JP2010146150A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010146150A JP2010146150A JP2008320706A JP2008320706A JP2010146150A JP 2010146150 A JP2010146150 A JP 2010146150A JP 2008320706 A JP2008320706 A JP 2008320706A JP 2008320706 A JP2008320706 A JP 2008320706A JP 2010146150 A JP2010146150 A JP 2010146150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- physical
- physical block
- data
- writing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operation
- G06F11/1402—Saving, restoring, recovering or retrying
- G06F11/1415—Saving, restoring, recovering or retrying at system level
- G06F11/1441—Resetting or repowering
Abstract
【解決手段】コマンド解析手段160にタイマ161を備える。書き込みコマンドが与えられたときに、前回の書き込みの完了から計測を開始していたタイマ161の値が所定の時間を超えたときに、新ブロック確保判断手段170が新たに物理ブロックを確保して書き込みを行う。こうすれば、書き込み途中に突然の電源断が発生したとしても、所定時間以前に書き込みを完了していたデータが破壊されることはなくなる。
【選択図】図6
Description
(a)データを消去した後は、メモリセルの状態は(1,1)
(b)第1ページへの書き込み後は、セルの状態は(1,1)又は(1,0)
(c)第2ページへの書き込み後は、セルの状態は(1,1),(1,0),(0,0)又は(0,1)
このように、多値のフラッシュメモリでは、閾値電圧Vthに複数の状態を設けてフラッシュメモリの電子の蓄積量を制御する多値記録を行い、大容量化を実現している。
(エラー1) Vth(1,0)が(0,0)に上昇しない。
(エラー2) Vth(1,1)が(0,1)に上昇しない。
場合がある。エラー1の場合は、Vth(1,0)とVth(0,0)が隣接しているが、エラー2の場合のVth(1,1)とVth(0,1)は間に2状態はさんでいる。特に、Vth(1,0)は第1ページの書き込み後の値であり、第2ページの書き込みによってVthが(1,0)にまでしか上昇しなかった場合は第2ページが書き込みエラーになるのみならず、第1ページのデータも破壊してしまうことになる。
(a)書き込み済みのページに上書きすることはできない。
(b)フラッシュメモリには書き換え回数寿命がある。
といった特徴がある。このため、論理ブロック番号と物理ブロック番号の対応表である論物変換テーブル181を作成し、ブロック管理手段180により管理している。
110 外部インターフェイス手段
120 アドレス変換手段
130 データ書き込み手段
140 フラッシュメモリ
150 データ読み出し手段
160 コマンド解析手段
161 タイマ
170 新ブロック確保判断手段
180 ブロック管理手段
190 物理ブロック状態検出手段
181 論物変換テーブル
181a 論物変換主テーブル
181b 論物変換補助テーブル
182 空きブロック管理テーブル
200 ホスト機器
Claims (6)
- ホスト機器に接続される半導体記憶装置であって、
複数の物理ブロックにより構成される不揮発性メモリと、
前記ホスト機器より与えられる論理アドレスを前記不揮発性メモリの物理アドレスに変換するアドレス変換手段と、
前記不揮発性メモリへデータの書き込みを行うデータ書き込み手段と、
前記不揮発性メモリからデータの読み出しを行うデータ読み出し手段と、
ホスト機器が発行するコマンドにかかる論理ブロックと前記不揮発性メモリの物理ブロックとの対応を記録してアドレス管理を行う論物変換テーブルを備えたブロック管理手段と、
前記ホスト機器から受けたコマンドを解析すると共に、少なくとも1個前に発行された書き込みコマンドと当該コマンドとの相関を解析するコマンド解析手段と、
前記ホスト機器からの書き込みコマンドが与えられたときに前記コマンド解析手段の解析結果と前記論物変換テーブルの情報をもとに新たな物理ブロックを確保するかを判断する新ブロック確保判断手段と、を具備し、
少なくとも1個前に発行された書き込みコマンドによる書き込みから所定時間経過後に書き込みを行うときにはデータが書かれていない物理ブロックに書き込む半導体記憶装置。 - 前記新ブロック確保判断手段は、前記コマンド解析手段が電源投入後の最初の書き込み処理であると判断し、ホスト機器が転送を要求する論理アドレスに対応する物理ブロックが書き込み済み状態である場合、新たな物理ブロックを確保するものと判断する請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記コマンド解析手段は、1個前の書き込みコマンドによるデータの書き込みの完了時からの経過時間を計測するタイマを備え、
前記新ブロック確保判断手段は、タイマ値が所定の経過時間を超えているときに、ホスト機器が転送を要求する論理アドレスに対応する物理ブロックが書き込み済みであっても、当該物理ブロックに追記せずに新たな物理ブロックを確保するものと判断する請求項1又は2記載の半導体記憶装置。 - 前記ブロック管理手段は、各物理ブロックの使用可否を示す空きブロック管理テーブルの登録、更新を行うと共に、データ書き込み時に前記空きブロック管理テーブルに基づいて新規物理ブロックを抽出するものである請求項1記載の半導体記録装置。
- 前記メモリは多値のフラッシュメモリであり、メモリセルを共有する単位をグループとすると前記物理ブロックは少なくとも1つのグループを含むものである請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記物理ブロックは、
前記メモリの最小の消去単位及びその整数倍の消去単位のいずれかである請求項1乃至5のいずれか1項記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008320706A JP5264459B2 (ja) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | 半導体記憶装置 |
US12/637,892 US8725930B2 (en) | 2008-12-17 | 2009-12-15 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008320706A JP5264459B2 (ja) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010146150A true JP2010146150A (ja) | 2010-07-01 |
JP5264459B2 JP5264459B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=42241937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008320706A Active JP5264459B2 (ja) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | 半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8725930B2 (ja) |
JP (1) | JP5264459B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013130948A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Aisin Seiki Co Ltd | フラッシュメモリへのデータ書き込み方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004199605A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリカードおよび管理情報更新方法 |
JP2005502972A (ja) * | 2001-09-04 | 2005-01-27 | パラゴン アクチエンゲゼルシャフト | マイクロコントローラおよびeepromを含む回路装置の駆動方法 |
JP2006318366A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法 |
JP2008176487A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | データ記憶装置、及びデータ記憶装置を備えた盗難防止装置 |
WO2008139689A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Panasonic Corporation | メモリコントローラ、半導体記録装置及び書き換え回数通知方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6170066B1 (en) * | 1995-09-29 | 2001-01-02 | Intel Corporation | Power-off recovery management for sector based flash media managers |
US6510083B1 (en) * | 1995-11-29 | 2003-01-21 | Intel Corporation | Electrically erasable and programmable memory that allows data update without prior erasure of the memory |
US7039788B1 (en) * | 2002-10-28 | 2006-05-02 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for splitting a logical block |
US7904635B2 (en) * | 2003-03-04 | 2011-03-08 | Netac Technology Co., Ltd. | Power cut data recovery and data management method for flash media |
US7535759B2 (en) * | 2004-06-04 | 2009-05-19 | Micron Technology, Inc. | Memory system with user configurable density/performance option |
-
2008
- 2008-12-17 JP JP2008320706A patent/JP5264459B2/ja active Active
-
2009
- 2009-12-15 US US12/637,892 patent/US8725930B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005502972A (ja) * | 2001-09-04 | 2005-01-27 | パラゴン アクチエンゲゼルシャフト | マイクロコントローラおよびeepromを含む回路装置の駆動方法 |
JP2004199605A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリカードおよび管理情報更新方法 |
JP2006318366A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法 |
JP2008176487A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | データ記憶装置、及びデータ記憶装置を備えた盗難防止装置 |
WO2008139689A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Panasonic Corporation | メモリコントローラ、半導体記録装置及び書き換え回数通知方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013130948A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Aisin Seiki Co Ltd | フラッシュメモリへのデータ書き込み方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100153629A1 (en) | 2010-06-17 |
JP5264459B2 (ja) | 2013-08-14 |
US8725930B2 (en) | 2014-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4256175B2 (ja) | 不揮発性半導体メモリ | |
JP5612514B2 (ja) | 不揮発性メモリコントローラ及び不揮発性記憶装置 | |
JP4688584B2 (ja) | ストレージ装置 | |
CN105718530B (zh) | 文件存储系统及其文件存储控制方法 | |
JP2008181380A (ja) | メモリシステムおよびその制御方法 | |
JP2011107851A (ja) | メモリシステム | |
KR20100022026A (ko) | 온-칩 비휘발성 메모리 기록 캐쉬를 사용하기 위한 시스템 및 방법 | |
KR20120060236A (ko) | 파워 인터럽트 관리 | |
JP5073402B2 (ja) | メモリーコントローラ、及びこれを用いた不揮発性記憶装置並びに不揮発性記憶システム | |
JP4866117B2 (ja) | 不揮発性記憶装置、そのデータ書き込み方法、不揮発性記憶システム及びメモリコントローラ | |
JP5300496B2 (ja) | 半導体記憶装置、ホスト機器及び半導体記憶システム | |
JP5166118B2 (ja) | 半導体メモリの制御方法 | |
US9378130B2 (en) | Data writing method, and memory controller and memory storage apparatus using the same | |
JP5592478B2 (ja) | 不揮発性記憶装置及びメモリコントローラ | |
JP5338859B2 (ja) | 記憶装置および情報処理システム | |
JP5494086B2 (ja) | 不揮発性記憶装置および不揮発性メモリコントローラ | |
JP2012521032A (ja) | Ssdコントローラおよびssdコントローラの動作方法 | |
JP2008003684A (ja) | 不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶システム | |
JP2006338083A (ja) | メモリコントローラ | |
JP5264459B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP3934659B1 (ja) | メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム | |
JP4551938B2 (ja) | メモリシステム | |
JP4068594B2 (ja) | フラッシュメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム、及びフラッシュメモリの制御方法 | |
KR102462829B1 (ko) | Nand 플래시 메모리의 보안 카피-백 프로그램 방법 | |
US20240028507A1 (en) | Storage system and method of operating the storage system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111101 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120207 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130430 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5264459 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |