモンド膜３Ｂの剛性が充分に確保できないことがある。 Moreover, since the film thickness of the diamond film 3B is set in the range of 2 μm to 15 μm, the sharpness of the diamond abrasive grains 3 is surely enhanced and degranulation is prevented. That is, when the film thickness of the diamond film 3B is set to be less than 2 μm, the diamond film 3B is not sufficiently formed on the surface of the diamond particles 3A, and the holding power of the resin bond to the diamond abrasive grains 3 is reduced. The abrasive grain 3 may fall off from the abrasive grain layer 2B. Moreover, when the film thickness of the diamond film 3B exceeds 15 μm, the rigidity of the diamond film 3B may not be sufficiently secured.
また、この半導体研磨布用コンディショナー１０によれば、従来のように、切刃として、ダイヤモンド粒子３ＡをＮｉ等の金属膜で被覆したダイヤモンド砥粒を用いる構成に対比して、金属成分の溶出がなく、また、この溶出に起因したダイヤモンド砥粒３の脱粒を防止するので、半導体ウェーハ等のスクラッチが確実に防止される。 Further, according to the conditioner 10 for semiconductor polishing cloth, the metal component is eluted as compared with the conventional configuration using the diamond abrasive grains in which the diamond particles 3A are coated with a metal film such as Ni as the cutting edge. In addition, since the diamond abrasive grains 3 are prevented from coming off due to the elution, scratches on the semiconductor wafer and the like are reliably prevented.
また、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径が５５μｍ〜３００μｍの範囲内に設定され、比較的大きな粒径とされていることから、これらのダイヤモンド砥粒３が砥粒層２Ｂの表面から充分に突出して配設されるとともに確実に半導体研磨布に切り込み、研削性能がより高められている。また、このようにダイヤモンド砥粒３が比較的大きな粒径とされていても、前述の作用によりダイヤモンド砥粒３の脱粒が確実に抑制されて、安定した研削加工が行える。 Moreover, since the average particle diameter of the diamond abrasive grains 3 is set within a range of 55 μm to 300 μm and is relatively large, these diamond abrasive grains 3 sufficiently protrude from the surface of the abrasive layer 2B. And is reliably cut into a semiconductor polishing cloth to improve grinding performance. Further, even if the diamond abrasive grains 3 have a relatively large particle diameter as described above, the above-described action reliably suppresses the grain removal of the diamond abrasive grains 3 and enables stable grinding.
尚、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、本実施形態では、ダイヤモンド膜５の厚みが、２μｍ〜１５μｍの範囲内に設定されていることとしたが、これに限定されるものではない。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the present embodiment, the thickness of the diamond film 5 is set in the range of 2 μm to 15 μm, but the present invention is not limited to this.
また、図２においては、ダイヤモンド砥粒３のダイヤモンド膜３Ｂが、ダイヤモンド粒子３Ａの表面全体を被覆する一例を示したが、これに限定されるものではない。すなわち、ダイヤモンド膜３Ｂは、ダイヤモンド粒子３Ａの表面全体を被覆していなくとも構わない。 In FIG. 2, an example in which the diamond film 3B of the diamond abrasive grain 3 covers the entire surface of the diamond particle 3A is shown, but the present invention is not limited to this. That is, the diamond film 3B may not cover the entire surface of the diamond particle 3A.
詳しくは、図４に示すように、ダイヤモンド膜３Ｂが、ダイヤモンド粒子３Ａの表面を部分的に被覆して、斑状に成膜されていても構わない。この場合、ダイヤモンド膜３Ｂの表面における前述の微細な凹凸以外に、ダイヤモンド膜３Ｂの周縁部に比較的大きな凹凸が形成されることとなり、ダイヤモンド砥粒３がより強固に砥粒層２Ｂに保持される。 Specifically, as shown in FIG. 4, the diamond film 3 </ b> B may be partially formed on the surface of the diamond particle 3 </ b> A and formed in a patch shape. In this case, in addition to the fine irregularities described above on the surface of the diamond film 3B, relatively large irregularities are formed in the peripheral portion of the diamond film 3B, and the diamond abrasive grains 3 are more firmly held in the abrasive grain layer 2B. The
また、ダイヤモンド粒子３Ａとして、共有結合結晶の割合が高く設定されたものを用いることとしたが、これに限定されるものではない。 In addition, although the diamond particles 3A having a high covalent bond crystal ratio are used, the present invention is not limited to this.
また、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径が、５５μｍ〜３００μｍの範囲内に設定されていることとしたが、これに限定されるものではない。
また、ダイヤモンド砥粒３が、台座部２に平面視略格子状に配列されることとしたが、これに限定されるものではない。
Moreover, although the average particle diameter of the diamond abrasive grain 3 was set in the range of 55 micrometers-300 micrometers, it is not limited to this.
Further, the diamond abrasive grains 3 are arranged in a substantially lattice shape in the plan view on the pedestal portion 2, but the present invention is not limited to this.
また、台座部２が、基板１の表面に接着されていることとしたが、台座部２は、基板１に一体に形成されていても構わない。
また、基板１の表面に台座部２が設けられていなくとも構わない。すなわち、台座部２を設けずに、基板１の表面にレジンボンドを直接塗布し、該レジンボンドにダイヤモンド砥粒３を分散させて砥粒層２Ｂを形成してもよい。
Further, although the pedestal 2 is bonded to the surface of the substrate 1, the pedestal 2 may be formed integrally with the substrate 1.
Further, the pedestal 2 may not be provided on the surface of the substrate 1. That is, without providing the pedestal portion 2, a resin bond may be directly applied to the surface of the substrate 1, and the diamond abrasive grains 3 may be dispersed in the resin bond to form the abrasive grain layer 2B.
また、本実施形態では、ダイヤモンド砥粒３を、半導体研磨布用コンディショナー１０の切刃に用い、ダイヤモンド砥粒３を保持する結合材として、レジンボンドを用いることとしたが、これらに限定されるものではない。 In the present embodiment, the diamond abrasive grains 3 are used for the cutting edge of the conditioner 10 for semiconductor polishing cloth, and the resin bond is used as the binder for holding the diamond abrasive grains 3, but the present invention is not limited to these. It is not a thing.
すなわち、ダイヤモンド砥粒３は、例えば、ダイヤモンド砥粒３を切刃として研削加工を行う研削砥石や切断加工を行う切断ブレード等、種々の工具に用いることができる。また、このような加工の種類に合わせ、砥粒層２Ｂを構成する結合材として、レジンボンド以外のメタルボンド、ビトリファイドボンド、電鋳ボンド等を用いることとしてもよい。 That is, the diamond abrasive grain 3 can be used for various tools such as a grinding wheel for performing a grinding process using the diamond abrasive grain 3 as a cutting blade and a cutting blade for performing a cutting process. Further, a metal bond other than a resin bond, a vitrified bond, an electroformed bond, or the like may be used as a binder constituting the abrasive layer 2B in accordance with the type of processing.
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。ただし本発明はこの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples. However, the present invention is not limited to this embodiment.
[実施例１]
（研削試験）
まず、実施例１として、外径φ９８ｍｍのエポキシ樹脂製からなる基板１の表面に、図１に示すように、台座部２を１８０個配置した半導体研磨布用コンディショナー１０を用意した。また、台座部２の砥粒層２Ｂは、レジンボンドにダイヤモンド砥粒３を分散して形成した。詳しくは、台座部２の表面に、ダイヤモンド砥粒３を平面視格子状に縦５列×横５列となるように２５個ずつ配置した。つまり、基板１におけるダイヤモンド砥粒３の総数を、１８０×２５＝４５００個に設定した。
[Example 1]
(Grinding test)
First, as Example 1, a semiconductor polishing cloth conditioner 10 in which 180 pedestal portions 2 were arranged on the surface of a substrate 1 made of an epoxy resin having an outer diameter of φ98 mm as shown in FIG. 1 was prepared. Moreover, the abrasive grain layer 2B of the base part 2 was formed by dispersing the diamond abrasive grains 3 in a resin bond. Specifically, 25 diamond abrasive grains 3 were arranged on the surface of the pedestal portion 2 so as to be 5 rows × 5 rows in a lattice shape in plan view. That is, the total number of diamond abrasive grains 3 on the substrate 1 was set to 180 × 25 = 4500.
また、このような半導体研磨布用コンディショナー１０を複数用意し、これらの半導体研磨布用コンディショナー１０におけるダイヤモンド砥粒３の平均粒径を、３６０μｍ、３００μｍ、２５０μｍ、１８０μｍ、１５０μｍ、１２５μｍ、１０５μｍ、９０μｍ、７５μｍ、６０μｍ、５５μｍ、４５μｍに夫々設定した。尚、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径の選定方法としては、表１に示すように、メッシュサイズの異なる複数の篩を用いた。また、ダイヤモンド砥粒３としては、ダイヤモンド膜３Ｂがダイヤモンド粒子３Ａの表面全体を被覆し、ダイヤモンド膜３Ｂの膜厚が１μｍに設定されたものを用いた。 Also, a plurality of such semiconductor polishing cloth conditioners 10 are prepared, and the average particle diameter of diamond abrasive grains 3 in these semiconductor polishing cloth conditioners 10 is 360 μm, 300 μm, 250 μm, 180 μm, 150 μm, 125 μm, 105 μm, 90 μm. , 75 μm, 60 μm, 55 μm, and 45 μm, respectively. In addition, as a selection method of the average particle diameter of the diamond abrasive grain 3, as shown in Table 1, a plurality of sieves having different mesh sizes were used. As the diamond abrasive grain 3, a diamond film 3B that covers the entire surface of the diamond particle 3A and the diamond film 3B having a film thickness of 1 μm was used.
次いで、これらの半導体研磨布用コンディショナー１０を半導体研磨装置に取り付け、半導体研磨布を用いて半導体ウェーハの研磨加工を行い、ダイヤモンド砥粒３の脱粒数及び半導体ウェーハのスクラッチの有無を夫々確認した。尚、半導体ウェーハにスクラッチが無い場合は、研磨レート：ＷＲＲ（Ｗａｆｅｒ Ｒｅｍｏｖａｌ Ｒａｔｅ：単位Å／分）を測定した。 Next, these semiconductor polishing cloth conditioners 10 were attached to a semiconductor polishing apparatus, and the semiconductor wafer was polished using the semiconductor polishing cloth, and the number of diamond abrasive grains 3 and the presence or absence of scratches on the semiconductor wafer were confirmed. In addition, when there was no scratch in the semiconductor wafer, the polishing rate: WRR (Wafer Removal Rate: unit Å / min) was measured.
また、半導体ウェーハの研磨加工は、半導体研磨布：ニッタハース社製ＩＣ１０００、半導体ウェーハ荷重：３５ｋＰａ、半導体研磨布用コンディショナー荷重：６ポンド、スラリー：キャボット社製ＳＳ２５、の条件下で行った。 Further, the polishing of the semiconductor wafer was performed under the conditions of semiconductor polishing cloth: IC1000 manufactured by Nitta Haas, semiconductor wafer load: 35 kPa, conditioner load for semiconductor polishing cloth: 6 pounds, and slurry: SS25 manufactured by Cabot.
また、ダイヤモンド砥粒３の脱粒数の確認は、半導体ウェーハの研磨処理枚数（以下「Ｒｕｎ」）が８００Ｒｕｎ（２４時間研磨相当）に達した時点で行った。また、ＷＲＲの測定は、半導体ウェーハの研磨処理枚数が１Ｒｕｎ（初期）、８００Ｒｕｎに達した時点で夫々行った。結果を表１に示す。 The number of diamond abrasive grains 3 was confirmed when the number of polished semiconductor wafers (hereinafter “Run”) reached 800 Run (equivalent to 24-hour polishing). The WRR was measured when the number of polished semiconductor wafers reached 1 Run (initial) and 800 Run, respectively. The results are shown in Table 1.
（溶出試験）
また、半導体研磨布用コンディショナー１０を用い、半導体研磨布を研削加工した際の、金属成分の溶出の有無について確認した。詳しくは、試料にキャボット社製Ｗ２０００を用い、該試料に含有される成分構成に対比して、金属成分の溶出が有るか否かを濃度（ｐｐｍ）とともに確認した。結果を表４に示す。
(Dissolution test)
Moreover, using the semiconductor polishing cloth conditioner 10, it was confirmed whether or not the metal component was eluted when the semiconductor polishing cloth was ground. Specifically, W2000 manufactured by Cabot Corporation was used as a sample, and whether or not the metal component was eluted was confirmed together with the concentration (ppm) as compared with the component structure contained in the sample. The results are shown in Table 4.
（抗析力試験）
また、外形寸法がＬ４０×Ｗ１０×Ｔ５に設定され、フェノール樹脂からなるテストピースに、ダイヤモンド砥粒３を集中度７５で配設したものを１０ヶ用意し、夫々のテストピースにつき抗析力評価を行った。尚、ダイヤモンド砥粒３としては、平均粒径が７５μｍに設定され、ダイヤモンド膜３Ｂがダイヤモンド粒子３Ａの表面全体を被覆し、ダイヤモンド膜３Ｂの膜厚が１μｍに設定されたものを用いた。結果を図５に示す。
(Anti-seizure test)
Also, 10 test pieces made of phenol resin with diamond abrasive grains 3 arranged at a concentration level of 75 are prepared for the outer dimensions of L40 × W10 × T5. Went. As the diamond abrasive grain 3, one having an average particle diameter set to 75 μm, the diamond film 3B covering the entire surface of the diamond particle 3A, and the film thickness of the diamond film 3B set to 1 μm was used. The results are shown in FIG.
[実施例２]
実施例２として、ダイヤモンド砥粒３のダイヤモンド膜３Ｂの膜厚が２μｍに設定されたものを用いた。それ以外は、実施例１と同様の条件として、研削試験、溶出試験及び抗析力試験を夫々行った。結果を表１、表４、図５に夫々示す。
[Example 2]
As Example 2, a diamond abrasive grain 3 having a diamond film 3B having a film thickness set to 2 μm was used. Other than that, as the same conditions as in Example 1, a grinding test, a dissolution test, and an anti-segregation test were performed. The results are shown in Table 1, Table 4, and FIG.
[実施例３]
実施例３として、ダイヤモンド砥粒３のダイヤモンド膜３Ｂの膜厚が５μｍに設定されたものを用いた。それ以外は、実施例１と同様の条件として、研削試験、溶出試験及び抗析力試験を夫々行った。結果を表１、表４、図５に夫々示す。
[Example 3]
As Example 3, a diamond abrasive grain 3 having a diamond film 3B having a film thickness set to 5 μm was used. Other than that, as the same conditions as in Example 1, a grinding test, a dissolution test, and an anti-segregation test were performed. The results are shown in Table 1, Table 4, and FIG.
[実施例４]
実施例４として、ダイヤモンド砥粒３のダイヤモンド膜３Ｂの膜厚が１５μｍに設定されたものを用いた。それ以外は、実施例１と同様の条件として、研削試験、溶出試験及び抗析力試験を夫々行った。結果を表２、表４、図５に夫々示す。
[Example 4]
In Example 4, a diamond abrasive grain 3 having a diamond film 3B having a film thickness set to 15 μm was used. Other than that, as the same conditions as in Example 1, a grinding test, a dissolution test, and an anti-segregation test were performed. The results are shown in Table 2, Table 4, and FIG.
[実施例５]
実施例５として、ダイヤモンド砥粒３のダイヤモンド膜３Ｂの膜厚が１６μｍに設定されたものを用いた。それ以外は、実施例１と同様の条件として、研削試験、溶出試験及び抗析力試験を夫々行った。結果を表２、表４、図５に夫々示す。
[Example 5]
As Example 5, a diamond abrasive grain 3 having a diamond film 3B having a film thickness set to 16 μm was used. Other than that, as the same conditions as in Example 1, a grinding test, a dissolution test, and an anti-segregation test were performed. The results are shown in Table 2, Table 4, and FIG.
[実施例６]
実施例６として、ダイヤモンド砥粒３のダイヤモンド膜３Ｂが、ダイヤモンド粒子３Ａの表面全体を被覆せずに、図４に示すように、該表面を部分的に被覆して、斑状に成膜されたものを用いた。また、ダイヤモンド膜３Ｂの膜厚は、２μｍに設定した。それ以外は、実施例１と同様の条件として、研削試験、溶出試験及び抗析力試験を夫々行った。結果を表２、表４、図５に夫々示す。
[Example 6]
As Example 6, the diamond film 3B of the diamond abrasive grain 3 was formed in a patch shape by partially covering the surface of the diamond particle 3A without covering the entire surface of the diamond particle 3A as shown in FIG. A thing was used. The film thickness of the diamond film 3B was set to 2 μm. Other than that, as the same conditions as in Example 1, a grinding test, a dissolution test, and an anti-segregation test were performed. The results are shown in Table 2, Table 4, and FIG.
[比較例１]
また、比較例１として、ダイヤモンド粒子３Ａにダイヤモンド膜３Ｂが被覆されていない裸のダイヤモンド砥粒３を用いた。尚、ダイヤモンド粒子３Ａとしては、共有結合結晶の割合が高く設定された、ブロッキーな形状のものを用いた。それ以外は、実施例１と同様の条件として、研削試験、溶出試験及び抗析力試験を夫々行った。結果を、表３、表４、図５に夫々示す。
[Comparative Example 1]
Further, as Comparative Example 1, a bare diamond abrasive grain 3 in which the diamond film 3B was not coated on the diamond particle 3A was used. In addition, as the diamond particle 3A, a particle having a blocky shape in which the ratio of the covalent bond crystal was set high was used. Other than that, as the same conditions as in Example 1, a grinding test, a dissolution test, and an anti-segregation test were performed. The results are shown in Table 3, Table 4, and FIG.
[比較例２]
また、比較例２として、ダイヤモンド粒子３Ａにダイヤモンド膜３Ｂが被覆されていない裸のダイヤモンド砥粒３を用いた。尚、ダイヤモンド粒子３Ａとしては、粉砕加工等により製造されたイレギュラーな形状のものを用いた。詳しくは、ダイヤモンド粒子３Ａとして、張り出した角部や鋭利な稜線部を有し表面に比較的凹凸が多いものやアスペクト比が比較的大きいものを用いた。それ以外は、実施例１と同様の条件として、研削試験、溶出試験及び抗析力試験を夫々行った。結果を、表３、表４、図５に夫々示す。
[Comparative Example 2]
Further, as Comparative Example 2, a bare diamond abrasive grain 3 in which the diamond film 3B was not coated on the diamond particle 3A was used. In addition, as the diamond particles 3A, those having an irregular shape manufactured by pulverization or the like were used. Specifically, as the diamond particles 3A, those having protruding corners and sharp ridges and having a relatively large surface roughness and a relatively large aspect ratio were used. Other than that, as the same conditions as in Example 1, a grinding test, a dissolution test, and an anti-segregation test were performed. The results are shown in Table 3, Table 4, and FIG.
[比較例３]
また、比較例３として、ダイヤモンド膜３Ｂの代わりに、ニッケル（Ｎｉ）膜がダイヤモンド粒子３Ａの表面全体を被覆し、Ｎｉ膜の膜厚が５μｍに設定されたものを用いた。それ以外は、実施例１と同様の条件として、研削試験、溶出試験及び抗析力試験を夫々行った。結果を、表３、表４、図５に夫々示す。
[Comparative Example 3]
As Comparative Example 3, a nickel (Ni) film covering the entire surface of the diamond particles 3A and a Ni film thickness of 5 μm was used instead of the diamond film 3B. Other than that, as the same conditions as in Example 1, a grinding test, a dissolution test, and an anti-segregation test were performed. The results are shown in Table 3, Table 4, and FIG.
（研削試験結果）
表１〜表３に示す通り、実施例１〜６においては、比較例１〜３に比べて、ダイヤモンド砥粒３の脱粒が大幅に抑制されているとともに、半導体ウェーハのスクラッチが防止された。また、実施例１〜６において、特に、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径が５５μｍ〜３００μｍに設定されたものについては、スクラッチが全く見受けられず、かつ、ＷＲＲが初期（１Ｒｕｎ）及び８００Ｒｕｎともに全て２０００Å／分以上に確保されて、研削性能が高められることが確認された。
(Grinding test results)
As shown in Tables 1 to 3, in Examples 1 to 6, as compared with Comparative Examples 1 to 3, the detachment of the diamond abrasive grains 3 was greatly suppressed, and the scratch of the semiconductor wafer was prevented. In Examples 1 to 6, in particular, in the case where the average particle diameter of the diamond abrasive grains 3 is set to 55 μm to 300 μm, no scratch is observed, and the WRR is both initial (1 Run) and 800 Run. It was confirmed that the grinding performance was improved by securing 2000 mm / min or more.
また、実施例２〜４、６において、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径が５５μｍ〜３００μｍに設定されたものについては、ＷＲＲが全て２２００Å／分以上に確保され、研削性能がより高められることがわかった。
特に、実施例２〜４、６において、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径が１０５μｍ〜１８０μｍに設定されたものについては、ＷＲＲが全て２４００Å／分以上に確保され、研削性能が大幅に高められることがわかった。
Moreover, in Examples 2 to 4, and 6, in which the average particle diameter of the diamond abrasive grains 3 is set to 55 μm to 300 μm, the WRR is all ensured to be 2200 kg / min or more, and the grinding performance is further improved. all right.
In particular, in Examples 2 to 4 and 6, when the average particle diameter of the diamond abrasive grains 3 is set to 105 μm to 180 μm, the WRR is all secured to 2400 mm / min or more, and the grinding performance is greatly enhanced. I understood.
（溶出試験結果）
表４に示す通り、実施例１〜６及び比較例１、２においては、金属成分の溶出が殆ど見受けられなかった。一方、比較例３においては、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｚｎ等の溶出が顕著に見受けられた。
(Dissolution test results)
As shown in Table 4, in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2, elution of the metal component was hardly observed. On the other hand, in Comparative Example 3, elution of Ni, Mn, P, Zn, etc. was noticeable.
（抗析力試験結果）
図５に示す通り、実施例１〜６においては、比較例１〜３に対比して、抗析力の平均値が高く、機械的強度が確保されていることが確認された。すなわち、テストピースがダイヤモンド砥粒３を強固に保持して、剛性が充分に確保されることが確認された。
また、実施例１〜６は、比較例１〜３に比べて、抗析力のばらつきが大幅に抑制されることがわかった。
また、特に、実施例２〜４、６においては、抗析力が全て１５０ＭＰａ以上に確保され、機械的強度が大幅に高められており、ダイヤモンド砥粒３の脱粒がより確実に防止されることが確認された。
(Anti-segregation test results)
As shown in FIG. 5, in Examples 1-6, compared with Comparative Examples 1-3, it was confirmed that the average value of an anti-segregation force is high and mechanical strength is ensured. That is, it was confirmed that the test piece firmly held the diamond abrasive grains 3 and sufficient rigidity was secured.
Moreover, it turned out that the dispersion | variation in anti-segregation power is significantly suppressed in Examples 1-6 compared with Comparative Examples 1-3.
In particular, in Examples 2 to 4 and 6, the segregation force is all ensured to be 150 MPa or more, the mechanical strength is significantly increased, and the grain removal of the diamond abrasive grains 3 is more reliably prevented. Was confirmed.
１ 基板
３ ダイヤモンド砥粒（切刃）
３Ａ ダイヤモンド粒子
３Ｂ ダイヤモンド膜
１０ 半導体研磨布用コンディショナー
1 Substrate 3 Diamond abrasive (cutting blade)
3A Diamond particles 3B Diamond film 10 Conditioner for semiconductor polishing cloth
Claims (4)
前記ダイヤモンド膜の膜厚が、２μｍ〜１５μｍの範囲内に設定されていることを特徴とするダイヤモンド砥粒。 The diamond abrasive grain according to claim 1,
The diamond abrasive grain, wherein a film thickness of the diamond film is set within a range of 2 μm to 15 μm.
前記切刃として、請求項１又は２に記載のダイヤモンド砥粒を用いたことを特徴とする半導体研磨布用コンディショナー。 A conditioner for a semiconductor polishing cloth that performs a grinding process on a semiconductor polishing cloth disposed opposite to the substrate using a cutting blade protruding from the substrate,
A conditioner for semiconductor polishing cloth, wherein the diamond abrasive grain according to claim 1 or 2 is used as the cutting blade.
前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が、５５μｍ〜３００μｍの範囲内に設定されていることを特徴とする半導体研磨布用コンディショナー。 A conditioner for a semiconductor polishing cloth according to claim 3,
A conditioner for semiconductor polishing cloth, wherein an average particle diameter of the diamond abrasive grains is set in a range of 55 μm to 300 μm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009046469A JP2010201514A (en) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | Diamond abrasive grain and conditioner for semiconductor abrasive cloth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009046469A JP2010201514A (en) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | Diamond abrasive grain and conditioner for semiconductor abrasive cloth |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010201514A true JP2010201514A (en) | 2010-09-16 |
Family
ID=42963529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009046469A Withdrawn JP2010201514A (en) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | Diamond abrasive grain and conditioner for semiconductor abrasive cloth |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2010201514A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015086238A (en) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 株式会社ユーテック | Polishing agent, polishing article, polishing agent aerosol, polishing member and method for producing polishing agent |
-
2009
- 2009-02-27 JP JP2009046469A patent/JP2010201514A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015086238A (en) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 株式会社ユーテック | Polishing agent, polishing article, polishing agent aerosol, polishing member and method for producing polishing agent |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI228066B (en) | Abrasive cloth dresser and method for dressing an abrasive cloth with the same | |
| JP3534115B1 (en) | Edge-polished nitride semiconductor substrate, edge-polished GaN free-standing substrate, and edge processing method for nitride semiconductor substrate | |
| US20160303704A1 (en) | Grinding Tool | |
| JP5295868B2 (en) | Dresser for polishing cloth and method for producing the same | |
| US9067302B2 (en) | Segment-type chemical mechanical polishing conditioner and method for manufacturing thereof | |
| CN109153106B (en) | Diamond compound CMP pad conditioner | |
| TW201350271A (en) | CMP conditioner pads with superabrasive grit enhancement | |
| KR100413371B1 (en) | A diamond grid cmp pad dresser | |
| TW201538277A (en) | Chemical mechanical polishing conditioner capable of controlling polishing depth | |
| US20150231759A1 (en) | Chemical mechanical polishing conditioner with high performance | |
| JP4624293B2 (en) | CMP pad conditioner | |
| JP2008006507A (en) | Diamond polishing tool, method for preparing diamond polishing tool and method for reproducing diamond polishing tool | |
| KR20110124988A (en) | Cmp pad conditioner and its manufacutring method | |
| IL265316A (en) | Cmp pad conditioning assembly | |
| TWI413572B (en) | Cmp pad conditioner | |
| JP2010201514A (en) | Diamond abrasive grain and conditioner for semiconductor abrasive cloth | |
| CN103009273A (en) | Pyramid grinding plate | |
| JP3759399B2 (en) | Dresser for polishing cloth and method for producing the same | |
| JP2010173016A (en) | Conditioner for semiconductor polishing cloth, method for manufacturing the conditioner for semiconductor polishing cloth, and semiconductor polishing apparatus | |
| JP2006218577A (en) | Dresser for polishing cloth | |
| JP2010135707A (en) | Conditioner for semiconductor polishing cloth, method of manufacturing conditioner for semiconductor polishing cloth, and semiconductor polishing device | |
| JP2017087332A (en) | Method for manufacturing template assembly, polishing method with use of template assembly, and template assembly | |
| JP2010125589A (en) | Conditioner for semiconductor polishing cloth and method of manufacturing the same | |
| JP2010125588A (en) | Conditioner for semiconductor polishing cloth and method of manufacturing the same | |
| TWI696520B (en) | Device for processing end face of plate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110928 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20121114 |