JP2006276112A - Liquid crystal device and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transverse electric field type transreflective liquid crystal device capable of obtaining display of high quality on both of reflective display and transparent display. <P>SOLUTION: The transreflective liquid crystal device provided with a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 which are opposed to each other through a liquid crystal layer 50 is a transreflective type reflecting/polarizing layer, where a common electrode 19 (first electrode) comprising a reflective common electrode (reflective polarizing layer) 19r and a transparent common electrode 19t, an inter-layer insulating film 13 covering the common electrode 19 and a pixel electrode (second electrode) 9 formed on the inter-layer insulating film 13 are formed on the TFT array substrate 10. The reflective common electrode 19r has a transmission axis and a reflection axis intersecting with the transmission axis, reflects polarized component light parallel with the reflection axis out of light made incident on the reflective common electrode 19r and transmits polarized component light parallel with the transmission axis. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus.

液晶装置の一形態として、液晶層に基板面方向の電界を印加して液晶分子の配向制御を行う方式(以下、横電界方式と称する。)のものが知られており、液晶に電界を印加する電極の形態によりIPS(In-Plane Switching)方式、FFS(Frige-Field Switching)方式等と呼ばれるものが知られている(例えば特許文献1参照)。
特開2003−131248号公報
As one form of a liquid crystal device, there is known a method of controlling the alignment of liquid crystal molecules by applying an electric field in the substrate surface direction to a liquid crystal layer (hereinafter referred to as a transverse electric field method), and applying an electric field to the liquid crystal. There are known what are called an IPS (In-Plane Switching) system, an FFS (Frige-Field Switching) system, etc., depending on the form of electrodes to be used (see, for example, Patent Document 1).
JP 2003-131248 A

ところで、携帯電話機等の携帯情報端末では、種々の環境で使用されることから、半透過反射型の液晶装置がその表示部に用いられている。そこで本発明者が、横電界により液晶を駆動する方式の半透過反射型液晶装置の検討を行ったところ、上記IPS方式やFFS方式の液晶装置では、その画素領域内に部分的に反射層を設けても半透過反射表示を行うことができないことが判明した。
したがって本発明の目的は、反射表示と透過表示の双方で高品質の表示を得ることができる横電界方式の半透過反射型液晶装置を提供することにある。
By the way, since a portable information terminal such as a cellular phone is used in various environments, a transflective liquid crystal device is used for its display unit. Therefore, the present inventor has studied a transflective liquid crystal device of a type in which liquid crystal is driven by a horizontal electric field. In the IPS mode or FFS mode liquid crystal device, a reflective layer is partially formed in the pixel region. It was found that transflective display could not be performed even if provided.
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a transflective liquid crystal device of a horizontal electric field type capable of obtaining a high quality display in both a reflective display and a transmissive display.

本発明は、上記課題を解決するために、液晶層を挟持して対向する第1基板と第2基板とを備え、1つのドット領域で反射表示と透過表示とを行う半透過反射型の液晶装置であって、前記第1基板上に、前記ドット領域内に形成された第1電極と、該第1電極を覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成されて前記第1電極との間に略基板平面方向の電界を生じさせる第2電極と、反射偏光層とが設けられており、前記反射偏光層は、透過軸と該透過軸に交差する反射軸とを有し、該反射偏光層に入射する光のうち前記反射軸に平行な偏光成分の光を反射し、前記透過軸に平行な偏光成分の光を透過する半透過反射型の反射偏光層であることを特徴とする液晶装置を提供する。   In order to solve the above problems, the present invention includes a first substrate and a second substrate that are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a transflective liquid crystal that performs reflection display and transmission display in one dot region. A device comprising: a first electrode formed in the dot region on the first substrate; an interlayer insulating film covering the first electrode; and the first electrode formed on the interlayer insulating film; A second electrode for generating an electric field in a substantially plane direction of the substrate, and a reflective polarizing layer, the reflective polarizing layer having a transmission axis and a reflection axis intersecting the transmission axis, It is a transflective reflective polarizing layer that reflects light having a polarization component parallel to the reflection axis and transmits light having a polarization component parallel to the transmission axis among light incident on the reflective polarization layer. Provided is a liquid crystal device.

この液晶装置は、第1電極と第2電極との間に形成した概略基板面方向の電界を液晶層に印加して液晶を駆動するFFS方式を採用した横電界方式の液晶装置である。本発明の液晶装置では、半透過反射型の反射偏光層を設けたことで、透過表示と反射表示の双方を良好なものとしており、簡便な構成を用いて横電界方式の半透過反射型液晶装置を実現することができるようになる。また本発明によれば、半透過反射型液晶装置の構成として従来から知られているマルチギャップ構造を採用することなく反射表示と透過表示の双方で高輝度、高コントラストの表示を得ることができる。   This liquid crystal device is a horizontal electric field type liquid crystal device adopting an FFS method in which an electric field in the direction of a substantially substrate surface formed between a first electrode and a second electrode is applied to a liquid crystal layer to drive the liquid crystal. In the liquid crystal device of the present invention, by providing a transflective reflective polarizing layer, both transmissive display and reflective display are good, and a horizontal electric field type transflective liquid crystal using a simple configuration is provided. The device can be realized. Further, according to the present invention, it is possible to obtain a display with high brightness and high contrast in both reflection display and transmission display without adopting a conventionally known multi-gap structure as a configuration of a transflective liquid crystal device. .

なお、本明細書において、例えばカラー液晶表示装置がR(赤)、G(緑)、B(青)の3個のドットで1個の画素を構成するような場合に対応し、表示を構成する最小単位となる表示領域を「ドット領域」と称する。また、前記ドット領域内に設けられた「反射表示領域」は、当該液晶表示装置の表示面側から入射する光を利用した表示が可能な領域をいい、「透過表示領域」は、当該液晶表示装置の背面側(前記表示面と反対側)から入射する光を利用した表示が可能な領域をいう。   In this specification, for example, the color liquid crystal display device corresponds to the case where one pixel is configured by three dots of R (red), G (green), and B (blue), and the display is configured. The display area that is the minimum unit to be performed is referred to as a “dot area”. Further, the “reflective display area” provided in the dot area refers to an area capable of display using light incident from the display surface side of the liquid crystal display device, and the “transmissive display area” refers to the liquid crystal display. A region where display using light incident from the back side of the device (opposite to the display surface) is possible.

本発明の液晶装置では、前記反射偏光層が、前記ドット領域内に部分的に形成されている構成とすることができる。かかる構成の液晶装置では、ドット領域のうち、反射偏光層が部分的に形成された領域で反射表示領域を構成し、残る非形成領域で透過表示領域を構成する。この場合、透過表示領域と反射表示領域とが明確に区画されるので、反射表示と透過表示のそれぞれにおいて光学設計を最適化することができ、より高画質の液晶装置を得る上で好都合である。   In the liquid crystal device of the present invention, the reflective polarizing layer may be partially formed in the dot region. In the liquid crystal device having such a configuration, the reflective display area is configured by the area where the reflective polarizing layer is partially formed in the dot area, and the transmissive display area is configured by the remaining non-formed area. In this case, since the transmissive display area and the reflective display area are clearly divided, the optical design can be optimized in each of the reflective display and the transmissive display, which is advantageous in obtaining a higher-quality liquid crystal device. .

本発明の液晶装置では、前記反射偏光層が、前記ドット領域の略全面に形成されている構成とすることもできる。かかる構成の液晶装置では、反射偏光層は入射した偏光成分を部分的に透過し、一部の偏光成分を反射するものとされる。反射偏光層をドット領域内でベタ状に形成できることから、製造の容易性、歩留まりの点で優れた構成となる。また、ドット領域を反射表示領域と透過表示領域とに区画する場合に比して、当該領域を広く利用でき、画素の光学設計が容易になる。   In the liquid crystal device of the present invention, the reflective polarizing layer may be formed on substantially the entire surface of the dot region. In the liquid crystal device having such a configuration, the reflective polarizing layer partially transmits the incident polarization component and reflects a part of the polarization component. Since the reflective polarizing layer can be formed in a solid shape within the dot region, the structure is excellent in terms of ease of manufacturing and yield. Further, as compared with the case where the dot area is divided into a reflective display area and a transmissive display area, the area can be widely used, and the optical design of the pixel is facilitated.

本発明の液晶装置では、前記反射偏光層が、複数のプリズムを配列形成したプリズムアレイと、該プリズムアレイ上に形成された誘電体干渉膜とを備えている構成とすることができる。かかる構成の反射偏光層は、反射率と透過率を誘電体干渉膜の積層構造により容易に調整することが可能であり、特にドット領域内の全面に反射偏光層を設けた構成に使用して好適である。   In the liquid crystal device of the present invention, the reflective polarizing layer may include a prism array in which a plurality of prisms are formed and a dielectric interference film formed on the prism array. The reflective polarizing layer having such a configuration can easily adjust the reflectance and transmittance by the laminated structure of the dielectric interference film, and is particularly used for the configuration in which the reflective polarizing layer is provided on the entire surface of the dot region. Is preferred.

本発明の液晶装置では、前記反射偏光層が、微細なスリット状の開口部が複数設けられた金属反射膜を備えている構成とすることができる。かかる構成の反射偏光層は、上記プリズムアレイ上に誘電体干渉膜を形成した構成に比して偏光度が高く、パターニングが容易であるという利点を有している。従って、ドット領域内に部分的に反射偏光層を設けた構成に用いて好適な反射偏光層である。   In the liquid crystal device of the present invention, the reflective polarizing layer may include a metal reflective film provided with a plurality of fine slit-shaped openings. The reflective polarizing layer having such a configuration has the advantage that the degree of polarization is high and the patterning is easy as compared with the configuration in which the dielectric interference film is formed on the prism array. Therefore, it is a reflective polarizing layer suitable for use in a configuration in which a reflective polarizing layer is partially provided in the dot region.

本発明の液晶装置では、前記反射偏光層が、前記第1電極と電気的に接続されていてもよい。このような構成とすれば、反射偏光層を液晶に電圧を印加するための電極の一部として用いることができる。   In the liquid crystal device of the present invention, the reflective polarizing layer may be electrically connected to the first electrode. With such a configuration, the reflective polarizing layer can be used as part of an electrode for applying a voltage to the liquid crystal.

本発明の液晶装置は、前記液晶層の層厚が、前記ドット領域内で略均一であることを特徴とする。本発明の液晶装置では、マルチギャップ構造を用いないことから、液晶層の層厚をドット領域内で均一なものとすることができるので、液晶層厚により駆動電圧が大きく異なってしまう横電界方式の液晶装置において、ドット領域内に駆動電圧の不均一が生じるのを防止することができ、高画質の透過表示及び反射表示を得ることができる。   The liquid crystal device according to the present invention is characterized in that a layer thickness of the liquid crystal layer is substantially uniform in the dot region. In the liquid crystal device of the present invention, since the multi-gap structure is not used, the layer thickness of the liquid crystal layer can be made uniform in the dot region, so that the driving voltage varies greatly depending on the liquid crystal layer thickness. In this liquid crystal device, it is possible to prevent the drive voltage from becoming uneven in the dot region, and to obtain high-quality transmissive display and reflective display.

本発明の液晶装置では、前記第1基板の外面側に照明装置が配設されていることを特徴とする。本発明の液晶装置では、前記第1基板に反射表示を行うための反射偏光層と、液晶を駆動するための第1電極及び第2電極が設けられているので、第1基板を表示面側に配置としない液晶装置を構成できる。第1基板が表示面側に配置されていると、前記第1電極ないし第2電極に駆動信号を供給するために第1基板上に形成される金属配線等によって外光が乱反射され、液晶装置の視認性を低下させることがあるが、本発明では、このような外光の乱反射は生じず、優れた視認性を得ることができる。   In the liquid crystal device of the present invention, an illumination device is disposed on the outer surface side of the first substrate. In the liquid crystal device of the present invention, the first substrate is provided with a reflective polarizing layer for performing reflective display, and a first electrode and a second electrode for driving the liquid crystal. A liquid crystal device that is not arranged in the above can be configured. When the first substrate is disposed on the display surface side, external light is irregularly reflected by a metal wiring or the like formed on the first substrate to supply a driving signal to the first electrode or the second electrode, and the liquid crystal device However, in the present invention, such irregular reflection of external light does not occur, and excellent visibility can be obtained.

本発明の液晶装置では、前記第1基板と前記照明装置との間に偏光板が設けられており、前記偏光板の透過軸が、前記反射偏光層の透過軸と略直交する向きに配置されていることが好ましい。このような構成とすることで、照明装置から入射する照明光の利用効率を最大にすることができ、明るい透過表示を得られるようになる。   In the liquid crystal device of the present invention, a polarizing plate is provided between the first substrate and the illumination device, and the transmission axis of the polarizing plate is arranged in a direction substantially orthogonal to the transmission axis of the reflective polarizing layer. It is preferable. With such a configuration, the utilization efficiency of the illumination light incident from the illumination device can be maximized, and a bright transmissive display can be obtained.

本発明の液晶装置では、前記第1基板及び第2基板のいずれかにカラーフィルタが設けられ、該カラーフィルタは、ドット領域内で異なる色度を有する複数の平面領域に区画されている構成とすることができる。この構成によれば、反射表示領域と透過表示領域のそれぞれで、適切な色度のカラー表示が可能になり、より色鮮やかな高画質の液晶装置とすることができる。   In the liquid crystal device of the present invention, a color filter is provided on either the first substrate or the second substrate, and the color filter is partitioned into a plurality of planar regions having different chromaticities within the dot region. can do. According to this configuration, it is possible to perform color display with appropriate chromaticity in each of the reflective display region and the transmissive display region, and a liquid crystal device with more colorful and high image quality can be obtained.

次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、高輝度、高コントラスト、広視野角の透過表示及び反射表示が可能な表示部を具備した電子機器が提供される。   Next, an electronic apparatus according to the present invention includes the liquid crystal device according to the present invention described above. According to this configuration, it is possible to provide an electronic apparatus including a display unit that can perform transmissive display and reflective display with high brightness, high contrast, and a wide viewing angle.

(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態に係る液晶装置について図面を参照して説明する。本実施形態の液晶装置は、液晶に対して基板面方向の電界(横電界)を印加し、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、FFS(Fringe Field Switching)方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。また本実施形態の液晶装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色光を出力する3個のドットで1個の画素を構成するものとなっている。したがって表示を構成する最小単位となる表示領域を「ドット領域」、一組(R,G,B)のドットから構成される表示領域を「画素領域」と称する。
(First embodiment)
Hereinafter, a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The liquid crystal device according to the present embodiment is called an FFS (Fringe Field Switching) method among horizontal electric field methods in which an image is displayed by applying an electric field (lateral electric field) in the direction of the substrate surface to the liquid crystal and controlling the alignment. This is a liquid crystal device that employs this method. The liquid crystal device according to the present embodiment is a color liquid crystal device having a color filter on a substrate, one for each of three dots that output light of each color of R (red), G (green), and B (blue). This constitutes the pixel. Therefore, a display area that is a minimum unit that constitutes a display is referred to as a “dot area”, and a display area that is composed of a set of (R, G, B) dots is referred to as a “pixel area”.

図1は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成された複数のドット領域の回路構成図である。図2(a)は液晶装置100の任意の1ドット領域における平面構成図であり、図2(b)は、液晶装置100を構成する各光学素子の光学軸の配置関係を示す説明図である。図3は図2(a)のA−A'線に沿う部分断面構成図である。
なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a plurality of dot regions formed in a matrix that constitutes the liquid crystal device of the present embodiment. 2A is a plan configuration diagram in an arbitrary one-dot region of the liquid crystal device 100, and FIG. 2B is an explanatory diagram showing an arrangement relationship of optical axes of each optical element constituting the liquid crystal device 100. FIG. . FIG. 3 is a partial cross-sectional configuration diagram taken along the line AA ′ of FIG.
In each drawing, each layer and each member are displayed in different scales so that each layer and each member can be recognized on the drawing.

図1に示すように、液晶装置100の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のドット領域には、それぞれ画素電極9と画素電極9をスイッチング制御するためのTFT30とが形成されており、データ線駆動回路101から延びるデータ線6aがTFT30のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路101は、画像信号S1、S2、…、Snをデータ線6aを介して各画素に供給する。前記画像信号S1〜Snはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。   As shown in FIG. 1, a pixel electrode 9 and a TFT 30 for switching control of the pixel electrode 9 are formed in a plurality of dot regions formed in a matrix forming the image display region of the liquid crystal device 100. The data line 6 a extending from the data line driving circuit 101 is electrically connected to the source of the TFT 30. The data line driving circuit 101 supplies the image signals S1, S2,..., Sn to each pixel via the data line 6a. The image signals S1 to Sn may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a.

また、TFT30のゲートには、走査線駆動回路102から延びる走査線3aが電気的に接続されており、走査線駆動回路102から所定のタイミングで走査線3aにパルス的に供給される走査信号G1、G2、…、Gmが、この順に線順次でTFT30のゲートに印加されるようになっている。画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるTFT30が走査信号G1、G2、…、Gmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snが所定のタイミングで画素電極9に書き込まれるようになっている。   Further, the scanning line 3a extending from the scanning line driving circuit 102 is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signal G1 is supplied from the scanning line driving circuit 102 to the scanning line 3a in a pulse manner at a predetermined timing. , G2,..., Gm are applied to the gate of the TFT 30 in the order of lines in this order. The pixel electrode 9 is electrically connected to the drain of the TFT 30. The TFT 30 serving as a switching element is turned on for a certain period by the input of scanning signals G1, G2,..., Gm, so that the image signals S1, S2,. Writing is performed on the pixel electrode 9.

画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、画素電極9と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が付与されている。蓄積容量70はTFT30のドレインと容量線3bとの間に設けられている。   Image signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 9 are held for a certain period between the pixel electrode 9 and the common electrode opposed via the liquid crystal. Here, in order to prevent the held image signal from leaking, a storage capacitor 70 is provided in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9 and the common electrode. The storage capacitor 70 is provided between the drain of the TFT 30 and the capacitor line 3b.

次に、図2及び図3を参照して液晶装置100の詳細な構成について説明する。液晶装置100は、図3に示すようにTFTアレイ基板(第1基板)10と対向基板(第2基板)20との間に液晶層50を挟持した構成を備えており、液晶層50は、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向する領域の縁端に沿って設けられた図示略のシール材によって基板10,20間に封止されている。TFTアレイ基板10の背面側(図示下面側)には、導光板91と反射板92とを具備したバックライト(照明装置)90が設けられている。   Next, a detailed configuration of the liquid crystal device 100 will be described with reference to FIGS. The liquid crystal device 100 has a configuration in which a liquid crystal layer 50 is sandwiched between a TFT array substrate (first substrate) 10 and a counter substrate (second substrate) 20 as shown in FIG. The TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are sealed between the substrates 10 and 20 by a seal material (not shown) provided along an edge of a region where the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 face each other. A backlight (illuminating device) 90 including a light guide plate 91 and a reflecting plate 92 is provided on the back side (the lower side in the drawing) of the TFT array substrate 10.

図2に示すように、液晶装置100のドット領域には、平面視略熊手状(櫛歯状)を成すY軸方向に長手の画素電極(第2電極)9と、画素電極9と平面的に重なって配置された平面略ベタ状の共通電極(第1電極)19とが設けられている。ドット領域の図示左上の角部には、TFTアレイ基板10と対向基板20とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサ40が立設されている。
画素電極9は、Y軸方向に延びる複数本(図示では5本)の画素電極部9cと、これら複数の画素電極部9cの+Y側の各端部に接続されてX軸方向に延在する基端部9aと、基端部9aのX軸方向中央部から+Y側に延出されたコンタクト部9bとからなる。
As shown in FIG. 2, the dot region of the liquid crystal device 100 includes a pixel electrode (second electrode) 9 that is substantially rake-like (comb-like) in plan view and that is long in the Y-axis direction. And a common electrode (first electrode) 19 having a substantially flat surface arranged in a plane. A columnar spacer 40 is erected on the upper left corner of the dot area to hold the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 at a predetermined interval.
The pixel electrode 9 is connected to a plurality (five in the drawing) of pixel electrode portions 9c extending in the Y-axis direction, and ends on the + Y side of the plurality of pixel electrode portions 9c, and extends in the X-axis direction. It consists of a base end portion 9a and a contact portion 9b extending to the + Y side from the central portion in the X-axis direction of the base end portion 9a.

共通電極19は、図2に示す画素領域内で透明共通電極19tと反射共通電極19rとに区画されており、画像表示領域全体では、X軸方向に延びる透明共通電極19tと反射共通電極19rとがY軸方向に関して交互に配列された構成である。本実施形態の場合、透明共通電極19tはITO(インジウム錫酸化物)等の透明導電材料からなる導電膜であり、反射共通電極19rは、詳細は後述するが、微細なスリット構造を具備した光反射性の金属膜からなる反射偏光層である。   The common electrode 19 is partitioned into a transparent common electrode 19t and a reflective common electrode 19r in the pixel region shown in FIG. 2, and the transparent common electrode 19t and the reflective common electrode 19r extending in the X-axis direction in the entire image display region. Are arranged alternately in the Y-axis direction. In the case of this embodiment, the transparent common electrode 19t is a conductive film made of a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide), and the reflective common electrode 19r is a light having a fine slit structure, as will be described in detail later. It is a reflective polarizing layer made of a reflective metal film.

TFT30には、X軸方向に延びるデータ線6aと、Y軸方向に延びる走査線3aと、走査線3aに隣接して走査線3aと平行に延びる容量線3bとが形成されている。データ線6aと走査線3aとの交差部の近傍にTFT30が設けられている。TFT30は走査線3aの平面領域内に部分的に形成されたアモルファスシリコンからなる半導体層35と、半導体層35と一部平面的に重なって形成されたソース電極6b、及びドレイン電極32とを備えている。走査線3aは半導体層35と平面的に重なる位置でTFT30のゲート電極として機能する。   In the TFT 30, a data line 6a extending in the X-axis direction, a scanning line 3a extending in the Y-axis direction, and a capacitor line 3b extending in parallel with the scanning line 3a adjacent to the scanning line 3a are formed. A TFT 30 is provided in the vicinity of the intersection of the data line 6a and the scanning line 3a. The TFT 30 includes a semiconductor layer 35 made of amorphous silicon partially formed in a planar region of the scanning line 3a, a source electrode 6b formed partially overlapping the semiconductor layer 35, and a drain electrode 32. ing. The scanning line 3 a functions as a gate electrode of the TFT 30 at a position overlapping the semiconductor layer 35 in plan view.

TFT30のソース電極6bは、データ線6aから分岐されて半導体層35に延びる平面視略逆L形に形成されており、ドレイン電極32は、−Y側に延びて平面視略矩形状の容量電極31と電気的に接続されている。容量電極31には、画素電極9のコンタクト部9bが−Y側から進出して配置されており、両者が平面的に重なる位置には画素コンタクトホール45が設けられている。そして前記画素コンタクトホール45を介して容量電極31と画素電極9とが電気的に接続されている。
また容量電極31は、容量線3bの平面領域内に配置されており、厚さ方向で対向する容量電極31と容量線3bとを電極とする蓄積容量70が形成されている。
The source electrode 6b of the TFT 30 is formed in a substantially inverted L shape in plan view extending from the data line 6a and extending to the semiconductor layer 35. The drain electrode 32 extends to the −Y side and is a capacitive electrode having a substantially rectangular shape in plan view. 31 is electrically connected. The capacitor electrode 31 has a contact portion 9b of the pixel electrode 9 extending from the −Y side, and a pixel contact hole 45 is provided at a position where the two overlap in a plane. The capacitor electrode 31 and the pixel electrode 9 are electrically connected through the pixel contact hole 45.
The capacitor electrode 31 is disposed in the planar region of the capacitor line 3b, and a storage capacitor 70 is formed using the capacitor electrode 31 and the capacitor line 3b that are opposed in the thickness direction as electrodes.

図3に示す断面構造をみると、互いに対向して配置されたTFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が挟持されている。TFTアレイ基板10は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体10Aを基体としてなり、基板本体10Aの内面側(液晶層50側)には、走査線3a及び容量線3bが形成されており、走査線3a及び容量線3bを覆って、酸化シリコン等の透明絶縁膜からなるゲート絶縁膜11が形成されている。   Looking at the cross-sectional structure shown in FIG. 3, the liquid crystal layer 50 is sandwiched between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 that are arranged to face each other. The TFT array substrate 10 has a translucent substrate body 10A made of glass, quartz, plastic, or the like as a base, and scanning lines 3a and capacitance lines 3b are formed on the inner surface side (the liquid crystal layer 50 side) of the substrate body 10A. A gate insulating film 11 made of a transparent insulating film such as silicon oxide is formed so as to cover the scanning lines 3a and the capacitor lines 3b.

ゲート絶縁膜11上に、アモルファスシリコンの半導体層35が形成されており、半導体層35に一部乗り上げるようにしてソース電極6bと、ドレイン電極32とが設けられている。ドレイン電極32の+X側には容量電極31が一体に形成されている。半導体層35は、ゲート絶縁膜11を介して走査線3aと対向配置されており、当該対向領域で走査線3aがTFT30のゲート電極を構成するようになっている。
容量電極31は、ゲート絶縁膜11を介して容量線3bと対向配置されており、容量電極31と容量線3bとが対向する領域に、ゲート絶縁膜11をその誘電体膜とする蓄積容量70が形成されている。
An amorphous silicon semiconductor layer 35 is formed on the gate insulating film 11, and a source electrode 6 b and a drain electrode 32 are provided so as to partially run over the semiconductor layer 35. A capacitive electrode 31 is integrally formed on the + X side of the drain electrode 32. The semiconductor layer 35 is disposed to face the scanning line 3 a via the gate insulating film 11, and the scanning line 3 a constitutes the gate electrode of the TFT 30 in the facing region.
The capacitor electrode 31 is disposed opposite to the capacitor line 3b via the gate insulating film 11, and the storage capacitor 70 using the gate insulating film 11 as a dielectric film in a region where the capacitor electrode 31 and the capacitor line 3b are opposed to each other. Is formed.

半導体層35、ソース電極6b、ドレイン電極32、及び容量電極31を覆って、酸化シリコン等からなる第1層間絶縁膜12が形成されており、第1層間絶縁膜12上に、ITO等の透明導電材料からなる透明共通電極19tと、アルミニウム等の反射性の金属膜を主体としてなる反射共通電極(反射偏光層)19rとからなる共通電極19が形成されている。したがって、本実施形態の液晶装置100は、図2(a)に示す1ドット領域内のうち、透明共通電極19tの平面領域と、画素電極9を内包する平面領域との重なった領域が、バックライト90から入射して液晶層50を透過する光を変調して表示を行う透過表示領域Tとなっている。また、反射共通電極19rの平面領域と、画素電極9を内包する平面領域との重なった領域が、対向基板20の外側から入射して液晶層50を透過する光を反射、変調して表示を行う反射表示領域Rとなっている。   A first interlayer insulating film 12 made of silicon oxide or the like is formed so as to cover the semiconductor layer 35, the source electrode 6 b, the drain electrode 32, and the capacitor electrode 31, and transparent such as ITO is formed on the first interlayer insulating film 12. A common electrode 19 is formed which includes a transparent common electrode 19t made of a conductive material and a reflective common electrode (reflective polarizing layer) 19r mainly made of a reflective metal film such as aluminum. Therefore, in the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the area where the plane area of the transparent common electrode 19t and the plane area including the pixel electrode 9 overlap in the one dot area shown in FIG. This is a transmissive display region T for performing display by modulating light incident from the light 90 and transmitted through the liquid crystal layer 50. In addition, a region where the planar region of the reflective common electrode 19r overlaps with the planar region including the pixel electrode 9 reflects and modulates light that is incident from the outside of the counter substrate 20 and is transmitted through the liquid crystal layer 50, thereby performing display. This is the reflective display area R to be performed.

なお、図2及び図3には、共通電極19を構成する透明共通電極19tと反射共通電極19rとが平面的に区画されている場合が示されているが、透明共通電極19tが、反射共通電極19rを覆うように延設されていてもよい。このような構成とすれば、画素電極9と対向する共通電極19の表面に一様に透明共通電極19tが配されることとなるので、画素電極9と共通電極19との間に生じる電界をドット領域内で均一化することができる。   FIGS. 2 and 3 show a case where the transparent common electrode 19t and the reflective common electrode 19r constituting the common electrode 19 are partitioned in a plane, but the transparent common electrode 19t is commonly used for reflection. It may extend so as to cover the electrode 19r. With such a configuration, since the transparent common electrode 19t is uniformly disposed on the surface of the common electrode 19 facing the pixel electrode 9, the electric field generated between the pixel electrode 9 and the common electrode 19 is reduced. It is possible to make uniform within the dot area.

共通電極19を覆って酸化シリコン等からなる第2層間絶縁膜13が形成されており、第2層間絶縁膜13上にITO等の透明導電材料からなる画素電極9が形成されている。第1層間絶縁膜12及び第2層間絶縁膜13を貫通して容量電極31に達する画素コンタクトホール45が形成されており、この画素コンタクトホール45内に画素電極9のコンタクト部9bが一部埋設されることで、画素電極9と容量電極31とが電気的に接続されている。なお、上記画素コンタクトホール45の形成領域に対応して共通電極19にも開口部が設けられており、共通電極19と画素電極9とが接触しないようになっている。画素電極9を覆う第2層間絶縁膜13上の領域には、ポリイミド等からなる配向膜18が形成されている。   A second interlayer insulating film 13 made of silicon oxide or the like is formed so as to cover the common electrode 19, and a pixel electrode 9 made of a transparent conductive material such as ITO is formed on the second interlayer insulating film 13. A pixel contact hole 45 that penetrates the first interlayer insulating film 12 and the second interlayer insulating film 13 and reaches the capacitor electrode 31 is formed, and a contact portion 9 b of the pixel electrode 9 is partially embedded in the pixel contact hole 45. As a result, the pixel electrode 9 and the capacitor electrode 31 are electrically connected. The common electrode 19 is also provided with an opening corresponding to the region where the pixel contact hole 45 is formed, so that the common electrode 19 and the pixel electrode 9 are not in contact with each other. An alignment film 18 made of polyimide or the like is formed in a region on the second interlayer insulating film 13 covering the pixel electrode 9.

一方、対向基板20の内面側(液晶層50側)には、カラーフィルタ22と、配向膜28とが積層されており、対向基板20の外面側には、偏光板24が設けられている。なお、対向基板20の外面側には、偏光板24のほか、位相差板その他の光学素子を設けることができる。
カラーフィルタ22は、画素領域内で色度の異なる2種類の領域に区画された構成とすることが好ましく、具体例を挙げると、透過表示領域を構成する透明共通電極19tの平面領域に対応して第1の色材領域が設けられ、反射表示領域を構成する反射共通電極19tの平面領域に対応して第2の色材領域が設けられており、第1の色材領域の色度が、第2の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。このような構成とすることで、カラーフィルタ22を表示光が1回のみ透過する透過表示領域と、2回透過する反射表示領域との間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを同じくして表示品質を向上させることができる。
On the other hand, a color filter 22 and an alignment film 28 are laminated on the inner surface side (liquid crystal layer 50 side) of the counter substrate 20, and a polarizing plate 24 is provided on the outer surface side of the counter substrate 20. In addition to the polarizing plate 24, a retardation plate and other optical elements can be provided on the outer surface side of the counter substrate 20.
The color filter 22 is preferably configured to be divided into two types of regions having different chromaticities in the pixel region. Specifically, the color filter 22 corresponds to a planar region of the transparent common electrode 19t constituting the transmissive display region. The first color material region is provided, the second color material region is provided corresponding to the planar region of the reflective common electrode 19t constituting the reflective display region, and the chromaticity of the first color material region is A configuration that is larger than the chromaticity of the second color material region can be employed. By adopting such a configuration, it is possible to prevent the chromaticity of the display light from being different between the transmissive display area where the display light is transmitted only once through the color filter 22 and the reflective display area where the display light is transmitted twice. Display quality can be improved by making the display and the transparent display look the same.

ここで、図4は反射偏光層である反射共通電極19rの構成及び作用を説明するための図であり、図4(a)は反射共通電極19rの平面構成図であり、図4(b)は図4(a)のJ−J’線に沿う側面構成図である。
図4(a)及び図4(b)に示すように、反射共通電極19rはアルミニウム等の光反射性の金属膜71を主体としてなり、金属膜71に所定ピッチで平面視ストライプ状を成す複数の微細なスリット72が形成された構成を備えている。上記複数のスリット72は、互いに平行に同一幅を有して形成されている。スリット72の幅は30nm〜300nm程度であり、複数のスリット72が所定ピッチで形成された結果線状とされた金属膜71の線幅は30nm〜300nm程度である。
Here, FIG. 4 is a diagram for explaining the configuration and operation of the reflective common electrode 19r, which is a reflective polarizing layer, and FIG. 4 (a) is a plan configuration diagram of the reflective common electrode 19r, and FIG. 4 (b). These are side surface block diagrams which follow the JJ 'line | wire of Fig.4 (a).
As shown in FIGS. 4A and 4B, the reflective common electrode 19r is mainly composed of a light-reflective metal film 71 such as aluminum, and a plurality of stripes in plan view are formed on the metal film 71 at a predetermined pitch. The fine slit 72 is formed. The plurality of slits 72 are formed in parallel with each other and have the same width. The width of the slit 72 is about 30 nm to 300 nm, and the line width of the metal film 71 that is linear as a result of the formation of the plurality of slits 72 at a predetermined pitch is about 30 nm to 300 nm.

上記構成を具備した反射共通電極19rは、図4(b)に示すように、その上面側から光Eが入射されると、スリット72の長さ方向に平行な偏光成分は反射光Erとして反射され、スリット72の幅方向に平行な偏光成分は透過光Etとして透過される。すなわち、反射共通電極19rは、スリット72の延在方向に平行な反射軸と、この反射軸と直交する方向の透過軸とを有するものとなっている。   As shown in FIG. 4B, the reflective common electrode 19r having the above configuration reflects the polarized light component parallel to the length direction of the slit 72 as reflected light Er when light E is incident from the upper surface side. Then, the polarization component parallel to the width direction of the slit 72 is transmitted as transmitted light Et. That is, the reflection common electrode 19r has a reflection axis parallel to the extending direction of the slit 72 and a transmission axis in a direction perpendicular to the reflection axis.

上記反射共通電極19rは、図2(b)の光学軸の配置図に示すように、液晶装置100において、その透過軸(スリット72の延在方向に直交する方向)157が、対向基板20側の偏光板24の透過軸153と平行となるように配置されており、TFTアレイ基板10側の偏光板14の透過軸と直交する向きに配置されている。また、本実施形態の液晶装置100では、配向膜18,28は平面視同一方向にラビング処理されており、その方向は、図2(b)に示すラビング方向151である。したがって、反射共通電極19rの透過軸157と配向膜18,28のラビング方向151とは平行に配置されている。
なお、ラビング方向151は、液晶装置100の画素配列方向(Y軸方向)に平行に延びる画素電極部9c…対して約30°の角度を成している。
As shown in the arrangement diagram of the optical axis in FIG. 2B, the reflection common electrode 19r has a transmission axis (direction orthogonal to the extending direction of the slit 72) 157 in the liquid crystal device 100. The polarizing plate 24 is arranged so as to be parallel to the transmission axis 153 of the polarizing plate 24 and is arranged in a direction orthogonal to the transmission axis of the polarizing plate 14 on the TFT array substrate 10 side. In the liquid crystal device 100 of this embodiment, the alignment films 18 and 28 are rubbed in the same direction in plan view, and the direction is a rubbing direction 151 shown in FIG. Therefore, the transmission axis 157 of the reflective common electrode 19r and the rubbing direction 151 of the alignment films 18 and 28 are arranged in parallel.
The rubbing direction 151 forms an angle of about 30 ° with respect to the pixel electrode portions 9c extending in parallel with the pixel arrangement direction (Y-axis direction) of the liquid crystal device 100.

上記構成を具備した液晶装置100は、FFS方式の液晶装置であり、TFT30を介して画素電極9に画像信号(電圧)を印加することで、画素電極9と共通電極19との間に基板面方向(平面視では図2X軸方向)の電界を生じさせ、かかる電界によって液晶を駆動し、各ドットごとの透過率/反射率を変化させることで画像表示を行うものとなっている。図2(b)に示したように、液晶層50を挟持して対向する配向膜18,28は平面視で同一方向にラビング処理されているので、画素電極9に電圧を印加しない状態では、液晶層50を構成する液晶分子は、基板10,20間でラビング方向151に沿って水平に配向した状態となっている。そして、このような液晶層50に画素電極9と共通電極19との間に形成した電界を作用させると、図2(a)に示す画素電極部9cの線幅方向(X軸方向)に沿って液晶分子が配向する。液晶装置100は、このような液晶分子の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して明暗表示を行うようになっている。
なお、液晶装置100の動作時に共通電極19は、画素電極9との間で所定範囲の電圧差を生じさせるべく定電圧に保持されていればよいが、走査線3aに入力する走査パルスと同期したパルス信号を入力してもよい。
The liquid crystal device 100 having the above-described configuration is an FFS liquid crystal device, and an image signal (voltage) is applied to the pixel electrode 9 through the TFT 30 so that the substrate surface is interposed between the pixel electrode 9 and the common electrode 19. An electric field in the direction (X-axis direction in FIG. 2 in plan view) is generated, the liquid crystal is driven by the electric field, and the transmittance / reflectance for each dot is changed to display an image. As shown in FIG. 2B, since the alignment films 18 and 28 facing each other with the liquid crystal layer 50 interposed therebetween are rubbed in the same direction in plan view, in a state where no voltage is applied to the pixel electrode 9, Liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 50 are horizontally aligned between the substrates 10 and 20 along the rubbing direction 151. When an electric field formed between the pixel electrode 9 and the common electrode 19 is applied to the liquid crystal layer 50, the line width direction (X-axis direction) of the pixel electrode portion 9c shown in FIG. The liquid crystal molecules are aligned. The liquid crystal device 100 performs bright and dark display using birefringence based on the difference in the alignment state of liquid crystal molecules.
Note that the common electrode 19 only needs to be held at a constant voltage so as to cause a voltage difference within a predetermined range with the pixel electrode 9 during the operation of the liquid crystal device 100, but is synchronized with the scanning pulse input to the scanning line 3a. A pulse signal may be input.

次に、上記構成を具備した液晶装置100の動作について図5を参照して説明する。図5は、液晶装置100の動作説明図である。同図には図3に示した構成要素のうち、説明に必要な構成要素のみが抜き出して示されており、図示上側から順に、偏光板24と、液晶層50と、共通電極19と、偏光板14と、バックライト90とが示されている。   Next, the operation of the liquid crystal device 100 having the above configuration will be described with reference to FIG. FIG. 5 is an operation explanatory diagram of the liquid crystal device 100. In FIG. 3, only the components necessary for explanation are extracted from the components shown in FIG. 3, and the polarizing plate 24, the liquid crystal layer 50, the common electrode 19, and the polarization are sequentially shown from the upper side in the drawing. A plate 14 and a backlight 90 are shown.

まず、図5右側の透過表示(透過モード)について説明する。
液晶装置100において、バックライト90から射出された光は、偏光板14を透過することで偏光板14の透過軸155に平行な直線偏光に変換されて共通電極19に入射し、共通電極19のうち透明共通電極19tを透過して液晶層50に入射する。そして、液晶層50がオン状態(画素電極9と共通電極19との間に選択電圧が印加された状態)であれば、上記入射光は液晶層50により所定の位相差(λ/2)を付与され、偏光板24の透過軸153と平行な直線偏光に変換される。これにより偏光板24を透過した光が表示光として視認され、当該ドットは明表示となる。
First, the transmissive display (transmission mode) on the right side of FIG. 5 will be described.
In the liquid crystal device 100, the light emitted from the backlight 90 passes through the polarizing plate 14, is converted into linearly polarized light parallel to the transmission axis 155 of the polarizing plate 14, and enters the common electrode 19. Of these, the light passes through the transparent common electrode 19 t and enters the liquid crystal layer 50. If the liquid crystal layer 50 is in an on state (a selection voltage is applied between the pixel electrode 9 and the common electrode 19), the incident light has a predetermined phase difference (λ / 2) by the liquid crystal layer 50. And is converted into linearly polarized light parallel to the transmission axis 153 of the polarizing plate 24. Thereby, the light transmitted through the polarizing plate 24 is visually recognized as display light, and the dot is brightly displayed.

一方、液晶層50がオフ状態(上記選択電圧が印加されていない状態)であれば、入射光はその偏光状態を維持したまま偏光板24に達し、当該入射光と平行な吸収軸(透過軸153と直交する光学軸)を有する偏光板24に吸収され、当該ドットは暗表示となる。
なお、偏光板14を透過して反射共通電極19rに入射した光は、当該直線偏光と平行な反射軸を有する反射共通電極19rによって反射されるので、液晶層50に入射することなくバックライト90側へ戻される。
On the other hand, if the liquid crystal layer 50 is in an off state (a state where the selection voltage is not applied), incident light reaches the polarizing plate 24 while maintaining its polarization state, and an absorption axis (transmission axis) parallel to the incident light. The dots are absorbed by the polarizing plate 24 having an optical axis orthogonal to 153, and the dots are darkly displayed.
Note that the light that has passed through the polarizing plate 14 and entered the reflective common electrode 19r is reflected by the reflective common electrode 19r having a reflection axis parallel to the linearly polarized light, so that the backlight 90 does not enter the liquid crystal layer 50. Back to the side.

次に、図5左側の反射表示について説明する。
反射表示において、偏光板24の上方(外側)から入射した光は、偏光板24を透過することで偏光板24の透過軸153に平行な直線偏光に変換されて液晶層50に入射する。このとき液晶層50がオン状態であれば、上記入射光は液晶層50により所定の位相差(λ/2)を付与されて反射共通電極19rに入射する。図2(b)に示したように、反射偏光層である反射共通電極19rは、偏光板14の透過軸153と平行な透過軸157と、それに直交する反射軸を有しているので、上記オン状態の液晶層50を透過して反射共通電極19rに入射した光は、その偏光状態を保持したまま反射される。再度液晶層50に入射した反射光は、液晶層50の作用により入射時の偏光状態(偏光板24の透過軸と平行な直線偏光)に戻されて偏光板24に入射する。これにより偏光板24を透過した反射光が表示光として視認され、当該ドットが明表示となる。
Next, the reflective display on the left side of FIG. 5 will be described.
In the reflective display, light incident from above (outside) the polarizing plate 24 is transmitted through the polarizing plate 24 to be converted into linearly polarized light parallel to the transmission axis 153 of the polarizing plate 24 and is incident on the liquid crystal layer 50. At this time, if the liquid crystal layer 50 is in an ON state, the incident light is given a predetermined phase difference (λ / 2) by the liquid crystal layer 50 and is incident on the reflective common electrode 19r. As shown in FIG. 2B, the reflection common electrode 19r, which is a reflection polarizing layer, has a transmission axis 157 parallel to the transmission axis 153 of the polarizing plate 14 and a reflection axis orthogonal to the transmission axis 153. Light that has passed through the liquid crystal layer 50 in the on state and entered the reflective common electrode 19r is reflected while maintaining its polarization state. The reflected light incident on the liquid crystal layer 50 again returns to the polarization state at the time of incidence (linearly polarized light parallel to the transmission axis of the polarizing plate 24) by the action of the liquid crystal layer 50 and enters the polarizing plate 24. As a result, the reflected light transmitted through the polarizing plate 24 is visually recognized as display light, and the dot is brightly displayed.

一方、液晶層50がオフ状態であれば、偏光板24から液晶層50に入射した光は、その偏光状態を維持したまま反射共通電極19rに入射し、当該光と平行な透過軸157を有する反射共通電極19rを透過する。そして、この光と平行な吸収軸を有する偏光板14によって吸収され、当該ドットは暗表示となる。   On the other hand, if the liquid crystal layer 50 is in the off state, the light incident on the liquid crystal layer 50 from the polarizing plate 24 enters the reflective common electrode 19r while maintaining the polarization state, and has a transmission axis 157 parallel to the light. It passes through the reflective common electrode 19r. Then, the dots are absorbed by the polarizing plate 14 having an absorption axis parallel to the light, and the dots are darkly displayed.

ここで、図6は、FFS方式の液晶装置において、ドット領域内に部分的にアルミニウム等の金属反射膜190を設けた構成の液晶装置1000の動作説明図である。すなわち、液晶装置1000は、FFS方式の液晶装置と、従来から知られている半透過反射型液晶装置とを組み合わせたものであり、ドット領域内の金属反射膜190の形成領域を反射表示領域とし、金属反射膜190に形成された開口部190tの形成領域を透過表示領域とすることを想定した構成である。   Here, FIG. 6 is an operation explanatory diagram of the liquid crystal device 1000 having a configuration in which a metal reflective film 190 such as aluminum is partially provided in the dot region in the FFS mode liquid crystal device. That is, the liquid crystal device 1000 is a combination of an FFS type liquid crystal device and a conventionally known transflective liquid crystal device, and the formation region of the metal reflective film 190 in the dot region is used as a reflective display region. In this configuration, the formation region of the opening 190t formed in the metal reflective film 190 is assumed to be a transmissive display region.

図6に示すように、液晶装置1000は、その透過表示においては、実施形態に係る液晶装置100と同様の明暗表示が可能である。しかしながら、反射表示においては、液晶層50のオン/オフに関わらず、明表示となってしまい、正常に表示を行うことができない。また液晶装置1000において、偏光板24と液晶層50との間に位相差板(λ/4板)を設け、反射表示時に液晶層50に円偏光を入射させることも考えられるが、基板面内で平行配向させる横電界方式の液晶装置では、従来の縦電界方式のように電界応答により液晶層50の位相差値を変化させるのではなく、液晶層50の光学軸の面内方向を変化させているため、かかる円偏光モードを適用することは高い表示品質を実現する上で困難である。円偏光では液晶層50により付与される位相差が略λ/2である場合には、液晶層50の光学軸の方向には依存せず、同様の偏光状態で液晶層50から出射させるためである。また、液晶層50の付与する位相差が略λ/2以外では反射表示と透過表示で高い表示品質を両立することは難しい。   As shown in FIG. 6, the liquid crystal device 1000 can perform bright and dark display similar to the liquid crystal device 100 according to the embodiment in the transmissive display. However, in the reflective display, the display is bright regardless of whether the liquid crystal layer 50 is on or off, and cannot be displayed normally. In the liquid crystal device 1000, a retardation plate (λ / 4 plate) may be provided between the polarizing plate 24 and the liquid crystal layer 50 so that circularly polarized light is incident on the liquid crystal layer 50 during reflection display. In the horizontal electric field type liquid crystal device that is aligned in parallel, the phase difference value of the liquid crystal layer 50 is not changed by the electric field response as in the conventional vertical electric field method, but the in-plane direction of the optical axis of the liquid crystal layer 50 is changed. Therefore, it is difficult to apply such a circular polarization mode in order to realize high display quality. In the case of circularly polarized light, when the phase difference provided by the liquid crystal layer 50 is approximately λ / 2, the light is emitted from the liquid crystal layer 50 in the same polarization state without depending on the direction of the optical axis of the liquid crystal layer 50. is there. In addition, when the phase difference provided by the liquid crystal layer 50 is other than approximately λ / 2, it is difficult to achieve both high display quality in reflective display and transmissive display.

また、半透過反射型液晶装置としては、反射表示領域の液晶層厚を透過表示領域の液晶層厚の半分程度とした、いわゆるマルチギャップ方式の半透過反射型液晶装置も知られているが、横電界方式の液晶装置では液晶層厚によって駆動電圧が大きく変化するため、マルチギャップ構造を適用したとしても、反射表示領域と透過表示領域との駆動電圧差に起因する表示品質の低下が避けられず、高品位な半透過反射表示を得ることは困難である。   As the transflective liquid crystal device, a so-called multi-gap transflective liquid crystal device in which the liquid crystal layer thickness of the reflective display region is about half of the liquid crystal layer thickness of the transmissive display region is also known. In a horizontal electric field type liquid crystal device, the driving voltage varies greatly depending on the thickness of the liquid crystal layer, so even if a multi-gap structure is applied, display quality deterioration due to the driving voltage difference between the reflective display area and the transmissive display area can be avoided. Therefore, it is difficult to obtain a high-quality transflective display.

これに対して、本実施形態の液晶装置100は、ドット領域内に部分的に反射偏光層(反射共通電極19r)を設けた構成を採用したことで、円偏光モードやマルチギャップ構造を用いることなく高コントラストの反射表示及び透過表示を得られるものとなっており、簡便な構成で高画質の半透過反射型液晶装置を実現することができる。また、ドット領域内の液晶層厚が一定であるため、透過表示領域Tと反射表示領域Rとで駆動電圧に差が生じることもなく、反射表示と透過表示とで表示状態が異なってしまうことはない。   On the other hand, the liquid crystal device 100 of the present embodiment employs a configuration in which a reflective polarizing layer (reflective common electrode 19r) is partially provided in the dot region, so that a circularly polarized mode or a multi-gap structure is used. Therefore, a high-contrast reflective display and transmissive display can be obtained, and a high-quality transflective liquid crystal device can be realized with a simple configuration. In addition, since the liquid crystal layer thickness in the dot area is constant, there is no difference in driving voltage between the transmissive display area T and the reflective display area R, and the display state differs between the reflective display and the transmissive display. There is no.

また、本実施形態の液晶装置100では、反射表示を行うための反射共通電極19rが、TFTアレイ基板10側に設けられているので、TFT30とともにTFTアレイ基板10上に形成される金属配線等で外光が反射されて表示品質を低下させるのを効果的に防止することができる。さらに、画素電極9が透明導電材料を用いて形成されているので、液晶層50を透過してTFTアレイ基板10に入射した外光が画素電極9で乱反射されるのを防止することもでき、優れた視認性を得ることができる。   Further, in the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the reflective common electrode 19r for performing the reflective display is provided on the TFT array substrate 10 side, and therefore, with the metal wiring or the like formed on the TFT array substrate 10 together with the TFT 30. It can prevent effectively that external light is reflected and display quality is reduced. Furthermore, since the pixel electrode 9 is formed using a transparent conductive material, it is possible to prevent external light that has passed through the liquid crystal layer 50 and entered the TFT array substrate 10 from being irregularly reflected by the pixel electrode 9. Excellent visibility can be obtained.

また本実施形態で用いている反射共通電極19rは、層間絶縁膜12上に例えばアルミニウム膜を形成した後、かかるアルミニウム膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングするのみで正確に形成できるため、狭小なドット領域を有する高精細液晶装置にも好適に用いることができる。   In addition, the reflective common electrode 19r used in the present embodiment is narrow because it can be accurately formed only by forming an aluminum film on the interlayer insulating film 12 and then patterning the aluminum film using a photolithography technique. It can also be suitably used for a high-definition liquid crystal device having a dot region.

(第2実施形態)
次に、図7から図10を参照して本発明の第2実施形態の液晶装置について説明する。
図7(a)は、本実施形態の液晶装置200における任意の1ドット領域を示す平面構成図であり、図7(b)は、同液晶装置における各光学素子の光学軸の配置を示す説明図である。図8は、図7のB−B’線に沿う断面構成図である。図9は、反射偏光層の構成及び作用を説明するための図であり、図10は、本実施形態の液晶装置200の動作説明図である。
(Second Embodiment)
Next, a liquid crystal device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 7A is a plan configuration diagram showing an arbitrary one-dot region in the liquid crystal device 200 of the present embodiment, and FIG. 7B is an explanation showing the arrangement of optical axes of optical elements in the liquid crystal device. FIG. FIG. 8 is a cross-sectional configuration diagram taken along the line BB ′ of FIG. FIG. 9 is a diagram for explaining the configuration and operation of the reflective polarizing layer, and FIG. 10 is an operation explanatory diagram of the liquid crystal device 200 of the present embodiment.

なお、本実施形態の液晶装置200の基本構成は先の第1実施形態と同様であり、図7(a)、(b)はそれぞれ第1実施形態における図2(a)、(b)に相当する図であり、図8、図10は、それぞれ第1実施形態における図3、図5に相当する図である。したがって本実施形態で参照する各図において、図1から図5に示した第1実施形態の液晶装置100と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、以下ではそれら共通構成要素の説明は省略する。   The basic configuration of the liquid crystal device 200 of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, and FIGS. 7A and 7B are the same as FIGS. 2A and 2B in the first embodiment, respectively. FIGS. 8 and 10 are diagrams corresponding to FIGS. 3 and 5 in the first embodiment, respectively. Accordingly, in each drawing referred to in the present embodiment, the same components as those in the liquid crystal device 100 according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and the common components will be described below. Is omitted.

図7に示すように、本実施形態の液晶装置200のドット領域には、画素電極(第2電極)9と、容量電極31を介して画素電極9と電気的に接続されたTFT30とが設けられている。TFT30を構成するアモルファスシリコンの半導体層35には、容量電極31から延びるドレイン電極32と、図示Y軸方向に延びるデータ線6aから分岐されたソース電極6bとが電気的に接続されており、半導体層35の背面側で図示X軸方向に延びる走査線3aが半導体層35と平面的に重なる位置でTFT30のゲート電極を構成している。容量電極31と、容量電極31と平面的に重なりつつX軸方向に延在する容量線3bとが、当該ドット領域の蓄積容量70を構成している。
そして、図7(a)に示すドット領域には、いずれも平面ベタ状を成す反射偏光層39と共通電極(第1電極)29とが設けられている。
As shown in FIG. 7, a pixel electrode (second electrode) 9 and a TFT 30 electrically connected to the pixel electrode 9 through a capacitor electrode 31 are provided in the dot region of the liquid crystal device 200 of the present embodiment. It has been. A drain electrode 32 extending from the capacitor electrode 31 and a source electrode 6b branched from the data line 6a extending in the Y-axis direction in the figure are electrically connected to the amorphous silicon semiconductor layer 35 constituting the TFT 30. The gate electrode of the TFT 30 is configured at a position where the scanning line 3 a extending in the X-axis direction in the drawing on the back side of the layer 35 overlaps the semiconductor layer 35 in a plane. The capacitor electrode 31 and the capacitor line 3b extending in the X-axis direction while overlapping the capacitor electrode 31 in a plane form a storage capacitor 70 in the dot region.
In the dot region shown in FIG. 7A, a reflective polarizing layer 39 and a common electrode (first electrode) 29 each having a flat solid shape are provided.

図8に示す断面構造をみると、液晶装置200は、液晶層50を挟持して対向するTFTアレイ基板(第1基板)10と、対向基板(第2基板)20とを備えており、TFTアレイ基板10の背面側(図示下面側)にバックライト90が設けられている。対向基板20の構成は第1実施形態と同様であるから、その詳細な説明は省略する。   Referring to the cross-sectional structure shown in FIG. 8, the liquid crystal device 200 includes a TFT array substrate (first substrate) 10 and a counter substrate (second substrate) 20 that are opposed to each other with the liquid crystal layer 50 interposed therebetween. A backlight 90 is provided on the back side (the lower side in the figure) of the array substrate 10. Since the configuration of the counter substrate 20 is the same as that of the first embodiment, a detailed description thereof is omitted.

TFTアレイ基板10の基体を成す基板本体10A上には、平面ベタ状の反射偏光層39が形成され、反射偏光層39を覆ってITO等の透明導電材料からなる共通電極29が形成されている。共通電極29を覆って第1層間絶縁膜12が形成されており、第1層間絶縁膜12上に走査線3aと容量線3bとが形成されている。走査線3a及び容量線3bを覆ってゲート絶縁膜11が形成されており、ゲート絶縁膜11上に半導体層35と、半導体層35と電気的に接続されたソース電極6b(データ線6a)、及びドレイン電極32(容量電極31)が形成されている。半導体層35、ソース電極6b、ドレイン電極32等を覆って第2層間絶縁膜13が形成されており、第2層間絶縁膜13上に画素電極9が形成されている。画素電極9を覆って配向膜18が形成されている。
第2層間絶縁膜13を貫通して容量電極31に達する画素コンタクトホール46が形成されており、この画素コンタクトホール46を介してコンタクト部9b(画素電極9)と容量電極31とが電気的に接続されている。
On the substrate body 10A that forms the base of the TFT array substrate 10, a flat solid reflective polarizing layer 39 is formed, and a common electrode 29 made of a transparent conductive material such as ITO is formed covering the reflective polarizing layer 39. . A first interlayer insulating film 12 is formed so as to cover the common electrode 29, and a scanning line 3 a and a capacitor line 3 b are formed on the first interlayer insulating film 12. A gate insulating film 11 is formed so as to cover the scanning line 3a and the capacitor line 3b. A semiconductor layer 35 is formed on the gate insulating film 11, and a source electrode 6b (data line 6a) electrically connected to the semiconductor layer 35, And the drain electrode 32 (capacitance electrode 31) is formed. A second interlayer insulating film 13 is formed so as to cover the semiconductor layer 35, the source electrode 6 b, the drain electrode 32, and the like, and the pixel electrode 9 is formed on the second interlayer insulating film 13. An alignment film 18 is formed so as to cover the pixel electrode 9.
A pixel contact hole 46 that penetrates through the second interlayer insulating film 13 and reaches the capacitor electrode 31 is formed, and the contact portion 9 b (pixel electrode 9) and the capacitor electrode 31 are electrically connected via the pixel contact hole 46. It is connected.

ここで、図9(a)は、反射偏光層39の斜視構成図であり、図9(b)は、反射偏光層39の作用を説明するための側面構成図である。
本実施形態の液晶装置200に備えられた反射偏光層39は、図9(a)に示すように、基板本体10A上に形成されるアクリル樹脂等の熱硬化性または光硬化性の透明樹脂からなるプリズムアレイ81と、屈折率の異なる2種類の誘電体膜を交互に複数積層してなる誘電体干渉膜85とを備えて構成されている。
Here, FIG. 9A is a perspective configuration diagram of the reflective polarizing layer 39, and FIG. 9B is a side configuration diagram for explaining the operation of the reflective polarizing layer 39.
As shown in FIG. 9A, the reflective polarizing layer 39 provided in the liquid crystal device 200 of the present embodiment is made of a thermosetting or photocurable transparent resin such as an acrylic resin formed on the substrate body 10A. And a dielectric interference film 85 formed by alternately laminating two types of dielectric films having different refractive indexes.

プリズムアレイ81は、2つの斜面を有する三角柱状(プリズム形状)の複数の凸条82を有しており、複数の凸条82が連続して周期的に形成されることにより断面三角波状を成すプリズムアレイを構成している。誘電体干渉膜85は、屈折率の異なる2種の材料からなる誘電体膜が、複数の凸条82の斜面に倣う形状に交互に積層されたものであり(いわゆる3次元フォトニック結晶層)、例えば、TiO膜とSiO膜とを交互に7層積層することで形成できる。 The prism array 81 has a plurality of triangular prisms (prism-shaped) ridges 82 having two inclined surfaces, and the plurality of ridges 82 are formed continuously and periodically to form a triangular waveform. A prism array is configured. The dielectric interference film 85 is formed by alternately stacking dielectric films made of two kinds of materials having different refractive indexes so as to follow the inclined surfaces of the plurality of ridges 82 (so-called three-dimensional photonic crystal layer). For example, it can be formed by laminating seven layers of TiO 2 films and SiO 2 films alternately.

図9では図示を省略しているが、誘電体干渉膜85の上面は樹脂層により覆われて平坦化されている。このように、プリズムアレイ上に形成された誘電体干渉膜85は、光の伝搬特性に異方性を有しており、図9(b)の上面側から光(自然光)Eが入射された場合には、凸条82の延在方向に平行な偏光成分を反射し、凸条82の延在方向に垂直な偏光成分を透過するようになっている。すなわち、図7(a)及び図8に示す反射偏光層39は、凸条82の延在方向と平行な反射軸と、凸条82の延在方向に垂直な透過軸を有していることになる。   Although not shown in FIG. 9, the upper surface of the dielectric interference film 85 is covered with a resin layer and flattened. As described above, the dielectric interference film 85 formed on the prism array has anisotropy in light propagation characteristics, and light (natural light) E is incident from the upper surface side in FIG. In this case, the polarization component parallel to the extending direction of the ridge 82 is reflected, and the polarization component perpendicular to the extending direction of the ridge 82 is transmitted. That is, the reflective polarizing layer 39 shown in FIGS. 7A and 8 has a reflection axis parallel to the extending direction of the ridges 82 and a transmission axis perpendicular to the extending direction of the ridges 82. become.

本実施形態の液晶装置200では、反射偏光層39の反射軸と平行な直線偏光をバックライト90側から入射させて透過表示を行うようになっており、図7(b)に示すように、偏光板14の透過軸155と、反射偏光層39の透過軸159とが直交するように配置されることで、偏光板14の透過軸155と反射偏光層39の反射軸(凸条82の延在方向)とが略平行となるように配置されている。また反射偏光層39の透過軸に対して、偏光板24の透過軸153、及び配向膜18,28のラビング方向151は平行に配置されている。   In the liquid crystal device 200 of this embodiment, linearly polarized light parallel to the reflection axis of the reflective polarizing layer 39 is incident from the backlight 90 side to perform transmissive display. As shown in FIG. By arranging the transmission axis 155 of the polarizing plate 14 and the transmission axis 159 of the reflective polarizing layer 39 to be orthogonal to each other, the transmission axis 155 of the polarizing plate 14 and the reflective axis of the reflective polarizing layer 39 (the extension of the ridge 82) are arranged. Are arranged so as to be substantially parallel to each other. The transmission axis 153 of the polarizing plate 24 and the rubbing direction 151 of the alignment films 18 and 28 are arranged in parallel to the transmission axis of the reflective polarizing layer 39.

誘電体干渉膜85を構成する1層の誘電体膜の膜厚は10nm〜100nm程度であり、誘電体干渉膜85の総膜厚は300nm〜1μm程度である。プリズムアレイ81の凸条82の高さは0.5μm〜3μmであり、隣接する凸条82,82間のピッチは1μm〜6μm程度である。上記誘電体膜の材料としては、TiO、SiOのほか、Ta、Si等を用いることもできる。 The film thickness of one dielectric film constituting the dielectric interference film 85 is about 10 nm to 100 nm, and the total film thickness of the dielectric interference film 85 is about 300 nm to 1 μm. The height of the ridges 82 of the prism array 81 is 0.5 μm to 3 μm, and the pitch between the adjacent ridges 82 and 82 is about 1 μm to 6 μm. As a material for the dielectric film, Ta 2 O 5 , Si, or the like can be used in addition to TiO 2 and SiO 2 .

なお、誘電体干渉膜85を構成する誘電体膜の積層ピッチおよび凸条82のピッチは、目的とする反射偏光層39の特性に応じて適宜最適な値に調整される。すなわち、上記構成の反射偏光層39は、誘電体干渉膜85を構成する誘電体膜の積層数によってその透過率(反射率)を制御することができ、積層数を減ずることで、反射軸(凸条82の延在方向)に平行な直線偏光の透過率を増大させ、反射率を低下させることができる。ただし、所定数以上の誘電体膜を積層した場合には、反射軸に平行な直線偏光のほとんどが反射される。本実施形態に係る反射偏光層39では、上記誘電体干渉膜85の調整により、入射してくる反射軸に平行な直線偏光の約70%を反射し、残り約30%を透過するよう設定されている。   Note that the stacking pitch of the dielectric films constituting the dielectric interference film 85 and the pitch of the ridges 82 are appropriately adjusted to optimum values according to the characteristics of the target reflective polarizing layer 39. In other words, the reflective polarizing layer 39 having the above configuration can control the transmittance (reflectance) according to the number of laminated dielectric films constituting the dielectric interference film 85, and by reducing the number of laminated layers, the reflection axis ( The transmittance of linearly polarized light parallel to the extending direction of the ridges 82 can be increased, and the reflectance can be lowered. However, when a predetermined number or more of dielectric films are stacked, most of the linearly polarized light parallel to the reflection axis is reflected. The reflective polarizing layer 39 according to the present embodiment is set to reflect about 70% of the linearly polarized light parallel to the incident reflection axis and transmit the remaining about 30% by adjusting the dielectric interference film 85. ing.

次に、図10を参照して液晶装置200の動作について説明する。図10には、以下の動作説明で必要な構成要素である、偏光板24、液晶層50、反射偏光層39、偏光板14、及びバックライト90が図示上側から順に示されている。   Next, the operation of the liquid crystal device 200 will be described with reference to FIG. In FIG. 10, the polarizing plate 24, the liquid crystal layer 50, the reflective polarizing layer 39, the polarizing plate 14, and the backlight 90, which are constituent elements necessary for the following operation description, are shown in order from the upper side in the figure.

まず、図10右側の透過表示(透過モード)について説明する。
液晶装置200において、バックライト90から射出された光は、偏光板14を透過することで偏光板14の透過軸155に平行な直線偏光に変換されて反射偏光層39に入射し、反射偏光層39の反射軸(透過軸159に直交する光学軸)に平行な直線偏光であるこの入射光の一部(約30%)が、反射偏光層39を透過して液晶層50に入射する。そして、液晶層50がオン状態(画素電極9と共通電極29との間に選択電圧が印加された状態)であれば、上記入射光は液晶層50により所定の位相差(λ/2)を付与され、偏光板24の透過軸153と平行な直線偏光に変換される。これにより偏光板24を透過した光が表示光として視認され、当該ドットは明表示となる。
First, the transmissive display (transmission mode) on the right side of FIG. 10 will be described.
In the liquid crystal device 200, the light emitted from the backlight 90 passes through the polarizing plate 14, is converted into linearly polarized light parallel to the transmission axis 155 of the polarizing plate 14, and enters the reflective polarizing layer 39. A part (approximately 30%) of this incident light, which is linearly polarized light parallel to the reflection axis 39 (optical axis orthogonal to the transmission axis 159), passes through the reflection polarization layer 39 and enters the liquid crystal layer 50. If the liquid crystal layer 50 is in an on state (a selection voltage is applied between the pixel electrode 9 and the common electrode 29), the incident light has a predetermined phase difference (λ / 2) by the liquid crystal layer 50. And is converted into linearly polarized light parallel to the transmission axis 153 of the polarizing plate 24. Thereby, the light transmitted through the polarizing plate 24 is visually recognized as display light, and the dot is brightly displayed.

一方、液晶層50がオフ状態(上記選択電圧が印加されていない状態)であれば、反射偏光層39を透過して液晶層50に入射した光は、その偏光状態を維持したまま偏光板24に達し、当該入射光と平行な吸収軸(透過軸153と直交する光学軸)を有する偏光板24に吸収され、当該ドットは暗表示となる。
なお、偏光板14を透過して反射偏光層39に入射した光のうち、当該反射偏光層39で反射された光は、偏光板14を再度透過してバックライト90側へ戻される。そして、この戻り光はバックライト90の反射板92により反射されて再び液晶パネル側へ向かう光となり、照明光として再利用される。
On the other hand, if the liquid crystal layer 50 is in an off state (a state where the selection voltage is not applied), the light transmitted through the reflective polarizing layer 39 and incident on the liquid crystal layer 50 is maintained in the polarization state while maintaining the polarization state. And is absorbed by the polarizing plate 24 having an absorption axis parallel to the incident light (an optical axis orthogonal to the transmission axis 153), and the dots are darkly displayed.
Of the light that has passed through the polarizing plate 14 and entered the reflective polarizing layer 39, the light reflected by the reflective polarizing layer 39 is transmitted again through the polarizing plate 14 and returned to the backlight 90 side. Then, the return light is reflected by the reflecting plate 92 of the backlight 90 and becomes light again toward the liquid crystal panel, and is reused as illumination light.

次に、図10左側の反射表示について説明する。
反射表示において、偏光板24の上方(外側)から入射した光は、偏光板24を透過することで偏光板24の透過軸153に平行な直線偏光に変換されて液晶層50に入射する。このとき液晶層50がオン状態であれば、上記入射光は液晶層50により所定の位相差(λ/2)を付与されて反射偏光層39に入射する。図8(b)に示したように、反射偏光層39は、偏光板14の透過軸153と平行な透過軸159と、それに直交する反射軸を有しているので、上記オン状態の液晶層50を透過して反射偏光層39に入射した光は、その一部(約30%)が偏光状態を保持したまま反射され、残部(約70%)が反射偏光層39を透過する。反射偏光層39で反射されて再度液晶層50に入射した光は、液晶層50の作用により入射時の偏光状態(偏光板24の透過軸と平行な直線偏光)に戻されて偏光板24に入射する。これにより偏光板24を透過した反射光が表示光として視認され、当該ドットが明表示となる。
Next, the reflective display on the left side of FIG. 10 will be described.
In the reflective display, light incident from above (outside) the polarizing plate 24 is transmitted through the polarizing plate 24 to be converted into linearly polarized light parallel to the transmission axis 153 of the polarizing plate 24 and is incident on the liquid crystal layer 50. At this time, if the liquid crystal layer 50 is in an ON state, the incident light is given a predetermined phase difference (λ / 2) by the liquid crystal layer 50 and enters the reflective polarizing layer 39. As shown in FIG. 8B, the reflective polarizing layer 39 has a transmission axis 159 parallel to the transmission axis 153 of the polarizing plate 14 and a reflection axis orthogonal to the transmission axis 153. A part of light (about 30%) that is transmitted through 50 and incident on the reflective polarizing layer 39 is reflected while maintaining the polarization state, and the remaining part (about 70%) is transmitted through the reflective polarizing layer 39. The light reflected by the reflective polarizing layer 39 and incident on the liquid crystal layer 50 again is returned to the polarization state at the time of incidence (linearly polarized light parallel to the transmission axis of the polarizing plate 24) by the action of the liquid crystal layer 50 and enters the polarizing plate 24. Incident. As a result, the reflected light transmitted through the polarizing plate 24 is visually recognized as display light, and the dot is brightly displayed.

一方、反射偏光層39を透過した直線偏光成分は、その偏光方向と平行な透過軸155を有する偏光板14を透過してバックライト90に入射する。そして、このバックライト90に入射した光は、反射板92により反射されて液晶層50側へ戻され、その一部は反射偏光層39を透過して液晶層50に入射し、上記明表示の表示光として利用される。したがって、本実施形態の液晶装置200では、反射偏光層39における反射軸に平行な直線偏光の反射率が30%程度に設定されているが、反射偏光層39を透過してバックライト90側へ抜けた光も表示光として利用可能となっているから、明るい反射表示を得られるようになっている。   On the other hand, the linearly polarized light component transmitted through the reflective polarizing layer 39 is transmitted through the polarizing plate 14 having the transmission axis 155 parallel to the polarization direction and is incident on the backlight 90. The light incident on the backlight 90 is reflected by the reflecting plate 92 and returned to the liquid crystal layer 50 side, and part of the light is transmitted through the reflective polarizing layer 39 and incident on the liquid crystal layer 50. Used as display light. Therefore, in the liquid crystal device 200 of the present embodiment, the reflectance of linearly polarized light parallel to the reflection axis in the reflective polarizing layer 39 is set to about 30%, but is transmitted through the reflective polarizing layer 39 to the backlight 90 side. Since the light that has passed through can be used as display light, a bright reflective display can be obtained.

一方、液晶層50がオフ状態であれば、偏光板24から液晶層50に入射した光は、その偏光状態を維持したまま反射偏光層39に入射し、当該光と平行な透過軸159を有する反射偏光層39を透過する。そして、この光と平行な吸収軸を有する偏光板14によって吸収され、当該ドットは暗表示となる。   On the other hand, if the liquid crystal layer 50 is in the off state, the light incident on the liquid crystal layer 50 from the polarizing plate 24 enters the reflective polarizing layer 39 while maintaining the polarization state, and has a transmission axis 159 parallel to the light. The reflective polarizing layer 39 is transmitted. Then, the dots are absorbed by the polarizing plate 14 having an absorption axis parallel to the light, and the dots are darkly displayed.

上記構成を具備した液晶装置200は、画素電極9の基板本体10A側に、平面ベタ状に反射偏光層39を形成しているので、ドット領域に対する位置合わせが不要であり、簡便な工程で低コストに形成できるという利点がある。また、本実施形態のように反射偏光層39を半導体層35よりも基板本体10A側に設ける構造とすれば、半導体層35が設けられた配線層と画素電極9とを電気的にする画素コンタクトホール46を浅く形成でき、画素コンタクトホール46を介した導電接続構造の電気的信頼性を高めることができる。また画素コンタクトホール46の開口径も小さくできるので、画素コンタクトホール46に起因する液晶の配向乱れを抑えることができる。   In the liquid crystal device 200 having the above-described configuration, since the reflective polarizing layer 39 is formed in a flat solid shape on the substrate body 10A side of the pixel electrode 9, alignment with the dot region is unnecessary, and it can be performed in a simple process. There is an advantage that it can be formed at a cost. If the reflective polarizing layer 39 is provided on the substrate body 10A side of the semiconductor layer 35 as in the present embodiment, the pixel contact that electrically connects the wiring layer provided with the semiconductor layer 35 and the pixel electrode 9 to each other. The hole 46 can be formed shallowly, and the electrical reliability of the conductive connection structure through the pixel contact hole 46 can be improved. In addition, since the opening diameter of the pixel contact hole 46 can be reduced, liquid crystal alignment disorder caused by the pixel contact hole 46 can be suppressed.

また、先の第1実施形態の液晶装置100と同様、ドット領域内で液晶層50の層厚が一定であるため、ドット領域内で駆動電圧の不均一が生じることがなく、高品位の表示を得ることができる。またマルチギャップ構造のようにドット領域内に段差を形成する必要がないので、この段差に起因する液晶配向の乱れが生じることもないため、信頼性に優れる液晶装置とすることができる。さらに、TFTアレイ基板10上に反射表示を行うための反射偏光層39が設けられているので、TFTアレイ基板10を液晶装置の表示面側に配置する必要が無い。したがって、TFTアレイ基板10を表示面側に配置した場合のような金属配線等による外光の乱反射が生じることが無く、視認性に優れる液晶装置とすることができる。   Further, similarly to the liquid crystal device 100 of the first embodiment, since the layer thickness of the liquid crystal layer 50 is constant in the dot area, the driving voltage does not become uneven in the dot area, and a high-quality display is achieved. Can be obtained. Further, since it is not necessary to form a step in the dot region unlike the multi-gap structure, the liquid crystal alignment is not disturbed due to the step, so that a liquid crystal device with excellent reliability can be obtained. Further, since the reflective polarizing layer 39 for performing reflective display is provided on the TFT array substrate 10, it is not necessary to dispose the TFT array substrate 10 on the display surface side of the liquid crystal device. Therefore, irregular reflection of external light due to metal wiring or the like as in the case where the TFT array substrate 10 is arranged on the display surface side does not occur, and a liquid crystal device excellent in visibility can be obtained.

また本実施形態では、画素電極9とともに液晶に電圧を印加する共通電極29を、反射偏光層39上に設けている。反射偏光層39では、図9を参照して説明したように、誘電体干渉膜85の表面にプリズムアレイ81の表面を平坦化するための樹脂層等が設けられるので、この樹脂層に代えて、ITO等からなる透明導電膜を誘電体干渉膜85上に形成すれば、かかる透明導電膜を上記共通電極29として機能させることができ、製造の効率化、及び低コスト化に寄与するものとなる。
なお、共通電極29は、画素電極9と少なくとも1層の絶縁膜を介して離間された位置に設けられていればよいので、例えば、ゲート絶縁膜11と第2層間絶縁膜13との間の配線層に形成してもよく、第1層間絶縁膜12とゲート絶縁膜11との間の配線層に形成してもよい。
In this embodiment, the common electrode 29 that applies a voltage to the liquid crystal together with the pixel electrode 9 is provided on the reflective polarizing layer 39. In the reflective polarizing layer 39, as described with reference to FIG. 9, a resin layer or the like for flattening the surface of the prism array 81 is provided on the surface of the dielectric interference film 85. If a transparent conductive film made of ITO or the like is formed on the dielectric interference film 85, the transparent conductive film can function as the common electrode 29, which contributes to manufacturing efficiency and cost reduction. Become.
The common electrode 29 only needs to be provided at a position spaced apart from the pixel electrode 9 via at least one insulating film. For example, the common electrode 29 is provided between the gate insulating film 11 and the second interlayer insulating film 13. The wiring layer may be formed, or may be formed in the wiring layer between the first interlayer insulating film 12 and the gate insulating film 11.

(第3実施形態)
次に、図11及び図12を参照して本発明の第3実施形態の液晶装置について説明する。
図11は、本実施形態の液晶装置300における任意の1ドット領域を示す平面構成図であり、図12は、図11のD−D’線に沿う断面構成図である。
(Third embodiment)
Next, a liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 11 is a plan configuration diagram showing an arbitrary one-dot region in the liquid crystal device 300 of the present embodiment, and FIG. 12 is a cross-sectional configuration diagram taken along the line DD ′ of FIG.

本実施形態の液晶装置300は、第1実施形態の液晶装置100のアモルファスシリコンTFT30に代えて、トップゲート型のポリシリコンTFT130を用いた構成の液晶装置であり、画素スイッチング素子に係る構成以外の基本構成は第1実施形態の液晶装置100と共通である。図11は、第1実施形態における図2(a)に相当する図であり、図12は、同、図3に相当する図である。したがって、本実施形態で参照する各図において、図1から図5に示した第1実施形態の液晶装置100と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、以下ではそれら共通構成要素の説明は省略する。   The liquid crystal device 300 of the present embodiment is a liquid crystal device having a configuration using a top gate type polysilicon TFT 130 instead of the amorphous silicon TFT 30 of the liquid crystal device 100 of the first embodiment, and has a configuration other than the configuration related to the pixel switching element. The basic configuration is the same as that of the liquid crystal device 100 of the first embodiment. FIG. 11 is a diagram corresponding to FIG. 2A in the first embodiment, and FIG. 12 is a diagram corresponding to FIG. Therefore, in each drawing referred to in the present embodiment, the same reference numerals are given to the same constituent elements as those of the liquid crystal device 100 of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 5. Description is omitted.

図11に示すように、本実施形態の液晶装置300のドット領域には、画素電極(第2電極)9と、共通電極(第1電極)19と、画素電極9に容量電極131を介して電気的に接続されたTFT130とが設けられている。
TFT130を構成するポリシリコンの半導体層135は、X軸方向に長手の平面視矩形状を成して形成されており、半導体層135の−X側の端部に、容量電極131から延びるドレイン電極132がドレインコンタクトホールを介して電気的に接続されている。一方半導体層135の+X側の端部には、図示Y軸方向に延びるデータ線6aから分岐されたソース電極6bがソースコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
As shown in FIG. 11, a pixel electrode (second electrode) 9, a common electrode (first electrode) 19, and a pixel electrode 9 via a capacitance electrode 131 are arranged in the dot region of the liquid crystal device 300 of the present embodiment. An electrically connected TFT 130 is provided.
The polysilicon semiconductor layer 135 constituting the TFT 130 is formed in a rectangular shape in plan view that is long in the X-axis direction, and a drain electrode extending from the capacitor electrode 131 at the −X side end of the semiconductor layer 135. 132 is electrically connected through a drain contact hole. On the other hand, the source electrode 6b branched from the data line 6a extending in the Y-axis direction is electrically connected to the + X side end of the semiconductor layer 135 through a source contact hole.

半導体層135の近傍にX軸方向に延びる走査線3aが設けられており、走査線3aの一部を分岐してなるゲート電極133が、半導体層135をその中央部にてY軸方向に交差するよう配置されている。半導体層135と画素電極9との間に、X軸方向に延びる容量線3bが設けられており、容量線3bを一部+Y側に拡幅してなる部位に、容量電極131が平面的に重なって配置され、当該位置に蓄積容量70を形成している。容量電極131上には、画素電極9のコンタクト部9bが進出して配置され、当該位置で画素電極9と容量電極131とが画素コンタクトホール47を介して電気的に接続されている。   A scanning line 3a extending in the X-axis direction is provided in the vicinity of the semiconductor layer 135, and a gate electrode 133 formed by branching a part of the scanning line 3a crosses the semiconductor layer 135 in the Y-axis direction at the center. Arranged to do. A capacitance line 3b extending in the X-axis direction is provided between the semiconductor layer 135 and the pixel electrode 9, and the capacitance electrode 131 overlaps in a planar manner at a portion where the capacitance line 3b is partially widened to the + Y side. The storage capacitor 70 is formed at the position. On the capacitor electrode 131, the contact portion 9 b of the pixel electrode 9 is disposed so as to advance, and the pixel electrode 9 and the capacitor electrode 131 are electrically connected via the pixel contact hole 47 at the position.

共通電極19は、先の第1実施形態と同様、ドット領域の+Y側に配された透明共通電極19tと、−Y側に配された反射共通電極19rとからなり、上記透明共通電極19tの平面領域と、画素電極9を内包する平面領域とが重なる領域が透過表示領域Tとなっている。また、反射共通電極19rの平面領域と、画素電極9を内包する平面領域とが重なる領域が反射表示領域Rとなっている。   As in the first embodiment, the common electrode 19 includes a transparent common electrode 19t disposed on the + Y side of the dot region and a reflective common electrode 19r disposed on the −Y side. A region where the planar region overlaps with the planar region including the pixel electrode 9 is a transmissive display region T. In addition, a region where the planar region of the reflective common electrode 19r and the planar region including the pixel electrode 9 overlap is the reflective display region R.

図12に示す断面構造をみると、液晶装置300は、液晶層50を挟持して対向するTFTアレイ基板(第1基板)10と、対向基板(第2基板)20とを備えており、TFTアレイ基板10の背面側(図示下面側)にはバックライト90が設けられている。対向基板20の構成は第1実施形態と同様であるから、その詳細な説明は省略する。   Referring to the cross-sectional structure shown in FIG. 12, the liquid crystal device 300 includes a TFT array substrate (first substrate) 10 and a counter substrate (second substrate) 20 that are opposed to each other with the liquid crystal layer 50 interposed therebetween. A backlight 90 is provided on the back side (the lower side in the figure) of the array substrate 10. Since the configuration of the counter substrate 20 is the same as that of the first embodiment, a detailed description thereof is omitted.

TFTアレイ基板10の基体を成す基板本体10A上には、ITO等の透明導電材料からなる透明共通電極19tと、アルミニウム等の反射性の金属膜を主体としてなる反射共通電極19rとが区画形成されており、透明共通電極19tを部分的に除去してなる開口部内に、ポリシリコン膜からなる半導体層135が形成されている。   A transparent common electrode 19t made of a transparent conductive material such as ITO and a reflective common electrode 19r mainly made of a reflective metal film such as aluminum are partitioned and formed on the substrate body 10A that forms the base of the TFT array substrate 10. A semiconductor layer 135 made of a polysilicon film is formed in the opening formed by partially removing the transparent common electrode 19t.

半導体層135及び共通電極19を覆ってゲート絶縁膜11が形成されており、ゲート絶縁膜11上に、走査線3a、ゲート電極133、及び容量線3bが形成されている。走査線3a、ゲート電極133、及び容量線3bを覆って、第1層間絶縁膜12がゲート絶縁膜11上に形成されており、第1層間絶縁膜12上に、ソース電極6b(データ線6a)、ドレイン電極132、容量電極131が形成されている。第1層間絶縁膜12及びゲート絶縁膜11を貫通して半導体層135に達するソースコンタクトホール12sとドレインコンタクトホール12dとが設けられており、ソースコンタクトホール12sを介してソース電極6bと半導体層135とが電気的に接続されている。ドレインコンタクトホール12dを介してドレイン電極132と半導体層135とが電気的に接続されている。   A gate insulating film 11 is formed so as to cover the semiconductor layer 135 and the common electrode 19, and a scanning line 3 a, a gate electrode 133, and a capacitor line 3 b are formed on the gate insulating film 11. A first interlayer insulating film 12 is formed on the gate insulating film 11 so as to cover the scanning line 3a, the gate electrode 133, and the capacitor line 3b, and the source electrode 6b (data line 6a) is formed on the first interlayer insulating film 12. ), A drain electrode 132 and a capacitor electrode 131 are formed. A source contact hole 12s and a drain contact hole 12d that reach the semiconductor layer 135 through the first interlayer insulating film 12 and the gate insulating film 11 are provided, and the source electrode 6b and the semiconductor layer 135 are provided via the source contact hole 12s. And are electrically connected. The drain electrode 132 and the semiconductor layer 135 are electrically connected through the drain contact hole 12d.

ここで、半導体層135を構成するポリシリコン膜には、ゲート電極133と平面的に重なる領域(チャネル領域)を除く領域にリンやボロンなどの不純物が導入されており、これらの不純物導入領域に前記ソース電極6b及びドレイン電極132が電気的に接続されている。   Here, in the polysilicon film constituting the semiconductor layer 135, impurities such as phosphorus and boron are introduced into a region excluding a region (channel region) that overlaps with the gate electrode 133 in a plane, and these impurity introduction regions are introduced. The source electrode 6b and the drain electrode 132 are electrically connected.

ソース電極6b、ドレイン電極132、及び容量電極131を覆って第2層間絶縁膜13が形成されており、第2層間絶縁膜13上に画素電極9が形成されている。第2層間絶縁膜13を貫通して容量電極131に達する画素コンタクトホール47が形成されており、この画素コンタクトホール47を介して画素電極9のコンタクト部9bと容量電極31とが電気的に接続されている。画素電極9上には配向膜18が形成されている。   A second interlayer insulating film 13 is formed so as to cover the source electrode 6 b, the drain electrode 132, and the capacitor electrode 131, and the pixel electrode 9 is formed on the second interlayer insulating film 13. A pixel contact hole 47 that penetrates through the second interlayer insulating film 13 and reaches the capacitor electrode 131 is formed, and the contact portion 9 b of the pixel electrode 9 and the capacitor electrode 31 are electrically connected via the pixel contact hole 47. Has been. An alignment film 18 is formed on the pixel electrode 9.

なお、本実施形態の液晶装置300における各光学軸の配置は、図2(b)に示した第1実施形態の液晶装置100における各光学軸の配置と同様である。すなわち、画素電極部9cの延在方向(Y軸方向)に対して、配向膜18,28のラビング方向は約30°の角度を成す方向であり、このラビング方向に対して、反射共通電極19rの透過軸は平行である。また、TFTアレイ基板10の偏光板14の透過軸は、上記ラビング方向に対して直交する向きに配置されており、対向基板20の偏光板24の透過軸は、上記ラビング方向に対して平行な向きに配置されている。
このような光学軸配置を具備した液晶装置300は、図5を参照して説明した第1実施形態の液晶装置100の動作と同様の動作が可能であり、反射表示、透過表示の双方で明るく高コントラストの表示が得られるものとなっている。
The arrangement of the optical axes in the liquid crystal device 300 of the present embodiment is the same as the arrangement of the optical axes in the liquid crystal device 100 of the first embodiment shown in FIG. That is, the rubbing direction of the alignment films 18 and 28 forms an angle of about 30 ° with respect to the extending direction (Y-axis direction) of the pixel electrode portion 9c, and the reflective common electrode 19r is formed with respect to this rubbing direction. The transmission axes of are parallel. The transmission axis of the polarizing plate 14 of the TFT array substrate 10 is arranged in a direction orthogonal to the rubbing direction, and the transmission axis of the polarizing plate 24 of the counter substrate 20 is parallel to the rubbing direction. It is arranged in the direction.
The liquid crystal device 300 having such an optical axis arrangement can perform the same operation as the operation of the liquid crystal device 100 according to the first embodiment described with reference to FIG. 5, and is bright in both reflective display and transmissive display. A high-contrast display can be obtained.

上記構成を具備した本実施形態の液晶装置300では、キャリア移動度が大きく、高速動作が可能なポリシリコンTFT130を画素スイッチング素子に用いているので、画素の高速なスイッチング動作が要求される高精細液晶装置にも容易に対応できるものとなっている。また、本実施形態では、トップゲート型のTFT130を用いていることから、図12に示すように、半導体層135と同層に共通電極19を設けることができるようになっており、共通電極19を設けない場合のTFTアレイ基板と同一層構成を用いつつFFS方式の液晶装置を構成できるようになっている。したがって、新たに配線層を追加することなく製造できるので、プロセスの容易性や製造コストの面で有利なものとなっている。   In the liquid crystal device 300 according to the present embodiment having the above-described configuration, the polysilicon TFT 130 having high carrier mobility and capable of high-speed operation is used as the pixel switching element. Therefore, high-definition that requires high-speed switching operation of the pixel is required. It can be easily applied to a liquid crystal device. In this embodiment, since the top gate TFT 130 is used, the common electrode 19 can be provided in the same layer as the semiconductor layer 135 as shown in FIG. An FFS type liquid crystal device can be configured while using the same layer configuration as the TFT array substrate in the case where no TFT is provided. Therefore, since it can be manufactured without adding a new wiring layer, it is advantageous in terms of process ease and manufacturing cost.

また、先の第1、第2実施形態の液晶装置と同様、ドット領域内で液晶層50の層厚が一定であるため、ドット領域内で駆動電圧の不均一が生じることがなく、高品位の表示を得ることができる。またマルチギャップ構造のようにドット領域内に段差を形成する必要がないので、この段差に起因する液晶配向の乱れが生じることもなく、信頼性に優れる液晶装置とすることができる。さらに、TFTアレイ基板10上に反射表示を行うための反射共通電極19rが設けられているので、TFTアレイ基板10を液晶装置の表示面側に配置する必要が無い。したがって、TFTアレイ基板10を表示面側に配置した場合のような金属配線等による外光の乱反射が生じることが無く、視認性に優れる液晶装置とすることができる。   Further, similarly to the liquid crystal devices of the first and second embodiments, since the layer thickness of the liquid crystal layer 50 is constant in the dot area, the drive voltage does not become uneven in the dot area, and high quality is achieved. Can be obtained. Further, since it is not necessary to form a step in the dot region unlike the multi-gap structure, the liquid crystal alignment is not disturbed due to this step, and a liquid crystal device with excellent reliability can be obtained. Furthermore, since the reflective common electrode 19r for performing reflective display is provided on the TFT array substrate 10, it is not necessary to dispose the TFT array substrate 10 on the display surface side of the liquid crystal device. Therefore, irregular reflection of external light due to metal wiring or the like as in the case where the TFT array substrate 10 is arranged on the display surface side does not occur, and a liquid crystal device excellent in visibility can be obtained.

(第4実施形態)
次に、図13から図15を参照して本発明の第4実施形態の液晶装置について説明する。
図13は、本実施形態の液晶装置400を構成するマトリクス状に配列された複数のドット領域の回路構成図である。図14は、本実施形態の液晶装置400における任意の1ドット領域を示す平面構成図であり、図15は、図14のF−F’線に沿う断面構成図である。
(Fourth embodiment)
Next, a liquid crystal device according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 13 is a circuit configuration diagram of a plurality of dot regions arranged in a matrix that constitutes the liquid crystal device 400 of the present embodiment. FIG. 14 is a plan configuration diagram showing an arbitrary one-dot region in the liquid crystal device 400 of the present embodiment, and FIG. 15 is a cross-sectional configuration diagram taken along the line FF ′ of FIG.

本実施形態の液晶装置400は、画素スイッチング素子としてTFD(Thin Film Diode)素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置である。また第1〜第3実施形態と同様、FFS方式の電極構成を具備しており、画素スイッチング素子に係る構成以外の基本構成は第1〜第3実施形態の液晶装置と同様である。本実施形態で参照する各図において、図1から図5に示した第1実施形態の液晶装置100と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、以下ではそれら共通構成要素の説明は省略する。   The liquid crystal device 400 of the present embodiment is an active matrix type liquid crystal device using a TFD (Thin Film Diode) element as a pixel switching element. Further, similarly to the first to third embodiments, the FFS type electrode configuration is provided, and the basic configuration other than the configuration related to the pixel switching element is the same as that of the liquid crystal device of the first to third embodiments. In each drawing referred to in the present embodiment, the same components as those in the liquid crystal device 100 according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals. Omitted.

図13に示すように、液晶装置400は、平面視マトリクス状に配列形成された複数のドット75を有しており、これらのドット75を区画するように、複数の第1配線59と、複数の第2配線66とが延在している。また、液晶装置400は第1駆動回路401及び第2駆動回路402を含んでおり、前記複数の第1配線59は第1駆動回路401と電気的に接続され、前記複数の第2配線66は第2駆動回路402と電気的に接続されている。このような構成のもと、第1配線59及び第2配線66を介して第1駆動回路401及び第2駆動回路402からの駆動信号が各ドット75に供給されるようになっている。そして、各ドット75において、第2配線66と第1配線59との間にTFD素子60と液晶表示要素(液晶容量)50とが形成されている。   As shown in FIG. 13, the liquid crystal device 400 has a plurality of dots 75 arranged in a matrix in plan view, and a plurality of first wirings 59 and a plurality of dots are defined so as to partition these dots 75. The second wiring 66 extends. The liquid crystal device 400 includes a first drive circuit 401 and a second drive circuit 402. The plurality of first lines 59 are electrically connected to the first drive circuit 401, and the plurality of second lines 66 are The second drive circuit 402 is electrically connected. With such a configuration, drive signals from the first drive circuit 401 and the second drive circuit 402 are supplied to each dot 75 via the first wiring 59 and the second wiring 66. In each dot 75, a TFD element 60 and a liquid crystal display element (liquid crystal capacitor) 50 are formed between the second wiring 66 and the first wiring 59.

図14に示すように、液晶装置400のドット領域には、画素電極(第2電極)9と、共通電極(第1電極)59と、TFD素子60とが設けられている。共通電極(第1配線)59はX軸方向に延びる帯状の導電膜であり、この共通電極59と交差してY軸方向に延びる素子配線(第2配線)66が画素電極9の縁に沿うようにして配置されている。   As shown in FIG. 14, a pixel electrode (second electrode) 9, a common electrode (first electrode) 59, and a TFD element 60 are provided in the dot region of the liquid crystal device 400. The common electrode (first wiring) 59 is a strip-shaped conductive film extending in the X-axis direction, and an element wiring (second wiring) 66 that intersects the common electrode 59 and extends in the Y-axis direction extends along the edge of the pixel electrode 9. It is arranged like that.

TFD素子60は、Y軸方向に長手の矩形状を成す第1電極63と、素子配線66から分岐されて−X側に延びる配線分岐部64と、画素電極9の基端部9aに沿ってX軸方向に延びる電極配線65とを主体として構成されている。TFD素子60はまた、第1電極63と配線分岐部64との交差部に形成された第1素子部61と、第1電極63と電極配線65との交差部に形成された第2素子部62とを含み、これら第1素子部61と第2素子部62とを背中合わせに(電気的に逆向きに)接続した、いわゆるBack to Back構造のTFD素子となっている。   The TFD element 60 includes a first electrode 63 having a rectangular shape that is long in the Y-axis direction, a wiring branch part 64 that branches from the element wiring 66 and extends to the −X side, and a base end part 9 a of the pixel electrode 9. It is mainly composed of an electrode wiring 65 extending in the X-axis direction. The TFD element 60 also includes a first element portion 61 formed at the intersection between the first electrode 63 and the wiring branch portion 64, and a second element portion formed at the intersection between the first electrode 63 and the electrode wiring 65. 62, a so-called back-to-back TFD element in which the first element part 61 and the second element part 62 are connected back to back (electrically in opposite directions).

電極配線65のTFD素子60と反対側の端部は、画素電極9のコンタクト部9bと交差して配置され、画素電極9と電気的に接続されている。このようにして素子配線66と画素電極9との間にTFD素子60が介挿された構成となっている。またドット領域内には、柱状スペーサ40が設けられている。   The end of the electrode wiring 65 opposite to the TFD element 60 is disposed so as to intersect with the contact portion 9 b of the pixel electrode 9 and is electrically connected to the pixel electrode 9. In this manner, the TFD element 60 is interposed between the element wiring 66 and the pixel electrode 9. A columnar spacer 40 is provided in the dot area.

図15に示す部分断面構造をみると、液晶装置400は、素子基板(第1基板)110と、対向基板(第2基板)120とが、液晶層50を挟持して対向配置された構成を備えている。対向基板120の構成は第1実施形態に係る対向基板20と同様であるからその説明は省略する。   15, the liquid crystal device 400 has a configuration in which an element substrate (first substrate) 110 and a counter substrate (second substrate) 120 are arranged to face each other with the liquid crystal layer 50 interposed therebetween. I have. Since the configuration of the counter substrate 120 is the same as that of the counter substrate 20 according to the first embodiment, the description thereof is omitted.

素子基板110は、ガラスや石英等の透光性基板からなる基板本体10Aと基体として備えており、基板本体10A上に、タンタルやその合金からなる第1電極63と、共通電極59とが形成されている。前記第1電極63の表面は、例えばタンタル酸化膜からなる素子絶縁膜63aにより覆われている。共通電極59は、ITO等の透明導電材料からなる透明共通電極59tと、アルミニウム等の光反射性の金属膜を主体としてなる反射共通電極59rとをドット領域内に区画形成したものである。反射共通電極59rは、第1実施形態に係る反射共通電極19rと同等の構成を備えた反射偏光層である。   The element substrate 110 is provided with a substrate body 10A made of a light-transmitting substrate such as glass or quartz and a base, and a first electrode 63 made of tantalum or an alloy thereof and a common electrode 59 are formed on the substrate body 10A. Has been. The surface of the first electrode 63 is covered with an element insulating film 63a made of, for example, a tantalum oxide film. The common electrode 59 is formed by partitioning a transparent common electrode 59t made of a transparent conductive material such as ITO and a reflective common electrode 59r mainly composed of a light reflective metal film such as aluminum in a dot region. The reflective common electrode 59r is a reflective polarizing layer having a configuration equivalent to that of the reflective common electrode 19r according to the first embodiment.

基板本体10A上、及び共通電極59上には、酸化シリコン等の無機絶縁材料やアクリル等の樹脂材料からなる層間絶縁膜67が形成されており、層間絶縁膜67を貫通して設けられた開口部58内に前記第1電極63が配置されている。層間絶縁膜67上に配線分岐部64(素子配線66)、電極配線65、及び画素電極9が形成されている。配線分岐部64及び電極配線65の一端は、それぞれ層間絶縁膜67上から開口部58内に延びて素子絶縁膜63aと当接し、かかる当接位置にて第1素子部61及び第2素子部62のMIM(Metal-Insulator-Metal)構造を形成している。画素電極9、配線分岐部64、電極配線65等を覆って配向膜18が形成されている。   An interlayer insulating film 67 made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or a resin material such as acrylic is formed on the substrate main body 10A and the common electrode 59, and an opening provided through the interlayer insulating film 67. The first electrode 63 is disposed in the portion 58. A wiring branch portion 64 (element wiring 66), an electrode wiring 65, and a pixel electrode 9 are formed on the interlayer insulating film 67. One end of each of the wiring branch portion 64 and the electrode wiring 65 extends from above the interlayer insulating film 67 into the opening 58 and contacts the element insulating film 63a. At the contact position, the first element portion 61 and the second element portion are contacted. 62 MIM (Metal-Insulator-Metal) structures are formed. An alignment film 18 is formed so as to cover the pixel electrode 9, the wiring branch portion 64, the electrode wiring 65, and the like.

なお、本実施形態の液晶装置400における各光学軸の配置は、図2(b)に示した第1実施形態の液晶装置100における各光学軸の配置と同様である。すなわち、画素電極部9cの延在方向(Y軸方向)に対して、配向膜18,28のラビング方向は約30°の角度を成す方向であり、このラビング方向に対して、反射共通電極59rの透過軸は平行である。また、素子基板110の偏光板14の透過軸は、上記ラビング方向に対して直交する向きに配置されており、対向基板120の偏光板24の透過軸は、上記ラビング方向に対して平行な向きに配置されている。
このような光学軸配置を具備した液晶装置400は、図5を参照して説明した第1実施形態の液晶装置100の動作と同様の動作が可能であり、反射表示、透過表示の双方で明るく高コントラストの表示が得られるものとなっている。
The arrangement of the optical axes in the liquid crystal device 400 of the present embodiment is the same as the arrangement of the optical axes in the liquid crystal device 100 of the first embodiment shown in FIG. That is, the rubbing direction of the alignment films 18 and 28 forms an angle of about 30 ° with respect to the extending direction (Y-axis direction) of the pixel electrode portion 9c. The transmission axes of are parallel. Further, the transmission axis of the polarizing plate 14 of the element substrate 110 is arranged in a direction orthogonal to the rubbing direction, and the transmission axis of the polarizing plate 24 of the counter substrate 120 is parallel to the rubbing direction. Is arranged.
The liquid crystal device 400 having such an optical axis arrangement can perform the same operation as that of the liquid crystal device 100 according to the first embodiment described with reference to FIG. 5, and is bright in both the reflective display and the transmissive display. A high contrast display can be obtained.

上記構成を具備した液晶装置400では、画素スイッチング素子としてTFD素子66を備えているので、簡便な工程で製造することができ、製造コストの面で有利なものとなっている。また、保持容量を設ける必要がない分、画素の開口率を向上させて明るい表示を得られるようになる。さらに本実施形態の液晶装置400のようにFFS方式を採用していれば、基板厚さ方向で画素電極9と共通電極59とが絶縁膜を介して対向するので、かかる対向領域が保持容量として機能し、画素電極9の電圧が保持されやすくなり、液晶容量が小さくなる高精細の液晶装置にも好適に用いることができる構成となる。   Since the liquid crystal device 400 having the above configuration includes the TFD element 66 as a pixel switching element, it can be manufactured by a simple process, which is advantageous in terms of manufacturing cost. In addition, since it is not necessary to provide a storage capacitor, the aperture ratio of the pixel is improved and a bright display can be obtained. Further, if the FFS method is employed as in the liquid crystal device 400 of the present embodiment, the pixel electrode 9 and the common electrode 59 are opposed to each other through the insulating film in the substrate thickness direction. Therefore, the voltage of the pixel electrode 9 is easily held, and the liquid crystal device can be suitably used for a high-definition liquid crystal device with a small liquid crystal capacity.

また、先の第1〜第3実施形態の液晶装置と同様、ドット領域内で液晶層50の層厚が一定であるため、ドット領域内で駆動電圧の不均一が生じることがなく、高品位の表示を得ることができる。またマルチギャップ構造のようにドット領域内に段差を形成する必要がないので、この段差に起因する液晶配向の乱れが生じることもなく、信頼性に優れる液晶装置とすることができる。さらに、素子基板110上に反射表示を行うための反射共通電極59rが設けられているので、素子基板110を液晶装置の表示面側に配置する必要が無い。したがって、素子基板110を表示面側に配置した場合のような金属配線等による外光の乱反射が生じることが無く、視認性に優れる液晶装置とすることができる。   Further, similarly to the liquid crystal devices of the first to third embodiments, since the layer thickness of the liquid crystal layer 50 is constant in the dot region, the drive voltage does not become uneven in the dot region, and high quality is achieved. Can be obtained. Further, since it is not necessary to form a step in the dot region unlike the multi-gap structure, the liquid crystal alignment is not disturbed due to this step, and a liquid crystal device with excellent reliability can be obtained. Further, since the reflective common electrode 59r for performing reflective display is provided on the element substrate 110, it is not necessary to dispose the element substrate 110 on the display surface side of the liquid crystal device. Therefore, irregular reflection of external light due to metal wiring or the like as in the case where the element substrate 110 is arranged on the display surface side does not occur, and a liquid crystal device with excellent visibility can be obtained.

(電子機器)
図16は、本発明に係る液晶装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話の斜視構成図であり、この携帯電話1300は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。
上記実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高輝度、高コントラスト、広視野角の透過表示及び反射表示を得ることができる。
(Electronics)
FIG. 16 is a perspective configuration diagram of a mobile phone which is an example of an electronic apparatus provided with the liquid crystal device according to the present invention in a display portion. The mobile phone 1300 uses the liquid crystal device of the present invention as a small-size display portion 1301. A plurality of operation buttons 1302, an earpiece 1303, and a mouthpiece 1304.
The liquid crystal device of the above embodiment is not limited to the mobile phone, but an electronic book, a personal computer, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, It can be suitably used as an image display means for devices such as calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, touch panels, etc. In any electronic device, high luminance, high contrast, wide viewing angle transmission display And a reflective display can be obtained.

第1実施形態の液晶装置の回路構成を示す図。1 is a diagram illustrating a circuit configuration of a liquid crystal device according to a first embodiment. 同、任意の1ドット領域の平面構成図(a)、及び光学軸配置図(b)。FIG. 3A is a plan configuration diagram of an arbitrary one-dot region (a) and an optical axis arrangement diagram (b). 図2のA−A’線に沿う断面構成図。FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram taken along line A-A ′ of FIG. 2. 反射偏光層の平面構成図(a)、及び側面構成図(b)。FIG. 2A is a plan configuration diagram of a reflective polarizing layer, and FIG. 第1実施形態の液晶装置の動作説明図。FIG. 3 is an operation explanatory diagram of the liquid crystal device of the first embodiment. 比較例として示す液晶装置の動作説明図。FIG. 9 is an operation explanatory diagram of a liquid crystal device shown as a comparative example. 第2実施形態の液晶装置の1ドット領域及び光学軸配置を示す図。The figure which shows 1 dot area | region and optical axis arrangement | positioning of the liquid crystal device of 2nd Embodiment. 図7のB−B’線に沿う断面構成図。FIG. 8 is a cross-sectional configuration diagram taken along line B-B ′ of FIG. 7. 反射偏光層の斜視構成図(a)、及び側面構成図(b)。The perspective view (a) of a reflective polarizing layer, and a side view (b). 第2実施形態の液晶装置の動作説明図。Explanatory drawing of operation | movement of the liquid crystal device of 2nd Embodiment. 第3実施形態の液晶装置の1ドット領域を示す平面構成図。FIG. 9 is a plan configuration diagram illustrating a one-dot region of a liquid crystal device according to a third embodiment. 図10のD−D’線に沿う断面構成図。FIG. 11 is a sectional configuration view taken along line D-D ′ of FIG. 10. 第4実施形態の液晶装置の回路構成図。The circuit block diagram of the liquid crystal device of 4th Embodiment. 同、1ドット領域を示す平面構成図。The plane block diagram which shows the 1 dot area | region similarly. 図13のF−F’線に沿う断面構成図。FIG. 14 is a cross-sectional configuration diagram taken along line F-F ′ in FIG. 13. 電子機器の実施形態を示す斜視構成図。The perspective block diagram which shows embodiment of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

100,200,300,400 液晶装置、10 TFTアレイ基板(第1基板)、20 対向基板(第2基板)、10A,20A 基板本体、101 データ線駆動回路、102 走査線駆動回路、30 TFT、3a 走査線、3b 容量線、6a データ線、6b ソース電極、9 画素電極(第2電極)、9a 基端部、9b コンタクト部、9c 画素電極部、19,29,59 共通電極(第1電極)、19t 透明共通電極、19r 反射共通電極、39 反射偏光層、31,131 容量電極、32,132 ドレイン電極、133 ゲート電極、59 素子配線、60 TFD素子、61 第1素子部、62 第2素子部、66 共通電極(第1電極)、70 蓄積容量、71 金属膜、72 スリット、81 プリズムアレイ、85 誘電体干渉膜、90 バックライト(照明装置)、110 素子基板(第1基板)、120 対向基板(第2基板)。   100, 200, 300, 400 Liquid crystal device, 10 TFT array substrate (first substrate), 20 Counter substrate (second substrate), 10A, 20A substrate body, 101 Data line drive circuit, 102 Scan line drive circuit, 30 TFT, 3a scanning line, 3b capacitance line, 6a data line, 6b source electrode, 9 pixel electrode (second electrode), 9a base end, 9b contact part, 9c pixel electrode part, 19, 29, 59 common electrode (first electrode) ), 19t transparent common electrode, 19r reflective common electrode, 39 reflective polarizing layer, 31, 131 capacitive electrode, 32, 132 drain electrode, 133 gate electrode, 59 element wiring, 60 TFD element, 61 first element part, 62 second Element part, 66 Common electrode (first electrode), 70 Storage capacitor, 71 Metal film, 72 Slit, 81 Prism array, 85 Dielectric Interference film, 90 backlight (illumination device), 110 element substrate (first substrate), 120 counter substrate (second substrate).

Claims (10)

液晶層を挟持して対向する第1基板と第2基板とを備え、1つのドット領域で反射表示と透過表示とを行う半透過反射型の液晶装置であって、
前記第1基板上に、前記ドット領域内に形成された第1電極と、該第1電極を覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成されて前記第1電極との間に略基板平面方向の電界を生じさせる第2電極と、反射偏光層とが設けられており、
前記反射偏光層は、透過軸と該透過軸に交差する反射軸とを有し、該反射偏光層に入射する光のうち前記反射軸に平行な偏光成分の光を反射し、前記透過軸に平行な偏光成分の光を透過する半透過反射型の反射偏光層であることを特徴とする液晶装置。
A transflective liquid crystal device comprising a first substrate and a second substrate facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and performing reflective display and transmissive display in one dot region,
A first substrate formed in the dot region on the first substrate, an interlayer insulating film covering the first electrode, and a substrate substantially between the first electrode formed on the interlayer insulating film. A second electrode for generating an electric field in a plane direction and a reflective polarizing layer are provided,
The reflective polarizing layer has a transmission axis and a reflection axis intersecting the transmission axis, reflects light having a polarization component parallel to the reflection axis out of light incident on the reflective polarization layer, and transmits the light to the transmission axis. A liquid crystal device comprising a transflective reflective polarizing layer that transmits light of a parallel polarization component.
前記反射偏光層が、前記ドット領域内に部分的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein the reflective polarizing layer is partially formed in the dot region. 前記反射偏光層が、前記ドット領域の略全面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein the reflective polarizing layer is formed on substantially the entire surface of the dot region. 前記反射偏光層が、微細なスリット状の開口部が複数設けられた金属反射膜を備えていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の液晶装置。   4. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the reflective polarizing layer includes a metal reflective film provided with a plurality of fine slit-shaped openings. 5. 前記反射偏光層が、前記第1電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 4, wherein the reflective polarizing layer is electrically connected to the first electrode. 前記反射偏光層が、複数のプリズムを配列形成したプリズムアレイと、該プリズムアレイ上に形成された誘電体干渉膜とを備えていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の液晶装置。   4. The reflection polarizing layer includes a prism array in which a plurality of prisms are arranged, and a dielectric interference film formed on the prism array. The liquid crystal device described. 前記液晶層の層厚が、前記ドット領域内で略均一であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein a thickness of the liquid crystal layer is substantially uniform in the dot region. 前記第1基板の外面側に照明装置が配設されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 1, wherein an illumination device is disposed on an outer surface side of the first substrate. 前記第1基板と前記照明装置との間に偏光板が設けられており、
前記偏光板の透過軸が、前記反射偏光層の透過軸と略直交する向きに配置されていることを特徴とする請求項8のいずれか1項に記載の液晶装置。
A polarizing plate is provided between the first substrate and the lighting device,
9. The liquid crystal device according to claim 8, wherein a transmission axis of the polarizing plate is disposed in a direction substantially orthogonal to a transmission axis of the reflective polarizing layer.
請求項1から9のいずれか1項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007066677A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2007183585A (en) * 2005-12-05 2007-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device
JP2008145525A (en) * 2006-12-06 2008-06-26 Seiko Epson Corp Liquid crystal device and electronic equipment
JP2009210968A (en) * 2008-03-06 2009-09-17 Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal display
JP2009216975A (en) * 2008-03-11 2009-09-24 Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal display
US7773182B2 (en) 2005-12-05 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7982833B2 (en) 2007-10-19 2011-07-19 Au Optronics Corp. Transflective liquid crystal display panel having a plurality of apertures with a specific ratio of aperture width to aperture interval
JP2013045050A (en) * 2011-08-26 2013-03-04 Japan Display Central Co Ltd Liquid crystal display device
JP2013178543A (en) * 2013-04-16 2013-09-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device
US8687157B2 (en) 2005-10-18 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8780307B2 (en) 2006-10-31 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP2014146055A (en) * 2014-04-11 2014-08-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device
JP2018124558A (en) * 2018-02-27 2018-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device
JP2019144589A (en) * 2019-04-29 2019-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8687157B2 (en) 2005-10-18 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10203571B2 (en) 2005-12-05 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9235090B2 (en) 2005-12-05 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11048135B2 (en) 2005-12-05 2021-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9128336B2 (en) 2005-12-05 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7773182B2 (en) 2005-12-05 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7880848B2 (en) 2005-12-05 2011-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7880836B2 (en) 2005-12-05 2011-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7889295B2 (en) 2005-12-05 2011-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP4637815B2 (en) * 2005-12-05 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device and electronic device
US10539847B2 (en) 2005-12-05 2020-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7999892B2 (en) 2005-12-05 2011-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8164729B2 (en) 2005-12-05 2012-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10324347B1 (en) 2005-12-05 2019-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8508700B2 (en) 2005-12-05 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11899329B2 (en) 2005-12-05 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8619227B2 (en) 2005-12-05 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8675158B2 (en) 2005-12-05 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9316881B2 (en) 2005-12-05 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2007066677A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11126053B2 (en) 2005-12-05 2021-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10054830B2 (en) 2005-12-05 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11592719B2 (en) 2005-12-05 2023-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9904127B2 (en) 2005-12-05 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9835912B2 (en) 2005-12-05 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2007183585A (en) * 2005-12-05 2007-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device
US9417492B2 (en) 2005-12-05 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9823526B2 (en) 2005-12-05 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9829761B2 (en) 2006-10-31 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US11860495B2 (en) 2006-10-31 2024-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US11592717B2 (en) 2006-10-31 2023-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US8964156B2 (en) 2006-10-31 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US8780307B2 (en) 2006-10-31 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US11372298B2 (en) 2006-10-31 2022-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US10698277B2 (en) 2006-10-31 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US11016354B2 (en) 2006-10-31 2021-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP2008145525A (en) * 2006-12-06 2008-06-26 Seiko Epson Corp Liquid crystal device and electronic equipment
US7982833B2 (en) 2007-10-19 2011-07-19 Au Optronics Corp. Transflective liquid crystal display panel having a plurality of apertures with a specific ratio of aperture width to aperture interval
JP2009210968A (en) * 2008-03-06 2009-09-17 Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal display
JP2009216975A (en) * 2008-03-11 2009-09-24 Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal display
JP2013045050A (en) * 2011-08-26 2013-03-04 Japan Display Central Co Ltd Liquid crystal display device
US9030636B2 (en) 2011-08-26 2015-05-12 Japan Display Inc. Liquid crystal display apparatus
JP2013178543A (en) * 2013-04-16 2013-09-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device
JP2014146055A (en) * 2014-04-11 2014-08-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device
JP2018124558A (en) * 2018-02-27 2018-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device
JP2019144589A (en) * 2019-04-29 2019-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device

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