JP2010153751A - Semiconductor package - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体パッケージに関し、特に、複数のランドを有して実装基板に実装される半導体パッケージに関するものである。 The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly to a semiconductor package having a plurality of lands and mounted on a mounting substrate.
半導体チップ(ICチップ)を樹脂で封止した半導体パッケージの一つに、LGA(Land Grid Arrey)パッケージがある。LGAパッケージでは、たとえば、ガラスエポキシ等の基板の表面上にICチップが搭載されている。ICチップの各端子は、ワイヤボンディングによって基板上に形成された所定の銅配線に電気的に接続されている。一方、基板の裏面には複数のランドが所定のピッチをもって形成されている。銅配線は、基板を貫通するヴィアを介して、対応するランドに電気的に接続されている。基板上に搭載されたICチップは、エポキシレジン等の封止樹脂により封止されている。 One of semiconductor packages in which a semiconductor chip (IC chip) is sealed with a resin is an LGA (Land Grid Arrey) package. In the LGA package, for example, an IC chip is mounted on the surface of a substrate such as glass epoxy. Each terminal of the IC chip is electrically connected to a predetermined copper wiring formed on the substrate by wire bonding. On the other hand, a plurality of lands are formed on the back surface of the substrate with a predetermined pitch. The copper wiring is electrically connected to the corresponding land through vias penetrating the substrate. The IC chip mounted on the substrate is sealed with a sealing resin such as an epoxy resin.
一方、LGAパッケージが実装される実装基板には、LGAパッケージのランドの配置に対応した複数のランドが形成されている。LGAパッケージの各ランドを、実装基板の対応するランドにはんだ付けすることによって、LGAパッケージが実装基板に実装されることになる。このとき、所定の金属マスクを用いて実装基板のランド上にはんだペーストが塗布される。 On the other hand, a plurality of lands corresponding to the arrangement of the lands of the LGA package are formed on the mounting substrate on which the LGA package is mounted. By soldering each land of the LGA package to the corresponding land of the mounting board, the LGA package is mounted on the mounting board. At this time, a solder paste is applied on the land of the mounting board using a predetermined metal mask.
次に、はんだペーストが塗布された実装基板の上に、LGAパッケージの対応するランドが配置される。所定の温度のもとでリフローを行ないはんだペーストを溶融させて、LGAパッケージのランドが実装基板の所定のランドに電気的に接続される。こうして、LGAパッケージが実装基板に実装される。なお、この種の半導体パッケージを開示した文献として、特許文献1あるいは特許文献2がある。
しかしながら、従来の半導体パッケージでは、次のような問題があった。近年、電子機器の軽量化および小型化のニーズに応えるために、LGAパッケージにも小型化が求められている。LGAパッケージの小型化を図るには、ランドのピッチも縮める必要があり、そして、そのランドが接続される実装基板のランドのピッチも縮める必要がある。 However, the conventional semiconductor package has the following problems. In recent years, LGA packages are also required to be miniaturized in order to meet the needs for weight reduction and miniaturization of electronic devices. In order to reduce the size of the LGA package, it is necessary to reduce the land pitch, and it is also necessary to reduce the land pitch of the mounting substrate to which the land is connected.
上述したように、実装基板のランドにははんだペーストが塗布される。ランドのピッチが縮まり、ランドに塗布するはんだペーストと、そのランドに隣接する他のランドに塗布するはんだペーストとを接触させないように塗布しようとすれば、1つのランドに供給するはんだペーストの量を減らす必要がある。ところが、1つのランドに供給されるはんだペーストの量が少なくなると、LGAパッケージのランドが実装基板のランドに確実に接続されなくなり、実装(接続)の不良を引き起こすおそれがある。 As described above, the solder paste is applied to the land of the mounting board. If the pitch of the lands is reduced and the solder paste applied to the lands and the solder paste applied to other lands adjacent to the lands are not brought into contact with each other, the amount of solder paste supplied to one land is reduced. It is necessary to reduce. However, if the amount of solder paste supplied to one land is reduced, the land of the LGA package is not reliably connected to the land of the mounting substrate, which may cause a mounting (connection) defect.
ランド一つあたりのはんだペーストの供給量を確保する手段としては、はんだペーストを塗布する際の金属マスクの厚さを厚くする手法と、はんだペーストを塗布する領域を広げる手法とがある。前者の手法では、金属マスクを取り外す際に金属マスクにはんだペーストが付着するなどして、塗布されるはんだペーストの量にばらつきが生じやすいことから、主に後者の手法が採用される。 As means for securing the supply amount of solder paste per land, there are a method of increasing the thickness of the metal mask when applying the solder paste and a method of expanding the area where the solder paste is applied. In the former method, when the metal mask is removed, the solder paste adheres to the metal mask and the amount of the applied solder paste is likely to vary. Therefore, the latter method is mainly employed.
実装基板のランドのピッチが、たとえば、0.8mmピッチ、あるいは、0.65mmピッチの場合では、実装基板の表面にランドを格子状(フルマトリックス状)に配置しても、所望の量のはんだペーストを塗布する領域を確保することができる。ところが、ランドのピッチが0.5mm以下に縮まると、フルマトリックス状のランド配置では、所望の量のはんだペーストを塗布する領域を確保することが困難になる。 When the land pitch of the mounting substrate is, for example, 0.8 mm pitch or 0.65 mm pitch, a desired amount of solder can be obtained even if the lands are arranged in a grid pattern (full matrix shape) on the surface of the mounting substrate. An area for applying the paste can be secured. However, when the land pitch is reduced to 0.5 mm or less, it becomes difficult to secure a region to which a desired amount of solder paste is applied in a full matrix land arrangement.
しかしながら、これを解消しようとして、実装基板のランドの配置パターンをフルマトリックス状の配置パターンから、1列分のランドをなくした配置パターンに変更しようとすると、この配置パターンに対応する半導体パッケージのランドでは、その数が、LGAパッケージとして機能させるために要求されるランドの数に足りなくなってしまうという問題があった。 However, in order to solve this problem, if the layout pattern of the mounting board lands is changed from a full-matrix layout pattern to a layout pattern that eliminates one row of lands, the land of the semiconductor package corresponding to the layout pattern is changed. However, there is a problem that the number of lands is insufficient for the number of lands required to function as an LGA package.
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、所望のランド数を確保しながら、実装基板に確実に接続される半導体パッケージを提供することである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor package that is securely connected to a mounting board while securing a desired number of lands.
本発明に係る半導体パッケージは、主表面を有する所定の基板と、第1ランド群と第2ランド群とを備えている、第1ランド群は、基板の外周に沿って主表面に形成され、X方向と、X方向と交差するY方向とにそれぞれ第1ピッチをもって複数の第1ランドが配置されている。第2ランド群は、第1ランド群と所定の距離を隔てて形成され、X方向とY方向とにそれぞれ第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置されている。その所定の距離は、第1ランド群において第2ランド群側に位置する第1ランドと、第2ランド群において第1ランドに直近の第2ランドとの、X方向の距離およびY方向の距離のいずれかが、第1ピッチの1.5倍以上で第1ピッチの2倍よりも短い距離に設定されている。 A semiconductor package according to the present invention includes a predetermined substrate having a main surface, and a first land group and a second land group. The first land group is formed on the main surface along the outer periphery of the substrate. A plurality of first lands are arranged with a first pitch in the X direction and in the Y direction intersecting the X direction. The second land group is formed at a predetermined distance from the first land group, and a plurality of second lands are arranged with a first pitch in the X direction and the Y direction, respectively. The predetermined distance is the distance in the X direction and the distance in the Y direction between the first land located on the second land group side in the first land group and the second land closest to the first land in the second land group. Is set to a distance shorter than 1.5 times the first pitch and shorter than twice the first pitch.
本発明に係る他の半導体パッケージは、外周ランド群と内周ランド群とを備えている。外周ランド群は、所定の基板における矩形状の領域の外周に沿って形成され、第1ピッチをもって複数の第1ランドが配置されている。内周ランド群は、外周ランド群の内側の領域に第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置されている。内周ランド群では、最外周の一辺に位置するランドの数が、矩形状の領域に第1ピッチをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、外周ランド群に対応するランドを除いた後の、一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となる。 Another semiconductor package according to the present invention includes an outer peripheral land group and an inner peripheral land group. The outer peripheral land group is formed along the outer periphery of a rectangular region on a predetermined substrate, and a plurality of first lands are arranged with a first pitch. In the inner peripheral land group, a plurality of second lands are arranged with a first pitch in a region inside the outer peripheral land group. In the inner peripheral land group, the number of lands located on one side of the outermost periphery is in a state where the lands are arranged in a matrix with a first pitch in a rectangular region, and after removing the lands corresponding to the outer peripheral land group, The number is obtained by subtracting 1 from the number of lands located along the side corresponding to one side.
本発明に係る半導体パッケージでは、第1ランド群と第2ランド群との距離が、第1ランド群において第2ランド群側に位置する第1ランドと、第2ランド群において第1ランドに直近の第2ランドとの、X方向の距離およびY方向の距離のいずれかが、第1ピッチの1.5倍以上で第1ピッチの2倍よりも短い距離に設定されている。これにより、半導体パッケージを実装基板に実装する際に、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの数も確保することができる。 In the semiconductor package according to the present invention, the distance between the first land group and the second land group is such that the first land located on the second land group side in the first land group and the first land in the second land group are closest to the first land. One of the distance in the X direction and the distance in the Y direction with respect to the second land is set to a distance that is 1.5 times or more of the first pitch and shorter than twice the first pitch. As a result, when the semiconductor package is mounted on the mounting substrate, the number of lands can be secured while securing the supply amount of the solder paste.
本発明に係る他の半導体パッケージでは、内周ランド群の最外周の一辺に位置するランドの数が、矩形状の領域に第1ピッチをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、外周ランド群に対応するランドを除いた後の、一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となるように内周ランド群が形成されていることで、半導体パッケージを実装基板に実装する際に、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの数も確保することができる。 In another semiconductor package according to the present invention, the number of lands located on one side of the outermost periphery of the inner peripheral land group is changed from a state in which the lands are arranged in a matrix with a first pitch in a rectangular region to the outer peripheral land group. After the corresponding land is removed, the inner peripheral land group is formed so as to be the number obtained by subtracting 1 from the number of lands located along the side corresponding to one side, so that the semiconductor package is mounted on the mounting substrate. When mounting, the number of lands can be secured while securing the supply amount of the solder paste.
本発明に係る半導体パッケージとしてLGAパッケージについて説明する。図1および図2に示すように、LGAパッケージ1では、たとえば、ガラスエポキシ等の基板2の表面上にダイアタッチ材6を介在させて、ICチップ7が搭載されている。ICチップ7の各端子は、金線8(ワイヤボンディング)によって、基板2上に形成された所定の銅配線9に電気的に接続されている。一方、図3および図4に示すように、基板2の裏面には、複数のランド3a,3b,4a,4bが所定のピッチをもって形成されている。ランドの配置パターンについては後述する。銅配線9は、基板2を貫通するヴィア11を介して、対応するランド3a,3b,4a,4bに電気的に接続されている。基板2上に搭載されたICチップ7は、エポキシレジン等の封止樹脂10により封止されている。
An LGA package will be described as a semiconductor package according to the present invention. As shown in FIGS. 1 and 2, in the LGA package 1, for example, an
次に、基板2の裏面に露出するランドの配置パターンについて説明する。図5に示すように、LGAパッケージでは、基板2の外周側に外周ランド群3が設けられ、内周側に内周ランド群4が設けられている。外周ランド群3では、基板2の外周に沿って2列のランド3a,3bが配置されている。内周ランド群4は外周ランド群3によって囲まれた領域に位置し、内周ランド群4では、外周ランド群3のランド3bに沿って、2列のランド4a,4bが配置されている。
Next, the land arrangement pattern exposed on the back surface of the
図6に示すように、外周ランド群3の各ランド3a,3bは、X方向とY方向とにピッチPをもって配置されている。また、内周ランド群4の各ランド4a,4bも、X方向とY方向とにピッチPをもって配置されている。外周ランド群3のうち、内側に位置するランド3bと、その直近に位置する、内周ランド群4のランド4aとのX方向またはY方向の距離(ランドの中心)Lは、ピッチPの1.5倍とされる。
As shown in FIG. 6, each
次に、LGAパッケージが実装される実装基板について説明する。図7および図8に示すように、実装基板21の表面には、LGAパッケージの外周ランド群3の各ランド3a,3bに対応するランド23a,23bが配置された外周ランド群23と、LGAパッケージの内周ランド群4の各ランド4a,4bに対応するランド24a,24bが配置された内周ランド群24a,24bが形成されている。また、実装基板21では、ランド23a,23b,24a,24b以外の領域は、ソルダレジスト22によって覆われている。
Next, a mounting substrate on which the LGA package is mounted will be described. As shown in FIGS. 7 and 8, on the surface of the
次に、上述したLGAパッケージ1の実装基板への実装方法について説明する。まず、実装基板のランドにはんだペーストを塗布するための金属マスクが、実装基板にセットされる。図9に示すように、金属マスク31には、ランドに対応した開口31aが形成されている。各開口31aは、対応するランド23a,23b,24a,24bに供給するはんだペーストの量を確保するために、略円形のランド23a,23b,24a,24bを露出する他に、その周辺の領域(ランド周辺領域)を露出する態様で、たとえば楕円形状に形成されている。
Next, a method for mounting the above-described LGA package 1 on the mounting substrate will be described. First, a metal mask for applying a solder paste to the land of the mounting board is set on the mounting board. As shown in FIG. 9, the
特に、外周ランド群23のうち、内側に位置するランド23bについては、ランド周辺領域が、各ランドのピッチPの1.5倍の距離Lに設定されたランド23bとランド24aとの間の領域に確保されている。また、内周ランド群24のうち、外側に位置するランド24aについても、ランド周辺領域が、ランド23bとランド24aとの間の領域に確保されている。
In particular, for the
次に、図10に示すように、その金属マスク31の上にはんだペースト32が塗布される。塗布されたはんだペースト32をスキージ34を用いて金属マスク31の開口31aに充填することにより、図11に示すように、各ランド23a,23b,24a,24bにはんだペースト32が印刷される。その後、金属マスク31が取り外される。
Next, as shown in FIG. 10, a
次に、図12に示すように、LGAパッケージ1が、実装基板(図示せず)に対して所定の位置に配置される。次に、図13に示すように、LGAパッケージ1の各ランド3a,3b,4a,4bを、対応する実装基板21の各ランド23a,23b,24a,24bに接触させる。次に、所定の温度のもとで、リフロー処理を施すことによりはんだペースト32を溶融させ、その後、冷却する。こうして、図14に示すように、LGAパッケージ1の各ランド3a,3b,4a,4bが、対応する実装基板21の各ランド23a,23b,24a,24bにはんだ33によって接続されて、LGAパッケージ1が実装基板21に実装される。
Next, as shown in FIG. 12, the LGA package 1 is arranged at a predetermined position with respect to a mounting substrate (not shown). Next, as shown in FIG. 13, each
上述したLGAパッケージ1では、実装基板のランドに対応したランドとして、外周ランド群3と内周ランド群4が形成され、外周ランド群3のランド3bと、その直近に位置する、内周ランド群4のランド4aとのX方向またはY方向の距離LがピッチPの1.5倍に設定されている(図6参照)。これにより、フルマトリックス状のランドの配置から1列分のランドを空けたLGAパッケージの場合と比べて、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの数も確保することができる。次に、このことについて説明する。
In the LGA package 1 described above, the outer
まず、LGAパッケージとして、たとえば11行×11列のフルマトリックス(ピッチP)のランドを想定したLGAパッケージでは、ランドの総数は121個となる。そのランドの配置から、1列分のランドを空けたランド配置として、図15に示すように、外側から3番目のランドを空けた配置を想定する。この場合には、、外周ランド群103のランド103bと、その直近に位置する、内周ランド群のランド104aとのX方向またはY方向の距離LLは、ピッチPの2倍となる。そして、このLGAパッケージでは、ランドの総数は96個となる。
First, as an LGA package, for example, in an LGA package assuming a land of 11 rows × 11 columns full matrix (pitch P), the total number of lands is 121. As shown in FIG. 15, an arrangement in which the third land from the outside is opened is assumed as the land arrangement in which one row of lands is opened from the land arrangement. In this case, the distance LL in the X direction or the Y direction between the land 103b of the outer
これに対して、上述したLGAパッケージ1では、図16に示すように、外周ランド群3のランド3bと、その直近に位置する、内周ランド群4のランド4aとのX方向またはY方向の距離LがピッチPの1.5倍に設定されている。これにより、ランドのピッチがたとえば0.5mmよりも狭くなっても、ランドの総数は105個となって、図15に示されるLGAパッケージの場合と比較して、ランドの数を9個増やすことができる。その結果、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの総数も確保することができる。
On the other hand, in the above-described LGA package 1, as shown in FIG. 16, the
なお、上述したLGAパッケージでは、略正方形状の領域にランドが形成され、一辺に対応するランドの数が等しい場合を例に挙げて説明したが、LGAパッケージとしては、略長方形の領域にランドが形成されて、短辺に対応するランドの数と長辺に対応するランドの数が異なるLGAパッケージの場合にも適用することができる。 In the above-described LGA package, lands are formed in a substantially square area and the number of lands corresponding to one side is equal. However, as an LGA package, lands are formed in a substantially rectangular area. The present invention can also be applied to an LGA package that is formed and has different lands corresponding to the short sides and lands corresponding to the long sides.
また、上述したLGAパッケージでは、ランド3bとその直近に位置するランド4aとのX方向またはY方向の距離Lとして、ピッチPの1.5倍の場合を例に挙げて説明したが、この距離Lは、ピッチPの1.5倍に限られるものではなく、ピッチPの1.5倍以上で、ピッチPの2倍よりも短ければ、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの総数も確保することができる。
In the above-described LGA package, the distance L in the X direction or the Y direction between the
さらに、金属マスクの開口の形状として、楕円形状を例に挙げて説明したが、ランド23bとランド24aとの間の領域に確保されたランド周辺領域を露出することができる形状であれば、楕円形状に限られない。
Furthermore, although the elliptical shape has been described as an example of the shape of the opening of the metal mask, an elliptical shape can be used as long as the peripheral area secured in the region between the
また、LGAパッケージとしては、内周ランド群では、最外周の一辺に位置するランドの数が、矩形状の領域にピッチPをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、外周ランド群に対応するランドを除いた後の、その一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となるようにしたLGAパッケージとすればよい。たとえば、図16に示されるLGAパッケージでは、11行×11列のフルマトリックス状のランド配置から、図15に示される2列の外周ランド群103のランドを除いた後の一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数は7であるところ、図16に示すように、内周ランド群の外周の一辺に位置するランドの数が、そのランドの数7から1を差し引いた6になっていることがわかる。
In addition, as an LGA package, in the inner peripheral land group, the number of lands located on one side of the outermost periphery corresponds to the peripheral land group from the state in which the lands are arranged in a matrix with a pitch P in a rectangular region. An LGA package may be obtained by subtracting 1 from the number of lands located along the side corresponding to the one side after removing. For example, in the LGA package shown in FIG. 16, on the side corresponding to one side after removing the lands of the two rows of outer
変形例
上述した実施の形態では、半導体パッケージとして、LGAパッケージを例に挙げて説明したが、はんだボールがランドに接続されたBGA(Ball Grid Arrey)パッケージについても、上述したランドの配置を適用することが可能である。
In the above-described embodiment, the LGA package has been described as an example of the semiconductor package. However, the land arrangement described above is also applied to a BGA (Ball Grid Arrey) package in which solder balls are connected to the land. It is possible.
BGAパッケージの場合においても、BGAパッケージを実装基板に実装する際には、実装基板にはんだペーストが塗布される。BGAパッケージの小型化に伴って、はんだボールの大きさが小さくなるとともに、実装基板のランドのピッチが狭くなってくると、BGAパッケージと、対応する実装基板のランドとを接続するはんだの量が不足してくることが十分に考えられる。 Even in the case of the BGA package, when the BGA package is mounted on the mounting board, a solder paste is applied to the mounting board. As the size of the solder balls becomes smaller and the pitch of the land of the mounting board becomes smaller as the BGA package becomes smaller, the amount of solder connecting the BGA package and the corresponding land of the mounting board becomes smaller. It is possible that there will be a shortage.
そのような場合に、たとえば図5に示されるランドの配置を採用することで、図17に示すように、BGAパッケージ41の各はんだボール43に対応する、実装基板のランド23a,23b,24a24bに対して、所定量のはんだペースト32を供給することができる。その結果、ランドの数を確保しながら、BGAパッケージを実装基板21に確実に実装することができる。
In such a case, for example, by adopting the land arrangement shown in FIG. 5, the
今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time is an example, and the present invention is not limited to this. The present invention is defined by the terms of the claims, rather than the scope described above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1 LGAパッケージ、2 基板、3 外周ランド群、3a ランド、3b ランド、4 内周ランド群、4a ランド、4b ランド、5 ソルダレジスト、6 ダイアッタチ材、7 ICチップ、8 金線、9 銅配線、10 エポキシレジン(封止樹脂)、11 ヴィア、21 実装基板、22 ソルダレジスト、23 外周ランド群、23a ランド、23b ランド、24 内周ランド群、24a ランド、24b ランド、31 メタルマスク、31a 開口、32 はんだペースト、33 はんだ、34 スキージ、41 BGAパッケージ、42 ランド、43 はんだボール。 1 LGA package, 2 substrate, 3 outer peripheral land group, 3a land, 3b land, 4 inner peripheral land group, 4a land, 4b land, 5 solder resist, 6 die attach material, 7 IC chip, 8 gold wire, 9 copper wiring, 10 epoxy resin (sealing resin), 11 via, 21 mounting substrate, 22 solder resist, 23 outer peripheral land group, 23a land, 23b land, 24 inner peripheral land group, 24a land, 24b land, 31 metal mask, 31a opening, 32 solder paste, 33 solder, 34 squeegee, 41 BGA package, 42 land, 43 solder ball.
Claims (5)
前記基板の外周に沿って前記主表面に形成され、X方向と、前記X方向と交差するY方向とにそれぞれ第1ピッチをもって複数の第1ランドが配置された第1ランド群と、
前記第1ランド群と所定の距離を隔てて形成され、前記X方向と前記Y方向とにそれぞれ前記第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置された第2ランド群と
を備え、
前記所定の距離は、前記第1ランド群において前記第2ランド群側に位置する第1ランドと、前記第2ランド群において前記第1ランドに直近の第2ランドとの、前記X方向の距離および前記Y方向の距離のいずれかが、前記第1ピッチの1.5倍以上で前記第1ピッチの2倍よりも短い距離に設定された、半導体パッケージ。 A predetermined substrate having a main surface;
A first land group formed on the main surface along the outer periphery of the substrate, wherein a plurality of first lands are arranged with a first pitch in the X direction and the Y direction intersecting the X direction;
A second land group that is formed at a predetermined distance from the first land group, and in which a plurality of second lands are arranged with the first pitch in the X direction and the Y direction, respectively.
The predetermined distance is a distance in the X direction between a first land located on the second land group side in the first land group and a second land closest to the first land in the second land group. And any one of the distances in the Y direction is set to a distance that is 1.5 times or more of the first pitch and shorter than twice the first pitch.
前記第2ランド群では、複数の前記第2ランドは前記第1ランド領域の内側の領域に所定数の列をもって配置された、請求項1記載の半導体パッケージ。 In the first land group, a plurality of the first lands are arranged with a predetermined number of rows along an outer periphery of a rectangular region on the substrate.
2. The semiconductor package according to claim 1, wherein in the second land group, the plurality of second lands are arranged in a region inside the first land region with a predetermined number of rows.
前記外周ランド群の内側の領域に前記第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置された内周ランド群と、
を備え、
前記内周ランド群では、最外周の一辺に位置するランドの数が、前記矩形状の領域に前記第1ピッチをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、前記外周ランド群に対応するランドを除いた後の、前記一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となるようにした、半導体パッケージ。 An outer peripheral land group formed along the outer periphery of a rectangular region on a predetermined substrate and having a plurality of first lands arranged at a first pitch;
An inner peripheral land group in which a plurality of second lands are arranged with the first pitch in a region inside the outer peripheral land group;
With
In the inner peripheral land group, the number of lands located on one side of the outermost periphery is from the state in which the lands are arranged in a matrix with the first pitch in the rectangular area, excluding lands corresponding to the outer peripheral land group. After that, a semiconductor package is obtained by subtracting 1 from the number of lands located along the side corresponding to the one side.
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CN102163591A (en) * | 2010-12-02 | 2011-08-24 | 天水华天科技股份有限公司 | Spherical grating array IC (integrated circuit) chip packaging part and production method thereof |
JP2012035338A (en) * | 2010-08-03 | 2012-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | Mems device and method for manufacturing the same |
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- 2008-12-26 JP JP2008333063A patent/JP2010153751A/en not_active Withdrawn
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