JP2017087332A - Method for manufacturing template assembly, polishing method with use of template assembly, and template assembly - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、テンプレートアセンブリの製造方法及びこのテンプレートアセンブリを用いた研磨方法並びにテンプレートアセンブリに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a template assembly, a polishing method using the template assembly, and a template assembly.
半導体ウェーハ(以下、単にウェーハともいう)の研磨は、研磨布(研磨クロス)が貼り付けられた定盤と、研磨布上に研磨スラリーを供給する研磨スラリー供給機構と、ウェーハを保持する研磨ヘッド等から構成された研磨装置を用いて行われる。 Polishing of a semiconductor wafer (hereinafter also simply referred to as a wafer) includes a surface plate with a polishing cloth (polishing cloth) attached thereto, a polishing slurry supply mechanism for supplying polishing slurry onto the polishing cloth, and a polishing head for holding the wafer. It is carried out using a polishing apparatus composed of, for example.
研磨ヘッドは、バッキングパッドと、ガラスエポキシ材やポリカーボネート等の樹脂からなるガイド材が一体と成ったテンプレートアセンブリが貼り付けられた構成となっている。そして、ウェーハの研磨をする際には、テンプレートアセンブリにウェーハを水貼りで保持させた状態で研磨ヘッドに荷重を加え、研磨剤供給機構から研磨布上に研磨スラリーを供給するとともに、定盤と研磨ヘッドをそれぞれ回転させながらウェーハの表面を研磨布に摺接させることによりウェーハを研磨する(例えば、特許文献1参照)。 The polishing head has a configuration in which a backing pad and a template assembly in which a guide material made of a resin such as a glass epoxy material or polycarbonate is integrally attached. When polishing the wafer, a load is applied to the polishing head while the wafer is held on the template assembly with water, and the polishing slurry is supplied onto the polishing cloth from the abrasive supply mechanism, and the surface plate and The wafer is polished by bringing the surface of the wafer into sliding contact with the polishing cloth while rotating the polishing head (see, for example, Patent Document 1).
テンプレートアセンブリのガイド材は、バッキングパッドだけではウェーハを保持しきれないことから、回転方向のズレを防止するガイドとして機能している。 The guide material of the template assembly functions as a guide for preventing the deviation in the rotation direction because the wafer cannot be held by the backing pad alone.
このようなガイド材は、例えば、ガラスエポキシ等の樹脂板をルーター等によるフライス加工で、外径は研磨ヘッドの直径で、内径はウェーハ直径+0.5〜5mmの任意サイズのドーナツ形状に刳り貫いて作製される。 Such a guide material is, for example, a resin plate made of glass epoxy or the like is milled by a router or the like, the outer diameter is the diameter of the polishing head, and the inner diameter is a donut shape having an arbitrary size of wafer diameter + 0.5 to 5 mm. Produced.
このようなガイド材の加工時に生じたバリを除去する目的で、砥石による研削や、砥粒を用いたバフ研磨が行われている。そして、バリ除去後のガイド材をバッキングパッドに感熱接着等によりバッキングパッドに接着して固定することにより、テンプレートアセンブリが製造される。 For the purpose of removing burrs generated during processing of such a guide material, grinding with a grindstone or buffing using abrasive grains is performed. And the template assembly is manufactured by adhering and fixing the guide material after removing the burr to the backing pad by heat-sensitive adhesion or the like.
このようにして製造されたテンプレートアセンブリを研磨ヘッドに貼り付けて、研磨ヘッドにおけるウェーハの保持を行っている。 The template assembly manufactured in this manner is attached to the polishing head, and the wafer is held by the polishing head.
バリの除去を行った直後の刳り貫き端面の表面粗さは粗いため、研削時の研削屑などの細かい汚れが表面に残ることがある。そのため、ウェーハの研磨加工時の研磨スラリーが表面に残り固着した状態になることがある。この場合、ウェーハ研磨を重ねて実施すると、ウェーハ端面とガイド端面が接触した際に、発塵したり、固着物が研磨中に脱落することが起こり、ウェーハ表面のキズやLPD(Light Point Defects)が悪化することが問題となる。 Since the surface roughness of the punched end face immediately after removing the burrs is rough, fine dirt such as grinding debris during grinding may remain on the surface. Therefore, the polishing slurry at the time of polishing the wafer may remain on the surface and become fixed. In this case, if the wafer polishing is performed repeatedly, when the wafer end surface and the guide end surface come into contact, dust is generated or a fixed object is dropped during polishing, and the surface of the wafer is scratched or LPD (Light Point Defects). It becomes a problem that gets worse.
このようなLPDの悪化はテンプレートアセンブリの使用初期に顕著に見られる。ガイド材のドーナツ形状に刳り貫かれた端面の内周側の粗さは加工バッチが進行するとウェーハ端面との接触により、表面粗さが改善する傾向に有り、その状態になるとキズやLPD悪化は軽減し安定したレベルに成る。また、ガイド材のドーナツ形状に刳り貫かれた端面の外周側は、加工バッチが進行すると、研磨スラリーがコーティングするように作用して発塵が抑制される。 Such deterioration of LPD is noticeable in the initial use of the template assembly. The roughness on the inner peripheral side of the end face that is penetrated into the donut shape of the guide material tends to improve the surface roughness due to contact with the end face of the wafer as the processing batch progresses. Reduced to a stable level. Further, the outer peripheral side of the end face that is penetrated into the donut shape of the guide material acts so that the polishing slurry is coated as the processing batch advances, and dust generation is suppressed.
そのため、研磨ヘッドにテンプレートアセンブリを組み込んだ後、加工表面品質維持の目的からテンプレートアセンブリの立ち上げを行っている。このテンプレートアセンブリの立ち上げは、不織布研磨クロスが貼り付けられた定盤に、テンプレートアセンブリを装備した研磨ヘッドを押し当て、研磨ヘッドと定盤を回転させ、研磨スラリーを流しながらウェーハの研磨を行うものである。そして、このような立ち上げの終了後に、製品となるウェーハの研磨を開始する。 Therefore, after the template assembly is incorporated into the polishing head, the template assembly is started up for the purpose of maintaining the processed surface quality. For starting up the template assembly, the polishing head equipped with the template assembly is pressed against the surface plate on which the nonwoven fabric polishing cloth is attached, and the polishing head and the surface plate are rotated to polish the wafer while flowing the polishing slurry. Is. Then, after the start-up is completed, polishing of the wafer as a product is started.
従来、上記のようなガイド材の端面部のバリの除去は、例えば、砥石による研削や、砥粒を用いたバフ研磨による一段の加工で行われていた。このような一段の加工によってバリの除去を行った場合、刳り貫き端面の表面粗さが悪いため、テンプレートアセンブリの立ち上げに長時間を要する。そのため、ロスタイムが出て生産性低下の原因となっていた。 Conventionally, the removal of burrs from the end face of the guide material as described above has been performed by, for example, one-step processing by grinding with a grindstone or buffing using abrasive grains. When burrs are removed by such one-step processing, the surface roughness of the punched end face is poor, and it takes a long time to start up the template assembly. For this reason, a loss time is generated, which causes a decrease in productivity.
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、テンプレートアセンブリの立ち上げ時間を従来よりも短くすることができるテンプレートアセンブリの製造方法及びこのテンプレートアセンブリを用いた研磨方法並びにテンプレートアセンブリを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a template assembly manufacturing method, a polishing method using the template assembly, and a template assembly that can shorten the startup time of the template assembly. The purpose is to do.
上記目的を達成するために、本発明によれば、ウェーハを研磨する際に前記ウェーハを保持するためのテンプレートアセンブリの製造方法であって、
樹脂板からドーナツ形状に刳り貫かれたガイド材を準備する工程と、前記ガイド材のドーナツ形状に刳り貫かれた内周と外周の両方の刳り貫き端面のバリを除去するバリ除去工程と、前記ガイド材をバッキングパッドに接着して固定する工程とを有し、
前記バリ除去工程は、番手の異なるバリ除去手段によって多段加工で行われることを特徴とするテンプレートアセンブリの製造方法を提供する。
To achieve the above object, according to the present invention, there is provided a method of manufacturing a template assembly for holding a wafer when polishing the wafer,
A step of preparing a guide material that is penetrated into a donut shape from a resin plate; a burr removal step that removes burrs on both the inner and outer circumferences of the guide material that are penetrated into the donut shape; and A step of bonding and fixing the guide material to the backing pad,
The method for producing a template assembly is characterized in that the deburring step is performed in a multi-stage process by deburring means having different counts.
このようにすれば、多段加工でバリの除去を行うことによって、ガイド材のドーナツ形状に刳り貫かれた内周と外周の両方の刳り貫き端面の表面粗さが改善されるため、テンプレートアセンブリの立ち上げに要する時間を短くすることができるテンプレートアセンブリを製造することができる。 In this way, the removal of burrs by multi-stage processing improves the surface roughness of both the inner and outer perforated end surfaces that are perforated in the donut shape of the guide material. A template assembly that can shorten the time required for start-up can be manufactured.
このとき、前記バリ除去工程は、前記バリ除去手段として、砥石を用いた研削、又は砥粒を用いたバフ研磨によって行われ、粗研削工程と、該粗研削工程より高番手を用いる中粗研削工程と、該中粗研削工程より高番手を用いる仕上げ研削工程とを有することが好ましい。 At this time, the burr removing step is performed by grinding using a grindstone or buffing using abrasive grains as the burr removing means, and a rough grinding step and medium coarse grinding using a higher count than the rough grinding step. It is preferable to include a process and a finish grinding process using a higher count than the intermediate rough grinding process.
このようにすれば、刳り貫き端面の表面粗さの改善を効率的かつ確実に行うことができる。 In this way, it is possible to efficiently and reliably improve the surface roughness of the punched end face.
またこのとき、前記粗研削工程は番手が#240以下の砥石又は砥粒を用い、前記中粗研削工程は番手が#600以下の砥石又は砥粒を用い、前記仕上げ研削工程は番手が#1000以上の砥石又は砥粒を用いて行うことが好ましい。 Also, at this time, the rough grinding process uses a grindstone or abrasive grain with a count of # 240 or less, the intermediate coarse grinding process uses a grindstone or abrasive grain with a count of # 600 or less, and the finish grinding process has a count of # 1000. It is preferable to use the above grindstone or abrasive grains.
このようにすれば、刳り貫き端面の表面粗さを十分に小さくすることがより確実にできる。 In this way, it is possible to more reliably reduce the surface roughness of the punched end face sufficiently.
またこのとき、前記仕上げ研削工程において、前記ガイド材の内周と外周の両方の刳り貫き端面の表面粗さがRMS値で3μm以下となるように研削又は研磨することが好ましい。 Further, at this time, in the finish grinding step, it is preferable to perform grinding or polishing so that the surface roughness of both the inner and outer peripheral end surfaces of the guide material is 3 μm or less in terms of RMS value.
このように、刳り貫き端面の表面粗さがRMS値で3μm以下であれば、刳り貫き端面の表面粗さが十分に小さいものとなる。 Thus, if the surface roughness of the punched-through end face is 3 μm or less in terms of the RMS value, the surface roughness of the punched-through end face is sufficiently small.
またこのとき、前記バリ除去工程は、
前記ガイド材の内周と外周の両方の刳り貫き端面が前記ガイド材の表面と直角になるように行うことが好ましい。
At this time, the burr removing step
It is preferable to carry out such that the penetrating end faces of both the inner periphery and the outer periphery of the guide material are perpendicular to the surface of the guide material.
このように、ガイド材の内周と外周の両方の刳り貫き端面がガイド材の表面と直角になるようにバリ除去工程を行うことが好適である。 As described above, it is preferable to perform the burr removing process so that both the inner and outer peripheral end surfaces of the guide material are perpendicular to the surface of the guide material.
また、本発明によれば、定盤に貼り付けた研磨布上に研磨スラリーを供給しつつ、研磨ヘッドに貼り付けられたテンプレートアセンブリで保持したウェーハの表面を前記研磨布に摺接させて研磨するウェーハの研磨方法であって、
前記テンプレートアセンブリとして、上記した本発明のテンプレートアセンブリの製造方法によって製造されたテンプレートアセンブリを用いることを特徴とする研磨方法を提供する。
Further, according to the present invention, while supplying the polishing slurry onto the polishing cloth attached to the surface plate, the surface of the wafer held by the template assembly attached to the polishing head is brought into sliding contact with the polishing cloth for polishing. A method for polishing a wafer,
A polishing method characterized by using a template assembly manufactured by the above-described method for manufacturing a template assembly of the present invention as the template assembly.
このように、本発明のテンプレートアセンブリの製造方法によって製造されたテンプレートアセンブリを用いてウェーハの研磨を行うので、テンプレートアセンブリの立ち上げに要する時間を短くすることができ、生産性を向上することができる。 As described above, since the wafer is polished by using the template assembly manufactured by the template assembly manufacturing method of the present invention, the time required to start up the template assembly can be shortened and productivity can be improved. it can.
また、本発明によれば、ウェーハを研磨する際に前記ウェーハを保持するためのテンプレートアセンブリであって、
バッキングパッドと、該バッキングパッドに接着して固定されたドーナツ形状に刳り貫かれたガイド材とを有し、該ガイド材のドーナツ形状に刳り貫かれた内周と外周の両方の刳り貫き端面は前記ガイド材の表面と直角であり、前記ガイド材の内周と外周の両方の刳り貫き端面の表面粗さがRMS値で3μm以下のものであることを特徴とするテンプレートアセンブリを提供する。
According to the present invention, there is also provided a template assembly for holding the wafer when polishing the wafer,
A backing pad and a guide material that is penetrated into a donut shape that is bonded and fixed to the backing pad. There is provided a template assembly characterized by being perpendicular to the surface of the guide material and having a surface roughness of not more than 3 μm in RMS value on both inner and outer peripheral surfaces of the guide material.
このようなものであれば、刳り貫き端面の表面粗さの値が十分に小さいため、ウェーハの研磨の際のテンプレートアセンブリの立ち上げに要する時間を短くすることができるものとなる。 In such a case, since the value of the surface roughness of the punched end face is sufficiently small, the time required for starting up the template assembly at the time of polishing the wafer can be shortened.
本発明のテンプレートアセンブリの製造方法であれば、多段加工でバリの除去を行うことによって、ガイド材のドーナツ形状に刳り貫かれた内周と外周の両方の刳り貫き端面の表面粗さが改善されるため、テンプレートアセンブリの立ち上げに要する時間を短くすることができるテンプレートアセンブリを製造することができる。 According to the template assembly manufacturing method of the present invention, by removing burrs by multi-stage processing, the surface roughness of both the inner and outer perforated end surfaces that are perforated in the donut shape of the guide material is improved. Therefore, it is possible to manufacture a template assembly that can shorten the time required to start up the template assembly.
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
従来、ガイド材は樹脂であることから、ガイド材からの発塵や、固形物が研磨中に脱落することが起こり、ウェーハ表面のキズやLPDが悪化する問題があった。また、一段の加工によってバリの除去を行った場合、刳り貫き端面の表面粗さが悪いため、テンプレートアセンブリの立ち上げに長時間を要するという問題があった。
Hereinafter, although an embodiment is described about the present invention, the present invention is not limited to this.
Conventionally, since the guide material is a resin, there has been a problem that dust generation from the guide material and solid matter may fall off during polishing, resulting in deterioration of scratches and LPD on the wafer surface. Further, when removing burrs by one-stage processing, there is a problem that it takes a long time to start up the template assembly because the surface roughness of the punched end face is poor.
そこで、本発明者らはこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、バリ除去工程を、番手の異なるバリ除去手段によって多段加工で行うことに想到した。このように、多段加工でバリの除去を行うことによって、ガイド材のドーナツ形状に刳り貫かれた内周と外周の両方の刳り貫き端面の表面粗さが改善されるため、テンプレートアセンブリの立ち上げに要する時間を短くすることができるテンプレートアセンブリを製造することができることを見出した。そして、これらを実施するための最良の形態について精査し、本発明を完成させた。 Therefore, the present inventors have intensively studied to solve such problems. As a result, it has been conceived that the burr removing step is performed by multi-stage processing using burr removing means having different counts. In this way, the removal of burrs in multi-stage processing improves the surface roughness of both the inner and outer perforated end surfaces that are perforated in the doughnut shape of the guide material. It has been found that a template assembly can be manufactured that can reduce the time it takes to complete. And the best form for implementing these was scrutinized and the present invention was completed.
まず、本発明のテンプレートアセンブリの製造方法について説明する。まず、図2に示すように、樹脂板1からドーナツ形状に刳り貫かれたガイド材2を準備する工程を行う(図1のSP1)。
First, the manufacturing method of the template assembly of this invention is demonstrated. First, as shown in FIG. 2, a step of preparing a guide material 2 pierced from a
樹脂板1は、ガラスエポキシ材やポリカーボネート等の従来から用いられている樹脂からなる板材とすることができる。そして、このような樹脂板1から、例えば、ルーター等によるフライス加工でドーナツ形状に刳り貫いて、ガイド材2を形成することができる。この際に例えば、ガイド材2の外径を研磨ヘッドの直径とし、内径は保持するウェーハの直径の+0.5〜5mm程度の任意サイズとすることができる。
The
次に、ガイド材2のドーナツ形状に刳り貫かれた内周と外周の両方の刳り貫き端面3のバリを除去するバリ除去工程を行う(図1のSP2)。バリの除去は、番手の異なるバリ除去手段によって多段加工で行われる。
Next, a burr removing step is performed to remove burrs on both the inner and outer
このとき、バリ除去手段として、砥石を用いた研削、又は砥粒を用いたバフ研磨によって行うことができる。なお、バリ除去手段はこれに限定されず、刳り貫き端面3のバリを除去し、表面粗さを改善することができればどのようなものを用いてもよい。
At this time, as the burr removing means, grinding using a grindstone or buffing using abrasive grains can be performed. The burr removing means is not limited to this, and any burr removing means may be used as long as it can remove the burr on the
バリ除去工程は、ガイド材の内周と外周の両方の刳り貫き端面3がガイド材2の表面と直角になるように行うことが好適である。具体的には、例えば、バリ除去手段を刳り貫き端面3に直角に当てて行うことができる。
It is preferable that the burr removing step is performed so that the inner end surface and the outer
このとき、図1に示すようにバリ除去工程は、粗研削工程(図1のSP3)と、該粗研削工程より高番手を用いる中粗研削工程(図1のSP4)と、該中粗研削工程より高番手を用いる仕上げ研削工程(図1のSP5)とを有することが好ましい。このようにすれば、刳り貫き端面3の表面粗さの改善を効率的かつ確実に行うことができる。
At this time, as shown in FIG. 1, the burr removing step includes a rough grinding step (SP3 in FIG. 1), a medium rough grinding step (SP4 in FIG. 1) using a higher count than the rough grinding step, and the medium rough grinding. It is preferable to have a finish grinding step (SP5 in FIG. 1) using a higher count than the step. In this way, the surface roughness of the punched
このとき、粗研削工程(SP3)は番手が#240以下の砥石又は砥粒を用い、中粗研削工程(SP4)は番手が#600以下の砥石又は砥粒を用い、仕上げ研削工程(SP5)は番手が#1000以上の砥石又は砥粒を用いて行うことが好ましい。 At this time, the rough grinding step (SP3) uses a grindstone or abrasive grains with a count of # 240 or less, and the intermediate coarse grinding step (SP4) uses a grindstone or abrasive grains with a count of # 600 or less, and a finish grinding step (SP5). Is preferably performed using a grindstone or abrasive grain having a count of # 1000 or more.
このように、バリの除去を3段階で行い、かつ1段ごとに使用する番手を高くすることで、刳り貫き端面3の表面粗さを十分に小さくすることがより効率的かつ確実にできる。これにより、テンプレートアセンブリの使用初期において顕著に生じていた、キズやLPD悪化を改善することができる。そのため、テンプレートアセンブリの立ち上げに要する時間を短くすることができる。
In this way, the removal of burrs is performed in three stages, and the number of rolls used in each stage is increased, so that the surface roughness of the punched
またこのとき、仕上げ研削工程(SP5)において、ガイド材2の内周と外周の両方の刳り貫き端面3の表面粗さがRMS値で3μm以下となるように研削又は研磨することが好ましい。このように、刳り貫き端面3の表面粗さがRMS値で3μm以下であれば、刳り貫き端面3の表面粗さが十分に小さいものとなる。
At this time, in the finish grinding step (SP5), it is preferable to perform grinding or polishing so that the surface roughness of both the inner and outer peripheral surfaces of the guide material 2 is 3 μm or less in terms of RMS value. Thus, if the surface roughness of the punched-through
その後、図3に示すように、ガイド材2をバッキングパッド4に接着して固定する工程を行って(図1のSP6)、テンプレートアセンブリが製造される。 Thereafter, as shown in FIG. 3, a step of bonding and fixing the guide material 2 to the backing pad 4 is performed (SP6 in FIG. 1), and the template assembly is manufactured.
具体的には例えば、感熱テープ5をガイド材2の片面に貼り付け、その後、バッキングパッド4に熱圧着により接着して固定することができる。 Specifically, for example, the heat-sensitive tape 5 can be attached to one side of the guide material 2 and then bonded and fixed to the backing pad 4 by thermocompression bonding.
このようにすれば、多段加工でバリの除去を行うことによって、ガイド材2のドーナツ形状に刳り貫かれた内周と外周の両方の刳り貫き端面3の表面粗さが改善されるため、当初より発塵が少ないので、テンプレートアセンブリ6の立ち上げに要する時間を短くすることができるテンプレートアセンブリ6を製造することができる。
In this way, by removing burrs by multi-stage processing, the surface roughness of both the inner and outer
そして、このような本発明のテンプレートアセンブリの製造方法によって製造されたテンプレートアセンブリを用いてウェーハの研磨を行うことができる。 And a wafer can be grind | polished using the template assembly manufactured by the manufacturing method of such a template assembly of this invention.
すなわち、定盤に貼り付けた研磨布上に研磨スラリーを供給しつつ、研磨ヘッドに貼り付けられた、本発明の製造方法で製造されたテンプレートアセンブリで保持したウェーハの表面を研磨布に摺接させてウェーハの研磨を行う。 That is, while supplying the polishing slurry onto the polishing cloth attached to the surface plate, the surface of the wafer held by the template assembly manufactured by the manufacturing method of the present invention attached to the polishing head is brought into sliding contact with the polishing cloth. Then, the wafer is polished.
本発明のテンプレートアセンブリの製造方法によって製造されたテンプレートアセンブリは、上述のように、刳り貫き端面の表面粗さが改善されたものである。そのため、このようなテンプレートアセンブリを用いて研磨を行うことにより、テンプレートアセンブリの立ち上げに要する時間を短くすることができ、生産性を向上することができる。 As described above, the template assembly manufactured by the method for manufacturing a template assembly of the present invention has improved surface roughness of the punched-through end face. Therefore, by performing polishing using such a template assembly, the time required for starting up the template assembly can be shortened, and productivity can be improved.
またここで、本発明のテンプレートアセンブリについて説明する。
図3に示すように、本発明のテンプレートアセンブリ6は、バッキングパッド4と、該バッキングパッド4に接着して固定されたドーナツ形状に刳り貫かれたガイド材2とを有し、該ガイド材2のドーナツ形状に刳り貫かれた内周と外周の両方の刳り貫き端面3はガイド材2の表面と直角であり、ガイド材2の内周と外周の両方の刳り貫き端面3の表面粗さがRMS値で3μm以下のものである。このようなものであれば、刳り貫き端面3の表面粗さの値が十分に小さいため、当初より発塵が少ないので、ウェーハの研磨の際のテンプレートアセンブリ6の立ち上げに要する時間を短くすることができるものとなる。
Here, the template assembly of the present invention will be described.
As shown in FIG. 3, the
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples of the present invention, but the present invention is not limited to these.
(実施例)
本発明のテンプレートアセンブリの製造方法に従って、テンプレートアセンブリの製造を行った。まず、ルーターを用いて、ガラスエポキシ板からドーナツ形状に刳り貫かれたガイド材を準備した。バリ除去工程は、番手が#240の砥石を用いた粗研削工程と、番手が#600の砥石を用いた中粗研削工程と、番手が#1000の砥石を用いた仕上げ研削工程による3段で、刳り貫き端面がガイド材の表面と直角になるように行った。
(Example)
The template assembly was manufactured according to the template assembly manufacturing method of the present invention. First, using a router, a guide material was prepared which was cut into a donut shape from a glass epoxy plate. The deburring process is a three-stage process comprising a rough grinding process using a # 240 grinding wheel, a medium rough grinding process using a # 600 grinding wheel, and a finish grinding process using a # 1000 grinding wheel. The punching end face was made to be perpendicular to the surface of the guide material.
仕上げ研削工程後のガイド材の刳り貫き端面の表面粗さを測定したところ、RMS値で2.9μmであった。 When the surface roughness of the punched through end face of the guide material after the finish grinding step was measured, the RMS value was 2.9 μm.
その後、感熱テープをガイド材の片面に貼り付け、その後、バッキングパッドに熱圧着により接着して固定して、テンプレートアセンブリを製造した。 Thereafter, a heat-sensitive tape was attached to one side of the guide material, and then bonded and fixed to the backing pad by thermocompression bonding to produce a template assembly.
このようにして製造したテンプレートアセンブリを研磨ヘッドに装備した。テンプレートアセンブリを装備した研磨ヘッドにブラシと水による簡易洗浄をバッキングパッドとガイド材に実施した後、テンプレートアセンブリの立ち上げ準備加工を実施した。 The template assembly manufactured in this way was mounted on a polishing head. The polishing head equipped with the template assembly was cleaned with a brush and water on the backing pad and guide material, and then the template assembly was prepared for startup.
テンプレートアセンブリの立ち上げ準備加工は、研磨スラリーにはKOHベースコロイダルシリカ入りの溶液を用い、研磨ヘッド回転20rpm、定盤回転19rpm、荷重を150g/cm2で研磨スラリー流量2.5L/minのリサイクル方式で、直径450mmのシリコンウェーハを研磨することにより行った。 The template assembly start-up preparation process uses a solution containing KOH-based colloidal silica as the polishing slurry, recycling with a polishing head rotation of 20 rpm, a platen rotation of 19 rpm, a load of 150 g / cm 2 and a polishing slurry flow rate of 2.5 L / min. This was performed by polishing a silicon wafer having a diameter of 450 mm.
テンプレートアセンブリの立ち上げ準備加工を30分行った後に、通常研磨加工で25枚のシリコンウェーハの研磨を行った。このときの研磨後のウェーハにおけるLPDの個数の評価(LPDは24nmUPの検出個数)を行った。LPDの個数の評価はパーティクルカウンター(KLA社製SP3)にて行った。 After the template assembly start-up preparation process was performed for 30 minutes, 25 silicon wafers were polished by a normal polishing process. At this time, the number of LPDs in the polished wafer was evaluated (LPD is the number of detected 24 nm UP). The number of LPDs was evaluated with a particle counter (SP3 manufactured by KLA).
研磨装置は不二越機械社製のSRED研磨機を用いて行った。上記の通常研磨は、二次研磨+仕上げ研磨で行った。なお、研磨条件は下記の表1の条件で行った。 The polishing apparatus was a SRED polishing machine manufactured by Fujikoshi Kikai Co., Ltd. The above normal polishing was performed by secondary polishing + finish polishing. The polishing conditions were as shown in Table 1 below.
また、テンプレートアセンブリの立ち上げ準備加工の時間を変化させた場合について調査するために、テンプレートアセンブリの立ち上げ準備加工の時間を変化させて実施し、その後、上記と同様のLPDの測定を行い、後述する比較例の結果と共に図4に示した。また、図5には、テンプレートアセンブリの立ち上げ準備加工の時間が30分の場合と、120分の場合を抽出して記載した。 In addition, in order to investigate the case where the time for the preparation for the start-up of the template assembly is changed, the time for the preparation for the start-up for the template assembly is changed, and then the same LPD is measured as described above. This is shown in FIG. 4 together with the result of a comparative example described later. In FIG. 5, the case where the template assembly start-up preparation processing time is 30 minutes and the case of 120 minutes are extracted and described.
(比較例)
実施例でテンプレートアセンブリを製造する際の中粗研削工程及び仕上げ研削工程を行わなかったこと以外は、実施例と同様にして、テンプレートアセンブリの製造を行った。
(Comparative example)
The template assembly was manufactured in the same manner as in the example except that the intermediate rough grinding step and the finish grinding step in manufacturing the template assembly in the example were not performed.
比較例におけるバリ除去を行った後のガイド材の刳り貫き端面の表面粗さを測定したところ、RMS値で24.2μmであった。 When the surface roughness of the piercing end face of the guide material after removing the burr in the comparative example was measured, the RMS value was 24.2 μm.
その後、製造したテンプレートアセンブリを研磨ヘッドへ装着し、実施例と同様にしてテンプレートアセンブリの立ち上げ準備加工及びシリコンウェーハの研磨を行った。そして、研磨を行ったウェーハのLPD個数の測定結果を、図4、5に示した。 Thereafter, the manufactured template assembly was mounted on a polishing head, and the template assembly was prepared for startup and the silicon wafer was polished in the same manner as in the example. The measurement results of the number of LPDs of the polished wafer are shown in FIGS.
その結果、図4、5に示すように、比較例では、テンプレートアセンブリの立ち上げ準備加工時間が短い場合では、LPD個数が非常に多かった。特に、LPDを100pcs/wf以下にするためには比較例では、120分程度のテンプレートアセンブリの立ち上げ準備加工時間が必要であった。一方、実施例ではLPDを100pcs/wf以下にするための時間を30分に短縮することができた。 As a result, as shown in FIGS. 4 and 5, in the comparative example, the number of LPDs was very large when the startup preparation time of the template assembly was short. In particular, in order to reduce the LPD to 100 pcs / wf or less, in the comparative example, it took about 120 minutes to prepare for starting the template assembly. On the other hand, in the example, the time required for LPD to be 100 pcs / wf or less could be shortened to 30 minutes.
すなわち、実施例における30分間のテンプレートアセンブリの立ち上げ準備加工を行ったテンプレートアセンブリを実装した研磨ヘッドは、比較例における120分間の立ち上げ準備加工を行ったものと同等なレベルであることが確認できた。 That is, it is confirmed that the polishing head mounted with the template assembly that has undergone the 30-minute template preparation process in the example is at the same level as the 120-minute startup process in the comparative example. did it.
このように、実施例では、テンプレートアセンブリの立ち上げに要する時間を、比較例から90分短縮することができた。これにより、90分が研磨装置を製品加工に向けることが可能となるため、生産性向上に繋がった。 As described above, in the example, the time required to start up the template assembly could be shortened by 90 minutes from the comparative example. As a result, the polishing apparatus can be directed to product processing for 90 minutes, leading to an improvement in productivity.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.
1…樹脂板、 2…ガイド材、 3…刳り貫き端面、 4…バッキングパッド、
5…感熱テープ、 6…テンプレートアセンブリ。
DESCRIPTION OF
5 ... thermal tape, 6 ... template assembly.
Claims (7)
樹脂板からドーナツ形状に刳り貫かれたガイド材を準備する工程と、前記ガイド材のドーナツ形状に刳り貫かれた内周と外周の両方の刳り貫き端面のバリを除去するバリ除去工程と、前記ガイド材をバッキングパッドに接着して固定する工程とを有し、
前記バリ除去工程は、番手の異なるバリ除去手段によって多段加工で行われることを特徴とするテンプレートアセンブリの製造方法。 A method of manufacturing a template assembly for holding a wafer when polishing the wafer, comprising:
A step of preparing a guide material that is penetrated into a donut shape from a resin plate; a burr removal step that removes burrs on both the inner and outer circumferences of the guide material that are penetrated into the donut shape; and A step of bonding and fixing the guide material to the backing pad,
The method for producing a template assembly, wherein the deburring step is performed by multi-stage processing by deburring means having different counts.
前記ガイド材の内周と外周の両方の刳り貫き端面が前記ガイド材の表面と直角になるように行うことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のテンプレートアセンブリの製造方法。 The burr removing step includes
5. The template assembly according to claim 1, wherein both end surfaces of the inner periphery and the outer periphery of the guide member are perpendicular to the surface of the guide member. 6. Production method.
前記テンプレートアセンブリとして、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のテンプレートアセンブリの製造方法によって製造されたテンプレートアセンブリを用いることを特徴とする研磨方法。 A method for polishing a wafer, wherein a polishing slurry is supplied onto a polishing cloth affixed to a surface plate, and the surface of the wafer held by a template assembly affixed to a polishing head is slid in contact with the polishing cloth and polished. ,
A polishing method using a template assembly manufactured by the method for manufacturing a template assembly according to claim 1, as the template assembly.
バッキングパッドと、該バッキングパッドに接着して固定されたドーナツ形状に刳り貫かれたガイド材とを有し、該ガイド材のドーナツ形状に刳り貫かれた内周と外周の両方の刳り貫き端面は前記ガイド材の表面と直角であり、前記ガイド材の内周と外周の両方の刳り貫き端面の表面粗さがRMS値で3μm以下のものであることを特徴とするテンプレートアセンブリ。
A template assembly for holding the wafer when polishing the wafer,
A backing pad and a guide material that is penetrated into a donut shape that is bonded and fixed to the backing pad. A template assembly characterized by being perpendicular to the surface of the guide material and having a surface roughness of 3 μm or less in terms of RMS value on both inner and outer peripheral surfaces of the guide material.
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