JP2010156590A - Concentration sensor - Google Patents

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Takayoshi Mochizuki
隆義 望月
Masami Iwayama
正巳 岩山
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To precisely detect concentration in a concentration sensor composed to detect concentration of chemical substances in a solution to be inspected by utilizing surface acoustic waves. <P>SOLUTION: The concentration sensor is composed as a self-excitation type concentration sensor including a short channel 34A and an open channel 34B. In this case, electronic components 90 for composing oscillation circuits of the respective channel sections 34A, 34B are disposed under environmental temperature nearly equal to that of the respective channel sections 34A, 34B abutting to the solution to be inspected. More specifically, a lower frame 74 of a casing 70 where a storage space 80 of the solution to be inspected is formed is composed of members having small thermal resistance. Then, the rear of a support substrate 92 where the electronic components 92 have been packaged on the front is brought into face contact with a lower surface of a floor-like section 74g of the lower frame 74, thus heat of the solution to be inspected is transferred to the electronic components 90 via the floor-like section 74g and the support substrate 92, thereby enabling to nearly accurately grasp factors of environmental temperature when calculating the concentration of chemical substances. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本願発明は、弾性表面波を利用して被検溶液中の化学物質濃度を検出するように構成された濃度センサに関するものであり、特に、そのセンサ本体として、ショートチャンネルおよびオープンチャンネルを備えた濃度センサに関するものである。   The present invention relates to a concentration sensor configured to detect a chemical substance concentration in a test solution using surface acoustic waves, and in particular, a concentration having a short channel and an open channel as the sensor body. It relates to sensors.

従来より、被検溶液中の化学物質濃度(例えばメタノール濃度)を検出するための濃度センサとして、弾性表面波を利用したものが知られている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a sensor using surface acoustic waves is known as a concentration sensor for detecting a chemical substance concentration (for example, methanol concentration) in a test solution.

この濃度センサは、そのセンサ本体として、例えば「特許文献1」に記載されているように、圧電基板上に1対の交差指電極が所定間隔を置いて配置されてなるチャンネル部を備えた構成となっている。   This concentration sensor has a channel body in which a pair of cross-finger electrodes are arranged on a piezoelectric substrate at a predetermined interval as described in, for example, “Patent Document 1” as the sensor body. It has become.

そして、この濃度センサにおいては、一方の交差指電極を励振させて圧電基板上に弾性表面波を発生させるとともに、これにより他方の交差指電極まで伝播した弾性表面波を該交差指電極で受振させる構成となっている。その際、弾性表面波の伝播速度は化学物質濃度により変化するので、他方の交差指電極で受振した弾性表面波の周波数に基づいて濃度検出を行うことが可能となる。   In this concentration sensor, one cross finger electrode is excited to generate a surface acoustic wave on the piezoelectric substrate, and the surface acoustic wave propagated to the other cross finger electrode is thereby received by the cross finger electrode. It has a configuration. At this time, since the propagation speed of the surface acoustic wave changes depending on the chemical substance concentration, it is possible to detect the concentration based on the frequency of the surface acoustic wave received by the other interdigitated electrode.

従来の濃度センサの多くは、上記「特許文献1」にも記載されているように、一方の交差指電極の励振を、該交差指電極に所定の高周波信号電圧を印加することにより行う、いわゆる他励式の濃度センサとして構成されている。   Many of the conventional concentration sensors perform so-called excitation of one cross finger electrode by applying a predetermined high-frequency signal voltage to the cross finger electrode as described in "Patent Document 1". It is configured as a separately excited type density sensor.

その際「特許文献2」には、このような他励式の濃度センサにおいて、そのセンサ本体のチャンネル部として、両交差指電極間における圧電基板上の領域が、両交差指電極のアース電極指に短絡された導電層によって覆われているショートチャンネルと、両交差指電極間における圧電基板上の領域が露出しているオープンチャンネルとを備えた構成で、かつ、両チャンネル部が並列で配置された構成が記載されている。   At that time, in “Patent Document 2”, in such a separately excited type concentration sensor, the region on the piezoelectric substrate between the two crossed finger electrodes is used as the ground electrode finger of the two crossed finger electrodes as the channel portion of the sensor body. A configuration comprising a short channel covered by a short-circuited conductive layer and an open channel in which a region on the piezoelectric substrate between the two interdigitated electrodes is exposed, and both channel portions are arranged in parallel The configuration is described.

そして、この「特許文献2」に記載された濃度センサにおいては、ショートチャンネルにおける弾性表面波の伝播速度と、オープンチャンネルにおける弾性表面波の伝播速度との差に基づいて、濃度検出を行う構成となっている。   In the concentration sensor described in “Patent Document 2”, the concentration detection is performed based on the difference between the propagation speed of the surface acoustic wave in the short channel and the propagation speed of the surface acoustic wave in the open channel. It has become.

特開2005−315646号公報JP 2005-315646 A 特開平9−80035号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-80035

上記従来の濃度センサは、いずれも他励式の濃度センサとして構成されているが、チャンネル部に発振用回路を接続して閉ループ回路を構成し、これにより自励発振を生起させる、いわゆる自励式の濃度センサとして構成することも可能である。   Each of the above conventional density sensors is configured as a separately excited type density sensor. However, a so-called self-excited type sensor in which a self-oscillation is generated by connecting a circuit for oscillation to a channel portion to form a closed-loop circuit. It can also be configured as a density sensor.

その際、この自励式の濃度センサの発振用回路として、高周波増幅器とそのゲインを調整する自動利得制御回路とを備えた構成とした上で、この発振用回路をショートチャンネルおよびオープンチャンネルの各々に接続して、それぞれ閉ループ回路を構成するようにすれば、ショートチャンネル側の発振用回路の高周波増幅器から出力される発振周波数信号およびその自動利得制御回路から出力されるゲイン調整電圧信号と、オープンチャンネル側の発振用回路の高周波増幅器から出力される発振周波数信号およびその自動利得制御回路から出力されるゲイン調整電圧信号とに基づいて、被検溶液中の化学物質濃度を算出することが可能となる。そして、このような構成を採用することにより、他励式の濃度センサに比して、濃度検出を精度良く行うことが可能となる。   At that time, the oscillation circuit of the self-excited concentration sensor is configured to include a high-frequency amplifier and an automatic gain control circuit for adjusting the gain, and the oscillation circuit is provided for each of the short channel and the open channel. When connected to form a closed loop circuit, the oscillation frequency signal output from the high frequency amplifier of the short channel oscillation circuit, the gain adjustment voltage signal output from the automatic gain control circuit, and the open channel The chemical substance concentration in the test solution can be calculated based on the oscillation frequency signal output from the high frequency amplifier of the oscillation circuit on the side and the gain adjustment voltage signal output from the automatic gain control circuit. . By adopting such a configuration, it is possible to perform density detection with higher accuracy than a separately excited density sensor.

しかしながら、このような自励式の濃度センサ濃度を採用した場合には、各発振周波数信号および各ゲイン調整電圧信号が外乱の影響を受けやすくなり、その出力値に誤差が生じやすくなってしまう、という問題もある。   However, when such a self-excited concentration sensor concentration is adopted, each oscillation frequency signal and each gain adjustment voltage signal are easily affected by disturbance, and an error is likely to occur in the output value. There is also a problem.

すなわち、各発振周波数信号の出力値は、環境温度に依存した値となるので、化学物質濃度を算出する際には、その環境温度の要因について正確に把握しておく必要がある。しかしながら、濃度センサにおいて、被検溶液と接触する各チャンネル部と、この被検溶液が収容された収容空間から離れた位置にある各発振用回路とでは、その環境温度が異なったものとなる。このため、化学物質濃度を算出する際に環境温度の要因を正確に把握することができず、したがって濃度検出の精度も低下してしまう、という問題がある。   That is, the output value of each oscillation frequency signal depends on the environmental temperature. Therefore, when calculating the chemical substance concentration, it is necessary to accurately grasp the cause of the environmental temperature. However, in the concentration sensor, the environmental temperature differs between each channel portion that comes into contact with the test solution and each oscillation circuit that is located away from the storage space in which the test solution is stored. For this reason, when calculating the chemical substance concentration, there is a problem that the factor of the environmental temperature cannot be accurately grasped, and therefore the accuracy of concentration detection is also lowered.

本願発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、弾性表面波を利用して被検溶液中の化学物質濃度を検出するように構成された濃度センサにおいて、濃度検出を精度良く行うことができる濃度センサを提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and in a concentration sensor configured to detect the concentration of a chemical substance in a test solution using surface acoustic waves, the concentration detection is performed with high accuracy. An object of the present invention is to provide a density sensor that can be used.

本願発明は、ショートチャンネルおよびオープンチャンネルを有する自励式の濃度センサを採用した上で、その発振用回路を構成する電子部品の配置に工夫を施すことにより、上記目的達成を図るようにしたものである。   In the present invention, a self-excited concentration sensor having a short channel and an open channel is adopted, and the arrangement of electronic components constituting the oscillation circuit is devised to achieve the above object. is there.

すなわち、本願発明に係る濃度センサは、
被検溶液を収容するための収容空間が形成された筐体と、
圧電基板上に、1対の交差指電極が所定間隔を置いて配置されてなる第1のチャンネル部と、この第1のチャンネル部と並列で1対の交差指電極が所定間隔を置いて配置されてなる第2のチャンネル部とが形成されてなり、上記第1および第2のチャンネル部を上記収容空間に露出させた状態で上記筐体に取り付けられたセンサ本体と、
このセンサ本体の各チャンネル部に接続され、該チャンネル部とで自励発振を生起させる閉ループ回路を構成する第1および第2の発振用回路と、を備えてなり、
上記第1のチャンネル部が、該チャンネル部の両交差指電極間における上記圧電基板上の領域を、これら両交差指電極のアース電極指に短絡された導電層で覆ったショートチャンネルとして構成されるとともに、上記第2のチャンネル部が、該チャンネル部の両交差指電極間における上記圧電基板上の領域を露出させたオープンチャンネルとして構成されており、
上記各発振用回路が、高周波増幅器と、この高周波増幅器のゲインを調整する自動利得制御回路とを備えてなり、
上記各チャンネル部における1対の交差指電極のうち、一方の交差指電極を励振させて上記圧電基板上に弾性表面波を発生させるとともに、他方の交差指電極まで伝播した上記弾性表面波を該交差指電極で受振させるように構成された濃度センサにおいて、
上記第1および第2の発振用回路を構成する電子部品が、上記第1および第2のチャンネル部と略同じ環境温度下に配置されている、ことを特徴とするものである。
That is, the concentration sensor according to the present invention is
A housing in which a storage space for storing a test solution is formed;
On the piezoelectric substrate, a first channel part in which a pair of cross finger electrodes are arranged at a predetermined interval, and a pair of cross finger electrodes are arranged in parallel with the first channel part at a predetermined interval. A sensor body attached to the housing in a state where the first and second channel portions are exposed to the housing space, and a second channel portion is formed.
A first oscillation circuit and a second oscillation circuit that are connected to each channel portion of the sensor body and constitute a closed-loop circuit that causes self-excited oscillation with the channel portion;
The first channel portion is configured as a short channel in which a region on the piezoelectric substrate between the two crossed finger electrodes of the channel portion is covered with a conductive layer short-circuited to the ground electrode fingers of the two crossed finger electrodes. And the second channel portion is configured as an open channel exposing a region on the piezoelectric substrate between both crossed finger electrodes of the channel portion,
Each oscillation circuit includes a high-frequency amplifier and an automatic gain control circuit that adjusts the gain of the high-frequency amplifier.
Among the pair of cross finger electrodes in each channel part, one cross finger electrode is excited to generate a surface acoustic wave on the piezoelectric substrate, and the surface acoustic wave propagated to the other cross finger electrode is In the concentration sensor configured to receive vibration with the interdigitated electrode,
The electronic components constituting the first and second oscillation circuits are arranged at substantially the same environmental temperature as the first and second channel portions.

本願発明に係る濃度センサの濃度検出の対象となる「被検溶液中の化学物質濃度」の種類は特に限定されるものではなく、例えばメタノール濃度や蟻酸濃度等が採用可能である。   The type of “chemical substance concentration in the test solution” that is a target for concentration detection by the concentration sensor according to the present invention is not particularly limited, and for example, methanol concentration, formic acid concentration, or the like can be employed.

上記「電子部品」は、第1および第2のチャンネル部と略同じ環境温度下に配置されたものであれば、その配置の具体的な態様は特に限定されるものでない。   As long as the “electronic component” is disposed at substantially the same environmental temperature as the first and second channel portions, the specific mode of the arrangement is not particularly limited.

上記構成に示すように、本願発明に係る濃度センサは、ショートチャンネルを構成する第1チャンネル部とオープンチャンネルを構成する第2チャンネル部とを備えた自励式の濃度センサとして構成されているので、ショートチャンネル側の発振用回路の高周波増幅器から出力される発振周波数信号およびその自動利得制御回路から出力されるゲイン調整電圧信号と、オープンチャンネル側の発振用回路の高周波増幅器から出力される発振周波数信号およびその自動利得制御回路から出力されるゲイン調整電圧信号とに基づいて、被検溶液中の化学物質濃度を算出することが可能となり、これにより濃度検出を精度良く行うことが可能となる。   As shown in the above configuration, the concentration sensor according to the present invention is configured as a self-excited concentration sensor including a first channel portion that constitutes a short channel and a second channel portion that constitutes an open channel. The oscillation frequency signal output from the high frequency amplifier of the oscillation circuit on the short channel side and the gain adjustment voltage signal output from the automatic gain control circuit, and the oscillation frequency signal output from the high frequency amplifier of the oscillation circuit on the open channel side Based on the gain adjustment voltage signal output from the automatic gain control circuit, it is possible to calculate the chemical substance concentration in the test solution, thereby making it possible to accurately detect the concentration.

その際、本願発明においては、第1および第2の発振用回路を構成する電子部品が、被検溶液と接触する第1および第2のチャンネル部と略同じ環境温度下に配置された構成となっているので、化学物質濃度を算出する際に環境温度の要因を略正確に把握することが可能となり、これにより濃度検出も精度良く行うことができる。   In this case, in the present invention, the electronic components constituting the first and second oscillation circuits are arranged at substantially the same environmental temperature as the first and second channel portions that are in contact with the test solution. Therefore, when calculating the chemical substance concentration, it is possible to grasp the cause of the environmental temperature substantially accurately, and thereby the concentration can be detected with high accuracy.

このように本願発明によれば、弾性表面波を利用して被検溶液中の化学物質濃度を検出するように構成された濃度センサにおいて、濃度検出を精度良く行うことができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to accurately detect the concentration in the concentration sensor configured to detect the chemical substance concentration in the test solution using the surface acoustic wave.

上記構成において、電子部品の配置の具体的な態様が特に限定されないことは上述したとおりであるが、次のような態様で配置された構成とすることが可能である。   In the above configuration, the specific aspect of the arrangement of the electronic components is not particularly limited as described above. However, the electronic component may be arranged in the following manner.

例えば、筐体における収容空間を囲む周壁部の少なくとも一部が、熱抵抗が小さい部材で構成されたものとした上で、電子部品が支持基板の表面に実装された構成とするとともに、この支持基板が、その裏面を筐体の周壁部における熱抵抗が小さい部材で構成された部分の外面と面接触させるようにして配置された構成とすることが可能である。   For example, it is assumed that at least a part of the peripheral wall portion surrounding the accommodation space in the housing is made of a member having low thermal resistance, and the electronic component is mounted on the surface of the support substrate, and this support It is possible to adopt a configuration in which the substrate is arranged so that the back surface thereof is in surface contact with the outer surface of the portion made of a member having a low thermal resistance in the peripheral wall portion of the housing.

このような構成を採用した場合には、収容空間に収容された被検溶液の熱が、周壁部における熱抵抗が小さい部材で構成された部分および支持基板を介して、電子部品まで熱伝導により伝達されることとなるので、この伝導熱により、電子部品として構成された各発振用回路の温度を各チャンネル部の温度と略同じ温度にすることが可能となる。   When such a configuration is adopted, the heat of the test solution accommodated in the accommodation space is transferred by heat conduction to the electronic component through the portion formed of a member having a small thermal resistance in the peripheral wall portion and the support substrate. Since the heat is transmitted, the temperature of each oscillation circuit configured as an electronic component can be made substantially the same as the temperature of each channel portion by this conduction heat.

その際、上記「熱抵抗が小さい部材」とは、熱伝導率が1W/m・K以上の素材で構成された部材を意味するものであって、この条件を満たす部材であれば、その種類は特に限定されるものではなく、例えば、金属製の部材や、樹脂材料に金属、セラミックス、無機フィラー等を混合した高熱伝導樹脂製の部材等が採用可能である。   In this case, the “member with low thermal resistance” means a member made of a material having a thermal conductivity of 1 W / m · K or more, and if it is a member satisfying this condition, its type Is not particularly limited, and for example, a metal member or a member made of a high thermal conductive resin in which a metal, ceramics, inorganic filler, or the like is mixed with a resin material can be employed.

上記構成において、電子部品の配置の他の具体的な態様として、電子部品が、被膜で覆われた状態で、収容空間の内部に配置された構成とすることも可能である。   In the above configuration, as another specific aspect of the arrangement of the electronic components, the electronic components may be arranged inside the accommodation space in a state of being covered with a film.

このような構成を採用した場合には、電子部品についても、各チャンネル部と同様、被検溶液と被膜を介してではあるが接触することとなるので、この電子部品として構成された各発振用回路の温度と各チャンネル部の温度との一致度を、より高めることができる。また、このような構成を採用することにより、筐体をコンパクトに構成することができる。   When such a configuration is adopted, the electronic component also comes into contact with the test solution via the coating film, as with each channel portion. The degree of coincidence between the temperature of the circuit and the temperature of each channel portion can be further increased. Further, by adopting such a configuration, the housing can be configured in a compact manner.

その際、電子部品を覆う「被膜」は、所望の絶縁性、耐熱性および熱伝導率を備え、かつ、電子部品が被検溶液との直接接触によってその機能に支障を来たしてしまうのを防止することができるとともに、周囲の熱を電子部品に伝えることができるものであれば、その種類や膜厚等の具体的な構成は特に限定されるものではない。   At that time, the “coating” covering the electronic component has the desired insulation, heat resistance and thermal conductivity, and prevents the electronic component from interfering with its function due to direct contact with the test solution. The specific configuration such as the type and the film thickness is not particularly limited as long as it can transmit the ambient heat to the electronic component.

この場合において、収容空間の内部における電子部品の具体的な配置は特に限定されるものではないが、電子部品が圧電基板上に実装されている構成とすれば、センサ本体を筐体に取り付けることにより、電子部品は自動的に収容空間に配置されることとなるので、濃度センサの構成および組付作業を簡素化することができる。   In this case, the specific arrangement of the electronic components inside the accommodation space is not particularly limited. However, if the electronic components are mounted on the piezoelectric substrate, the sensor body is attached to the housing. Thus, the electronic component is automatically arranged in the accommodation space, so that the configuration and assembly work of the concentration sensor can be simplified.

上記構成において、筐体全体が熱抵抗が小さい部材で構成されたものとした上で、この筐体が断熱材で覆われている構成とすれば、電子部品として構成された各発振用回路の温度と各チャンネル部の温度との一致度をさらに高めることができる。   In the above configuration, if the entire casing is configured with a member having low thermal resistance, and the casing is covered with a heat insulating material, each oscillation circuit configured as an electronic component The degree of coincidence between the temperature and the temperature of each channel portion can be further increased.

以下、図面を用いて、本願発明の実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本願発明の一実施形態に係る濃度センサ10を示すブロック図である。   FIG. 1 is a block diagram showing a concentration sensor 10 according to an embodiment of the present invention.

同図に示すように、本実施形態に係る濃度センサ10は、センサユニット20と、このセンサユニット20に接続された制御ユニット50とを備えてなっている。その際、センサユニット20は、センサ本体30と、第1および第2の発振用回路40A、40Bとを備えてなっている。   As shown in the figure, the concentration sensor 10 according to this embodiment includes a sensor unit 20 and a control unit 50 connected to the sensor unit 20. At that time, the sensor unit 20 includes a sensor main body 30 and first and second oscillation circuits 40A and 40B.

そして、この濃度センサ10は、そのセンサ本体30を被検溶液中に配置した状態で、この被検溶液に含まれている化学物質(例えばメタノール)の濃度を検出するようになっている。   The concentration sensor 10 detects the concentration of a chemical substance (for example, methanol) contained in the test solution in a state where the sensor body 30 is disposed in the test solution.

センサ本体30は、圧電基板32上に、1対の交差指電極34A1、34A2が所定間隔を置いて配置されてなる第1のチャンネル部34Aと、この第1のチャンネル部34Aと並列で1対の交差指電極34B1、34B2が上記所定間隔と同じ間隔を置いて配置されてなる第2のチャンネル部34Bとが形成された構成となっている。   The sensor body 30 has a first channel portion 34A in which a pair of crossed finger electrodes 34A1 and 34A2 are arranged at a predetermined interval on a piezoelectric substrate 32, and a pair in parallel with the first channel portion 34A. The cross channel electrodes 34B1 and 34B2 are arranged at the same interval as the second interval 34B.

第1のチャンネル部34Aは、その一方の交差指電極34A1における一方の電極指が入力用電極指34Aiを構成しており、また、その他方の交差指電極34A2における一方の電極指が出力用電極指34Aoを構成している。   In the first channel portion 34A, one electrode finger in one of the cross finger electrodes 34A1 constitutes an input electrode finger 34Ai, and one electrode finger in the other cross finger electrode 34A2 is an output electrode. The finger 34Ao is configured.

一方、第2のチャンネル部34Bは、その一方の交差指電極34B1における一方の電極指が入力用電極指34Biを構成しており、また、その他方の交差指電極34B2における一方の電極指が出力用電極指34Boを構成している。   On the other hand, in the second channel portion 34B, one electrode finger in one cross finger electrode 34B1 constitutes an input electrode finger 34Bi, and one electrode finger in the other cross finger electrode 34B2 is output. The electrode finger 34Bo is configured.

そして、第1のチャンネル部34Aの各交差指電極34A1、34A2における他方の電極指と、第2のチャンネル部34Bの各交差指電極34B1、34B2における他方の電極指とが、共通のアース電極指34gを構成している。   The other electrode finger of each cross finger electrode 34A1, 34A2 of the first channel portion 34A and the other electrode finger of each cross finger electrode 34B1, 34B2 of the second channel portion 34B are common ground electrode fingers. 34g is comprised.

これら各チャンネル部34A、34Bにおいては、その一方の交差指電極34A1、34B1が励振することにより圧電基板32上に横波型の弾性表面波を発生させるように構成されており、そして、これにより圧電基板32上をその他方の交差指電極34A2、34B2まで伝播した弾性表面波を、これら各交差指電極34A2、34B2で受振するように構成されている。   Each of the channel portions 34A and 34B is configured to generate a transverse wave type surface acoustic wave on the piezoelectric substrate 32 by exciting one of the interdigitated electrodes 34A1 and 34B1. The surface acoustic wave propagated on the substrate 32 to the other cross finger electrodes 34A2 and 34B2 is received by the cross finger electrodes 34A2 and 34B2.

第1および第2のチャンネル部34A、34Bは、互いに線対称の構成を有しており、かつ互いに隣接して配置されているが、以下の構成が両者間で異なっている。   The first and second channel portions 34A and 34B have a line-symmetric configuration with each other and are disposed adjacent to each other, but the following configurations are different between the two.

すなわち、第1のチャンネル部34Aは、その交差指電極34A1、34A2間における圧電基板32上の領域が、アース電極指34gに短絡された導電層34A3で覆われたショートチャンネルとして構成されている。一方、第2のチャンネル部34Bは、その交差指電極34B1、34B2間における圧電基板32上の領域が露出したオープンチャンネルとして構成されている。   That is, the first channel portion 34A is configured as a short channel in which the region on the piezoelectric substrate 32 between the cross finger electrodes 34A1 and 34A2 is covered with the conductive layer 34A3 short-circuited to the ground electrode finger 34g. On the other hand, the second channel portion 34B is configured as an open channel in which a region on the piezoelectric substrate 32 between the interdigitated electrodes 34B1 and 34B2 is exposed.

以下、第1のチャンネル部34Aを「ショートチャンネル34A」、第2のチャンネル部34Bを「オープンチャンネル34B」という。   Hereinafter, the first channel portion 34A is referred to as “short channel 34A”, and the second channel portion 34B is referred to as “open channel 34B”.

第1および第2の発振用回路40A、40Bは、第1の発振用回路40Aがショートチャンネル34Aに接続されており、第2の発振用回路40Bがショートチャンネル34Bに接続されている。そして、発振用回路40Aは、ショートチャンネル34Aとで、自励発振を生起させる閉ループ回路22Aを構成するようになっており、発振用回路40Bは、オープンチャンネル34Bとで、自励発振を生起させる閉ループ回路22Bを構成するようになっている。   In the first and second oscillation circuits 40A and 40B, the first oscillation circuit 40A is connected to the short channel 34A, and the second oscillation circuit 40B is connected to the short channel 34B. The oscillation circuit 40A constitutes a closed loop circuit 22A that causes self-excited oscillation with the short channel 34A, and the oscillation circuit 40B causes self-excited oscillation with the open channel 34B. A closed loop circuit 22B is configured.

ショートチャンネル側の発振用回路40Aは、高周波増幅器42Aと、自動利得制御回路44Aと、ローパスフィルタ46Aとで構成されている。   The short channel side oscillation circuit 40A includes a high frequency amplifier 42A, an automatic gain control circuit 44A, and a low pass filter 46A.

高周波増幅器42Aは、ショートチャンネル34Aの出力用電極指34Aoから出力される発振周波数信号を増幅して、これをショートチャンネル34Aの入力用電極指34Aiに戻すように構成されている。   The high frequency amplifier 42A is configured to amplify the oscillation frequency signal output from the output electrode finger 34Ao of the short channel 34A and return it to the input electrode finger 34Ai of the short channel 34A.

自動利得制御回路44Aは、高周波増幅器42Aからの出力信号(すなわちショートチャンネル34Aへの入力信号)の電圧振幅を一定に維持することにより、高周波増幅器42Aのゲイン調整を行うようになっている。   The automatic gain control circuit 44A adjusts the gain of the high frequency amplifier 42A by keeping the voltage amplitude of the output signal from the high frequency amplifier 42A (that is, the input signal to the short channel 34A) constant.

ローパスフィルタ46Aは、閉ループ回路22Aにおいて発振させようとする周波数(例えば50MHz)よりも高い周波数領域での発振を阻止するために、ショートチャンネル34Aの出力用電極指34Aoと高周波増幅器42Aとの間に配置されている。   The low-pass filter 46A is provided between the output electrode finger 34Ao of the short channel 34A and the high-frequency amplifier 42A in order to prevent oscillation in a frequency region higher than the frequency (for example, 50 MHz) to be oscillated in the closed loop circuit 22A. Has been placed.

オープンチャンネル側の発振用回路40Bも、ショートチャンネル側の発振用回路40Aと同様の構成を有している。すなわち、この発振用回路40Bは、高周波増幅器42Bと、自動利得制御回路44Bと、ローパスフィルタ46Bとで構成されている。   The open channel side oscillation circuit 40B has the same configuration as the short channel side oscillation circuit 40A. That is, the oscillation circuit 40B includes a high frequency amplifier 42B, an automatic gain control circuit 44B, and a low pass filter 46B.

そして、センサユニット20は、ショートチャンネル側の発振用回路40Aにおける高周波増幅器42Aから出力される発振周波数fsの信号および自動利得制御回路44Aから出力されるゲイン調整電圧(AGC電圧)Vsの信号と、オープンチャンネル側の発振用回路40Bにおける高周波増幅器42Bから出力される発振周波数foの信号および自動利得制御回路44Bから出力されるゲイン調整電圧Voの信号とを、制御ユニット50に入力するようになっている。   The sensor unit 20 includes a signal of the oscillation frequency fs output from the high frequency amplifier 42A in the oscillation circuit 40A on the short channel side and a signal of the gain adjustment voltage (AGC voltage) Vs output from the automatic gain control circuit 44A. The signal of the oscillation frequency fo output from the high frequency amplifier 42B in the oscillation circuit 40B on the open channel side and the signal of the gain adjustment voltage Vo output from the automatic gain control circuit 44B are input to the control unit 50. Yes.

制御ユニット50は、CPU52と、このCPU52に接続された周波数カウンタ54およびA/D変換器56とを備えてなっている。   The control unit 50 includes a CPU 52, a frequency counter 54 and an A / D converter 56 connected to the CPU 52.

周波数カウンタ54には、ショートチャンネル側の閉ループ回路22Aから出力される発振周波数fsの信号と、オープンチャンネル側の閉ループ回路22Bから出力される発振周波数foの信号とが入力されるようになっている。そして、この周波数カウンタ54において、これら各発振周波数fs、foの計測を行うようになっている。   The frequency counter 54 is supplied with the signal of the oscillation frequency fs output from the closed loop circuit 22A on the short channel side and the signal of the oscillation frequency fo output from the closed loop circuit 22B on the open channel side. . The frequency counter 54 measures the oscillation frequencies fs and fo.

A/D変換器56には、ショートチャンネル側の閉ループ回路22Aから出力されるゲイン調整電圧Vsの信号と、オープンチャンネル側の閉ループ回路22Bから出力されるゲイン調整電圧Voの信号とが入力されるようになっている。そして、このA/D変換器56において、これら各ゲイン調整電圧Vs、Voの信号をA/D変換するようになっている。   The A / D converter 56 receives the signal of the gain adjustment voltage Vs output from the closed loop circuit 22A on the short channel side and the signal of the gain adjustment voltage Vo output from the closed loop circuit 22B on the open channel side. It is like that. The A / D converter 56 A / D converts the signals of these gain adjustment voltages Vs and Vo.

CPU52は、周波数カウンタ54で計測された各発振周波数信号の出力値fs、foと、A/D変換された各ゲイン調整電圧信号の出力値Vs、Voとに基づいて、被検溶液中の化学物質濃度を算出するようになっている。   The CPU 52 determines the chemistry in the test solution based on the output values fs and fo of each oscillation frequency signal measured by the frequency counter 54 and the output values Vs and Vo of each gain adjustment voltage signal subjected to A / D conversion. The substance concentration is calculated.

このCPU52による化学物質濃度の算出は、次のようにして行われるようになっている。   The calculation of the chemical substance concentration by the CPU 52 is performed as follows.

すなわち、発振周波数fsは、ショートチャンネル34Aの圧電基板32上を伝播する弾性表面波の速度に応じた値となり、また、発振周波数foは、オープンチャンネル34Bの圧電基板32上を伝播する弾性表面波の速度に応じた値となる。   That is, the oscillation frequency fs has a value corresponding to the velocity of the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate 32 of the short channel 34A, and the oscillation frequency fo is the surface acoustic wave propagating on the piezoelectric substrate 32 of the open channel 34B. It becomes a value according to the speed.

一方、被検溶液中の化学物質濃度が変化すると、これに伴って被検溶液の誘電率も変化する。そして、この誘電率が変化すると、弾性表面波の伝播速度も変化する。その際、ショートチャンネル34Aとオープンチャンネル34Bとでは、導電層34A3の有無の差により、誘電率の変化に対する弾性表面波の伝播速度の変化の度合が異なったものとなる。   On the other hand, when the chemical substance concentration in the test solution changes, the dielectric constant of the test solution also changes accordingly. When the dielectric constant changes, the propagation speed of the surface acoustic wave also changes. At this time, the degree of change in the propagation speed of the surface acoustic wave with respect to the change in the dielectric constant differs between the short channel 34A and the open channel 34B depending on the presence or absence of the conductive layer 34A3.

そして、この弾性表面波の伝播速度の差が、ショートチャンネル側の閉ループ回路22Aから出力される発振周波数fsとオープンチャンネル側の閉ループ回路22Bから出力される発振周波数foとの差となって現れる。また、各ゲイン調整電圧Vs、Voは、弾性表面波が伝播する際のエネルギの減衰の度合に応じた値となる。   The difference in the propagation speed of the surface acoustic wave appears as a difference between the oscillation frequency fs output from the closed loop circuit 22A on the short channel side and the oscillation frequency fo output from the closed loop circuit 22B on the open channel side. The gain adjustment voltages Vs and Vo are values corresponding to the degree of energy attenuation when the surface acoustic wave propagates.

そこで、これら発振周波数fs、foおよびゲイン調整電圧Vs、Voという4つの出力値を用いて、所定のアルゴリズムに基づいて演算を行うことにより、被検溶液中の化学物質濃度を算出するようになっている。   Therefore, the chemical substance concentration in the test solution is calculated by performing an operation based on a predetermined algorithm using the four output values of the oscillation frequencies fs and fo and the gain adjustment voltages Vs and Vo. ing.

なお、センサユニット20における各発振用回路40A、40Bの高周波増幅器42A、42Bと、その電源60との間には、オンオフスイッチ62A、62Bがそれぞれ配置されている。これら各オンオフスイッチ62A、62Bは、CPU52からの制御信号により、その開閉動作が行われるようになっている。   On / off switches 62A and 62B are arranged between the high frequency amplifiers 42A and 42B of the oscillation circuits 40A and 40B in the sensor unit 20 and the power supply 60, respectively. The on / off switches 62A and 62B are opened and closed by a control signal from the CPU 52.

図2は、センサ本体30を単品で示す平面図である。   FIG. 2 is a plan view showing the sensor body 30 as a single product.

同図に示すように、圧電基板32は、タンタル酸リチウム製の基板であって、平面視において左右両側端縁の形状が山形に設定された6角形の外形形状を有している。そして、ショートチャンネル34Aおよびオープンチャンネル34Bは、この圧電基板32の上面における一側端近傍部位(同図では右側端近傍部位)に形成されている。   As shown in the figure, the piezoelectric substrate 32 is a substrate made of lithium tantalate and has a hexagonal outer shape in which the shape of the left and right side edges is set in a mountain shape in plan view. The short channel 34 </ b> A and the open channel 34 </ b> B are formed in a portion near one side end (a portion near the right end in the figure) on the upper surface of the piezoelectric substrate 32.

この圧電基板32の上面における他側端近傍部位(同図では左側端近傍部位)には、5つの外部接続端子36Ai、36Ao、36Bi、36Bo、36gが、互いに略等間隔で形成されている。   Five external connection terminals 36Ai, 36Ao, 36Bi, 36Bo, 36g are formed at substantially equal intervals in the vicinity of the other end (the vicinity of the left end in the figure) on the upper surface of the piezoelectric substrate 32.

外部接続端子36Aiは、ショートチャンネル34Aの入力用電極指34Aiから左方向へ延びる帯状の導電層38Aiのターミナル部として形成されており、高周波増幅器42Aの出力端に接続されるようになっている。   The external connection terminal 36Ai is formed as a terminal portion of a strip-like conductive layer 38Ai extending leftward from the input electrode finger 34Ai of the short channel 34A, and is connected to the output end of the high-frequency amplifier 42A.

外部接続端子36Aoは、ショートチャンネル34Aの出力用電極指34Aoから左方向へ延びる帯状の導電層38Aoのターミナル部として形成されており、ローパスフィルタ46Aの入力端に接続されるようになっている。   The external connection terminal 36Ao is formed as a terminal portion of a strip-like conductive layer 38Ao extending leftward from the output electrode finger 34Ao of the short channel 34A, and is connected to the input end of the low-pass filter 46A.

外部接続端子36Biは、オープンチャンネル34Bの入力用電極指34Biから左方向へ延びる帯状の導電層38Biのターミナル部として形成されており、高周波増幅器42Bの出力端に接続されるようになっている。   The external connection terminal 36Bi is formed as a terminal portion of a strip-like conductive layer 38Bi extending leftward from the input electrode finger 34Bi of the open channel 34B, and is connected to the output end of the high-frequency amplifier 42B.

外部接続端子36Boは、オープンチャンネル34Bの出力用電極指34Boから左方向へ延びる帯状の導電層38Boのターミナル部として形成されており、ローパスフィルタ46Bの入力端に接続されるようになっている。   The external connection terminal 36Bo is formed as a terminal portion of a strip-like conductive layer 38Bo extending leftward from the output electrode finger 34Bo of the open channel 34B, and is connected to the input end of the low-pass filter 46B.

外部接続端子36gは、ショートチャンネル34Aおよびオープンチャンネル34B共通のアース電極指34gから左方向へ延びる帯状の導電層38gのターミナル部として形成されており、グラウンド電位に接地されるようになっている。   The external connection terminal 36g is formed as a terminal portion of a strip-like conductive layer 38g extending leftward from the ground electrode finger 34g common to the short channel 34A and the open channel 34B, and is grounded to the ground potential.

図3は、センサユニット20を示す平断面図であって、図4のIII−III線断面図である。また、図4は、図3のIV−IV線断面図である。   FIG. 3 is a plan sectional view showing the sensor unit 20, and is a sectional view taken along line III-III in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG.

これらの図に示すように、センサユニット20は、センサ本体30が筐体70に取り付けられた構造を有している。   As shown in these drawings, the sensor unit 20 has a structure in which a sensor main body 30 is attached to a housing 70.

筐体70は、上部フレーム72と、この上部フレーム72を載置固定する下部フレーム74と、この下部フレーム74の下面に当接するように配置されたベースプレート76と、これらを上方側から覆うように配置された状態で、ベースプレート76にカシメ固定されたカバー部材78とからなっている。   The housing 70 includes an upper frame 72, a lower frame 74 on which the upper frame 72 is placed and fixed, a base plate 76 disposed so as to contact the lower surface of the lower frame 74, and so as to cover them from above. The cover member 78 is caulked and fixed to the base plate 76 in the disposed state.

その際、上部フレーム72、下部フレーム74およびベースプレート76は、熱抵抗が小さい高熱伝導樹脂製の部材で構成されており、カバー部材78は、金属製の部材で構成されている。   At that time, the upper frame 72, the lower frame 74, and the base plate 76 are made of a member made of a high thermal conductive resin having a low thermal resistance, and the cover member 78 is made of a metal member.

下部フレーム74は、平面視において略矩形状の外形形状を有する厚い板状部材の上面に、矩形穴74aが形成された構成となっている。   The lower frame 74 has a configuration in which a rectangular hole 74a is formed on the upper surface of a thick plate member having a substantially rectangular outer shape in plan view.

上部フレーム72は、平面視において下部フレーム74と略同一の外形形状を有する板状部材に、下部フレーム74の矩形穴74aと同一の断面形状で該上部フレーム72を上下方向に貫通する矩形開口部72aが形成された構成となっている。   The upper frame 72 is formed in a plate-like member having substantially the same outer shape as the lower frame 74 in plan view, and has a rectangular opening that penetrates the upper frame 72 in the vertical direction with the same cross-sectional shape as the rectangular hole 74a of the lower frame 74. 72a is formed.

そして、下部フレーム74に載置固定された上部フレーム72が、カバー部材78で覆われることにより、その矩形穴74aおよび矩形開口部72aの内側に、被検溶液を収容するための収容空間80が形成されるようになっている。   Then, the upper frame 72 placed and fixed on the lower frame 74 is covered with the cover member 78, so that an accommodation space 80 for accommodating the test solution is formed inside the rectangular hole 74a and the rectangular opening 72a. It is supposed to be formed.

下部フレーム74の左側端面(すなわち上記他端部側の側面)には、平面視においてコ字形の有底切欠き部74bが形成されている。また、上部フレーム72の左側端面には、平面視において有底切欠き部74bと同一の断面形状の切欠き部72bが形成されている。   On the left end surface of the lower frame 74 (that is, the side surface on the other end side), a U-shaped bottomed cutout portion 74b is formed in plan view. A cutout portion 72b having the same cross-sectional shape as the bottomed cutout portion 74b in plan view is formed on the left end surface of the upper frame 72.

センサ本体30は、そのショートチャンネル34Aおよびオープンチャンネル34Bを収容空間80に露出させるとともに、その5つの外部接続端子36Ai、36Ao、36Bi、36Bo、36gを筐体70の外部空間に露出させた状態で、筐体70に片持ち支持されている。   The sensor main body 30 has the short channel 34A and the open channel 34B exposed to the accommodation space 80, and the five external connection terminals 36Ai, 36Ao, 36Bi, 36Bo, 36g are exposed to the external space of the housing 70. The case 70 is cantilevered.

この片持ち支持は、上部フレーム72と下部フレーム74とで、センサ本体30を挟持することにより行われている。その際、この挟持は、センサ本体30における左右方向の中央位置よりも左端縁寄りの位置において行われている。   This cantilever support is performed by sandwiching the sensor body 30 between the upper frame 72 and the lower frame 74. At this time, the clamping is performed at a position closer to the left edge than the center position in the left-right direction of the sensor body 30.

下部フレーム74における矩形穴74aと有底切欠き部74bとの間の帯状突起部74cの上面には、センサ本体30を載置するための段下がり凹部74dが形成されている。この段下がり凹部74dは、帯状突起部74cの上面における他の部分よりも一段低くなった部分であって、センサ本体30の厚みより僅かに深く形成されており、また、センサ本体30の幅よりも僅かに広く形成されている。   On the upper surface of the belt-like protrusion 74c between the rectangular hole 74a and the bottomed cutout 74b in the lower frame 74, a step-down recess 74d for mounting the sensor body 30 is formed. The step-down concave portion 74d is a portion that is one step lower than the other portions on the upper surface of the belt-like protrusion 74c, and is formed slightly deeper than the thickness of the sensor main body 30. Is also slightly wider.

そして、センサ本体30は、この段下がり凹部74dに、シール部材82を介して載置されている。この段下がり凹部74dには、シール部材82を配置するためのシール溝74eが、その底面部およびその両側の側壁部に形成されている。このシール溝74eは、帯状突起部74cの左右方向の略中央位置を通るようにして、断面円弧状に形成されている。そしてこれにより、シール溝74eにシール部材82が配置された段下がり凹部74dに、センサ本体30が載置されたとき、シール部材82がシール溝74eからその両側へ多少溢れ出すようにしている。   The sensor main body 30 is placed on the step-down recess 74d via a seal member 82. In the step-down recess 74d, seal grooves 74e for disposing the seal member 82 are formed on the bottom surface portion and the side wall portions on both sides thereof. The seal groove 74e is formed in a circular arc shape so as to pass through a substantially central position in the left-right direction of the belt-like protrusion 74c. Thus, when the sensor body 30 is placed in the step-down recess 74d in which the seal member 82 is disposed in the seal groove 74e, the seal member 82 overflows somewhat from the seal groove 74e to both sides thereof.

下部フレーム74に対する上部フレーム72の載置固定は、シール部材84を介して行われている。その際、上部フレーム72の下面には、その矩形開口部72aを略等距離で囲むシール溝72cが形成されている。このシール溝72cは、上部フレーム72における矩形開口部72aと切欠き部72bとの間に位置する梁状部72dの左右方向の略中央位置を通るようにして、断面円弧状に形成されている。そしてこれにより、シール溝72cにシール部材84が配置された上部フレーム72を下部フレーム74に載置したとき、シール部材84がシール溝72cからその両側へ多少溢れ出すようにしている。   The mounting and fixing of the upper frame 72 with respect to the lower frame 74 is performed via a seal member 84. At that time, a seal groove 72c is formed on the lower surface of the upper frame 72 so as to surround the rectangular opening 72a at a substantially equal distance. The seal groove 72c is formed in an arc shape in cross section so as to pass through a substantially central position in the left-right direction of the beam-like portion 72d located between the rectangular opening 72a and the notch 72b in the upper frame 72. . Thus, when the upper frame 72 in which the seal member 84 is disposed in the seal groove 72c is placed on the lower frame 74, the seal member 84 overflows somewhat from the seal groove 72c to both sides thereof.

上部フレーム72に対するカバー部材78の載置固定は、シール部材86を介して行われている。その際、上部フレーム72の上面には、その矩形開口部72aを略等距離で囲むシール溝72eが形成されている。このシール溝72eは、シール溝72cの略真上の位置を通るようにして、断面円弧状に形成されている。そしてこれにより、シール溝72eにシール部材86が配置された上部フレーム72にカバー部材78を載置したとき、シール部材86がシール溝74eからその両側へ多少溢れ出すようにしている。   The cover member 78 is mounted and fixed on the upper frame 72 via a seal member 86. At that time, a seal groove 72e is formed on the upper surface of the upper frame 72 so as to surround the rectangular opening 72a at a substantially equal distance. The seal groove 72e is formed in a circular arc shape so as to pass through a position substantially directly above the seal groove 72c. Thus, when the cover member 78 is placed on the upper frame 72 in which the seal member 86 is disposed in the seal groove 72e, the seal member 86 overflows somewhat from the seal groove 74e to both sides thereof.

上記各シール部材82、84、86としては、シール後も弾性を有する素材が用いられている。具体的には、例えば、スリーボンド社製の一液性加熱硬化型オレフィン系シール剤「スリーボンド1152B、スリーボンド1153B」(いずれも商品名)等を用いることが可能である。   As each of the sealing members 82, 84, 86, a material having elasticity even after sealing is used. Specifically, for example, it is possible to use a one-component thermosetting olefin-based sealant “ThreeBond 1152B, ThreeBond 1153B” (both trade names) manufactured by ThreeBond Co., Ltd.

下部フレーム74の下面には、箱形の空洞部74fが形成されている。この空洞部74fは、矩形穴74aの下方において、該矩形穴74aよりもひと回り大きい開口面積で形成されており、その左側端面の上部において有底切欠き部74bの空間と連通している。そして、この下部フレーム74における矩形穴74aの底面と空洞部74fの天井面との間の床状部74gは、比較的薄肉で形成されている。   A box-shaped cavity 74 f is formed on the lower surface of the lower frame 74. The hollow portion 74f is formed with an opening area slightly larger than the rectangular hole 74a below the rectangular hole 74a, and communicates with the space of the bottomed cutout portion 74b at the upper portion of the left end surface thereof. The floor portion 74g between the bottom surface of the rectangular hole 74a and the ceiling surface of the hollow portion 74f in the lower frame 74 is formed to be relatively thin.

この下部フレーム74の空洞部74fには、支持基板92が配置されている。その際、この支持基板92の下面には、発振用回路40A、40Bを構成する電子部品90が実装されている。そして、この支持基板92は、その上面を空洞部74fの天井面の略全域に対して面接触させた状態で、かつ、その左側端部を有底切欠き部74bの空間に突出させた状態で配置されている。この支持基板92に対する電子部品90の実装位置は、該電子部品90が矩形穴74aの略中央の真下に位置するように設定されている。   A support substrate 92 is disposed in the cavity 74 f of the lower frame 74. At this time, the electronic components 90 constituting the oscillation circuits 40A and 40B are mounted on the lower surface of the support substrate 92. The support substrate 92 is in a state in which the upper surface thereof is in surface contact with the substantially entire area of the ceiling surface of the cavity portion 74f, and the left end portion thereof is protruded into the space of the bottomed cutout portion 74b. Is arranged in. The mounting position of the electronic component 90 with respect to the support substrate 92 is set so that the electronic component 90 is positioned directly below the center of the rectangular hole 74a.

支持基板92の下面には、5つの帯状の導電層94が、電子部品90の実装位置から左方向へ向けて、その左側端縁近傍まで延びている。また、この支持基板92の上面における左側端縁近傍部位には、5つのパッド状の導電層96が形成されている。これら各導電層96は、図示しないスルーホール等を介して各導電層94と電気的に接続されている。そして、これら各導電層96は、それぞれボンディングワイヤ98を介して、センサ本体30の各外部接続端子36Ai、36Ao、36Bi、36Bo、36gと電気的に接続されている。   On the lower surface of the support substrate 92, five strip-shaped conductive layers 94 extend from the mounting position of the electronic component 90 leftward to the vicinity of the left edge thereof. Further, five pad-like conductive layers 96 are formed in the vicinity of the left edge on the upper surface of the support substrate 92. Each of these conductive layers 96 is electrically connected to each conductive layer 94 via a through hole or the like (not shown). The conductive layers 96 are electrically connected to the external connection terminals 36Ai, 36Ao, 36Bi, 36Bo, and 36g of the sensor body 30 through bonding wires 98, respectively.

ベースプレート76は、平面視において下部フレーム74と略同一の外形形状を有する板状部材であって、その下面における各辺の略中央位置には、平面視において略矩形状の段上がり凹部76aが形成されている。   The base plate 76 is a plate-like member having substantially the same outer shape as that of the lower frame 74 in a plan view, and a substantially rectangular stepped recess 76a is formed in a substantially central position of each side on the lower surface of the base plate 76 in a plan view. Has been.

このベースプレート76の下部フレーム74に対する当接は、該ベースプレート76の上面において下部フレーム74の下面と面接触することにより行われている。   The abutment of the base plate 76 with respect to the lower frame 74 is performed by bringing the upper surface of the base plate 76 into surface contact with the lower surface of the lower frame 74.

カバー部材78は、底面壁が開放された箱形の外形形状を有しており、その各側壁部の下端縁には、タブ状の突起部78aが形成されている。そして、このカバー部材78は、該カバー部材78の内部に上部フレーム72、下部フレーム74およびベースプレート76を収容した状態で、その4箇所の突起部78aを内側へ折り曲げて、ベースプレート76に形成された4箇所の段上がり凹部76aに係合させることにより、ベースプレート76にカシメ固定されている。そしてこれにより、収容空間80の液密性を十分に確保するようになっている。   The cover member 78 has a box-shaped outer shape with an open bottom wall, and a tab-shaped protrusion 78a is formed at the lower end edge of each side wall portion. The cover member 78 is formed on the base plate 76 by bending the four protrusions 78a inward with the upper frame 72, the lower frame 74, and the base plate 76 accommodated in the cover member 78. The base plate 76 is caulked and fixed by being engaged with four raised recesses 76a. As a result, the liquid tightness of the accommodation space 80 is sufficiently secured.

このカバー部材78の上面壁には、被検溶液の流入孔78bと排出孔78cとが形成されている。これら流入孔78bおよび排出孔78cは、収容空間80の両端部に位置するようにして、それぞれ煙突状に形成されている。   An inflow hole 78 b and a discharge hole 78 c for the test solution are formed on the upper surface wall of the cover member 78. The inflow hole 78b and the discharge hole 78c are respectively formed in a chimney shape so as to be positioned at both ends of the accommodation space 80.

次に、本実施形態の作用効果について説明する。   Next, the effect of this embodiment is demonstrated.

本実施形態に係る濃度センサ10は、ショートチャンネル34Aおよびオープンチャンネル34Bを有する自励式の濃度センサとして構成されているので、ショートチャンネル側の発振用回路40Aの高周波増幅器42Aから出力される発振周波数信号およびその自動利得制御回路44Aから出力されるゲイン調整電圧信号と、オープンチャンネル側の発振用回路40Bの高周波増幅器42Bから出力される発振周波数信号およびその自動利得制御回路44Bから出力されるゲイン調整電圧信号とに基づいて、被検溶液中の化学物質濃度を算出することが可能となり、これにより濃度検出を精度良く行うことが可能となる。   Since the concentration sensor 10 according to the present embodiment is configured as a self-excited concentration sensor having a short channel 34A and an open channel 34B, an oscillation frequency signal output from the high frequency amplifier 42A of the oscillation circuit 40A on the short channel side. And the gain adjustment voltage signal output from the automatic gain control circuit 44A, the oscillation frequency signal output from the high frequency amplifier 42B of the oscillation circuit 40B on the open channel side, and the gain adjustment voltage output from the automatic gain control circuit 44B. Based on the signal, it is possible to calculate the concentration of the chemical substance in the test solution, which makes it possible to accurately detect the concentration.

その際、本実施形態においては、筐体70の下部フレーム74が、熱抵抗が小さい高熱伝導樹脂製の部材で構成されており、また、電子部品90が下面に実装された支持基板92が、その上面を下部フレーム74の床状部74gの下面と面接触させるようにして配置された構成となっているので、次のような作用効果を得ることができる。   At this time, in the present embodiment, the lower frame 74 of the housing 70 is made of a member made of a high thermal conductive resin having a low thermal resistance, and the support substrate 92 on which the electronic component 90 is mounted on the lower surface is Since the upper surface thereof is arranged so as to be in surface contact with the lower surface of the floor-like portion 74g of the lower frame 74, the following operational effects can be obtained.

すなわち、収容空間80に収容された被検溶液の熱が、下部フレーム74の床状部74gおよび支持基板92を介して、電子部品90まで熱伝導により伝達されることとなるので、この伝導熱により、電子部品90として構成されているショートチャンネル側の発振用回路40Aおよびオープンチャンネル側の発振用回路40Bが、被検溶液と接触するショートチャンネル34Aおよびオープンチャンネル34Bと略同じ環境温度下に配置されることとなる。このため、化学物質濃度を算出する際に環境温度の要因を略正確に把握することが可能となり、これにより濃度検出も精度良く行うことができる。   That is, the heat of the test solution accommodated in the accommodating space 80 is transmitted by heat conduction to the electronic component 90 through the floor-like portion 74g of the lower frame 74 and the support substrate 92. Accordingly, the short channel side oscillation circuit 40A and the open channel side oscillation circuit 40B configured as the electronic component 90 are arranged at substantially the same environmental temperature as the short channel 34A and the open channel 34B in contact with the test solution. Will be. For this reason, when calculating the chemical substance concentration, it is possible to grasp the cause of the environmental temperature substantially accurately, and thereby the concentration can be detected with high accuracy.

このように本実施形態によれば、弾性表面波を利用して被検溶液中の化学物質濃度を検出するように構成された濃度センサ10において、濃度検出を精度良く行うことができる。   As described above, according to the present embodiment, the concentration sensor 10 configured to detect the chemical substance concentration in the test solution using the surface acoustic wave can accurately detect the concentration.

しかも本実施形態においては、支持基板92が下部フレーム74の床状部74gの全域と面接触しており、そして、この床状部74gの略中央の真下に電子部品90が位置しているので、被検溶液から電子部品90への熱伝達を効率良く行うことができる。   In addition, in the present embodiment, the support substrate 92 is in surface contact with the entire area of the floor portion 74g of the lower frame 74, and the electronic component 90 is located directly below the center of the floor portion 74g. In addition, heat transfer from the test solution to the electronic component 90 can be performed efficiently.

なお、上記実施形態においては、筐体70を構成する上部フレーム72、下部フレーム74およびベースプレート76が、いずれも熱抵抗が小さい部材で構成されているものとして説明したが、下部フレーム74における床状部74gの部分のみが熱抵抗が小さい部材で構成されたものとすることも可能である。このようにした場合には、被検溶液から電子部品90への熱伝達については効率良く行われるようにした上で、被検溶液の熱が収容空間80から外部へ逃げにくくなるようにすることができる。   In the above-described embodiment, the upper frame 72, the lower frame 74, and the base plate 76 that constitute the housing 70 have been described as being configured by members having low thermal resistance. Only the portion 74g may be formed of a member having a low thermal resistance. In such a case, heat transfer from the test solution to the electronic component 90 is performed efficiently, and the heat of the test solution is made difficult to escape from the storage space 80 to the outside. Can do.

次に、上記実施形態の第1変形例について説明する。   Next, a first modification of the above embodiment will be described.

図5は、本変形例に係るセンサユニット120を示す、図4と同様の図である。   FIG. 5 is a view similar to FIG. 4 showing the sensor unit 120 according to this modification.

同図に示すように、このセンサユニット120は、上記実施形態に係るセンサユニット20における筐体70が断熱材100で覆われた構成となっている。この断熱材100は、上部断熱材102と下部断熱材104とが接着等により一体化された構成となっており、筐体70を、そのカバー部材78の流入孔78bおよび排出孔78cの部分を除いて略全周にわたって覆うようになっている。   As shown in the figure, the sensor unit 120 has a configuration in which a casing 70 in the sensor unit 20 according to the embodiment is covered with a heat insulating material 100. The heat insulating material 100 has a structure in which an upper heat insulating material 102 and a lower heat insulating material 104 are integrated by bonding or the like, and the housing 70 is provided with inflow holes 78b and discharge holes 78c of the cover member 78. Except for the entire circumference.

本変形例の構成を採用することにより、上記実施形態のセンサユニット20に相当する部分の全体を断熱材100の内側の空間に閉じ込めることができるので、その全体を略同じ環境温度下に配置することができる。このため、電子部品90として構成された各発振用回路40A、40Bの温度と各チャンネル部34A、34Bの温度との一致度をさらに高めることができる。   By adopting the configuration of the present modification, the entire portion corresponding to the sensor unit 20 of the above embodiment can be confined in the space inside the heat insulating material 100, and therefore the entire portion is disposed at substantially the same environmental temperature. be able to. For this reason, it is possible to further increase the degree of coincidence between the temperatures of the oscillation circuits 40A and 40B configured as the electronic component 90 and the temperatures of the channel portions 34A and 34B.

次に、上記実施形態の第2変形例について説明する。   Next, a second modification of the above embodiment will be described.

図6は、本変形例に係るセンサユニット220を示す、図4と同様の図である。   FIG. 6 is a view similar to FIG. 4 showing the sensor unit 220 according to this modification.

同図に示すように、このセンサユニット220は、上記実施形態に係るセンサユニット20と基本的な構成は同様であるが、電子部品90の配置が上記実施形態の場合とは異なっており、これに伴って、センサ本体230および筐体270の構成も、上記実施形態の場合とは一部異なっている。   As shown in the figure, the sensor unit 220 has the same basic configuration as the sensor unit 20 according to the above embodiment, but the arrangement of the electronic components 90 is different from that in the above embodiment. Accordingly, the configurations of the sensor main body 230 and the housing 270 are also partially different from those in the above embodiment.

すなわち、本変形例においては、電子部品90が、被膜202で覆われた状態で、収容空間80の内部に配置された構成となっている。具体的には、この電子部品90は、センサ本体230の圧電基板32の下面における一側端近傍部位(同図では右側端近傍部位)に実装されており、そして、この状態で被膜202により覆われている。   In other words, in this modification, the electronic component 90 is arranged inside the accommodation space 80 in a state of being covered with the coating 202. Specifically, the electronic component 90 is mounted in a portion near one side end (a portion near the right end in the figure) of the lower surface of the piezoelectric substrate 32 of the sensor body 230 and covered with the coating film 202 in this state. It has been broken.

センサ本体230における圧電基板32の下面には、5つの帯状の導電層294が、電子部品90の実装位置から左方向へ向けて、その左側端縁近傍まで延びている。そして、これら各導電層294は、図示しないスルーホール等を介して、センサ本体230の各外部接続端子36Ai、36Ao、36Bi、36Bo、36gと電気的に接続されている。   On the lower surface of the piezoelectric substrate 32 in the sensor main body 230, five strip-shaped conductive layers 294 extend from the mounting position of the electronic component 90 to the left side and near the left edge thereof. The conductive layers 294 are electrically connected to the external connection terminals 36Ai, 36Ao, 36Bi, 36Bo, and 36g of the sensor main body 230 through through holes or the like (not shown).

このように電子部品90が収容空間80の内部に配置されているため、筐体270の構成についても、上記実施形態の場合とは異なったものとなっている。   As described above, since the electronic component 90 is arranged inside the accommodation space 80, the configuration of the housing 270 is also different from that in the above embodiment.

すなわち、本変形例の下部フレーム274は、その下面に、上記実施形態の下部フレーム74のような空洞部74fが形成されておらず、また、上記実施形態の支持基板92は設けられていない。このため、本変形例のカバー部材278は、上記実施形態のカバー部材78よりも高さがかなり低いものとなっている。   That is, the lower frame 274 of the present modification is not formed with a cavity 74f like the lower frame 74 of the above embodiment on the lower surface, and the support substrate 92 of the above embodiment is not provided. For this reason, the cover member 278 of this modification is considerably lower than the cover member 78 of the above embodiment.

本変形例の構成を採用することにより、電子部品90についても、各チャンネル部34A、34Bと同様、収容空間80の被検溶液と被膜202を介してではあるが接触することとなるので、この電子部品90として構成された各発振用回路40A、40Bの温度と各チャンネル部34A、34Bの温度との一致度を、より高めることができる。また、このような構成を採用することにより、筐体270をコンパクトに構成することができる。   By adopting the configuration of this modified example, the electronic component 90 also comes into contact with the test solution in the storage space 80 through the coating film 202 as in the case of the channel portions 34A and 34B. The degree of coincidence between the temperatures of the oscillation circuits 40A and 40B configured as the electronic component 90 and the temperatures of the channel portions 34A and 34B can be further increased. Moreover, the housing | casing 270 can be comprised compactly by employ | adopting such a structure.

さらに本変形例のように、電子部品90が圧電基板32上に実装された構成とすれば、センサ本体230を筐体270に取り付けることにより、電子部品90は自動的に収容空間80に配置されることとなるので、センサユニット220の構成および組付作業を簡素化することができる。   Further, if the electronic component 90 is mounted on the piezoelectric substrate 32 as in this modification, the electronic component 90 is automatically placed in the accommodation space 80 by attaching the sensor body 230 to the housing 270. Therefore, the configuration and assembly work of the sensor unit 220 can be simplified.

本変形例においても、そのセンサユニット220の筐体270が、上記第1変形例の断熱材100と同様の断熱材で覆われた構成とすることが可能である。   Also in this modification, the housing 270 of the sensor unit 220 can be configured to be covered with the same heat insulating material as the heat insulating material 100 of the first modification.

なお、上記実施形態および各変形例において諸元として示した数値は一例にすぎず、これらを適宜異なる値に設定してもよいことはもちろんである。   In addition, the numerical value shown as a specification in the said embodiment and each modification is only an example, and of course, you may set these to a different value suitably.

本願発明の一実施形態に係る濃度センサを示すブロック図The block diagram which shows the density | concentration sensor which concerns on one Embodiment of this invention. 上記濃度センサのセンサ本体を単品で示す平面図Plan view showing the sensor body of the concentration sensor as a single item 上記濃度センサのセンサユニットを示す平断面図であって、図4のIII−III線断面図FIG. 4 is a plan sectional view showing the sensor unit of the concentration sensor, taken along the line III-III in FIG. 図3のIV−IV線断面図IV-IV sectional view of FIG. 上記実施形態の第1変形例に係るセンサユニットを示す、図4と同様の図The figure similar to FIG. 4 which shows the sensor unit which concerns on the 1st modification of the said embodiment. 上記実施形態の第2変形例に係るセンサユニットを示す、図4と同様の図The figure similar to FIG. 4 which shows the sensor unit which concerns on the 2nd modification of the said embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 濃度センサ
20、120、220 センサユニット
22A ショートチャンネル側の閉ループ回路
22B オープンチャンネル側の閉ループ回路
30、230 センサ本体
32 圧電基板
34A ショートチャンネル(第1のチャンネル部)
34Ai、34Bi 入力用電極指
34Ao、34Bo 出力用電極指
34A1、34A2、34B1、34B2 交差指電極
34A3 導電層
34B オープンチャンネル(第2のチャンネル部)
34g アース電極指
36Ai、36Ao、36Bi、36Bo、36g 外部接続端子
38Ai、38Ao、38Bi、38Bo、38g 導電層
40A ショートチャンネル側の発振用回路(第1の発振用回路)
40B オープンチャンネル側の発振用回路(第2の発振用回路)
42A、42B 高周波増幅器
44A、44B 自動利得制御回路
46A、46B ローパスフィルタ
50 制御ユニット
52 CPU
54 周波数カウンタ
56 A/D変換器
60 電源
62A、62B オンオフスイッチ
70、270 筐体
72 上部フレーム
72a 矩形開口部
72b 切欠き部
72c、72e、74e シール溝
72d 梁状部
74、274 下部フレーム
74a 矩形穴
74b 有底切欠き部
74c 帯状突起部
74d 段下がり凹部
74f 空洞部
74g 床状部
76 ベースプレート
76a 段上がり凹部
78、278 カバー部材
78a 突起部
78b 流入孔
78c 排出孔
80 収容空間
82、84、86 シール部材
90 電子部品
92 支持基板
94、96、294 導電層
98 ボンディングワイヤ
100 断熱材
202 被膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Concentration sensor 20, 120, 220 Sensor unit 22A Short channel side closed loop circuit 22B Open channel side closed loop circuit 30, 230 Sensor body 32 Piezoelectric substrate 34A Short channel (first channel part)
34Ai, 34Bi Input electrode finger 34Ao, 34Bo Output electrode finger 34A1, 34A2, 34B1, 34B2 Cross finger electrode 34A3 Conductive layer 34B Open channel (second channel portion)
34g Ground electrode finger 36Ai, 36Ao, 36Bi, 36Bo, 36g External connection terminal 38Ai, 38Ao, 38Bi, 38Bo, 38g Conductive layer 40A Short channel side oscillation circuit (first oscillation circuit)
40B Open channel oscillation circuit (second oscillation circuit)
42A, 42B High frequency amplifier 44A, 44B Automatic gain control circuit 46A, 46B Low pass filter 50 Control unit 52 CPU
54 Frequency counter 56 A / D converter 60 Power supply 62A, 62B On / off switch 70, 270 Housing 72 Upper frame 72a Rectangular opening 72b Notch 72c, 72e, 74e Seal groove 72d Beam-like part 74, 274 Lower frame 74a Rectangular Hole 74b Bottom notch 74c Band-shaped projection 74d Step-down recess 74f Cavity 74g Floor-like portion 76 Base plate 76a Step-up recess 78, 278 Cover member 78a Projection 78b Inflow hole 78c Discharge hole 80 Housing space 82, 84, 86 Seal member 90 Electronic component 92 Support substrate 94, 96, 294 Conductive layer 98 Bonding wire 100 Heat insulating material 202 Coating

Claims (5)

被検溶液を収容するための収容空間が形成された筐体と、
圧電基板上に、1対の交差指電極が所定間隔を置いて配置されてなる第1のチャンネル部と、この第1のチャンネル部と並列で1対の交差指電極が所定間隔を置いて配置されてなる第2のチャンネル部とが形成されてなり、上記第1および第2のチャンネル部を上記収容空間に露出させた状態で上記筐体に取り付けられたセンサ本体と、
このセンサ本体の各チャンネル部に接続され、該チャンネル部とで自励発振を生起させる閉ループ回路を構成する第1および第2の発振用回路と、を備えてなり、
上記第1のチャンネル部が、該チャンネル部の両交差指電極間における上記圧電基板上の領域を、これら両交差指電極のアース電極指に短絡された導電層で覆ったショートチャンネルとして構成されるとともに、上記第2のチャンネル部が、該チャンネル部の両交差指電極間における上記圧電基板上の領域を露出させたオープンチャンネルとして構成されており、
上記各発振用回路が、高周波増幅器と、この高周波増幅器のゲインを調整する自動利得制御回路とを備えてなり、
上記各チャンネル部における1対の交差指電極のうち、一方の交差指電極を励振させて上記圧電基板上に弾性表面波を発生させるとともに、他方の交差指電極まで伝播した上記弾性表面波を該交差指電極で受振させるように構成された濃度センサにおいて、
上記第1および第2の発振用回路を構成する電子部品が、上記第1および第2のチャンネル部と略同じ環境温度下に配置されている、ことを特徴とする濃度センサ。
A housing in which a storage space for storing a test solution is formed;
On the piezoelectric substrate, a first channel part in which a pair of cross finger electrodes are arranged at a predetermined interval, and a pair of cross finger electrodes are arranged in parallel with the first channel part at a predetermined interval. A sensor body attached to the housing in a state where the first and second channel portions are exposed to the housing space, and a second channel portion is formed.
A first oscillation circuit and a second oscillation circuit that are connected to each channel portion of the sensor body and constitute a closed-loop circuit that causes self-excited oscillation with the channel portion;
The first channel portion is configured as a short channel in which a region on the piezoelectric substrate between the two crossed finger electrodes of the channel portion is covered with a conductive layer short-circuited to the ground electrode fingers of the two crossed finger electrodes. And the second channel portion is configured as an open channel exposing a region on the piezoelectric substrate between both crossed finger electrodes of the channel portion,
Each oscillation circuit includes a high-frequency amplifier and an automatic gain control circuit that adjusts the gain of the high-frequency amplifier.
Among the pair of cross finger electrodes in each channel part, one cross finger electrode is excited to generate a surface acoustic wave on the piezoelectric substrate, and the surface acoustic wave propagated to the other cross finger electrode is In the concentration sensor configured to receive vibration with the interdigitated electrode,
A concentration sensor, wherein electronic components constituting the first and second oscillation circuits are arranged at substantially the same environmental temperature as the first and second channel portions.
上記筐体における上記収容空間を囲む周壁部の少なくとも一部が、熱抵抗が小さい部材で構成されており、
上記電子部品が、支持基板の表面に実装されており、
この支持基板が、該支持基板の裏面を、上記筐体の周壁部における熱抵抗が小さい部材で構成された部分の外面と面接触させるようにして配置されている、ことを特徴とする請求項1記載の濃度センサ。
At least a part of the peripheral wall portion surrounding the accommodation space in the housing is configured by a member having a low thermal resistance,
The electronic component is mounted on the surface of the support substrate,
The support substrate is arranged so that the back surface of the support substrate is brought into surface contact with an outer surface of a portion made of a member having low thermal resistance in the peripheral wall portion of the housing. 1. The concentration sensor according to 1.
上記電子部品が、被膜で覆われた状態で、上記収容空間の内部に配置されている、ことを特徴とする請求項1記載の濃度センサ。   The concentration sensor according to claim 1, wherein the electronic component is disposed in the housing space in a state of being covered with a film. 上記電子部品が、上記圧電基板上に実装されている、ことを特徴とする請求項3記載の濃度センサ。   The concentration sensor according to claim 3, wherein the electronic component is mounted on the piezoelectric substrate. 上記筐体全体が、熱抵抗が小さい部材で構成されており、
この筐体が断熱材で覆われている、ことを特徴とする請求項1〜4いずれか記載の濃度センサ。
The entire casing is composed of a member having low thermal resistance,
The concentration sensor according to claim 1, wherein the casing is covered with a heat insulating material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021009151A (en) * 2015-03-30 2021-01-28 京セラ株式会社 Sample solution sensor and method for measuring sample solution

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