JP2010171381A - 発光デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス材料に発光素子を封止した発光デバイスの製造方法において信頼性を向上させ、製造工程数を減少させる。
【解決手段】本発明の発光デバイスの製造方法は、ガラス基板にリードフレームを設置して、表面に凸部を持つ金型で加熱押圧する。これにより、ガラス基板の表面に窪みが形成されるとともに、リードフレームがガラス基板に埋め込まれ、ガラス基板の側面と窪みの底面から露出する。さらに、窪みから露出したリードフレームに発光素子を電気的に接続させ、発光素子を封止材で覆う。
【選択図】図１

Description

本発明は、ガラス基板を用いたパッケージ材料に発光素子を実装した発光デバイスの製造方法に関する。

近年、ガラスパッケージを使用した電子部品が実用化されている。ガラス材料は、外部から浸入する水分や汚染物質を防げ、気密性が高い。また、ガラス材料は、半導体素子を形成するシリコン基板と熱膨張係数が近似するので、ガラスパッケージに半導体素子を実装したときの実装面や接合面の信頼性が高い。また、ガラス材料は安価であることから、製品のコスト上昇を抑制することができる。

図２０は、ガラス材料にＬＥＤ素子を実装したＬＥＤ発光装置の断面図である（特許文献１の図１）。ガラス基板５１には貫通電極５２が形成されている。貫通電極５２の上には接続用の電極メタライズ５３Ｂが形成され、電極メタライズ５３Ｂの上には複数のＬＥＤ素子５６Ａが実装されている。ＬＥＤ素子５６Ａの上面と電極メタライズ５３Ｂとはワイヤー５７により電気的に接続されている。ガラス基板５１の下面には外部と接続用の電極メタライズ５３Ａが形成されている。電極メタライズ５３Ａは貫通電極５２に電気的に接続されている。従って、ＬＥＤ素子５６Ａに対して、下面に形成した電極メタライズ５３Ａから電力を供給することができる。

ガラス基板５１の上面には、貫通孔５８が形成されたＳｉ基板５４が、ＬＥＤ素子５６Ａを囲むように設置されている。Ｓｉ基板５４はガラス基板５１の表面に陽極接合されている。Ｓｉ基板５４の内壁面は傾斜し、内壁面の表面には反射膜５５が形成されている。ＬＥＤ素子５６Ａで発光した光は反射膜５５により反射して、上方向に指向性のある光として射出される。ＬＥＤ素子５６Ａは複数個実装されているので、発光の強度を高くすることができる。また、ＬＥＤ素子５６Ａから生成される熱は、貫通電極５２と電極メタライズ５３Ａを介して外部へ放熱することができる。

この従来例では、ガラス基板５１の貫通電極５２は、ガラス基板５１に形成した貫通孔の内壁にＣｕ、Ｎｉなどをメッキし、その後、導電性樹脂やはんだなどを充填して形成されている。また、ガラス基板５１の裏面のメタライズ５３Ａは、ガラスの表面にＴｉ層、その上にＴｉ層保護のためのバリア層となるＰｔ層、あるいはＮｉ層、さらに表面酸化を防止するＡｕ層などをスパッタリング法や蒸着法などにより堆積し、フォトプロセスを通してパターニングされている。

図２１は、ガラス材料にＬＥＤ発光素子６１を埋め込んだ発光装置６０の断面図であり（特許文献２の図１）、図２２は金型を用いてガラス封止を行う直前の状態を示す（特許文献２の図３）。ＬＥＤ発光素子６１は面実装によりバンプ６２を介してサブマウント６３に実装され、サブマウント６３は、リード６４Ａ、６４Ｂの先端に形成された段差部に接続されている。周囲は封止部材６５により覆われており、封止部材６５としてガラスを使用することが記載されている。ガラスからなる封止部材６５はリード６４Ａ、６４Ｂの下部側で薄く、ＬＥＤ発光素子６１から発光される光が射出する側は凸状に厚く形成されている。

この発光装置６０は、ＬＥＤ発光素子６１に対して熱膨張率が１５０％から５００％の範囲の透光性ガラス部及び金属部で全体が包囲されている。また、ＬＥＤ発光素子６１に対し、給電部材（リード６４Ａ、６４Ｂ）及び封止部材６５の熱膨張率が大となるように形成されている。また、ＬＥＤ発光素子６１あるいはサブマウント６３の部材に対し、給電部材及び封止部材６５の熱膨張率が大となるように形成されている。これにより、応力方向が調整されて熱収縮差に起因して生じるクラック等の発生を防止することができる、というものである。

この発光装置６０の製造方法は次のようなものである。表面に半円状の凹部７１Ａを有する上金型７１と、底面が平坦な凹部７２Ａを有する下金型７２との間に、薄いガラスシート６８と、ＬＥＤ発光素子６１が実装されたサブマウント６３、このサブマウント６３に電気的に接続した２本のリード６４Ａ、６４Ｂと、その上に厚いガラスシート６７を設置する。次に、真空雰囲気中でガラスシート６７、６８を４５０℃に加熱して軟化させた状態で、上金型７１と下金型７２とを矢印の方向に移動させることによってガラスシート６７、６８に圧力かける。これにより、ガラスシート６７、６８が図２１に示す封止部材６５のようなドーム状に成形される。

特開２００７−４２７８１号公報 特開２００７−３０６０３６号公報

しかしながら、特許文献１に記載されるように、貫通電極として貫通孔に導電樹脂を充填して、熱処理により固化して貫通電極を形成すると、固化の際の収縮により気密性を保持することが難しかった。また、ＬＥＤは発光すると発熱する。そのため、ＬＥＤの点灯と消灯を繰り返すと、昇温と降温が繰り返される温度サイクルにより、膨張と収縮が繰り返される。その結果、ガラスと貫通電極の界面の気密性が低下し、外部から水分等が浸入してＬＥＤの寿命を低下させる。

また、特許文献１においては、貫通孔に導電性樹脂やはんだなどを充填・固化して貫通電極を形成し、これとは別に、スパッタリング法や蒸着法により導体膜を堆積し、フォトマスクを用いたフォトプロセスを通して裏面電極パターンを形成している。その結果、製造工数が増えてコスト高となる要因となっていた。

特許文献２に記載されたＬＥＤ発光素子は、発光面側の封止部材６５がドーム形状、凸状に湾曲した形状である。そのため、ＬＥＤ発光素子６１から発光した光は周囲の全面に拡散する。したがって、ＬＥＤ発光素子６１から発光した光を上方向に集光させたり、上方向に指向性を持たせたりすることができず、発光した光を有効に活用できない。一方、この発光装置６０では、ＬＥＤ発光素子６１やサブマウント６３の熱膨張係数より周囲の封止部材６５の熱膨張係数を大きくして、熱膨張係数の差に基づく内部応力が、ＬＥＤ発光素子６１の中心に向かう圧縮応力となるように調整している。これにより、ガラス材にクラック等が発生しないようにしている。従って、ＬＥＤ発光素子６１を封止する封止部材６５の形状を、例えば凹部のような形状に変更して指向性のある光を射出させようとすると、中心部に向かう圧縮応力のバランスが崩れて、クラック等が発生して信頼性が低下する虞がある。

また、特許文献２の製造方法では、ガラスからなる封止部材を軟化させてＬＥＤ発光素子６１を封止するので、ＬＥＤ発光素子６１が、例えば４５０℃以上の高温に晒される。また、ＬＥＤ発光素子がワイヤーボンディングにより接続される場合には、軟化したガラスの粘度が高いため、ガラスによってそのワイヤーが潰れてしまう。また、封止部材６５に蛍光体を分散させて、ＬＥＤで発光した光の波長を他の波長に変換する場合に、高温となるため使用できる蛍光体が限られてしまう。さらに、高温且つ高粘度のガラスに蛍光体を均一に分散させることは困難であり、望む効果を得ることができない。従って、ＬＥＤ発光素子の構造や実装構造が制限される、などの課題があった。

そこで、本発明は、少ない製造工数で製造可能な信頼性の高い電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

そこで、本発明の発光デバイスの製造方法は、第１ガラス基板の上にリードフレームを設置し、表面に凸部を有する型を、その凸部が前記リードフレームに対向するように第１ガラス基板に設置する設置工程と、第１ガラス基板を加熱により軟化させて型を第１ガラス基板側に押圧することにより、第１ガラス基板の表面に窪みを形成するとともに、窪みの底面においてリードフレームの表面が露出するように、かつ、窪みの周辺部においてリードフレームが第１ガラス基板に埋め込まれるように、リードフレームと第１ガラス基板を接合する接合工程と、窪みの底面から露出したリードフレームの上に発光素子を実装する実装工程と、発光素子に封止材を塗布して封止する封止工程と、を含むこととした。

さらに、リードフレームに突起部を設け、接合工程により、突起部が第１ガラス基板を貫通するようにリードフレームは第１ガラス基板に接合され、実装工程により、発光素子は突起部の上に実装されることとした。

あるいは、設置工程の前に、中央部に開口を有する第２ガラス基板を準備する準備工程を更に備え、前記設置工程が、第１ガラス基板の上にリードフレームを、リードフレームの上に第２ガラス基板を設置し、表面に凸部を有する型を、その凸部が第２ガラス基板の開口に対向するように設置する工程であり、前記接合工程が、第１ガラス基板と第２ガラス基板を加熱により軟化させて型を第１ガラス基板側から押圧することにより、第２ガラス基板の開口に対応する位置に窪みを形成するとともに、窪みの底面においてリードフレームの表面が露出するように、かつ、窪みの周辺部で第１ガラス基板と第２ガラス基板の間にリードフレームが埋め込まれるように、第１ガラス基板とリードフレームと第２ガラス基板を接合する工程であることとした。

さらに、リードフレームに突起部を設け、準備工程において、突起部に対応した位置に開口を持つ第１ガラス基板を準備することとし、設置工程で、第１ガラス基板の開口に突起部が嵌るようにリードフレームを設置することとした。さらに、準備工程において、第１ガラス基板と第２ガラス基板の少なくとも一方の基板に加熱成型加工によって開口を形成することとした。

また、前述のリードフレームに貫通孔を形成し、接合工程において、第１ガラス基板のガラス材料をこの貫通孔を通して流動させてもよい。
また、接合工程の前に、リードフレームの表面に酸化膜を形成する酸化工程を設けてもよい。

本発明の発光デバイスの製造方法によれば、ガラス基板の間にリードフレームが挟まれたガラスパッケージを一体成形することができるため、密閉性、及び温度サイクルに対する信頼性を向上させ、かつ、製造工程数を削減することができる。

本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表すフロー図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表すフロー図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を説明する模式図である。 １本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を説明する模式図である。 ２本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法における設置工程及び接合工程を表す模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法における実装工程を表す模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法における封止工程を表す模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を説明する模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を説明する模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法における設置工程及び接合工程を表す模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を説明する模式図である。 参考例の発光デバイスを説明するための模式的な上面図である。 参考例の発光デバイスを説明するための模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。 参考例の発光デバイスの模式的な縦断面図である。 参考例の発光デバイスを説明するための模式図である。 参考例の発光デバイスを説明するための模式図である。 参考例の発光デバイスを説明するための模式図である。 従来公知のＬＥＤ発光装置の断面図である。 従来公知の発光装置の断面図である。 従来公知の発光装置の金型によりガラス封止を行う状態を表す図である。

本発明の発光デバイスの製造方法は、表面にリードフレームを配置したガラス基板を加熱して凸部が形成された金型に押圧することにより、ガラスパッケージを作製する。このようなガラスパッケージでは、ガラス基板の表面に窪みが形成されるとともに、リードフレームは、この窪みの底面とガラス基板の側面から露出するように、ガラス基板に埋め込まれる。この窪みの底面から露出したリードフレームに発光素子を実装し、発光素子を封止材で覆う。これにより、発光デバイスが作製される。

具体的には、この発光デバイスの製造方法は、設置工程、接合工程、実装工程、および封止工程を備えている。設置工程では、リードフレームが設置された第１ガラス基板に、表面に凸部を持つ型を、その凸部がリードフレームに対向するように設置する。接合工程では、第１ガラス基板を加熱して型を押圧する。これにより、第１ガラス基板の表面に窪みが形成され、リードフレームと第１ガラス基板が接合される。このとき、窪みの底面にはリードフレームの表面が露出し、窪みの周辺部ではリードフレームが第１ガラス基板に埋め込まれる。そして、実装工程で、窪みの底面から露出したリードフレームの上に発光素子が実装される。最後に、封止工程で発光素子上に封止材を塗布して封止する。

あるいは、本発明の発光デバイスの製造方法は、２枚のガラス基板の間にリードフレームを配置し、これらを加熱して凸部が形成された金型に押圧する。これにより、リードフレームは２枚のガラスに埋め込まれるように接合され、ガラスパッケージが作製される。このとき、ガラスパッケージは、表面に窪みを持ち、リードフレームがこの窪みの底面と側面から露出するように構成される。この窪みの底面から露出したリードフレームに発光素子を実装して、発光素子を封止材で覆う。これにより、発光デバイスが作製される。

具体的には、この発光デバイスの製造方法は、準備工程、設置工程、接合工程、実装工程、および封止工程を備えている。準備工程で、中央部に開口を有する第２ガラス基板が準備される。さらに設置工程で、第１ガラス基板の上にリードフレームを、リードフレームの上に第２ガラス基板を設置し、さらに、表面に凸部を有する型を、その凸部が第２ガラス基板の開口に対向するように設置する。次に接合工程で、設置工程で設置された状態のまま、第１ガラス基板と前記第２ガラス基板を加熱して軟化させ、型を第１ガラス基板側から押圧する。これにより、第２ガラス基板の開口に対応する位置に窪みが形成され、窪みの周辺部では第１ガラス基板と第２ガラス基板の間にリードフレームが接合される。このとき、窪みの底面ではリードフレームの表面が露出している。そして、実装工程で、窪みの底面から露出したリードフレームの上に発光素子を実装する。次に、封止工程で、発光素子に封止材を塗布して封止する。

さらに、リードフレームに突起部を設け、接合工程により突起部がガラスパッケージを貫通するように作製してもよい。
以下に、本発明の発光デバイスの製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。

（第１実施形態）
図１は、本実施形態の発光デバイスの製造方法を表すフロー図である。ここでは貫通孔が形成されたリードフレームを用いている。

＜設置工程＞
図１（ａ）は、設置工程を表す模式図である。ガラス板１８の上にリードフレームＬＦを設置する。ここで、リードフレームとは、薄板状又は線状の金属や合金から一体的に形成された導体をいう。従って、半導体分野で使用されるようなテープ状の金属板をエッチングや打ち抜きにより形成した導体であってもよいし、金属等を延伸して形成した線状の導体であってもよい。本実施形態で用いるリードフレームＬＦを図１（ｂ）に示す。図示するように、リードフレームＬＦは、板状の導体からなる２つのリードフレームＬＦａとリードフレームＬＦｂを持ち、向かい合うように配置されている。各リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの幅広部分には、軟化したガラス材料が迅速に流動するように貫通孔７ａ、７ｂが形成されている。これらのリードフレームが設置されたガラス板１８を、凹部２０を持つ下型１９と、表面に凸部１６を持つ上型１５の間に設置する。上型１５は凸部１６がリードフレームＬＦａ、ＬＦｂに対向するように設置されている。

＜接合工程＞
次に、下型１９、上型１５及びガラス板１８を加熱してガラス板１８を軟化させる。ガラス板１８としてソーダガラスを使用する場合には、約６００℃〜９００℃に加熱する。そして、下型１９及び上型１５を矢印の方向に押圧する。従って、上型１５の表面に形成された凸部１６の上面がリードフレームＬＦａ、ＬＦｂに当接する。これにより、ガラス板１８の一部のガラス材料は上型１５の窪み１７に流動する。リードフレームＬＦａ及びＬＦｂには貫通孔７ａ及び７ｂがあるので、ガラス材料の流動が促進される。

図１（ｃ）及び図１（ｄ）は、下型１９及び上型１５から取り出したガラス基板２を表す縦断面図及び上面図である。ガラス基板２の上面には、上型１５の凸部１６に対応する位置に窪み６が形成される。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの一端部が窪み６の底面２ｄにおいて外部に露出するように、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂが窪み６の周辺部においてガラス基板２に埋め込まれるように、リードフレームＬＦはガラス基板２に接合されている。また、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの他端がガラス基板２の側面から突出しており、端子１０ａ、１０ｂとして用いられる。

＜実装工程＞
図１（ｅ）及び図１（ｆ）は、窪み６の底面２ｄに露出したリードフレームＬＦａの上に発光素子であるＬＥＤ３を実装した状態を表す縦断面図及び上面図である。図示しない接合材を介在させて、ＬＥＤ３をリードフレームＬＦａの上に実装する。ＳｎＡｇＣｕやＡｕＳｎ等の合金接合、或いは導電性接着材を使用して、接合することができる。更に、ＬＥＤ３の上面に形成された図示しない電極と、露出したリードフレームＬＦｂとを、Ａｕ等からなるワイヤー４により電気的に接続する。

＜封止工程＞
図１（ｇ）及び図１（ｈ）は、窪み６に封止材５を塗布した状態を表す縦断面図及び上面図である。透明樹脂からなる封止材５を塗布して、電子部品３及びワイヤー４を封止した。なお、封止材５には、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを硬化させたシリコン酸化物を用いることができる。具体的には、ディスペンサー等を用いて金属アルコキシドの溶液を窪み６に充填する。例えば、ｎＳｉ（ＯＣＨ_３）_４、４ｎＨ_２Ｏ、触媒ＮＨ_４ＯＨ、亀裂防止剤ＤＭＦ（ＤＭＦ：ジメチルホルムアミド）の混合液を使用する。これを室温から約６０℃において加水分解及び重合を行って、ポリメタロキサンのゾルを形成する。更に室温から６０℃において重合してシリコン酸化物の湿潤ゲルを形成し、温度約１００℃又は１００℃以上において乾燥、焼成を行い、シリコン酸化物を形成する。或いは、ポリメタロキサンを充填して、上記と同様に重合及び焼成してシリコン酸化物を形成してもよい。

このように、封止材５として金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを用いれば、発光デバイス１を無機材料だけで構成することができる。そのために、ＬＥＤ３から発光される紫外線や可視光線により材料が変色することが防止できる。

このように、ガラス基板２に窪み６を形成すると同時に、リードフレームＬＦを窪みの周辺部に埋め込み、更にガラス基板２から突出させて端子１０ａ、１０ｂも形成する。これにより、製造工程数が削減され、製造コストが低減できる。このような方法によるガラス基板２とリードフレームＬＦの接合は、密着性や気密性が優れているので、信頼性の高い発光デバイスが実現できる。また、ガラス板１８を軟化させて窪み６を形成した後に、ＬＥＤ３を実装しているので、半導体パッケージでよく使用されるワイヤーボンディングによる接合を行うことができる。

（第２実施形態）
図２は、本実施形態の発光デバイス１の製造方法を表すフロー図である。ここでは貫通孔が形成されたリードフレームＬＦを用いている。

＜設置工程＞
図２（ａ）は、設置工程を表す模式図である。ガラス板１８の上に、リードフレームＬＦａとリードフレームＬＦｂを向かい合わせて設置している。リードフレームＬＦａには貫通孔７ａと突起部１０ｅが、ＬＦｂには貫通孔７ｂが形成されている。突起部１０ｅを有するリードフレームＬＦは、圧延接合法、異形加工・プレス加工等の塑性加工法、或いは溶接法によって容易に作製することが可能である。このリードフレームＬＦが設置されたガラス板１８を、凹部２０を持つ下型１９と、表面に凸部１６を持つ上型１５の間に設置する。上型１５は、凸部１６がリードフレームＬＦａ、ＬＦｂに対向するように設置している。

＜接合工程＞
次に、下型１９、上型１５及びガラス板１８を加熱してガラス板１８を軟化させる。そして、下型１９及び上型１５を矢印の方向に押圧する。従って、上型１５の表面に形成された凸部１６の上面がリードフレームＬＦａ、ＬＦｂに当接する。これにより、突起部１０ｅは軟化したガラス板の中に挿入され、押しのけられたガラス材料は上型１５の窪み１７に流動する。最終的に突起部１０ｅは下型１９と接するまで押圧される。

図２（ｂ）に、このようにして作製されたガラス基板２の縦断面を模式的に表す。ガラス基板２の上面には、上型１５の凸部１６に対応する位置に窪み６が形成される。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの一端部が窪み６の底面２ｄにおいて外部に露出するように、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂが窪み６の周辺部においてガラス基板２に埋め込まれるように、リードフレームＬＦはガラス基板２に接合されている。リードフレームの突起部１０ｅはガラス基板２を貫通するように埋め込まれる。また、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの他端がガラス基板２の側面から突出しており、端子１０ａ、１０ｂとして用いられる。

以降の、実装工程、封止工程は、第１実施形態と同様なので、詳細は省略する。
このように、ガラス基板２に窪み６を形成すると同時に、リードフレームＬＦを窪みの周辺部に埋め込み、更にリードフレームの突起部がガラス基板２を貫通するように成形する。これにより、簡易な製造工程で、熱抵抗が極めて低い発光デバイス１が実現できる。なお、突起部１０ｅをヒートシンクと接合してもよい。これにより、高い放熱効果が得られる。

（第３実施形態）
図３から図８は、本実施形態の発光デバイスの製造方法を説明するフロー図である。ここでは、第１ガラス基板２ａと第２ガラス基板２ｂの間にリードフレームＬＦを挟み、上型１５と下型１９の間に挿入設置して、両ガラス基板とリードフレームを接合する。

＜準備工程＞
図３は、第２ガラス基板２ｂを準備する工程を説明する模式図であり、図４は、第１ガラス基板２ａを準備する工程を説明する模式図である。第１ガラス基板２ａ、第２ガラス基板２ｂともに、ガラス板を軟化させて成形法により形成する。

図３（ａ）は、上ガラス板２３を下型２２と上型２１の間に挿入した状態を表す模式図である。図示するように、下型２２の表面には凹部２６が形成されている。上型２１の表面には凸部２４が形成され、その周囲には窪み２５が形成されている。上ガラス板２３を下型２２と上型２１の間に挿入し、上ガラス板２３が軟化する温度に加熱して、下型２２に上型２１を押圧する。その結果、中央部が開口した第２ガラス基板２ｂが作製される。図３（ｂ）に第２ガラス基板２ｂの縦断を、図３（ｃ）に第２ガラス基板２ｂの上面を表す。図示するように、開口３０は第２ガラス基板２ｂの斜面２７によって周囲を囲まれている。

図４（ａ）は、下ガラス板２３’を下型２２’と上型２１’の間に挿入した状態を表す模式図である。図示するように、下型２２’の表面には凹部２６’が形成され、上型２１’にも凹部２５’が形成されている。下ガラス板２３’を下型２２’と上型２１’との間に挿入し、下ガラス板２３’が軟化する温度に加熱して、下型２２’に上型２１’を押圧する。その結果作製される第１ガラス基板２ａの縦断面図を図４（ｂ）に、上面図を図４（ｃ）に示す。図示するように、第１ガラス基板２ａの左右の端部にリードフレームＬＦの端子９ａ、９ｂを接合するための電極装着部２９ａ、２９ｂが形成される。

図５は、リードフレームＬＦを準備する工程を説明する模式図であり、図５（ａ）はリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの上面図、図５（ｂ）はリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの側面図である。金属又は合金の導体板を、型を用いた打ち抜きやエッチングにより成型してから、端部を折り曲げてリードフレームＬＦａ、ＬＦｂを作製する。折り曲げられた端部は給電用及び放熱用の端子９ａ、９ｂとして用いられる。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、中央部の幅が狭く、周辺部は幅広に形成している。２つのリードフレームＬＦａとＬＦｂとは、幅の狭いほうを向かい合わせる。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの幅広の部分に、軟化したガラス材料の流動性をよくするために、貫通孔を設けてもよい。

＜設置工程＞
図６（ａ）は、設置工程を表す模式図である。第１ガラス基板２ａの上にリードフレームＬＦａ、ＬＦｂを向かい合わせて設置し、その上に第２ガラス基板２ｂを設置する。この状態のまま第１ガラス基板２ａと第２ガラス基板２ｂを、下型１９と上型１５の間に設置する。下型１９の表面には凹部２０が形成されている。上型１５の表面には凸部１６が形成され、その周辺は窪み１７が形成されている。

なお、上型１５の凸部１６の直径は、第２ガラス基板２ｂの開口３０より大きく形成され、上型１５の窪み１７の深さは、第２ガラス基板２ｂの厚さより厚く、即ち深く形成されている。第２ガラス基板２ｂを軟化させて下型１９に上型１５を押圧したときに、上型１５の窪み１７に軟化したガラス材料を流動させるためである。

＜接合工程＞
次に、下型１９、上型１５、第１及び第２ガラス基板２ａ、２ｂを加熱して、第１及び第２ガラス基板２ａ、２ｂを軟化させる。第１及び第２ガラス基板２ａ、２ｂとしてソーダガラスを使用する場合には、約６００℃〜９００℃に加熱する。そして、下型１９及び上型１５を矢印の方向に押圧する。従って、上型１５の表面に形成される凸部１６の上面がリードフレームＬＦａ、ＬＦｂに当接する。これにより、第２ガラス基板２ｂと第１ガラス基板２ａの少なくとも一方のガラス材料は上型１５の窪み１７に流動する。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂに貫通孔がある場合は、ガラス材料の流動が促進される。

このように成型したパッケージ基体を図６（ｂ）、（ｃ）に模式的に示す。すなわち、図６（ｂ）は、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂと第１ガラス基板２ａ、及び第２ガラス基板２ｂを接合した後に型から取り出したガラス基板２の断面図であり、図６（ｃ）はその上面図である。図示するように、ガラス基板２の上面には、上型１５の凸部１６に対応する位置に窪み６が形成される。窪み６の底面２ｄに、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの夫々の一端部が露出するように、リードフレームはガラス基板２の表面に接合される。窪み６の周辺部では、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、ガラス基板２に埋め込まれて接合される。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの他端部はガラス基板２の側面に接合して端子９ａ、９ｂが形成される。

＜実装工程＞
図７は、窪み６の底面に露出したリードフレームＬＦａの上に発光素子としてＬＥＤ３を実装した状態を表す模式図である。図７（ａ）はその縦断面図であり（ｂ）はその上面図である。図７（ａ）に示すように、図示しない接合材を介して、リードフレームＬＦａの上にＬＥＤ３を実装する。ここで、ＳｎＡｇＣｕやＡｕＳｎ等の合金接合、或いは導電性接着材を使用して、接合することができる。更に、ＬＥＤ３の図示しない上部電極と、露出したリードフレームＬＦｂとを、Ａｕ等からなるワイヤー４により接続する。

＜封止工程＞
図８は、窪み６に封止材５を塗布した状態を表す縦断面図及び上面図である。透明樹脂からなる封止材５を窪み６に供給して、ＬＥＤ３及びワイヤー４を封止した。なお、封止材５には、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを硬化させたシリコン酸化物を用いることができる。具体的には、第１実施形態の説明と同様なので、詳細は省略する。

このように、ガラス基板２に窪み６を形成すると同時にその周辺部にリードフレームＬＦを埋め込み、更に端子も同時に形成するので、製造工程数が削減し、製造コストを低減することができる。特に、第２ガラス基板２ｂに設けた開口を窪み６としているので、ガラス材料の流動距離が減少し、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂとガラス基板２との間を短時間で接合させることができる。また、ガラス基板２とリードフレームＬＦの接合は密着性、気密性が優れているので、信頼性の高い発光デバイス１を製造することができる。また、窪み６を形成した後に、窪み６の底面にＬＥＤ３を実装しているので、半導体パッケージでよく使用されるワイヤーボンディングによる接合を利用できる。

（第４実施形態）
図９から図１１は、本実施形態の発光デバイスの製造方法を説明するフロー図である。本実施形態では、第１ガラス基板２ａと第２ガラス基板２ｂの間にリードフレームＬＦを挟み、上型１５と下型１９の間に挿入設置して、ガラスとリードフレームを接合する。

＜準備工程＞
図９は、第２ガラス基板２ｂを準備する工程を説明する模式図であり、図１０は、第１ガラス基板２ａを準備する工程を説明する模式図である。第１ガラス基板２ａ、第２ガラス基板２ｂともに、ガラス板を軟化させて成形法により作製する。

図９（ａ）は、上ガラス板２３を下型２２と上型２１の間に挿入した状態を表す模式図である。図９（ａ）に示すように、下型２２の表面には凹部２６が形成されている。上型２１の表面には凸部２４が形成され、その周囲には窪み２５が形成されている。上ガラス板２３を下型２２と上型２１の間に挿入し、上ガラス板２３が軟化する温度に加熱して、下型２２に上型２１を押圧する。その結果作製された第２ガラス基板２ｂの縦断面を図９（ｂ）に、上面を図９（ｃ）に示す。図示するように、中央部に開口３０を持つ第２ガラス基板２ｂが成形される。開口３０は第２ガラス基板２ｂの斜面２７で囲まれている。

図１０（ａ）は、下ガラス板２３’を下型２２’と上型２１’の間に挿入した状態を表す模式図である。図示するように、下型２２’の表面には凹部２６’と凸部３３が形成され、上型２１’には凹部２５’が形成されている。下ガラス板２３’を下型２２’と上型２１’との間に挿入し、下ガラス板２３’が軟化する温度に加熱して、下型２２’に上型２１’を押圧する。その結果作製された第１ガラス基板２ａの縦断面を図１０（ｂ）に、上面を図１０（ｃ）に示す。図示するように、中央部に開口３４を持つ第１ガラス基板２ａが成形される。

＜設置工程＞
図１１（ａ）は、設置工程を表す模式図である。第１ガラス基板２ａの上にリードフレームＬＦａを突起部１０ｅが第１ガラス基板２ａの開口３４に合致するよう設置し、リードフレームＬＦｂはリードフレームＬＦａと向かい合わせて設置し、その上に第２ガラス基板２ｂを設置する。この状態のまま第１ガラス基板２ａと第２ガラス基板２ｂを、下型１９と上型１５の間に設置する。下型１９の表面には凹部２０が形成されている。上型１５の表面には凸部１６が形成され、その周辺に窪み１７が形成されている。

ここで、上型１５の凸部１６の直径は、第２ガラス基板２ｂの開口３０より大きく形成し、上型１５の窪み１７の深さは、第２ガラス基板２ｂの厚さより厚く、即ち深く形成している。第２ガラス基板２ｂを軟化させて下型１９に上型１５を押圧したときに、上型１５の窪み１７に第２ガラス基板２ｂを流動させるためである。

＜接合工程＞
次に、下型１９、上型１５、第１及び第２ガラス基板２ａ、２ｂを加熱して、第１及び第２ガラス基板２ａ、２ｂを軟化させる。第１及び第２ガラス基板２ａ、２ｂとしてソーダガラスを使用する場合には、約６００℃〜９００℃に加熱する。そして、下型１９及び上型１５を矢印の方向に押圧する。従って、上型１５の表面に形成される凸部１６の上面がリードフレームＬＦａ、ＬＦｂに当接する。これにより、第２ガラス基板２ｂと第１ガラス基板２ａの少なくとも一方のガラス材料は上型１５の窪み１７に流動する。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの夫々に貫通孔がある場合は、ガラス材料の流動が促進される。

このように成型したパッケージ基体を図１１（ｂ）に模式的に示す。すなわち、図１１（ｂ）は、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂと第１ガラス基板２ａ及び第２ガラス基板２ｂを接合した後に型から取り出したガラス基板２の断面図である。図示するように、ガラス基板２の上面には、上型１５の凸部１６に対応する位置に窪み６が形成される。この窪み６からリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの一部が露出し、窪み６の周辺部ではガラス基板２に埋め込まれる。一方、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの端部はガラス基板２の側面から突出し、端子１０ａ、１０ｂとして用いられる。また、リードフレームＬＦａの突起部１０ｅはガラス基板２を貫通するように作製される。以降の、実装工程、封止工程は、第１実施形態の説明と同様なので、詳細は省略する。

このように、ガラス基板２に窪み６を形成すると同時に、リードフレームＬＦを窪みの周辺部に埋め込み、更にリードフレームの突起部がガラス基板２を貫通するように成形する。これにより、簡易な製造工程で、熱抵抗が極めて低い発光デバイス１が実現できる。
なお、突起部１０ｅはヒートシンクに接合されてもよい。これにより、高い放熱効果が得られる。

（第５実施形態）
図１２は、本実施形態の発光デバイスの製造方法を説明する模式図である。ここでは、接合工程の前にリードフレームＬＦの表面に酸化膜を形成して、リードフレームＬＦとガラス基板２との間の接合性を向上させている。

図１２（ａ）は、金属又は合金の板をプレス抜きして作製したリードフレームＬＦａ、ＬＦｂを表す断面図である。図１２（ｂ）は、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの表面に酸化膜を形成する酸化工程を表す断面図である。リードフレームＬＦを酸素雰囲気中で熱処理し、表面に酸化膜３１を形成する。例えば、水分を含んだ大気中で熱処理する。リードフレームＬＦとして、ＮｉＦｅ系合金、例えばコバールを使用する場合には、温度約８００℃以上で、表面が灰色になる程度に酸化処理を行う。

図１２（ｃ）は、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの端部をプレス加工により折り曲げた状態を表す縦断面図である。この折り曲げにより、端子９ａ、９ｂを形成する。なお、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂを折り曲げた後に、酸化工程を行って表面に酸化膜３１を形成してもよい。

図１２（ｄ）は、リードフレームＬＦ、ＬＦｂをガラス基板２に接合した状態を表す縦断面図である。設置工程及び接合工程は、前述の各実施形態と同様でよいので、説明を省略する。図示するように、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂとガラス基板２との接触面には酸化膜３１が介在している。そのために、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂとガラス基板２との間の密着性、気密性が向上する。

次に、還元処理を行って外部に露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの表面から酸化膜を除去する。図１２（ｅ）に、酸化膜除去工程により、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの露出表面から酸化膜３１が除去された状態を表す。酸化膜除去工程では、水素ガス或いはキャリアガスとしてＮ２ガスを混入した水素ガスの雰囲気中でガラス基板２を加熱処理する。或いは、フッ酸等によりリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの表面から酸化膜を除去する。これにより、ＬＥＤ３を実装する実装面や、端子９ａ、９ｂの表面に金属又は合金が露出することとなり、他の導電材料との電気的接続が可能となる。

図１２（ｆ）は、ＬＥＤ３をリードフレームＬＦａの上に実装した状態を表す断面図である。図１２（ｇ）は、ＬＥＤ３及びワイヤー４を封止材５により封止した状態を表す断面図である。実装工程及び封止工程は前述の各実施形態と同様でよいので、説明を省略する。なお、酸化処理は接合工程の前であればよい。従って、リードフレームＬＦのプレス加工による曲げ加工（図１２（ｃ））の後でもよいし、リードフレームＬＦのプレス抜き加工（図１２（ａ））の前でもよい。また、酸化処理前に、ＬＥＤ３の実装面および端子９ａ、９ｂに相当する箇所に、レジスト塗布や遮蔽板の設置等の酸化防止処理を行えば、上述の酸化膜除去工程が不要になる。

なお、上述の各実施形態では、ガラス板としてソーダガラスを用いた。また、リードフレームＬＦとして、ＮｉＦｅ合金やコバールを使用することができる。例えば４２％ＮｉＦｅ合金や、４５％ＮｉＦｅ合金を使用することができる。熱膨張係数がガラス材料に近く、ガラス材料との接合性もよい。

また、ガラス基板２とリードフレームＬＦの熱膨張係数の差は、４×１０^−６／Ｋ以下とすることが好ましい。実装したＬＥＤ３のオンオフの繰り返しに起因する熱サイクルに晒される場合でも、熱膨張係数の差を４×１０^−６／Ｋ以下とすることにより、リードフレームＬＦとガラス基板２の間の接合が維持され、リードフレームＬＦとガラス基板２の間の気密性が保持される。これにより、実装したＬＥＤ３の信頼性が向上する。また、ガラス基板２の熱膨張係数を８×１０^−６／Ｋから１１×１０^−６／Ｋとし、リードフレームＬＦの熱膨張係数を４×１０^−６から１５×１０^−６／Ｋとする。これにより、ガラス基板２との間の熱膨張係数差をあまり大きくしないで、リードフレームＬＦの利用可能な材料の範囲を拡大させることができる。

また、ＬＥＤ３が実装されるリードフレームＬＦａは、なるべく熱伝導率を高くすることが好ましい。そこで、ガラス基板２に埋め込まれる領域のリードフレームＬＦの、熱が伝達される方向に直交する面の断面積について、ＬＥＤ３が実装されるリードフレームＬＦａの当該断面積をワイヤー４が接続されるリードフレームＬＦｂの当該断面積よりも大きく形成する。そして、リードフレームＬＦｂの当該断面積は、ＬＥＤ３に必要な電力が供給できる程度とする。これにより、リードフレームＬＦの材料を有効に使用することができ、製造コストの低減を図ることができる。なお、発光デバイス１に３本以上のリードフレームＬＦを形成した場合には、ＬＥＤ３が固定されるリードフレームの全体の当該断面積を、ＬＥＤ３を固定しないリードフレームの全体の当該断面積よりも大きく形成するとよい。

さらに、リードフレームＬＦにより構成される裏面電極の表面に、ＮｉやＡｕメッキを施してもよい。これにより、はんだ付けが容易となる。なお、リードフレームＬＦの厚さは概ね０．１ｍｍから０．５ｍｍである。

また、図１５のようにリードフレームＬＦとして２種類以上の異なる金属を貼り合わせたクラッド材を使用することができる。例えば、一層目をＮｉＦｅ合金（ＬＦａ１、ＬＦｂ１）とし、二層目をＣｕ（ＬＦａ２、ＬＦｂ２）とする。また、更に三層目にＮｉＦｅ合金を貼り合わせてもよい。

さらに、窪み６の壁面を反射面として使用するために、反射率の高い金属膜や誘電体多層膜を形成してもよい。これにより、発光デバイス１から射出される光に指向性を付与することが容易である。また、ガラス基板２として白色又は乳白色を呈する材料を使用することができる。これにより経時的に変色のない反射層を構成することができる。例えば、ガラス材料に燐酸（Ｐ２Ｏ５）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ボロン（Ｂ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）等の酸化物を混入させることにより乳白色ガラスとすることができる。この白色又は乳白色はＬＥＤ３から発光した光や熱により変色することがないので、発光デバイス１の信頼性を低下させることがない。更に、封止材５として、蛍光体分散に適した粘度の材料を選択することができる。また、ガラス基板２が軟化するような温度に晒されないので、この封止材５に混入させる蛍光材の選択の幅が拡大する。

以上、第１実施形態から第５実施形態により発光デバイスの単品の製造方法を説明したが、これを多数個取りにより形成することができる。また、第１実施形態から第５実施形態では、発光デバイス１の平面形状を四角形、窪み６を丸い擂鉢状の形状として説明したが、これに限定されない。発光デバイス１の平面形状は円形であっても、また、四角形以外の多角形であってもよい。また、窪み６は、四角形や他の多角形であってもよいし、傾斜面が円弧状、或いは双曲線状の形状であってもよい。

なお、本発明の発光デバイスの製造方法を用いることにより、上述の実施形態以外にも以下の参考例に示す構成の発光デバイスを作製することもできる。

（第１参考例）
図１３は、第１参考例に係る発光デバイス１の模式的な上面図である。ガラス基板２の表面の中央部には窪み６が形成されている。窪み６の底面２ｄからガラス基板２を貫通して側面に露出するように対向する２つのリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの他に、これらのリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの方向に直交する方向にリードフレームＬＦｃ、ＬＦｄが設けられている。各リードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃ、ＬＦｄは、窪み６の底面２ｄにおいてガラス基板２から露出し、窪み６の周囲においてガラス基板２に埋め込まれ、ガラス基板２の側面において露出するように、ガラス基板２に接合している。ガラス基板２の側面に露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃ、ＬＦｄは、それぞれ端子９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄを構成している。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃ、ＬＦｄには、ガラス基板２に埋め込まれた領域において貫通孔７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄが形成されている。また、リードフレームＬＦｃとＬＦｄは１枚又は１本の導体から形成されている。

ここでは、ＬＥＤ３は上面にアノードとカソード電極を形成した構造のＬＥＤであり、窪み６の中央部のＬＦ上に高熱伝導性の接着剤で固定されている。ＬＥＤ３の上部に形成された図示しないアノードおよびカソード電極と、リードフレームＬＦａ及びＬＦｂの夫々がワイヤー４ａ及び４ｂを介して電気的に接続されている。従って、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂからＬＥＤ３に電力が供給される。

リードフレームＬＦｃ、ＬＦｄはＬＥＤ３で発生した熱の放熱用熱伝導体として機能する。図１３ではリードフレームＬＦｃ、ＬＦｄには貫通孔７を形成しているが、貫通孔を小さくするか無くすことにより、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂよりも熱抵抗を下げることができ、ＬＥＤ３で発生した熱を効果的に外部へ放出することができる。その他の構成は第３実施形態と同様なので、説明を省略する。

（第２参考例）
図１４は、第２参考例に係る発光デバイス１の模式図である。図１４（ａ）は発光デバイス１の縦断面図であり、図１４（ｂ）はその上面図である。また、図１４（ｃ）は図１４（ｂ）の変形例の上面図である。図示するように、窪み６の底面からガラス基板２を貫通して側面に露出する２つのリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの他に、これらのリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの方向に直交する方向にリードフレームＬＦｃ、ＬＦｄが設けられている。各リードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃ、ＬＦｄは、窪み６の底面２ｄにおいてガラス基板２から露出し、窪み６の周囲においてガラス基板２に埋め込まれ、ガラス基板２の側面から突出している。この突出部において、各リードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃ、ＬＦｄは端子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを構成している。従って、端子１０ａ、１０ｂは、ＬＥＤ３への電力供給用として、また、１０ｃ、１０ｄは放熱用の放熱フィンとして機能する。その他の構成は、第１参考例と同様なので、説明を省略する。

図１４（ｃ）に示す変形例では、端子１０’ｃ、１０’ｄは、端子１０ｃ、１０ｄよりも面積が広く形成されている。これにより、端子１０ｃ、１０ｄは、放熱用フィンとしての機能が高くなり、ＬＥＤ３で発生した熱を更に効率的に外部に放熱することができる。

（第３参考例）
本３参考例に係る発光デバイス１の断面構成を図１６に模式的に示す。ここでは、発光デバイス１の側面に露出する端子が、発光デバイス１の裏面１３と同じ平面上に折り曲げられている。この側面に露出する端子以外の構成は、第３実施形態の構成と同様なので、説明を省略する。

図１６（ａ）では、２つの端子１１ａ、１１ｂは、発光デバイス１の側面に露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂが折り曲げられて、ガラス基板２の側面に接合し、更に裏面１３に接合して形成されている。これにより、場所をとらないで発光デバイス１を回路基板等へ実装することが容易となる。図１６（ｂ）では、２つの端子１２ａ、１２ｂは、ガラス基板２の側面に露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂが折り曲げられてガラス基板２の側面に接合し、更に、ガラス基板２の裏面１３と同じ平面上に側面から突出するように折り曲げられて形成されている。これにより、回路基板等への実装が容易となるとともに、放熱効果を向上させることができる。

（第４参考例）
図１７は、第４参考例に係る発光デバイス１の模式図である。図１７（ａ）は発光デバイス１の縦断面図であり、図１７（ｂ）はその上面図である。本参考例は、ＬＥＤ３をリードフレームＬＦａ、ＬＦｂに表面実装した例である。

図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、ガラス基板２には窪み６が形成されている。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、窪み６の底面２ｄにおいて露出し、更に、窪み６の周囲のガラス基板２を貫通し、側面において露出している。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、窪み６の底面２ｄにおいてガラス基板２と接合し、窪み６の周囲においてガラス基板２に埋め込まれ、ガラス基板２の側面において折り曲げられて、ガラス基板２に接合している。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、ガラス基板２の側面において端子９ａ、９ｂを構成している。窪み６の底面２ｄに露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの上には、導電材１４ａ、１４ｂを介してＬＥＤ３が平面実装されている。ＬＥＤ３は、封止材５により封止されている。ＳｎＡｇＣｕやＡｕＳｎ等の合金接合、或いは導電性接着材等を使用して、実装することができる。

これにより、ワイヤーボンディングが不要となるので、製造工程数を減少させて製造コストを低減することができる。また、ＬＥＤ３において発生した熱を、２つのリードフレームＬＦａ、ＬＦｂにより外部へ放熱することができるので、放熱効果を向上させることができる。また、ワイヤーを形成する必要がないので、発光デバイス１の厚さを薄くすることができる。その他の構成は、第１実施形態や第２実施形態と同様なので、説明を省略する。

（第５参考例）
図１８は、第５参考例に係る発光デバイス１の模式図である。図１８（ｂ）は発光デバイス１の上面図であり、図中のＸ−Ｘ部分の断面を図１８（ａ）に示す。ガラス基板２の中央部には窪み６が形成されている。窪み６は上方の直径が大きくなるすり鉢状の形状である。第３実施形態と同様に、窪み６の底面からガラス基板２を貫通して側面に露出するようにリードフレームＬＦａ、ＬＦｂが設置されているが、ＬＥＤ３の実装部にはリードフレームＬＦａに突起部９ｅが形成されており、ガラス基板２を貫通して底面で露出している。ＬＥＤ３で発生した熱は、リードフレームＬＦａと突起部９ｅを介して外部に放熱することができるが、突起部９ｅの熱抵抗がはるかに小さいため、例えば突起部９ｅにヒートシンクを接合することにより、高い放熱効果が得られる。なお、ＬＥＤ３を発光させるための給電端子として端子９ａ、端子９ｂが使用されるが、端子９ａの代わりに突起部９ｅを使うことも可能である。

（第６参考例）
図１９は、第６参考例に係る発光デバイス１の模式図である。図１９（ｃ）は発光デバイス１の上面図であり、図中のＸ−Ｘ部分の断面を図１９（ａ）に、Ｙ-Ｙ部分の断面を図１９（ｂ）に示す。リードフレームＬＦｃに突起部９ｅが形成されている以外は、第１参考例と同様の構成である。すなわち、ＬＥＤ３の実装部にはリードフレームＬＦｃに突起部９ｅが形成されており、ガラス基板２を貫通して底面で露出している。ＬＥＤ３で発生した熱は、リードフレームＬＦｃの突起部９ｅを介して外部に放熱することができるため、例えば突起部９ｅにヒートシンクを接合することにより、高い放熱効果が得られる。

１ 発光デバイス
２ ガラス基板
３ ＬＥＤ
４ ワイヤー
５ 封止材
６ 窪み
７ 貫通孔
８ 酸化膜
１０ 端子
１５ 上型
１６ 凸部
１８ ガラス板
１９ 下型
２０ 凹部

Claims (7)

1. 第１ガラス基板の上にリードフレームを設置し、表面に凸部を有する型を、その凸部が前記リードフレームに対向するように前記第１ガラス基板に設置する設置工程と、
   前記第１ガラス基板を加熱により軟化させて前記型を前記第１ガラス基板側に押圧することにより、前記第１ガラス基板の表面に窪みを形成するとともに、前記窪みの底面において前記リードフレームの表面が露出するように、かつ、前記窪みの周辺部において前記リードフレームが前記第１ガラス基板に埋め込まれるように、前記リードフレームと前記第１ガラス基板を接合する接合工程と、
   前記窪みの底面から露出したリードフレームの上に発光素子を実装する実装工程と、
   前記発光素子に封止材を塗布して封止する封止工程と、を備えた発光デバイスの製造方法。
2. 前記リードフレームには突起部が設けられ、
   前記接合工程により、前記リードフレームは、前記突起部が前記第１ガラス基板を貫通するように前記第１ガラス基板に接合され、
   前記実装工程で、前記発光素子は前記突起部の上に実装されたことを特徴とする請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
3. 中央部に開口を有する第２ガラス基板を準備する準備工程を更に備え、
   前記設置工程が、前記第１ガラス基板の上にリードフレームを、前記リードフレームの上に前記第２ガラス基板を設置し、表面に凸部を有する型を、その凸部が前記第２ガラス基板の開口に対向するように設置する工程であり、
   前記接合工程が、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板を加熱により軟化させて前記型を前記第１ガラス基板側から押圧することにより、前記第２ガラス基板の開口に対応する位置に窪みを形成するとともに、前記窪みの底面において前記リードフレームの表面が露出するように、かつ、前記窪みの周辺部で前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板の間に前記リードフレームが埋め込まれるように、前記第１ガラス基板と前記リードフレームと前記第２ガラス基板を接合する工程であることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
4. 前記リードフレームには突起部が設けられ、
   前記準備工程はさらに、前記突起部に対応した位置に開口を持つ第１ガラス基板を準備する工程を含み、
   前記設置工程で、前記第１ガラス基板の開口に前記突起部が嵌るように前記リードフレームが設置されることを特徴とする請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
5. 前記準備工程において、前記第１ガラス基板と第２ガラス基板の少なくとも一方の基板に加熱成型加工によって開口が形成されることを特徴とする請求項３または４に記載の発光デバイスの製造方法。
6. 前記リードフレームには貫通孔が形成され、
   前記接合工程において、前記第１ガラス基板のガラス材料を前記貫通孔を通して流動させることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光デバイスの製造方法。
7. 前記接合工程の前に、前記リードフレームの表面に酸化膜を形成する酸化工程を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光デバイスの製造方法。

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