JP2010129965A - 太陽電池、および、その製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製造工程の複雑化を招来することなく、高い光電変換効率を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明に係る太陽電池１０は、導電型の異なる複数の半導体層を含む半導体層群１１と、該半導体層群１１の光入射側と反対側の面に形成された裏面電極１４とを備えた太陽電池１０であって、半導体層群１１の光入射側と反対側の面と裏面電極１４との間にポーラスシリコン層１５が形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、太陽電池、および、その製造方法に関するものである。

太陽電池の光電変換効率を高めるための構造として、半導体基板の裏面（光入射側と反対側）に、その半導体基板と同一導電型であり、かつ、不純物濃度の高い電界層を設ける構造が従来公知となっている。この裏面電界層は、半導体基板の裏面近傍で発生したキャリアを半導体基板の内部へ押し戻すことによって、光電変換効率を高める働きをしている（以後、この働きを「裏面電界効果」とする）。半導体基板がＰ型シリコン基板の場合、裏面電界層を形成する方法として、例えば、該Ｐ型シリコン基板の裏面にアルミペーストを印刷焼成する方法、または、ボロンやアルミニウムを拡散する方法が挙げられる。また、該Ｐ型シリコン基板の裏面にＰ^＋型微結晶シリコン層を設けることにより、ヘテロ結合の裏面電界層を形成することもできる。

また、このような太陽電池においては、半導体基板の裏面に電極が形成されている。この裏面電極は、裏面電界層を透過した入射光を反射して光電変換効率を高める働きをしている（以後、この働きを「裏面反射効果」とする）。

特許文献１には、光電変換効率を向上させるために、裏面電界層と裏面電極との間に、裏面電界層より低屈折率の透明絶縁膜層を設けることによって、半導体基板内に反射する光量を増加させる技術が開示されている。この裏面反射構造は、以下のように形成される。すなわち、まず、裏面電界層上に、プラズマＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜または酸化シリコン膜からなる透明絶縁膜層を形成し、続いてフォトエッチング法を用いて、透明絶縁膜層のパターニングを行なう。これにより裏面電界層と裏面電極との接触部分を設けてから、真空蒸着法を用いてアルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）などの金属を半導体基板裏面全面に蒸着することによって裏面電極を形成する。

このような裏面反射構造は、裏面に形成されたＰ層およびＮ層を覆うように透明絶縁膜層を設けることによって、両極の電極が裏面に配置されている裏面電極型太陽電池にも適用することができる。
特開平６−３１０７４０号公報（１９９４年１１月４日公開）

しかしながら、特許文献１に記載の方法では太陽電池の製造工程が複雑になるという問題がある。具体的には、プラズマＣＶＤ法を用いて透明絶縁膜層を成膜する必要があり、また、フォトエッチング法を用いて裏面電界層と金属電極との接触部分を設ける必要もある。

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造工程の複雑化を招来することなく、高い光電変換効率を有する太陽電池を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る太陽電池は、導電型の異なる複数の半導体層を含む半導体層群と、該半導体層群の光入射側と反対側の面に形成された電極とを備えた太陽電池であって、上記半導体層群の光入射側と反対側の面と上記電極との間にポーラスシリコン層が形成されている、ことを特徴としている。

上記の構成によれば、上記ポーラスシリコン層の屈折率と、上記半導体層群の光入射側と反対側の面の屈折率との違いにより、上記半導体層群に入射した光の一部を該半導体層群内に反射することができる。すなわち、裏面反射効果を高めることができる。しかも、上記ポーラスシリコン層は、上記半導体層群の光入射側と反対側の面をポーラス化することにより形成できるので、かかる裏面反射構造を形成するために、プラズマＣＶＤ法およびフォトエッチング法を用いる必要がない。したがって、製造工程の複雑化を招来することなく、高い光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる、という効果を奏する。

本発明に係る太陽電池の上記半導体層群は、第１導電型を有する第１半導体層と、上記第１半導体層の光入射側の面に形成された第２導電型を有する第２半導体層と、上記第１半導体層の光入射側と反対側の面に形成された電界層であって、第１導電型を有し、かつ、上記第１半導体層よりも不純物濃度の高い電界層と、を含み、上記ポーラスシリコン層は、上記電界層と上記電極との間に形成されている、ことが好ましい。

上記の構成によれば、上記ポーラスシリコン層の屈折率と上記電界層の屈折率との違いにより、上記半導体層群に入射した光の一部を該半導体層群内に反射することができる。しかも、上記ポーラスシリコン層を上記電界層の光入射側と反対側の面をポーラス化することにより形成できるので、製造工程の複雑化を招来することなく高い光電変換効率を実現することができる。

本発明に係る太陽電池の上記半導体層群は、第１導電型を有する第１半導体層と、上記第１半導体層の光入射側と反対側の面の一部に形成された第２導電型を有する第２半導体層と、上記第１半導体層の光入射側と反対側の面の一部に形成された電界層であって、第１導電型を有し、かつ、上記第１半導体層よりも不純物濃度の高い電界層とを含み、上記ポーラスシリコン層は、上記第２半導体層と上記電極の間、および、上記電界層と上記電極との間の少なくとも何れかに形成されている、ことが好ましい。

上記の構成によれば、上記ポーラスシリコン層の屈折率と上記電界層の屈折率との違い、および／または、上記ポーラスシリコン層の屈折率と上記第２半導体層の屈折率との違いにより、上記半導体層群に入射した光の一部を該半導体層群内に反射することができる。しかも、上記ポーラスシリコン層を上記電界層および／または上記第２半導体層の光入射側と反対側の面をポーラス化することにより形成できるので、製造工程の複雑化を招来することなく高い光電変換効率を実現することができる。

上記課題を解決するために、本発明に係る太陽電池の製造方法は、導電型の異なる複数の半導体層を含む半導体層群と、該半導体層群の光入射側と反対側の面に形成された電極とを備えた太陽電池の製造方法であって、
上記電極を形成する前に、上記半導体層群の光入射側と反対側の面にポーラスシリコン層を形成するポーラスシリコン層形成工程を含む、ことを特徴としている。

上記の構成によれば、上記半導体層群の光入射側と反対側の面にポーラスシリコン層を形成することによって、高い光電変換効率を有する太陽電池を製造することができる。上記ポーラスシリコン層は、上記半導体層群の光入射側と反対側の面をポーラス化することにより製造することができるので、プラズマＣＶＤ法およびフォトエッチング法を用いた従来の製造方法と比べて、製造工程を簡略化することができる、という効果を奏する。

本発明に係る太陽電池の上記半導体層群は、第１導電型を有する第１半導体層と、上記第１半導体層の光入射側の面に形成された第２導電型を有する第２半導体層と、上記第１半導体層の光入射側と反対側の面に形成された電界層であって、第１導電型を有し、かつ、上記第１半導体層よりも不純物濃度の高い電界層と、を含み、上記ポーラスシリコン層形成工程は、上記電界層を光入射側と反対側からポーラス化することによって、上記ポーラスシリコン層を形成する工程である、ことが好ましい。

上記の構成によれば、上記電界層の光入射側と反対側の面にポーラスシリコン層を形成することによって、高い光電変換効率を有する太陽電池を製造することができる。上記ポーラスシリコン層は、上記電界層の光入射側と反対側の面をポーラス化することにより製造されるので、プラズマＣＶＤ法およびフォトエッチング法を用いた従来の製造方法と比べて、製造工程を簡略化することができる。

本発明に係る太陽電池の上記半導体層群は、第１導電型を有する第１半導体層と、上記第１半導体層の光入射側と反対側の面の一部に形成された第２導電型を有する第２半導体層と、上記第１半導体層の光入射側と反対側の面の一部に形成された電界層であって、第１導電型を有し、かつ、上記第１半導体層よりも不純物濃度の高い電界層とを含み、上記ポーラスシリコン層形成工程は、上記第２半導体層および上記電界層の少なくとも何れかを、光入射側と反対側からポーラス化することによって、上記ポーラスシリコン層を形成する工程である、ことが好ましい。

上記の構成によれば、上記電界層および／または上記第２半導体層の光入射側と反対側の面にポーラスシリコン層を形成することによって、高い光電変換効率を有する太陽電池を製造することができる。上記ポーラスシリコン層は、上記電界層および／または上記第２半導体層の光入射側と反対側の面をポーラス化することにより製造されるので、プラズマＣＶＤ法およびフォトエッチング法を用いた従来の製造方法と比べて、製造工程を簡略化することができる。

なお、本発明に係る太陽電池の製造方法において、上記ポーラスシリコン層は、陽極酸化法、または、ステインエッチングにより形成することができる。

本発明に係る太陽電池は、以上のように、導電型の異なる複数の半導体層を含む半導体層群と、該半導体層群の光入射側と反対側の面に形成された電極とを備えた太陽電池であって、上記半導体層群の光入射側と反対側の面と上記電極との間にポーラスシリコン層が形成されている。このため、裏面反射効果を高めることができ、かつ、プラズマＣＶＤ法およびフォトエッチング法を用いる必要がない。したがって、製造工程の複雑化を招来することなく、高い光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。

また、本発明に係る太陽電池の製造方法は、以上のように、導電型の異なる複数の半導体層を含む半導体層群と、該半導体層群の光入射側と反対側の面に形成された電極とを備えた太陽電池の製造方法であって、上記電極を形成する前に、上記半導体層群の光入射側と反対側の面にポーラスシリコン層を形成するポーラスシリコン層形成工程を含む。このため、上記半導体層群の光入射側と反対側の面にポーラスシリコン層を形成することによって、高い光電変換効率を有する太陽電池を製造することができる。上記ポーラスシリコン層は、上記半導体層群の光入射側と反対側の面をポーラス化することにより製造することができるので、プラズマＣＶＤ法およびフォトエッチング法を用いた従来の製造方法と比べて、製造工程を簡略化することができる。

本発明のいくつかの実施形態について、図面に基づいて説明すれば以下のとおりである。

〔実施形態１〕
（太陽電池１０の構成）
まず、第１の実施形態に係る太陽電池１０の構成について、図１を参照して説明する。図１は、太陽電池１０の構成を示す断面図である。

図１に示す太陽電池１０は、半導体層群１１と、反射防止膜１２と、表面グリッド電極１３と、裏面電極（電極）１４と、を備えており、半導体層群１１と裏面電極１４との間にポーラスシリコン層１５が形成されている。半導体層群１１は、Ｐ型シリコン基板（第１半導体層）１６と、Ｎ^＋層（第２半導体層）１７と、Ｐ^＋層（電界層）１８と、を含む。

Ｐ型シリコン基板１６は、Ｐ型の半導体基板であり、その光入射側の面にはＮ^＋層１７が形成されている。Ｐ型シリコン基板１６は、単結晶のシリコン基板であっても、多結晶のシリコン基板であってもよい。Ｎ^＋層１７の光入射側の面は、反射防止膜１２によって覆われている。反射防止膜１２は、太陽電池１０表面における光の反射率を低減させる。表面グリッド電極１３は、反射防止膜１２を貫通してＮ^＋層１７に接続するように形成されている。光によって励起された電子は、Ｎ^＋層１７を経由し、表面グリッド電極１３を介して取り出される。

Ｐ型シリコン基板１６の光入射側と反対側の面には、Ｐ型シリコン基板１６よりも高濃度の不純物が添加されたＰ^＋層１８が形成されている。Ｐ^＋層１８は、Ｐ型シリコン基板１６の裏面近傍で発生したキャリア（電子および正孔）をＰ型シリコン基板１６の内部へ押し戻すことによって、光電変換効率を高める裏面電界層として機能する。Ｐ^＋層１８の光入射側と反対側の面には、ポーラスシリコン層１５が形成されている。ポーラスシリコン層１５の光入射側と反対側の面は、裏面電極１４によって覆われている。光によって励起された正孔は、Ｐ型シリコン基板１６のＰ領域、Ｐ^＋層１８、およびポーラスシリコン層１５を経由し、この裏面電極１４を介して取り出される。

（太陽電池１０の製造方法）
次に、太陽電池１０の製造方法について、図２に基づいて説明する。図２は太陽電池１０の製造方法を示すフロー図である。

太陽電池１０の製造方法は、図２に示すように、まずＰ型シリコン基板１６を洗浄した後、その表面にテクスチャエッチングを行なう。続いて、オキシ塩化燐（ＰＯＣＩ_３）を用いた気相拡散によって燐（Ｐ）を拡散し、Ｐ型シリコン基板１６の光入射側表面にＮ^＋層１７を形成する。続いて、Ｎ^＋層１７の光入射側に、プラズマＣＶＤ法を用いて、窒化シリコン膜からなる反射防止膜１２を形成する。

続いて、Ｐ型シリコン基板１６の光入射側と反対側の面をエッチングすることによって、光入射側と反対側の面に形成されているＮ^＋層を除去する。続いて、Ｐ型シリコン基板１６の光入射側と反対側の面にアルミニウムペーストを印刷・焼成した後、Ａｌ−Ｓｉ合金層と燃焼層とを塩酸を用いてエッチング除去することによって、Ｐ^＋層１８を形成する。

続いて、Ｐ^＋層１８の光入射側と反対側の面をポーラス化することによって、ポーラスシリコン層１５を形成する。具体的には、弗酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ_３）との混合液を用いて、Ｐ^＋層１８の光入射側と反対側の面をステインエッチングする。これにより、弗酸がＰ^＋層１８表面におけるＳｉを分解して空孔を形成し、強力な酸化剤である硝酸が該空孔に入って分解を進めることによってポーラスシリコン層１５が形成される。このステインエッチングは例えば、弗酸：硝酸：純水を１：６：３０に混合したエッチング液にＰ型シリコン基板１６を６０秒間浸すか、または該エッチング液の蒸気に触れさせること等によって行なわれる。なお、プラス極で通電し酸化膜を形成する陽極酸化法によってポーラスシリコン層１５を形成することもできる。本発明においては、Ｐ^＋層１８の屈折率と異なる屈折率を有するポーラスシリコン層１５を形成することにより、半導体層群１１に入射した光の一部を該半導体層群１１内に反射して裏面反射効果を高めることができる。

ポーラスシリコン層１５を形成した後に、真空蒸着法を用いてアルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）などの金属をＰ型シリコン基板１６の光入射側と反対側の全面に蒸着し、裏面電極１４を形成する。最後に、Ｐ型シリコン基板１６の光入射側における反射防止膜１２に、Ａｇペーストを印刷・焼成し、ファイヤースルーすることによって、表面グリッド電極１３を形成する。以上説明したように太陽電池１０を製造する。

本発明に係る太陽電池１０は以上に説明したように、Ｐ型シリコン基板１６の光入射側と反対側の面をステインエッチングすることによって、ポーラスシリコン層を形成する。これにより、プラズマＣＶＤ装置を用いて透明絶縁膜層を成膜する必要が無く、フォトエッチング法を用いて裏面電界層と金属電極との接触部分を設ける必要も無い。したがって、製造工程の複雑化を招来することなく、高い光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。

（ポーラスシリコン層による光電効率効果）
次に、図３を参照して、太陽電池１０におけるポーラスシリコン層１５の作用について説明する。図３は、ポーラスシリコン層１５を形成した太陽電池１０と、ポーラスシリコン層を形成しない太陽電池との、波長に対する外部量子効率（光電変換効率）を示すグラフである。

図３に示したグラフによれば、ポーラスシリコン層１５を形成した太陽電池１０は、ポーラスシリコン層を形成しない太陽電池よりも、波長９５０ｎｍ以上の長波長光が効率的に光電変換したことが分かる。すなわち、裏面反射効果が大きくなっていることが分かる。なお、太陽電池１０のＩＶ特性としては、ポーラスシリコン層１５を形成したことにより、短絡電流密度が３６．２ｍＡ／ｃｍ^２から３６．８ｍＡ／ｃｍ^２に向上した。また、開放電圧と曲線因子とに変化はなかった。

〔実施形態２〕
（太陽電池１０の構成の変形例）
次に、第２の実施形態に係る太陽電池２０の構成について、図４を参照して説明する。図４は、太陽電池２０の構成を示す断面図である。

図４に示す太陽電池２０は、半導体層群２１と、反射防止膜１２と、裏面電極１４´および２２と、を備えており、半導体層群２１と裏面電極１４´および２２各々との間にポーラスシリコン層１５´および２３が形成されている。半導体層群２１は、Ｐ型シリコン基板１６と、Ｎ^＋層１７´と、Ｐ^＋層１８´と、を備えている。なお、図４に示す太陽電池２０は、両極の電極が光入射側と反対側に配置されている点において、図１に示した太陽電池１０と異なる。すなわち、太陽電池２０は、裏面電極型太陽電池である。

Ｐ型シリコン基板１６は、第１導電型を有する半導体基板であり、その光入射側の面は反射防止膜１２によって覆われている。Ｐ型シリコン基板１６の光入射側と反対側の面の一部には、Ｎ型の不純物が高濃度に添加されたＮ^＋層１７´が形成されている。Ｎ^＋層１７´は接合層として機能する。Ｎ＋層１７´の光入射側と反対側の面には、Ｎ型のポーラスシリコン層２３が形成されている。Ｎ型のポーラスシリコン層２３の光入射側と反対側の面はＮ型の裏面電極２２によって覆われている。光によって励起された電子は、Ｎ＋層１７´およびＮ型のポーラスシリコン層２３を経由してＮ型の裏面電極２２を介して取り出される。

また、Ｐ型シリコン基板１６の光入射側と反対側の面のうちのＮ^＋層１７´が形成されていない一部には、Ｐ型の不純物が高濃度に添加されたＰ^＋層１８´が形成されている。Ｐ^＋層１８´は裏面電界層として機能する。Ｐ^＋層１８´の光入射側と反対側の面には、Ｐ型のポーラスシリコン層１５´が形成されている。Ｐ型のポーラスシリコン層１５´の光入射側と反対側の面はＰ型の裏面電極１４´によって覆われている。光によって励起された正孔は、Ｐ型シリコン基板１６のＰ領域、Ｐ^＋層１８´、およびＰ型のポーラスシリコン層１５´を経由してＰ型の裏面電極１４´を介して取り出される。

なお、太陽電池１０および２０の構成は、パッシベーション膜といった太陽電池一般に用いられる構成を含むこともできる。また、太陽電池１０および２０においては基板をＰ型としたが、基板をＮ型とすることも可能である。

（付記事項）
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

例えば、本発明は、以下のように表現することもできる。

１．単結晶若しくは多結晶の第一導電型半導体基板と、前記半導体基板の光入射側に形成された第二導電型の半導体層と、前記半導体基板の前記光入射側と反対側の裏面上に形成された第一導電型でかつ前記半導体基板より高濃度の裏面電界層と、該裏面電界層上に形成された裏面電極層を有する太陽電池において、前記裏面電界層と前記裏面電極層との間にポーラスシリコン層を設けることを特徴とする太陽電池。

２．単結晶若しくは多結晶の第一導電型半導体基板と、前記半導体基板の前記光入射側と反対側の裏面上の少なくとも一部に形成された第二導電型の半導体層と、前記第二導電型層上に形成された第二導電型電極と、前記半導体基板の前記光入射側と反対側の裏面上の少なくとも一部に形成された第一導電型でかつ前記半導体基板より高濃度の裏面電界層と、該裏面電界層上に形成された第一導電型電極を有する太陽電池において、前記第二導電型層上に形成された第二導電型電極ないし前記裏面電界層と前記第一導電型電極層との間の少なくとも一部にポーラスシリコン層を設けることを特徴とする太陽電池。

３．前記ポーラスシリコン層を前記裏面電界層の一部をポーラス化することによって形成する、１に記載の太陽電池の製造方法。

４．前記ポーラスシリコン層を前記第二導電型層および前記裏面電界層の一部をポーラス化することによって形成する、２に記載の太陽電池の製造方法。

５．前記ポーラス化を陽極酸化法によって行う、３及び４に記載の太陽電池の製造方法。

６．前記ポーラス化をステインエッチング法によって行う、３及び４に記載の太陽電池の製造方法。

本発明の太陽電池は、太陽電池一般に対して広く適用することができる。

本発明の実施形態を示すものであり、太陽電池の構成を示す断面図である。 本発明の実施形態を示すものであり、太陽電池の製造方法を示すフロー図である。 本発明の実施形態を示すものであり、太陽電池についての波長に対する外部量子効率を示すグラフである。 本発明の実施形態を示すものであり、太陽電池の他の構成例を示す断面図である。

符号の説明

１０、２０ 太陽電池
１１、２１ 半導体層群
１６ Ｐ型シリコン基板（第１半導体層）
１７、１７´ Ｎ^＋層（第２半導体層）
１８、１８´ Ｐ^＋層（電界層）
１２ 反射防止膜
１３ 表面グリッド電極
１４、１４´、２２ 裏面電極（電極）
１５、１５´、２３ ポーラスシリコン層

Claims (8)

1. 導電型の異なる複数の半導体層を含む半導体層群と、該半導体層群の光入射側と反対側の面に形成された電極と、を備えた太陽電池であって、
   上記半導体層群の光入射側と反対側の面と上記電極との間にポーラスシリコン層が形成されている、
   ことを特徴とする太陽電池。
2. 上記半導体層群は、
   第１導電型を有する第１半導体層と、
   上記第１半導体層の光入射側の面に形成された第２導電型を有する第２半導体層と、
   上記第１半導体層の光入射側と反対側の面に形成された電界層であって、第１導電型を有し、かつ、上記第１半導体層よりも不純物濃度の高い電界層と、を含み、
   上記ポーラスシリコン層は、上記電界層と上記電極との間に形成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
3. 上記半導体層群は、
   第１導電型を有する第１半導体層と、
   上記第１半導体層の光入射側と反対側の面の一部に形成された第２導電型を有する第２半導体層と、
   上記第１半導体層の光入射側と反対側の面の一部に形成された電界層であって、第１導電型を有し、かつ、上記第１半導体層よりも不純物濃度の高い電界層とを含み、
   上記ポーラスシリコン層は、上記第２半導体層と上記電極の間、および、上記電界層と上記電極との間の少なくとも何れかに形成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
4. 導電型の異なる複数の半導体層を含む半導体層群と、該半導体層群の光入射側と反対側の面に形成された電極とを備えた太陽電池の製造方法であって、
   上記電極を形成する前に、上記半導体層群の光入射側と反対側の面にポーラスシリコン層を形成するポーラスシリコン層形成工程を含む、
   ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
5. 上記半導体層群は、
   第１導電型を有する第１半導体層と、
   上記第１半導体層の光入射側の面に形成された第２導電型を有する第２半導体層と、
   上記第１半導体層の光入射側と反対側の面に形成された電界層であって、第１導電型を有し、かつ、上記第１半導体層よりも不純物濃度の高い電界層と、を含み、
   上記ポーラスシリコン層形成工程は、上記電界層を光入射側と反対側からポーラス化することによって、上記ポーラスシリコン層を形成する工程である、
   ことを特徴とする請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
6. 上記半導体層群は、
   第１導電型を有する第１半導体層と、
   上記第１半導体層の光入射側と反対側の面の一部に形成された第２導電型を有する第２半導体層と、
   上記第１半導体層の光入射側と反対側の面の一部に形成された電界層であって、第１導電型を有し、かつ、上記第１半導体層よりも不純物濃度の高い電界層とを含み、
   上記ポーラスシリコン層形成工程は、上記第２半導体層および上記電界層の少なくとも何れかを、光入射側と反対側からポーラス化することによって、上記ポーラスシリコン層を形成する工程である、
   ことを特徴とする請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
7. 上記ポーラスシリコン層形成工程は、陽極酸化法により上記ポーラスシリコン層を形成する工程である、
   ことを特徴とする請求項５または６に記載の太陽電池の製造方法。
8. 上記ポーラスシリコン層形成工程は、ステインエッチングにより上記ポーラスシリコン層を形成する工程である、
   ことを特徴とする請求項５または６に記載の太陽電池の製造方法。

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