JP2010189212A - 多孔質シリカ膜およびその製造方法 - Google Patents
多孔質シリカ膜およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010189212A JP2010189212A JP2009034054A JP2009034054A JP2010189212A JP 2010189212 A JP2010189212 A JP 2010189212A JP 2009034054 A JP2009034054 A JP 2009034054A JP 2009034054 A JP2009034054 A JP 2009034054A JP 2010189212 A JP2010189212 A JP 2010189212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- porous silica
- experimental example
- membrane
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】膜の表面および内部に存在する細孔が直径2nm以下のミクロ孔のみであって、鉛筆硬度が5H以上であり、分光エリプソメータを用いて波長655nmの光を膜表面に対して入射角75度にて入射させた際の屈折率が1.33以下である多孔質シリカ膜であり、少なくとも、テトラアルキルオルソシリケート、メタノール若しくはエタノール、ヒドロキシケトン誘導体および水を混和して反応させる工程を含む方法により製造する。
【選択図】なし
Description
本実施の形態に係る多孔質シリカ膜は、膜の表面および内部に存在する細孔が直径2nm以下のミクロ孔のみであって、鉛筆硬度が5H以上であるシリカの膜である。ここで、「シリカ膜」とは、シリカを主成分とする膜若しくは膜の積層体をいい、シリカ以外の副成分の種類や各副成分の割合、膜の厚さの大小は問わない。また、「直径」は、当該細孔の開口面を、その面積と同じ面積の円に換算したときの直径を意味する。また、「鉛筆硬度」は、JIS K5600−5−4にしたがって測定される硬度をいう。「ミクロ孔」は、直径2nm以下の孔をいう。多孔質シリカ膜に分散する多数のミクロ孔の平均直径は、1.0nm以下であるのが好ましい。
図1は、本実施の形態に係る多孔質シリカ膜の製造方法の一例(第一の製造方法)の大まかな流れを示すフローチャートである。
(1.a)第一の混合工程(ステップS110)
混合対象のテトラアルキルオルソシリケートは、一般式がSi(OR)4で表わされるシラン化合物である(式中のORは、アルコキシ基である)。アルコキシ基としては、直鎖、分岐及び環状のいずれの官能基であっても良く、炭素数は、1〜20、好ましくは1〜10、さらに好ましくは1〜4である。テトラアルキルオルソシリケートとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−iso−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシシラン、テトラ−sec−ブトキシシラン、テトラ−tert−ブトキシシラン、テトラフェノキシシラン等を挙げることができる。これらのテトラアルキルオルソシリケートの内で、好適には、テトラメチルオルソシリケート(テトラメトキシシラン)を用いることができる。また、これらのテトラアルキルオルソシリケートの内の1種のみ、あるいは2種以上を組み合わせて用いても良い。
ヒドロキシケトン誘導体としては、ヒドロキシアセトン、アセトイン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン、およびフルクトースなどを使用でき、特に、ヒドロキシアセトンが好ましい。ヒドロキシケトン誘導体は、テトラアルキルオルソシリケート1モルに対して、0.3〜3.0モル、特に0.5〜2.0モル、さらには0.8〜1.2モルの範囲とするのが好ましい。
反応工程は、ステップS110にて混合した溶液とステップS120にて混合した溶液とを混合して、テトラアルキルオルソシリケートの加水分解および縮合重合を促進させ、ゾル溶液を得る工程である。反応工程における混合方法は、ステップS110およびS120の混合方法と同様の方法の他、公知のいかなる混合方法をも含む。混合時の温度は、ステップS110およびS120と同様、溶媒が揮発しにくい温度を選択するのが好ましい。例えば、メタノールあるいはエタノールを溶媒として選択する場合には、5〜60℃の範囲、特にその範囲内でも40℃以下が好ましい。また、混合する時間は、8〜72時間、特に12〜48時間、さらには18〜36時間が好ましい。
静置工程は、テトラアルキルオルソシリケートの加水分解および縮合重合を十分に起こすようにするための工程である。静置時の温度は、前述の加水分解および縮合重合を完全ならしめる温度を選択するのが好ましい。例えば、テトラアルキルオルソシリケートとしてテトラメトキシシランを用いる場合には、静置時の温度としては、20〜55℃、さらには、35〜45℃が好ましい。また、静置する時間は、24〜168時間、特に48〜144時間、さらには72〜120時間とするのが好ましい。
(2.a)コーティング工程(ステップS210)
コーティング用のゾル溶液(以後、「コーティング用溶液」という。)を塗布する基板は、特にその材質を問わないが、その後の工程にて250℃以上の温度で加熱することを考慮すると、ガラス、セラミックス、金属などが好ましい。さらに、平滑な基板を用いる必要がある場合には、特に、半導体用のSi基板が好ましい。コーティング工程は、コーティング用溶液を基板上に塗布する工程であり、公知のいずれのコート方法をも採用できる。例えば、スピンコート法、ブレードコート法、ロールコート法、ディッピング法、スプレー法などの塗工法の他、転写法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法などの各種印刷法も採用可能である。この実施の形態では、簡便かつ均一な膜厚の膜を形成できるスピンコート法を好適に使用することができる。
乾燥工程は、膜中の溶媒および水を低減する工程であり、スピンコートにより得られた膜の状態に応じて、乾燥温度および乾燥時間を決定するのが好ましい。なるべく、低温で長時間乾燥する方が好ましい傾向がある。標準的な乾燥温度と乾燥時間を例示すれば、15〜35℃、好ましくは20〜28℃にて、12〜48時間、好ましくは18〜36時間、乾燥する。
洗浄工程は、基板に形成された膜を水で洗浄し、膜内の有機物等を除去する工程および、膜の硬度を向上させる工程である。水温は、0℃以上であれば良いが、40〜95℃、特に70〜90℃、さらには75〜85℃の範囲が好ましい。洗浄効果を高め、かつ膜の剥離若しくは破壊を有効に防ぐことができるからである。洗浄は、ディッピング、シャワー、流水式等のいかなる方法も採用できる。この実施の形態では、簡便かつ洗浄効果の高いディッピングを採用するのが好ましい。洗浄時間は、30〜240分、特に60〜180分、さらには90〜150分が好ましい。
加熱方法は、基板に形成された膜の内部に含まれる水等を除去する工程および膜の硬度を向上させる工程である。加熱する温度に応じて、乾燥機、電熱炉等を適宜選択できる。加熱温度は、250〜800℃、特に300〜700℃の範囲で、より低温とするのが好ましい。ただし、1−プロパノールを溶媒に用いる場合には、700〜800℃で加熱するのが好ましい。膜の硬度を高める必要からである。加熱時間は、吸着水および残存する有機物をできるだけ除去するのに十分な時間であれば特に限定されるものではないが、例示するならば、15〜240分、特に30〜180分、さらには60〜150分が好ましい。
図3は、本実施の形態に係る多孔質シリカ膜の製造方法の一例(第二の製造方法)の大まかな流れを示すフローチャートである。
第一の製造方法における反応工程(ステップS100)と同じ内容である。
次の工程である加熱工程にて100℃以下で加熱する場合において、基板として樹脂製の基板を用いることができる点のみが第一の製造方法と異なり、その他は第一の製造方法と同じ内容である。
第一の製造方法における洗浄工程(ステップS300)と同じ内容である。
脱水性溶媒としては、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、ブタノール、3−メチル−3−メトキシ−1−ブタノールなどのアルコール類の他、アセトン、アセトニトリル、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトンなどのケトン類が好ましい。この実施の形態では、特に、アセトン、エタノールあるいはアセトニトリルを特に好適に使用できる。脱水性溶媒と接触させる部分は、基板も含めた全体、または基板にコートした膜の表面だけでも良い。接触時間は、特に限定されないが、例示するならば、6〜42時間、特に12〜36時間、さらには18〜30時間が好ましい。脱水性溶媒の温度は、それ自体が激しく揮発しない程度の温度であれば、特に限定されないが、10〜30℃の範囲が好ましい。脱水性溶媒と膜の接触方法は、公知のいかなる方法でも良く、この実施の形態では、脱水性溶媒に膜付きの基板全体を浸漬させる方法を好適に用いることができる。
加熱方法は、加熱する温度に応じて、乾燥機、電熱炉等を選択できる。加熱温度は、用いる基板が変性しない程度の温度であり、かつ脱水性有機溶媒が有効に除去できる温度が好ましい。加熱時間は、有機物をできるだけ除去するのに十分な時間であれば特に限定されるものではないが、例示するならば、15〜240分、特に、30〜180分、さらには60〜150分が好ましい。
1.1 実験方法
(1)コーティング用溶液の作製
50mLビーカー(ビーカーA)に、テトラメトキシシラン(Tetramethoxysilane: TMOS)0.0125モルおよびメタノール10mLを入れて、25℃で約1時間攪拌した。攪拌は、攪拌子を投入し、KOMET社製の攪拌機(型式:VARIOMAG POLY15)を用いた。一方、別の50mLビーカー(ビーカーB)に、ヒドロキシアセトン(Hydroxyacetone: HA)0.0125モルとイオン交換水1.125mLとメタノール10mLを入れて、25℃で約1時間攪拌した。攪拌には、前述と同タイプの攪拌機を用いた。別の50mLビーカー(ビーカーC)を用意し、各ビーカーA,Bの攪拌後の内容物を投入し、25℃で約24時間攪拌した。攪拌には、前述と同タイプの攪拌機を用いた。その後、ビーカーCの内容物の攪拌を停止し、40℃にて96時間、ビーカーCを静置した。この一連の処理を経て、コーティング用溶液の作製を完了した。
次に、縦25.4mm×横25.4mm×厚さ1mmの角形のシリコン基板を用意すると共に、MIKASA社製のスピンコータ(型式:SPINCOATER 1H−D7)の回転板にそのシリコン基板を固定した。シリコン基板の回転数が2000rpmになるようにスピンコータの回転数をセットし、回転板の回転を始動した。回転しているシリコン基板上に、コーティング用溶液を、60秒間供給してシリコン基板の表面に膜を形成し、その後、回転板の回転を停止させた。次に、表面に膜を形成したシリコン基板を、25℃で、約24時間、乾燥させた。次に、100mLビーカー(ビーカーD)に乾燥後のシリコン基板を入れて約20℃のイオン交換水を入れた。それをウォーターバスに設置し、80℃に加熱、保持した状態とし、2時間静置することによって、膜の洗浄処理を行った。洗浄処理の間、シリコン基板表面の膜は完全にイオン交換水中に存在するようにした。洗浄後、ビーカーDからシリコン基板を取り出し、200℃にて加熱した(実験例1)。同様に、洗浄後の複数のシリコン基板を、300℃(実験例2)、400℃(実験例3)、500℃(実験例4)、600℃(実験例5)、700℃(実験例6)および800℃(実験例7)の各温度にて2時間加熱した。加熱は、シリコン基板を電熱炉に設置し、目的の温度まで10℃/minの速度で昇温し、各温度で2時間保持することにより行った。また、比較のため、シリコン基板表面の膜の洗浄処理を行わずに、300℃にて加熱したサンプルも用意した(実験例8)。この一連の処理を経て、多孔質シリカ膜の作製を完了した。
基板上に形成した多孔質シリカ膜の屈折率は、株式会社堀場ジョバンイボン製の分光エリプソメータ(型式:UVISEL M200−VIS−AGMS−SD)を用いて測定した。屈折率は、Xeランプ光源からの光を入射角75度にて照射する条件にて測定した(波長は可変)。代表的な屈折率は、波長655nmの光を照射して測定したときの値とした。
図5および図6に、実験例2にて作製した多孔質シリカ膜の表面および断面の各SEM写真を示す。また、図7に実験例2にて作製した多孔質シリカ膜の20ミクロン×20ミクロンの領域のSPM像を、図8に図7に示すSPM像の特定断面像を示す。図8では、下側の凹凸領域が膜断面であり、横軸が長さ方向(μm)を、縦軸が高さ方向(nm)を、それぞれ示す。
2.1 実験方法
(1)コーティング用溶液の作製
50mLビーカー(ビーカーA)に、テトラメトキシシラン(Tetramethoxysilane: TMOS)0.0125モルおよびメタノール10mLを入れて、25℃で約1時間攪拌した。攪拌には、KOMET社製の攪拌機(型式:VARIOMAG POLY15)を用いた。一方、別の50mLビーカー(ビーカーB)に、ヒドロキシアセトン(Hydroxyacetone: HA)0.0125モルとイオン交換水1.125mLとメタノール10mLを入れて、25℃で約1時間攪拌した。攪拌には、前述と同タイプの攪拌機を用いた。別の50mLビーカー(ビーカーC)を用意し、各ビーカーA,Bの攪拌後の内容物を投入し、25℃で約24時間攪拌した。攪拌には、前述と同タイプの攪拌機を用いた。その後、ビーカーCの内容物の攪拌を停止し、40℃にて96時間、ビーカーCを静置した。この一連の処理を経て、コーティング用溶液の作製を完了した。
次に、縦25.4mm×横25.4mm×厚さ1mmの角形のシリコン基板を用意すると共に、MIKASA社製のスピンコータ(型式:SPINCOATER 1H−D7)の回転板にそのシリコン基板を固定した。シリコン基板の回転数が2000rpmになるようにスピンコータの回転数をセットし、回転板の回転を始動した。回転しているシリコン基板上に、コーティング用溶液を、60秒間供給してシリコン基板表面に膜を形成し、その後、回転板の回転を停止させた。次に、表面に膜を形成したシリコン基板を、25℃で、約24時間、乾燥させた。次に、表面に膜を形成したシリコン基板の80℃の温水による洗浄を2時間行い、25℃で約24時間乾燥した。次に、脱水性溶媒としてアセトンを入れた20mLビーカー(ビーカーD)を用意し、25℃で保持した状態のアセトン中に、シリコン基板を浸漬した。浸漬してから1日後に、シリコン基板をアセトン中から取り出し、100℃にて2時間加熱した。加熱は、100℃に保持した乾燥機にシリコン基板を入れて2時間保持することにより行った(実験例23)。脱水処理の効果を確認するため、比較として、スピンコート後に乾燥して25℃に保持した状態の多孔質シリカ膜付きのシリコン基板(実験例24)およびその乾燥後に100℃で2時間加熱した多孔質シリカ膜付きのシリコン基板(実験例25)も用意した。この一連の処理を経て、多孔質シリカ膜の作製を完了した。
分析は、前述の「1.2 分析方法」と同様の方法により行った。
図17に、実験例23にて得られた多孔質シリカ膜(脱水処理有り)、実験例24にて得られた多孔質シリカ膜(脱水処理なし)および実験例25にて得られた多孔質シリカ膜(脱水処理なし)の加熱工程後に測定した、入射光の波長に対する屈折率の変化を示す。また、表3に、波長655nmの入射光を用いて測定したときの各膜の屈折率を比較して示す。
Claims (7)
- 膜の表面および内部に存在する細孔が直径2nm以下のミクロ孔のみであって、鉛筆硬度が5H以上であることを特徴とする多孔質シリカ膜。
- 前記ミクロ孔の平均直径が1.0nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の多孔質シリカ膜。
- 分光エリプソメータを用いて波長655nmの光を膜表面に対して入射角75度にて入射させた際の屈折率が1.33以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の多孔質シリカ膜。
- 前記屈折率が1.30以下であることを特徴とする請求項3に記載の多孔質シリカ膜。
- 少なくとも、テトラアルキルオルソシリケート、メタノール若しくはエタノール、ヒドロキシケトン誘導体および水を混和して反応させる反応工程と、
上記反応工程によって得られる溶液を基板に供給して膜を形成する膜形成工程と、
上記膜形成工程によって得られる膜を水に接触して膜を洗浄する洗浄工程と、
上記洗浄工程後に250〜800℃の範囲で加熱する加熱工程と、
を含むことを特徴とする多孔質シリカ膜の製造方法。 - 少なくとも、テトラアルキルオルソシリケート、メタノール若しくはエタノール、ヒドロキシケトン誘導体および水を混和して反応させる反応工程と、
上記反応工程によって得られる溶液を基板に供給して膜を形成する膜形成工程と、
上記膜形成工程によって得られる膜を水に接触して膜を洗浄する洗浄工程と、
上記洗浄工程後に、脱水性の有機溶媒に上記膜を接触せしめる脱水工程と、
上記脱水工程後に25〜200℃の範囲で上記膜を加熱する加熱工程と、
を含むことを特徴とする多孔質シリカ膜の製造方法。 - 前記脱水性の有機溶媒は、エタノール、アセトン若しくはアセトニトリルを含むことを特徴とする請求項6に記載の多孔質シリカ膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009034054A JP5007416B2 (ja) | 2009-02-17 | 2009-02-17 | 多孔質シリカ膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009034054A JP5007416B2 (ja) | 2009-02-17 | 2009-02-17 | 多孔質シリカ膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010189212A true JP2010189212A (ja) | 2010-09-02 |
JP5007416B2 JP5007416B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=42815695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009034054A Expired - Fee Related JP5007416B2 (ja) | 2009-02-17 | 2009-02-17 | 多孔質シリカ膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5007416B2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011055553A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 国立大学法人信州大学 | 親水性シリカ膜の製造方法、親水性シリカ膜ならびに親水性シリカ膜付きのアクリル樹脂基板 |
WO2015137399A1 (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | 三菱マテリアル株式会社 | シリカ多孔質膜形成用液組成物及びその液組成物から形成されたシリカ多孔質膜 |
WO2019146628A1 (ja) | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 日東電工株式会社 | Led照明器具用フィルム、led照明器具 |
WO2019151073A1 (ja) | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 日東電工株式会社 | Ledバックライト用フィルム、ledバックライト |
US10859871B2 (en) | 2015-09-28 | 2020-12-08 | Nitto Denko Corporation | Optical member, and polarizing plate set and liquid crystal display device that use said optical member |
WO2021193894A1 (ja) | 2020-03-27 | 2021-09-30 | 日東電工株式会社 | 照明装置 |
WO2022025067A1 (ja) | 2020-07-28 | 2022-02-03 | 日東電工株式会社 | 照明装置用導光部材、照明装置および建築部材 |
WO2022071165A1 (ja) | 2020-09-29 | 2022-04-07 | 日東電工株式会社 | 光学部材、その製造方法、および配光素子 |
WO2022091806A1 (ja) | 2020-10-29 | 2022-05-05 | 日東電工株式会社 | ホワイトボードフィルム、ホワイトボードおよび覗き見防止システム |
US11402569B2 (en) | 2017-01-31 | 2022-08-02 | Nitto Denko Corporation | Optical sheet for light guide plate type liquid crystal display, backlight unit for light guide plate type liquid crystal display, and light guide plate type liquid crystal display |
WO2022176660A1 (ja) | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 日東電工株式会社 | 光学積層体、光学装置および光学積層体の製造方法 |
WO2022176659A1 (ja) | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 日東電工株式会社 | 光学積層体および光学装置 |
WO2022260080A1 (ja) | 2021-06-09 | 2022-12-15 | 日東電工株式会社 | 照明装置用導光部材および照明装置 |
WO2022264930A1 (ja) | 2021-06-17 | 2022-12-22 | 日東電工株式会社 | 照明装置用導光部材および照明装置 |
WO2023276704A1 (ja) | 2021-06-29 | 2023-01-05 | 日東電工株式会社 | 発光装置用導光部材および発光装置 |
EP4266096A1 (en) | 2022-04-18 | 2023-10-25 | Nitto Denko Corporation | Whiteboard film system, whiteboard system, and peeking prevention system |
EP4265433A2 (en) | 2022-03-31 | 2023-10-25 | Nitto Denko Corporation | Writing board set and peeking prevention system |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004085313A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Organization Of Shinshu University | 二酸化ケイ素薄膜とその製造法 |
JP2007246795A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Shinshu Univ | 多孔質シリカ被膜及び粉末(粉末前駆体を含む)形成用塗布液の製造方法 |
-
2009
- 2009-02-17 JP JP2009034054A patent/JP5007416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004085313A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Organization Of Shinshu University | 二酸化ケイ素薄膜とその製造法 |
JP2007246795A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Shinshu Univ | 多孔質シリカ被膜及び粉末(粉末前駆体を含む)形成用塗布液の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
WATARU SHIMIZU ET.AL: "Superhydrophilic Microporous Silica Coatings on Polymer Substrate", JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN, vol. 115, no. 1347, JPN6012000202, 2007, pages 712 - 716, ISSN: 0002200297 * |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4942057B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2012-05-30 | 国立大学法人信州大学 | 親水性シリカ膜の製造方法および親水性シリカ膜付きのアクリル樹脂基板 |
WO2011055553A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 国立大学法人信州大学 | 親水性シリカ膜の製造方法、親水性シリカ膜ならびに親水性シリカ膜付きのアクリル樹脂基板 |
WO2015137399A1 (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | 三菱マテリアル株式会社 | シリカ多孔質膜形成用液組成物及びその液組成物から形成されたシリカ多孔質膜 |
JP2015187060A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-29 | 三菱マテリアル株式会社 | シリカ多孔質膜形成用液組成物及びその液組成物から形成されたシリカ多孔質膜 |
US10457561B2 (en) | 2014-03-11 | 2019-10-29 | Mitsubishi Materials Corporation | Liquid composition for forming silica porous film and silica porous film formed from such liquid composition |
US10859871B2 (en) | 2015-09-28 | 2020-12-08 | Nitto Denko Corporation | Optical member, and polarizing plate set and liquid crystal display device that use said optical member |
US11402569B2 (en) | 2017-01-31 | 2022-08-02 | Nitto Denko Corporation | Optical sheet for light guide plate type liquid crystal display, backlight unit for light guide plate type liquid crystal display, and light guide plate type liquid crystal display |
WO2019146628A1 (ja) | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 日東電工株式会社 | Led照明器具用フィルム、led照明器具 |
WO2019151073A1 (ja) | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 日東電工株式会社 | Ledバックライト用フィルム、ledバックライト |
WO2021193894A1 (ja) | 2020-03-27 | 2021-09-30 | 日東電工株式会社 | 照明装置 |
WO2022025067A1 (ja) | 2020-07-28 | 2022-02-03 | 日東電工株式会社 | 照明装置用導光部材、照明装置および建築部材 |
WO2022071165A1 (ja) | 2020-09-29 | 2022-04-07 | 日東電工株式会社 | 光学部材、その製造方法、および配光素子 |
WO2022091806A1 (ja) | 2020-10-29 | 2022-05-05 | 日東電工株式会社 | ホワイトボードフィルム、ホワイトボードおよび覗き見防止システム |
WO2022176660A1 (ja) | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 日東電工株式会社 | 光学積層体、光学装置および光学積層体の製造方法 |
WO2022176659A1 (ja) | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 日東電工株式会社 | 光学積層体および光学装置 |
WO2022260080A1 (ja) | 2021-06-09 | 2022-12-15 | 日東電工株式会社 | 照明装置用導光部材および照明装置 |
WO2022264930A1 (ja) | 2021-06-17 | 2022-12-22 | 日東電工株式会社 | 照明装置用導光部材および照明装置 |
WO2023276704A1 (ja) | 2021-06-29 | 2023-01-05 | 日東電工株式会社 | 発光装置用導光部材および発光装置 |
EP4265433A2 (en) | 2022-03-31 | 2023-10-25 | Nitto Denko Corporation | Writing board set and peeking prevention system |
EP4266096A1 (en) | 2022-04-18 | 2023-10-25 | Nitto Denko Corporation | Whiteboard film system, whiteboard system, and peeking prevention system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5007416B2 (ja) | 2012-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5007416B2 (ja) | 多孔質シリカ膜の製造方法 | |
Ganesh et al. | Electrospun SiO 2 nanofibers as a template to fabricate a robust and transparent superamphiphobic coating | |
Tao et al. | Sol-gel based antireflective coatings with superhydrophobicity and exceptionally low refractive indices built from trimethylsilanized hollow silica nanoparticles | |
Mahadik et al. | Surface morphological and topographical analysis of multifunctional superhydrophobic sol-gel coatings | |
JP4040255B2 (ja) | 界面活性剤を含む溶剤から調製するメソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法 | |
Lin et al. | Highly transparent and thermally stable superhydrophobic coatings from the deposition of silica aerogels | |
US20090233792A1 (en) | Self-standing mesoporous carbon membrane | |
WO2005113431A2 (en) | Mesoporous carbon films and methods of preparation thereof | |
Islam et al. | Preparation and characterization of crack-free sol–gel based SiO 2–TiO 2 hybrid nanoparticle film | |
Huang et al. | PH-driven phase separation: Simple routes for fabricating porous TiO2 film with superhydrophilic and anti-fog properties | |
JP2011502936A (ja) | 光電極 | |
CN103787586A (zh) | 一种自清洁亲水复合材料及其制备方法 | |
Karumuri et al. | Tuning the surface wettability of carbon nanotube carpets in multiscale hierarchical solids | |
Si et al. | Free-standing highly ordered mesoporous carbon–silica composite thin films | |
Tao et al. | Sol–gel preparation of moisture-resistant antireflective coatings from novel hollow silica nanoparticles | |
Wu et al. | A transparent CNTs/TiO2 composite film with superhydrophobic and photocatalytic functions self-assembled by liquid-phase deposition | |
JP4563776B2 (ja) | 透明無機多孔体被膜およびその製造方法 | |
Nagappan et al. | Preparation of superhydrophobic and transparent micro-nano hybrid coatings from polymethylhydroxysiloxane and silica ormosil aerogels | |
CN110651226A (zh) | 纳米压印光刻方法及由其获得的图案化基底 | |
Giménez et al. | Preparation of mesoporous silica thin films at low temperature: a comparison of mild structure consolidation and template extraction procedures | |
Darmawan et al. | Hydrophobic silica thin film derived from dimethyldimethoxysilane-tetraethylorthosilicate for desalination | |
Zou et al. | Designing multifunctional silica coatings for enhanced broadband antireflection and microfiber contamination sensing | |
US20140335617A1 (en) | Controlling surface wettability of ultrahigh surface area hierarchical supports | |
Wang et al. | The preparation of superhydrophilic surface of TiO 2 coating without ultraviolet irradiation through annealing treatment | |
Chen et al. | Highly transparent hard bio-coating synthesized by low temperature sol–gel process |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111102 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20111108 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20111227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120417 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120423 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5007416 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |