JP2010128325A - 光変調装置およびレーザ加工装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】観察光の解像度および光量を保ちつつ対象部位を観察できる光変調装置およびレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】光変調装置1Aは、第1の方向に延びる第1の光路に沿って入射したレーザ光Lrを変調する反射型SLM7と、照明光Liを透過させる透光性部材5上に形成され、反射型SLM7から前面に入射したレーザ光Lrを、第1の方向と交差する第2の方向に延びる第2の光路上へ反射させるとともに、背面に入射した照明光Liを第2の光路上へ透過させる誘電体多層膜鏡6と、誘電体多層膜鏡6から照明光Li及びレーザ光Lrを受け、照明光Li及びレーザ光Lrを集光する集光レンズ9とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】光変調装置1Aは、第1の方向に延びる第1の光路に沿って入射したレーザ光Lrを変調する反射型SLM7と、照明光Liを透過させる透光性部材5上に形成され、反射型SLM7から前面に入射したレーザ光Lrを、第1の方向と交差する第2の方向に延びる第2の光路上へ反射させるとともに、背面に入射した照明光Liを第2の光路上へ透過させる誘電体多層膜鏡6と、誘電体多層膜鏡6から照明光Li及びレーザ光Lrを受け、照明光Li及びレーザ光Lrを集光する集光レンズ9とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、反射型の空間光変調器を備える光変調装置およびレーザ加工装置に関するものである。
特許文献1には、反射型の空間光変調器(SLM:SpatialLight Modulator)を用いた装置が記載されている。この文献に記載された装置では、仮想基準直線上に二つのミラーが配置され、仮想基準直線から垂直方向にずれた位置に反射型のSLMが配置されている。そして、仮想基準直線に沿って入射してくる入力光は一方のミラーで反射し、SLMに入射する。この光はSLMにより変調され、他方のミラーで反射したのち仮想基準直線に沿って出力される。
近年、SLMをレーザ加工装置や顕微鏡等に応用する技術が研究されている。例えばレーザ加工装置にSLMを応用する場合、位相変調型のSLMによりレーザ光を位相変調し、その位相変調後のレーザ光を集光レンズにより加工部位に集光することにより、集光点における収差を補正して加工精度を高めることが可能となる。
ここで、SLMを顕微鏡に応用する場合には対象部位に光を当ててその部位を観察することが必要となるが、SLMをレーザ加工装置に応用する場合においても、加工位置を高精度に特定するために対象部位(加工部位)を観察できることが望ましい。そのため、一般的には、レーザ光とは波長が異なる照明光を対象部位に照射し、その照明光の照射に伴って対象部位で発生した反射光や散乱光(以下、観察光という)を受光することにより、その部位を観察する。
国際公開2006/035775号パンフレット
特許文献1に記載されたような構成において、上述した照明光を用いて対象部位を観察する場合、例えばレーザ光と照明光とを同一の光路上に重ねて入力し、各ミラーやSLMにおいてこれらの光を反射させたのち、対象部位から反射または散乱した観察光をレーザ光から分岐して受光することとなる。しかしながらこのような構成では、照明光及び観測光に含まれるレーザ光と同じ偏光成分もSLMにより変調されてしまうので、観察光を受光する際の光量が低下し、解像度が劣化してしまう。
本発明は、上記した問題点を鑑みてなされたものであり、観察光の解像度および光量を保ちつつ対象部位を観察できる光変調装置およびレーザ加工装置を提供することを目的とする。
上記した課題を解決するために、本発明による光変調装置は、レーザ光を変調して出力するとともに、レーザ光とは波長が異なる照明光を変調後のレーザ光と同一の光路上に出力する光変調装置であって、第1の方向に延びる第1の光路に沿って入射したレーザ光を斜め前方より受け、該レーザ光を反射させつつ、二次元配列された複数の画素毎にレーザ光を変調する反射型の空間光変調器と、照明光を透過させる透光性部材上に形成され、空間光変調器から前面に入射したレーザ光を、第1の方向と交差する第2の方向に延びる第2の光路上へ反射させるとともに、背面に入射した照明光を第2の光路上へ透過させる誘電体多層膜鏡と、誘電体多層膜鏡から照明光及びレーザ光を受け、照明光及びレーザ光を集光する集光レンズとを備えることを特徴とする。
上記した光変調装置では、レーザ光が第1の光路に沿って入射し、反射型SLMに達する。そして、反射型SLMによってレーザ光が変調されたのち、該レーザ光は誘電体多層膜鏡に達する。一方、照明光は誘電体多層膜鏡の背面側から入射して該誘電体多層膜鏡を透過する。これらレーザ光および照明光は共に第2の光路上を進み、集光レンズによる集光を経て加工対象物や観察対象物の対象部位に達する。また、この対象部位における反射または散乱により得られる観察光は、上述した照明光と逆の光路を辿る。このように、上記した光変調装置によれば、照明光および観察光が反射型SLMによる変調を回避することができる。したがって、観察光の解像度および光量を保ちつつ対象部位を観察することができる。
また、光変調装置は、第1の光路が誘電体多層膜鏡の背面側を通過することを特徴としてもよい。或いは、光変調装置は、第1の光路が誘電体多層膜鏡の前面側を通過し、第1及び第2の方向と直交する第3の方向から見て第1の光路と第2の光路とが互いに交差することを特徴としてもよい。特に、第1の光路が誘電体多層膜鏡の前面側を通過する場合には、背面側を通過する場合と比較して当該光変調装置の小型化が可能になる。更に、レーザ光の反射型SLMへの入射角を小さくすることができるので、画素間のクロストークを低減することも可能となる。
また、本発明によるレーザ加工装置は、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより加工対象物を加工するレーザ加工装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光とは波長が異なる照明光を出射する照明光源と、第1の方向に延びる第1の光路に沿って入射したレーザ光を斜め前方より受け、該レーザ光を反射させつつ、二次元配列された複数の画素毎にレーザ光を変調する反射型の空間光変調器と、照明光を透過させる透光性部材上に形成され、空間光変調器から前面に入射したレーザ光を、第1の方向と交差する第2の方向に延びる第2の光路上へ反射させるとともに、背面に入射した照明光を第2の光路上へ透過させる誘電体多層膜鏡と、誘電体多層膜鏡から照明光及びレーザ光を受け、照明光及びレーザ光を加工対象物の内部に集光させる集光レンズとを備えることを特徴とする。
上記したレーザ加工装置では、反射型SLMによりレーザ光を変調し、その変調後のレーザ光を集光レンズにより加工部位に集光することにより、例えば集光点における収差を補正して加工精度を高めることが可能となる。そして、このレーザ加工装置においては、先に述べた光変調装置と同様に、レーザ光が第1の光路に沿って入射し、反射型SLMに達する。そして、反射型SLMによってレーザ光が変調されたのち、該レーザ光は誘電体多層膜鏡に達する。一方、照明光は誘電体多層膜鏡の背面側から入射して該誘電体多層膜鏡を透過する。これらレーザ光および照明光は共に第2の光路上を進み、集光レンズによる集光を経て加工対象物の被加工部位に達する。また、この被加工部位における反射または散乱により得られる観察光は、上述した照明光と逆の光路を辿る。このように、上記したレーザ加工装置によれば、照明光および観察光が反射型SLMによる変調を回避することができるので、観察光の解像度および光量を保ちつつ被加工部位を観察することができる。
また、レーザ加工装置は、照明光が加工対象物において反射または散乱することにより生じた観察光を撮像するための撮像手段を更に備えることを特徴としてもよい。これにより、被加工部位を好適に観察することができる。また、この場合、撮像手段は、第2の光路に沿って誘電体多層膜鏡を透過した観察光を撮像することが望ましい。これにより、他の光(レーザ光および照明光)から観察光を分岐するための光学部品を第2の光路上に設置する必要がなくなるので、そのような光学部品に起因する収差を低減することができる。
本発明による光変調装置およびレーザ加工装置によれば、観察光の解像度および光量を保ちつつ対象部位を観察できる。
以下、添付図面を参照しながら本発明による光変調装置およびレーザ加工装置の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
(第1の実施の形態)
図1〜図4は、本発明の第1実施形態に係る光変調装置1Aの構成を示す図である。図1は光変調装置1Aの平面断面図を示しており、図2は光変調装置1Aの底面図を示している。また、図3は図1のIII−III線に沿った光変調装置1Aの側断面図であり、図4はIII−III線の矢視方向とは反対の方向から見た光変調装置1Aの側面図である。なお、理解を容易にするため、これらの図1〜図4にはXYZ直交座標系が示されている。
図1〜図4は、本発明の第1実施形態に係る光変調装置1Aの構成を示す図である。図1は光変調装置1Aの平面断面図を示しており、図2は光変調装置1Aの底面図を示している。また、図3は図1のIII−III線に沿った光変調装置1Aの側断面図であり、図4はIII−III線の矢視方向とは反対の方向から見た光変調装置1Aの側面図である。なお、理解を容易にするため、これらの図1〜図4にはXYZ直交座標系が示されている。
本実施形態の光変調装置1Aは、外部から入力したレーザ光Lr(図1参照)を変調して出力するとともに、レーザ光Lrとは波長が異なる照明光Li(図1参照)を変調後のレーザ光Lrと同一の光路上に出力する装置である。図1〜図4を参照すると、本実施形態の光変調装置1Aは、筐体3と、筐体3の内部に収容された誘電体多層膜鏡6及び反射型SLM7と、筐体3の側壁に取り付けられた集光レンズ9とを備える。
筐体3は、略直方体状の外観を有している。筐体3の一対の側壁3a,3bのうち一方の側壁3aには開口30が形成されており、この側壁3aには、開口30を塞ぐように集光レンズ9が取り付けられている。また、他方の側壁3bには開口31が設けられており、この開口31からは、図示しない光源から照明光Liが入射する。すなわち、開口31はレーザ光と異なる波長の光を通過させる開口となる。
筐体3の上記側壁3a,3bの並置方向と交差する方向に並置された別の一対の側壁3c,3dのうち、一方の側壁3cには開口32が設けられている。この開口32からは、図示しない光源からレーザ光Lrが入射する。レーザ光Lrは、第1の方向(本実施形態ではY軸方向)に延びる第1の光路に沿って筐体3内に入射する。一方、照明光Liは、第1の方向と交差する第2の方向(本実施形態ではX軸方向)に延びる光路に沿って筐体3内に入射する。
反射型SLM7は、上記した第1の光路に沿って入射したレーザ光Lrを斜め前方より受け、該レーザ光Lrを反射させつつ、二次元配列された複数の画素毎にレーザ光Lrを変調する。反射型SLM7は、筐体3の内部において開口32と対向する側壁3d寄りの位置に配置されており、レーザ光Lrは、後述する誘電体多層膜鏡6の前面側を通過して反射型SLM7に入射する。反射型SLM7は、あおり機構33によって支持される。あおり機構33は、反射型SLM7の角度を調整するために筐体3に固定されており、反射型SLM7を支持している。反射型SLM7は、後述する誘電体多層膜鏡6へ向けてレーザ光Lrを反射するように、あおり機構33によってその姿勢角が調整されている。なお、あおり機構33と筐体3の側壁3dとの間には、反射型SLM7を制御するための回路基板34が配置される。
本実施形態の反射型SLM7は、位相変調型のものであって、例えば以下に説明する構造を備える。
図5は、反射型SLM7の一例として、LCOS(LiquidCrystal on Silicon)型の構造を示す分解斜視図である。図5に示すように、この反射型SLM7は、シリコン基板55と、シリコン基板55上に設けられた金属電極層56と、金属電極層56上に設けられたミラー層57と、ミラー層57上に設けられた液晶層58と、液晶層58上に設けられた透明電極層59と、透明電極層59上に設けられたガラス板60と、を備えている。金属電極層56及び透明電極層59は、複数行および複数列からなる二次元状に配置された複数の電極部56a,59aを有しており、金属電極層56の各電極部56aと透明電極層59の各電極部59aとは、反射型SLM7の積層方向において互いに対向している。そして、一対の電極部56a,59aによって、反射型SLM7における画素が規定される。
このように構成された反射型SLM7において、レーザ光Lrは、外部からガラス板60及び透明電極層59を順次透過して液晶層58に入射し、ミラー層57によって反射されて、液晶層58から透明電極層59及びガラス板60を順次透過して外部に出射される。このとき、互いに対向する一対の電極部56a,59a毎に電圧が印加され、その電圧に応じて、液晶層58において互いに対向する一対の電極部56a,59aに挟まれた部分の屈折率が変化している。これにより、複数の画素のそれぞれにおいて、レーザ光Lrの進行方向と直交する所定の方向の成分の位相にずれが生じ、レーザ光Lrが画素毎に整形(位相変調)されることとなる。
再び図1〜図4を参照すると、誘電体多層膜鏡6は、板状の透光性部材5の板面上に形成されている。透光性部材5は、照明光Liが含まれる波長の光を透過させることができ(レーザ光と異なる波長の光を通過させることができ)、筐体3の側壁3bの開口31に連通して取り付けられた筒状の部材35の傾斜した端面上に固定されている。透光性部材5は、反射型SLM7から誘電体多層膜鏡6の前面に入射したレーザ光Lrが第2の方向(X軸方向)に延びる第2の光路上に反射するように、部材35によってその姿勢角が規定されている。また、誘電体多層膜鏡6は、透光性部材5を通過して背面に入射した照明光Liを、レーザ光Lrと同じ第2の光路上へ透過させる。すなわち、誘電体多層膜鏡6はレーザ光と異なる波長の光を通過させることができる。したがって、レーザ光Lr及び照明光Liは、誘電体多層膜鏡6から同一の光路上を進むこととなる。なお、第1の方向(Y軸方向)及び第2の方向(X軸方向)と直交する第3の方向(Z軸方向)から見ると、反射型SLM7に入射するレーザ光Lrの第1の光路と、誘電体多層膜鏡6から出射されるレーザ光Lrの第2の光路とは、互いに交差(本実施形態では直交)している。
集光レンズ9は、誘電体多層膜鏡6から出射したレーザ光Lrおよび照明光Liの光路(第2の光路)上に配置される。集光レンズ9は、反射型SLM7から出力され誘電体多層膜鏡6において反射したレーザ光Lr、および誘電体多層膜鏡6を透過した照明光Liを集光して、レーザ光Lrを対象物91の対象部位(被加工部位または観察部位)において結像させる。また、集光レンズ9は、対象物91において照明光Liが反射・散乱して生じる光(すなわち観察光)を入力して、その観察光を誘電体多層膜鏡6へ向けて出力する。なお、集光レンズ9としては、無限焦点対物レンズが好適に用いられる。
図6は、本実施形態の光変調装置1Aの組立図である。図6に示すように、光変調装置1Aが組み立てられる際には、まず、筐体3の側壁3a,3bを有する本体部37が用意される。この本体部37のY軸方向の両端は開口しており、その一端には側壁3cが螺子止めされ、その他端には側壁3dが螺子止めされる。なお、側壁3aには開口30が予め形成されており、側壁3bには開口31が予め形成されており、側壁3cには開口32が予め形成されている。
板面上に誘電体多層膜鏡6が形成された透光性部材5は、予め筒状部材35の傾斜した端面上に固定される。そして、筒状部材35は、その内孔と側壁3bの開口31とが連通するように、側壁3bに螺子止めにより固定される。また、集光レンズ9は、側壁3aの開口30を覆うように側壁3aの外面側に固定される。
あおり機構33は、例えば図6に示すようにベース板33a、複数のバネ部材33b、及び複数の螺子部材33cによって構成される。板状のベース板33aは反射型SLM7を支持するためにY軸方向に突出した複数の支柱を有しており、この複数の支柱は、反射型SLM7を傾斜した状態で支持できるようにそれぞれ長さが異なっている。複数のバネ部材33bは、Y軸方向に延びており、その一端がベース板33aに係合され、他端が筐体3の本体部37に係合されることによって、ベース板33aと筐体3の本体部37とをY軸方向に引き寄せ合う。一方、複数の螺子部材33cは、ベース板33aの周縁部に螺合されると共にベース板33aと本体部37との隙間に突き出ることにより、ベース板33aと本体部37との間隔を規定する。そして、複数の螺子部材33cそれぞれの突出量が個別に調整されることにより、ベース板33aの傾斜角すなわち反射型SLM7の傾斜角が調整される。
あおり機構33と側壁3dとの間には、回路基板34が配置される。回路基板34の周縁部には複数の支柱34aが設けられており、この複数の支柱34aが側壁3dの内面側に螺子止めされることにより、回路基板34が側壁3dに固定される。
以上の構成を備える本実施形態の光変調装置1Aにおける作用および効果について説明する。図1に示すように、本実施形態に係る光変調装置1Aでは、レーザ光Lrが、図示しない光源部から第1の光路に沿って入射したのち、反射型SLM7に達する。そして、反射型SLM7によってレーザ光Lrが変調されたのち、変調されたレーザ光Lrは誘電体多層膜鏡6に達する。一方、照明光Liは誘電体多層膜鏡6の背面側から入射して誘電体多層膜鏡6を透過する。レーザ光Lrおよび照明光Liは共に同一の光路(第2の光路)上を進み、集光レンズ9による集光を経て、加工対象物や観察対象物といった対象物91の対象部位に達する。また、この対象部位における反射または散乱により得られる観察光は、上述した照明光Liと逆の光路を辿る。すなわち、観察光は、誘電体多層膜鏡6および透光性部材5を透過して開口31から出力され、撮像素子等を用いて観察される。
このように、本実施形態に係る光変調装置1Aにおいては、照明光Liおよび観察光が誘電体多層膜鏡6および透光性部材5を透過し、反射型SLM7には入射しない。すなわち、光変調装置1Aによれば、照明光Liおよび観察光が反射型SLM7による変調を回避することができるので、観察光の解像度および光量を保ちつつ対象部位を観察することができる。
ここで、誘電体多層膜鏡6と反射型SLM7との位置関係について詳細に説明する。図7(a)は、本実施形態における誘電体多層膜鏡6と反射型SLM7との位置関係を示している。すなわち、Y軸方向に延びるレーザ光Lrの第1の光路A1は、誘電体多層膜鏡6の前面側を通過して反射型SLM7に達している。換言すれば、誘電体多層膜鏡6は第1の光路A1の後方に位置している。そして、反射型SLM7はやや後方側へ傾斜しており、レーザ光Lrを誘電体多層膜鏡6へ向けて反射する。誘電体多層膜鏡6はレーザ光Lrを前方へ(すなわち、X軸方向に延びる第2の光路A2上へ)反射するので、Z軸方向から見て第1の光路A1と第2の光路A2とは互いに交差することとなる。
また、図7(b)は、一変形例に係る誘電体多層膜鏡6と反射型SLM7との位置関係を示している。光変調装置1Aにおいては、誘電体多層膜鏡6と反射型SLM7とがこのような位置関係であっても上記した作用効果を好適に奏することができる。図7(b)に示した例では、第1の光路B1が誘電体多層膜鏡6の背面側を通過して反射型SLM7に達している。換言すれば、誘電体多層膜鏡6は第1の光路B1の前方に位置している。そして、反射型SLM7はやや前方側へ傾斜しており、レーザ光Lrを誘電体多層膜鏡6へ向けて反射する。このような構成の場合、Z軸方向から見て第1の光路B1と第2の光路B2とは互いに交差しない。
光変調装置1Aにおいては図7(a)及び図7(b)に示された構成のいずれを採用しても良いが、図7(a)に示された構成がより好ましい。その理由は以下の通りである。
まず、図7(a)のように第1の光路A1が誘電体多層膜鏡6の前面側を通過する場合、図7(b)のように背面側を通過する場合と比較して光変調装置1Aの小型化が可能となる。図7(a)の構成においては、第1の光路A1から最も離れた誘電体多層膜鏡6の部分6aの第1の光路A1からの距離を、図7(b)の構成より短くできるからである。
また、図7(a)に示された構成では、図7(b)に示された構成より入射角θを小さくすることができる。図7(a)の構成においては、第1の光路A1に最も近い誘電体多層膜鏡6の部分6bの反射型SLM7からの距離を、図7(b)の構成より長くできるからである。
反射型SLM7に対するレーザ光Lrの入射角θが小さいと、反射型SLM7における画素間のクロストークが低減される。更に、反射型SLM7におけるモアレ(干渉縞)による影響を低減することも可能となる。すなわち、入射角が0度である場合に最適な変調光像が得られるよう設計された位相変調パターンを、入射角が0度より大きい斜入射に適用する場合、この位相変調パターンを1/cosθ倍に拡大する必要がある。このとき、図8に示すように拡大率に伴うモアレMが発生し、変調光像を劣化させる要因となる。モアレMの間隔は、反射型SLM7に対する入射角θが大きくなるほど密になるので、入射角θを小さくすることでモアレMによる影響を低減できる。
なお、本実施形態では図5に示した構成を備える反射型SLM7を使用しているが、光変調装置1Aは、他の形態の反射型SLMを備えても良い。図9は、反射型SLMの他の構成例を示す図である。図9に示す反射型SLM70は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を応用した構成を備えている。この反射型SLM70は、シリコン基板71と、シリコン基板71上において二次元状に配置された複数のアクチュエータ72と、複数のアクチュエータ72それぞれにより支持された複数の反射部73を備える。一組のアクチュエータ72および反射部73によって一つの画素が構成されており、反射部73の高さに応じてレーザ光Lrの位相が変化する。そして、各アクチュエータ72への印加電圧を個別に制御することによって各反射部73の高さが制御され、入射したレーザ光Lrに対し画素毎に位相変調が施される。
なお、このようなMEMS型のSLMにおいては、互いに隣接する反射部73の間に隙間が存在する。この隙間へ入射したレーザ光Lrによって、シリコン基板71上に形成された回路に悪影響が及ぶおそれがある。このような現象はレーザ光Lrの入射角θが大きいほど顕著になるので、反射型SLM70のようなMEMS型のSLMを使用する場合には、レーザ光Lrの入射角θを小さくするために図7(a)に示した構成を採用することがより好ましい。
(第2の実施の形態)
図10は、本発明の第2実施形態に係る光変調装置1Bの構成を示す図である。なお、本実施形態において、筐体3、透光性部材5、誘電体多層膜鏡6、反射型SLM7、及び集光レンズ9の構成は、上述した第1実施形態の光変調装置1Aと同様である。
図10は、本発明の第2実施形態に係る光変調装置1Bの構成を示す図である。なお、本実施形態において、筐体3、透光性部材5、誘電体多層膜鏡6、反射型SLM7、及び集光レンズ9の構成は、上述した第1実施形態の光変調装置1Aと同様である。
本実施形態の光変調装置1Bは、第1実施形態の光変調装置1Aの構成に加え、照明光源11、観察部13、及びハーフミラー15を更に備えている。照明光源11は、照明光Liを出射するための光源である。照明光源11としては、例えばハロゲンランプが好適に用いられる。
ハーフミラー15は、照明光源11と透光性部材5との間に配置される。ハーフミラー15は、照明光源11から出射された照明光Liを透光性部材5へ向けて透過させるとともに、透光性部材5を透過して到達した観察光Loを観察部13へ向けて反射させる。観察部13は、例えば二次元配列された複数の画素を有する固体撮像素子を含んでおり、ハーフミラー15から到達した観察光Loを撮像素子により受光して、この観察光Loに基づく対象物91の対象部位の画像を取得する。
本実施形態の光変調装置1Bは、上述した第1実施形態の光変調装置1Aと同様の構成を含んでおり、照明光Liおよび観察光Loが誘電体多層膜鏡6および透光性部材5を透過し、反射型SLM7には入射しない。すなわち、光変調装置1Bによれば、照明光Liおよび観察光Loが反射型SLM7による変調を回避することができるので、観察光Loの解像度および光量を保ちつつ対象部位を観察することができる。また、照明光源11、観察部13およびハーフミラー15を備えることによって、対象部位を好適に観察することができる。
(第3の実施の形態)
図11は、本発明の第3実施形態に係る光変調装置1Cの構成を示す図である。なお、本実施形態においても、筐体3、透光性部材5、誘電体多層膜鏡6、反射型SLM7、及び集光レンズ9の構成は、上述した第1実施形態の光変調装置1Aと同様である。また、照明光源11、観察部13およびハーフミラー15の構成は、上述した第2実施形態の光変調装置1Bと同様である。
図11は、本発明の第3実施形態に係る光変調装置1Cの構成を示す図である。なお、本実施形態においても、筐体3、透光性部材5、誘電体多層膜鏡6、反射型SLM7、及び集光レンズ9の構成は、上述した第1実施形態の光変調装置1Aと同様である。また、照明光源11、観察部13およびハーフミラー15の構成は、上述した第2実施形態の光変調装置1Bと同様である。
本実施形態の光変調装置1Cは、第2実施形態の光変調装置1Bの構成に加え、レーザ光源17およびダイクロイックミラー19を更に備えている。レーザ光源17は、照明光Liとは波長が異なるレーザ光Laを出射するための光源である。レーザ光Laは、被変調光であるレーザ光Lrのアシスト光として、或いは、照明光Liとは別の照明光として使用される光である。ダイクロイックミラー19は、特定波長の光を選択的に反射し、他の波長の光を透過させる。すなわち、ダイクロイックミラー19は、レーザ光源17から出射されて到達するレーザ光Laを反射させるとともに、照明光源11から出射されて到達する照明光Li、および対象物91から到達した観察光Loを透過させる。このダイクロイックミラー19によって、互いに波長が異なるレーザ光La及び照明光Liは、透光性部材5へ向けて同一の光路上に出射される。そして、レーザ光La及び照明光Liは、互いに同じ光路を辿って対象物91に到達する。
本実施形態の光変調装置1Cは、上述した第1実施形態の光変調装置1Aと同様の構成を含んでおり、照明光Liおよび観察光Loが誘電体多層膜鏡6および透光性部材5を透過し、反射型SLM7には入射しない。すなわち、光変調装置1Cによれば、照明光Liおよび観察光Loが反射型SLM7による変調を回避することができるので、観察光Loの解像度および光量を保ちつつ対象部位を観察することができる。また、レーザ光源17およびダイクロイックミラー19を備えることによって、対象部位をより好適に観察または加工することができる。
(第4の実施の形態)
図12は、本発明の第4実施形態に係るレーザ加工装置2Aの構成を示す図である。本実施形態のレーザ加工装置2Aは、外部から入力したレーザ光Lrを変調して出力するとともに、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光Lrを照射することにより加工対象物を加工する装置である。なお、理解を容易にするため、図12にはXYZ直交座標系が示されている。
図12は、本発明の第4実施形態に係るレーザ加工装置2Aの構成を示す図である。本実施形態のレーザ加工装置2Aは、外部から入力したレーザ光Lrを変調して出力するとともに、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光Lrを照射することにより加工対象物を加工する装置である。なお、理解を容易にするため、図12にはXYZ直交座標系が示されている。
図12を参照すると、本実施形態のレーザ加工装置2Aは、レーザ光源20、反射型SLM21、誘電体多層膜鏡22、観察光学系23、AF(Auto Focus)ユニット24、集光レンズ25、反射鏡26、およびダイクロイックミラー27を備える。
レーザ光源20は、被変調光であるレーザ光Lrを出射する光源である。レーザ光Lrは、第1の方向(本実施形態ではX軸方向)に延びる第1の光路A1に沿って反射型SLM21へ入射する。この第1の光路A1は、第1実施形態と同様に誘電体多層膜鏡22の前面側を通過する。反射型SLM21は、このレーザ光Lrを斜め前方より受け、該レーザ光Lrを反射させつつ、二次元配列された複数の画素毎にレーザ光Lrを変調する。反射型SLM21は、例えば図5に示した反射型SLM7、または図9に示した反射型SLM70と同様の構成を備える。
観察光学系23は、照明光Liを出射するとともに、照明光Liが加工対象物において反射または散乱して生じた観察光Loによる画像を取得するための構成要素である。観察光学系23は、例えばハロゲンランプといった照明光源を有しており、この照明光源から照明光Liが出射される。また、観察光学系23は、例えば二次元配列された複数の画素を有する固体撮像素子といった撮像手段を有しており、観察光Loを撮像素子により受光して、この観察光Loに基づく加工対象物の被加工部位の画像を取得する。
誘電体多層膜鏡22は、板状の透光性部材の板面上に形成されている。この透光性部材は、照明光Liが含まれる波長の光を透過させることができる。誘電体多層膜鏡22は、反射型SLM7から前面に入射したレーザ光Lrが第2の方向(本実施形態ではY軸方向)に延びる第2の光路A2上に反射するように、その姿勢角が規定されている。また、誘電体多層膜鏡22は、透光性部材を通過して背面に入射した照明光Liを、レーザ光Lrと同じ第2の光路A2上へ透過させる。したがって、レーザ光Lr及び照明光Liは、誘電体多層膜鏡22から同一の光路上を進むこととなる。また、観察光Loは、この第2の光路A2に沿って誘電体多層膜鏡22を透過する。観察光学系23は、この誘電体多層膜鏡22を透過した観察光Loを撮像する。
なお、第1の方向(X軸方向)及び第2の方向(Y軸方向)と直交する第3の方向(Z軸方向)から見ると、反射型SLM21に入射するレーザ光Lrの第1の光路A1と、誘電体多層膜鏡22から出射されるレーザ光Lrの第2の光路A2とは、互いに交差(本実施形態では直交)している。
誘電体多層膜鏡22から出射されるレーザ光Lr及び照明光Liは、2つの反射鏡26によりその光路が変更された後、ダイクロイックミラー27を透過して集光レンズ25に達する。集光レンズ25は、反射型SLM21から出力され誘電体多層膜鏡22において反射したレーザ光Lr、および誘電体多層膜鏡22を透過した照明光Liを集光して、レーザ光Lrを加工対象物の被加工部位において結像させる。また、集光レンズ25は、加工対象物において生じる観察光Loを入力して、観察光Loを誘電体多層膜鏡22へ出力する。なお、集光レンズ25としては、無限焦点対物レンズが好適に用いられる。
AFユニット24は、加工対象物の表面にうねりが存在するような場合にも、表面から所定の距離の位置にレーザ光Lrの集光点を精度良く合わせるための構成要素である。AFユニット24は、ダイクロイックミラー27で反射されるAF用レーザ光Lbを出射し、集光レンズ25によって集光されて加工対象物の表面で反射されたAF用レーザ光Lbを検出することで、例えば非点収差法を用いて、加工対象物の表面の変位データを取得する。そして、AFユニット24は、取得した変位データに基づいて、加工対象物の表面のうねりに沿うように集光レンズ25をその光軸方向に往復移動させ、集光レンズ25と加工対象物との距離を微調整する。
本実施形態のレーザ加工装置2Aにおいては、反射型SLM21によりレーザ光Lrを変調し、その変調後のレーザ光Lrを集光レンズ25により加工部位に集光することにより、例えば集光点における収差を補正して加工精度を高めることが可能となる。
更に、このレーザ加工装置2Aは、第1実施形態の光変調装置1Aと同様に、次の作用及び効果を有する。すなわち、レーザ加工装置2Aにおいて、レーザ光Lrが第1の光路A1に沿って入射し、反射型SLM21に達する。そして、反射型SLM21によってレーザ光Lrが変調されたのち、該レーザ光Lrは誘電体多層膜鏡22に達する。一方、照明光Liは誘電体多層膜鏡22の背面側から入射して誘電体多層膜鏡22を透過する。これらレーザ光Lrおよび照明光Liは共に第2の光路A2上を進み、2つの反射鏡26及び集光レンズ25を経て加工対象物の被加工部位に達する。また、この被加工部位における反射または散乱により得られる観察光Loは、上述した照明光Liと逆の光路を辿る。このように、本実施形態のレーザ加工装置2Aによれば、照明光Liおよび観察光Loが反射型SLM21による変調を回避することができるので、観察光Loの解像度および光量を保ちつつ被加工部位を観察することができる。
また、本実施形態のレーザ加工装置2Aにおいては、誘電体多層膜鏡22と反射型SLM21との位置関係が、図7(a)に示した形態と同様となっている。すなわち、X軸方向に延びるレーザ光Lrの第1の光路A1は、誘電体多層膜鏡22の前面側を通過して反射型SLM21に達している。誘電体多層膜鏡22はレーザ光Lrを前方へ(すなわち、Y軸方向に延びる第2の光路A2上へ)反射するので、Z軸方向から見て第1の光路A1と第2の光路A2とは互いに交差することとなる。このような構成により、例えば図7(b)のように背面側を通過する場合と比較して、レーザ加工装置2Aの小型化が可能となる。また、反射型SLM21に対するレーザ光Lrの入射角を小さくすることができるので、反射型SLM21における画素間のクロストークを低減できると共に、反射型SLM21におけるモアレ(干渉縞)による影響を低減することも可能となる。
また、本実施形態のように、レーザ加工装置2Aは、観察光Loを撮像するための撮像手段(すなわち、観察光学系23に含まれる固体撮像素子)を備えることが好ましい。これにより、被加工部位を好適に観察することができる。また、この撮像手段は、第2の光路A2に沿って誘電体多層膜鏡22を透過した観察光Loを撮像することが望ましい。これにより、他の光(レーザ光Lrおよび照明光Li)から観察光Loを分岐するための光学部品を第2の光路A2上に設置する必要がなくなるので、そのような光学部品に起因する収差を低減することができる。
(第5の実施の形態)
図13は、本発明の第5実施形態に係るレーザ加工装置2Bの構成を示す図である。なお、本実施形態において、レーザ光源20、反射型SLM21、誘電体多層膜鏡22、集光レンズ25、及び反射鏡26の構成は、上述した第4実施形態のレーザ加工装置2Aと同様である。
図13は、本発明の第5実施形態に係るレーザ加工装置2Bの構成を示す図である。なお、本実施形態において、レーザ光源20、反射型SLM21、誘電体多層膜鏡22、集光レンズ25、及び反射鏡26の構成は、上述した第4実施形態のレーザ加工装置2Aと同様である。
本実施形態のレーザ加工装置2Bでは、誘電体多層膜鏡22の背面側に更に別の誘電体多層膜鏡29が設けられており、観察光学系23から出射された照明光Liは、この誘電体多層膜鏡29において反射した後に誘電体多層膜鏡22へ入射する。また、誘電体多層膜鏡22を透過した観察光Loは、この誘電体多層膜鏡29において反射した後に観察光学系23へ入射する。
また、誘電体多層膜鏡29の背面側には、反射鏡26を介してAFユニット24が光結合されている。AFユニット24の構成および機能は、第4実施形態のものと同様である。なお、集光レンズ25と反射鏡26との間、および2つの反射鏡26の間には、レンズ28が設けられる。
本実施形態のレーザ加工装置2Bは、上述した第4実施形態のレーザ加工装置2Aと同様の構成を含んでおり、照明光Liおよび観察光Loが誘電体多層膜鏡22を透過し、反射型SLM21には入射しない。すなわち、レーザ加工装置2Bによれば、照明光Liおよび観察光Loが反射型SLM21による変調を回避することができるので、観察光Loの解像度および光量を保ちつつ対象部位を観察することができる。また、AFユニット24を誘電体多層膜鏡29の背面側に配置することによって、照明光Li及び観察光Loの光路上における光学部品(図12におけるダイクロイックミラー27)を更に少なくし、そのような光学部品に起因する収差をより低減することができる。
(比較例)
図14は、上記した第4実施形態および第5実施形態に対する比較例として、レーザ加工装置2Cの構成を示す図である。なお、本比較例において、レーザ光源20、反射型SLM21、誘電体多層膜鏡22、AFユニット24、集光レンズ25、及び反射鏡26の構成は、上述した第4実施形態のレーザ加工装置2Aと同様である。
図14は、上記した第4実施形態および第5実施形態に対する比較例として、レーザ加工装置2Cの構成を示す図である。なお、本比較例において、レーザ光源20、反射型SLM21、誘電体多層膜鏡22、AFユニット24、集光レンズ25、及び反射鏡26の構成は、上述した第4実施形態のレーザ加工装置2Aと同様である。
レーザ加工装置2Cでは、図12に示したレーザ加工装置2Aとは異なり、誘電体多層膜鏡22の背面側に観察光学系23が設けられていない。観察光学系23は、集光レンズ25と反射鏡26との間に設けられた誘電体多層膜鏡38を介して集光レンズ25と光結合されている。このような形態では、変調後のレーザ光Lrが複数の誘電体多層膜鏡(27,38)を透過する必要があり、これらに起因する収差が拡大してしまう。これに対し、上述した第4実施形態(図12)および第5実施形態(図13)によれば、変調後のレーザ光Lrが通過しなければならない光学部品の数が削減されているので、収差を効果的に低減することができる。
なお、本実施形態に係るレーザ加工装置2Cにおいては、上述した第4実施形態および第5実施形態と同様に、誘電体多層膜鏡22と反射型SLM21との位置関係が、図7(a)に示した形態と同様となっている。すなわち、X軸方向に延びるレーザ光Lrの第1の光路A1は、誘電体多層膜鏡22の前面側を通過して反射型SLM21に達している。誘電体多層膜鏡22はレーザ光Lrを前方へ(すなわち、Y軸方向に延びる第2の光路A2上へ)反射するので、Z軸方向から見て第1の光路A1と第2の光路A2とは互いに交差することとなる。このような構成により、例えば図7(b)のように背面側を通過する場合と比較して、レーザ加工装置2Cの小型化が可能となる。また、反射型SLM21に対するレーザ光Lrの入射角を小さくすることができるので、反射型SLM21における画素間のクロストークを低減できると共に、反射型SLM21におけるモアレ(干渉縞)による影響を低減することも可能となる。
本発明による光変調装置およびレーザ加工装置は、上記した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、本発明による光変調装置は、レーザ加工用途以外にも様々な用途に使用されることができる。
1A〜1C…光変調装置、2A〜2C…レーザ加工装置、3…筐体、3a〜3d…側壁、5…透光性部材、6,22,29,38…誘電体多層膜鏡、7,21,70…反射型SLM、9,25…集光レンズ、11…照明光源、13…観察部、15…ハーフミラー、17…レーザ光源、19,27…ダイクロイックミラー、20…レーザ光源、23…観察光学系、24…AFユニット、26…反射鏡、30〜32…開口、33…あおり機構、34…回路基板、35…筒状部材、37…本体部、91…対象物、A1,B1…第1の光路、A2,B2…第2の光路、La,Lr…レーザ光、Li…照明光、Lo…観察光。
Claims (6)
- レーザ光を変調して出力するとともに、前記レーザ光とは波長が異なる照明光を変調後の前記レーザ光と同一の光路上に出力する光変調装置であって、
第1の方向に延びる第1の光路に沿って入射した前記レーザ光を斜め前方より受け、該レーザ光を反射させつつ、二次元配列された複数の画素毎に前記レーザ光を変調する反射型の空間光変調器と、
前記照明光を透過させる透光性部材上に形成され、前記空間光変調器から前面に入射した前記レーザ光を、前記第1の方向と交差する第2の方向に延びる第2の光路上へ反射させるとともに、背面に入射した前記照明光を前記第2の光路上へ透過させる誘電体多層膜鏡と、
前記誘電体多層膜鏡から前記照明光及び前記レーザ光を受け、前記照明光及び前記レーザ光を集光する集光レンズと
を備えることを特徴とする、光変調装置。 - 前記第1の光路が前記誘電体多層膜鏡の背面側を通過することを特徴とする、請求項1に記載の光変調装置。
- 前記第1の光路が前記誘電体多層膜鏡の前面側を通過し、前記第1及び第2の方向と直交する第3の方向から見て前記第1の光路と前記第2の光路とが互いに交差することを特徴とする、請求項1に記載の光変調装置。
- 加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより前記加工対象物を加工するレーザ加工装置であって、
レーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光とは波長が異なる照明光を出射する照明光源と、
第1の方向に延びる第1の光路に沿って入射した前記レーザ光を斜め前方より受け、該レーザ光を反射させつつ、二次元配列された複数の画素毎に前記レーザ光を変調する反射型の空間光変調器と、
前記照明光を透過させる透光性部材上に形成され、前記空間光変調器から前面に入射した前記レーザ光を、前記第1の方向と交差する第2の方向に延びる第2の光路上へ反射させるとともに、背面に入射した前記照明光を前記第2の光路上へ透過させる誘電体多層膜鏡と、
前記誘電体多層膜鏡から前記照明光及び前記レーザ光を受け、前記照明光及び前記レーザ光を前記加工対象物の内部に集光させる集光レンズと
を備えることを特徴とする、レーザ加工装置。 - 前記照明光が前記加工対象物において反射または散乱することにより生じた観察光を撮像するための撮像手段を更に備えることを特徴とする、請求項4に記載のレーザ加工装置。
- 前記第2の光路に沿って前記誘電体多層膜鏡を透過した前記観察光を前記撮像手段が撮像することを特徴とする、請求項5に記載のレーザ加工装置。
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