JP2010139920A - Electrical solid device, electro-optical device, method of manufacturing electrical solid device, and electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、反射性金属パターンを備えた電気的固体装置、該電気的固体装置を素子基板
として用いた電気光学装置、当該電気的固体装置の製造方法、および当該電気光学装置を
備えた電子機器に関するものである。
The present invention relates to an electrical solid-state device having a reflective metal pattern, an electro-optical device using the electrical solid-state device as an element substrate, a method for manufacturing the electrical solid-state device, and an electronic apparatus including the electro-optical device. It is about.
液晶装置などといった電気光学装置は、投射型表示装置のライトバルブや携帯電話等の
表示装置として広く採用されている。かかる電気光学装置のうち、反射型の液晶装置は、
画素電極をアルミニウム合金などといった反射性金属膜からなる反射性の画素電極とする
ことにより実現される。
Electro-optical devices such as liquid crystal devices are widely adopted as display devices for light valves of projection display devices and mobile phones. Among such electro-optical devices, a reflective liquid crystal device is
This is realized by making the pixel electrode a reflective pixel electrode made of a reflective metal film such as an aluminum alloy.
また、反射性の画素電極を形成するには、反射性金属膜を形成した後、反射性金属膜の
表面にレジストマスクを形成し、この状態で反射性金属膜をエッチングすることにより、
画素電極をパターニング形成する。但し、画素電極を構成する反射性金属は、表面の反応
性が高いため、表面が平坦な絶縁膜で覆われていることが好ましい。また、隣接する画素
電極の間の間隙は絶縁膜で埋められていることが好ましい。
In order to form a reflective pixel electrode, after forming a reflective metal film, a resist mask is formed on the surface of the reflective metal film, and the reflective metal film is etched in this state,
A pixel electrode is formed by patterning. However, since the reflective metal constituting the pixel electrode has high surface reactivity, it is preferable that the surface is covered with a flat insulating film. Further, it is preferable that a gap between adjacent pixel electrodes is filled with an insulating film.
そこで、画素電極をパターニング形成した後、画素電極を覆う薄い絶縁性のカバー膜と
、カバー膜を覆う間隙充填用絶縁膜とを積層した後、カバー膜が露出するまで間隙充填用
絶縁膜を研磨した構成が提案されている（特許文献１参照）。
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、まず、反射性金属膜をパターニングして
反射性の画素電極を形成する際、歩留まりが低下しやすいという問題点がある。すなわち
、レジストマスクを形成するには、感光性樹脂を塗布した後、露光、現像するが、現像液
によって反射性金属膜が侵食されてしまうと、レジストマスクに不具合を発見した場合で
も、反射性金属膜が侵食されているので、レジストマスクを形成し直して反射性金属膜を
パターニングする、ということができない。それ故、レジストマスクに不具合を発見した
場合、再生できないため、歩留まりを低下させてしまうのである。
However, the technique described in Patent Document 1 has a problem that, when a reflective pixel electrode is first formed by patterning a reflective metal film, the yield tends to decrease. That is, in order to form a resist mask, a photosensitive resin is applied and then exposed to light and developed. However, if the reflective metal film is eroded by the developer, even if a defect is found in the resist mask, it is reflective. Since the metal film is eroded, the resist mask cannot be re-formed to pattern the reflective metal film. Therefore, if a defect is found in the resist mask, it cannot be regenerated and the yield is reduced.
かかる問題は、液晶装置に限らず、有機エレクトロルミネッセンス装置などの電気光学
装置において素子基板上に反射性電極などの反射性金属パターンを形成する場合に同様に
発生する。さらに、上記の問題点は、液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置など
の電気光学装置に限らず、基板上に反射性金属パターンが形成された電気的固体装置全般
にいえる問題点である。
Such a problem occurs not only in a liquid crystal device but also in a case where a reflective metal pattern such as a reflective electrode is formed on an element substrate in an electro-optical device such as an organic electroluminescence device. Furthermore, the above-described problems are not limited to electro-optical devices such as liquid crystal devices and organic electroluminescence devices, but are problems that can be applied to all electrical solid-state devices in which a reflective metal pattern is formed on a substrate.
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、反射性金属膜をパターニングして反射性金属
パターンを形成する際の歩留まりが向上された電気的固体装置、該電気的固体装置を素子
基板として用いた電気光学装置、当該電気的固体装置の製造方法、および当該電気光学装
置を備えた電子機器を提供することにある。
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electrical solid state device with improved yield when patterning a reflective metal film to form a reflective metal pattern, and using the electrical solid state device as an element substrate It is an object of the present invention to provide an electro-optical device used, a method for manufacturing the electric solid-state device, and an electronic apparatus including the electro-optical device.
また、本発明の課題は、隣接する反射性金属パターンの間に形成された間隙が好適に埋
められた電気的固体装置、該電気的固体装置を素子基板として用いた電気光学装置、当該
電気的固体装置の製造方法、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することに
ある。
Another object of the present invention is to provide an electrical solid-state device in which a gap formed between adjacent reflective metal patterns is suitably filled, an electro-optical device using the electrical solid-state device as an element substrate, and the electrical A solid-state device manufacturing method and an electronic apparatus including the electro-optical device are provided.
さらに、本発明の課題は、反射性金属パターンによる反射率が高められた電気的固体装
置、該電気的固体装置を素子基板として用いた電気光学装置、当該電気的固体装置の製造
方法、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
Furthermore, an object of the present invention is to provide an electrical solid-state device in which the reflectance by the reflective metal pattern is increased, an electro-optical device using the electrical solid-state device as an element substrate, a method for manufacturing the electrical solid-state device, and the An object of the present invention is to provide an electronic apparatus including an electro-optical device.
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置では、基板上に形成された複数
の反射性金属パターンと、該反射性金属パターンの上に、当該反射性金属パターンと同一
形状をもって重なるように積層された透光性絶縁膜と、隣接する前記反射性金属パターン
および前記透光性絶縁膜の間に形成された間隙を埋めて前記透光性絶縁膜の表面と連続す
る平坦面を構成する凹部充填用絶縁膜と、を有することを特徴とする。
In order to solve the above-described problem, in the electro-optical device according to the invention, a plurality of reflective metal patterns formed on a substrate and the reflective metal pattern overlap with the same shape as the reflective metal pattern. And a flat surface continuous with the surface of the light-transmitting insulating film by filling the gap formed between the reflective metal pattern and the light-transmitting insulating film adjacent to each other. And a recess filling insulating film.
本発明に係る電気的固体装置の製造方法では、基板上に反射性金属パターンを形成する
ための反射性金属膜を形成する反射性金属膜形成工程と、前記反射性金属膜の上に透光性
絶縁膜を形成する透光性絶縁膜形成工程と、前記透光性絶縁膜の上に、前記反射性金属パ
ターンに対応するレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、前記レジストマ
スクを形成した状態で前記透光性絶縁膜および前記反射性金属膜をエッチングするパター
ニング工程と、前記レジストマスクを除去した後、前記透光性絶縁膜を覆い、かつ、前記
透光性絶縁膜の間に形成された凹部を埋める凹部充填用絶縁膜を形成する凹部充填用絶縁
膜形成工程と、前記透光性絶縁膜の表面が露出するまで前記凹部充填用絶縁膜を研磨する
絶縁膜研磨工程と、を有することを特徴とする。
In the method for manufacturing an electrical solid state device according to the present invention, a reflective metal film forming step of forming a reflective metal film for forming a reflective metal pattern on a substrate, and a light transmission on the reflective metal film Forming a transparent insulating film, forming a resist mask corresponding to the reflective metal pattern on the transparent insulating film, and forming the resist mask A patterning step of etching the light-transmitting insulating film and the reflective metal film in a state, and after removing the resist mask, covering the light-transmitting insulating film and forming between the light-transmitting insulating films A recess filling insulating film forming step of forming a recess filling insulating film filling the recessed portion, and an insulating film polishing step of polishing the recess filling insulating film until a surface of the translucent insulating film is exposed. Have The features.
本発明では、反射性金属パターンをパターニング形成するにあたって、反射性金属パタ
ーンを形成するための反射性金属膜、および透光性絶縁膜を順次形成した後、透光性絶縁
膜の上にレジストマスクを形成し、透光性絶縁膜および反射性金属膜をエッチングする。
このため、レジストマスクを形成する際の感光性樹脂の塗布、露光、現像はいずれも、透
光性絶縁膜の表面で行なわれるので、現像液は反射性金属膜と接触しない。従って、現像
の際、現像液によって、反射性金属膜が侵食されることがない。それ故、形成したレジス
トマスクに不具合があった場合、反射性金属膜が侵食されていないので、レジストマスク
を形成し直した後、透光性絶縁膜および反射性金属膜をエッチングすればよい。よって、
電気的固体装置の歩留まり低下を防止することができる。また、反射性金属パターンの上
層に透光性絶縁膜が残っている場合でも、透光性絶縁膜は、透光性を備えているため、反
射性金属パターンの表面での反射光を利用する場合でも支障がない。逆に、透光性絶縁膜
については、反射性金属パターンの保護膜や、隣接する反射性金属パターンの間に形成さ
れた凹部を凹部充填用絶縁膜で埋めて平坦化するための研磨工程においてストッパとして
利用することができる。そのため、反射性金属パターンの上層に設けた透光性絶縁膜を除
去しないほうが好ましい。
In the present invention, when patterning a reflective metal pattern, a reflective metal film for forming the reflective metal pattern and a light-transmitting insulating film are sequentially formed, and then a resist mask is formed on the light-transmitting insulating film. And the light-transmitting insulating film and the reflective metal film are etched.
For this reason, since application, exposure, and development of the photosensitive resin in forming the resist mask are all performed on the surface of the light-transmitting insulating film, the developer does not come into contact with the reflective metal film. Therefore, the reflective metal film is not eroded by the developer during development. Therefore, when there is a defect in the formed resist mask, the reflective metal film is not eroded. Therefore, after the resist mask is formed again, the light-transmitting insulating film and the reflective metal film may be etched. Therefore,
The yield reduction of the electrical solid state device can be prevented. Further, even when the translucent insulating film remains on the upper layer of the reflective metal pattern, the translucent insulating film has translucency, so that the reflected light on the surface of the reflective metal pattern is used. Even if there is no problem. On the other hand, for the light-transmitting insulating film, in the polishing process for flattening by filling the recess formed between the protective film of the reflective metal pattern and the adjacent reflective metal pattern with the insulating film for filling the recess. Can be used as a stopper. Therefore, it is preferable not to remove the translucent insulating film provided on the upper layer of the reflective metal pattern.
本発明は、前記反射性金属パターンがアルミニウム系金属材料からなる場合に適用する
と特に効果的である。アルミニウム系金属材料は特にアルカリに対する反応性が高いため
、レジストマスクを形成する際のアルカリ系の現像液によって侵食されやすいが、本発明
を適用すれば、反射性金属膜と現像液が接触しないので、反射性金属膜がアルミニウム系
金属材料であっても侵食を確実に防止することができる。
The present invention is particularly effective when applied when the reflective metal pattern is made of an aluminum-based metal material. Aluminum-based metal materials are particularly reactive with alkalis, so they are easily eroded by an alkaline developer when forming a resist mask. However, if the present invention is applied, the reflective metal film and the developer are not in contact with each other. Even if the reflective metal film is an aluminum-based metal material, erosion can be reliably prevented.
本発明において、前記透光性絶縁膜は、屈折率が相違する複数の誘電体層の多層膜から
なることが好ましい。かかる構成を採用すると、多層膜が増反射膜として機能するため、
反射性金属パターン表面による反射率を高めることができる。
In the present invention, the translucent insulating film is preferably composed of a multilayer film of a plurality of dielectric layers having different refractive indexes. When such a configuration is adopted, the multilayer film functions as an increased reflection film.
The reflectance by the reflective metal pattern surface can be increased.
この場合、前記透光性絶縁膜は、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との多層膜からなり
、前記多層膜の最上層は前記窒化シリコン膜であり、前記凹部充填用絶縁膜は酸化シリコ
ン膜からなることが好ましい。酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とでは屈折率が相違する
ため、それらの多層膜は増反射膜として機能し、反射性金属パターン表面による反射率を
高めることができる。また、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とでは化学機械研磨の際の
選択比が大きいので、酸化シリコン膜からなる凹部充填用絶縁膜を研磨する際、窒化シリ
コン膜をストッパとして利用することができる。
In this case, the translucent insulating film is composed of a multilayer film of a silicon oxide film and a silicon nitride film, the uppermost layer of the multilayer film is the silicon nitride film, and the insulating film for filling the recesses is composed of a silicon oxide film. It is preferable to become. Since the refractive index is different between the silicon oxide film and the silicon nitride film, these multilayer films function as an increased reflection film, and the reflectance by the reflective metal pattern surface can be increased. In addition, since the silicon oxide film and the silicon nitride film have a high selectivity in chemical mechanical polishing, the silicon nitride film can be used as a stopper when polishing the recess filling insulating film made of the silicon oxide film.
本発明を適用した電気的固体装置は、例えば、電気光学装置において、前記基板上に前
記反射性金属パターンとして、反射性の画素電極を有する電気光学装置用の素子基板とし
て構成される。
The electro-solid device to which the present invention is applied is configured as an element substrate for an electro-optical device having a reflective pixel electrode as the reflective metal pattern on the substrate, for example.
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータ等の電子機器に
用いることができる。また、本発明を適用した電気光学装置が液晶装置である場合、本発
明を適用した電気光学装置は、電子機器としての投射型表示装置にも用いることができる
。かかる投射型表示装置は、電気光学装置（液晶装置）に光を供給するための光源部と、
前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
The electro-optical device to which the present invention is applied can be used in electronic devices such as a mobile phone and a mobile computer. When the electro-optical device to which the present invention is applied is a liquid crystal device, the electro-optical device to which the present invention is applied can also be used for a projection display device as an electronic apparatus. Such a projection display device includes a light source unit for supplying light to an electro-optical device (liquid crystal device),
A projection optical system that projects light modulated by the electro-optical device.
以下、本発明の実施の形態として、本発明に係る電気的固体装置を、代表的な電気光学
装置である反射型の液晶装置の素子基板として構成した例を中心に説明する。かかる素子
基板（電気的固体装置）では、反射性導電パターンとして、反射性の画素電極が基板上に
形成されている。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認
識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、カ
ラーフィルタや配向膜などの図示は省略してある。また、電界効果型トランジスタでは、
印加する電圧の極性によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の
便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
Hereinafter, as an embodiment of the present invention, an example in which an electrical solid state device according to the present invention is configured as an element substrate of a reflective liquid crystal device which is a representative electro-optical device will be mainly described. In such an element substrate (electric solid device), a reflective pixel electrode is formed on the substrate as a reflective conductive pattern. In the drawings to be referred to in the following description, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing. Further, illustration of a color filter, an alignment film, and the like is omitted. In a field effect transistor,
Although the source and the drain are switched depending on the polarity of the voltage to be applied, in the following description, for convenience of explanation, the side to which the pixel electrode is connected will be described as the drain.
(液晶装置の全体構成)
図１は、本発明を適用した反射型の液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロ
ック図である。図１に示すように、電気光学装置１００は、反射型の液晶パネル１００ｐ
を有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス
状に配列された画素領域１０ｂを備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述
する素子基板１０（電気的固体装置）には、画素領域１０ｂの内側で複数本のデータ線６
ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１
００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素トランジスタとしての電
界効果型トランジスタ３０、および後述する反射性の画素電極９ａ（反射性金属パターン
）が形成されている。電界効果型トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが電気的に
接続され、電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電
界効果型トランジスタ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
(Overall configuration of liquid crystal device)
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a reflective liquid crystal device (electro-optical device) to which the present invention is applied. As shown in FIG. 1, the electro-optical device 100 includes a reflective liquid crystal panel 100p.
The liquid crystal panel 100p includes a pixel region 10b in which a plurality of pixels 100a are arranged in a matrix in the central region. In the liquid crystal panel 100p, an element substrate 10 (electric solid device) described later has a plurality of data lines 6 inside the pixel region 10b.
a and a plurality of scanning lines 3a extend vertically and horizontally, and the pixel 1 is located at a position corresponding to the intersection of them.
00a is configured. In each of the plurality of pixels 100a, a field effect transistor 30 as a pixel transistor and a reflective pixel electrode 9a (reflective metal pattern) described later are formed. The data line 6 a is electrically connected to the source of the field effect transistor 30, the scanning line 3 a is electrically connected to the gate of the field effect transistor 30, and the pixel electrode is connected to the drain of the field effect transistor 30. 9a is electrically connected.
素子基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４およびデ
ータ線駆動回路１０１が構成されている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一
端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順
次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号
を各走査線３ａに順次供給する。
In the element substrate 10, a scanning line driving circuit 104 and a data line driving circuit 101 are configured outside the pixel region 10 b. The data line driving circuit 101 is electrically connected to one end of each data line 6a, and sequentially supplies the image signal supplied from the image processing circuit to each data line 6a. The scanning line driving circuit 104 is electrically connected to each scanning line 3a, and sequentially supplies a scanning signal to each scanning line 3a.
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板に形成された共通電極と
液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶
容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量
６０が付加されている。本形態では、保持容量６０を構成するために、複数の画素１００
ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線３ｂが形成されている。
In each pixel 100a, the pixel electrode 9a is opposed to a common electrode formed on a counter substrate, which will be described later, via a liquid crystal, and constitutes a liquid crystal capacitor 50a. In addition, a holding capacitor 60 is added to each pixel 100a in parallel with the liquid crystal capacitor 50a in order to prevent fluctuation of an image signal held in the liquid crystal capacitor 50a. In this embodiment, a plurality of pixels 100 are formed in order to form the storage capacitor 60.
A capacitor line 3b extending in parallel with the scanning line 3a across a is formed.
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００
ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐでは、所定
の間隙を介して素子基板１０（電気的固体装置）と対向基板２０とが所定の間隙を介して
シール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の縁に沿う
ように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤
であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ
等のギャップ材が配合されている。本形態において、素子基板１０の基体は透光性基板１
０ｄであり、対向基板２０の基体も、同様な透光性基板２０ｄである。
(Configuration of liquid crystal panel 100p and element substrate 10)
2 (a) and 2 (b) respectively show the liquid crystal panel 100 of the electro-optical device 100 to which the present invention is applied.
It is the top view which looked at p from the counter substrate side with each component, and its HH 'sectional drawing.
As shown in FIGS. 2A and 2B, in the liquid crystal panel 100p of the electro-optical device 100, the element substrate 10 (electrical solid device) and the counter substrate 20 are interposed via a predetermined gap through a predetermined gap. The sealing material 107 is attached along the edge of the counter substrate 20. The sealing material 107 is an adhesive made of a photo-curing resin, a thermosetting resin, or the like, and is mixed with a gap material such as glass fiber or glass beads for setting the distance between both substrates to a predetermined value. In this embodiment, the base of the element substrate 10 is a translucent substrate 1.
0d, and the base of the counter substrate 20 is the same translucent substrate 20d.
素子基板１０において、シール材１０７の外側領域では、素子基板１０の一辺に沿って
データ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する
他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、対向基板２０のコーナー
部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をと
るための上下導通材１０９が形成されている。
In the element substrate 10, the data line driving circuit 101 and the plurality of terminals 102 are formed along one side of the element substrate 10 in the outer region of the sealing material 107, and the scanning line is formed along another side adjacent to the one side. A drive circuit 104 is formed. Further, at least one corner of the counter substrate 20 is formed with a vertical conductive material 109 for electrical conduction between the element substrate 10 and the counter substrate 20.
詳しくは後述するが、素子基板１０には、アルミニウムやアルミニウム合金などといっ
たアルミニウム系金属材料や、銀や銀合金などといった銀系金属材料からなる反射性の画
素電極９ａ（反射性金属パターン）がマトリクス状に形成されている。本形態では、画素
電極９ａには、上記の金属材料のうち、アルミニウムやアルミニウム合金などといったア
ルミニウム系金属材料が用いられている。
As will be described in detail later, the element substrate 10 has a matrix of reflective pixel electrodes 9a (reflective metal pattern) made of an aluminum-based metal material such as aluminum or aluminum alloy, or a silver-based metal material such as silver or silver alloy. It is formed in a shape. In this embodiment, the pixel electrode 9a is made of an aluminum metal material such as aluminum or an aluminum alloy among the above metal materials.
対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成
され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。対向基板２０には、ＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）膜からなる透光性の共通電極２１が形成されている。
On the counter substrate 20, a frame 108 made of a light-shielding material is formed in an inner region of the sealing material 107, and the inner side is an image display region 10 a. The counter substrate 20 includes ITO (Indium
A translucent common electrode 21 made of a tin oxide film is formed.
なお、画素領域１０ｂには、額縁１０８と重なる領域にダミーの画素が構成される場合
があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０
ａとして利用されることになる。
In the pixel area 10b, a dummy pixel may be formed in an area overlapping the frame 108. In this case, the area excluding the dummy pixel in the pixel area 10b is the image display area 10.
It will be used as a.
かかる反射型の電気光学装置１００は、モバイルコンピュータ、携帯電話機等といった
電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラ
ーフィルタ（図示せず）や保護膜が形成される。また、対向基板２０の光入射側の面には
、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、Ｓ
ＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブ
ラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の向きに配
置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクタ
）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の
各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解
された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルタは形成さ
れない。
The reflective electro-optical device 100 can be used as a color display device for electronic devices such as mobile computers and mobile phones. In this case, a color filter (not shown) and a protective film are formed on the counter substrate 20. Is done. Further, on the light incident side surface of the counter substrate 20, the type of the liquid crystal layer 50 to be used, that is, a TN (twisted nematic) mode, S
A polarizing film, a retardation film, a polarizing plate, and the like are arranged in a predetermined direction according to an operation mode such as a TN (super TN) mode, or a normally white mode / normally black mode. Furthermore, the electro-optical device 100 can be used as an RGB light valve in a projection display device (liquid crystal projector) described later. In this case, each of the RGB electro-optical devices 100 receives light of each color separated through RGB color separation dichroic mirrors as projection light, and thus no color filter is formed. .
（各画素の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型の電気光学装置１００に用いた素
子基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で電
気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）において、データ線
６ａおよびドレイン電極６ｂは一点鎖線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示
し、半導体層１ａは短い点線、画素電極９ａについては二点鎖線で示してある。
(Configuration of each pixel)
3A and 3B are respectively a plan view of adjacent pixels in the element substrate 10 used in the reflective electro-optical device 100 to which the present invention is applied, and a position corresponding to the line AA ′. FIG. 6 is a cross-sectional view of the electro-optical device 100 taken along the line. In FIG. 3A, the data line 6a and the drain electrode 6b are shown by a one-dot chain line, the scanning line 3a and the capacitor line 3b are shown by a solid line, the semiconductor layer 1a is a short dotted line, and the pixel electrode 9a is a two-dot chain line. It is shown.
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０には、石英基板やガラス基板等からな
る透光性基板１０ｄの第１面１０ｘおよび第２面１０ｙのうち、対向基板２０側に位置す
る第１面１０ｘに酸化シリコン膜等からなる透光性の下地絶縁層１５が形成されていると
ともに、その上層側において、画素電極９ａと重なる位置にＮチャネル型の電界効果型ト
ランジスタ３０が形成されている。電界効果型トランジスタ３０は、島状のポリシリコン
膜、あるいは島状の単結晶半導体層からなる半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、
低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度
ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ構造を備えている。半導体層１ａの表面側には、酸
化シリコン膜や窒化シリコン膜からなる透光性のゲート絶縁層２が形成されており、ゲー
ト絶縁層２の表面には、金属膜やドープトシリコン膜からなるゲート電極（走査線３ａ）
が形成されている。半導体層１ａにおける高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分には、
ゲート絶縁層２を介して容量線３ｂが対向し、保持容量６０が形成されている。
As shown in FIGS. 3A and 3B, the element substrate 10 includes the first surface 10x and the second surface 10y of the translucent substrate 10d made of a quartz substrate, a glass substrate, or the like on the counter substrate 20 side. A light-transmitting base insulating layer 15 made of a silicon oxide film or the like is formed on the first surface 10x located at the top, and an N-channel field effect transistor 30 is formed on the upper layer side so as to overlap with the pixel electrode 9a. Is formed. The field effect transistor 30 includes a channel region 1g, an island-shaped polysilicon film, or a semiconductor layer 1a made of an island-shaped single crystal semiconductor layer.
It has an LDD structure in which a low concentration source region 1b, a high concentration source region 1d, a low concentration drain region 1c, and a high concentration drain region 1e are formed. A translucent gate insulating layer 2 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed on the surface side of the semiconductor layer 1a. The surface of the gate insulating layer 2 is made of a metal film or a doped silicon film. Gate electrode (scanning line 3a)
Is formed. In the extended portion from the high concentration drain region 1e in the semiconductor layer 1a,
The capacitor line 3 b is opposed to the storage capacitor 60 with the gate insulating layer 2 interposed therebetween.
本形態において、電界効果型トランジスタ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造
を備えているが、高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域が走査線３ａに自己整合的
に形成されている構造を採用してもよい。また、本形態では、ゲート絶縁層２は、熱酸化
により形成された酸化シリコン膜からなるが、ＣＶＤ法等により形成された酸化シリコン
膜や窒化シリコン膜を用いることもできる。さらに、ゲート絶縁層２には、熱酸化により
形成された酸化シリコン膜と、ＣＶＤ法等により形成された酸化シリコン膜や窒化シリコ
ン膜との多層膜を用いることもできる。さらに、素子基板１０では、基体として、単結晶
シリコン基板を用いることができる。
In this embodiment, the field effect transistor 30 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure, but adopts a structure in which a high concentration source region and a high concentration drain region are formed in a self-aligned manner on the scanning line 3a. Also good. In this embodiment, the gate insulating layer 2 is formed of a silicon oxide film formed by thermal oxidation, but a silicon oxide film or a silicon nitride film formed by a CVD method or the like can also be used. Furthermore, the gate insulating layer 2 may be a multilayer film including a silicon oxide film formed by thermal oxidation and a silicon oxide film or a silicon nitride film formed by a CVD method or the like. Furthermore, in the element substrate 10, a single crystal silicon substrate can be used as the base.
電界効果型トランジスタ３０の上層側には、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等からな
る層間絶縁膜７１、７２が形成されている。層間絶縁膜７１の表面には、データ線６ａお
よびドレイン電極６ｂが形成され、データ線６ａは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタ
クトホール７１ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、ドレイン電極６ｂは
、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅ
に電気的に接続している。
On the upper layer side of the field effect transistor 30, interlayer insulating films 71 and 72 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like are formed. A data line 6a and a drain electrode 6b are formed on the surface of the interlayer insulating film 71. The data line 6a is electrically connected to the high concentration source region 1d through a contact hole 71a formed in the interlayer insulating film 71. The drain electrode 6b is connected to the high concentration drain region 1e through a contact hole 71b formed in the interlayer insulating film 71.
Is electrically connected.
層間絶縁膜７２の表面には、反射性の画素電極９ａが島状に形成されており、画素電極
９ａは、層間絶縁膜７２に形成されたコンタクトホール７２ｂを介してドレイン電極６ｂ
に電気的に接続されている。かかる電気的な接続を行なうにあたって、本形態では、コン
タクトホール７２ｂの内部は、プラグ８ａと称せられる導電膜によって埋められ、画素電
極９ａは、プラグ８ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。かかる構成
によれば、画素電極９ａの表面にコンタクトホール７２ｂに起因する凹凸が発生しないと
いう利点がある。また、プラグ８ａの表面と層間絶縁膜７２の表面とは、連続した平坦面
を形成しており、かかる平坦面上に画素電極９ａが形成されている。従って、画素電極９
ａの表面も平坦である。
A reflective pixel electrode 9a is formed in an island shape on the surface of the interlayer insulating film 72. The pixel electrode 9a is connected to the drain electrode 6b via a contact hole 72b formed in the interlayer insulating film 72.
Is electrically connected. In performing this electrical connection, in this embodiment, the inside of the contact hole 72b is filled with a conductive film called a plug 8a, and the pixel electrode 9a is electrically connected to the drain electrode 6b through the plug 8a. ing. According to such a configuration, there is an advantage that unevenness due to the contact hole 72b does not occur on the surface of the pixel electrode 9a. The surface of the plug 8a and the surface of the interlayer insulating film 72 form a continuous flat surface, and the pixel electrode 9a is formed on the flat surface. Accordingly, the pixel electrode 9
The surface of a is also flat.
このように構成した素子基板１０において、画素電極９ａの上層には、画素電極９ａと
同一パターンを有する透光性絶縁膜７４ａが画素電極９ａと重なるように設けられている
。
In the element substrate 10 configured as described above, a translucent insulating film 74a having the same pattern as the pixel electrode 9a is provided on the upper layer of the pixel electrode 9a so as to overlap the pixel electrode 9a.
また、透光性絶縁膜７４ａが画素電極９ａと重なるように設けられているため、互いに
隣接する透光性絶縁膜７４ａの間には、画素電極９ａの厚さ寸法と透光性絶縁膜７４ａの
厚さ寸法の和に相当する深さ寸法の凹部が形成されている。本明細書では、当該凹部を間
隙９ｓと呼ぶ。本形態において、間隙９ｓは凹部充填用絶縁膜７８ａで埋められている。
ここで、凹部充填用絶縁膜７８ａは、間隙９ｓのみに形成されており、画素電極９ａおよ
び透光性絶縁膜７４ａと重なる領域には形成されていない。また、凹部充填用絶縁膜７８
ａの厚さ寸法は、間隙９ｓの深さ寸法と等しい。このため、凹部充填用絶縁膜７８ａの表
面と透光性絶縁膜７４ａの表面とは、連続した平坦面を形成しており、かかる平坦面上に
配向膜１６が形成されている。従って、配向膜１６をラビング処理されたポリイミド膜な
どにより形成した場合、ラビング処理を適正に行なうことができる。また、凹部充填用絶
縁膜７８ａによって、隣接する画素電極９ａの間に横電界が発生するのを防止することが
できる。
Further, since the light-transmitting insulating film 74a is provided so as to overlap the pixel electrode 9a, the thickness dimension of the pixel electrode 9a and the light-transmitting insulating film 74a are provided between the light-transmitting insulating films 74a adjacent to each other. A recess having a depth corresponding to the sum of the thickness is formed. In the present specification, the concave portion is referred to as a gap 9s. In this embodiment, the gap 9s is filled with a recess filling insulating film 78a.
Here, the recess filling insulating film 78a is formed only in the gap 9s, and is not formed in a region overlapping the pixel electrode 9a and the light-transmitting insulating film 74a. Also, the recess filling insulating film 78
The thickness dimension of a is equal to the depth dimension of the gap 9s. For this reason, the surface of the recess filling insulating film 78a and the surface of the translucent insulating film 74a form a continuous flat surface, and the alignment film 16 is formed on the flat surface. Therefore, when the alignment film 16 is formed of a rubbed polyimide film or the like, the rubbing process can be performed appropriately. Further, the recess filling insulating film 78a can prevent a lateral electric field from being generated between the adjacent pixel electrodes 9a.
対向基板２０では、透光性基板２０ｄにおいて素子基板１０と対向する面全体にＩＴＯ
膜からなる共通電極２１が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が形成されてい
る。
In the counter substrate 20, the entire surface of the translucent substrate 20d facing the element substrate 10 is made of ITO.
A common electrode 21 made of a film is formed, and an alignment film 26 is formed on the surface of the common electrode 21.
このように構成した素子基板１０と対向基板２０は、画素電極９ａと共通電極２１とが
対面するように対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材１０７により囲まれ
た空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極
９ａからの電界が印加されていない状態で、素子基板１０および対向基板２０に形成され
た配向膜１６、２６により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、一種または数種のネテ
ィック液晶を混合したもの等からなる。
The element substrate 10 and the counter substrate 20 configured as described above are arranged to face each other so that the pixel electrode 9a and the common electrode 21 face each other, and the space between these substrates is surrounded by the sealing material 107. A liquid crystal layer 50 as an electro-optical material is enclosed. The liquid crystal layer 50 takes a predetermined alignment state by the alignment films 16 and 26 formed on the element substrate 10 and the counter substrate 20 in a state where an electric field from the pixel electrode 9a is not applied. The liquid crystal layer 50 is made of a mixture of one kind or several kinds of nematic liquid crystals.
かかる反射型の電気光学装置１００においては、走査線３ａによって選択された画素１
００ａでは、データ線６ａから供給された画像信号が電界効果型トランジスタ３０を介し
て書き込まれ、画素電極９ａと共通電極２１との間に発生した電場により液晶層５０の配
向が制御される。従って、対向基板２０の側から入射した光が画素電極９ａで反射して再
び、対向基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果
、画像が表示される。
In the reflection type electro-optical device 100, the pixel 1 selected by the scanning line 3a.
In 00a, the image signal supplied from the data line 6a is written through the field effect transistor 30, and the orientation of the liquid crystal layer 50 is controlled by the electric field generated between the pixel electrode 9a and the common electrode 21. Accordingly, light incident from the counter substrate 20 side is reflected by the pixel electrode 9a and is again light-modulated for each pixel by the liquid crystal layer 50 while being emitted from the counter substrate 20 side, so that an image is displayed. .
（透光性絶縁膜７４ａなどの詳細構成）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００において、画素電極９ａの上層に誘電体
多層膜からなる透光性絶縁膜を形成した場合と、かかる誘電体多層膜を形成しなかった場
合の画素電極９ａ表面での反射率を比較して示すグラフである。
(Detailed configuration of translucent insulating film 74a and the like)
FIG. 4 shows a case where a translucent insulating film made of a dielectric multilayer film is formed above the pixel electrode 9a in the electro-optical device 100 to which the present invention is applied, and a case where such a dielectric multilayer film is not formed. It is a graph which compares and shows the reflectance in the pixel electrode 9a surface.
図３（ｂ）を参照して説明した素子基板１０において、隣接する透光性絶縁膜７４ａの
間の間隙９ｓに充填された凹部充填用絶縁膜７８ａは酸化シリコン膜からなり、透光性絶
縁膜７４ａは、屈折率が相違する複数の誘電体層の多層膜からなる。より具体的には、透
光性絶縁膜７４ａは、酸化シリコン膜７５ａと窒化シリコン膜７６ａとの多層膜からなり
、最上層は窒化シリコン膜７６ａとなっている。かかる誘電体多層膜は、増反射膜として
機能する。このため、画素電極９ａでの反射率を高めることができ、電気光学装置１００
における表示光量を増大させることができる。
In the element substrate 10 described with reference to FIG. 3B, the recess-filling insulating film 78a filled in the gap 9s between the adjacent light-transmitting insulating films 74a is made of a silicon oxide film. The film 74a is composed of a multilayer film of a plurality of dielectric layers having different refractive indexes. More specifically, the translucent insulating film 74a is composed of a multilayer film of a silicon oxide film 75a and a silicon nitride film 76a, and the uppermost layer is a silicon nitride film 76a. Such a dielectric multilayer film functions as an increased reflection film. For this reason, the reflectance at the pixel electrode 9a can be increased, and the electro-optical device 100 can be improved.
The amount of display light can be increased.
誘電体多層膜からなる増反射膜は、低屈折率層と高屈折率層とが交互に１層ずつ、計２
層形成された構成や、低屈折率層と高屈折率層とを１組にして複数組（例えば、２組）が
積層された構成を有している。ここで、低屈折率層と高屈折率層とは、屈折率の相対的な
高低に定義されるものであり、その高低に絶対的な数値が存在するものではない。従って
、例えば、屈折率が１．７未満のものを低屈折率層とし、屈折率が１．７以上のものを高
屈折率層と定義すれば、低屈折率層および高屈折率層としては、以下の材料
低屈折率層
フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）／屈折率＝１．３８
二酸化シリコン（ＳｉＯ2）／屈折率＝１．４６
フッ化ランタン（ＬａＦ3）／屈折率＝１．５９
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）／屈折率＝１．６２
フッ化セリウム（ＣｅＦ3）／屈折率＝１．６３
高屈折率層
酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／屈折率＝２．００
窒化シリコン（ＳｉＮ）／屈折率＝２．０５
酸化チタン（ＴｉＯ2）／屈折率＝２．１０
酸化ジルコニウム（ＺｒＯＦ2）／屈折率＝２．１０
酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）／屈折率＝２．１０
酸化タングステン（ＷＯ3）／屈折率＝２．３５
硫化亜鉛（ＺｎＳ）／屈折率＝２．３５
酸化セリウム（ＣｅＯ2）／屈折率＝２．４２
を単一あるいは混合して用いることができる。本形態では、低屈折率層として酸化シリコ
ン膜７５ａが用いられ、高屈折率層として窒化シリコン膜７６ａが用いられている。
The increased reflection film made of a dielectric multilayer film has a total of 2 low-refractive index layers and high-refractive index layers alternately.
It has a configuration in which layers are formed, or a configuration in which a plurality of sets (for example, two sets) are laminated with one set of a low refractive index layer and a high refractive index layer. Here, the low-refractive index layer and the high-refractive index layer are defined as relative levels of refractive index, and there is no absolute value for the level. Therefore, for example, if a low refractive index layer is defined as a low refractive index layer having a refractive index of less than 1.7 and a high refractive index layer having a refractive index of 1.7 or more is defined as the low refractive index layer and the high refractive index layer, The following materials Low refractive index layer Magnesium fluoride (MgF 2 ) / refractive index = 1.38
Silicon dioxide (SiO 2 ) / refractive index = 1.46
Lanthanum fluoride (LaF 3 ) / refractive index = 1.59
Aluminum oxide (Al 2 O 3 ) / refractive index = 1.62
Cerium fluoride (CeF 3 ) / refractive index = 1.63
High refractive index layer of indium oxide (In 2 O 3) / refractive index = 2.00
Silicon nitride (SiN) / refractive index = 2.05
Titanium oxide (TiO 2 ) / refractive index = 2.10
Zirconium oxide (ZrOF 2 ) / refractive index = 2.10
Tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) / refractive index = 2.10
Tungsten oxide (WO 3 ) / refractive index = 2.35
Zinc sulfide (ZnS) / refractive index = 2.35
Cerium oxide (CeO 2 ) / refractive index = 2.42
Can be used singly or in combination. In this embodiment, a silicon oxide film 75a is used as the low refractive index layer, and a silicon nitride film 76a is used as the high refractive index layer.
かかる構成によれば、画素電極９ａの上に増反射膜からなる透光性絶縁膜７４ａが形成
されている。このため、図４に示すように、波長４７０ｎｍの光に対する画素電極９ａで
の反射率が、増反射膜からなる透光性絶縁膜７４ａを形成しない場合と比較して５％増大
している。また、波長５５０ｎｍの光に対する画素電極９ａでの反射率が、増反射膜から
なる透光性絶縁膜７４ａが形成しない場合と比較して２％増大している。従って、表示光
量が大であるので、明るい表示を行なうことができる。なお、波長６５０ｎｍの光に対す
る画素電極９ａでの反射率は、増反射膜からなる透光性絶縁膜７４ａを形成しない場合と
比較して１％低い。かかる結果は、波長４７０ｎｍおよび波長５５０ｎｍの光に対する反
射率を優先して酸化シリコン膜７５ａおよび窒化シリコン膜７６ａの厚さを設定したこと
に起因するものであり、酸化シリコン膜７５ａおよび窒化シリコン膜７６ａの厚さを変更
すれば、波長６５０ｎｍの光に関しても画素電極９ａでの反射率を高めることは可能であ
る。
According to such a configuration, the translucent insulating film 74a made of the reflective reflection film is formed on the pixel electrode 9a. For this reason, as shown in FIG. 4, the reflectance at the pixel electrode 9a with respect to light having a wavelength of 470 nm is increased by 5% as compared with the case where the light-transmitting insulating film 74a made of an increased reflection film is not formed. Further, the reflectance of the pixel electrode 9a with respect to light having a wavelength of 550 nm is increased by 2% as compared with the case where the light-transmitting insulating film 74a made of the increased reflection film is not formed. Accordingly, since the amount of display light is large, bright display can be performed. Note that the reflectance of the pixel electrode 9a with respect to light having a wavelength of 650 nm is 1% lower than that in the case where the light-transmitting insulating film 74a made of the increased reflection film is not formed. This result is attributed to the fact that the thicknesses of the silicon oxide film 75a and the silicon nitride film 76a are set with priority given to the reflectance with respect to light having a wavelength of 470 nm and a wavelength of 550 nm. If the thickness is changed, it is possible to increase the reflectance at the pixel electrode 9a even for light having a wavelength of 650 nm.
（電気光学装置１００の製造方法）
以下、図５〜図７を参照して、本発明を適用した電気光学装置１００の製造方法を説明
する。図５〜図７はいずれも、図３に示す電気光学装置１００の製造方法において、要部
となる工程の工程断面図である。
(Method of manufacturing electro-optical device 100)
A method for manufacturing the electro-optical device 100 to which the present invention is applied will be described below with reference to FIGS. 5 to 7 are process cross-sectional views of processes that are essential parts in the method of manufacturing the electro-optical device 100 shown in FIG.
本形態の電気光学装置１００の製造工程において、素子基板としての素子基板１０を形
成するには、図５（ａ）に示すように、透光性基板１０ｄ上に電界効果型トランジスタ３
０などを形成した後、ＣＶＤ法などにより、酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜から
なる層間絶縁膜７１を形成し、次に、層間絶縁膜７１にコンタクトホール７１ａ、７１ｂ
を形成する。次に、スパッタ法などにより、導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技
術やエッチング技術を用いて導電膜をパターニングし、データ線６ａおよびドレイン電極
６ｂを形成する。次に、ＣＶＤ法などを利用して、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂ
を覆うように、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜７２を形成した後、
フォトリソグラフィ技術やエッチング技術により、層間絶縁膜７２にコンタクトホール７
２ｂを形成する。
In the manufacturing process of the electro-optical device 100 of this embodiment, in order to form the element substrate 10 as the element substrate, as shown in FIG. 5A, the field effect transistor 3 is formed on the translucent substrate 10d.
After forming 0 or the like, an interlayer insulating film 71 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed by CVD or the like, and then contact holes 71a and 71b are formed in the interlayer insulating film 71.
Form. Next, after forming a conductive film by sputtering or the like, the conductive film is patterned using a photolithography technique or an etching technique to form the data line 6a and the drain electrode 6b. Next, the data line 6a and the drain electrode 6b are utilized by using a CVD method or the like.
After forming an interlayer insulating film 72 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film so as to cover
Contact hole 7 is formed in interlayer insulating film 72 by photolithography or etching.
2b is formed.
次に、コンタクトホール７２ｂが埋まる程度の膜厚で、モリブデンやタングステンなど
のプラグ用導電膜を形成した後、層間絶縁膜７２が露出するまでプラグ用導電膜を研磨す
る。その結果、図５（ｂ）に示すように、コンタクトホール７２ｂはプラグ８ａで埋まっ
た状態となる。かかる研磨としては、化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing）
を用いる。化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と透光性基板
１０ｄとの相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には
、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（
パッド）を貼り付けた定盤と、透光性基板１０ｄとを保持するホルダとを相対回転させな
がら、研磨を行なう。その際、例えば、ヒュームドシリカを分散媒中に分散させたヒュー
ムドシリカ系スラリーや、酸化セリウム粒子を分散媒中に分散させたセリア系スラリーを
研磨布と透光性基板１０ｄとの間に供給する。
Next, after forming a plug conductive film such as molybdenum or tungsten with a thickness sufficient to fill the contact hole 72b, the plug conductive film is polished until the interlayer insulating film 72 is exposed. As a result, as shown in FIG. 5B, the contact hole 72b is filled with the plug 8a. Such polishing includes chemical mechanical polishing.
Is used. In chemical mechanical polishing, a smooth polished surface can be obtained at high speed by the action of chemical components contained in the polishing liquid and the relative movement of the abrasive and the light-transmitting substrate 10d. More specifically, in a polishing apparatus, a polishing cloth (nonwoven fabric, polyurethane foam, porous fluororesin, etc.) (
Polishing is performed while relatively rotating the surface plate with the pad) and the holder holding the translucent substrate 10d. At that time, for example, a fumed silica-based slurry in which fumed silica is dispersed in a dispersion medium, or a ceria-based slurry in which cerium oxide particles are dispersed in a dispersion medium is interposed between the polishing cloth and the translucent substrate 10d. Supply.
次に、図５（ｃ）に示す反射性金属膜形成工程において、スパッタ法などを利用して、
層間絶縁膜７２の上面に、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系
金属材料や、銀や銀合金などといった銀系金属材料からなる反射性導電膜９を形成する。
本形態では、反射性導電膜９をアルミニウム系金属材料により形成する。
Next, in the reflective metal film forming step shown in FIG.
A reflective conductive film 9 made of an aluminum-based metal material such as aluminum or an aluminum alloy or a silver-based metal material such as silver or a silver alloy is formed on the upper surface of the interlayer insulating film 72.
In this embodiment, the reflective conductive film 9 is formed of an aluminum-based metal material.
次に、図５（ｄ）、（ｅ）に示す透光性絶縁膜形成工程において、反射性導電膜９の上
に透光性絶縁膜７４を形成する。本形態では、透光性絶縁膜形成工程において、まず、図
５（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法などにより、反射性導電膜９の上に酸化シリコン膜７５
を形成した後、図５（ｅ）に示すように、ＣＶＤ法などにより、酸化シリコン膜７５の上
に窒化シリコン膜７６を形成する。
Next, in the translucent insulating film forming step shown in FIGS. 5D and 5E, the translucent insulating film 74 is formed on the reflective conductive film 9. In this embodiment, in the translucent insulating film forming step, first, as shown in FIG. 5D, the silicon oxide film 75 is formed on the reflective conductive film 9 by CVD or the like.
Then, as shown in FIG. 5E, a silicon nitride film 76 is formed on the silicon oxide film 75 by a CVD method or the like.
次に、図６（ａ）に示すレジストマスク形成工程では、透光性絶縁膜７４上に感光性樹
脂を塗布した後、露光、現像し、レジストマスク９１を形成する。ここで、レジストマス
ク９１は、図３（ｂ）を参照して説明した画素電極９ａに対向するマスクパターンを有し
ている。かかるレジストマスク形成工程において、形成したレジストマスク９１に不具合
があった場合、剥離液でレジストマスク９１を除去し、再度、透光性絶縁膜７４上に感光
性樹脂を塗布した後、露光、現像し、レジストマスク９１を形成し直す。かかる工程を行
なっても、反射性金属膜９は、レジストに対するアルカリ性の現像液や、アルカル性の剥
離液に接することがないので、反射性金属膜９が現像液や剥離液によって侵食されること
はない。従って形成し直したレジストマスク９１によって、以下に説明するパターニング
工程を行なうことができる。
Next, in a resist mask forming step shown in FIG. 6A, a photosensitive resin is applied on the light-transmitting insulating film 74, and then exposed and developed to form a resist mask 91. Here, the resist mask 91 has a mask pattern facing the pixel electrode 9a described with reference to FIG. In the resist mask forming process, if there is a defect in the formed resist mask 91, the resist mask 91 is removed with a stripping solution, and a photosensitive resin is applied again on the light-transmitting insulating film 74, and then exposure and development are performed. Then, the resist mask 91 is formed again. Even if this process is performed, the reflective metal film 9 does not come into contact with the alkaline developer or the alkaline release solution for the resist, and therefore the reflective metal film 9 is eroded by the developer or the release solution. There is no. Therefore, the patterning process described below can be performed by the re-formed resist mask 91.
図６（ｂ）〜（ｄ）に示すパターニング工程においては、レジストマスク９１を用いて
、透光性絶縁膜７４および反射性金属膜９を画素電極９ａと同一パターンにパターニング
する。かかるパターニング工程では、まず、フッ素系のエッチングガスを用いたドライエ
ッチングによって、図６（ｂ）に示すように、透光性絶縁膜７４（酸化シリコン膜７５お
よび窒化シリコン膜７６）をエッチングし、画素電極９ａと同一パターンの透光性絶縁膜
７４ａ（酸化シリコン膜７５ａおよび窒化シリコン膜７６ａ）をパターニング形成する。
次に、塩素系のエッチングガスを用いたドライエッチングによって、図６（ｃ）に示すよ
うに、反射性金属膜９をエッチングし、画素電極９ａをパターニング形成する。しかる後
に、剥離液を用いて、レジストマスク９１を除去すると、図６（ｄ）に示すように、島状
の画素電極９ａの上に、画素電極９ａと同一パターンの透光性絶縁膜７４ａ（酸化シリコ
ン膜７５ａおよび窒化シリコン膜７６ａ）が重なるように積層された構造となる。そして
、互いに隣接する透光性絶縁膜７４ａの間には、画素電極９ａの厚さ寸法と透光性絶縁膜
７４ａの厚さ寸法の和に相当する深さ寸法の凹部（間隙９ｓ）が形成されている。
In the patterning steps shown in FIGS. 6B to 6D, the translucent insulating film 74 and the reflective metal film 9 are patterned in the same pattern as the pixel electrode 9a using the resist mask 91. In the patterning step, first, as shown in FIG. 6B, the light-transmitting insulating film 74 (the silicon oxide film 75 and the silicon nitride film 76) is etched by dry etching using a fluorine-based etching gas. A light-transmissive insulating film 74a (silicon oxide film 75a and silicon nitride film 76a) having the same pattern as the pixel electrode 9a is formed by patterning.
Next, as shown in FIG. 6C, the reflective metal film 9 is etched by dry etching using a chlorine-based etching gas, and the pixel electrode 9a is formed by patterning. Thereafter, when the resist mask 91 is removed using a stripping solution, as shown in FIG. 6D, a light-transmitting insulating film 74a (with the same pattern as the pixel electrode 9a) is formed on the island-shaped pixel electrode 9a. The silicon oxide film 75a and the silicon nitride film 76a) are stacked so as to overlap each other. A recess (gap 9s) having a depth corresponding to the sum of the thickness of the pixel electrode 9a and the thickness of the light-transmitting insulating film 74a is formed between the light-transmitting insulating films 74a adjacent to each other. Has been.
次に、図７（ａ）に示す凹部充填用絶縁膜形成工程では、透光性絶縁膜７４ａを覆い、
かつ、隣接する透光性絶縁膜７４ａの間の間隙９ｓを埋める凹部充填用絶縁膜７８を形成
する。かかる凹部充填用絶縁膜７８としては、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜
や、ＳＯＧ（Spin On Glass）法により形成された酸化シリコン膜を用いることができる
。
Next, in the recess filling insulating film forming step shown in FIG. 7A, the translucent insulating film 74a is covered,
Further, a recess filling insulating film 78 is formed to fill the gap 9s between the adjacent translucent insulating films 74a. As the recess filling insulating film 78, a silicon oxide film formed by a CVD method or a silicon oxide film formed by an SOG (Spin On Glass) method can be used.
次に、図７（ｂ）に示す絶縁膜研磨工程では、透光性絶縁膜７４ａの表面が露出するま
で凹部充填用絶縁膜７８を研磨する。その結果、隣接する透光性絶縁膜７４ａの間に形成
された間隙９ｓは、凹部充填用絶縁膜７８ａで埋まる。また、凹部充填用絶縁膜７８ａの
表面と透光性絶縁膜７４ａの表面とは連続した平坦面を形成する。かかる研磨には化学機
械研磨を行なう。
Next, in the insulating film polishing step shown in FIG. 7B, the recess filling insulating film 78 is polished until the surface of the translucent insulating film 74a is exposed. As a result, the gap 9s formed between the adjacent translucent insulating films 74a is filled with the recess filling insulating film 78a. The surface of the recess filling insulating film 78a and the surface of the translucent insulating film 74a form a continuous flat surface. For this polishing, chemical mechanical polishing is performed.
ここで、透光性絶縁膜７４ａの上層は窒化シリコン膜７６ａであり、凹部充填用絶縁膜
７８ａは酸化シリコン膜である。このため、窒化シリコン膜７６ａと凹部充填用絶縁膜７
８ａとの間には、研磨における選択比が大きい。例えば、ヒュームドシリカ系のスラリー
によれば、窒化シリコン膜７６ａと凹部充填用絶縁膜７８ａとの選択比は１：２．５程度
であり、セリア系スラリーを用いれば、選択比をさらに大きくすることができる。それ故
、絶縁膜研磨工程では、窒化シリコン膜７６ａをストッパとして利用することができ、画
素電極９ａの表面には、適正な膜厚の酸化シリコン膜７５ａおよび窒化シリコン膜７６ａ
を備えた透光性絶縁膜７４ａを確実に形成することができる。
Here, the upper layer of the translucent insulating film 74a is a silicon nitride film 76a, and the recess filling insulating film 78a is a silicon oxide film. Therefore, the silicon nitride film 76a and the recess filling insulating film 7
Between 8a, the selectivity in polishing is large. For example, according to the fumed silica-based slurry, the selection ratio between the silicon nitride film 76a and the recess filling insulating film 78a is about 1: 2.5, and when the ceria-based slurry is used, the selection ratio is further increased. be able to. Therefore, in the insulating film polishing step, the silicon nitride film 76a can be used as a stopper, and the silicon oxide film 75a and the silicon nitride film 76a having appropriate thicknesses are formed on the surface of the pixel electrode 9a.
The translucent insulating film 74a provided with can be reliably formed.
しかる後には、図３（ｂ）に示すように、画素電極９ａの形成領域を含む素子基板１０
の全面あるいは略全面に配向膜１６を形成する。
After that, as shown in FIG. 3B, the element substrate 10 including the formation region of the pixel electrode 9a.
An alignment film 16 is formed on the entire surface or substantially the entire surface.
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、画素電極９ａ（反射性金属パターン）をパターニン
グ形成するにあたって、反射性金属膜９および透光性絶縁膜７４を順次形成した後、透光
性絶縁膜７４の上にレジストマスク９１を形成し、透光性絶縁膜７４および反射性金属膜
９をエッチングする。このため、レジストマスク９１を形成する際の感光性樹脂の塗布、
露光、現像はいずれも、透光性絶縁膜７４の表面で行なわれるので、現像液などによって
、反射性金属膜９が侵食されることがない。従って、形成したレジストマスク９１に不具
合があった場合、反射性金属膜９が侵食されていないので、レジストマスク９１を形成し
直した後、透光性絶縁膜７４および反射性金属膜９をエッチングすればよい。それ故、電
気光学装置１００の歩留まり低下を防止することができる。
(Main effects of this form)
As described above, in this embodiment, in patterning the pixel electrode 9a (reflective metal pattern), the reflective metal film 9 and the translucent insulating film 74 are sequentially formed, and then the translucent insulating film 74 is formed. A resist mask 91 is formed thereon, and the light-transmitting insulating film 74 and the reflective metal film 9 are etched. For this reason, application of photosensitive resin when forming the resist mask 91,
Since both exposure and development are performed on the surface of the translucent insulating film 74, the reflective metal film 9 is not eroded by the developer or the like. Accordingly, when the formed resist mask 91 is defective, the reflective metal film 9 is not eroded. Therefore, after the resist mask 91 is re-formed, the light-transmitting insulating film 74 and the reflective metal film 9 are etched. do it. Therefore, it is possible to prevent the yield of the electro-optical device 100 from decreasing.
また、画素電極９ａの上層に透光性絶縁膜７４ａが残っている場合でも、透光性絶縁膜
７４ａは、透光性を備えているため、画素電極９ａの表面での反射光を利用するのに支障
がない。逆に、透光性絶縁膜７４ａは、画素電極９ａの保護膜や、凹部充填用絶縁膜７８
を平坦化するための研磨工程においてストッパとして利用することができる。
Even when the light-transmitting insulating film 74a remains in the upper layer of the pixel electrode 9a, the light-transmitting insulating film 74a has a light-transmitting property, and therefore uses reflected light from the surface of the pixel electrode 9a. There is no hindrance. On the contrary, the translucent insulating film 74a is a protective film for the pixel electrode 9a or a recess filling insulating film 78.
Can be used as a stopper in a polishing step for flattening.
特に本形態では、透光性絶縁膜７４ａは、屈折率が相違する複数の誘電体層の多層膜（
酸化シリコン膜７５ａと窒化シリコン膜７６ａとの多層膜）としたため、画素電極９ａ表
面による反射率を高めることができる。そのため、反射性金属パターンの上層に設けた透
光性絶縁膜を除去しないほうが好ましい。
In particular, in this embodiment, the light-transmitting insulating film 74a includes a multilayer film (a plurality of dielectric layers having different refractive indexes)
Since the multi-layer film of the silicon oxide film 75a and the silicon nitride film 76a is used, the reflectance by the surface of the pixel electrode 9a can be increased. Therefore, it is preferable not to remove the translucent insulating film provided on the upper layer of the reflective metal pattern.
特に本形態では、画素電極９ａおよび反射性金属膜９がアルミニウム系金属材料からな
るため、レジストマスク９１を形成する際のアルカリ系の現像液や、レジストマスク９１
を除去する際のアルカリ系の剥離液によって反射性金属膜９が侵食されやすいが、本発明
を適用すれば、アルミニウム系金属材料の侵食を確実に防止することができる。
In particular, in this embodiment, since the pixel electrode 9a and the reflective metal film 9 are made of an aluminum-based metal material, an alkaline developer or the resist mask 91 when forming the resist mask 91 is used.
The reflective metal film 9 is likely to be eroded by the alkaline stripping solution when removing the metal, but if the present invention is applied, the erosion of the aluminum-based metal material can be reliably prevented.
(他の実施の形態)
上記実施の形態では、透光性絶縁膜７４、７４ａを酸化シリコン膜７５、７５ａと、窒
化シリコン膜７６、７６ａの多層膜としたが、透光性絶縁膜７４、７４ａを窒化シリコン
膜７６、７６ａのみで構成してもよい。
(Other embodiments)
In the above-described embodiment, the light-transmitting insulating films 74 and 74a are multilayer films of the silicon oxide films 75 and 75a and the silicon nitride films 76 and 76a, but the light-transmitting insulating films 74 and 74a are the silicon nitride film 76, You may comprise only 76a.
上記実施の形態では、電気的固体装置として、反射型の液晶装置の素子基板を例示した
が、有機エレクトロルミネッセンス装置の素子基板や、半導体装置やセンサ装置などとい
った電気的固体装置に本発明を適用してもよい。
In the above embodiment, the element substrate of the reflective liquid crystal device is exemplified as the electric solid device, but the present invention is applied to an electric solid device such as an element substrate of an organic electroluminescence device, a semiconductor device, or a sensor device. May be.
(電子機器への搭載例)
本発明に係る反射型の電気光学装置１００は、図８（ａ）に示す投射型表示装置（液晶
プロジェクタ／電子機器）や、図８（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることが
できる。
(Example of mounting on electronic equipment)
The reflective electro-optical device 100 according to the present invention is used in a projection display device (liquid crystal projector / electronic device) shown in FIG. 8A and a portable electronic device shown in FIGS. 8B and 8C. be able to.
図８（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って光源部８１０、
インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００
を有している。また、投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装
置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビー
ムスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射
された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光
が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイック
ミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚
の電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（電気光学装置１００）を備えている。か
かる投射型表示装置１０００は、３つの電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて
変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４
０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０に投射する
。
A projection display device 1000 shown in FIG. 8A includes a light source unit 810 along the system optical axis L,
Polarized illumination apparatus 800 in which integrator lens 820 and polarization conversion element 830 are arranged
have. In addition, the projection display apparatus 1000 includes a polarizing beam splitter 840 that reflects the S-polarized light beam emitted from the polarization illumination device 800 along the system optical axis L by the S-polarized light beam reflecting surface 841, and the S of the polarizing beam splitter 840. Of the light reflected from the polarized light beam reflecting surface 841, the dichroic mirror 842 that separates the blue light (B) component and the red light (R) component of the light flux after the blue light is separated are reflected. And a dichroic mirror 843 for separation. Further, the projection display apparatus 1000 includes three electro-optical devices 100R, 100G, and 100B (electro-optical devices 100) on which each color light is incident. The projection display apparatus 1000 includes dichroic mirrors 842 and 843 and a polarization beam splitter 84 that are light modulated by the three electro-optical devices 100R, 100G, and 100B.
After combining at 0, the combined light is projected onto the screen 860 by the projection optical system 850.
次に、図８（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロー
ルボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００〈直視型表示装置〉
を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表
示される画面がスクロールされる。図８（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal D
igital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表
示ユニットとしての電気光学装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作する
と、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。
Next, the cellular phone 3000 shown in FIG. 8B includes a plurality of operation buttons 3001, scroll buttons 3002, and an electro-optical device 100 as a display unit <direct-view display device>.
Is provided. By operating the scroll button 3002, the screen displayed on the electro-optical device 100 is scrolled. Information portable terminal (PDA: Personal D) shown in FIG.
igital assistants) includes a plurality of operation buttons 4001, a power switch 4002, and the electro-optical device 100 as a display unit. When the power switch 4002 is operated, various kinds of information such as an address book and a schedule book are displayed. Is displayed.
また、本発明を適用した電気光学装置１００が搭載される電子機器としては、図８（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）に示すものの他、ヘッドマウンティトディスプレイ、デジタルスチル
カメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話、ＰＯＳ端末、銀行端末などの電子機器などが挙げられる。
Further, as an electronic apparatus in which the electro-optical device 100 to which the present invention is applied is mounted, FIG.
), (B), (c), head mounted display, digital still camera, LCD TV, viewfinder type, monitor direct-view type video tape recorder, car navigation device, pager, electronic notebook, calculator, word processor , Electronic devices such as workstations, videophones, POS terminals and bank terminals.
さらに、電気光学装置１００を透過型に構成した場合も、透過型の投射型表示装置のラ
イトバルブや、直視型の表示装置に本発明を適用した電気光学装置１００を用いることが
できる。
Further, even when the electro-optical device 100 is configured as a transmission type, the electro-optical device 100 in which the present invention is applied to a light valve of a transmission type projection display device or a direct-view type display device can be used.
９・・反射性金属膜、９ａ・・画素電極（反射性金属パターン）、９ｓ・・隣接する透光
性絶縁膜の間の間隙（凹部）、１０・・素子基板、２０・・対向基板、２１・・共通電極
、３０・・電界効果型トランジスタ（画素トランジスタ）、５０・・液晶層、７４、７４
ａ・・透光性絶縁膜、７５、７５ａ・・酸化シリコン膜、７６、７６ａ・・窒化シリコン
膜、７８、７８ａ・・凹部充填用絶縁膜、９１・・レジストマスク、１００・・電気光学
装置、１００ａ・・画素
9 .. Reflective metal film, 9 a... Pixel electrode (reflective metal pattern), 9 s... Gap (recess) between adjacent translucent insulating films, 10.. Element substrate, 20. 21 .. Common electrode, 30 .. Field effect transistor (pixel transistor), 50 .. Liquid crystal layer, 74, 74
a, translucent insulating film, 75, 75a, silicon oxide film, 76, 76a, silicon nitride film, 78, 78a, recess filling insulating film, 91, resist mask, 100, electro-optical device 100a pixel
Claims (10)
該反射性金属パターンの上に、当該反射性金属パターンと同一形状をもって重なるよう
に積層された透光性絶縁膜と、
互いに隣接する前記透光性絶縁膜の間の凹部を埋めて前記透光性絶縁膜の表面と連続す
る平坦面を構成する凹部充填用絶縁膜と、
を有することを特徴とする電気的固体装置。 A plurality of reflective metal patterns formed on the substrate;
A translucent insulating film laminated on the reflective metal pattern so as to overlap with the reflective metal pattern; and
A recess-filling insulating film that fills a recess between the light-transmitting insulating films adjacent to each other and forms a flat surface that is continuous with the surface of the light-transmitting insulating film;
An electrical solid state device characterized by comprising:
１に記載の電気的固体装置。 The electrical solid state device according to claim 1, wherein the reflective metal pattern is made of an aluminum-based metal material.
する請求項１または２に記載の電気的固体装置。 3. The electrical solid state device according to claim 1, wherein the translucent insulating film is formed of a multilayer film of a plurality of dielectric layers having different refractive indexes.
前記多層膜の最上層は前記窒化シリコン膜であり、
前記凹部充填用絶縁膜は酸化シリコン膜からなることを特徴とする請求項３に記載の電
気的固体装置。 The translucent insulating film is composed of a multilayer film of a silicon oxide film and a silicon nitride film,
The uppermost layer of the multilayer film is the silicon nitride film,
4. The electrical solid state device according to claim 3, wherein the recess filling insulating film is made of a silicon oxide film.
前記電気的固体装置は、前記基板上に前記反射性金属パターンとして、反射性の画素電
極を有する電気光学装置用の素子基板であることを特徴とする電気光学装置。 An electro-optical device comprising the electrical solid device according to any one of claims 1 to 4,
The electro-optical device is an element substrate for an electro-optical device having a reflective pixel electrode as the reflective metal pattern on the substrate.
成工程と、
前記反射性金属膜の上に透光性絶縁膜を形成する透光性絶縁膜形成工程と、
前記透光性絶縁膜の上に、前記反射性金属パターンに対応するレジストマスクを形成す
るレジストマスク形成工程と、
前記レジストマスクを形成した状態で前記透光性絶縁膜および前記反射性金属膜をエッ
チングするパターニング工程と、
前記レジストマスクを除去した後、前記透光性絶縁膜を覆い、かつ、前記透光性絶縁膜
の間に形成された凹部を埋める凹部充填用絶縁膜を形成する凹部充填用絶縁膜形成工程と
、
前記透光性絶縁膜の表面が露出するまで前記凹部充填用絶縁膜を研磨する絶縁膜研磨工
程と、
を有することを特徴とする電気的固体装置の製造方法。 A reflective metal film forming step of forming a reflective metal film for forming a reflective metal pattern on the substrate;
A translucent insulating film forming step of forming a translucent insulating film on the reflective metal film;
A resist mask forming step of forming a resist mask corresponding to the reflective metal pattern on the translucent insulating film;
A patterning step of etching the translucent insulating film and the reflective metal film in a state where the resist mask is formed;
A recess-filling insulating film forming step of forming a recess-filling insulating film that covers the light-transmitting insulating film and fills the recess formed between the light-transmitting insulating films after removing the resist mask; ,
An insulating film polishing step of polishing the recess filling insulating film until the surface of the translucent insulating film is exposed;
A method for manufacturing an electrical solid state device.
６に記載の電気的固体装置の製造方法。 The method of manufacturing an electrical solid state device according to claim 6, wherein the reflective metal pattern is made of an aluminum-based metal material.
する請求項６または７に記載の電気的固体装置の製造方法。 8. The method for manufacturing an electrical solid state device according to claim 6, wherein the translucent insulating film is formed of a multilayer film of a plurality of dielectric layers having different refractive indexes.
前記多層膜の最上層は前記窒化シリコン膜であり、
前記凹部充填用絶縁膜は酸化シリコン膜からなることを特徴とする請求項８に記載の電
気的固体装置の製造方法。 The translucent insulating film is composed of a multilayer film of a silicon oxide film and a silicon nitride film,
The uppermost layer of the multilayer film is the silicon nitride film,
9. The method of manufacturing an electrical solid device according to claim 8, wherein the recess filling insulating film is made of a silicon oxide film.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120306 |