JP2010182967A - Method of manufacturing electronic component - Google Patents

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宏之 藤田
Hitoshi Kamamori
均 釜森
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定夫 奥
Keiichiro Hayashi
恵一郎 林
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an electronic component in which conductive paste is easily charged in a through-hole bored in a bottom surface of a hollow, the reverse surface is easily flattened, and the electronic element is easily mounted. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the electronic component includes the steps of: forming a substrate 70 having the hollow 3 and the through-hole 4 penetrating the bottom surface of the hollow 3; arranging an elastic member 74 with elasticity where the through-hole 4 is closed from a hollow surface side where the hollow 3 is formed; charging the conductive paste 12 in the through-hole 4 from the opposite plane side from the side of the hollow 3; removing the elastic member 74 from a hollow-3 side surface where the hollow 3 is formed; and mounting the electronic element 77 so that the electronic element may be electrically connected to the conductive paste 12. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、パッケージと、そのパッケージに実装した電子素子とを有する電子部品の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component having a package and an electronic element mounted on the package.

RFデバイス、光デバイスや、半導体素子を載置した回路基板等が使用される電子デバイスの分野において、基板の表面から裏面にかけて貫通する貫通電極が形成されている。特に、RFデバイスや光デバイスにおいては、小型化、低抵抗化及び熱伝導性の向上が求められる。   In the field of electronic devices in which RF devices, optical devices, circuit boards on which semiconductor elements are mounted, and the like are used, penetrating electrodes that penetrate from the front surface to the back surface of the substrate are formed. Particularly, in RF devices and optical devices, miniaturization, low resistance, and improvement in thermal conductivity are required.

図15は、貫通電極が形成された基板を使用した静電容量型圧力センサの断面構造を表す(特許文献1)。この圧力センサは、ガラス基板55の上に、凹部が形成された半導体基板51を、凹部側をガラス基板側にして陽極接合した構造を有する。半導体基板51の凹部は密閉空間となっており、この密閉空間のガラス基板55側にはメタライズ層63と固定電極54からなる積層電極が形成されている。密閉空間の半導体基板51側の凹部には変位電極53が形成されている。ガラス基板55には金属線60が埋め込まれて貫通電極が形成され、積層電極と裏面に形成されたバンプ64との間の導通がとられている。同様に、半導体基板51の上面にはアルミ配線62が形成され、そのアルミ配線62が半導体基板51を貫通して延在し、変位電極53と電気的に接続されている。このように、基板を貫通する貫通電極を形成することにより、実装面積が小さく、信頼性の高いデバイスを提供することができる、というものである。   FIG. 15 shows a cross-sectional structure of a capacitive pressure sensor using a substrate on which a through electrode is formed (Patent Document 1). This pressure sensor has a structure in which a semiconductor substrate 51 in which a recess is formed on a glass substrate 55 is anodically bonded with the recess side on the glass substrate side. The concave portion of the semiconductor substrate 51 is a sealed space, and a laminated electrode composed of the metallized layer 63 and the fixed electrode 54 is formed on the glass substrate 55 side of the sealed space. A displacement electrode 53 is formed in a recessed portion on the semiconductor substrate 51 side of the sealed space. A metal wire 60 is embedded in the glass substrate 55 to form a through electrode, and conduction between the laminated electrode and the bump 64 formed on the back surface is established. Similarly, aluminum wiring 62 is formed on the upper surface of the semiconductor substrate 51, and the aluminum wiring 62 extends through the semiconductor substrate 51 and is electrically connected to the displacement electrode 53. Thus, by forming a through electrode that penetrates the substrate, a device with a small mounting area and high reliability can be provided.

上記ガラス基板55に金属線60を埋め込む方法は次の通りである。ガラス材料を約1500〜1600℃に加熱して溶融する。次に、2600℃以上の高融点金属、例えばモリブデンやタングステンをこの溶融ガラスに埋め込んで除冷する。これをスライスして切り出し、切り出した板を研磨して貫通電極入りのガラス基板とする。   A method of embedding the metal wire 60 in the glass substrate 55 is as follows. The glass material is heated to about 1500-1600 ° C. and melted. Next, a high melting point metal of 2600 ° C. or higher, for example, molybdenum or tungsten, is embedded in the molten glass to be cooled. This is sliced and cut out, and the cut out plate is polished to obtain a glass substrate with a through electrode.

また、上記の他に、基板に貫通電極を形成する方法としては、基板に貫通孔を形成し、この貫通孔の側壁にメッキ処理を施してCuやNi等の金属膜を堆積する方法、或いは、導電性フィラーと樹脂バインダーを混練した導電性ペーストを貫通孔に充填し、比較的低温で焼成して貫通電極とする方法などが知られている。   In addition to the above, as a method of forming the through electrode on the substrate, a method of forming a through hole in the substrate and plating the side wall of the through hole to deposit a metal film such as Cu or Ni, or A method is known in which a conductive paste kneaded with a conductive filler and a resin binder is filled in a through-hole and fired at a relatively low temperature to form a through-electrode.

特開2001−201418号公報JP 2001-201418 A

しかしながら、特許文献1に記載される貫通電極の形成方法では、貫通孔が形成されているガラス基板は、その貫通孔が形成された表面及び裏面が平面である。そのため、貫通孔に導電ペーストを充填し易く、その後においても研磨工程などの平坦化処理を施すことにより、不要箇所の導電ペーストを除去し、平坦な表面を形成することが容易である。しかし、貫通孔が形成されているガラス基板55に窪みが形成されていると、貫通電極の形成が容易ではない。   However, in the through electrode forming method described in Patent Document 1, the glass substrate on which the through hole is formed has a flat surface on the front surface and the back surface on which the through hole is formed. Therefore, it is easy to fill the through hole with the conductive paste, and thereafter, by performing a flattening process such as a polishing step, it is easy to remove the conductive paste at unnecessary portions and form a flat surface. However, if the depression is formed in the glass substrate 55 in which the through hole is formed, it is not easy to form the through electrode.

例えば、導電ペーストを貫通孔にスクリーン印刷法等により充填する場合、窪みが形成された側から印刷すると、貫通孔以外の窪みの内壁や底面にも導電ペーストが印刷されてしまう。更に、この内壁や底面に印刷された導電ペーストを除去することも難しい。また、窪みが形成されていない側から印刷すると、貫通孔に充填された導電ペーストの窪みの側の表面が窪みの底面に達しなかったり、窪みの底面から突出したりして、導電ペーストの表面を窪みの底面に一致させることが難しい。また、ディスペンサを用いて窪みの側から貫通孔に導電ペーストを充填すると、導電ペーストがそのチクソ性の影響で尾を引き、表面に角状の突起が残ってしまう。この突起は、その上に実装する電子部品に局所的な応力を加え、実装の際に電子部品が割れる等の原因となった。また、窪みの底面に突起が残ると、これを平坦化するのも容易でない。   For example, when filling the through hole with the conductive paste by screen printing or the like, if the printing is performed from the side where the depression is formed, the conductive paste is also printed on the inner wall and bottom surface of the depression other than the through hole. Furthermore, it is difficult to remove the conductive paste printed on the inner wall and bottom surface. In addition, when printing from the side where the depression is not formed, the surface of the depression side of the conductive paste filled in the through hole does not reach the bottom surface of the depression, or protrudes from the bottom surface of the depression, so that the surface of the conductive paste is It is difficult to match the bottom of the dent. Moreover, when a through hole is filled with a conductive paste using a dispenser, the conductive paste has a tail due to its thixotropy, and angular projections remain on the surface. This protrusion applied local stress to the electronic component mounted thereon, causing the electronic component to break during mounting. Further, if a protrusion remains on the bottom surface of the recess, it is not easy to flatten the protrusion.

本発明においては、上記課題を解決するために、以下の構成とした。   In the present invention, in order to solve the above problems, the following configuration is adopted.

(1) 基板と、基板に実装された電子素子と、を備える電子部品の製造方法において、窪みと、当該窪みの底面を貫通する貫通孔とを有する基板を形成する工程と、前記窪みが形成された窪み面側から前記貫通孔を塞ぐ位置に弾性を有する弾性部材を配置する工程と、前記窪み側とは逆の平面側から前記貫通孔に導電ペーストを充填する工程と、前記窪みが形成された窪み面側から前記弾性部材を除去する工程と、前記導電ペーストに導通するように前記電子素子を実装する工程と、を含む電子部品の製造方法とした。   (1) In a method for manufacturing an electronic component comprising a substrate and an electronic element mounted on the substrate, a step of forming a substrate having a recess and a through-hole penetrating the bottom surface of the recess, and the recess is formed. A step of disposing an elastic member having elasticity at a position closing the through hole from the recessed surface side, a step of filling the through hole with a conductive paste from a plane side opposite to the recessed side, and forming the recess An electronic component manufacturing method including a step of removing the elastic member from the recessed surface side and a step of mounting the electronic element so as to be electrically connected to the conductive paste.

(2) (1)に記載の電子部品の製造方法において、前記基板を形成する工程は、前記窪みにテーパーを形成するようにした。   (2) In the method of manufacturing an electronic component according to (1), in the step of forming the substrate, a taper is formed in the recess.

(3) (1)又は(2)のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、前記基板を形成する工程は、前記貫通孔にテーパーを形成するようにした。   (3) In the method of manufacturing an electronic component according to any one of (1) and (2), in the step of forming the substrate, a taper is formed in the through hole.

(4) (1)から(3)のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、前記導電ペーストを充填する工程は、スクリーン印刷方式により行なわれるようにした。   (4) In the electronic component manufacturing method according to any one of (1) to (3), the step of filling the conductive paste is performed by a screen printing method.

(5) (1)から(3)のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、前記導電ペーストを充填する工程は、ディスペンサ方式により行なわれるようにした。   (5) In the method for manufacturing an electronic component according to any one of (1) to (3), the step of filling the conductive paste is performed by a dispenser method.

(6) (1)から(5)のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、前記基板を形成する工程は、前記基板に複数の前記窪みと複数の前記貫通孔を形成し、複数の前記窪みのそれぞれに対応し、複数の前記貫通孔を塞ぐ位置に配置される複数の前記弾性部材は一体に形成されるようにした。   (6) In the method of manufacturing an electronic component according to any one of (1) to (5), the step of forming the substrate includes forming the plurality of depressions and the plurality of through holes in the substrate, The plurality of elastic members corresponding to each of the recesses and disposed at positions where the plurality of through holes are closed are formed integrally.

本発明によれば、基板に窪みと、その窪みの底面に貫通孔を形成し、窪みが形成された面側から貫通孔を塞ぐ位置に弾性部材を配置し、基板の裏面側から貫通孔に導電ペーストを充填して貫通電極を形成した。これにより、窪みの底面に形成した貫通孔に導電ペーストを容易に充填でき、更には、裏面の研磨処理等によりその平坦化も容易である。加えて、窪みの底面と、その底面に露出する貫通電極の表面とを略同一平面に平坦化することができるので、電子部品の実装が容易となる。   According to the present invention, a recess is formed in the substrate, and a through hole is formed in the bottom surface of the recess, and the elastic member is disposed at a position where the through hole is blocked from the surface side where the recess is formed. A through electrode was formed by filling the conductive paste. Thereby, the through-hole formed in the bottom face of the dent can be easily filled with the conductive paste, and further, it can be easily flattened by polishing the back face. In addition, since the bottom surface of the recess and the surface of the through electrode exposed at the bottom surface can be planarized in substantially the same plane, mounting of electronic components is facilitated.

本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on the Example of this invention. 従来公知の発光デバイスの断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of a conventionally well-known light-emitting device.

以下、本発明の電子部品の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the electronic component of this invention is demonstrated in detail using drawing.

図1は、本発明に係る電子部品の製造方法の基本的な工程を説明するための図である。図1(a)は、窪み3と貫通孔4を形成した基板70の断面模式図であり、(b)は、窪み3の底面71に弾性部材74を当接した状態の断面模式図であり、(c)は、貫通孔4に導電ペースト12を充填する状態の断面模式図であり、(d)は、窪み3の底面71から弾性部材74を除去した基板70の断面模式図であり、(e)は、窪み3の底面71に電子素子77を実装した基板70の断面模式図である。   FIG. 1 is a view for explaining basic steps of a method for manufacturing an electronic component according to the present invention. FIG. 1A is a schematic cross-sectional view of the substrate 70 in which the recess 3 and the through hole 4 are formed, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view in a state where the elastic member 74 is in contact with the bottom surface 71 of the recess 3. (C) is a schematic cross-sectional view of a state in which the through-hole 4 is filled with the conductive paste 12, and (d) is a schematic cross-sectional view of the substrate 70 in which the elastic member 74 is removed from the bottom surface 71 of the recess 3. FIG. 4E is a schematic cross-sectional view of a substrate 70 in which an electronic element 77 is mounted on the bottom surface 71 of the recess 3.

まず、図1(a)に示すように、窪み3と窪み3の底面71から裏面72にかけて貫通する貫通孔4を有する基板70を準備する。基板70として、ガラス基板やセラミックス基板、あるいはプラスチック基板を使用することができる。窪み3や貫通孔4は、基板70の成形プレス法により形成することができる。また、基板70は、予め窪み3を形成した基板と貫通孔4を形成した基板を接合して形成することができる。また、サンドブラストやエッチングにより窪み3や貫通孔4を形成してもよい。貫通孔4は、1個や2個であってもよいし、3個以上の多数個であってもよい。   First, as shown to Fig.1 (a), the board | substrate 70 which has the through-hole 4 penetrated from the bottom 3 of the hollow 3 and the hollow 3 to the back surface 72 is prepared. As the substrate 70, a glass substrate, a ceramic substrate, or a plastic substrate can be used. The depression 3 and the through hole 4 can be formed by a molding press method for the substrate 70. In addition, the substrate 70 can be formed by bonding a substrate in which the depressions 3 are formed in advance and a substrate in which the through holes 4 are formed. Moreover, you may form the hollow 3 and the through-hole 4 by sandblasting or an etching. The number of through holes 4 may be one or two, or may be three or more.

窪み3の内壁は、底面71から表面73に向けてテーパーを有している。実装する電子素子77としてLED素子を使用する場合に、テーパーを有する内壁に反射面を形成することにより、LED素子から発光した光を効率よく上方に出射させることができる。また、窪み3にテーパーを形成することにより、型を用いた成形法で窪み3を形成する場合に、形の離型性を向上させることができる。また、図1(a)に示すように、貫通孔4の縦断面は、裏面72から底面71に末広状に形成した。これにより、貫通孔4を、型を用いた成形法により形成する場合に、基板70からの型の離型性を向上させることができる。また、後に貫通孔4に充填する貫通電極6の裏面側への抜けを防止することができる。なお、貫通孔4は、底面71から裏面72に末広状に形成することに限定されず、その逆の裏面72から底面71に向けて末広状に形成してもよいし、厚み方向の中央部の開口径を絞った形状、即ち、貫通孔4の中央部から底面71及び裏面72に向けて両方向に末広状となる形状としてもよい。貫通孔4を両方向に末広状となる形状にすれば、後に充填する貫通電極6は、基板70の裏面72側にも、窪み3の底面71側にも抜け難くすることができる。   The inner wall of the recess 3 has a taper from the bottom surface 71 toward the surface 73. When an LED element is used as the electronic element 77 to be mounted, the light emitted from the LED element can be efficiently emitted upward by forming a reflective surface on the tapered inner wall. In addition, by forming a taper in the depression 3, when the depression 3 is formed by a molding method using a mold, the mold releasability can be improved. Further, as shown in FIG. 1A, the longitudinal section of the through hole 4 was formed in a divergent shape from the back surface 72 to the bottom surface 71. Thereby, when forming the through-hole 4 by the shaping | molding method using a type | mold, the mold release property of the type | mold from the board | substrate 70 can be improved. Further, it is possible to prevent the through electrode 6 filling the through hole 4 later from coming off to the back surface side. The through-hole 4 is not limited to being formed in a divergent shape from the bottom surface 71 to the back surface 72, and may be formed in a divergent shape from the reverse surface 72 to the bottom surface 71, or in the center in the thickness direction. It is good also as a shape which narrowed down the opening diameter, ie, the shape which becomes a divergent shape in both directions toward the bottom face 71 and the back surface 72 from the center part of the through-hole 4. FIG. If the through-hole 4 is formed in a divergent shape in both directions, the through-electrode 6 to be filled later can be made difficult to come off both on the back surface 72 side of the substrate 70 and on the bottom surface 71 side of the recess 3.

次に、図1(b)に示すように、基板70の上下を反転し、窪み3が形成された表面73側から貫通孔4を塞ぐ位置に弾性を有する弾性部材74を設置する。弾性部材74の上面75は窪み3の底面71に当接して貫通孔4の開口部を塞いでいる。弾性部材74としては、シリコンゴムを使用することができる。また、シリコンゴムに代えて、他のゴム、ポリエチレンフィルムや他の弾性を有する材料を使用することができる。貫通孔4に導電ペーストを充填したときに、弾性部材74の上面75と窪み3の底面71の間から漏れでない程度に、上面75と底面71とを密着させる。   Next, as shown in FIG. 1B, the substrate 70 is turned upside down, and an elastic member 74 having elasticity is installed at a position where the through hole 4 is closed from the surface 73 side where the recess 3 is formed. The upper surface 75 of the elastic member 74 is in contact with the bottom surface 71 of the recess 3 and closes the opening of the through hole 4. Silicon rubber can be used as the elastic member 74. Further, instead of silicon rubber, other rubbers, polyethylene films, and other elastic materials can be used. When the through-hole 4 is filled with the conductive paste, the upper surface 75 and the bottom surface 71 are brought into close contact with each other so that no leakage occurs between the upper surface 75 of the elastic member 74 and the bottom surface 71 of the recess 3.

次に、図1(c)に示すように、基板70の裏面72側から貫通孔4にディスペンサ46により導電ペースト12を充填する。導電ペースト12の充填は、ディスペンサ法に代えて印刷法により充填することができる。導電ペースト12として、導電性フィラーと樹脂バインダーを混練した材料を使用することができる。導電性フィラーとして、Au、Ag又はCu、或いはAgにより被覆されたCuを使用することができる。導電ペースト12の充填を真空中で行うことができる。基板70の底面71と弾性部材74の上面75との間の気密性が高い場合は、貫通孔4の弾性部材74側に気泡が残留して、導電ペースト12を弾性部材74の上面75まで充填できなくなる恐れがある。この場合、真空雰囲気中で導電ペースト12を充填すれば、内部に空気が密閉されないので、導電ペースト12を弾性部材74の上面75まで達するように容易に充填することができる。また、導電ペースト12内に混入する気泡を脱泡できるので、貫通電極6の信頼性を向上させることができる。   Next, as shown in FIG. 1C, the conductive paste 12 is filled into the through hole 4 from the back surface 72 side of the substrate 70 by the dispenser 46. The conductive paste 12 can be filled by a printing method instead of the dispenser method. As the conductive paste 12, a material obtained by kneading a conductive filler and a resin binder can be used. As the conductive filler, Au, Ag or Cu, or Cu coated with Ag can be used. The conductive paste 12 can be filled in a vacuum. When the airtightness between the bottom surface 71 of the substrate 70 and the upper surface 75 of the elastic member 74 is high, bubbles remain on the elastic member 74 side of the through hole 4 and the conductive paste 12 is filled to the upper surface 75 of the elastic member 74. There is a risk that it will not be possible. In this case, if the conductive paste 12 is filled in a vacuum atmosphere, air is not sealed inside, so that the conductive paste 12 can be easily filled to reach the upper surface 75 of the elastic member 74. Moreover, since the bubbles mixed in the conductive paste 12 can be removed, the reliability of the through electrode 6 can be improved.

次に、図1(d)に示すように、弾性部材74を窪み3から除去する。弾性部材74の上面75が窪み3の底面71に当接していたので、貫通電極6の窪み3側に露出する表面は、窪み3の底面71と略同一の平面を構成している。また、貫通電極6の裏面72側に露出する表面も、裏面72と略同一の平面を構成している。特に、窪み3側の貫通電極6の表面は底面71と略同一の平面となるので、その上に実装される電子素子が、割れたり、長期的に不均一な応力が加えられたりすることがない。それ故、実装した電子素子の信頼性を確保することができる。また、貫通電極6が基板70の裏面72から突出した場合でも、もともと裏面72は平坦面なので研磨処理を行うことができ、平坦化することが容易である。   Next, the elastic member 74 is removed from the recess 3 as shown in FIG. Since the upper surface 75 of the elastic member 74 is in contact with the bottom surface 71 of the recess 3, the surface exposed to the recess 3 side of the through electrode 6 constitutes substantially the same plane as the bottom surface 71 of the recess 3. Further, the surface exposed to the back surface 72 side of the through electrode 6 also constitutes substantially the same plane as the back surface 72. In particular, since the surface of the through electrode 6 on the recess 3 side is substantially the same plane as the bottom surface 71, the electronic device mounted thereon may be cracked or subjected to uneven stress over the long term. Absent. Therefore, the reliability of the mounted electronic element can be ensured. Further, even when the through electrode 6 protrudes from the back surface 72 of the substrate 70, the back surface 72 is originally a flat surface, so that the polishing process can be performed and the surface can be easily flattened.

次に、図1(e)に示すように、窪み3の底面71に露出する貫通電極6の上部に、ダイボンディング材24を介して電子素子77の図示しない電極と電気的に接続させて固定する。また、電子素子77の上面に形成した図示しない電極と他の貫通電極6とをワイヤー25により電気的に接続する。更に、必要に応じて、電子素子77やワイヤー25を封止する封止材を塗布し、基板70の裏面72に裏面電極を形成することができる。   Next, as shown in FIG. 1 (e), the upper part of the through electrode 6 exposed on the bottom surface 71 of the depression 3 is fixed by being electrically connected to an electrode (not shown) of the electronic element 77 through the die bonding material 24. To do. In addition, an electrode (not shown) formed on the upper surface of the electronic element 77 and another through electrode 6 are electrically connected by a wire 25. Furthermore, a back electrode can be formed on the back surface 72 of the substrate 70 by applying a sealing material that seals the electronic elements 77 and the wires 25 as necessary.

図2〜図11は、本発明の実施例に係る電子部品の製造方法を表す模式図である。以下、電子部品として発光デバイス1を用いた製造方法を詳細に説明する。   2-11 is a schematic diagram showing the manufacturing method of the electronic component based on the Example of this invention. Hereinafter, a manufacturing method using the light emitting device 1 as an electronic component will be described in detail.

図2は、定盤31と型32の間にガラス材33を挿入した状態を表す断面模式図である。図3は、成形後のパッケージ基板2の断面模式図である。最初に、定盤31の上にパッケージ材料としてガラス材33を設置し、ガラス材33が軟化する温度300℃〜800℃に加熱する。型32の表面に、凸部34やテーパー35等が形成されている。凸部34は、貫通孔4を形成するための部分であり、テーパー35は窪み3の内壁面にテーパーを形成するための部分である。型32も温度300℃〜800℃に加熱して、下部のガラス材33に押圧することによって、図3に示すように、窪み3及び貫通孔4を有するパッケージ基板2を形成する。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the glass material 33 is inserted between the surface plate 31 and the mold 32. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the package substrate 2 after molding. First, the glass material 33 is installed as a package material on the surface plate 31 and heated to a temperature of 300 ° C. to 800 ° C. at which the glass material 33 is softened. A convex portion 34, a taper 35, and the like are formed on the surface of the mold 32. The convex portion 34 is a portion for forming the through hole 4, and the taper 35 is a portion for forming a taper on the inner wall surface of the recess 3. The mold 32 is also heated to a temperature of 300 ° C. to 800 ° C. and pressed against the lower glass material 33 to form the package substrate 2 having the recesses 3 and the through holes 4 as shown in FIG.

なお、窪み3は、平面的形状が円形のすり鉢状の形状を有しており、貫通孔4は、その口径が裏面から表面に向けて末広状に拡大するように形成されている。つまり、パッケージ基板2を形成する際には、窪み3、貫通孔4にテーパーを形成する。これは、型32をパッケージ基板2にプレスした後の離型が容易になり、更には貫通電極6の裏面側への離脱を抑制するためである。また、具体的な寸法の一例としては、貫通孔4は、その表面側の直径がφ400μm、その裏面側の直径がφ200μmの略逆円錐台形としている。また、貫通孔4の平面的形状は、円形や楕円形、多角形、矩形等のどのような形状であってもよい。また、5個の貫通孔4を有するパッケージ基板2を形成したが、その数は限定されない。   In addition, the hollow 3 has a mortar shape with a circular planar shape, and the through hole 4 is formed so that its diameter expands in a divergent shape from the back surface to the surface. That is, when the package substrate 2 is formed, the recess 3 and the through hole 4 are tapered. This is because mold release after the mold 32 is pressed onto the package substrate 2 is facilitated, and further, the separation of the through electrode 6 toward the back surface side is suppressed. As an example of specific dimensions, the through-hole 4 has a substantially inverted truncated cone shape with a diameter of 400 μm on the front surface side and a diameter of 200 μm on the back surface side. Further, the planar shape of the through-hole 4 may be any shape such as a circle, an ellipse, a polygon, and a rectangle. Further, although the package substrate 2 having the five through holes 4 is formed, the number thereof is not limited.

また、このような熱プレス法に代えてサンドブラスト法やエッチング法により貫通孔4を形成することができる。ただし、サンドブラスト法では個々に孔を形成しなければならず、またエッチング法ではフォトマスクの形成等、工程数が増加する。なお、パッケージ基板2として、ガラス基板に代えてセラミックス基板を使用することができ、その場合には、焼結前のグリーンシートにプレス法により孔を形成し、焼結して貫通孔4付のセラミックス板を得ることができる。   Further, the through-hole 4 can be formed by a sandblasting method or an etching method instead of such a hot pressing method. However, in the sandblast method, holes must be individually formed, and in the etching method, the number of steps such as formation of a photomask is increased. A ceramic substrate can be used as the package substrate 2 instead of the glass substrate. In that case, a hole is formed in the green sheet before sintering by a press method, and sintered to attach the through-hole 4. A ceramic plate can be obtained.

図4は、窪み3の下部にシリコンゴム9を設置した状態を示す断面模式図である。図5は、窪み3の底面に突起部9aの上面を当接した状態を示す断面模式図である。図4に示すように、パッケージ基板2を上下反転し、裏面を上方に向け、表面を下方に向け、窪み3の底面にシリコンゴム9に形成した突起部9aの上面を当接する。シリコンゴム9に形成した突起部9aは、複数の貫通孔4の全ての開口部を塞ぐ形状とする。具体的な寸法としては、パッケージ基板2は、その窪み3の深さAが500μm、底面から裏面までの深さBが400μm、窪み3の底面の直径がφ2.5mmとなっており、シリコンゴム9の突起部9aの上面は直径がφ2.5mm以下で、貫通孔4の全ての開口部を塞ぐ大きさを備え、高さが1mmとなっている。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the silicon rubber 9 is installed in the lower part of the recess 3. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the upper surface of the protrusion 9 a is in contact with the bottom surface of the recess 3. As shown in FIG. 4, the package substrate 2 is turned upside down, the back surface is directed upward, the front surface is directed downward, and the upper surface of the protrusion 9 a formed on the silicon rubber 9 is brought into contact with the bottom surface of the recess 3. The protrusions 9 a formed on the silicon rubber 9 have a shape that closes all the openings of the plurality of through holes 4. As specific dimensions, the package substrate 2 has a depth A of the recess 3 of 500 μm, a depth B from the bottom surface to the back surface of 400 μm, and a diameter of the bottom surface of the recess 3 of φ2.5 mm. 9 has a diameter of φ2.5 mm or less, a size that covers all the openings of the through hole 4, and a height of 1 mm.

シリコンゴム9は、Siを主成分とする合成樹脂から構成されており、弾性を有する。このシリコンゴム9の硬度は、パッケージ基板2を上側から配置した場合にその重みでパッケージ基板2との密着性が高まる程度が好適であり、具体的には、45〜13Hs(JIS K 6301 スプリング式A型)が好適である。   The silicon rubber 9 is made of a synthetic resin containing Si as a main component and has elasticity. The hardness of the silicon rubber 9 is preferably such that when the package substrate 2 is arranged from the upper side, the adhesion to the package substrate 2 is increased by its weight. Specifically, the hardness is 45-13Hs (JIS K 6301 spring type). A type) is preferred.

そして、このようなシリコンゴム9にパッケージ基板2を載置することによって、図5に示すように、パッケージ基板2によりシリコンゴム9の突起部9aが押圧され、変形し、シリコンゴム9の突起部9aがパッケージ基板2の窪み3の底面に密着し、貫通孔4を表面側から塞ぐこととなる。   Then, by placing the package substrate 2 on such a silicon rubber 9, as shown in FIG. 5, the projection 9a of the silicon rubber 9 is pressed and deformed by the package substrate 2, and the projection of the silicon rubber 9 is deformed. 9a adheres to the bottom surface of the recess 3 of the package substrate 2 and closes the through hole 4 from the surface side.

図6及〜図8は、印刷法により導電ペースト12を貫通孔4に充填する様子及び充填した状態を表す模式図であり、図9は、シリコンゴム9を貫通孔から除去した状態を示す模式図である。次に、図6に示すように、パッケージ基板2の裏面に導電ペースト12を付着し、貫通孔4に導電材料を充填する。この導電材料の充填はスクリーン印刷法により行う。スキージ13を移動して導電ペースト12を貫通孔4に充填する。導電ペースト12は導電性フィラーと樹脂バインダーを含有する。また、セラミックスやガラスに対して密着性のよい低融点ガラス粉を含有させてもよい。導電フィラーとして、Au、Ag又はCu、或いはAgにより被覆されたCuを使用する。また、図6及び図7に示すように、スキージ13をパッケージ基板2の裏面に対して進行方向に17〜20度の角度で傾斜し、往復する。これを繰り返し往復してスキージ13を移動することによって、図8に示すように、貫通孔4に導電ペースト12を充填する。次に温度約80℃で仮乾燥を行い導電ペースト12を仮硬化しシリコンゴム9を窪み3から離脱する。そして、図9に示すように、シリコンゴム9を窪み3から離脱した状態で、ペースト材料に応じて温度約200℃から約500℃で焼成し、貫通電極6a,6bとして固化する。また、貫通電極6aと貫通電極6bとは、電気的に分離している。   6 and 8 are schematic views showing a state in which the conductive paste 12 is filled in the through holes 4 by the printing method and the filled state, and FIG. 9 is a schematic view showing a state in which the silicon rubber 9 is removed from the through holes. FIG. Next, as shown in FIG. 6, a conductive paste 12 is attached to the back surface of the package substrate 2, and the through hole 4 is filled with a conductive material. The conductive material is filled by screen printing. The squeegee 13 is moved to fill the through hole 4 with the conductive paste 12. The conductive paste 12 contains a conductive filler and a resin binder. Moreover, you may contain the low melting glass powder with favorable adhesiveness with respect to ceramics or glass. As the conductive filler, Au, Ag or Cu, or Cu coated with Ag is used. Further, as shown in FIGS. 6 and 7, the squeegee 13 is tilted at an angle of 17 to 20 degrees in the traveling direction with respect to the back surface of the package substrate 2 and reciprocates. By repeatedly reciprocating this and moving the squeegee 13, the through-hole 4 is filled with the electrically conductive paste 12 as shown in FIG. Next, temporary drying is performed at a temperature of about 80 ° C., the conductive paste 12 is temporarily cured, and the silicon rubber 9 is detached from the recess 3. Then, as shown in FIG. 9, the silicon rubber 9 is baked at a temperature of about 200 ° C. to about 500 ° C. according to the paste material in a state where the silicon rubber 9 is detached from the recess 3 to solidify as the through electrodes 6a and 6b. The through electrode 6a and the through electrode 6b are electrically separated.

図10は、裏面電極27及び反射膜26を形成したパッケージ基板2の断面模式図であり、図11(a)は、LED素子23の実装及び封止を行った発光デバイス1の断面模式図であり、(b)はその上面図である。次に、図10に示すように、パッケージ基板2の裏面に裏面電極27a、27bを形成する。パッケージ基板2の裏面に、Ag等の導電材料が混入したインキをスクリーン印刷法により印刷する。次に、加熱焼成を行って固化する。印刷により裏面電極27a、27bを形成するので、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を必要とせず、製造コストを低減させることができる。   FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the package substrate 2 on which the back electrode 27 and the reflective film 26 are formed. FIG. 11A is a schematic cross-sectional view of the light-emitting device 1 in which the LED element 23 is mounted and sealed. And (b) is a top view thereof. Next, as shown in FIG. 10, back surface electrodes 27 a and 27 b are formed on the back surface of the package substrate 2. Ink mixed with a conductive material such as Ag is printed on the back surface of the package substrate 2 by a screen printing method. Next, it heat-fires and solidifies. Since the back electrodes 27a and 27b are formed by printing, the photolithography process and the etching process are not required, and the manufacturing cost can be reduced.

また、スクリーン印刷法に代えて、他の方法、例えばスパッタリング法や蒸着法、或いはメッキ法により金属膜を堆積して、裏面電極27a、27bを形成してもよい。金属の蒸着やスパッタリング法、或いはメッキ法により裏面電極27を形成する場合は、密着性を向上させるためにTi層、その上にバリア層、その上にPt層、或いはNi層、さらに表面酸化を防止するためにAu層を形成することができる。また、先にレジスト膜をパターニングしておきその上に金属膜を堆積し、その後レジスト膜を除去するリフトオフ法により、裏面電極27a、27bを形成することができる。   Further, instead of the screen printing method, the back electrodes 27a and 27b may be formed by depositing a metal film by another method such as sputtering, vapor deposition, or plating. When the back electrode 27 is formed by metal vapor deposition, sputtering, or plating, a Ti layer, a barrier layer thereon, a Pt layer, a Ni layer, and surface oxidation are further applied to improve adhesion. An Au layer can be formed to prevent this. Further, the back electrodes 27a and 27b can be formed by a lift-off method in which a resist film is patterned first, a metal film is deposited thereon, and then the resist film is removed.

また、窪み3のテーパーに反射膜26を形成する。この反射膜26は、導電ペーストのメタライズや、金属材料のスパッタリング又は蒸着により形成することができる。反射膜26は、窪み3の底面にも形成してもよい。   A reflective film 26 is formed on the taper of the recess 3. The reflective film 26 can be formed by metallization of a conductive paste, sputtering or vapor deposition of a metal material. The reflective film 26 may also be formed on the bottom surface of the recess 3.

次に、図11(a)及び(b)に示すように、パッケージ基板2の窪み3にLED素子23を実装する。LED素子23を、ダイボンディング材24を介在して貫通電極6aの露出面に載置し、加熱しながら押圧して接着する。ダイボンディング材24は導電性であり、LED素子23の裏面には図示しない電極が形成されており、貫通電極6aとLED素子23とを機械的及び電気的に接続する。ダイボンディング材24は、半田バンプや金バンプを使用することができる。また、ダイボンディング材24として、導電性接着材を使用することができる。   Next, as shown in FIGS. 11A and 11B, the LED element 23 is mounted in the recess 3 of the package substrate 2. The LED element 23 is placed on the exposed surface of the through electrode 6a with the die bonding material 24 interposed therebetween, and is pressed and bonded while being heated. The die bonding material 24 is conductive, and an electrode (not shown) is formed on the back surface of the LED element 23, and mechanically and electrically connects the through electrode 6 a and the LED element 23. As the die bonding material 24, solder bumps or gold bumps can be used. Moreover, a conductive adhesive can be used as the die bonding material 24.

また、LED素子23と貫通電極6bとをワイヤー25により接続する。LED素子23の上面には図示しない電極が形成されている。ワイヤー25として金の細線を使用することができる。なお、ワイヤー25を使用して接続することに代えて、LED素子23を貫通電極6bまで延在し、LED素子23の裏面に貫通電極6a、6bを対応させ2つの電極を形成し、面実装により一括して電気的及び機械的に接続してもよい。   Further, the LED element 23 and the through electrode 6 b are connected by a wire 25. An electrode (not shown) is formed on the upper surface of the LED element 23. A fine gold wire can be used as the wire 25. Instead of connecting using the wire 25, the LED element 23 is extended to the through electrode 6b, and the back surface of the LED element 23 is made to correspond to the through electrodes 6a and 6b to form two electrodes. May be connected together electrically and mechanically.

そして、窪み3に封止材28を充填してLED素子23を封止する。この封止材28として、絶縁性の透明樹脂材を使用することができる。また、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを重合・硬化させたシリコン酸化物を形成することができる。特に、金属アルコキシド又はポリメタロキサンから作成した金属酸化物を封止材28とした場合は、ガラスからなるパッケージ基板2もシリコン酸化物であることから、熱膨張係数が近似し、良好な接着性及び封止性を得ることができる。   Then, the LED element 23 is sealed by filling the recess 3 with the sealing material 28. As the sealing material 28, an insulating transparent resin material can be used. Moreover, the silicon oxide which superposed | polymerized and hardened the polymetalloxane formed from the metal alkoxide or metal alkoxide can be formed. In particular, when a metal oxide made from a metal alkoxide or polymetalloxane is used as the sealing material 28, the package substrate 2 made of glass is also a silicon oxide. And sealing property can be obtained.

このように、LED素子23の下部に貫通電極6aを設け、この貫通電極6aに裏面電極27aが接続するようにしたので、LED素子23の発光により発生した熱は、貫通電極6a及び裏面電極27aを介して外部へ効率よく放熱することができる。そのため、一つの窪み3に複数のLED素子23を設けて発光輝度を向上させる場合でも、加熱による発光効率の低下を防ぐことができる。また、窪み3を下部から上部に向けてその口径が末広状に拡大する形状としたので、LED素子23から発光した光に指向性を付与することができる。   Thus, since the through electrode 6a is provided under the LED element 23 and the back electrode 27a is connected to the through electrode 6a, the heat generated by the light emission of the LED element 23 is caused by the through electrode 6a and the back electrode 27a. The heat can be efficiently radiated to the outside through the. Therefore, even when a plurality of LED elements 23 are provided in one recess 3 to improve the light emission luminance, it is possible to prevent the light emission efficiency from being lowered by heating. Moreover, since the cavities 3 have a shape in which the diameter of the dent 3 expands from the bottom to the top, the directivity can be imparted to the light emitted from the LED element 23.

以上説明してきたように、本発明の発光デバイスの製造方法によれば、パッケージ基板2に窪み3が形成された構成であっても、その窪み3の底面に形成された貫通孔4を、窪み3が形成された表面側から塞ぐようにシリコンゴム9を載置して、窪み3形成されていない裏面側から導電ペースト12を充填した。これにより、窪み3の底面に形成した貫通孔4に導電ペースト12を容易に充填でき、更には、裏面の研磨処理等によりその平坦化も容易である。加えて、窪み3の底面と、その底面に露出する貫通電極6a、6bの表面とを略同一平面に平坦化することができるので、LED素子23の実装が容易となり、また、LED素子23の信頼性も確保することができる。   As described above, according to the method for manufacturing a light-emitting device of the present invention, even if the recess 3 is formed on the package substrate 2, the through-hole 4 formed on the bottom surface of the recess 3 is recessed. Silicon rubber 9 was placed so as to close from the front surface side where 3 was formed, and the conductive paste 12 was filled from the back surface side where the recess 3 was not formed. Thereby, the conductive paste 12 can be easily filled into the through-hole 4 formed in the bottom surface of the recess 3, and further, the flattening thereof can be easily performed by polishing the back surface. In addition, since the bottom surface of the recess 3 and the surface of the through electrodes 6a and 6b exposed on the bottom surface can be flattened in substantially the same plane, the LED element 23 can be easily mounted. Reliability can also be ensured.

なお、上述した実施例においては、パッケージ基板2を成形法により成形した例を説明したが、これに限定されない。例えば、パッケージ基板2に貫通電極6を形成した板状体と、窪み3を構成するための枠を当該板状体に貼り合わせた構造とすることもできる。また、パッケージ基板2の窪み3をサンドブラスト法やエッチング法により形成してもよい。   In the above-described embodiment, the example in which the package substrate 2 is molded by the molding method has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, a structure in which a plate-like body in which the through electrode 6 is formed on the package substrate 2 and a frame for forming the recess 3 are bonded to the plate-like body can be used. Further, the recess 3 of the package substrate 2 may be formed by a sandblasting method or an etching method.

また、上述した実施例においては、(1)ガラス材料の成形→(2)貫通電極の形成→(3)裏面電極の形成→(4)発光素子の実装→(5)封止材の形成の順であるが、この工程順に限定されない。例えば、(2)貫通電極を形成後に、(4)発光素子の実装→(5)封止材の形成→(3)裏面電極の形成の順であっても良い。   In the above-described embodiments, (1) glass material molding → (2) formation of through electrode → (3) formation of back electrode → (4) mounting of light emitting element → (5) formation of sealing material Although it is in order, it is not limited to this process order. For example, (2) after forming the through electrode, (4) mounting of the light emitting element → (5) formation of the sealing material → (3) formation of the back electrode may be performed.

また、上記実施例においては、スクリーン印刷方式で導電ペースト12を充填したが、これに限定されない。図12は、ディスペンサにより貫通孔に導電ペーストを充填する様子を示す模式図である。図12に示すように、ディスペンサ方式(具体的には、エア式やジェット式等)で導電ペーストを充填してもよい。この場合、上述した実施例と同じように、窪み3が形成された表面側からシリコンゴム9で貫通孔4を塞いだ状態で、ディスペンサ46のノズル47から導電ペーストを出射し、貫通孔4に導電ペーストを充填する。また、導電ペーストの表面に形成される角状の突起は、パッケージ基板2の裏面を研磨して平坦化すればよい。   Moreover, in the said Example, although the electrically conductive paste 12 was filled with the screen printing system, it is not limited to this. FIG. 12 is a schematic diagram showing a state where the through-hole is filled with the conductive paste by the dispenser. As shown in FIG. 12, the conductive paste may be filled by a dispenser method (specifically, an air method or a jet method). In this case, as in the above-described embodiment, the conductive paste is emitted from the nozzle 47 of the dispenser 46 in a state where the through hole 4 is closed with the silicon rubber 9 from the surface side where the recess 3 is formed, Fill with conductive paste. Further, the square projections formed on the surface of the conductive paste may be flattened by polishing the back surface of the package substrate 2.

また、上記実施例においては、窪み3と貫通孔4との口径が裏面から表面に向けて末広状に拡大するように形成されているが、この形状に限定されない。図13は、貫通孔4が他の断面形状を有する電子部品の断面模式図である。図13に示すように、窪み3の口径は窪みの底面から表面に向けて末広状に拡大する。貫通孔4は、窪み3の底面と裏面の中間部で口径が絞られている。この貫通孔4は、表面側と裏面側から2回に分けて成形することにより形成することができる。この貫通孔4に充填された貫通電極6は、貫通孔4から抜け落ちることがない。   Moreover, in the said Example, although the diameter of the hollow 3 and the through-hole 4 is formed so that it may expand in a divergent shape toward the surface from a back surface, it is not limited to this shape. FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of an electronic component in which the through hole 4 has another cross-sectional shape. As shown in FIG. 13, the diameter of the recess 3 expands in a divergent shape from the bottom surface to the surface of the recess. The diameter of the through hole 4 is narrowed at an intermediate portion between the bottom surface and the back surface of the recess 3. The through-hole 4 can be formed by molding in two steps from the front side and the back side. The through electrode 6 filled in the through hole 4 does not fall out of the through hole 4.

また、上述した実施例においては、1つの発光デバイス1に対して1箇所の窪み3を形成し、1箇所の窪み3に対して、複数の貫通孔4を形成し、1個のLED素子23を配置した構成であったが、これに限定されず、例えば、1箇所の窪み3に対して複数のLED素子23を配置してもよい。また、例えば、1箇所の窪み3に対して1箇所の貫通孔4が形成する構成であってもよい。また、例えば、1つの発光デバイス1に対して複数箇所の窪み3を形成する構成であってもよい。   In the embodiment described above, one recess 3 is formed for one light emitting device 1, a plurality of through holes 4 are formed for one recess 3, and one LED element 23 is formed. However, the present invention is not limited to this. For example, a plurality of LED elements 23 may be disposed in one recess 3. For example, the structure which the one through-hole 4 forms with respect to the one hollow 3 may be sufficient. For example, the structure which forms the hollow 3 of multiple places with respect to the one light emitting device 1 may be sufficient.

また、発光デバイス1の多数個取りを行うことも可能である。図14は、発光デバイス1の多数個取りを説明するための図であり、(a)がウエハ40の模式的な裏面図であり、(b)が1個の発光デバイス1の模式的な拡大離面図である。図14に示す製造方法では、1枚のウエハ40から86個の発光デバイス1を同時に製造する。図14に示すように、パッケージ基板2の裏面に形成した裏面電極27a、27bのパターンを配している   It is also possible to take a large number of light emitting devices 1. FIGS. 14A and 14B are diagrams for explaining the multi-cavity of the light emitting device 1, where FIG. 14A is a schematic rear view of the wafer 40, and FIG. 14B is a schematic enlarged view of one light emitting device 1. FIG. In the manufacturing method shown in FIG. 14, 86 light emitting devices 1 are manufactured simultaneously from one wafer 40. As shown in FIG. 14, the pattern of the back surface electrodes 27a and 27b formed on the back surface of the package substrate 2 is arranged.

また、図14(b)に示すように、LED素子23の領域に4個の貫通電極6aが、LED素子23の外側に1個の貫通電極6bが形成されている。LED素子23の領域に4個の貫通電極6aを形成することにより、LED素子23で発生する熱を効果的に放熱することができる。裏面電極27は、電極分離領域43を境にして、裏面電極27aと27bに電気的に分離している。   Further, as shown in FIG. 14B, four through electrodes 6 a are formed in the region of the LED element 23, and one through electrode 6 b is formed outside the LED element 23. By forming the four through electrodes 6a in the region of the LED element 23, the heat generated in the LED element 23 can be effectively dissipated. The back electrode 27 is electrically separated into back electrodes 27a and 27b with the electrode separation region 43 as a boundary.

1個のパッケージ基板2は、縦切断ライン41、及び、横切断ライン42により区画されており、それら縦切断ライン41及び横切断ライン42に沿って個々の発光デバイス1に分離する。分離は、ダイシング又はスクライブ等により行うことができる。なお、取り個数は86個に限定されない。また、貫通電極6a、6bの個数や径は、LED素子23の数、供給する電流、放熱量等により適宜設定すればよい。   One package substrate 2 is partitioned by a vertical cutting line 41 and a horizontal cutting line 42, and is separated into individual light emitting devices 1 along the vertical cutting line 41 and the horizontal cutting line 42. Separation can be performed by dicing or scribing. Note that the number of picks is not limited to 86. Further, the number and diameter of the through electrodes 6a and 6b may be set as appropriate depending on the number of LED elements 23, the current to be supplied, the amount of heat dissipation, and the like.

このように、ウエハ40(パッケージ基板2)に複数の窪み3を形成し、それら複数の窪み3のそれぞれに貫通孔4を形成する。そして、複数の窪み3のそれぞれに対応し、複数の貫通孔4を塞ぐ位置に複数の突起部9aを一体に形成されたシリコンゴム9を用いて製造することとなる。従って、複数の窪み3における複数の貫通孔4を表面側からシリコンゴム9で塞ぐことができ、多くの発光デバイス1を容易に形成することができる。また、このシリコンゴム9は、複数の突起部9aが一体に形成されているため、容易な取り扱いで多くの貫通孔4を塞ぐことができる。   Thus, a plurality of depressions 3 are formed in the wafer 40 (package substrate 2), and the through holes 4 are formed in each of the plurality of depressions 3. Then, the silicon rubber 9 corresponding to each of the plurality of depressions 3 is manufactured using the silicon rubber 9 integrally formed with a plurality of protrusions 9a at positions where the plurality of through holes 4 are closed. Therefore, the plurality of through-holes 4 in the plurality of depressions 3 can be closed with the silicon rubber 9 from the surface side, and many light emitting devices 1 can be easily formed. In addition, since the silicon rubber 9 has a plurality of protrusions 9a formed integrally, many through holes 4 can be closed with easy handling.

また、上記実施例においては、パッケージ基板2の表面側からシリコンゴム9を配置し、貫通孔4を塞ぎ、パッケージ基板2の裏面側から導電ペースト12を充填させたが、これに限定されない。例えば、パッケージ基板2の表面側から弾性を有するポリエチレンフィルム等からなるプラスチックフィルムを加圧、加熱して貼り付け、貫通孔4を塞ぎ、パッケージ基板2の裏面側から導電ペースト12を充填させてもよい。   In the above embodiment, the silicon rubber 9 is disposed from the front surface side of the package substrate 2, the through holes 4 are closed, and the conductive paste 12 is filled from the back surface side of the package substrate 2. However, the present invention is not limited to this. For example, a plastic film made of an elastic polyethylene film or the like is applied from the front surface side of the package substrate 2 by pressing and heating, and the through-hole 4 is closed, and the conductive paste 12 is filled from the back surface side of the package substrate 2. Good.

また、導電ペーストを貫通孔4に充填させる際に、その貫通孔4を真空状態とし、この貫通孔4に導電ペーストを注入する。例えば、貫通孔4への導電ペーストの充填を真空チャンバー内で行う。これにより、導電ペースト内に気泡が混入して断線等の不良発生を防止することができる。   Further, when filling the through hole 4 with the conductive paste, the through hole 4 is brought into a vacuum state, and the conductive paste is injected into the through hole 4. For example, the conductive paste is filled into the through holes 4 in a vacuum chamber. Thereby, bubbles can be prevented from occurring in the conductive paste due to breakage and the like.

また、上記実施例においては、パッケージ基板2を通常のガラス材料から作成したが、これに限定されず、例えば、樹脂やセラミック等から作成してもよい。また、上記実施例においては、電子部品として発光デバイスを採用したが、これに限定されず、他の電子部品を採用してもよい。   Moreover, in the said Example, although the package substrate 2 was created from the normal glass material, it is not limited to this, For example, you may create from resin, a ceramic, etc. Moreover, in the said Example, although the light-emitting device was employ | adopted as an electronic component, it is not limited to this, You may employ | adopt another electronic component.

1 発光デバイス
2 パッケージ基板
3 窪み
4 貫通孔
6 貫通電極
9 シリコンゴム
9a 突起部
12 導電ペースト
13 スキージ
23 LED素子
70 基板
74 弾性部材
77 電子素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting device 2 Package board 3 Indentation 4 Through-hole 6 Through-electrode 9 Silicon rubber 9a Protrusion part 12 Conductive paste 13 Squeegee 23 LED element 70 Board | substrate 74 Elastic member 77 Electronic element

Claims (6)

基板と、基板に実装された電子素子と、を備える電子部品の製造方法において、
窪みと、当該窪みの底面を貫通する貫通孔とを有する基板を形成する工程と、
前記窪みが形成された窪み面側から前記貫通孔を塞ぐ位置に弾性を有する弾性部材を配置する工程と、
前記窪み側とは逆の平面側から前記貫通孔に導電ペーストを充填する工程と、
前記窪みが形成された窪み面側から前記弾性部材を除去する工程と、
前記導電ペーストに導通するように前記電子素子を実装する工程と、を含む電子部品の製造方法。
In a method for manufacturing an electronic component comprising a substrate and an electronic element mounted on the substrate,
Forming a substrate having a recess and a through-hole penetrating the bottom surface of the recess;
A step of disposing an elastic member having elasticity at a position where the through hole is closed from the hollow surface side where the hollow is formed;
Filling the through hole with a conductive paste from a plane side opposite to the hollow side;
Removing the elastic member from the hollow surface side where the hollow is formed;
Mounting the electronic element so as to be electrically connected to the conductive paste.
前記基板を形成する工程は、前記窪みにテーパーを形成することを特徴とする請求項1に記載の電子部品の製造方法。   The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the step of forming the substrate forms a taper in the recess. 前記基板を形成する工程は、前記貫通孔にテーパーを形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品の製造方法。   The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the step of forming the substrate forms a taper in the through hole. 前記導電ペーストを充填する工程は、スクリーン印刷方式により行なわれることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。   4. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the step of filling the conductive paste is performed by a screen printing method. 前記導電ペーストを充填する工程は、ディスペンサ方式により行なわれることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。   4. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the step of filling the conductive paste is performed by a dispenser method. 前記基板を形成する工程は、前記基板に複数の前記窪みと複数の前記貫通孔を形成し、
複数の前記窪みのそれぞれに対応し、複数の前記貫通孔を塞ぐ位置に配置される複数の前記弾性部材は一体に形成されたことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
The step of forming the substrate includes forming the plurality of depressions and the plurality of through holes in the substrate,
6. The elastic member according to claim 1, wherein the plurality of elastic members corresponding to each of the plurality of depressions and disposed at positions where the plurality of through-holes are closed are integrally formed. Manufacturing method for electronic parts.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2013168625A1 (en) * 2012-05-09 2013-11-14 コニカミノルタ株式会社 Glass plate manufacturing method and manufacturing device

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