JP2010170011A - Method of correcting photomask - Google Patents

Method of correcting photomask Download PDF

Info

Publication number
JP2010170011A
JP2010170011A JP2009014136A JP2009014136A JP2010170011A JP 2010170011 A JP2010170011 A JP 2010170011A JP 2009014136 A JP2009014136 A JP 2009014136A JP 2009014136 A JP2009014136 A JP 2009014136A JP 2010170011 A JP2010170011 A JP 2010170011A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
photomask
liquid glass
scratch
back surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009014136A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masanori Kawamori
将典 河守
Michiaki Sano
道明 佐野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP2009014136A priority Critical patent/JP2010170011A/en
Priority to KR1020100006515A priority patent/KR20100087263A/en
Priority to TW099101969A priority patent/TW201031998A/en
Priority to CN201010105325A priority patent/CN101788758A/en
Publication of JP2010170011A publication Critical patent/JP2010170011A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63G—MERRY-GO-ROUNDS; SWINGS; ROCKING-HORSES; CHUTES; SWITCHBACKS; SIMILAR DEVICES FOR PUBLIC AMUSEMENT
    • A63G11/00—See-saws

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of correcting a photomask, in which diffuse reflection in a flaw portion on the backside can be prevented in an exposure process and even a flaw portion can be changed into transparent to the wavelength in a transfer process. <P>SOLUTION: The method of correcting the photomask includes steps of: applying a liquid glass 3 on a flaw 1a present on the backside of a photomask 1, the liquid glass to become a glass having a light transmittance of ≥70% and a refractive index of at least 1.4 after cured; and curing the liquid glass 3. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、フォトリソグラフィプロセスにおいて使用されるフォトマスクの修正方法に関する。   The present invention relates to a method for correcting a photomask used in a photolithography process.

液晶表示装置等の製造プロセスのフォトリソグラフィプロセスにおいて、フォトマスクが用いられている。このフォトマスクは、例えば、透明基板と、この透明基板上に形成された遮光膜パターン（マスクパターン）とから構成されている。フォトマスクの裏面に傷が存在すると、露光の際に露光光が傷の部位で乱反射してしまい、所望の転写を行うことができなくなる。特に、昨今展開が開始されているパネルは、一辺が１０００ｍｍを超える矩形であり、さらに今後展開される第１０世代等のパネルでは、大きさが２８５０ｍｍ×３０５０ｍｍ等であることから、該液晶パネルを製造する際に用いるフォトマスクも一辺が２５００ｍｍ以上の矩形となり、重量も増す。従って、該マスクのハンドリングに際して傷が発生する確率が高くなる。   A photomask is used in a photolithography process of a manufacturing process of a liquid crystal display device or the like. This photomask is composed of, for example, a transparent substrate and a light shielding film pattern (mask pattern) formed on the transparent substrate. If there is a scratch on the back surface of the photomask, the exposure light is irregularly reflected at the site of the scratch during exposure, making it impossible to perform a desired transfer. In particular, the panel that has been developed recently is a rectangle with a side exceeding 1000 mm, and the panel of the 10th generation and the like that will be developed in the future has a size of 2850 mm × 3050 mm, etc. The photomask used for manufacturing is also a rectangle with a side of 2500 mm or more, and the weight increases. Therefore, the probability that scratches will occur during handling of the mask increases.

フォトマスク基板に生じた傷に関し、特許文献１には、フォトマスクの裏面の傷に透明樹脂を埋め込んでフォトマスクを修正することが開示されている。   Regarding the scratches generated on the photomask substrate, Patent Document 1 discloses that the photomask is corrected by embedding a transparent resin in the scratches on the back surface of the photomask.

特開２００３−２８７８７６号公報JP 2003-287876 A

上記したような裏面の傷には、図４（ａ）に示すような凹部形状の傷１１ａのみのものや、図４（ｂ）に示すような傷１１ａの奥にひび１１ｂが入っているものもある。図４（ｃ）に示すように傷１１ａの奥にひび１１ｂが入っていると、ハンドリング中に何らかの衝撃により破片１１ｃとして剥がれてしまい欠けが生じてしまう。   As for the scratches on the back surface as described above, only the recess-shaped scratch 11a as shown in FIG. 4A or a crack 11b in the back of the scratch 11a as shown in FIG. There is also. As shown in FIG. 4 (c), if the crack 11b is in the back of the scratch 11a, it will be peeled off as a broken piece 11c due to some impact during handling, resulting in chipping.

これらの傷の有無は、例えば、蛍光灯やＺライト等を用いた目視検査により判定することができる。そして、転写に影響を与える大きさの傷であると判定したときには、図５（ａ）に示すように、ルーター１２を用いて傷１１ａを含む領域（破線で囲んだ領域）を研削して滑らかな表面の凹部１１ｄとすることが可能である。特に、ひび１１ｂが入っていると、図５（ｂ）に示すように、深くまで凹部１１ｄを形成することとなる。このように傷１１ａを除去して、局所的には平滑な表面の凹部１１ｄにすることにより、露光光が傷の部位で乱反射することを防止することができる。しかしながら、基板の凹部形状は、フォトマスク露光時の光の進行に影響を与え、場合によっては転写パターンの座標精度を阻害する。また、凹部が深くなるとともに強度が下がり、製品保証上の価値が損なわれることは否めない。   The presence or absence of these scratches can be determined by visual inspection using, for example, a fluorescent lamp or a Z light. Then, when it is determined that the scratch has a size that affects the transfer, as shown in FIG. 5A, the router 12 is used to grind the area including the scratch 11a (the area surrounded by the broken line) to smooth the scratch. It is possible to make the surface concave portion 11d. In particular, if there is a crack 11b, the recess 11d is formed deeply as shown in FIG. In this way, by removing the scratch 11a and locally forming a concave portion 11d having a smooth surface, it is possible to prevent the exposure light from being irregularly reflected at the site of the scratch. However, the concave shape of the substrate affects the progress of light at the time of photomask exposure, and in some cases hinders the coordinate accuracy of the transfer pattern. Moreover, as the recesses become deeper, the strength decreases, and it cannot be denied that the value in product guarantee is impaired.

フォトマスクは、リソグラフィで使用する光学部品であるので、フォトマスク材料は、転写波長に対して透明であり、境界面での屈折率差による反射ロス以外は無視できる光透過性が求められる。しかしながら、特許文献１に開示された方法においては、透明樹脂を用いているので、修正部位の光透過率が十分ではなく、転写波長に対して透明とならなくなるという問題がある。特に、炭素原子を主な構成原子とする樹脂材料においては、マスクの使用に際して多数回の露光光の照射によって劣化する等、耐久性が十分でない。   Since the photomask is an optical component used in lithography, the photomask material is transparent with respect to the transfer wavelength, and light transmittance that is negligible except for a reflection loss due to a difference in refractive index at the boundary surface is required. However, in the method disclosed in Patent Document 1, since a transparent resin is used, there is a problem in that the light transmittance of the correction site is not sufficient and the transfer wavelength is not transparent. In particular, the resin material having carbon atoms as the main constituent atoms is not sufficiently durable, such as being deteriorated by many exposure light exposures when the mask is used.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、露光の際に裏面の傷の部位での乱反射を防止し、かつ、傷の部位でも転写波長に対して透明とすることができるフォトマスクの修正方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and is a photomask that can prevent irregular reflection at the scratched part on the back surface during exposure and can be transparent to the transfer wavelength even at the scratched part. The purpose is to provide a correction method.

本発明のフォトマスクの修正方法は、ガラス基板を用いて作製されたフォトマスクの裏面に存在する傷に、硬化後に７０％以上の光透過率及び１．４以上の屈折率を持つガラスとなる液体ガラスを塗布する工程と、前記液体ガラスを硬化する工程と、を具備することを特徴とする。   The photomask correction method of the present invention is a glass having a light transmittance of 70% or more and a refractive index of 1.4 or more after curing on a scratch existing on the back surface of a photomask manufactured using a glass substrate. A step of applying liquid glass; and a step of curing the liquid glass.

この方法によれば、ガラス基板を用いて作製されたフォトマスクの裏面に存在する傷に、硬化後に７０％以上の光透過率及び１．４以上の屈折率を持つガラスとなる液体ガラスを塗布し、この液体ガラスを硬化する。このため、硬化した後の部分がガラスと同等の光透過率及び屈折率を持つことになり、傷の部位でも転写波長に対して透明とすることができる。また、液体ガラスを用いて傷を埋めているので、露光の際に傷の部位での乱反射を防止することができる。   According to this method, a liquid glass that becomes a glass having a light transmittance of 70% or more and a refractive index of 1.4 or more after curing is applied to a scratch existing on the back surface of a photomask manufactured using a glass substrate. The liquid glass is cured. For this reason, the part after hardening will have the light transmittance and refractive index equivalent to glass, and it can be made transparent with respect to a transfer wavelength also in the site | part of a damage | wound. Further, since the scratches are filled with liquid glass, irregular reflection at the site of the scratches can be prevented during exposure.

本発明のフォトマスクの修正方法においては、前記液体ガラスがテトラエチルオルトシリケート又はスピンオングラス材料であることが好ましい。   In the photomask correction method of the present invention, the liquid glass is preferably tetraethylorthosilicate or a spin-on-glass material.

本発明のフォトマスクの修正方法においては、前記液体ガラスを熱又は紫外線により硬化させることが好ましい。   In the photomask correcting method of the present invention, the liquid glass is preferably cured by heat or ultraviolet rays.

本発明のフォトマスクの修正方法においては、前記裏面の前記傷が存在する領域を除去した後に、前記傷に前記液体ガラスを塗布することが好ましい。   In the photomask correction method of the present invention, it is preferable that the liquid glass is applied to the scratches after removing the region on the back surface where the scratches exist.

本発明のフォトマスクの修正方法においては、前記液体ガラスによる修正部位に平坦化処理を施すことが好ましい。   In the photomask correction method of the present invention, it is preferable to perform a flattening process on the correction portion of the liquid glass.

本発明のフォトマスクは、上記修正されたものであって、フォトマスクの裏面に存在する傷に埋め込まれており、７０％以上の光透過率及び１．４以上の屈折率を有し、液体ガラスを硬化してなるガラス部を有することを特徴とする。ここで、光透過率とは、本発明の液体ガラスの素材としての内部透過率をいう。   The photomask of the present invention has been modified as described above, embedded in a scratch existing on the back surface of the photomask, having a light transmittance of 70% or more, a refractive index of 1.4 or more, and a liquid It has the glass part formed by hardening | curing glass, It is characterized by the above-mentioned. Here, the light transmittance means an internal transmittance as a material of the liquid glass of the present invention.

本発明のフォトマスクの修正方法は、ガラス基板を用いて作製されたフォトマスクの裏面に存在する傷に、硬化後に７０％以上の光透過率及び１．４以上の屈折率を持つガラスとなる液体ガラスを塗布し、この液体ガラスを硬化するので、硬化した後の部分がガラスと同等の光透過率及び屈折率を持つことになり、傷の部位でも転写波長に対して透明とすることができる。また、液体ガラスを用いて傷を埋めているので、露光の際に傷の部位での乱反射を防止することができる。   The photomask correction method of the present invention is a glass having a light transmittance of 70% or more and a refractive index of 1.4 or more after curing on a scratch existing on the back surface of a photomask manufactured using a glass substrate. Since liquid glass is applied and this liquid glass is cured, the cured part will have the same light transmittance and refractive index as glass, and even the scratched part may be transparent to the transfer wavelength. it can. Further, since the scratches are filled using liquid glass, irregular reflection at the site of the scratches can be prevented during exposure.

（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係るフォトマスクの修正方法を説明するための図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating the correction method of the photomask which concerns on Embodiment 1 of this invention. （ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態２に係るフォトマスクの修正方法を説明するための図である。(A)-(d) is a figure for demonstrating the correction method of the photomask which concerns on Embodiment 2 of this invention. （ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態２に係るフォトマスクの修正方法の他の例を説明するための図である。(A)-(d) is a figure for demonstrating the other example of the correction method of the photomask which concerns on Embodiment 2 of this invention. （ａ）〜（ｃ）は、フォトマスクの裏面の傷を説明するための図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating the damage | wound of the back surface of a photomask. （ａ），（ｂ）は、従来のフォトマスクの修正方法を説明するための図である。(A), (b) is a figure for demonstrating the correction method of the conventional photomask.

以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
本発明のフォトマスクの修正方法は、フォトマスクの裏面に存在する傷に、硬化後に７０％以上の光透過率及び１．４以上の屈折率を持つガラスとなる液体ガラスを塗布し、前記液体ガラスを硬化することを特徴とする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
According to the photomask correcting method of the present invention, a liquid glass that becomes a glass having a light transmittance of 70% or more and a refractive index of 1.4 or more after curing is applied to a scratch existing on the back surface of the photomask, and the liquid It is characterized by curing glass.

（実施の形態１）
本実施の形態においては、フォトマスクの裏面に存在する傷に直接液体ガラスを塗布して硬化させる場合について説明する。 (Embodiment 1)
In this embodiment, a case where liquid glass is directly applied to a scratch existing on the back surface of a photomask and cured will be described.

本発明に係るフォトマスクには、ＬＳＩ用マスク、ＦＰＤ用マスク、ＰＷＢ用マスクのいずれのマスクも含む。また、本発明に係るフォトマスクとしては、バイナリーマスク、ハーフトーンマスク、ＥＵＶマスク等が挙げられる。特に、一辺３００ｍｍ以上の矩形形状をもち、重量が１５０ｇ以上のＦＰＤ用マスクにおいて効果が顕著である。これらのフォトマスクは、少なくとも遮光部と透光部を有する転写パターンを備え、さらには、露光光の一部を透過する半透光部を有することによる多階調フォトマスクであってもよい。また、フォトマスクを構成する基板材料としては、石英ガラス（合成石英）や、ソーダライムガラス等が挙げられる。特に石英ガラスからなる基板材料が好ましい。   The photomask according to the present invention includes any of an LSI mask, an FPD mask, and a PWB mask. In addition, examples of the photomask according to the present invention include a binary mask, a halftone mask, and an EUV mask. In particular, the effect is remarkable in an FPD mask having a rectangular shape with a side of 300 mm or more and a weight of 150 g or more. These photomasks may be a multi-tone photomask having a transfer pattern having at least a light-shielding portion and a light-transmitting portion, and further having a semi-light-transmitting portion that transmits part of the exposure light. Further, examples of the substrate material constituting the photomask include quartz glass (synthetic quartz) and soda lime glass. In particular, a substrate material made of quartz glass is preferable.

本発明に係る方法で使用する液体ガラスとしては、硬化後に７０％以上、好ましくは９０％以上の光透過率を有するガラスとなるものを用いる。なお、液体ガラスの硬化後の光透過率は、分光高度形を搭載した透過率測定器により測定することができる。   As the liquid glass used in the method according to the present invention, one that becomes a glass having a light transmittance of 70% or more, preferably 90% or more after curing is used. In addition, the light transmittance after hardening of liquid glass can be measured with the transmittance | permeability measuring device which mounts a spectral altitude form.

このような液体ガラスとしては、熱により硬化するものや、紫外線により硬化するものが挙げられる。熱により硬化する液体ガラスとしては、例えば、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）又はスピンオングラス材料（ＳＯＧ材料）を挙げることができる。ここで、ＳＯＧ材料としては、例えば、シラノール［Ｓｉ（ＯＨ）４］をアルコール類やポリシラザン系溶剤で溶解してなる無機系ＳＯＧ材料等が挙げられる。このような無機ＳＯＧ材料を液体ガラスとして傷に塗布し硬化させることにより、ＳｉＯ２同士を結合させて、ケイ酸ガラス（ＳｉＯ２）を主成分としたガラス部を形成することができる。また、紫外線により硬化する液体ガラスとしては、ＴＥＯＳやＳＯＧ材料等を挙げることができる。なお、液体ガラスを硬化させる条件については、硬化後のガラス成分が光透過率７０％以上となるように適宜設定する。光透過率は、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上である。なお、硬化は、紫外線照射により行うことがより好ましい。 Examples of such liquid glass include those that are cured by heat and those that are cured by ultraviolet rays. Examples of the liquid glass that is cured by heat include tetraethyl orthosilicate (TEOS) or a spin-on glass material (SOG material). Here, examples of the SOG material include an inorganic SOG material obtained by dissolving silanol [Si (OH) 4 ] with alcohols or a polysilazane solvent. By applying such an inorganic SOG material to a scratch as liquid glass and curing it, SiO 2 can be bonded to each other to form a glass portion mainly composed of silicate glass (SiO 2 ). Examples of the liquid glass that is cured by ultraviolet rays include TEOS and SOG materials. The conditions for curing the liquid glass are appropriately set so that the glass component after curing has a light transmittance of 70% or more. The light transmittance is more preferably 80% or more, and still more preferably 90% or more. The curing is more preferably performed by ultraviolet irradiation.

また、液体ガラスは、硬化後に１．４以上の屈折率を持つことが好ましい。特に、屈折率が１．４〜２．０であることが好ましい。更に好ましくは、１．４〜１．６である。これは、フォトマスクの基板材料として用いられるガラス材料、例えば石英ガラス（合成石英）（屈折率１．４６）や、ソーダライムガラス（屈折率１．５２）と同等であることが望ましいからである。   The liquid glass preferably has a refractive index of 1.4 or more after curing. In particular, the refractive index is preferably 1.4 to 2.0. More preferably, it is 1.4-1.6. This is because it is desirable to be equivalent to a glass material used as a substrate material of the photomask, for example, quartz glass (synthetic quartz) (refractive index 1.46) or soda lime glass (refractive index 1.52). .

このように、傷に液体ガラスを塗布して硬化することでガラス部を形成した修正部位については、その後平坦化処理を施すことが好ましい。これにより、修正部位における乱反射をより効果的に防止することができる。ここで、平坦化処理としては、表面研磨処理等を挙げることができる。   Thus, about the correction | amendment site | part which formed the glass part by apply | coating liquid glass to a crack | hardening and hardening, it is preferable to give a flattening process after that. Thereby, irregular reflection in a correction part can be prevented more effectively. Here, examples of the planarization treatment include surface polishing treatment.

このフォトマスクの修正は、マスク製造において傷が発見された際に適宜行うことができるが、マスク製造において、マスク完成後、具体的には、マスクにペリクルを貼り付ける前であることが好ましい。   This photomask correction can be appropriately performed when a scratch is found in the mask manufacturing, but in the mask manufacturing, it is preferable that after the mask is completed, specifically, before the pellicle is attached to the mask.

上記フォトマスク修正後のフォトマスクについては、集光ランプや蛍光灯等を用いて目視により良否判定を行うことができる。すなわち、集光ランプや蛍光灯等を裏面から照射したときに、修正部位で乱反射が起こりはっきり視認できるかどうかを判定する。したがって、集光ランプや蛍光灯等を裏面から照射したときに、修正部位がはっきり視認されなければ良品とし、はっきりと視認されれば不良品とする。   About the photomask after the photomask correction, the pass / fail judgment can be made by visual observation using a condensing lamp, a fluorescent lamp or the like. That is, it is determined whether or not irregular reflection occurs at the corrected site when a condensing lamp, a fluorescent lamp, or the like is irradiated from the back surface, and it is clearly visible. Therefore, when a condensing lamp, a fluorescent lamp, or the like is irradiated from the back side, if the correction site is not clearly visible, it is regarded as a non-defective product.

ここで、本実施の形態に係るフォトマスクの修正方法を説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係るフォトマスクの修正方法を説明するための図である。ここでは、液体ガラスを紫外線で硬化させる場合について説明する。   Here, a photomask correction method according to the present embodiment will be described. FIGS. 1A to 1C are views for explaining a photomask correction method according to the first embodiment of the present invention. Here, the case where liquid glass is hardened with ultraviolet rays will be described.

ガラス基板を用いて作製されたフォトマスク１の裏面（図１において上側の面）には、傷１ａが存在している。この傷１ａに液体ガラス３を塗布し、充填する。ここでは、図１（ａ）に示すように、吐出手段であるディスペンサ２を用いて液体ガラス３を傷１ａに滴下することにより塗布する。次いで、図１（ｂ）に示すように、この液体ガラス３に紫外線４を照射する。このときの紫外線照射の条件は、液体ガラス３が硬化するために十分な条件とする。   Scratches 1a are present on the back surface (upper surface in FIG. 1) of the photomask 1 manufactured using the glass substrate. The liquid glass 3 is applied to the scratch 1a and filled. Here, as shown to Fig.1 (a), it applies by dripping the liquid glass 3 to the damage | lare 1a using the dispenser 2 which is a discharge means. Next, the liquid glass 3 is irradiated with ultraviolet rays 4 as shown in FIG. The ultraviolet irradiation conditions at this time are sufficient for the liquid glass 3 to be cured.

このように液体ガラスが硬化すると、図１（ｃ）に示すように、フォトマスクの裏面に存在する傷１ａに埋め込まれた形でガラス部３ａが形成される。このガラス部３ａは、ＳｉＯ２を主成分とするガラス成分で構成されているので、その光透過率が７０％以上である。その後、このガラス部３ａが埋め込まれた修正部位に平坦化処理を施す。 When the liquid glass is cured in this way, as shown in FIG. 1C, the glass portion 3a is formed in a form embedded in the scratch 1a existing on the back surface of the photomask. The glass portion 3a, which is configured by glass component mainly composed of SiO 2, the light transmittance of 70% or more. Thereafter, a flattening process is performed on the correction portion in which the glass portion 3a is embedded.

このように、フォトマスク１の裏面に存在する傷にガラス部３ａを埋め込むように形成し、平坦化することにより、露光の際に修正部位での乱反射が防止される。また、ガラス部３ａは光透過率が７０％以上であり、屈折率も基板と同等であるので、転写波長に対してほぼ透明とすることができる。また、従来のように、凹部１１ｄを形成した状態にしていないので、露光の際に凹部１１ｄのレンズ効果により転写パターンが歪むという不具合も発生しない。   As described above, the glass portion 3a is formed so as to be embedded in the scratch existing on the back surface of the photomask 1, and flattening is performed, thereby preventing irregular reflection at the correction site during exposure. Further, since the glass part 3a has a light transmittance of 70% or more and a refractive index equivalent to that of the substrate, it can be made almost transparent with respect to the transfer wavelength. Further, since the concave portion 11d is not formed as in the prior art, there is no problem that the transfer pattern is distorted by the lens effect of the concave portion 11d during exposure.

（実施の形態２）
本実施の形態においては、フォトマスクの裏面の傷が存在する領域を除去した後に、傷に液体ガラスを塗布して硬化させる場合について説明する。 (Embodiment 2)
In the present embodiment, a case will be described in which liquid glass is applied to a scratch and then cured after the region where the scratch on the back surface of the photomask exists is removed.

図２（ａ）〜（ｄ）及び図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態２に係るフォトマスクの修正方法を説明するための図である。ここでは、液体ガラスを紫外線で硬化させる場合について説明する。   FIGS. 2A to 2D and FIGS. 3A to 3D are views for explaining a photomask correction method according to the second embodiment of the present invention. Here, the case where liquid glass is hardened with ultraviolet rays will be described.

図２に示す態様では、ガラス基板を用いて作製されたフォトマスク１の裏面（図２において上側の面）には、傷１ａが存在している。図２（ａ）に示すように、この傷１ａを含む領域（破線で囲まれた領域）を、ルーター５を用いて研削する。これにより、図２（ｂ）に示すように、裏面に凹部１ｂが形成される。次いで、この凹部１ｂに液体ガラス３を塗布する。ここでは、図２（ｂ）に示すように、吐出手段であるディスペンサ２を用いて液体ガラス３を傷１ａに滴下することにより塗布する。次いで、図２（ｃ）に示すように、この液体ガラス３に紫外線４を照射する。このときの紫外線照射の条件は、液体ガラス３が硬化するために十分な条件とする。   In the embodiment shown in FIG. 2, there is a scratch 1a on the back surface (upper surface in FIG. 2) of the photomask 1 manufactured using a glass substrate. As shown in FIG. 2A, an area including the scratch 1 a (area surrounded by a broken line) is ground using a router 5. Thereby, as shown in FIG.2 (b), the recessed part 1b is formed in a back surface. Subsequently, the liquid glass 3 is apply | coated to this recessed part 1b. Here, as shown in FIG.2 (b), it applies by dripping the liquid glass 3 to the damage | lare 1a using the dispenser 2 which is a discharge means. Next, as shown in FIG. 2C, the liquid glass 3 is irradiated with ultraviolet rays 4. The ultraviolet irradiation conditions at this time are sufficient for the liquid glass 3 to be cured.

このように液体ガラスが硬化すると、図２（ｄ）に示すように、フォトマスクの裏面に存在する傷１ａに埋め込まれた形でガラス部３ａが形成される。このガラス部３ａは、ＳｉＯ２を主成分とするガラス成分で構成されているので、その光透過率が７０％以上である。その後、このガラス部３ａが埋め込まれた修正部位に平坦化処理を施す。 When the liquid glass is cured in this manner, as shown in FIG. 2D, the glass portion 3a is formed in a form embedded in the scratch 1a existing on the back surface of the photomask. The glass portion 3a, which is configured by glass component mainly composed of SiO 2, the light transmittance of 70% or more. Thereafter, a flattening process is performed on the correction portion in which the glass portion 3a is embedded.

また、図３に示す態様では、ガラス基板を用いて作製されたフォトマスク１の裏面（図３において上側の面）には、傷１ａが存在しており、傷１ａの奥にひび１ｃが存在している。図３（ａ）に示すように、この傷１ａを含む領域（破線で囲まれた領域）を、ルーター５を用いて研削する。このとき、傷１ａの奥にひび１ｃがあるので、図２に示す場合に比べて深くまで研削する。これにより、図３（ｂ）に示すように、裏面に凹部１ｂが形成される。次いで、この凹部１ｂに液体ガラス３を塗布する。ここでは、図３（ｂ）に示すように、吐出手段であるディスペンサ２を用いて液体ガラス３を傷１ａに滴下することにより塗布する。次いで、図３（ｃ）に示すように、この液体ガラス３に紫外線４を照射する。このときの紫外線照射の条件は、液体ガラス３が硬化するために十分な条件とする。   Further, in the embodiment shown in FIG. 3, there is a scratch 1a on the back surface (upper surface in FIG. 3) of the photomask 1 manufactured using a glass substrate, and there is a crack 1c behind the scratch 1a. is doing. As shown in FIG. 3A, an area including the scratch 1 a (area surrounded by a broken line) is ground using a router 5. At this time, since there is a crack 1c in the back of the scratch 1a, grinding is performed deeper than in the case shown in FIG. Thereby, as shown in FIG.3 (b), the recessed part 1b is formed in a back surface. Subsequently, the liquid glass 3 is apply | coated to this recessed part 1b. Here, as shown in FIG.3 (b), it applies by dripping the liquid glass 3 to the damage | lare 1a using the dispenser 2 which is a discharge means. Next, as shown in FIG. 3C, the liquid glass 3 is irradiated with ultraviolet rays 4. The ultraviolet irradiation conditions at this time are sufficient for the liquid glass 3 to be cured.

このように液体ガラスが硬化すると、図３（ｄ）に示すように、フォトマスクの裏面に存在する傷１ａに埋め込まれた形でガラス部３ａが形成される。このガラス部３ａは、ＳｉＯ２を主成分とするガラス成分で構成されているので、その光透過率が７０％以上である。その後、このガラス部３ａが埋め込まれた修正部位に平坦化処理を施す。 When the liquid glass is cured in this way, as shown in FIG. 3D, the glass portion 3a is formed in a form embedded in the scratch 1a existing on the back surface of the photomask. The glass portion 3a, which is configured by glass component mainly composed of SiO 2, the light transmittance of 70% or more. Thereafter, a flattening process is performed on the correction portion in which the glass portion 3a is embedded.

このように、フォトマスク１の裏面に存在する傷にガラス部３ａを埋め込むように形成し、平坦化することにより、露光の際に修正部位での乱反射が防止される。また、ガラス部３ａは光透過率が７０％以上及び屈折率が１．４以上であるので、転写波長に対してほぼ透明とすることができる。また、従来のように、凹部１１ｄを形成した状態にしていないので、露光の際に凹部１１ｄのレンズ効果により転写パターンが歪むという不具合も発生しない。なお、図２、図３においては、傷の存在する部分をルーターにより除去している。このとき、本発明の液体ガラスを使用せずに、凹部を形成したのみで修正する場合に比べて、掘り込み量を小さくすることができる。本発明のフォトマスクでは、基板に生じた上記で述べたひびの進行を防止することができるからである。   As described above, the glass portion 3a is formed so as to be embedded in the scratch existing on the back surface of the photomask 1, and flattening is performed, thereby preventing irregular reflection at the correction site during exposure. Further, since the glass part 3a has a light transmittance of 70% or more and a refractive index of 1.4 or more, it can be made almost transparent with respect to the transfer wavelength. Further, since the concave portion 11d is not formed as in the prior art, there is no problem that the transfer pattern is distorted by the lens effect of the concave portion 11d during exposure. In FIG. 2 and FIG. 3, the scratched portion is removed by a router. At this time, the amount of digging can be reduced as compared with the case where the correction is made only by forming the recess without using the liquid glass of the present invention. This is because, in the photomask of the present invention, it is possible to prevent the above-described cracks occurring on the substrate.

このように、本発明に係るフォトマスクの修正方法によれば、ガラス基板を用いて作製されたフォトマスクの裏面に存在する傷に、硬化後に７０％以上の光透過率及び１．４以上の屈折率を持つガラスとなる液体ガラスを塗布し、この液体ガラスを硬化するので、硬化した後の部分がガラスと同等の光透過率及び屈折率を持つことになり、傷の部位でも転写波長に対して透明とすることができる。また、液体ガラスを用いて傷を埋めているので、露光の際に傷の部位での乱反射を防止することができる。   As described above, according to the photomask correction method of the present invention, the scratch existing on the back surface of the photomask manufactured using the glass substrate has a light transmittance of 70% or more after curing and 1.4 or more. Since the liquid glass, which is a glass having a refractive index, is applied and the liquid glass is cured, the cured part has light transmittance and refractive index equivalent to those of the glass. On the other hand, it can be transparent. Further, since the scratches are filled using liquid glass, irregular reflection at the site of the scratches can be prevented during exposure.

本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態における材料、処理手順等は一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   The present invention is not limited to the above embodiment, and can be implemented with appropriate modifications. For example, the materials, processing procedures, and the like in the above-described embodiment are examples, and various modifications can be made within the scope of the effects of the present invention. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

１ フォトマスク
１ａ 傷
１ｂ 凹部
１ｃ ひび
２ ディスペンサ
３ 液体ガラス
３ａ ガラス部
４ 紫外線
５ ルーター 1 Photomask 1a Scratch 1b Recess 1c Crack 2 Dispenser 3 Liquid glass 3a Glass part 4 UV 5 Router

Claims (6)

ガラス基板を用いて作製されたフォトマスクの裏面に存在する傷に、硬化後に７０％以上の光透過率及び１．４以上の屈折率を持つガラスとなる液体ガラスを塗布する工程と、前記液体ガラスを硬化する工程と、を具備することを特徴とするフォトマスクの修正方法。   A step of applying a liquid glass, which becomes a glass having a light transmittance of 70% or more and a refractive index of 1.4 or more after curing, to a scratch existing on the back surface of a photomask manufactured using a glass substrate; And a step of curing the glass. 前記液体ガラスがテトラエチルオルトシリケート又はスピンオングラス材料であることを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの修正方法。   2. The method of correcting a photomask according to claim 1, wherein the liquid glass is tetraethylorthosilicate or a spin-on-glass material. 前記液体ガラスを熱又は紫外線により硬化させることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のフォトマスクの修正方法。   3. The method for correcting a photomask according to claim 1, wherein the liquid glass is cured by heat or ultraviolet rays. 前記裏面の前記傷が存在する領域を除去した後に、前記傷に前記液体ガラスを塗布することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のフォトマスクの修正方法。   The method for correcting a photomask according to any one of claims 1 to 3, wherein the liquid glass is applied to the scratches after removing a region of the back surface where the scratches exist. 前記液体ガラスによる修正部位に平坦化処理を施すことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のフォトマスクの修正方法。   5. The photomask correction method according to claim 1, wherein a flattening process is performed on a correction portion of the liquid glass. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の方法により修正されたフォトマスクであって、前記フォトマスクの裏面に存在する傷に埋め込まれており、７０％以上の光透過率及び１．４以上の屈折率を有し、液体ガラスを硬化してなるガラス部を有することを特徴とするフォトマスク。   A photomask modified by the method according to any one of claims 1 to 5, embedded in a flaw existing on the back surface of the photomask, having a light transmittance of 70% or more and 1.4. A photomask having the above refractive index and having a glass portion obtained by curing liquid glass.
JP2009014136A 2009-01-26 2009-01-26 Method of correcting photomask Pending JP2010170011A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009014136A JP2010170011A (en) 2009-01-26 2009-01-26 Method of correcting photomask
KR1020100006515A KR20100087263A (en) 2009-01-26 2010-01-25 Method of modifying photomask
TW099101969A TW201031998A (en) 2009-01-26 2010-01-25 Method of correcting a photomask
CN201010105325A CN101788758A (en) 2009-01-26 2010-01-26 The modification method of photomask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009014136A JP2010170011A (en) 2009-01-26 2009-01-26 Method of correcting photomask

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010170011A true JP2010170011A (en) 2010-08-05

Family

ID=42532016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009014136A Pending JP2010170011A (en) 2009-01-26 2009-01-26 Method of correcting photomask

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2010170011A (en)
KR (1) KR20100087263A (en)
CN (1) CN101788758A (en)
TW (1) TW201031998A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014071312A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Dainippon Printing Co Ltd Repair method and manufacturing method for anti-reflection-article forming mold plate

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US20140272684A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9632411B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor
CN108073035A (en) * 2016-11-08 2018-05-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 A kind of restorative procedure of lithography mask version and lithography mask version defect
CN111856874B (en) * 2019-04-24 2023-12-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mask pattern repairing method and mask plate
CN112103197B (en) * 2020-11-09 2021-02-09 浙江里阳半导体有限公司 Method for manufacturing semiconductor discrete device and passivation device thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS536026A (en) * 1976-07-06 1978-01-20 Fujitsu Ltd Amendment of mask substrate
JPS5322369A (en) * 1976-08-13 1978-03-01 Fujitsu Ltd Flaw mending method of photo mask materials
JPS62257167A (en) * 1986-04-30 1987-11-09 Dainippon Printing Co Ltd Production of blank for photomask
JPH03191347A (en) * 1989-12-20 1991-08-21 Sony Corp Phase shift mask and production of phase shift mask
JPH10239828A (en) * 1996-12-25 1998-09-11 Konica Corp Method for repairing defect of photomask glass
JP2003287876A (en) * 2002-03-27 2003-10-10 Toray Ind Inc Correction method of photomask

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS536026A (en) * 1976-07-06 1978-01-20 Fujitsu Ltd Amendment of mask substrate
JPS5322369A (en) * 1976-08-13 1978-03-01 Fujitsu Ltd Flaw mending method of photo mask materials
JPS62257167A (en) * 1986-04-30 1987-11-09 Dainippon Printing Co Ltd Production of blank for photomask
JPH03191347A (en) * 1989-12-20 1991-08-21 Sony Corp Phase shift mask and production of phase shift mask
JPH10239828A (en) * 1996-12-25 1998-09-11 Konica Corp Method for repairing defect of photomask glass
JP2003287876A (en) * 2002-03-27 2003-10-10 Toray Ind Inc Correction method of photomask

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014071312A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Dainippon Printing Co Ltd Repair method and manufacturing method for anti-reflection-article forming mold plate

Also Published As

Publication number Publication date
CN101788758A (en) 2010-07-28
KR20100087263A (en) 2010-08-04
TW201031998A (en) 2010-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010170011A (en) Method of correcting photomask
EP3410213B1 (en) Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask
JP4204583B2 (en) Photomask blank manufacturing method
CN101120245A (en) Method for inspecting translucent article
US9448468B2 (en) Reflective mask blank and reflective mask, and methods for manufacturing reflective mask blank and reflective mask
US9927692B2 (en) Reflective photomask and production method therefor
TWI461827B (en) Method of manufacturing a substrate for a recycled photomask, method of manufacturing a blank for a recycled photomask, recycled photomask and method of manufacturing the same, and pattern transfer method
TW201534990A (en) Anti-glare film
US5506080A (en) Lithographic mask repair and fabrication method
JP2006013494A (en) Reflective mask, method of using the reflective mask, and method of manufacturing the reflective mask
JP2009244350A (en) Multi-tone photomask, method of manufacturing the same, and pattern transfer method
US20210080820A1 (en) Photomask and method for forming the same
JP2005121916A (en) Method for manufacturing base plate with recessed part for lenticular lens, base plate with recessed part for lenticular lens, lenticular lens base plate, transmission type screen and rear type projector
US6720116B1 (en) Process flow and pellicle type for 157 nm mask making
TW201610476A (en) Anti glaring film
TWI756349B (en) Glass substrate for photomask substrate, photomask substrate and photomask
JP5742300B2 (en) REFLECTIVE MASK BLANK AND ITS MANUFACTURING METHOD, REFLECTIVE MASK
US20070292772A1 (en) Structure Of A Lithography Mask
JP5090379B2 (en) Manufacturing method of glass substrate for mask blank, manufacturing method of mask blank, and manufacturing method of photomask for exposure
KR20080069926A (en) Method of making a grayscale reticle using step-over lithography for shaping microlenses
WO2004088421A1 (en) Mask blank, mask blank manufacturing method, transfer mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
KR20160091956A (en) Antiglare film
TW201943667A (en) Quartz glass plate
JP2011070068A (en) Photomask and method for manufacturing photomask
KR20120056925A (en) Repairing method of Photo-mask

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111020

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121204

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130402