JP2010177626A - Circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、イエローインデックス（ＹＩ）値が低く、しかも２４０℃の温度下で３分間の放置された前後での変色が少ない絶縁層を有する回路基板に関する。 The present invention relates to a circuit board having an insulating layer having a low yellow index (YI) value and less discoloration before and after being left for 3 minutes at a temperature of 240 ° C.
近年、ディスプレイや照明などの光学装置では、部品実装時の加熱や使用環境（温度、湿度等）に影響されることなく、回路基板が安定した色を維持することが要求される。通常回路基板上に変色の少ないソルダーレジストを塗布することで、回路基板としての変色を防止する方法が用いられている。しかし、この方法では、銅回路とレジストとの間の絶縁層部が露出している部分が存在し、この絶縁層部が変色する問題があり、結果的には光学特性が変化してしまう問題があった。この露出部に対して保護層を形成し、変色を防止する方法が用いられるが、工程数の増加によってコストが高くなってしまう。（特許文献１、２参照） In recent years, in an optical device such as a display or an illumination, it is required that a circuit board maintains a stable color without being affected by heating at the time of component mounting and a use environment (temperature, humidity, etc.). Usually, a method of preventing discoloration as a circuit board by applying a solder resist with little discoloration on the circuit board is used. However, in this method, there is a portion where the insulating layer portion is exposed between the copper circuit and the resist, and there is a problem that this insulating layer portion is discolored, and as a result, the optical characteristics are changed. was there. A method of forming a protective layer on the exposed portion and preventing discoloration is used, but the cost increases due to an increase in the number of steps. (See Patent Documents 1 and 2)
そこで本発明は、金属板をベースとした回路基板で、未処理のＹＩ値が小さく、かつ２４０℃の温度下で３分間の放置された前後でのＹＩ値の変化が少ない、すなわち変色し難い絶縁層を有することによって、保護層を用いない回路基板を提供することにある。 Therefore, the present invention is a circuit board based on a metal plate, which has a small untreated YI value and a small change in YI value before and after being left for 3 minutes at a temperature of 240 ° C., that is, difficult to discolor. An object of the present invention is to provide a circuit board that does not use a protective layer by having an insulating layer.
本発明は、金属板と、金属板の上に積層された絶縁層と、絶縁層の上に局所的に積層された回路箔からなり、前記絶縁層は、無機フィラー、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤からなり、かつ前記絶縁層のＹＩ値が２５以下であり、さらに２４０℃の温度下で３分間の放置された前後でのＹＩ値の差が１０以下である回路基板である。 The present invention comprises a metal plate, an insulating layer laminated on the metal plate, and a circuit foil locally laminated on the insulating layer, the insulating layer comprising an inorganic filler, an epoxy resin, a curing agent, and The circuit board is made of a curing accelerator, and the YI value of the insulating layer is 25 or less, and the difference in YI value between before and after being left for 3 minutes at a temperature of 240 ° C. is 10 or less.
絶縁層中のエポキシ樹脂は、次の（１）から（５）の樹脂の単数又は複数で選ばれたいずれか１つ以上のエポキシ基を含むものを用いることが好ましい。
（１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（２）水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（３）３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３‘，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート
（４）主鎖に長鎖炭化水素鎖を有し末端にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を配置されたエポキシ樹脂
（５）シリコーン及びビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の共重合体であり、かつビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が共重合体の末端に配置されたエポキシ樹脂シリコーン−ビスフェノールＡ型共重合体
As the epoxy resin in the insulating layer, it is preferable to use one containing one or more epoxy groups selected from one or more of the following resins (1) to (5).
(1) Bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin (2) Hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol F type epoxy resin (3) 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxy Cyclohexanecarboxylate (4) Epoxy resin having a long hydrocarbon chain in the main chain and a bisphenol A type epoxy resin disposed at the terminal (5) A copolymer of silicone and bisphenol A type epoxy resin, and bisphenol A Resin Silicone-Bisphenol A Type Copolymer In Which Type Epoxy Resin Is Arranged At End Of Copolymer
硬化剤は、アミン類、酸無水物類、ノボラック樹脂の少なくともいずれか１つ以上であることが好ましく、前記絶縁層中に硬化促進剤が配合され、当該硬化促進剤が、イミダゾール、アミン、リン系化合物の少なくともいずれか１つ以上で含まれているのが好ましい。更に、前記絶縁層中の無機フィラーは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化硼素、結晶質二酸化珪素、非晶質二酸化珪素、窒化珪素、二酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウム、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウムのいずれか１つ又は複数種からなる絶縁層であることが好ましい。 The curing agent is preferably at least one of amines, acid anhydrides, and novolak resins, and a curing accelerator is blended in the insulating layer, and the curing accelerator includes imidazole, amine, phosphorus It is preferable that at least any one of the series compounds is contained. Furthermore, the inorganic filler in the insulating layer is made of aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silicon dioxide, amorphous silicon dioxide, silicon nitride, titanium dioxide, zinc oxide, barium sulfate, zirconium oxide, aluminum hydroxide. It is preferable that it is an insulating layer which consists of any one or multiple types.
本発明は、金属板をベースとした回路基板で、未処理のＹＩ値が小さく、かつ２４０℃の温度下で３分間の放置された前後でのＹＩ値の変化が少ない。すなわち変色し難い絶縁層を有する回路基板を提供できる。 The present invention is a circuit board based on a metal plate, which has a small untreated YI value and little change in the YI value before and after being left for 3 minutes at a temperature of 240 ° C. That is, it is possible to provide a circuit board having an insulating layer that hardly changes color.
絶縁層中の樹脂は、エポキシ樹脂が、次の（１）から（５）の樹脂の単数又は複数で選ばれたいずれか１つ以上のエポキシ基を含むものが好ましい。
（１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（２）水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（３）３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３‘，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート
（４）主鎖に長鎖炭化水素鎖を有し末端にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を配置されたエポキシ樹脂
（５）シリコーン及びビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の共重合体であり、かつビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が共重合体の末端に配置されたエポキシ樹脂シリコーン−ビスフェノールＡ型共重合体
The resin in the insulating layer is preferably such that the epoxy resin contains any one or more epoxy groups selected from one or more of the following resins (1) to (5).
(1) bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin (2) hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol F type epoxy resin (3) 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxy Cyclohexanecarboxylate (4) Epoxy resin having a long hydrocarbon chain in the main chain and a bisphenol A type epoxy resin disposed at the terminal (5) A copolymer of silicone and bisphenol A type epoxy resin, and bisphenol A Resin Silicone-Bisphenol A Type Copolymer In Which Type Epoxy Resin Is Arranged At End Of Copolymer
さらに好ましくは、（３）から（５）のエポキシ樹脂を用いることが良い。これらを用いると２４０℃の温度下で３分間の放置された前後でのＹＩ値の変化がさらに小さくなる。 More preferably, the epoxy resins (3) to (5) are used. When these are used, the change in the YI value before and after being left for 3 minutes at a temperature of 240 ° C. is further reduced.
絶縁層中の硬化剤は、アミン類、酸無水物類、ノボラック樹脂の少なくともいずれか１つ以上を含むことが好ましい。アミン類の硬化剤としては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、メタキシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、２−メチルペンタメチレンジアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、イソフォロンジアミン、ノルボルネンジアミン、１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロへキシル）メタン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、ラロミン、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォン、ポリオキシプロピレンジアミン、ポリオキシプロピレントリアミン、ポリシクロへキシルポリアミン混合物、アミノエチルピペラジン、酸無水物類の硬化剤としては、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロへキセンテトラカルボン酸二無水物、無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、無水トリメッリト酸、無水ピロメッリト酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセリンビス（アンヒドロトリメリテート）モノアセテート、ドデセニル無水コハク酸、脂肪族二塩基酸ポリ無水物、クロレンド酸無水物、ノボラック樹脂としてはフェノールノボラック、キシリレンノボラック、ビスＡ型ノボラック、トリフェニルメタンノボラック、ビフェニルノボラック、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック、テルペンフェノールノボラックなどがあるが、ＹＩ値の変化を考慮すると、酸無水物類が好ましい。 The curing agent in the insulating layer preferably contains at least one of amines, acid anhydrides, and novolak resins. Examples of amine curing agents include diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, metaxylenediamine, trimethylhexamethylenediamine, 2-methylpentamethylenediamine, diethylaminopropylamine, isophoronediamine, norbornenediamine, 1,3- Bisaminomethylcyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, 1,2-diaminocyclohexane, lalomine, diaminodiphenylmethane, metaphenylenediamine, diaminodiphenylsulfone, polyoxypropylenediamine, polyoxypropylenetriamine, polycyclohexylpolyamine Curing agents for mixtures, aminoethylpiperazine, acid anhydrides include tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, Tyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, methylcyclohexene tetracarboxylic dianhydride, phthalic anhydride, methyl nadic anhydride, hydrogenated methyl nadic anhydride, trimellitic anhydride Acid, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, ethylene glycol bisanhydro trimellitate, glycerin bis (anhydro trimellitate) monoacetate, dodecenyl succinic anhydride, aliphatic dibasic acid polyanhydride, chlorend Acid anhydrides and novolak resins include phenol novolak, xylylene novolak, bis A type novolak, triphenylmethane novolak, biphenyl novolak, dicyclopentadiene phenol novolak, terpene phenol Novolak and the like, but in consideration of the change in YI value, acid anhydrides are preferred.
絶縁層中には、硬化触媒として硬化促進剤を用いることが必要である。硬化促進剤の種類としては、イミダゾール類、アミン類、リン系化合物を少なくともいずれか１つ以上を用いる。イミダゾール類としては、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−メチル−４−メチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２−メチルイミダゾリル−（１）］エチルトリアジン、２−フェニルイミダゾリドン、２，３−ジヒドロー１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、アミン類としては、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ジシアンジアミド、リン系硬化剤としては、トリフェニルホスフィン、トリオルトトリルホスフィン、トリパラトリルホスフィン、トリメタトリルホスフィン、トリス（パラメトキシフェニル）ホスフィン、ジフェニルシクロへキシルホスフィン、トリシクロへキシルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリノルマルオクチルホスフィン、ジフェニルホスフィノスチレン、ジフェニルホスフィノスクロリド、トリノルマルオクチルホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、ジフェニルホスフェニルヒドロキノン、テトラブチルホスフォニウムブロマイド、テトラブチルホスフォニウムヒドロキシド、テトラブチルホスフォニウムアセテート、テトラフェニルホスフォニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスフォニウムブロマイド、エチルトリフェニルホスフォニウムブロマイド、ノルマルブチルトリフェニルホスフォニウムブロマイド、メトキシメチルトリフェニルホスフォニウムクロリド、ベンジルトリフェニルホスフォニウムクロリド、テトラフェニルホスフォニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスフォニウムテトラパラトリルボレート、トリブチルフェニルホスフォニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフォニウムトリフェニルボレート、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタンなどがあるがＹＩ値の変化を考慮すると、リン系化合物が好ましい。 In the insulating layer, it is necessary to use a curing accelerator as a curing catalyst. As a kind of hardening accelerator, at least any one of imidazoles, amines, and phosphorus compounds is used. Examples of imidazoles include 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 1- (2-cyanoethyl) -2-methyl-4-methylimidazole, 2,4-diamino-6- [2-methylimidazolyl- (1)] Ethyltriazine, 2-phenylimidazolidone, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, amines include tris (dimethylaminomethyl) phenol, benzyldimethylamine, 1, 8-Diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, dicyandiamide, phosphorus curing agents include triphenylphosphine, triorthotolylphosphine, tripalatolylphosphine, trimetatolylphosphine, tris (paramethoxyphenyl) phosphine, diphenyl Cyclohexylphosph , Tricyclohexylphosphine, tributylphosphine, tributylphosphine, trinormal octylphosphine, diphenylphosphinostyrene, diphenylphosphinochloride, trinormaloctylphosphine oxide, triphenylphosphine oxide, diphenylphosphenylhydroquinone, tetrabutylphosphonium Bromide, tetrabutylphosphonium hydroxide, tetrabutylphosphonium acetate, tetraphenylphosphonium bromide, methyltriphenylphosphonium bromide, ethyltriphenylphosphonium bromide, normal butyltriphenylphosphonium bromide, methoxy Methyltriphenylphosphonium chloride, benzyltriphenylphosphonium chloride Tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetraparatolylborate, tributylphenylphosphonium tetraphenylborate, triphenylphosphonium triphenylborate, 1,2-bis (diphenylphosphino) ethane 1,3-bis (diphenylphosphino) propane, 1,4-bis (diphenylphosphino) butane, etc., but considering the change in YI value, phosphorus compounds are preferred.
回路基板の熱伝導率をよくするため、絶縁層中には酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化硼素、結晶質二酸化珪素、非晶質二酸化珪素、窒化珪素、二酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウム、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウムを用いることができる。高熱伝導化するためには、前記無機フィラーを４０体積％から７５体積％程度含むことが好ましい。フィラーの添加量を少なくすればするほど放熱特性が悪くなる傾向にあり、多くすればするほどエポキシ樹脂や硬化剤と混合することができなる傾向にある。 In order to improve the thermal conductivity of the circuit board, the insulating layer contains aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silicon dioxide, amorphous silicon dioxide, silicon nitride, titanium dioxide, zinc oxide, barium sulfate, zirconium oxide. Aluminum hydroxide can be used. In order to achieve high thermal conductivity, the inorganic filler is preferably contained in an amount of about 40 to 75% by volume. As the amount of filler added is decreased, the heat dissipation characteristics tend to be deteriorated, and as the amount of filler is increased, mixing with an epoxy resin or a curing agent tends to be impossible.
無機フィラーの最大粒径は、絶縁層の厚さに対して８０％以下であることが好ましい。絶縁層の厚さに対して、無機フィラーの最大粒子系が大きくなりすぎると、塗布後の表面に凹凸が発生してしまい、外観不良及び回路基板として必要な絶縁性能の低下を引き起こす。さらに、二酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウム、酸化ジルコニウムなどを用いると、絶縁層の反射率すなわち基板の反射率が向上させることができる。 The maximum particle size of the inorganic filler is preferably 80% or less with respect to the thickness of the insulating layer. If the maximum particle system of the inorganic filler becomes too large with respect to the thickness of the insulating layer, irregularities are generated on the surface after coating, resulting in poor appearance and a reduction in insulating performance necessary as a circuit board. Furthermore, when titanium dioxide, zinc oxide, barium sulfate, zirconium oxide or the like is used, the reflectance of the insulating layer, that is, the reflectance of the substrate can be improved.
絶縁層は、絶縁層の形成方法を容易にするため、耐熱、紫外線による変色を防止するため、各種有機溶剤、レベリング剤、消泡剤、分散剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤を添加することができる。添加量に特に制限はなく、回路基板の用途に応じて選択して用いることができる。 In order to facilitate the formation method of the insulating layer, the insulating layer should be added with various organic solvents, leveling agents, antifoaming agents, dispersants, antioxidants and ultraviolet absorbers in order to prevent heat resistance and discoloration due to ultraviolet rays. Can do. There is no restriction | limiting in particular in addition amount, According to the use of a circuit board, it can select and use.
金属板の材質は、特に材質に制限はなく、鉄、銅、アルミニウムやその合金、アルミニウム−炭素合金、アルミニウム−炭化珪素合金を用いることができる。金属板は、コスト、重量を考慮し、０．００５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下のものが好ましい。あまりに薄いと取扱が難しくなってしまい、あまりに厚いと重量とコストの問題から用途範囲が限定されてしまう。 The material of the metal plate is not particularly limited, and iron, copper, aluminum or an alloy thereof, an aluminum-carbon alloy, or an aluminum-silicon carbide alloy can be used. The metal plate is preferably 0.005 mm to 3.5 mm in consideration of cost and weight. If it is too thin, handling becomes difficult, and if it is too thick, the range of application is limited due to weight and cost problems.
本発明の絶縁層の製造方法は、エポキシ樹脂と硬化剤と無機フィラーとを混合し、その後、硬化する前に、無機フィラーを配合し混合することを特徴とする。ここで用いる混合機については、万能混合攪拌機、プラネタリーミキサー、遊星式攪拌脱泡装置、加圧ニーダー等の従来公知の混合機を用いれば良く、また、混合条件についても適宜選択すれば良く、格別な条件を設定すべき理由はない。 The method for producing an insulating layer according to the present invention is characterized in that an epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler are mixed, and then the inorganic filler is blended and mixed before curing. About the mixer used here, a universally known mixer such as a universal mixer, a planetary mixer, a planetary stirring deaerator, a pressure kneader or the like may be used, and the mixing conditions may be appropriately selected. There is no reason to set special conditions.
本発明の絶縁層のコーティング方法としては、スクリーン印刷、フィルムアプリケーター、バーコーター、ティップコーター、コンマコーター、ダイコーター等の従来公知のコーティングプロセスを用いれば良く、また、コーティング条件についても適宜選択すれば良い。格別な条件を設定すべき理由はない絶縁層の形成方法は、コンマ、ダイ、ディップ、グラビア等の各種コーター法や、スクリーン印刷法、ドクターブレード法などを用いればよく、条件についても適宜選択すれば良く、格別な条件を設定すべき理由はない。 As a coating method of the insulating layer of the present invention, a conventionally known coating process such as screen printing, film applicator, bar coater, tip coater, comma coater, die coater may be used, and the coating conditions may be appropriately selected. good. There is no reason why special conditions should be set. For the method of forming the insulating layer, various coater methods such as comma, die, dip, and gravure, screen printing method, doctor blade method, etc. may be used. There is no reason to set special conditions.
実施例、比較例を、表１に基づいて説明する。
本発明にかかる実施例は、金属板と、金属板の上に積層された絶縁層と、絶縁層の上に局所的に積層された回路箔を有する回路基板である。
Examples and comparative examples will be described based on Table 1.
An embodiment according to the present invention is a circuit board having a metal plate, an insulating layer laminated on the metal plate, and a circuit foil locally laminated on the insulating layer.
（実施例１）
表１の組成物は、絶縁層を構成する組成物であり、実施例１における組成物は、エポキシ樹脂としてのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製ＥＰ８２８）に対して、硬化剤として酸無水物系硬化樹脂（新日本理科社製ＭＨ）を０．９等量加え、無機フィラーとして酸化チタン（石原産業ＣＲ−９５：平均粒子径０．３μｍ）５０質量部とを混合して、硬化促進剤としてのシランカップリング剤（信越化学工業社製ＫＢＭ−４０３）１質量部を添加して、混練機により混練して作製した。
Example 1
The composition of Table 1 is a composition which comprises an insulating layer, and the composition in Example 1 is an acid as a hardening | curing agent with respect to the bisphenol A type epoxy resin (Japan epoxy resin company EP828) as an epoxy resin. Add 0.9 equivalent of anhydrous curable resin (MH manufactured by Shin Nippon Science Co., Ltd.), mix with 50 parts by mass of titanium oxide (Ishihara Sangyo CR-95: average particle size 0.3 μm) as an inorganic filler, and cure 1 part by mass of a silane coupling agent (KBE-403 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an accelerator was added and kneaded with a kneader.
この絶縁材を、厚み０．２ｍｍの金属ベース上に、硬化後の厚みが８０μｍとなるように塗布し、１５０℃、１０分加熱して半硬化状態にした後、絶縁材上に厚さ３５μｍの銅箔を積層」し、更に１８０℃２時間加熱して硬化を完了させ、回路基板の原板を作製した。 This insulating material is applied on a metal base having a thickness of 0.2 mm so that the thickness after curing is 80 μm, heated to 150 ° C. for 10 minutes to be in a semi-cured state, and then has a thickness of 35 μm on the insulating material. The copper foil was laminated ”and further heated at 180 ° C. for 2 hours to complete the curing, thereby producing a circuit board original plate.
回路基板原板の銅箔上に後述の評価に用いる回路パターンをエッチングレジスト塗布、ＵＶ硬化し、余分な銅箔を酸（塩化第二銅）によりエッチング処理し評価用パターンを作製した。 A circuit pattern used for evaluation described later was applied to the copper foil of the circuit board original plate by applying an etching resist and UV curing, and an excess copper foil was etched with an acid (cupric chloride) to produce an evaluation pattern.
得られた回路基板について、特性を調べ、その結果を表１に示す。特に言及しない限り、実施例２以降、比較例は、実施例１と同様に作成したものである。 The obtained circuit board was examined for characteristics, and the results are shown in Table 1. Unless otherwise stated, the comparative examples from Example 2 onwards are made in the same manner as Example 1.
ＹＩ値：測定用試料としてエッチング処理後の基板を２ｃｍ角の正方形に切断し、試料とした。測定孔径は１５ｍｍ、正反射光を含む（８／Ｄ）、標準白色面としては硫酸バリウム（ＳＵＧＡ Ｃｏｌｏｒ Ｓｔａｎｄａｒｄ）を用い、測定した（ＪＩＳ Ｚ ８７２２条件ｄ準拠）。測定器には、スガ試験機社製ＳＭ−Ｔを用いた。 YI value: As a measurement sample, the substrate after the etching treatment was cut into a 2 cm square to prepare a sample. The measurement hole diameter was 15 mm, including specular reflection light (8 / D), and barium sulfate (SUGA Color Standard) was used as the standard white surface (based on JIS Z 8722 condition d). As a measuring instrument, SM-T manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd. was used.
半田リフロー：２４０℃の温度下で３分間処理した。装置は、Ｈｉｍｍｅｌ Ｒｅｉｃｈ社製ＬＳＨ−８００を用いた。 Solder reflow: Treated at a temperature of 240 ° C. for 3 minutes. The apparatus used was LSH-800 manufactured by Himmel Reich.
（実施例２〜５）
エポキシ樹脂の種類を表１に示す水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製ＥＸＡ７０１５）、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ダイセル化学社製ＣＥＬ２０２１）、主鎖に長鎖炭化水素鎖を有し末端にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を配置されたエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製ＥＸＡ４８２２）、シリコーン及びビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の共重合体であり、かつビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が共重合体の末端に配置されたエポキシ樹脂シリコーン−ビスフェノールＡ型共重合体（Ｎａｎｏｒｅｓｉｎ社製ＡＬＢＦＬＥＸ２９６）変えたこと以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
(Examples 2 to 5)
The types of epoxy resins shown in Table 1 are hydrogenated bisphenol A type epoxy resins (EXA7015 manufactured by DIC), 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate (CEL2021 manufactured by Daicel Chemical Industries), main Epoxy resin (EXA4822 manufactured by DIC) having a long-chain hydrocarbon chain at the end and a bisphenol A-type epoxy resin disposed at the end, a copolymer of silicone and bisphenol A-type epoxy resin, and bisphenol A-type epoxy resin A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the epoxy resin silicone-bisphenol A type copolymer (ALBFLEX296 manufactured by Nanoresin) was changed at the terminal of the copolymer.
（実施例６〜８）
無機フィラーの種類を表１に示す窒化アルミニウム（電気化学工業社製）、結晶質二酸化珪素（龍森社製Ａ−１）、水酸化アルミニウム（昭和電工社製Ｈ−４２）に変えたこと以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
(Examples 6 to 8)
Other than changing the kind of inorganic filler to aluminum nitride (manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.), crystalline silicon dioxide (A-1 manufactured by Tatsumori Co., Ltd.), aluminum hydroxide (H-42 manufactured by Showa Denko Co., Ltd.) shown in Table 1. Obtained a circuit board in the same manner as in Example 1.
（実施例９）
硬化剤の種類を表１に示すフェノールノボラック樹脂（明和化成社製ＨＦ−３Ｍ）に変えたこと以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
Example 9
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the type of the curing agent was changed to the phenol novolac resin shown in Table 1 (HF-3M manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.).
（実施例１０〜１２）
促進剤の種類を表１に示すイミダゾール系化合物（四国化成社製ＴＢＺ）、アミン系化合物（サンアプロ社製、ＤＢＵ）、リン系化合物（北興化学社製ＴＰＰ−ＰＢ）に変えたこと以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
(Examples 10 to 12)
Implemented except that the type of accelerator is changed to the imidazole compound (TBZ manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.), amine compound (manufactured by San Apro, DBU) and phosphorus compound (TPP-PB manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd.) shown in Table 1. A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1.
（比較例１）
エポキシ樹脂の種類を表１に示すフェノールノボラックエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製Ｎ−７４０）に変えたこと以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
(Comparative Example 1)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the type of epoxy resin was changed to the phenol novolac epoxy resin (N-740 manufactured by DIC) shown in Table 1.
（比較例２）
硬化剤を表１に示す通り無しに変えたこと以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
(Comparative Example 2)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the curing agent was changed as shown in Table 1.
（比較例３）
無機フィラーの種類を表１に示す通り炭酸カルシウム（竹原産業社製ＳＬ−１００）に変えたこと以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
(Comparative Example 3)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the type of inorganic filler was changed to calcium carbonate (SL-100 manufactured by Takehara Sangyo Co., Ltd.) as shown in Table 1.
（比較例４）
促進剤の種類を表１に示す通り有機錫（日東化成社製Ｕ−１００）に変えたこと以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
(Comparative Example 4)
A circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the type of accelerator was changed to organotin (U-100 manufactured by Nitto Kasei Co., Ltd.) as shown in Table 1.
本発明は、金属板をベースとした回路基板で、未処理のＹＩ値が小さく、かつ２４０℃の温度下で３分間の放置された前後でのＹＩ値の変化が少ない。すなわち変色しない絶縁層を有する回路基板を提供できる。 The present invention is a circuit board based on a metal plate, which has a small untreated YI value and little change in the YI value before and after being left for 3 minutes at a temperature of 240 ° C. That is, a circuit board having an insulating layer that does not change color can be provided.
Claims (5)
（１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（２）水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂又は水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（３）３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート
（４）主鎖に長鎖炭化水素鎖を有し末端にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を配置されたエポキシ樹脂
（５）シリコーン及びビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の共重合体であり、かつビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が共重合体の末端に配置されたエポキシ樹脂シリコーン−ビスフェノールＡ型共重合体 The circuit board according to claim 1, wherein the epoxy resin in the composition constituting the insulating layer is composed of one or more of the following resins (1) to (5).
(1) Bisphenol A type epoxy resin or bisphenol F type epoxy resin (2) Hydrogenated bisphenol F type epoxy resin or hydrogenated bisphenol A type epoxy resin (3) 3,4-Epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxy Cyclohexanecarboxylate (4) Epoxy resin having a long hydrocarbon chain in the main chain and a bisphenol A type epoxy resin disposed at the terminal (5) A copolymer of silicone and bisphenol A type epoxy resin, and bisphenol A Resin Silicone-Bisphenol A Type Copolymer In Which Type Epoxy Resin Is Arranged At End Of Copolymer
当該硬化促進剤が、リン系化合物イミダゾール、アミン、の少なくともいずれか１種以上を配合したものである請求項１乃至請求項３のずれか記載の回路基板。 The curing agent in the insulating layer is a blend of at least one of acid anhydrides, amines, and novolak resins, and a curing accelerator is blended in the insulating layer,
The circuit board according to any one of claims 1 to 3, wherein the curing accelerator contains at least one of a phosphorus compound imidazole and an amine.
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