JP2010146259A - 電子機器装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子機器装置において、コストダウンすると共に、制御回路における基準電圧と記憶回路における基準電圧とのバラツキを軽減する。
【解決手段】電子機器装置1は、DDRメモリ2と、DDRメモリ2に対するデータの書込み/読出しを制御するコントロールIC3と、DDRメモリ2における基準電圧Vref−ddr及びコントロールIC3における基準電圧Vref−icを設定する電圧出力回路4とを備える。電圧出力回路4は、電源7からの電圧を複数の抵抗41、42により分圧して、その電圧を電圧出力ライン45から出力する。DDRメモリ2の基準電圧入力ポート21及びコントロールIC3の基準電圧入力ポート31は、電圧出力回路4の電圧出力ライン45に接続されている。電圧出力回路4は、コントロールIC3における基準電圧Vref−icの生成とDDRメモリ2における基準電圧Vref−ddrの生成とに共用化される。
【選択図】図1
【解決手段】電子機器装置1は、DDRメモリ2と、DDRメモリ2に対するデータの書込み/読出しを制御するコントロールIC3と、DDRメモリ2における基準電圧Vref−ddr及びコントロールIC3における基準電圧Vref−icを設定する電圧出力回路4とを備える。電圧出力回路4は、電源7からの電圧を複数の抵抗41、42により分圧して、その電圧を電圧出力ライン45から出力する。DDRメモリ2の基準電圧入力ポート21及びコントロールIC3の基準電圧入力ポート31は、電圧出力回路4の電圧出力ライン45に接続されている。電圧出力回路4は、コントロールIC3における基準電圧Vref−icの生成とDDRメモリ2における基準電圧Vref−ddrの生成とに共用化される。
【選択図】図1
Description
本発明は、記憶回路に対してデータの書込み/読出しを行って動作する電子機器装置に関するものである。
従来から、例えばテレビジョン受像機やパーソナルコンピュータ等の電子機器装置は、記憶回路に対してデータの書込み/読出しを行って動作するようになっている。このような電子機器としては、図2に示す構成のものが知られている。
図2に示す電子機器装置70は、DDRメモリ71とコントロールIC72がバス73を介して接続されており、コントロールIC72による制御のもと、コントロールIC72とDDRメモリ71との間でバス73を介して信号が送受信されて、DDRメモリ71に対するデータの書込み/読出しが行われる。このとき、DDRメモリ71は、コントロールIC72から受信した信号(入力された信号)の信号判定(信号の電圧レベルのハイ/ローの判定)を、基準電圧入力ポート74に入力されている基準電圧Vref−ddrに基いて行い、コントロールIC72は、DDRメモリ71から受信した信号(入力された信号)の信号判定を、基準電圧入力ポート75に入力されている基準電圧Vref−icに基いて行う。
DDRメモリ71の基準電圧入力ポート74には、DDRメモリ用の電圧出力回路76の電圧出力ライン77が接続されており、また、コントロールIC72の基準電圧入力ポート75には、コントロールIC用の電圧出力回路78の電圧出力ライン79が接続されている。すなわち、DDRメモリ用の電圧出力回路76から出力された電圧が、DDRメモリ71における基準電圧Vref−ddrとして、DDRメモリ71の基準電圧入力ポート74に入力されており、また、コントロールIC用の電圧出力回路78から出力された電圧が、コントロールIC72における基準電圧Vref−icとして、コントロールIC72の基準電圧入力ポート75に入力されている。
DDRメモリ用の電圧出力回路76は、電源ライン80を介して供給される電源81からの1.80vの電圧を抵抗91、92により分圧して0.90vの電圧を生成し、該生成した電圧を電圧出力ライン77から出力する。また、コントロールIC72用の電圧出力回路78は、DDRメモリ用の電圧出力回路76と同様の構成であり、電源ライン80を介して供給される電源81からの1.80vの電圧を抵抗93、94により分圧して0.9vの電圧を生成し、該生成した電圧を電圧出力ライン79から出力する。
一方、半導体記憶装置において、データ書込時及びデータ読出時に必要な参照電位を発生する参照電位発生回路を複数のメモリバンクで共用するようにしたものが知られている(例えば特許文献1参照)。また、ダイナミック型メモリセルのMOS容量のプレート電極にスイッチMOSFETを介して選択的に所定のバイアス電圧を供給するバイアス電圧発生回路において、Nチャンネル出力MOSFETとPチャンネル出力MOSFETを直列接続して共通ソース点から出力電圧を得ると共に、両出力MOSFETのゲートに共通の分圧電圧をレベルシフトして供給することにより、両出力MOSFET間で直流電流が流れるのを防止するようにしたものが知られている(例えば特許文献2参照)。また、マルチポートを有する半導体記憶装置において、各ビット線に接続され、データ書込み時に導通しデータを殆ど電位変化させずにビット線に送出するスイッチング素子と、ビット線対の間に接続され、データ読出し時にビット線間を短絡して電荷の再分配を行う等価回路とを有することにより、データの読出しと書込みを高速化するようにしたものが知られている(例えば特許文献3参照)。また、電源電圧発生回路において、基準電圧回路からの基準電圧と内部電源線上の内部電源電圧とを比較し、その比較結果に従って、外部電源ノードから内部電源線へ電流を供給することにより、安定に内部電源電圧を生成することができるようにしたものが知られている(例えば特許文献4参照)。また、半導体記憶装置において、第1正電圧を第1基準電圧に基く電圧値に設定して第2正電圧として出力する電圧制御回路を具備し、電圧制御回路の出力インピーダンスは、データが同時に書込まれるメモリセルの数に応じて変化し、第2正電圧はメモリセルへのデータの書込み及び消去の際に使用されることにより、カップリングノイズの影響を低減できるようにしたものが知られている(例えば特許文献5参照)。
特開2005−25805号公報
特開平9−106699号公報
特開2000−48571号公報
特開平8−190437号公報
特開2007−133996号公報
ところで、上述した従来の電子機器装置70においては、DDRメモリ用の電圧出力回路76と、コントロールIC用の電圧出力回路78とを別々に備えているため、DDRメモリ71における基準電圧Vref−ddrとコントロールIC72における基準電圧Vref−icとにバラツキを生じる。例えば、DDRメモリ用の電圧出力回路76の抵抗91、92、及びコントロールIC用の電圧出力回路78の抵抗93、94として、公差1%のものを用いた場合、DDRメモリ用の電圧出力回路76から出力される電圧(すなわちDDRメモリ71における基準電圧Vref−ddr)、及びコントロールIC用の電圧出力回路78から出力される電圧(すなわちコントロールIC72における基準電圧Vref−ic)は、それぞれ、0.882v〜0.918vの範囲となり、DDRメモリ71における基準電圧Vref−ddrとコントロールIC72における基準電圧Vref−icとに最大4%の抵抗差(バラツキ)を生じ得ることになる。
このようにDDRメモリ71における基準電圧Vref−ddrとコントロールIC72における基準電圧Vref−icとにバラツキがあると、コントロールIC72における信号判定タイミングとDDRメモリ71における信号判定タイミングとに時間差が生じることになる。例えば、コントロールIC72における基準電圧Vref−icが0.882vであり、DDRメモリ71における基準電圧Vref−ddrが0.918vである場合、コントロールIC72における信号判定タイミングとDDRメモリ71における信号判定タイミングとに、約20psの時間差が生じるという実測結果が得られた。
コントロールIC72における信号判定タイミングとDDRメモリ71における信号判定タイミングとの時間差が大きいと、DDRメモリ71に対するデータの書込み/読出しが正確に行われない要因となり、電子機器装置70の不具合や誤動作の発生の要因となる。
また、従来の電子機器装置70では、DDRメモリ用の電圧出力回路76とコントロールIC用の電圧出力回路78とを別々に備えているため、コストアップになる。なお、上述した特許文献1乃至特許文献5に開示の内容を適用したとしても、上記の問題を解決することはできない。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、コストダウンすることができると共に、制御回路における基準電圧と記憶回路における基準電圧とのバラツキを軽減することができる電子機器装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために請求項1の発明は、データを記憶する記憶回路と、記憶回路に対するデータの書込み/読出しを制御する制御回路と、を備える電子機器装置において、電源からの電圧を複数の抵抗により分圧して所定の電圧を生成し、該生成した電圧を電圧出力ラインから出力する電圧出力回路を備え、記憶回路の基準電圧入力ポート及び制御回路の基準電圧入力ポートは、電圧出力回路における共通の電圧出力ラインに接続されているものである。
請求項2の発明は、請求項1に記載の電子機器装置において、記憶回路は、DDRメモリであるものである。
請求項1及び請求項2の発明によれば、電圧出力回路により生成された電圧は、制御回路における基準電圧として、制御回路の基準電圧入力ポートに入力されると共に、記憶回路における基準電圧として、記憶回路の基準電圧入力ポートに入力される。すなわち、電圧出力回路は、制御回路における基準電圧の生成と記憶回路における基準電圧の生成とに共用化される。これにより、従来の制御回路の基準電圧生成用の電圧出力回路と記憶回路の基準電圧生成用の電圧出力回路とを両方備えた電子機器装置と比較して、部品点数を減らしてコストダウンすることができると共に、制御回路における基準電圧と記憶回路における基準電圧とのバラツキを軽減することができる。また、制御回路における基準電圧と記憶回路における基準電圧とのバラツキが軽減することにより、制御回路における信号判定タイミングと記憶回路における信号判定タイミングとの時間差を小さく抑えることができ、電子機器装置の不具合や誤動作の発生を抑えることができる。
以下、本発明を具体化した実施形態による電子機器装置について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態による例えばテレビジョン受像機やパーソナルコンピュータ等の電子機器装置の構成を示す。電子機器装置1は、データを記憶する記憶回路であるDDRメモリ2と、DDRメモリ2に対するデータの書込み/読出しを制御する制御回路であるコントロールIC3と、DDRメモリ2における基準電圧Vref−ddr及びコントロールIC3における基準電圧Vref−icを設定する電圧出力回路4等を備える。
DDRメモリ2は、クロック信号の立上りエッジと立下りエッジの両方に同期してデータの書込み/読出しを行う半導体メモリであり、例えば、DDR2−SDRAM(Double Data Rate 2 - Synchronous Dynamic RAM)と呼ばれるものである。DDRメモリ2は、基準電圧Vref−ddrを入力するための基準電圧入力ポート21を有している。また、DDRメモリ2は、データ記憶領域を指定するアドレス信号を入力するためのアドレス入力ポート、データを表わすデータ信号を入出力するためのデータ入出力ポート、及びデータの書込み/読出しを制御するクロック信号を含む各種制御信号を入力するための各種制御信号入力ポート等(いずれも図示省略)を備えている。DDRメモリ2の基準電圧入力ポート21に入力される基準電圧Vref−ddrは、DDRメモリ2において、DDRメモリ2に入力された信号(アドレス信号、データ信号、制御信号等)の信号判定(信号の電圧レベルのハイ/ローの判定)を行うための基準レベルとして用いられる電圧である。
コントロールIC3は、基準電圧Vref−icを入力するための基準電圧入力ポート31を有している。また、コントロールIC3は、DDRメモリ2のデータ記憶領域を指定するアドレス信号を出力するためのアドレス出力ポート、データを表わすデータ信号を入出力するためのデータ入出力ポート、及びDDRメモリ2に対するデータの書込み/読出しを制御するクロック信号を含む各種制御信号を出力するための各種制御信号出力ポート等(いずれも図示省略)を備えている。コントロールIC3の基準電圧入力ポート31に入力される基準電圧Vref−icは、コントロールIC3において、コントロールIC3に入力された信号(データ信号等)の信号判定(信号の電圧レベルのハイ/ローの判定)を行うための基準レベルとして用いられる電圧である。
DDRメモリ2のアドレス入力ポートとコントロールIC3のアドレス出力ポート、DDRメモリ2のデータ入出力ポートとコントロールIC3のデータ入出力ポート、及びDDRメモリ2の各種制御信号入力ポートとコントロールIC3の各種制御信号出力ポートは、バス5を介して接続されており、コントロールIC3とDDRメモリ2との間でバス5を介してアドレス信号、データ信号、及び各種制御信号等の信号が送受信される。
コントロールIC3による制御のもと、コントロールIC3とDDRメモリ2との間でアドレス信号、データ信号、及び各種制御信号等の信号が送受信されて、DDRメモリ2に対するデータの書込み/読出しが行われる。DDRメモリ2に対するデータの書込み/読出しの方法は、周知であり、その詳細については、説明を省略する。
DDRメモリ2に対するデータの書込み/読出しにおいて、DDRメモリ2は、基準電圧入力ポート21に入力されている基準電圧Vref−ddrに基いて、コントロールIC3から受信した信号(入力された信号)の信号判定を行い、コントロールIC3は、基準電圧入力ポート31に入力されている基準電圧Vref−icに基いて、DDRメモリ2から受信した信号(入力された信号)の信号判定を行う。
電圧出力回路4は、複数の抵抗41、42と、複数のコンデンサ43、44と、電圧出力ライン45とを備えており、電源ライン6を介して電源7に接続されている。抵抗41は、一端が電源ライン6に接続されている。抵抗42は、一端が抵抗41の他端に接続されており、他端がグランドに接続されている。コンデンサ43は、一端が電源ライン6と抵抗41との間に接続されており、他端が抵抗41と抵抗42との間に接続されている。コンデンサ44は、一端がコンデンサ43の他端に接続されており、他端が抵抗42とグランドとの間に接続されている。電圧出力ライン45は、一端が抵抗41と抵抗42との間に接続されており、他端が電圧出力回路4から引き出されている。電圧出力回路4は、電源ライン6を介して供給される電源7からの1.80vの電圧を抵抗41、42により分圧して0.90vの電圧(所定の電圧)を生成し、該生成した電圧を電圧出力ライン45から出力する。
DDRメモリ2の基準電圧入力ポート21は、接続ライン22を介して、電圧出力回路4の電圧出力ライン45に接続されており、また、コントロールIC3の基準電圧入力ポート31は、接続ライン32を介して、電圧出力回路4の電圧出力ライン45に接続されている。すなわち、DDRメモリ2の基準電圧入力ポート21及びコントロールIC3の基準電圧入力ポート31は、電圧出力回路4における共通の電圧出力ライン45に接続されている。DDRメモリ2、コントロールIC3、及び電圧出力回路4は、積層基板や両面基板等の回路基板(不図示)に実装されている。
このような構成の電子機器装置1によれば、電圧出力回路4により生成された電圧は、コントロールIC3における基準電圧Vref−icとして、コントロールIC3の基準電圧入力ポート31に入力されると共に、DDRメモリ2における基準電圧Vref−ddrとして、DDRメモリ2の基準電圧入力ポート21に入力される。すなわち、電圧出力回路4は、コントロールIC3における基準電圧Vref−icの生成とDDRメモリ2における基準電圧Vref−ddrの生成とに共用化される。
これにより、図2に示される従来のコントロールIC用の電圧出力回路78とDDRメモリ用の電圧出力回路76とを両方備えた電子機器装置70と比較して、部品点数を減らしてコストダウンすることができると共に、コントロールIC3における基準電圧Vref−icとDDRメモリ2における基準電圧Vref−ddrとのバラツキを軽減することができる。また、コントロールIC3における基準電圧Vref−icとDDRメモリ2における基準電圧Vref−ddrとのバラツキが軽減することにより、コントロールIC3における信号判定タイミングとDDRメモリ2における信号判定タイミングとの時間差を小さく抑えることができ、電子機器装置1の不具合や誤動作の発生を抑えることができる。
なお、本発明は、上記実施形態の構成に限られず、種々の変形が可能である。例えば、電子機器装置は、DDRメモリ(クロック信号の立上りエッジと立下りエッジの両方に同期してデータの書込み/読出しを行う半導体メモリ)を用いたものに限られず、DDRメモリ以外の記憶回路を用いたものであってもよい。また、ノイズによってコントロールICにおける基準電圧Vref−icとDDRメモリにおける基準電圧Vref−ddrとにバラツキを生じないようにするために、DDRメモリとコントロールICと電圧出力回路は、可能な限り互いに近付けて配置する(すなわち、電圧出力ライン及び接続ラインを可能な限り短くする)のが望ましく、また、電圧出力回路における抵抗とコンデンサも、可能な限り互いに近付けて配置するのが望ましい。また、電圧出力回路は、上記実施形態の構成のものに限られず、他の構成のものであってもよい。
1 電子機器装置
2 DDRメモリ(記憶回路)
3 コントロールIC(制御回路)
4 電圧出力回路
5 バス
6 電源ライン
7 電源
21 基準電圧入力ポート
22 接続ライン
31 基準電圧入力ポート
32 接続ライン
41、42 抵抗
43、44 コンデンサ
45 電圧出力ライン
2 DDRメモリ(記憶回路)
3 コントロールIC(制御回路)
4 電圧出力回路
5 バス
6 電源ライン
7 電源
21 基準電圧入力ポート
22 接続ライン
31 基準電圧入力ポート
32 接続ライン
41、42 抵抗
43、44 コンデンサ
45 電圧出力ライン
Claims (2)
- データを記憶する記憶回路と、前記記憶回路に対するデータの書込み/読出しを制御する制御回路と、を備える電子機器装置において、
電源からの電圧を複数の抵抗により分圧して所定の電圧を生成し、該生成した電圧を電圧出力ラインから出力する電圧出力回路を備え、
前記記憶回路の基準電圧入力ポート及び前記制御回路の基準電圧入力ポートは、前記電圧出力回路における共通の電圧出力ラインに接続されている、
ことを特徴とする電子機器装置。 - 前記記憶回路は、DDRメモリである、
ことを特徴とする請求項1に記載の電子機器装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008322307A JP2010146259A (ja) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | 電子機器装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008322307A JP2010146259A (ja) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | 電子機器装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family Applications (1)
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002312306A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体メモリ装置及びメモリシステム |
JP2004062725A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Elpida Memory Inc | メモリモジュール及びメモリシステム |
JP2006072476A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Canon Inc | データ記憶装置 |
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2008
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002312306A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体メモリ装置及びメモリシステム |
JP2004062725A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Elpida Memory Inc | メモリモジュール及びメモリシステム |
JP2006072476A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Canon Inc | データ記憶装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
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JPN6013007207; TMS320DM644x DMSoCにおけるDDR2 PCBレイアウトの実装 , 200610, 4,7, 日本テキサスインスツルメンツ株式会社 * |
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