JP2010134837A - Device, method and program for verification of semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体集積回路の検証装置、方法およびプログラムに関し、特に、半導体集積回路のレイアウトデータを検証する装置、方法およびプログラムに関する。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit verification apparatus, method, and program, and more particularly, to an apparatus, method, and program for verifying layout data of a semiconductor integrated circuit.
半導体集積回路のレイアウト設計においては、レイアウトデータが設計基準を充足しているか否かの検証を行う必要がある。レイアウトデータにおいて設計基準を満たさない箇所には、設計者の誤りにより導入された欠陥(以下、「本来の欠陥」という。)と、設計者により意図的に導入された実験箇所とが含まれ得る。 In the layout design of a semiconductor integrated circuit, it is necessary to verify whether or not layout data satisfies a design standard. Locations that do not satisfy the design criteria in the layout data may include defects introduced by mistakes of the designer (hereinafter referred to as “original defects”) and experimental locations introduced intentionally by the designer. .
特許文献1において、TEG(Test Element Group)パターンを検査するために複雑なDRC(Design Rule Check)ルールを作る必要がなく、正確な検査を容易に行うことができるTEGパターンの検査方法が記載されている。 Patent Document 1 describes a method for inspecting a TEG pattern that does not require a complicated DRC (Design Rule Check) rule to inspect a TEG (Test Element Group) pattern and can easily perform an accurate inspection. ing.
また、特許文献2において、幾何学的デザインルールが部分的に異なるマスクパターンの検証を短時間で高精度に行なうマスクパターン検証装置が記載されている。 Further, Patent Document 2 describes a mask pattern verification apparatus that performs verification of mask patterns with partially different geometric design rules in a short time with high accuracy.
以下の分析は、本発明者によってなされたものである。レイアウトデータにおいて本来の欠陥と実験箇所とが含まれる場合において、上記の特許文献1に記載された検査方法および特許文献2に記載された検査装置を用いたときには、本来の欠陥と実験箇所の双方が設計基準を満たさない箇所として抽出されるおそれがある。したがって、レイアウトを検証する際に必要とされる本来の欠陥のみを抽出することができないという問題がある。 The following analysis was made by the present inventors. When the layout data includes the original defect and the experimental part, when the inspection method described in Patent Document 1 and the inspection apparatus described in Patent Document 2 are used, both the original defect and the experimental part are used. May be extracted as a location that does not satisfy the design criteria. Therefore, there is a problem that it is not possible to extract only the original defects that are necessary when verifying the layout.
そこで、意図的に導入された実験箇所を含む半導体集積回路装置のレイアウトデータから本来の欠陥のみを抽出する検証装置、方法およびプログラムを提供することが課題となる。 Therefore, it is an object to provide a verification apparatus, method, and program for extracting only original defects from layout data of a semiconductor integrated circuit device including an experimentally introduced experimental portion.
本発明の第1の視点に係る検証装置は、設計者により意図的に導入された実験箇所を含む半導体集積回路のレイアウトデータを検証する装置であって、前記半導体集積回路に対する設計基準及び前記実験箇所を含む1又は2以上の検証ルールを生成する検証ルール生成部と、前記検証ルールに含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを前記検証ルールのそれぞれについて生成するレイアウトデータ生成部と、実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータにおいて前記設計基準を満たさない箇所である欠陥を前記検証ルールのそれぞれについて抽出する欠陥抽出部とを備える。 A verification apparatus according to a first aspect of the present invention is an apparatus for verifying layout data of a semiconductor integrated circuit including an experimental portion intentionally introduced by a designer, and includes a design standard for the semiconductor integrated circuit and the experiment. A verification rule generation unit that generates one or more verification rules including a location, and a layout data generation unit that generates, for each of the verification rules, layout data that excludes an experimental location included in the verification rule from a verification target; And a defect extraction unit that extracts, for each of the verification rules, a defect that is a location that does not satisfy the design criteria in the layout data excluding the experimental location from the verification target.
本発明の第2の視点に係る検証方法は、設計者により意図的に導入された実験箇所を含む半導体集積回路のレイアウトデータを検証する方法であって、前記半導体集積回路に対する設計基準及び前記実験箇所を含む1又は2以上の検証ルールを生成する工程と、前記検証ルールに含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを前記検証ルールのそれぞれについて生成するレイアウトデータ生成工程と、実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータにおいて前記設計基準を満たさない箇所である欠陥を前記検証ルールのそれぞれについて抽出する欠陥抽出工程とを含む。 A verification method according to a second aspect of the present invention is a method for verifying layout data of a semiconductor integrated circuit including an experimental portion that is intentionally introduced by a designer, and includes a design standard for the semiconductor integrated circuit and the experiment. A step of generating one or more verification rules including a location, a layout data generating step for generating layout data excluding the experimental location included in the verification rule from the verification target, and the experimental location A defect extraction step of extracting, for each of the verification rules, a defect that is a location that does not satisfy the design criteria in the layout data excluding the above from the verification target.
本発明の第3の視点に係る検証プログラムは、設計者により意図的に導入された実験箇所を含む半導体集積回路のレイアウトデータを検証するプログラムであって、前記半導体集積回路に対する設計基準及び前記実験箇所を含む1又は2以上の検証ルールを生成する処理と、前記検証ルールに含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを前記検証ルールのそれぞれについて生成するレイアウトデータ生成処理と、実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータにおいて前記設計基準を満たさない箇所である欠陥を前記検証ルールのそれぞれについて抽出する欠陥抽出処理とをコンピュータに実行させる。 A verification program according to a third aspect of the present invention is a program for verifying layout data of a semiconductor integrated circuit including an experimental portion intentionally introduced by a designer, and includes a design standard for the semiconductor integrated circuit and the experiment. A process for generating one or more verification rules including a part, a layout data generation process for generating, for each of the verification rules, layout data excluding an experimental part included in the verification rule from a verification target, and an experimental part The computer is caused to execute a defect extraction process for extracting, for each of the verification rules, defects that are locations that do not satisfy the design criteria in the layout data excluding from the verification target.
本発明に係る検証装置、方法およびプログラムによると、設計者により意図的に導入された実験箇所を含む半導体集積回路装置のレイアウトデータから本来の欠陥のみを抽出することができる。 According to the verification apparatus, method, and program according to the present invention, only original defects can be extracted from layout data of a semiconductor integrated circuit device including an experimental portion intentionally introduced by a designer.
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態に係る検証装置について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る検証装置の構成を示すブロック図である。
(First embodiment)
A verification apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the verification apparatus according to this embodiment.
検証装置10は、意図的に導入された実験箇所を含む半導体集積回路のレイアウトデータを検証する。図1を参照すると、検証装置は、検証ルール生成部11、レイアウトデータ生成部12および欠陥抽出部13を備える。
The
検証ルール生成部11は、半導体集積回路に対する設計基準および実験箇所を含む1または2以上の検証ルールを生成する。レイアウトデータ生成部12は、検証ルールに含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを検証ルールのそれぞれについて生成する。欠陥抽出部13は、実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータにおいて設計基準を満たさない箇所である欠陥を検証ルールのそれぞれについて抽出する。
The verification
また、レイアウトデータ生成部12は、検証ルールに含まれる実験箇所を有するセル階層を検証の対象から除外するようにしてもよい。さらに、レイアウトデータ生成部12は、検証ルールに含まれる実験箇所を有するセル領域を検証の対象から除外するようにしてもよい。また、レイアウトデータ生成部12は、認識層を重ねることによって検証ルールに含まれる実験箇所を検証の対象から除外するようにしてもよい。
Further, the layout
さらに、前記実験箇所は、正規表現で記述され、レイアウトデータ生成部12は、正規表現を展開するようにしてもよい。
Further, the experimental part may be described by a regular expression, and the layout
また、欠陥抽出部13は、実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータが重複する場合には、重複するレイアウトデータのいずれかにおいて欠陥を抽出することが好ましい。
Moreover, when the layout data which excluded the experiment location from the object of verification overlaps, the
さらに、検証装置10は、欠陥表示部14を備えるようにしてもよい。欠陥表示部14は、欠陥抽出部13において抽出された欠陥を表示する。また、欠陥表示部14は、検証ルールのそれぞれについて抽出された欠陥を統合して表示するようにしてもよい。
Further, the
次に、本実施形態に係る検証装置10の動作について説明する。図2は、本実施形態に係る検証装置10の動作を示すフローチャートである。
Next, the operation of the
図2を参照すると、検証ルール生成部11は、半導体集積回路に対する設計基準および実験箇所を含む1または2以上の検証ルールを生成する(ステップS11)。
Referring to FIG. 2, the verification
レイアウトデータ生成部12は、検証ルールに含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを検証ルールのそれぞれについて生成する(ステップS12)。
The layout
欠陥抽出部13は、実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータにおいて設計基準を満たさない箇所である欠陥を前記検証ルールのそれぞれについて抽出する(ステップS13)。
The
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態に係る検証プログラムについて図面を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る検証プログラムを実行するコンピュータの構成を示すブロック図である。
(Second Embodiment)
A verification program according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a computer that executes the verification program according to the present embodiment.
本実施形態に係る検証プログラムは、意図的に導入された実験箇所を含む半導体集積回路のレイアウトデータを検証するプログラムである。図3を参照すると、コンピュータ20は、CPU21、記憶部22、入力部23および欠陥表示部24を備える。
The verification program according to the present embodiment is a program for verifying layout data of a semiconductor integrated circuit including an experimentally introduced experimental part. Referring to FIG. 3, the
一例として、記憶部22に記録された検証プログラムはCPU21に読み出されて、半導体集積回路に対する設計基準および実験箇所を含む1または2以上の検証ルールを生成する処理と、検証ルールに含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを検証ルールのそれぞれについて生成するレイアウトデータ生成処理と、実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータにおいて設計基準を満たさない箇所である欠陥を検証ルールのそれぞれについて抽出する欠陥抽出処理とを実行する。
As an example, the verification program recorded in the
欠陥表示部24は、上記の欠陥抽出処理において抽出された欠陥を表示する。また、欠陥表示部24は、検証ルールのそれぞれについて抽出された欠陥を統合して表示するようにしてもよい。
The
本発明の第1の実施例について図面を参照して説明する。図4は、本実施における検証装置の動作を示すフローチャートである。 A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a flowchart showing the operation of the verification apparatus in the present embodiment.
図4を参照すると、レイアウトデータ31は、所定の回路図に基づいて生成された実際のデバイス上におけるレイアウトを表現するデータであって、複数の単位セルと単位セル間を接続する配線を含む。ここで、レイアウトデータ31は、設計者によって意図的に導入された実験箇所を含む。
Referring to FIG. 4, the
実験箇所は、少なくとも、検証時において除外したいセルもしくは配線のみから成るTEG、または、検証時において除外したいパターンを定義するための認識層のいずれかを含む。検証時においては、これらのTEGまたは認識層を除外することができる。 The experimental location includes at least one of a TEG composed of only cells or wirings to be excluded at the time of verification, or a recognition layer for defining a pattern to be excluded at the time of verification. At the time of verification, these TEGs or recognition layers can be excluded.
実験箇所を規定する方法として、様々な方法を用いることができる。図7ないし図9は、実験箇所を規定する方法を説明するための図である。図7および図8は、検証時において除外したいセルや配線のみからなるTEGによって、実験箇所を規定する例を示す。
一方、図9は、検証時において除外したいパターンを定義するための認識層によって実験箇所を規定する例を示す。図8(A)および図9(A)は、もとのレイアウトデータを示す。一方、図8(B)および図9(B)は、実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを示す。
Various methods can be used as a method for defining the experimental location. 7 to 9 are diagrams for explaining a method of defining the experimental location. FIG. 7 and FIG. 8 show an example in which an experimental part is defined by a TEG composed of only cells and wirings to be excluded at the time of verification.
On the other hand, FIG. 9 shows an example in which an experiment location is defined by a recognition layer for defining a pattern to be excluded during verification. 8A and 9A show the original layout data. On the other hand, FIG. 8B and FIG. 9B show layout data in which the experimental part is excluded from the verification target.
検証ルール記述ファイル32は、上記レイアウトを確認するための設計基準と、その設計基準に対応づけられた実験箇所とを含む検証ルールから成る。ここで、設計基準とは、例えば、配線の幅や間隔についての基準をいう。また、実験箇所とは、例えば、検証時において除外したいセルや配線のみからなるTEG、または、検証時において除外したいパターン部分を定義する認識層をいう。
The verification
図5は、本実施例における検証ルール記述ファイル32の一例を示す図である。図5の2行目における検証ルールは、「層名、設計基準名、幅(um)、実験箇所」が「METAL、基本基準、0.3、TEG_[1−5]」となっている。この検証ルールは、「METAL層の幅を0.3umで検証する。ただし、TEG_[1−5]は検証の対象から除外する。」旨を表す。ここで、TEG_[1−5]は、セルの名称を示すにすぎず、セルを識別することができる名称であれば他の名称を用いてもよい。また、検証ルール記述ファイル32において、セルの名称を用いる代わりに、上記の認識層の層番号を用いてもよい。
FIG. 5 is a diagram showing an example of the verification
半導体集積回路全体の設計基準に係る上記の検証ルール記述ファイル32を参照し、検証基準ごとに分割した検証ルール33を生成する(ステップS21)。図5に示した検証ルール記述ファイル32は、全体の設計基準を表すとともに、各層の設計基準ごとに実験箇所が設けられている。一例として、検証ルール記述ファイル32を行ごとに分割して1又は2以上の検証ルール33を生成するようにしてもよい。
The verification
次に、上記の検証ルールのそれぞれについて、検証ルールに含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを生成する(ステップS22)。 Next, for each of the above-described verification rules, layout data is generated by excluding the experimental part included in the verification rule from the verification target (step S22).
図6は、本実施例における、実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを示す図である。例えば、METALの基本基準においては、TEG_[1−5]が除外されることから、図6に示すようTEG_[1−5]に相当する部分が欠落したレイアウトデータが生成される。I/I(イオン注入パターン)、POLY(ポリシリコン配線パターン)、VIA(スルーホールパターン)についても、同様にして、実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータが生成される。 FIG. 6 is a diagram illustrating layout data in which experimental locations are excluded from verification targets in the present embodiment. For example, in the basic standard of METAL, TEG_ [1-5] is excluded, so that layout data lacking a portion corresponding to TEG_ [1-5] is generated as shown in FIG. Similarly for I / I (ion implantation pattern), POLY (polysilicon wiring pattern), and VIA (through hole pattern), layout data excluding the experimental part from the verification target is generated.
次に、実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータに対する検証(すなわち、DRC(Design Rule Check))を行い、欠陥を抽出する(ステップS23)。この欠陥抽出工程は、従来技術における欠陥抽出工程と同様である。しかしながら、本実施例においては、検証ルールに対応して実験箇所(例えば、認識層によって定義された部分)が削除されていることから、設計者によって誤って導入された本来の欠陥のみを選択的に検出することができる。 Next, verification (ie, DRC (Design Rule Check)) is performed on the layout data excluding the experimental part from the verification target, and defects are extracted (step S23). This defect extraction process is the same as the defect extraction process in the prior art. However, in this embodiment, since the experimental part (for example, the part defined by the recognition layer) is deleted in correspondence with the verification rule, only the original defect introduced by the designer is selectively selected. Can be detected.
次に、抽出された欠陥をマージ(統合)して表示する(ステップS24)。検証ルール33ごとに求められた欠陥を統合したものは、半導体集積回路のレイアウトデータ全体に対する検証結果に相当する。
Next, the extracted defects are merged (integrated) and displayed (step S24). The integrated defect obtained for each
次に、設計者は、欠陥の分析を行う(ステップS25)。設計基準を満たしていない欠陥が存在する場合には、設計者は、欠陥を修正する(ステップS26)。 Next, the designer analyzes a defect (step S25). If there is a defect that does not satisfy the design criteria, the designer corrects the defect (step S26).
一方、欠陥が存在しない場合には、レイアウトデータの検証を完了する(ステップS28)。 On the other hand, if there is no defect, the layout data verification is completed (step S28).
さらに、設計基準または実験箇所が不足する場合(例えば、検証ルール記述ファイル32に対して実験箇所を指定し忘れた場合)には、これらを検証ルール記述ファイル32に追加する(ステップS27)。 Furthermore, when design criteria or experiment locations are insufficient (for example, when an experiment location is forgotten to be specified for the verification rule description file 32), these are added to the verification rule description file 32 (step S27).
図10ないし図12は、本実施例における検証ルール記述ファイル32の他の例を示す図である。図10は、検証ルールを検証対象の層ごとにまとめて記述したものである。図10を参照すると、各層に対する幅および間隔は、1行で記述される。なお、記述方法として、1行であっても複数行にまたがるようにしてもよい。配線の幅や間隔は露光機の加工性能によって決まることからほぼ一定であることから、図10のように、検証ルールを層ごとにまとめて表記することによって、設計者による確認が容易となる。
10 to 12 are diagrams showing other examples of the verification
一方、図11は、包括マージン/二層間間隔チェックを含む検証ルール記述ファイルの例を示す。また、図12は、面積チェックを含む検証ルール記述ファイル32の一例を示す。
On the other hand, FIG. 11 shows an example of a verification rule description file including a comprehensive margin / two-layer interval check. FIG. 12 shows an example of the verification
本実施例によると、意図的に導入された実験箇所と、設計者の過誤によって導入された本来の欠陥とを区別することができる。このとき、レイアウトデータにおいて修正すべき箇所として、本来の欠陥のみを抽出することができる。したがって、レイアウト検証およびレイアウト修正に要する時間および工数を大幅に削減することができる。 According to the present embodiment, it is possible to distinguish an experimental place intentionally introduced from an original defect introduced due to a designer's error. At this time, only the original defect can be extracted as a portion to be corrected in the layout data. Therefore, the time and man-hour required for layout verification and layout correction can be greatly reduced.
また、本実施例によると、検証ルール記述ファイル32は、設計基準と実験箇所との組によって表されることから、容易に生成することができるとともに容易に修正することもできる。さらに、検証ルール記述ファイル32によって、実験箇所や設計基準の確認が容易となり、設計者の意図が反映されているか否かも容易に確認することができる。
Also, according to the present embodiment, the verification
本発明の第2の実施例について図面を参照して説明する。図13は、本実施における検証装置の動作を示すフローチャートである。 A second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a flowchart showing the operation of the verification apparatus in the present embodiment.
基本的な工程は、上記第1の実施例における工程と同様である。ただし、実験箇所を除外したレイアウトデータにおいて、重複するものが含まれる場合には、重複するレイアウトデータのいずれかにおいて欠陥の抽出を実施する(ステップS33)。 The basic process is the same as the process in the first embodiment. However, if the layout data excluding the experimental portion includes overlapping data, defect extraction is performed on any of the overlapping layout data (step S33).
図13は、検証ルール1に含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータと、検証ルール2に含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータとが同一である場合を示す。この場合には、これらのいずれか一方のレイアウトデータに対して、欠陥の抽出が行われる。これによって検証に要する時間を短縮することができる。 FIG. 13 shows a case where the layout data excluding the experimental part included in the verification rule 1 from the verification target and the layout data excluding the experimental part included in the verification rule 2 from the verification target are the same. In this case, defect extraction is performed on any one of these layout data. As a result, the time required for verification can be shortened.
図5および図6を参照すると、「METAL、基本基準」および「VIA、基本基準2」に対して生成されるレイアウトデータは同一である。また、「METAL、実験基準」、「I/I、基本基準2」、「POLY、実験基準」および「VIA、実験基準」に対して生成されるレイアウトデータは同一である。したがって、これらの重複するレイアウトデータについては、いずれかの一のレイアウトデータについて欠陥の抽出を行えば十分である。なお、「POLY、基本基準」および「POLY、基本基準2」については、他のレイアウトデータとは異なるレイアウトデータが生成される。 Referring to FIGS. 5 and 6, the layout data generated for “METAL, basic standard” and “VIA, basic standard 2” is the same. Also, the layout data generated for “METAL, experimental standard”, “I / I, basic standard 2”, “POLY, experimental standard” and “VIA, experimental standard” are the same. Therefore, for these overlapping layout data, it is sufficient to extract defects for any one of the layout data. For “POLY, basic standard” and “POLY, basic standard 2”, layout data different from other layout data is generated.
以上の記載は実施例に基づいて行ったが、本発明は、上記実施例に限定されるものではない。 Although the above description has been made based on examples, the present invention is not limited to the above examples.
10 検証装置
11 検証ルール生成部
12 レイアウトデータ生成部
13 欠陥抽出部
14、24 欠陥表示部
20 コンピュータ
21 CPU
22 記憶部
23 入力部
31、41 レイアウトデータ
32、42 検証ルール記述ファイル
33、34 検証ルール
DESCRIPTION OF
22
Claims (24)
前記半導体集積回路に対する設計基準及び前記実験箇所を含む1又は2以上の検証ルールを生成する検証ルール生成部と、
前記検証ルールに含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを前記検証ルールのそれぞれについて生成するレイアウトデータ生成部と、
実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータにおいて前記設計基準を満たさない箇所である欠陥を前記検証ルールのそれぞれについて抽出する欠陥抽出部とを備えることを特徴とする検証装置。 An apparatus for verifying layout data of a semiconductor integrated circuit including an experimental part intentionally introduced by a designer,
A verification rule generation unit that generates one or more verification rules including a design standard for the semiconductor integrated circuit and the experiment location;
A layout data generation unit that generates layout data for each of the verification rules, excluding the experimental part included in the verification rule from the verification target;
A verification apparatus comprising: a defect extraction unit that extracts, for each of the verification rules, a defect that is a location that does not satisfy the design criteria in layout data in which an experimental location is excluded from verification targets.
前記レイアウトデータ生成部は、前記正規表現を展開することを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の検証装置。 The experimental part is described by a regular expression,
The verification apparatus according to claim 1, wherein the layout data generation unit expands the regular expression.
前記半導体集積回路に対する設計基準及び前記実験箇所を含む1又は2以上の検証ルールを生成する工程と、
前記検証ルールに含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを前記検証ルールのそれぞれについて生成するレイアウトデータ生成工程と、
実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータにおいて前記設計基準を満たさない箇所である欠陥を前記検証ルールのそれぞれについて抽出する欠陥抽出工程とを含む検証方法。 A method for verifying layout data of a semiconductor integrated circuit including an experimental part intentionally introduced by a designer,
Generating one or more verification rules including design criteria for the semiconductor integrated circuit and the experiment location;
A layout data generation step for generating, for each of the verification rules, layout data excluding the experiment location included in the verification rule from the verification target;
A verification method including a defect extraction step of extracting, for each of the verification rules, a defect that is a location that does not satisfy the design criteria in layout data in which an experimental location is excluded from verification targets.
前記レイアウトデータ生成工程において、前記正規表現は展開されることを特徴とする、請求項9乃至12のいずれか1項に記載の検証方法。 The experimental part is described by a regular expression,
The verification method according to claim 9, wherein the regular expression is expanded in the layout data generation step.
前記半導体集積回路に対する設計基準及び前記実験箇所を含む1又は2以上の検証ルールを生成する処理と、
前記検証ルールに含まれる実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータを前記検証ルールのそれぞれについて生成するレイアウトデータ生成処理と、
実験箇所を検証の対象から除外したレイアウトデータにおいて前記設計基準を満たさない箇所である欠陥を前記検証ルールのそれぞれについて抽出する欠陥抽出処理とをコンピュータに実行させることを特徴とする検証プログラム。 A program for verifying layout data of a semiconductor integrated circuit including an experimental part intentionally introduced by a designer,
Processing for generating one or more verification rules including design criteria for the semiconductor integrated circuit and the experiment location;
Layout data generation processing for generating, for each of the verification rules, layout data excluding the experimental part included in the verification rule from the target of verification;
A verification program that causes a computer to execute a defect extraction process for extracting a defect that is a location that does not satisfy the design criteria in layout data in which an experimental location is excluded from verification targets for each of the verification rules.
前記レイアウトデータ生成処理において、前記正規表現を展開する処理をコンピュータに実行させることを特徴とする、請求項17乃至20のいずれか1項に記載の検証プログラム。 The experimental part is described by a regular expression,
21. The verification program according to claim 17, further comprising causing a computer to execute a process of expanding the regular expression in the layout data generation process.
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A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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