JP2010168138A - Plate pick-up device and plate pick-up method - Google Patents

Plate pick-up device and plate pick-up method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer pick-up device preventing double pick-up of wafers. <P>SOLUTION: The wafer pick-up device 100 includes a placement table 20 for stackingly placing a plurality of wafers 10, a suction pad 32 (holding mechanism 30) that holds the first wafer 11 among the plurality of wafers 10 stacked on the placement table 20, an air nozzle 52 for separation and an elevating mechanism 80 (separation mechanism 50) that separates the second and subsequent wafers from the first wafer after the holding mechanism 30 holds the first wafer 11, an air nozzle 42 for bending (bending mechanism 40) that bends the center of the first wafer 11 downward by blowing air to the surface of the first wafer 11 when the separation mechanism 50 separates the second and subsequent wafers from the first wafer 11. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、板の２枚取りを防止することができる板取得装置及び板取得方法に関するものである。   The present invention relates to a plate acquisition device and a plate acquisition method capable of preventing two plates from being taken.

従来の２枚取り防止装置には、突起ローラを設け、突起ローラをシート吸着部の吸着面から退避可能に突出させて、シート吸着部に吸着されたシートを変形させるものがあった。   Some conventional two-sheet pickup preventing devices are provided with a protruding roller, and the protruding roller protrudes from the suction surface of the sheet suction portion so as to be retractable, thereby deforming the sheet sucked by the sheet suction portion.

特開平０７−０９７０９２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 07-097092

従来の２枚取り防止装置は、突起ローラを用いているので、突起ローラにより板を物理的に変形あるいは破壊してしまう恐れがあった。   Since the conventional two-sheet removal preventing device uses the protruding roller, there is a risk that the protruding roller may physically deform or destroy the plate.

この発明は、積層された複数の板から、２枚取りすることなく、かつ、変形あるいは破壊することなく、１枚目の板を取得しようとするものである。   The present invention intends to obtain a first plate from a plurality of stacked plates without taking two sheets and without deforming or destroying the first plate.

この発明の板取得装置は、
剛性のある複数の板を重ねて載せる置き台と、
置き台に重ねて載せた複数の板のうち１枚目の板を保持する保持機構と、
保持機構が１枚目の板を保持してから、１枚目の板から２枚目以下の板を離隔させる離隔機構と、
離隔機構が１枚目の板から２枚目以下の板を離隔させる場合に、１枚目の板の表面の流体を流動させて１枚目の板を湾曲させる湾曲機構と
を備えたことを特徴とする。 The board acquisition device of this invention is
A table on which a plurality of rigid plates are stacked,
A holding mechanism for holding the first plate among the plurality of plates placed on the table;
A separation mechanism that separates the second and subsequent plates from the first plate after the holding mechanism holds the first plate;
A bending mechanism that causes the fluid on the surface of the first plate to flow and bends the first plate when the separation mechanism separates the second and subsequent plates from the first plate. Features.

上記保持機構は、１枚目の板の上面を吸着する吸着パッドを有し、
上記湾曲機構は、１枚目の板の上面の一部に対するエアの噴射または吸引により１枚目の板をたわませる撓み用エアノズルを有することを特徴とする。 The holding mechanism has a suction pad that sucks the upper surface of the first plate,
The bending mechanism includes a bending air nozzle that deflects the first plate by jetting or sucking air to a part of the upper surface of the first plate.

上記置き台は、複数の板を重ねたまま上昇させ、保持機構が１枚目の板を保持した場合に、２枚目以下の板を下降させる昇降機構を有し、
上記離隔機構は、１枚目の板と２枚目の板との間にエアを噴き込む離隔用エアノズルを備えたことを特徴とする。 The mounting table has a lifting mechanism that raises a plurality of stacked plates and lowers the second and lower plates when the holding mechanism holds the first plate,
The separation mechanism includes a separation air nozzle that injects air between the first plate and the second plate.

この発明の板取得方法は、
剛性のある複数の板を重ねて載せた置き台から１枚目の板を保持する保持工程と、
保持工程が１枚目の板を保持してから、１枚目の板から２枚目以下の板を離隔させる離隔工程と、
離隔工程により１枚目の板から２枚目以下の板を離隔させる場合に、１枚目の板の表面の流体を流動させて１枚目の板を湾曲させる湾曲工程とを備えたことを特徴とする。 The board acquisition method of this invention is
A holding step of holding the first plate from a table on which a plurality of rigid plates are stacked;
A holding step of holding the first plate, and separating a second plate or less from the first plate;
A bending step of bending the first plate by flowing a fluid on the surface of the first plate when the second plate or less is separated from the first plate by the separation step. Features.

上記保持工程は、複数の板を重ねたまま上昇させ、１枚目の板の周辺部を複数の吸着パッドで吸着し、
上記離隔工程は、１枚目の板と２枚目の板との間に、離隔用エアノズルでエアを噴き込むとともに、２枚目以下の板を下降させ、
上記湾曲工程は、撓み用エアノズルにより、エアの噴射または吸引を行って１枚目の板をたわませることを特徴とする。 In the holding step, the plurality of plates are stacked and lifted, and the periphery of the first plate is sucked by a plurality of suction pads,
In the separation step, air is injected between the first plate and the second plate with a separation air nozzle, and the second and lower plates are lowered,
The bending step is characterized in that air is jetted or sucked by a bending air nozzle to bend the first plate.

この発明は、１枚目の板の表面の流体（たとえば、エア）を流動させて板に正または負の圧力を加えることにより板を湾曲させるので、１枚目の板を２枚目の板から確実に離隔するとともに、１枚目の板の恒久的変形あるいは破壊が防止できる。   In the present invention, the plate is curved by flowing a fluid (for example, air) on the surface of the first plate and applying positive or negative pressure to the plate. It is possible to prevent the first plate from being permanently deformed or broken while being reliably separated from the first plate.

実施の形態１のウェハ取得装置１００を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a wafer acquisition device 100 according to a first embodiment. 実施の形態１のウェハ取得装置１００の動作説明フローである。3 is an operation explanation flow of the wafer acquisition apparatus 100 according to the first embodiment. 実施の形態１のウェハ取得装置１００の動作説明図である。FIG. 6 is an operation explanatory diagram of the wafer acquisition apparatus 100 according to the first embodiment. 実施の形態２のウェハ取得装置１００の動作説明図である。FIG. 10 is an operation explanatory diagram of the wafer acquisition apparatus 100 according to the second embodiment. 実施の形態３のウェハ取得装置１００の動作説明図である。FIG. 11 is an operation explanatory diagram of the wafer acquisition apparatus 100 according to the third embodiment.

実施の形態１．
板取得装置が扱う板とは、半導体基板（ウェハ）やセラミック基板やガラス基板やプリント基板や回路基板などの薄板あるいは平板である。板は、金属板や木板や樹脂板や石板や合板や積層板や複合板でも構わない。板は、圧力が印加されることにより湾曲し、圧力から解放されることにより元の形状に戻る材質でできている。即ち、板は、剛性があり、弾力性があるものであり、撓むものである。 Embodiment 1 FIG.
The plate handled by the plate acquisition apparatus is a thin plate or flat plate such as a semiconductor substrate (wafer), a ceramic substrate, a glass substrate, a printed circuit board, or a circuit board. The plate may be a metal plate, a wood plate, a resin plate, a stone plate, a plywood plate, a laminated plate, or a composite plate. The plate is made of a material that bends when pressure is applied and returns to its original shape when released from the pressure. That is, the plate has rigidity, elasticity, and is bent.

以下、この実施の形態１では、板取得装置と板取得方法の一例として、板がウェハであるウェハ取得装置とウェハ取得方法を説明する。
図１は、ウェハ取得装置１００を示す斜視図である。
図２は、ウェハ取得装置１００の動作説明フローである。
図３は、ウェハ取得装置１００の動作説明図である。 Hereinafter, in the first embodiment, a wafer acquisition device and a wafer acquisition method in which a plate is a wafer will be described as an example of a plate acquisition device and a plate acquisition method.
FIG. 1 is a perspective view showing the wafer acquisition apparatus 100.
FIG. 2 is an operation explanation flow of the wafer acquisition apparatus 100.
FIG. 3 is an explanatory diagram of the operation of the wafer acquisition apparatus 100.

この実施の形態のウェハ取得装置１００は、図１に示すように、
複数のウェハ１０を重ねて載せる置き台２０と、
置き台２０に重ねて載せた複数のウェハ１０のうち１枚目のウェハ１１を保持する保持機構３０と、
保持機構３０が１枚目のウェハ１１を保持してから、１枚目のウェハから２枚目以下のウェハを離隔させる離隔機構５０と、
離隔機構５０が１枚目のウェハ１１から２枚目以下のウェハを離隔させる場合に、１枚目のウェハ１１の表面の流体を流動させて１枚目のウェハ１１を湾曲させる湾曲機構４０と
を備えたことを特徴とする。 As shown in FIG. 1, the wafer acquisition apparatus 100 of this embodiment is
A table 20 on which a plurality of wafers 10 are stacked;
A holding mechanism 30 for holding the first wafer 11 among the plurality of wafers 10 placed on the table 20;
A separation mechanism 50 that separates the second and subsequent wafers from the first wafer after the holding mechanism 30 holds the first wafer 11;
A bending mechanism 40 that causes the fluid on the surface of the first wafer 11 to flow to bend the first wafer 11 when the separation mechanism 50 separates the second and subsequent wafers from the first wafer 11; It is provided with.

上記保持機構３０は、１枚目のウェハ１１の上面を吸着する吸着パッド３２を有し、
上記湾曲機構４０は、１枚目のウェハ１１の上面の一部に対するエアの噴射または吸引により１枚目のウェハ１１をたわませる撓み用エアノズルを有することを特徴とする。 The holding mechanism 30 has a suction pad 32 that sucks the upper surface of the first wafer 11,
The bending mechanism 40 has a bending air nozzle that bends the first wafer 11 by jetting or sucking air to a part of the upper surface of the first wafer 11.

上記置き台２０は、複数のウェハ１０を重ねたまま上昇させ、保持機構３０が１枚目のウェハ１１を保持した場合に、２枚目以下のウェハを下降させる昇降機構８０を有し、
上記離隔機構５０は、１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハ１２との間にエアを噴き込む離隔用エアノズル５２を備えたことを特徴とする。 The cradle 20 has a lifting mechanism 80 that lifts the plurality of wafers 10 stacked and lowers the second and lower wafers when the holding mechanism 30 holds the first wafer 11.
The separation mechanism 50 includes a separation air nozzle 52 for injecting air between the first wafer 11 and the second wafer 12.

この実施の形態１のウェハ取得方法は、図２に示すように、
複数のウェハ１０を重ねて載せた置き台２０から１枚目のウェハ１１を保持する保持工程Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３と、
保持工程が１枚目のウェハ１１を保持してから、１枚目のウェハ１１から２枚目以下のウェハを離隔させる離隔工程Ｓ４、Ｓ５と、
離隔工程により１枚目のウェハ１１から２枚目以下のウェハを離隔させる場合に、１枚目のウェハ１１の表面の流体を流動させてウェハを湾曲させる湾曲工程Ｓ６とを備えたことを特徴とする。 As shown in FIG. 2, the wafer acquisition method of the first embodiment is as follows.
Holding steps S1, S2, and S3 for holding the first wafer 11 from a table 20 on which a plurality of wafers 10 are stacked;
Separation steps S4 and S5 for separating the second wafer or less from the first wafer 11 after the holding step holds the first wafer 11;
A curving step S6 for bending the surface of the first wafer 11 by flowing the fluid on the surface of the first wafer 11 when the second wafer or less is separated from the first wafer 11 by the separating step. And

上記保持工程は、複数のウェハ１０を重ねたまま上昇させ、１枚目のウェハ１１の周辺部を複数の吸着パッド３２で吸着し、
上記離隔工程は、１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハとの間に、離隔用エアノズル５２でエアを噴き込むとともに、２枚目以下のウェハを下降させ、
上記湾曲工程は、撓み用エアノズル４２により、エアの噴射または吸引を行って１枚目のウェハ１１をたわませることを特徴とする。 In the holding step, the plurality of wafers 10 are raised while being stacked, and the periphery of the first wafer 11 is sucked by the plurality of suction pads 32,
The separation step injects air with the separation air nozzle 52 between the first wafer 11 and the second wafer, and lowers the second and lower wafers,
The bending step is characterized in that the first wafer 11 is bent by jetting or sucking air by the bending air nozzle 42.

ウェハ取得装置１００が取り出すウェハ１０とは、一般的に半導体基板のことであるが、セラミック基板やガラス基板を含む場合もある。ウェハ１０は薄板である。ウェハ１０は、圧力が印加されることにより湾曲し、圧力から解放されることにより元の形状に戻る材質でできている。即ち、ウェハ１０は、剛性や弾力性があるものであり、撓むものである。
ウェハ１０の形状は、図１では、四角形であるが、その他の多角形でもよいし、円形でもよく、ウェハ１０の形状は問わない。 The wafer 10 taken out by the wafer acquisition apparatus 100 is generally a semiconductor substrate, but may include a ceramic substrate or a glass substrate. The wafer 10 is a thin plate. The wafer 10 is made of a material that bends when pressure is applied and returns to its original shape when released from the pressure. That is, the wafer 10 has rigidity and elasticity and is bent.
The shape of the wafer 10 is a quadrangle in FIG. 1, but it may be other polygons or a circle, and the shape of the wafer 10 is not limited.

以下、図１を用いて、ウェハ取得装置１００の構成を詳細に説明する。
ウェハ取得装置１００は、置き台２０、保持機構３０、湾曲機構４０、離隔機構５０，搬出機構６０、エアコントローラ７０，昇降機構８０、制御部９０を備えている。 Hereinafter, the configuration of the wafer acquisition apparatus 100 will be described in detail with reference to FIG.
The wafer acquisition apparatus 100 includes a table 20, a holding mechanism 30, a bending mechanism 40, a separation mechanism 50, a carry-out mechanism 60, an air controller 70, an elevating mechanism 80, and a control unit 90.

置き台２０は、テーブル２４にウェハラック２６を固定している。ウェハラック２６には、ウェハ１０の四角のコーナーを支持する４本の柱がある。ウェハラック２６に、複数のウェハ１０を重ねて積層する。テーブル２４とウェハラック２６の底には孔（穴）があり、昇降機構８０が昇降できる。昇降機構８０の昇降によりウェハ１０が積層されたまま、ウェハラック２６を上下する。   The table 20 has a wafer rack 26 fixed to a table 24. The wafer rack 26 has four pillars that support the square corners of the wafer 10. A plurality of wafers 10 are stacked on the wafer rack 26. There are holes (holes) in the bottom of the table 24 and the wafer rack 26, and the elevating mechanism 80 can be raised and lowered. The wafer rack 26 is moved up and down while the wafers 10 are stacked by the lifting and lowering of the lifting mechanism 80.

保持機構３０は、吸着パッド３２、センサ３４、ピックユニット３６を有している。
吸着パッド３２は、ピックユニット３６に固定され、ウェハ１０のコーナーのほぼ周縁部（周辺部または端部）に対応する位置に４個ある。撓みを大きくするために、吸着パッド３２の位置は、なるべくウェハ１０の端部が望ましい。
吸着パッド３２には、エアコントローラ７０からエアパイプ７２が接続され、エアコントローラ７０がエアを吸引することにより、吸着パッド３２がウェハ１０を吸着する。
センサ３４は、積層された複数のウェハ１０の１枚目のウェハ１１が吸着パッド３２に吸着される吸着位置まで上昇したか否かを判定する。センサ３４のセンサ信号により、制御部９０が昇降機構８０により１枚目のウェハ１１を吸着位置まで上昇させる。
センサ３４は、テーブル２４に固定されているが、ピックユニット３６に固定されていてもよい。また、センサ３４は、上下方向に、センス位置を変更調節できるようにしておくことが望ましい。 The holding mechanism 30 includes a suction pad 32, a sensor 34, and a pick unit 36.
The suction pads 32 are fixed to the pick unit 36, and there are four suction pads 32 at positions corresponding to substantially the peripheral edge (peripheral part or end part) of the corner of the wafer 10. In order to increase the deflection, the position of the suction pad 32 is preferably the end of the wafer 10 as much as possible.
An air pipe 72 is connected to the suction pad 32 from the air controller 70, and the suction pad 32 sucks the wafer 10 when the air controller 70 sucks air.
The sensor 34 determines whether or not the first wafer 11 of the plurality of stacked wafers 10 has moved up to the suction position where the suction pad 32 is sucked. Based on the sensor signal of the sensor 34, the control unit 90 raises the first wafer 11 to the suction position by the lifting mechanism 80.
The sensor 34 is fixed to the table 24, but may be fixed to the pick unit 36. In addition, it is desirable that the sensor 34 can change and adjust the sense position in the vertical direction.

湾曲機構４０は、撓み用エアノズル４２を有している。撓み用エアノズル４２は、ピックユニット３６に固定され、４本の吸着パッド３２のほぼ中央部に１個ある。撓みを大きくするために、撓み用エアノズル４２の位置は、なるべくウェハ１０の中央部が望ましい。撓み用エアノズル４２の上下の長さは、吸着パッド３２の上下の長さよりも短い。
撓み用エアノズル４２には、エアコントローラ７０からエアパイプ７２が接続され、エアコントローラ７０が圧縮エアを出力することにより、撓み用エアノズル４２から１枚目のウェハ１１の中央表面にエアが噴出し、１枚目のウェハ１１の中央表面が下方に湾曲する。
撓み用エアノズル４２から噴出するエアの圧力は、１枚目のウェハ１１（ウェハ１０）の持つ合成や弾力性を破壊しない範囲のものであり、撓み用エアノズル４２からのエアの噴出をやめれば、１枚目のウェハ１１（ウェハ１０）は剛性あるいは弾力性により元通り平板に復帰する。
従来のように突起物を用いてウェハ１０を湾曲させると、ウェハ１０の一部分を変形させたり、ウェハ１０を傷つけたり、ウェハ１０を破壊したりする恐れがあるが、エアを用いれば、ウェハ１０にかかる圧力が分散され、ウェハ１０に傷がつくことはない、また、ウェハ１０を変形・破壊する恐れが減少する。 The bending mechanism 40 has a bending air nozzle 42. The bending air nozzle 42 is fixed to the pick unit 36, and there is one air nozzle 42 at the substantially central portion of the four suction pads 32. In order to increase the deflection, the position of the deflection air nozzle 42 is preferably the center of the wafer 10 as much as possible. The upper and lower lengths of the bending air nozzle 42 are shorter than the upper and lower lengths of the suction pad 32.
An air pipe 72 is connected to the bending air nozzle 42 from the air controller 70. When the air controller 70 outputs compressed air, air is jetted from the bending air nozzle 42 to the central surface of the first wafer 11. The central surface of the first wafer 11 is curved downward.
The pressure of the air ejected from the deflecting air nozzle 42 is within a range that does not destroy the synthesis and elasticity of the first wafer 11 (wafer 10), and if the ejection of air from the deflecting air nozzle 42 is stopped, The first wafer 11 (wafer 10) returns to its original plate due to rigidity or elasticity.
If the wafer 10 is bent using projections as in the prior art, a part of the wafer 10 may be deformed, the wafer 10 may be damaged, or the wafer 10 may be destroyed. The pressure applied to the wafer 10 is dispersed, the wafer 10 is not damaged, and the risk of the wafer 10 being deformed or broken is reduced.

離隔機構５０は、離隔用エアノズル５２を有している。
離隔用エアノズル５２は、置き台２０に固定され、１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハ１２の側面（即ち、ほぼ吸着位置の高さ）に２個ある。離隔作用を大きくするために、離隔用エアノズル５２の噴き出し口は、１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハ１２の間にエアを噴き込みやすいように、がま口状あるいは鰐口状あるいはスリット状に横広になっている。また、噴き出し口の方向を変えることができ、エア吹き出し方向が調整できる。撓み用エアノズル４２の位置は、なるべく１枚目のウェハ１１の側面中央部が望ましい。
離隔用エアノズル５２には、エアコントローラ７０からエアパイプ７２が接続され、エアコントローラ７０が圧縮エアを出力することにより、離隔用エアノズル５２から、１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハ１２の側面の隙間にエアが噴き込まれ、１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハ１２の離隔を促進する。 The separation mechanism 50 has a separation air nozzle 52.
The separation air nozzles 52 are fixed to the placing table 20, and there are two separation nozzles on the side surfaces of the first wafer 11 and the second wafer 12 (that is, substantially at the height of the suction position). In order to increase the separation effect, the ejection port of the separation air nozzle 52 is formed in the shape of a purse, a mouth, or a slit so that air can be easily injected between the first wafer 11 and the second wafer 12. It is wide. Further, the direction of the ejection port can be changed, and the air blowing direction can be adjusted. The position of the bending air nozzle 42 is preferably the center of the side surface of the first wafer 11 as much as possible.
An air pipe 72 is connected to the separation air nozzle 52 from the air controller 70, and the compressed air is output by the air controller 70, whereby the side surfaces of the first wafer 11 and the second wafer 12 are separated from the separation air nozzle 52. Air is injected into the gap between the first wafer 11 and the second wafer 12 to promote separation.

搬出機構６０は、上下スライド溝６２と左右スライド溝６４とを有している。上下スライド溝６２は、ピックユニット３６の上下移動をガイドする。左右スライド溝６４は、ピックユニット３６の左右移動をガイドする。搬出機構６０には、リニアモータやリニアガイドがあり、ピックユニット３６を、上下スライド溝６２と左右スライド溝６４に沿って、移動させる。   The carry-out mechanism 60 has an upper and lower slide groove 62 and a left and right slide groove 64. The vertical slide groove 62 guides the vertical movement of the pick unit 36. The left / right slide groove 64 guides the left / right movement of the pick unit 36. The carry-out mechanism 60 includes a linear motor and a linear guide, and moves the pick unit 36 along the vertical slide groove 62 and the horizontal slide groove 64.

エアコントローラ７０は、エア圧縮機と真空ポンプなどを有し、エアパイプ７２を介して、吸着パッド３２からエアを吸引させ、撓み用エアノズル４２と離隔用エアノズル５２からエアを噴出させる。また、１枚目のウェハ１１の剛性、即ち、曲げや反りやねじれなどに対して破壊に耐えうる強度により、エアの圧力を制御する。エアコントローラ７０は、置き台２０に設けられている。エアコントローラ７０の一部が、ピックユニット３６に設けられていてもよい。   The air controller 70 includes an air compressor, a vacuum pump, and the like, sucks air from the suction pad 32 through the air pipe 72, and jets air from the bending air nozzle 42 and the separation air nozzle 52. Further, the pressure of the air is controlled by the rigidity of the first wafer 11, that is, the strength that can withstand destruction against bending, warping, twisting, and the like. The air controller 70 is provided on the cradle 20. A part of the air controller 70 may be provided in the pick unit 36.

昇降機構８０は、ピストンシリンダなどを有し、上昇機構と下降機構とを備えている。昇降機構８０の昇降により、置き台２０に対して、ウェハ１０を上下させる。昇降機構８０の上昇機構は、ウェハ１０を上昇させ保持機構３０の機能を果たす。昇降機構８０の下降機構は、ウェハ１０を下降させ離隔機構５０の機能を果たす。   The lifting mechanism 80 includes a piston cylinder and the like, and includes a lifting mechanism and a lowering mechanism. The wafer 10 is moved up and down with respect to the table 20 by raising and lowering the lifting mechanism 80. The raising mechanism of the raising / lowering mechanism 80 raises the wafer 10 and fulfills the function of the holding mechanism 30. The lowering mechanism of the elevating mechanism 80 lowers the wafer 10 and fulfills the function of the separation mechanism 50.

制御部９０には、置き台２０に収納された中央処理装置（ＣＰＵ）、メモリ、プログラムなどの電子計算機処理が可能なハードウエア・ソフトウエアがある。また、制御部９０は、置き台２０に設けられており、操作卓や表示画面を備え、操作者に対して、キー入力操作や画面表示などのインターフェース提供している。制御部９０からは、搬出機構６０、エアコントローラ７０、昇降機構８０に対して制御信号９２、９４、９６が出力され、センサ３４からセンサ信号９８が入力され、保持機構３０、湾曲機構４０、離隔機構５０の動作を制御する。エアコントローラ７０のエアの吸引力や噴出力は、操作者からのキー入力操作により設定あるいは変更される。   The control unit 90 includes hardware / software capable of electronic computer processing such as a central processing unit (CPU), a memory, and a program stored in the table 20. The control unit 90 is provided on the table 20 and includes an operation console and a display screen, and provides an interface such as key input operation and screen display to the operator. From the control unit 90, control signals 92, 94, 96 are output to the carry-out mechanism 60, the air controller 70, and the lifting mechanism 80, and a sensor signal 98 is input from the sensor 34, and the holding mechanism 30, the bending mechanism 40, and the separation mechanism. The operation of the mechanism 50 is controlled. The air suction force and jet output of the air controller 70 are set or changed by a key input operation from the operator.

以下、図２と図３を用いて、ウェハ取得装置１００の動作を詳細に説明する。
以下に述べる動作は、すべて、制御部９０で動作するＣＰＵとプログラムから出力された制御信号９２，９４，９６により行われるものである。 Hereinafter, the operation of the wafer acquisition apparatus 100 will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.
The operations described below are all performed by the CPU operating in the control unit 90 and the control signals 92, 94, and 96 output from the program.

＊＊保持工程（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）
＊パッド下降工程Ｓ１
吸着パッド３２が所定の吸着位置になるまで、搬出機構６０がピックユニット３６を上下スライド溝６２に沿って下降させる。
＊ウェハ上昇工程Ｓ２
制御部９０が、複数のウェハ１０を重ねたまま、１枚目のウェハ１１をセンサ３４が検出できるまで、昇降機構８０を上昇させる。１枚目のウェハ１１をセンサ３４が検出する位置は、吸着位置であり、吸着位置は、吸着パッド３２が１枚目のウェハ１１を吸着することができる位置である。吸着位置で、１枚目のウェハ１１と吸着パッド３２がほぼ接することになる。吸着位置で、吸着パッド３２が１枚目のウェハ１１と衝突しないようにするためにセンサ３４で１枚目のウェハ１１の上昇位置を監視する。 ** Holding process (S1, S2, S3)
* Pad descending process S1
The unloading mechanism 60 lowers the pick unit 36 along the vertical slide groove 62 until the suction pad 32 reaches a predetermined suction position.
* Wafer rising process S2
The controller 90 raises the elevating mechanism 80 until the sensor 34 can detect the first wafer 11 while the plurality of wafers 10 are stacked. The position where the sensor 34 detects the first wafer 11 is an adsorption position, and the adsorption position is a position where the adsorption pad 32 can adsorb the first wafer 11. At the suction position, the first wafer 11 and the suction pad 32 are almost in contact with each other. In order to prevent the suction pad 32 from colliding with the first wafer 11 at the suction position, the rising position of the first wafer 11 is monitored by the sensor 34.

＊１枚目のウェハ吸着工程Ｓ３
エアコントローラ７０が４本の吸着パッド３２の吸引を同時に開始し、４本の吸着パッド３２が、１枚目のウェハ１１の周辺部を吸着して、１枚目のウェハ１１を吸着位置に保持する。 * First wafer adsorption process S3
The air controller 70 starts sucking the four suction pads 32 at the same time, and the four suction pads 32 suck the peripheral portion of the first wafer 11 and hold the first wafer 11 at the suction position. To do.

＊＊離隔工程（Ｓ４、Ｓ５）
＊２枚目以下のウェハ下降工程Ｓ４
吸着パッド３２が１枚目のウェハ１１を保持してから、制御部９０が、昇降機構８０を下降させ、１枚目のウェハ１１から２枚目以下のウェハを重力により下方に離隔させる。
＊横エアブロー工程Ｓ５
制御部９０が昇降機構８０を下降させると同時に、制御部９０が、エアコントローラ７０により、１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハとの間に、離隔用エアノズル５２でエアを噴き込む。 ** Separation process (S4, S5)
* Second and lower wafer lowering process S4
After the suction pad 32 holds the first wafer 11, the controller 90 lowers the lifting mechanism 80 and separates the second and subsequent wafers downward from the first wafer 11 by gravity.
* Horizontal air blow process S5
At the same time that the controller 90 lowers the lifting mechanism 80, the controller 90 injects air between the first wafer 11 and the second wafer by the separation air nozzle 52 by the air controller 70.

＊＊湾曲工程（Ｓ６、Ｓ７）
＊上エアブロー工程Ｓ６
吸着パッド３２が１枚目のウェハ１１を保持してから、制御部９０が昇降機構８０を下降させると同時あるいはその直後に、制御部９０が、エアコントローラ７０により撓み用エアノズル４２のエア噴出を開始する。撓み用エアノズル４２からは３６０度方向にエアが噴出する。１枚目のウェハ１１の表面中央において下方にエア圧力がかかるので、１枚目のウェハ１１の中央が下方に押し下げられ、１枚目のウェハ１１が球面状にたわみ、１枚目のウェハ１１の断面が弧状あるいは弓状を呈するように、１枚目のウェハ１１が湾曲する。
その際、２枚目以下のウェハが重力により下方に離れていくので、１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハ１２の間に隙間が発生し、１枚目のウェハ１１の中央部は下方に湾曲することができる。逆に、１枚目のウェハ１１の中央部が下方に下がるので、２枚目のウェハ１２を下方におすことになり、２枚目のウェハ１２が下方に離れていくのを促進する。
１枚目のウェハ１１の中央部が下方に湾曲すれば、吸着パッド３２を支点として、１枚目のウェハ１１の周囲が上方に持ちあがり、１枚目のウェハ１１の縁側部分は１枚目のウェハ１１の中央部分に比べて２枚目のウェハ１２と離れることになる。こうして、１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハ１２との間に、離隔用エアノズル５２からのエアが容易に吹き込まれ離隔作用が増進される。
離隔用エアノズル５２からのエアが１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハ１２との間に、吹き込まれ始めたら、制御部９０が、エアコントローラ７０による撓み用エアノズル４２からのエアの噴出を、すぐに終了する。撓み用エアノズル４２からのエアの噴出が終了すれば、１枚目のウェハ１１は剛性・弾力により元の平板に復元する。この復元により、１枚目のウェハ１１の中央部が上昇して、１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハ１２との間にエアが積極的に吸引される。
エアコントローラ７０による離隔用エアノズル５２からのエアの噴出は、２枚目のウェハ１２の下降により１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハ１２とが所定の距離だけ離れた後に終了する。 ** Curving process (S6, S7)
* Upper air blow process S6
At the same time or immediately after the controller 90 lowers the lifting mechanism 80 after the suction pad 32 holds the first wafer 11, the controller 90 causes the air controller 70 to blow out the air from the bending air nozzle 42. Start. Air is ejected from the bending air nozzle 42 in the direction of 360 degrees. Since air pressure is applied downward at the center of the surface of the first wafer 11, the center of the first wafer 11 is pushed downward, the first wafer 11 bends into a spherical shape, and the first wafer 11. The first wafer 11 is curved so that the cross-section thereof has an arc shape or an arc shape.
At that time, since the second and lower wafers move downward due to gravity, a gap is generated between the first wafer 11 and the second wafer 12, and the central portion of the first wafer 11 is Can be curved downward. On the contrary, since the central portion of the first wafer 11 is lowered, the second wafer 12 is moved downward, and the second wafer 12 is promoted to move downward.
If the central portion of the first wafer 11 is curved downward, the periphery of the first wafer 11 is lifted upward with the suction pad 32 as a fulcrum, and the edge side portion of the first wafer 11 is the first one. The second wafer 12 is separated from the center portion of the wafer 11. In this way, the air from the separation air nozzle 52 is easily blown between the first wafer 11 and the second wafer 12, and the separation action is enhanced.
When the air from the separation air nozzle 52 starts to be blown between the first wafer 11 and the second wafer 12, the control unit 90 causes the air controller 70 to blow out the air from the bending air nozzle 42. Quit immediately. When the ejection of air from the bending air nozzle 42 is completed, the first wafer 11 is restored to the original flat plate by rigidity and elasticity. By this restoration, the central portion of the first wafer 11 rises and air is positively sucked between the first wafer 11 and the second wafer 12.
The ejection of air from the separation air nozzle 52 by the air controller 70 ends after the first wafer 11 and the second wafer 12 are separated by a predetermined distance due to the lowering of the second wafer 12.

＊＊搬出工程（Ｓ７）
＊パッド上昇工程Ｓ７
制御部９０が、搬出機構６０によりピックユニット３６を上下スライド溝６２に沿って上昇させる。一緒に、吸着パッド３２に保持された１枚目のウェハ１１も上昇する。搬出機構６０は、ピックユニット３６を左右スライド溝６４に沿って搬出する。搬出後に、制御部９０がエアコントローラ７０による吸着パッド３２の吸着を終了させて、１枚目のウェハ１１を吸着パッド３２からリリースする。 ** Unloading process (S7)
* Pad raising process S7
The control unit 90 raises the pick unit 36 along the vertical slide groove 62 by the carry-out mechanism 60. At the same time, the first wafer 11 held by the suction pad 32 is also raised. The carry-out mechanism 60 carries the pick unit 36 along the left and right slide grooves 64. After unloading, the controller 90 ends the suction of the suction pad 32 by the air controller 70 and releases the first wafer 11 from the suction pad 32.

制御部９０による動作開始タイミングは以下の通り、同時刻である。
吸着パッド３２の吸着開始時刻
＝撓み用エアノズル４２の噴射開始時刻
＝離隔用エアノズル５２の噴射開始時刻
なお、１枚目のウェハ１１の上面のゴミを吹き払うために、撓み用エアノズル４２の噴射開始時刻を吸着パッド３２の吸着開始時刻の前にしてもよい。１枚目のウェハ１１の表面がきれいになるので、吸着パッド３２が１枚目のウェハ１１を確実に吸着することができる。 The operation start timing by the control unit 90 is the same time as follows.
Adsorption start time of the suction pad 32 = Injection start time of the deflection air nozzle 42 = Injection start time of the separation air nozzle 52 In order to blow off dust on the upper surface of the first wafer 11, the injection start of the deflection air nozzle 42 is started. The time may be set before the suction start time of the suction pad 32. Since the surface of the first wafer 11 is clean, the suction pad 32 can reliably suck the first wafer 11.

制御部９０による動作終了タイミングは以下の通り、差がある。
撓み用エアノズル４２の噴射終了時刻
＜離隔用エアノズル５２の噴射終了時刻
＜吸着パッド３２の吸着終了時刻 The operation end timing by the controller 90 is different as follows.
Injection end time of the bending air nozzle 42 <Injection end time of the separation air nozzle 52 <Suction end time of the suction pad 32

実施の形態２．
図４は、実施の形態２のウェハ取得装置１００の動作説明図である。 Embodiment 2. FIG.
FIG. 4 is an operation explanatory diagram of the wafer acquisition apparatus 100 according to the second embodiment.

（ａ）に示すように、撓み用エアノズル４２からエアを吸引して、１枚目のウェハ１１の中央を上方に持ち上げてもよい。この場合には、１枚目のウェハ１１の中央部が上昇するので、１枚目のウェハ１１と２枚目のウェハ１２との間にエアが積極的に吸引される。   As shown in (a), air may be sucked from the bending air nozzle 42 to lift the center of the first wafer 11 upward. In this case, since the central portion of the first wafer 11 is raised, air is positively sucked between the first wafer 11 and the second wafer 12.

（ｂ）に示すように、吸着パッド３２を１個だけ、中央に配置して、４個の撓み用エアノズル４２を１枚目のウェハ１１の４角に配置して、１枚目のウェハ１１のコーナーを下方に反らせてもよい。撓み用エアノズル４２は、離隔用エアノズル５２の近傍にあることが望ましい。   As shown in FIG. 5B, only one suction pad 32 is arranged in the center, and four bending air nozzles 42 are arranged at the four corners of the first wafer 11. You may warp the corner of the bottom. The bending air nozzle 42 is desirably in the vicinity of the separation air nozzle 52.

（ｃ）に示すように、吸着パッド３２を１個だけ、中央に配置して、４個の撓み用エアノズル４２を１枚目のウェハ１１の４角に配置して、１枚目のウェハ１１のコーナーを上方に反らせてもよい。撓み用エアノズル４２は、離隔用エアノズル５２の近傍にあることが望ましい。   As shown in (c), only one suction pad 32 is arranged at the center, and four bending air nozzles 42 are arranged at the four corners of the first wafer 11, so that the first wafer 11 is arranged. The corner may be bent upward. The bending air nozzle 42 is desirably in the vicinity of the separation air nozzle 52.

実施の形態３．
図５に示すように、撓み用エアノズル４２の噴射口を所定の方向に切り裂いて、エアを１８０度（直線）方向に噴き出してもよい。この場合、１枚目のウェハ１１の１８０度（直線）方向と直交する方向の断面が弧状・弓状になりやすい。３６０度方向にエアを噴くよりも１枚目のウェハ１１が弧状・弓状になりやすく、１枚目のウェハ１１の両側から離隔用エアノズル５２によりエアを噴き込み易い。 Embodiment 3 FIG.
As shown in FIG. 5, the air outlet of the bending air nozzle 42 may be cut in a predetermined direction, and the air may be ejected in a 180 degree (straight) direction. In this case, the cross section of the first wafer 11 in the direction orthogonal to the 180 degree (straight line) direction is likely to be arcuate or arcuate. Rather than injecting air in the 360 degree direction, the first wafer 11 is likely to be arc-shaped or arcuate, and air is easily injected from both sides of the first wafer 11 by the separation air nozzles 52.

実施の形態４．
以下、主として実施の形態１〜３の相違部分について説明する。 Embodiment 4 FIG.
Hereinafter, the difference between the first to third embodiments will be mainly described.

エア（空気）の代わりに、撓み用エアノズル４２から窒素ガスや二酸化炭素ガスなどの気体を噴出してもよい。また、水中にある場合や洗浄中の場合は、撓み用エアノズル４２から水や洗浄液を噴出してもよい。撓み用エアノズル４２からは、気体や液体などの流体が噴出できればよい。
湾曲機構４０は、撓み用エアノズル４２の代わりに１枚目のウェハ１１に上から下への正の圧力または下から上への負の圧力をかけることができるものであればよい。湾曲機構４０は、１枚目のウェハ１１の表面に気体や液体などの流体を吹き付けることにより、あるいは、１枚目のウェハ１１の表面から気体や液体などの流体を吸引することにより、１枚目のウェハ１１の表面の流体を流動させて１枚目のウェハ１１を湾曲させることができればよい。 Instead of air (air), a gas such as nitrogen gas or carbon dioxide gas may be ejected from the bending air nozzle 42. Further, when it is in water or during cleaning, water or cleaning liquid may be ejected from the bending air nozzle 42. It is only necessary that a fluid such as gas or liquid can be ejected from the bending air nozzle 42.
The bending mechanism 40 only needs to be able to apply a positive pressure from the top to the bottom or a negative pressure from the bottom to the top on the first wafer 11 instead of the bending air nozzle 42. The bending mechanism 40 is formed by spraying a fluid such as a gas or a liquid on the surface of the first wafer 11 or sucking a fluid such as a gas or a liquid from the surface of the first wafer 11. It is only necessary that the fluid on the surface of the eye wafer 11 can flow to bend the first wafer 11.

吸着パッド３２の代わりに、磁石や電磁石や粘着剤などの吸着材や吸着具を用いてもよい。
吸着パッド３２は、エアの吸引により吸着するものではなく、単にウェハに押し付けられることにより真空吸着する椀状のパッドでも構わない。 Instead of the suction pad 32, an adsorbent such as a magnet, an electromagnet, or an adhesive, or an adsorber may be used.
The suction pad 32 may not be sucked by air suction, but may be a bowl-shaped pad that is vacuum-sucked by being pressed against the wafer.

離隔用エアノズル５２は、離隔を補助するものであり、２枚目のウェハ１２以下が自重により降下するのであれば、離隔用エアノズル５２はなくてもよい。   The separation air nozzle 52 assists the separation, and the separation air nozzle 52 may not be provided as long as the second wafer 12 or lower falls by its own weight.

吸着パッド３２、センサ３４、撓み用エアノズル４２、離隔用エアノズル５２の数と位置とは、ウェハ１０のサイズと厚さと重さと剛性・弾力性とに応じて適宜変更して用いればよい。   The numbers and positions of the suction pads 32, the sensors 34, the bending air nozzles 42, and the separation air nozzles 52 may be appropriately changed according to the size, thickness, weight, rigidity, and elasticity of the wafer 10.

１０ ウェハ、１１ １枚目のウェハ、１２ ２枚目のウェハ、２０ 置き台、２４ テーブル、２６ ウェハラック、３０ 保持機構、３２ 吸着パッド、３４ センサ、３６ ピックユニット、４０ 湾曲機構、４２ 撓み用エアノズル、５０ 離隔機構、５２ 離隔用エアノズル、６０ 搬出機構、６２ 上下スライド溝、６４ 左右スライド溝、７０ エアコントローラ、７２ エアパイプ、８０ 昇降機構、８２ 制御信号、９０ 制御部、１００ ウェハ取得装置。   10 wafers, 11 first wafer, 12 second wafer, 20 table, 24 table, 26 wafer rack, 30 holding mechanism, 32 suction pad, 34 sensor, 36 pick unit, 40 bending mechanism, 42 for bending Air nozzle, 50 separation mechanism, 52 separation air nozzle, 60 carry-out mechanism, 62 vertical slide groove, 64 left and right slide groove, 70 air controller, 72 air pipe, 80 lifting mechanism, 82 control signal, 90 control unit, 100 wafer acquisition device.

Claims (5)

剛性のある複数の板を重ねて載せる置き台と、
置き台に重ねて載せた複数の板のうち１枚目の板を保持する保持機構と、
保持機構が１枚目の板を保持してから、１枚目の板から２枚目以下の板を離隔させる離隔機構と、
離隔機構が１枚目の板から２枚目以下の板を離隔させる場合に、１枚目の板の表面の流体を流動させて１枚目の板を湾曲させる湾曲機構と
を備えたことを特徴とする板取得装置。 A table on which a plurality of rigid plates are stacked,
A holding mechanism for holding the first plate among the plurality of plates placed on the table;
A separation mechanism that separates the second and subsequent plates from the first plate after the holding mechanism holds the first plate;
A bending mechanism that causes the fluid on the surface of the first plate to flow and bends the first plate when the separation mechanism separates the second and subsequent plates from the first plate. Characteristic board acquisition device. 上記保持機構は、１枚目の板の上面を吸着する吸着パッドを有し、
上記湾曲機構は、１枚目の板の上面の一部に対するエアの噴射または吸引により１枚目の板をたわませる撓み用エアノズルを有することを特徴とする請求項１記載の板取得装置。 The holding mechanism has a suction pad that sucks the upper surface of the first plate,
2. The plate acquisition apparatus according to claim 1, wherein the bending mechanism includes a bending air nozzle that deflects the first plate by jetting or sucking air to a part of the upper surface of the first plate. 上記置き台は、複数の板を重ねたまま上昇させ、保持機構が１枚目の板を保持した場合に、２枚目以下の板を下降させる昇降機構を有し、
上記離隔機構は、１枚目の板と２枚目の板との間にエアを噴き込む離隔用エアノズルを備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の板取得装置。 The mounting table has a lifting mechanism that raises a plurality of stacked plates and lowers the second and lower plates when the holding mechanism holds the first plate,
3. The plate acquisition apparatus according to claim 1, wherein the separation mechanism includes a separation air nozzle that injects air between the first plate and the second plate. 剛性のある複数の板を重ねて載せた置き台から１枚目の板を保持する保持工程と、
保持工程が１枚目の板を保持してから、１枚目の板から２枚目以下の板を離隔させる離隔工程と、
離隔工程により１枚目の板から２枚目以下の板を離隔させる場合に、１枚目の板の表面の流体を流動させて１枚目の板を湾曲させる湾曲工程と
を備えたことを特徴とする板取得方法。 A holding step of holding the first plate from a table on which a plurality of rigid plates are stacked;
A holding step of holding the first plate, and separating a second plate or less from the first plate;
A bending step of bending the first plate by flowing a fluid on the surface of the first plate when the second plate or less is separated from the first plate by the separation step. A characteristic board acquisition method. 上記保持工程は、複数の板を重ねたまま上昇させ、１枚目の板の周辺部を複数の吸着パッドで吸着し、
上記離隔工程は、１枚目の板と２枚目の板との間に、離隔用エアノズルでエアを噴き込むとともに、２枚目以下の板を下降させ、
上記湾曲工程は、撓み用エアノズルにより、エアの噴射または吸引を行って１枚目の板をたわませる
ことを特徴とする請求項４記載の板取得方法。 In the holding step, the plurality of plates are stacked and lifted, and the periphery of the first plate is sucked by a plurality of suction pads,
In the separation step, air is injected between the first plate and the second plate with a separation air nozzle, and the second and lower plates are lowered,
5. The plate acquisition method according to claim 4, wherein in the bending step, the first plate is bent by air jetting or suctioning with a bending air nozzle.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102364668A (en) * 2011-10-28 2012-02-29 北京太阳能电力研究院有限公司 Silicon wafer box and silicon wafer feeding device
BE1019301A5 (en) * 2011-08-31 2012-05-08 Develop Mechanics Nv DEVICE FOR HANDLING SEMICONDUCTOR WAFERS.
CN103863854A (en) * 2012-12-10 2014-06-18 上海旭恒精工机械制造有限公司 High-speed digital paper transfer device for die-cutting machine
KR101416859B1 (en) * 2012-12-18 2014-07-08 한국영상기술(주) Film transporting apparatus
KR20150056124A (en) * 2013-11-14 2015-05-26 (주)구일엔지니어링 Structure of wafer storage
CN104692154A (en) * 2013-12-04 2015-06-10 天津市诚远印刷机械有限公司 Intelligent paper feeding machine
CN104867855A (en) * 2015-04-24 2015-08-26 浙江长兴汉能光伏有限公司 Solar battery backboard removing and delivering apparatus
CN105270889A (en) * 2014-06-27 2016-01-27 三星钻石工业股份有限公司 Method And Apparatus For Transporting Brittle Material Substrate
CN107032149A (en) * 2017-06-01 2017-08-11 深圳市贵峰精密有限公司 A kind of silk-screen printing automatic paper feeding localization machine
CN107471241A (en) * 2017-09-30 2017-12-15 苏州科技大学 Flat plate gripping robot
CN109305557A (en) * 2018-09-10 2019-02-05 尹晓蕾 Feeding device is used in cell piece production
CN110589535A (en) * 2019-09-20 2019-12-20 永发印务(四川)有限公司 Paper extraction mechanism with high-precision single-sheet adsorption function and control method thereof
CN111469046A (en) * 2020-04-22 2020-07-31 华海清科股份有限公司 Wafer loading cup
US11394037B2 (en) 2018-10-02 2022-07-19 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Conveying apparatus for separator for fuel cell

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01140353U (en) * 1988-03-18 1989-09-26
JPH0432426A (en) * 1990-05-25 1992-02-04 Hitachi Chem Co Ltd Substrate charging device
JPH08119480A (en) * 1994-10-26 1996-05-14 Yamada Mekki Kogyosho:Kk Peeling device for sheet material
JPH0964152A (en) * 1995-08-24 1997-03-07 Mimasu Handotai Kogyo Kk Wafer separation apparatus
JP2010064814A (en) * 2008-09-09 2010-03-25 Nec Corp Method and device for acquiring flexible plate-like body by separation

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01140353U (en) * 1988-03-18 1989-09-26
JPH0432426A (en) * 1990-05-25 1992-02-04 Hitachi Chem Co Ltd Substrate charging device
JPH08119480A (en) * 1994-10-26 1996-05-14 Yamada Mekki Kogyosho:Kk Peeling device for sheet material
JPH0964152A (en) * 1995-08-24 1997-03-07 Mimasu Handotai Kogyo Kk Wafer separation apparatus
JP2010064814A (en) * 2008-09-09 2010-03-25 Nec Corp Method and device for acquiring flexible plate-like body by separation

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE1019301A5 (en) * 2011-08-31 2012-05-08 Develop Mechanics Nv DEVICE FOR HANDLING SEMICONDUCTOR WAFERS.
CN102364668A (en) * 2011-10-28 2012-02-29 北京太阳能电力研究院有限公司 Silicon wafer box and silicon wafer feeding device
CN103863854A (en) * 2012-12-10 2014-06-18 上海旭恒精工机械制造有限公司 High-speed digital paper transfer device for die-cutting machine
KR101416859B1 (en) * 2012-12-18 2014-07-08 한국영상기술(주) Film transporting apparatus
KR101645723B1 (en) * 2013-11-14 2016-09-09 (주)구일엔지니어링 Structure of wafer storage
KR20150056124A (en) * 2013-11-14 2015-05-26 (주)구일엔지니어링 Structure of wafer storage
CN104692154A (en) * 2013-12-04 2015-06-10 天津市诚远印刷机械有限公司 Intelligent paper feeding machine
CN104692154B (en) * 2013-12-04 2017-02-01 天津市诚远印刷机械有限公司 Intelligent paper feeding machine
CN105270889A (en) * 2014-06-27 2016-01-27 三星钻石工业股份有限公司 Method And Apparatus For Transporting Brittle Material Substrate
CN104867855A (en) * 2015-04-24 2015-08-26 浙江长兴汉能光伏有限公司 Solar battery backboard removing and delivering apparatus
CN107032149A (en) * 2017-06-01 2017-08-11 深圳市贵峰精密有限公司 A kind of silk-screen printing automatic paper feeding localization machine
CN107471241A (en) * 2017-09-30 2017-12-15 苏州科技大学 Flat plate gripping robot
CN109305557A (en) * 2018-09-10 2019-02-05 尹晓蕾 Feeding device is used in cell piece production
CN109305557B (en) * 2018-09-10 2020-11-13 六安华晟智恒工业设计有限公司 Loading attachment is used in battery piece production
US11394037B2 (en) 2018-10-02 2022-07-19 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Conveying apparatus for separator for fuel cell
CN110589535A (en) * 2019-09-20 2019-12-20 永发印务(四川)有限公司 Paper extraction mechanism with high-precision single-sheet adsorption function and control method thereof
CN111469046A (en) * 2020-04-22 2020-07-31 华海清科股份有限公司 Wafer loading cup

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