JP2010170846A - 電源装置及びそれを用いた照明器具 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機EL素子に適切な電圧、電流を適切な時間にわたり逆方向に印加することで有機EL素子の寿命改善効果を最大化できる電源装置を提供する。
【解決手段】直流電源にフルブリッジ回路を介して有機EL素子3を接続し、フルブリッジ回路を構成する4個のスイッチング素子Q1〜Q4のうち、有機EL素子3に対して逆方向となる2個のスイッチング素子Q1,Q4の少なくとも一方と直列に有機EL素子3に印加される逆電圧を設定するための定電圧素子ZD及び/又は有機EL素子3に印加される逆電流を設定するための限流素子R2を接続した。
【選択図】図1

Description

本発明はフルブリッジ回路を有する電源装置及びそれを用いた照明器具に関するものである。
有機EL素子は逆電圧を印加することにより寿命を回復させる効果があることが知られている(特許文献1)。そこで、従来は図5の回路のように、通常の点灯期間では、直流電源Vdcから抵抗Rを介して有機EL素子3に供給される電圧を、スイッチ回路SWの常閉接点を介してコンデンサCに充電しておき、回復期間では、スイッチ回路SWを常開接点側に切り替えることにより、有機EL素子3に逆電圧を印加できるように構成していた。
しかしながら、図5の従来例では、有機EL素子3に逆電圧を印加する時間や、印加される電圧、電流を任意にコントロールすることが困難なため、有機EL素子3に過大なストレスが印加されたり、十分に特性を回復することができない問題点があった。
そこで、特許文献2では、フルブリッジ回路を用いて、通常の点灯期間では有機EL素子に順電圧を印加し、回復期間ではフルブリッジ回路の極性を切り替えて逆電圧を印加する構成が開示されている。また、その改良技術して、特許文献3では通常の点灯期間では降圧チョッパ動作を用いて有機EL素子に順電圧を印加し、回復期間では降圧チョッパ動作を用いずに電源からダイレクトに逆電圧を印加することが提案されている。
特許第2663648号公報 特開2005−078828号公報 特開2007−149463号公報
しかしながら、特許文献2,3の技術では、回復期間に有機EL素子に印加される逆電圧、逆電流を適切に設定することが困難であった。このため、回復期間に有機EL素子に過大なストレスを与える恐れがあり、必ずしも最大限の寿命改善効果を期待することは出来ない可能性があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、有機EL素子に適切な電圧、電流を適切な時間にわたり逆方向に印加することで有機EL素子の寿命改善効果を最大化できる電源装置を提供することを課題とする。
請求項1の発明は、上記の課題を解決するために、図1に示すように、直流電源にフルブリッジ回路を介して有機EL素子3を接続し、フルブリッジ回路を構成する4個のスイッチング素子Q1〜Q4のうち、有機EL素子3に対して逆方向となる2個のスイッチング素子Q1,Q4の少なくとも一方と直列に有機EL素子3に印加される逆電圧を設定するための定電圧素子ZDを接続したことを特徴とするものである。
請求項2の発明は、上記の課題を解決するために、図1に示すように、直流電源にフルブリッジ回路を介して有機EL素子3を接続し、フルブリッジ回路を構成する4個のスイッチング素子Q1〜Q4のうち、有機EL素子3に対して逆方向となる2個のスイッチング素子Q1,Q4の少なくとも一方と直列に有機EL素子3に印加される逆電流を設定するための限流素子R2を接続したことを特徴とするものである。
請求項3の発明は、請求項1の定電圧素子ZDまたは請求項2の限流素子R2の機能を有機EL素子3に対して逆方向となる2個のスイッチング素子Q1,Q4の少なくとも一方で兼用したことを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1〜3の発明において、フルブリッジ回路の出力にインダクタLを介して有機EL素子3を接続し、有機EL素子3に対して逆方向となる2個のスイッチング素子Q1,Q4の少なくとも一方と逆並列に回生電流通電用のダイオードDを接続し、通常の点灯期間では有機EL素子3に対して順方向となる2個のスイッチング素子Q2,Q3の少なくとも一方を高周波でオン・オフし、回復期間では有機EL素子3に対して逆方向となる2個のスイッチング素子Q1,Q4をオンする制御部1を備えたことを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の電源装置を備える照明器具である。
本発明によれば、任意の電圧、電流を任意の時間にわたり有機EL素子に逆方向に印加できることにより、有機EL素子の寿命、性能を最適に回復させることが簡単な回路で実現できる。
本発明の実施形態1の回路図である。 本発明の実施形態1の動作説明図である。 本発明の実施形態2の回路図である。 本発明の実施形態3の回路図である。 従来例の回路図である。
(実施形態1)
図1は本発明の実施形態1の回路図である。商用交流電源Vsはダイオードブリッジ回路DBにより全波整流されて、平滑用のコンデンサCに直流電圧が充電される。コンデンサCの正極には、PNPトランジスタよりなるスイッチング素子Q1,Q3のエミッタが接続されている。スイッチング素子Q1のコレクタには、NPNトランジスタよりなるスイッチング素子Q2のコレクタが接続されている。スイッチング素子Q2のエミッタは抵抗R1を介してグランドに接続されている。グランドにはコンデンサCの負極が接続されている。
スイッチング素子Q1のコレクタとスイッチング素子Q3のコレクタの間には、インダクタLと有機EL素子3の直列回路が接続されている。また、スイッチング素子Q1の両端には、回生電流通電用のダイオードDが逆並列接続されている。スイッチング素子Q3とインダクタL及びダイオードDはバックコンバータ(降圧チョッパ回路)を構成している。
スイッチング素子Q3のコレクタには、ツェナーダイオードZDを介して、NPNトランジスタよりなるスイッチング素子Q4のコレクタが接続されている。スイッチング素子Q4のエミッタは抵抗R2を介してグランドに接続されている。
抵抗R1は有機EL素子3に点灯期間に最適電流を流すための電流検出抵抗である。また、抵抗R2は有機EL素子3に逆電圧を印加する回復期間に限流抵抗として機能すると共に、スイッチング素子Q4に流れる電流を監視するための抵抗である。抵抗R1,R2の非接地側端子の電圧は制御部1に入力されて監視されている。
スイッチング素子Q1〜Q4によりフルブリッジ回路が構成されている。各スイッチング素子Q1〜Q4の制御電極であるベース端子は制御部1の出力に接続されており、そのオン・オフ状態を制御部1により切り替え制御可能となっている。なお、制御部1の動作電源はコンデンサCから供給されている。
図2は実施形態1の動作説明のための波形図である。有機EL素子3に流れる負荷電流と、スイッチング素子Q2の電流、ダイオードDの電流、スイッチング素子Q1〜Q4のON・OFF状態を示している。
点灯期間では、スイッチング素子Q3が常にONとなっており、スイッチング素子Q2に高周波のPWM信号が印加されている。スイッチング素子Q2のON時は電流がコンデンサC→スイッチング素子Q3→有機EL素子3→インダクタL→スイッチング素子Q2→電流検出抵抗R1→グランドの経路で流れる。また、スイッチング素子Q2のOFF時はインダクタLに蓄積されたエネルギーがインダクタL→ダイオードD→スイッチング素子Q3→有機EL素子3→インダクタLの経路で流れる。この場合は、通常のスイッチングコンバータとして動作する。
次に、特性回復時の逆電圧印加動作は、スイッチング素子Q2,Q3をOFFさせ、スイッチング素子Q1,Q4をONさせることにより行う。この際、電流はコンデンサC→スイッチング素子Q1→インダクタL→有機EL素子3→ツェナーダイオードZD→スイッチング素子Q4→限流抵抗R2→グランドの経路で流れる。
逆電圧の印加時間はスイッチング素子Q4またはQ1のON時間で調整できる。この際、直列に配置されたツェナーダイオードZDのツェナー電圧を適切に選定することにより、有機EL素子3に最適な逆電圧を印加することができる。また、ツェナーダイオードZDを省略し、スイッチング素子Q4にツェナーダイオードZDの役目を持たせた回路としても良い。すなわち、制御部1からスイッチング素子Q4の制御電極に供給される制御電圧・制御電流を調節することにより、スイッチング素子Q4による電圧降下の大きさを適切に調節することができるから、スイッチング素子Q4を不飽和領域で使用することによりツェナーダイオードZDの機能を兼用させることができる。
さらに、スイッチング素子Q4と直列に接続された抵抗R2の抵抗値を選ぶことによって、有機EL素子3に最適な逆電流を流すことができる。また、抵抗R2を省略し、スイッチング素子Q4に抵抗R2の役目を持たせた回路としても良い。つまり、抵抗R2の両端電圧を制御部1により検出し、その検出値が適切な値となるように、制御部1からスイッチング素子Q4の制御電極に供給する制御電圧・制御電流を調節することにより、有機EL素子3に流れる逆電流を適切に調節することができる。つまり、スイッチング素子Q4を不飽和領域で使用することにより抵抗R2の機能を兼用させることができる。
なお、回復期間に有機EL素子3に流れる逆電流は点灯期間に比べると大きな電流ではないので、スイッチング素子Q4を不飽和領域で使用しても大きな電力ロスを生じさせることはないと言える。
図1のような回路構成で、制御部1より逆電圧印加信号を出すことにより、任意の時間にわたり、任意の電圧、任意の電流を有機EL素子3に逆方向に印加することができるため、有機EL素子3の寿命特性をストレスを加えずに十分に回復させることができる。
(実施形態2)
図3は本発明の実施形態2の回路図である。本実施形態では、図1の回路において、スイッチング素子Q1と逆並列接続されたダイオードDを省略し、代わりに、ツェナーダイオードZDとスイッチング素子Q4と抵抗R2の直列回路と逆並列にダイオードDを接続している。
特性回復時の逆電圧印加動作は、実施形態1と同じである。通常の点灯期間において、実施形態1では、スイッチング素子Q3が常にONとなっており、スイッチング素子Q2に高周波のPWM信号が供給されていたが、本実施形態では、通常の点灯期間において、スイッチング素子Q2が常にONとなっており、スイッチング素子Q3に高周波のPWM信号が供給されている点が異なる。
スイッチング素子Q3のON時は電流がコンデンサC→スイッチング素子Q3→有機EL素子3→インダクタL→スイッチング素子Q2→電流検出抵抗R1→グランドの経路で流れる。この動作は実施形態1と同じである。また、スイッチング素子Q3のOFF時はインダクタLに蓄積されたエネルギーがインダクタL→スイッチング素子Q2→電流検出抵抗R1→ダイオードD→有機EL素子3→インダクタLの経路で流れる。したがって、実施形態2では有機EL素子3に流れる負荷電流を抵抗R1により常時検出することができるから、実施形態1に比べると精度良く負荷電流を制御することができる。
(実施形態3)
図4は本発明の実施形態3の回路図である。本実施形態では、スイッチング素子Q1と逆並列にダイオードD1を接続すると共に、ツェナーダイオードZDとスイッチング素子Q4と抵抗R2の直列回路と逆並列にダイオードD2を接続している。
特性回復時の逆電圧印加動作は、実施形態1と同じである。通常の点灯期間において、実施形態1,2では、スイッチング素子Q2,Q3のうち一方が常にONしており、他方に高周波のPWM信号が供給されていたが、本実施形態では、スイッチング素子Q2,Q3に高周波のPWM信号が供給されている点が異なる。
スイッチング素子Q2,Q3のON時は電流がコンデンサC→スイッチング素子Q3→有機EL素子3→インダクタL→スイッチング素子Q2→電流検出抵抗R1→グランドの経路で流れる。この動作は実施形態1,2と同じである。また、スイッチング素子Q2,Q3のOFF時はインダクタLに蓄積されたエネルギーがインダクタL→ダイオードD1→コンデンサC→ダイオードD2→有機EL素子3→インダクタLの経路で流れる。この場合は、インダクタLの蓄積エネルギーの一部は平滑用のコンデンサCに回生されることになるから、有機EL素子3の負荷電圧が低い場合でも回生電流の減衰速度を速くすることができ、スイッチング素子Q2,Q3のOFF期間を短くすることができる。
(実施形態4)
本実施形態の回路構成は図4と同じであるが、通常の点灯期間中のスイッチング素子Q2,Q3の制御に関して、実施形態1,2と実施形態3を適宜組み合わせて使用する点が異なる。例えば、スイッチング素子Q2,Q3が同時にONしている第1の状態から、一方がONしており、他方がOFFしている第2の状態を経て、両方がOFFしている第3の状態へと切り替わる動作を繰り返す。この場合、有機EL素子3に流れる負荷電流は、第1の状態では急速に上昇し、第2の状態では緩慢に減衰し、第3の状態では急速に減衰する動作となる。
また、回生電流が流れる第2の状態(一方がON、他方がOFFの状態)と第3の状態(両方がOFFの状態)の順番は入れ替えても良い。その場合、有機EL素子3に流れる負荷電流は、第1の状態では急速に上昇し、第3の状態では急速に減衰し、第2の状態では緩慢に減衰する動作となる。
このように、スイッチング素子Q2,Q3のオン時間幅以外の制御要素として、回生電流が流れる第2の状態と第3の状態の時間比率や順番を変えることによっても、負荷電流の平均値を自由に制御することができる。これにより、インダクタLを介して有機EL素子3に流れる負荷電流を電源電圧や負荷電圧に関わらず最適に制御することができる。
例えば、商用電源Vsからの入力力率を改善するために、コンデンサCの容量をわざと小さく設定し、完全に平滑されていない直流電圧を電源として用いる場合、電源電圧が変動することによりスイッチング素子Q2,Q3のオン時の負荷電流の上昇速度は変動することになる。このような場合、電源電圧の高い期間ではスイッチング素子Q2,Q3のオン期間を短くする必要があるので、実施形態1,2の回生動作を用いることにより回生電流を緩慢に減衰させる。また、電源電圧の低い期間では、スイッチング素子Q2,Q3のオン期間を長くする必要があるので、実施形態3の回生動作を用いることにより回生電流を急速に減衰させる。このように制御すれば、スイッチング周波数を変えることなく、電源電圧の変動に対して負荷電流を最適に制御することができる。スイッチング周波数を変える必要が無いということはノイズ対策の点で有利となる。
なお、図4の構成において、ダイオードD1に回生電流が流れる実施形態1の動作とダイオードD2に回生電流が流れる実施形態2の動作を交互に実施すれば、各ダイオードD1,D2に流れる回生電流を半減できるので、ダイオードD1,D2の発熱を抑えることができる。
(その他の変形例)
以上の各実施形態において、スイッチング素子Q1,Q3はPNPトランジスタ、スイッチング素子Q2,Q4はNPNトランジスタで実現されているが、前者をpチャンネルMOSFET、後者をnチャンネルMOSFETに置き換えても良い。また、高電位側のスイッチング素子Q1,Q3についてもトランスやハイサイドドライバーを介して駆動するのであれば、安価なnチャンネルMOSFETで置き換え可能である。
また、有機EL素子3と直列または並列に発光ダイオードを接続しても構わない。例えば、有機EL素子3の両端に発光ダイオードの直列回路を逆並列に接続しておけば、有機EL素子3の回復期間中にインジケータとして発光ダイオードを点灯させることができ、回復期間中であることを表示することができる。また、回復期間中においても最小限の明かりを確保することができる。さらに、発光ダイオードの直列個数を調節することにより、有機EL素子3に印加される逆電圧を最適に設定できる。
また、定電圧素子としてのツェナーダイオードZDの代わりに、1個または複数個のダイオードまたは発光ダイオードまたはその直列回路を接続しても良い。これらの定電圧素子は異なる種類を混在させて直列接続しても構わない。
さらに、定電圧素子としてのツェナーダイオードZDは低電位側のスイッチング素子Q4と直列に接続しているが、高電位側のスイッチング素子Q1と直列に接続しても良いし、スイッチング素子Q1とQ4の両方に定電圧素子を直列接続しても良い。限流素子R2についても同様である。
なお、直流電源として商用交流電源Vsをダイオードブリッジ回路DBにより全波整流し、平滑用のコンデンサCで平滑した構成を例示したが、これに限定されるものではない。例えば、ダイオードブリッジ回路DBと平滑用のコンデンサCの間にPFC回路(力率改善回路)を挿入しても良い。また、商用電源を整流・平滑した直流電源に代えて、蓄電池などの電池電源やその出力を電力変換した直流電源を用いても構わない。
(照明器具の実施形態)
本発明の電源装置を用いた照明器具では、有機EL素子を用いていることにより器具の薄型化・軽量化が可能となる。また、回復期間に有機EL素子に逆方向に適切な電圧、電流を適切な時間にわたり印加できることで、長寿命の照明器具とすることができる。
1 制御部
3 有機EL素子
Q1〜Q4 スイッチング素子
L インダクタ(誘導素子)
D ダイオード
C コンデンサ(直流電源)
R1,R2 抵抗
ZD ツェナーダイオード(定電圧素子)

Claims (5)

  1. 直流電源にフルブリッジ回路を介して有機EL素子を接続し、フルブリッジ回路を構成する4個のスイッチング素子のうち、有機EL素子に対して逆方向となる2個のスイッチング素子の少なくとも一方と直列に有機EL素子に印加される逆電圧を設定するための定電圧素子を接続したことを特徴とする電源装置。
  2. 直流電源にフルブリッジ回路を介して有機EL素子を接続し、フルブリッジ回路を構成する4個のスイッチング素子のうち、有機EL素子に対して逆方向となる2個のスイッチング素子の少なくとも一方と直列に有機EL素子に印加される逆電流を設定するための限流素子を接続したことを特徴とする電源装置。
  3. 請求項1の定電圧素子または請求項2の限流素子の機能を有機EL素子に対して逆方向となる2個のスイッチング素子の少なくとも一方で兼用したことを特徴とする電源装置。
  4. フルブリッジ回路の出力にインダクタを介して有機EL素子を接続し、有機EL素子に対して逆方向となる2個のスイッチング素子の少なくとも一方と逆並列に回生電流通電用のダイオードを接続し、通常の点灯期間では有機EL素子に対して順方向となる2個のスイッチング素子の少なくとも一方を高周波でオン・オフし、回復期間では有機EL素子に対して逆方向となる2個のスイッチング素子をオンする制御部を備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電源装置。
  5. 請求項1〜4のいずれかに記載の電源装置を備える照明器具。
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