JP2010123606A5 - - Google Patents

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貫通電極付基板、発光デバイス及び貫通電極付基板の製造方法Substrate with through electrode, light emitting device, and method for manufacturing substrate with through electrode

本発明は、電子部品に使用される基板に貫通電極を形成した貫通電極付基板、その製造方法、及び貫通電極付基板を用いた発光デバイスに関する。   The present invention relates to a substrate with a through electrode in which a through electrode is formed on a substrate used for an electronic component, a manufacturing method thereof, and a light emitting device using the substrate with a through electrode.

面発光素子、特にLED(Light Emitting Diode)は、近年、発光輝度等の改善が図られて、用途拡大への期待が高い。従来はプラスチックケースにLEDを実装し、マイクロレンズなどを光路の途中において集光させたり、LED及びLEDを実装した基板全体を、透明な樹脂でモールドし、樹脂の表面を滑らかな球面などに仕上げることで、樹脂をレンズとして使用して集光させたりした。このようなLEDを実装した発光デバイスは、例えば液晶表示装置のバックライト、信号機の発光素子、大型電光掲示板や映像画面、その他イルミネーション用として使用されている。LEDは、低電圧、低消費電力で駆動でき、発光輝度や発光寿命が改善されたことから室内灯や自動車照明、液晶表示画面のバックライト用などの幅広い分野への適用が期待されている。   Surface light emitting elements, particularly LEDs (Light Emitting Diodes), have recently been improved in light emission luminance and the like, and are expected to expand their applications. Conventionally, LEDs are mounted on a plastic case, and a microlens or the like is focused in the middle of the optical path, or the entire substrate on which the LEDs and LEDs are mounted is molded with a transparent resin, and the surface of the resin is finished to a smooth spherical surface. As a result, the resin was condensed as a lens. Light emitting devices mounted with such LEDs are used, for example, as backlights for liquid crystal display devices, light emitting elements for traffic lights, large electronic bulletin boards, video screens, and other illuminations. LEDs can be driven with low voltage and low power consumption, and their emission luminance and emission life have been improved, so that they are expected to be applied to a wide range of fields such as indoor lighting, automobile lighting, and backlights for liquid crystal display screens.

しかし、LED素子単体の発光輝度は他の発光体と比較するといまだ弱く、そのために多数のLED素子をまとめて発光体を構成する必要がある。また、LED素子の発光強度を強くすると発熱量が増大する。LED素子が加熱されると発光効率が低下するので、効果的に放熱できる構造を採用する必要がある。また、蛍光灯等の他の発光体と置き換えるには製造工程を簡単にして製造コストを低下させる必要がある。   However, the light emission luminance of a single LED element is still weak compared to other light emitters, and it is therefore necessary to configure a light emitter by combining a large number of LED elements. Further, when the emission intensity of the LED element is increased, the amount of heat generation increases. Since the luminous efficiency is lowered when the LED element is heated, it is necessary to adopt a structure that can effectively dissipate heat. Moreover, in order to replace with other light emitters such as a fluorescent lamp, it is necessary to simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing cost.

特許文献1には、表面に導体膜を印刷したセラミックグリーンシートを成形加工してキャビティーを形成し、このキャビティーの底部にLEDを実装したLEDパッケージが記載されている。キャビティーの側面には導体膜からなる反射層が形成されている。この反射層は、成形される前のグリーンシート上に印刷法により導体膜を形成し、キャビティーの傾斜部にこの導体膜が位置するようにプレス加工し、その後焼成によるメタライズを行って光反射層としている。キャビティーの底部にはスルーホールが形成され、このスルーホールを介して裏面側に配線が引き出されている。
特開平9−45965号公報
Patent Document 1 describes an LED package in which a ceramic green sheet having a conductor film printed on its surface is molded to form a cavity, and an LED is mounted on the bottom of the cavity. A reflective layer made of a conductor film is formed on the side surface of the cavity. This reflective layer is formed by forming a conductor film on the green sheet before being formed by printing, pressing it so that the conductor film is positioned on the inclined part of the cavity, and then performing metallization by firing to reflect light. It is as a layer. A through hole is formed at the bottom of the cavity, and wiring is drawn out to the back side through the through hole.
JP 9-45965 A

しかしながら、特許文献1に記載されるLEDパッケージは、焼成前に電極や反射膜用の導体膜を形成し、その後プレス加工によりキャビティーを形成し、焼成している。この焼成はセラミックスの焼結なので1000℃以上の高温処理が必要である。そのため、製造工程を通す時間が長くなるとともに、電極パターンを印刷してからプレス加工や高温熱処理を経ることになるので、キャビティーの外形精度や電極パターンの高精細化には限界がある。   However, in the LED package described in Patent Document 1, a conductor film for an electrode and a reflective film is formed before firing, and then a cavity is formed by press working and fired. Since this firing is a ceramic sintering, a high temperature treatment of 1000 ° C. or higher is required. For this reason, the time for passing through the manufacturing process becomes longer, and the electrode pattern is printed and then subjected to press working and high-temperature heat treatment, so that there is a limit to the accuracy of the outer shape of the cavity and the high definition of the electrode pattern.

また、高温処理を行わないで貫通電極を形成する方法として、パッケージに形成した貫通孔に金属メッキ処理を施す方法が知られている。しかし、メッキ処理による金属の析出速度が遅く、生産性が悪い、という課題がある。更に、メッキ処理により析出した貫通電極には内部に空洞が生じやすい。そのため、貫通電極による密閉性が低下して水分や不純物が外部から浸入し、素子の信頼性を損なう、という課題があった。また、貫通電極と貫通孔の即壁面との間の密着性が弱く、温度変化を繰り返すことにより貫通電極が脱落する、などの課題があった。   Further, as a method for forming a through electrode without performing a high temperature treatment, a method of performing metal plating on a through hole formed in a package is known. However, there is a problem that the metal deposition rate by plating is slow and the productivity is poor. Furthermore, the through electrode deposited by the plating process tends to have a cavity inside. For this reason, there is a problem in that the sealing performance by the through electrode is lowered, moisture and impurities enter from the outside, and the reliability of the element is impaired. Moreover, the adhesiveness between a through-electrode and the immediate wall surface of a through-hole was weak, and there existed a subject that a through-electrode fell off by repeating a temperature change.

また、発光デバイスの場合には、パッケージに形成する貫通電極の他に、発光素子から射出される光に指向性を付与するために反射膜を形成する必要がある。しかし、メッキ処理により形成した金属膜の表面は反射率が低い、或いは、波長依存性が強くなる。そのために、反射面の形成と貫通電極の形成と同時に行うことができず、製造工程数が増加する不具合があった。   In the case of a light emitting device, in addition to the through electrode formed in the package, it is necessary to form a reflective film in order to impart directivity to the light emitted from the light emitting element. However, the surface of the metal film formed by the plating process has a low reflectance or has a strong wavelength dependency. Therefore, the formation of the reflective surface and the formation of the through electrode cannot be performed at the same time, and there is a problem that the number of manufacturing steps increases.

そこで、本発明においては上記課題を解決するために以下の構成とした。   Therefore, in the present invention, the following configuration is adopted in order to solve the above problems.

(1)本発明の発光デバイスは、中央部に窪みを有するパッケージ基板と、前記窪みの底面に実装された発光素子と、前記窪みの壁面にナノ金属粒子を熱処理して形成された光反射膜と、前記発光素子を封止する封止材と、を備えるようにした。 (1) The light emitting device of the present invention includes a package substrate having a recess in the central portion, the Mino Kubo and light emitting element mounted on the bottom surface, the recess light reflective film formed by heat-treating the nano metal particles on the wall surface of the And a sealing material for sealing the light emitting element .

(2)前記窪みの底面には、ナノ金属粒子を熱処理した光反射膜が形成されていることとした。 (2) A light reflecting film obtained by heat-treating nano metal particles is formed on the bottom surface of the recess.

(3)前記パッケージ基板は、ガラス材料、セラミックス材料、窒化アルミニウム材料又は金属材料から一体的に形成されていることとした。 (3) The package substrate is integrally formed of a glass material, a ceramic material, an aluminum nitride material, or a metal material .

(4)前記パッケージ基板は、窪みの底面から裏面に貫通する貫通孔に充填された貫通電極を備え、前記貫通電極は、前記貫通孔の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理により得られた金属材料を含むこととした。 (4) The package substrate includes a through electrode filled in a through hole penetrating from the bottom surface of the recess to the back surface, and the through electrode is obtained by heat treatment with nano metal particles attached to the side wall surface of the through hole. Including metal materials .

(5)前記貫通電極は、前記貫通孔の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理により得られた第1導体と、前記第1導体の内周側に充填された第2導体からなることとした。 (5) The through electrode includes a first conductor obtained by heat treatment with nano metal particles attached to the side wall surface of the through hole, and a second conductor filled on the inner peripheral side of the first conductor. It was.

(6)前記ナノ金属粒子は、ナノ銀粒子、ナノ金粒子又はナノ銅粒子であることとした。 (6) The nano metal particles are nano silver particles, nano gold particles, or nano copper particles.

(7)本発明の発光デバイスの製造方法において、中央部に窪み有するパッケージ基板を形成する工程と、前記窪みの壁面ナノ金属粒子を付着させ、これを熱処理して光反射膜を形成する工程と前記窪みの底面に発光素子を実装する工程と、前記発光素子を封止材により封止する工程と、を含むようにした。 (7) In the method for manufacturing a light emitting device of the present invention, a step of forming a package substrate having a depression at the center, and nano metal particles are attached to the wall surface of the depression and heat-treated to form a light reflecting film. A step , a step of mounting a light emitting element on the bottom surface of the depression, and a step of sealing the light emitting element with a sealing material .

(8)前記窪みの底面に穴を形成する工程と、前記穴の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理する工程と、前記ナノ金属粒子が付着された穴に導電材料を充填する工程を加えたこととした。 (8) A step of forming a hole in the bottom surface of the depression, a step of heat-treating the nanometal particles on the side wall surface of the hole, and a step of filling the hole with the nanometal particles attached thereto with a conductive material. It has been added .

(9)前記ナノ金属粒子を付着させる工程の前に、前記窪みの壁面又は前記穴の側壁面を撥水性表面に置換することとした。(9) Before the step of attaching the nano metal particles, the wall surface of the recess or the side wall surface of the hole is replaced with a water-repellent surface.

(10)前記パッケージ基板を形成する工程において、前記窪みはパッケージ材料を成形加工して形成することとした。  (10) In the step of forming the package substrate, the depression is formed by molding a package material.

(11)前記パッケージ材料を成型加工する工程において、前記窪みと同時に前記穴を形成することとした。  (11) In the step of molding the package material, the hole is formed simultaneously with the depression.

(12)前記導電材料を充填する工程の後に、前記穴が形成された表面とは反対側の裏面を研削して、前記充填された導電材料を露出させて平坦化する工程を有することとした。  (12) After the step of filling the conductive material, the method includes a step of grinding the back surface opposite to the surface on which the holes are formed, and exposing and planarizing the filled conductive material. .

(13)前記ナノ金属粒子の付着は、インクジェット印刷法により前記窪みの壁面及び底面にナノ金属粒子を印刷して付着させることとした。(13) The nano metal particles are attached by printing the nano metal particles on the wall surface and bottom surface of the recess by an ink jet printing method.

本発明によればパッケージ基板の窪みの壁面にナノ金属粒子を焼成して得られる光反射膜を形成した。これによりパッケージ基板と光反射膜との間の密着性向上させることができる According to the present invention, the light reflecting film obtained by firing the nano metal particles is formed on the wall surface of the recess of the package substrate. This makes it possible to improve the adhesion between the package substrate and the light reflecting film.

(実施形態1) 図1は、本発明の実施形態1に係る発光デバイス1の模式的な縦断面図である。発光デバイス1は、パッケージ基板2の窪み3の底面にダイボンディング材9により発光素子4が実装されている。パッケージ基板2には、窪み3の底面から裏面に貫通する貫通孔11が形成されている。貫通孔11には貫通電極7a、7bが充填されている。パッケージ基板2の窪み3の壁面には、発光素子4から発光する光を反射させるための光反射膜5が形成されている。発光素子4の裏面には図示しない電極が形成され、ダイボンディング材9を介して貫通電極7aに電気的に接続されている。更に、発光素子4の上面には図示しない他の電極が形成され、ワイヤー10を介して貫通電極7bと電気的に接続されている。 Embodiment 1 FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view of a light emitting device 1 according to Embodiment 1 of the present invention. In the light emitting device 1, the light emitting element 4 is mounted on the bottom surface of the recess 3 of the package substrate 2 by the die bonding material 9. A through-hole 11 is formed in the package substrate 2 so as to penetrate from the bottom surface of the recess 3 to the back surface. The through-hole 11 is filled with through-electrodes 7a and 7b. A light reflecting film 5 for reflecting the light emitted from the light emitting element 4 is formed on the wall surface of the recess 3 of the package substrate 2. An electrode (not shown) is formed on the back surface of the light emitting element 4 and is electrically connected to the through electrode 7 a through the die bonding material 9. Further, another electrode (not shown) is formed on the upper surface of the light emitting element 4, and is electrically connected to the through electrode 7 b through the wire 10.

パッケージ基板2の窪み3には封止材6が塗布され、発光素子4及びワイヤー10が封止されている。パッケージ基板2の裏面には裏面電極8a、8bが電気的に分離して形成されている。即ち、発光素子4に対して、裏面電極7a及び7bから電力供給が可能に構成されている。更に、発光素子4が発光して発熱したときは、貫通電極7aを介して裏面電極8aに熱が伝達され、放熱可能に構成されている。   A sealing material 6 is applied to the recess 3 of the package substrate 2, and the light emitting element 4 and the wire 10 are sealed. Back electrodes 8 a and 8 b are formed on the back surface of the package substrate 2 so as to be electrically separated. That is, the light emitting element 4 can be supplied with power from the back electrodes 7a and 7b. Furthermore, when the light emitting element 4 emits light and generates heat, heat is transmitted to the back electrode 8a through the through electrode 7a, so that heat can be dissipated.

ここで、光反射膜5及び貫通電極7a、7bは、ナノ金属粒子を熱処理して得られた金属材料を含んでいる。なお、ナノ金属粒子とは、粒子径が数ナノメートルから数10ナノメートルの金属粒子をいう。ナノ金属粒子の熱処理は100℃〜600℃の温度により行う。ナノ金属粒子として、例えばナノAg粒子、ナノAu粒子、ナノCu粒子を使用することができる。ナノ金属粒子を溶媒に分散させ、ディスペンス法やインクジェット印刷法により窪み3の壁面及び貫通孔11の側壁面に付着し、熱処理して金属膜とする。ナノ金属粒子は他の金属粒子やバルクと比較して、表面積が極めて大きい。そのため、ナノ金属粒子を塗布した後に焼成して金属膜を形成すると、基板面に対する密着力が向上する。また、ナノ金属粒子は反応性が高いので、他の金属粒子の場合と比較して焼成温度を低下させることができる。 Here, the light reflection film 5 and the through electrodes 7a and 7b include a metal material obtained by heat-treating nano metal particles. The nano metal particles mean metal particles having a particle diameter of several nanometers to several tens of nanometers. The heat treatment of the nano metal particles is performed at a temperature of 100 ° C to 600 ° C. As the nano metal particles, for example, nano Ag particles, nano Au particles, and nano Cu particles can be used. The nano metal particles are dispersed in a solvent, adhered to the wall surface of the recess 3 and the side wall surface of the through hole 11 by a dispensing method or an ink jet printing method, and heat-treated to form a metal film. Nano metal particles have an extremely large surface area compared to other metal particles and bulk. For this reason, when the metal film is formed by baking after applying the nano metal particles, the adhesion to the substrate surface is improved. Moreover, since the nano metal particles have high reactivity, the firing temperature can be lowered as compared with the case of other metal particles.

(実施形態2) 図2は、本発明の実施形態2に係る発光デバイス1の模式的な縦断面図である。図1に示す実施形態1と異なる部分は、パッケージ基板2の窪み3の底面にも光反射膜5が形成され、貫通電極7は第1導体Xと第2導体Yから構成されている点である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。 Embodiment 2 FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view of a light emitting device 1 according to Embodiment 2 of the present invention. 1 is different from the first embodiment shown in FIG. 1 in that a light reflecting film 5 is also formed on the bottom surface of the recess 3 of the package substrate 2 and the through electrode 7 is composed of a first conductor X and a second conductor Y. is there. The same portions or portions having the same function are denoted by the same reference numerals.

発光デバイス1は、中央部に窪み3を有するパッケージ基板2と、窪み3の底部に実装したLEDを用いた発光素子4と、発光素子4から発光した光を反射させるため、窪み3の壁面に形成した光反射膜5を備えている。発光デバイス1は、更に、窪み3の底面からパッケージ基板2の裏面に貫通する貫通孔11に形成した貫通電極7a、7bと、パッケージ基板2の裏面に形成し、貫通電極7a、7bとそれぞれ電気的に接続する裏面電極8a、8bを備えている。発光素子4は、貫通電極7aの上にダイボンディング材9を介して実装されている。発光素子4の上部に図示しない電極パッドが形成され、この電極パッドと貫通電極7bは金線からなるワイヤー10により接続されている。 The light emitting device 1 reflects the light emitted from the light emitting element 4 using the LED mounted on the bottom of the package substrate 2 having the depression 3 at the center, the depression 3, and the wall of the depression 3. The formed light reflecting film 5 is provided. The light emitting device 1 further includes through electrodes 7a and 7b formed in the through holes 11 penetrating from the bottom surface of the recess 3 to the back surface of the package substrate 2, and formed on the back surface of the package substrate 2, and the through electrodes 7a and 7b are electrically connected to each other. The back electrodes 8a and 8b are connected to each other. The light emitting element 4 is mounted on the through electrode 7a via a die bonding material 9. An electrode pad (not shown) is formed on the light emitting element 4, and the electrode pad and the through electrode 7 b are connected by a wire 10 made of a gold wire.

窪み3の壁面と底面に形成した光反射膜5は、ナノ金属粒子の印刷法により形成されている。また、貫通電極7a、7bは、第1導体Xと第2導体Yから構成されている。第1導体Xは、ナノ金属粒子の印刷法により形成されている。第2導体Yは、導体フィラーと樹脂バインダーを混練した導電ペースト、または導体フィラーとガラスフリットと樹脂バインダーを混練した導電ペーストから形成されている。従って、窪み3の壁面及び底面に形成した光反射膜5と、貫通孔11の側壁面に形成した第1導体Xとを、ナノ金属粒子の印刷により同時に形成することができる。ナノ金属粒子としてナノAg粒子を使用することができる。Ag膜は反射率が高いので光反射膜5に適するからである。 The light reflecting film 5 formed on the wall surface and bottom surface of the recess 3 is formed by a printing method of nano metal particles. The through electrodes 7a and 7b are composed of a first conductor X and a second conductor Y. The first conductor X is formed by a printing method of nano metal particles. The second conductor Y is formed from a conductive paste in which a conductor filler and a resin binder are kneaded, or a conductive paste in which a conductor filler, glass frit and a resin binder are kneaded. Therefore, the light reflecting film 5 formed on the wall surface and the bottom surface of the recess 3 and the first conductor X formed on the side wall surface of the through hole 11 can be simultaneously formed by printing nano metal particles. Nano Ag particles can be used as the nano metal particles. This is because the Ag film is suitable for the light reflecting film 5 because of its high reflectance .

パッケージ基板2は板状のガラス材料を使用し、成形加工により窪み3及び貫通孔11を形成した。パッケージ基板2は、異なる材料による接合部が無いように一体的に形成されているので、耐久性が向上した。また、パッケージ基板2は、同じ材料を用いた一体物に代えて異なる材料を接合して形成してもよい。また、ナノ金属粒子の焼成は1000℃以上の高温処理を必要としないので、パッケージ基板2の材料選択の幅が拡大する。例えば、ガラス材料の他にセラミックス材料、窒化アルミニウム材料又は金属材料を使用することができる。また、窪み3や貫通孔11は、サンドブラスト法やエッチング法により形成してもよい。   The package substrate 2 uses a plate-like glass material, and the recesses 3 and the through holes 11 are formed by molding. Since the package substrate 2 is integrally formed so that there are no joint portions made of different materials, the durability is improved. Further, the package substrate 2 may be formed by bonding different materials in place of an integrated material using the same material. Moreover, since the firing of the nano metal particles does not require a high temperature treatment of 1000 ° C. or higher, the material selection range of the package substrate 2 is expanded. For example, in addition to the glass material, a ceramic material, an aluminum nitride material, or a metal material can be used. Moreover, you may form the hollow 3 and the through-hole 11 by the sandblasting method or the etching method.

発光素子4及びワイヤー10は透明な封止材6により封止されている。また、パッケージ基板2にガラス材料を使用する場合は、封止材6として、樹脂材料に代えて金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを重合・焼成した金属酸化物から作成することができる。特に、金属アルコキシド又はポリメタロキサンから作成した金属酸化物を封止材6とした場合は、ガラスからなるパッケージ基板2もシリコン酸化物であることから、熱膨張係数が近似し、良好な接着性及び封止性を得ることができる。   The light emitting element 4 and the wire 10 are sealed with a transparent sealing material 6. When a glass material is used for the package substrate 2, the sealing material 6 may be made from a metal oxide obtained by polymerizing and baking a metal alkoxide or a polymetalloxane formed from a metal alkoxide instead of a resin material. it can. In particular, when a metal oxide prepared from a metal alkoxide or polymetalloxane is used as the sealing material 6, since the package substrate 2 made of glass is also a silicon oxide, the thermal expansion coefficient is approximated and good adhesiveness is obtained. And sealing property can be obtained.

裏面電極8a、8bは、金属の蒸着法やスパッタリング法、或いは導電材料の印刷法により形成することができる。印刷法によれば、導電膜の堆積とそのパターニングを同時に行うので、製造プロセスの簡素化を図ることができる。パッケージ基板2の材料としてガラスを使用し、金属の蒸着やスパッタリング法により裏面電極8a、8bを形成する場合には、密着性を向上させるためにTi層、その上にバリア層、その上にPt層、或いはNi層、さらに表面酸化を防止するためにAu層を形成することができる。また、先に感光性樹脂、例えばレジスト等により電極パターンを形成しておき、その上に金属膜を堆積して、レジストを除去するリフトオフ法により形成することもできる。   The back electrodes 8a and 8b can be formed by a metal vapor deposition method, a sputtering method, or a conductive material printing method. According to the printing method, since the conductive film is deposited and patterned at the same time, the manufacturing process can be simplified. When glass is used as the material of the package substrate 2 and the back electrodes 8a and 8b are formed by metal vapor deposition or sputtering, a Ti layer, a barrier layer thereon, and a Pt layer thereon are provided to improve adhesion. An Au layer can be formed to prevent the layer or Ni layer and also surface oxidation. Alternatively, it may be formed by a lift-off method in which an electrode pattern is first formed from a photosensitive resin, for example, a resist, a metal film is deposited thereon, and the resist is removed.

このように、発光素子4の下部に貫通電極7aを設け、この貫通電極7aに裏面電極8aが接続するようにしたので、発光素子4の発光により発生した熱は、貫通電極7a及び裏面電極8aを介して外部へ効率よく放熱することができる。そのため、一つの窪み3に複数の発光素子4を設けて発光輝度を向上させる場合でも、加熱による発光効率の低下を防ぐことができる。また、窪み3を下部から上部に向けてその口径が末広状に拡大する形状としたので、発光素子4から発光した光に指向性を付与することができる。   Thus, since the through electrode 7a is provided under the light emitting element 4 and the back electrode 8a is connected to the through electrode 7a, the heat generated by the light emission of the light emitting element 4 is caused by the through electrode 7a and the back electrode 8a. The heat can be efficiently radiated to the outside through the. Therefore, even when a plurality of light emitting elements 4 are provided in one depression 3 to improve the light emission luminance, it is possible to prevent the light emission efficiency from being lowered due to heating. In addition, since the diameter of the recess 3 is enlarged from the lower part toward the upper part, the directivity can be imparted to the light emitted from the light emitting element 4.

ここで、貫通電極7a、7bは、貫通孔11の壁面に形成した第1導体Xと、その内周部に充填した第2導体Yにより構成している。第2導体Yは、第1導体Xの内周側に導電性フィラーと樹脂バインダーを混練した導電ペーストを充填し、焼成して形成した。ナノ金属粒子は反応性が高いので、導電ペーストの焼成において、ナノ金属粒子と導電ペーストの導体とはその界面において相互に拡散する。その結果、焼成後の第1導体Xと第2導体Yとは、その界面において相互拡散層又は合金層が形成されて強固に結合し、密着力が向上する。そのため、パッケージ基板2の昇温及び降温を繰り返しても、貫通電極7が落下することがない。   Here, the through electrodes 7a and 7b are constituted by a first conductor X formed on the wall surface of the through hole 11 and a second conductor Y filled in the inner peripheral portion thereof. The second conductor Y was formed by filling the inner peripheral side of the first conductor X with a conductive paste kneaded with a conductive filler and a resin binder and firing it. Since the nano metal particles have high reactivity, the nano metal particles and the conductor of the conductive paste diffuse to each other at the interface when firing the conductive paste. As a result, the first conductor X and the second conductor Y after firing have an interdiffusion layer or an alloy layer formed at the interface to be firmly bonded, and the adhesion is improved. Therefore, the through electrode 7 does not fall even when the temperature rise and fall of the package substrate 2 are repeated.

また、第1導体Xを貫通孔11の側壁面に1μm以上の厚さで形成すれば、貫通孔11の側壁面の凹凸を埋めて滑らかな表面にすることができる。第1導体Xの内表面を滑らかにすることにより、導電ペーストを充填したときに導電ペーストと第1導体Xの表面との間に気泡が取り込まれ難くなるので、第1導体Xと第2導体Yとの間の密着力低下を防止することができる。   Further, if the first conductor X is formed on the side wall surface of the through hole 11 with a thickness of 1 μm or more, the unevenness of the side wall surface of the through hole 11 can be filled to make a smooth surface. By smoothing the inner surface of the first conductor X, it becomes difficult for air bubbles to be taken in between the conductive paste and the surface of the first conductor X when the conductive paste is filled, so the first conductor X and the second conductor It is possible to prevent a decrease in adhesion with Y.

基板2として、ガラス基板やセラミックス基板を使用することができる。ナノ金属粒子との密着性が優れているためである。貫通孔11は、その口径が裏面から表面に向けて末広状に拡大するように形成されている。これは、ナノ金属粒子を貫通孔11の側壁面に塗布し易くするためであるが、必須要件ではない。   As the substrate 2, a glass substrate or a ceramic substrate can be used. This is because the adhesion with the nano metal particles is excellent. The through-hole 11 is formed so that its diameter expands in a divergent shape from the back surface to the front surface. This is for facilitating application of the nano metal particles to the side wall surface of the through-hole 11, but is not an essential requirement.

パッケージ基板2の裏面における貫通電極7の表面は、パッケージ基板2の裏面と同一の表面となるように、平坦化されている。このように表面を平坦化することにより、裏面に電極を形成し、発光デバイス1を他の部品に実装することが容易となる。   The surface of the through electrode 7 on the back surface of the package substrate 2 is planarized so as to be the same surface as the back surface of the package substrate 2. By flattening the surface in this way, it becomes easy to form electrodes on the back surface and mount the light emitting device 1 on other components.

第1導体Xを形成するためのナノ金属粒子として、ナノ銀粒子を使用することが好ましい。ナノ銀粒子は基板に対する密着性が優れていることと、導電ペーストとの間の相互拡散層を形成しやすいからである。また、ナノ銀粒子は0.5μm以上の厚さで形成することが好ましい。   As the nanometal particles for forming the first conductor X, it is preferable to use nanosilver particles. This is because nano silver particles have excellent adhesion to the substrate and easily form an interdiffusion layer between the conductive paste. The nano silver particles are preferably formed with a thickness of 0.5 μm or more.

(実施形態3) 図3〜図10は、本発明の実施形態3に係る発光デバイス1の製造方法を表す模式図である。   (Embodiment 3) FIGS. 3-10 is a schematic diagram showing the manufacturing method of the light-emitting device 1 which concerns on Embodiment 3 of this invention.

図3は、パッケージ基板2を成形加工する様子を表している。図3(a)は成形加工方法を表し、定盤16の上にパッケージ材料としてガラス材15を設置し、ガラス材15が軟化する温度300℃〜800℃に加熱する。金型17の表面に、凸部18と凹部19が形成されている。凸部18は貫通電極用の穴となる部分であり、凹部19は窪み3の周囲の土手となる部分である。金型17も温度300℃〜800℃に加熱して、下部のガラス材15に押圧する。図3(b)は成型加工後のパッケージ基板2の縦断面図であり、窪み3及び穴20が形成される。なお、本実施形態3では、窪み3は平面的形状が円形のすり鉢状の形状を有している。   FIG. 3 shows how the package substrate 2 is formed. FIG. 3A shows a forming method. A glass material 15 is installed as a package material on the surface plate 16 and heated to a temperature of 300 ° C. to 800 ° C. at which the glass material 15 is softened. A convex portion 18 and a concave portion 19 are formed on the surface of the mold 17. The convex portion 18 is a portion that becomes a hole for a through electrode, and the concave portion 19 is a portion that becomes a bank around the recess 3. The mold 17 is also heated to a temperature of 300 ° C. to 800 ° C. and pressed against the lower glass material 15. FIG. 3B is a longitudinal sectional view of the package substrate 2 after the molding process, and the recess 3 and the hole 20 are formed. In the third embodiment, the recess 3 has a mortar shape with a circular planar shape.

図4は、窪み3の壁面と底面及び穴20の側壁面にインクジェット印刷法によりナノ金属粒子としてナノ銀粒子を印刷している様子を表している。インクジェット印刷を行う前に、パッケージ基板2の表面をフッ酸により洗浄する。次に、Arプラズマによりドライ洗浄を行う。次に、穴20の側壁面にフッ素系の表面処理を施して約80℃にて乾燥し、撥水性表面に置換する。撥水性表面に置換することにより、壁面におけるインクだれを低減することができる。次に、パッケージ基板2を温度70℃〜100℃の範囲に昇温して、インクジェット印刷機13のノズル14から溶媒に分散したナノ銀粒子を窪み3の壁面、底面及び穴20の側壁面に噴射する。インクジェット印刷の際には、光反射膜5aと光反射膜5bとは分離したパターンとする。後に実装する発光素子4の2つの電極として機能させるためである。なお、インクジェット印刷法に代えて、ディスペンス法によりナノ金属粒子を塗布してもよい。 FIG. 4 shows a state in which nano silver particles are printed as nano metal particles on the wall surface and bottom surface of the recess 3 and the side wall surface of the hole 20 by the ink jet printing method. Before performing inkjet printing, the surface of the package substrate 2 is washed with hydrofluoric acid. Next, dry cleaning is performed with Ar plasma. Next, the side wall surface of the hole 20 is subjected to a fluorine-based surface treatment, dried at about 80 ° C., and replaced with a water-repellent surface. By substituting with a water repellent surface, it is possible to reduce ink dripping on the wall surface. Next, the package substrate 2 is heated to a temperature in the range of 70 ° C. to 100 ° C., and the nano silver particles dispersed in the solvent from the nozzles 14 of the ink jet printer 13 are formed on the wall surface, the bottom surface, and the side walls of the holes 20. Spray. In the ink jet printing, the light reflecting film 5a and the light reflecting film 5b are separated from each other. This is because it functions as two electrodes of the light emitting element 4 to be mounted later. Instead of the ink jet printing method, the nano metal particles may be applied by a dispensing method.

ノズル14は紙面垂直方向に多数配列しているので、面状に任意のパターンに印刷することができる。ノズル14から噴射する液滴は、極めて微量で弾丸のように噴出するので、ノズル14の先端とパッケージ基板2の表面との間隙を2mm〜3mmに固定することができる。その結果、窪み3の壁面、底面及び穴20の側壁面にほぼ均一に印刷することができる。印刷後に、温度450℃〜550℃で焼成する。これにより、窪み3の壁面及び底面に光反射膜5a、5bを、また穴20の側壁面にナノAg膜からなる第1導体Xa、Xbが強固に付着する。 Since a large number of nozzles 14 are arranged in the direction perpendicular to the paper surface, printing can be performed in an arbitrary pattern on the surface. Since the droplets ejected from the nozzle 14 are ejected in a very small amount like a bullet, the gap between the tip of the nozzle 14 and the surface of the package substrate 2 can be fixed to 2 mm to 3 mm. As a result, it is possible to print almost uniformly on the wall surface and bottom surface of the recess 3 and the side wall surface of the hole 20. After printing, baking is performed at a temperature of 450 ° C. to 550 ° C. As a result, the light reflecting films 5 a and 5 b are firmly attached to the wall surface and the bottom surface of the recess 3, and the first conductors Xa and Xb made of the nano Ag film are firmly attached to the sidewall surface of the hole 20.

図5は、パッケージ基板2に形成した穴20に第2導体Ya、Ybを充填した状態を表す縦断面図である。図4に示す穴20にディスペンサー等によりAg等の金属を含有する導電ペーストを充填する。その後、温度約200℃で焼成して固化した。この焼成により、第1導体Xa、XbのナノAg膜と導電ペーストのAgとが相互に拡散してその界面に相互拡散層が形成される。これにより、第1導体Xa、Xbと第2導体Ya、Ybとは強固に結合する。第1導体Xaと第2導体Yaからなる貫通電極7aと、第1導体Xbと第2導体Ybからなる貫通電極7bとは電気的に分離している。また、導電ペーストに代えて、金属心材及びガラスフリットを挿入・充填して接着固化してもよい。   FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a state in which the holes 20 formed in the package substrate 2 are filled with the second conductors Ya and Yb. The hole 20 shown in FIG. 4 is filled with a conductive paste containing a metal such as Ag by a dispenser or the like. Then, it solidified by baking at a temperature of about 200 ° C. By this firing, the nano Ag films of the first conductors Xa and Xb and the Ag of the conductive paste diffuse to each other, and an interdiffusion layer is formed at the interface. Accordingly, the first conductors Xa and Xb and the second conductors Ya and Yb are firmly coupled. The through electrode 7a composed of the first conductor Xa and the second conductor Ya and the through electrode 7b composed of the first conductor Xb and the second conductor Yb are electrically separated. Further, instead of the conductive paste, a metal core material and glass frit may be inserted and filled to be solidified.

このように、光反射膜5と貫通電極7の第1導体Xとを同一の工程で製作することができるので、製造工程数を削減でき、製品コストの低減を図ることができる。 Thus, since the light reflection film 5 and the first conductor X of the through electrode 7 can be manufactured in the same process, the number of manufacturing processes can be reduced and the product cost can be reduced.

図6は、パッケージ基板2の裏面を研磨して、貫通電極7を裏面側に露出させた状態を表す縦断面図である。パッケージ基板2を平坦な研磨定盤又は研磨パッドに載置し、パッケージ基板2を、研磨剤を介在して押圧しながら相対的に移動して研磨する。これにより、貫通電極7の裏面の露出面とパッケージ基板2の裏面とを平坦化することができる。また、このように平坦化することにより、パッケージ基板2を他の部品に容易に実装することができる。   FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a state in which the back surface of the package substrate 2 is polished and the through electrode 7 is exposed to the back surface side. The package substrate 2 is placed on a flat polishing surface plate or polishing pad, and the package substrate 2 is relatively moved and polished while being pressed through an abrasive. Thereby, the exposed surface of the back surface of the through electrode 7 and the back surface of the package substrate 2 can be planarized. Further, by flattening in this way, the package substrate 2 can be easily mounted on other components.

図7は、パッケージ基板2の裏面に裏面電極8a、8bを形成した状態を表す縦断面図である。パッケージ基板2の裏面に、Ag等の導電材料が混入したインキをスクリーン印刷法により印刷する。次に、加熱焼成を行って固化する。印刷により裏面電極8a、8bを形成するので、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を必要とせず、製造コストを低減させることができる。また、スクリーン印刷法に代えて、他の方法、例えばスパッタリング法や蒸着法、或いはメッキ法により金属膜を堆積し、パターニングして裏面電極8a、8bを形成してもよい。   FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a state in which the back electrodes 8 a and 8 b are formed on the back surface of the package substrate 2. Ink mixed with a conductive material such as Ag is printed on the back surface of the package substrate 2 by a screen printing method. Next, it heat-fires and solidifies. Since the back electrodes 8a and 8b are formed by printing, the photolithography process and the etching process are not required, and the manufacturing cost can be reduced. Further, instead of the screen printing method, the back electrodes 8a and 8b may be formed by depositing and patterning a metal film by another method such as sputtering, vapor deposition or plating.

図8は、パッケージ基板2の窪み3に発光素子4を実装した状態を表す模式的な縦断面図である。発光素子4を、ダイボンディング材9を介在して貫通電極7aの露出面に載置し、加熱炉でダイボンディング材9を硬化して接着する。ダイボンディング材9は導電性であり、発光素子4の裏面には図示しない電極が形成されており、貫通電極7aと発光素子4とを機械的及び電気的に接続する。ダイボンディング材9は、半田バンプや金バンプを使用することができる。また、ダイボンディング材9として、導電性接着材を使用することができる。   FIG. 8 is a schematic longitudinal sectional view showing a state in which the light emitting element 4 is mounted in the recess 3 of the package substrate 2. The light emitting element 4 is placed on the exposed surface of the through electrode 7a with the die bonding material 9 interposed therebetween, and the die bonding material 9 is cured and bonded in a heating furnace. The die bonding material 9 is conductive, and an electrode (not shown) is formed on the back surface of the light emitting element 4, and mechanically and electrically connects the through electrode 7 a and the light emitting element 4. As the die bonding material 9, solder bumps or gold bumps can be used. In addition, a conductive adhesive can be used as the die bonding material 9.

図9は、発光素子4と貫通電極7bとをワイヤー10により接続した状態を表す縦断面図である。発光素子4の上面には図示しない電極が形成されている。ワイヤー10として金の細線を使用することができる。なお、ワイヤー10を使用して接続することに代えて、発光素子4を貫通電極7bまで延在させ、発光素子4の裏面に貫通電極7a、7bを対応させ2つの電極を形成し、面実装により一括して電気的及び機械的に接続してもよい。   FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing a state where the light emitting element 4 and the through electrode 7 b are connected by the wire 10. An electrode (not shown) is formed on the upper surface of the light emitting element 4. A gold fine wire can be used as the wire 10. Instead of connecting using the wire 10, the light emitting element 4 is extended to the through electrode 7b, and the back surface of the light emitting element 4 is made to correspond to the through electrodes 7a and 7b to form two electrodes. May be connected together electrically and mechanically.

図10は、窪み3に封止材6を塗布して発光素子4を封止した状態を表す縦断面図である。封止材6として、絶縁性の透明樹脂材を使用することができる。また、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを重合・硬化させたシリコン酸化物を形成することができる。   FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing a state in which the light emitting element 4 is sealed by applying the sealing material 6 to the recess 3. As the sealing material 6, an insulating transparent resin material can be used. Moreover, the silicon oxide which superposed | polymerized and hardened the polymetalloxane formed from the metal alkoxide or metal alkoxide can be formed.

以上説明してきたように、本発明の発光デバイスの製造方法によれば、窪み3の壁面、底面及び貫通電極用の穴20にナノ金属粒子を印刷法により印刷したので、従来例のように高温処理によるメタライズを必要としないで密着性の良好な貫通電極7を作成することができる。また、印刷法としてインクジェット印刷法を適用したので、段差のある表面に高精度の印刷パターンを形成することができる。また、必要な部分にのみナノ金属粒子を付着又は印刷するので、全面に電極形成後に必要な部分を残してエッチング除去する方法と比較して、使用する材料を低減することができる。   As described above, according to the method for manufacturing a light emitting device of the present invention, nano metal particles are printed on the wall surface, bottom surface, and through-electrode hole 20 of the recess 3 by a printing method. The through electrode 7 having good adhesion can be produced without requiring metallization by treatment. In addition, since the inkjet printing method is applied as the printing method, a highly accurate printing pattern can be formed on a stepped surface. In addition, since the nano metal particles are attached or printed only on a necessary portion, the material to be used can be reduced as compared with the method of removing the etching by leaving the necessary portion on the entire surface after forming the electrode.

なお、上記実施形態3においては、パッケージ基板2を成形法により成形した例を説明したが、これに限定されない。例えば、パッケージ基板2に貫通電極7を形成した板状体と、窪み3を構成するための枠を当該板状体に貼り合わせた構造とすることもできる。また、パッケージ基板2の窪み3をサンドブラスト法やエッチング法により形成してもよい。   In the third embodiment, the example in which the package substrate 2 is molded by the molding method has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, a structure in which a plate-like body in which the through electrode 7 is formed on the package substrate 2 and a frame for forming the recess 3 are bonded to the plate-like body can be used. Further, the recess 3 of the package substrate 2 may be formed by a sandblasting method or an etching method.

また、上記実施形態3においては、(1)ガラス材料の成形→(2)貫通電極の形成→(3)裏面の平坦化→(4)裏面電極の形成→(5)発光素子の実装→(6)封止材の形成の順であるが、この工程順に限定されない。例えば、(2)貫通電極を形成後に、(5)発光素子の実装→(6)封止材の形成→(3)裏面の平坦化→(4)裏面電極の形成の順であっても良い。   In the third embodiment, (1) glass material formation → (2) formation of through electrode → (3) flattening of back surface → (4) formation of back electrode → (5) mounting of light emitting element → ( 6) Although it is the order of formation of a sealing material, it is not limited to this process order. For example, after forming the through electrode, (5) mounting of the light emitting element → (6) formation of the sealing material → (3) planarization of the back surface → (4) formation of the back surface electrode may be performed. .

(実施形態4) 図11は、本発明の実施形態4に係る発光デバイス1の多数個取りの製造方法を説明するための模式図である。例えば、上記実施形態3に係る発光デバイス1の製造方法において、1枚のウエハー30から86個の発光デバイス1を同時に製造する場合である。   (Embodiment 4) FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a method for manufacturing a multi-cavity light emitting device 1 according to Embodiment 4 of the present invention. For example, in the manufacturing method of the light emitting device 1 according to the third embodiment, 86 light emitting devices 1 are manufactured simultaneously from one wafer 30.

図11(a)は、実施形態3における図8〜図10のいずれかに対応し、パッケージ基板2の裏面に形成した裏面電極8a、8bのパターンを表している。図11(b)は、1個のパッケージ基板2を拡大した模式的な背面図である。図11(b)に示すように、発光素子4の領域に4個の貫通電極7aが、発光素子4の外側に1個の貫通電極7bが形成されている。発光素子4の領域に4個の貫通電極7aを形成することにより、発光素子4で発生する熱を効果的に放熱することができる。裏面電極8は、電極分離領域33を境にして、裏面電極8aと8bに電気的に分離している。   FIG. 11A corresponds to any of FIGS. 8 to 10 in the third embodiment, and shows a pattern of the back surface electrodes 8 a and 8 b formed on the back surface of the package substrate 2. FIG. 11B is a schematic rear view in which one package substrate 2 is enlarged. As shown in FIG. 11B, four through electrodes 7 a are formed in the region of the light emitting element 4, and one through electrode 7 b is formed outside the light emitting element 4. By forming the four through electrodes 7 a in the region of the light emitting element 4, the heat generated in the light emitting element 4 can be effectively dissipated. The back electrode 8 is electrically separated into back electrodes 8a and 8b with the electrode separation region 33 as a boundary.

1個のパッケージ基板2は、縦切断ライン31、及び、横切断ライン32により区画されている。実施形態3の図10に示す工程の終了後に、上記縦切断ライン31及び横切断ライン32に沿って個々の発光デバイス1に分離する。分離は、ダイシング又はスクライブ等により行うことができる。なお、取り個数は実施形態4に限定されない。また、貫通電極7a、7bの個数や径は、発光素子4の数、供給する電流、放熱量等により適宜設定すればよい。   One package substrate 2 is partitioned by a vertical cutting line 31 and a horizontal cutting line 32. After the process shown in FIG. 10 of the third embodiment, the light emitting devices 1 are separated along the vertical cutting lines 31 and the horizontal cutting lines 32. Separation can be performed by dicing or scribing. Note that the number to be obtained is not limited to the fourth embodiment. Further, the number and diameter of the through electrodes 7a and 7b may be set as appropriate depending on the number of the light emitting elements 4, the supplied current, the heat radiation amount, and the like.

本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。It is a typical longitudinal section of a light emitting device concerning an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。It is a typical longitudinal section of a light emitting device concerning an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the manufacturing method of the light emitting device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the manufacturing method of the light emitting device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the manufacturing method of the light emitting device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the manufacturing method of the light emitting device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the manufacturing method of the light emitting device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the manufacturing method of the light emitting device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the manufacturing method of the light emitting device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the manufacturing method of the light emitting device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光デバイスの多数個取りの製造方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the manufacturing method of multi-cavity of the light emitting device which concerns on embodiment of this invention.

1 発光デバイス2 パッケージ基板3 窪み4 発光素子5 光反射膜6 封止材7 貫通電極8 裏面電極9 ダイボンディング材10 ワイヤー11 貫通孔X 第1導体Y 第2導体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting device 2 Package board 3 Dimple 4 Light emitting element 5 Light reflection film 6 Sealing material 7 Through electrode 8 Back surface electrode 9 Die bonding material 10 Wire 11 Through hole X 1st conductor Y 2nd conductor

Claims (13)

中央部に窪みを有するパッケージ基板と、
前記窪みの底面に実装された発光素子と、
前記窪みの壁面にナノ金属粒子を熱処理して形成された光反射膜と、
前記発光素子を封止する封止材と、を備える発光デバイス。
A package substrate having a depression in the center,
A light emitting device mounted on the bottom surface of the recess;
A light reflection film formed by heat-treating the nano metal particles on the wall surface of the recess,
A light-emitting device comprising: a sealing material that seals the light-emitting element .
前記窪みの底面には、ナノ金属粒子を熱処理した光反射膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光デバイス。 The light emitting device according to claim 1 , wherein a light reflecting film obtained by heat-treating nano metal particles is formed on a bottom surface of the depression. 前記パッケージ基板は、ガラス材料、セラミックス材料、窒化アルミニウム材料又は金属材料から一体的に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光デバイス。The light emitting device according to claim 1, wherein the package substrate is integrally formed of a glass material, a ceramic material, an aluminum nitride material, or a metal material. 前記パッケージ基板は、窪みの底面から裏面に貫通する貫通孔に充填された貫通電極を備え、前記貫通電極は、前記貫通孔の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理により得られた金属材料を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光デバイス。  The package substrate includes a through electrode filled in a through hole penetrating from the bottom surface of the recess to the back surface, and the through electrode is a metal material obtained by heat treatment with nano metal particles attached to the side wall surface of the through hole The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device includes: 前記貫通電極は、前記貫通孔の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理により得られた第1導体と、前記第1導体の内周側に充填された第2導体からなることを特徴とする請求項に記載の発光デバイス。 The through electrode comprises a first conductor obtained by heat treatment by attaching nano metal particles to a side wall surface of the through hole, and a second conductor filled on the inner peripheral side of the first conductor. The light emitting device according to claim 4 . 前記ナノ金属粒子は、ナノ銀粒子、ナノ金粒子又はナノ銅粒子であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光デバイス。 The nano metal particles, light-emitting device according to any one of claims 1 to 5, characterized nanosilver particles that are nano gold particles or nano copper particles. 中央部に窪み有するパッケージ基板を形成する工程と、
前記窪みの壁面ナノ金属粒子を付着させ、これを熱処理して光反射膜を形成する工程と
前記窪みの底面に発光素子を実装する工程と、
前記発光素子を封止材により封止する工程と、を含む発光デバイスの製造方法。
Forming a package substrate having a depression in the center;
Attaching nano metal particles to the wall surface of the depression, and heat-treating it to form a light reflecting film ;
Mounting a light emitting element on the bottom of the recess;
Sealing the light emitting element with a sealing material.
前記窪みの底面に穴を形成する工程と、  Forming a hole in the bottom of the recess;
前記穴の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理する工程と、  Attaching nano metal particles to the side wall surface of the hole and heat-treating;
前記ナノ金属粒子が付着された穴に導電材料を充填する工程を加えたことを特徴とする請求項7に記載の発光デバイスの製造方法。  The method of manufacturing a light emitting device according to claim 7, further comprising a step of filling a conductive material in the hole to which the nano metal particles are attached.
前記ナノ金属粒子を付着させる工程の前に、前記窪みの壁面又は前記穴の側壁面を撥水性表面に置換することを特徴とする請求項7又は8に記載の発光デバイスの製造方法。 9. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 7 , wherein the wall surface of the recess or the side wall surface of the hole is replaced with a water repellent surface before the step of attaching the nano metal particles. 前記パッケージ基板を形成する工程において、前記窪みはパッケージ材料を成形加工して形成することを特徴とする請求項7〜9のいずれか項に記載の発光デバイスの製造方法。 In the step of forming the package substrate, method of manufacturing the light emitting device according to any one of claims 7-9, wherein the recess is formed by molding a packaging material. 前記パッケージ材料を成型加工する工程において、前記窪みと同時に前記穴を形成することを特徴とする請求項10に記載の発光デバイスの製造方法。The method for manufacturing a light emitting device according to claim 10, wherein in the step of molding the package material, the hole is formed simultaneously with the depression. 前記導電材料を充填する工程の後に、前記穴が形成された表面とは反対側の裏面を研削して、前記充填された導電材料を露出させて平坦化する工程を有することを特徴とする請求項に記載の基板の製造方法。 2. The method of claim 1, further comprising: after the step of filling the conductive material, grinding a back surface opposite to the surface on which the hole is formed to expose the filled conductive material and planarize. Item 9. A method for manufacturing a substrate according to Item 8 . 前記ナノ金属粒子の付着は、インクジェット印刷法により前記窪みの壁面及び底面にナノ金属粒子を印刷して付着させることを特徴とする請求項7〜12のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。13. The light emitting device according to claim 7, wherein the attachment of the nano metal particles is performed by printing and attaching the nano metal particles to a wall surface and a bottom surface of the recess by an ink jet printing method. Method.
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