JP2010129167A5 - 低減した間隔を有する記録装置 - Google Patents

Claims (13)

1. 磁気記憶装置であって、
   基板上の軟磁性下地層（ＳＵＬ）と、
   前記ＳＵＬ上の磁気記録層と、
   前記磁気記録層の上面の強磁性オーバーコートとを備え、
   保護オーバーコート層または潤滑層は、前記強磁性オーバーコートを覆っておらず、
   前記強磁性オーバーコートは、約１００−１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する、磁気記憶装置。
2. 前記強磁性オーバーコートは、前記装置のヘッド媒体間隔（ＨＭＳ）またはヘッド・キーパ間隔（ＨＫＳ）の有効磁気間隔を、０．１オングストロームと１００オングストロームの間に低減し、強磁性オーバーコートを採用しない装置に比べて、前記装置の面積密度を、約１０〜２５％増加する、請求項１に記載の磁気記憶装置。
3. 前記強磁性オーバーコートは、前記強磁性オーバーコートの垂直厚さ方向に濃度が傾斜する炭素を含み、
   前記炭素濃度は、前記強磁性オーバーコートの上面に向かう方が前記磁気記録層の表面に向かう方より高い、請求項１に記載の磁気記憶装置。
4. 前記強磁性オーバーコートは、Ｎｉ−Ｆｅ−ＣまたはＮｉ−Ｃｏ−Ｃを含む、請求項１に記載の磁気記憶装置。
5. 垂直磁気記録デバイスであって、
   基板上の軟磁性下地層（ＳＵＬ）と、
   前記ＳＵＬ上の磁気記録層と、
   前記磁気記録層を覆う強磁性オーバーコートとを備え、
   保護オーバーコート層または潤滑層は、前記強磁性オーバーコートを覆っておらず、
   前記強磁性オーバーコートは、約１００−１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する、垂直磁気記録デバイス。
6. 前記強磁性オーバーコートは、前記垂直磁気記録デバイスのヘッド媒体間隔（ＨＭＳ）またはヘッド・キーパ間隔（ＨＫＳ）の有効磁気間隔を、０．１オングストロームと１００オングストロームの間に低減し、強磁性オーバーコートを採用しない垂直磁気記録デバイスに比べて、前記デバイスの面積密度を、約１０〜２５％増加する、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
7. 前記強磁性オーバーコートは、前記強磁性オーバーコートの垂直厚さ方向に濃度が傾斜する炭素を含み、
   前記炭素濃度は、前記強磁性オーバーコートの上面に向かう方が前記磁気記録層の表面に向かう方より高い、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
8. 前記強磁性オーバーコートは、硬磁性層を含むか、あるいは、前記強磁性オーバーコートは、ヘッド−ディスク接触からの保護を提供する、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
9. 前記強磁性オーバーコートは、約０．１−１００オングストロームの厚さを有する、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
10. 前記強磁性オーバーコートは、約０．５−５０オングストロームの厚さを有する、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
11. 前記強磁性オーバーコートは、Ｎｉ−Ｆｅ−ＣまたはＮｉ−Ｃｏ−Ｃを含む、請求項５に記載の垂直磁気記録デバイス。
12. 方法であって、
    基板上に軟磁性下地層（ＳＵＬ）を堆積するステップと、
    前記ＳＵＬ上に磁気記録層を堆積するステップと、
    前記磁気記録層の上面に強磁性オーバーコートを堆積するステップとを備え、
    保護オーバーコート層または潤滑層は、前記強磁性オーバーコートを覆っておらず、
    前記強磁性オーバーコートを堆積するステップは、約１００−１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する強磁性オーバーコートを堆積するステップを含む、方法。
13. 方法であって、
    基板上に軟磁性下地層（ＳＵＬ）を堆積するステップと、
    前記ＳＵＬ上に垂直磁気記録層を堆積するステップと、
    前記垂直磁気記録層を覆う強磁性オーバーコートを堆積するステップとを備え、
    保護オーバーコート層または潤滑層は、前記強磁性オーバーコートを覆っておらず、
    前記強磁性オーバーコートを堆積するステップは、約１００−１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する強磁性オーバーコートを堆積するステップを含む、方法。