JP2010194692A - Surface plate and polishing device - Google Patents

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広昭 結城
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface plate improving polishing efficiency with respect to a treated surface of a treated material, and preventing occurrence of damage to or a scratch on the treated material; and a polishing device including the surface plate. <P>SOLUTION: An annular polishing surface 131 and a plurality of recesses 132 opening into the polishing surface 131 are formed in a lower surface plate 130. These recesses 132 are independently formed. The shape of an opening of each recess 132 is a substantially circular shape. The diameter of the opening of each recess 132 is 20 μm to 2 mm. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、定盤および研磨装置に関するものである。   The present invention relates to a surface plate and a polishing apparatus.

従来から、シリコンウエハ等の被処理物の表面(被処理面)の平坦度を向上させるための加工として、被処理面を研磨する研磨加工(ラッピング加工、ポリッシング加工等)が行われている。この研磨加工は、研磨面を有する定盤を用いて行われる。具体的には、研磨面を被処理物の被処理面に押圧した状態で、研磨面と被処理面との間にスラリー状の研磨剤(研磨粒子を懸濁させた液体)を供給しつつ、定盤をその周方向に回転することにより行われる。このような研磨加工の際に使用される定盤としては、その研磨面に複数の溝が形成されているものが知られている(例えば、特許文献1)。   Conventionally, as processing for improving the flatness of the surface (surface to be processed) of an object to be processed such as a silicon wafer, polishing processing (lapping processing, polishing processing, etc.) for polishing the surface to be processed has been performed. This polishing process is performed using a surface plate having a polished surface. Specifically, while the polishing surface is pressed against the surface to be processed, a slurry-like abrasive (a liquid in which abrasive particles are suspended) is supplied between the polishing surface and the surface to be processed. This is done by rotating the surface plate in the circumferential direction. As a surface plate used in such a polishing process, one having a plurality of grooves formed on its polishing surface is known (for example, Patent Document 1).

特許文献1に記載の定盤は、円環状の研磨面に、碁盤目状に形成された複数の溝(x軸方向に延在する複数の第1の溝と、軸方向に直交するy軸方向に延在する複数の第2の溝)が形成されており、この複数の溝によって、研磨面と被処理面との間に研磨剤を浸透し易くしている。しかしながら、このような構成の研磨面を備える定盤では、研磨効率が向上する一方、隣り合う一対の第1の溝と隣り合う一対の第2の溝とで形成された複数のブロック部の角部(エッジ部)によって、被処理面にスクラッチ(擦り傷)が発生したり、被処理物が破損したりする。   The surface plate described in Patent Document 1 includes a plurality of grooves formed in a grid pattern on a circular polished surface (a plurality of first grooves extending in the x-axis direction and a y-axis orthogonal to the axial direction). A plurality of second grooves extending in the direction are formed, and the plurality of grooves make it easy for the abrasive to penetrate between the polishing surface and the surface to be processed. However, in the surface plate provided with the polishing surface having such a configuration, the polishing efficiency is improved, while the corners of the plurality of block portions formed by the pair of adjacent first grooves and the pair of adjacent second grooves. The part (edge part) may cause scratches (scratches) on the surface to be processed or may damage the object to be processed.

特開2003−109924号公報JP 2003-109924 A

本発明の目的は、被処理物の被処理面に対する研磨効率を向上させつつ、被処理物の破損や、スクラッチの発生を防止することができる定盤およびこの定盤を備えた研磨装置を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a surface plate capable of preventing the processing object from being damaged and generating scratches while improving the polishing efficiency of the surface to be processed, and a polishing apparatus equipped with the surface plate. There is to do.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本発明の定盤は、環状の研磨面と、
前記研磨面に開口する複数の凹部とを有し、
前記複数の凹部は、それぞれ、独立して形成されており、
前記複数の凹部の開口形状は、それぞれ、略円状であることを特徴とする。
これにより、研磨面に突出した角部(エッジ)が形成されないため、被処理物の被処理面に対する研磨効率を向上させつつ、被処理物の破損や、スクラッチの発生を防止することができる定盤を提供することができる。また、研磨能力の異方性がなく、被処理物がどのような方向で凹部上を通過しても、被処理物の被処理面を同じように研磨することができる。そのため、被処理面を均一に研磨することができる。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[Application Example 1]
The surface plate of the present invention has an annular polished surface,
A plurality of recesses opening in the polishing surface;
Each of the plurality of recesses is formed independently,
The opening shapes of the plurality of recesses are each substantially circular.
As a result, no protruding corners (edges) are formed on the polishing surface, so that it is possible to prevent the processing object from being damaged or scratching while improving the polishing efficiency of the processing object to the processing surface. A board can be provided. In addition, there is no anisotropy of the polishing ability, and the surface to be processed of the object to be processed can be similarly polished regardless of the direction in which the object passes through the recess. Therefore, the surface to be processed can be uniformly polished.

[適用例2]
本発明の定盤では、前記研磨面は、内周側に位置する第1の領域と、前記第1の領域よりも外側に位置する第2の領域とを有し、前記第1の領域に形成された複数の前記凹部の平均開口径は、前記第2の領域に形成された複数の前記凹部の平均開口径よりも大きいことが好ましい。
これにより、研磨面の内周側と外周側とで、被処理面に対する研磨レートの差を小さくすることができ、被処理面の全域を均一に研磨することができる。
[Application Example 2]
In the surface plate of the present invention, the polishing surface has a first region located on the inner peripheral side, and a second region located outside the first region, and the first region includes the first region. It is preferable that an average opening diameter of the plurality of recessed portions formed is larger than an average opening diameter of the plurality of recessed portions formed in the second region.
Thereby, the difference of the polishing rate with respect to a to-be-processed surface can be made small between the inner peripheral side and the outer peripheral side of a polishing surface, and the whole surface of a to-be-processed surface can be grind | polished uniformly.

[適用例3]
本発明の定盤では、前記研磨面は、内周側に位置する第1の領域と、前記第1の領域よりも外側に位置する第2の領域とを有し、前記第1の領域に形成された複数の前記凹部の平均深さは、前記第2の領域に形成された複数の前記凹部の平均深さよりも深いことが好ましい。
これにより、研磨面の内周側と外周側とで、被処理面に対する研磨レートの差を小さくすることができ、被処理面の全域を均一に研磨することができる。
[Application Example 3]
In the surface plate of the present invention, the polishing surface has a first region located on the inner peripheral side, and a second region located outside the first region, and the first region includes the first region. The average depth of the plurality of recesses formed is preferably deeper than the average depth of the plurality of recesses formed in the second region.
Thereby, the difference of the polishing rate with respect to a to-be-processed surface can be made small between the inner peripheral side and the outer peripheral side of a polishing surface, and the whole surface of a to-be-processed surface can be grind | polished uniformly.

[適用例4]
本発明の定盤では、前記研磨面は、内周側に位置する第1の領域と、前記第1の領域よりも外側に位置する第2の領域とを有し、前記第1の領域における1cmあたりの前記凹部の数は、前記第2の領域における1cmあたりの前記凹部の数よりも多いことが好ましい。
これにより、研磨面の内周側と外周側とで、被処理面に対する研磨レートの差を小さくすることができ、被処理面の全域を均一に研磨することができる。
[Application Example 4]
In the surface plate of the present invention, the polishing surface has a first region located on the inner peripheral side, and a second region located outside the first region, the number of the recesses per 1 cm 2 is preferably larger than the number of said recesses per 1 cm 2 in the second region.
Thereby, the difference of the polishing rate with respect to a to-be-processed surface can be made small between the inner peripheral side and the outer peripheral side of a polishing surface, and the whole surface of a to-be-processed surface can be grind | polished uniformly.

[適用例5]
本発明の定盤では、前記研磨面は、内周側に位置する第1の領域と、前記第1の領域よりも外側に位置する第2の領域とを有し、前記第1の領域における前記凹部の占有率は、前記第2の領域における前記凹部の占有率よりも高いことが好ましい。
これにより、研磨面の内周側と外周側とで、被処理面に対する研磨レートの差を小さくすることができ、被処理面の全域を均一に研磨することができる。
[Application Example 5]
In the surface plate of the present invention, the polishing surface has a first region located on the inner peripheral side, and a second region located outside the first region, The occupation ratio of the recess is preferably higher than the occupation ratio of the recess in the second region.
Thereby, the difference of the polishing rate with respect to a to-be-processed surface can be made small between the inner peripheral side and the outer peripheral side of a polishing surface, and the whole surface of a to-be-processed surface can be grind | polished uniformly.

[適用例6]
本発明の定盤では、前記複数の凹部は、それぞれ、湾曲凹面で構成されている部分を有していることが好ましい。
これにより、凹部内に収容された研磨剤(研磨微粒子)が凹部内から研磨面と被処理面との間に流動し易くなる。そのため、研磨面と被処理面との間に十分な量の研磨剤を供給することができ、被処理面の研磨効率が向上する。また、凹部内に長時間留まる研磨微粒子を無くすことができ、経時的に、複数の研磨微粒子の径をそれぞれほぼ等しく保つことができる。そのため、ラッピングの際に、被処理面にスクラッチが発生したり、被処理物が破損したりすることを効果的に防止することができる。
[Application Example 6]
In the surface plate of the present invention, it is preferable that each of the plurality of concave portions has a portion formed of a curved concave surface.
Thereby, the abrasive | polishing agent (abrasive microparticles | fine-particles) accommodated in the recessed part becomes easy to flow between a grinding | polishing surface and a to-be-processed surface from the inside of a recessed part. Therefore, a sufficient amount of abrasive can be supplied between the polishing surface and the surface to be processed, and the polishing efficiency of the surface to be processed is improved. Further, it is possible to eliminate the abrasive particles that remain in the recess for a long time, and it is possible to keep the diameters of the plurality of abrasive particles approximately equal to each other over time. For this reason, it is possible to effectively prevent the surface to be processed from being scratched or the object to be processed from being damaged during lapping.

[適用例7]
本発明の研磨装置は、本発明の定盤と、
前記定盤の前記研磨面と接触するようにワークを保持する保持手段と、
前記ワークと前記定盤との間に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、
前記ワークと前記研磨面とを相対的に移動する移動手段とを有することを特徴とする。
これにより、被処理物の被処理面に対する研磨効率を向上させつつ、被処理物の破損や、スクラッチの発生を防止することができる定盤を備えた研磨装置を提供することができる。
[Application Example 7]
The polishing apparatus of the present invention comprises the surface plate of the present invention,
Holding means for holding the workpiece so as to come into contact with the polishing surface of the surface plate;
Abrasive supply means for supplying an abrasive between the workpiece and the surface plate;
It has the moving means which moves the said workpiece | work and the said grinding | polishing surface relatively.
Accordingly, it is possible to provide a polishing apparatus including a surface plate that can prevent the processing object from being damaged or scratched while improving the polishing efficiency of the processing object on the processing surface.

本発明の研磨装置の第1実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1st Embodiment of the grinding | polishing apparatus of this invention. 図1に示す研磨装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the polishing apparatus shown in FIG. 1. 図1に示す研磨装置が備える下定盤の平面図である。It is a top view of the lower surface plate with which the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 1 is provided. 図3に示す下定盤の断面図である。It is sectional drawing of the lower surface plate shown in FIG. 本発明の第2実施形態に係る研磨装置が備える下定盤の平面図である。It is a top view of the lower surface plate with which the polisher concerning a 2nd embodiment of the present invention is provided. 図5に示す下定盤の断面図である。It is sectional drawing of the lower surface plate shown in FIG. 本発明の第3実施形態に係る研磨装置が備える下定盤の平面図である。It is a top view of the lower surface plate with which the polisher concerning a 3rd embodiment of the present invention is provided. 本発明の第4実施形態に係る研磨装置が備える下定盤の平面図である。It is a top view of the lower surface plate with which the polisher concerning a 4th embodiment of the present invention is provided.

以下、本発明の定盤および研磨装置を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
まず、本発明の定盤を備える研磨装置(本発明の研磨装置)について説明する。
図1は、本発明の研磨装置の第1実施形態を示す断面図、図2は、図1に示す研磨装置の平面図、図3は、図1に示す研磨装置が備える下定盤の平面図、図4は、図3に示す下定盤の断面図である。
Hereinafter, a surface plate and a polishing apparatus of the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings.
<First Embodiment>
First, a polishing apparatus (the polishing apparatus of the present invention) provided with the surface plate of the present invention will be described.
1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the polishing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the polishing apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of a lower surface plate provided in the polishing apparatus shown in FIG. 4 is a cross-sectional view of the lower surface plate shown in FIG.

なお、以下の説明では、図1中互いに直交する3つの方向をx軸方向、y軸方向およびz軸方向とする。そのうち、下定盤130の研磨面131をxy平面とし、研磨面131の法線方向をz軸方向とする。以下、対応する方向はその他の図においても同様である。また、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図3および図4は、それぞれ、説明の便宜上、下定盤と凹部との大きさのバランスや凹部の数など、実際のものとは異なっている。   In the following description, three directions orthogonal to each other in FIG. 1 are defined as an x-axis direction, a y-axis direction, and a z-axis direction. Of these, the polishing surface 131 of the lower surface plate 130 is the xy plane, and the normal direction of the polishing surface 131 is the z-axis direction. Hereinafter, the corresponding directions are the same in other drawings. Further, the upper side in FIG. 1 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”. 3 and 4 are different from actual ones for convenience of explanation, such as the balance of the size of the lower surface plate and the recesses and the number of recesses.

研磨装置100は、ワーク(被処理物)10の上面および下面をそれぞれ研磨し平坦化(鏡面化)する装置である。
このような研磨装置100は、図1および図2に示すように、ワーク10を支持する4つのキャリア(保持手段)111、112、113、114と、キャリア111〜114の上方に位置する上定盤120と、キャリア111〜114の下方に位置する下定盤130と、駆動軸141の回転により駆動する上定盤支持部140と、駆動軸151の回転により駆動するサンギヤ150と、駆動軸161の回転により駆動する下定盤支持部160と、駆動軸171の回転により駆動するインターナルギヤ170と、上定盤120を昇降動可能に吊り下げる吊下装置180と、研磨剤を供給する研磨剤供給装置190と、駆動装置(移動手段)200とを有している。
The polishing apparatus 100 is an apparatus for polishing and flattening (mirroring) the upper surface and the lower surface of a workpiece (object to be processed) 10.
As shown in FIGS. 1 and 2, such a polishing apparatus 100 includes four carriers (holding means) 111, 112, 113, and 114 that support the workpiece 10, and an upper surface positioned above the carriers 111 to 114. A plate 120, a lower platen 130 positioned below the carriers 111 to 114, an upper platen support unit 140 driven by the rotation of the drive shaft 141, a sun gear 150 driven by the rotation of the drive shaft 151, and the drive shaft 161. Lower platen support 160 that is driven by rotation, internal gear 170 that is driven by rotation of the drive shaft 171, a suspension device 180 that suspends the upper platen 120 so as to be movable up and down, and abrasive supply that supplies abrasive A device 190 and a driving device (moving means) 200 are included.

図1に示すように、4つの駆動軸141、151、161、171は、同心状に配置された多重軸に形成され、内側から、駆動軸141、駆動軸151、駆動軸161、駆動軸171の順で配置されている。これら4つの駆動軸141、151、161、171は、それぞれ、独立してZ軸まわりに回転可能となっている。
駆動軸141の上端には、上定盤支持部140が配置されている。上定盤支持部140は、吊下装置180の作動により上定盤120が下位置に配置されたときに、上定盤120と係合するものである。
また、駆動軸141の下端には、歯車142が配置されている。この歯車142は、後述する歯車204と噛合している。
As shown in FIG. 1, the four drive shafts 141, 151, 161, and 171 are formed as multiple shafts arranged concentrically, and from the inside, the drive shaft 141, the drive shaft 151, the drive shaft 161, and the drive shaft 171 are formed. It is arranged in the order. These four drive shafts 141, 151, 161, and 171 are independently rotatable around the Z axis.
At the upper end of the drive shaft 141, an upper surface plate support portion 140 is disposed. The upper surface plate support part 140 is engaged with the upper surface plate 120 when the upper surface plate 120 is disposed at the lower position by the operation of the suspension device 180.
A gear 142 is disposed at the lower end of the drive shaft 141. The gear 142 meshes with a gear 204 described later.

駆動軸151の上端には、サンギヤ150が配置されている。このサンギヤ150は、上定盤支持部140の下方に位置している。また、サンギヤ150は、上定盤支持部140と同心状に設けられた円環状をなしており、その外周に歯車部153が形成されている。
また、駆動軸151の下端には、歯車152が配置されている。この歯車152は、後述する歯車205と噛合している。
A sun gear 150 is disposed at the upper end of the drive shaft 151. The sun gear 150 is located below the upper surface plate support portion 140. The sun gear 150 has an annular shape provided concentrically with the upper surface plate support portion 140, and a gear portion 153 is formed on the outer periphery thereof.
A gear 152 is disposed at the lower end of the drive shaft 151. The gear 152 meshes with a gear 205 described later.

駆動軸171の上端には、インターナルギヤ170が配置されている。このインターナルギヤ170は、サンギヤ150の周囲(外周)を囲むように配置されている。また、インターナルギヤ170は、サンギヤ150と同心状に形成された円環状をなしており、その内周に歯車部173が形成されている。
また、駆動軸171の下端には、歯車172が配置されている。この歯車172は、後述する歯車207と噛合している。
An internal gear 170 is disposed at the upper end of the drive shaft 171. The internal gear 170 is disposed so as to surround the periphery (outer periphery) of the sun gear 150. The internal gear 170 has an annular shape formed concentrically with the sun gear 150, and a gear portion 173 is formed on the inner periphery thereof.
A gear 172 is disposed at the lower end of the drive shaft 171. The gear 172 meshes with a gear 207 described later.

駆動軸161の上端には、下定盤支持部160が配置されている。この下定盤支持部160は、サンギヤ150とインターナルギヤ170の間に、これらギヤと噛合することなく配置されている。また、下定盤支持部160は、サンギヤ150と同心状に形成された円環状をなしている。
このような下定盤支持部160の上面には、下定盤130が配置されている。下定盤130は、平面視形状が円環状の板状をなしており、その上面に研磨面131を備えている。下定盤130については、後に詳述する。
また、駆動軸161の下端には、歯車162が配置されている。この歯車162は、後述する歯車206と噛合している。
A lower surface plate support portion 160 is disposed at the upper end of the drive shaft 161. The lower surface plate support section 160 is disposed between the sun gear 150 and the internal gear 170 without meshing with these gears. The lower surface plate support portion 160 has an annular shape formed concentrically with the sun gear 150.
A lower surface plate 130 is disposed on the upper surface of the lower surface plate support 160. The lower surface plate 130 has an annular plate shape in plan view, and is provided with a polishing surface 131 on its upper surface. The lower surface plate 130 will be described in detail later.
A gear 162 is disposed at the lower end of the drive shaft 161. The gear 162 meshes with a gear 206 described later.

サンギヤ150とインターナルギヤ170との間であって下定盤130の上方には、4つのキャリア(保持手段)111、112、113、114が設けられている。図2に示すように、これら4つのキャリア111、112、113、114は、サンギヤ150の周方向に等角度間隔(90°間隔)で配置されている。
次いで、図2に基づいて、キャリア111〜114の構成について説明するが、4つのキャリア111〜114は、それぞれ同様の構成であるため、キャリア111について代表して説明し、キャリア112〜114については、その説明を省略する。
Four carriers (holding means) 111, 112, 113, 114 are provided between the sun gear 150 and the internal gear 170 and above the lower surface plate 130. As shown in FIG. 2, these four carriers 111, 112, 113, 114 are arranged at equiangular intervals (90 ° intervals) in the circumferential direction of the sun gear 150.
Next, the configuration of the carriers 111 to 114 will be described with reference to FIG. 2. Since the four carriers 111 to 114 have the same configuration, the carrier 111 will be representatively described, and the carriers 112 to 114 will be described. The description is omitted.

図2に示すように、キャリア111は、円盤状をなしている。また、キャリア111には、その厚さ方向(z軸方向)に貫通する4つの保持孔111aが、キャリア111の周方向に沿って等角度間隔(90°間隔)で形成されている。この4つの保持孔111aは、ワーク10の形状に対応した円形をなし、その径がワーク10の径よりも若干大きくなるように形成されている。そして、キャリア111は、保持孔111aの内側にワーク10を嵌め込むことにより、ワーク10を保持する。   As shown in FIG. 2, the carrier 111 has a disk shape. The carrier 111 has four holding holes 111 a penetrating in the thickness direction (z-axis direction) at equal angular intervals (90 ° intervals) along the circumferential direction of the carrier 111. The four holding holes 111 a have a circular shape corresponding to the shape of the workpiece 10 and are formed so that the diameter thereof is slightly larger than the diameter of the workpiece 10. The carrier 111 holds the workpiece 10 by fitting the workpiece 10 inside the holding hole 111a.

また、キャリア111の外周には、歯車部111bが形成されており、この歯車部111bがサンギヤ150およびインターナルギヤ170のそれぞれと噛合している。そのため、キャリア111は、サンギヤ150とインターナルギヤ170との回転に連動して、サンギヤ150およびインターナルギヤ170の回転方向と回転速度により定まる方向と速度で自転しつつ公転する。   A gear portion 111 b is formed on the outer periphery of the carrier 111, and the gear portion 111 b meshes with the sun gear 150 and the internal gear 170. Therefore, the carrier 111 revolves while rotating at a direction and a speed determined by the rotation direction and the rotation speed of the sun gear 150 and the internal gear 170 in conjunction with the rotation of the sun gear 150 and the internal gear 170.

また、キャリア111の厚さ(z軸方向の長さ)は、ワーク10の厚さよりも若干薄くなっている。そのため、キャリア111が保持孔111aによってワーク10を保持している状態では、保持されたワーク10の上面および下面が、それぞれ、キャリア111の上面および下面から突出する。
このようなキャリア111の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、ガラスエポキシ、塩化ビニルなどの樹脂材料が挙げられる。
Further, the thickness of the carrier 111 (the length in the z-axis direction) is slightly thinner than the thickness of the workpiece 10. Therefore, in a state where the carrier 111 holds the workpiece 10 by the holding hole 111a, the upper surface and the lower surface of the held workpiece 10 protrude from the upper surface and the lower surface of the carrier 111, respectively.
The constituent material of the carrier 111 is not particularly limited, and examples thereof include resin materials such as glass epoxy and vinyl chloride.

キャリア111〜114に保持されるワーク10は、平面視の形状が円形をなす板状のものである。なお、ワーク10の形状としては、特に限定されず、例えば、板状をなしていなくてもよいし、平面視形状が、三角形、四角形等の多角形をなしていてもよい。
このようなワーク10としては、特に限定されないが、例えば、石英ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラス、水晶等の結晶性材料、アルミナ、シリカ、チタニア等の各種セラミックス、シリコン、ガリウム−ヒ素等の各種半導体材料、ダイヤモンド、黒鉛等の炭素系材料、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー、フェノール樹脂、アクリル樹脂等各種プラスチック(樹脂材料)のような誘電体材料で構成されたもの、その他、例えば、アルミニウム、銅、鉄系金属のような各種金属材料が挙げられる。
The workpiece 10 held by the carriers 111 to 114 is a plate having a circular shape in plan view. The shape of the workpiece 10 is not particularly limited. For example, the workpiece 10 may not have a plate shape, and the planar view shape may have a polygonal shape such as a triangle or a quadrangle.
The workpiece 10 is not particularly limited, and examples thereof include various glasses such as quartz glass and alkali-free glass, crystalline materials such as quartz, various ceramics such as alumina, silica, and titania, silicon, gallium arsenide, and the like. Various semiconductor materials, carbon materials such as diamond and graphite, polyethylene, polystyrene, polycarbonate, polyethylene terephthalate, liquid crystal polymer, phenol resin, acrylic resin and other dielectric materials such as plastic materials Examples include various metal materials such as aluminum, copper, and iron-based metals.

吊下装置180は、上定盤120を回転可能に吊り下げて保持している。この吊下装置180は、上定盤120が上定盤支持部140に係合する前述した下位置と、その係合が解除される上位置(図1に示す位置)との間で、上定盤120をz軸方向に昇降動させることができる。また、吊下装置180は、前記下位置となっているときに、所定の圧力で上定盤120をワーク10に押圧するようになっている。
上定盤120は、平面視の形状が円環の板状をなしており、その下面に研磨面121を備えている。また、上定盤120には、厚さ方向に貫通する複数の研磨剤供給孔(図示せず)が形成されていて、この各研磨剤供給孔に研磨剤供給装置190が備える研磨剤供給管191が接続されている。上定盤120については、後に詳述する。
The suspension device 180 suspends and holds the upper surface plate 120 rotatably. The suspension device 180 has an upper position between the lower position where the upper surface plate 120 is engaged with the upper surface plate support portion 140 and the upper position where the engagement is released (the position shown in FIG. 1). The surface plate 120 can be moved up and down in the z-axis direction. Further, the suspension device 180 is configured to press the upper surface plate 120 against the workpiece 10 with a predetermined pressure when being in the lower position.
The upper surface plate 120 has an annular plate shape in plan view, and has a polishing surface 121 on its lower surface. The upper surface plate 120 is formed with a plurality of abrasive supply holes (not shown) penetrating in the thickness direction, and the abrasive supply pipes provided in the abrasive supply device 190 in the respective abrasive supply holes. 191 is connected. The upper surface plate 120 will be described in detail later.

研磨剤供給管191および研磨剤供給孔を介して供給された研磨剤は、その一部がワーク10と上定盤120との間に浸透するとともに、一部が各キャリア111〜114に形成された保持孔111a〜114aとワーク10との間を通過して、ワーク10と下定盤130との間に浸透する。
研磨剤供給装置190によって供給される研磨剤としては、特に限定されないが、例えば、研磨微粒子(砥粒)を例えば水系の分散媒に分散してスラリー状にしたものが挙げられる。
A part of the abrasive supplied through the abrasive supply pipe 191 and the abrasive supply hole penetrates between the workpiece 10 and the upper surface plate 120, and a part thereof is formed on each of the carriers 111 to 114. Passing between the holding holes 111 a to 114 a and the workpiece 10, it penetrates between the workpiece 10 and the lower surface plate 130.
The abrasive supplied by the abrasive supply device 190 is not particularly limited, and examples thereof include a slurry in which abrasive fine particles (abrasive grains) are dispersed in, for example, an aqueous dispersion medium.

研磨微粒子としては、特に限定されないが、例えば、酸化セリウム(CeO)、二酸化マンガン(MnO)、ヒュームドアルミナ、コロイダルアルミナ等のアルミニウム酸化物(Al)などの金属酸化物、沈降シリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等の珪素酸化物(SiO)などが挙げられる。
研磨微粒子の平均粒径としては、研磨対象となるワーク10の種類や要求される加工速度等に応じて適宜設定することができるが、2μm〜10μm程度であるのが好ましく、5μm程度であるのがさらに好ましい。
The abrasive fine particles are not particularly limited. For example, metal oxides such as cerium oxide (CeO 2 ), manganese dioxide (MnO 2 ), fumed alumina, colloidal alumina, and other metal oxides (Al 2 O 3 ), precipitation Examples thereof include silicon oxides (SiO 2 ) such as silica, fumed silica and colloidal silica.
The average particle size of the abrasive fine particles can be appropriately set according to the type of workpiece 10 to be polished, the required processing speed, etc., but is preferably about 2 μm to 10 μm, and is about 5 μm. Is more preferable.

分散媒としては、水系、有機系のいずれでもよく、また、これらを混合したものであってもよい。ここで、有機系の分散媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族系、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系、ブタノール、イソプロパノール、エタノール、メタノールなどのアルコール系、エチルセロソルブ、メチルセロソルブなどのエーテル系、酢酸エチル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、酪酸メチルなどのエステル系のもの、およびこれらの混合物などが挙げられる。また、水系の分散媒としては、例えば、水などが挙げられる。   The dispersion medium may be either aqueous or organic, or a mixture thereof. Here, examples of the organic dispersion medium include aromatics such as benzene, toluene, and xylene, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, alcohols such as butanol, isopropanol, ethanol, and methanol, ethyl cellosolve, and methyl. Examples include ethers such as cellosolve, esters such as ethyl acetate, methyl formate, ethyl formate, and methyl butyrate, and mixtures thereof. Examples of the aqueous dispersion medium include water.

駆動装置200は、駆動源としての駆動モータ201と、駆動モータ201の回転方向を直角に変更するギヤボックス202と、ギヤボックス202から延出した出力軸203と、出力軸203に固定された前述した4つの歯車204、205、206、207とを有している。また、前述したように、歯車204、205、206、207は、それぞれ、歯車142、152、162、172と噛合している。
駆動モータ201を作動すると、ギヤボックス202、出力軸203および歯車204、205、206、207を介して、駆動軸141、151、161、171がそれぞれ回転駆動し、上定盤120、サンギヤ150、下定盤130、インターナルギヤ170が、所定の回転数および回転方向で回転駆動する。
The drive device 200 includes a drive motor 201 as a drive source, a gear box 202 that changes the rotation direction of the drive motor 201 to a right angle, an output shaft 203 that extends from the gear box 202, and the above-described fixed to the output shaft 203. 4 gears 204, 205, 206, and 207. Further, as described above, the gears 204, 205, 206, and 207 mesh with the gears 142, 152, 162, and 172, respectively.
When the drive motor 201 is operated, the drive shafts 141, 151, 161, and 171 are rotationally driven through the gear box 202, the output shaft 203, and the gears 204, 205, 206, and 207, respectively, and the upper surface plate 120, the sun gear 150, The lower surface plate 130 and the internal gear 170 are rotationally driven at a predetermined rotational speed and rotational direction.

次いで、上定盤120および下定盤130について説明する。
本発明の定盤は、ワーク10を研磨する際に用いられる定盤である。ここで、ワーク10の研磨には、荒い研磨を行うラッピングと、このラッピング後に鏡面研磨を行うポリッシングとが含まれる。本発明の定盤は、これら研磨のうち、ラッピングに用いられるラップ定盤である。
Next, the upper surface plate 120 and the lower surface plate 130 will be described.
The surface plate of the present invention is a surface plate used when the workpiece 10 is polished. Here, the polishing of the workpiece 10 includes lapping for rough polishing and polishing for mirror polishing after the lapping. The surface plate of the present invention is a lapping surface plate used for lapping among these polishings.

また、本発明の定盤は、上定盤120および下定盤130の少なくとも一方に適用することができるが、双方に適用することが好ましい。本実施形態では、本発明の定盤を上定盤120および下定盤130の双方に適用したものについて説明する。
上定盤120は、前述した研磨剤供給孔が形成されている以外は、下定盤130と同様の構成であるため、下定盤130について代表して説明し、上定盤120については、その説明を省略する。また、図3、図4中の上側を「上」、下側を「下」、左側を「左」、右側を「右」と言う。
The surface plate of the present invention can be applied to at least one of the upper surface plate 120 and the lower surface plate 130, but it is preferable to apply to both. In the present embodiment, a case where the surface plate of the present invention is applied to both the upper surface plate 120 and the lower surface plate 130 will be described.
Since the upper surface plate 120 has the same configuration as the lower surface plate 130 except that the above-described abrasive supply holes are formed, the lower surface plate 130 will be described as a representative, and the upper surface plate 120 will be described. Is omitted. 3 and 4, the upper side is referred to as "upper", the lower side as "lower", the left side as "left", and the right side as "right".

図3に示すように、下定盤130は、平面視形状が円環状の板状をなしている。また、下定盤130の上面(ワーク10側の面)は、円環状の研磨面131を構成している。
下定盤130の内径としては、特に限定されないが、300〜500mm程度であるのが好ましい。また、下定盤130の外径としては、特に限定されないが、500〜700mm程度であるのが好ましい。また、下定盤130の厚さとしては、特に限定されないが、20〜50mm程度であるのが好ましい。
As shown in FIG. 3, the lower surface plate 130 has an annular plate shape in plan view. Further, the upper surface (surface on the workpiece 10 side) of the lower surface plate 130 constitutes an annular polishing surface 131.
Although it does not specifically limit as an internal diameter of the lower surface plate 130, It is preferable that it is about 300-500 mm. The outer diameter of the lower surface plate 130 is not particularly limited, but is preferably about 500 to 700 mm. The thickness of the lower surface plate 130 is not particularly limited, but is preferably about 20 to 50 mm.

図3に示すように、研磨面131は、内周側に位置する第1の領域131aと、第1の領域131aの外側を囲むように位置する第2の領域131bとを有している。第1の領域131aおよび第2の領域131bは、それぞれ、研磨面131の内外周と同心的な円環状をなしている。また、第1の領域131aと第2の領域131bの境界(境界線)は、研磨面131の内周および外周の離間距離(径方向の距離)をRとしたとき、研磨面131の内周から径方向に1/3R〜2/3R程度離間した点を通るのが好ましい。本実施形態では、研磨面131の内周から径方向に1/2R離間した点を通るように前記境界を設定している。   As shown in FIG. 3, the polishing surface 131 has a first region 131a located on the inner peripheral side and a second region 131b located so as to surround the outside of the first region 131a. Each of the first region 131a and the second region 131b has an annular shape concentric with the inner and outer periphery of the polishing surface 131. Further, the boundary (boundary line) between the first region 131a and the second region 131b is the inner periphery of the polishing surface 131, where R is the distance between the inner periphery and the outer periphery of the polishing surface 131 (the radial distance). It is preferable to pass through a point spaced about 1 / 3R to 2 / 3R in the radial direction. In the present embodiment, the boundary is set so as to pass through a point that is 1/2 R apart from the inner circumference of the polishing surface 131 in the radial direction.

下定盤130は、このような研磨面131に開口する複数の凹部132を有している。なお、以下では、説明の便宜上、第1の領域131aに位置する凹部132を「第1の凹部132a」とも言い、第2の領域131bに位置する凹部132を「第2の凹部132b」とも言う。また、単に「凹部132」と記載されている時は、第1の凹部132aおよび第2の領域131bの双方を含むものとする。   The lower surface plate 130 has a plurality of recesses 132 opened in such a polishing surface 131. In the following, for convenience of explanation, the recess 132 located in the first region 131a is also referred to as “first recess 132a”, and the recess 132 located in the second region 131b is also referred to as “second recess 132b”. . In addition, when “depressed portion 132” is simply described, it includes both the first recessed portion 132a and the second region 131b.

各凹部132は、一旦、その内側に研磨剤を収容(保持)し、その後、適量の研磨剤を研磨面131とワーク10の下面10a(以下、「被処理面10a」とも言う)との間に供給する(浸透させる)機能を有している。このような機能を有する凹部132を研磨面131に複数設けることにより、被処理面10aの研磨効率が向上する。また、研磨面131に複数の凹部132を形成しても、研磨面131に角部(従来のような各ブロックの角部)が形成されないため、被処理面10aの研磨中に被処理面10aにスクラッチが発生したり、酷くはワーク10が破損したりすることを防止できる。すなわち、本発明の定盤によれば、ワーク10の破損や、被処理面10aにスクラッチが発生するのを防止しつつ、被処理面10aの研磨効率を向上させることができる。   Each recess 132 once accommodates (holds) an abrasive inside thereof, and thereafter, an appropriate amount of abrasive is placed between the polishing surface 131 and the lower surface 10a of the workpiece 10 (hereinafter also referred to as “surface to be processed 10a”). It has the function of supplying (penetrating) to By providing a plurality of recesses 132 having such a function on the polishing surface 131, the polishing efficiency of the surface to be processed 10a is improved. In addition, even if a plurality of recesses 132 are formed on the polishing surface 131, corners (corner portions of the respective blocks as in the prior art) are not formed on the polishing surface 131. Thus, it is possible to prevent the occurrence of scratches or the damage of the workpiece 10. That is, according to the surface plate of the present invention, it is possible to improve the polishing efficiency of the surface to be processed 10a while preventing the workpiece 10 from being damaged and the surface to be processed 10a from being scratched.

このような各凹部132は、独立して形成されている(すなわち、他の凹部132と連通することなく形成されている)。また、各凹部132の開口形状は、略円形状である。これにより、研磨面131は、等方性の研磨特性を得ることができ(等方的な研磨が可能となり)、ワーク10がどのような方向で凹部132上を通過しても、被処理面10aを同じように(同じ研磨レートで)研磨することができる。そのため、研磨面131によれば、ワーク10の被処理面10aを均一に研磨することができる。   Each of such recesses 132 is formed independently (that is, formed without communicating with the other recesses 132). Moreover, the opening shape of each recessed part 132 is substantially circular shape. As a result, the polishing surface 131 can obtain isotropic polishing characteristics (isotropic polishing is possible), and the surface to be processed no matter what direction the workpiece 10 passes over the recess 132. 10a can be polished in the same way (at the same polishing rate). Therefore, according to the polishing surface 131, the processing target surface 10a of the workpiece 10 can be uniformly polished.

このような各凹部132の径(直径)としては、特に限定されないが、20μm〜2mm程度であることが好ましい。これにより、特に、研磨剤中の研磨微粒子の径が前述したような2μm〜10μm程度の場合(好ましくは5μmの場合)、各凹部132に十分な量の研磨剤(研磨微粒子)を収容することができる。そのため、各凹部132内から、研磨面131と被処理面10aとの間に研磨剤を効率的に供給することができる。
また、本実施形態では、複数の第1の凹部132aの平均開口径が、複数の第2の凹部132bの平均開口径よりも大きく設定されている。これにより、被処理面10aの全域を均一に研磨することができる。
The diameter (diameter) of each recess 132 is not particularly limited, but is preferably about 20 μm to 2 mm. Thereby, in particular, when the diameter of the abrasive fine particles in the abrasive is about 2 μm to 10 μm as described above (preferably 5 μm), a sufficient amount of the abrasive (abrasive fine particles) is accommodated in each recess 132. Can do. Therefore, the abrasive can be efficiently supplied from the inside of each recess 132 between the polishing surface 131 and the surface to be processed 10a.
In the present embodiment, the average opening diameter of the plurality of first recesses 132a is set larger than the average opening diameter of the plurality of second recesses 132b. Thereby, the whole area of the processing target surface 10a can be uniformly polished.

具体的には、前述した研磨装置100を用いて(ワーク10を保持したキャリア111が自転しながら公転することにより)ワーク10の被処理面10aを研磨する場合、ワーク10が第1の領域131aを通過する際の移動速度(回転速度)は、第2の領域131bを通過する際の移動速度よりも遅いため、研磨面131の被処理面10aに対する研磨レートは、第1の領域131aの方が第2の領域131bよりも低くなる。そのため、第1の領域131aの研磨レートを第2の領域131bの研磨レートと同程度まで高めるために、複数の第1の凹部132aの平均開口径を、複数の第2の凹部132bの平均開口径よりも大きく設定した。これにより、被処理面10aに対する研磨レートが第1の領域131aと第2の領域131bとでほぼ等しくなり、前述したように、被処理面10aの全域を均一に研磨することができる。   Specifically, when the surface 10a to be processed of the workpiece 10 is polished using the above-described polishing apparatus 100 (by the carrier 111 holding the workpiece 10 revolving while rotating), the workpiece 10 is in the first region 131a. Since the moving speed (rotational speed) when passing through the second region 131b is slower than the moving speed when passing through the second region 131b, the polishing rate of the polishing surface 131 with respect to the processing surface 10a is higher than that in the first region 131a. Becomes lower than the second region 131b. Therefore, in order to increase the polishing rate of the first region 131a to the same level as the polishing rate of the second region 131b, the average opening diameter of the plurality of first recesses 132a is set to the average opening of the plurality of second recesses 132b. It was set larger than the aperture. As a result, the polishing rate for the surface to be processed 10a becomes substantially equal between the first region 131a and the second region 131b, and the entire surface of the surface to be processed 10a can be uniformly polished as described above.

複数の第1の凹部132aの平均開口径としては、特に限定されないが、1mm〜2mm程度であるのが好ましい。また、複数の第2の凹部132bの平均開口径としては、特に限定さないが、20μm〜200μm程度であるのが好ましい。このような組み合わせにすることにより、上述した効果がより顕著となる(すなわち、被処理面10aの全域をより均一に研磨することができる)。   Although it does not specifically limit as an average opening diameter of the some 1st recessed part 132a, It is preferable that it is about 1 mm-2 mm. The average opening diameter of the plurality of second recesses 132b is not particularly limited, but is preferably about 20 μm to 200 μm. By using such a combination, the above-described effect becomes more remarkable (that is, the entire surface 10a can be polished more uniformly).

また、図3に示すように、本実施形態では、研磨面131の内周から外周に向けて、凹部132の径が徐々に小さくなっている。言い換えれば、第1の領域131aと第2の領域131bとの境界付近に位置する凹部132の径は、研磨面131の内周近傍に位置する凹部132の開口径よりも小さく、研磨面131の外周近傍に位置する凹部132の開口径よりも大きい。これにより、研磨レートを研磨面131の内周側から外周側に向けて徐々に変化させることができる。   As shown in FIG. 3, in the present embodiment, the diameter of the recess 132 gradually decreases from the inner periphery to the outer periphery of the polishing surface 131. In other words, the diameter of the recess 132 located near the boundary between the first region 131 a and the second region 131 b is smaller than the opening diameter of the recess 132 located near the inner periphery of the polishing surface 131, and It is larger than the opening diameter of the recessed part 132 located in the outer periphery vicinity. Thereby, the polishing rate can be gradually changed from the inner peripheral side of the polishing surface 131 toward the outer peripheral side.

図4は、下定盤130の断面図である。同図に示すように、各凹部132は、湾曲凹面で構成されている。これにより、凹部132内に収容された研磨微粒子が凹部132内から研磨面131と被処理面10aとの間に流動し易くなる。そのため、研磨面131と被処理面10aとの間に十分な量の研磨微粒子(研磨剤)を供給することができ、被処理面10aに対する研磨効率が向上する。   FIG. 4 is a cross-sectional view of the lower surface plate 130. As shown in the figure, each recess 132 is formed of a curved concave surface. As a result, the abrasive fine particles accommodated in the recess 132 can easily flow between the polishing surface 131 and the surface to be processed 10 a from the recess 132. Therefore, a sufficient amount of polishing fine particles (abrasive) can be supplied between the polishing surface 131 and the surface to be processed 10a, and the polishing efficiency for the surface to be processed 10a is improved.

また、凹部132を湾曲凹面で構成すると、凹部132内に長時間留まる研磨微粒子が無くなる(減少する)。ここで、前述した研磨剤供給装置190から研磨面131と被処理面10aとの間に供給された研磨剤は、例えば下定盤130の縁から排出された後回収され、再度、研磨剤供給装置190から研磨面131と被処理面10aとの間に供給されることがある。この場合には、凹部132を湾曲凹面で構成し、凹部132内に長時間留まる研磨微粒子を無くすことにより、全ての研磨微粒子が均一に研磨の用に供され、研磨微粒子の粒径分布を経時的に一定に保つことができる。すなわち、研磨剤を再利用し、使用を重ねても、多数の研磨微粒子の径をほぼ等しく保ち続けることができるため、ラッピングの際に、被処理面10aにスクラッチが発生したり、ワーク10が破損したりすることを効果的に防止することができる。   Further, when the concave portion 132 is formed of a curved concave surface, the abrasive fine particles staying in the concave portion 132 for a long time are eliminated (decreased). Here, the polishing agent supplied between the polishing surface 131 and the surface to be processed 10a from the above-described polishing agent supply device 190 is recovered after being discharged from the edge of the lower surface plate 130, for example, and is again supplied to the polishing agent supply device. 190 may be supplied between the polishing surface 131 and the surface to be processed 10a. In this case, the concave portion 132 is formed of a curved concave surface, and by eliminating the abrasive fine particles that remain in the concave portion 132 for a long time, all the abrasive fine particles are uniformly used for polishing, and the particle size distribution of the abrasive fine particles is changed over time. Can be kept constant. That is, even if the abrasive is reused and used repeatedly, the diameters of a large number of abrasive particles can be kept substantially equal, so that when the lapping is performed, scratches occur on the surface 10a to be processed, It is possible to effectively prevent breakage.

各凹部132の深さ(最大深さ)としては、特に限定されないが、10μm〜1mm程度であるのが好ましい。これにより、特に、研磨剤中の研磨微粒子の径が前述したような2μm〜10μm程度の場合(好ましくは5μmの場合)、各凹部132に十分な量の研磨剤(研磨微粒子)を収容することができる。そのため、各凹部132内から、研磨面131と被処理面132との間に研磨剤を効率的に供給することができる。   Although it does not specifically limit as the depth (maximum depth) of each recessed part 132, It is preferable that it is about 10 micrometers-1 mm. Thereby, in particular, when the diameter of the abrasive fine particles in the abrasive is about 2 μm to 10 μm as described above (preferably 5 μm), a sufficient amount of the abrasive (abrasive fine particles) is accommodated in each recess 132. Can do. Therefore, it is possible to efficiently supply the abrasive between the polishing surface 131 and the surface to be processed 132 from within each recess 132.

また、研磨面131、1cmあたりに形成された凹部132の数としては、特に限定されないが、10〜100個程度であるのが好ましい。これにより、各凹部132内に収容された研磨剤を、研磨面131と被処理面10aとの間の全領域に効率よく供給することができるため、研磨面131と被処理面10aとの間に研磨剤が存在しない部位が発生するのを効果的に防止でき、被処理面10aにスクラッチが発生したり、ワーク10が破損したりするのを防止することができる。さらに、被処理面10aに対する研磨効率が向上する。 Further, the number of recesses 132 formed per 1 cm 2 of the polishing surface 131 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 100. Thereby, since the abrasive | polishing agent accommodated in each recessed part 132 can be efficiently supplied to the whole area | region between the grinding | polishing surface 131 and the to-be-processed surface 10a, it is between the polishing surface 131 and the to-be-processed surface 10a. It is possible to effectively prevent the occurrence of a portion where no abrasive is present on the surface, and it is possible to prevent the surface to be treated 10a from being scratched or the workpiece 10 from being damaged. Furthermore, the polishing efficiency for the surface to be processed 10a is improved.

また、研磨面131に対する複数の凹部132の占有率は、特に限定されないが、20〜80%程度であるのが好ましい。これにより、各凹部132に収容された研磨剤を研磨面131と被処理面10aとの間に十分に供給することができるとともに、被処理面10aに対する研磨効率が向上する。
このような複数の凹部132の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、研削材を研磨面131に高速で噴射し、その衝撃力で研磨面131に複数の凹部132を形成する各種ブラスト加工や、研削材を混合した水を高圧に圧縮して研磨面131に噴射することにより、研磨面131に複数の凹部132を形成するウォータージェット加工により形成することが好ましい。ブラスト加工やウォータージェット加工によれば、比較的簡単に、湾曲凹面で構成された微小径の凹部132を高い密度(または低い密度)で形成することができる。また、平坦面である研磨面131に後から凹部132を形成するため、研磨面131の平面度を優れたものとすることができる。
The occupation ratio of the plurality of recesses 132 with respect to the polishing surface 131 is not particularly limited, but is preferably about 20 to 80%. Thus, the abrasive contained in each recess 132 can be sufficiently supplied between the polishing surface 131 and the surface to be processed 10a, and the polishing efficiency for the surface to be processed 10a is improved.
A method for forming such a plurality of recesses 132 is not particularly limited. For example, various blasting processes in which an abrasive is sprayed onto the polishing surface 131 at a high speed and the impact surface is used to form the plurality of recesses 132 on the polishing surface 131. Alternatively, it is preferably formed by water jet processing in which a plurality of recesses 132 are formed on the polishing surface 131 by compressing water mixed with an abrasive to a high pressure and spraying the water onto the polishing surface 131. According to blast processing or water jet processing, it is possible to relatively easily form the minute-diameter concave portion 132 composed of a curved concave surface at a high density (or low density). Further, since the recess 132 is formed later on the polishing surface 131 which is a flat surface, the flatness of the polishing surface 131 can be made excellent.

また、下定盤130の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、鉄、ニッケル、コバルト、金、白金、銀、銅、マンガン、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、鉛、錫、チタン、タングステン等の各種金属、またはこれらのうちの少なくとも1種を含む合金または金属間化合物、ダクタイル鋳鉄FCD400、FCD450、FCD700、またはねずみ鋳鉄FC400、FC450等の鋳鉄、さらには、これらの金属の酸化物、窒化物、炭化物等が挙げられる。このうち、合金としては、例えば、ステンレス鋼(例えば、SUS303、SUS304、SUS316、SUS316L、SUS316J1、SUS316J1L、SUS318、SUS405、SUS430、SUS434、SUS444、SUS429、SUS430F、SUS302等)、インコネル、ハステロイ、黄銅、青銅、白洋、丹銅、真鍮、ベリリウム銅、超弾性合金(例えば、Ni−Ti系合金、Ni−Al系合金、Cu−Zn系合金)、超硬合金(例えば、炭化タングステンとコバルトを混合して焼結したもの)、その他例えばジュラルミン等の各種アルミニウム系合金が挙げられる。   In addition, the constituent material of the lower surface plate 130 is not particularly limited. For example, various materials such as iron, nickel, cobalt, gold, platinum, silver, copper, manganese, aluminum, magnesium, zinc, lead, tin, titanium, tungsten, etc. Metals, alloys or intermetallic compounds containing at least one of these, ductile cast iron FCD400, FCD450, FCD700, cast iron such as gray cast iron FC400, FC450, and oxides, nitrides, carbides of these metals Etc. Among these, examples of alloys include stainless steel (for example, SUS303, SUS304, SUS316, SUS316L, SUS316J1, SUS316J1L, SUS318, SUS405, SUS430, SUS434, SUS444, SUS429, SUS430F, SUS302, etc.), Inconel, Copper, Hastelloy, Bronze, Hakuyo, Danko, Brass, Beryllium copper, Superelastic alloys (eg, Ni-Ti alloys, Ni-Al alloys, Cu-Zn alloys), cemented carbides (eg, tungsten carbide and cobalt are mixed) And other aluminum alloys such as duralumin.

また、下定盤130の製法としては、特に限定されないが、例えば、鋳造、鍛造、粉体焼結(MIM法を含む)などが挙げられる。
以上のような研磨装置100は、次のようにして作動する。
まず、吊下装置180を前記上位置にした状態で、上定盤120および下定盤130をそれぞれ吊下装置180および下定盤支持部160に固定する。次いで、4つのキャリア111〜114の各保持孔111a〜114aにワーク10を嵌め込み(すなわち、本実施形態では、最大で16枚のワーク10を保持することができる)、その後、吊下装置180を作動して前記下位置とする。これにより、上定盤120と上定盤支持部140とが係合するとともに、上定盤120の研磨面121が、各ワーク10の上面に押圧接触する。
Moreover, the manufacturing method of the lower surface plate 130 is not particularly limited, and examples thereof include casting, forging, and powder sintering (including the MIM method).
The polishing apparatus 100 as described above operates as follows.
First, the upper surface plate 120 and the lower surface plate 130 are fixed to the suspension device 180 and the lower surface plate support portion 160, respectively, with the suspension device 180 in the upper position. Next, the workpieces 10 are fitted into the holding holes 111a to 114a of the four carriers 111 to 114 (that is, in the present embodiment, a maximum of 16 workpieces 10 can be held). Operate to the lower position. As a result, the upper surface plate 120 and the upper surface plate support portion 140 are engaged, and the polishing surface 121 of the upper surface plate 120 is in press contact with the upper surface of each workpiece 10.

この状態で、研磨剤供給装置190を作動して、上定盤120に形成された研磨剤供給孔を介して、ワーク10上面と研磨面121の間およびワーク10下面と研磨面131の間に研磨剤を浸透させるとともに、駆動モータ201を作動して、上定盤120、サンギヤ150、下定盤130およびインターナルギヤ170をそれぞれ所定の回転数および回転方向に回転駆動する。すると、キャリア111〜114が前述したように自転しながら公転するとともに、上定盤120および下定盤130が、それぞれ周方向に回転し、ワーク10と研磨面121、131とが相対的に移動する。これにより、ワーク10の上面および下面がそれぞれ研磨される。   In this state, the abrasive supply device 190 is operated, and between the work 10 upper surface and the polishing surface 121 and between the work 10 lower surface and the polishing surface 131 through the polishing agent supply hole formed in the upper surface plate 120. The abrasive is infiltrated and the drive motor 201 is operated to rotate the upper surface plate 120, the sun gear 150, the lower surface plate 130, and the internal gear 170 in a predetermined rotational speed and rotation direction, respectively. Then, as described above, the carriers 111 to 114 revolve while rotating, and the upper surface plate 120 and the lower surface plate 130 rotate in the circumferential direction, so that the workpiece 10 and the polishing surfaces 121 and 131 move relatively. . Thereby, the upper surface and the lower surface of the workpiece 10 are each polished.

<第2実施形態>
次に、本発明の研磨装置の第2実施形態について説明する。
図5は、本発明の第2実施形態に係る研磨装置が備える下定盤の平面図、図6は、図5に示す下定盤の断面図である。なお、図5および図6は、それぞれ、説明の便宜上、下定盤と凹部との大きさのバランスや凹部の数など、実際のものとは異なっている。
以下、第2実施形態の研磨装置について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the polishing apparatus of the present invention will be described.
FIG. 5 is a plan view of the lower surface plate provided in the polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the lower surface plate shown in FIG. 5 and 6 are different from actual ones for convenience of explanation, such as the balance of the size of the lower surface plate and the recesses and the number of recesses.
Hereinafter, the polishing apparatus according to the second embodiment will be described with a focus on differences from the above-described embodiment, and description of similar matters will be omitted.

本発明の第2実施形態にかかる研磨装置では、上定盤および下定盤に形成された凹部の構成が異なる以外は、前述した第1実施形態と同様である。なお、前述した第1実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。また、上定盤は、研磨剤供給孔が形成されている以外は、下定盤の構成と同様であるため、下定盤について代表して説明し、上定盤については、その説明を省略する。   The polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention is the same as that of the first embodiment described above except that the configuration of the recesses formed on the upper surface plate and the lower surface plate is different. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to 1st Embodiment mentioned above. The upper platen is the same as the lower platen except that the abrasive supply holes are formed. Therefore, the lower platen will be described as a representative, and the description of the upper platen will be omitted.

図5に示すように、下定盤130の研磨面131には、開口形状が略円形状の凹部132が複数形成されている。複数の凹部132の開口径は、それぞれほぼ等しく、20μm〜2mm程度である。
図6は、下定盤130の断面図である。同図に示すように、本実施形態では、複数の第1の凹部132aの平均深さ(最大深さ)が、複数の第2の凹部132bの平均深さよりも深く設定されている。このような研磨面131によれば、被処理面10aの全域を均一に研磨することができる。
As shown in FIG. 5, the polishing surface 131 of the lower surface plate 130 is formed with a plurality of concave portions 132 having a substantially circular opening. The opening diameters of the plurality of recesses 132 are approximately equal to each other and are approximately 20 μm to 2 mm.
FIG. 6 is a cross-sectional view of the lower surface plate 130. As shown in the figure, in the present embodiment, the average depth (maximum depth) of the plurality of first recesses 132a is set deeper than the average depth of the plurality of second recesses 132b. According to such a polishing surface 131, the entire area of the processing target surface 10a can be uniformly polished.

前述の第1実施形態で説明したように、研磨装置100を用いてワーク10の被処理面10aを研磨する場合、被処理面10aに対する研磨レートは、第1の領域131aの方が、第2の領域131bよりも低くなる。そのため、第1の領域131aの研磨レートを第2の領域131bの研磨レートと同程度まで高めるために、複数の第1の凹部132aの平均深さを複数の第2の凹部132bの平均深さよりも深く設定し、第1の領域131aに第2の領域131bよりも多くの(単位面積当たりに多くの)研磨剤が供給されるようにした。これにより、被処理面10aに対する研磨レートが第1の領域131aと第2の領域131bとでほぼ等しくなり、前述したように、被処理面10aの全域を均一に研磨することができる。   As described in the first embodiment, when the surface 10a to be processed of the workpiece 10 is polished using the polishing apparatus 100, the polishing rate for the surface 10a to be processed is higher in the first region 131a. It becomes lower than the area 131b. Therefore, in order to increase the polishing rate of the first region 131a to the same level as the polishing rate of the second region 131b, the average depth of the plurality of first recesses 132a is made larger than the average depth of the plurality of second recesses 132b. Also, the first region 131a was supplied with more abrasive (more per unit area) than the second region 131b. As a result, the polishing rate for the surface to be processed 10a becomes substantially equal between the first region 131a and the second region 131b, and the entire surface of the surface to be processed 10a can be uniformly polished as described above.

複数の第1の凹部132aの平均深さとしては、特に限定されないが、0.5mm〜1mm程度であるのが好ましい。また、複数の第2の凹部132bの平均深さとしては、特に限定さないが、10μm〜100μm程度であるのが好ましい。このような組み合わせにすることにより、上述した効果がより顕著となる。
また、本実施形態では、研磨面131の内周から外周に向けて、凹部132の深さが徐々に浅くなっている。言い換えれば、第1の領域131aと第2の領域131bとの境界付近に位置する凹部132の深さは、研磨面131の内周近傍に位置する凹部132の深さよりも浅く、研磨面131の外周近傍に位置する凹部132の深さよりも深い。これにより、研磨レートを研磨面131の内周側から外周側に向けて徐々に変化させることができる。
以上のような第2実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
Although it does not specifically limit as an average depth of the some 1st recessed part 132a, It is preferable that it is about 0.5 mm-1 mm. The average depth of the plurality of second recesses 132b is not particularly limited, but is preferably about 10 μm to 100 μm. By using such a combination, the above-described effect becomes more remarkable.
In the present embodiment, the depth of the concave portion 132 gradually decreases from the inner periphery to the outer periphery of the polishing surface 131. In other words, the depth of the concave portion 132 located near the boundary between the first region 131a and the second region 131b is shallower than the depth of the concave portion 132 located near the inner periphery of the polishing surface 131. It is deeper than the depth of the recessed part 132 located in the outer periphery vicinity. Thereby, the polishing rate can be gradually changed from the inner peripheral side of the polishing surface 131 toward the outer peripheral side.
According to the second embodiment as described above, the same effect as that of the first embodiment can be exhibited.

<第3実施形態>
次に、本発明の研磨装置の第3実施形態について説明する。
図7は、本発明の第3実施形態に係る研磨装置が備える下定盤の平面図である。なお、図7は、説明の便宜上、下定盤と凹部との大きさのバランスや凹部の数など、実際のものとは異なっている。
以下、第3実施形態の研磨装置について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the polishing apparatus of the present invention will be described.
FIG. 7 is a plan view of the lower surface plate provided in the polishing apparatus according to the third embodiment of the present invention. Note that FIG. 7 differs from an actual one for convenience of explanation, such as the balance of the size of the lower surface plate and the recesses and the number of recesses.
Hereinafter, the polishing apparatus according to the third embodiment will be described with a focus on differences from the above-described embodiment, and description of similar matters will be omitted.

本発明の第3実施形態にかかる研磨装置では、上定盤および下定盤に形成された凹部の構成が異なる以外は、前述した第1実施形態と同様である。なお、前述した第1実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。また、上定盤は、研磨剤供給孔が形成されている以外は、下定盤の構成と同様であるため、下定盤について代表して説明し、上定盤については、その説明を省略する。   The polishing apparatus according to the third embodiment of the present invention is the same as that of the first embodiment described above except that the configuration of the recesses formed on the upper surface plate and the lower surface plate is different. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to 1st Embodiment mentioned above. The upper platen is the same as the lower platen except that the abrasive supply holes are formed. Therefore, the lower platen will be described as a representative, and the description of the upper platen will be omitted.

図7に示すように、下定盤130の研磨面131には、開口形状が略円形状の凹部132が複数形成されている。各凹部132の径は、ほぼ等しく20μm〜2mm程度である。また、各凹部132の深さ(最大深さ)は、それぞれほぼ等しく、10μm〜1mm程度である。
本実施形態では、第1の領域131a、1cmあたりの第1の凹部132aの数が、第2の領域131b、1cmあたりの第2の凹部132bの数よりも多く設定されている。このような研磨面131によれば、被処理面10aの全域を均一に研磨することができる。
As shown in FIG. 7, the polishing surface 131 of the lower surface plate 130 is formed with a plurality of recesses 132 having a substantially circular opening. The diameters of the recesses 132 are approximately equal to about 20 μm to 2 mm. Moreover, the depth (maximum depth) of each recessed part 132 is substantially equal, respectively, and is about 10 micrometers-1 mm.
In the present embodiment, the number of first recesses 132a per first region 131a and 1 cm 2 is set to be larger than the number of second recesses 132b per second region 131b and 1 cm 2 . According to such a polishing surface 131, the entire area of the processing target surface 10a can be uniformly polished.

前述の第1実施形態で説明したように、研磨装置100を用いてワーク10の被処理面10aを研磨する場合、被処理面10aに対する研磨レートは、第1の領域131aの方が、第2の領域131bよりも低くなる。そのため、第1の領域131aの研磨レートを第2の領域131bの研磨レートと同程度まで高めるために、第1の領域131a、1cmあたりの第1の凹部132aの数が、第2の領域131b、1cmあたりの第2の凹部132bの数よりも多くなるよう構成した。これにより、被処理面10aに対する研磨レートが第1の領域131aと第2の領域131bとでほぼ等しくなり、前述したように、被処理面10aの全域を均一に研磨することができる。 As described in the first embodiment, when the surface 10a to be processed of the workpiece 10 is polished using the polishing apparatus 100, the polishing rate for the surface 10a to be processed is higher in the first region 131a. It becomes lower than the area 131b. Therefore, in order to increase the polishing rate of the first region 131a to the same level as the polishing rate of the second region 131b, the number of the first recesses 132a per 1 cm 2 of the first region 131a is the second region. 131b was configured to be larger than the number of second recesses 132b per 1 cm 2 . As a result, the polishing rate for the surface to be processed 10a becomes substantially equal between the first region 131a and the second region 131b, and the entire surface of the surface to be processed 10a can be uniformly polished as described above.

第1の領域131a、1cmあたりの第1の凹部132aの数としては、特に限定されないが、70〜100個程度であるのが好ましい。また、第2の領域131b、1cmあたりの第2の凹部132bの数は、特に限定さないが、10〜30個程度であるのが好ましい。このような組み合わせにすることにより、上述した効果がより顕著となる。
また、本実施形態では、研磨面131の内周から外周に向けて、研磨面131、1cmあたりの凹部132の数が段階的に減っている。言い換えれば、第1の領域131aと第2の領域131bとの境界部付近での研磨面131、1cmあたりの凹部132の数は、内周付近での研磨面131、1cmあたりの凹部132の数より少なく、外周近傍での研磨面131、1cmあたりの凹部132の数よりも多い。これにより、研磨レートを研磨面131の内周側から外周側に向けて段階的に変化させることができる。
以上のような第3実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
The number of the first region 131a, a first recess 132a per 1 cm 2, is not particularly limited, preferably about 70 to 100 pieces. The number of the second recesses 132b per 1 cm 2 of the second region 131b is not particularly limited, but is preferably about 10 to 30. By using such a combination, the above-described effect becomes more remarkable.
Further, in the present embodiment, the number of the recesses 132 per 1 cm 2 of the polishing surface 131 is gradually reduced from the inner periphery to the outer periphery of the polishing surface 131. In other words, the number of recesses 132 per 1 cm 2 of the polishing surface 131 near the boundary between the first region 131a and the second region 131b is the number of recesses 132 per 1 cm 2 of the polishing surface 131 near the inner periphery. Is larger than the number of the recesses 132 per 1 cm 2 of the polishing surface 131 in the vicinity of the outer periphery. Thereby, the polishing rate can be changed stepwise from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the polishing surface 131.
According to the third embodiment as described above, the same effect as that of the first embodiment can be exhibited.

<第4実施形態>
次に、本発明の研磨装置の第4実施形態について説明する。
図8は、本発明の第4実施形態に係る研磨装置が備える下定盤の平面図である。なお、図8は、説明の便宜上、下定盤と凹部との大きさのバランスや凹部の数など、実際のものとは異なっている。
以下、第4実施形態の研磨装置について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment of the polishing apparatus of the present invention will be described.
FIG. 8 is a plan view of the lower surface plate provided in the polishing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. Note that FIG. 8 is different from the actual one for convenience of explanation, such as the balance of the size of the lower surface plate and the recesses and the number of recesses.
Hereinafter, the polishing apparatus according to the fourth embodiment will be described with a focus on differences from the above-described embodiment, and description of similar matters will be omitted.

本発明の第4実施形態にかかる研磨装置では、上定盤および下定盤に形成された凹部の構成が異なる以外は、前述した第1実施形態と同様である。なお、前述した第1実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。また、上定盤は、研磨剤供給孔が形成されている以外は、下定盤の構成と同様であるため、下定盤について代表して説明し、上定盤については、その説明を省略する。
図8に示すように、複数の凹部132の径は、それぞれ、異なっている。このような各凹部132の径としては、特に限定されないが、20μm〜2mm程度であるのが好ましい。
The polishing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention is the same as that of the first embodiment described above except that the configuration of the recesses formed on the upper surface plate and the lower surface plate is different. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to 1st Embodiment mentioned above. The upper platen is the same as the lower platen except that the abrasive supply holes are formed. Therefore, the lower platen will be described as a representative, and the description of the upper platen will be omitted.
As shown in FIG. 8, the diameters of the plurality of recesses 132 are different from each other. The diameter of each concave portion 132 is not particularly limited, but is preferably about 20 μm to 2 mm.

本実施形態では、第1の領域131aでの第1の凹部132aの占有率が、第2の領域131bでの第2の凹部132bの占有率よりも高く設定されている。このような研磨面131によれば、被処理面10aの全域を均一に研磨することができる。
前述の第一実施形態で説明したように、研磨装置100を用いてワーク10の被処理面10aを研磨する場合、被処理面10aに対する研磨レートは、第1の領域131aの方が、第2の領域131bよりも低くなる。そのため、第1の領域131aの研磨レートを第2の領域131bの研磨レートと同程度まで高めるために、第1の領域131aでの第1の凹部132aの占有率が、第2の領域131bでの第2の凹部132bの占有率よりも高くなるよう構成した。これにより、被処理面10aに対する研磨レートが第1の領域131aと第2の領域131bとでほぼ等しくなり、前述したように、被処理面10aの全域を均一に研磨することができる。
In the present embodiment, the occupation ratio of the first recess 132a in the first region 131a is set higher than the occupation ratio of the second recess 132b in the second region 131b. According to such a polishing surface 131, the entire area of the processing target surface 10a can be uniformly polished.
As described in the first embodiment, when the surface to be processed 10a of the workpiece 10 is polished using the polishing apparatus 100, the polishing rate for the surface to be processed 10a is higher in the first region 131a. It becomes lower than the area 131b. Therefore, in order to increase the polishing rate of the first region 131a to the same level as the polishing rate of the second region 131b, the occupancy rate of the first recess 132a in the first region 131a is the second region 131b. The occupancy rate of the second recess 132b is set higher. As a result, the polishing rate for the surface to be processed 10a becomes substantially equal between the first region 131a and the second region 131b, and the entire surface of the surface to be processed 10a can be uniformly polished as described above.

第1の領域131aでの第1の凹部132aの占有率としては、特に限定さないが、60%〜80%であるのが好ましい。また、第2の領域131bでの第2の凹部132bの占有率は、特に限定されないが、20%〜40%であるのが好ましい。これにより、前述の効果がより顕著となる。
また、本実施形態では、研磨面131の内周から外周に向けて、研磨面131に対する凹部132の占有率が低くなっている。言い換えれば、第1の領域131aと第2の領域131bとの境界付近での研磨面131に対する凹部132の占有率は、内周付近での研磨面131に対する凹部132の占有率よりも低く、外周近傍での研磨面131に対する凹部132の占有率よりも高い。これにより、研磨レートを研磨面131の内周側から外周側に向けて段階的に変化させることができる。
以上のような第4実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
The occupation ratio of the first recess 132a in the first region 131a is not particularly limited, but is preferably 60% to 80%. Further, the occupation ratio of the second recess 132b in the second region 131b is not particularly limited, but is preferably 20% to 40%. Thereby, the above-mentioned effect becomes more remarkable.
In the present embodiment, the occupancy ratio of the recess 132 with respect to the polishing surface 131 decreases from the inner periphery to the outer periphery of the polishing surface 131. In other words, the occupation ratio of the recess 132 with respect to the polishing surface 131 near the boundary between the first region 131a and the second region 131b is lower than the occupation ratio of the recess 132 with respect to the polishing surface 131 near the inner periphery. It is higher than the occupation ratio of the recess 132 with respect to the polishing surface 131 in the vicinity. Thereby, the polishing rate can be changed stepwise from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the polishing surface 131.
According to the fourth embodiment as described above, the same effect as that of the first embodiment can be exhibited.

以上、本発明の定盤および研磨装置を、図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、本発明の定盤は、前記各実施形態のうち、任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。すなわち、例えば、研磨面の内周側から外周側に向けて、凹部の径を連続的に小さくしつつ、凹部の深さを連続的に浅くしてもよい。   As described above, the surface plate and the polishing apparatus of the present invention have been described based on the illustrated embodiments. However, the present invention is not limited to these, and the configuration of each part is an arbitrary configuration having the same function. Can be substituted. Moreover, other arbitrary structures and processes may be added. Further, the surface plate of the present invention may be a combination of any two or more configurations (features) of the above-described embodiments. That is, for example, the depth of the concave portion may be continuously decreased while the diameter of the concave portion is continuously reduced from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the polishing surface.

また、前述した実施形態では、ワークの両面を研磨する研磨装置について説明したが、これに限定されず、ワークの上面および下面のうちの一方の面のみを研磨するよう構成されたものであってもよい。
また、前述した実施形態では、上定盤の研磨面に形成された凹部と、下定盤の研磨面に形成された凹部とが、同様の構成となっているものについて説明したが、これに限定されず、例えば、前述した第1実施形態の下定盤と、前述した第2実施形態の上定盤とを組み合わせてもよい。すなわち、上定盤の研磨面に形成された溝と、下定盤の研磨面に形成された溝とが、異なる構成となっていてもよい。
また、前述した実施形態では、本発明の定盤を、上定盤および下定盤に適用したものについて説明したが、これに限定されず、例えば、上定盤および下定盤の一方のみに本発明の定盤を適用したものであってもよい。
In the above-described embodiment, the polishing apparatus for polishing both surfaces of the workpiece has been described. However, the present invention is not limited to this, and is configured to polish only one of the upper surface and the lower surface of the workpiece. Also good.
In the above-described embodiment, the concave portion formed on the polishing surface of the upper surface plate and the concave portion formed on the polishing surface of the lower surface plate are described as having the same configuration, but the present invention is not limited thereto. For example, the lower surface plate of the first embodiment described above and the upper surface plate of the second embodiment described above may be combined. That is, the groove formed on the polishing surface of the upper surface plate and the groove formed on the polishing surface of the lower surface plate may have different configurations.
In the above-described embodiment, the surface plate of the present invention is applied to the upper surface plate and the lower surface plate. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention is applied to only one of the upper surface plate and the lower surface plate. The surface plate may be applied.

10……ワーク 10a……被処理面 100……研磨装置 111〜114……キャリア 111a〜114a……保持孔 111b……歯車部 120……上定盤 121……研磨面 130……下定盤 131……研磨面 131a……第1の領域 131b……第2の領域 132……凹部 132a……第1の凹部 132b……第2の凹部 140……上定盤支持部 141……駆動軸 142……歯車 150……サンギヤ 151……駆動軸 152……歯車 153……歯車部 160……下定盤支持部 161……駆動軸 162……歯車 170……インターナルギヤ 171……駆動軸 172……歯車 173……歯車部 180……吊下装置 190……研磨剤供給装置 191……研磨剤供給管 200……駆動装置 201……駆動モータ 202……ギヤボックス 203……出力軸 204〜207……歯車   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Work 10a ... Surface to be treated 100 ... Polishing apparatus 111-114 ... Carrier 111a-114a ... Holding hole 111b ... Gear part 120 ... Upper surface plate 121 ... Polishing surface 130 ... Lower surface plate 131 …… Polished surface 131a …… first region 131b …… second region 132 …… concave portion 132a …… first concave portion 132b …… second concave portion 140 …… upper surface plate support portion 141 …… drive shaft 142 ... Gear 150 ... Sun gear 151 ... Drive shaft 152 ... Gear 153 ... Gear portion 160 ... Lower surface plate support portion 161 ... Drive shaft 162 ... Gear 170 ... Internal gear 171 ... Drive shaft 172 ... ... gear 173 ... gear section 180 ... suspension device 190 ... abrasive supply device 191 ... abrasive supply tube 200 ... drive device 201 ... drive Motor 202 ...... gearbox 203 ...... output shaft 204-207 ...... gear

Claims (7)

環状の研磨面と、
前記研磨面に開口する複数の凹部とを有し、
前記複数の凹部は、それぞれ、独立して形成されており、
前記複数の凹部の開口形状は、それぞれ、略円状であることを特徴とする定盤。
An annular polished surface;
A plurality of recesses opening in the polishing surface;
Each of the plurality of recesses is formed independently,
An opening shape of the plurality of concave portions is a substantially circular shape, respectively.
前記研磨面は、内周側に位置する第1の領域と、前記第1の領域よりも外側に位置する第2の領域とを有し、前記第1の領域に形成された複数の前記凹部の平均開口径は、前記第2の領域に形成された複数の前記凹部の平均開口径よりも大きい請求項1に記載の定盤。   The polishing surface has a first region located on the inner peripheral side and a second region located outside the first region, and the plurality of recesses formed in the first region. The surface opening according to claim 1, wherein the average opening diameter is larger than the average opening diameter of the plurality of recesses formed in the second region. 前記研磨面は、内周側に位置する第1の領域と、前記第1の領域よりも外側に位置する第2の領域とを有し、前記第1の領域に形成された複数の前記凹部の平均深さは、前記第2の領域に形成された複数の前記凹部の平均深さよりも深い請求項1に記載の定盤。   The polishing surface has a first region located on the inner peripheral side and a second region located outside the first region, and the plurality of recesses formed in the first region. 2. The surface plate according to claim 1, wherein the average depth is deeper than the average depth of the plurality of recesses formed in the second region. 前記研磨面は、内周側に位置する第1の領域と、前記第1の領域よりも外側に位置する第2の領域とを有し、前記第1の領域における1cmあたりの前記凹部の数は、前記第2の領域における1cmあたりの前記凹部の数よりも多い請求項1に記載の定盤。 The polishing surface has a first region located on the inner peripheral side and a second region located outside the first region, and the recesses per 1 cm 2 in the first region. The surface plate according to claim 1, wherein the number is larger than the number of the concave portions per 1 cm 2 in the second region. 前記研磨面は、内周側に位置する第1の領域と、前記第1の領域よりも外側に位置する第2の領域とを有し、前記第1の領域における前記凹部の占有率は、前記第2の領域における前記凹部の占有率よりも高い請求項1に記載の定盤。   The polishing surface has a first region located on the inner peripheral side and a second region located outside the first region, and the occupation ratio of the recesses in the first region is: The platen according to claim 1, wherein the surface area is higher than an occupation ratio of the concave portion in the second region. 前記複数の凹部は、それぞれ、湾曲凹面で構成されている部分を有している請求項1ないし5のいずれかに記載の定盤。   The surface plate according to any one of claims 1 to 5, wherein each of the plurality of concave portions has a portion formed of a curved concave surface. 請求項1ないし6のいずれかに記載の定盤と、
前記定盤の前記研磨面と接触するようにワークを保持する保持手段と、
前記ワークと前記定盤との間に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、
前記ワークと前記研磨面とを相対的に移動する移動手段とを有することを特徴とする研磨装置。
A surface plate according to any one of claims 1 to 6,
Holding means for holding the workpiece so as to come into contact with the polishing surface of the surface plate;
Abrasive supply means for supplying an abrasive between the workpiece and the surface plate;
A polishing apparatus comprising a moving means for relatively moving the workpiece and the polishing surface.
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