JP2010196091A

JP2010196091A - Mask for vapor deposition and method of manufacturing the same

Info

Publication number: JP2010196091A
Application number: JP2009040220A
Authority: JP
Inventors: Norio Hagiwara; 宣男萩原
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2009-02-24
Filing date: 2009-02-24
Publication date: 2010-09-09

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask for vapor deposition and a method of manufacturing the same by which passage holes for passing a vapor deposition material are precisely formed. SOLUTION: The method of manufacturing the mask for vapor deposition is carried out by forming photoresist films 12a, 12b through reflection preventing films 30A, 30B on both side surfaces of a metal thin film 10 and exposing them to form a pattern of the passage hole 10A-1 on the photoresist films 12a, 12b. In the exposure, an emitted light passed through the photoresist films 12a, 12b is absorbed by the reflection preventing films 30A, 30B before the emitted light reaches the surface or the back surface of the metal thin film 10 and the occurrence of halation is suppressed. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイなどの製造工程において用いられる蒸着用マスクおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to an evaporation mask used in a manufacturing process of an organic EL (Electro Luminescence) display, for example, and a manufacturing method thereof.

従来、有機ＥＬディスプレイなどの製造工程では、発光層などの有機層を真空蒸着法を用いて形成している。この際、蒸着用マスクとしては、金属薄膜に、有機層のパターンに合わせて蒸着材料を通過させる通過孔が設けられたものが使用されている。このような蒸着用マスクは、その通過孔のパターンが、フォトリソグラフィ法を用いて形成されることが多い。例えば、金属薄膜上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜をパターン露光したのちエッチングを施すことにより通過孔を形成する手法が用いられている（特許文献１，２）。 Conventionally, in a manufacturing process of an organic EL display or the like, an organic layer such as a light emitting layer is formed using a vacuum deposition method. At this time, as a mask for vapor deposition, a metal thin film provided with a through hole through which a vapor deposition material passes in accordance with the pattern of the organic layer is used. In such an evaporation mask, the pattern of the through holes is often formed using a photolithography method. For example, a technique is used in which a photoresist film is formed on a metal thin film, a pattern exposure is performed on the photoresist film, and then a through hole is formed by etching (Patent Documents 1 and 2).

特開２００５−１８３１５３号公報JP 2005-183153 A 特開２００５−３１４７８７号公報JP 2005-314787 A

しかしながら、上記のようなフォトリソグラフィ法を用いた場合、露光時に金属薄膜の表面や裏面において光が反射し、この反射光により、いわゆるハレーションが発生してフォトレジスト膜に通過孔パターンが精度良く形成されないという問題があった。 However, when the photolithography method as described above is used, light is reflected on the front and back surfaces of the metal thin film at the time of exposure, and this reflected light causes so-called halation to form a through hole pattern in the photoresist film with high accuracy. There was a problem of not being.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、蒸着材料を通過させるための通過孔を精度良く形成することが可能な蒸着用マスクおよびその製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a vapor deposition mask and a method for manufacturing the vapor deposition mask capable of accurately forming a through hole for allowing a vapor deposition material to pass therethrough.

本発明の蒸着用マスクの製造方法は、金属薄膜の表面および裏面のうち少なくとも一面に反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜上に感光性樹脂層を形成する工程と、感光性樹脂層に光を照射することにより蒸着材料を通過させる通過孔のパターンを形成する工程と、感光性樹脂層に形成したパターンに基づいて金属薄膜および反射防止膜にエッチングを施すことにより通過孔を形成する工程とを含むものである。 The method for producing a vapor deposition mask of the present invention includes a step of forming an antireflection film on at least one of the front and back surfaces of a metal thin film, a step of forming a photosensitive resin layer on the antireflection film, and a photosensitive resin layer. Irradiating light to form a pattern of through holes for allowing the vapor deposition material to pass through, and forming the through holes by etching the metal thin film and the antireflection film based on the pattern formed in the photosensitive resin layer Process.

本発明の蒸着用マスクは、通過孔を有する金属薄膜と、金属薄膜の表面および裏面のうち少なくとも一面に設けられると共に、通過孔に対応して開口を有する反射防止膜とを備えたものである。 The vapor deposition mask of the present invention comprises a metal thin film having a passage hole and an antireflection film provided on at least one of the front and back surfaces of the metal thin film and having an opening corresponding to the passage hole. .

本発明の蒸着用マスクおよびその製造方法では、金属薄膜の少なくとも一面に反射防止膜を形成したのち、この反射防止膜上に感光性樹脂層を形成して露光する。露光による照射光のうち感光性樹脂層を透過した光は、反射防止膜において吸収され、金属薄膜の表面もしくは裏面における反射が抑制される。 In the vapor deposition mask and the method for producing the same according to the present invention, after forming an antireflection film on at least one surface of the metal thin film, a photosensitive resin layer is formed on the antireflection film and exposed. Light that has passed through the photosensitive resin layer in the light irradiated by exposure is absorbed by the antireflection film, and reflection on the front or back surface of the metal thin film is suppressed.

本発明の蒸着用マスクおよびその製造方法によれば、金属薄膜の少なくとも一面に反射防止膜を形成したのち、この反射防止膜上に感光性樹脂層を形成して露光するようにしたので、ハレーションの発生を抑制して通過孔のパターンを精度良く形成することができる。このようにして形成した通過孔のパターンに基づいて、金属薄膜および反射防止膜にエッチングを施すことにより、通過孔を精度良く形成することが可能となる。 According to the vapor deposition mask and the method of manufacturing the same of the present invention, the antireflection film is formed on at least one surface of the metal thin film, and then the photosensitive resin layer is formed on the antireflection film for exposure. The passage hole pattern can be formed with high accuracy by suppressing the occurrence of the above. By etching the metal thin film and the antireflection film based on the pattern of the through holes thus formed, the through holes can be formed with high accuracy.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

［１．蒸着用マスク１の構成］
図１（Ａ）は、本発明の一実施の形態に係る蒸着用マスク１を表面側（金属薄膜１０の側）からみたものであり、図１（Ｂ）は裏面側（枠体１１の側）からみたものである。図２は、図１（Ａ）のＩ−Ｉ線における矢視断面図である。図３は、通過孔１０Ａ−１（図２における領域Ｓ１）を拡大したものである。 [1. Configuration of evaporation mask 1]
1A is a view of a vapor deposition mask 1 according to an embodiment of the present invention from the front surface side (the metal thin film 10 side), and FIG. 1B is the back surface side (the frame body 11 side). ). FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II in FIG. FIG. 3 is an enlarged view of the passage hole 10A-1 (region S1 in FIG. 2).

蒸着用マスク１は、例えば有機ＥＬ素子の有機層を真空蒸着法を用いて成膜する際に使用されるものである。この際、例えば蒸着用マスク１の裏面側に蒸着源、表面側に素子基板（被蒸着基板）が配置されて使用される。蒸着用マスク１では、マスク本体となる複数の金属薄膜１０が枠体１１によって支持されている。 The vapor deposition mask 1 is used, for example, when forming an organic layer of an organic EL element using a vacuum vapor deposition method. At this time, for example, a vapor deposition source is disposed on the back side of the vapor deposition mask 1 and an element substrate (deposition substrate) is disposed on the front side. In the vapor deposition mask 1, a plurality of metal thin films 10 serving as a mask main body are supported by a frame 11.

金属薄膜１０は、例えばインバー材、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などの金属または合金、圧延ステンレス鋼など、熱膨張係数の低い金属薄膜によって構成されることが好ましく、厚みは例えば１０μｍ〜５０μｍである。この金属薄膜１０は、枠体１１に、枠体１１の開口部１１Ａ（後述）を覆うように、張力Ｔが付加された状態で固着（以下、張設という）されている。この張設により、金属薄膜１０はしわや弛みのない状態で枠体１１に固定される。張力Ｔは、蒸着時の輻射熱に起因する熱応力により金属薄膜１０に生じる歪み量が、この張力Ｔによって金属薄膜１０に生じる歪み量により相殺される大きさおよび方向に設定されていることが望ましい。蒸着時の金属薄膜１０の熱膨張を吸収し、通過孔１０Ａ−１の位置精度を高めることができるからである。 The metal thin film 10 is preferably composed of a metal thin film having a low thermal expansion coefficient, such as an invar material, a metal or alloy such as nickel (Ni) or copper (Cu), rolled stainless steel, and the thickness is, for example, 10 μm to 50 μm. It is. The metal thin film 10 is fixed (hereinafter referred to as tension) to the frame 11 in a state where a tension T is applied so as to cover an opening 11A (described later) of the frame 11. By this tensioning, the metal thin film 10 is fixed to the frame 11 without wrinkles or slack. The tension T is preferably set to a magnitude and direction in which the amount of strain generated in the metal thin film 10 due to thermal stress caused by radiant heat during vapor deposition is offset by the amount of strain generated in the metal thin film 10 due to this tension T. . This is because the thermal expansion of the metal thin film 10 during vapor deposition can be absorbed and the positional accuracy of the passage hole 10A-1 can be increased.

金属薄膜１０では、枠体１１の開口部１１Ａに対応する領域が有効蒸着領域１０Ａとなっており、所定のパターンで複数の通過孔１０Ａ−１が形成されている。このような金属薄膜１０の表面および裏面にはそれぞれ、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂが形成されている。 In the metal thin film 10, the area | region corresponding to the opening part 11A of the frame 11 becomes the effective vapor deposition area | region 10A, and several through-hole 10A-1 is formed with the predetermined pattern. Antireflection films 30 A and 30 B are formed on the front and back surfaces of the metal thin film 10, respectively.

通過孔１０Ａ−１では、例えば図３に示したように、蒸着源側（ここでは裏面側）の開口１００Ｂが、被蒸着側（ここでは表面側）の開口１００Ａよりも大きくなっている。これにより、蒸着源から斜めに入射する蒸着材料が通過孔１０Ａ−１の影になって付着しにくくなること（シャドウ効果）が抑制され、蒸着源からの蒸着材料を均一に通過させることができる。この通過孔１０Ａ−１の形状は、レーザによるダイレクト露光法を用いることにより容易に形成することが可能である。すなわち、後述のレーザダイレクト露光機１２２において、金属薄膜１０の表面側と裏面側とで、開口面積が異なるように露光パターンを設定するだけでよい。このような通過孔１０Ａ−１に対応して、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂには開口３０Ａ１，３０Ｂ１がそれぞれ設けられている。 In the passage hole 10A-1, for example, as shown in FIG. 3, the opening 100B on the deposition source side (here, the back surface side) is larger than the opening 100A on the deposition side (here, the front side). Thereby, it is suppressed that the vapor deposition material incident obliquely from the vapor deposition source becomes a shadow of the passage hole 10A-1 and hardly adheres (shadow effect), and the vapor deposition material from the vapor deposition source can be passed uniformly. . The shape of the passage hole 10A-1 can be easily formed by using a direct exposure method using a laser. That is, in the laser direct exposure machine 122 described later, it is only necessary to set the exposure pattern so that the opening area is different between the front surface side and the back surface side of the metal thin film 10. Corresponding to such a passage hole 10A-1, the antireflection films 30A and 30B are provided with openings 30A1 and 30B1, respectively.

反射防止膜３０Ａ，３０Ｂは、後述の露光工程において金属薄膜１０の表面もしくは裏面におけるレーザ光の反射を抑制するものである。反射防止膜３０Ａ，３０Ｂは、露光に使用するレーザ光を吸収する皮膜により構成されている。反射防止膜３０Ａ，３０Ｂの膜厚は、上記レーザ光を吸収し得る程度の厚み以上、かつ金属薄膜１０の膜厚の５％程度以下となっていることが望ましい。これらの反射防止膜３０Ａ，３０Ｂは、露光工程後に金属薄膜１０と共にエッチングする必要があるため、膜厚が厚過ぎると所望のエッチング精度を確保しにくくなるためである。また、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂは、後述のフォトレジスト膜１２ａ，１２ｂの塗布性を阻害せず、かつ金属薄膜１０のエッチングを阻害しないような材料が選定されることが望ましい。 The antireflection films 30 A and 30 B suppress the reflection of laser light on the front surface or the back surface of the metal thin film 10 in an exposure process described later. The antireflection films 30A and 30B are formed of a film that absorbs laser light used for exposure. The film thicknesses of the antireflection films 30A and 30B are desirably not less than a thickness that can absorb the laser beam and not more than 5% of the film thickness of the metal thin film 10. This is because these antireflection films 30A and 30B need to be etched together with the metal thin film 10 after the exposure process, and therefore it is difficult to ensure desired etching accuracy if the film thickness is too thick. Further, it is desirable that the antireflection films 30A and 30B be selected from materials that do not inhibit the coating properties of the photoresist films 12a and 12b described later and do not inhibit the etching of the metal thin film 10.

このような反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを構成する皮膜としては、例えば発振波長帯域が４００ｎｍ〜４１０ｎｍ付近となる青紫色発光レーザをレーザ光源して用いた場合には、次のような皮膜により構成されていることが望ましい。例えば、黒色無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき、黒色クロム（Ｃｒ）めっき、黒色クロメートおよび四酸化鉄（Ｆｅ₃Ｏ₄）皮膜（黒染め）などの各種表面処理を用いて形成された黒色皮膜が挙げられる。 As a film constituting such antireflection films 30A and 30B, for example, when a blue-violet light emitting laser having an oscillation wavelength band of around 400 nm to 410 nm is used as a laser light source, the following film is formed. It is desirable that Examples include black coatings formed using various surface treatments such as black electroless nickel (Ni) plating, black chrome (Cr) plating, black chromate and iron tetroxide (Fe ₃ O ₄ ) coating (black dyeing). It is done.

枠体１１は、例えばインバー材などから構成され、厚みは例えば５ｍｍ〜３０ｍｍである。この枠体１１は、例えば格子状に複数の開口部１１Ａを有している。また、後述の有機層が形成される駆動用基板１５と同等の線熱膨張係数を有する材料により構成されていることが好ましい。これは、蒸着時の温度変化に伴い、枠体１１と駆動用基板１５とを同期して膨張収縮させると共に、膨張収縮による寸法変化量を同等にすることができるからである。更に、枠体１１は、高い剛性および十分な厚みを有し、熱容量、表面の輻射射出率、周囲の支持体との熱伝導により流入出する熱量、および蒸着源からの輻射熱を遮る断熱板により制限される流入熱量などを最適に調節して設計されていることが望ましい。本実施の形態では、開口部１１Ａが４つ、これに対応して金属薄膜１０が４つ形成された構成を例に挙げて説明する。 The frame 11 is made of, for example, Invar material, and has a thickness of, for example, 5 mm to 30 mm. The frame 11 has a plurality of openings 11A in a lattice shape, for example. Moreover, it is preferable to be comprised with the material which has a linear thermal expansion coefficient equivalent to the drive substrate 15 in which the below-mentioned organic layer is formed. This is because the frame body 11 and the driving substrate 15 can be expanded and contracted in synchronization with the temperature change during vapor deposition, and the dimensional change due to expansion and contraction can be made equal. Further, the frame 11 has a high rigidity and sufficient thickness, and is provided with a heat capacity, a surface radiation emission rate, a heat amount flowing in and out due to heat conduction with the surrounding support, and a heat insulating plate that blocks radiation heat from the vapor deposition source. It is desirable to design with optimal adjustment of the limited inflow heat quantity. In the present embodiment, a configuration in which four openings 11A and four metal thin films 10 are formed correspondingly will be described as an example.

［２．蒸着用マスク１の製造方法］
次に、上記のような蒸着用マスク１の製造方法について説明する。 [2. Method for manufacturing evaporation mask 1]
Next, the manufacturing method of the above vapor deposition mask 1 is demonstrated.

まず、図４（Ａ）に示したように、金属薄膜１０の表面および裏面に、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを形成する。例えば、金属薄膜１０の表裏に、黒色無電解ニッケルめっきを施し、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂとして黒色のニッケル皮膜を析出させる。還元剤としては、次亜リン酸やＤＭＡＢ（ジメチルアミンボラン）等を用いることができる。このような黒色無電解ニッケルめっきを用いることにより、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを均一な膜厚で形成し易くなる。 First, as shown in FIG. 4A, antireflection films 30A and 30B are formed on the front and back surfaces of the metal thin film 10. For example, black electroless nickel plating is applied to the front and back of the metal thin film 10 to deposit a black nickel film as the antireflection films 30A and 30B. As the reducing agent, hypophosphorous acid, DMAB (dimethylamine borane) or the like can be used. By using such black electroless nickel plating, it becomes easy to form the antireflection films 30A and 30B with a uniform film thickness.

なお、これらの反射防止膜３０Ａ，３０Ｂは、黒色無電解ニッケルめっきに限らず、他の表面処理、例えば黒色クロムめっき、黒色クロメートまたは四酸化鉄皮膜などにより形成してもよい。また、光沢めっきであってもよいが、反射防止の観点からは無光沢めっきであることが望ましい。 These antireflection films 30A and 30B are not limited to black electroless nickel plating, but may be formed by other surface treatments such as black chrome plating, black chromate or iron tetroxide film. Moreover, although it may be gloss plating, it is desirable that it is matte plating from a viewpoint of antireflection.

続いて、図４（Ｂ）に示したように、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを形成した金属薄膜１０を、張力Ｔを付加した状態で枠体１１の開口部１１Ａを覆うように、枠体１１に位置合わせする。こののち、図４（Ｃ）に示したように、例えばスポット溶接、シームレス溶接等を用いて、金属薄膜１０を枠体１１に接着する。このとき、例えば方形のスクリーン枠部材にポリエステルメッシュを張設し、このポリエステルメッシュに金属薄膜１０の周縁部を接着したのち、金属薄膜１０をポリエステルメッシュと共に切り取ることで、金属薄膜１０に張力Ｔを付加する。このようにして、複数の金属薄膜１０を枠体１１に張設する。 Subsequently, as shown in FIG. 4B, the metal thin film 10 on which the antireflection films 30A and 30B are formed is covered with the frame 11 so as to cover the opening 11A of the frame 11 with the tension T applied. Align to. After that, as shown in FIG. 4C, the metal thin film 10 is bonded to the frame 11 using spot welding, seamless welding, or the like. At this time, for example, a polyester mesh is stretched on a square screen frame member, and the peripheral edge of the metal thin film 10 is bonded to the polyester mesh, and then the metal thin film 10 is cut off together with the polyester mesh, whereby a tension T is applied to the metal thin film 10. Append. In this manner, the plurality of metal thin films 10 are stretched on the frame body 11.

次いで、図５（Ａ）に示したように、反射防止膜３０Ａ上に、例えばスプレイコーティング法を用いて、フォトレジスト膜（感光性樹脂層）１２ａを形成する。このとき、例えばスプレイノズル１２０をストローク動作させ、かつ紙面に垂直方向に枠体１１またはスプレイノズル１２０をピッチ送りするようにして、フォトレジスト膜１２ａを塗布する。ここで、本実施の形態のように、複数の金属薄膜１０を枠体１１に貼り合わせた場合には、金属薄膜１０同士の間や金属薄膜１０と枠体１１との境界部分に段差や隙間が生じる。このような場合であっても、スプレイコーティング法を用いることにより、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを均一に形成することができる。こののち、プリベークを行い、塗布したフォトレジスト膜１２ａを乾燥させる。 Next, as shown in FIG. 5A, a photoresist film (photosensitive resin layer) 12a is formed on the antireflection film 30A by using, for example, a spray coating method. At this time, for example, the photoresist film 12a is applied by causing the spray nozzle 120 to perform a stroke operation and pitch-feeding the frame body 11 or the spray nozzle 120 in a direction perpendicular to the paper surface. Here, when a plurality of metal thin films 10 are bonded to the frame 11 as in the present embodiment, a step or a gap is formed between the metal thin films 10 or at the boundary between the metal thin film 10 and the frame 11. Occurs. Even in such a case, the photoresist films 12a and 12b can be uniformly formed by using the spray coating method. Thereafter, pre-baking is performed, and the applied photoresist film 12a is dried.

続いて、図５（Ｂ）に示したように、反射防止膜３０Ｂ上に、フォトレジスト膜１２ａと同様にして、フォトレジスト膜１２ｂを形成する。このように、金属薄膜１０の表面および裏面の両側に、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを介してフォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 5B, a photoresist film 12b is formed on the antireflection film 30B in the same manner as the photoresist film 12a. In this way, the photoresist films 12a and 12b are formed on both sides of the front and back surfaces of the metal thin film 10 via the antireflection films 30A and 30B.

次いで、図６（Ａ）に示したように、後の工程において、エッチング液の浸入を防止するために、金属薄膜１０と枠体１１との重ね合わせの境界部分に、目止め部１３を形成する。具体的には、裏面側において、上記境界部分にフォトレジスト膜１２ａ，１２ｂよりも濃いめ（固形分の多い）のフォトレジストを、ディスペンサ１２１などを用いて塗布したのち乾燥させることにより目止め部１３を形成する。続いて、図６（Ｂ）に示したように、表面側においても、隣接する金属薄膜１０同士の間の領域に、上記と同様にして目止め部１３を形成する。 Next, as shown in FIG. 6A, in the subsequent process, in order to prevent the intrusion of the etching solution, the sealing portion 13 is formed at the boundary portion where the metal thin film 10 and the frame body 11 overlap. To do. Specifically, on the back surface side, the stopper 13 is formed by applying a thicker (more solid content) photoresist than the photoresist films 12a and 12b to the boundary portion using the dispenser 121 and drying it. Form. Subsequently, as shown in FIG. 6B, the sealing portions 13 are formed in the same manner as described above in the region between the adjacent metal thin films 10 also on the surface side.

続いて、図７（Ａ）に示したように、レーザダイレクト露光機１２２に、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを形成後の金属薄膜１０の表面側を向かい合わせ、フォトレジスト膜１２ａに通過孔１０Ａ−１のパターンをスキャン描画する。続いて、図７（Ｂ）に示したように、レーザダイレクト露光機１２２に、金属薄膜１０の裏面側を向かい合わせると共にフォトレジスト膜１２ａのパターンと位置合わせしたのち、フォトレジスト膜１２ｂに通過孔１０Ａ−１のパターンをスキャン描画する。このとき、金属薄膜１０に形成される通過孔１０Ａ−１の開口面積が、表面側よりも裏面側において大きくなるように、露光パターンを設定する。 Subsequently, as shown in FIG. 7A, the surface side of the metal thin film 10 after the formation of the photoresist films 12a and 12b is opposed to the laser direct exposure machine 122, and the passage hole 10A- is formed in the photoresist film 12a. 1 pattern is scanned and drawn. Subsequently, as shown in FIG. 7B, the back side of the metal thin film 10 is opposed to the laser direct exposure machine 122 and aligned with the pattern of the photoresist film 12a, and then a through hole is formed in the photoresist film 12b. The 10A-1 pattern is scanned and drawn. At this time, the exposure pattern is set so that the opening area of the passage hole 10A-1 formed in the metal thin film 10 is larger on the back side than on the front side.

このとき、レーザとしては、例えば図８に示したような発振波長帯域が４００ｎｍ〜４１０ｎｍ付近となる青紫色発光レーザを用いる。また、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂとしては、図９に示したような分光感度を有する感光成樹脂材料を用いることが望ましい。更に、パターン全体の平面形状が、図１０に示したように、四角形の４辺の中央部分が内側に湾曲したような形状１４となるようにするとよい。これは、エッチング後に金属薄膜１０の見かけのヤング率が低下することから、通過孔１０Ａ−１が変形を起こすことがあるためである。すなわち、金属薄膜１０の変形量を予め解析しておき、この変形量を見込んで補正をかけた形状（例えば、形状１４）としておけば、より精度良く通過孔１０Ａ−１を形成することができる。 At this time, for example, a blue-violet light emitting laser whose oscillation wavelength band is in the vicinity of 400 nm to 410 nm as shown in FIG. 8 is used as the laser. Further, as the photoresist films 12a and 12b, it is desirable to use a photosensitive resin material having spectral sensitivity as shown in FIG. Furthermore, the planar shape of the entire pattern may be a shape 14 in which the central portions of the four sides of the square are curved inward as shown in FIG. This is because the apparent Young's modulus of the metal thin film 10 decreases after etching, and thus the passage hole 10A-1 may be deformed. That is, if the deformation amount of the metal thin film 10 is analyzed in advance and the shape is corrected in consideration of the deformation amount (for example, the shape 14), the passage hole 10A-1 can be formed with higher accuracy. .

次いで、図１１（Ａ）に示したように、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを現像することにより、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂに通過孔１０Ａ−１のパターンをそれぞれ形成する。これにより、通過孔１０Ａ−１に対応する反射防止膜３０Ａ，３０Ｂの表面の一部が露出する。 Next, as shown in FIG. 11A, by developing the photoresist films 12a and 12b, patterns of the passage holes 10A-1 are formed in the photoresist films 12a and 12b, respectively. Thereby, a part of surface of antireflection film 30A, 30B corresponding to passage hole 10A-1 is exposed.

続いて、図１１（Ｂ）に示したように、例えば塩化第２鉄液などのエッチング液を用いて、金属薄膜１０の両側からエッチングを施すことにより、通過孔１０Ａ−１を形成する。エッチングの過程では、まず、通過孔１０Ａ−１のパターンに基づいて、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂがそれぞれ除去される。これにより、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂには、通過孔１０Ａ−１に対応して開口３０Ａ１，３０Ｂ１（図３）がそれぞれ形成される。こののち、上記パターンに基づいて金属薄膜１０が表面側および裏面側からそれぞれ除去される。このようにして、金属薄膜１０に図３に示したような形状を有する通過孔１０Ａ−１を複数形成する。最後に、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを剥離し、洗浄および乾燥を行うことにより、図１〜図３に示した蒸着用マスク１を完成する。 Subsequently, as shown in FIG. 11B, by using an etching solution such as ferric chloride solution, etching is performed from both sides of the metal thin film 10, thereby forming the passage hole 10A-1. In the etching process, first, the antireflection films 30A and 30B are removed based on the pattern of the passage hole 10A-1. Thereby, openings 30A1 and 30B1 (FIG. 3) are respectively formed in the antireflection films 30A and 30B corresponding to the passage holes 10A-1. Thereafter, the metal thin film 10 is removed from the front surface side and the back surface side based on the pattern. In this way, a plurality of passage holes 10A-1 having a shape as shown in FIG. Finally, the photoresist films 12a and 12b are peeled off, washed and dried, thereby completing the vapor deposition mask 1 shown in FIGS.

［３．本実施の形態の作用、効果］
本実施の形態では、金属薄膜１０の両面に、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを塗布する前に反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを形成する。すなわち、金属薄膜１０の両面に、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを介してフォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを形成する。こののち、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂに通過孔１０Ａ−１のパターンを描画する。 [3. Actions and effects of the present embodiment]
In the present embodiment, the antireflection films 30A and 30B are formed on both surfaces of the metal thin film 10 before the photoresist films 12a and 12b are applied. That is, the photoresist films 12a and 12b are formed on both surfaces of the metal thin film 10 via the antireflection films 30A and 30B. Thereafter, the pattern of the passage hole 10A-1 is drawn on the photoresist films 12a and 12b.

このとき、仮に図１２（Ａ）に示したように、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂが金属薄膜１０の両面に直に形成されている場合には、照射光Ｌ０は、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを透過したのち、金属薄膜１０の表面または裏面において反射し易くなる。この反射光Ｌ１により、意図しない領域におけるフォトレジスト膜１０２ａ，１０２ｂが感光してしまうため、いわゆるハレーションが発生して精度良くパターンを形成することが困難となる。 At this time, as shown in FIG. 12A, when the photoresist films 12a and 12b are formed directly on both surfaces of the metal thin film 10, the irradiation light L0 is applied to the photoresist films 12a and 12b. After being transmitted, it becomes easy to reflect on the front surface or the back surface of the metal thin film 10. This reflected light L1 exposes the photoresist films 102a and 102b in unintended regions, so that so-called halation occurs and it is difficult to form a pattern with high accuracy.

これに対し、本実施の形態では、図１２（Ｂ）に示したように、照射光Ｌ０は、金属薄膜１０の表面に到達する前に反射防止膜３０Ａ，３０Ｂによって吸収される。よって、上記のようなハレーションの原因となる反射光Ｌ１の発生が抑制される。 On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 12B, the irradiation light L0 is absorbed by the antireflection films 30A and 30B before reaching the surface of the metal thin film 10. Therefore, generation | occurrence | production of the reflected light L1 which causes the above halation is suppressed.

ここで、実施例１として反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを形成した場合（図１２（Ａ）の構成）について、レーザ光の反射率を測定した。また、比較例１として反射防止膜を形成しない場合（図１２（Ｂ）の構成）についても、レーザ光の反射率を測定した。このとき、金属薄膜１０としては、膜厚が５０μｍのインバー材を用いた。実施例１では、この金属薄膜１０の両面に、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを、黒色無電解ニッケルめっきを用いて膜厚３μｍで成膜した。また、反射率の測定は、島津製作所製ＵＶ−２４００ＰＣを用いて行った。図１３に、実施例１および比較例１の波長に対する反射率の関係を示す。このように、例えば波長４００ｎｍ付近における反射率は、反射防止膜を形成していない比較例１では約２９％であるのに対し、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを形成した実施例１では、約１０％となり、１／３程度にまで低下する。この結果は、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを介してフォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを形成することにより、反射光の発生が抑制されてハレーションが生じにくくなることを示している。 Here, in the case where the antireflection films 30A and 30B were formed as Example 1 (configuration in FIG. 12A), the reflectance of the laser light was measured. Further, also in the case where no antireflection film was formed as Comparative Example 1 (configuration in FIG. 12B), the reflectance of the laser beam was measured. At this time, an invar material having a thickness of 50 μm was used as the metal thin film 10. In Example 1, antireflection films 30A and 30B were formed on both surfaces of the metal thin film 10 to a thickness of 3 μm using black electroless nickel plating. The reflectance was measured using UV-2400PC manufactured by Shimadzu Corporation. In FIG. 13, the relationship of the reflectance with respect to the wavelength of Example 1 and Comparative Example 1 is shown. Thus, for example, the reflectance in the vicinity of a wavelength of 400 nm is about 29% in Comparative Example 1 in which the antireflection film is not formed, whereas it is about 10 in Example 1 in which the antireflection films 30A and 30B are formed. % And decreases to about 1/3. This result shows that the formation of the photoresist films 12a and 12b via the antireflection films 30A and 30B suppresses the generation of reflected light and makes it difficult for halation to occur.

以上のように、本実施の形態では、金属薄膜１０の両面に反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを形成したのち、この反射防止膜３０Ａ，３０Ｂ上にフォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを形成して露光する。反射防止膜３０Ａ，３０Ｂにより、露光時におけるハレーションの発生を抑制して通過孔１０Ａ−１のパターンを精度良く形成することができる。このようにして形成したパターンに基づいて、金属薄膜１０および反射防止膜３０Ａ，３０Ｂにエッチングを施すことにより、通過孔１０Ａ−１を精度良く形成することが可能となる。 As described above, in this embodiment, after the antireflection films 30A and 30B are formed on both surfaces of the metal thin film 10, the photoresist films 12a and 12b are formed on the antireflection films 30A and 30B and exposed. The antireflection films 30A and 30B can suppress the generation of halation during exposure and form the pattern of the passage hole 10A-1 with high accuracy. By etching the metal thin film 10 and the antireflection films 30A and 30B based on the pattern thus formed, the passage hole 10A-1 can be accurately formed.

また、通過孔１０Ａ−１を形成する前に金属薄膜１０を枠体１１に張設すれば、通過孔の形成後に金属薄膜を枠体に張設する場合に比べて、通過孔１０Ａ−１の寸法や位置のずれが生じにくくなる。これは、通過孔形成後に張設すると、張力を付加する際に、通過孔に対して応力がかかるためである。また、このような張設時の応力を予め見込んだ寸法で通過孔を形成することも可能ではあるが、各金属薄膜に対して、張力を一定の大きさおよび方向で付加することは極めて困難であるため、精度出しが難しい。この点、本実施の形態のように、張設後に通過孔１０Ａ−１を形成すれば、金属薄膜１０単体での通過孔１０Ａ−１の寸法精度や位置精度に加え、複数の金属薄膜１０間での通過孔１０Ａ−１同士の相対的な位置精度も確保し易くなる。よって、通過孔１０Ａ−１を精度良く形成しつつ、大型化にも対応し易くなる。 Further, if the metal thin film 10 is stretched on the frame body 11 before the passage hole 10A-1 is formed, the passage hole 10A-1 can be compared with the case where the metal thin film is stretched on the frame body after the passage hole is formed. Deviations in dimensions and position are less likely to occur. This is because if the tension is applied after the passage hole is formed, stress is applied to the passage hole when a tension is applied. Although it is possible to form through holes with dimensions that allow for the stress during tensioning in advance, it is extremely difficult to apply tension to each metal thin film in a certain size and direction. Therefore, it is difficult to obtain accuracy. In this regard, if the passage hole 10A-1 is formed after stretching as in the present embodiment, in addition to the dimensional accuracy and position accuracy of the passage hole 10A-1 in the metal thin film 10 alone, a plurality of metal thin film 10 spaces are formed. It becomes easy to ensure the relative positional accuracy of the passage holes 10A-1 at the same position. Therefore, it becomes easy to cope with an increase in size while accurately forming the passage hole 10A-1.

更に、ダイレクト露光法を用いるようにすれば、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂの所望の位置に、所望の形状でパターンをダイレクトに描画することができると共に、通過孔１０Ａ−１の寸法や形状の補正をダイナミックに行うことも可能となる。また、上述したように、複数の金属薄膜１０と枠体１１との貼り合わせによって段差や隙間などが生じるため、フォトマスクを用いた密着露光ではフォトマスクと金属薄膜表面の密着性を確保しにくくなり、露光パターンの精度出しが困難となる。この点、ダイレクト露光法では、上記のような段差や隙間などの表面性に拘らずパターンを描画することができる。よって、ダイレクト露光法を用いれば、通過孔１０Ａ−１のパターンをより精度良く形成することが可能となる。 Further, if the direct exposure method is used, a pattern can be directly drawn in a desired shape at a desired position of the photoresist films 12a and 12b, and the size and shape of the passage hole 10A-1 can be corrected. Can also be performed dynamically. In addition, as described above, steps or gaps are generated by bonding the plurality of metal thin films 10 and the frame 11, so that it is difficult to ensure the adhesion between the photomask and the surface of the metal thin film in the contact exposure using the photomask. Therefore, it is difficult to obtain an accurate exposure pattern. In this regard, in the direct exposure method, a pattern can be drawn regardless of the surface properties such as the above steps and gaps. Therefore, if the direct exposure method is used, the pattern of the passage holes 10A-1 can be formed with higher accuracy.

［４．表示装置２の構成］
図１４は、表示装置２の概略構成を表す断面図である。 [4. Configuration of Display Device 2]
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the display device 2.

表示装置２は、赤色の光を発生する有機発光素子１４Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１４Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１４Ｂとを全体としてマトリクス状に配置することにより構成されている。有機発光素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂは、それぞれ、駆動用基板１５の側から、陽極としての第１電極１６、絶縁膜１７、正孔注入層１８、正孔輸送層１９、発光層、電子輸送層２１、および陰極としての第２電極２２がこの順に積層された構成を有している。但し、発光層としては、有機発光素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂのそれぞれに対応する赤色発光層２０Ｒ、緑色発光層２０Ｇ、および青色発光層２０Ｂが形成されている。これらの赤色発光層２０Ｒ、緑色発光層２０Ｇ、および青色発光層２０Ｂを、本実施の形態に係る蒸着用マスク１を用いて精度良く形成することができる。 The display device 2 includes an organic light emitting element 14R that generates red light, an organic light emitting element 14G that generates green light, and an organic light emitting element 14B that generates blue light as a whole in a matrix. It is configured. The organic light emitting elements 14R, 14G, and 14B are respectively provided with a first electrode 16 as an anode, an insulating film 17, a hole injection layer 18, a hole transport layer 19, a light emitting layer, and an electron transport layer from the driving substrate 15 side. 21 and a second electrode 22 as a cathode are stacked in this order. However, as the light emitting layer, a red light emitting layer 20R, a green light emitting layer 20G, and a blue light emitting layer 20B corresponding to each of the organic light emitting elements 14R, 14G, and 14B are formed. The red light emitting layer 20R, the green light emitting layer 20G, and the blue light emitting layer 20B can be accurately formed using the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment.

このような有機発光素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂは、必要に応じて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ）などの保護膜２３により被覆され、更にこの保護膜２３上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層２４を間にしてガラスなどよりなる封止基板２５が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。 Such organic light-emitting elements 14R, 14G, and 14B are covered with a protective film 23 such as silicon nitride (SiN) or silicon oxide (SiO) as necessary, and a thermosetting resin is further formed on the protective film 23. Alternatively, sealing is performed by bonding a sealing substrate 25 made of glass or the like across the entire surface with an adhesive layer 24 such as an ultraviolet curable resin in between.

第１電極１６は、有機発光素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの各々に対応して形成されている。また、第１電極１６は、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能を有しており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。第１電極１６は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。 The first electrode 16 is formed corresponding to each of the organic light emitting elements 14R, 14G, and 14B. In addition, the first electrode 16 has a function as a reflective electrode that reflects light generated in the light emitting layer, and it is desirable that the first electrode 16 has a reflectance as high as possible in order to increase luminous efficiency. For example, the first electrode 16 has a thickness of 100 nm to 1000 nm, and is silver (Ag), aluminum (Al), chromium (Cr), titanium (Ti), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni ), Molybdenum (Mo), copper (Cu), tantalum (Ta), tungsten (W), platinum (Pt), gold (Au), or the like.

絶縁膜１７は、隣接する第１電極１６同士の間の領域に形成され、第１電極１６間および第１電極１６と第２電極２２との間の絶縁性を確保し、発光領域を正確に所望の形状にするための電極間絶縁膜としての機能を有している。この絶縁膜１７は、例えば、ポリイミドなどの有機材料、または酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機絶縁材料により構成され、第１電極１６の発光領域に対応して開口部を有している。なお、発光層は、発光領域だけでなく絶縁膜１７の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは絶縁膜１７の第１電極１６に対応する開口部だけである。 The insulating film 17 is formed in a region between the adjacent first electrodes 16 to ensure insulation between the first electrodes 16 and between the first electrode 16 and the second electrode 22, so that the light emitting region can be accurately defined. It has a function as an interelectrode insulating film for obtaining a desired shape. The insulating film 17 is made of, for example, an organic material such as polyimide, or an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO ₂ ), and has an opening corresponding to the light emitting region of the first electrode 16. The light emitting layer may be continuously provided not only on the light emitting region but also on the insulating film 17, but light emission occurs only in the opening corresponding to the first electrode 16 of the insulating film 17. .

正孔注入層１８、正孔輸送層１９および電子輸送層２１は、有機発光素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの共通の層となっている。なお、正孔注入層１８、正孔輸送層１９および電子輸送層２１は、必要に応じて設ければよく、発光色によりそれぞれ構成が異なっていてもよい。 The hole injection layer 18, the hole transport layer 19, and the electron transport layer 21 are layers common to the organic light emitting devices 14R, 14G, and 14B. The hole injection layer 18, the hole transport layer 19, and the electron transport layer 21 may be provided as necessary and may have different configurations depending on the emission color.

正孔注入層１８は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。この正孔注入層１８は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、例えば２５ｎｍであり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。 The hole injection layer 18 is a buffer layer for improving hole injection efficiency and preventing leakage. The hole injection layer 18 has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm, for example, 25 nm, and is 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) or 4, It is composed of 4 ′, 4 ″ -tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine (2-TNATA).

正孔輸送層１９は、赤色発光層２０Ｒ、緑色発光層２０Ｇおよび青色発光層２０Ｂへの正孔輸送効率を高めるためのものである。この正孔輸送層１９は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、例えば３０ｎｍであり、４，４’−ビス（Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（α−ＮＰＤ）により構成されている。 The hole transport layer 19 is for increasing the efficiency of hole transport to the red light emitting layer 20R, the green light emitting layer 20G, and the blue light emitting layer 20B. The hole transport layer 19 has, for example, a thickness of 5 nm to 300 nm, for example, 30 nm, and is composed of 4,4′-bis (N-1-naphthyl-N-phenylamino) biphenyl (α-NPD). Yes.

赤色発光層２０Ｒは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。緑色発光層２０Ｇは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。青色発光層２０Ｂは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。 The red light emitting layer 20R has, for example, a thickness of 10 nm or more and 100 nm or less, and 9,10-di- (2-naphthyl) anthracene (ADN) with 2,6≡bis [4′≡methoxydiphenylamino) styryl] ≡1. , 5≡dicyanonaphthalene (BSN) mixed with 30% by weight. The green light emitting layer 20G has a thickness of, for example, 10 nm or more and 100 nm or less, and is configured by mixing 5% by volume of coumarin 6 with ADN. The blue light emitting layer 20B has, for example, a thickness of 10 nm or more and 100 nm or less, and 2,4′≡bis [2≡ {4≡ (N, N≡diphenylamino) phenyl} vinyl] biphenyl (DPAVBi) is added to ADN. It is composed of a mixture of 5% by weight.

電子輸送層２１は、例えば、厚みが２０ｎｍであり、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ₃）により構成されている。なお、この電子輸送層２１と後述の第２電極２２との間に、電子注入効率を高めるために、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ₂Ｏなどにより構成される電子注入層を設けるようにしてもよい。 The electron transport layer 21 has, for example, a thickness of 20 nm and is made of 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq ₃ ). Note that an electron injection layer made of, for example, LiF, Li ₂ O, or the like may be provided between the electron transport layer 21 and a second electrode 22 described later in order to increase electron injection efficiency.

第２電極２２は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金、もしくはＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）やＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）などの透明電極材料により構成されていてもよい。 The second electrode 22 has, for example, a thickness of 5 nm to 50 nm, and a simple substance or an alloy of a metal element such as aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), sodium (Na), or ITO (indium. It may be composed of a transparent electrode material such as tin composite oxide) or IZO (indium / zinc composite oxide).

このような表示装置２は、例えば次のようにして作製することができる。 Such a display device 2 can be manufactured as follows, for example.

まず、平坦化した駆動用基板１５上に、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第１電極１６を形成し、例えばエッチング法により所定の形状に成形する。次いで、例えばフォトリソグラフィ法により、上述した材料よりなる絶縁膜１７を形成する。このとき、第１電極１６の発光領域に対応して開口部を設けるようにする。こののち、上述した材料よりなる正孔注入層１８および正孔輸送層１９を例えば、蒸着法、ＣＶＤ法、印刷法、インクジェット法、転写法などを用いて、第１電極１６上および絶縁膜１７上に形成する。 First, the first electrode 16 made of the above-described material is formed on the planarized driving substrate 15 by, for example, sputtering, and is formed into a predetermined shape by, for example, etching. Next, the insulating film 17 made of the above-described material is formed by, for example, photolithography. At this time, an opening is provided corresponding to the light emitting region of the first electrode 16. Thereafter, the hole injection layer 18 and the hole transport layer 19 made of the above-described materials are formed on the first electrode 16 and the insulating film 17 by using, for example, a vapor deposition method, a CVD method, a printing method, an inkjet method, a transfer method, or the like. Form on top.

次いで、形成した正孔輸送層１９上の各色に対応した素子領域に、赤色発光層２０Ｒ、緑色発光層２０Ｇおよび青色発光層２０Ｂを、本実施の形態の蒸着用マスク１を用いて上述の材料を蒸着させることによりパターン形成する。こののち、形成した各色発光層を覆うように、上述の材料よりなる電子輸送層２１、第２電極２２を、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより順に形成する。最後に、この第２電極２２上に、上述した材料よりなる保護膜２３を、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより形成し、この保護膜２３上に接着層２４を間にして封止基板２５を貼り合わせる。以上により、図１４に示した表示装置２を完成する。 Next, the red light emitting layer 20R, the green light emitting layer 20G, and the blue light emitting layer 20B are formed on the element regions corresponding to the respective colors on the formed hole transport layer 19, using the vapor deposition mask 1 of the present embodiment. The pattern is formed by vapor-depositing. Thereafter, the electron transport layer 21 and the second electrode 22 made of the above-described materials are sequentially formed by, for example, vapor deposition, sputtering, CVD, or the like so as to cover the formed light emitting layers. Finally, a protective film 23 made of the above-described material is formed on the second electrode 22 by, for example, vapor deposition, sputtering, CVD, or the like, and sealed with an adhesive layer 24 in between the protective film 23. The substrate 25 is bonded. Thus, the display device 2 shown in FIG. 14 is completed.

このように、表示装置２の製造方法では、赤色発光層２０Ｒ、緑色発光層２０Ｇおよび青色発光層２０Ｂを、蒸着用マスク１を用いた蒸着によりパターン形成することにより、その各色発光層のパターンが所望の位置に均一な膜厚で精度良く形成される。よって、表示装置２の信頼性が向上する。 Thus, in the manufacturing method of the display device 2, the red light emitting layer 20R, the green light emitting layer 20G, and the blue light emitting layer 20B are patterned by vapor deposition using the vapor deposition mask 1, so that the pattern of each color light emitting layer is changed. It is accurately formed at a desired position with a uniform film thickness. Therefore, the reliability of the display device 2 is improved.

（適用例およびモジュール）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置２のモジュールおよび適用例について説明する。表示装置２は、テレビジョン装置，デジタルスチルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。 (Application examples and modules)
Hereinafter, a module and an application example of the display device 2 described in the above-described embodiment will be described. The display device 2 is a television device, a digital still camera, a notebook personal computer, a portable terminal device such as a mobile phone, or a video camera. The display device 2 uses an externally input video signal or an internally generated video signal as an image or video. The present invention can be applied to display devices for electronic devices in all fields for display.

（モジュール）
表示装置２は、例えば図１５に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、駆動用基板１５の一辺に、封止用基板２５から露出した領域２１０を設け、この領域２１０に後述する信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。 (module)
The display device 2 is incorporated into various electronic devices such as application examples 1 to 5 described later, for example, as a module shown in FIG. In this module, a region 210 exposed from the sealing substrate 25 is provided on one side of the driving substrate 15, and wiring of a signal line driving circuit 120 and a scanning line driving circuit 130 to be described later is extended to the region 210 for external connection. A terminal (not shown) is formed. The external connection terminal may be provided with a flexible printed circuit (FPC) 220 for signal input / output.

駆動用基板１５には、例えば、図１６に示したように、表示領域１１０と、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されている。表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。表示領域１１０は、有機発光素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを全体としてマトリクス状に配置したものである。有機発光素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。 For example, as shown in FIG. 16, a display area 110, a signal line drive circuit 120 that is a video display driver, and a scanning line drive circuit 130 are formed on the drive substrate 15. A pixel drive circuit 140 is formed in the display area 110. In the display area 110, the organic light emitting elements 14R, 14G, and 14B are arranged in a matrix as a whole. The organic light emitting elements 14R, 14G, and 14B have a rectangular planar shape, and a combination of adjacent organic light emitting elements 14R, 14G, and 14B constitutes one pixel.

画素駆動回路１４０は、図１７に示したように、第１電極１６の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。 As shown in FIG. 17, the pixel drive circuit 140 is formed below the first electrode 16, and includes a drive transistor Tr1 and a write transistor Tr2, a capacitor (holding capacitor) Cs therebetween, and a first power supply line (Vcc). And an organic light emitting element 10R (or 10G, 10B) connected in series to the drive transistor Tr1 between the second power supply line (GND). The driving transistor Tr1 and the writing transistor Tr2 are configured by a general thin film transistor (TFT (Thin Film Transistor)), and the configuration may be, for example, an inverted staggered structure (so-called bottom gate type) or a staggered structure (top gate type). There is no particular limitation.

画素駆動回路１４０では、列方向に信号線１２０Ａが複数配置され、行方向に走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。 In the pixel driving circuit 140, a plurality of signal lines 120A are arranged in the column direction, and a plurality of scanning lines 130A are arranged in the row direction. An intersection between each signal line 120A and each scanning line 130A corresponds to one of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B (sub pixel). Each signal line 120A is connected to the signal line drive circuit 120, and an image signal is supplied from the signal line drive circuit 120 to the source electrode of the write transistor Tr2 via the signal line 120A. Each scanning line 130A is connected to the scanning line driving circuit 130, and a scanning signal is sequentially supplied from the scanning line driving circuit 130 to the gate electrode of the writing transistor Tr2 via the scanning line 130A.

（適用例１）
図１８は、上記実施の形態の表示装置２が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、表示装置２により構成されている。 (Application example 1)
FIG. 18 illustrates an appearance of a television device to which the display device 2 of the above embodiment is applied. The television apparatus has, for example, a video display screen unit 300 including a front panel 310 and a filter glass 320, and the video display screen unit 300 is configured by the display device 2.

（適用例２）
図１９は、上記実施の形態の表示装置２が適用されるデジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、表示装置２により構成されている。 (Application example 2)
FIG. 19 shows the appearance of a digital still camera to which the display device 2 of the above embodiment is applied. The digital still camera includes, for example, a flash light emitting unit 410, a display unit 420, a menu switch 430, and a shutter button 440, and the display unit 420 includes the display device 2.

（適用例３）
図２０は、上記実施の形態の表示装置２が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、表示装置２により構成されている。 (Application example 3)
FIG. 20 shows the appearance of a notebook personal computer to which the display device 2 of the above embodiment is applied. The notebook personal computer has, for example, a main body 510, a keyboard 520 for inputting characters and the like, and a display unit 530 that displays an image. The display unit 530 is configured by the display device 2. .

（適用例４）
図２１は、上記実施の形態の表示装置２が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、表示装置２により構成されている。 (Application example 4)
FIG. 21 shows the appearance of a video camera to which the display device 2 of the above embodiment is applied. This video camera has, for example, a main body 610, a subject photographing lens 620 provided on the front side surface of the main body 610, a start / stop switch 630 at the time of photographing, and a display 640. Reference numeral 640 denotes the display device 2.

（適用例５）
図２２は、上記実施の形態の表示装置２が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、表示装置２により構成されている。 (Application example 5)
FIG. 22 shows the appearance of a mobile phone to which the display device 2 of the above embodiment is applied. For example, the mobile phone is obtained by connecting an upper housing 710 and a lower housing 720 with a connecting portion (hinge portion) 730, and includes a display 740, a sub-display 750, a picture light 760, and a camera 770. Yes. The display 740 or the sub display 750 is configured by the display device 2.

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、金属薄膜１０の表面および裏面の双方に反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを形成した構成を例に挙げて説明したが、反射防止膜は必ずしも両面に設けられている必要はない。例えば、金属薄膜の片側からのみエッチングを施すような場合には、金属薄膜の一方の面にのみ反射防止膜が形成されていればよい。また、金属薄膜１０の表面側および裏面側において、交互にフォトレジスト膜の塗布や露光を行うようにしたが、各工程を表面側と裏面側とに施す順序は特に限定されない。 While the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, the configuration in which the antireflection films 30A and 30B are formed on both the front and back surfaces of the metal thin film 10 has been described as an example. However, the antireflection films need not necessarily be provided on both surfaces. Absent. For example, when etching is performed only from one side of the metal thin film, an antireflection film only needs to be formed on one surface of the metal thin film. In addition, although the photoresist film is applied and exposed alternately on the front surface side and the back surface side of the metal thin film 10, the order in which each step is performed on the front surface side and the back surface side is not particularly limited.

また、上記実施の形態では、蒸着用マスクの裏面側に蒸着源を配置し、通過孔の裏面側から表面側に向けて蒸着材料を通過させる構成を例に挙げて説明したが、これに限定されず、逆の構成、すなわち蒸着用マスクの表面側に蒸着源を配置し、通過孔の表面側から裏面側に向けて蒸着材料を通過させる構成であってもよい。但し、この場合には、通過孔の開口面積が、表面側よりも裏面側で小さくなるように、露光パターンを設定することが望ましい。 In the above embodiment, the vapor deposition source is arranged on the back side of the vapor deposition mask and the vapor deposition material is passed from the back side to the front side of the passage hole as an example. Instead, the reverse configuration, that is, the vapor deposition source may be disposed on the front surface side of the vapor deposition mask and the vapor deposition material may be passed from the front surface side to the back surface side of the passage hole. However, in this case, it is desirable to set the exposure pattern so that the opening area of the passage hole is smaller on the back side than on the front side.

更に、上記実施の形態では、枠体１１に対して４つの金属薄膜１０を固着させた構成を例に挙げて説明したが、枠体１１に固着される金属薄膜１０は３つ以下であってもよく５つ以上であってもよい。また、金属薄膜１０の通過孔１０Ａ−１のパターン、通過孔１０Ａ−１の個数や配置構成についても、上記実施の形態に限定されるものではなく、被蒸着対象となる素子基板上のパターン構成に基づき適宜設定されるものである。 Furthermore, in the above embodiment, the configuration in which the four metal thin films 10 are fixed to the frame 11 has been described as an example. However, the number of the metal thin films 10 fixed to the frame 11 is three or less. Or five or more. Further, the pattern of the through holes 10A-1 of the metal thin film 10, the number of the through holes 10A-1 and the arrangement configuration are not limited to the above embodiment, and the pattern configuration on the element substrate to be deposited Is set as appropriate based on the above.

加えて、上記実施の形態では、表示装置２の製造方法において、有機発光素子１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの赤色発光層２０Ｒ、緑色発光層２０Ｇおよび青色発光層２０Ｂについてのみ、蒸着用マスク１を用いて形成する場合を例に挙げて説明したが、これに限定されず、他の有機層、例えば正孔注入層や正孔輸送層、電子輸送層などについても、本発明の蒸着用マスクを用いた蒸着により形成することが可能である。 In addition, in the above embodiment, in the manufacturing method of the display device 2, the vapor deposition mask 1 is used only for the red light emitting layer 20R, the green light emitting layer 20G, and the blue light emitting layer 20B of the organic light emitting elements 14R, 14G, 14B. Although the case where it is formed has been described as an example, the present invention is not limited thereto, and other organic layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like were also used for the evaporation mask of the present invention. It can be formed by vapor deposition.

また、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。 In the above embodiment, the case of an active matrix display device has been described. However, the present invention can also be applied to a passive matrix display device. Furthermore, the configuration of the pixel driving circuit for active matrix driving is not limited to that described in each of the above embodiments, and a capacitor or a transistor may be added as necessary. In that case, a necessary driving circuit may be added in addition to the signal line driving circuit 120 and the scanning line driving circuit 130 described above in accordance with the change of the pixel driving circuit.

更に、上記実施の形態では、有機発光素子の第１電極１６を陽極、第２電極２２を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１６を陰極、第２電極２２を陽極としてもよい。さらに、第１電極１６を陰極、第２電極２２を陽極とすると共に、基板１１の上に、第２電極２２，有機層１６および第１電極１６を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。 Further, in the above embodiment, the case where the first electrode 16 of the organic light emitting element is the anode and the second electrode 22 is the cathode has been described. However, the anode and the cathode are reversed, the first electrode 16 is the cathode, The electrode 22 may be an anode. Further, the first electrode 16 is a cathode and the second electrode 22 is an anode, and the second electrode 22, the organic layer 16, and the first electrode 16 are sequentially stacked on the substrate 11 from the substrate 11 side. It is also possible to extract light from the side.

本発明の一実施の形態に係る蒸着用マスクの概略構成を表す斜視図である。It is a perspective view showing schematic structure of the mask for vapor deposition which concerns on one embodiment of this invention. 図１に示した蒸着用マスクの概略構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the schematic structure of the mask for vapor deposition shown in FIG. 図２に示した蒸着用マスクの通過孔の拡大図である。It is an enlarged view of the passage hole of the mask for vapor deposition shown in FIG. 図１に示した蒸着用マスクの製造方法を工程順に表す断面図である。It is sectional drawing showing the manufacturing method of the vapor deposition mask shown in FIG. 1 in order of a process. 図４に続く工程を表す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 4. 図５に続く工程を表す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 5. 図６に続く工程を表す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 6. 図７に示したレーザダイレクト露光機の発振波長帯域を表す図である。It is a figure showing the oscillation wavelength band of the laser direct exposure machine shown in FIG. 図５〜図７に示したフォトレジスト膜の分光感度を表す図である。It is a figure showing the spectral sensitivity of the photoresist film shown in FIGS. 露光パターンの平面形状を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the planar shape of an exposure pattern. 図７に続く工程を表す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 7. 図７に示した工程における作用を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the effect | action in the process shown in FIG. 実施例１および比較例１の波長に対する反射率の関係を表す図である。It is a figure showing the relationship of the reflectance with respect to the wavelength of Example 1 and Comparative Example 1. 本発明の一実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing schematic structure of the display apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 本実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。It is a top view showing schematic structure of the module containing the display apparatus of this Embodiment. 図１５に示したモジュールにおける表示装置の駆動回路の構成を表す平面図である。FIG. 16 is a plan view illustrating a configuration of a drive circuit of a display device in the module illustrated in FIG. 15. 図１６に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。FIG. 17 is an equivalent circuit diagram illustrating an example of the pixel drive circuit illustrated in FIG. 16. 本実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the example 1 of application of the display apparatus of this Embodiment. 本実施の形態の表示装置の適用例２の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the example 2 of application of the display apparatus of this Embodiment. 本実施の形態の表示装置の適用例３の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the example 3 of application of the display apparatus of this Embodiment. 本実施の形態の表示装置の適用例４の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the application example 4 of the display apparatus of this Embodiment. 本実施の形態の表示装置の適用例５の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the application example 5 of the display apparatus of this Embodiment.

１…蒸着用マスク、２…表示装置、１０…金属薄膜、１１…枠体、１２ａ，１２ｂ…フォトレジスト膜、１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ…有機発光素子、１５…駆動用基板、１６…第１電極、１７…絶縁膜、１８…正孔注入層、１９…正孔輸送層、２０Ｒ…赤色発光層、２０Ｇ…緑色発光層、２０Ｂ…青色発光層、２１…電子輸送層、２２…第２電極、２３…保護膜、２４…接着層、２５…封止基板、３０Ａ，３０Ｂ…反射防止膜。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Evaporation mask, 2 ... Display apparatus, 10 ... Metal thin film, 11 ... Frame, 12a, 12b ... Photoresist film, 14R, 14G, 14B ... Organic light emitting element, 15 ... Drive substrate, 16 ... 1st electrode 17 ... Insulating film, 18 ... Hole injection layer, 19 ... Hole transport layer, 20R ... Red light emitting layer, 20G ... Green light emitting layer, 20B ... Blue light emitting layer, 21 ... Electron transport layer, 22 ... Second electrode, 23 ... Protective film, 24 ... Adhesive layer, 25 ... Sealing substrate, 30A, 30B ... Antireflection film.

Claims

Forming an antireflection film on at least one of the front and back surfaces of the metal thin film; and
Forming a photosensitive resin layer on the antireflection film;
Irradiating the photosensitive resin layer with light to form a pattern of passage holes through which the vapor deposition material passes; and
Forming a through hole by etching the metal thin film and the antireflection film based on a pattern formed on the photosensitive resin layer.

The method for manufacturing a vapor deposition mask according to claim 1, wherein the antireflection film is formed by a film that absorbs the exposure light.

The method for manufacturing a vapor deposition mask according to claim 2, wherein the antireflection film is formed of a black film.

The method for manufacturing a deposition mask according to claim 3, wherein the antireflection film is formed using black electroless nickel (Ni) plating, black chrome (Cr) plating, black chromate, or an iron tetroxide film.

The method for manufacturing a vapor deposition mask according to claim 1, wherein the antireflection film is formed on both a front surface and a back surface of the metal thin film.

The manufacturing method of the vapor deposition mask of Claim 5. Etching is performed from the both sides of the surface of the said metal thin film, and a back surface.

The method for manufacturing a vapor deposition mask according to claim 1, wherein the photosensitive resin layer is irradiated with light by direct exposure.

The method for manufacturing a deposition mask according to claim 1, wherein after forming the antireflection film and before forming the photosensitive resin layer, the metal thin film is fixed to a frame having an opening while applying tension.

A metal thin film having a passage hole;
An antireflection film provided on at least one of the front and back surfaces of the metal thin film and having an opening corresponding to the passage hole;
Evaporation mask with