JP2010134299A - 光導波路付き配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光導波路付き配線基板1aは、複数のセラミック層s1〜s4を積層してなり、表面3および裏面4を有する基板本体2と、上記セラミック層s1〜s4の層間に形成された配線層7〜9と、基板本体2の表面3と裏面4との間を貫通する第1貫通孔h1と、該第1貫通孔h1の内部に形成された被削性に優れた樹脂jaからなる穴埋め材mjと、該穴埋め材mjを基板本体2の表面3と裏面4との間で且つ該基板本体2の厚み方向に沿って貫通する第2貫通孔h2と、該第2貫通孔h2に形成され、クラッド11、および該クラッド11の内部で且つ基板本体2の厚み方向に沿って位置し、クラッド11よりも高い屈折率を有するコア12からなる光導波路10と、を備える。
【選択図】図1
Description
例えば、基板の表・裏面を貫通する貫通孔内に感光性ポリマを充填し、これを加熱・硬化した後、フォトマスクを介して紫外線を照射し、その照射部分の屈折率を低下または上昇させることで、内外二重のクラッドとコアとからなる光配線層を形成する光電気集積配線基板が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、上記光電気集積配線基板では、前記感光性ポリマに対し、紫外線を高照度により基板の厚み方向に沿って十分に照射するには、長時間を要しないと、所望の屈折率の差が得られにくい。しかも、前記フォトマスクの位置ずれにより光結合効率が低下し易く、且つ貫通孔のドリル加工と上記マスクの位置合わせとの2回の位置合わせにより、位置ずれを生じるおそれがある、という問題があった。
しかし、上記結合機能付光配線基板では、樹脂基板に設けるスルーホールとGIファイバとのクリアランスの適正化が必須であり、該クリアランスが適正でないと、前記ファイバがスルーホールの軸心に対して傾斜するなどの位置ずれが生じ易いと共に、前記絶縁性樹脂層などによる固定や、接着手段などが必要となるので、構成部品や製造工程の数が多くなる、という問題があった。
しかし、上記三次元配線用光ビアの作成方法では、クラッド用の貫通孔とコア用の貫通孔との2回の孔開け加工が必要となり、2つの貫通孔の軸心が位置ずれするおそれが生じ易い。しかも、クラッドの中心部をドリル加工するので、形成される貫通孔の内壁面が粗くなって凹凸を生じ易いため、該凹凸がコアの周面に残ることによって、光信号の伝送ロスが大きくなる、という問題があった。
2007年電子情報通信学会総合大会、予稿集、C−3−77、第233頁
即ち、本発明の光導波路付き配線基板(請求項1)は、複数のセラミック層を積層してなり、表面および裏面を有する基板本体と、前記複数のセラミック層の層間に形成された配線層と、上記基板本体の表面と裏面との間を貫通する第1貫通孔と、該第1貫通孔の内部に形成された穴埋め材と、該穴埋め材を上記基板本体の表面と裏面との間で且つ該基板本体の厚み方向に沿って貫通する第2貫通孔と、該第2貫通孔に形成され、クラッド、および該クラッドの内部で且つ基板本体の厚み方向に沿って位置し、上記クラッドよりも高い屈折率を有するコアからなる光導波路と、を備え、上記穴埋め材は、上記基板本体を構成するセラミック層のセラミックよりも被削性に優れた材料からなる、ことを特徴とする。
また、前記基板本体を構成する複数のセラミック層のセラミックは、アルミナなどの高温焼成セラミック、あるいは、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる。
更に、複数のセラミック層の層間に形成される配線層は、W、Mo、Ag、あるいはCuの何れかからなる。
また、前記第1貫通孔は、平面視が断面ほぼ円形の形態に限らず、断面がほぼ長円形、長楕円形、各コーナにアールが付された細長いほぼ長方形とし、複数個の光導波路を間隔を置き且つ直線状にして、前記穴埋め材を貫通させても良い。
更に、前記光導波路は、円筒形のクラッドと、その中心部を軸方向に沿って貫通して配置される円柱形のコアとからなる光伝送媒体であり、その両端面は、軸方向と直交する平面に沿って研磨されている。
加えて、前記クラッドおよびコアには、感光性樹脂、熱硬化性樹脂、あるいは熱可塑性樹脂のような樹脂材料からなり、互いに屈折率が相違し、且つ何れも透明な材料が選定される。
これによれば、穴埋め材は、前記基板本体を構成するセラミックよりも被削性に優れた材料からなるので、該穴埋め材を基板本体の厚み方向に沿って貫通する第2貫通孔の内周面が、凹凸が少なく滑らかで且つ断面がほぼ新円形である円柱体となっている。そのため、外周面が平滑なほぼ円筒形で且つ均一な厚みのクラッドと、その中心部を軸方向に沿って貫通するほぼ円柱形のコアとからなる光導波路(光伝送媒体)が、基板本体の厚み方向に沿って貫通する配線基板となる。
尚、前記穴埋め材には、有機系粒子(例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの粒子)、無機系粒子(例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、炭酸カルシウムなどの粒子)、および金属粒子(例えば、Cu、Agなどの粒子)の少なくとも1つを含有した樹脂(例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂など)が挙げられる。
これによれば、前記光導波路の表面側の端面が基板本体の表面よりも外側(上方)に突出しているので、該光導波路の端面と、該基板本体の表面の上方に追って実装される光素子の受光面あるいは発光面との距離を短くできる。そのため、光信号の伝送に伴う光の損失を低減し、安定した光信号の伝送が可能となる。
これによれば、前記同様に光導波路の表面側の端面と光素子の受・発光面との距離を短くし、安定した光信号の伝送ができると供に、保護層によって基板本体の表・裏面、および該表・裏面に形成される表・裏面端子を、物理的および化学的に防護することも可能となる。
更に、保護層にエポキシ系樹脂などのソルダーレジストを適用した形態では、追って実装すべき光素子の外部端子を表面端子にハンダ付けする際に、該ハンダが表面端子の周囲に流れにくくなり、当該実装を容易に行うことが可能となる。
尚、前記保護層は、アクリル系やエポキシ系樹脂などからなる。
また、前記クラッドおよびコアを形成する樹脂には、例えば、エポキシ樹脂、UV硬化性エポキシ樹脂、フッ素化ポリイミドなどのポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリオレフィン系樹脂、シリコーン樹脂などが、液状で適用される。更には、上述した樹脂が、重水素化、フッ素化、重水素フッ素化された樹脂であっても良い。
これによれば、基板本体の表・裏面に形成した表・裏面端子、およびこれらの表面に予め被覆したメッキ層を保護しつつ、光導波路を確実に作成できる。
このうち、光導波路を形成する工程の後に除去される形態によれば、前記同様にメッキ層を含む表・裏面端子を保護できる。一方、前記光導波路を形成する工程において、該光導波路の両端面を露出させる位置まで外層側が研磨される形態によれば、追って実装される光素子を表面端子にハンダ付けする際に、該ハンダが表面端子の周囲に流れにくくなるので、当該実装の容易化にも寄与し得る。
図1は、本願による一形態の光導波路付き配線基板(以下、単に配線基板と称する)1の要部を示す地位直断面図、図2は、図1中のX−X線の矢視に沿った部分断面図である。
配線基板1は、図1に示すように、セラミック層s1〜s4を積層してなり、表面3および裏面4を有する基板本体2と、上記セラミック層s1〜s4の層間に形成された配線層7〜9と、上記基板本体2の表面3と裏面4との間を貫通する第1貫通孔h1と、該第1貫通孔h1の内部に形成された穴埋め材mjと、該穴埋め材mjの内部を上記基板本体2の表面3と裏面4との間で且つ該基板本体2の厚み方向に沿って貫通する第2貫通孔h2と、該第2貫通孔h2の内部で且つ該基板本体2の厚み方向に沿って貫通して形成され且つ同軸心のクラッド11およびコア12からなる光導波路10と、を備えている。
また、図1に示すように前記配線層7,8,9間や、これらと基板本体2の表面3あるいは裏面4に形成された表面端子5や、裏面端子6との間は、ビア導体vdを介して接続されている。配線層7〜9の一部は、上・下層のビア導体vd同士の間を接続するビアカバーに置換しても良い。
尚、上記表・裏面端子5,6、配線層7〜9、およびビア導体vdは、セラミック層s1〜s4が高温焼成セラミックの場合には、WまたはMoからなり、低温焼成セラミックの場合には、AgまたはCuからなる。また、表・裏面端子5,6の表面には、例えばNiメッキ層およびAuメッキ層(何れも図示せず)が被覆されている。
上記第1貫通孔h1の内部には、図2の一点鎖線部分Yの部分拡大図で例示するように、エポキシ系樹脂jaに粒径が1μm以上のCu(金属)粒子mrを含有した導電性あるいは非導電性の樹脂(樹脂材料)からなる穴埋め材mjが充填により形成されている。該穴埋め材mjは、基板本体2を構成するセラミック層s1〜s4よりも、ドリルによる切削時の被削性が優れている。
含有するCu粒子mrの粒径を1μm以上とした上記穴埋め材mjを用いたので、図2中の部分拡大図で示すように、次述する第2貫通孔h2を穿孔する際のドリル加工において、ドリルの外周面に当たるCu粒子mrがその中間で容易に剪断されるため、内周面に凹凸のない第2貫通孔h2が形成されている。尚、上記Cu粒子mrの粒径が1μm未満になると、ドリルの外周面に当たった際に、Cu粒子mrの全体が上記穴埋め材mjから剥離するため、被削性が低下し、好ましくない。
因みに、クラッド11の直径は、0.1mm以下(例えば、50μm)であり、軸方向の長さは、0.2mm以上(例えば、0.4mm)である。隣接する光導波路10,10間のピッチは、0.3mm以下(例えば、250μm)である。
また、図1に示すように、光導波路10の上・下の端面は、基板本体2の表・裏面3,4よりも上方あるいは下方(外側)に高さ(距離)th分だけ突出している。そのため、基板本体2の表面3上方に、何れかの表面端子5とハンダ(図示せず)を介して接続される光素子18を追って実装した場合、該光素子18中の受光部または発光部19は、光導波路10の上端面との距離zhが短くなるので、光導波路10におけるコア12の中心部との間で光信号を少ない損失で伝送可能となる。
配線基板1bは、図3に示すように、前記同様の基板本体2、表裏面端子5,6、配線層7〜9、第1・第2貫通孔h1,h2、穴埋め材mj、およびクラッド11およびコア12からなる光導波路10を備えている。該配線基板1bが前記配線基板1aと相違するのは、基板本体2の表面3および裏面4に保護層13,14が個別に形成されていることである。該保護層13,14は、エポキシ系樹脂からなるソルダーレジストであり、表・裏面端子5,6ごとの真上には、該表・裏面端子5,6の表面(パッド)を露出させるほぼ円筒形またはほぼ円錐形の開口部15,16が個別に形成されている。また、光導波路10の両端部の周囲には、上記同様の開口部が個別に形成されている。該保護層13,14の厚みtaは、図3に示すように、光導波路10の両端面が基板本体2の表・裏面3,4から突出する高さthと、それぞれほぼ同じとなっている。
しかも、光導波路10の上端部(一端部)が基板本体2の表面3よりも外側に突出しているため、追って実装される光素子の受・発光部との距離を短くなり、光信号の伝送時における損失を低減でき、安定した光信号の伝送が可能となる。
更に、配線基板1bでは、ソルダーレジストの保護層13を有するため、追って実装すべき光素子18の外部端子を表面端子5にハンダ付けする際、該ハンダが表面端子5の周囲に流れにくくなり、当該実装を容易に行うことも可能となる。
予め、アルミナ粉末、所要の有機バインダ、および溶剤などを、所要量ずつ瓶量・混合してセラミックスラリを製作し、該スラリにドクターブレード法を施して、シート状を呈する4層のグリーンシート(図示せず)に形成した。尚、該グリーンシートは、多数個取り用の大版サイズのものであっても良い。
次いで、上記グリーンシートごとの所定の位置にビアホールを貫通させ、こられにWまたはMo粉末を含む導電性ペーストを充填し、且つ各グリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に、導電性ペーストを印刷して、未焼成のビア導体vd、表・裏面端子5,6、配線層7〜9(何れも図示せず)を形成した。
更に、前記グリーンシートごとの厚さ方向の同じ位置に、断面が細長い長円形の透孔を、打ち抜き加工で形成した。
その結果、図5に示すように、セラミック層s1〜s4が積層され、これらの層間に配置された配線層7〜9、セラミック層s1〜s4を個別に貫通する焼成済みのビア導体vd、表・裏面3,4の表・裏面端子5,6、およびセラミック層s1〜s4を厚み方向に沿って貫通し、平面視が細長いほぼ長円形を呈する第1貫通孔h1を有する基板本体2が得られた。引き続いて、表面端子5および裏面端子6の表面に、NiおよびAuメッキ電解メッキを順次施して、Niメッキ層およびAuメッキ層(何れも図示せず)の2層を所要の厚みで被覆した。
次いで、図6に示すように、第1貫通孔h1に、セラミック層s1〜s4よりも被削性に優れた前記穴埋め材mjを充填した。更に、基板本体2の表面3および裏面4に、感光性のエポキシ系樹脂からなる保護層13a,14aを形成した。
その結果、図8に示すように、第2貫通孔h2の内周面に沿って、外周面が平滑なほぼ円柱形であり、その内側に同軸心で且つほぼ円柱形の中空部11aを有し、軸方向に沿って均一な厚みを有する全体がほぼ円筒形のクラッド11が形成された。また、該クラッド11の両端部には、前記メタルマイクのガイド孔に倣ったフランジ11bが、保護層13a,14aよりも外側に突出して形成されていた。尚、上記クラッド11を均一な厚みで形成するには、その直径、上記樹脂の粘度、および第2貫通孔h2の上下端(両端)の開口部間の前記圧力差を制御することによって可能となる。
次に、図10中に示す上下一対の破線KLに沿った位置まで、保護層13a,14aの外層側を、ベルトサンダまたはグラインダなどを用いる研磨で除去した。
そして、保護層13a,14aに対し、これらをエッチングするエッチング(現像)液を接触させて、該保護層13a,14aを除去した。
その結果、保護層13a,14aを除去され、図12に示すように、基板本体2の表面3および裏面4が露出し、且つ光導波路10の両端部が表面3および裏面4よりも上・下方(外側)に突出した配線基板1aが得られた。
尚、基板本体2の表・裏面3,4の表・裏面端子5,6は、前記第1貫通孔h1を形成する工程から光導波路10を形成する工程までの間、保護層13a,14aに覆われて保護されていたため、それらの形状や表面ごとの前記メッキ層には、悪影響を受けていなかった。
前記製造方法の各工程と同様にして、セラミック層s1〜s4を積層してなり、表面3および裏面4、配線層7〜9を有する基板本体2を形成し、第1貫通孔h1内に穴埋め材mjを充填し、基板本体2の表・裏面3,4に保護層13a,14aを形成した。
次いで、基板本体2の表・裏面3,4に形成された表・裏面端子5,6の真上付近と、追ってドリル加工により第2貫通孔h2がされる真上付近との保護層13a,14aに対し、紫外線を照射し且つ現像処理するなどのフォリソグフィ技術を施して、図13に示すように、これらの位置ごとにほぼ円筒形の開口部15a,16aを形成した。何れかの開口部15a,16aの底部には、表・裏面端子5,6の表面が露出していた。また、基板本体2を挟んで同軸心で対向する開口部15a,16aの底面には、前記穴埋め材mjの上・下端面の中心部が、基板本体2の表・裏面3,4と同じ位置で露出していた。
更に、前記同様に、第2貫通孔h2内に圧力差を付けた状態とし、前記メタルマイクやスキージを用いて、前記同様のエポキシ系樹脂を第2貫通孔h2内に吸引しつつ充填した後、該樹脂を加熱して硬化させた。
その結果、図14に示すように、第2貫通孔h2の内周面に沿って、両端部にフランジ11bを有し、且つ中心部に沿って中空部11aを有する前記同様のクラッド11が形成された。
次に、図15中に示す上下一対の破線KLに沿った位置まで、保護層13a,14aの外層側を、前記同様に研磨して除去した。
これにより、図示のように、光導波路10の両端面が保護層13,14と同じ高さであると共に、表・裏面端子5,6および光導波路10を除いた基板本体2の表・裏面3,4が保護層13,14に覆われた配線基板1bが得られた。
以上のような配線基板1bの製造方法によれば、前記配線基板1aの製造方法と同様な効果が得られると共に、追って実装される光素子18を表面端子5にハンダ付けして接続する際に、該ハンダが表面端子5の周囲の表面3に流れにくくなるため、当該実装を容易化することも可能となる。
例えば、基板本体2を構成する前記セラミック層は、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックとしても良い。
また、前記基板本体は、2,3層あるいは5層以上のセラミック層を積層したものであっても良い。
更に、基板本体は、前記表面3を底面とするキャビティを形成するため、上層側に更に別のセラミック層を積層する形態としても良い。
更に、前記光導波路は、透明で屈折率が互いに異なる2種類の樹脂材料であれば、前記以外の材料でも良い。
また、前記第1・第2貫通孔h1,h2の組は、1つの基板本体に対し、複数組を形成した形態としても良い。
加えて、前記各製造方法は、多数個取りの方法によって行うよにしても良い。
2………………………………基板本体
3………………………………表面
4………………………………裏面
7〜9…………………………配線層
10……………………………光導波路
11……………………………クラッド
12……………………………コア
13,13a,14,14a…保護層
15a,16a………………開口部
s1〜s4……………………セラミック層
h1……………………………第1貫通孔
h2……………………………第2貫通孔
mj……………………………穴埋め材
mr……………………………金属粒子
ja……………………………樹脂
ta……………………………保護層の厚み
Claims (7)
- 複数のセラミック層を積層してなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記複数のセラミック層の層間に形成された配線層と、
上記基板本体の表面と裏面との間を貫通する第1貫通孔と、
上記第1貫通孔の内部に形成された穴埋め材と、
上記穴埋め材を上記基板本体の表面と裏面との間で且つ該基板本体の厚み方向に沿って貫通する第2貫通孔と、
上記第2貫通孔に形成され、クラッド、および該クラッドの内部で且つ基板本体の厚み方向に沿って位置し、上記クラッドよりも高い屈折率を有するコアからなる光導波路と、を備え、
上記穴埋め材は、上記基板本体を構成するセラミック層のセラミックよりも被削性に優れた材料からなる、
ことを特徴とする光導波路付き配線基板。 - 前記穴埋め材を構成する材料は、有機系粒子、無機系粒子、あるいは金属粒子の少なくとも1つを含有した樹脂である、
ことを特徴とする請求項1に記載の光導波路付き配線基板。 - 前記基板本体の表面には、該表面側の前記光導波路の端面が該表面よりも外側に突出している、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の光導波路付き配線基板。 - 前記基板本体の表面および裏面には、該表面および裏面からの距離が前記光導波路の両端面とほぼ同じとなる厚みの保護層が形成されている、
ことを特徴とする請求項3に記載の光導波路付き配線基板。 - 複数のセラミック層を積層してなり、該セラミック層間に配線層が形成され、且つ表面および裏面を有する基板本体を形成する工程と、
上記基板本体の表面と裏面との間を貫通する第1貫通孔を形成する工程と、
上記第1貫通孔に、上記セラミック層を構成するセラミックよりも被削性に優れた材料からなる穴埋め材を充填する工程と、
上記穴埋め材を上記基板本体の表面と裏面との間で且つ該基板本体の厚み方向に沿って貫通する第2貫通孔を形成する工程と、
上記第2貫通孔の内壁面に対し、該第2貫通孔の両開口部の間に圧力差を付けて透明な樹脂材料を塗布し、ほぼ円筒形のクラッドを形成する工程と、
上記クラッドの中心部を軸方向に沿って貫通する中空部に、上記クラッドを構成する材料よりも高い屈折率の透明な樹脂材料を充填して、ほぼ円柱形のコアを形成することにより、光導波路を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする光導波路付き配線基板の製造方法。 - 前記第1貫通孔に穴埋め材を充填する工程と前記第2貫通孔を形成する工程との間に、前記基板本体の表面および裏面に絶縁材からなる保護層を形成する工程を更に有し、
上記表面側および裏面側の保護層を含めて、前記第2貫通孔を形成する工程、前記クラッドを形成する工程、および前記光導波路を形成する工程が行われる、
ことを特徴とする請求項5に記載の光導波路付き配線基板の製造方法。 - 前記表面側および裏面側の保護層は、前記光導波路を形成する工程の後に除去されるか、あるいは、前記配線層と導通し且つ基板本体の表面および裏面に形成された表面端子および裏面端子を露出させる開口部を有し、且つ上記光導波路を形成する工程の際に、該光導波路の両端面を露出させる位置まで外層側が研磨される、
ことを特徴とする請求項6に記載の光導波路付き配線基板の製造方法。
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