JP2010138477A - 真空蒸着装置及び膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の真空蒸着装置であって、部材10を支持するとともに、前記部材10をその中心を通る第1軸14の回りに自転させ、かつ前記第1軸14とは異なる第2軸15の回りに公転させる機構20と、前記第2軸15から距離をおいて配置され、膜を形成するための蒸着粒子を発生する蒸発源12と、前記機構20により自転及び公転される部材10と前記蒸発源12との間に配置され、当該自転及び公転されている部材10に対する蒸着粒子の付着を遮蔽するn個(ただし、nは2以上の整数)の遮蔽板17と、を備え、前記n個の遮蔽板17のそれぞれが前記自転及び公転されている部材10に対する蒸着粒子の付着を遮蔽する量をAi(ただし、i=1〜n)とするとき、Aiのそれぞれが式Ai=(A1+A2+・・・+An)×(1/n±1/5n)を満たす。
【選択図】図1A
Description
Ai=(A1+A2+・・・+An)×(1/n±1/5n)
Bi=(A1+A2+・・・+An)×(1/2n±1/10n)
Ci=(A1+A2+・・・+An)×(1/2n±1/10n)
真空成膜槽11において、公転軸15から距離をおいて、部材10に膜を形成するための蒸着粒子を発生する蒸発源12が配置される。
また、真空成膜槽11において、蒸発源12と部材10との間に、部材10に対する蒸着粒子の付着を遮蔽して、膜厚分布を制御するn個の遮蔽板17が配置される。ここで、nは2以上の整数である。
実施例1で用いる真空蒸着装置の具体的な数値は以下のようになっている。蒸発源12のある床面から成膜すべき部材であるガラス基板10までの高さが1100mm、遮蔽板17の設置位置の高さが980mmである。また、公転軸15から自転軸14までの長さが410mm、公転軸15から蒸発源12までの長さが250mmとなっている。遊星駆動の自転と公転との比率は自転と公転の回転方向が逆向きで2.471である。
Ai=(A1+A2+・・・+An)×(1/n±1/5n)
di=k f(α)cosβ/L2
(なお、実施例では f(α)=cosn(α)、n=1とした。)
遮蔽板を設置しない場合の、成膜時間tに付着するレンズのi番目の領域の膜厚Diは、次のようになる。
Di=∫0 t di dt
m個の遮蔽板のそれぞれにより遮蔽された膜厚をM1i,M2i,・・・Mmiとすると、Mmiも上述のDiと同様の式によって表現される。
Di=∫0 t di dt−(M1i+M2i+・・・+Mmi)
実施例1においては、M1i=M2i=・・・=Mmiであるから、Diは次のようになる。
Di=∫0 t di dt−mM1i
レンズのn個の分割された領域のそれぞれにおける膜厚Diについて、D1=D2=・・・= Di =・・・= Dnとするためのn個の遮蔽板のうちの一つの遮蔽板Aの形状を計算する。
実施例2で用いる真空蒸着装置の具体的な数値は以下のようになっている。蒸発源12のある床面からガラス基板10までの高さが1600mm、遮蔽板の設置位置の高さが1490mmである。公転軸15から自転軸14までの長さ、公転軸15から蒸発源12までの長さがそれぞれ500mm、300mmである。遊星駆動の自転と公転との比率は自転と公転の回転方向が逆向きで2.471である。
Bi=(A1+A2+・・・+An)×(1/2n±1/10n)
実施例3で用いる真空蒸着装置の具体的な数値は以下のようになっている。蒸発源12のある床面からガラス基板10までの高さが1000mm、遮蔽板17の位置の高さが980mmである。また、公転軸15から自転軸14までの長さ、公転軸15から蒸発源12までの長さがそれぞれ500mm,250mmとなっている。遊星駆動の自転と公転との比率は自転と公転の回転方向が逆向きで2.471である。
Ci=(A1+A2+・・・+An)×(1/2n±1/10n)
11:真空成膜槽
12:蒸発源
13:真空ポンプ
14:自転軸
15:公転軸
16:遮蔽板の設置面
17:遮蔽板
18:膜厚モニター
19:レンズ中心
Claims (5)
- 真空蒸着装置であって、
部材を支持するとともに、前記部材をその中心を通る第1軸の回りに自転させ、かつ前記第1軸とは異なる第2軸の回りに公転させる機構と、
前記第2軸から距離をおいて配置され、膜を形成するための蒸着粒子を発生する蒸発源と、
前記機構により自転及び公転される部材と前記蒸発源との間に配置され、当該自転及び公転されている部材に対する蒸着粒子の付着を遮蔽するn個(ただし、nは2以上の整数)の遮蔽板と、を備え、
前記n個の遮蔽板のそれぞれが前記自転及び公転されている部材に対する蒸着粒子の付着を遮蔽する量をAi(ただし、i=1〜n)とするとき、Aiのそれぞれが下記の式を満たすように、前記n個の遮蔽板の形状が定められていることを特徴とする真空蒸着装置。
Ai=(A1+A2+・・・+An)×(1/n±1/5n) - 真空蒸着装置であって、
部材を支持し、前記部材をその中心を通る第1軸の回りに自転させ、かつ前記第1軸とは異なる第2軸の回りに公転させる機構と、
前記第2軸から距離をおいて配置され、膜を形成するための蒸着粒子を発生する蒸発源と、
前記機構により自転及び公転される部材と前記蒸発源との間に配置され、当該自転及び公転されている部材に対する蒸着粒子の付着を遮蔽するn個(ただし、nは1以上の整数)の遮蔽板と、を備え、
前記n個の遮蔽板のそれぞれは、前記部材の前記蒸着粒子が付着する面の前記第1軸との交点と前記蒸発源とを結ぶ直線が前記遮蔽板の前記蒸着粒子が付着する面と交わる点が前記部材の公転に伴って移動する軌道円によって2つの領域に分割されるように配置され、
前記軌道円によって分割された前記n個の遮蔽板における2n個の領域のそれぞれが前記自転及び公転されている部材に対する蒸着粒子の付着を遮蔽する量をBi(ただし、i=1〜2n)とするとき、Biのそれぞれが下記の式を満たすように、前記n個の遮蔽板の形状が定められていることを特徴とする真空蒸着装置。
Bi=(A1+A2+・・・+An)×(1/2n±1/10n) - 真空蒸着装置であって、
部材を支持し、前記部材をその中心を通る第1軸の回りに自転させ、かつ前記第1軸とは異なる第2軸の回りに公転させる機構と、
前記第2軸から距離をおいて配置され、膜を形成するための蒸着粒子を発生する蒸発源と、
前記機構により自転及び公転される部材と前記蒸発源との間に配置され、当該自転及び公転されている部材に対する蒸着粒子の付着を遮蔽するn個(ただし、nは1以上の整数)の遮蔽板と、を備え、
前記n個の遮蔽板のそれぞれは、前記部材の前記蒸着粒子が付着する面の前記第1軸との交点と前記蒸発源とを結ぶ直線が前記遮蔽板の前記蒸着粒子が付着する面と交わる点が前記部材の公転に伴って移動する軌道円の中心を通りかつ前記第2軸と平行な直線を含む平面によって2つの領域に分割され、当該分割によって前記n個の遮蔽板に生じる2n個の領域のそれぞれが前記自転及び公転されている部材に対する蒸着粒子の付着を遮蔽する量をCi(ただし、i=1〜2n)とするとき、Ciのそれぞれ下記の式を満たす前記平面が存在するように、前記n個の遮蔽板の形状が定められていることを特徴とする真空蒸着装置。
Ci=(A1+A2+・・・+An)×(1/2n±1/10n) - 前記分割された2n個の領域のそれぞれは、前記軌道円によってさらに2つの領域に分割され、
前記平面と前記軌道円とによって前記分割された4n個の領域のそれぞれが前記自転及び公転している部材に対する蒸着粒子の付着を遮蔽する量をDi(ただし、i=1〜4n)とするとき、Diのそれぞれが下記の式を満たすように、前記n個の遮蔽板の形状が定められていることを特徴とする請求項3に記載の真空蒸着装置。
Di=(A1+A2+・・・+An)×(1/4n±1/20n) - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の真空蒸着装置を用いて部材に蒸着粒子を付着させて膜を形成することを特徴とする膜形成方法。
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JP2008318936A JP5247405B2 (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 真空蒸着装置及び部材製造方法 |
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JP2008318936A JP5247405B2 (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 真空蒸着装置及び部材製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101772645B1 (ko) | 2010-08-27 | 2017-08-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용해 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11106901A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Nikon Corp | 光学薄膜成膜装置 |
JPH11106902A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Nikon Corp | 光学薄膜成膜装置 |
JP2001140058A (ja) * | 1999-11-16 | 2001-05-22 | Nikon Corp | 薄膜の膜厚分布予測方法及び光学特性分布予測方法。 |
-
2008
- 2008-12-15 JP JP2008318936A patent/JP5247405B2/ja active Active
Patent Citations (3)
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JPH11106901A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Nikon Corp | 光学薄膜成膜装置 |
JPH11106902A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Nikon Corp | 光学薄膜成膜装置 |
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KR101772645B1 (ko) | 2010-08-27 | 2017-08-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용해 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
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JP5247405B2 (ja) | 2013-07-24 |
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