JP2010134317A - Liquid crystal device and electronic apparatus - Google Patents

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Hidekazu Kato
秀和 加藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal device capable of increasing display light quantity by utilizing a relay electrode located on the lower layer side of pixel electrodes, and to provide an electronic apparatus with the liquid crystal device. <P>SOLUTION: In a reflection type liquid crystal device 100, adjacent reflective pixel electrodes 9a are electrically connected to a field-effect transistor 30 through a drain electrode 6b, and gaps 9s, 9t exist between the adjacent pixel electrodes 9a. The drain electrode 6b is formed as a reflective relay electrode and protruded from the ends of the pixel electrodes 9a to the gaps 9s, 9t. Thereby, light directed to the gaps 9s, 9t of the adjacent pixel electrodes 9a is optically modulated by the liquid crystal layer 50 during a period of being reflected by the drain electrode 6b and being protruded again from the second substrate 20 side and contributes to display. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、反射型の液晶装置および当該液晶装置を備えた電子機器に関するものである。   The present invention relates to a reflective liquid crystal device and an electronic apparatus including the liquid crystal device.

液晶装置は、投射型表示装置のライトバルブや携帯電話等の表示装置として広く採用されている。かかる液晶装置のうち、反射型の液晶装置は、画素電極をアルミニウム合金などといった反射性金属からなる反射性の画素電極とすることにより実現される。   Liquid crystal devices are widely adopted as display devices for light valves of projection display devices, mobile phones, and the like. Among such liquid crystal devices, a reflective liquid crystal device is realized by using a reflective pixel electrode made of a reflective metal such as an aluminum alloy as the pixel electrode.

このような反射型の液晶装置では、画素電極で反射した光により画像を表するため、隣接する画素電極により挟まれた隙間は表示に寄与せず、その分、表示光量が減少することになる。従って、隣接する画素電極間の隙間を狭くすればよいが、かかる狭い隙間を実現するには、高価な設備で画素電極をパターニング形成する必要があるため、設備コストが増大する。また、かかる高価な設備を用いても、画素電極同士が短絡する可能性が残る。   In such a reflective liquid crystal device, an image is represented by the light reflected by the pixel electrode. Therefore, the gap between adjacent pixel electrodes does not contribute to display, and the amount of display light is reduced accordingly. . Accordingly, the gap between adjacent pixel electrodes may be narrowed. However, in order to realize such a narrow gap, it is necessary to pattern and form the pixel electrodes with expensive equipment, and the equipment cost increases. Further, even if such expensive equipment is used, there is a possibility that the pixel electrodes are short-circuited.

そこで、画素電極の上層側に、透光性の絶縁膜、および画素電極と同一形状の金属反射膜を形成するとともに、金属反射膜を画素電極からずれた位置に形成した構造が提案されている。かかる構造によれば、金属反射膜も画素電極として機能するため、画素電極の隙間に入射しようとする光を表示に寄与させることができる（特許文献１参照）。
特開２００６−３５０１４９号公報（段落００２３および図２など） Therefore, a structure has been proposed in which a translucent insulating film and a metal reflective film having the same shape as the pixel electrode are formed on the upper layer side of the pixel electrode, and the metal reflective film is formed at a position shifted from the pixel electrode. . According to such a structure, since the metal reflection film also functions as a pixel electrode, light that is about to enter the gap between the pixel electrodes can contribute to display (see Patent Document 1).
JP 2006-350149 A (paragraph 0023 and FIG. 2 etc.)

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、２つの画素電極を、絶縁膜を介して重ねて形成した構造であるため、製造工程数が大幅に増大するという問題点がある。また、画素電極と同一形状の金属反射膜を画素電極からずれた位置に形成した構造では、製造工程を追加したわりには、隣接する画素電極間に広い隙間が残るため、表示光量を十分に増大させることができないという問題点もある。   However, the technique described in Patent Document 1 has a problem in that the number of manufacturing steps is significantly increased because the two pixel electrodes are formed by overlapping with an insulating film interposed therebetween. In addition, in the structure in which the metal reflective film with the same shape as the pixel electrode is formed at a position shifted from the pixel electrode, a large gap remains between adjacent pixel electrodes even if a manufacturing process is added. There is also a problem that it can not be made.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、画素電極の下層側に位置する中継電極を利用して、表示光量の増大を図ることのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a liquid crystal device capable of increasing the amount of display light using a relay electrode located on the lower layer side of the pixel electrode, and an electronic apparatus including the liquid crystal device Is to provide.

上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置では、基板上にデータ線および走査線に接続された画素トランジスタと、該画素トランジスタに電気的接続された反射性中継電極と、該反射性中継電極を覆う透光性絶縁膜と、該透光性絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記反射性中継電極に電気的接続された反射性の画素電極と、を備えた画素を複数、有し、前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する前記画素電極と、当該画素に隣接する画素に属する画素電極とに挟まれた隙間に対して平面的に重なっていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, in a liquid crystal device according to the present invention, a pixel transistor connected to a data line and a scanning line on a substrate, a reflective relay electrode electrically connected to the pixel transistor, and the reflective A plurality of pixels each including a light-transmitting insulating film covering the relay electrode and a reflective pixel electrode electrically connected to the reflective relay electrode through a contact hole formed in the light-transmitting insulating film In the pixel, the reflective relay electrode is planarly overlapped with a gap sandwiched between the pixel electrode belonging to the pixel and a pixel electrode belonging to a pixel adjacent to the pixel. It is characterized by.

本発明では、画素電極の下層側に形成した反射性中継電極が、隣接する画素電極間の隙間と平面的に重なっており、かかる反射性中継電極は、同一の画素に属する画素電極と同電位である。このため、反射性中継電極において、隣接する画素電極間の隙間に位置する部分も画素電極と同様、液晶の配向制御に寄与する。また、隣接する画素電極間の隙間に入射した光は、反射性中継電極によって反射され、表示に寄与する。従って、表示光量を増大することができるので、明るい表示を行なうことができる。   In the present invention, the reflective relay electrode formed on the lower layer side of the pixel electrode overlaps the gap between adjacent pixel electrodes in a plane, and the reflective relay electrode has the same potential as the pixel electrode belonging to the same pixel. It is. For this reason, in the reflective relay electrode, the portion located in the gap between the adjacent pixel electrodes also contributes to the liquid crystal orientation control, like the pixel electrodes. In addition, light incident on a gap between adjacent pixel electrodes is reflected by the reflective relay electrode and contributes to display. Accordingly, the amount of display light can be increased, and bright display can be performed.

本発明において、前記透光性絶縁膜は、屈折率が相違する複数の誘電体層が積層されてなることが好ましい。かかる構成を採用すると、反射性中継電極による反射率が高いので、表示光量を大幅に増大することができる。   In the present invention, the translucent insulating film is preferably formed by laminating a plurality of dielectric layers having different refractive indexes. When such a configuration is adopted, the reflectance by the reflective relay electrode is high, so that the amount of display light can be greatly increased.

本発明において、前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極の端部と平面的に重なる位置から、隣接する画素電極の端部と平面的に重なる位置まで張り出していることが好ましい。このように構成すると、隣接する画素電極間の隙間に入射した光の略全体を表示光として利用することができるので、表示光量を大幅に増大することができる。   In the present invention, in the pixel, the reflective relay electrode protrudes from a position overlapping the end of the pixel electrode belonging to the pixel in a plane to a position overlapping the end of the adjacent pixel electrode. Is preferred. If comprised in this way, since the whole light which injected into the clearance gap between adjacent pixel electrodes can be utilized as display light, a display light quantity can be increased significantly.

本発明において、前記画素電極は、矩形あるいは略矩形の平面形状を備え、前記反射性中継電極は、前記反射性画素電極の少なくとも一辺の全体あるいは略全体から張り出していることが好ましい。このように構成すると、隣接する画素電極間の隙間に入射した光の略全体を表示光として利用することができるので、表示光量を大幅に増大することができる。   In the present invention, it is preferable that the pixel electrode has a rectangular or substantially rectangular planar shape, and the reflective relay electrode protrudes from the whole or substantially the whole of at least one side of the reflective pixel electrode. If comprised in this way, since the whole light which injected into the clearance gap between adjacent pixel electrodes can be utilized as display light, a display light quantity can be increased significantly.

本発明では、前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極の端部から前記データ線の延在方向の一方側、および前記走査線の延在方向の一方側の双方に向けて張り出していることが好ましい。このように構成すると、隣接する画素電極間の隙間に入射した光の略全体を表示光として利用することができるので、表示光量を大幅に増大することができる。   In the present invention, in the pixel, the reflective relay electrode is provided on both one side in the extending direction of the data line and one side in the extending direction of the scanning line from the end of the pixel electrode belonging to the pixel. It is preferable that it projects over. If comprised in this way, since the whole light which injected into the clearance gap between adjacent pixel electrodes can be utilized as display light, a display light quantity can be increased significantly.

本発明では、前記画素において、前記反射性中継電極は、前記データ線の延在方向の一方側で隣接する画素電極の端部、および前記走査線の延在方向の一方側で隣接する画素電極の端部の双方と平面的に重なっていることが好ましい。   In the present invention, in the pixel, the reflective relay electrode includes an end portion of the pixel electrode adjacent on one side in the extending direction of the data line and a pixel electrode adjacent on one side in the extending direction of the scanning line. It is preferable that it overlaps with both of the end portions in a plan view.

本発明において、前記反射性中継電極は、前記データ線と同一の絶縁層上に形成されている構成を採用することができる。かかる構成によれば、最も少ない層数で、明るい表示が可能な液晶装置を実現することができる。   In the present invention, the reflective relay electrode may be formed on the same insulating layer as the data line. According to such a configuration, a liquid crystal device capable of bright display with the smallest number of layers can be realized.

本発明において、前記反射性中継電極は、前記データ線と異なる絶縁層上に形成されている構成を採用してもよい。この場合、前記画素において、前記反射性中継電極は、前記隙間と平面的に重なる領域において、当該画素に属する画素トランジスタに電気的接続するデータ線の端部と平面的に重なっていることが好ましい。   In the present invention, the reflective relay electrode may be formed on an insulating layer different from the data line. In this case, in the pixel, it is preferable that the reflective relay electrode is planarly overlapped with an end portion of the data line electrically connected to the pixel transistor belonging to the pixel in a region planarly overlapping the gap. .

本発明において、前記データ線は、前記画素電極に対して前記走査線の延在方向の中央から偏った位置に平面的に重なるように延在していることが好ましい。このように構成すると、データ線が画素電極の中央に平面的に重なる場合と比較して、反射性中継電極を長く延在させなくても、隣接する画素電極間の隙間に反射性中継電極が平面的に重なった構造を実現することができる。   In the present invention, it is preferable that the data line extends so as to overlap in a plane with respect to the pixel electrode at a position deviated from the center in the extending direction of the scanning line. With this configuration, the reflective relay electrode can be formed in the gap between the adjacent pixel electrodes without extending the reflective relay electrode longer than in the case where the data line is planarly overlapped with the center of the pixel electrode. A planarly overlapped structure can be realized.

本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータ等の電子機器に用いることができる。また、本発明を適用した液晶装置は、電子機器としての投射型表示装置にも用いることができ、かかる投射型表示装置は、液晶装置に光を供給するための光源部と、前記液晶装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。   A liquid crystal device to which the present invention is applied can be used for electronic devices such as a mobile phone and a mobile computer. The liquid crystal device to which the present invention is applied can also be used in a projection display device as an electronic apparatus. The projection display device includes a light source unit for supplying light to the liquid crystal device and the liquid crystal device. A projection optical system for projecting light-modulated light.

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、画素構成を示す図３（ａ）、図６（ａ）、および図７（ａ）において、端部同士が平面的に重なる要素については、その外形線をずらして表してある。さらに、電界効果型トランジスタでは、流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings to be referred to in the following description, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing. Further, in FIGS. 3A, 6A, and 7A showing the pixel configuration, elements whose end portions overlap in a plane are shown with their outlines shifted. Further, in the field effect transistor, when the direction of the flowing current is reversed, the source and the drain are interchanged. However, in the following description, for convenience, the side to which the pixel electrode is connected is used as the drain and the data line is connected. The side that is present will be described as the source.

［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図１に示すように、液晶装置１００は、液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０には、画素領域１０ｂの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素トランジスタとしての電界効果型トランジスタ３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。電界効果型トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。 [Embodiment 1]
(overall structure)
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a liquid crystal device to which the present invention is applied. As shown in FIG. 1, the liquid crystal device 100 includes a liquid crystal panel 100p, and the liquid crystal panel 100p includes a pixel region 10b in which a plurality of pixels 100a are arranged in a matrix in the central region. In the liquid crystal panel 100p, on the first substrate 10 described later, a plurality of data lines 6a and a plurality of scanning lines 3a extend vertically and horizontally inside the pixel region 10b, and the pixels are located at positions corresponding to the intersections thereof. 100a is configured. In each of the plurality of pixels 100a, a field effect transistor 30 as a pixel transistor and a pixel electrode 9a described later are formed. The data line 6 a is electrically connected to the source of the field effect transistor 30, the scanning line 3 a is electrically connected to the gate of the field effect transistor 30, and the pixel electrode is connected to the drain of the field effect transistor 30. 9a is electrically connected.

第１基板１０（素子基板）において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４およびデータ線駆動回路１０１が構成されている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。   In the first substrate 10 (element substrate), a scanning line driving circuit 104 and a data line driving circuit 101 are formed in the outer region of the pixel region 10b. The data line driving circuit 101 is electrically connected to one end of each data line 6a, and sequentially supplies the image signal supplied from the image processing circuit to each data line 6a. The scanning line driving circuit 104 is electrically connected to each scanning line 3a, and sequentially supplies a scanning signal to each scanning line 3a.

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板（対向基板）に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量６０が付加されている。本形態では、保持容量６０を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線３ｂが形成されている。   In each pixel 100a, the pixel electrode 9a is opposed to a common electrode formed on a second substrate (counter substrate), which will be described later, via a liquid crystal, and forms a liquid crystal capacitor 50a. In addition, a holding capacitor 60 is added to each pixel 100a in parallel with the liquid crystal capacitor 50a in order to prevent fluctuation of an image signal held in the liquid crystal capacitor 50a. In this embodiment, in order to configure the storage capacitor 60, the capacitor line 3b extending in parallel with the scanning line 3a is formed across the plurality of pixels 100a.

（液晶パネルおよび素子基板の構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１００の液晶パネル１００ｐでは、所定の隙間を介して第１基板１０（素子基板）と第２基板２０（対向基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の縁に沿うように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、第１基板１０の基体は透光性基板１０ｄであり、第２基板２０の基体も、同様な透光性基板２０ｄである。 (Configuration of liquid crystal panel and element substrate)
2A and 2B are a plan view of the liquid crystal panel 100p of the liquid crystal device 100 to which the present invention is applied as viewed from the side of the counter substrate together with the respective components, and a cross-sectional view taken along the line HH ′. As shown in FIGS. 2A and 2B, in the liquid crystal panel 100p of the liquid crystal device 100, the first substrate 10 (element substrate) and the second substrate 20 (counter substrate) are predetermined with a predetermined gap therebetween. The sealing material 107 is bonded through a gap, and the sealing material 107 is disposed along the edge of the second substrate 20. The sealing material 107 is an adhesive made of a photo-curing resin, a thermosetting resin, or the like, and is mixed with a gap material such as glass fiber or glass beads for setting the distance between both substrates to a predetermined value. In this embodiment, the base of the first substrate 10 is a translucent substrate 10d, and the base of the second substrate 20 is a similar translucent substrate 20d.

第１基板１０において、シール材１０７の外側領域では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、第２基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０９が形成されている。   In the first substrate 10, the data line driving circuit 101 and the plurality of terminals 102 are formed along one side of the first substrate 10 in the outer region of the sealing material 107, and along the other side adjacent to this one side. A scanning line driving circuit 104 is formed. Further, at least one corner portion of the second substrate 20 is formed with a vertical conductive material 109 for electrical conduction between the first substrate 10 and the second substrate 20.

詳しくは後述するが、第１基板１０には、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性の画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。本形態では、画素電極９ａには、上記の金属材料のうち、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料が用いられている。   As will be described in detail later, reflective pixel electrodes 9a made of an aluminum-based material such as aluminum or aluminum alloy or a silver-based material such as silver or silver alloy are formed in a matrix on the first substrate 10. In this embodiment, the pixel electrode 9a is made of an aluminum-based material such as aluminum or an aluminum alloy among the above metal materials.

第２基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。第２基板２０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる透光性の共通電極２１が形成されている。   On the second substrate 20, a frame 108 made of a light-shielding material is formed in the inner region of the sealing material 107, and the inner side is an image display region 10 a. A translucent common electrode 21 made of an ITO (Indium Tin Oxide) film is formed on the second substrate 20.

なお、画素領域１０ｂには、額縁１０８と平面的に重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０ａとして利用されることになる。   In addition, in the pixel area 10b, a dummy pixel may be formed in an area that overlaps the frame 108 in a plan view. In this case, the area excluding the dummy pixel in the pixel area 10b is used as the image display area 10a. Will be.

かかる反射型の液晶装置１００は、モバイルコンピュータ、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフィルタ（図示せず）や保護膜が形成される。また、第２基板２０の光入射側の面には、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクタ）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルタは形成されない。   The reflective liquid crystal device 100 can be used as a color display device for electronic devices such as mobile computers and mobile phones. In this case, a color filter (not shown) and a protective film are formed on the second substrate 20. Is done. Further, on the light incident side surface of the second substrate 20, the type of the liquid crystal layer 50 to be used, that is, an operation mode such as a TN (twisted nematic) mode, an STN (super TN) mode, or a normally white mode / no mode. Depending on the mari black mode, a polarizing film, a retardation film, a polarizing plate and the like are arranged in a predetermined direction. Furthermore, the liquid crystal device 100 can be used as a light valve for RGB in a projection display device (liquid crystal projector) described later. In this case, each color liquid crystal device 100 for RGB receives light of each color separated through RGB color separation dichroic mirrors as projection light, so that no color filter is formed.

（各画素の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る反射型の液晶装置１００に用いた第１基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ１−Ａ１′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）において、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは一点鎖線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示し、半導体層１ａは短い点線、画素電極９ａについては二点鎖線で示してある。また、図３（ａ）では、１つの画素については、この画素に属する画素電極９ａに右上がりの斜線を付し、当該画素に属するドレイン電極６ｂ（反射性中継電極）については右下がりの斜線を付してある。また、走査線３ａの延在方向を矢印Ｘで示し、その延在方向の一方側を＋Ｘ方向とし、他方側を−Ｘ方向として表し、データ線６ａの延在方向を矢印Ｙで示し、その延在方向の一方側を＋Ｙ方向とし、他方側を−Ｙ方向としてある。 (Configuration of each pixel)
3A and 3B are respectively a plan view of adjacent pixels in the first substrate 10 used in the reflective liquid crystal device 100 according to Embodiment 1 of the present invention, and its A1-A1 ′ line. It is sectional drawing when the liquid crystal device 100 is cut | disconnected in the position corresponded to. In FIG. 3A, the data line 6a and the drain electrode 6b are shown by a one-dot chain line, the scanning line 3a and the capacitor line 3b are shown by a solid line, the semiconductor layer 1a is a short dotted line, and the pixel electrode 9a is a two-dot chain line. It is shown. Further, in FIG. 3A, for one pixel, a pixel electrode 9a belonging to this pixel has a diagonal line rising to the right, and for a drain electrode 6b (reflective relay electrode) belonging to the pixel, a diagonal line having a right downward line. Is attached. Further, the extending direction of the scanning line 3a is indicated by an arrow X, one side of the extending direction is indicated as the + X direction, the other side is indicated as the -X direction, the extending direction of the data line 6a is indicated by the arrow Y, One side of the extending direction is the + Y direction, and the other side is the -Y direction.

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、第１基板１０には、石英基板やガラス基板等からなる透光性基板１０ｄの第１面１０ｘおよび第２面１０ｙのうち、第２基板２０側に位置する第１面１０ｘにシリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁層１５が形成されているとともに、その上層側において、画素電極９ａと平面的に重なる位置にＮチャネル型の電界効果型トランジスタ３０が形成されている。電界効果型トランジスタ３０は、島状のポリシリコン膜、あるいは島状の単結晶半導体層からなる半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ構造を備えている。半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる透光性のゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面には、金属膜やドープトシリコン膜からなるゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。半導体層１ａにおける高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分には、ゲート絶縁層２を介して容量線３ｂが対向し、保持容量６０が形成されている。   As shown in FIGS. 3A and 3B, the first substrate 10 includes a second substrate among the first surface 10x and the second surface 10y of the translucent substrate 10d made of a quartz substrate, a glass substrate, or the like. A light-transmitting base insulating layer 15 made of a silicon oxide film or the like is formed on the first surface 10x located on the 20 side, and an N-channel type is formed at a position overlapping the pixel electrode 9a on the upper layer side. A field effect transistor 30 is formed. The field effect transistor 30 includes a channel region 1g, a low-concentration source region 1b, a high-concentration source region 1d, a low-concentration drain with respect to an island-shaped polysilicon film or a semiconductor layer 1a made of an island-shaped single crystal semiconductor layer. It has an LDD structure in which a region 1c and a high concentration drain region 1e are formed. A translucent gate insulating layer 2 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed on the surface side of the semiconductor layer 1a. The surface of the gate insulating layer 2 is made of a metal film or a doped silicon film. A gate electrode (scanning line 3a) is formed. A capacity line 3b is opposed to a portion of the semiconductor layer 1a extending from the high-concentration drain region 1e with the gate insulating layer 2 interposed therebetween, and a storage capacitor 60 is formed.

本形態において、電界効果型トランジスタ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えているが、高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域が走査線３ａに自己整合的に形成されている構造を採用してもよい。また、本形態では、ゲート絶縁層２は、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜からなるが、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いることもできる。さらに、ゲート絶縁層２には、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との多層膜を用いることもできる。さらに、第１基板１０では、基体として、単結晶シリコン基板を用いることができる。   In this embodiment, the field effect transistor 30 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure, but adopts a structure in which a high concentration source region and a high concentration drain region are formed in a self-aligned manner on the scanning line 3a. Also good. In this embodiment, the gate insulating layer 2 is made of a silicon oxide film formed by thermal oxidation, but a silicon oxide film or silicon nitride film formed by a CVD method or the like can also be used. Furthermore, the gate insulating layer 2 may be a multilayer film including a silicon oxide film formed by thermal oxidation and a silicon oxide film or silicon nitride film formed by a CVD method or the like. Further, in the first substrate 10, a single crystal silicon substrate can be used as the base.

電界効果型トランジスタ３０の上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる層間絶縁膜７１、およびシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる透光性絶縁膜７５が形成されている。層間絶縁膜７１の表面には、後述する反射性の金属膜からなるデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成され、データ線６ａは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。   On the upper layer side of the field effect transistor 30, an interlayer insulating film 71 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like, and a translucent insulating film 75 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like are formed. A data line 6 a and a drain electrode 6 b made of a reflective metal film, which will be described later, are formed on the surface of the interlayer insulating film 71, and the data line 6 a has a high concentration via a contact hole 71 a formed in the interlayer insulating film 71. The drain electrode 6b is electrically connected to the high concentration drain region 1e through a contact hole 71b formed in the interlayer insulating film 71. The drain electrode 6b is electrically connected to the source region 1d.

透光性絶縁膜７５の表面には画素電極９ａが島状に形成されており、画素電極９ａは、透光性絶縁膜７５に形成されたコンタクトホール７５ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。かかる電気的な接続を行なうにあたって、本形態では、コンタクトホール７５ｂの内部は、プラグ８ａと称せられる導電膜によって埋められ、画素電極９ａは、プラグ８ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。かかる構成によれば、画素電極９ａの表面にコンタクトホール７５ｂに起因する凹凸が発生しないという利点がある。   A pixel electrode 9 a is formed in an island shape on the surface of the translucent insulating film 75, and the pixel electrode 9 a is electrically connected to the drain electrode 6 b through a contact hole 75 b formed in the translucent insulating film 75. It is connected. In performing this electrical connection, in this embodiment, the inside of the contact hole 75b is filled with a conductive film called a plug 8a, and the pixel electrode 9a is electrically connected to the drain electrode 6b through the plug 8a. ing. According to such a configuration, there is an advantage that unevenness due to the contact hole 75b does not occur on the surface of the pixel electrode 9a.

透光性絶縁膜７５の表面とプラグ８ａの表面は、連続した平坦面を形成しており、かかる平坦面上に画素電極９ａが形成されている。また、隣接する画素電極９ａの間において、画素電極９ａの厚さ寸法に相当する深さの溝状凹部は表面絶縁膜７８で埋められている。このため、画素電極９ａと表面絶縁膜７８とは連続した平坦面を形成しており、かかる平坦面上に配向膜１６が形成されている。従って、配向膜１６をラビング処理されたポリイミド膜などにより形成した場合、ラビング処理を適正に行なうことができる。なお、表面絶縁膜７８については省略することもある。   The surface of the translucent insulating film 75 and the surface of the plug 8a form a continuous flat surface, and the pixel electrode 9a is formed on the flat surface. Further, between the adjacent pixel electrodes 9 a, the groove-shaped recess having a depth corresponding to the thickness dimension of the pixel electrode 9 a is filled with the surface insulating film 78. Therefore, the pixel electrode 9a and the surface insulating film 78 form a continuous flat surface, and the alignment film 16 is formed on the flat surface. Therefore, when the alignment film 16 is formed of a rubbed polyimide film or the like, the rubbing process can be performed appropriately. The surface insulating film 78 may be omitted.

第２基板２０では、透光性基板２０ｄにおいて第１基板１０と対向する面全体にＩＴＯ膜からなる共通電極２１が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が形成されている。   In the second substrate 20, a common electrode 21 made of an ITO film is formed on the entire surface of the translucent substrate 20 d facing the first substrate 10, and an alignment film 26 is formed on the surface of the common electrode 21.

このように構成した第１基板１０と第２基板２０は、画素電極９ａと共通電極２１とが対面するように対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材１０７により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、第１基板１０および第２基板２０に形成された配向膜１６、２６により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、一種または数種のネマティック液晶を混合したもの等からなる。   The first substrate 10 and the second substrate 20 configured as described above are disposed to face each other so that the pixel electrode 9a and the common electrode 21 face each other, and a space surrounded by the sealant 107 is provided between these substrates. A liquid crystal layer 50 as an electro-optical material is enclosed in the inside. The liquid crystal layer 50 takes a predetermined alignment state by the alignment films 16 and 26 formed on the first substrate 10 and the second substrate 20 in a state where an electric field from the pixel electrode 9a is not applied. The liquid crystal layer 50 is made of a mixture of one kind or several kinds of nematic liquid crystals.

（表示光量の向上のための構成）
本形態の液晶装置１００において、画素電極９ａは、矩形あるいは略矩形に形成されており、画素電極９ａは、走査線３ａの延在方向（Ｘ方向）およびデータ線の延在方向（Ｙ方向）で整列している。このため、走査線３ａの延在方向（Ｘ方向）で隣接する画素電極９ａの間には、データ線６ａと平行に延在する隙間９ｓが形成され、データ線６ａの延在方向で隣接する画素電極９ａの間には、走査線３ａと平行に延在する隙間９ｔが形成されている。 (Configuration for improving the amount of display light)
In the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the pixel electrode 9a is formed in a rectangular shape or a substantially rectangular shape, and the pixel electrode 9a has an extending direction of the scanning line 3a (X direction) and an extending direction of the data line (Y direction). Are aligned. Therefore, a gap 9s extending in parallel with the data line 6a is formed between the pixel electrodes 9a adjacent in the extending direction (X direction) of the scanning line 3a, and adjacent in the extending direction of the data line 6a. A gap 9t extending in parallel with the scanning line 3a is formed between the pixel electrodes 9a.

このような構成の液晶装置１００では、従来、第２基板２０の側から入射した光のうち、隣接する画素電極９ａの隙間９ｓ、９ｔに向けて進行した光は表示光として利用されず、損失となってしまう。そこで、本形態では、以下に説明するように、画素電極９ａの下層側に形成されているドレイン電極６ｂを利用して、上記の損失を低減する。   In the liquid crystal device 100 having such a configuration, of the light incident from the second substrate 20 side, the light traveling toward the gaps 9s and 9t between the adjacent pixel electrodes 9a is not used as display light and is lost. End up. Therefore, in this embodiment, as described below, the loss is reduced by using the drain electrode 6b formed on the lower layer side of the pixel electrode 9a.

まず、本形態において、データ線６ａは、画素電極９ａの下層側のうち、走査線３ａの延在方向（矢印Ｘで示す方向）における中央から、他方側（矢印−Ｘで示す方向）に偏った位置を通っている。   First, in this embodiment, the data line 6a is biased from the center in the extending direction of the scanning line 3a (direction indicated by the arrow X) to the other side (direction indicated by the arrow -X) in the lower layer side of the pixel electrode 9a. Through the position.

データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性金属により形成されている。従って、ドレイン電極６ｂは、反射性中継電極として構成されている。ここで、ドレイン電極６ｂは、後述するように、画素電極９ａと同様、光の反射に利用される。従って、層間絶縁膜７１の表面は平坦化されていることが好ましい。   The data line 6a and the drain electrode 6b are formed of a reflective metal made of an aluminum material such as aluminum or an aluminum alloy, or a silver material such as silver or a silver alloy. Therefore, the drain electrode 6b is configured as a reflective relay electrode. Here, as will be described later, the drain electrode 6b is used for reflection of light in the same manner as the pixel electrode 9a. Therefore, the surface of the interlayer insulating film 71 is preferably flattened.

ドレイン電極６ｂは、画素電極９ａにおいてデータ線６ａの延在方向（矢印Ｙで示す方向）の一方側（矢印＋Ｙで示す方向）の端部から隙間９ｔに向けて張り出し、データ線６ａの延在方向の一方側で隣接する画素電極９ａの端部に平面的に重なっている。また、ドレイン電極６ｂは、画素電極９ａにおいて走査線３ａの延在方向（矢印Ｘで示す方向）の一方側（矢印＋Ｘで示す方向）の端部から隙間９ｓに向けて張り出して、走査線３ａの延在方向の一方側で隣接する画素電極９ａの端部に平面的に重なっている。   The drain electrode 6b extends from the end on one side (direction indicated by arrow + Y) of the data electrode 6a in the extending direction of the data line 6a (direction indicated by arrow Y) toward the gap 9t, and the data line 6a extends. One side of the direction overlaps the end of the adjacent pixel electrode 9a in a plane. In addition, the drain electrode 6b extends from the end of one side (direction indicated by arrow + X) of the pixel electrode 9a in the extending direction of the scanning line 3a (direction indicated by the arrow X) toward the gap 9s. On one side in the extending direction of the pixel electrode 9a overlaps with the end of the adjacent pixel electrode 9a in a plane.

図３（ａ）では、図を見やすくするため、ドレイン電極６ｂが隣接する画素電極９ａと平面的に重なっているように描かれているが、本形態では、図３（ｂ）に示したように、ドレイン電極６ｂの端部と隣接する画素電極９ａの端部とは互いに平面的に重なっている。このため、ドレイン電極６ｂと、隣接する画素電極９ａとの間の電気的な干渉を防止することができる。なお、ドレイン電極６ｂについては、図３（ａ）に示したように、ドレイン電極６ｂの端部と、隣接する画素電極９ａの端部とが、平面的にある程度の重なり幅をもっている構成を採用してもよい。また、ドレイン電極６ｂの端部が隣接する画素電極９ａの端部から、平面的に、ある程度離間している構成を採用してもよい。いずれの場合も、クロストークなどを防止するという観点からすれば、画素電極９ａおよびドレイン電極６ｂと、異なる画素１００ａの画素電極９ａおよびドレイン電極６ｂとが平面的に重なる面積は最小限に止めることが好ましい。   In FIG. 3A, the drain electrode 6b is drawn so as to overlap with the adjacent pixel electrode 9a in order to make the drawing easier to see, but in this embodiment, as shown in FIG. In addition, the end of the drain electrode 6b and the end of the adjacent pixel electrode 9a overlap each other in a plane. For this reason, electrical interference between the drain electrode 6b and the adjacent pixel electrode 9a can be prevented. As for the drain electrode 6b, as shown in FIG. 3A, a configuration in which the end portion of the drain electrode 6b and the end portion of the adjacent pixel electrode 9a have a certain overlap width in a plane is adopted. May be. Further, a configuration in which the end of the drain electrode 6b is spaced apart from the end of the adjacent pixel electrode 9a to some extent in a plane may be adopted. In any case, from the viewpoint of preventing crosstalk and the like, the area where the pixel electrode 9a and the drain electrode 6b overlap with the pixel electrode 9a and the drain electrode 6b of the different pixel 100a in a plane is minimized. Is preferred.

ここで、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂはいずれも同一の層間絶縁膜７１の上に形成されている。このため、ドレイン電極６ｂとデータ線６ａとの間には十分な隙間６ｓが確保されており、ドレイン電極６ｂとデータ線６ａとの短絡や、電界効果型トランジスタ３０がオフ状態にある間、ドレイン電極６ｂとデータ線６ａとの間で電気的な相互干渉が発生しないようになっている。   Here, the data line 6 a and the drain electrode 6 b are both formed on the same interlayer insulating film 71. For this reason, a sufficient gap 6s is secured between the drain electrode 6b and the data line 6a, and the drain electrode 6b and the data line 6a are short-circuited or while the field effect transistor 30 is in the OFF state, Electrical mutual interference does not occur between the electrode 6b and the data line 6a.

また、データ線６ａの延在方向に隣接する画素１００ａのドレイン電極６ｂの間にも十分な隙間６ｔが確保されており、隣接するドレイン電極６ｂ同士の短絡や、ドレイン電極６ｂ同士の電位の相互干渉が発生しない。また、本形態では、ドレイン電極６ｂは、画素電極９ａの一辺の略全体から矢印＋Ｙで示す方向に張り出して、隣接する画素電極９ａの一辺の略全体に平面的に重なっている。このため、データ線６ａの延在方向に隣接する画素１００ａのドレイン電極６ｂの間に確保された隙間６ｔは狭い。   In addition, a sufficient gap 6t is secured between the drain electrodes 6b of the pixels 100a adjacent to each other in the extending direction of the data line 6a, so that the adjacent drain electrodes 6b are short-circuited or the potentials of the drain electrodes 6b are mutually connected. Interference does not occur. Further, in this embodiment, the drain electrode 6b protrudes from substantially the entire side of the pixel electrode 9a in the direction indicated by the arrow + Y and overlaps with the substantially entire side of the adjacent pixel electrode 9a in a plane. For this reason, the gap 6t secured between the drain electrodes 6b of the pixels 100a adjacent in the extending direction of the data line 6a is narrow.

（本形態の作用および主な効果）
本形態の反射型の液晶装置１００においては、走査線３ａによって選択された画素１００ａでは、データ線６ａから供給された画像信号が電界効果型トランジスタ３０を介して書き込まれ、画素電極９ａと対向電極２６との間に発生した電場により液晶層５０の配向が制御される。従って、図３（ｂ）に矢印Ｌで示すように、第２基板２０の側から入射した光が画素電極９ａで反射して再び、第２基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。 (Operation and main effect of this form)
In the reflective liquid crystal device 100 of this embodiment, in the pixel 100a selected by the scanning line 3a, the image signal supplied from the data line 6a is written via the field effect transistor 30, and the pixel electrode 9a and the counter electrode The alignment of the liquid crystal layer 50 is controlled by an electric field generated between the liquid crystal layer 26 and the electric field 26. Therefore, as indicated by an arrow L in FIG. 3B, the light incident from the second substrate 20 side is reflected by the pixel electrode 9a and is again emitted from the second substrate 20 side while the liquid crystal layer 50 As a result of light modulation for each pixel, an image is displayed.

また、本形態の液晶装置１００において、ドレイン電極６ｂは、画素電極９ａの端部から隙間９ｓ、９ｔに張り出し、かつ、ドレイン電極６ｂと液晶層５０との間に介在する透光性絶縁膜７５および表面絶縁膜７８の膜厚が薄い。しかも、ドレイン電極６ｂは画素電極９ａと同電位である。従って、液晶層５０において隙間９ｓ、９ｔと平面的に重なる部分も、ドレイン電極６ｂと対向電極２６との電界によって駆動され、配向が制御される。また、ドレイン電極６ｂは反射性を備えている。従って、図３（ｂ）に矢印Ｌｓ、Ｌｔで示すように、第２基板２０の側から入射した光のうち、隣接する画素電極９ａの隙間９ｓ、９ｔに向かう光は、ドレイン電極６ｂで反射して再び、第２基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調され、表示に寄与する。それ故、本形態の液晶装置１００によれば、ドレイン電極６ｂが隙間９ｓ、９ｔに張り出している分だけ、有効画素開口率（画素全体において、表示光を出射可能な面積が占める割合）が高いので、表示光量の増大を図ることができ、明るい表示を行なうことができる。   Further, in the liquid crystal device 100 of this embodiment, the drain electrode 6b extends from the end of the pixel electrode 9a to the gaps 9s and 9t, and is interposed between the drain electrode 6b and the liquid crystal layer 50. The surface insulating film 78 is thin. Moreover, the drain electrode 6b has the same potential as the pixel electrode 9a. Therefore, the portion of the liquid crystal layer 50 that overlaps the gaps 9s and 9t in a plane is also driven by the electric field between the drain electrode 6b and the counter electrode 26, and the orientation is controlled. Further, the drain electrode 6b has reflectivity. Accordingly, as indicated by arrows Ls and Lt in FIG. 3B, among the light incident from the second substrate 20 side, the light traveling toward the gaps 9s and 9t between the adjacent pixel electrodes 9a is reflected by the drain electrode 6b. Then, the light is modulated for each pixel by the liquid crystal layer 50 while being emitted from the second substrate 20 side, and contributes to display. Therefore, according to the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the effective pixel aperture ratio (the ratio of the area that can emit display light in the entire pixel) is high by the amount that the drain electrode 6b protrudes into the gaps 9s and 9t. Therefore, the amount of display light can be increased and bright display can be performed.

さらに、図４および図５を参照して以下に製造方法を説明するように、本形態の液晶装置１００では、ドレイン電極６ｂの形成パターンを改良するだけで表示光量の増大を図ることができる。それ故、隣接する画素電極９ａの隙間９ｓ、９ｔに向かう光も表示光として利用した場合でも、新たな導電層を追加する必要がないので、生産性が低下することがない。   Furthermore, as will be described below with reference to FIGS. 4 and 5, in the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the amount of display light can be increased simply by improving the formation pattern of the drain electrode 6b. Therefore, even when the light traveling toward the gaps 9s and 9t between the adjacent pixel electrodes 9a is also used as display light, it is not necessary to add a new conductive layer, so that productivity does not decrease.

（液晶装置１００の製造方法）
以下、図４および図５を参照して、本発明を適用した液晶装置１００の製造方法を説明する。図４および図５はいずれも、図３に示す液晶装置１００の製造方法において、要部となる工程の工程断面図である。 (Manufacturing method of the liquid crystal device 100)
Hereinafter, a method of manufacturing the liquid crystal device 100 to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS. 4 and 5 are process cross-sectional views showing the main steps in the method of manufacturing the liquid crystal device 100 shown in FIG.

本形態の液晶装置１００の製造工程において、素子基板としての第１基板１０を形成するには、図４（ａ）に示すように、透光性基板１０ｄ上に電界効果型トランジスタ３０などを形成した後、ＣＶＤ法などにより、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜７１を形成し、次に、層間絶縁膜７１にコンタクトホール７１ａ、７１ｂを形成する。かかる工程において、層間絶縁膜７１にコンタクトホール７１ａ、７１ｂを形成する前に層間絶縁膜７１の表面に研磨を行ない、層間絶縁膜７１の表面を平坦化しておくことが好ましい。層間絶縁膜７１の表面を平坦化しておけば、その上層に形成されるドレイン電極６ｂの表面が平坦になるため、隙間９ｓ、９ｔに入射した光をドレイン電極６ｂの表面で反射して表示光とするのに適している。かかる研磨としては、化学機械研磨を用いる。   In the manufacturing process of the liquid crystal device 100 of the present embodiment, in order to form the first substrate 10 as the element substrate, a field effect transistor 30 and the like are formed on the translucent substrate 10d as shown in FIG. After that, an interlayer insulating film 71 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed by CVD or the like, and then contact holes 71 a and 71 b are formed in the interlayer insulating film 71. In this step, it is preferable that the surface of the interlayer insulating film 71 is polished before the contact holes 71a and 71b are formed in the interlayer insulating film 71 so that the surface of the interlayer insulating film 71 is planarized. If the surface of the interlayer insulating film 71 is flattened, the surface of the drain electrode 6b formed thereon is flattened. Therefore, the light incident on the gaps 9s and 9t is reflected by the surface of the drain electrode 6b and displayed light. Suitable for As such polishing, chemical mechanical polishing is used.

次に、スパッタ法などにより、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性の導電膜６を形成する。   Next, a reflective conductive film 6 made of an aluminum-based material such as aluminum or aluminum alloy or a silver-based material such as silver or silver alloy is formed by sputtering or the like.

次に、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いて導電膜６をパターニングし、図４（ｂ）に示すように、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂを形成する。   Next, the conductive film 6 is patterned using a photolithography technique or an etching technique to form the data line 6a and the drain electrode 6b as shown in FIG. 4B.

次に、図４（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法などを利用して、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂを覆うように、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる透光性絶縁膜７５を形成する。   Next, as shown in FIG. 4C, a translucent insulating film 75 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed so as to cover the data line 6a and the drain electrode 6b by using a CVD method or the like. To do.

次に、図４（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術により、透光性絶縁膜７５にコンタクトホール７５ｂを形成する。   Next, as shown in FIG. 4D, a contact hole 75b is formed in the translucent insulating film 75 by a photolithography technique or an etching technique.

次に、コンタクトホール７５ｂが埋まる程度の膜厚でプラグ用導電膜を形成した後、透光性絶縁膜７５が露出するまでプラグ用導電膜を研磨する。その結果、図４（ｅ）に示すように、コンタクトホール７５ｂはプラグ８ａで埋まった状態となる。かかる研磨としては、化学機械研磨を用いる。   Next, after forming a plug conductive film with a thickness sufficient to fill the contact hole 75b, the plug conductive film is polished until the translucent insulating film 75 is exposed. As a result, as shown in FIG. 4E, the contact hole 75b is filled with the plug 8a. As such polishing, chemical mechanical polishing is used.

次に、図５（ａ）に示すように、スパッタ法などを利用して、透光性絶縁膜７５の上面に、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性の導電膜９を形成する。   Next, as shown in FIG. 5A, by using a sputtering method or the like, an aluminum-based material such as aluminum or aluminum alloy or a silver-based material such as silver or silver alloy is formed on the translucent insulating film 75. A reflective conductive film 9 made of a material is formed.

次に、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いて導電膜９をパターニングし、図５（ｂ）に示すように、画素電極９ａを島状に形成する。その結果、隣接する画素電極９ａの間に隙間９ｓ、９ｔが発生するが、かかる隙間９ｓ，９ｔに対しては、下方のドレイン電極６ｂが平面的に重なった状態となる。   Next, the conductive film 9 is patterned by using a photolithography technique or an etching technique, and the pixel electrode 9a is formed in an island shape as shown in FIG. As a result, gaps 9s and 9t are generated between adjacent pixel electrodes 9a, and the lower drain electrode 6b overlaps the gaps 9s and 9t in a planar manner.

次に、図５（ｃ）に示すように、画素電極９ａの表面を覆うように、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる表面絶縁膜７８を形成する。   Next, as shown in FIG. 5C, a surface insulating film 78 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed so as to cover the surface of the pixel electrode 9a.

次に、図５（ｄ）に示す研磨工程において、画素電極９ａの表面が露出するまで表面絶縁膜７８を研磨する。その結果、画素電極９ａの表面が露出するとともに、隣接する画素電極９ａの隙間９ｓ、９ｔは、表面絶縁膜７８によって埋められた状態となる。かかる研磨には化学機械研磨を利用できる。   Next, in the polishing step shown in FIG. 5D, the surface insulating film 78 is polished until the surface of the pixel electrode 9a is exposed. As a result, the surface of the pixel electrode 9a is exposed, and the gaps 9s and 9t between the adjacent pixel electrodes 9a are filled with the surface insulating film 78. Chemical mechanical polishing can be used for such polishing.

しかる後には、図３（ｂ）に示すように、画素電極９ａの形成領域を含む第１基板１０の全面あるいは略全面に配向膜１６を形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 3B, an alignment film 16 is formed on the entire surface or substantially the entire surface of the first substrate 10 including the formation region of the pixel electrode 9a.

［実施の形態１の変形例］
図６（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１の変形例に係る反射型の液晶装置１００に用いた第１基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ２−Ａ２′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図６（ａ）においても、図３（ａ）と同様、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは一点鎖線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示し、半導体層１ａは短い点線、画素電極９ａについては二点鎖線で示してある。また、図６（ａ）では、１つの画素については、この画素に属する画素電極９ａに右上がりの斜線を付し、当該画素に属するドレイン電極６ｂ（反射性中継電極）については右下がりの斜線を付してある。また、走査線３ａの延在方向を矢印Ｘで示し、その延在方向の一方側を＋Ｘ方向とし、他方側を−Ｘ方向として表し、データ線６ａの延在方向を矢印Ｙで示し、その延在方向の一方側を＋Ｙ方向とし、他方側を−Ｙ方向としてある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。 [Modification of Embodiment 1]
6A and 6B are plan views of adjacent pixels in the first substrate 10 used in the reflective liquid crystal device 100 according to the modification of the first embodiment of the present invention, and A2- It is sectional drawing when the liquid crystal device 100 is cut | disconnected in the position corresponded to A2 'line. 6A, similarly to FIG. 3A, the data line 6a and the drain electrode 6b are indicated by a one-dot chain line, the scanning line 3a and the capacitor line 3b are indicated by a solid line, and the semiconductor layer 1a is a short dotted line. The pixel electrode 9a is indicated by a two-dot chain line. Further, in FIG. 6A, for one pixel, a pixel electrode 9a belonging to this pixel is given a diagonal line rising to the right, and for a drain electrode 6b (reflective relay electrode) belonging to the pixel, a diagonal line falling to the right Is attached. Further, the extending direction of the scanning line 3a is indicated by an arrow X, one side of the extending direction is indicated as the + X direction, the other side is indicated as the -X direction, the extending direction of the data line 6a is indicated by the arrow Y, One side of the extending direction is the + Y direction, and the other side is the -Y direction. In addition, since the basic configuration of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の反射型の液晶装置１００においては、実施の形態１と違って、データ線６ａは、画素電極９ａの下層側のうち、走査線３ａの延在方向（矢印Ｘで示す方向）における中央あるいは略中央を通っている。   As shown in FIGS. 6A and 6B, in the reflective liquid crystal device 100 of this embodiment, unlike the first embodiment, the data line 6a is a scanning line on the lower layer side of the pixel electrode 9a. It passes through the center or substantially the center in the extending direction of 3a (the direction indicated by the arrow X).

また、本形態の反射型の液晶装置１００でも、実施の形態１と同様、ドレイン電極６ｂは、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性金属により形成されている。また、ドレイン電極６ｂは、画素電極９ａにおいてデータ線６ａの延在方向（矢印Ｙで示す方向）の一方側（矢印＋Ｙで示す方向）の端部から隙間９ｔに向けて張り出し、データ線６ａの延在方向の一方側で隣接する画素電極９ａの端部に平面的に重なっている。さらに、ドレイン電極６ｂは、画素電極９ａにおいて走査線３ａの延在方向（矢印Ｘで示す方向）の一方側（矢印＋Ｘで示す方向）の端部から隙間９ｓに向けて張り出して、走査線３ａの延在方向の一方側で隣接する画素電極９ａの端部に平面的に重なっている。   Also in the reflective liquid crystal device 100 of this embodiment, the drain electrode 6b is a reflective metal made of an aluminum-based material such as aluminum or aluminum alloy, or a silver-based material such as silver or silver alloy, as in the first embodiment. It is formed by. Further, the drain electrode 6b extends from the end of one side (direction indicated by arrow + Y) of the data electrode 6a in the extending direction (direction indicated by arrow Y) of the data line 6a toward the gap 9t. One side of the extending direction overlaps the end of the adjacent pixel electrode 9a in a plane. Further, the drain electrode 6b extends from the end on one side (direction indicated by the arrow + X) of the pixel electrode 9a in the extending direction of the scanning line 3a (direction indicated by the arrow X) toward the gap 9s. On one side in the extending direction of the pixel electrode 9a overlaps with the end of the adjacent pixel electrode 9a in a plane.

ここで、データ線６ａは、画素電極９ａの下層側のうち、走査線３ａの延在方向（矢印Ｘで示す方向）における中央あるいは略中央を通っており、かつ、データ線６ａは、ドレイン電極６ｂと同じく層間絶縁膜７１の上に形成されている。このため、データ線６ａに対して、走査線３ａの延在方向（矢印Ｘで示す方向）の一方側（矢印＋Ｘで示す方向）に位置する隙間９ｔに対してはドレイン電極６ｂを重ねることができるが、データ線６ａに対して、走査線３ａの延在方向の他方側（矢印−Ｘで示す方向）に位置する隙間９ｔに対してはドレイン電極６ｂを重ねることができない。   Here, the data line 6a passes through the center or substantially the center in the extending direction of the scanning line 3a (direction indicated by the arrow X) on the lower layer side of the pixel electrode 9a, and the data line 6a is a drain electrode. Similar to 6b, it is formed on the interlayer insulating film 71. For this reason, the drain electrode 6b may be overlapped with the gap 9t located on one side (direction indicated by the arrow + X) of the scanning direction of the scanning line 3a (direction indicated by the arrow X) with respect to the data line 6a. However, the drain electrode 6b cannot be overlapped with the data line 6a in the gap 9t located on the other side of the scanning line 3a in the extending direction (the direction indicated by the arrow -X).

そこで、本形態では、データ線６ａに対して、走査線３ａの延在方向（矢印Ｘで示す方向）の他方側（矢印−Ｘで示す方向）に位置する隙間９ｔに対しては、走査線３ａの延在方向の他方側に位置する画素１００ａからドレイン電極６ｂを延在させ、かかるドレイン電極６ｂの延在部分６ｂ1によって、隙間９ｔの略全体にドレイン電極６ｂが平面的に重なった構造にしてある。つまり、隙間９ｔにおいては、データ線６ａのＸ側に設けられているドレイン電極６ｂと−Ｘ側に設けられているドレイン電極６ｂとでは、互いに属する画素が異なっている。   Therefore, in this embodiment, with respect to the gap 9t located on the other side (direction indicated by the arrow -X) of the scanning line 3a with respect to the data line 6a (direction indicated by the arrow X), the scanning line The drain electrode 6b is extended from the pixel 100a located on the other side in the extending direction of 3a, and the drain electrode 6b is planarly overlapped with substantially the entire gap 9t by the extended portion 6b1 of the drain electrode 6b. It is. That is, in the gap 9t, the pixels belonging to each other are different between the drain electrode 6b provided on the X side of the data line 6a and the drain electrode 6b provided on the −X side.

このように構成した液晶装置１００でも、ドレイン電極６ｂとデータ線６ａとの間には十分な隙間６ｓが確保されており、ドレイン電極６ｂとデータ線６ａとの短絡や、電界効果型トランジスタ３０がオフ状態にある間、ドレイン電極６ｂがデータ線６ａの電位の影響を受けないようになっている。さらに、データ線６ａの延在方向に隣接する画素１００ａのドレイン電極６ｂの間にも十分な隙間６ｔが確保されており、隣接するドレイン電極６ｂ同士の間での電気的な干渉が発生しないようになっている。   Even in the liquid crystal device 100 configured as described above, a sufficient gap 6s is ensured between the drain electrode 6b and the data line 6a, and a short circuit between the drain electrode 6b and the data line 6a, or the field effect transistor 30 is provided. While in the off state, the drain electrode 6b is not affected by the potential of the data line 6a. Furthermore, a sufficient gap 6t is secured between the drain electrodes 6b of the pixels 100a adjacent to each other in the extending direction of the data line 6a so that no electrical interference occurs between the adjacent drain electrodes 6b. It has become.

その他の構成は実施の形態１と同様であり、製造方法も実施の形態１と同様である。従って、それらの説明を省略する。   Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the manufacturing method is the same as that of the first embodiment. Therefore, those descriptions are omitted.

以上説明したように、本形態の液晶装置１００においても、実施の形態１と同様、第２基板２０の側から入射した光のうち、隣接する画素電極９ａの隙間９ｓ、９ｔに向かう光は、ドレイン電極６ｂで反射して再び、第２基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調され、表示に寄与する。それ故、本形態の液晶装置１００によれば、ドレイン電極６ｂが隙間９ｓ、９ｔに張り出している分だけ、有効画素開口率が高いので、表示光量の増大を図ることができ、明るい表示を行なうことができる。また、本形態の液晶装置１００では、ドレイン電極６ｂの形成パターンを改良するだけで表示光量の増大を図ることができるので、生産性が低下することがない。   As described above, also in the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the light traveling from the second substrate 20 side toward the gaps 9s and 9t between the adjacent pixel electrodes 9a is the same as in the first embodiment. While being reflected by the drain electrode 6b and again being emitted from the second substrate 20, the light is modulated for each pixel by the liquid crystal layer 50 and contributes to display. Therefore, according to the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the effective pixel aperture ratio is high by the amount that the drain electrode 6b protrudes into the gaps 9s and 9t, so that the amount of display light can be increased and bright display is performed. be able to. Further, in the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the display light quantity can be increased only by improving the formation pattern of the drain electrode 6b, so that productivity does not decrease.

［実施の形態２］
図７（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る反射型の液晶装置１００に用いた第１基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ３−Ａ３′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図７（ａ）において、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示し、半導体層１ａは短い点線、画素電極９ａについては二点鎖線で示してある。また、図７（ａ）において、データ線６ａは一点鎖線で示してあるが、ドレイン電極４ｂは長い点線で示してある。また、図７（ａ）では、１つの画素については、この画素に属する画素電極９ａに右上がりの斜線を付し、当該画素に属するドレイン電極４ｂ（反射性中継電極）については右下がりの斜線を付してある。また、走査線３ａの延在方向を矢印Ｘで示し、その延在方向の一方側を＋Ｘ方向とし、他方側を−Ｘ方向として表し、データ線６ａの延在方向を矢印Ｙで示し、その延在方向の一方側を＋Ｙ方向とし、他方側を−Ｙ方向としてある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。 [Embodiment 2]
7A and 7B are plan views of pixels adjacent to each other in the first substrate 10 used in the reflective liquid crystal device 100 according to the second embodiment of the present invention, and their A3-A3 ′ lines. It is sectional drawing when the liquid crystal device 100 is cut | disconnected in the position corresponded to. In FIG. 7A, the scanning line 3a and the capacitor line 3b are indicated by solid lines, the semiconductor layer 1a is indicated by a short dotted line, and the pixel electrode 9a is indicated by a two-dot chain line. In FIG. 7A, the data line 6a is shown by a one-dot chain line, while the drain electrode 4b is shown by a long dotted line. Further, in FIG. 7A, for one pixel, a pixel electrode 9a belonging to this pixel is given a diagonal line rising to the right, and for a drain electrode 4b (reflective relay electrode) belonging to this pixel, a diagonal line falling to the right Is attached. Further, the extending direction of the scanning line 3a is indicated by an arrow X, one side of the extending direction is indicated as the + X direction, the other side is indicated as the -X direction, the extending direction of the data line 6a is indicated by the arrow Y, One side of the extending direction is the + Y direction, and the other side is the -Y direction. In addition, since the basic configuration of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図７（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の反射型の液晶装置１００においても、実施の形態１と同様、データ線６ａは、画素電極９ａの下層側のうち、走査線３ａの延在方向（矢印Ｘで示す方向）における中央から他方側（矢印−Ｘで示す方向）に偏った位置を通っている。   As shown in FIGS. 7A and 7B, also in the reflective liquid crystal device 100 of this embodiment, the data line 6a is the scanning line 3a on the lower layer side of the pixel electrode 9a, as in the first embodiment. Passes through a position biased from the center in the extending direction (direction indicated by arrow X) to the other side (direction indicated by arrow -X).

また、本形態においても、実施の形態１と同様、データ線６ａは層間絶縁膜７１の上層に形成されている。但し、ドレイン電極４ｂは、層間絶縁膜７２の上層に形成されており、ゲート絶縁層２、層間絶縁膜７１、７２を貫通するコンタクトホール７２ｂを介して電界効果型トランジスタ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。   Also in this embodiment, as in the first embodiment, the data line 6 a is formed in the upper layer of the interlayer insulating film 71. However, the drain electrode 4b is formed in an upper layer of the interlayer insulating film 72, and the high-concentration drain region 1e of the field effect transistor 30 through the contact hole 72b penetrating the gate insulating layer 2 and the interlayer insulating films 71 and 72. Is electrically connected.

本形態でも、ドレイン電極４ｂの上層には、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなる透光性絶縁膜７５が形成されており、かかる透光性絶縁膜７５の上層に画素電極９ａが形成されている。このため、画素電極９ａは、透光性絶縁膜７５のコンタクトホール７５ｂに充填されたプラグ８ａを介してドレイン電極４ｂに電気的に接続されている。   Also in this embodiment, a translucent insulating film 75 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed on the upper layer of the drain electrode 4b, and the pixel electrode 9a is formed on the upper layer of the translucent insulating film 75. Yes. For this reason, the pixel electrode 9a is electrically connected to the drain electrode 4b through the plug 8a filled in the contact hole 75b of the translucent insulating film 75.

このように構成した液晶装置１００でも、隣接する画素電極９ａの間には隙間９ｓ、９ｔが形成されている。そこで、本形態では、ドレイン電極４ｂは、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性金属により形成されている。従って、ドレイン電極４ｂは反射性中継電極として構成されている。   Even in the liquid crystal device 100 configured as described above, gaps 9s and 9t are formed between adjacent pixel electrodes 9a. Therefore, in this embodiment, the drain electrode 4b is formed of a reflective metal made of an aluminum-based material such as aluminum or aluminum alloy, or a silver-based material such as silver or silver alloy. Therefore, the drain electrode 4b is configured as a reflective relay electrode.

また、ドレイン電極４ｂは、画素電極９ａにおいてデータ線６ａの延在方向（矢印Ｙで示す方向）の一方側（矢印＋Ｙで示す方向）の端部から隙間９ｔに向けて張り出し、データ線６ａの延在方向の一方側で隣接する画素電極９ａの端部に平面的に重なっている。さらに、ドレイン電極４ｂは、画素電極９ａにおいて走査線３ａの延在方向（矢印Ｘで示す方向）の一方側（矢印＋Ｘで示す方向）の端部から隙間９ｓに向けて張り出して、走査線３ａの延在方向の一方側で隣接する画素電極９ａの端部に平面的に重なっている。   Further, the drain electrode 4b extends from the end of one side (direction indicated by arrow + Y) of the data electrode 6a in the extending direction of the data line 6a (direction indicated by the arrow Y) toward the gap 9t. One side of the extending direction overlaps the end of the adjacent pixel electrode 9a in a plane. Further, the drain electrode 4b extends from the end on one side (the direction indicated by the arrow + X) of the pixel electrode 9a in the extending direction of the scanning line 3a (the direction indicated by the arrow X) toward the gap 9s. On one side in the extending direction of the pixel electrode 9a overlaps with the end of the adjacent pixel electrode 9a in a plane.

ここで、データ線６ａは層間絶縁膜７１の上層に形成され、ドレイン電極４ｂは層間絶縁膜７２の上層に形成されている。このため、ドレイン電極４ｂをデータ線６ａと接近させた構成、あるいはドレイン電極４ｂがデータ線６ａと平面的に重なる構成を採用した場合でも、ドレイン電極４ｂとデータ線６ａとが短絡することがない。   Here, the data line 6 a is formed in the upper layer of the interlayer insulating film 71, and the drain electrode 4 b is formed in the upper layer of the interlayer insulating film 72. For this reason, even when a configuration in which the drain electrode 4b is close to the data line 6a or a configuration in which the drain electrode 4b overlaps the data line 6a in a plan view is adopted, the drain electrode 4b and the data line 6a are not short-circuited. .

そこで、本形態では、隙間９ｔと平面的に重なる領域において、ドレイン電極４ｂは、自身が属する画素１００ａを通るデータ線６ａの端部に平面的に重なっている。また、ドレイン電極４ｂは、走査線３ａの延在方向の一方側で隣接する画素１００ａを通るデータ線６ａの端部にも平面的に重なっている。さらに、ドレイン電極４ｂは、隙間９ｔと平面的に重なる領域において、走査線３ａの延在方向の一方側に大きく突き出た矩形の突部４ｂ１を備えており、かかる突部４ｂ１は、隣接する画素１００ａを通るデータ線６ａと平面的に大きく重なっている。このため、ドレイン電極４ｂと、隣接する画素１００ａのドレイン電極４ｂとは、狭い隙間４ｓを隔てているだけである。それ故、本形態では、隙間９ｔの略全体にドレイン電極４ｂが平面的に重なった構造になっている。   Therefore, in the present embodiment, the drain electrode 4b overlaps the end of the data line 6a passing through the pixel 100a to which the drain electrode 4b belongs in a plane in a region overlapping the gap 9t in plan view. Further, the drain electrode 4b also overlaps in plan view with the end of the data line 6a passing through the adjacent pixel 100a on one side in the extending direction of the scanning line 3a. Further, the drain electrode 4b includes a rectangular protrusion 4b1 that protrudes greatly on one side in the extending direction of the scanning line 3a in a region overlapping the gap 9t in a plane, and the protrusion 4b1 is adjacent to the adjacent pixel. The data line 6a passing through 100a largely overlaps in plan. For this reason, the drain electrode 4b and the drain electrode 4b of the adjacent pixel 100a are only separated by a narrow gap 4s. Therefore, in this embodiment, the drain electrode 4b overlaps in plan view substantially over the entire gap 9t.

かかる場合でも、データ線６ａの延在方向に隣接する画素１００ａのドレイン電極４ｂの間には十分な隙間４ｔが確保されており、隣接するドレイン電極４ｂ同士の間での電気的な干渉が発生しないようになっている。   Even in such a case, a sufficient gap 4t is secured between the drain electrodes 4b of the pixels 100a adjacent in the extending direction of the data line 6a, and electrical interference occurs between the adjacent drain electrodes 4b. It is supposed not to.

その他の構成は実施の形態１と同様であり、製造方法も実施の形態１と略同様である。従って、それらの説明を省略する。   Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the manufacturing method is substantially the same as that of the first embodiment. Therefore, those descriptions are omitted.

以上説明したように、本形態の液晶装置１００においても、実施の形態１と同様、第２基板２０の側から入射した光のうち、隣接する画素電極９ａの隙間９ｓ、９ｔに向かう光は、ドレイン電極４ｂで反射して再び、第２基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調され、表示に寄与する。それ故、本形態の液晶装置１００によれば、ドレイン電極４ｂが隙間９ｓ、９ｔに張り出している分だけ、有効画素開口率（画素全体において、表示光を出射可能な面積が占める割合）が高いので、表示光量の増大を図ることができ、明るい表示を行なうことができる。また、本形態の液晶装置１００では、ドレイン電極４ｂの形成パターンを改良するだけで表示光量の増大を図ることができるので、生産性が低下することがない。   As described above, also in the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the light traveling from the second substrate 20 side toward the gaps 9s and 9t between the adjacent pixel electrodes 9a is the same as in the first embodiment. Reflected by the drain electrode 4b and again emitted from the second substrate 20 side, the light is modulated for each pixel by the liquid crystal layer 50 and contributes to display. Therefore, according to the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the effective pixel aperture ratio (the ratio of the area that can emit display light in the entire pixel) is high by the amount that the drain electrode 4b protrudes into the gaps 9s and 9t. Therefore, the amount of display light can be increased and bright display can be performed. Further, in the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the display light quantity can be increased only by improving the formation pattern of the drain electrode 4b, so that productivity does not decrease.

また、本形態では、データ線６ａとドレイン電極４ｂが異なる絶縁膜上に形成されているので、データ線６ａとドレイン電極４ｂとが短絡するおそれがない。従って、データ線６ａとドレイン電極４ｂとを平面的に重ねることができるので、隙間６ｔの略全体をドレイン電極４ｂと平面的に重なった状態とすることができる。それ故、有効画素開口率を最大限まで高めることができ、表示光量を大幅に増大することができる。   In this embodiment, since the data line 6a and the drain electrode 4b are formed on different insulating films, there is no possibility that the data line 6a and the drain electrode 4b are short-circuited. Therefore, since the data line 6a and the drain electrode 4b can be overlapped in a plane, substantially the entire gap 6t can be in a state of being overlapped in a plane with the drain electrode 4b. Therefore, the effective pixel aperture ratio can be increased to the maximum, and the amount of display light can be greatly increased.

［実施の形態３］
上記実施の形態１、２において、透光性絶縁膜７５についてはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる場合を説明したが、本形態では、透光性絶縁膜７５については、屈折率が異なる誘電体膜を多層に積層した誘電体多層膜を用いる。かかる誘電体多層膜は、増反射膜として機能するため、ドレイン電極４ｂ、６ｂでの反射率を高めることができる。それ故、表示光量を増大させることができる。 [Embodiment 3]
In the first and second embodiments, the case where the light-transmitting insulating film 75 is made of a silicon oxide film or a silicon nitride film has been described. However, in this embodiment, the light-transmitting insulating film 75 has a dielectric having a different refractive index. A dielectric multilayer film in which body films are laminated in multiple layers is used. Since such a dielectric multilayer film functions as an increased reflection film, the reflectance at the drain electrodes 4b and 6b can be increased. Therefore, the amount of display light can be increased.

かかる誘電体多層膜は、低屈折率層と高屈折率層とが交互に１層ずつ、計２層形成された構成や、低屈折率層と高屈折率層とを１組にして複数組（例えば、２組）が積層された構成を有している。ここで、低屈折率層と高屈折率層とは、屈折率の相対的な高低に定義されるものであり、その高低に絶対的な数値が存在するものではない。従って、例えば、屈折率が１．７未満のものを低屈折率層とし、屈折率が１．７以上のものを高屈折率層と定義すれば、低屈折率層および高屈折率層としては、以下の材料
低屈折率層
フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）／屈折率＝１．３８
二酸化シリコン（ＳｉＯ2）／屈折率＝１．４６
フッ化ランタン（ＬａＦ3）／屈折率＝１．５９
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）／屈折率＝１．６２
フッ化セリウム（ＣｅＦ3）／屈折率＝１．６３
高屈折率層
窒化シリコン（ＳｉＮ）／屈折率＝２．０５
酸化チタン（ＴｉＯ2）／屈折率＝２．１０
酸化ジルコニウム（ＺｒＯＦ2）／屈折率＝２．１０
酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）／屈折率＝２．１０
酸化タングステン（ＷＯ3）／屈折率＝２．３５
硫化亜鉛（ＺｎＳ）／屈折率＝２．３５
酸化セリウム（ＣｅＯ2）／屈折率＝２．４２
を単一あるいは混合して用いることができる。 Such a dielectric multilayer film has a configuration in which a low refractive index layer and a high refractive index layer are alternately formed in a total of two layers, or a combination of a low refractive index layer and a high refractive index layer. (For example, two sets) are stacked. Here, the low-refractive index layer and the high-refractive index layer are defined as relative levels of refractive index, and there is no absolute value for the level. Therefore, for example, if a low refractive index layer is defined as a low refractive index layer having a refractive index of less than 1.7 and a high refractive index layer having a refractive index of 1.7 or more is defined as the low refractive index layer and the high refractive index layer, The following materials Low refractive index layer Magnesium fluoride (MgF 2 ) / refractive index = 1.38
Silicon dioxide (SiO 2 ) / refractive index = 1.46
Lanthanum fluoride (LaF 3 ) / refractive index = 1.59
Aluminum oxide (Al 2 O 3 ) / refractive index = 1.62
Cerium fluoride (CeF 3 ) / refractive index = 1.63
High refractive index layer Silicon nitride (SiN) / refractive index = 2.05
Titanium oxide (TiO 2 ) / refractive index = 2.10
Zirconium oxide (ZrOF 2 ) / refractive index = 2.10
Tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) / refractive index = 2.10
Tungsten oxide (WO 3 ) / refractive index = 2.35
Zinc sulfide (ZnS) / refractive index = 2.35
Cerium oxide (CeO 2 ) / refractive index = 2.42
Can be used singly or in combination.

これらのいずれの誘電体膜を用いた場合も、低屈折率層および高屈折率層の各々の光学的膜厚ｎｄ（ｎ＝屈折率、ｄ＝膜厚）は、設計の際の波長λ0の１／４倍に設定される。 When any of these dielectric films is used, the optical film thickness nd (n = refractive index, d = film thickness) of each of the low refractive index layer and the high refractive index layer is the wavelength λ 0 at the time of design. Is set to 1/4 times.

なお、本形態の場合、隙間９ｓ、９ｔにおいてドレイン電極４ｂ、６ｂの上層には透光性絶縁膜７５と表面絶縁膜７８とが被さっている。従って、透光性絶縁膜７５と表面絶縁膜７８とを合わせた全体を誘電体多層膜とし、増反射膜として機能させてもよい。   In the case of this embodiment, the light-transmitting insulating film 75 and the surface insulating film 78 are covered over the drain electrodes 4b and 6b in the gaps 9s and 9t. Therefore, the whole of the light-transmitting insulating film 75 and the surface insulating film 78 may be a dielectric multilayer film and function as an increased reflection film.

［電子機器への搭載例］
本発明に係る反射型の液晶装置１００は、図８（ａ）に示す投射型表示装置（液晶プロジェクタ／電子機器）や、図８（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることができる。 [Example of mounting on electronic devices]
The reflective liquid crystal device 100 according to the present invention is used for the projection display device (liquid crystal projector / electronic device) shown in FIG. 8A and the portable electronic device shown in FIGS. 8B and 8C. Can do.

図８（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って光源部８１０、インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（液晶装置１００）を備えている。かかる投射型表示装置１０００は、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０に投射する。   A projection display apparatus 1000 shown in FIG. 8A includes a polarization illumination apparatus 800 in which a light source unit 810, an integrator lens 820, and a polarization conversion element 830 are arranged along the system optical axis L. In addition, the projection display apparatus 1000 includes a polarizing beam splitter 840 that reflects the S-polarized light beam emitted from the polarization illumination device 800 along the system optical axis L by the S-polarized light beam reflecting surface 841, and the S of the polarizing beam splitter 840. Of the light reflected from the polarized light beam reflecting surface 841, the dichroic mirror 842 that separates the blue light (B) component and the red light (R) component of the light flux after the blue light is separated are reflected. And a dichroic mirror 843 for separation. In addition, the projection display device 1000 includes three liquid crystal devices 100R, 100G, and 100B (liquid crystal device 100) on which each color light is incident. The projection display apparatus 1000 combines light modulated by the three liquid crystal devices 100R, 100G, and 100B by the dichroic mirrors 842 and 843 and the polarization beam splitter 840, and then combines the combined light with the projection optical system 850. Project onto the screen 860.

次に、図８（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００〈直視型表示装置〉を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１００に表示される画面がスクロールされる。図８（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置１００に表示される。   Next, the cellular phone 3000 shown in FIG. 8B includes a plurality of operation buttons 3001, scroll buttons 3002, and a liquid crystal device 100 <direct-view display device> as a display unit. By operating the scroll button 3002, the screen displayed on the liquid crystal device 100 is scrolled. A personal digital assistant (PDA) shown in FIG. 8C includes a plurality of operation buttons 4001, a power switch 4002, and the liquid crystal device 100 as a display unit. When the power switch 4002 is operated, an address is displayed. Various information such as a record and a schedule book is displayed on the liquid crystal device 100.

また、本発明を適用した液晶装置１００が搭載される電子機器としては、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すものの他、ヘッドマウンティトディスプレイ、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、銀行端末などの電子機器などが挙げられる。   Further, examples of electronic devices on which the liquid crystal device 100 to which the present invention is applied are mounted include those shown in FIGS. 8A, 8B, and 8C, as well as a head mounted display, a digital still camera, a liquid crystal television, and a view. Examples include finder type and monitor direct-view type video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, and bank terminals.

さらに、液晶装置１００を透過型に構成した場合も、透過型の投射型表示装置のライトバルブや、直視型の表示装置に本発明を適用した液晶装置１００を用いることができる。   Furthermore, even when the liquid crystal device 100 is configured as a transmission type, the light valve of the transmission type projection display device or the liquid crystal device 100 to which the present invention is applied to a direct-view display device can be used.

本発明を適用した反射型液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electrical constitution of the reflection type liquid crystal device to which this invention is applied. （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。(A), (b) is the top view which looked at the liquid crystal panel of the reflection type liquid crystal device to which this invention was applied from the side of the opposing board | substrate with each component, and its HH 'sectional drawing. （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る反射型の液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ１−Ａ１′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。(A), (b) is a plan view of pixels adjacent to each other in the element substrate used in the reflective liquid crystal device according to the first embodiment of the present invention, and a position corresponding to the A1-A1 ′ line. It is sectional drawing when a liquid crystal device is cut | disconnected. 図３に示す液晶装置の製造方法において、要部となる工程の工程断面図である。FIG. 4 is a process cross-sectional view of a process as a main part in the method for manufacturing the liquid crystal device illustrated in FIG. 3. 図３に示す液晶装置の製造方法において、要部となる工程の工程断面図である。FIG. 4 is a process cross-sectional view of a process as a main part in the method for manufacturing the liquid crystal device illustrated in FIG. 3. （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１の変形例に係る反射型の液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ２−Ａ２′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。(A), (b) respectively corresponds to a plan view of adjacent pixels in the element substrate used in the reflective liquid crystal device according to the modification of the first embodiment of the present invention, and corresponds to the A2-A2 ′ line thereof. It is sectional drawing when a liquid crystal device is cut | disconnected in the position which carries out. （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る反射型の液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ３−Ａ３′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。(A), (b) is a plan view of adjacent pixels in the element substrate used in the reflective liquid crystal device according to the second embodiment of the present invention, and a position corresponding to the A3-A3 ′ line. It is sectional drawing when a liquid crystal device is cut | disconnected. 本発明を適用した反射型の液晶装置を用いた電子機器の説明図である。It is explanatory drawing of the electronic device using the reflection type liquid crystal device to which this invention is applied.

符号の説明Explanation of symbols

４ｂ、６ｂ・・ドレイン電極（反射性中継電極）、６ａ・・データ線、９ａ・・画素電極、９ｓ、９ｔ・・隣接する画素電極間の隙間、１０・・第１基板、２０・・第２基板、２１・・共通電極、３０・・電界効果型トランジスタ（画素トランジスタ）、５０・・液晶層、７５・・透光性絶縁膜、１００・・液晶装置、１００ａ・・画素 4b, 6b..Drain electrode (reflective relay electrode), 6a..Data line, 9a..Pixel electrode, 9s, 9t..Gap between adjacent pixel electrodes, 10 ... First substrate, 20 .. 2. Substrate, 21 ... Common electrode, 30 ... Field effect transistor (pixel transistor), 50 ... Liquid crystal layer, 75 ... Translucent insulating film, 100 ... Liquid crystal device, 100a ... Pixel

Claims (11)

基板上にデータ線および走査線に接続された画素トランジスタと、該画素トランジスタに電気的接続された反射性中継電極と、該反射性中継電極を覆う透光性絶縁膜と、該透光性絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記反射性中継電極に電気的接続された反射性の画素電極と、を備えた画素を複数、有し、
前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極と、当該画素に隣接する画素に属する画素電極とに挟まれた隙間に対して平面的に重なっていることを特徴とする液晶装置。 A pixel transistor connected to a data line and a scanning line on a substrate; a reflective relay electrode electrically connected to the pixel transistor; a translucent insulating film covering the reflective relay electrode; and the translucent insulation A plurality of pixels including a reflective pixel electrode electrically connected to the reflective relay electrode through a contact hole formed in the film;
In the pixel, the reflective relay electrode is planarly overlapped with a gap sandwiched between a pixel electrode belonging to the pixel and a pixel electrode belonging to a pixel adjacent to the pixel. apparatus. 前記透光性絶縁膜は、屈折率が相違する複数の誘電体層が積層されてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。   2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the translucent insulating film is formed by laminating a plurality of dielectric layers having different refractive indexes. 前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極の端部と平面的に重なる位置から、隣接する画素電極の端部と平面的に重なる位置まで張り出していることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。   In the pixel, the reflective relay electrode protrudes from a position overlapping the end of the pixel electrode belonging to the pixel in a plane to a position overlapping the end of the adjacent pixel electrode. The liquid crystal device according to claim 1. 前記画素電極は、矩形あるいは略矩形の平面形状を備え、
前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極の少なくとも一辺の略全体から張り出していることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。 The pixel electrode has a rectangular or substantially rectangular planar shape,
4. The liquid crystal device according to claim 3, wherein in the pixel, the reflective relay electrode protrudes from substantially the whole of at least one side of the pixel electrode belonging to the pixel. 前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極の端部から前記データ線の延在方向の一方側、および前記走査線の延在方向の一方側の双方に向けて張り出していることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。   In the pixel, the reflective relay electrode protrudes from both ends of the pixel line belonging to the pixel toward one side in the extending direction of the data line and one side in the extending direction of the scanning line. The liquid crystal device according to claim 4, wherein the liquid crystal device is a liquid crystal device. 前記画素において、前記反射性中継電極は、前記データ線の延在方向の一方側で隣接する画素電極の端部、および前記走査線の延在方向の一方側で隣接する画素電極の端部の双方と平面的に重なっていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。   In the pixel, the reflective relay electrode includes an end portion of the pixel electrode adjacent on one side of the extending direction of the data line and an end portion of the pixel electrode adjacent on one side of the extending direction of the scanning line. The liquid crystal device according to claim 5, wherein the liquid crystal device overlaps with both in a plan view. 前記反射性中継電極は、前記データ線と同一の絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein the reflective relay electrode is formed on the same insulating layer as the data line. 前記反射性中継電極は、前記データ線と異なる絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein the reflective relay electrode is formed on an insulating layer different from the data line. 前記画素において、前記反射性中継電極は、前記隙間と平面的に重なる領域において、当該画素に属する画素トランジスタに電気的接続するデータ線の端部と平面的に重なっていることを特徴とする請求項８に液晶装置。   In the pixel, the reflective relay electrode overlaps with an end portion of a data line electrically connected to a pixel transistor belonging to the pixel in a region overlapping the gap in a plane. Item 8. A liquid crystal device. 前記データ線は、前記画素電極に対して前記走査線の延在方向の中央から偏った位置に平面的に重なるように延在していることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の液晶装置。   10. The data line according to claim 1, wherein the data line extends so as to planarly overlap a position deviated from a center in an extending direction of the scanning line with respect to the pixel electrode. The liquid crystal device according to item. 請求項１乃至１０の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1.
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