JP2010191989A - 記憶制御システム及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】記憶制御システム上に存在する複数のLUの各々が、複数のchunkに分割される。PVOLはFC-chunkのみで構成され、SVOLは、FC-chunkとSATA-chunkの両方で構成される。複数のPVOL-chunkにそれぞれ対応した複数のSVOL-chunkの各々には、対応するPVOL-chunkのサブデータの更新頻度に基づいて、複数のプールchunkの中から選択されたFC-chunkとSATA-chunkのいずれかが動的に対応付けられる。例えば、データの更新頻度が高いPVOL-chunkにSVOL-SATA-chunkが対応付けられている場合は、そのSVOL-SATA-chunk内のサブデータの入替え先として、プールFC-chunkが対応付けられる。
【選択図】図1
Description
T11によって標準化作業が行われているファイバチャネル(以下「FC」)インターフェースを備えたディスク装置(以下、「FCディスク装置」)がある。一方、低信頼性・低性能ディスク装置には、例えば、高信頼性・高性能ディスク装置のインターフェースと異なるインターフェースを有するディスク装置、具体例として、ANSI
T13によって標準化作業が行われているATA(ATAttachment)インターフェースを備えたディスク装置(以下、「ATAディスク装置」)がある。
入替周期は、SVOL-chunkに格納されたデータを、更新頻度閾値或いはディスク割合閾値に基づいて、プールFC-chunkもしくはプールSATA-chunkに入れ替えるためのスケジュールを示すための値(例えば、1週間単位であれば「weekly」)である。
更新頻度閾値は、PVOL-FC-chunkに対応したSVOL-chunk内のサブデータをプールchunkに格納するか否かを決定するための閾値である。この更新頻度閾値は、外部装置からのライトコマンドによってPVOL-FC-chunk内のサブデータが上述した入替周期中に更新された回数(つまり、ボリュームコピー管理テーブル308に記録されている更新頻度)と比較される数値である。
ディスク割合閾値は、1以上のSVOL-FC−chunkで構成される記憶容量(以下、SVOL-FC記憶容量)のSVOL206全体における割合の閾値である。具体的には、例えば、ディスク割合閾値が「0.3」となっている場合には、SVOL-FC記憶容量が、SVOL206全体において0.3(つまり30%)であり、1以上のSVOL-SATA−chunkで構成される記憶容量(以下、SVOL-SATA記憶容量)が、SVOL206全体において残りの0.7(つまり70%)であることを意味する。
Claims (20)
- 属性レベルの異なる複数の物理記憶デバイスと、
前記複数の物理記憶デバイス上に備えられる複数の論理ユニットと、
外部装置から受信したデータを前記複数の論理ユニットの中から選択された論理ユニットに書込む制御装置と
を備え、
前記複数の論理ユニットは、高い属性レベルの物理記憶デバイス上に備えられる1以上の高レベル論理ユニットと、前記高い属性レベルよりも低い属性レベルの物理記憶デバイス上に備えられる1以上の低レベル論理ユニットとを含み、
前記複数の論理ユニットの各々は、2以上のチャンクから構成されており、
前記複数の論理ユニットを構成する複数のチャンクには、前記1以上の高レベル論理ユニットを構成する複数の高レベルチャンクと、前記1以上の低レベル論理ユニットを構成する複数の低レベルチャンクとが含まれており、
前記複数の高レベルチャンクの少なくとも1つと、前記複数の前記複数の低レベルチャンクの少なくとも1つが、動的に対応付けられることが可能なプールチャンクであり、
前記制御装置は、前記複数のチャンクの中から選択された第1のチャンク内のデータを第2のチャンクに書込む場合、前記複数のチャンクの使用状況に基づいて、複数の前記プールチャンクの中から高レベルチャンクと低レベルチャンクのいずれかを選択し、選択したチャンクに前記第1チャンク内のデータを書込む、
記憶制御システム。 - 前記複数の論理ユニットの中から選択された1以上の前記高レベル論理ユニットから構成されるプライマリボリュームと、
前記複数の論理ユニットの中から選択された1以上の前記高レベル論理ユニット及び1以上の前記低レベル論理ユニットから構成されるセカンダリボリュームと、
メモリと
を更に備え、
前記複数のチャンクには、前記複数のプールチャンクと、複数の割当済みチャンクとが含まれ、
前記複数の割当済みチャンクには、前記プライマリボリュームを構成する複数のプライマリチャンクと、前記セカンダリボリュームを構成する複数のセカンダリチャンクとが含まれ、
前記複数のセカンダリチャンクには、前記セカンダリボリューム内の前記高レベル論理ユニットを構成する複数の高レベルセカンダリチャンクと、前記セカンダリボリューム内の前記低レベル論理ユニットを構成する複数の低レベルセカンダリチャンクとが含まれ、
前記メモリは、前記複数のプライマリチャンクのうちのどのプライマリチャンクに前記高レベルセカンダリチャンクと前記低レベルセカンダリチャンクとのどちらが対応付けられているかを記憶し、
前記制御装置は、前記複数のチャンクの使用状況及び前記メモリに記憶されている情報に基づいて、前記複数のプライマリチャンクの中から選択されたプライマリチャンクに対応付けられている元のセカンダリチャンクに対し、前記複数のプールチャンクの中から選択された、前記セカンダリチャンクとは別の属性レベルを有する新たなセカンダリチャンクを対応付け、前記元のセカンダリチャンク内のデータを前記新たなセカンダリチャンク内に書込む、
請求項1記載の記憶制御システム。 - 前記制御装置は、前記元のセカンダリチャンク内のデータを前記新たなセカンダリチャンク内に書込んだ後、前記元のセカンダリチャンクと前記選択されたプライマリチャンクとの対応付け解除し、前記メモリ上で、前記選択されたプライマリチャンクに対して前記新たなセカンダリチャンクを対応付ける、
請求項2記載の記憶制御システム。 - 前記複数のチャンクの使用状況とは、前記セカンダリボリュームが提供する記憶容量を前記高レベルセカンダリボリューム又は前記低レベルセカンダリボリュームが占める割合である、
請求項2記載の記憶制御システム。 - 前記制御装置は、
前記セカンダリボリュームが提供する記憶容量を複数の高レベルセカンダリチャンクが占める割合である高レベル割合の閾値が前記メモリに記録されている場合、前記高レベル割合の閾値よりも前記高レベル割合の方が多いならば、前記低レベルセカンダリチャンクを優先的に前記選択された元のセカンダリチャンクに対応付け、
前記セカンダリボリュームが提供する記憶容量を複数の低レベルセカンダリチャンクが占める割合である低レベル割合の閾値が前記メモリに記録されている場合、前記低レベル割合の閾値よりも前記低レベル割合の方が多い場合には、前記高レベルセカンダリチャンクを優先的に前記選択された元のセカンダリチャンクに対応付ける、
請求項4記載の記憶制御システム。 - 前記制御装置は、
複数のプライマリチャンクの各々についてデータ更新回数を前記メモリに記録し、
前記データ更新回数が多いものほど優先的に前記プライマリチャンクを選択する、
請求項5記載の記憶制御システム。 - 前記制御装置は、前記第1のチャンクのデータ更新回数の閾値が前記メモリに記録されている場合、前記データ更新回数の閾値よりも前記データ更新回数が多いならば、前記第1のチャンクに対して高レベルチャンクを対応付ける、
請求項1記載の記憶制御システム。 - 前記制御装置は、プライマリチャンクのデータ更新回数の閾値が前記メモリに記録されている場合、複数のプライマリチャンクの各々についてデータ更新回数を前記メモリに記録し、前記データ更新回数の閾値よりも前記選択されたプライマリチャンクのデータ更新回数が多く、且つ、前記選択されたプライマリチャンクに低レベルセカンダリチャンクが対応付けられたならば、前記低レベルセカンダリチャンクに対して高レベルチャンクを対応付ける、
請求項2記載の記憶制御システム。 - 前記制御装置は、前記第1のチャンクのデータ更新回数の閾値が前記メモリに記録されている場合、前記データ更新回数の閾値よりも前記データ更新回数が少ないならば、前記第1のチャンクに対して低レベルチャンクを対応付ける、
請求項1記載の記憶制御システム。 - 前記制御装置は、プライマリチャンクのデータ更新回数の閾値が前記メモリに記録されている場合、複数のプライマリチャンクの各々についてデータ更新回数を前記メモリに記録し、前記データ更新回数の閾値よりも前記選択されたプライマリチャンクのデータ更新回数が多く、且つ、前記選択されたプライマリチャンクに低レベルセカンダリチャンクが対応付けられたならば、前記低レベルセカンダリチャンクに対して高レベルチャンクを対応付ける、
請求項2記載の記憶制御システム。 - 前記制御装置は、前記プライマリボリュームと同じ新たなプライマリボリュームを生成する場合、前記複数のプライマリチャンクの少なくとも1つに前記低レベルセカンダリチャンクが対応付けられていることが前記メモリから判別されたならば、前記低レベルセカンダリチャンクに対して、前記複数のプールチャンクの中から選択された高レベルチャンクを対応付け、前記低レベルセカンダリチャンク内のデータを前記対応付けた高レベルチャンクに書込み、前記対応付けた高レベルチャンクと、前記複数のプライマリチャンクのうちの1以上のプライマリチャンクにそれぞれ対応付けられている1以上の高レベルセカンダリチャンクとから構成される複数の高レベルチャンクの各々をプライマリチャンクとして前記メモリに設定する、
請求項2記載の記憶制御システム。 - 属性レベルの異なる複数の物理記憶デバイスと、前記複数の物理記憶デバイス上に備えられる複数の論理ユニットとが備えられている場合の記憶制御方法であって、
前記複数の論理ユニットは、高い属性レベルの物理記憶デバイス上に備えられる1以上の高レベル論理ユニットと、前記高い属性レベルよりも低い属性レベルの物理記憶デバイス上に備えられる1以上の低レベル論理ユニットとを含み、
前記複数の論理ユニットの各々は、2以上のチャンクから構成されており、
前記複数の論理ユニットを構成する複数のチャンクには、前記1以上の高レベル論理ユニットを構成する複数の高レベルチャンクと、前記1以上の低レベル論理ユニットを構成する複数の低レベルチャンクとが含まれており、
前記複数の高レベルチャンクの少なくとも1つと、前記複数の前記複数の低レベルチャンクの少なくとも1つが、動的に対応付けられることが可能なプールチャンクであり、
前記複数のチャンクの中から選択された第1のチャンク内のデータを第2のチャンクに書込む場合、前記複数のチャンクの使用状況に基づいて、複数の前記プールチャンクの中から高レベルチャンクと低レベルチャンクのいずれかを選択するステップと、
前記選択したチャンクに前記第1チャンク内のデータを書込むステップと
を有する記憶制御方法。 - 前記複数の論理ユニットの中から選択された1以上の前記高レベル論理ユニットから構成されるプライマリボリュームと、
前記複数の論理ユニットの中から選択された1以上の前記高レベル論理ユニット及び1以上の前記低レベル論理ユニットから構成されるセカンダリボリュームと
が更に備えられている場合、
前記複数のチャンクには、前記複数のプールチャンクと、複数の割当済みチャンクとが含まれ、
前記複数の割当済みチャンクには、前記プライマリボリュームを構成する複数のプライマリチャンクと、前記セカンダリボリュームを構成する複数のセカンダリチャンクとが含まれ、
前記複数のセカンダリチャンクには、前記セカンダリボリューム内の前記高レベル論理ユニットを構成する複数の高レベルセカンダリチャンクと、前記セカンダリボリューム内の前記低レベル論理ユニットを構成する複数の低レベルセカンダリチャンクとが含まれ、
前記複数のプライマリチャンクのうちのどのプライマリチャンクに前記高レベルセカンダリチャンクと前記低レベルセカンダリチャンクとのどちらが対応付けられているかを記憶するメモリと、前記複数のチャンクの使用状況とに基づいて、前記複数のプライマリチャンクの中から選択されたプライマリチャンクに対応付けられている元のセカンダリチャンクに対し、前記複数のプールチャンクの中から選択された、前記セカンダリチャンクとは別の属性レベルを有する新たなセカンダリチャンクを対応付けるステップと、
前記元のセカンダリチャンク内のデータを前記新たなセカンダリチャンク内に書込むステップと
を有する請求項12記載の記憶制御方法。 - 前記元のセカンダリチャンク内のデータを前記新たなセカンダリチャンク内に書込んだ後、前記元のセカンダリチャンクと前記選択されたプライマリチャンクとの対応付け解除するステップと、
前記メモリ上で、前記選択されたプライマリチャンクに対して前記新たなセカンダリチャンクを対応付けるステップと
を有する請求項13記載の記憶制御方法。 - 前記複数のチャンクの使用状況とは、前記セカンダリボリュームが提供する記憶容量を前記高レベルセカンダリボリューム又は前記低レベルセカンダリボリュームが占める割合である、
請求項13記載の記憶制御方法。 - 前記第1のチャンクのデータ更新回数の閾値が前記メモリに記録されている場合、前記データ更新回数の閾値よりも前記データ更新回数が多いならば、前記第1のチャンクに対して高レベルチャンクを対応付けるステップを更に有する、
請求項12記載の記憶制御方法。 - プライマリチャンクのデータ更新回数の閾値が前記メモリに記録されている場合、複数のプライマリチャンクの各々についてデータ更新回数を前記メモリに記録するステップと、
前記データ更新回数の閾値よりも前記選択されたプライマリチャンクのデータ更新回数が多く、且つ、前記選択されたプライマリチャンクに低レベルセカンダリチャンクが対応付けられたならば、前記低レベルセカンダリチャンクに対して高レベルチャンクを対応付けるステップと
を有する請求項13記載の記憶制御方法。 - 前記第1のチャンクのデータ更新回数の閾値が前記メモリに記録されている場合、前記データ更新回数の閾値よりも前記データ更新回数が少ないならば、前記第1のチャンクに対して低レベルチャンクを対応付けるステップを更に有する、
請求項12記載の記憶制御方法。 - プライマリチャンクのデータ更新回数の閾値が前記メモリに記録されている場合、複数のプライマリチャンクの各々についてデータ更新回数を前記メモリに記録するステップと、
前記データ更新回数の閾値よりも前記選択されたプライマリチャンクのデータ更新回数が多く、且つ、前記選択されたプライマリチャンクに低レベルセカンダリチャンクが対応付けられたならば、前記低レベルセカンダリチャンクに対して高レベルチャンクを対応付けるステップと
を有する請求項12記載の記憶制御方法。 - 前記プライマリボリュームと同じ新たなプライマリボリュームを生成する場合、前記複数のプライマリチャンクの少なくとも1つに前記低レベルセカンダリチャンクが対応付けられていることを前記メモリから判別するステップと、
前記低レベルセカンダリチャンクに対して、前記複数のプールチャンクの中から選択された高レベルチャンクを対応付けるステップと、
前記低レベルセカンダリチャンク内のデータを前記対応付けた高レベルチャンクに書込むステップと、
前記対応付けた高レベルチャンクと、前記複数のプライマリチャンクのうちの1以上のプライマリチャンクにそれぞれ対応付けられている1以上の高レベルセカンダリチャンクとから構成される複数の高レベルチャンクの各々をプライマリチャンクとして前記メモリに設定するステップと
を有する請求項13記載の記憶制御方法。
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