JP2010147447A - Ｌｅｄ搭載用全周発光型基板、ｌｅｄ搭載全周発光型基板及び発光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】全周発光するＬＥＤ搭載用全周発光型基板、ＬＥＤ搭載全周発光型基板、並びに発光モジュールを提供する。
【解決手段】第１基板は、底部放熱層３２、下段部構成層３３、ＬＥＤ用配線層３４、上段部構成層３５、光放射層３６を備え、光を側端面３６２から全周に出射でき、層３３は傾斜内壁面３３１を形成し、面３３１は光を上方へ反射し、層３５は層３４のランド部を収容部内に露出させつつ層３４上に積層され、光放射層３６は光透過性の樹脂質絶縁材からなり、収容部内の光を側端面３６２から出射するために、傾斜外壁面３６１を形成しつつ凹設された有底凹部３６３を有し、且つ傾斜外壁面３６１は光放射層３６の側端面３６２に向かって光を反射する光反射能を有する。第２基板は、更に、傾斜外壁面３６１が層３６上方へ収容部内からの光を透過させる光透過能を有すると共に、全周及び上方向に光を出射する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＬＥＤ搭載用全周発光型基板、ＬＥＤ搭載全周発光型基板及び発光モジュールに関する。更に詳しくは、本発明は、樹脂質絶縁材を積層して構成され、その積層方向に対して垂直な全周にＬＥＤの光を出射するＬＥＤ搭載全周発光型基板、及びこのＬＥＤ搭載用全周発光型基板にＬＥＤが実装されたＬＥＤ搭載全周発光型基板、並びにこのＬＥＤ搭載全周発光型基板がマザーボードに実装された発光モジュールに関する。

ＬＥＤ（発光ダイオード）は、サファイア基板及びシリコン基板などに発光層が積層形成されており、サファイア基板及びシリコン基板等の基板平面に平行な方向を主な光出射方向としているが、全光出射量からみれば、基板平面に対して垂直な方向への光出射量も、通常、非常に多く有している。このため、基板平面に平行な方向、即ち、いわゆる横方向へＬＥＤの光を出射させようとすると光路変換が必要となる。この光路変換を行うことができるものとしては、下記特許文献１〜７に開示された技術が知られている。

特開２００４−８７９７３号公報 特開２００１−３２００９２号公報 特開２００５−２２３０８２号公報 特開平５−３１５６５１号公報 特開２００６−５４２１７号公報 特開２００６−３３９６５１号公報 特開平７−３２６７９７号公報

しかし、上記特許文献には全周へ光を出射させることができる構造は開示されていない。
更に、ＬＥＤは小さく強い点光源であり、視面に複数のＬＥＤを配置するとＬＥＤ近傍が強く明るくその他の部分は暗くなるという光の濃淡差を生じ、例えば、バックライトとして用いた場合には視認性が悪くなる等の問題がある。このため、従来、視面の直下に直にバックライト等として使用することができず、視面の側方にＬＥＤを配置すると共に導光板などを利用して光路変換を行うのが一般的である。しかし、導光板を用いる方式では、視面の側方だけで視面全面の光量をまかなうために、大面積の視面には適さないという問題がある。更に、中央部の光量を側方でまかなうために、側方に狭ピッチで多量のＬＥＤ実装を行う必要があり、放熱性の観点及び耐久性の観点からも問題がある。これらの問題を解消できる発光形態が求められている。
本発明は、樹脂基板を用いた基板内で全周へ発光させることができる光路変換を行うＬＥＤ搭載用全周発光型基板、及びこのＬＥＤ搭載用全周発光型基板にＬＥＤが実装されたＬＥＤ搭載全周発光型基板、並びにこのＬＥＤ搭載全周発光型基板がマザーボードに実装された発光モジュールを提供することを目的とする。

本発明は以下のとおりである。
〈１〉底部側（Ｚ２）から上部側（Ｚ１）へ向かって、底部放熱層（３２）、下段部構成層（３３）、ＬＥＤ用配線層（３４）、上段部構成層（３５）、光放射層（３６）を、この順に積層して備えると共に、その内部に閉塞された空間からなる収容部（３０）を備え、該収容部（３０）内にＬＥＤ（５０）を実装した場合に、該ＬＥＤ（５０）の光を上記光放射層（３６）の少なくとも側端面（３６２）から全周に出射するＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）であって、
上記底部放熱層（３２）は、金属からなり、上記収容部（３０）の底面を閉塞すると共に上記ＬＥＤ（５０）を実装した場合には該ＬＥＤ（５０）が接合される層であり、
上記下段部構成層（３３）は、樹脂質絶縁材からなり、上記収容部（３０）のうちの下段部を構成するために上方へ向かって広がるように傾斜された傾斜内壁面（３３１）を形成しつつ貫通された貫通孔（３３２）を有すると共に、該傾斜内壁面（３３２）は該収容部（３０）内の光を上方へ向かって反射する光反射能を有し、
上記ＬＥＤ用配線層（３４）は、導電材からなり、ランド部（３４１）及びリード部（３４２）を備え、
上記上段部構成層（３５）は、樹脂質絶縁材からなり、上記収容部（３０）のうちの上段部を構成するために貫通された貫通孔（３５１）を有すると共に、上記ＬＥＤ用配線層（３４）の上記ランド部（３４１）を上記収容部（３０）内に露出させつつ上記ＬＥＤ用配線層（３４）上に積層されており、
上記光放射層（３６）は、光透過性の樹脂質絶縁材からなり、上記収容部（３０）の上面を閉塞すると共に、上記収容部（３０）内の光を上記側端面（３６２）から出射するために、その上面側に、上方（Ｚ１）へ向かって広がるように傾斜された傾斜外壁面（３６１）を形成しつつ凹設された有底凹部（３６３）を有し、且つ該傾斜外壁面（３６１）は該光放射層（３６）の上記側端面（３６２）に向かって光を反射する光反射能を有することを特徴とするＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）。
〈２〉上記光放射層（３６）の上記傾斜外壁面（３６１）は、上記光反射能に加えて、該光放射層（３６）の上方へ上記収容部（３０）内からの光を透過させる光透過能を有すると共に、全周（Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１及びＹ２を含む）及び上方向（Ｚ１）に光を出射する上記〈１〉に記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）。
〈３〉上記有底凹部（３６３）の外表面に金属製光反射層（３７）を備え、上記光反射能は該金属製光反射層（３７）による上記〈１〉又は〈２〉に記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）。
〈４〉上記有底凹部（３６３）の外表面（３６１）に印刷形成されたドットパターン（３６４）を有し、上記光反射能は該ドットパターン（３６４）により得られる上記〈２〉に記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）。
〈５〉上記有底凹部（３６３）の外表面（３６１）は粗面化処理されており、上記光反射能は該粗面化処理された該有底凹部（３６３）の該外表面（３６１）により得られる上記〈２〉に記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）。
〈６〉上記収容部（３０）を複数備え、且つ該収容部（３０）は列設されている上記〈１〉乃至〈５〉のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）。
〈７〉裏面から表面へ向かって上記底部放熱層（３２）、上記下段部構成層（３３）、上記ＬＥＤ用配線層（３４）、上記上段部構成層（３５）及び上記光放射層（３６）の順に積層されてなる表面側に出射する部位と、表面から裏面へ向かって上記底部放熱層（３２）、上記下段部構成層（３３）、上記ＬＥＤ用配線層（３４）、上記上段部構成層（３５）及び上記光放射層（３６）の順に積層されてなる裏面側に出射する部位と、の両方を備える上記〈６〉に記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板。
〈８〉上記底部放熱層（３２）の層下に熱吸収体（３８１）を備える上記〈１〉乃至〈７〉のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）。
〈９〉上記〈１〉乃至〈８〉のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）と、該ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）の上記収容部（３０）内に実装されたＬＥＤ（５０）と、を備えることを特徴とするＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）。
〈１０〉上記ＬＥＤ（５０）は、絶縁基板（５１）と、該絶縁基板（５１）上に形成された発光部（５２）と、該発光部（５２）の上面に形成され且つ該発光部（５２）を発光させるための発光部用端子（５３）と、を備え、
上記絶縁性基板（５１）と上記ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）を構成する上記底部放熱層（３２）とは接着剤を介して接合されており、
上記発光部端子（５３）と上記ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）の上記ランド部（３４１）とはボンディングワイヤ（５４）を介して電気的に接続されている上記〈９〉に記載のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）。
〈１１〉上記ＬＥＤ（５０）を１つ又は２つ以上を備え、該ＬＥＤ（５０）の合計出力が１Ｗ以上である上記〈９〉又は〈１０〉に記載のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）。
〈１２〉上記〈９〉乃至〈１１〉のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）と、該ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）が実装されたマザーボード（６０）と、を備えることを特徴とする発光モジュール（１）。
〈１３〉上記ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）の上記ＬＥＤ用配線層（３４）を構成するリード部（３４２）は、上記下段部構成層（３３）の端面に基板実装用ランド部（３４３）として導出されており、
上記基板実装用ランド部（３４３）は、上記マザーボード（６０）の実装面に配設されたマザーボード表面配線（６１１）と、導電性接合材（６２）を介して電気的に接続されている上記〈１２〉に記載の発光モジュール（１）。

本発明のＬＥＤ搭載用全周発光型基板によれば、全周へ光を出射することができる。特に、樹脂質絶縁材を用いて薄い構造で形成しつつ全周へ高い発光効率を得ることができるため、視面直下に配置して光の濃淡を抑制した光源として用いることができる。更に、樹脂質絶縁材を用いながら高い耐熱性を発揮できるため、高光量ＬＥＤの実装や実装密度の向上を行うことができる。
光放射層の傾斜外壁面が光放射層の上方へ収容部内からの光を透過させる光透過能を有する場合は、全周及び上方の両方に発光させることができる
有底凹部の外表面に金属製光反射層を備える場合は、金属製光反射層の光反射率を調整し、全反射ミラー又はハーフミラー等とすることにより、周方向及び上方への光量調整及び配分調整を行うことができる。更に、光反射層が金属からなることにより上方への優れた放熱性を得ることができるために高い耐熱性を得ることができる。
有底凹部の外表面に印刷形成されたドットパターンを有する場合は、上方へ光を透過させつつ、側方へも光を反射させることができ全周及び上方の両方に発光させることができる。更に、ドットパターンの印刷密度及びドットの大きさ等により反射特性を容易に調整でき、周方向及び上方への光量調整及び配分調整を行うことができる。
有底凹部の外表面が粗面化処理されている場合は、上方へ光を透過させつつ、側方へも光を反射させることができ全周及び上方の両方に発光させることができる。更に、粗化の程度により反射特性を容易に調整でき、周方向及び上方への光量調整及び配分調整を行うことができる。
収容部を複数備え、且つ該収容部は列設されている場合には、１つのＬＥＤ搭載用全周発光型基板で幅広の光源を得ることができる。更に、ＬＥＤの実装密度をより向上させることができる。
表面側に出射する部位と裏面側に出射する部位との両方を備える場合は、１つのＬＥＤ搭載用全周発光型基板において裏表両面を発光させることができると共に、高い放熱性を得ることができる。
上記底部放熱層の層下に熱吸収体を備える場合は、とりわけ優れた耐熱性を得ることができる。

本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板によれば、全周へ光を出射することができる。特に、樹脂質絶縁材を用いて薄い構造で形成しつつ全周へ高い発光効率を得ることができるため、視面直下に配置して光の濃淡を抑制した光源として用いることができる。更に、樹脂質絶縁材を用いながら高い耐熱性を発揮できるため、高光量ＬＥＤの実装や実装密度の向上を行うことができる。
絶縁性基板とＬＥＤ搭載用全周発光型基板を構成する底部放熱層とが接着剤を介して接合され、発光部端子とＬＥＤ搭載用全周発光型基板のランド部とがボンディングワイヤを介して電気的に接続されている場合は、より優れた放熱性を発揮させることができる。
ＬＥＤを１つ又は２つ以上を備え、ＬＥＤの合計出力が１Ｗ以上である場合は、本発明のＬＥＤ搭載用全周発光型基板における高効率な放熱特性を利用できるために、発光強度が強く且つ長寿命のＬＥＤ搭載全周発光型基板を得ることができる。

本発明の横発光型モジュールによれば、全周へ光を出射することができる。特に、樹脂質絶縁材を用いて薄い構造で形成しつつ全周へ高い発光効率を得ることができるため、視面直下に配置して光の濃淡を抑制した光源として用いることができる。更に、樹脂質絶縁材を用いながら高い耐熱性を発揮できるため、高光量ＬＥＤの実装や実装密度の向上を行うことができる。
ＬＥＤ搭載用全周発光型基板のＬＥＤ用配線層を構成するリード部が下段部構成層の端面に基板実装用ランド部として導出されており、基板実装用ランド部が、マザーボードの実装面に配設されたマザーボード表面配線と、導電性接合材を介して電気的に接続されている場合は、ＬＥＤの実装密度を向上させることができる。

以下、本発明を図１〜３２を用いて詳しく説明する。
［１］ＬＥＤ搭載用全周発光型基板
本発明のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）は、底部側（Ｚ２）から上部側（Ｚ１）へ向かって、底部放熱層（３２）、下段部構成層（３３）、ＬＥＤ用配線層（３４）、上段部構成層（３５）、光放射層（３６）を、この順に積層して備えると共に、その内部に閉塞された空間からなる収容部（３０）を備え、該収容部（３０）内にＬＥＤ（５０）を実装した場合に、該ＬＥＤ（５０）の光を光放射層（３６）の少なくとも側端面（３６２）から全周に出射するＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）であって、
上記底部放熱層（３２）は、金属からなり、上記収容部（３０）の底面を閉塞すると共に上記ＬＥＤ（５０）を実装した場合には該ＬＥＤ（５０）が接合される層であり、
上記下段部構成層（３３）は、樹脂質絶縁材からなり、上記収容部（３０）のうちの下段部を構成するために上方（Ｚ１）へ向かって広がるように傾斜された傾斜内壁面（３３１）を形成しつつ貫通された貫通孔（３３２）を有すると共に、該傾斜内壁面（３３１）は該収容部（３０）内の光を上方（Ｚ１）へ向かって反射する光反射能を有し、
上記ＬＥＤ用配線層（３４）は、導電材からなり、ランド部（３４１）及びリード部（３４２）を備え、
上記上段部構成層（３５）は、樹脂質絶縁材からなり、上記収容部（３０）のうちの上段部を構成するために貫通された貫通孔（３５１）を有すると共に、上記ＬＥＤ用配線層（３４）の上記ランド部（３４１）を上記収容部（３０）内に露出させつつ上記ＬＥＤ用配線層（３４）上に積層されており、
上記光放射層（３６）は、光透過性の樹脂質絶縁材からなり、上記収容部（３０）の上面を閉塞すると共に、上記収容部（３０）内の光を上記側端面（３６２）から出射するために、その上面側に、上方（Ｚ１）へ向かって広がるように傾斜された傾斜外壁面（３６１）を形成しつつ凹設された有底凹部（３６３）を有し、且つ該傾斜外壁面（３６１）は該光放射層（３６）の上記側端面（３６２）に向かって光を反射する光反射能を有することを特徴とする。

即ち、本ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）は、底部放熱層（３２）と、下段部構成層（３３）と、ＬＥＤ用配線層（３４）と、上段部構成層（３５）と、光放射層（３６）と、を備える。これらの層のうち、下段部構成層（３３）、上段部構成層（３５）、及び光放射層（３６）は、各々樹脂質絶縁材から構成される。即ち、絶縁材として樹脂を用いて構成されている。更に、これらの層のうち下段部構成層（３３）及び上段部構成層（３５）については特に限定されないが、光放射層（３６）を構成する樹脂質絶縁材は光透過性を有する。

上記光透過性とは、ＬＥＤ（５０）から発せられた光（可視光、紫外線及び赤外線等）を透過できる性質であり、樹脂質絶縁材自体が透明であるか不透明であるかを問わない。更に、透過率も特に限定されないが、透過を目的とする波長の光に対しては厚さ２ｍｍに対して少なくとも６０％以上（通常９０％以下、好ましくは７０％以上）の透過率を有することが好ましい。
尚、下段部構成層（３３）及び上段部構成層（３５）は、必要により光透過性としてもよく、非光透過性としてもよい。非光透過性とする場合、その方法は特に限定されないが、例えば、非光透過性の樹脂質絶縁材を用いる方法や、光透過性の樹脂質絶縁材を用いると共にその必要な表面に非光透過コーティングを施す方法や、光透過性の樹脂質絶縁材にフィラを混合して透過率を低下させる方法などが挙げられる。

上記樹脂絶縁材のうち光透過性の樹脂絶縁材を構成する樹脂種は特に限定されず、エポキシ樹脂、ポリカーボネート、アクリル樹脂、透光性ＡＢＳ樹脂、透光性ポリウレタン等を用いることができる。これらのなかでは、耐熱性の観点からポリカーボネート及びエポキシ樹脂が好ましい。
また、樹脂絶縁材のうち光透過性を要しない樹脂絶縁材を構成する樹脂種は特に限定されないが、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェニレン樹脂、フェニレンエーテル樹脂及びフェノール樹脂等が挙げられる。これらのなかではエポキシ樹脂が好ましい。絶縁性、取扱い性及び汎用性に優れるためである。
また、絶縁性樹脂を用いた樹脂質絶縁材としては、絶縁性樹脂のみからなるもの（樹脂フィルム層、樹脂ビルドアップ層等）であってもよく、絶縁性樹脂と他の材料を併用したものであってもよい。他の材料としては、ガラス繊維及び炭素繊維等の無機繊維並びに無機繊維を用いた無機繊維クロス等の補強材が挙げられる。即ち、樹脂と他の材料を併用した樹脂質絶縁材としては、ガラスエポキシ樹脂板（片面又は両面に銅張りされたものであってもよい）などが挙げられる。

以下、本ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）を構成する各層について説明する。
上記「底部放熱層（３２）」は、ＬＥＤ（５０）の底面が接合されることとなる金属からなる層である。底部放熱層（３２）は、本ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）においてＬＥＤ（５０）と直接接する層であるために、金属製であることにより優れた熱引き性を発揮させることができる。本ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）では、この底部放熱層（３２）の層下にセラミック層や絶縁樹脂層などの蓄熱を生じる層を設ける必要がなく、基板全体において底部放熱層（３２）を最下層とすることができる。このため、ＬＥＤ（５０）の直下から極めて効率よく熱引きを行うことができ、合計出力が１Ｗ以上となるような大きな発熱を伴うＬＥＤ（５０）であってもセラミック基板を用いることなく、樹脂質基板を利用してＬＥＤ（５０）を搭載できると共に、高い耐熱特性を得ることができる。尚、後述するように、底部放熱層（３２）を備えることで、底部放熱層（３２）下に直接、熱吸収体、ヒートシンク及び熱ポンプなどの排熱部品を配設して、更に高効率な排熱を行うこともできる。

この底部放熱層（３２）としては、金属箔、金属フィルム、及び金属板などを用いることができる。また、その金属種は特に限定されないが、熱引き性の観点から銅及び銅合金並びにアルミニウム及びアルミニウム合金などが好ましい。
この底部放熱層（３２）の厚さは特に限定されないが、通常、０．１５ｍｍ以上である。０．１５ｍｍ以上であることで優れた放熱性を確保しながら、十分な機械的特性を得ることができる。この厚さは０．１５〜１．０ｍｍであることが好ましく、０．３〜１．０ｍｍであることがより好ましく、０．８〜１．０ｍｍであることが更に好ましい。この範囲では更に優れた放熱性及び機械的特性を得ることができる。

また、底部放熱層（３２）と同じ層位置には、図３、図６〜図１１、図１３〜１６、図１７〜２１に例示されるように、底部配線（３２１）を備えることができる。底部配線（３２１）を有することで、基板（３）の底部をマザーボード等に接続することができる。この底部配線（３２１）は、底部放熱層（３２）の形成と同時に形成することができ、同じ材料を用いて形成できる。また、底部配線（３２１）は、下段部構成層（３３）の背面に配置された背面配線（３４３）を介して、後述するＬＥＤ用配線層（３４）と接続することができる。

上記「下段部構成層（３３）」は、底部放熱層（３２）上に積層された層である。下段部構成層（３３）は底部放熱層（３２）上に直接接して積層されていてもよく、他層を介して積層されていてもよい。他層としては、両層を接合するための接合層などが挙げられる。
更に、下段部構成層（３３）は、収容部（３０）のうちの下段部を構成するために上方（Ｚ１）へ向かって広がるように傾斜された傾斜内壁面（３３１）を形成しつつ貫通された貫通孔（３３２）を有する。同時に、傾斜内壁面（３３１）は、収容部（３０）内の光を上方（Ｚ１）へ向かって反射する光反射能を有している。このように傾斜内壁面（３３１）が上方へ向かって広がるように傾斜された形状であることにより、収容部（３０）内の光を収容部（３０）の上方（Ｚ１）へ効率よく反射させることができる。

上記傾斜内壁面（３３１）による光反射能はどのようにして得られてもよいが、この部位における反射率は高いほど好ましい。このため、傾斜内壁面（３３１）の表面に光を反射するための傾斜内壁面光反射層（３３３）を備えることが好ましく、更には、傾斜内壁面反射層（３３３）は金属ミラー層であることが好ましく、特に、金属めっき層であることがより好ましい。その金属種は特に限定されないが、銀、銅、金、アルミニウム、ニッケル及びニッケル−クロム等が挙げられる。これらのうちでは、反射効率に優れることから少なくともその最表面が銀及び／又はアルミニウムであることが好ましい。

即ち、例えば、傾斜内壁面光反射層（３３３）は、傾斜内壁面（３３１）に無電解Ｎｉめっき（例えば５〜１５μｍ）、電解Ａｕめっき（例えば０．５〜２μｍ）、電解Ａｇめっき（例えば１０〜２５μｍ）を各々この順に施して形成することができる。傾斜内壁面光反射層（３３３）の材質については、後述する光放射層（３６）の傾斜外壁面（３６１）における傾斜外壁面光反射層（３７）についても同様である。
傾斜内壁面（３３１）を形成している貫通孔（３３２）の平面形状は特に限定されず、例えば、図３に示す略円形状、図１４に示す四角形状、図１５及び図１６に示す六角形状等が例示される。

上記傾斜内壁面（３３１）の傾斜角度（図７における角度θ_１）は特に限定されないが、通常、２０〜９０度である。この範囲では、本構造のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）において特に優れた発光強度を得ることができる。この傾斜角度は、更に、２３〜６０度とすることが好ましく、２５〜４５度とすることがより好ましい。
尚、この傾斜角度は、後述する傾斜外壁面（３６１）の傾斜角度（図７における角度θ_２）と同じあってもよく、異なっていてもよい。更に、傾斜内壁面（３３１）の傾斜内壁面光反射層（３３３）は、傾斜内壁面（３３１）の全面に形成されていてもよく、絶縁などの目的｛例えば、底部放熱層（３２）と他層との間の絶縁など｝で傾斜内壁面光反射層（３３３）が形成されていない部分を有していてもよい。

下段部構成層（３３）の厚さは特に限定されないが、通常、０．２ｍｍ以上であり、０．２〜１．６ｍｍとすることが好ましい。この範囲では、傾斜内壁面（３３１）による反射面積を確保しながら、傾斜内壁面（３３１）の傾斜角度をより広い範囲で選択できると共に、ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）全体の厚さを小さく抑えつつ、底部放熱層（３２）による熱引き能力を十分に引き出し、耐熱性に優れたＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）を得ることができる。この厚さは、更に、０．３〜１．３ｍｍとすることがより好ましく、０．４〜１．０ｍｍとすることが特に好ましい。また、下段部構成層（３３）の外形は特に限定されないが、通常、四角形である。

上記「ＬＥＤ用配線層（３４）」は、下段部構成層（３３）上に積層された導体層である。ＬＥＤ用配線層（３４）は下段部構成層（３３）上に直接接して積層されていてもよく、他層を介して積層されていてもよい。他層としては、両層を接合するための接合層などが挙げられる。積層されていてもよい。
更に、ＬＥＤ用配線層（３４）は、ランド部（３４１）及びリード部（３４２）を備える。このうちランド部（３４１）は、ＬＥＤ用配線層（３４）のうち収容部（３０）内に露出された部分であり、ボンディングワイヤ（５４）等の接続部材と直接的に接続されることとなる部位である。一方、リード部（３４２）は、ＬＥＤ用配線層（３４）のうち収容部（３０）内に露出されてない部分である。即ち、例えば、図２に例示されるように、ＬＥＤ用配線層（３４）上に上段部構成層（３５）が積層された際の上段部構成層（３５）の貫通孔（３５１）の周面の外形線をＬＥＤ用配線層（３４）上の点線として表した場合に、この点線を境界として、上段部構成層（３５）下の部位がリード部（３４２）であり、上段部構成層（３５）の貫通孔（３５１）内に露出される部位がランド部（３４１）である。

また、リード部（３４１）は、リードとしての機能しか有さないものであってもよく、ＬＥＤ（５０）を制御するための配線として機能するものであってもよい。更には、他の電子部品を実装するための部位を備えていてもよく、裏面側との導通を図るためのスルーホール等を備えていてもよい。尚、上記他の電子部品としては、抵抗（電流制限を行うための抵抗）や、定電流ダイオード（ＣＤＲ）等が挙げられる。

加えて、収容部（３０）を複数備えるＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）では、この複数ある収容部（３０）のうちの１つの収容部（３０）内に露出されたランド部（３４１）と、収容部（３０）のうちの他の収容部（３０）内に露出されたランド部（３４１）と、がＬＥＤ用配線層（３４）において電気的に接続された構造とすることができる。即ち、各収容部（３０）内に搭載されたＬＥＤ（５０）同士を連動させて制御することを目的とする場合に、その連動化機能をＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）内に設けることができる。これにより、少スペース化を達することができる。

また、収容部（３０）を複数備えるＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）では、収容部（３０）は表裏（図１等におけるＺ１方向とＺ２方向と）を逆にして配置させることができる。表裏を逆に配置した収容部（３０）を備えた構造のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）によれば、裏表両面に発光する光源として用いることができる。更に、表裏に放熱方向を分散させることができるために、放熱効率を向上させて高い耐熱性を得ることができる。収容部（３０）を表裏を逆に配置する場合には、例えば、隣り合う収容部同士の表裏を交互となるように配置してもよく、１つ飛び毎としてもよく、その他の配列としてもよい。このような１つの基板内に複数の収容部（３０）を配設した構造の基板は、モジュール化されたものとすることができる。従って、ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）全体を１つの電球や蛍光灯等のように取り扱うことができる。

上記「上段部構成層（３５）」は、ＬＥＤ用配線層（３４）のランド部（３４１）を収容部（３０）内に露出させて、ＬＥＤ用配線層（３４）上に積層された層である。即ち、上段部構成層（３５）の貫通孔（３５１）を、下段部構成層（３３）の貫通孔（３３２）よりも大きく形成することによって、下段部構成層（３３）の表面（３３ａ）にランド部（３４１）を露出させることができる。この上段部構成層（３５）の貫通孔（３５１）の平面形状と、下段部構成層（３３）の貫通孔（３３２）の平面形状とは、相似形とすることができる。
尚、上段部構成層（３５）は、ＬＥＤ用配線層（３４）上に直接接して積層されていてもよく、他層を介して積層されていてもよい。他層としては、両層を接合するための接合層などが挙げられる。

上段部構成層（３５）は、貫通孔（３５１）の内周面である上段部内壁面（３５２）を有する。この上段部内壁面（３５２）は、積層方向に水平に切り立った面としてもよく、下段部構成層（３３）の傾斜内壁面（３３１）と同様に上広がりに傾斜された面としてもよい。但し、下広がりに傾斜された面でないことが好ましい。
更に、この上段部内壁面（３５２）の表面には、光反射層が設けられていてもよく、設けられていなくてもよい。光反射層を設ける場合には、前記下段部構成層（３３）の光反射層（３３３）と同様の材質及び形成方法を用いることができる。光反射層が設けられていない場合には、底部放熱層（３３）と光放射層（３６）との間を絶縁することができる。

また、上段部構成層（３５）は、収容部（３０）を形成するためのスペーサーとして機能し、上段部構成層（３５）の厚さを変化させることにより出射角度を調節することができる。即ち、スペーサーを薄くすればより広角の出射角度を得ることができ、スペーサーを厚くすればより狭角の出射角度を得ることができる。通常、上段部構成層（３５）の厚さは、０．２〜１．４ｍｍの範囲で調整され、０．４〜１．２ｍｍとすることが好ましい。

上記「光放射層（３６）」は、上段部構成層（３５）上に積層された層であり、収容部（３０）の上面を閉塞する層である。更に、光放射層（３６）は、その上面に有底凹部（３６３）を有する。この有底凹部（３６３）は、上方（Ｚ１）へ向かって広がるように傾斜された傾斜外壁面（３６１）を有する。この上広がりの傾斜外壁面を備える有底凹部を有することで、収容部（３０）内の光を光放射層（３６）の側端面（３６２）へ向けて反射させることができ、側端面（３６２）から光を出射することができる。

ここでいう「上方へ向かって広がるように傾斜された」形状は、前記下段部構成層（３３）の傾斜内壁面（３３１）における形状を適用できる。この傾斜外壁面（３６１）の傾斜角度（図７における角度θ_２）は特に限定されないが、通常、２０〜６０度である。この範囲では、本構造のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）において特に優れた発光強度を得ることができる。この傾斜角度は、更に、２３〜５０度とすることが好ましく、２５〜４５度とすることがより好ましい。

この傾斜外壁面（３６１）が有する光反射能はどのようにして発揮されるものであってもよく、例えば、（１）有底凹部の傾斜外壁面上に光反射層を備えた形態、（２）有底凹部の傾斜外壁面にドットパターンが印刷形成された形態、（３）有底凹部の傾斜外壁面が粗面化された形態、等が挙げられる。これらはいずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記（１）の有底凹部（３６３）の傾斜外壁面（３６１）上に光反射層（以下、単に「傾斜外壁面光反射層」ともいう）を備えた形態（傾斜外壁面上に傾斜外壁面光反射層が積層された形態）では、特に効率よく収容部（３０）内の光を光放射層（３６）の側端面（３６２）へ向かって反射させることができ、傾斜外壁面光反射層（３７）として高反射率｛例えば、目的とする光に対する反射率が６０％以上（通常９９．５％以下、更には６５％以上）｝の層を用いることで、上方へは光を透過させることなく、周方向の全周へのみ出射できる基板（３）を得ることができる（図７参照）。更に、傾斜外壁面光反射層（３７）の反射率を低下させることで周方向だけでなく上方へも光を出射させることができる（図８参照）。そして、この傾斜外壁面光反射層（３７）の反射率（透過率）を調整することで、周方向へ出射させる光量と上方へ出射させる光量との配分を調整することもできる（図８参照）。

上記（２）の有底凹部（３６３）の傾斜外壁面（３６１）にドットパターン（３６４）が印刷形成された形態（図１１〜１３、図２７及び図２８参照）では、収容部（３０）内の光を光放射層（３６）の側端面（３６２）へ向かって反射させると共に上方へも光を透過させることができ、周方向の全周及び上方の両方向へ出射できる基板（３）が得られる。
このドットパターン（３６４）は、光放射層（３６）を構成する樹脂に対して印刷できる材料であれば特に限定されず用いることができる。図２７に例示されるように、ドットパターン（３６４）が形成されていると、収容部（３０）内でＬＥＤ（５０）から出射された光（図２７に示す点線）は、光放射層（３６）とドットパターン（３６４）との界面の屈折率差や、ドットパターン（３６４）の角部等によって側端面（３６２）へ向けて一部が反射され、光の他の一部は光放射層（３６）の上方へと透過されることとなる。

ドットパターン（３６４）におけるドットの配置は特に限定されないが、図２８に例示されるように、有底凹部（３６３）の底部寄り程、小さなドットであり、上部寄り程、大きなドットとなるドットパターン（３６４）であることが好ましい。これにより光の濃淡をより小さくすることができる。更に、図２８に例示されるように、ドットが同心円状に配置されたドットパターンであることが好ましい。これにより、周方向へより均一な光の出射を行うことができる。
そして、印刷するドットパターンの各ドットの形状及び大きさ、更には、印刷するインクの材質（樹脂種及びフィラー配合の有無等）により、反射率（透過率）を調整でき、これにより周方向へ出射させる光量と上方へ出射させる光量との配分を調整できる。

上記（３）の有底凹部（３６３）の傾斜外壁面（３６１）が粗面化された形態では、収容部（３０）内の光を光放射層（３６）の側端面（３６２）へ向かって反射（乱反射）させると共に上方へも光を透過させることができ、周方向の全周及び上方の両方向へ出射できる基板（３）が得られる。
この粗化の程度は特に限定されないは、ドットパターン（３６４）における場合と同様に、有底凹部（３６３）の底部寄り程、高度に粗化され、上部寄り程、低度に粗化されていることが好ましい。これにより光の濃淡をより小さくすることができる。そして、この粗化の程度（粗化により形成された凹凸の大きさ及びその密度）により、反射率（透過率）を調整でき、これにより周方向へ出射させる光量と上方へ出射させる光量との配分を調整できる。

更に、光放射層（３６）は、１層のみから構成（図７、図８及び図１０参照）されてもよいが、２層以上から構成（図９参照）することもできる。２層以上から構成される場合としては、図９に例示されるように、傾斜外壁面（３６１）を形成しつつ貫通された貫通孔を有する上層部（３６５）と、平板状の下層部（３６６）と、を積層してなる光放射層（３６）が挙げられる。また、図９に例示される形態では、上層部（３６５）の側端面と下層部（３６６）の側端面とは同一平面にあるが、図１０に例示されるように、各々異なる平面として存在させてもよい。更に、図９及び図１０の光放射層（３６）は各々別体に形成せず、一体的に成形してもよい。

この光放射層（３６）の厚さは特に限定されないが、通常、傾斜外壁面（３６１）が形成されている最も厚い部分において０．２ｍｍ以上であり、０．２〜１．６ｍｍとすることが好ましい。この範囲では、傾斜外壁面（３６１）による反射面積を十分に確保しながら、傾斜外壁面（３６１）の傾斜角度をより広い範囲で選択できると共に、ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）全体の厚さを小さく抑えつつ、底部放熱層（３２）による熱引き能力を十分に引き出し、耐熱性に優れたＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）を得ることができる。この厚さは、更に、０．３〜１．３ｍｍとすることがより好ましく、０．４〜１．０ｍｍとすることが特に好ましい。

また、光放射層（３６）では、上記傾斜外壁面光反射層（３７）だけでなく、図１０に例示されるように、光放射層（３６）表面において光の透過を阻止したい部分には非光透過コート層（３７１）を設けることができる。これにより、無駄な漏光を無くし、ＬＥＤ（５０）から放射された光をより効率よく側端面（３６２）から出射させて、高効率な基板（３）とすることができる。
尚、光放射層（３６）と上段部構成層（３５）との層間には、本発明の目的を阻害しない範囲で他の層を介していてもよい。即ち、他の層としては、両層を接合するための接合層などが挙げられる。

また、本発明のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）は、底部放熱層（３２）を備えるため、図１７〜１９に例示されるように、底部放熱層（３２）下に直接、熱吸収体、ヒートシンク及び熱ポンプなどの排熱部品を配設でき、この場合には、更に効率よく排熱を行うことができる。即ち、図１７及び図１８に例示されるように、底部放熱層（３２）下に直接、底部熱吸収体（３８１）を設けることができる。また、図１９に例示されるように、底部放熱層（３２）下に直接、ヒートシンク（３８３）を設けることができる。また、上記底部熱吸収体（３８１）を設けた上で、この底部熱吸収体（３８１）下に、更に底部ヒートシンク（３８３）を設けることもできる。

この底部熱吸収体（３８１）の構成は特に限定されないが、例えば、図１７に例示されるように、熱吸収部材（３８１ａ）とこれを保持する枠体（３８１ｂ）とを備え、これらを底部放熱層（３２）と底部放熱層と同様の材料からなる底板（３８１ｄ）とにより挟持した構造とすることができる。更に、熱吸収部材（３８１ａ）の膨張による内圧上昇や体積膨張を緩和するための緩衝領域（３８１ｃ）を設けることができる。
このうち熱吸収部材（３８１ａ）としては、吸水性樹脂及び水を含むゲルを好適に用いることができる。このうち吸水性樹脂としては非イオン性（即ち、ノニオン型）の吸水性樹脂が好ましく、更には、ノニオン型ポリアルキレンオキシド系吸水性樹脂（ポリアルキレンオキシドとしては、ポリエチレンオキシド及びポリプロピレンオキシドが挙げられる）が好ましい。

また、このゲルには、水以外に、水と相溶性を有する他の媒体を含有できる。他の媒体としては、アルコールが挙げられる。このアルコールとしては、１価アルコール及び多価アルコールが挙げられる。１価アルコールとしては、１−ブタノール及びアリルアルコール等が挙げられる。多価アルコールとしては、エチレングリコール、グリセリン及びブチレングリコール等が挙げられる。これらのアルコールは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。

更に、上記ゲルには、熱伝導率をより向上させるための熱伝導性フィラ｛石英結晶フィラ、金属フィラ（銅、錫、銀及びチタンなど）｝や、水（他の媒体を含む）の流出を抑制する多孔性フィラ（カーボンフィラ、珪藻土、ゼオライトなど）等を含有させることができる。
この熱吸収部材（３８１ａ）の具体的な配合としては、熱吸収樹脂１５〜２５体積％、水３０〜４５体積％及び多価アルコール３０〜４５体積％とすることができる。更に、熱伝導性フィラを用いる場合、熱吸収樹脂、水及び多価アルコールの合計体積１００体積部に対して、外配合で５〜５０体積部を配合できる。更に、多孔性フィラを用いる場合、熱吸収樹脂、水及び多価アルコールの合計体積１００体積部に対して、外配合で５〜２０体積部を配合できる。

一方、上記枠体（３８１ｂ）としては、熱吸収部材（３８１ａ）と接する面がめっき（アルミニウム、銅、ニッケル及び金等）されたガラスエポキシ基板や、各種金属（アルミニウム、アルミニウム合金、銅及び銅合金）で成形された枠体を用いることができる。

また、本発明のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）では、図２９に例示されるように、１つの基板（３）内に複数の収容部（３０）を備えた形態とすることもできる。複数の収容部（３０）を設ける場合には、図２９に例示されるように、収容部（３０）を１つの基板（３）内に列設してもよく、マトリックス状に配置してもよい。このように複数の収容部（３０）を有する基板（３）では、表面発光面積の大きな光源とすることができる。即ち、側端面（３６２）の全周から発光させると共に、収容部（３０）の上方（Ｚ１）へも大きな発光面積を有する発光体とすることができる。
尚、この図２９に示す基板（３）は、実質的に、図３に示す基板（但し、底部配線３２１を備えない）を方向Ｘ１−Ｘ２へ列設した形態である。また、各収容部（３０）の大きさや形状は同じであってもよく、異なっていてもよい。

更に、この図２９に例示される複数の収容部（３０）を有する基板（３）において、外部との電気的接続は、図３に例示されるような各収容部（３０）に対応した個別の底部配線（３２１）によって行ってもよいが、この底部配線（３２１）に換えて、図２９に例示されるように、ＬＥＤ用配線層（３４）を下段部構成層（３３）と共に他層から突出させてなるコネクタ部（３９）を介して行うことができる。このコネクタ部（３９）は、例えば、下段部構成層コネクタ部（３３４）とＬＥＤ用配線層（３４）から延設されたコネクタ配線（３４６）とから構成できる。

更に、複数の収容部を備える基板（３）においては、図３０に例示されるように、各収容部（３０）における上方（Ｚ１）発光方向を表裏両面に振り分けた形態の基板（３）とすることもできる。このような各収容部（３０）の上方が基板の表裏両面に向くように複数の収容部（３０）が列設されたＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）によれば、１つの基板（３）で表面発光面積が大きく、表裏両面及び全側面に発光する光源とすることができる。加えて、底部放熱層（３２）による熱引き方向を表裏両面に分散させることができ、高い放熱性を得ることができる。

尚、この図３０に示す基板（３）は、実質的に、図３に示す基板（但し、底部配線３２１を備えない）の上方（Ｚ１）を互い違いに配置すると共に、方向Ｘ１−Ｘ２へ列設した形態である。また、この図３０に示す基板（３）では、下段部構成層（３３）と光放射層（３６）とが共用される必要があるために、両層を構成する樹脂質絶縁材はいずれも前記光透過性を有するものである。即ち、例えば、両層をポリカーボネートから形成できる。これらの層（３３及び３６）は、各収容部（３０）においてそれぞれ機能を共用される層であり、第１の収容部において下段部構成層（３３）として機能する層は、第１の収容部に隣接された第２の収容部においては光放射層（３６）として機能されることとなる。更に、各収容部（３０）の大きさや形状は同じであってもよく、異なっていてもよい。

また、この図３０に例示される複数の収容部（３０）を有する基板（３）において、外部との電気的接続は、図３に例示されるような各収容部（３０）に対応した個別の底部配線（３２１）によって行ってもよいが、この底部配線（３２１）に換えて、図３０に例示されるように、ＬＥＤ用配線層（３４）から電気的に接続されたコネクタ配線（３９１）を上段部構成層（３５）と共に他層から突出させてなるコネクタ部（３９）を介して行うことができる。このコネクタ部（３９）は、例えば、上段部構成層コネクタ部（３５３）とコネクタ配線（３９１）とから構成できる。

［２］ＬＥＤ搭載全周発光型基板
本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）は、本発明のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）と、該ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）の上記収容部（３０）内に実装されたＬＥＤ（５０）と、を備えることを特徴とする。

上記「ＬＥＤ」は、発光ダイオードであえばよく、発光波長及び構成等は特に限定されない。また、１つの収容部（３０）に対して、１つのＬＥＤのみを搭載してもよく、２つ以上を搭載してもよい。更に、１つの収容部（３０）に対して、２つ以上のＬＥＤ（５０）を搭載する場合には、１種のみのＬＥＤを搭載してもよく、２種以上のＬＥＤを搭載しもよい。更に、本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）では、１つの収容部（３０）に収容されるＬＥＤの合計出力が１Ｗ以上（更には１〜８Ｗ、複数の収容部を列設して備える場合には合計１〜４０Ｗ）であるような高出力のＬＥＤを搭載するのに適している。
尚、上記ＬＥＤの出力とは、定格電流Ａと順電位Ｖｆとの積（Ａ×Ｖｆ）の値である。

また、用いるＬＥＤ（５０）の種類も特に限定されない。ＬＥＤ（５０）としては、例えば、図２２に例示されるように、〈１〉絶縁基板（５１）と、絶縁基板（５１）上に形成された発光部（５２）と、発光部（５２）の上面に形成され且つ発光部（５２）を発光させるための発光部用端子（５３）と、を備えるＬＥＤ（５０）が挙げられる。更に、〈２〉底部｛図２２における絶縁基板（５１）｝と上部とに各々発光部端子を備え、これらの発光部端子間に発光部が配置されたＬＥＤ（５０）が挙げられる。これらのうちでは、図２２に例示されるような〈１〉のＬＥＤ（５０）が好ましい。

更に、ＬＥＤ（５０）の搭載方法は、前記ＬＥＤ（５０）の形態よって適宜の方法を採用できる。前記〈１〉のＬＥＤ（５０）を用いる場合には、ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）を構成する底部放熱層（３２）とＬＥＤ（５０）の絶縁性基板（５１）とを接合層（５５）を介して接合し、且つ、発光部端子（５３）とＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）のランド部（３４１）とをボンディングワイヤ（５４）で電気的に接続した形態で搭載できる。この形態では特に優れた発光効率及び耐熱性が得られる。一方、前記〈２〉のＬＥＤ（５０）を用いる場合には、底部の発光部端子と底部放熱層（３２）とを導電性接続材（ハンダ等）を介して接続し、上部の発光部端子とＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）のランド部（３４１）とをボンディングワイヤ（５４）で電気的に接続した形態で搭載できる。

また、本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）では、収容部内に搭載したＬＥＤの酸化防止のために封止材（３１）によりカバーすることができる。ここでの封止材（３１）は蓄熱性を生じないように最低限の量に抑えるようにする。この封止材（３１）は、少なくとも透光性樹脂（３１１）を含有する。透光性樹脂（３１１）は、透光性を有する樹脂である。この透光性とは少なくとも可視光に対する透光性であり、特に３００〜９５０ｎｍの波長の光について６０％以上（より好ましくは７０〜９５％、更に好ましくは７５〜９５％、特に好ましくは７５〜９０％）の透光率であることが好ましい。
この透光性樹脂（３１１）を構成する樹脂は特に限定されないが、エポキシ樹脂及びシリコン樹脂等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。封止材（３１）全体を１００体積％とした場合に、透光性樹脂（３１１）は１０〜１００体積％（更に１３〜１００体積％、より更に２０〜１００体積％、特に３０〜１００体積％）とすることができる。

また、封止材（３１）は、上記透光性樹脂（３１１）の他に、石英ガラス粒子（３１２）を含有できる。石英ガラス粒子（３１２）を含有する場合、透光性樹脂（３１１）は、石英ガラス粒子（３１２）に対してマトリックスとなる。
石英ガラス粒子（３１２）は、石英を主成分とする。石英を主成分とすることにより、他のガラス成分等に比較して、長波長の光に対する透過能に優れる。従って、長波長の光の放射を妨げ難く演色性を向上させやすい。更に、石英は比熱容量が大きい。このため、石英成分を含有しない場合に比べて、封止材（３１）全体、更には、ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）全体の温度をより低く保つことができ、優れた耐熱性を発揮させることができる。

更に、石英ガラス粒子（３１２）は、石英結晶粒子とは異なり、不純物成分（３１２ａ）が含有される。石英結晶粒子は透光性には優れるものの、光分散性に関しては粒子表面における反射を利用した光分散しか得られない。従って、粒子表面で反射して分散された光は粒子内部を通過することができない。
これに対して、石英ガラス粒子（３１２）は、図２３〜図２６に例示されるように、光分散能力を発揮できる不純物成分（３１２ａ）を内部に含有する。このため、光が粒子内部を透過しながら分散を繰り返すこととなり、粒子の内部及び表面の両方において光分散性を発揮させることができ、優れた混色性が得られると共に、効率的な光分散を行うことができる。
上記不純物成分（３１２ａ）としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｍｎ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む成分が挙げられる。より具体的には、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＭｎＯ_２及びＭｏＯ_２等が挙げられる。これらは１種のみが含有されてもよく２種以上が含有されてもよい。

石英ガラス粒子（３１２）内に含有される不純物成分の割合は特に限定されないが、石英ガラス粒子（３１２）全体を１００質量％とした場合に各元素の酸化物換算で０．０１〜０．２質量％（好ましくは０．０５〜０．２質量％、より好ましくは０．１〜０．１５質量％）であることが好ましい。この範囲では透光性と光分散性とを最も効率よく得ることができる。尚、上記酸化物換算は、ＡｌはＡｌ_２Ｏ_３、ＴｉはＴｉＯ_２、ＦｅはＦｅ２Ｏ３、ＮｂはＮｂ_２Ｏ_５、ＺｒはＺｒＯ_２、ＭｎはＭｎＯ_２、ＭｏはＭｏＯ_２として換算するものである。また、上記含有量は、石英ガラス粒子（３１２）内に複数種の上記元素が含有される場合にはそれらの酸化物換算による合計量である。

また、石英ガラス粒子（３１２）の大きさ及び形状等は特に限定されないが、平均粒径（最大長さ）は１〜３０μｍ（より好ましくは１〜１５μｍ、更に好ましくは２〜１０μｍ、より更に好ましくは３〜７μｍ、特に好ましくは４〜６μｍ、とりわけ好ましくは４〜５μｍ）が好ましい。この範囲では、十分な透光性を確保しつつ、且つ十分な光分散性を得ることができる。石英ガラス粒子（３１２）の形状は特に限定されないが、通常、球状である。球状であることで透光性樹脂（３１１）に分散含有された際の流動性がよいため、作業性がよいという利点がある。
更に、この石英ガラス粒子（３１２）は、３００〜９５０ｎｍの波長の光に対して５％以上（より好ましくは１０〜５０％、更に好ましくは２０〜６０％）の透光率を有することが好ましい。

石英ガラス粒子（３１２）の含有量は特に限定されないが、封止材（３１）全体を１００質量％とした場合に０．０１〜５０質量％（より好ましくは１〜４５質量％、更に好ましくは１０〜４５質量％、より更に好ましくは２０〜４３質量％、特に好ましくは２５〜４２質量％、より特に好ましくは３０〜４０質量％）とすることが好ましい。

更に、上記封止材（３１）は、蛍光体（３１４）を含有することができる。蛍光体（３１４）は、ＬＥＤ（５０）から出射された光によって励起されて蛍光を発する成分であり、特に紫外線によって励起される紫外線励起蛍光体であることが好ましい。更には、得られる蛍光色によって、例えば、赤色蛍光能を有する蛍光体（赤色蛍光体）、青色蛍光能を有する蛍光体（青色蛍光体）、緑色蛍光能を有する蛍光体（緑色蛍光体）、及び橙色蛍光能を有する蛍光体等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。即ち、例えば、蛍光体（３１４）としては、ＴＡＧ蛍光体、ＹＡＧ蛍光体、サルファイド蛍光体、ニトライド蛍光体、及びシリカ系蛍光体等を用いることができる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。これらの蛍光体（３１４）は、用いるＬＥＤの発光色、目的とする光色等により、適宜のものを用いることが好ましい。

蛍光体（３１４）の含有量は特に限定されないが、封止材（３１）全体を１００質量％とした場合に１０〜４０質量％（より好ましくは１５〜３５質量％、更に好ましくは２０〜３０質量％、特に好ましくは２１〜２５質量％）とすることが好ましい。
また、蛍光体（３１４）の大きさ及び形状等は特に限定されないが、通常、平均粒径３０〜２００μｍ（より好ましくは４０〜１５０μｍ、特に好ましくは４５〜１４７μｍ）であることが好ましい。また、その形状は、通常、球状及び／又は不定形粒子状である。

更に、本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）では、演色性を改善するため（可視光赤色領域及び／又は可視光緑色領域の光を補う）、演色性改善成分を封止材（３１）内に含有させることができる。本発明においては、特に、石英ガラス粒子（３１２）に演色性改善成分（３１３）を添着させて用いることが好ましい。即ち、図２４〜図２６に例示される。図２４は、石英ガラス粒子（３１２）の表面に演色性改善成分（３１３）を静電的に添着（付着）させた形態を示している。また、図２５は、添着材（３１５）を介して、石英ガラス粒子（３１２）の表面に演色性改善成分（３１３）を添着させた形態を示している。更に、図２６は、添着材（３１５）でコーティングした演色性改善成分（３１３）を石英ガラス粒子（３１２）の表面に添着させた形態を示している。これらの形態はいずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

この演色性改善成分（３１３）としては、蛍光体及び着色剤が表面に添着された石英ガラス粒子が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。上記蛍光体は、光照射（例えば、４００ｎｍ程度の近紫外線青色光を発するＬＥＤ光）により励起されて赤色系光及び／又は緑色系光を発する蛍光体が挙げられる。また、着色剤が表面に添着された石英ガラス粒子（以下、単に「着色石英ガラス粒子」ともいう。図２３〜図２６参照）は、蛍光特性は有さなくとも、光が着色石英ガラス粒子を透過することによって赤色系光及び／又は緑色系光が得られる粒子である。

この石英ガラス粒子（３１２）には前述の不純物成分（３１２ａ）を含む石英ガラス粒子をそのまま適用できる。また、上記着色剤としては、各種染料（直接染料）及び顔料を用いることができる。このうち赤色系光が得られる染料（赤色染料）としては、ダイアミン・スカーレット及びアリザリンレッドＳ等が挙げられる。また、緑色系光が得られる染料（緑色染料）としては、オキザミングリーン及びメチルグリーン等が挙げられる。これらの着色剤（演色性改善成分）は１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。

上記のうち、演色性改善成分（３１３）として蛍光体を石英ガラス粒子（３１２）の表面に添着させて用いた場合には、前述したように、石英ガラス粒子（３１２）の優れた透光性及び光分散性が得られるために、透光性樹脂（３１１）内に含有させるよりもより少量の蛍光体で同等の発光効率を得ることができる。このため、蛍光体の使用量を低減できると共に、封止材（３１）の熱効率を向上させて、蓄熱を低下させることができる。
更に、上記のうち、演色性改善成分（３１３）として上記各種着色剤を石英ガラス粒子（３１２）の表面に添着させて用いた場合には、高価な蛍光体を用いることなく、演色性を向上させることができる。即ち、石英ガラス粒子（３１２）による高い光分散能が有効に利用されて効率よく上記着色剤に対して、光を照射できるからである。

具体的には、本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）では、例えば、前述の本発明のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）と、波長３６０〜４５５ｎｍ（更には４００〜４５５ｎｍ）の光を放出するＬＥＤ（５０）と、ＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）の収容部（３０）を充塞する封止材（３１）とを備え、
更に、封止材（３１）は、〈１〉透光性樹脂（３１１）としてシリコン樹脂と、この透光性樹脂（３１１）内に分散されて含有された、〈２〉図２５の形態で石英ガラス粒子（３１２）の表面に赤色染料が添着された第１の粒子と、〈３〉図２５の形態で石英ガラス粒子（３１２）の表面に緑色染料が添着された第２の粒子と、〈４〉ＬＥＤ（５０）による光を黄色光へ変換する蛍光体（３１４）と、を含む形態とすることができる。

本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）では、本発明のＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）を用いることで、ＬＥＤ（５０）から発せられた光を側方の全周へ出射させることができる。即ち、ＬＥＤ（５０）から出射された光のうち側方に発せられたものは傾斜内壁面（３３１）で反射されて上方（Ｚ１）に向かう。そして、ＬＥＤ（５０）から直接あるいは傾斜内壁面（３３１）で反射されて光放射層（３６）の下方から入射した光は傾斜外壁面により側方に反射されて光放射層（３６）の側端面（３６２）から出射される。

また、ボンディングワイヤ（５４）とＬＥＤ（５０）との間、及び、ＬＥＤ（５０）と底部放熱層（３２）との間、のより高い耐震性等の接続信頼性を得るために、図２１に例示されるようにＬＥＤ（５０）を封止材（３１）により覆うこともできるが、上記ボンディングワイヤとしてリボンワイヤ（断面が幅広のリボン状であるボンディングワイヤ）を用いた場合にはＬＥＤ（５０）を封止材（３１）で覆わなくとも高い耐震性を得ることができる。但し、ＬＥＤ（５０）を封止材（３１）により覆うことによりＬＥＤ（５０）の酸化を防止することができる。

更に、収容部（３０）の空間が密閉されているので、収容部（３０）内の酸化を抑制できる。更に、密閉された収容部（３０）内の空間には非酸化性雰囲気（窒素ガス及び希ガスなど）を充填してより優れた酸化抑制効果を得ることもできる。
この図２１に例示された構成のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）は、特に紫外線発光用基板として用いる場合に好適である。即ち、ＬＥＤ（５０）として紫外線を発するＬＥＤを用い、紫外線を他の波長の光に変換する必要がない場合に好適である。

［３］発光モジュール
本発明の発光モジュール（１）は、本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）と、該ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）が実装されたマザーボード（６０）と、を備えることを特徴とする。

上記「マザーボード（６０）」は、本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）を搭載する他の基板である。このマザーボード（６０）は、通常、本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）を搭載するため搭載領域と、ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）を制御するための他の電子部品等を搭載する搭載領域と、を備える。

そして、本発明の発光モジュール（１）では、ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）のＬＥＤ用配線層（３４）を構成するリード部（３４２）は、下段部構成層（３３）の端面のうちの傾斜内壁面（３３１）以外の他の端面に基板実装用ランド部｛例えば、図３及び図７に示す背面配線（３４３）｝として導出されており、基板実装用ランド部（３４３）は、マザーボード（６０）の実装面に配設されたマザーボード表面配線（６１１）｛通常、マザーボード側ランド部｝と、導電性接合材（６２）を介して電気的に接続された構造とすることができる。

即ち、例えば、図３１に例示されるように、ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）がマザーボード（６０）に搭載されており、全体として発光モジュール（１）が構成されている。
この発光モジュール（１）では、１つのマザーボード（６０）に対して、図１〜図３に例示されるＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）を複数搭載することができる。また、各ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）のＬＥＤ用配線層のリード部は、ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）の背面に導出されて背面配線｛３４３、図３１では導電性接合材（６２）に覆われており図示されていない｝を備えている。そして、マザーボード（６０）の表面に形成されたマザーボード表面配線（６１１）と、各ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）の背面配線（３４３）と、が導電性接合材（６２）を介して電気的に接続されている。

また、マザーボード（６０）は、ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）を制御するための他の電子部品等を搭載する搭載領域を備えており、具体的には、電子部品である抵抗（７０）を各ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）に対応した個数備えている。また、各ＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）の１つの背面配線（３４３）は、スルーホール（６１２）を用いて、図示されないマザーボードの裏面側のマザーボード裏面配線を介して、接続されるとマザーボード側面の端子部（６１３）へと導出されている。

更に、本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）が、図１８及び図１９に例示されるように、底部熱吸収体（３８１）やヒートシンク（３８３）を備える場合には、マザーボード（６０）には、底部熱吸収体（３８１）等をマザーボード（６０）の裏面側へ露出させるための排熱部材用貫通孔を形成して裏面側へ底部熱吸収体（３８１）等を露出させることができる。排熱部材用貫通孔を備えることによって、底部熱吸収体（３８１）等の少なくとも底面をマザーボード（６０）の裏面側へ露出させることができるためにより優れた排熱性が得られ、この発光モジュール（１）に更に優れた耐熱性を発揮させることができる。

また、本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）や発光モジュール（１）は、図３２に例示されるように、発光装置（８０）の視面（８１）の直下に配置して用いることができる。
この発光装置（８０）としては、例えば、看板（室内用、戸外用、壁面用など）、パネル型ライト｛照明（天井照明、壁面照明、地面照明等）、バックライトなど｝、ディスプレイ一体型バックライト等が挙げられる。

発光装置（８０）は、図３２に示すように、視面８１（例えば、看板では文字図形等が描画されている面）に対して側方に光源（９０）｛例えば、ＬＥＤ搭載横発光型基板（９０）｝を配設し、これらの光源（９０）のみで視面（８１）の全面の明るさを十分に得ようとすると、光源（９０）からの光量を多くすることとなり、視面（８１）の大きさが大きくなればなる程、光源（９０）での熱対策（基板自体の耐熱、放熱及び排熱）が問題なる。これに対して、本発明のＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）や発光モジュール（１）は、視面（８１）の直下に配置でき、更には、分散させて配置できる。このため、光源（９０）に光量を頼ることなく、視面（８１）の直下で発光させることで、装置全体としての熱対策をより容易且つ確実にすることができる。

また、図３２に例示された発光装置（８０）に配設された基板（２）に換えて、図３０に例示されたような、各収容部（３０）の上方が基板の表裏両面に向くように複数の収容部（３０）が列設されたＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）にＬＥＤを搭載したＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）や発光モジュール（１）、換言すれば、基板の表裏両面に有底凹部（３６３）が開口されるように収容部（３０）が列設されたＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）にＬＥＤを搭載したＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）や発光モジュール（１）、を用いた場合には、表裏両面に発光する発光装置（８０）、更には、表裏両面及び全周に発光する発光装置（８０）とすることができる。

更に、視面（８１）の直下に、図３０に例示されたような、各収容部（３０）の上方が基板の表裏両面に向くように複数の収容部（３０）が列設されたＬＥＤ搭載用全周発光型基板（３）にＬＥＤを搭載したＬＥＤ搭載全周発光型基板（２）や発光モジュール（１）、を十分に配設することで、発光装置（８０）の側方に配置される光源（９０）を用いない発光装置（８０）とすることができる。

以下、実施例及び図面により本発明を更に具体的に説明する。
［第１実施形態］（図１〜３に例示するＬＥＤ搭載全周発光型基板）
〈１〉底部放熱層（３２）及び底部配線（３２１）の形成
厚さ４００μｍの銅箔をフォトリソ法を用いて成形して図２に示す形状の底部放熱層（３２）及び底部配線（３２１）を得た。

〈２〉下段部構成層（３３）及びＬＥＤ用配線層（３４）の形成
厚さ４００μｍの銅箔が積層されたガラスエポキシコアを有する合計厚さ０．８ｍｍの片面銅張積層板の、銅張面側からドリル加工によって、図２の下段部構成層（３３）に示す形状の貫通孔（３３２）を形成すると共に、角度（θ）２０度の傾斜を有する傾斜内壁面（３３１）を形成して、下段部構成層（３３）を得た。更に、その後、表面洗浄を行った後、銅箔をフォトリソ法を用いて成形して図２に示す形状のＬＥＤ用配線層（３４）を得た。
そして、傾斜内壁面（３３１）に、Ｐｔ無電解めっき、Ｎｉ電気めっき及びＡｇ電解めっきを施して、傾斜内壁面光反射層（３３３）を形成した。

〈３〉上段部構成層（３５）の形成
厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ基板をドリル加工によって、図２の上段部構成層（３５）に示す形状の貫通孔（３５１）を形成して上段部構成層（３５）を得た。

〈４〉光放射層（３６）の形成
厚さ０．８ｍｍの光透過性樹脂を射出成形によって、図２の光放射層（３６）に示す形状の有底凹部（３６３）を形成して光放射層（３６）を得た。そして、傾斜外壁面（３６１）に、Ｐｔ無電解めっき、Ｎｉ電気めっき及びＡｇ電解めっきを施して、傾斜外壁面光反射層（３７）を形成した。

〈５〉各層の積層
上記〈１〉〜〈３〉で得られた底部放熱層（３２）、下段部構成層（３３）とＬＥＤ用配線層（３４）との一体物、及び上段部構成層（３５）を、熱プレスにより図１に示す積層状態となるように積層した。

〈６〉背面配線（３４３）の形成
上記〈５〉で積層して得られた底部放熱層（３２）、下段部構成層（３３）、ＬＥＤ用配線層（３４）及び上段部構成層（３５）の積層体の背面に、Ｐｔ無電解めっき、Ｎｉ電解めっき及びＣｕ電解めっきを施して背面配線（３４３）を形成した。

〈７〉ＬＥＤ（５０）の搭載
上記〈６〉で得られた、底部放熱層（３２）、下段部構成層（３３）、ＬＥＤ用配線層（３４）及び上段部構成層（３５）の積層体の底部放熱層（３２）の収容部（３０）内に、波長４５５ｎｍの青色ＬＥＤ（５０）を等間隔となるように３つ接合層（５５）を介して接合し、更に、図１（Ｂ）及び図２２に示すように、２つの発光部用端子部（５３）とＬＥＤ配線（３４）のランド部（３４１）とをボンディングワイヤにより電気的に接続した。

本発明のＬＥＤ搭載用全周発光型基板、ＬＥＤ搭載全周発光型基板及び発光モジュールは、ＬＥＤ関連分野において広く利用される。即ち、例えば、家電製品用部品、移動体（自動車、鉄道、船舶、航空機など）用部品などとして利用される。上記のうち家電製品用部品としては、照明器具などとして好適である。また、移動体用部品としては、室内照明などとして好適である。

ＬＥＤ搭載用全周発光型基板の一例を示す中央断面斜視図である。 図１のＬＥＤ搭載用全周発光型基板の分解断面斜視図である。 図１のＬＥＤ搭載用全周発光型基板の分解斜視図である。 図１のＬＥＤ搭載用全周発光型基板を用いたＬＥＤ搭載全周発光型基板の中央縦断面斜視図である。 図４のＬＥＤ搭載全周発光型基板の分解断面斜視図である。 図４のＬＥＤ搭載全周発光型基板の分解斜視図である。 図４のＬＥＤ搭載全周発光型基板の模式的な中央断面図である。 上方へも出射できるＬＥＤ搭載全周発光型基板の模式的な中央断面図である。 複層構造の光放射層を有するＬＥＤ搭載全周発光型基板の模式的な中央断面図である。 複層構造の光放射層を有するＬＥＤ搭載全周発光型基板の模式的な中央断面図である。 傾斜外壁面にドットパターンを有するＬＥＤ搭載全周発光型基板の例を示す分解斜視図である。 図１１のＬＥＤ搭載全周発光型基板の分解断面斜視図である。 図１１のＬＥＤ搭載全周発光型基板の模式的な中央断面図である。 ＬＥＤ搭載用全周発光型基板の他例を示す分解斜視図である。 ＬＥＤ搭載用全周発光型基板の他例を示す分解斜視図である。 ＬＥＤ搭載用全周発光型基板の他例を示す分解斜視図である。 底部熱吸収体を備えるＬＥＤ搭載全周発光型基板を説明する中央断面の一部分解斜視図である。 図１８のＬＥＤ搭載全周発光型基板の模式的な中央断面図である。 ヒートシンクを備えるＬＥＤ搭載全周発光型基板の模式的な中央断面図である。 封止材を備えるＬＥＤ搭載全周発光型基板の模式的な中央断面図である。 封止材を備えるＬＥＤ搭載全周発光型基板の模式的な中央断面図である。 ＬＥＤの構成を説明する模式的な中央断面図である。 封止材の構成を説明する模式的な断面図である。 封止材内に含有される成分の構成を説明する模式的な断面図である。 封止材内に含有される成分の構成を説明する模式的な断面図である。 封止材内に含有される成分の構成を説明する模式的な断面図である。 ドットパターンによる光の反射を説明する模式図である。 ドットパターンの一例を示すＬＥＤ搭載全周発光型基板の平面図である。 複数の収容部を備えるＬＥＤ搭載用全周発光型基板の一例の一部切欠斜視図である。 複数の収容部を備えるＬＥＤ搭載用全周発光型基板の他例の一部切欠斜視図である。 発光モジュールを説明する斜視図である。 ＬＥＤ搭載全周発光型基板の配置例を示す説明図である。

符号の説明

１；発光モジュール、
２；ＬＥＤ搭載全周発光型基板、
３；ＬＥＤ搭載用全周発光型基板、
３０；収容部、
３１；封止材、３１１；透光性樹脂、３１２；石英ガラス粒子、３１２ａ；不純物成分、３１３；添着成分（演色性改善成分）、３１４；蛍光体、３１５；添着材、
３２；底部放熱層、３２１；底部配線、
３３；下段部構成層、３３ａ；下段部構成層表面、３３ｂ；下段部構成層裏面、
３３１；傾斜内壁面、３３２；貫通孔、３３３；傾斜内壁面光反射層、傾斜内壁面光反射層、３３４；下段部構成層コネクタ部、
３４；ＬＥＤ用配線層、３４１；ランド部、３４２；リード部、３４３；背面配線、３４６；コネクタ配線、
３５；上段部構成層、３５１；貫通孔、３５２；上段部内壁面、３５３；上段部構成層コネクタ部、
３６；光放射層、３６１；傾斜外壁面、３６２；光放射層の側端面、３６３；有底凹部、３６４；ドットパターン（ドット）、３６５；光放射層の上層部、３６６；光放射層の下層部、
３７；傾斜外壁面光反射層、３７１；非光透過用コート層、
３８１；底部熱吸収体、３８１ａ；熱吸収部材、３８１ｂ；枠体、３８１ｃ；緩衝領域、３８１ｄ；底板、３８３；底部ヒートシンク、
３９；コネクタ部、３９１；コネクタ配線、
５０；ＬＥＤ、５１；絶縁基板（ＬＥＤ絶縁基板）、５２；発光部、５３；発光部用端子、５４；ボンディングワイヤ、５５；接合層、
６０；マザーボード、６１；マザーボード配線、６１１；マザーボード表面配線、６１２；スルーホール、６１３；マザーボード端子部、６２；導電性接合材、
７０；電子部品（チップ抵抗）、８０；発光装置、８１；視面、９０；ＬＥＤ搭載横発光型基板、
θ１；傾斜内壁面の傾斜角度、θ２；傾斜外壁面の傾斜角度。

Claims (13)

1. 底部側から上部側へ向かって、底部放熱層、下段部構成層、ＬＥＤ用配線層、上段部構成層、光放射層を、この順に積層して備えると共に、その内部に閉塞された空間からなる収容部を備え、該収容部内にＬＥＤを実装した場合に、該ＬＥＤの光を上記光放射層の少なくとも側端面から全周に出射するＬＥＤ搭載用全周発光型基板であって、
   上記底部放熱層は、金属からなり、上記収容部の底面を閉塞すると共に上記ＬＥＤを実装した場合には該ＬＥＤが接合される層であり、
   上記下段部構成層は、樹脂質絶縁材からなり、上記収容部のうちの下段部を構成するために上方へ向かって広がるように傾斜された傾斜内壁面を形成しつつ貫通された貫通孔を有すると共に、該傾斜内壁面は該収容部内の光を上方へ向かって反射する光反射能を有し、
   上記ＬＥＤ用配線層は、導電材からなり、ランド部及びリード部を備え、
   上記上段部構成層は、樹脂質絶縁材からなり、上記収容部のうちの上段部を構成するために貫通された貫通孔を有すると共に、上記ＬＥＤ用配線層の上記ランド部を上記収容部内に露出させつつ上記ＬＥＤ用配線層上に積層されており、
   上記光放射層は、光透過性の樹脂質絶縁材からなり、上記収容部の上面を閉塞すると共に、上記収容部内の光を上記側端面から出射するために、その上面側に、上方へ向かって広がるように傾斜された傾斜外壁面を形成しつつ凹設された有底凹部を有し、且つ該傾斜外壁面は該光放射層の上記側端面に向かって光を反射する光反射能を有することを特徴とするＬＥＤ搭載用全周発光型基板。
2. 上記光放射層の上記傾斜外壁面は、上記光反射能に加えて、該光放射層の上方へ上記収容部内からの光を透過させる光透過能を有すると共に、全周及び上方向に光を出射する請求項１に記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板。
3. 上記有底凹部の外表面に金属製光反射層を備え、上記光反射能は該金属製光反射層による請求項１又は２に記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板。
4. 上記有底凹部の外表面に印刷形成されたドットパターンを有し、上記光反射能は該ドットパターンにより得られる請求項２に記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板。
5. 上記有底凹部の外表面は粗面化処理されており、上記光反射能は該粗面化処理された該有底凹部の該外表面により得られる請求項２に記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板。
6. 上記収容部を複数備え、且つ該収容部は列設されている請求項１乃至５のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板。
7. 表裏両面に発光されるように、裏面から表面へ向かって上記底部放熱層、上記下段部構成層、上記ＬＥＤ用配線層、上記上段部構成層及び上記光放射層の順に積層されてなる部位と、表面から裏面へ向かって上記底部放熱層、上記下段部構成層、上記ＬＥＤ用配線層、上記上段部構成層及び上記光放射層の順に積層されてなる部位と、の両方の部位を備える請求項６に記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板。
8. 上記底部放熱層の層下に熱吸収体を備える請求項１乃至７のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板。
9. 請求項１乃至８のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載用全周発光型基板と、該ＬＥＤ搭載用全周発光型基板の上記収容部内に実装されたＬＥＤと、を備えることを特徴とするＬＥＤ搭載全周発光型基板。
10. 上記ＬＥＤは、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された発光部と、該発光部の上面に形成され且つ該発光部を発光させるための発光部用端子と、を備え、
    上記絶縁性基板と上記ＬＥＤ搭載用全周発光型基板を構成する上記底部放熱層とは接着剤を介して接合されており、
    上記発光部端子と上記ＬＥＤ搭載用全周発光型基板の上記ランド部とはボンディングワイヤを介して電気的に接続されている請求項９に記載のＬＥＤ搭載全周発光型基板。
11. 上記ＬＥＤを１つ又は２つ以上を備え、該ＬＥＤの合計出力が１Ｗ以上である請求項９又は１０に記載のＬＥＤ搭載全周発光型基板。
12. 請求項９乃至１１のうちのいずれかに記載のＬＥＤ搭載全周発光型基板と、該ＬＥＤ搭載全周発光型基板が実装されたマザーボードと、を備えることを特徴とする発光モジュール。
13. 上記ＬＥＤ搭載用全周発光型基板の上記ＬＥＤ用配線層を構成するリード部は、上記下段部構成層の端面に基板実装用ランド部として導出されており、
    上記基板実装用ランド部は、上記マザーボードの実装面に配設されたマザーボード表面配線と、導電性接合材を介して電気的に接続されている請求項１２に記載の発光モジュール。

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